CN103227169A - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103227169A
CN103227169A CN2013101420091A CN201310142009A CN103227169A CN 103227169 A CN103227169 A CN 103227169A CN 2013101420091 A CN2013101420091 A CN 2013101420091A CN 201310142009 A CN201310142009 A CN 201310142009A CN 103227169 A CN103227169 A CN 103227169A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
layer
phosphor
luminescent device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013101420091A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103227169B (zh
Inventor
金维植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN103227169A publication Critical patent/CN103227169A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103227169B publication Critical patent/CN103227169B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
    • F21W2131/10—Outdoor lighting
    • F21W2131/103—Outdoor lighting of streets or roads
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面；绝缘图案；中间材料层；以及阻挡层，其中第一至第四半导体图案及第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。

Description

发光器件
本申请是申请日为2009年8月5日且发明名称为“半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法”的中国发明专利申请200910162143.1的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种发光器件及其形成方法，更具体地，涉及包括至少两个堆叠的发光二极管芯片的发光器件及其形成方法。
背景技术
发光二极管（LED）是p－n结二极管，该发光二极管因过量电子－空穴对的直接辐射复合而发光。当LED被正向偏置时，电子能够与空穴复合，且能量以光的形式释放。发出的光的颜色基于形成p－n结的材料的带隙能量。
LED能以直流电（DC）或交流电（AC）工作。AC LED每单位面积的发光效率是DC LED的一半，因为在交流电操作中当两个二极管被并联时，交替开启两个二极管中的一个。因此，增加AC操作LED的发光效率的一种方法是将一个LED芯片堆叠另一个LED芯片上。这样会表现出LED总是开启的，因为两个堆叠的LED芯片中的一个是开启的。传统地，LED芯片堆叠成在一个在另一个上并被绝缘层分开。为了将堆叠的LED芯片连接到交流电，需要围绕绝缘体的外部导线。
因此，需要具有高的每单位面积发光效率的交流电操作的发光器件。
发明内容
本发明的示范性实施例提供一种具有至少两个LED芯片的发光器件，其中一个LED堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。两个LED芯片通过设置在它们之间的导电材料而电连接。这样，能够最小化连接两个LED芯片的电极和导线的数量。
根据本发明的示范性实施例，半导体器件包括第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件可还包括设置在导电层上的第一电极、设置在第三半导体层上的第二电极以及设置在第二半导体层上的第三电极。
第二电极和第三电极能被电连接。
半导体器件可还包括设置在第二半导体层上的基板。
基板可包括半导体材料和导电材料的至少一种。
导电层能是透明的。
导电层能是反射的。
第三电极能是反射的。
第三电极可包括反射的侧壁。
第三电极能是平的。
半导体器件可还包括设置在第四半导体层和导电层之间的通路。
第二发光芯片能是竖直型发光芯片。
半导体器件还可包括第三发光芯片，该第三发光芯片包括第五半导体层，该第五半导体层设置在第三半导体层上，第五半导体层和第三半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件还可包括第三发光芯片，该第三发光芯片包括第五半导体层，该第五半导体层设置在第三半导体层上，第五半导体层和第三半导体层具有相同的导电类型。
第一发光芯片和第二发光芯片能配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励，从而发光。
与第二发光芯片交叠的第一发光芯片的轮廓与第二发光芯片的轮廓基本相同。
根据本发明的示范性实施例，半导体封装包括设置在第一基板的第一表面上的第一导电垫和第二导电垫；设置在第一基板的第一表面上的第一发光芯片，第一发光芯片具有第一半导体层、电连接到第二导电垫的第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型；第一导线，其连接第一导电垫与设置在导电层上的第一电极；和第二导线，其连接第二导电垫与设置在第三半导体层上的第二电极。
半导体器件还可包括设置在第二半导体层上的第三电极。
半导体器件还可包括在第二半导体层上的第二基板，第二基板包括半导体材料。
导电层能是透明的。
导电层能是反射的。
第二发光芯片能是竖直型（vertical type）发光芯片。
第一发光芯片和第二发光芯片能配置为交替地在交流电波形的各个交替的半周激励，从而发光。
半导体器件还可包括密封剂，该密封剂密封第一发光芯片和第二发光芯片。
半导体器件还可包括设置在密封剂中的光转换材料。
半导体器件还可包括设置在第一基板的第二表面上的第三导电垫和第四导电垫，其中第三导电垫电连接到第二导电垫，第四导电垫电连接到第一导电垫。
半导体器件还可包括设置在第三导电垫和第二导电垫之间的第一通路，设置在第一导电垫和第四导电垫之间的第二通路。
根据本发明的示范性实施例，半导体器件的形成方法包括：形成第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；在第二半导体层上设置第二基板；去除第一基板；在第三基板上形成第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；在第四半导体层上设置第一半导体层；和去除第三基板。
该方法还可包括在第一半导体层上形成导电层。
该方法还可包括在导电层和第四半导体层之间形成接合。
该方法还可包括在导电层上形成第一电极、在第三半导体层上形成第二电极和在第二半导体层上形成第三电极。
第三电极能是反射的。
导电层能是透明的。
根据本发明的示范性实施例，半导体封装的形成方法包括：制备第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体之间的第一有源层；制备第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和在第四半导体层上设置第一半导体层，该第四半导体层即将与第一半导体层相互电连接，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
该方法还可包括设置在第一半导体层上的导电层。
该方法还可包括在导电层上形成第一电极、在第三半导体层上形成第二电极和在第二半导体层上形成第三电极。
第三电极能是反射的。
导电层能是透明的。
该方法还可包括制备具有第一导电垫和第二导电垫的第一基板，和连接第二电极和第二导电垫以及连接第一电极和第一导电垫。
该方法还可包括在密封剂中密封第一发光芯片和第二发光芯片。
该方法还可包括在密封剂中设置光转换材料。
根据本发明的示范性实施例，一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面，形成在至少一个发光结构中以允许由有源图案产生的光从发光结构发出；绝缘图案，形成在第一电极和第一发光结构之间并且包括沿着第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个：氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、Al2O3和AlN；中间材料层，包括包含Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中至少一个的单层、叠层及其组合，以将第一电极接合到基板；以及阻挡层，形成在第一电极和中间材料层之间，并且包括包含Pt、Ni、Cu、Al、Cr、Ti和W中至少一个的单层、叠层及其组合，其中第一至第四半导体图案和第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。
附图说明
通过以下结合附图的描述能够更详细地理解本发明的示范性实施方式，附图中：
图1A和图1B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件；
图2A和图2B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件的电路图；
图3示出根据本发明示范性实施例的发光器件；
图4示出根据本发明示范性实施例的发光器件；
图5示出根据本发明示范性实施例的发光器件；
图6示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图；
图7A、图7B和图7C示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图；
图8示出根据本发明示范性实施例的半导体封装；
图9示出根据本发明示范性实施例的半导体封装；
图10示出根据本发明示范性实施例的发光封装；
图11示出根据本发明示范性实施例的发光封装；
图12示出根据本发明示范性实施例的发光封装；
