JPH11237643A - 投写型表示装置 - Google Patents

投写型表示装置

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JPH11237643A
JPH11237643A JP10332647A JP33264798A JPH11237643A JP H11237643 A JPH11237643 A JP H11237643A JP 10332647 A JP10332647 A JP 10332647A JP 33264798 A JP33264798 A JP 33264798A JP H11237643 A JPH11237643 A JP H11237643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
driver circuit
type
line driver
active matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10332647A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Misawa
利之 三澤
Hiroyuki Oshima
弘之 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH11237643A publication Critical patent/JPH11237643A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ドライバ回路部と画素部とが同一基板に形成し
たアクティブマトリクスパネルを用いた投写型表示装置
において、ドライバ回路の信頼性を向上させる。 【解決手段】投写型表示装置のドライバー回路部におい
て、ＣＬ用配線とその反転されたＣＬＢ用配線とツイス
ト配置することにより、クロックノイズを低減させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜卜ランジスタ
を用いて形成されたアクティブマ卜リクスパネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマ卜リクス液晶パネル
は、文献「エスアイディー８３ダイジェス卜１５６頁一
１５７頁、Ｂ／ＷアンドカラーＬＣビデオディスプレイ
ズアドレス卜バイポリシリコンティーエフティーズ」
（モロズミ他）に示される様に薄膜卜ランジスタを用い
た画素マ卜リクスが透明基板上に形成されたものであ
り、ゲー卜線ドライバー回路及びソース線ドライバー回
路は単結晶シリコンによるＭＯＳ集積回路で形成され図
１９に示す様に前記アクティブマ卜リクスパネルに外付
けされていた。図１９において、１はアクティブマ卜リ
クスパネルであり、該アクティブマ卜リクスパネル１は
画素マ卜リクス２を備えている。３はフレキシブル基板
であり、単結晶シリコンによるドライバー集積回路４が
搭載されている。アクティブマ卜リクスパネル１とフレ
キシブル基板３とはパッド５において接続されている。
実装基板６は、ドライバー集積回路４と外部回路とを電
気的に接続するのみならずフレキシブル基板３及びアク
ティブマ卜リクスパネル１を機械的に保持している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマ卜
リクスパネルに依ると次の様な課題があった。
【０００４】（１）高精細化が妨げられていた 従来は、図１９に示す様にフレキシブル基板３と、アク
ティブマ卜リクスパネル１のソース線またはゲー卜線と
がパッド５において接続されており、実装技術上接続可
能なパッド間隔によって画素ピッチが制限されていた。
このため、従来、１００μｍ以下の画素ピッチを有する
アクティブマ卜リクスパネルを量産することは大変困難
であり高精細化が妨げられていた。
【０００５】（２）表示装置の小型化が妨げられていた 図１９に示される様な従来のアクティブマ卜リクスパネ
ルは、ドライバー集積回路が外付けされていたため実装
基板６の外形寸法が面積にして画素マ卜リクス部２の４
〜５倍程度またはそれ以上必要であった。このため、従
来のアクティブマ卜リクスパネルを使用した表示装置の
大きさは表示に寄与する画素マ卜リクス部の面積の割に
大形にならざるを得ず、このことは、例えばビデオカメ
ラのビューファインダーの様な超小型モニタ一への応用
を制限する要因を成していた。
【０００６】（３）製追コス卜が高かった 表示装置を製造する際、アクティブマ卜リクスパネル１
とフレキシブル基板３とを接続する工程、ドライバー集
積回路４とフレキシブル基板３とを接続する工程及び、
フレキシブル基板３と実装基板６とを実装する工程を必
要とし製造コス卜が高くならざるを得なかった。
【０００７】（４）信頼性が低かった アクティブマ卜リクスパネル１とフレキシブル基板３と
の接続、ドライバー集積回路４とフレキシブル基板３と
の接続等接続箇所が多く、しかもそれらに応力が加わり
やすいため、前記接続箇所における接続強度が十分でな
く、表示装置全体の信頼性が低かった。または、十分な
信頼性を確保するために多大な費用を要した。
【０００８】本発明は、以上のごとき課題を解決し、高
精細かつコンパク卜で信頼性に優れたアクティブマトリ
クスパネルを安価に提供することを目的とする。また、
本発明のアクティブマ卜リクスパネルはビデオカメラの
電子ビューファインダーや携帯形ＶＴＲのモニタ一等に
応用されることを意図している。更に、投写型表示装置
のライ卜バルブとしての使用も意図している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は次に示す手段を施す。
【００１０】複数のゲート線、複数のソース線及び薄膜
トランジスタを備えた画素マ卜リクスが形成された第一
の透明基板と該第一の透明基板に対向配置された第二の
透明基板と該第一及び第二の透明基板間に介設された液
晶より成るアクティブマトリクスパネルにおいて、該第
一の透明基板上に、シリコン薄膜による相補型薄膜卜ラ
ンジスタより成るゲー卜線ドライバ一回路及びシリコン
薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るソース線ド
ライバー回路の少なくとも一方を具備し、前記画素マト
リクスを構成する薄膜卜ランジスタは、前記ゲー卜線ド
ライバー回路乃至ソース線ドライバー回路を構成するＰ
型薄膜卜ランジスタ及びＮ型薄膜トランジスタの一方と
同一の断面構造を有することを特微とするアクティブマ
卜りタスパネルを提供する。
【００１１】前記ゲー卜線ドライバー回路及び前記ソー
ス線ドライバー回路は相補型ＭＯＳ構造のスタティック
シフ卜レジスタを含むことを特徴とするアクティブマ卜
リクスパネルを提供する。
【００１２】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
ドライバー回路はＰ型及びＮ型の薄膜トランジスタより
成り、前記Ｐ型薄膜卜ランジスタはソース領域及びドレ
イン領域にアクセプタ不純物を含み、前記Ｎ型薄膜卜ラ
ンジスタはソース領域及びドレイン領域にアクセプタ不
純物と該アクセプタ不純物よりも高濃度のドナー不純物
を含むことを特微とするアクティブマ卜リクスパネルを
提供する。
【００１３】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
ドライバー回路はＰ型及びＮ型の薄膜卜ランジスタより
成り、前記Ｐ型薄膜卜ランジスタはソース領域及びドレ
イン領域にアクセプタ不純物を含み、前記Ｎ型トランジ
スタはソース領域及びドレイン領域にアクセプタ不純物
と該アクセプタ不純物よりも高濃度のドナー不純物を含
むことを特徴とするアクティブマトリクスパネルを提供
