CN103227169A - 发光器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 265
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 SOI Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 claims 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 96
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
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- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
本发明涉及一种发光器件,包括:第一发光结构,包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案,并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭;第二发光结构,包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案,并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭;倾斜侧壁表面;绝缘图案;中间材料层;以及阻挡层,其中第一至第四半导体图案及第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N,0≤x≤1,0≤y≤1,连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成,并且具有碗形和倾斜侧壁。
Description
本申请是申请日为2009年8月5日且发明名称为“半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法”的中国发明专利申请200910162143.1的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种发光器件及其形成方法,更具体地,涉及包括至少两个堆叠的发光二极管芯片的发光器件及其形成方法。
背景技术
发光二极管(LED)是p-n结二极管,该发光二极管因过量电子-空穴对的直接辐射复合而发光。当LED被正向偏置时,电子能够与空穴复合,且能量以光的形式释放。发出的光的颜色基于形成p-n结的材料的带隙能量。
LED能以直流电(DC)或交流电(AC)工作。AC LED每单位面积的发光效率是DC LED的一半,因为在交流电操作中当两个二极管被并联时,交替开启两个二极管中的一个。因此,增加AC操作LED的发光效率的一种方法是将一个LED芯片堆叠另一个LED芯片上。这样会表现出LED总是开启的,因为两个堆叠的LED芯片中的一个是开启的。传统地,LED芯片堆叠成在一个在另一个上并被绝缘层分开。为了将堆叠的LED芯片连接到交流电,需要围绕绝缘体的外部导线。
因此,需要具有高的每单位面积发光效率的交流电操作的发光器件。
发明内容
本发明的示范性实施例提供一种具有至少两个LED芯片的发光器件,其中一个LED堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。两个LED芯片通过设置在它们之间的导电材料而电连接。这样,能够最小化连接两个LED芯片的电极和导线的数量。
根据本发明的示范性实施例,半导体器件包括第一发光芯片,该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层;设置在第一发光芯片上的第二发光芯片,该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层;和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层,第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件可还包括设置在导电层上的第一电极、设置在第三半导体层上的第二电极以及设置在第二半导体层上的第三电极。
第二电极和第三电极能被电连接。
半导体器件可还包括设置在第二半导体层上的基板。
基板可包括半导体材料和导电材料的至少一种。
导电层能是透明的。
导电层能是反射的。
第三电极能是反射的。
第三电极可包括反射的侧壁。
第三电极能是平的。
半导体器件可还包括设置在第四半导体层和导电层之间的通路。
第二发光芯片能是竖直型发光芯片。
半导体器件还可包括第三发光芯片,该第三发光芯片包括第五半导体层,该第五半导体层设置在第三半导体层上,第五半导体层和第三半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件还可包括第三发光芯片,该第三发光芯片包括第五半导体层,该第五半导体层设置在第三半导体层上,第五半导体层和第三半导体层具有相同的导电类型。
第一发光芯片和第二发光芯片能配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励,从而发光。
与第二发光芯片交叠的第一发光芯片的轮廓与第二发光芯片的轮廓基本相同。
根据本发明的示范性实施例,半导体封装包括设置在第一基板的第一表面上的第一导电垫和第二导电垫;设置在第一基板的第一表面上的第一发光芯片,第一发光芯片具有第一半导体层、电连接到第二导电垫的第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层;设置在第一发光芯片上的第二发光芯片,该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层;设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层,第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型;第一导线,其连接第一导电垫与设置在导电层上的第一电极;和第二导线,其连接第二导电垫与设置在第三半导体层上的第二电极。