图13示出根据本发明示范性实施例的发光器件的阵列；
图14示出根据本发明示范性实施例的封装中的发光器件；
图15示出根据本发明示范性实施例的封装中的发光器件；
图16示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统；
图17示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统；
图18示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统；
图19示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统；
图20示出根据本发明示范性实施例的包括发光器件的系统；以及
图21A、图21B、图22A、图22B、图23A、图23B、图24、图25A、图25B、图26和图27示出根据本发明示范性实施例的发光器件的形成方法。
具体实施方式
现将参考其中显示本发明的示范性实施例的附图更加全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的实施例。
可以理解当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”和/或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在其他元件或层上或直接连接到、耦合到另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反，当元件被称为“直接”在其他元件“上”、“直接连接到”和/或“直接耦合到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。
可以理解虽然术语第一、第二和第三等可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“底部”、“下”、“上方”、“顶部”、“上”等，来描述一个元件或特征与其他元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向（旋转90度或其它取向）且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。同样，如这里所用，“竖直”表示实质上垂直于水平方向的方向。
参考横截面图示在这里描述了实施方式的实例，该图示是理想实施例（和中间结构）的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如，被示为矩形的注入区将通常具有修圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。相似地，由注入形成的埋入区可以引起埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出器件的区域的精确的形状且不旨在限制本发明的范围。
图1A和图1B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件。图2A和图2B示出根据本发明示范性实施例的偏压发光器件的电路图。
参考图1A和图1B，发光器件20包括第一发光芯片110，第二发光芯片160，第一、第二和第三欧姆接触层142、168和130，第一、第二和第三电极150、170和140，以及基板200。第一发光芯片110设置在基板200上，且中间层210设置在基板200与第一发光芯片110之间。第二发光芯片160设置在第一发光芯片110上，且欧姆接触层142、168设置在第二发光芯片160与第一发光芯片110之间。
第一发光芯片110包括第一半导体层112、第二半导体层116以及设置在第一半导体层112与第二半导体层116之间的第一有源层114。第二发光芯片160包括第三半导体层162、第四半导体层166以及设置在第三半导体层162与第四半导体层166之间的第二有源层164。在示范性实施例中，第一半导体层112包括n型半导体，第二半导体层116包括p型半导体，第三半导体层162包括n型半导体，第四半导体层166包括p型半导体。这样，第一半导体层112和第四半导体层166具有不同的导电类型。
第一电极150设置在第一欧姆接触层142上。第二电极170设置在第三半导体层162上。第三电极140设置在第二半导体层116上，第三欧姆接触层130设置在第三电极140与第二半导体层116之间。这样，在示范性实施例中，具有不同导电类型的第一半导体层112和第四半导体层166通过第一和第二欧姆接触层142、168电连接。第二电极170和第三电极140可被电连接。
基板200包括，例如，半导体材料或导电材料。中间层210能设置在基板200上。中间层210能包括，例如，Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti的至少一个。第三电极140能设置在中间层210上。第三欧姆接触层130能设置在第三电极140上。第二半导体层116能设置在第三欧姆接触层130和绝缘体120上。
在示范性实施例中，包括第一和第二欧姆接触层142和168的导电层能是透明的。可替换地，第一和第二欧姆接触层142和168能是反射的。在示范性实施例中，第三电极140能是反射的。第三电极140能包括反射侧壁141。反射侧壁141是倾斜的，从而增大发光器件20的光发射。由于倾斜的反射侧壁141而导致形成凹槽118。在示范性实施例中，第三电极140能具有高反射性从而进一步增大光发射。根据本发明示范性实施例，反射侧壁141能被省略。这样，在示范性实施例中，相对于基板200的主轴，第三电极140能是平的。
在示范性实施例中，第二发光芯片160能是竖直型结构，第一发光芯片110能是竖直、横向或翻转（flip）型结构。在示范性实施例中，第二发光芯片160和设置在第二发光芯片160下方且与第二发光芯片160交叠的第一发光芯片110具有实质上相同的轮廓（contour）。
参考图1A、图1B、图2A和图2B，第一和第二发光芯片110、160配置为交替地在交流电波形的各个（respective）交替的半周（alternating halves）激励，从而发光。
参考图1A和图2A，基板200和第二电极170具有相同的电位。例如，负电压（－）被施加到第一电极150，正电压（＋）被施加到基板200和第二电极170。这样，第一发光芯片110被正向偏置，第二发光芯片160被反向偏置。因此，只有第一发光芯片110开启并发射光L1。第三电极140能反射由第一发光芯片110的第一有源层114产生的光。当欧姆接触层142、168透明时，来自第三电极140的反射光和从第一有源层114直接入射的光经过第一和第二欧姆接触层142、168被发射到发光器件20的外部。
参考图1B和图2B，基板200和第二电极170具有相同的电位。例如，正电压（＋）被施加到第一电极150，负电压（－）被施加到基板200和第二电极170。这样，第二发光芯片160被正向偏置，第一发光芯片110被反向偏置。因此，只有第二发光芯片160开启并发射光L2。第三电极140能反射由第二发光芯片160的第二有源层164产生的光。来自第三电极140的反射光和从第二有源层164直接入射的光能被发射到发光器件20的外部。当欧姆接触层142、168透明时，反射光能穿过第一和第二欧姆接触层142、168传送。
图3示出根据本发明示范性实施例的发光器件21。参考图3，第二发光芯片160设置在导电层144上。第一电极150能设置在导电层144上。在示范性实施例中，第三电极140是平的。也就是说，第三电极140不具有倾斜的侧壁。这样，由第一发光芯片110产生的光能沿水平方向泄露。当导电层144透明时，由第二发光芯片160产生的光能穿过导电层144并能被第三电极140反射。当导电层144是反射的时，由第二发光芯片160产生的光被导电层144反射。
图4示出根据本发明示范性实施例的发光器件22。参考图4，第一发光芯片110设置在第一基板201上，导电层144设置在第一发光芯片110上。第二发光芯片160设置在第二基板202上。多个通路（through via）204设置在第二基板202中。这样，第四半导体层166能通过填充有导电材料的通路204而电连接到导电层144。第一发光芯片110包括第一半导体层112、第一有源层114和第二半导体层116。第二半导体层116能设置在第一基板201上。基板201、202可包括蓝宝石（Al2O3）、ZnO或SiC。在示范性实施例中，反射层能设置在第二半导体层116和第一基板201之间。第一电极150设置在导电层144上。第二电极170设置在第三导电层162上。第三电极140设置在第二半导体层116的边缘上。这样，在此示范性实施例中，第二发光芯片160是竖直型的，第一发光芯片110是横向型的。
图5示出根据本发明示范性实施例的发光器件23。图6示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图。参考图5和图6，第三发光芯片180和第四发光芯片190堆叠在第一和第二发光芯片110、160上。第三发光芯片180包括第五半导体层186、第三有源层184和第六半导体层182。第五半导体层186设置在第三半导体层162上，第二导电层146设置在第五半导体层186与第三半导体层162之间。在示范性实施例中，第五半导体层186和第三半导体层162具有不同的导电类型。可替换地，第五半导体层186和第三半导体层162具有相同的导电类型。
第四发光芯片190包括第七半导体层192、第四有源层194和第八半导体层196。第七半导体层192设置在第八半导体层196上，第四有源层194设置在第七半导体层192与第八半导体层196之间。第八半导体层196与设置在其下方的第三导电层148接触。第三导电层148设置在第六半导体层182上并接触第六半导体层182。第六半导体层182设置在第五半导体层186上，第三有源层184设置在第六半导体层182与第五半导体层186之间。第五半导体层186设置在第二导电层146上并接触第二导电层146。第二导电层146设置在第三半导体层162上并接触第三半导体层162。第三半导体层162设置在第四半导体层166上，第二有源层164设置在第三半导体层162与第四半导体层166之间。第四半导体层166设置在第一导电层144上并接触第一导电层144。第一导电层144设置在第一半导体层112上并接触第一半导体层112。第一半导体层112设置在第二半导体层116上，第一有源层114设置在第一半导体层112与第二半导体层116之间。第二半导体层116设置在第三电极140上并接触第三电极140。第三电极140设置在中间层210上并接触中间层210。中间层210设置在基板200上并接触基板200。
