JPS62213261A - 長尺素子アレイ部材 - Google Patents

長尺素子アレイ部材

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JPS62213261A
JPS62213261A JP61056624A JP5662486A JPS62213261A JP S62213261 A JPS62213261 A JP S62213261A JP 61056624 A JP61056624 A JP 61056624A JP 5662486 A JP5662486 A JP 5662486A JP S62213261 A JPS62213261 A JP S62213261A
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board
bonding
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JP61056624A
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Inventor
Noriyuki Umibe
紀之 海部
Hiroo Hitotsubashi
一橋 浩夫
Katsumi Komiyama
克美 小宮山
Masayoshi Murata
正義 村田
Satoru Itabashi
板橋 哲
Katsunori Terada
寺田 勝則
Hiromi Kodama
児玉 浩美
Hideyuki Suzuki
秀之 鈴木
Kenji Morimoto
健司 森本
Tetsuya Shimada
哲也 嶋田
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Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複数の機能素子を一次元的に配列して成る長
尺素子アレイ部材、殊にフルラインの密着型イメージセ
ンサやサーマルヘッド等の長尺素子アレイ部材に関する
[従来の技術] 近年、コンピュータやファクシミリ装置の入出力装置と
して機能素子を一次元的に配列して原稿シートや記録紙
等の被人出物の幅と同じ原寸大の所謂長尺機能素子アレ
イ部材が採用されている。
例えば人力装置としては、機能素子としてフォトセンサ
要素を一列状に並べた密着型イメージセンサが挙げられ
、出力装置としては長尺化サーマルヘッドが挙げられる
。デバイスを構成すると、この様に被人出物の幅と同程
度の長さにすることで、例えば密着、型イメージセンサ
の場合には光学系が小型化できる特別なメカ可動部を必
要としない等の理由のため小型化、高性能化を計ること
が出来る。
ところで前記密着側イメージセンサやサーマルヘッドの
長さはA4版(巾216mm)以上が中心である為に複
数の機能素子の夫々を切り変えるために、各機能素子に
スイッチング素子を設けることはコスト面及び技術面か
ら難しく、通常はマトリックス配線してマトリックス駆
動を行っている。
第6図はマトリックス駆動用に機能素子の複数を配線し
た例の回路図である。長尺素子アレイ部1内の機能素子
e+jはnビットを1ブロツクとしてNブロックに分割
している。elJ(]≦i≦N、1≦j≦n)は密着型
イメージセンサであれば1ビツトのフォトセンサ要素で
あり、サーマルヘッドであれば1ビツトの発熱体要素で
ある。端子V1〜V、、v1〜voは図示されていない
処理回路と接続されており、(m+n)個の端子の制御
で゛(mXn)個の機能素子を制御している。
[発明が解決しようとする問題点] 従来、この種の回路配線の構成は長尺素子アレイ部1を
長尺素子アレイ基板、マトリックス回路部2をマトリッ
クス配線板として別々に製作し、所定の個所をワイヤボ
ンディング等で接続していた。第7図および第8図はマ
トリックス配線板の模式的構成図及び模式的斜視図であ
る。絶縁基板7上に第1配線層3.絶縁層8.第2配線
層4が夫々形成され、第1配線層3と第2配線層4とは
スルーホールコンタクト部5で部分的に接続されている
。このようなマトリックス配線板は3層の積層構造が必
要で、プロセスの複雑さ9歩留りの低下等の理由で最終
的にコスト高となる欠点を持っている。また第1配線層
3と第2配線層4が薄い絶縁層(通常100μm以下)
を介して交叉している点が多い為に配線間容量が増し、
高速動作の妨げになる。さらには扱っている電流が微小
の場合(100〜500mA)、スルーホールコンタク
ト部5の形成において、掻く薄い絶縁層(第1配線層3
を形成する際に生じ易い酸化膜、絶縁層8を形成する際
に生ずる残部等)が原因で安定した導通をとるのが技術
的に難しいという問題点があった。
[目  的] そこで本発明の目的は前記欠点を解消すべくプロセスの
単純化2歩留り向上、信頼性向上、特性の向上を計り、
低コスト化の実現を容易にする長尺素子アレイ部材を提
供することである。
[問題点を解決するための手段] 本発明の長尺素子アレイ部材はn個の機能素子が一次元