半导体器件还可包括设置在第二半导体层上的第三电极。
半导体器件还可包括在第二半导体层上的第二基板,第二基板包括半导体材料。
导电层能是透明的。
导电层能是反射的。
第二发光芯片能是竖直型(vertical type)发光芯片。
第一发光芯片和第二发光芯片能配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励,从而发光。
半导体器件还可包括密封剂,该密封剂密封第一发光芯片和第二发光芯片。
半导体器件还可包括设置在密封剂中的光转换材料。
半导体器件还可包括设置在第一基板的第二表面上的第三导电垫和第四导电垫,其中第三导电垫电连接到第二导电垫,第四导电垫电连接到第一导电垫。
半导体器件还可包括设置在第三导电垫和第二导电垫之间的第一通路,设置在第一导电垫和第四导电垫之间的第二通路。
根据本发明的示范性实施例,半导体器件的形成方法包括:形成第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层;在第二半导体层上设置第二基板;去除第一基板;在第三基板上形成第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层;在第四半导体层上设置第一半导体层;和去除第三基板。
该方法还可包括在第一半导体层上形成导电层。
该方法还可包括在导电层和第四半导体层之间形成接合。
该方法还可包括在导电层上形成第一电极、在第三半导体层上形成第二电极和在第二半导体层上形成第三电极。
第三电极能是反射的。
导电层能是透明的。
根据本发明的示范性实施例,半导体封装的形成方法包括:制备第一发光芯片,该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体之间的第一有源层;制备第二发光芯片,该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层;和在第四半导体层上设置第一半导体层,该第四半导体层即将与第一半导体层相互电连接,第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
该方法还可包括设置在第一半导体层上的导电层。
该方法还可包括在导电层上形成第一电极、在第三半导体层上形成第二电极和在第二半导体层上形成第三电极。
第三电极能是反射的。
导电层能是透明的。
该方法还可包括制备具有第一导电垫和第二导电垫的第一基板,和连接第二电极和第二导电垫以及连接第一电极和第一导电垫。
该方法还可包括在密封剂中密封第一发光芯片和第二发光芯片。
该方法还可包括在密封剂中设置光转换材料。
根据本发明的示范性实施例,一种发光器件,包括:第一发光结构,包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案,并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭;第二发光结构,包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案,并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭;倾斜侧壁表面,形成在至少一个发光结构中以允许由有源图案产生的光从发光结构发出;绝缘图案,形成在第一电极和第一发光结构之间并且包括沿着第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个:氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、Al2O3和AlN;中间材料层,包括包含Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中至少一个的单层、叠层及其组合,以将第一电极接合到基板;以及阻挡层,形成在第一电极和中间材料层之间,并且包括包含Pt、Ni、Cu、Al、Cr、Ti和W中至少一个的单层、叠层及其组合,其中第一至第四半导体图案和第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N,0≤x≤1,0≤y≤1,连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成,并且具有碗形和倾斜侧壁。
附图说明
通过以下结合附图的描述能够更详细地理解本发明的示范性实施方式,附图中:
图1A和图1B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件;
图2A和图2B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件的电路图;
图3示出根据本发明示范性实施例的发光器件;
图4示出根据本发明示范性实施例的发光器件;
图5示出根据本发明示范性实施例的发光器件;
图6示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图;
图7A、图7B和图7C示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图;
图8示出根据本发明示范性实施例的半导体封装;
图9示出根据本发明示范性实施例的半导体封装;
图10示出根据本发明示范性实施例的发光封装;
图11示出根据本发明示范性实施例的发光封装;
图12示出根据本发明示范性实施例的发光封装;
图13示出根据本发明示范性实施例的发光器件的阵列;
图14示出根据本发明示范性实施例的封装中的发光器件;
图15示出根据本发明示范性实施例的封装中的发光器件;
图16示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统;
图17示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统;
图18示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统;