第一电极150设置在第一导电层144上。第二电极170设置在第二导电层146上。第三电极140能设置在第二半导体层116和中间层210之间。第四电极188能设置在第三导电层148上。第五电极198能设置在第七半导体层192上。在示范性实施例中，第一、第三、第五和第八半导体层112、162、186和196是n型半导体层，第二、第四、第六和第七半导体层116、166、182和192是p型半导体层。
参考图6，根据本发明示范性实施例，n个发光二极管能被堆叠。用于发光的第一组可包括发光芯片110和180，用于发光的第二组可包括发光芯片160和190。当施加DC偏压时，第一组或第二组能开启。也就是说，在示范性实施例中，发光器件23能被DC偏置。
在示范性实施例中，第一和第三发光芯片110、180的总发光面积与第二和第四发光芯片160、190的总发光面积基本相同。因此，能产生均匀的发光强度。
图7A、图7B和图7C示出根据本发明示范性实施例的发光器件的电路图。参考图7A，发光器件24包括第一发光二极管组A和第二发光二极管组B，该第一发光二极管组A包括多个子发光二极管，该第二发光二极管组B包括多个子发光二极管。参考图7B，发光器件25包括第一发光二极管组C和第二发光二极管D，该第一发光二极管组C包括多个子发光二极管。参考图7C，发光器件26包括第一发光二极管E和第二发光二极管组F，该第二发光二极管组F包括多个子发光二极管。这样，根据本发明示范性实施例能够使用多个发光二极管芯片。
图8示出根据本发明示范性实施例的半导体封装。参考图8，半导体封装31包括发光器件20、基板300例如印刷电路板（PCB）、第一导电垫（pad）320、第二导电垫310、第一导线330和第二导线340。第一导电垫320和第二导电垫310设置在基板300上。第一导线330将第一导电垫320与设置在导电层142上的第一电极150连接。第二导线340将第二导电垫310与设置在第三半导体层162上的第二电极170连接。
图9示出根据本发明示范性实施例的半导体封装。参考图9，半导体封装32包括发光器件20、基板300例如PCB、第一导电垫320、第二导电垫310、第三导电垫312、第四导电垫322、第一导线330和第二导线340。基板300包括设置在第二导电垫310和第三导电垫312之间的多个第一通路（via）316，以及设置在第一导电垫320和第四导电垫322之间的多个第二通路326。第一和第二导电垫320和310设置在基板300的第一表面上，第三和第四导电垫312和322设置在基板300的第二表面上。第一导电垫320能通过第二通路326电连接到第四导电垫322，第二导电垫310能通过第一通路316电连接到第三导电垫312。根据本发明的示范性实施例，第一通路316和第二通路326能是热通道和/或导体。
图10示出根据本发明的示范性实施例的发光封装。参考图10，发光封装33包括被第一密封剂（encapsulant）342密封的半导体封装31。光转换材料比如，例如，磷光体344能设置在第一密封剂342中。在示范性实施例中，磷光体344能基本均匀地分散在整个第一密封剂342中。第二密封剂350能设置在第一密封剂342上。磷光体344能转换由第一发光芯片110和第二发光芯片160产生的一部分光。例如，当半导体封装31产生蓝光且磷光体344包括黄色荧光材料时，能从发光封装33产生白光。在示范性实施例中，能够包括红色磷光体以增加显色指数（CRI，Color Rendering Index）。当半导体封装31产生紫外（UV）光时，磷光体344能包括RGB荧光材料。第二密封剂350能防止磷光体344因例如潮湿而被损坏。第一和第二密封剂能是，例如，环氧树脂、硅树脂、刚性硅树脂、氨基甲酸乙酯、氧杂环丁烷（oxetane）、丙烯酸（acryl）、聚碳酸脂和聚酰亚胺（polyimide）。磷光体344可包括，例如，被镧活化的氮化物/氧化物材料。
图11示出根据本发明示范性实施例的发光封装。参考图11，发光封装34包括被密封剂350密封的半导体封装31。在示范性实施例中，磷光体344能设置在基板300、第一和第二导电垫320和310、第一和第二电极150和170、以及第三半导体层162上。在示范性实施例中，磷光体344能是单层。
图12示出根据本发明示范性实施例的发光封装。参考图12，发光封装35包括被第一密封剂342和第二密封剂350密封的半导体封装31。在示范性实施例中，磷光体344能例如共形地设置在第一密封剂342上。在示范性实施例中，磷光体344能是单层。
图13为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块36的平面图。参考图13，第一列中的第一导电垫320邻近第二导电垫310设置。在挨着第一列的第二列中，设置另一个第一导电垫320和第二导电垫310。这样，设置多个包括第一和第二导电垫320和310的列以形成封装阵列。在第一列中，第二发光芯片160设置在第一发光芯片110上。第二电极170设置在第二发光芯片160上。第一电极150设置在第一发光芯片110上。第一导线330将第一电极150与第一导电垫320连接。第二导线340将第二电极170与第二导电垫310连接。
图14为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块的透视图。在第一列中，设置在基板300上的多个发光器件20被例如以规则间隔布置。多个发光器件20被第一密封剂342和第二密封剂350密封，该第一密封剂342和第二密封剂350具有被切掉一半的长管形状。包括多个发光器件20以及第一密封剂342和第二密封剂350的第二列能挨着第一列设置，第一列与第二列之间具有间距。在此示范性实施例中，多于一个的发光器件20能被第一密封剂342和第二密封剂350密封。
图15为示出根据本发明示范性实施例的发光封装模块的透视图。在第一列中，设置在基板300上的多个发光器件20例如以规则间距布置。多个发光器件20中的每个逐个被第一密封剂342和第二密封剂350相应地密封。在示范性实施例中，第一密封剂342和第二密封剂350基本是半圆形。
图16为根据本发明示范性实施例的背光单元的截面图。在示范性实施例中，能使用边缘型背光单元。设置在基板300上的发光器件20位于导光板400的边缘。导光板400包括设置在反射片412上的传输片（transfer sheet）410。多个反射图案412a能设置在反射片412上。显示板450能设置在扩散片（spreading sheet）414上，棱镜片416位于显示板450和扩散片414之间。扩散片414扩散从导光板400接收到的光且能设置在导光板400上。棱镜片416能包括两个片且沿正交方向引导光到显示板450。
图17、图18、图19和图20是采用根据本发明示范性实施例的发光器件的系统。参考图17，发光器件结合投影仪（projector）一起使用。投影仪包括基本布置在一条线上的光源411、聚光透镜420、滤色器430、锐化透镜（sharpening lens）440和数字微反射镜装置（DMD）451。微透镜480接收来自DMD451的光并在屏幕490上投射图像。参考图18，多个发光封装1被用作车辆（vehicle）500的光源。参考图19，根据示范性实施例的发光封装1被用作街灯600的光源。参考图20，根据示范性实施例的多个发光封装1被用作照明灯700的光源。
图21至27示出根据本发明示范性实施例的发光器件的形成方法。
参考图21A，第一初始半导体层112a形成在第一基板100上。第二初始半导体层116a能形成在第一初始半导体层112a上，第一初始有源层114a设置在第一初始半导体层112a与第二初始半导体层116a之间。在示范性实施例中，缓冲层能在第一初始半导体层112a和第一基板100之间形成。缓冲层能增加第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a的晶体性能。
第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a能包括InxAlyGa(1-x-y)N（0≤x≤1，0≤y≤1）比如，例如，AlGaN或InGaN。初始半导体层112a和116a能通过例如金属有机化学气相沉积（MOCVD）、液相外延生长、氢化气相外延生长、分子束外延生长或金属有机气相外延生长形成在第一基板100上。当第一初始半导体层112a是第一导电类型时，第二初始半导体层116a能是第二导电类型。例如，当第一初始半导体层112a是n型半导体层时，第二初始半导体层116a是p型半导体层。例如，当第一初始半导体层112a是p型半导体层时，第二初始半导体层116a能是n型半导体层。
在初始有源层114a中，发生电子和空穴之间的光复合。初始有源层114a能包括至少一个势阱（potential well）和势垒（potential barrier）。为了调节发光性能，根据本发明示范性实施例，B、P、Si、Mg、Zn和Se中的至少一种能被掺杂在势阱和/或势垒中。
大约400℃的热处理能被执行以活化第二初始半导体层116a。例如，当第二初始半导体层116a是掺杂有Mg的InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)时，因为结合Mg的H能与Mg分离，所以第二初始半导体116a能通过热处理具有改善的p型性能。在示范性实施例中，第一基板100可包括电介质材料比如，例如蓝宝石（Al2O3）、ZnO，或导体比如例如Si或SiC。
参考图21B，第一有源层114、第一半导体层112、第二半导体层116和凹槽（groove）118能通过图案化第一初始半导体层112a、第一初始有源层114a和第二初始半导体层116a而形成。根据本发明的示范性实施例，凹槽118具有倾斜的表面，该倾斜的表面能用于反射从有源层114和164发出的光。
参考图22A，绝缘体120能形成在第一半导体层112和第二半导体层116以及有源层114上。也就是说，绝缘体120能共形地形成在第一发光芯片110的凹入和突出部分上。第二半导体层116的一部分顶表面被暴露。绝缘体120能包括，例如，SiO、SiN、SiON、Al2O3和AlN中的至少之一。
参考图22B，第三欧姆接触层130形成在第二半导体层116的暴露部分上。第三电极140能形成在绝缘体120以及第三欧姆接触层130上。也就是说，第三电极140能共形地形成在第一发光芯片110的顶表面和侧壁上。在示范性实施例中，第三电极140能包括具有高反射率的材料比如，例如，Ag或Al。欧姆接触层130能包括，例如，铟锡氧化物（ITO）、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少一种。执行采用大约400℃温度的热处理以活或第三欧姆接触层130。设置在第三电极140和第二半导体层116之间的第三欧姆接触层130能增大电流扩散（currentspreading）。
