JP5616960B2 - 電気的分離を用いた、コンタクトパッドのダイエッジまでの延在 - Google Patents

電気的分離を用いた、コンタクトパッドのダイエッジまでの延在 Download PDF

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Description

この開示は、発光ダイオード(LED)、特にフリップチップLEDに関する。
本願は、2006年12月15日に出願された「LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-off of Growth Substrate」なるタイトルの米国特許出願第11/611775号に関連し、その内容をここに援用する。
半導体LEDは、現在利用可能な最も効率的な光源の中にある。可視スペクトルで動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心ある材料系は、III−V族半導体、例えば、ガリウム、アルミニウム、インジウム、窒素、隣及び砒素の二元、三元及び四元合金を含んでいる。III−V族デバイスは、可視スペクトルにわたる光を放射する。GaAs及びGaPに基づくデバイスが、しばしば、例えば黄色から赤色などの長めの波長で光を放射するために使用される一方で、III族窒化物デバイスが、しばしば、例えば近紫外(UV)から緑色などの短めの波長で光を放射するために使用されている。
窒化ガリウムLEDは、典型的に、透明なサファイア成長基板を使用している。それは、サファイアの結晶構造が窒化ガリウムの結晶構造に類似していることによる。
一部のGaN LEDは、双方の電極を同一表面上にして、フリップチップとして形成されており、ワイヤ接続を用いることなく、LED電極がサブマウント上の電極に接合される。そのような場合、光は透明サファイア基板を透過し、LED層はサブマウントに対向する。サブマウントは、LEDと外部電源との間のインタフェースを提供する。LED電極に接合されるサブマウント上の電極は、LEDの外側まで延在されるか、サブマウントの反対側の面まで延在されるかして、回路基板にワイヤボンディングあるいは表面実装される。
この開示に係る一部の実施形態において、電気的分離を用いてコンタクトパッドがダイエッジまで延在されるLEDダイ及びその製造方法が提供される。
この開示に係る一部の実施形態において、LEDダイは、接合パッドと、下に位置する逆極性のエピタキシャル層とを含む。接合パッドはダイエッジまで延在され、エピタキシャル層は、ダイの個片化中に接合パッドが当該エピタキシャル層内まで変形するときに回路短絡を防止するよう、ダイエッジにて電気的に絶縁される。エピタキシャル層は、ダイエッジにおける当該エピタキシャル層のイオン注入又は抵抗性エピタキシャル成長によって、電気的に絶縁され得る。代替的に、エピタキシャル層は、ダイエッジにて当該エピタキシャル層に横方向で隣接して接合パッドの下に誘電体層を設けることによって、電気的に絶縁されてもよい。
LEDダイ群のウエハの一部であるLEDダイを例示する平面図である。 1つの誘電体層を有する第1の構造を持つ図1のLEDダイを例示する断面図である。 2つの誘電体層を有する第2の構造を持つ図1のLEDダイを例示する断面図である。 図2又は3の構造を持つ図1のLEDを形成する方法を示すフローチャートである。 図2又は3の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図2又は3の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図2又は3の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図2又は3の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 半絶縁性のエピタキシャル層を有する第3の構造を持つ図1のLEDダイを例示する断面図である。 図9の構造を持つ図1のLEDを形成する方法を示すフローチャートである。 図9の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図9の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図9の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 図9の構造を持つ図1のLEDダイを形成するプロセスを例示する図である。 相異なる図における同一の参照符号の使用は、類似あるいは同一の要素であることを指し示している。