图19示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统;
图20示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统;以及
图21A、图21B、图22A、图22B、图23A、图23B、图24、图25A、图25B、图26和图27示出根据本发明示范性实施例的发光器件的形成方法。
具体实施方式
现将参考其中显示本发明的示范性实施例的附图更加全面地描述本发明。然而,本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的实施例。
可以理解当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”和/或“耦合到”另一元件或层时,它可以直接在其他元件或层上或直接连接到、耦合到另一元件或层,或者可以存在中间的元件或层。相反,当元件被称为“直接”在其他元件“上”、“直接连接到”和/或“直接耦合到”另一元件或层时,则没有中间元件或层存在。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。
可以理解虽然术语第一、第二和第三等可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但是这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此,以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分,而不背离本发明的教导。
在这里为了描述的方便,可以使用空间相对术语,诸如“下面”、“下方”、“底部”、“下”、“上方”、“顶部”、“上”等,来描述一个元件或特征与其他元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如,如果在图中的装置被翻转,被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此,示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向(旋转90度或其它取向)且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。同样,如这里所用,“竖直”表示实质上垂直于水平方向的方向。
参考横截面图示在这里描述了实施方式的实例,该图示是理想实施例(和中间结构)的示意图。因此,可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状,而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如,被示为矩形的注入区将通常具有修圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。相似地,由注入形成的埋入区可以引起埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此,图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出器件的区域的精确的形状且不旨在限制本发明的范围。
图1A和图1B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件。图2A和图2B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件的电路图。
参考图1A和图1B,发光器件20包括第一发光芯片110,第二发光芯片160,第一、第二和第三欧姆接触层142、168和130,第一、第二和第三电极150、170和140,以及基板200。第一发光芯片110设置在基板200上,且中间层210设置在基板200与第一发光芯片110之间。第二发光芯片160设置在第一发光芯片110上,且欧姆接触层142、168设置在第二发光芯片160与第一发光芯片110之间。
第一发光芯片110包括第一半导体层112、第二半导体层116以及设置在第一半导体层112与第二半导体层116之间的第一有源层114。第二发光芯片160包括第三半导体层162、第四半导体层166以及设置在第三半导体层162与第四半导体层166之间的第二有源层164。在示范性实施例中,第一半导体层112包括n型半导体,第二半导体层116包括p型半导体,第三半导体层162包括n型半导体,第四半导体层166包括p型半导体。这样,第一半导体层112和第四半导体层166具有不同的导电类型。
第一电极150设置在第一欧姆接触层142上。第二电极170设置在第三半导体层162上。第三电极140设置在第二半导体层116上,第三欧姆接触层130设置在第三电极140与第二半导体层116之间。这样,在示范性实施例中,具有不同导电类型的第一半导体层112和第四半导体层166通过第一和第二欧姆接触层142、168电连接。第二电极170和第三电极140可被电连接。
基板200包括,例如,半导体材料或导电材料。中间层210能设置在基板200上。中间层210能包括,例如,Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti的至少一个。第三电极140能设置在中间层210上。第三欧姆接触层130能设置在第三电极140上。第二半导体层116能设置在第三欧姆接触层130和绝缘体120上。
在示范性实施例中,包括第一和第二欧姆接触层142和168的导电层能是透明的。可替换地,第一和第二欧姆接触层142和168能是反射的。在示范性实施例中,第三电极140能是反射的。第三电极140能包括反射侧壁141。反射侧壁141是倾斜的,从而增大发光器件20的光发射。由于倾斜的反射侧壁141而导致形成凹槽118。在示范性实施例中,第三电极140能具有高反射性从而进一步增大光发射。根据本发明示范性实施例,反射侧壁141能被省略。这样,在示范性实施例中,相对于基板200的主轴,第三电极140能是平的。