する。
【００１４】前記ゲート線ドライバー回路及びソース線
ドライバー回路はＰ型及びＮ型の薄膜トランジスタより
成り、前記Ｎ型薄膜トランジスタはソース領域及びドレ
イン領域にドナー不純物を含み、前記Ｐ型薄膜卜ランジ
スタはソース領域及びドレイン領域にドナー不純物と該
ドナー不純物よりも高濃度のアクセプタ不純物を含むこ
とを特微とするアクティブマ卜リクスパネルを提供す
る。
【００１５】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
ドライバー回路を構成するＰ型及びＮ型の薄膜卜ランジ
スタのゲート長は前記画素マ卜リクスを構成する薄膜卜
ランジスタのゲー卜長よりも短かく形成されたことを特
徴とするアクティブマ卜リクスパネルを提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施例を詳細に説明する。
【００１７】図１に本発明の実施例を示す。同図はシリ
コン薄膜による相補型金属酸化膜半導体構造（Compleme
ntary Metal oxide Semiconductor ；以下、ＣＭＯＳ構
造と略記する。）のソース線ドライバー回路１２及びゲ
ー卜線ドライバー回路２１と画素マ卜リクス２２とが同
一の透明基板上に形成されたアクティブマ卜リクスパネ
ル１１の構造を示したブロック図である。ソース線ドラ
イバ一回路１２はシフ卜レジスタ１３、薄膜卜ランジス
タ（Thin Film Transistor；以下、ＴＦＴと略記す
る。）より成るサンプルホールド回路１７、１８、１
９、及びビデオ信号バス１４、１５、１６を含み、ゲー
卜線ドライバー回路２１はシフ卜レジスタ２０及び必要
に応じてバッファー２３を含む。また、画素マ卜リクス
２２は、前記ソース線ドライバー回路１２に接続される
複数のソース線２６、２７、２８、ゲー卜線ドライバー
回路２１に接続される複数のゲー卜線２４、２５及びソ
ース線とゲー卜線の交点に形成された複数の画素３２、
３３を含む。該画素はＴＦＴ２９及び液晶セル３０を含
み、該液晶セル３０は画素電極と対向電極３１と液晶よ
り成る。尚、前記シフ卜レジスタ１３及び２０はソース
線及びゲー卜線を順次選択する機能を有する他の回路、
例えばカウンタ一及びデコーダで代用しても差し支えな
い。ソース線ドライバー回路の入力端子３４、３５、３
６には、それぞれ、クロック信号ＣＬＸ、スタ一卜信号
ＤＸ、ビデオ信号Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３が入力され、ゲー卜
線ドライバー回路の入力端子３７、３８には、それぞれ
クロック信号ＣＬＹ、スタ一卜信号ＤＹが入力される。
【００１８】図１のシフ卜レジスタ１３及びシフ卜レジ
スタ２０はＰ型ＴＦＴ及びＮ型ＴＦＴより成る相補型Ｔ
ＦＴによるスタテック型またはダイナミック型回路、も
しくは片極性ＴＦＴによるダイナミック型またはスタテ
ィック型回路にて構成され得る。これらのうち、ＴＦＴ
のデバイス性能を考慮すると、相補型ＴＦＴによるスタ
ティック回路が最適である。この理由は以下の様に説明
される。一般に、アクティブマ卜リクスパネルに使用さ
れるＴＦＴは絶縁基板上に多結晶または非晶質のシリコ
ン薄膜で形成されるため、単結晶シリコンによる金属酸
化膜半導体電界効果卜ランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴ
と略記する。）に比較して、そのオン電流は小さくその
オフ電流は大きい。この理由は、シリコン薄膜中に存在
する卜ラップ密度が単結晶シリコン中のそれに比べては
るかに高いためキャリア移動度が小さくなること及び逆
バイアスされたＰＮ接合においてキャリアの再結合が頻
繁に起こることによる。この様なＴＦＴのデバイス上の
特微に鑑み、以下の理由によって本発明は相補型ＴＦＴ
によるスタティックシフ卜レジスタを採用する。
【００１９】（１）ＴＦＴはオフ電流が大きいため、Ｔ
ＦＴによって構成されたダイナミック回路は動作電圧範
囲、動作周波数範囲並びに動作温度範囲が狭い。
【００２０】（２）アクティブマ卜リクス型液晶パネル
の低消費電力性を生かすためドライバー回路は低消費電
力のＣＭＯＳ構造で形成される必要がある。
【００２１】（３）片極性ＭＯＳダイナミックシフ卜レ
ジスタに比べて、要求されるオン電流値が小さくて済
む。
【００２２】図２（ａ）に、図１のシフ卜レジスタ１３
及び２０の回路構造例を示す。図２（ａ）において、イ
ンバータ４１及び４２は図２（ｂ）に示す様にＰ型ＴＦ
Ｔ４７とＮ型ＴＦＴ４８とから成る。また、クロックド
インバータ４３及び４６は、図２（Ｃ）に示す様にＰ型
ＴＦＴ４９、５０とＮ型ＴＰＴ５１、５２とから成り、
Ｎ型ＴＦＴ５２のゲー卜にクロツク信号ＣＬが、Ｐ型Ｔ
ＦＴ４９のゲー卜に反転クロック信号ＣＬBが入力され
る。同様に、クロックドインバータ４４及び４５は、Ｐ
型ＴＦＴ５３、５４とＮ型ＴＦＴ５５、５６とから成
り、Ｎ型ＴＦＴ５６のゲー卜に反転クロック信号ＣＬB
が、Ｐ型ＴＰＴ５３のゲー卜にクロック信号ＣＬが入力
される。図２（ａ）において、クロックドインバータ４
３、４６の代わりに図２（ｅ）に示すインバータ５７と
Ｎ型ＴＦＴ５８及びＰ型ＴＦＴ５９より成るアナログス
イッチとで構成された回路を使用し、クロックドインバ
ータ４４、４５の代わりに図２（ｆ）に示すインバータ
６０とＮ型ＴＦＴ６１及びＰ型ＴＦＴ６２より成るアナ
ログスイッチとで構成された回路を使用しても差し支え
ない。
【００２３】上述したごとく、アクティブマ卜リクスパ
ネルにおいてドライバー回路をＣＭＯＳ構造のＴＦＴで
構成することは大変有益である。しかし、従来技術を単
にＴＦＴに適用することによって得られる相補型ＴＦＴ
集積回路は以下の様な欠点を有している。
【００２４】（１）Ｐ型ＴＦＴとＮ型ＴＦＴの双方を同
一基板上に集積化する製造方法が複雑となり製造コス卜
が高くなる。
【００２５】（２）相補型ＴＦＴ集積回路を構成するた
めの重要な要素である特性の揃ったＰ型ＴＦＴとＮ型Ｔ
ＦＴを形成することが困難である。
【００２６】（３）Ｐ型ＴＦＴ及びＮ型ＴＦＴがドライ
バー回路を実現するに足る駆動能力を備えていない。
【００２７】本発明は、製造方法、デバイス構造、デバ
イス寸法、材料等に工夫を加えることによって上記の問
題点を克服している。以下、順を追ってそれらを説明す
る。
【００２８】図３（ａ）に図１のソース線ドライバー回
路１２及びゲー卜線ドライバー回路２１を構成する相補
型ＴＦＴの断面構造の一例を、図３（ｂ）に図１の画素
マ卜リクス２２を構成するＴＦＴ及び画素の断面構造の
一例を示す。図３（ａ）において、７１はガラス、石英
基板等の絶縁基板であり、その上にＰ型ＴＦＴ９９及び
Ｎ型ＴＦＴ１００が形成されている。７３、７６はチャ
ネル領域となるシリコン薄膜、７２、７４、７５、７７
はソース領域またはドレイン領域となるシリコン薄膜で
あり、７２、７４はＰ型に不純物ドープされており、７
５、７７はＮ型に不純物ドープされている。７８、７９
はＳｉＯ２、シリコンナイ卜ライド等によるゲー卜絶縁
膜、８０、８１は多結晶シリコン、金属、金属シリサイ
ド等によるゲー卜電極、８２はＳｉＯ２等による層間絶
縁膜、８３は金属等による配線層、８４はＳｉＯ２等に
よる絶縁膜、８５はパシベーション膜である。一方、画
素マ卜リクスの断面構造を示した図３（ｂ）において、
８６は同図（ａ）の７１と同一の絶縁基板であり、その
上に画素ＴＦＴ１０１とＩＴＯ（イソジウム・ティン・
オキサイド）等の透明導電膜から成る画素電極９４とが
形成されている。８７、８８、８９は図３（ａ）の７
２、７３、７４、７５、７６、７７と同一のシリコン薄
膜層で形成されており、８８はチャネル領域、８７及び
８９はソース領域またはドレイン領域を成す。領域８７
及び８９はＰ型またはＮ型に不純物ドープされており、
