JPH07106631A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH07106631A JPH07106631A JP26573293A JP26573293A JPH07106631A JP H07106631 A JPH07106631 A JP H07106631A JP 26573293 A JP26573293 A JP 26573293A JP 26573293 A JP26573293 A JP 26573293A JP H07106631 A JPH07106631 A JP H07106631A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高輝度の発光ダイオードを得ること及び取付
けの安定性の良い発光ダイオードを提供することを目的
とする。 【構成】 ｎ型基板１１とエピタキシャル成長層から成
るｎ型領域１２及びｐ型領域１３とから成る半導体基板
のｐ型領域１３側の主面に環状の溝１７を設け、ｐ型領
域１２の中央部分と周辺部分とを電気的に分離して中央
の電流密度を高める。溝１７の絶縁膜２３は光反射膜と
して機能する。
けの安定性の良い発光ダイオードを提供することを目的
とする。 【構成】 ｎ型基板１１とエピタキシャル成長層から成
るｎ型領域１２及びｐ型領域１３とから成る半導体基板
のｐ型領域１３側の主面に環状の溝１７を設け、ｐ型領
域１２の中央部分と周辺部分とを電気的に分離して中央
の電流密度を高める。溝１７の絶縁膜２３は光反射膜と
して機能する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＰ発光ダイオード
等の半導体発光素子に関する。
等の半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｎ型半導体基板側即ちカソード電極が設
けられた側を上面にして実装するに適したＧａＰ発光ダ
イオードチップ構造として、本願出願人は先に特願平５
−５２８８４号で図１０に示すような半導体発光素子を
提案した。この半導体発光素子は、ｎ型ＧａＰ基板１ａ
とエピタキシャル成長層から成るｎ型半導体領域１ｂと
ｐ型半導体領域２とｐ+ 型の半導体領域３を有する。ｎ
型領域１ｂとｐ型領域２との間のｐｎ接合４ａは主面に
対して平行に延びているが、ｎ型領域１ｂとｐ+型領域
３との間のｐｎ接合４ｂはチップの底面から遠ざかるよ
うに延びている。チップの下面には絶縁膜５が形成さ
れ、この中央の開口を通してアノード電極６がｐ型半導
体領域２に接続されている。アノード電極６は導電性支
持体７に対する接続を確実に達成するために絶縁膜５の
上に延在し、半田８によって支持体７に固着されてい
る。チップの上面には環状にカソード電極９が設けら
れ、光を取り出すためのウインドウ領域１０が生じてい
る。この発光素子は半田８のｐｎ接合への付着が生じな
い利点、及びｐｎ接合の中心領域の電流密度を大きくし
て高輝度が図れる利点を有する。
けられた側を上面にして実装するに適したＧａＰ発光ダ
イオードチップ構造として、本願出願人は先に特願平５
−５２８８４号で図１０に示すような半導体発光素子を
提案した。この半導体発光素子は、ｎ型ＧａＰ基板１ａ
とエピタキシャル成長層から成るｎ型半導体領域１ｂと
ｐ型半導体領域２とｐ+ 型の半導体領域３を有する。ｎ
型領域１ｂとｐ型領域２との間のｐｎ接合４ａは主面に
対して平行に延びているが、ｎ型領域１ｂとｐ+型領域
３との間のｐｎ接合４ｂはチップの底面から遠ざかるよ
うに延びている。チップの下面には絶縁膜５が形成さ
れ、この中央の開口を通してアノード電極６がｐ型半導
体領域２に接続されている。アノード電極６は導電性支
持体７に対する接続を確実に達成するために絶縁膜５の
上に延在し、半田８によって支持体７に固着されてい
る。チップの上面には環状にカソード電極９が設けら
れ、光を取り出すためのウインドウ領域１０が生じてい
る。この発光素子は半田８のｐｎ接合への付着が生じな
い利点、及びｐｎ接合の中心領域の電流密度を大きくし
て高輝度が図れる利点を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近、発光
素子の輝度を更に高めることが要求されている。この要
求に応えるために、本件出願人は、図１０の構造の発光
素子のチップ面積を小さくして中心領域での電流密度の
向上を試みた。しかし、支持体に対して安定的に固着す
ることが困難になるのみでなく、光の周辺方向（横方
向）への拡散やカソード電極９による遮光のために期待
通りの高輝度化は達成されなかった。
素子の輝度を更に高めることが要求されている。この要
求に応えるために、本件出願人は、図１０の構造の発光
素子のチップ面積を小さくして中心領域での電流密度の
