JPH09171190A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH09171190A JPH09171190A JP34923095A JP34923095A JPH09171190A JP H09171190 A JPH09171190 A JP H09171190A JP 34923095 A JP34923095 A JP 34923095A JP 34923095 A JP34923095 A JP 34923095A JP H09171190 A JPH09171190 A JP H09171190A
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- crystal display
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同一画面サイズでより小型で、信頼性の高い
アクティブマトリクス型液晶表示装置を生産歩留り良く
得る。 【構成】 アクティブマトリクス型液晶表示装置組み立
て工程における静電気発生によるＴＦＴ破壊防止のため
に設けられたショートリングを、該液晶表示装置内に形
成することで余分な部分を無くす。また、このような構
成にしたことにより、該組み立て工程においてショート
リングを切断してもショートリング切断部が対向基板及
び液晶材料により外部環境から保護されているので、表
示特性及び信頼性が向上する。
アクティブマトリクス型液晶表示装置を生産歩留り良く
得る。 【構成】 アクティブマトリクス型液晶表示装置組み立
て工程における静電気発生によるＴＦＴ破壊防止のため
に設けられたショートリングを、該液晶表示装置内に形
成することで余分な部分を無くす。また、このような構
成にしたことにより、該組み立て工程においてショート
リングを切断してもショートリング切断部が対向基板及
び液晶材料により外部環境から保護されているので、表
示特性及び信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画素薄膜トランジ
スタと周辺駆動回路薄膜トランジスタが同一基板上に存
在するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
スタと周辺駆動回路薄膜トランジスタが同一基板上に存
在するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、軽量薄型の表示装置と
してＴＶ、ワープロ等に多用されている。特に、ＩＣや
ＬＳＩ等の集積回路の製造技術を応用して各表示画素に
薄膜トランジスタ（以後ＴＦＴと記す）を形成したアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は良好な画像を表示す
ることが可能な液晶表示装置として期待されている。
してＴＶ、ワープロ等に多用されている。特に、ＩＣや
ＬＳＩ等の集積回路の製造技術を応用して各表示画素に
薄膜トランジスタ（以後ＴＦＴと記す）を形成したアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は良好な画像を表示す
ることが可能な液晶表示装置として期待されている。
【０００３】更に、アクティブマトリクス型液晶表示装
置のなかでも、表示画素が形成されている基板に周辺駆
動回路をも形成したものは、駆動回路を基板外部に設け
る必要がなくなるので、より小型な表示装置を作製で
き、その応用範囲の広さから期待されている。
置のなかでも、表示画素が形成されている基板に周辺駆
動回路をも形成したものは、駆動回路を基板外部に設け
る必要がなくなるので、より小型な表示装置を作製で
き、その応用範囲の広さから期待されている。
【０００４】上記液晶表示装置では、組み立て工程で画
素領域に配置された薄膜トランジスタが静電気の発生に
よって破壊しないように、各ゲイト又は各ソースのどち
らか又はその両方を接続する配線（以下ショートリング
とする）を基板端部付近にて接続させ静電気がＴＦＴに
集中しないようにしていた。
素領域に配置された薄膜トランジスタが静電気の発生に
よって破壊しないように、各ゲイト又は各ソースのどち
らか又はその両方を接続する配線（以下ショートリング
とする）を基板端部付近にて接続させ静電気がＴＦＴに
集中しないようにしていた。
【０００５】図１に従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を示す。従来は、ＴＦＴ基板１０１が対向基板
１０５に対してはみ出た形状となっていて、ショートリ
ング接続位置１０６は対向基板の外側且つＴＦＴ基板の
端部付近に形成されている。
表示装置を示す。従来は、ＴＦＴ基板１０１が対向基板
１０５に対してはみ出た形状となっていて、ショートリ
ング接続位置１０６は対向基板の外側且つＴＦＴ基板の
端部付近に形成されている。
【０００６】そのため、この液晶表示装置を実装する場
合に、はみ出た分のスペースを余分に確保する必要があ
った。そして、対向基板を貼り合わせ、基板分断時と液
晶注入後に接続部分を切断していた。切断する方法とし
ては、接続部分で基板を機械的にスクライブ（分断）す
るか、レーザーなどにより配線を切断する方法が採られ
ていた。
合に、はみ出た分のスペースを余分に確保する必要があ
った。そして、対向基板を貼り合わせ、基板分断時と液
晶注入後に接続部分を切断していた。切断する方法とし
ては、接続部分で基板を機械的にスクライブ（分断）す
るか、レーザーなどにより配線を切断する方法が採られ
ていた。
【０００７】またこの構成でレーザーでショートリング
を切断した場合、ショートリング切断部１０７がＴＦＴ
基板上で、かつ対向基板に挟持されていない部分に露出
した状態になっているため、レーザーで損傷を受けた部
分はそのままでは保護するものがなかった。更に、レー
ザーで損傷を受けた配線金属が飛散或いは変形し、隣合
うゲイト線或いはソース線と接触して絶縁不良となるお
それがあった。
を切断した場合、ショートリング切断部１０７がＴＦＴ
基板上で、かつ対向基板に挟持されていない部分に露出
した状態になっているため、レーザーで損傷を受けた部
分はそのままでは保護するものがなかった。更に、レー
ザーで損傷を受けた配線金属が飛散或いは変形し、隣合
うゲイト線或いはソース線と接触して絶縁不良となるお
それがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に示し
た問題を解決するため、ショートリングの切断部分を保
護する構成を提供することを課題とする。また、画素領
域はそのままの面積で他の領域を縮小し、液晶表示装置
全体としての縮小化を可能とする構成を提供することを
課題とする。
た問題を解決するため、ショートリングの切断部分を保
護する構成を提供することを課題とする。また、画素領
域はそのままの面積で他の領域を縮小し、液晶表示装置
全体としての縮小化を可能とする構成を提供することを
課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する手段
として、従来封止材の外側に形成されていたショートリ
ング切断部を、ＴＦＴ基板と対向基板に挟持される領域
に設けることで、ショートリング切断部を外部から隔絶
させ、さらにショートリング切断部を液晶材料と接する
構成とすることで、ショートリング切断部を保護する。
として、従来封止材の外側に形成されていたショートリ
ング切断部を、ＴＦＴ基板と対向基板に挟持される領域
に設けることで、ショートリング切断部を外部から隔絶
させ、さらにショートリング切断部を液晶材料と接する
構成とすることで、ショートリング切断部を保護する。
【００１０】また、ショートリング切断部を封止材の内
側に設ける構成として、ＴＦＴ基板と対向基板を同じ形
状とし、ショートリング切断部上にも対向基板が存在す
る構成とする。このようにすることで、ショートリング
切断部だけではなく周辺駆動回路領域も保護され、更に
液晶表示装置全体にわたって凹凸のない面一構造が可能
となる。
側に設ける構成として、ＴＦＴ基板と対向基板を同じ形
状とし、ショートリング切断部上にも対向基板が存在す
る構成とする。このようにすることで、ショートリング
切断部だけではなく周辺駆動回路領域も保護され、更に
液晶表示装置全体にわたって凹凸のない面一構造が可能
となる。
【００１１】上記のような構成とした場合、ショートリ
ングの切断部分がＴＦＴ基板と対向基板に挟まれている
ためショートリングの切断はレーザーを使用する。この
時、レーザー光は対向基板を透過させるか、ＴＦＴ基板
の裏面から照射する。この時ショートリング切断部への
レーザー光照射を効率的に行うため、対向基板上のブラ
ックマトリクス、カラーフィルター等をショートリング
切断部に光が透過するようにパターニング・エッチング
する。レーザーはＹＡＧレーザーを使用することが出来
る。レーザーの強度は、基板が存在するためショートリ
ング切断部に到達したときに若干減少するものの、従来
通りで問題ない。
ングの切断部分がＴＦＴ基板と対向基板に挟まれている
ためショートリングの切断はレーザーを使用する。この
時、レーザー光は対向基板を透過させるか、ＴＦＴ基板
の裏面から照射する。この時ショートリング切断部への
レーザー光照射を効率的に行うため、対向基板上のブラ
ックマトリクス、カラーフィルター等をショートリング
切断部に光が透過するようにパターニング・エッチング
する。レーザーはＹＡＧレーザーを使用することが出来
る。レーザーの強度は、基板が存在するためショートリ
ング切断部に到達したときに若干減少するものの、従来
通りで問題ない。
【００１２】また、ショートリング切断部がＴＦＴ基板
と対向基板とに挟まれた領域に設けられたことで、ショ
ートリング切断後レーザーで損傷を受けた配線金属や液
晶材料が表示画素領域に拡散するおそれがある。そこ
で、ショートリング切断部と表示画素領域の中間部に封
止材を形成する。
と対向基板とに挟まれた領域に設けられたことで、ショ
ートリング切断後レーザーで損傷を受けた配線金属や液
晶材料が表示画素領域に拡散するおそれがある。そこ
で、ショートリング切断部と表示画素領域の中間部に封
止材を形成する。
【００１３】
【発明の実施の形態】ショートリング切断部が液晶表示
装置の内側に形成されたことで、外部環境から隔絶され
る。また、基板のはみだし部分を設ける必要が無くな
り、面一構造となるため同じパネルサイズで小さな外枠
で済むようになる。レーザーの照射により損傷を受けた
ショートリング配線材料及び液晶材料は、ショートリン
グ切断部と表示画素領域の中間部に形成された、封止材
によりその拡散を防ぐことが出来る。
装置の内側に形成されたことで、外部環境から隔絶され
る。また、基板のはみだし部分を設ける必要が無くな
り、面一構造となるため同じパネルサイズで小さな外枠
で済むようになる。レーザーの照射により損傷を受けた
ショートリング配線材料及び液晶材料は、ショートリン
グ切断部と表示画素領域の中間部に形成された、封止材
によりその拡散を防ぐことが出来る。
【００１４】
【実施例】以下に本実施例の液晶表示装置について説明
する。図２は本実施例に基づき作製したＴＦＴ基板であ
る。まず、基板２０１として８０×２００×１．１ｍｍ
の無アルカリガラスを用い、このガラス基板上に公知の
方法または適当な方法により、マトリクス状に配置され
た画素領域２０４と、この画素領域を駆動回路とするた
めの周辺駆動回路２０３を構成する。なお、本実施例の
アクティブマトリクス回路を作製する工程は後に詳述す
る。
する。図２は本実施例に基づき作製したＴＦＴ基板であ
る。まず、基板２０１として８０×２００×１．１ｍｍ
の無アルカリガラスを用い、このガラス基板上に公知の
方法または適当な方法により、マトリクス状に配置され
た画素領域２０４と、この画素領域を駆動回路とするた
めの周辺駆動回路２０３を構成する。なお、本実施例の
アクティブマトリクス回路を作製する工程は後に詳述す
る。
【００１５】画素領域においては、数百×数百の数で配
置された画素電極のそれぞれに、スイッチング素子とし
て、少なくとも１つの薄膜トランジスタを配置させる。
また、周辺駆動回路領域は、前記画素領域に配置された
薄膜トランジスタを駆動するための回路を薄膜トランジ
スタでもって構成する。周辺駆動回路としては、シフト
レジスタやアドレスデコーダが利用される。また、その
他必要とする回路を配置した。また、ショートリング２
０６を図２に示すように配置する。また、画像信号を出
力する外部回路からの配線を接続する部分は、ＴＦＴ基
板の周辺駆動回路付近のエッジに形成する。
置された画素電極のそれぞれに、スイッチング素子とし
て、少なくとも１つの薄膜トランジスタを配置させる。
また、周辺駆動回路領域は、前記画素領域に配置された
薄膜トランジスタを駆動するための回路を薄膜トランジ