在示范性实施例中,第二发光芯片160能是竖直型结构,第一发光芯片110能是竖直、横向或翻转(flip)型结构。在示范性实施例中,第二发光芯片160和设置在第二发光芯片160下方且与第二发光芯片160交叠的第一发光芯片110具有实质上相同的轮廓(contour)。
参考图1A、图1B、图2A和图2B,第一和第二发光芯片110、160配置为交替地在交流电波形的各个(respective)交替的半周(alternating halves)激励,从而发光。
参考图1A和图2A,基板200和第二电极170具有相同的电位。例如,负电压(-)被施加到第一电极150,正电压(+)被施加到基板200和第二电极170。这样,第一发光芯片110被正向偏置,第二发光芯片160被反向偏置。因此,只有第一发光芯片110开启并发射光L1。第三电极140能反射由第一发光芯片110的第一有源层114产生的光。当欧姆接触层142、168透明时,来自第三电极140的反射光和从第一有源层114直接入射的光经过第一和第二欧姆接触层142、168被发射到发光器件20的外部。
参考图1B和图2B,基板200和第二电极170具有相同的电位。例如,正电压(+)被施加到第一电极150,负电压(-)被施加到基板200和第二电极170。这样,第二发光芯片160被正向偏置,第一发光芯片110被反向偏置。因此,只有第二发光芯片160开启并发射光L2。第三电极140能反射由第二发光芯片160的第二有源层164产生的光。来自第三电极140的反射光和从第二有源层164直接入射的光能被发射到发光器件20的外部。当欧姆接触层142、168透明时,反射光能穿过第一和第二欧姆接触层142、168传送。
图3示出根据本发明示范性实施例的发光器件21。参考图3,第二发光芯片160设置在导电层144上。第一电极150能设置在导电层144上。在示范性实施例中,第三电极140是平的。也就是说,第三电极140不具有倾斜的侧壁。这样,由第一发光芯片110产生的光能沿水平方向泄露。当导电层144透明时,由第二发光芯片160产生的光能穿过导电层144并能被第三电极140反射。当导电层144是反射的时,由第二发光芯片160产生的光被导电层144反射。
图4示出根据本发明示范性实施例的发光器件22。参考图4,第一发光芯片110设置在第一基板201上,导电层144设置在第一发光芯片110上。第二发光芯片160设置在第二基板202上。多个通路(through via)204设置在第二基板202中。这样,第四半导体层166能通过填充有导电材料的通路204而电连接到导电层144。第一发光芯片110包括第一半导体层112、第一有源层114和第二半导体层116。第二半导体层116能设置在第一基板201上。基板201、202可包括蓝宝石(Al2O3)、ZnO或SiC。在示范性实施例中,反射层能设置在第二半导体层116和第一基板201之间。第一电极150设置在导电层144上。第二电极170设置在第三导电层162上。第三电极140设置在第二半导体层116的边缘上。这样,在此示范性实施例中,第二发光芯片160是竖直型的,第一发光芯片110是横向型的。
图5示出根据本发明示范性实施例的发光器件23。图6示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图。参考图5和图6,第三发光芯片180和第四发光芯片190堆叠在第一和第二发光芯片110、160上。第三发光芯片180包括第五半导体层186、第三有源层184和第六半导体层182。第五半导体层186设置在第三半导体层162上,第二导电层146设置在第五半导体层186与第三半导体层162之间。在示范性实施例中,第五半导体层186和第三半导体层162具有不同的导电类型。可替换地,第五半导体层186和第三半导体层162具有相同的导电类型。
第四发光芯片190包括第七半导体层192、第四有源层194和第八半导体层196。第七半导体层192设置在第八半导体层196上,第四有源层194设置在第七半导体层192与第八半导体层196之间。第八半导体层196与设置在其下方的第三导电层148接触。第三导电层148设置在第六半导体层182上并接触第六半导体层182。第六半导体层182设置在第五半导体层186上,第三有源层184设置在第六半导体层182与第五半导体层186之间。第五半导体层186设置在第二导电层146上并接触第二导电层146。第二导电层146设置在第三半导体层162上并接触第三半导体层162。第三半导体层162设置在第四半导体层166上,第二有源层164设置在第三半导体层162与第四半导体层166之间。第四半导体层166设置在第一导电层144上并接触第一导电层144。第一导电层144设置在第一半导体层112上并接触第一半导体层112。第一半导体层112设置在第二半导体层116上,第一有源层114设置在第一半导体层112与第二半导体层116之间。第二半导体层116设置在第三电极140上并接触第三电极140。第三电极140设置在中间层210上并接触中间层210。中间层210设置在基板200上并接触基板200。
第一电极150设置在第一导电层144上。第二电极170设置在第二导电层146上。第三电极140能设置在第二半导体层116和中间层210之间。第四电极188能设置在第三导电层148上。第五电极198能设置在第七半导体层192上。在示范性实施例中,第一、第三、第五和第八半导体层112、162、186和196是n型半导体层,第二、第四、第六和第七半导体层116、166、182和192是p型半导体层。
参考图6,根据本发明示范性实施例,n个发光二极管能被堆叠。用于发光的第一组可包括发光芯片110和180,用于发光的第二组可包括发光芯片160和190。当施加DC偏压时,第一组或第二组能开启。也就是说,在示范性实施例中,发光器件23能被DC偏置。
在示范性实施例中,第一和第三发光芯片110、180的总发光面积与第二和第四发光芯片160、190的总发光面积基本相同。因此,能产生均匀的发光强度。