向上を試みた。しかし、支持体に対して安定的に固着す
ることが困難になるのみでなく、光の周辺方向（横方
向）への拡散やカソード電極９による遮光のために期待
通りの高輝度化は達成されなかった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、支持体への安定
的な取付けが可能であると共に高輝度化が可能な半導体
発光素子を提供することにある。
的な取付けが可能であると共に高輝度化が可能な半導体
発光素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、第１導電型の第１の半導体領域と、ｐｎ接
合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接してい
る第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基体
と、前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半
導体領域に接続された第１の電極と、前記半導体基体の
他方の主面において前記第２の半導体領域に接続された
第２の電極とを備え、前記第２の電極を支持体に接続す
るように構成された半導体発光素子において、前記半導
体基体の他方の主面を開口を有して被覆する絶縁膜が設
けられ、前記開口は前記第２の半導体領域の中央部分に
配置され、前記第２の電極は前記開口を介して前記第２
の半導体領域に接続されていると共に前記絶縁膜の上に
も設けられており、前記第２の半導体領域の中央部分と
周縁部分との間に電気的分離領域が設けられていること
を特徴とする半導体発光素子に係わるものである。な
お、請求項２に示すように分離領域を溝とすることが望
ましい。また、請求項３に示すように第３の半導体領域
を設けることが望ましい。また、請求項４に示すように
第１の電極を、平面透視的に見て絶縁膜の開口を包囲す
るように環状に形成することが望ましい。
の本発明は、第１導電型の第１の半導体領域と、ｐｎ接
合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接してい
る第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基体
と、前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半
導体領域に接続された第１の電極と、前記半導体基体の
他方の主面において前記第２の半導体領域に接続された
第２の電極とを備え、前記第２の電極を支持体に接続す
るように構成された半導体発光素子において、前記半導
体基体の他方の主面を開口を有して被覆する絶縁膜が設
けられ、前記開口は前記第２の半導体領域の中央部分に
配置され、前記第２の電極は前記開口を介して前記第２
の半導体領域に接続されていると共に前記絶縁膜の上に
も設けられており、前記第２の半導体領域の中央部分と
周縁部分との間に電気的分離領域が設けられていること
を特徴とする半導体発光素子に係わるものである。な
お、請求項２に示すように分離領域を溝とすることが望
ましい。また、請求項３に示すように第３の半導体領域
を設けることが望ましい。また、請求項４に示すように
第１の電極を、平面透視的に見て絶縁膜の開口を包囲す
るように環状に形成することが望ましい。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明における第２の半導体領
域の中央部分と周辺部分との間の電気的分離領域は、電
流の周辺部分への広がりを制限する働きを有し、中央部
分の電流密度の向上に寄与し、高輝度化が達成される。
また、第２の半導体領域の周辺部分は絶縁膜及び第２の
電極を介して支持体への取付け領域としての機能を有す
るので、支持体への安定的な取付けが可能になる。ま
た、請求項２の発明によれば、溝によって電気的分離領
域を容易に得ることができる。請求項３の発明によれ
ば、半導体基体の側面に露出するｐｎ接合の位置を支持
体から遠ざけることができ、支持体に対する固着が容易
になる。請求項４の発明によれば、光の取り出しを良好
に達成できる。
域の中央部分と周辺部分との間の電気的分離領域は、電
流の周辺部分への広がりを制限する働きを有し、中央部
分の電流密度の向上に寄与し、高輝度化が達成される。
また、第２の半導体領域の周辺部分は絶縁膜及び第２の
電極を介して支持体への取付け領域としての機能を有す
るので、支持体への安定的な取付けが可能になる。ま
た、請求項２の発明によれば、溝によって電気的分離領
域を容易に得ることができる。請求項３の発明によれ
ば、半導体基体の側面に露出するｐｎ接合の位置を支持
体から遠ざけることができ、支持体に対する固着が容易