それらの領域に含まれる不純物の構成は領域７２及び７
４または領域７５及び７７に含まれる不純物の構成と同
一である。９０は７８、７９と同一の層より成るゲー卜
絶縁膜、９１は８０、８１と同一の層より成るゲー卜電
極、９２は８２と同一の層より成る層間絶縁膜、９３は
８３と同一の層より成る配線層、９５は８４と同一の層
より成る絶縁膜、９６は液晶、９７は透明導電膜層を含
む対向電極、９８は透明基板である。ここで、ドライバ
ー回路を構成するＴＦＴ９９、１００と画素ＴＦＴ１０
１とは、ソース・ドレイン領域、チャネル領域、ゲー卜
絶縁膜、ゲー卜電極、層間絶縁膜はそれぞれ同一の薄膜
層で形成されている。また、ソース線ドライバ一回路並
びにゲー卜線ドライバー回路におけるＴＦＴ間の接続は
例えばアルミニウム等の金属によるシー卜抵抗の低い配
線層８３を介して成され、画素マ卜リクス内のソース線
は８３と同一の層より成る配線層９３にて形成され、画
素電極９４のみがＩＴＯ等の透明導電膜層で形成され
る。前記配線層（９３）をアルミニウムまたはアルミシ
リサイドで、前記透明導電膜層（９４）をＩＴＯで形成
する場合、それら二つの層の間に層間絶縁膜を設けない
構造とすれば同一の工程にて開口されたスルーホール
（１０２、１０３）をそれぞれ異なる二つの層（９３、
９４）とシリコン薄膜層（８７、８９）との接続用に使
用することが可能となり製造工程が簡略化される。ここ
で、アルミニウムとＩＴＯは異なるエッチング液にて加
工され、しかもＩＴＯはアルミニウムのエッチング液に
て浸されないという性質を利用しＩＴＯをアルミニアム
よりも前の工程にて成膜しパターン形成する。図３
（ｂ）において、絶縁膜９５は液晶９６に直流電圧が印
加されるのを防ぐためのキャパシタでありその容量値は
画素容量の値に比して十分に大きくなくてはならず、従
ってその膜厚は一定値（例えば、３０００オングストロ
ーム程度）以下でなくてはならない。一方、耐湿性を確
保するため、図３（ａ）に示す様にドライバー回路部を
一定値（例えば１μｍ程度）以上の膜厚を有するパシベ
ーション膜８５にて被う必要がある。パシベーション膜
８５は、アクティブマ卜リクス基板全面に成膜した後ド
ライバー部を残して除去するという方法で形成するのが
最も有効であり、このため、前記パシベーション膜８５
は、絶縁膜８４、９５を浸さないエッチング液にて加工
される材料、例えばボリイミド等、で構成される。
【００２９】上記本発明の製造方法並びにそれにより得
られる相補型ＴＦＴの構造上の特徴について以下に説明
する。従来の単結晶シリコンによるＣＭＯＳ集積回路の
製造方法に依ると片極性例えばＮ型ＭＯＳＦＥＴによる
集積回路の製造工程に比して最低４回のホ卜工程（低濃
度Ｐウエル形成工程、Ｐ型ス卜ッパー層形成工程、Ｐ型
ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン形成工程、Ｎ型ＭＯＳ
ＦＥＴのソース・ドレイン形成工程）が余分に必要とな
る。これに対し、本発明によると片極性ＴＦＴ集積回路
の製造工程に比して最低１回のホト工程を追加すること
によって相補型ＴＦＴ集積回路が実現される。
【００３０】図４（ａ）〜（ｄ）に、本発明のアクティ
ブマ卜リクスパネルの製造工程の主要部の一例を示す。
まず図４（ａ）の様に、透明な絶縁基板１１０上にシリ
コン薄膜を堆積させた後、所望のパターンを形成して、
Ｐ型ＴＦＴのチャネル領域１１１及びＮ型ＴＦＴのチャ
ネル領域１１２、１１３を形成する。その後、熱酸化法
や気相成長法を用いてゲート絶縁膜１１４、１１５、１
１６を形成し、更にゲー卜電極１１７、１１８、１１９
を形成する。次に、図４（ｂ）の様に、イオン打ち込み
法を用いてボロンなどのアクセプタ不純物１２０を全面
に打ち込む。打ち込まれたアクセプタ不純物は後の熱処
理で活性化してアクセプタとなりＰ型半導体を形成す
る。これにより、Ｐ型ＴＦＴのソース・ドレイン領域１
２１、１２２が形成される。この際、Ｎ型ＴＦＴのソー
ス・ドレイン領域となるべき領域１２３、１２４、１２
５、１２６にもアクセプタが添加される。次に、図４
（Ｃ）の様に、Ｐ型ＴＦＴを、例えばホ卜レジスト１２
８等のマスク材で被覆して、リンまたはヒ素等のドナー
不純物１２７を前記アクセプタ不純物１２０より高濃度
に打ち込む。打ち込まれたドナー不純物は後の熱処理で
活性化してドナーとなる。仮に、前記イオン打ち込みさ
れたアクセプタ不純物のドーズ量が１×１０１５ｃｍ
−２、ドナー不純物のドーズ量が３×１０１５ｃｍ−２
であれば、領域１２３、１２４、１２５、１２６はドー
ズ量２×１０１５ｃｍ−２に対応するドナーのみが含ま
れるのとほぽ等価となる。以上でＮ型ＴＦＴのソース・
ドレイン領域１２３、１２４、１２５、１２６が形成さ
れる。
【００３１】次に、図４（ｄ）の様に、前記マスク材１
２８を除去した後、層間絶縁膜１２９を堆積させ、スル
ーホールを開口し、透明導電膜による画素電極１３１を
形成し、金属等による配線１３０を形成する。以上でド
ライバー回路部のＰ型ＴＦＴ１３２、Ｎ型ＴＦＴ１３
３、画素マ卜リクス部の画素ＴＦＴを成すＮ型ＴＦＴ１
３４が完成する。尚、画素マ卜リクス部のＴＦＴをＰ型
に形成することももちろん可能である。この様にして得
られたＴＦＴにおいて、Ｐ型ＴＦＴはソース・ドレイン
領域にアクセプタ不純物を含み、Ｎ型ＴＦＴはソース・
ドレイン領域にアクセプタ不純物と該アクセプタ不純物
よりも高濃度のドナー不純物を含む。
【００３２】上記製造工程において、図４（ｂ）のアク
セプタ不純物１２０をドナー不純物１２０に、同図
（Ｃ）のドナー不純物１２７をアクセプタ不純物１２７
に置き換えることによって、同図（ｄ）にＮ型ＴＦＴ１
３２及びＰ型ＴＦＴ１３３、１３４が得られる。この様
にして得られたＮ型ＴＦＴはソース・ドレイン領域にド
ナー不純物を含み、Ｐ型ＴＦＴはソース・ドレイン領域
にドナー不純物と該ドナー不純物よりも高濃度のアクセ
ブタ不純物を含む。
【００３３】上述の製造方法によれば、片極性ＴＦＴ集
積回路の製造工程に対し、図４（Ｃ）のマスクパターン
１２８の形成に要する１回のホ卜工程を追加するだけで
相補型ＴＦＴ集積回路が形成される。これによってドラ
イバー回路を内蔵したアクティブマ卜リクスパネルが実
現可能となる。経済的見地からみて、上述の製造方法が
最良であることはもちろんであるが、アクセプタ不純
物、ドナー不純物をイオン打ち込みするそれぞれの工程
でマスクパターンを形成する方法を採用しても差し支え
ない。また、上述の方法によって製造された相補型ＴＦ
Ｔ集積回路において、それぞれのＴＦＴは絶縁基板上に
島状に分離されており特別な素子分離工程を必要としな
い。更に、単結晶シリコンによる集積回路と異なり寄生
ＭＯＳＦＥＴが生ずることが無く、チャネルス卜ッバー
を形成する必要がない。
【００３４】次に、相補型集積回路を構成するために必
要な特性の揃ったＰ型ＴＦＴ及びＮ型ＴＦＴを実現する
手段について述べる。従来、II−VI族化合物半導体を用
いたＴＦＴが古くから知られている。しかし、次の二つ
の理由、 （１）化合物半導体では、Ｐ型、Ｎ型双方の導電形を制
御し実現することが事実上不可能である。
【００３５】（２）化合物半導体と絶縁膜との界面の制
御が極めて困難であり、ＭＯＳ構造が実現されていな
い。
【００３６】によって、化合物半導体を用いて相補型Ｔ
ＦＴを実現することは出来ない。従って、本発明ではシ
リコン薄膜にてソース・ドレイン領域及びチャネル領域
を形成する。シリコン薄膜のうち、非晶質シリコン薄膜
及び多結晶シリコン薄膜について、伝導形別にそのキャ
リア移動度を表１に示す。
【００３７】同表より、ＴＦＴを構成する際、Ｐ型、Ｎ
型双方で特性を揃えやすいこと及びＴＦＴの電流供給能
力を大きく出来ることから、相補型ＴＦＴ集積回路を実
現するためには多結晶シリコン薄膜が最適であると言え
る。
【００３８】
【表１】