参考图23A，第二基板200能形成在第三电极140上，中间层210设置在第二基板200与第三电极140之间。这样，第一基板100和第二基板200彼此结合。第二基板200能是导电基板。第二基板200可包括，例如，Si、应变Si（strained Si）、Si合金、SOI、SiC、SiGeC、Ge、Ge合金、GaAs、InAs和Ⅲ-Ⅴ半导体中的至少之一。中间层210能包括，例如，Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中的至少一种。中间层210能具有比第三电极140低的反射系数。当中间层210包括Au时，第一和第二基板100和200能通过采用大约200℃至大约450℃温度的热处理相互结合。在示范性实施例中，能在热处理中加入施压工艺。
参考图23B，第一基板100被从第一半导体层112去除。在示范性实施例中，激光能用于去除第一基板100。例如，激光熔化在第一基板100和第一半导体层112之间形成的缓冲层或n-GaN使得第一基板100能从第一半导体层112分离。在示范性实施例中，包括CMP、磨削或回蚀工艺的减薄工艺（thinning process）能在去除第一基板100之前进行，从而防止损坏第一发光器件110。
参考图24，第一欧姆接触层142形成在第一半导体层112上。第一电极150形成在第一欧姆接触层142上。在示范性实施例中，第一电极150能形成在第一欧姆接触层142上并靠近第一欧姆接触层142的边缘，使得第二发光芯片160能设置在第一欧姆接触层142上而不接触第一电极150。第一欧姆接触层142可包括，例如，ITO、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少之一。第一电极150可包括，例如，ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和Ag中的至少之一。第一欧姆接触层142能增加穿过第一发光芯片110和第二发光芯片160的电流扩散。
参考图25A，第三初始半导体层162a形成在第三基板101上。第四初始半导体层166a形成在第三初始半导体层162a上，第二初始有源层164a设置在第三初始半导体层162a与第四初始半导体层166a之间。第二初始欧姆接触层168a形成在第四初始半导体层166a上。
参考图25B，通过图案化第三初始半导体层162a、第四初始半导体层166a、第二初始有源层164a和第二初始欧姆接触层168a来形成第二发光芯片160。在示范性实施例中，除了被第一电极150重叠的部分外，第一发光芯片110与第二发光芯片160具有基本相同的形状。
参考图26，设置在第三基板101上的第二发光芯片160与设置在第二基板200上的第一发光芯片110接合在一起。也就是说，设置在第一发光芯片110上的第一欧姆接触层142接触设置在第二发光芯片160上的第二欧姆接触层168。这样，第一半导体层112和第四半导体层166通过第一和第二欧姆接触层142和168而电连接。
参考图27，从第二发光芯片160去除第三基板101。第二电极170能形成在第三半导体层162上。
本发明的示范性实施例提供了具有至少两个LED芯片的发光器件，其中这至少两个LED芯片是一个堆叠在另一个上方。发光器件能以交流电工作。该两个LED芯片由设置在其间的导电材料电连接。这样，能够最小化发光器件中连接这两个LED芯片的电极和导线的数量。
虽然已经参考附图描述了本发明的示范性实施例，但是可以理解本发明不应限于这些具体的实施例，本领域的一般技术人员可以在不脱离本发明的精神或范围下进行各种变化和改进。所有这些变化和改进旨在包括在由权利要求界定的本发明的范围内。
本申请要求于2008年8月5日提交的韩国专利申请第2008－0076549号和于2009年5月1日提交的美国专利申请第12/434358号的优先权，在此引入其全部内容作为参考。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到所述第二半导体图案和所述第一半导体图案的偏压而开启或关闭；
第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到所述第四半导体图案和所述第三半导体图案的偏压而开启或关闭；
倾斜侧壁表面，形成在至少一个所述发光结构中以允许由所述有源图案产生的光从所述发光结构发出；
绝缘图案，形成在第一电极和所述第一发光结构之间并且包括沿着所述第一发光结构的内壁共形地形成的以下中的至少一个：氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、Al2O3和AlN；
中间材料层，包括包含Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr和Ti中至少一个的单层、叠层及其组合，以将所述第一电极接合到基板；以及
阻挡层，形成在所述第一电极和所述中间材料层之间，并且包括包含Pt、Ni、Cu、Al、Cr、Ti和W中至少一个的单层、叠层及其组合，
其中所述第一至第四半导体图案和所述第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到所述第一导电类型的所述第一半导体图案的所述第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一发光结构和所述第二发光结构被连续堆叠。
3.如权利要求1所述的发光器件，其中当交流电源施加到所述第一发光结构和所述第二发光结构时，所述第一发光结构和所述第二发光结构之一被开启，另一个被关闭。
4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第三半导体图案中至少一个包括n型InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1。
5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述基板是绝缘基板，其包括电连接到所述半导体图案之一的通路。
6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述基板是导电基板，并且包括Si、应变Si、Si合金、SOI、SiC、SiGe、SiGeC、Si-Al、Ge、Ge合金、GaAs、InAs、Ⅲ-Ⅴ半导体和II-VI半导体中的一个。
7.如权利要求1所述的发光器件，还包括用于制造白光的磷光层，该磷光层包括：
透明树脂，其是环氧树脂、硅树脂、硬性硅树脂、变性硅树脂、氨基甲酸乙酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸脂树脂和聚酰亚胺树脂中之一；
磷光体，其是从以下构成的组中选出的至少一个：M2Si5N8：Eu、MSi7N10：Eu、M1.8Si5O0.2N8：Eu、M0.9Si7O0.1N10：Eu、MSi2O2N2：Eu、M5(PO4)3X：R、M2B5O9X：R、SrAl2O4：R、Sr4Al14O25：R、CaAl2O4：R、BaMg2Al16O27：R、BaMg2Al16O12：R、BaMgAl10O17：R、La2O2S：Eu、Y2O2S：Eu、Gd2O2S：Eu、由Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce以及(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12表示的YAG基磷光体、Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、碱土金属硅酸盐磷光体、(SrBa)2SiO4:Eu、ZnS：Eu、Zn2GeO4：Mn以及MGa2S4：Eu，
其中M表示从Sr、Ca、Ba、Mg和Zn中选出的至少一个元素，
X表示从F、Cl、Br和I中选出的至少一个元素，
R表示从Eu和Mn中选出的至少一个元素，以及
部分的Y或所有Y由Tb或Lu替换。
8.如权利要求1所述的发光器件，还包括用于制造白光的磷光层，该磷光层包括：
透明树脂，其是环氧树脂、硅树脂、硬性硅树脂、变性硅树脂、氨基甲酸乙酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸脂树脂和聚酰亚胺树脂中之一；
磷光体，其是从以下构成的组中选出的至少一个：主要被镧活化的氮化物基或氮氧化物基磷光体、主要被镧活化的或者主要被过渡金属元素活化的碱土卤素磷灰石磷光体；碱土金属硼酸盐卤素磷光体；碱土金属铝酸盐磷光体；碱土硫化物磷光体；主要被镧活化的稀土铝酸盐磷光体；碱土硅酸盐磷光体；碱土硫代镓酸盐磷光体；碱土硅氮化物磷光体；锗酸盐磷光体；稀土硅酸盐磷光体；以及主要被镧活化的无机和有机复合物。
9.如权利要求1所述的发光器件，还包括用于制造白光磷光层，其仅包括磷光体而不包括透明树脂。
10.如权利要求7至9中任一所述的发光器件，还包括由在所述磷光层上的透明树脂形成的透镜。
11.如权利要求7至9中任一所述的发光器件，其中所述磷光层包括红色磷光体以增加显色指数。
CN201310142009.1A 2008-08-05 2009-08-05 发光器件 Active CN103227169B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080076549A KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2008-08-05 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR76549/08 2008-08-05
US12/434,358 US7977688B2 (en) 2008-08-05 2009-05-01 Light emitting device, light emitting system having the same, and fabricating method of the light emitting device and the light emitting system
US12/434,358 2009-05-01