になる。請求項４の発明によれば、光の取り出しを良好
に達成できる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例に係わる緑色ＧａＰ
発光素子即ち緑色発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製
造方法について図１〜図９を参照して説明する。まず、
図１に示すように、ｎ型ＧａＰ（ガリウム・リン）半導
体基板（以下、ｎ型基板と呼ぶ）１１の上に液相エピタ
キシャル成長法でｎ型ＧａＰ半導体領域１２を形成し、
更にこの上にエピタキシャル成長法でｐ型ＧａＰ半導体
領域１３を形成した半導体ウエハ１４を用意する。な
お、ｐｎ接合１５を形成するｎ型半導体領域１２には導
電型決定不純物としてのＴｅ（テルル）の他に窒素がド
ープされ、ｐ型半導体領域１３には導電型決定不純物と
してのＺｎ（亜鉛）の他に窒素がドープされている。ま
た、ｎ型及びｐ型半導体領域１２、１３の厚さはｎ型基
板１１の厚さに比べて大幅に薄い。ｎ型基板１１とｎ型
半導体領域１２が第１の半導体領域として機能し、ｐ型
半導体領域１３が第２の半導体領域として機能する。
発光素子即ち緑色発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製
造方法について図１〜図９を参照して説明する。まず、
図１に示すように、ｎ型ＧａＰ（ガリウム・リン）半導
体基板（以下、ｎ型基板と呼ぶ）１１の上に液相エピタ
キシャル成長法でｎ型ＧａＰ半導体領域１２を形成し、
更にこの上にエピタキシャル成長法でｐ型ＧａＰ半導体
領域１３を形成した半導体ウエハ１４を用意する。な
お、ｐｎ接合１５を形成するｎ型半導体領域１２には導
電型決定不純物としてのＴｅ（テルル）の他に窒素がド
ープされ、ｐ型半導体領域１３には導電型決定不純物と
してのＺｎ（亜鉛）の他に窒素がドープされている。ま
た、ｎ型及びｐ型半導体領域１２、１３の厚さはｎ型基
板１１の厚さに比べて大幅に薄い。ｎ型基板１１とｎ型
半導体領域１２が第１の半導体領域として機能し、ｐ型
半導体領域１３が第２の半導体領域として機能する。
【０００８】次に、図２に示すようにウエハ１４のｐ型
半導体領域１３側の表面からダイシングを施して相対的
に深い第１の溝１６とこれよりも浅い第２の溝１７を形
成する。第１及び第２の溝１６、１７は図８に示すよう
に碁盤の目状に形成されており、４本の第１の溝１６に
よって包囲された平面四角形の中に４本の第２の溝１７
によって包囲された平面四角形が収まっている。第１の
溝１６で区画された領域１８、１９等がそれぞれ１素子
となる。
半導体領域１３側の表面からダイシングを施して相対的
に深い第１の溝１６とこれよりも浅い第２の溝１７を形
成する。第１及び第２の溝１６、１７は図８に示すよう
に碁盤の目状に形成されており、４本の第１の溝１６に
よって包囲された平面四角形の中に４本の第２の溝１７
によって包囲された平面四角形が収まっている。第１の
溝１６で区画された領域１８、１９等がそれぞれ１素子
となる。
【０００９】次に、図２に示すウエハ１４にエッチング
を施して、図３に示すように第１及び第２の溝１６、１
７の側壁を傾斜させてその開口幅を拡げる。第１及び第
２の溝１６、１７はいずれもｐｎ接合１５を越えてｎ型
半導体領域１２に達する深さで形成される。なお、第１
及び第２の溝１６、１７は図３のエッチング工程におい
てｐｎ接合１５よりも深く形成されるようにしてもよ
い。本実施例では、第２の溝１７もｐｎ接合１５を越え
る深さで形成しているが、第２の溝１７は必ずしもｐｎ
接合１５よりも深く形成する必要はなく、ｐ型半導体領
域１３を分離できるようにｐｎ接合１５に到達していれ
ばよい。また、図２のダイシング工程を省略してエッチ
ングのみで図３のウエハを得ることもできる。
を施して、図３に示すように第１及び第２の溝１６、１
７の側壁を傾斜させてその開口幅を拡げる。第１及び第
２の溝１６、１７はいずれもｐｎ接合１５を越えてｎ型
半導体領域１２に達する深さで形成される。なお、第１
及び第２の溝１６、１７は図３のエッチング工程におい
てｐｎ接合１５よりも深く形成されるようにしてもよ
い。本実施例では、第２の溝１７もｐｎ接合１５を越え
る深さで形成しているが、第２の溝１７は必ずしもｐｎ
接合１５よりも深く形成する必要はなく、ｐ型半導体領
域１３を分離できるようにｐｎ接合１５に到達していれ
ばよい。また、図２のダイシング工程を省略してエッチ
ングのみで図３のウエハを得ることもできる。
【００１０】次に、第２の溝１７で包囲されたｐ型半導
体領域１３の表面にマスク図（図示せず）を形成し、ウ
エハ１４の上面側に選択的にｐ型不純物を導入して図４
に示すようにｐ型の第３の半導体領域としてｐ+ 型半導
体領域２０を形成する。ｐ型半導体領域１３よりも不純