的に配列され、m個を一単位としてN個のブロックにブ
ロック化されている長尺素子アレイ部と、m木の電気的
配線が並設されている配線部とを有し、前記各機能素子
の電気的接続部と対応する前記配線とをマトリックス配
線的にワイヤーボンディングで接続される構成とされる
[作  用] 上記構成の本発明は長尺素子アレイ部と従来のマトリッ
クス配線板を用いず、一層の導電膜で配線パターンが形
成された配線部とを用いて、ワイヤーボンディング法で
前記配線部上の幾本かの配線をまたぎながら長尺素子ア
レイ部の機能素子と前記配線部上の対応する配線とを電
気的に接続してマトリックス配線を行っている為に、プ
ロセスの単純化3歩留り向上、イ3頼性向上、特性の向
上環が計られ、且つ低コスト化の実現を容易にしている
[実施例] 以下図面に基づいて本発明を具体的かつ詳細に説明する
第1図は本発明の特徴であるマトリックス配線部の第1
の実施例を示すものである。10は長尺素子アレイ基板
、11は配線基板を示しである。
配線基板11は絶縁基板7上に一層の導電膜12を所望
の形状にパターンニングした配線部を有し、該配線部は
ボンディングバット6と配線13とから構成されている
。長尺素子アレイ基板10内の各機能素子と配線基板l
l内の配線13はワイヤボンディング法でワイヤ9によ
り電気的に接続されている。このときワイヤ9は配線基
板11内の配線13を幾本かをまたいでいる。第2図は
例としてlブロック内のビットが8 (n=8)の場合
の配線13とボンディングバット6とワイヤ9の上方か
ら見た位置関係を示している。第2図ではワイヤ9の片
端の接続部は省略しているが、長尺素子アレイ基板10
内の個々の機能素子と対応するワイヤとが接続されてい
る。第2図より明らかなように、配線13とワイヤ9に
よって、マトリックス配線部が構成されている。つまり
、本発明は従来の特別なマトリックス配線板を用いるこ
となくワイヤ9を単に電気的接続のみとしてではなく積
極的にマトリックス配線部の一部として使用することに
より単純な配線構造の配線基板11との組合せによりマ
トリックス配線を実現している。
このような方法でマトリックス配線部を構成すると、複
雑な作製プロセスを必要とする従来のマトリックス配線
板を使用しなくてよく、低コストで済むだけでなく、ワ
イヤ9とまたがれている配線13との距離が長い(通常
300μm程度)ため線間容量が実質的に無視すること
が出来、高速駆動が可能となる。またワイヤボンディン
グは実績のある接続法であり、安定した導通が保証され
ている。
次に第3図により第2の実施例を説明する。
この実施例においては1ブロツク内のビット数nが大き
くなった場合でも(例えばnx32またはn=64)各
ワイヤの長さを最少限にし、且つ各ワイヤの長さを均一
にする構成とすることにより歩留りの更なる向上とコン
パクト化を計ったものである。ここでは説明を簡便にす
る為にブロック内のビット数nを4としている。
第3図に示す第2実施例においては、ボンディングバッ
ト6を一直線上に配置し、配線13をS字状にうねらす
ことによりワイヤ9の長さを均一にし、かつ短くするこ
とができ、ワイヤボンディングの作業を単純にし、かつ
歩留りもより向上できる。これは配線13がボンディン
グバット6に比較して十分に細くかつ自由にパターンニ
ングできることを利用している。更に、この第2の実施
例では第3図に示されるようにブロック内の最終ビット
(図例では第4ビツト)に接続されるべきボンディング
パット6aと第1ビツトに接続されるべきボンディング
バット6bの間に少なくとも(n−2)木(図例では2
本)の配線が設けられ、各ブロックが視覚的に識別され
るのを容易にしている。
次に第3の実施例を第4図に示す。ここではビット数n
=8としている。配線基板上の配線群をブロック内の上
位ビットに接線すべきグループと下位ビットに接続すべ
きグループの2グループに分け、それぞれのグループ内
のボンディングバット6を直線上に配置し、グループ内
における配線13をS字状にうねらせている。この様に
複数のグループにグループ分けすることにより、グルー
プ内におけるブロック内のボンディングバットの間隔(
例えば6Cと6d間)を充分長い部分とすることが出来
、ブロック間に設けられる配線密度をゆるやかにするこ
とが出来る。この実施例ではグループ分は数を2として
いるが、必ずしも2にする必要はない。例えばグループ
数が1の場合が第2実施例であり、グループ数がnの場
合が第1実施例である。グループ数は配線13のパター
ンニングの容易さ、ワイヤボンディングの容易さを考慮
して決定すればよい。またグループ分けも各グループ内
のブロック中のビット数は等数の必要もなく異ったビッ
ト数に分けてもよい。
また同一グループ内のボンディングバットは必ずしも直
線上でなくてもよく、例えば第5図のように千鳥状に並
べてもよい。千鳥状に並べることにより隣接するボンデ
ィングバットの距離が増し、ボンディングパット付近の
ワイヤの接触を防ぐことができる。