CN200910162143A CN101645443A (zh) 2008-08-05 2009-08-05 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910162143A Division CN101645443A (zh) 2008-08-05 2009-08-05 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103227169A true CN103227169A (zh) 2013-07-31
CN103227169B CN103227169B (zh) 2016-06-01

Family

ID=41652060

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910162143A Pending CN101645443A (zh) 2008-08-05 2009-08-05 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法
CN201310142009.1A Active CN103227169B (zh) 2008-08-05 2009-08-05 发光器件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910162143A Pending CN101645443A (zh) 2008-08-05 2009-08-05 半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7977688B2 (zh)
JP (1) JP2010041057A (zh)
KR (1) KR101332794B1 (zh)
CN (2) CN101645443A (zh)
TW (1) TWI488284B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618035A (zh) * 2013-11-14 2014-03-05 南昌黄绿照明有限公司 一种具有应力调制层的氮化镓基led薄膜芯片及其制备方法
CN111384293A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置
CN115394762A (zh) * 2022-05-17 2022-11-25 诺视科技(苏州)有限公司 一种具有透明衬底的像素级分立器件及其制作方法

Families Citing this family (505)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
US7905618B2 (en) 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US20120037886A1 (en) * 2007-11-13 2012-02-16 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
EP2312658B1 (en) 2008-07-03 2018-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. A wavelength-converting light emitting diode (led) chip and method for fabrication of an led device equipped with this chip
WO2010002226A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US7976630B2 (en) 2008-09-11 2011-07-12 Soraa, Inc. Large-area seed for ammonothermal growth of bulk gallium nitride and method of manufacture
US8354679B1 (en) 2008-10-02 2013-01-15 Soraa, Inc. Microcavity light emitting diode method of manufacture
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI370563B (en) 2008-10-27 2012-08-11 Epistar Corp Vertical ac led
US8809893B2 (en) 2008-11-14 2014-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
KR101149859B1 (ko) * 2008-12-30 2012-05-25 에피스타 코포레이션 수직형 교류 발광다이오드
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
DE102009032486A1 (de) * 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
KR101368906B1 (ko) 2009-09-18 2014-02-28 소라, 인코포레이티드 전력 발광 다이오드 및 전류 밀도 작동 방법
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
US9175418B2 (en) 2009-10-09 2015-11-03 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
KR101163838B1 (ko) * 2009-10-19 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101611412B1 (ko) * 2009-10-28 2016-04-11 삼성전자주식회사 발광 소자
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
TWI455377B (zh) * 2010-04-23 2014-10-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體結構及其製作方法
US20110261847A1 (en) * 2010-04-27 2011-10-27 Chou Hsi-Yan Light emitting devices
US8330178B2 (en) * 2010-05-11 2012-12-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and package process of light emitting diode
KR101039609B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US20120007102A1 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Soraa, Inc. High Voltage Device and Method for Optical Devices
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
DE102010027679A1 (de) 2010-07-20 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8795817B2 (en) 2010-08-25 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby
CN102386319B (zh) 2010-08-30 2015-10-14 晶元光电股份有限公司 发光元件
US9443834B2 (en) * 2010-09-02 2016-09-13 Micron Technology, Inc. Back-to-back solid state lighting devices and associated methods
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
KR20120042500A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101710358B1 (ko) * 2010-11-16 2017-02-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광소자 패키지
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
TWI435477B (zh) * 2010-12-29 2014-04-21 Lextar Electronics Corp 高亮度發光二極體
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
EP2503606B1 (en) 2011-03-25 2020-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
KR101761309B1 (ko) * 2011-04-19 2017-07-25 삼성전자주식회사 ＧａＮ 박막 구조물, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 반도체 소자
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
JP5755510B2 (ja) * 2011-06-14 2015-07-29 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
KR101869553B1 (ko) * 2011-08-08 2018-07-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101852566B1 (ko) * 2011-08-09 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US9070613B2 (en) * 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
KR101925915B1 (ko) * 2011-10-24 2018-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8426227B1 (en) * 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