85%を超える表面カバレッジを有する非常に大面積の相互接続(インターコネクト、例えばボンディングパッド)は、発光ダイオード(LED)ダイ/サブマウント構造の熱抵抗を大幅に低減するとともに、薄膜フリップチップ(Thin Film Flip Chip;TFFC)処理中のエピタキシャル層及び金属層のアンダーフィルなしでの支持を可能にすることが示されている。前者は、より高い電流又は温度でLEDを駆動することを可能にし、後者は、アンダーフィルエポキシ材料の選択、ディスペンス、キュア及び除去に由来する歩留り/信頼性の変動から独立した潜在的に一層安定なプロセスと、コスト削減との双方として役立つ。
TFFC処理においてエピタキシーの支持として作用するよう、接合パッド金属は、ダイのエッジ(縁部)まで、そして、ウエハの個片化“ストリート”内まで延在され、故に、エピタキシャル層と金属層とが同時に個片化される。エッジコンタクト用にダイエッジで露出されるエピタキシャル層は、n型又はp型の何れにもされ得る。n型エピタキシャル層が露出される場合、下に位置する該n型エピタキシャル層とのp−n短絡を回避するため、如何なるp型接合パッド金属もダイエッジまで延在されるべきでない。個片化中に、p型接合パッド金属がスクライブされて下地のn型エピタキシャル層内まで変形されると、p−n短絡が発生し得る。p型エピタキシャル層が露出され、且つ何らかのn型接合パッド金属がダイエッジまで延在される場合には、逆のことが成り立つ。
これは、LEDダイを、1つ以上の中央に配置されたp型接合パッドに制限し、ひいては、LEDサブマウントを、中央に配置されたp型接合パッドにアクセスすることが可能な、貫通ビア又はサブマウント上の再配線の何れかを備えたものに制限する。サブマウント上再配線は、現状ではシリコンサブマウントにおいてしか利用可能でなく、十分小さい形状の貫通ビア技術は、高価であるか、広く使用されているセラミックサブマウントには利用できないかの何れかである。一般に、何れかの極性の接合パッドをダイエッジまで延在させられることは、単純化されたサブマウントレイアウトを可能にし、典型的にコスト削減につながる。
この開示に係る実施形態は、逆極性の接合パッドがダイエッジまで延在されることを可能にするために、ダイエッジにおいて露出されるエピタキシャル層の内部又は隣に電気的絶縁領域を作り出す。これは、TFFC処理中のエピタキシャル構造の強化された支持と、LEDダイ及びLEDサブマウントの双方における単純化された相互接続レイアウトとの何れをも実現し、サブマウント材料の一層高い可用性及びコスト削減の可能性につながる。
図1は、この開示に係る一部の実施形態におけるLEDダイ100の平面図を示している。LEDダイ100は、LEDダイ群のデバイスウエハ(図示せず)の一部としてウエハスケールで処理された後に、裏返され、位置合わせ(アライメント)され、LEDサブマウントに搭載(マウント)され、そしてウエハ上の隣接LEDダイから個片化され得る。LEDダイ100の頂面は、4つのダイエッジまで延在する大きいn型接合パッド102と、各々1つのダイエッジまで延在する4つのp型接合パッド104とを含んでいる。n型接合パッド102及びp型接合パッド104は、間隙106及び下地の誘電体層によって、互いに電気的に絶縁されている。n型接合パッド102と下に位置するn型層との間のn型コンタクト108(1つのみに符号を付している)、n型接合パッドと下に位置するn型層との間且つ4つのダイエッジ位置のn型エッジコンタクト109、及びp型接合パッド104と下に位置するp型層との間のp型コンタクト110も透視的に示されている。接合パッド及びコンタクトの個数及び幾何学配置は、用途に応じて変わり得る。
図2は、この開示に係る一部の実施形態におけるLEDダイ100の構造200を、直線A’A”(図1)に沿った断面図にて示している。ダイエッジにおいて、n型層204に隣接し且つ誘電体層212及びp型接合パッドの下に、電気絶縁領域202が配置されている。LEDダイ100は、n型層204と、該n型層上の発光層206(一般的に、アクティブ領域とも呼ばれている)と、該発光層上のp型層208と、を含むLED層を含んでいる。導電性反射層210がp型層208上に形成され、誘電体層212が該導電性反射層及び露出されたLED層の上に形成され、p型接合パッド104が該誘電体層上に形成されている。LED構造200を形成するプロセスについては、図4のフローチャートを参照して詳細に後述する。