图7A、图7B和图7C示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图。参考图7A,发光器件24包括第一发光二极管组A和第二发光二极管组B,该第一发光二极管组A包括多个子发光二极管,该第二发光二极管组B包括多个子发光二极管。参考图7B,发光器件25包括第一发光二极管组C和第二发光二极管D,该第一发光二极管组C包括多个子发光二极管。参考图7C,发光器件26包括第一发光二极管E和第二发光二极管组F,该第二发光二极管组F包括多个子发光二极管。这样,根据本发明示范性实施例能够使用多个发光二极管芯片。
图8示出根据本发明示范性实施例的半导体封装。参考图8,半导体封装31包括发光器件20、基板300例如印刷电路板(PCB)、第一导电垫(pad)320、第二导电垫310、第一导线330和第二导线340。第一导电垫320和第二导电垫310设置在基板300上。第一导线330将第一导电垫320与设置在导电层142上的第一电极150连接。第二导线340将第二导电垫310与设置在第三半导体层162上的第二电极170连接。
图9示出根据本发明示范性实施例的半导体封装。参考图9,半导体封装32包括发光器件20、基板300例如PCB、第一导电垫320、第二导电垫310、第三导电垫312、第四导电垫322、第一导线330和第二导线340。基板300包括设置在第二导电垫310和第三导电垫312之间的多个第一通路(via)316,以及设置在第一导电垫320和第四导电垫322之间的多个第二通路326。第一和第二导电垫320和310设置在基板300的第一表面上,第三和第四导电垫312和322设置在基板300的第二表面上。第一导电垫320能通过第二通路326电连接到第四导电垫322,第二导电垫310能通过第一通路316电连接到第三导电垫312。根据本发明的示范性实施例,第一通路316和第二通路326能是热通道和/或导体。
图10示出根据本发明的示范性实施例的发光封装。参考图10,发光封装33包括被第一密封剂(encapsulant)342密封的半导体封装31。光转换材料比如,例如,磷光体344能设置在第一密封剂342中。在示范性实施例中,磷光体344能基本均匀地分散在整个第一密封剂342中。第二密封剂350能设置在第一密封剂342上。磷光体344能转换由第一发光芯片110和第二发光芯片160产生的一部分光。例如,当半导体封装31产生蓝光且磷光体344包括黄色荧光材料时,能从发光封装33产生白光。在示范性实施例中,能够包括红色磷光体以增加显色指数(CRI,Color Rendering Index)。当半导体封装31产生紫外(UV)光时,磷光体344能包括RGB荧光材料。第二密封剂350能防止磷光体344因例如潮湿而被损坏。第一和第二密封剂能是,例如,环氧树脂、硅树脂、刚性硅树脂、氨基甲酸乙酯、氧杂环丁烷(oxetane)、丙烯酸(acryl)、聚碳酸脂和聚酰亚胺(polyimide)。磷光体344可包括,例如,被镧活化的氮化物/氧化物材料。
图11示出根据本发明示范性实施例的发光封装。参考图11,发光封装34包括被密封剂350密封的半导体封装31。在示范性实施例中,磷光体344能设置在基板300、第一和第二导电垫320和310、第一和第二电极150和170、以及第三半导体层162上。在示范性实施例中,磷光体344能是单层。
图12示出根据本发明示范性实施例的发光封装。参考图12,发光封装35包括被第一密封剂342和第二密封剂350密封的半导体封装31。在示范性实施例中,磷光体344能例如共形地设置在第一密封剂342上。在示范性实施例中,磷光体344能是单层。
图13为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块36的平面图。参考图13,第一列中的第一导电垫320邻近第二导电垫310设置。在挨着第一列的第二列中,设置另一个第一导电垫320和第二导电垫310。这样,设置多个包括第一和第二导电垫320和310的列以形成封装阵列。在第一列中,第二发光芯片160设置在第一发光芯片110上。第二电极170设置在第二发光芯片160上。第一电极150设置在第一发光芯片110上。第一导线330将第一电极150与第一导电垫320连接。第二导线340将第二电极170与第二导电垫310连接。
图14为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块的透视图。在第一列中,设置在基板300上的多个发光器件20被例如以规则间隔布置。多个发光器件20被第一密封剂342和第二密封剂350密封,该第一密封剂342和第二密封剂350具有被切掉一半的长管形状。包括多个发光器件20以及第一密封剂342和第二密封剂350的第二列能挨着第一列设置,第一列与第二列之间具有间距。在此示范性实施例中,多于一个的发光器件20能被第一密封剂342和第二密封剂350密封。
图15为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块的透视图。在第一列中,设置在基板300上的多个发光器件20例如以规则间距布置。多个发光器件20中的每个逐个被第一密封剂342和第二密封剂350相应地密封。在示范性实施例中,第一密封剂342和第二密封剂350基本是半圆形。
图16为根据本发明示范性实施例的背光单元的截面图。在示范性实施例中,能使用边缘型背光单元。设置在基板300上的发光器件20位于导光板400的边缘。导光板400包括设置在反射片412上的传输片(transfer sheet)410。多个反射图案412a能设置在反射片412上。显示板450能设置在扩散片(spreading sheet)414上,棱镜片416位于显示板450和扩散片414之间。扩散片414扩散从导光板400接收到的光且能设置在导光板400上。棱镜片416能包括两个片且沿正交方向引导光到显示板450。
图17、图18、图19和图20是采用根据本发明示范性实施例的发光器件的系统。参考图17,发光器件结合投影仪(projector)一起使用。投影仪包括基本布置在一条线上的光源411、聚光透镜420、滤色器430、锐化透镜(sharpening lens)440和数字微反射镜装置(DMD)451。微透镜480接收来自DMD451的光并在屏幕490上投射图像。参考图18,多个发光封装1被用作车辆(vehicle)500的光源。参考图19,根据示范性实施例的发光封装1被用作街灯600的光源。参考图20,根据示范性实施例的多个发光封装1被用作照明灯700的光源。