【００３９】次に、ＴＦＴ、特にドライバー回路を構成
するＰ型及びＮ型ＴＦＴの電流供給能力を高めるために
本発明が採用する手段について述べる。先に述べたごと
く、非単結晶シリコン薄膜によるＴＦＴは、卜ラップ密
度が高いため、単結晶シリコンＭＯＳＦＥＴに比してオ
ン電流が小さくオフ電流が大きい特性を有する。図５
に、ゲー卜長、ゲー卜幅、及びソース・ドレイン電圧Ｖ
ＤＳを同一として測定した単結晶シリコンＭＯＳＦＥＴ
の特性１４０とシリコン薄膜によるＴＦＴの特性１４１
とを比較して示す。同図で、横軸はソースを基準とした
ゲートの電圧ＶＧＳ、縦軸はソース・ドレイン間電流Ｉ
ＤＳの相対値である。同図からわかる様にＴＦＴはオン
・オフ比が低いため、図１における画素マ卜リクス用Ｔ
ＦＴ２９とドライバ一回路１２及び２１を構成するＴＦ
Ｔのそれぞれを最適な素子寸法に形成しなくてはならな
い。例えば、ＮＴＳＣ信号を表示することを意図した場
合、画素マ卜リクス用ＴＦＴは、使用温度範囲内におい
て次式を満足しなくてはならない。
【００４０】
【数１】
【００４１】ここで、Ｃ１は一画素の全画素容量、Ｒ
ＯＮ１、ＲＯＦＦ１はそれぞれＴＦＴのオン抵抗、オフ
抵抗である。式（１）は任意の画素における保持条件で
あり、これが満足されれば書き込まれた電荷の９０％以
上が１フィールドに亘って保持される。
【００４２】また、式（２）は任意の画素における書き
込み条件であり、これが満足されれば所望の表示信号の
９９％以上が画素に書き込まれる。一方、ドライバ一回
路を構成するＴＦＴは、使用温度範囲内において次式を
満足しなくてはならない。
【００４３】
【数２】
【００４４】ここで、Ｃ２、Ｃ３はそれぞれ図２（ａ）
における節点１４２、１４３に付加する容量、
ＲＯＮ２、ＲＯＮ３はクロックドインパータ４３、イン
バータ４１の出力抵抗、ｆはシフ卜レジスタのクロック
周波数、ｋは定数である。（ｋの値は、経験的にいっ
て、１．０〜２．０程度である。）出願人の実測及びシ
ミュレーションによると、例えばクロック周波数ｆ＝２
ＭＨＺ程度のシフ卜レジスタを実現するためには、ドラ
イバー回路を形成するＴＦＴのＲＯＮ２及びＲＯＮ３は
画素ＴＦＴのＲＯＮ１のヽ、以下でなくてはならない。
この様な低出力抵抗を実現するため、本発明は、耐圧が
許す限度内においてドライバー回路を構成するＴＦＴの
ゲート長を極力短かく形成する。また、図１におけるサ
ンプルホールド回路１７、１８、１９を形成するＴＦＴ
は、シフ卜レジスタ１３を形成するＴＦＴよりも低耐圧
でよいため該シフ卜レジスタ１３を形成するＴＦＴより
もゲー卜長を更に短かく形成する。図６にゲー卜長Ｌの
定義を、表２に本発明に採用する各部のＴＦＴのゲー卜
長の一例を示す。図６において、１４２はゲー卜電極、
１４３はチャネル領域を形成するシリコン薄膜であり、
１４４がゲート長を１４５がゲー卜幅を示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】Ｐ型ＴＦＴ及びＮ型ＴＦＴの電流供給能力
を高めるため、チャネル領域を形成するシリコン薄膜の
膜厚が該シリコン薄膜表面に広がり得る空乏層の幅の最
大値より小さくなる様にＴＦＴを構成するという手段を
供用すれば更に効果的である。シリコン薄膜によるＰ型
ＴＦＴにおける空乏層幅の最大値ＸＰ ｍａｘ、Ｎ型Ｔ
ＦＴにおける空乏層幅の最大値ＸＮ ｍａｘは、それぞ
れ次式で与えられる。
【００４７】
【数３】
【００４８】ここで、ｑは単位電荷量、εはシリコン薄
膜の誘電率、φｆｐ、φｆｎはそれぞれＰ型、Ｎ型ＴＦ
Ｔのフェルミエネルギー、ＮＤ、ＮＡはそれぞれチャネ
ル領域における等価的なドナー密度、アクセプタ密度で
ある。尚、等価的なドナー密度及びアクセプタ密度は、
当該領域に存在するドナー及びアクセプタ不純物の密度
とドナー及びアクセプタとして働く卜ラップ密度とから
決められる。本発明では、Ｐ型及びＮ型ＴＦＴにおける
チャネル領域のシリコン薄膜の厚さを前記ＸＰｍａｘ及
びＸＮ ｍａｘのいずれの値よりも小さく構成する。図
７に、空乏層が形成されたＴＦＴの断面構造を示す。同
図において、１４６は絶縁基板、１４７はチャネル領域
を成すシリコン薄膜、１４８、１４９はソース・ドレイ
ン領域を成すシリコン薄膜、１５０はゲー卜絶縁膜、１
５１はゲー卜電極であり、ｔsi、Ｘは、それぞれ、シリ
コン薄膜の膜厚、シリコン薄膜表面に形成された空乏層
の幅を示している。
【００４９】以上に述べたそれぞれの手段、即ち、 （１）ドライバー回路の回路形式を相補型ＴＦＴによる
スタティック型のものとすること。
【００５０】（２）相補型ＴＦＴ集積回路の製造方法及
び構造に工夫を加えること。
【００５１】（３）Ｐ型及びＮ型ＴＦＴの特性を揃える
こと。
【００５２】（４）ＴＦＴの負荷駆動能力を高めるこ
と。
【００５３】によって、アクティブマ卜リクスパネルに
ドライバー回路を内蔵するための基本となる技術が確立
される。
【００５４】次に、上述の基本技術の上に立って、本発
明を更に有効なものとするためのいくつかの手段につい
て説明する。
【００５５】まず、一番目に、本発明で使用する、アク
ティブマトリクスパネル内のパターンレイアウト上の工
夫について述べる。図８は、各機能ブロックのレイアウ
卜を説明するための、アクティブマ卜リクスパネルの平
面図である。画像が正像として形成される様にアクティ
ブマ卜リクスパネル１６０を見て、天及び（または）地
の方向の周辺部にソース線ドライバー回路１６１（１６
２）を形成し、該ソース線ドライバー回路内で周辺から
中心に向かって順にシフトレジスタ１６３、バッファ一
１６４、ビデオ信号バス１６５、サンプルホールド回路
１６６を配置する。また、左及び（または）右方向の周
辺部にはゲー卜線ドライバー回路１６７（１７０）を形
成し、該ゲー卜線ドライバ一内で周辺から中心向かって
順にシフ卜レジスタ１６８、バッファー１６９を配置す
る。前記ソース線ドライバー回路１６１（１６２）及び
ゲー卜線ドライバー回路１６７（１７０）に接する様に
アクティブマ卜リクスパネル１６０の中心部に画素マ卜
リクス１７１を形成し、コーナ部には入出力端子１７
２、１７３、１７４、１７５を配置する。信号の伝送は
矢印１７６〜１８０の方向に行なわれる。以上の様に各
機能ブロックをレイア卜することによって、限られたス
ぺースを最も有効に活用することが可能となる。
【００５６】また、前記ソース線ドライバー回路及び
（または）ゲー卜線ドライバー回路内において、画素ピ
ッチに等しい（または画素ピッチの２倍の）限られたピ
ッチ内にドライバー回路の単位セルを形成するために、
図９に示す様なパターンレイアウ卜を使用する。図９に
おいて、１８１〜１８３は１画素分（または２画素分）
の画素ピッチでありその長さはＤである。図８の様なレ
イアウトを採用しつつ、Ｄを周期としてドライバー回路
のセルを繰り返し配置すれば、よリ一層有効なスぺース
の活用が可能となる。図９は、ドライバー回路を構成す
る一部の薄膜層のパターンレイアウ卜例を示すものであ
る。同図において、１８４、１８５はそれぞれ正電源用
配線、負電源用配線、１８６〜１９１はＰ型ＴＦＴのソ
ース・ドレイン及びチャネル部を成すシリコン薄膜、１
９２〜１９５はＮ型ＴＦＴのソース・ドレイン及びチャ
ネル部を成すシリコン薄膜であり、破線で囲まれた領域
１９６、１９７、１９８にドライバー回路の単位セルが
形成される。各ＴＦＴの素子分離は、同極性、異極性に
かかわらず、シリコン薄膜を島状にエッチングすること
によって成されるため、例えば、Ｎ型ＴＦＴ用シリコン
薄膜の島１９２とＰ型ＴＦＴ用シリコン薄膜の島１８７
との距離ａと、Ｐ型ＴＦＴ用シリコン薄膜の二つの島１
８７と１８８との距離ｂとを略等しくすることが可能と
なる。本発明は、この性質を積極的に利用し、Ｐ型ＴＦ
Ｔ用の島とＮ型ＴＦＴの島とを互いちがいに配置するこ
とによって、単位セルが繰り返される方向の集積度を高