LEDダイ100をデバイスウエハ上の隣接LEDダイから分離するため、LEDダイはダイ間のストリートに沿って個片化される。個片化中に、p型接合パッド104は電気絶縁領域202と接触することがある。p型接合パッド104を電気絶縁層202と接触させる実際のメカニズムは、個片化方法に依存する。例えば、スクライバ又はソー(saw)は、p型接合パッド104を切り込み、それを電気絶縁領域202内まで変形させ得る。他の例では、レーザは、p型接合パッド104を切り込み、それをダイエッジに沿って溶融させて電気絶縁領域202に接触させ得る。何れの場合も、電気絶縁領域202がないと、その場所でp型接合パッド104がn型層204と接触し、LEDダイ100を欠陥あるものにするp−n短絡を生じさせてしまい得る。
図3は、この開示に係る一部の実施形態におけるLEDダイ100の構造300を、直線A’A”(図1)に沿った断面図にて示している。構造300は、構造200(図2)では1つの誘電体層が使用されるのと対照的に、配電のために2つの誘電体層を使用している。層204乃至212は、誘電体層212(“第1の誘電体層212”とも称する)がダイエッジまで延在していないことを除いて、図2と同様である。エッジコンタクトを作り出すように、n型コンタクト層312が第1の誘電体層212及びn型層の露出部の上に形成されている。第2の誘電体層314がn型コンタクト層312及び電気絶縁領域202の上に形成され、p型接合パッド104が第2の誘電体層上に形成されている。LED構造300を形成するプロセスについては、図4のフローチャートを参照して詳細に後述する。
上述と同様に、p型接合パッド104は個片化中に電気絶縁領域202と接触することがある。電気絶縁領域202がないと、その場所でp型接合パッド104がn型層204と接触し、LEDダイ100を欠陥あるものにするp−n短絡を生じさせてしまい得る。
図4は、この開示に係る一部の実施形態におけるLEDダイ100の形成方法400のフローチャートである。方法400は、構造200(図2)を形成するための処理402−414及び426−432を含み、さらに、構造300(図3)を形成するためのオプション処理420−424を含む。
処理402にて、成長ウエハ上にLED層が形成される。図5を参照するに、サファイア成長ウエハ(図示せず)上にN型層204がエピタキシャル成長される。N型層204は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を表し、例えば、n型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層と、後の成長基板の除去(リリース)若しくは基板除去後の半導体構造の薄化を支援するように設計されるリリース層と、発光層が効率的に光を放射するのに望ましい特定の光学特性若しくは電気特性に合わせて設計されるn型デバイス層とを含む。III族窒化物発光デバイスにおけるn型デバイス層はGaNとし得る。
n型層204上に発光層206がエピタキシャル成長される。発光層206は、バリア層によって分離された複数の薄い量子井戸発光層によって表され得る。可視光、特に近UVから緑色光、を放射するように構成されるIII族窒化物発光デバイスにおいて、発光層はInGaNとし得る。
発光層206上にp型層208がエピタキシャル成長される。p型層208は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を表し、p型デバイス層を含む。III族窒化物発光デバイスにおけるp型デバイス層はGaNとし得る。処理402は処理404に続かれる。
処理404にて、図5に示すように、LED層上に導電性反射層210が形成される。導電性反射層210は、オーミックコンタクト層、反射層及びガード金属層を含む複数の層を表す。オーミックコンタクト層はNi、Ag又はPdとすることができ、反射層はAgとすることができ、ガード金属層は、TiW/TiW:N/TiWを含む複数層とすることができる。導電性反射層210はリフトオフプロセスによってパターニングされ得る。処理404は処理406に続かれる。