图21至27示出根据本发明示范性实施例的发光器件的形成方法。
参考图21A,第一初始半导体层112a形成在第一基板100上。第二初始半导体层116a能形成在第一初始半导体层112a上,第一初始有源层114a设置在第一初始半导体层112a与第二初始半导体层116a之间。在示范性实施例中,缓冲层能在第一初始半导体层112a和第一基板100之间形成。缓冲层能增加第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a的晶体性能。
第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a能包括InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)比如,例如,AlGaN或InGaN。初始半导体层112a和116a能通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、液相外延生长、氢化气相外延生长、分子束外延生长或金属有机气相外延生长形成在第一基板100上。当第一初始半导体层112a是第一导电类型时,第二初始半导体层116a能是第二导电类型。例如,当第一初始半导体层112a是n型半导体层时,第二初始半导体层116a是p型半导体层。例如,当第一初始半导体层112a是p型半导体层时,第二初始半导体层116a能是n型半导体层。
在初始有源层114a中,发生电子和空穴之间的光复合。初始有源层114a能包括至少一个势阱(potential well)和势垒(potential barrier)。为了调节发光性能,根据本发明示范性实施例,B、P、Si、Mg、Zn和Se中的至少一种能被掺杂在势阱和/或势垒中。
大约400℃的热处理能被执行以活化第二初始半导体层116a。例如,当第二初始半导体层116a是掺杂有Mg的InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)时,因为结合Mg的H能与Mg分离,所以第二初始半导体116a能通过热处理具有改善的p型性能。在示范性实施例中,第一基板100可包括电介质材料比如,例如蓝宝石(Al2O3)、ZnO,或导体比如例如Si或SiC。
参考图21B,第一有源层114、第一半导体层112、第二半导体层116和凹槽(groove)118能通过图案化第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a而形成。根据本发明的示范性实施例,凹槽118具有倾斜的表面,该倾斜的表面能用于反射从有源层114和164发出的光。
参考图22A,绝缘体120能形成在第一半导体层112和第二半导体层116以及有源层114上。也就是说,绝缘体120能共形地形成在第一发光芯片110的凹入和突出部分上。第二半导体层116的一部分顶表面被暴露。绝缘体120能包括,例如,SiO、SiN、SiON、Al2O3和AlN中的至少之一。
参考图22B,第三欧姆接触层130形成在第二半导体层116的暴露部分上。第三电极140能形成在绝缘体120以及第三欧姆接触层130上。也就是说,第三电极140能共形地形成在第一发光芯片110的顶表面和侧壁上。在示范性实施例中,第三电极140能包括具有高反射率的材料比如,例如,Ag或Al。欧姆接触层130能包括,例如,铟锡氧化物(ITO)、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少一种。执行采用大约400℃温度的热处理以活或第三欧姆接触层130。设置在第三电极140和第二半导体层116之间的第三欧姆接触层130能增大电流扩散(currentspreading)。
参考图23A,第二基板200能形成在第三电极140上,中间层210设置在第二基板200与第三电极140之间。这样,第一基板100和第二基板200彼此结合。第二基板200能是导电基板。第二基板200可包括,例如,Si、应变Si(strained Si)、Si合金、SOI、SiC、SiGeC、Ge、Ge合金、GaAs、InAs和Ⅲ-Ⅴ半导体中的至少之一。中间层210能包括,例如,Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中的至少一种。中间层210能具有比第三电极140低的反射系数。当中间层210包括Au时,第一和第二基板100和200能通过采用大约200℃至大约450℃温度的热处理相互结合。在示范性实施例中,能在热处理中加入施压工艺。
参考图23B,第一基板100被从第一半导体层112去除。在示范性实施例中,激光能用于去除第一基板100。例如,激光熔化在第一基板100和第一半导体层112之间形成的缓冲层或n-GaN使得第一基板100能从第一半导体层112分离。在示范性实施例中,包括CMP、磨削或回蚀工艺的减薄工艺(thinning process)能在去除第一基板100之前进行,从而防止损坏第一发光器件110。
参考图24,第一欧姆接触层142形成在第一半导体层112上。第一电极150形成在第一欧姆接触层142上。在示范性实施例中,第一电极150能形成在第一欧姆接触层142上并靠近第一欧姆接触层142的边缘,使得第二发光芯片160能设置在第一欧姆接触层142上而不接触第一电极150。第一欧姆接触层142可包括,例如,ITO、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少之一。第一电极150可包括,例如,ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和Ag中的至少之一。第一欧姆接触层142能增加穿过第一发光芯片110和第二发光芯片160的电流扩散。
参考图25A,第三初始半导体层162a形成在第三基板101上。第四初始半导体层166a形成在第三初始半导体层162a上,第二初始有源层164a设置在第三初始半导体层162a与第四初始半导体层166a之间。第二初始欧姆接触层168a形成在第四初始半导体层166a上。