物濃度の高いｐ+ 型半導体領域２０は、図３において第
１及び第２の溝１６、１７に露出していたｎ型及びｐ型
半導体領域１２、１３のｐｎ接合を覆うように形成さ
れ、ｎ型半導体領域１２との間に新しいｐｎ接合２１が
生じている。なお、基板１１側にマスクを形成せずに不
純物拡散を行った結果、基板１１に反転層が生じた時に
は、研摩又はエッチングによってこの反転層を除去す
る。また、ｐ+ 型半導体領域２０をウエハ上面の全面に
わたって形成した後に、第２の溝１７に包囲されたｐ型
半導体領域１３に形成されたｐ+ 型半導体領域２０をエ
ッチング除去してｐ型半導体領域１３をウエハ上面に露
出させてもよい。
体領域１３の表面にマスク図（図示せず）を形成し、ウ
エハ１４の上面側に選択的にｐ型不純物を導入して図４
に示すようにｐ型の第３の半導体領域としてｐ+ 型半導
体領域２０を形成する。ｐ型半導体領域１３よりも不純
物濃度の高いｐ+ 型半導体領域２０は、図３において第
１及び第２の溝１６、１７に露出していたｎ型及びｐ型
半導体領域１２、１３のｐｎ接合を覆うように形成さ
れ、ｎ型半導体領域１２との間に新しいｐｎ接合２１が
生じている。なお、基板１１側にマスクを形成せずに不
純物拡散を行った結果、基板１１に反転層が生じた時に
は、研摩又はエッチングによってこの反転層を除去す
る。また、ｐ+ 型半導体領域２０をウエハ上面の全面に
わたって形成した後に、第２の溝１７に包囲されたｐ型
半導体領域１３に形成されたｐ+ 型半導体領域２０をエ
ッチング除去してｐ型半導体領域１３をウエハ上面に露
出させてもよい。
【００１１】次に、ウエハ１４の上面全体にシリコン酸
化膜を形成した後に選択的にこれにエッチングを施し、
図５に示すように第２の溝１７に包囲されたｐ型半導体
領域１３の中央部分の表面を露出させる開口２２を有す
る絶縁膜２３を形成する。
化膜を形成した後に選択的にこれにエッチングを施し、
図５に示すように第２の溝１７に包囲されたｐ型半導体
領域１３の中央部分の表面を露出させる開口２２を有す
る絶縁膜２３を形成する。
【００１２】次に、ウエハ１４の上面全体にＡｕ（金）
を真空蒸着して開口２２を通じてｐ型半導体領域１３に
オーミックコンタクトするアノード電極（第２の電極）
２４を形成する。また、ウエハ１４の下面にもＡｕを真
空蒸着して基板１１にオーミックコンタクトするカソー
ド電極（第１の電極）２５を形成する。カソード電極２
５はウエハ１４の下面に平面環状形状に形成されてお
り、平面透視的に見てアノード電極２４とｐ型半導体領
域１３とのオーミックコンタクト面２６を離間して包囲
する。本実施例では、カソード電極２５を第２の溝１７
に対向させている。後に、第１の溝１６に沿うラインＬ
でウエハ１４を切断分離することで、図７に示す個別化
した発光ダイオードチップが完成する。チップには図３
の第１の溝１６に対応する傾斜側面部１６ａと第２の溝
１７に対応する溝１７ａが生じる。
を真空蒸着して開口２２を通じてｐ型半導体領域１３に
オーミックコンタクトするアノード電極（第２の電極）
２４を形成する。また、ウエハ１４の下面にもＡｕを真
空蒸着して基板１１にオーミックコンタクトするカソー
ド電極（第１の電極）２５を形成する。カソード電極２
５はウエハ１４の下面に平面環状形状に形成されてお
り、平面透視的に見てアノード電極２４とｐ型半導体領
域１３とのオーミックコンタクト面２６を離間して包囲
する。本実施例では、カソード電極２５を第２の溝１７
に対向させている。後に、第１の溝１６に沿うラインＬ
でウエハ１４を切断分離することで、図７に示す個別化
した発光ダイオードチップが完成する。チップには図３
の第１の溝１６に対応する傾斜側面部１６ａと第２の溝
１７に対応する溝１７ａが生じる。
【００１３】図７は本実施例で形成された発光ダイオー
ドチップをカソード電極２５が設けられた側を上にして
支持体２７に半田２８で固着したところを示す。
ドチップをカソード電極２５が設けられた側を上にして
支持体２７に半田２８で固着したところを示す。
【００１４】本実施例の発光ダイオードチップは次の作
用効果を有する。 （１） 第２の溝１７がｐｎ接合１５を分断しており、
ｐｎ接合１５のうち第２の溝１７によって包囲された領
域のみが電流径路となる。結果として、ｐｎ接合１５の
中心側における電流密度を増大させ、輝度を高めること
ができる。 （２） 傾斜溝１７内のシリコン酸化膜から成る光反射
性を有する絶縁膜２３が反射膜として機能するから、ｐ
ｎ接合１５の中心側で発生した光をここでの反射で素子
の上方のウインドウ領域２９に効率良く導くことができ
る。 （３） ｎ型基板１１とｎ型半導体領域１２とｐ型半導
体領域１３とｐ+ 型半導体領域２０とから成る半導体基
体（チップ）の平面サイズをあまり小さくせずにｐｎ接
合１５の面積を小さくできるので、発光量が大きいｐｎ