処理406にて、LEDダイ間の個片化ストリートに沿ってウエハ上にトレンチ(溝)602(この断面図には1つのみが示されている)が形成され、図6に示すようなメサ構造が画成される。トレンチ602は部分的にn型層204内まで達し、n型コンタクト層を用いたエッジコンタクトを後に作成し得るようダイエッジに沿ってn型層を露出させる。図示していないが、トレンチ602と同時に、n型層204へのビアも形成される。トレンチ602及びビアはエッチングによって形成され得る。処理406は処理408に続かれる。
処理408にて、n型層204の一部が、p型接合パッド104が形成されることになる領域の下でダイエッジに沿って、電気的に絶縁される。結果として、図7に示すように、電気絶縁領域202が形成される。電気絶縁領域202は、注入領域を画成するようにマスキングした後にイオン注入を行うことによって形成される。イオン注入のエネルギーは100keVより高くすることができ、注入種はHe、Zn、Mg又はAlとし得る。処理408は処理410に続かれる。
処理410にて、図8に示すように、デバイスウエハ上に誘電体層212が堆積される。誘電体層212はSiNxとし得る。処理410は処理412に続かれる。
処理412にて、n型層204と、p型層208への導電性反射層214とへのアクセスを提供するよう、誘電体層212がパターニングされる。エッジコンタクトが作成されることになる領域のダイエッジに沿った誘電体層212の部分が除去され、n型層204が露出される。ビアの底を覆う誘電体層212の部分が除去され、n型層204が露出される。p型接合パッド104が形成されることになる領域の導電性反射層210上の誘電体層212内に、p型コンタクト110(図1)用の孔が形成される。誘電体層212はエッチングによってパターニングされ得る。処理412は処理414に続かれる。
処理414にて、デバイスウエハ上にコンタクト金属層(例えば、インターコネクト)が堆積され、図1に示したような、ビアを充填するn型コンタクト108と、ダイエッジ周辺のn型エッジコンタクト109と、p型コンタクト110とが形成される。コンタクト金属層は、n型コンタクトとp型コンタクトとを電気的に絶縁するようにパターニングされる。コンタクト金属層はTi/Au又はAlとし得る。コンタクト金属層はリフトオフプロセスによって形成され得る。処理414は処理426に続かれる。
処理426にて、デバイスウエハ上に接合金属層が形成される(図2はp型接合金属層のみを示している)。n型及びp型の接合金属層が、それぞれ、処理414にて形成されたn型及びp型のコンタクトに電気的に結合される。n型及びp型の接合金属層は、LEDダイ間の個片化ストリート上にも延在する。後述の処理432での個片化の後、接合金属層は、図1に示したような各LEDダイのn型接合パッド102及びp型接合パッド104になる。接合金属層は、Au、Cu、Al、Ni、又はこれらの層の組み合わせとし得る。接合金属層は、電気化学的に(例えば、電気めっきによって)、あるいはその他の物理堆積法(例えば、蒸着又はスパッタリング)によって形成され得る。処理426は処理428に続かれる。
処理410、412、414及び426に関する更なる情報は、2006年12月15日に出願された「LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-off of Growth Substrate」なるタイトルの米国特許出願第11/611775号を参照することができ、その内容をここに援用する。
処理428にて、デバイスウエハ上のLEDダイが、裏返され、アライメントされ、そして、LEDサブマウントウエハ上のLEDサブマウントに接合される。LEDダイは、超音波ボンディング又はサーモソニックボンディングによってLEDサブマウントに接合され得る。LEDサブマウントは、LEDダイの機械的支持、電気分配及び熱放散を提供する。処理428は処理430に続かれる。
処理430にて、成長基板が除去される。成長基板はレーザリフトオフによって除去され得る。処理430は処理432に続かれる。
処理432にて、LEDダイが個片化される。LEDダイ群は、ダイ間の個片化ストリートに沿って、レーザ、スクライバ又はソーによって分離され得る。個片化されると、接合金属層は、LEDダイのn型接合パッド102及びp型接合パッド104になる。各LEDの接合パッド102及び104は、サブマウントに面するLEDダイの表面の少なくとも85%を覆い得る。