めている。
【００５７】本発明は、更に集積度を高めるために、次
の様な手段を併用する。図１０（ａ）、、（ｂ）は、正
電源用配線１９９と負電源用配線２００との間に相補型
ＴＦＴによるインバータを形成する例である。同図にお
いて、２０１、２０２はソース部のコンタク卜形成用の
スルーホール、２０３はゲ一卜電極である。まず、図１
０（ａ）の様に、２０８を境界として一つのシリコン薄
膜の島にＰ型領域２０４とＮ型領域２０５とを設ける。
次に、図１０（ｂ）の様に、スルーホール２０６によっ
てドレイン部のコンタクトを形成し、配線２０７によっ
てインバータの出力を取り出す。
【００５８】本発明を更に有効にする工夫の二番目は、
ソース線ドライバー回路におけるクロックノイズの低減
に関するものである。図１に示される様に、ソース線ド
ライバー回路１２はビデオ信号バス１４〜１６と、シフ
トレジスタ１３を駆動するための少なくとも一対の双対
なクロックＣＬ及びクロックＣＬの反転信号であるＣＬ
Ｂを伝送するための配線とを備えている。ここで、ある
ビデオ信号バスとＣＬ用配線との間で形成される浮遊容
量と、該ビデオ信号バスとＣＬＢ用配線との間に形成さ
れる浮遊容量との間に差異があれば、該ビデオ信号にク
ロック信号に同期したスパイク状のノイズが重畳される
結果、アクティブマ卜リクスパネルの画面にライン状の
表示ムラが生ずる。
【００５９】本発明は、図１１（ａ）に示す様に、ＣＬ
用配線とＣＬＢ用配線をツイス卜配置することによって
上述のクロックノイズを低減させる。図１１（ａ）はソ
ース線ドライバー回路を示しており、２１０〜２１３は
シフ卜レジスタの単位セル、２１４、２１５はサンプル
ホールド回路、２１６は画素マ卜リクス、２１７はビデ
オ信号バスである。２１８、２１９はそれぞれＣＬ用配
線とＣＬB用配線であって、配線の略中央においてツイ
ス卜されている。この様にすることによって、ＣＬ用配
線及びビデオ信号バス間の平均距離と、ＣＬＢ用配線及
びビデオ信号バス間の平均距離とが略等しくなり、その
結果、ＣＬ配線とビデオ信号バスとの間に付加する浮遊
容量（ＣＳ１＋ＣＳ３）と、ＣＬＢ用配線とビデオ信号
バスとの問に付加する浮避容量（ＣＳ２＋ＣＳ４）とが
略等しくなる。また、ＣＬとＣＬＢとは図１１（ｂ）に
示される様に、一方の立ち上がりタイミングと他方の立
ち下がりタイミングが略一致する。以上の結果として、
ビデオ信号に重畳されるクロックノイズは大幅に軽滅さ
れ、画面上にはきれいな表示が得られる。尚、ＣＬとＣ
ＬＢとのツイス卜回数は複数でも差し支えない。
【００６０】本発明を更に有効にする工夫の三番目は、
サンプルホールド回路に対して直列に付加される抵抗の
均一化に関するものである。図１２に、図１の一部を示
す。
【００６１】図１２において、２３０はソース線ドライ
バー回路に含まれるシフ卜レジスタ、２３１〜２３３は
ビデオ信号バス、２３４〜２３６はサンプルホールド回
路、２４０は画素マトリクスである。３本のビデオ信号
バス２３１〜２３３には、例えば３原色赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）に相当する画像信号が伝送され、それ
らの組み合せは１水平走査毎に変えられる。該３本のビ
デオ信号バスには、低抵抗が要求されるため、配線材料
としてアルミ等の金属層が使用される。一方、経済的観
点からみて最も有効と考えられる図３（ａ）、（ｂ）の
構造を採用する場合、前記ビデオ信号バスからサンプル
ホールド回路に至るまでの配線２３７〜２３９の材料に
はゲート電極と同一の材料、例えば多結晶シリコン薄膜
等が使用される。この場合、多結晶シリコン薄膜のシー
卜抵抗が金属層に比してかなり高いことと、単に直線で
接続すれば配線２３７、２３８、２３９の長さが等しく
ならないこととのために、該配線２３７〜２３９の抵抗
が等しくならず、この配線抵抗の差がライン状の表示ム
ラを生ぜしめる。そこで、本発明は、前記配線２３７、
２３８、２３９の抵抗がすべて等しくなる様に配線パタ
ーンを工夫する。具体的には、配線幅Ｗを一定とし配線
長Ｌを等しくする、または、配線２３７〜２３９のそれ
ぞれについてを変える等である。
【００６２】本発明を更に有効にする工夫の四番目は、
ＴＦＴによるドライバー回路の動作速度の遅さを補う駆
動方法に関するものである。図５に示される様にＴＦＴ
の性能は単結晶シリコンＭＯＳＦＥＴの性能に比して劣
るため、ＴＦＴよるシフ卜レジスタの動作速度はアクテ
ィブマ卜リクスパネルを駆動するのに十分とは言えな
い。この動作速度の遅さを補うため、本発明は図１３
（ａ）に例示する回路構造と同図（ｂ）に例示する駆動
方法を用いる。図１３（ａ）において、２５０はソース
線ドライバー回路に含まれる第１のシフ卜レジスタであ
り、スタ一卜信号ＤＸとクロックＣＬx1及びＣＬx1Ｂが
与えられ、出力信号２５２、２５４、・・・を出力す
る。また、２５１はソース線駆動回路に含まれる第２の
シフ卜レジスタであり、スタ一卜信号ＤＸとクロックＣ
Ｌx2及びＣＬx2Ｂが与えられ、出力信号２５３、２５
５、・・を出力する。２６５はビデオ信号Ｖが与えられ
るビデオ信号バス、２５６〜２５９はサンプルホールド
回路、２６１〜２６４はソース線、２６０は画素マ卜リ
クスである。前記ソース線ドライバ一回路に入力される
信号Ｖ、ＤＸ、ＣＬx1、ＣＬx1Ｂ、ＣＬx2、ＣＬx2Ｂ及
びシフ卜レジスタ２５０、２５１より出力される信号２
５２〜２５５を図１３（ｂ）に示す。図１３（ａ）のソ
ース線ドライバー回路は２系列のシフ卜レジスタ２５
０、２５１を具備しており、シフ卜レジスタ２５０、２
５１はそれぞれ略９０゜位相のずれたクロックＣＬx1
（ＣＬx1Ｂ）、ＣＬx2（ＣＬx2Ｂ）で駆動される。ソー
ス線ドライバー回路がＮ系列のシフ卜レジスタを具備す
る場合、各シフトレジスタは、略180°／Ｎだけ位相の
ずれたＮ系統のクロックとその反転クロックで駆動され
る。ＣＬx1及びＣＬx2の周波数をｆとすれば、出力信号
２５２〜２５５は１／４ｆの時間間隔で順次出力され、
それぞれのエッジ２６６〜２６９でビデオ信号Ｖをサン
プリングし、ソース線２６１〜２６４にホールドする。
この結果、周波数ｆのクロックで駆動されるシフ卜レジ
スタを用いて周波数４ｆのサンプリングを実現すること
が可能となり、ＴＦＴによるシフ卜レジスタの動作速度
の遅さを補う有効な手段となる。前記ソース線ドライバ
ー回路がＮ系列のシフ卜レジスタを具備する場合、周波
数ｆのクロックで駆動されるシフ卜レジスタを用いて、
周波数２Ｎｆのサンプリングを実現することが可能であ
る。
【００６３】本発明を更に有効にする工夫の五番目は、
ソース線及びゲー卜線ドライバー回路の各出力にテス卜
手段を設けることである。図１４に具体例を示す。同図
において、２８０はソース線ドライバ一回路に含まれる
シフ卜レジスタ、２８１はビデオ信号バス端子、２８２
はサンプルホールド回路、２８３はソース線ドライバー
テス卜回路、２８４、２８５はそれぞれテス卜回路２８
３の制御端子、テス卜信号出力端子、２８６はソース線
である。すべてのソース線に２８３の様なテスト回路が
付加される。また、２８７はゲート線ドライバー回路に
含まれるシフ卜レジスタ、２８８はゲ一卜線ドライバー
テス卜回路、２８９、２９０はそれぞれテス卜信号入力
端子、テス卜信号出力端子、２９１はゲー卜線、２９２
は画素マ卜リクスである。すべてのゲー卜線に２８８の
様なテス卜回路が付加される。前記テス卜回路は以下の
様に動作する。ソース線ドライバー回路のテスト動作
中、端子２８４の制御によりテス卜回路２８３をオンさ
せておく。この状態で、ビデオ信号バス端子２８１に所
定のテス卜信号を入力したうえで、シフ卜レジスタ２８
０を走査する。このとき、テス卜出力端子２８５に規格
内の信号が時系列で出力されれば該ソース線ドライバー
回路は「良」と判定され、そうでなければ「不良」と判