スタでもって構成する。周辺駆動回路としては、シフト
レジスタやアドレスデコーダが利用される。また、その
他必要とする回路を配置した。また、ショートリング２
０６を図２に示すように配置する。また、画像信号を出
力する外部回路からの配線を接続する部分は、ＴＦＴ基
板の周辺駆動回路付近のエッジに形成する。
【００１６】また、対向基板はＴＦＴ基板と同様８０×
２００×１．１ｍｍの無アルカリガラスを使用する。こ
の基板上にスパッタ法により、ブラックマトリクス用Ｃ
ｒを１０００Å成膜する。Ｃｒ膜は各画素及びショート
リング切断部のみ光が透過するようにパターニング・エ
ッチングする。次に、透明電極としてスパッタ法により
ＩＴＯを１２００Å成膜する。
２００×１．１ｍｍの無アルカリガラスを使用する。こ
の基板上にスパッタ法により、ブラックマトリクス用Ｃ
ｒを１０００Å成膜する。Ｃｒ膜は各画素及びショート
リング切断部のみ光が透過するようにパターニング・エ
ッチングする。次に、透明電極としてスパッタ法により
ＩＴＯを１２００Å成膜する。
【００１７】次に、上記の方法により作製したＴＦＴ基
板上及び対向基板上に配向膜を形成する。配向膜材料に
はブチルセロソルブかｎ−メチル−２−ピロリドン、あ
るいはγ−ブチロラクトンといった溶媒に、溶媒の約１
０重量％のポリイミドを溶解したものを用いた。これを
ポリイミドワニスと呼ぶ。本実施例では低温焼成型ポリ
イミドワニスとして日本合成ゴム製ＡＬ−３０４６を用
いた。ポリイミドワニスを上記基板上に塗布する方法と
しては、スピナーを用いる方法、あるいはフレキソ印刷
もしくはスクリーン印刷装置によって印刷する方法など
を利用することが出来る。
板上及び対向基板上に配向膜を形成する。配向膜材料に
はブチルセロソルブかｎ−メチル−２−ピロリドン、あ
るいはγ−ブチロラクトンといった溶媒に、溶媒の約１
０重量％のポリイミドを溶解したものを用いた。これを
ポリイミドワニスと呼ぶ。本実施例では低温焼成型ポリ
イミドワニスとして日本合成ゴム製ＡＬ−３０４６を用
いた。ポリイミドワニスを上記基板上に塗布する方法と
しては、スピナーを用いる方法、あるいはフレキソ印刷
もしくはスクリーン印刷装置によって印刷する方法など
を利用することが出来る。
【００１８】そして、ＴＦＴ基板及び対向基板の両基板
に塗布した配向膜を加熱・硬化（ベーク）させた。本実
施例でベークは１８０℃の熱風を送り加熱し、ポリイミ
ドワニスを焼成・硬化させる。
に塗布した配向膜を加熱・硬化（ベーク）させた。本実
施例でベークは１８０℃の熱風を送り加熱し、ポリイミ
ドワニスを焼成・硬化させる。
【００１９】次に、配向膜が形成された基板表面を、毛
足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等の
繊維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工程
を行う。
足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等の
繊維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工程
を行う。
【００２０】そしてＴＦＴ基板にスペーサーを散布す
る。スペーサーは粒径５．０μｍのプラスチックスペー
サー（ミクロパール、積水ファインケミカル製）を用い
る。散布方法はスペーサーを窒素ガス中にて分散させ基
板に対して噴出させる、ドライ散布方式を採る。
る。スペーサーは粒径５．０μｍのプラスチックスペー
サー（ミクロパール、積水ファインケミカル製）を用い
る。散布方法はスペーサーを窒素ガス中にて分散させ基
板に対して噴出させる、ドライ散布方式を採る。
【００２１】次に、ＴＦＴ基板と対向基板の外枠等に図
２に示すように封止材２０２を塗布する。封止材は画素
領域、周辺駆動回路領域の外側と、画素領域とショート
リング部を仕切るように塗布する。図２（Ａ）はこの時
の封止材のパターンの一般的な形状である。また、ショ
ートリング切断部を保護するのに対向基板のほかに液晶
材料も利用する場合、ショートリング切断部にも液晶材
料を存在させるため、図２（Ｂ）に示すように画素領域
とショートリング切断部を仕切る封止材を外枠の封止材
から独立させたようなパターンとする（２０２’）。
２に示すように封止材２０２を塗布する。封止材は画素
領域、周辺駆動回路領域の外側と、画素領域とショート
リング部を仕切るように塗布する。図２（Ａ）はこの時
の封止材のパターンの一般的な形状である。また、ショ
ートリング切断部を保護するのに対向基板のほかに液晶
材料も利用する場合、ショートリング切断部にも液晶材
料を存在させるため、図２（Ｂ）に示すように画素領域
とショートリング切断部を仕切る封止材を外枠の封止材
から独立させたようなパターンとする（２０２’）。
【００２２】封止材塗布には、ＴＦＴ基板と対向基板を
接着する役割と、注入する液晶材が外部に流出するのを
防ぐ目的がある。封止材の材料は、エポキシ樹脂とフェ
ノール硬化剤をエチルセロソルブの溶媒に溶かしたもの
を使用することができる。
接着する役割と、注入する液晶材が外部に流出するのを
防ぐ目的がある。封止材の材料は、エポキシ樹脂とフェ
ノール硬化剤をエチルセロソルブの溶媒に溶かしたもの
を使用することができる。
【００２３】封止材塗布後に２枚のガラス基板の貼り合
わせを行う。重ね合わされたＴＦＴ基板と対向基板を、
１６０℃、３時間プレスすることにより、封止材を加熱
硬化させ、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板を接着・固
定する。
わせを行う。重ね合わされたＴＦＴ基板と対向基板を、
１６０℃、３時間プレスすることにより、封止材を加熱
硬化させ、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板を接着・固
定する。
【００２４】最後に、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板
が貼り合わされたアクティブマトリクス型液晶表示装置
の液晶注入口より液晶材を注入し、その後エポキシ系樹
脂で液晶注入口を封止する。
が貼り合わされたアクティブマトリクス型液晶表示装置
の液晶注入口より液晶材を注入し、その後エポキシ系樹
脂で液晶注入口を封止する。
【００２５】次に、ショートリングの切断を行う。図２