参考图25B,通过图案化第三初始半导体层162a、第四初始半导体层166a、第二初始有源层164a和第二初始欧姆接触层168a来形成第二发光芯片160。在示范性实施例中,除了被第一电极150重叠的部分外,第一发光芯片110与第二发光芯片160具有基本相同的形状。
参考图26,设置在第三基板101上的第二发光芯片160与设置在第二基板200上的第一发光芯片110接合在一起。也就是说,设置在第一发光芯片110上的第一欧姆接触层142接触设置在第二发光芯片160上的第二欧姆接触层168。这样,第一半导体层112和第四半导体层166通过第一和第二欧姆接触层142和168而电连接。
参考图27,从第二发光芯片160去除第三基板101。第二电极170能形成在第三半导体层162上。
本发明的示范性实施例提供了具有至少两个LED芯片的发光器件,其中这至少两个LED芯片是一个堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。该两个LED芯片由设置在其间的导电材料电连接。这样,能够最小化发光器件中连接这两个LED芯片的电极和导线的数量。
虽然已经参考附图描述了本发明的示范性实施例,但是可以理解本发明不应限于这些具体的实施例,本领域的一般技术人员可以在不脱离本发明的精神或范围下进行各种变化和改进。所有这些变化和改进旨在包括在由权利要求界定的本发明的范围内。
本申请要求于2008年8月5日提交的韩国专利申请第2008-0076549号和于2009年5月1日提交的美国专利申请第12/434358号的优先权,在此引入其全部内容作为参考。
Claims (11)
1.一种发光器件,包括:
第一发光结构,包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案,并且根据施加到所述第二半导体图案和所述第一半导体图案的偏压而开启或关闭;
第二发光结构,包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案,并且根据施加到所述第四半导体图案和所述第三半导体图案的偏压而开启或关闭;
倾斜侧壁表面,形成在至少一个所述发光结构中以允许由所述有源图案产生的光从所述发光结构发出;
绝缘图案,形成在第一电极和所述第一发光结构之间并且包括沿着所述第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个:氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、Al2O3和AlN;
中间材料层,包括包含Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中至少一个的单层、叠层及其组合,以将所述第一电极接合到基板;以及
阻挡层,形成在所述第一电极和所述中间材料层之间,并且包括包含Pt、Ni、Cu、Al、Cr、Ti和W中至少一个的单层、叠层及其组合,
其中所述第一至第四半导体图案和所述第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N,0≤x≤1,0≤y≤1,连接到所述第一导电类型的所述第一半导体图案的所述第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成,并且具有碗形和倾斜侧壁。
2.如权利要求1所述的发光器件,其中所述第一发光结构和所述第二发光结构被连续堆叠。
3.如权利要求1所述的发光器件,其中当交流电源施加到所述第一发光结构和所述第二发光结构时,所述第一发光结构和所述第二发光结构之一被开启,另一个被关闭。
4.如权利要求1所述的发光器件,其中所述第一和第三半导体图案中至少一个包括n型InxAlyGa(1-x-y)N,0≤x≤1,0≤y≤1。
5.如权利要求1所述的发光器件,其中所述基板是绝缘基板,其包括电连接到所述半导体图案之一的通路。
6.如权利要求1所述的发光器件,其中所述基板是导电基板,并且包括Si、应变Si、Si合金、SOI、SiC、SiGe、SiGeC、Si-Al、Ge、Ge合金、GaAs、InAs、Ⅲ-Ⅴ半导体和II-VI半导体中的一个。
7.如权利要求1所述的发光器件,还包括用于制造白光的磷光层,该磷光层包括:
透明树脂,其是环氧树脂、硅树脂、硬性硅树脂、变性硅树脂、氨基甲酸乙酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸脂树脂和聚酰亚胺树脂中之一;
磷光体,其是从以下构成的组中选出的至少一个:M2Si5N8:Eu、MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu、MSi2O2N2:Eu、M5(PO4)3X:R、M2B5O9X:R、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Eu、由Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce以及(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12表示的YAG基磷光体、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce、碱土金属硅酸盐磷光体、(SrBa)2SiO4:Eu、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn以及MGa2S4:Eu,
其中M表示从Sr、Ca、Ba、Mg和Zn中选出的至少一个元素,
X表示从F、Cl、Br和I中选出的至少一个元素,
R表示从Eu和Mn中选出的至少一个元素,以及
部分的Y或所有Y由Tb或Lu替换。
8.如权利要求1所述的发光器件,还包括用于制造白光的磷光层,该磷光层包括:
透明树脂,其是环氧树脂、硅树脂、硬性硅树脂、变性硅树脂、氨基甲酸乙酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸脂树脂和聚酰亚胺树脂中之一;
磷光体,其是从以下构成的组中选出的至少一个:主要被镧活化的氮化物基或氮氧化物基磷光体、主要被镧活化的或者主要被过渡金属元素活化的碱土卤素磷灰石磷光体;碱土金属硼酸盐卤素磷光体;碱土金属铝酸盐磷光体;碱土硫化物磷光体;主要被镧活化的稀土铝酸盐磷光体;碱土硅酸盐磷光体;碱土硫代镓酸盐磷光体;碱土硅氮化物磷光体;锗酸盐磷光体;稀土硅酸盐磷光体;以及主要被镧活化的无机和有机复合物。