[効  果] 以上説明したように簡単な配線基板とワイヤボンディン
グを用いることにより複雑なマトリックス配線板を用い
ることなくマトリックス配線が可能になり、プロセスの
単純化、歩留りの向上、信頼性の向上、特、性の向上、
低コスト化を計ることができる。
また配線基板上の配線群をグループ分けすることにより
ワイヤボンディングの歩留りの向上、信頼性の向上を計
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の模式的斜視図、第2図
は第1図の模式的平面図、第3図、第4図、第5図は夫
々本発明の他の実施例を示す模式的配置図、第6図はマ
トリックス!1!勅を示す回路図、第7図は従来例のマ
トリックス配線板の模式的構成平面図、第8図は第7図
のマトリックス配線板の模式的接続を示す斜視図である
。 1は長尺素子アレイ部 2はマトリックス配線部 3は第1配線層 4は第2配線層 5はスルーポールコンタクト部 6はボンディングバット 7は絶縁基板 8は絶縁層 9はボンディング用ワイヤー 10は長尺素子アレイ基板 +1は配線基板 12は導電膜 13は配線 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. n個の機能素子が一次元的に配列され、m個を一単位と
    してN個のブロックにブロック化されている長尺素子ア
    レイ部と、m本の電気的配線が並設されている配線部と
    を有し、前記各機能素子の電気的接続部と対応する前記
    配線とをマトリツクス配線的にワイヤーボンディングで
    接続されている事を特徴とする長尺素子アレイ部材。
JP61056624A 1986-03-14 1986-03-14 長尺素子アレイ部材 Pending JPS62213261A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61056624A JPS62213261A (ja) 1986-03-14 1986-03-14 長尺素子アレイ部材
US07/393,024 US4935637A (en) 1986-03-14 1989-08-10 Linear element array with wire bonding arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61056624A JPS62213261A (ja) 1986-03-14 1986-03-14 長尺素子アレイ部材

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JPS62213261A true JPS62213261A (ja) 1987-09-19

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JP61056624A Pending JPS62213261A (ja) 1986-03-14 1986-03-14 長尺素子アレイ部材

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー
JPH03289759A (ja) * 1990-03-08 1991-12-19 Toshiba Corp 半導体装置
JP2000236040A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003152014A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4757660B2 (ja) * 2006-02-27 2011-08-24 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP6877219B2 (ja) * 2017-03-31 2021-05-26 日本碍子株式会社 センサ素子

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582562A (en) * 1978-12-18 1980-06-21 Fuji Xerox Co Ltd Pick up unit for original read-in
JPS58140156A (ja) * 1982-02-16 1983-08-19 Canon Inc 固体撮像装置
US4675534A (en) * 1984-04-16 1987-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Optical reader with two substrates
JPS62154780A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Toshiba Corp イメ−ジセンサ

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