にその時の切断部２０７を示す。切断は、上記のように
して組み立てた液晶表示装置のバスラインとショートリ
ングの間にレーザーを照射して行う。レーザーはＹＡＧ
を用い、照射強度は１パルス当たりで１×１０7 Ｗ／ｃ
ｍ2 とする。本発明に示す液晶表示装置の構成の場合、
レーザーがＴＦＴ基板に対しては対向基板越しに照射さ
れるため、若干強度が落ちる。しかしショートリングの
切断は何ら問題なく行うことができる。
にその時の切断部２０７を示す。切断は、上記のように
して組み立てた液晶表示装置のバスラインとショートリ
ングの間にレーザーを照射して行う。レーザーはＹＡＧ
を用い、照射強度は１パルス当たりで１×１０7 Ｗ／ｃ
ｍ2 とする。本発明に示す液晶表示装置の構成の場合、
レーザーがＴＦＴ基板に対しては対向基板越しに照射さ
れるため、若干強度が落ちる。しかしショートリングの
切断は何ら問題なく行うことができる。
【００２６】また、封止材が画素領域とショートリング
部を仕切るように形成されているので、レーザーによる
損傷を受けた配線金属及び液晶材の画素領域への拡散を
防止することができる。
部を仕切るように形成されているので、レーザーによる
損傷を受けた配線金属及び液晶材の画素領域への拡散を
防止することができる。
【００２７】次に、本実施例のアクティブマトリクス回
路を得る作製工程について、図３を用いて説明する。図
の左側に周辺駆動回路のＴＦＴの作製工程を、右側にア
クティブマトリクス回路のＴＦＴの作製工程を、それぞ
れ示した。まず、無アルカリガラス基板３０１上に下地
酸化膜３０２として厚さ１０００〜３０００Åの酸化珪
素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法としては、
酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用い
ればよい。
路を得る作製工程について、図３を用いて説明する。図
の左側に周辺駆動回路のＴＦＴの作製工程を、右側にア
クティブマトリクス回路のＴＦＴの作製工程を、それぞ
れ示した。まず、無アルカリガラス基板３０１上に下地
酸化膜３０２として厚さ１０００〜３０００Åの酸化珪
素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法としては、
酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用い
ればよい。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法に
よってアモルファスもしくは多結晶のシリコン膜を３０
０〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Å形成す
る。そして、５００℃以上、好ましくは、８００〜９５
０℃の温度で熱アニールをおこない、シリコン膜を結晶
化させる。熱アニールによって結晶化させたのち、光ア
ニールをおこなって、さらに結晶性を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に、特開平６−２４４
１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、
ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒
元素）を添加してもよい。
よってアモルファスもしくは多結晶のシリコン膜を３０
０〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Å形成す
る。そして、５００℃以上、好ましくは、８００〜９５
０℃の温度で熱アニールをおこない、シリコン膜を結晶
化させる。熱アニールによって結晶化させたのち、光ア
ニールをおこなって、さらに結晶性を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に、特開平６−２４４
１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、
ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒
元素）を添加してもよい。
【００２９】次にシリコン膜をエッチングして、島状の
周辺駆動回路のＴＦＴの活性層３０３（Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴ用）、３０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ用）とマトリク
ス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層３０５を形成す
る。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって、厚
さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜３０６
を形成する。ゲイト絶縁膜の形成方法としては、プラズ
マＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ法によって
酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸
化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2 ）とモノシラン
（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
周辺駆動回路のＴＦＴの活性層３０３（Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴ用）、３０４（Ｎチャネル型ＴＦＴ用）とマトリク
ス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層３０５を形成す
る。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって、厚
さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜３０６
を形成する。ゲイト絶縁膜の形成方法としては、プラズ
マＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ法によって
酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸
化二窒素（Ｎ2 Ｏ）もしくは酸素（Ｏ2 ）とモノシラン
（ＳｉＨ4 ）を用いることが好ましい。
【００３０】その後、厚さ２０００Å〜５μｍ、好まし
くは２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性
を高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によ
って基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極３０７、３０８、３０９を形成する。
（図３（Ａ））
くは２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性
を高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によ
って基板全面に形成する。そして、これをエッチングし
て、ゲイト電極３０７、３０８、３０９を形成する。
（図３（Ａ））
【００３１】その後、イオンドーピング法によって、全
ての島状活性層に、ゲイト電極をマスクとして自己整合
的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして燐
を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子／
ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域３１０、３１１、
３１２が形成される。（図３（Ｂ））
ての島状活性層に、ゲイト電極をマスクとして自己整合
的にフォスフィン（ＰＨ3 ）をドーピングガスとして燐
を注入する。ドーズ量は１×１０12〜５×１０13原子／
ｃｍ2 する。この結果、弱いＮ型領域３１０、３１１、
３１２が形成される。（図３（Ｂ））
【００３２】次に、Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層３０３
を覆うフォトレジストのマスク３１３、および、画素Ｔ
ＦＴの活性層３０５のうち、ゲイト電極に平行にゲイト
電極３０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォト
レジストのマスク３１４を形成する。
を覆うフォトレジストのマスク３１３、および、画素Ｔ
ＦＴの活性層３０５のうち、ゲイト電極に平行にゲイト
電極３０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォト
レジストのマスク３１４を形成する。
【００３３】そして、再び、イオンドーピング法によっ
て、フォスフィンをドーピングガスとして燐を注入す
る。ドーズ量は１×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 と
する。この結果、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）３
１５、３１６が形成される。画素ＴＦＴの活性層３０５
の弱いＮ型領域３１２のうち、マスク３１４に覆われて
いた領域３１７は今回のドーピングでは燐が注入されな
いので、弱いＮ型のままとなる。（図３（Ｃ））
て、フォスフィンをドーピングガスとして燐を注入す
る。ドーズ量は１×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 と
する。この結果、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）３
１５、３１６が形成される。画素ＴＦＴの活性層３０５
の弱いＮ型領域３１２のうち、マスク３１４に覆われて
いた領域３１７は今回のドーピングでは燐が注入されな
いので、弱いＮ型のままとなる。（図３（Ｃ））
【００３４】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層３０
４、３０５をフォトレジストのマスク３１８で覆い、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、イオンド
ーピング法により、島状領域３０３に硼素を注入する。
ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2 とす
る。
４、３０５をフォトレジストのマスク３１８で覆い、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして、イオンド
ーピング法により、島状領域３０３に硼素を注入する。
ドーズ量は５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2 とす
る。
【００３５】このドーピングでは、硼素のドーズ量が図
３（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成
されていた弱いＮ型領域３１０は強いＰ型領域３１９に
反転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン）３１５、３１６、強いＰ型領域（ソー
ス／ドレイン）３１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）３１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域３１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図３
（Ｄ））
３（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成
されていた弱いＮ型領域３１０は強いＰ型領域３１９に
反転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン）３１５、３１６、強いＰ型領域（ソー
ス／ドレイン）３１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）３１７が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域３１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図３