方法400は、この開示に係る一部の実施形態において、構造300を形成するように変更され得る。これらの実施形態において、処理414は代替処理420に続かれる。
必要に応じての(オプションの)処理420にて、図3に示したように、ウエハ上に第2の誘電体層314が堆積される。誘電体層314はSiNxとし得る。オプションの処理420はオプションの処理422に続かれる。
オプションの処理422にて、処理414にて形成されたn型コンタクト108、n型エッジコンタクト109及び導電性反射層214へのアクセスを提供するよう、誘電体層314がパターニングされる。導電性反射層214へのアクセスのため、p型コンタクト110(図1)用の孔が、p型接合パッド104が形成されることになる領域の導電性反射層210上の誘電体層212内に形成される。誘電体層212はエッチングによってパターニングされる。オプションの処理422はオプションの処理424に続かれる。
オプションの処理424にて、ウエハ上に別のコンタクト金属層が形成され、n型コンタクト108、n型エッジコンタクト109、及びp型コンタクト110が延長される。このコンタクト金属層は、その後、n型コンタクトとp型コンタクトとを電気的に絶縁するようにパターニングされる。このコンタクト金属層はTi/Au又はAlとし得る。このコンタクト金属層はリフトオフプロセスによって形成され得る。オプションの処理424は上述の処理426に続かれ、図3に示した構造300がもたらされる。
処理410、412、414、420、422及び424に関する更なる情報は、米国特許第6828596号を参照することができ、その内容をここに援用する。
図9は、この開示に係る一部の実施形態におけるLEDダイ100の構造900を、直線A’A”(図1)に沿った断面図にて示している。構造900は、半絶縁性の層902及び該半絶縁層上のLED層を含んでいる。LED層は、該半絶縁層上のn型層904と、該n型層上の発光層906と、該発光層上のp型層908とを含んでいる。半絶縁層902はダイエッジまで延在しているが、n型層904はダイエッジまで延在していない。導電性反射層910がp型層908上に形成されている。誘電体層912が、導電性反射層910、露出されたLED層及び露出された半絶縁層902の上に形成されている。p型接合パッド104が誘電体層912上に形成されている。LED構造900を形成するプロセスについては、図10のフローチャートを参照して詳細に後述する。
半絶縁層902の存在は、n型層904をダイエッジから後退(リセス)させ、ダイエッジに沿って誘電体層912で電気的に絶縁することを可能にする。換言すれば、誘電層912は、n型層904の部分に隣接させ且つp型接合パッド104がダイエッジまで延在することになる領域の下に、電気絶縁領域916(この断面図には1つのみが示されている)を形成する。電気絶縁領域916は、個片化中にp型接合パッド104がn型層904と接触してp−n短絡を生じさせることを防止する。
図10は、この開示に係る一部の実施形態における構造900を持つLEDダイ100の形成方法1000のフローチャートである。方法1000は、処理1002−1014及び1026−1032を含む。
処理1002にて、成長ウエハ上に半絶縁層902が形成され、該半絶縁層上にLED層が形成される。図11を参照するに、サファイア成長ウエハ(図示せず)上に半絶縁層902がエピタキシャル成長される。III族窒化物発光デバイスにおける半絶縁層902はGaNとすることができ、p型、n型、共添加(コドープ)又はアンドープにされ得る。半絶縁層902は、4μm厚のエピタキシャル層の場合にドーズ量及びエネルギーをそれぞれおよそ8E13cm−2及び400keVとしたイオン注入によって形成され得る。注入種はHe、Zn、Al又はMgとし得る。
半絶縁層902は、イオン注入によって、あるいはエピタキシャル成長中に、例えばFe、C、Co、Mn、Cr、V、Ni及び/又はその他の遷移金属ドーパントなどの深い準位(ディープレベル)の不純物でドープされてもよい。深い準位のドーパントが、約1×1017cm−3未満の濃度の例えばSi、Ge、O、Mg又はZnなどの浅い準位(シャローレベル)のドーパントと組み合わせて使用されてもよい。深い準位の不純物は、約1×1017cm−3より高い濃度を有し得る。