接合１５の中心側上方に比較的大きい面積でウインドウ
領域２９を設けることができる。このため、光を外部に
効率良く取り出すことができる。 （４） 第１の溝１６と第２の溝１７の間の突出部分が
素子の支持脚として機能するから、ｐ型領域１３とアノ
ード電極２４とのコンタクト面積は小さくなっているが
素子の安定性は向上している。なお、上記（１）〜
（３）項の作用が相俟って高輝度化が達成される。 （５） 第２の溝１７がｐ型半導体領域１３を環状に囲
む部分のみに設けられず、素子の囲縁に至るように延び
ているので、半田２８による支持体２７に対する固着時
に溶融半田が溝１７ａを通って良好に流れ、残留気泡の
少ない良好な半田付が達成される。
用効果を有する。 （１） 第２の溝１７がｐｎ接合１５を分断しており、
ｐｎ接合１５のうち第２の溝１７によって包囲された領
域のみが電流径路となる。結果として、ｐｎ接合１５の
中心側における電流密度を増大させ、輝度を高めること
ができる。 （２） 傾斜溝１７内のシリコン酸化膜から成る光反射
性を有する絶縁膜２３が反射膜として機能するから、ｐ
ｎ接合１５の中心側で発生した光をここでの反射で素子
の上方のウインドウ領域２９に効率良く導くことができ
る。 （３） ｎ型基板１１とｎ型半導体領域１２とｐ型半導
体領域１３とｐ+ 型半導体領域２０とから成る半導体基
体（チップ）の平面サイズをあまり小さくせずにｐｎ接
合１５の面積を小さくできるので、発光量が大きいｐｎ
接合１５の中心側上方に比較的大きい面積でウインドウ
領域２９を設けることができる。このため、光を外部に
効率良く取り出すことができる。 （４） 第１の溝１６と第２の溝１７の間の突出部分が
素子の支持脚として機能するから、ｐ型領域１３とアノ
ード電極２４とのコンタクト面積は小さくなっているが
素子の安定性は向上している。なお、上記（１）〜
（３）項の作用が相俟って高輝度化が達成される。 （５） 第２の溝１７がｐ型半導体領域１３を環状に囲
む部分のみに設けられず、素子の囲縁に至るように延び
ているので、半田２８による支持体２７に対する固着時
に溶融半田が溝１７ａを通って良好に流れ、残留気泡の
少ない良好な半田付が達成される。
【００１５】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図７のチップからｐ+ 型半導体領域２０を省い
て図１１に示すように構成してもよい。ｐ+ 型半導体領
域２０は発光に寄与しない漏れ電流を減少させるために
形成した方が望ましいが、必ずしも設ける必要はない。
なお、図１１において図７と共通する部分には同一の符
号が付されている。 （２） 開口２２及びウインドウ領域２９を円形にする
ことができる。 （３） 半田２８を別の導電性接合材にすることができ
る。 （４） 溝１７を埋めるように光反射性絶縁層を形成す
ることができる。 （５） ４本の第２の溝１７で包囲された四角形と４本
の第１の溝１６で包囲された四角形との間を結ぶように
半田の流れを助けるための溝を更に追加して設けてもよ
い。即ち、水平及び／又は垂直方向に延びる第１及び第
２の溝１６、１７の相互間に更に溝を設けても良い。 （６） 第１の溝１６と第２の溝１７のいずれか一方又
は両方をエッチングで形成することができる。第２の溝
１７をエッチングによって形成する場合には４本の第２
の溝１７によって四角形のみを形成し、この四角形から
第１の溝１６に延在する第２の溝１７を省くことができ
る。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図７のチップからｐ+ 型半導体領域２０を省い
て図１１に示すように構成してもよい。ｐ+ 型半導体領
域２０は発光に寄与しない漏れ電流を減少させるために
形成した方が望ましいが、必ずしも設ける必要はない。
なお、図１１において図７と共通する部分には同一の符
号が付されている。 （２） 開口２２及びウインドウ領域２９を円形にする
ことができる。 （３） 半田２８を別の導電性接合材にすることができ
る。 （４） 溝１７を埋めるように光反射性絶縁層を形成す
ることができる。 （５） ４本の第２の溝１７で包囲された四角形と４本
の第１の溝１６で包囲された四角形との間を結ぶように
半田の流れを助けるための溝を更に追加して設けてもよ
い。即ち、水平及び／又は垂直方向に延びる第１及び第
２の溝１６、１７の相互間に更に溝を設けても良い。 （６） 第１の溝１６と第２の溝１７のいずれか一方又
は両方をエッチングで形成することができる。第２の溝
１７をエッチングによって形成する場合には４本の第２
の溝１７によって四角形のみを形成し、この四角形から
第１の溝１６に延在する第２の溝１７を省くことができ
る。
【図１】本発明の実施例の発光ダイオードを作るための
ウエハを示す断面図である。