（Ｄ））
【００３６】その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性を回復させる。
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性を回復させる。
【００３７】その後、全面に層間絶縁物３２０として、
プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００〜
６０００Å形成する。これは、窒化珪素膜あるいは酸化
珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、
層間絶縁物３２０をウェットエッチング法によってエッ
チングして、ソース／ドレインにコンタクトホールを形
成する。
プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００〜
６０００Å形成する。これは、窒化珪素膜あるいは酸化
珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、
層間絶縁物３２０をウェットエッチング法によってエッ
チングして、ソース／ドレインにコンタクトホールを形
成する。
【００３８】そして、スパッタ法によって、厚さ２００
０〜６０００Åのチタン膜を形成し、これをエッチング
して、周辺回路の電極・配線３２１、３２２、３２３お
よび画素ＴＦＴの電極・配線３２４、３２５を形成す
る。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１０００
〜３０００Åの窒化珪素膜３２６をパッシベーション膜
として形成し、これをエッチングして、画素ＴＦＴの電
極３２５に達するコンタクトホールを形成する。
０〜６０００Åのチタン膜を形成し、これをエッチング
して、周辺回路の電極・配線３２１、３２２、３２３お
よび画素ＴＦＴの電極・配線３２４、３２５を形成す
る。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１０００
〜３０００Åの窒化珪素膜３２６をパッシベーション膜
として形成し、これをエッチングして、画素ＴＦＴの電
極３２５に達するコンタクトホールを形成する。
【００３９】最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００
〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜をエ
ッチングして、画素電極３２７を形成する。このように
して、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路を一体
化して形成する。（図３（Ｅ））
〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜をエ
ッチングして、画素電極３２７を形成する。このように
して、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路を一体
化して形成する。（図３（Ｅ））
【００４０】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置の断面図を図４に示す。ＴＦＴ基板２０１の一
方の面には、画素領域２０４及び配向膜２０８が形成さ
れ、他方の面には偏光板２０９が設けられている。
表示装置の断面図を図４に示す。ＴＦＴ基板２０１の一
方の面には、画素領域２０４及び配向膜２０８が形成さ
れ、他方の面には偏光板２０９が設けられている。
【００４１】また、対向基板２０５の一方の面にはブラ
ックマトリクス２１０、透明電極２１１、配向膜２０８
が形成され、他方の面には偏光板２０９が設けられてい
る。また、ＴＦＴ基板及び対向基板は封止材２０２によ
り接着されている。液晶材料２１２はＴＦＴ基板と対向
基板の間に存在している。
ックマトリクス２１０、透明電極２１１、配向膜２０８
が形成され、他方の面には偏光板２０９が設けられてい
る。また、ＴＦＴ基板及び対向基板は封止材２０２によ
り接着されている。液晶材料２１２はＴＦＴ基板と対向
基板の間に存在している。
【００４２】本発明によるアクティブマトリクス型液晶
表示装置のレーザー光照射部付近の断面図を図５に示
す。ＴＦＴ基板２０１の一方の面には、配線５０３、及
び配向膜２０８が形成され、ショートリング切断部２０
７がある。また、対向基板２０５の一方の面にはブラッ
クマトリクス２１０、カラーフィルター５０１が形成さ
れ、それを覆うように平坦化膜５０２が形成され、その
上を透明電極２１１、配向膜２０８が形成されている。
この時、ブラックマトリクス２１０及びカラーフィルタ
ー５０１は、ショートリング切断部２０７にレーザー光
が到達しやすいように、ショートリング切断部２０７上
には設けられていない。また、ＴＦＴ基板及び対向基板
は封止材２０２により接着されている。
表示装置のレーザー光照射部付近の断面図を図５に示
す。ＴＦＴ基板２０１の一方の面には、配線５０３、及
び配向膜２０８が形成され、ショートリング切断部２０
７がある。また、対向基板２０５の一方の面にはブラッ
クマトリクス２１０、カラーフィルター５０１が形成さ
れ、それを覆うように平坦化膜５０２が形成され、その
上を透明電極２１１、配向膜２０８が形成されている。
この時、ブラックマトリクス２１０及びカラーフィルタ
ー５０１は、ショートリング切断部２０７にレーザー光
が到達しやすいように、ショートリング切断部２０７上
には設けられていない。また、ＴＦＴ基板及び対向基板
は封止材２０２により接着されている。
【００４３】また、本実施例の液晶表示装置の場合、画
像信号を液晶表示装置に出力する外部回路への接続はＦ
ＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）を使用した。ＦＰＣは、上述のＴＦＴ基板のエッジ
部分に設けた接続部に取り付けた。
像信号を液晶表示装置に出力する外部回路への接続はＦ
ＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）を使用した。ＦＰＣは、上述のＴＦＴ基板のエッジ
部分に設けた接続部に取り付けた。
【００４４】
【発明の効果】上記のように、ショートリング切断部を
液晶表示装置内部に設けたことで、その切断部分を保護