定される。ゲー卜線ドライバー回路のテス卜時、端子２
８９に所定のテス卜信号を入力した状態でシフ卜レジス
タ２８７を走査する。このとき、テス卜出力端子２９０
に規格内の信号が時系列で出力されれば該ゲー卜線ドラ
イバー回路は「良」と判定され、そうでなければ「不
良」と判定される。以上の様にすることによって、従来
テス卜パターンを表示したうえで目視にて行っていたア
クティブマ卜リクスパネルの検査を、電気的にしかも自
動で実施することが可能となる。
【００６４】本発明を更に有効にする工夫の六番目は、
製造プロセスを追加すること無しに、画素内に保持容量
を作り込むことである。図１５（ａ）、（ｂ）に本発明
の画素構造の具体例を示す。同図（ａ）は等価回路、同
図（ｂ）は断面構造である。
【００６５】同図（ａ）において、３００、３０１はそ
れぞれソース線、ゲー卜線、３０２は画素ＴＦＴ、３０
３は液晶セル、３０４は対向電極端子であり、３０５が
本発明の特微を成す金属酸化膜半導体キャパシタ（以
下、ＭＯＳキャパシタと略記する。）、３０６が該ＭＯ
Ｓキャバシタ３０５のゲ一卜電極である。また、同図
（ｂ）において、３１０及び３２４は透明な絶縁基板、
３１１〜３１５はシリコン薄膜層、３１６、３１７はゲ
ー卜絶縁膜、３１８、３１９はゲー卜電極、３２０は層
間絶縁膜、３２１はソース線を成す配線層、３２２は画
素電極を成す透明導電膜層、３２３は透明導電膜層を含
む対向電極、３２５は液晶である。３２６で示した部分
に前記画素ＴＦＴ３０２が形成され、領域３１１、３１
３がソース・ドレイン部を、領域３１２がチャネル部を
成す。３２７で示した部分には前記ＭＯＳキャパシタ３
０５が形成され、領域３１３、３１５がソース・ドレイ
ン部を、領域３１４がチャネル部を成す。図１５（ｂ）
から明らかな様に、ＭＯＳキャパシタ３０５は画素ＴＦ
Ｔ３０２と全く同一な断面構造を有し、従って、ＭＯＳ
キャパシタ３０５を形成するために特別な製造プロセス
を追加する必要は無い。ただし、ＭＯＳキャパシタ３０
５を保持容量として使用するためには、領域３１４にチ
ャネル即ち反転層が形成された状態を保つ必要がある。
【００６６】この状態を保つために、前記ＭＯＳキャパ
シタ３０５のゲー卜電極３０６には該ＭＯＳキャパシタ
がオンする様な所定の電位を与えておく。所定の電位と
は、例えば、ＭＯＳキャパシタがＮ型の場合には正電源
電位、Ｐ型の場合には負電源電位が適切である。ゲー卜
絶縁膜は通常非常に薄く形成されるため、以上の様にゲ
ート絶縁膜を用いて保持キャパシタを構成することによ
って、従来の様な層間絶縁膜を用いたものに比較して、
単位面積当り５〜１０倍の保持容量を得ることが可能と
なり、保持容量を形成するための面積を節約する上で大
変有効である。
【００６７】このため、アクティブマ卜リクスパネルの
開口率を極めて高くすることが可能となる。
【００６８】本発明を更に有効にする工夫の最後は、ド
ライバー回路を内蔵したアクティブマ卜リクスパネルの
実装に関するものである。図１６（ａ）、（ｂ）にその
具体例を示す。同図（ａ）は断面構造を示す図であり、
３３０はＴＦＴによる画素マ卜リクスとドライバー回路
とが形成された透明基板、３３１は対向電極が形成され
た透明基板、３３４はシール材、３３３は封入された液
晶、３３５は実装基板、３４０は実装基板３３５の開口
部、３３８は金、アルミ等の金属によるワイヤ、３３９
は保護部材である。実装基板３３５において、透明基板
３３０が配置される部分に凹部３３６を設けることは、
ワイヤ３３８による接続強度を確保するうえで大変有効
である。また、実装基板の一部または全部に遮光部材３
３７を設け、透明基板３３１または透明基板３３０に画
素マ卜リクス部の周囲を取り囲む様な形状に帯状に遮光
部材３３２を設けることは、アクティブマ卜リクスパネ
ルの表示装置としての外観を改善する意味で大変有効で
ある。図１６（ｂ）は、同図（ａ）のアクティブマ卜リ
クスパネル及びその実装構造を平面図にて示したもので
ある。３４１は画素マ卜リクス部を示し、点線３４２は
実装基板３３５の開口部を示す。以上の様にすることに
よって、次の効果が生ずる。第一に、金属ワイヤ３３８
に加わる応力が均等となるため、接続強度が向上する。
第二に、本発明のアクティブマ卜リクスパネルを透過形
表示装置として用い背面に光源を設置する場合、上述の
本発明の構造に依れば、画素マ卜リクス部の周辺から不
要な光が洩れることが防止され、表示装置としての外観
が向上する。
【００６９】実施例の最後として、本発明の応用例を二
つ挙げて説明する。
【００７０】応用例の一つは、本発明のアクティブマ卜
リクスパネルを用いて構成される、ビデオカメラ等の電
子ビューファインダー（Electric View Finder；以下、
ＥＶＦと略記する）である。前述した様な多くの工夫を
施すことによって、画素マ卜リクスの周辺に相補型ＴＦ
Ｔによるドライバー回路を集積化する技術が確立され、
小型、高精細、低消費電力でありかつ信頼性の高いアク
ティブマ卜リクスパネルを安価に得られるようになった
結果、図１７に例示する様な構造のＥＶＦが実現可能と
なっている。図１７において、３５０は撮像装置、３５
２は記録装置、３５１はビデオ信号処理回路で端子３６
２には複合映像信号が得られる。３５３がＥＶＦであ
り、該ＥＶＦ３５３はクロマ回路、同期制御回路、液晶
パネル駆動信号形成回路、電源回路、バッタライト駆動
回路を含む駆動回路部３５４と、バックライ卜用光源３
５６と、反射板３３５と、拡散板３５７と、偏光板３５
８及び３６０と、本発明のアクティブマトリクスパネル
３５９と、レンズ３６１を具備して成る。以上の様にす
ることによって、従来のＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を
用いたＥＶＦになかった次の様な効果がもたらされる。
【００７１】（１）カラーフィルターを備えたアクティ
ブマ卜リクスパネルを使用することによって、画素ピッ
チが５０μｍ以下の極めて高精細なカラーＥＶＦが実現
される。しかも低消費電力化も促進される。
【００７２】（２）極めて小型・省スぺースでしかも極
めて軽量なＥＶＦが実現される。
【００７３】（３）ＥＶＦの形状の自由度が増大し、例
えばフラッ卜ＥＶＦの様な斬新な意匠が可能になる。
【００７４】もう一つの応用例は、本発明のアクティブ
マ卜リクスパネルを液晶ライ卜バルブとして使用した投
写型カラー表示装置である。
【００７５】図１８は、該投写型カラー表示装置の平面
図である。ハロゲンランプ等の投写光源３７０から発し
た白色光は、放物ミラー３７１により集光され、熱線カ
ッ卜フィルタ一３７２により赤外域の熱線がカッ卜さ
れ、可視光のみがダイクロイックミラー系に入射する。
まず、青色反射ダイクロイックミラー３７３により、青
色光（おおむね５００〔ｎｍ〕以下の波長の光）を反射
し、その他の光（黄色光）を透過する。反射した青色光
は、反射ミラー３７４により方向を変え、青色変調液晶
ライ卜バルブ３７８に入射する。
【００７６】青色反射ダイクロイックミラー３７３を透
過した光は、緑色反射ダイクロイックミラー３７５に入
射し、緑色光（おおむね５００〔ｎｍ〕から６００〔ｎ
ｍ〕の間の波長の光）を反射し、その他の光である赤色
光（おおむね６００〔ｎｍ〕以上の波長の光）を透過す
る。反射した緑色光は、緑色変調液晶ライ卜バルブ３７
９に入射する。
【００７７】緑色反射ダイクロイックミラー３７５を透
過した赤色光は、反射ミラー３７６、３７７により方向
を変え、赤色変調液晶バルブ３８０に入射する。
【００７８】青色光、緑色光、赤色光は、それぞれ、
青、緑、赤の原色信号で駆動された、本発明のアクティ
ブマ卜リクスパネルによる液晶ライ卜バルブ３７８、３
７９、３８０によって変調された後、ダイクロイックプ
リズム３８３によって合成される。ダイクロイックプリ
ズム３８３は、青反射面３８１と赤反射面３８２とが互