EP2792944B1 (en) 2011-12-16 2017-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Heat-dissipating structure for lighting apparatus and lighting apparatus
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US8742395B2 (en) * 2012-01-13 2014-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US9269876B2 (en) 2012-03-06 2016-02-23 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
CN103367342B (zh) * 2012-03-30 2016-07-06 华夏光股份有限公司 堆叠结合发光二极管
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US20130285010A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Phostek, Inc. Stacked led device with posts in adhesive layer
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
KR101887942B1 (ko) 2012-05-07 2018-08-14 삼성전자주식회사 발광소자
CN102664224A (zh) * 2012-05-25 2012-09-12 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
KR20140050927A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
WO2014082030A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-30 Quantum Electro Opto Systems Sdn.Bhd. Optical tilted charge devices and techniques
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
US20140209961A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Alternating current light emitting diode flip-chip
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
EP2982878B1 (en) 2013-04-04 2018-08-08 NSK Ltd. Resin cage for tapered roller bearing and tapered roller bearing including the resin cage
KR102038885B1 (ko) 2013-05-27 2019-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102122366B1 (ko) 2013-06-14 2020-06-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP2015012044A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
KR20150002361A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
KR102061563B1 (ko) 2013-08-06 2020-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6215612B2 (ja) * 2013-08-07 2017-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150021814A (ko) 2013-08-21 2015-03-03 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
KR102075985B1 (ko) 2013-10-14 2020-02-11 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102122360B1 (ko) 2013-10-16 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광모듈 테스트 장치
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102086360B1 (ko) 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
KR102122359B1 (ko) 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR102070092B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20150084311A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성전자주식회사 발광모듈
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102075986B1 (ko) 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102175723B1 (ko) 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US20150364650A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Epistar Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR20160029942A (ko) * 2014-09-05 2016-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
JP6617401B2 (ja) 2014-09-30 2019-12-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
KR102223037B1 (ko) 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
WO2016073678A1 (en) 2014-11-06 2016-05-12 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with trench beneath a top contact
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102237152B1 (ko) * 2015-02-23 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 라이팅 유닛
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
JP2016174062A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
KR102374171B1 (ko) * 2015-04-16 2022-03-15 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
TWI565102B (zh) * 2015-04-29 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體模組及使用該發光二極體模組的燈具
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
US9825088B2 (en) * 2015-07-24 2017-11-21 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
CN106558597B (zh) 2015-09-30 2020-03-06 三星电子株式会社 发光器件封装件
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
KR102406606B1 (ko) * 2015-10-08 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
DE112016006010T5 (de) * 2015-12-24 2019-01-24 Vuereal Inc. Vertikale Festkörpervorrichtungen
CN105428420B (zh) * 2015-12-28 2018-12-04 武汉华星光电技术有限公司 半导体层结构与制备方法及薄膜晶体管
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102266960B1 (ko) * 2016-03-02 2021-06-18 한국전자통신연구원 쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102443694B1 (ko) 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
WO2018055693A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 新電元工業株式会社 半導体装置