半絶縁層902上にN型層904がエピタキシャル成長される。N型層904は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を表し、例えば、n型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層と、後の成長基板の除去(リリース)若しくは基板除去後の半導体構造の薄化を支援するように設計されるリリース層と、発光層が効率的に光を放射するのに望ましい特定の光学特性若しくは電気特性に合わせて設計されるn型デバイス層とを含む。III族窒化物発光デバイスにおけるn型デバイス層はGaNとし得る。
n型層904上に発光層906がエピタキシャル成長される。発光層906は、バリア層によって分離された複数の薄い量子井戸発光層によって表され得る。可視光、特に近UVから緑色光、を放射するように構成されるIII族窒化物発光デバイスにおいて、発光層はInGaNとし得る。
発光層906上にp型層908がエピタキシャル成長される。p型層908は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を表し、p型デバイス層を含む。III族窒化物発光デバイスにおけるp型デバイス層はGaNとし得る。処理1002は処理1004に続かれる。
処理1004にて、図11に示すように、LED層上に導電性反射層910が形成される。導電性反射層910は、オーミックコンタクト層、反射層及びガード金属層を含む複数の層を表す。オーミックコンタクト層はNi、Ag又はPdとすることができ、反射層はAgとすることができ、ガード金属層は、TiW/TiW:N/TiWを含む複数層とすることができる。導電性反射層910はリフトオフプロセスによってパターニングされ得る。処理1004は処理1006に続かれる。
処理1006にて、LEDダイ間のストリートに沿ってウエハ上にトレンチ1202(この断面図には1つのみが示されている)がエッチングされ、図12に示すようなメサ構造が画成される。トレンチ1202は部分的にn型層904内まで達し、n型コンタクト層を用いたエッジコンタクトを後に作成し得るようダイエッジに沿ってn型層を露出させる。図示していないが、トレンチ1202と同時に、n型層904へのビアも形成される。トレンチ1202及びビアはエッチングによって形成され得る。処理1006は処理1008に続かれる。
処理1008にて、図13に示すように、p型接合パッド104がダイエッジに沿って延在することになる領域の下の、ダイエッジに沿った半絶縁層902まで、下方に、再びトレンチ1202がエッチングされる。この段階で、n型層904はダイエッジからエッチバックされている。処理908は処理1010に続かれる。
処理1010にて、図14に示すように、ウエハ上に誘電体層912が堆積される。誘電体層912は、n型層904の露出された縦方向エッジの部分を覆い、電気絶縁領域916を形成する。誘電体層912はSiNxとし得る。処理1010は処理1012に続かれる。
処理1012にて、n型層904と、p型層908への導電性反射層910とへのアクセスを提供するよう、誘電体層912がパターニングされる。エッジコンタクトが作成されることになる領域のダイエッジに沿った誘電体層912の部分が除去され、n型層904が露出される。ビアの底を覆う誘電体層912の部分が除去され、n型層904が露出される。p型接合パッド104が形成されることになる領域の導電性反射層910上の誘電体層912内に、p型コンタクト110(図1)用の孔が形成される。誘電体層912はエッチングによってパターニングされ得る。処理1012は処理1014に続かれる。
処理1014にて、デバイスウエハ上にコンタクト金属層(例えば、インターコネクト)が堆積され、図1に示したような、ビアを充填するn型コンタクト108と、ダイエッジ周辺のn型エッジコンタクト109と、p型コンタクト110とが形成される。コンタクト金属層は、n型コンタクトとp型コンタクトとを電気的に絶縁するようにパターニングされる。コンタクト金属層はTi/Au又はAlとし得る。コンタクト金属層はリフトオフプロセスによって形成され得る。処理1014は処理1026に続かれる。