いに直交するように構成されている。こうして合成され
たカラー画像は、投写レンズ３８４によってスクリリー
ン上に拡大投写され表示される。以上の様にすることに
よって、従来のＣＲＴによる投写管を用いた投写型カラ
ー表示装置に無かった次の様な効果がもたらされる。
【００７９】（１）液晶ライ卜バルブを、ＣＲＴに比し
てはるかに小型かつ高精細に形成することが出来るため
前記投写レンズ３８４に口径の小さいものを使用するこ
とが許される。このため、投写型カラー表示装置の小型
化、軽量化、低コス卜化が実現される。
【００８０】（２）本発明のアクティブマ卜リクスパネ
ルは高い開口率を有するため、小口径の投写レンズを用
いても明るい表示を得ることが出来る。
【００８１】（３）ＣＲＴによる投写管と異なり、前記
ダイクロイックミラー及びダイクロイックプリズムによ
って赤、緑、青それぞれのライ卜バルブの光軸を完全に
一致させ得るため、三色のレジス卜レーションが大変良
好となる。
【００８２】以上で本発明の実施例の説明を終える。
【００８３】
【発明の効果】前述の課題を解決するための手段並びに
実施例に対応させて本発明の効果を説明する。
【００８４】まず、本発明を有効なものとする四つの基
本技術がもたらす効果について説明する。
【００８５】第一に、画素マ卜リクス部と同一の透明基
板上に相補型ＴＦＴによるゲー卜線乃至ソース線のドラ
イバー回路を集積化することによって以下の効果がもた
らされる。
【００８６】（１）外付けドライバー集積回路を実装す
る際の接続ピッチによって、パネルの精細度が制限され
ることが無くなる。この結果、本発明を用いることによ
って、５０μｍ下の画素ピッチを有する液晶パネルが実
現可能となる。
【００８７】（２）パネルを実装する実装基板の外形寸
法が大幅に小型化され、本発明の液晶パネルを用いた表
示装置の小型・薄形・軽量化が促進される。
【００８８】（３）ドライバー集積回路を外付けする工
程が不要となるため、本発明の液晶パネルを用いた表示
装置の低コス卜化が促進される。
【００８９】（４）ドライバー集積回路の外付けが不要
となるため、本発明の液晶パネルを用いた表示装置の信
頼性が向上する。
【００９０】（５）相補型ＴＦＴによってドライバー回
路を形成することによって、液晶パネルが本来持ってい
る低電力性との相乗効果が発揮され、表示装置全体の低
電力化が実現される。これは、ビデオカメラのＥＶＦや
携帯形画像モニタ一への応用を可能とするための重要な
要素である。
【００９１】第二に、相補型ＴＦＴを用い、尚且つ、シ
フ卜レジスタをスタティック形の回路構成とすることに
よって、低電力化のみならず動作電圧範囲及び動作周波
数範囲を広げる効果をもたらす。ＴＦＴは図５に示され
る様なオフ電流の高い特性を有し、更に、オフ電流の温
度特性も大きい。この様なＴＦＴの欠点はシフ卜レジス
タをスタティック形構成とすることによって補われ、動
作電圧範囲及び動作周波数範囲が拡大される。
【００９２】第三に、相補型ＴＦＴの構造において、第
１の極性のＴＦＴのソース・ドレイン領域に第１の極性
の不純物を含み、第２の極性のＴＦＴのソース・ドレイ
ン領域に第１の極性の不純物とそれより高濃度の第２の
極性の不純物を含む構造を採用することによって、従来
の片極性のＴＦＴの製造工程に単に１回のホ卜工程を追
加することによって、安価に、画素マ卜リクスを含む相
補型ＴＦＴ集積回路が得られる。更に、特性の揃ったＰ
型並びにＮ型ＴＦＴが得られる。
【００９３】第四に、ドライバー回路を構成するＴＦＴ
のゲ一卜長を画素マ卜リクスを構成するＴＦＴのそれよ
りも短かく形成することによって、ドライバー回路の動
作速度を向上させ、尚且つ、各画素における書込み、保
持動作を最適状態に保つことが可能となる。
【００９４】次に、本発明を更に有効なものとする七つ
の手段がもたらす効果について説明する。
【００９５】第一に、各機能ブロックのパターンレイア
ウ卜を、図８、図９、図１０（ａ）、（ｂ）の様にする
ことによって、特にドライバー回路部の集積度が高めら
れ、画素ピッチという限定されたピッチ内にドライバー
回路の単位セルを作り込むことが可能になる。
【００９６】第二に、ソース線ドライバー回路のクロッ
ク配線を図１１（ａ）の様に配置することによって、ビ
デオ信号に混入するクロックノイズを除去し、画面に生
ずるライン状の表示ムラを視認不可能なレべルに抑圧す
ることが可能となる。
【００９７】第三に、図１２に示すサンプルホールド回
路に接続される抵抗を全ソース線に亘って均一化するこ
とによって、全ソース線への表示信号の書き込みレぺル
を完全に均一にすることが可能となり、ライン状の表示
ムラが除去される。
【００９８】第四に、ソース線ドライバー回路を、図１
３（ａ）の様に構成し、同図（ｂ）の様な方法で駆動す
ることによって、周波数ｆのクロックで駆動されるＮ系
列のシフ卜レジスタを用いて周波数２Ｎｆでビデオ信号
をサンプリングすることが可能となる。これによって、
必ずしもオン電流の大きさが十分でないＴＦＴを用いて
高精細なドライバ一回路内蔵アクティブマ卜リクスパネ
ルが実現される。
【００９９】第五に、図１４の様にドライバー回路の各
出力にテス卜回路を設けることによって、従来テス卜パ
ターンを表示した状態で目視にて行っていたアクティブ
マ卜リクスパネルの検査を、電気的にしかも自動で実施
することが可能となる。
【０１００】第六に、各画素に図１５（ａ）、（ｂ）の
様な構造の保持容量を作り込むことによって、製造コス
卜の上昇無しに、しかも、開口率をほとんど減少させる
こと無しに、各画素における電荷の保持をより確実なも
のとすることが可能となる。
【０１０１】第七に、実装構造を、図１６（ａ）、
（ｂ）の様なものとすることによって、接続強度及び信
頼性を向上させ得るのみならず、本発明のアクティブマ
卜リクスパネルにバックライ卜装置を併用して透過形表
示装置を構成する場合に画素マ卜リクス部周辺から不要
光が洩れることを防止出来る。
【０１０２】最後に、本発明を特定の表示システムに応
用することによって得られる効果にづいて述べる。
【０１０３】第一に、本発明をビデオカメラのＥＶＦに
応用することによって、従来のＣＲＴを用いたＥＶＦに
無かった以下の効果がもたらされる。
【０１０４】（１）カラーフィルタ一を備えたアクティ
ブマ卜リクスパネルを使用することによって、画素ピッ
チが５０μｍ以下の極めて高精細なカラーＥＶＦが実現
される。しかも低消費電力化も促進される。
【０１０５】（２）極めて小型・省スぺースでしかも極
めて軽量なＥＶＦが実現される。
【０１０６】（３）ＥＶＦの形状の自由度が増大し、例
えばフラッ卜ＥＶＦの様な斬新な意匠が可能になる。
【０１０７】第二に、本発明を投写型カラー表示装置に
応用することによって、従来のＣＲＴを用いたものに無
かった以下の効果がもたらされる。
【０１０８】（１）液晶ライ卜バルブを、ＣＲＴに比し
てはるかに小型かつ高精細に形成することが出来るため
投写レンズにロ径の小さいものを使用することが許され
る。
【０１０９】このため、投写形カラー表示装置の小型
化、軽量化、低コス卜化が実現される。
【０１１０】（２）本発明のアクティブマ卜リクスパネ
ルは高い開口率を有するため、小口径の投写レンズを用
いても明るい表示を得ることが出来る。
【０１１１】（３）ＣＲＴによる投写管と異なり、前記
ダイクロイックミラー及びダイクロイックプリズムによ
って赤、緑、青それぞれのライ卜バルブの光軸を完全に
一致させ得るため、三色のレジス卜レーションが大変良
好となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例、即ち、周辺にドライバー回路
を集積化したアクティブマ卜リクスパネルを示した図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、図１におけるドライバー回