することが出来る。さらに、対向基板との重なりの部分
が無い部分を設ける必要が無いため、面一構造が可能と
なり、実装の際にその分のスペースを確保する必要が無
くなり、同一画面サイズで小規模の外枠で液晶表示装置
を作製することが可能となる。また、レーザー照射して
分断する金属配線部分の対向基板には、金属材料、カラ
ーフィルター基板などを設けないため、レーザー光の照
射が効率的に行われるようになる。
液晶表示装置内部に設けたことで、その切断部分を保護
することが出来る。さらに、対向基板との重なりの部分
が無い部分を設ける必要が無いため、面一構造が可能と
なり、実装の際にその分のスペースを確保する必要が無
くなり、同一画面サイズで小規模の外枠で液晶表示装置
を作製することが可能となる。また、レーザー照射して
分断する金属配線部分の対向基板には、金属材料、カラ
ーフィルター基板などを設けないため、レーザー光の照
射が効率的に行われるようになる。
【図１】 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の概略図。
の概略図。
【図２】 本発明の実施例におけるＴＦＴ基板の概略
図。
図。
【図３】 本発明の実施例におけるＴＦＴ基板の概略
図。
図。
【図４】 本発明の実施例におけるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の断面図。
ス型液晶表示装置の断面図。
【図５】 本発明の実施例におけるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のレーザー光照射部付近の断面図。
ス型液晶表示装置のレーザー光照射部付近の断面図。
【符号の説明】 １０１、１０５、２０１、２０５、３０１
基板 １０２、２０２、２０２’ 封止材 １０３、２０３ 周辺駆動回路領域 １０４、２０４ 画素領域 １０６、２０６ ショートリング １０７、２０７、４０１ ショートリング切
断部 ２０８ 配向膜 ２０９ 偏光板 ２１０ ブラックマトリク
ス ２１１ 透明電極 ２１２ 液晶材料 ３０２ 下地膜（酸化珪
素） ３０３〜３０５ 活性層（シリコ
ン） ３０６ ゲイト絶縁膜（酸
化珪素） ３０７〜３０９ ゲイト電極・ゲイ
ト線 ３１０〜３１２ 弱いＮ型領域 ３１３、３１４ フォトレジストの
マスク ３１５、３１６ 強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン） ３１７ 低濃度不純物領域 ３１８ フォトレジストの
マスク ３１９ 強いＰ型領域（ソ
ース／ドレイン） ３２０ 層間絶縁物（酸化
珪素） ３２１〜３２５ 金属配線・電極 ３２６ パッシベーション
膜（窒化珪素） ３２７ 画素電極（ＩＴ
Ｏ） ５０１ カラーフィルター ５０２ 平坦化膜 ５０３ 配線
基板 １０２、２０２、２０２’ 封止材 １０３、２０３ 周辺駆動回路領域 １０４、２０４ 画素領域 １０６、２０６ ショートリング １０７、２０７、４０１ ショートリング切
断部 ２０８ 配向膜 ２０９ 偏光板 ２１０ ブラックマトリク
ス ２１１ 透明電極 ２１２ 液晶材料 ３０２ 下地膜（酸化珪
素） ３０３〜３０５ 活性層（シリコ
ン） ３０６ ゲイト絶縁膜（酸
化珪素） ３０７〜３０９ ゲイト電極・ゲイ
ト線 ３１０〜３１２ 弱いＮ型領域 ３１３、３１４ フォトレジストの
マスク ３１５、３１６ 強いＮ型領域（ソ
ース／ドレイン） ３１７ 低濃度不純物領域 ３１８ フォトレジストの
マスク ３１９ 強いＰ型領域（ソ
ース／ドレイン） ３２０ 層間絶縁物（酸化
珪素） ３２１〜３２５ 金属配線・電極 ３２６ パッシベーション
膜（窒化珪素） ３２７ 画素電極（ＩＴ
Ｏ） ５０１ カラーフィルター ５０２ 平坦化膜 ５０３ 配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｂ (72)発明者 山崎 舜平 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 山元 良高 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】画素領域に配置される薄膜トランジスタと
周辺駆動回路領域に配置される薄膜トランジスタとが同
一の基板上に存在するアクティブマトリクス型の液晶表
示装置において、 複数のゲイト又はソースのどちらか又はその両方を接続
する配線の切断部上が対向基板で被覆されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１において前記画素領域と前記配線
の切断部分の中間に封止材が存在することを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１において前記配線の切断部分周辺
に液晶材料が存在することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１において前記基板の対向基板の、
前記配線の該切断部分に対応する箇所に光透過性のある
領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34923095A JPH09171190A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 液晶表示装置 |
| US08/766,662 US5764320A (en) | 1995-12-19 | 1996-12-16 | Liquid crystal display device |
| KR1019960071115A KR100337252B1 (ko) | 1995-12-19 | 1996-12-19 | 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34923095A JPH09171190A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171190A true JPH09171190A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18402368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34923095A Withdrawn JPH09171190A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5764320A (ja) |