処理1026にて、図9に示したように、デバイスウエハ上に接合金属層が形成される。n型及びp型の接合金属層が、それぞれ、処理1014にて形成されたn型及びp型のコンタクトに電気的に結合される。n型及びp型の接合金属層は、LEDダイ間の個片化ストリート上にも延在する。後述の処理1032での個片化の後、接合金属層は、図1に示したような各LEDダイのn型接合パッド102及びp型接合パッド104になる。接合金属層は、Au、Cu、Al、Ni、又はこれらの層の組み合わせとし得る。接合金属層は、電気化学的に(例えば、電気めっきによって)、あるいはその他の物理堆積法(例えば、蒸着又はスパッタリング)によって形成され得る。処理1026は処理1028に続かれる。
処理1010、1012、1014及び1026に関する更なる情報は、2006年12月15日に出願された「LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-off of Growth Substrate」なるタイトルの米国特許出願第11/611775号を参照することができ、その内容をここに援用する。
処理1028にて、デバイスウエハ上のLEDダイが、裏返され、アライメントされ、そして、LEDサブマウントウエハ上のLEDサブマウントに接合される。LEDダイは、超音波ボンディング又はサーモソニックボンディングによってLEDサブマウントに接合され得る。LEDサブマウントは、LEDダイの機械的支持、電気分配及び熱放散を提供する。処理1028は処理1030に続かれる。
処理1030にて、成長基板が除去される。成長基板はレーザリフトオフによって除去され得る。処理1030は処理1032に続かれる。
処理1032にて、LEDダイが個片化される。LEDダイ群は、ダイ間の個片化ストリートに沿って、レーザ、スクライバ又はソーによって分離され得る。個片化されると、接合金属層は、LEDダイのn型接合パッド102及びp型接合パッド104になる。各LEDの接合パッド102及び104は、サブマウントに面するLEDダイの表面の少なくとも85%を覆い得る。
開示した実施形態の特徴の様々なその他の適応及び組み合わせも、本発明の範囲内にある。サファイア成長基板を用いるGaNベースのLEDを述べたが、例えばSiC(InAlGaN LEDを形成するために使用される)及びGaAs(AlInGaP LEDを形成するために使用される)などのその他の基板を用いるその他の種類のLEDも、この開示の恩恵を受け得る。ここではn型層、発光層及びp型層を特定の方向付けで配置しているが、他の実施形態において、順序が逆にされてもよい。数多の実施形態が以下の請求項に包含される。

Claims (14)

  1. 発光ダイオード(LED)構造を製造する方法であって:
    成長ウエハ上の第1導電型の層と、前記第1導電型の層上の発光層と、前記発光層上の第2導電型の層とをエピタキシャル成長させることによって、LED層を形成する工程;
    ダイエッジに沿ってトレンチを形成して、前記ダイエッジにて前記第1導電型の層を露出させる工程であり、前記トレンチは少なくとも部分的に前記第1導電型の層内まで達し、前記トレンチはLEDダイのメサ構造を形成する、工程;
    前記ダイエッジに電気絶縁領域を形成することによって、前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域を電気的に絶縁する工程;及び
    前記第1導電型の層に電気的に結合される第1導電型の接合パッド層及び前記第2導電型の層に電気的に結合される第2導電型の接合パッド層を形成する工程であり、前記第1導電型の接合パッド層は前記ダイエッジまで延在され、前記第2導電型の接合パッド層は前記電気絶縁領域上で前記ダイエッジまで延在される、工程;
    を有する方法。
  2. 前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域を電気的に絶縁する工程は、前記電気絶縁領域を形成するように、前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域にイオンを注入することを有する、請求項1に記載の方法。
  3. 前記LED層を形成する工程の前に、前記成長基板上に半絶縁層をエピタキシャル成長させる工程を更に有し、
    前記LED層は前記半絶縁層上に形成され;
    前記ダイエッジに沿ってトレンチを形成して、前記ダイエッジにて前記第1導電型の層を露出させる工程は、少なくとも部分的に前記第1導電型の層内まで、前記LED層の第1のエッチングを実行することと、前記半絶縁層まで、前記LED層の第2のエッチングを実行することとを有し;且つ
    前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域を電気的に絶縁する工程は、前記LED層を覆う誘電体層を形成することを有し、前記電気絶縁領域は、前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域を覆う前記誘電体層を有する;
    請求項1に記載の方法。
  4. サブマウントウエハ上のサブマウントに前記LEDダイをマウントする工程;
    次いで、前記LEDダイから前記成長基板を除去する工程;及び
    次いで、前記LEDダイ同士の間の個片化ストリートに沿って前記LEDダイを個片化する工程であり、前記第1導電型の接合パッド層及び前記第2導電型の接合パッド層は個片化中に、それぞれ、前記LEDダイの第1導電型の接合パッド及び第2導電型の接合パッドに分割される、工程;
    を更に有する請求項1に記載の方法。
  5. 前記第1導電型の接合パッドと前記第2導電型の接合パッドとが、間隙及び下に位置する誘電体層によって電気的に絶縁され、各LEDダイの前記第1導電型の接合パッド及び前記第2導電型の接合パッドは、サブマウントに面する該LEDダイの表面の少なくとも85%を覆う、請求項4に記載の方法。
  6. 前記LED層を覆う誘電体層を形成する工程を更に有し、前記第1導電型の接合パッド層及び前記第2導電型の接合パッド層は、該誘電体層上に形成される、請求項4に記載の方法。
  7. 前記LED層を覆う第1の誘電体層を形成する工程;
    前記第1の誘電体層上に、前記第1導電型の層及び前記第2導電型の層に電気的に結合されるインターコネクトを形成する工程;及び
    前記第1の誘電体層及び前記インターコネクトを覆う第2の誘電体層を形成する工程;
    を更に有し、
    前記第1導電型の接合パッド層及び前記第2導電型の接合パッド層は、前記インターコネクトによって、前記第1導電型の層及び前記第2導電型の層に電気的に結合される、
    請求項4に記載の方法。
  8. 発光ダイオード(LED)ダイであって:
    第1導電型の層と、前記第1導電型の層上の発光層と、前記発光層上の第2導電型の層とを有するLED層;
    前記第1導電型の層に横方向で隣接し且つ1つ以上のダイエッジに沿った、1つ以上の電気絶縁領域;
    前記第1導電型の層に電気的に結合され、前記ダイエッジまで延在する第1導電型の接合パッド;及び
    前記第2導電型の層に電気的に結合され、前記電気絶縁領域上で前記ダイエッジまで延在する1つ以上の第2導電型の接合パッド;
    を有するLEDダイ。
  9. 前記電気絶縁領域は、前記第1導電型の層の、イオン注入された領域を有する、請求項8に記載のLEDダイ。
  10. 前記電気絶縁領域は、抵抗性に成長されたエピタキシャル層を有する、請求項8に記載のLEDダイ。
  11. 前記LED層が上に形成された半絶縁層;
    前記ダイエッジにて下方に前記半絶縁層まで露出された前記第1導電型の層の領域;及び
    前記LED層を覆う誘電体層であり、前記電気絶縁領域が、前記ダイエッジにて露出された前記第1導電型の層の領域を覆う部分の該誘電体層を有する、誘電体層;
    を更に有する請求項8に記載のLEDダイ。
  12. 前記第1導電型の接合パッドと前記第2導電型の接合パッドとが、間隙及び下に位置する誘電体層によって電気的に絶縁されており、前記第1導電型の接合パッド及び前記第2導電型の接合パッドは、サブマウントに面する当該LEDダイの表面の少なくとも85%を覆っている、請求項8に記載のLEDダイ。
  13. 前記LED層を覆う誘電体層を更に有し、前記第1導電型の接合パッド及び前記第2導電型の接合パッドは該誘電体層上に形成されている、請求項8に記載のLEDダイ。
  14. 前記LED層上の第1の誘電体層;
    前記第1の誘電体層上のインターコネクトであり、前記第1導電型の層及び前記第2導電型の層に電気的に結合されたインターコネクト;及び
    前記第1の誘電体層及び前記インターコネクトを覆う第2の誘電体層;
    を更に有し、
    前記第1導電型の接合パッド及び前記第2導電型の接合パッドは、前記インターコネクトによって、前記第1導電型の層及び前記第2導電型の層に電気的に結合されている、
    請求項8に記載のLEDダイ。
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