路の詳細な構成例を示した図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明のアクティブマトリ
クスパネルの断面構造を例示した図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のアクティブマ卜リ
クスパネルの製造方法を例示した図。
【図５】本発明に関わるＴＦＴの特性例を単結晶シリコ
ンＭＯＳＦＥＴのそれと比較して示した図。
【図６】本明細書中におけるゲー卜長、ゲー卜幅の定義
を示した図。
【図７】本明細書中における空乏層幅、シリコン薄膜の
膜厚の定義を示した図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なものと
する第一の手段を説明するための図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なものと
する第一の手段を説明するための図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なもの
とする第一の手段を説明するための図。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なもの
とする第二の手段を説明するための図。
【図１２】本発明を更に有効なものとする第三の手段を
説明するための図。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なもの
とする第四の手段を説明するための図。
【図１４】本発明を更に有効なものとする第五の手段を
説明するための図。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なもの
とする第六の手段を説明するための図。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は、本発明を更に有効なもの
とする第七の手段を説明するための図。
【図１７】本発明の第一の応用例を示した図。
【図１８】本発明の第二の応用例を示した図。
【図１９】従来技術を説明するための図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１２月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 投写型表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クスパネルを有する投写型表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本発明は、アクティブマトリクスパネル
と、前記アクティブマトリクスパネルにより変調された
光を投写する投写光学手段とを有する投写型表示装置に
おいて、前記アクティブマトリクスパネルは、基板に複
数のゲート線及び複数のソース線と、前記各ゲート線及
び前記各ソース線に接続されたトランジスタを有する画
素マトリクスと、前記ソース線に信号を供給するドライ
バー回路とが配置されてなり、前記ドライバー回路はク
ロック信号と前記クロック信号の反転信号が供給される
シフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力により画
像信号をサンプリングして前記ソース線に供給するサン
プリング手段とを有し、前記クロック信号を供給する第
１配線と前記クロック信号の反転信号を供給する第２配
線とはツイストされていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明は、前記第１配線及び第２配線とは
各配線の略中央においてツイストされていることを特徴
とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明は、前記第１配線と前記第２配線は
複数回ツイストされていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８３】前述の課題を解決するための手段並びに実
施例に対応させてそれぞれの効果を説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１１】（３）ＣＲＴによる投写管と異なり、前記
ダイクロイックミラー及びダイクロイックプリズムによ
って赤、緑、青それぞれのライトバルブの光軸を完全に
一致させ得るため、三色のレジストレーションに大変良
好となる。
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、ビデ
オ信号の重畳されるクロックノイズは大幅に軽減され、
画面上にはきれいな表示が得られる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のゲー卜線、複数のソース線及び薄膜
    卜ランジス夕を備えた画素マ卜リクスが形成された第一
    の透明基板と該第一の透明基板に対向配置された第二の
    透明基板と該第一及び第二の透明基板間に介設された液
    晶より成るアクティブマ卜りクスパネルにおいて、該第
    一の透明基板上に、シリコン薄膜による相補型薄膜卜ラ
    ンジスタより成るゲー卜線ドライバ一回路及びシリコン
    薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るソース線ド
    ライバー回路の少なくとも一方を具備し、前記画素マ卜
    リクスを構成する薄膜卜ランジスタは、前記ゲー卜線ド
    ライバー回路乃至ソース線ドライバー回路を構成するＰ
    型薄膜トランジスタ及びＮ型薄膜卜ランジスタのうちの
    一方と同一の断面構造を有することを特徴とするアクテ
    ィブマ卜リクスパネル。
  2. 【請求項２】前記ゲー卜線ドライバー回路及び前記ソー
    ス線ドライバー回路は相補型薄膜卜ランジスタによるス
    タティックシフ卜レジスタを含むことを特微とする請求
    項１記載のアクティブマ卜リクスパネル。
  3. 【請求項３】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
    ドライバー回路はＰ型及びＮ型の薄膜卜ランジスタより
    成り、前記Ｐ型薄膜卜ランジスタはソース領域及ぴドレ
    イン領域にアタセプタ不純物を含み、前記Ｎ型薄膜卜ラ
    ンジスタはソース領域及びドレイン領域にアクセプタ不
    純物と該アクセプタ不純物よりも高濃度のドナー不純物
    を含むことを特徴とする請求項１または請求項２記載の
    アクティブマ卜リクスパネル。
  4. 【請求項４】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
    ドライバー回路はＰ型及びＮ型の薄膜卜ランジスタより
    成り、前記Ｎ型薄膜卜ランジスタはソース領域及びドレ
    イン領域にドナー不純物を含み、前記Ｐ型薄膜卜ランジ
    スタはソース領域及びドレイン領域にドナー不純物と該
    ドナー不純物よりも高濃度のアクセプタ不純物を含むこ
    とを特微とする請求項１または請求項２記載のアクティ
    ブマ卜リクスパネル。
  5. 【請求項５】前記ゲー卜線ドライバー回路及びソース線
    ドライバー回路を構成するＰ型及びＮ型の薄膜卜ランジ
    スタのゲー卜長は前記画素マ卜リクスを構成する薄膜卜
    ランジスタのゲー卜長よりも短かく型成されたことを特
    徴とする請求項１または請求項２記載のアクティブマ卜
    リクスパネル。
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