| JP (1) | JPH09171190A (ja) |
| KR (1) | KR100337252B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4179483B2 (ja) | 1996-02-13 | 2008-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| JP3698809B2 (ja) * | 1996-03-23 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶装置作製方法 |
| JPH10268794A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 表示パネル |
| JP3742485B2 (ja) * | 1997-04-24 | 2006-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶パネル |
| US6465268B2 (en) * | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| JPH11101986A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及び表示装置用大基板 |
| US6054395A (en) * | 1997-10-24 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning a semiconductor device |
| US7126161B2 (en) | 1998-10-13 | 2006-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having El layer and sealing material |
| US6506635B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of forming the same |
| US7183147B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| JP2006267818A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置およびプロジェクタ |
| KR101845480B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| CN102902095B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶装置及其制造方法 |
| TWI692108B (zh) | 2013-04-10 | 2020-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147433A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル線欠陥救済方法 |
| JP2653099B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1997-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー |
| US5148301A (en) * | 1990-02-27 | 1992-09-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary |
| US5200847A (en) * | 1990-05-01 | 1993-04-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having driving circuit forming on a heat-resistant sub-substrate |
| JP2712764B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1998-02-16 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型液晶表示装置 |
| JPH06148678A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US5412495A (en) * | 1993-07-22 | 1995-05-02 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Liquid crystal display system having an anti-static electricity structure |
| US5668032A (en) * | 1995-07-31 | 1997-09-16 | Holmberg; Scott H. | Active matrix ESD protection and testing scheme |
-
1995
- 1995-12-19 JP JP34923095A patent/JPH09171190A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-12-16 US US08/766,662 patent/US5764320A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-19 KR KR1019960071115A patent/KR100337252B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5764320A (en) | 1998-06-09 |
| KR970048856A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100337252B1 (ko) | 2003-06-09 |
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