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20180065700A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR20180070149A (ko) 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR20180089117A (ko) 2017-01-31 2018-08-08 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR20180095397A (ko) 2017-02-17 2018-08-27 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR20180098904A (ko) 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
US20180287027A1 (en) 2017-03-30 2018-10-04 Vuereal Inc. Vertical solid-state devices
US11721784B2 (en) 2017-03-30 2023-08-08 Vuereal Inc. High efficient micro devices
US11600743B2 (en) 2017-03-30 2023-03-07 Vuereal Inc. High efficient microdevices
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
KR102503578B1 (ko) * 2017-06-30 2023-02-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP7041338B2 (ja) 2017-09-01 2022-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR101980548B1 (ko) * 2017-11-09 2019-05-21 엘지전자 주식회사 차량용 램프 및 차량
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10312414B1 (en) * 2017-12-01 2019-06-04 Innolux Corporation Light emitting unit and display device
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US10862004B2 (en) 2017-12-13 2020-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Ultraviolet semiconductor light emitting devices
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
JP6822429B2 (ja) * 2018-02-19 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
TWI677976B (zh) * 2018-06-29 2019-11-21 相豐科技股份有限公司 發光顯像單元的複合層結構
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US11502230B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11621253B2 (en) * 2018-11-02 2023-04-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20200111323A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20200112369A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20200118333A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20210000351A (ko) 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210006567A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210006538A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US11049992B2 (en) * 2019-07-11 2021-06-29 Pix Art Imaging Inc. Dual wavelength light emitting device, dual wavelength light transceiving device and display
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210031085A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210034726A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
US11810944B2 (en) 2019-10-23 2023-11-07 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus
KR20210048621A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20210052626A (ko) 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20210063518A (ko) 2019-11-22 2021-06-02 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR20210064855A (ko) 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
TWI720725B (zh) 2019-12-11 2021-03-01 財團法人工業技術研究院 畫素結構及其製造方法、以及具有此種畫素結構的顯示器
CN112992876A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种多基色cob器件
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
TWI722734B (zh) 2019-12-24 2021-03-21 財團法人工業技術研究院 畫素結構
KR20210097855A (ko) 2020-01-30 2021-08-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102741A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210141036A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210145590A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR20210145553A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR20210158254A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20220034972A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220036176A (ko) 2020-09-15 2022-03-22 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20220068558A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
JP7212282B2 (ja) * 2020-11-26 2023-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220094290A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220107485A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230079869A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62230067A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Yoshihiro Hamakawa 半導体発光素子の製造方法
JPH07106631A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子
CN1289456A (zh) * 1998-11-30 2001-03-28 通用电气公司 含有磷光体组合物的发光器件
CN1591921A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 日亚化学工业株式会社 用于交通工具的发光设备及照明器材
CN101132047A (zh) * 2000-08-08 2008-02-27 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于光电子学的半导体芯片及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3274454A (en) * 1961-09-21 1966-09-20 Mallory & Co Inc P R Semiconductor multi-stack for regulating charging of current producing cells