9.如权利要求1所述的发光器件,还包括用于制造白光磷光层,其仅包括磷光体而不包括透明树脂。
10.如权利要求7至9中任一所述的发光器件,还包括由在所述磷光层上的透明树脂形成的透镜。
11.如权利要求7至9中任一所述的发光器件,其中所述磷光层包括红色磷光体以增加显色指数。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080076549A KR101332794B1 (ko) | 2008-08-05 | 2008-08-05 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법 |
KR76549/08 | 2008-08-05 | ||
US12/434,358 US7977688B2 (en) | 2008-08-05 | 2009-05-01 | Light emitting device, light emitting system having the same, and fabricating method of the light emitting device and the light emitting system |
US12/434,358 | 2009-05-01 | ||
CN200910162143A CN101645443A (zh) | 2008-08-05 | 2009-08-05 | 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910162143A Division CN101645443A (zh) | 2008-08-05 | 2009-08-05 | 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103227169A true CN103227169A (zh) | 2013-07-31 |
CN103227169B CN103227169B (zh) | 2016-06-01 |
Family
ID=41652060
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910162143A Pending CN101645443A (zh) | 2008-08-05 | 2009-08-05 | 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法 |
CN201310142009.1A Active CN103227169B (zh) | 2008-08-05 | 2009-08-05 | 发光器件 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910162143A Pending CN101645443A (zh) | 2008-08-05 | 2009-08-05 | 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7977688B2 (zh) |
JP (1) | JP2010041057A (zh) |
KR (1) | KR101332794B1 (zh) |
CN (2) | CN101645443A (zh) |
TW (1) | TWI488284B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR100587020B1 (ko) | 2004-09-01 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드용 패키지 |
KR100764386B1 (ko) | 2006-03-20 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법 |
JP4228012B2 (ja) | 2006-12-20 | 2009-02-25 | Necライティング株式会社 | 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子 |
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- 2009-08-05 CN CN201310142009.1A patent/CN103227169B/zh active Active
-
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---|---|
US20110244611A1 (en) | 2011-10-06 |
US20130292714A1 (en) | 2013-11-07 |
KR20100016901A (ko) | 2010-02-16 |
KR101332794B1 (ko) | 2013-11-25 |
CN103227169B (zh) | 2016-06-01 |
CN101645443A (zh) | 2010-02-10 |
TWI488284B (zh) | 2015-06-11 |
JP2010041057A (ja) | 2010-02-18 |
US7977688B2 (en) | 2011-07-12 |
US8293550B2 (en) | 2012-10-23 |
US20120305954A1 (en) | 2012-12-06 |
US8766295B2 (en) | 2014-07-01 |
US8502242B2 (en) | 2013-08-06 |
TW201007925A (en) | 2010-02-16 |
US20100032691A1 (en) | 2010-02-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
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