ウエハを示す断面図である。
【図２】第１及び第２の溝を形成したウエハを示す断面
図である。
図である。
【図３】図２の溝をエッチングした後のウエハを示す断
面図である。
面図である。
【図４】ｐ+ 型半導体領域を形成したウエハを示す断面
図である。
図である。
【図５】絶縁膜を形成したウエハを示す断面図である。
【図６】カソード電極及びアノード電極を形成したウエ
ハを示す断面図である。
ハを示す断面図である。
【図７】発光ダイオードを支持体に固着した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】図２のウエハの平面図である。
【図９】図７の発光ダイオードをアノード側から見た平
面図である。
面図である。
【図１０】従来の発光ダイオードを支持体に取付けた状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図１１】変形例の発光ダイオードを支持体に取付けた
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１２ ｎ型半導体領域 １３ ｐ型半導体領域 １６ 第１の溝 １７ 第２の溝 ２３ 絶縁膜 ２４ アノード電極 ２５ カソード電極
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の第１の半導体領域と、ｐｎ
接合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接して
いる第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基
体と、 前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半導体
領域に接続された第１の電極と、 前記半導体基体の他方の主面において前記第２の半導体
領域に接続された第２の電極とを備え、前記第２の電極
を支持体に接続するように構成された半導体発光素子に
おいて、 前記半導体基体の他方の主面を開口を有して被覆する絶
縁膜が設けられ、 前記開口は前記第２の半導体領域の中央部分に配置さ
れ、 前記第２の電極は前記開口を介して前記第２の半導体領
域に接続されていると共に前記絶縁膜の上にも設けられ
ており、 前記第２の半導体領域の中央部分と周縁部分との間に電
気的分離領域が設けられていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項２】 前記電気的分離領域は前記半導体基体の
他方の主面から一方の主面に向って延びる溝であり、こ
の溝は前記第１の半導体領域にも至るように形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記第２の半導体領域と同一の第２の導
電型を有し且つ前記第２の半導体領域よりも高い不純物
濃度を有する第３の半導体領域が前記半導体基体の前記
他方の主面の中央領域を除く周辺領域に設けられ、 前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の
ｐｎ接合面の周縁よりも前記半導体基体の一方の主面側
まで前記第３の半導体領域が延在していることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記第１の電極は平面透視的に見て前記
開口を包囲するように環状に形成されていることを特徴
とする請求項１又は２又は３記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26573293A JP2927158B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26573293A JP2927158B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106631A true JPH07106631A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2927158B2 JP2927158B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17421232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26573293A Expired - Lifetime JP2927158B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2927158B2 (ja) |
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