JPS6165766U (zh) * 1984-10-03 1986-05-06
DE3633251A1 (de) * 1986-09-30 1988-03-31 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement
US6274980B1 (en) * 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
GB2363906B (en) * 1999-04-27 2003-10-22 Schlumberger Holdings Radiation source
JP2004170487A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Rohm Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ素子及び有機ｅｌディスプレイ素子の駆動方法
WO2005015640A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-17 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Circuit arrangement for ac driving of organic diodes
US20050146270A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Ying-Ming Ho Stacked light emitting diode
DE112005003841B4 (de) * 2004-12-14 2016-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
EP2280430B1 (en) * 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US20120267649A1 (en) * 2005-04-29 2012-10-25 Evergrand Holdings Limited Light-emitting diode die packages and illumination apparatuses using same
KR100691177B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자
TWI257185B (en) * 2005-08-02 2006-06-21 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode element and driving method thereof
JP2007095844A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Oki Data Corp 半導体発光複合装置
JP5193048B2 (ja) * 2005-09-30 2013-05-08 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子
EP1804309B1 (en) * 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
JP5126875B2 (ja) * 2006-08-11 2013-01-23 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100761860B1 (ko) * 2006-09-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 와이어 본딩 모니터링이 가능한 인터포저 칩을 갖는 적층반도체 패키지 및 이의 제조방법
DE102006046038A1 (de) * 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE112007002696T5 (de) * 2006-12-26 2009-11-05 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Vorrichtung
JP4413955B2 (ja) * 2007-07-19 2010-02-10 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
CN102067338A (zh) * 2008-08-19 2011-05-18 晶能光电（江西）有限公司 用于产生任意颜色的半导体发光器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62230067A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Yoshihiro Hamakawa 半導体発光素子の製造方法
JPH07106631A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子
CN1289456A (zh) * 1998-11-30 2001-03-28 通用电气公司 含有磷光体组合物的发光器件
CN101132047A (zh) * 2000-08-08 2008-02-27 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于光电子学的半导体芯片及其制造方法
CN1591921A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 日亚化学工业株式会社 用于交通工具的发光设备及照明器材

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618035A (zh) * 2013-11-14 2014-03-05 南昌黄绿照明有限公司 一种具有应力调制层的氮化镓基led薄膜芯片及其制备方法
CN111384293A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置
CN111384293B (zh) * 2018-12-31 2023-06-09 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置
CN115394762A (zh) * 2022-05-17 2022-11-25 诺视科技(苏州)有限公司 一种具有透明衬底的像素级分立器件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110244611A1 (en) 2011-10-06
US20130292714A1 (en) 2013-11-07
KR20100016901A (ko) 2010-02-16
KR101332794B1 (ko) 2013-11-25
CN103227169B (zh) 2016-06-01
CN101645443A (zh) 2010-02-10
TWI488284B (zh) 2015-06-11
JP2010041057A (ja) 2010-02-18
US7977688B2 (en) 2011-07-12
US8293550B2 (en) 2012-10-23
US20120305954A1 (en) 2012-12-06
US8766295B2 (en) 2014-07-01
US8502242B2 (en) 2013-08-06
TW201007925A (en) 2010-02-16
US20100032691A1 (en) 2010-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103227169A (zh) 发光器件
CN107452763B (zh) 半导体器件
TWI460884B (zh) 發光裝置，發光元件及其製造方法
KR102546307B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US9240433B2 (en) Light emitting device
US8569772B2 (en) Light-emitting element and method of fabricating the same
KR101530876B1 (ko) 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR101539246B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
EP2587541B1 (en) Light emitting device
KR20170024923A (ko) 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR20100024231A (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR20090129868A (ko) 발광 소자, 발광 장치 및 상기 발광 소자의 제조 방법
KR20100054197A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
CN103872211A (zh) 发光器件封装
CN104164234A (zh) 磷光体及包括磷光体的发光器件封装件
KR102531109B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 모듈
KR20100008656A (ko) 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 제조 방법에의해 제조된 발광 소자 및 발광 장치
KR20110117415A (ko) 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 패키지 및 반도체 발광소자의 제조방법
US20240105757A1 (en) Pixel device and display apparatus having the same
KR20170138872A (ko) 반도체 소자 및 이를 포함하는 조명장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant