JP2001196631A - 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディング箇所の接着力が低下し難い窒化
ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上にｎ型およびｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層が積層され、ｐ型層の表面にｐ側電極
が、ｐ型層の一部が除去されて露出されたｎ型層にｎ側
電極が形成され、ｎ側電極は、ｐ型層の表面の１つの隅
部において露出されたｎ型層表面に形成され、ｐ側電極
は、その隅部と対角をなす隅部のｐ型表面にｐ側パッド
電極として形成された第１のｐ側電極と、該第１のｐ側
電極が形成されていないｐ型層の残りの表面と第１のｐ
側電極の周縁部とを覆うように形成された透光性を有し
かつｐ型層とオーミック接触する第２のｐ側電極とを有
してなる。
ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上にｎ型およびｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層が積層され、ｐ型層の表面にｐ側電極
が、ｐ型層の一部が除去されて露出されたｎ型層にｎ側
電極が形成され、ｎ側電極は、ｐ型層の表面の１つの隅
部において露出されたｎ型層表面に形成され、ｐ側電極
は、その隅部と対角をなす隅部のｐ型表面にｐ側パッド
電極として形成された第１のｐ側電極と、該第１のｐ側
電極が形成されていないｐ型層の残りの表面と第１のｐ
側電極の周縁部とを覆うように形成された透光性を有し
かつｐ型層とオーミック接触する第２のｐ側電極とを有
してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般式ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）よりなり、発
光ダイオード素子等の発光素子に用いられる窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子とその製造方法に関する。
1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）よりなり、発
光ダイオード素子等の発光素子に用いられる窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は
高輝度純緑色発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤとして、既にフル
カラーＬＥＤディスプレイ、交通信号灯、イメージスキ
ャナ光源等の各種光源で実用化されている。これらＬＥ
Ｄ素子は一般にサファイア基板の上に成長される。サフ
ァイアのような絶縁性基板を用いた発光素子は、他のＧ
ａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光素子と
異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能である
ため、通常窒化ガリウム系化合物半導体層に設けられる
正、負一対の電極は同一面側に形成され、それぞれの電
極に上からワイヤーボンディングして電極側から発光を
観測したり、フリップチップボンディングして基板側か
ら発光を観測している。
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は
高輝度純緑色発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤとして、既にフル
カラーＬＥＤディスプレイ、交通信号灯、イメージスキ
ャナ光源等の各種光源で実用化されている。これらＬＥ
Ｄ素子は一般にサファイア基板の上に成長される。サフ
ァイアのような絶縁性基板を用いた発光素子は、他のＧ
ａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光素子と
異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能である
ため、通常窒化ガリウム系化合物半導体層に設けられる
正、負一対の電極は同一面側に形成され、それぞれの電
極に上からワイヤーボンディングして電極側から発光を
観測したり、フリップチップボンディングして基板側か
ら発光を観測している。
【０００３】この従来の窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子では、例えば、図６に示すように、サファイア基
板２０１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２０
２、活性層２０３、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
２０４が形成され、さらにｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体２０２の表面にはｎ側電極２０６が、ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層２０４の表面には透光性を有する
ｐ側オーミック電極２０８が全面に、さらにオーミック
電極の表面の一部にワイヤーボンディング用のｐ側パッ
ド電極２０７が形成されている。このような構造でｐ側
パッド電極２０７とｎ側電極２０６とを介して通電する
と、透光性のｐ側オーミック電極２０８を透過した光が
電極側から観測される。
光素子では、例えば、図６に示すように、サファイア基
板２０１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２０
２、活性層２０３、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
２０４が形成され、さらにｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体２０２の表面にはｎ側電極２０６が、ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層２０４の表面には透光性を有する
ｐ側オーミック電極２０８が全面に、さらにオーミック
電極の表面の一部にワイヤーボンディング用のｐ側パッ
ド電極２０７が形成されている。このような構造でｐ側
パッド電極２０７とｎ側電極２０６とを介して通電する
と、透光性のｐ側オーミック電極２０８を透過した光が
電極側から観測される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の図
６の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、ｐ側パ
ッド電極２０７の材料としてワイヤーボンディングが可
能な材料を用いても、ｐ側パッド電極形成時にアニール
したとき、また素子を通電させたときに発生する熱など
によって、ワイヤーボンディングする箇所の接着力が低
下してしまうという問題点があった。また、フリップチ
ップボンディングした場合においても、そのボンディン
グ部分における接合力が低下するという問題点があっ
た。
６の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、ｐ側パ
ッド電極２０７の材料としてワイヤーボンディングが可
能な材料を用いても、ｐ側パッド電極形成時にアニール
したとき、また素子を通電させたときに発生する熱など
によって、ワイヤーボンディングする箇所の接着力が低
下してしまうという問題点があった。また、フリップチ
ップボンディングした場合においても、そのボンディン
グ部分における接合力が低下するという問題点があっ
た。
【０００５】そこで、本発明の目的とするところは、ボ
ンディング箇所の接着力が低下し難い窒化ガリウム系化
合物半導体素子とその製造方法を提供することである。
ンディング箇所の接着力が低下し難い窒化ガリウム系化
合物半導体素子とその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明に係る窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法は、基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を積層し、
該ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側電極
が、一方ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除
去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形成さ
れたｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することにより
発光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造する
方法において、上記ｐ側電極とｎ側電極を形成する工程
は、上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の対
角をなす位置にある一対の隅部のうちの一方の隅部にｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層を露出させ、その表面
にｎ側電極を形成し、他方の隅部にｐ側パッド電極とし
て第１のｐ側電極を形成する工程と、上記第１のｐ側電
極および上記ｎ側電極を形成後、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層の残りの表面と第１のｐ側電極の周縁部と
を覆うように、透光性を有するｐ側オーミック電極とし
て第２のｐ側電極を形成する工程とからなり、上記第１
のｐ側電極と上記第２のｐ側電極とからなるｐ側電極と
上記ｎ側電極とを形成することを特徴とする。
めに、本発明に係る窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法は、基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を積層し、
該ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側電極
が、一方ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除
去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形成さ
れたｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することにより
発光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造する
方法において、上記ｐ側電極とｎ側電極を形成する工程
は、上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の対
角をなす位置にある一対の隅部のうちの一方の隅部にｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層を露出させ、その表面
にｎ側電極を形成し、他方の隅部にｐ側パッド電極とし
て第１のｐ側電極を形成する工程と、上記第１のｐ側電
極および上記ｎ側電極を形成後、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層の残りの表面と第１のｐ側電極の周縁部と
を覆うように、透光性を有するｐ側オーミック電極とし
て第２のｐ側電極を形成する工程とからなり、上記第１
のｐ側電極と上記第２のｐ側電極とからなるｐ側電極と
上記ｎ側電極とを形成することを特徴とする。
【０００７】すなわち、本発明に係る窒化ガリウム系化
合物半導体素子の製造方法により作製された素子では、
透光性を有するｐ側オーミック電極はｐ側パッド電極形
成後、ｐ側パッド電極の周縁部を覆うように形成されて
おり、ｐ側オーミック電極は直接ｐ側窒化ガリウム系化
合物半導体層に接している。そのため、従来の構造と違
い、ｐ側パッド電極上にオーミック電極からの材料がマ
イグレーションとして析出することはなく、ワイヤーボ
ンディング時に高い密着力が得られる。図４に示すよう
に従来の構造である（ｂ）と本発明によって得られる
（ａ）と比較すると、ワイヤーが素子から剥がれてしま
う可能性のある場所がボールとｐ側パッド電極との間の
Ｘ１、ｐ側パッド電極とｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層との間のＹ１の２カ所となり、従来の構造と比較し
て、ＬＥＤの信頼性を向上させることができる。
合物半導体素子の製造方法により作製された素子では、
透光性を有するｐ側オーミック電極はｐ側パッド電極形
成後、ｐ側パッド電極の周縁部を覆うように形成されて
おり、ｐ側オーミック電極は直接ｐ側窒化ガリウム系化
合物半導体層に接している。そのため、従来の構造と違
い、ｐ側パッド電極上にオーミック電極からの材料がマ
イグレーションとして析出することはなく、ワイヤーボ
ンディング時に高い密着力が得られる。図４に示すよう
に従来の構造である（ｂ）と本発明によって得られる
（ａ）と比較すると、ワイヤーが素子から剥がれてしま
う可能性のある場所がボールとｐ側パッド電極との間の
Ｘ１、ｐ側パッド電極とｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層との間のＹ１の２カ所となり、従来の構造と比較し
て、ＬＥＤの信頼性を向上させることができる。
【０００８】上記第２のｐ側電極を形成する工程は、上
記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上において上記第
２のｐ側電極を形成する領域を開口させるように該領域
以外をマスキングする工程と、上記領域に、２価イオン
となりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群
から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に積層する工
程と、積層後にアニールする工程とを含んで構成するこ
とができる。
記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上において上記第
２のｐ側電極を形成する領域を開口させるように該領域
以外をマスキングする工程と、上記領域に、２価イオン
となりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群
から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に積層する工
程と、積層後にアニールする工程とを含んで構成するこ
とができる。
【０００９】また、本発明に係る窒化ガリウム系化合物
半導体素子の製造方法において、上記第１のｐ側電極が
ｎ側電極と同一組成である場合には、上記第１のｐ側電
極とｎ側電極を形成する工程は、該２つの電極が形成さ
れる部分を除いてマスクを形成するマスキング工程と、
上記マスクを用いて該第１のｐ側電極とｎ側電極を同時
に形成する工程を含むようにしてもよい。このように、
ｐ側パッド電極とｎ側電極を同時に形成することで、製
造工程を簡略化することができるので好ましい。ここ
で、ｐ側パッド電極とｎ側電極を同一の材料とする場
合、それに用いる電極材料はｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体とオーミック性が良くかつｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層と密着性が良い材料であり、さらにｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層とも密着性が良い材料を選
ぶことが好ましい。
半導体素子の製造方法において、上記第１のｐ側電極が
ｎ側電極と同一組成である場合には、上記第１のｐ側電
極とｎ側電極を形成する工程は、該２つの電極が形成さ
れる部分を除いてマスクを形成するマスキング工程と、
上記マスクを用いて該第１のｐ側電極とｎ側電極を同時
に形成する工程を含むようにしてもよい。このように、
ｐ側パッド電極とｎ側電極を同時に形成することで、製
造工程を簡略化することができるので好ましい。ここ
で、ｐ側パッド電極とｎ側電極を同一の材料とする場
合、それに用いる電極材料はｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体とオーミック性が良くかつｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層と密着性が良い材料であり、さらにｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層とも密着性が良い材料を選
ぶことが好ましい。
【００１０】また、本発明に係る窒化ガリウム系化合物
半導体素子の製造方法において、上記第１のｐ側電極と
ｎ側電極とを、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上
方から見て平面形状が互いに異なるように形成すること
が好ましい。このように形成すると、上記第１のｐ側電
極とｎ側電極を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層側
から見て、画像認識でそれぞれの形状が識別でき、容易
でかつ精度よくワイヤーボンディングすることができ
る。
半導体素子の製造方法において、上記第１のｐ側電極と
ｎ側電極とを、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上
方から見て平面形状が互いに異なるように形成すること
が好ましい。このように形成すると、上記第１のｐ側電
極とｎ側電極を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層側
から見て、画像認識でそれぞれの形状が識別でき、容易
でかつ精度よくワイヤーボンディングすることができ
る。
【００１１】また、本発明に係る窒化ガリウム系化合物
半導体素子は、基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側電
極が、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去
されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形成され
たｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することにより発
光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、上
記ｎ側電極は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面の対角をなす位置にある一対の隅部のうちの一方の隅
部において露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層表面に形成され、上記ｐ側電極は、他方の隅部のｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層表面隅部にｐ側パッド電
極として形成された第１のｐ側電極と、該第１のｐ側電
極が形成されていないｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層の残りの表面と上記第１のｐ側電極の周縁部とを覆う
ように形成された透光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層とオーミック接触する第２のｐ側電極と
を有してなることを特徴とする。
半導体素子は、基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側電
極が、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去
されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形成され
たｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することにより発
光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、上
記ｎ側電極は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表
面の対角をなす位置にある一対の隅部のうちの一方の隅
部において露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層表面に形成され、上記ｐ側電極は、他方の隅部のｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層表面隅部にｐ側パッド電
極として形成された第１のｐ側電極と、該第１のｐ側電
極が形成されていないｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層の残りの表面と上記第１のｐ側電極の周縁部とを覆う
ように形成された透光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層とオーミック接触する第２のｐ側電極と
を有してなることを特徴とする。
【００１２】このように構成された本発明に係る窒化ガ
リウム系化合物半導体素子では、ｐ側オーミック電極は
直接ｐ側窒化ガリウム系化合物半導体層に接している。
そのため、従来の構造と違い、ｐ側パッド電極上にオー
ミック電極からの材料がマイグレーションして析出する
ことはなく、ボンディング部分において高い密着力が得
られる。
リウム系化合物半導体素子では、ｐ側オーミック電極は
直接ｐ側窒化ガリウム系化合物半導体層に接している。
そのため、従来の構造と違い、ｐ側パッド電極上にオー
ミック電極からの材料がマイグレーションして析出する
ことはなく、ボンディング部分において高い密着力が得
られる。
【００１３】また、本発明に係る窒化ガリウム系化合物
半導体素子において、上記第２のｐ側電極は、２価イオ
ンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる
群から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に積層後、
アニールした合金とすることが好ましく、これによっ
て、透光性に優れかつ良好なオーミック接触が可能な電
極を形成できる。
半導体素子において、上記第２のｐ側電極は、２価イオ
ンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる
群から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に積層後、
アニールした合金とすることが好ましく、これによっ
て、透光性に優れかつ良好なオーミック接触が可能な電
極を形成できる。
【００１４】さらに、本発明に係る窒化ガリウム系化合
物半導体素子において、上記第１のｐ側電極とｎ側電極
は、同一の金属材料を用いてかつ実質的に同一の膜厚と
なるように構成するようにしてもよい。このように構成
された窒化ガリウム系化合物半導体素子では、ｐ側パッ
ド電極とｎ側電極を同時に形成することができるので、
製造工程を簡略化することができ、安価に製造すること
ができる。
物半導体素子において、上記第１のｐ側電極とｎ側電極
は、同一の金属材料を用いてかつ実質的に同一の膜厚と
なるように構成するようにしてもよい。このように構成
された窒化ガリウム系化合物半導体素子では、ｐ側パッ
ド電極とｎ側電極を同時に形成することができるので、
製造工程を簡略化することができ、安価に製造すること
ができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態の
窒化ガリウム系化合物半導体素子について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係る窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子の一実施の形態を示した模式断面
図である。本実施の形態の窒化ガリウム系化合物半導体
素子では、図１に示すように、基板１０１上にｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層１０２、活性層１０３、ｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体１０４が順に形成されてい
る。そして、本実施の形態では、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層の表面の対角をなす位置にある一対の隅部
の一方にｐ側パッド電極として第１のｐ側電極１０５ａ
（以下、単にｐ側パッド電極１０５ａともいう。）が形
成され、また残りのｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０４と第１のｐ側電極１０５ａの周縁部とを覆うよう
に透光性を有するオーミック電極として第２のｐ側電極
１０８が形成されており、他方の隅部には、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２の表面が露出され、その
表面にｎ側電極１０５ｂが形成されている。また、ｎ側
電極１０５ｂおよび第１のｐ側電極１０５ａ上にはワイ
ヤー１１０がボール１０９を介して接続されている。
窒化ガリウム系化合物半導体素子について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係る窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子の一実施の形態を示した模式断面
図である。本実施の形態の窒化ガリウム系化合物半導体
素子では、図１に示すように、基板１０１上にｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層１０２、活性層１０３、ｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体１０４が順に形成されてい
る。そして、本実施の形態では、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層の表面の対角をなす位置にある一対の隅部
の一方にｐ側パッド電極として第１のｐ側電極１０５ａ
（以下、単にｐ側パッド電極１０５ａともいう。）が形
成され、また残りのｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０４と第１のｐ側電極１０５ａの周縁部とを覆うよう
に透光性を有するオーミック電極として第２のｐ側電極
１０８が形成されており、他方の隅部には、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２の表面が露出され、その
表面にｎ側電極１０５ｂが形成されている。また、ｎ側
電極１０５ｂおよび第１のｐ側電極１０５ａ上にはワイ
ヤー１１０がボール１０９を介して接続されている。
【００１６】すなわち、本発明の特徴とするところはｐ
側パッド電極である第１のｐ側電極１０５ａをｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層１０４に接して形成し、透光
性を有するオーミック電極である第２のｐ側電極１０８
を、第１のｐ側電極１０５ａが形成されていない残りの
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４表面と第１の
ｐ側電極１０５ａの周縁部とを覆うように形成したとこ
ろにある。ここで、ｐ側オーミック電極に用いる材料と
しては、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４とオ
ーミック性が良くかつ透光性を有しているものから選択
でき、例えば、２価イオンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群から選択した少なくとも１種
とＡｕとを積層後、アニールした合金や、Ｎｉ、Ｐｔ、
Ｐｄの単体などを透光性を有するような膜厚で用いるこ
とが可能である。尚、ｐ側のオーミック電極の最も好ま
しい材料としては、Ｎｉ／Ａｕ（／は順に積層すること
を意味する）を積層してアニーリングしたものが挙げら
れる。
側パッド電極である第１のｐ側電極１０５ａをｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層１０４に接して形成し、透光
性を有するオーミック電極である第２のｐ側電極１０８
を、第１のｐ側電極１０５ａが形成されていない残りの
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４表面と第１の
ｐ側電極１０５ａの周縁部とを覆うように形成したとこ
ろにある。ここで、ｐ側オーミック電極に用いる材料と
しては、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４とオ
ーミック性が良くかつ透光性を有しているものから選択
でき、例えば、２価イオンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群から選択した少なくとも１種
とＡｕとを積層後、アニールした合金や、Ｎｉ、Ｐｔ、
Ｐｄの単体などを透光性を有するような膜厚で用いるこ
とが可能である。尚、ｐ側のオーミック電極の最も好ま
しい材料としては、Ｎｉ／Ａｕ（／は順に積層すること
を意味する）を積層してアニーリングしたものが挙げら
れる。
【００１７】また、ｐ側パッド電極に用いる材料として
は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との密着性の高
い材料を選択することが好ましいことは言うまでもな
く、例えばＡｕの単体、またはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔ
ｉ、Ｃｕよりなる群から選択した少なくとも１種とＡｕ
とを積層したものなどが挙げられる。
は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との密着性の高
い材料を選択することが好ましいことは言うまでもな
く、例えばＡｕの単体、またはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔ
ｉ、Ｃｕよりなる群から選択した少なくとも１種とＡｕ
とを積層したものなどが挙げられる。
【００１８】一方、ｎ側電極１０５ｂに用いる材料とし
ては、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２とのオ
ーミック性および密着性が高い材料を選択し、例えばＴ
ｉ／Ａｌ、Ｗ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｖ／Ａｌ、Ｖ／Ａｕ
などを積層後にアニーリングした合金、またはＡｌ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎの単体などを用いる。また、
ｎ側電極に用いる材料として最も好ましい材料は、Ｔｉ
／Ａｌ、Ｗ／Ａｌが挙げられる。
ては、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２とのオ
ーミック性および密着性が高い材料を選択し、例えばＴ
ｉ／Ａｌ、Ｗ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｖ／Ａｌ、Ｖ／Ａｕ
などを積層後にアニーリングした合金、またはＡｌ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎの単体などを用いる。また、
ｎ側電極に用いる材料として最も好ましい材料は、Ｔｉ
／Ａｌ、Ｗ／Ａｌが挙げられる。
【００１９】以上のように構成された実施の形態の窒化
ガリウム系化合物半導体素子では、ｐ側パッド電極１０
５ａはｐ型窒化ガリウム化合物半導体層１０４表面と直
接接するように形成され、ｐ側オーミック電極とはｐ側
パッド電極１０５ａの側面及び上面の周辺部において接
しているだけである。従って、ｐ側パッド電極１０５ａ
又はｐ側オーミック電極をアニールしたとき、また素子
を通電させたときに発生する熱などによって、ｐ側オー
ミック電極の材料のｐ側パッド電極へのマイグレーショ
ンを抑制でき、ワイヤーボンディングする箇所における
接着力の低下を防止することができる。
ガリウム系化合物半導体素子では、ｐ側パッド電極１０
５ａはｐ型窒化ガリウム化合物半導体層１０４表面と直
接接するように形成され、ｐ側オーミック電極とはｐ側
パッド電極１０５ａの側面及び上面の周辺部において接
しているだけである。従って、ｐ側パッド電極１０５ａ
又はｐ側オーミック電極をアニールしたとき、また素子
を通電させたときに発生する熱などによって、ｐ側オー
ミック電極の材料のｐ側パッド電極へのマイグレーショ
ンを抑制でき、ワイヤーボンディングする箇所における
接着力の低下を防止することができる。
【００２０】これに対して、従来例では、例えばＡｕと
Ｎｉを積層し、これらをアニールしたものを透光性のｐ
側オーミック電極とした後、そのｐ側オーミック電極の
上面に接してｐ側パッド電極２０７を形成しているで、
ｐ側オーミック電極２０８とｐ側パッド電極２０７の接
触面積が広い分、ｐ側オーミック電極の材料がマイグレ
ーションし易くなり、ｐ側パッド電極２０７上にＮｉが
一部析出してしまう。このために、ｐ側パッド電極２０
７の材料としてワイヤーボンディングが可能な材料を用
いても、ワイヤーボンディングした時に、ｐ側パッド電
極２０７とワイヤーとの接続強度が十分得られない場合
がある。また、接続直後は所定の強度を有していても、
素子を通電させたときに発生する熱などによって、ｐ側
オーミック電極２０８の材料がｐ側パッド電極２０７上
にマイグレーションして現れ、ワイヤーボンディングす
る箇所の接着力が時間の経過とともに低下してしまう場
合がある。従って、従来の構造では、上述の問題を発生
させないための電極材料を選定しなければならないとい
う制約があった。
Ｎｉを積層し、これらをアニールしたものを透光性のｐ
側オーミック電極とした後、そのｐ側オーミック電極の
上面に接してｐ側パッド電極２０７を形成しているで、
ｐ側オーミック電極２０８とｐ側パッド電極２０７の接
触面積が広い分、ｐ側オーミック電極の材料がマイグレ
ーションし易くなり、ｐ側パッド電極２０７上にＮｉが
一部析出してしまう。このために、ｐ側パッド電極２０
７の材料としてワイヤーボンディングが可能な材料を用
いても、ワイヤーボンディングした時に、ｐ側パッド電
極２０７とワイヤーとの接続強度が十分得られない場合
がある。また、接続直後は所定の強度を有していても、
素子を通電させたときに発生する熱などによって、ｐ側
オーミック電極２０８の材料がｐ側パッド電極２０７上
にマイグレーションして現れ、ワイヤーボンディングす
る箇所の接着力が時間の経過とともに低下してしまう場
合がある。従って、従来の構造では、上述の問題を発生
させないための電極材料を選定しなければならないとい
う制約があった。
【００２１】さらに、従来の構造では図４（ｂ）に示す
ように、ワイヤーが素子から剥がれてしまう可能性のあ
る場所として、ボールボンディング時にワイヤーと一体
で形成されるボールとｐ側パッド電極２０７との間のＸ
２、ｐ側パッド電極２０７とｐ側オーミック電極２０８
との間のＹ２、ｐ側オーミック電極２０８とｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層２０４との間のＺ２と３カ所あ
る。これに対して、本発明の構造では、図４（ａ）に示
すように、ワイヤーが素子から剥がれる可能性のある場
所が、ボールとｐ側パッド電極１０５ａとの間のＸ１、
ｐ側パッド電極１０５ａとｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１０４との間のＹ１の２カ所となり、従来の構造
と比較して、剥がれる可能性のある箇所が少ない分、Ｌ
ＥＤの信頼性を向上させることができる。
ように、ワイヤーが素子から剥がれてしまう可能性のあ
る場所として、ボールボンディング時にワイヤーと一体
で形成されるボールとｐ側パッド電極２０７との間のＸ
２、ｐ側パッド電極２０７とｐ側オーミック電極２０８
との間のＹ２、ｐ側オーミック電極２０８とｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層２０４との間のＺ２と３カ所あ
る。これに対して、本発明の構造では、図４（ａ）に示
すように、ワイヤーが素子から剥がれる可能性のある場
所が、ボールとｐ側パッド電極１０５ａとの間のＸ１、
ｐ側パッド電極１０５ａとｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１０４との間のＹ１の２カ所となり、従来の構造
と比較して、剥がれる可能性のある箇所が少ない分、Ｌ
ＥＤの信頼性を向上させることができる。
【００２２】次に、本発明に係る窒化ガリウム系化合物
半導体素子の製造方法について説明する。本製造方法
は、基板１０１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０２、活性層１０３およびｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４とを備え、該ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４の表面にｐ側電極が、一方ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層１０４の一部が除去されて露出さ
れたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２の表面に
ｎ側電極１０５ｂが形成された実施の形態の窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子を製造する方法であって、いずれ
もワイヤーボンディングされる電極であるｎ側電極１０
５ｂとｐ側パッド電極１０５ａとをまず形成する第１工
程と、その第１工程の後に、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４の残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａ
の周縁部とを覆うように、透光性を有するｐ側オーミッ
ク電極を形成する第２工程とを含んでいる。
半導体素子の製造方法について説明する。本製造方法
は、基板１０１上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０２、活性層１０３およびｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４とを備え、該ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４の表面にｐ側電極が、一方ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層１０４の一部が除去されて露出さ
れたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２の表面に
ｎ側電極１０５ｂが形成された実施の形態の窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子を製造する方法であって、いずれ
もワイヤーボンディングされる電極であるｎ側電極１０
５ｂとｐ側パッド電極１０５ａとをまず形成する第１工
程と、その第１工程の後に、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４の残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａ
の周縁部とを覆うように、透光性を有するｐ側オーミッ
ク電極を形成する第２工程とを含んでいる。
【００２３】ここでさらに、第１工程は、（１）ｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層１０４の表面の対角をなす
位置にある一対の隅部のうちの一方の隅部にｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２を露出させること、
（２）その露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０２表面にｎ側電極１０５ｂを形成すること、
（３）一対の隅部のうちの他方の隅部にワイヤーボンデ
ィング用のｐ側パッド電極１０５ａを形成することとを
含んでおり、この第１工程では、いずれもワイヤーボン
ディングされる電極であるｎ側電極１０５ｂとｐ側パッ
ド電極１０５ａとを形成する。
化ガリウム系化合物半導体層１０４の表面の対角をなす
位置にある一対の隅部のうちの一方の隅部にｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２を露出させること、
（２）その露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０２表面にｎ側電極１０５ｂを形成すること、
（３）一対の隅部のうちの他方の隅部にワイヤーボンデ
ィング用のｐ側パッド電極１０５ａを形成することとを
含んでおり、この第１工程では、いずれもワイヤーボン
ディングされる電極であるｎ側電極１０５ｂとｐ側パッ
ド電極１０５ａとを形成する。
【００２４】以上の第１工程で、ｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層１０２とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０４とに直接接するようにそれぞれ、ｎ側電極１０
５ｂとｐ側パッド電極１０５ａを形成した後、第２工程
で透光性を有するｐ側オーミック電極である第２のｐ側
電極１０８を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０
４の残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部とを
覆うように形成する。また、第２のｐ側電極１０８を形
成する第２工程は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０４上において第２のｐ側電極１０８を形成する領域
を開口させるようにその領域以外を覆ってマスキングす
る工程とを含み、そのマスキングされたマスクを用いて
第２のｐ側電極１０８を形成するようにすれば、容易に
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の残りの表面
とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部とを覆う第２のｐ側
電極１０８を形成することができる。すなわち、上述の
マスキング工程では、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０４のうちのｐ側パッド電極１０５ａが形成されて
いない残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部と
を開口させるようにマスクをする。
合物半導体層１０２とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０４とに直接接するようにそれぞれ、ｎ側電極１０
５ｂとｐ側パッド電極１０５ａを形成した後、第２工程
で透光性を有するｐ側オーミック電極である第２のｐ側
電極１０８を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０
４の残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部とを
覆うように形成する。また、第２のｐ側電極１０８を形
成する第２工程は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
１０４上において第２のｐ側電極１０８を形成する領域
を開口させるようにその領域以外を覆ってマスキングす
る工程とを含み、そのマスキングされたマスクを用いて
第２のｐ側電極１０８を形成するようにすれば、容易に
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の残りの表面
とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部とを覆う第２のｐ側
電極１０８を形成することができる。すなわち、上述の
マスキング工程では、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層１０４のうちのｐ側パッド電極１０５ａが形成されて
いない残りの表面とｐ側パッド電極１０５ａの周縁部と
を開口させるようにマスクをする。
【００２５】また、透光性の第２のｐ側電極１０８は、
２価イオンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ
よりなる群から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に
積層し、積層後にアニールする工程により形成すること
が好ましく、このような工程で形成することにより、良
好な透光性を有しかつ良好なオーミック接触が可能な第
２のｐ側電極を形成することができる。
２価イオンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ
よりなる群から選択した少なくとも１種とＡｕとを順に
積層し、積層後にアニールする工程により形成すること
が好ましく、このような工程で形成することにより、良
好な透光性を有しかつ良好なオーミック接触が可能な第
２のｐ側電極を形成することができる。
【００２６】また、本実施の形態の窒化ガリウム系化合
物半導体素子では、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極
１０５ｂとは同一組成とすることができ、ｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを同一組成とすると以下
のような工程上の利点がある。すなわち、ｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂとを形成する工程におい
て、該２つの電極が形成される部分を除いてマスクを形
成し（マスキング工程）、そのマスクを用いてｐ側パッ
ド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂとを同時に形成する
ことにより、製造工程を簡略化できる。
物半導体素子では、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極
１０５ｂとは同一組成とすることができ、ｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを同一組成とすると以下
のような工程上の利点がある。すなわち、ｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂとを形成する工程におい
て、該２つの電極が形成される部分を除いてマスクを形
成し（マスキング工程）、そのマスクを用いてｐ側パッ
ド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂとを同時に形成する
ことにより、製造工程を簡略化できる。
【００２７】本発明のｐ側パッド電極１０５ａおよびｎ
側電極１０５ｂの製造方法およびｐ側オーミック電極の
製造方法の具体例を図３を参照しながら簡単に説明する
（詳細には実施例において説明する。）。尚、本発明は
図３に示す方法に限定されるものではないことは言うま
でもない。
側電極１０５ｂの製造方法およびｐ側オーミック電極の
製造方法の具体例を図３を参照しながら簡単に説明する
（詳細には実施例において説明する。）。尚、本発明は
図３に示す方法に限定されるものではないことは言うま
でもない。
【００２８】まず、図３の（ａ）から（ｅ）に示すｐ側
パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを形成する工程
では、電極層１０５を窒化ガリウム系化合物半導体素子
の上面全面に形成し（図３（ｂ））、次にｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂに対応して電極材料を残
す部分（電極形成部）にレジスト１１１を塗布（図３
（ｃ））した後、レジスト１１１をマスクとして化学エ
ッチングを行って電極非形成部の電極材料を除去する。
その後、レジスト１１１を除去することによりｐ側パッ
ド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを形成する。そし
て、（ｆ）から（ｈ）のｐ側オーミック電極を形成する
工程では、まずｐ側オーミック電極を形成しない電極非
形成部にレジスト１１２を塗布した後、電極材料を全面
に形成し、最後にレジスト１１２上に形成された電極層
１０５をレジスト１１２とともに除去する（リフトオフ
法）。
パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを形成する工程
では、電極層１０５を窒化ガリウム系化合物半導体素子
の上面全面に形成し（図３（ｂ））、次にｐ側パッド電
極１０５ａとｎ側電極１０５ｂに対応して電極材料を残
す部分（電極形成部）にレジスト１１１を塗布（図３
（ｃ））した後、レジスト１１１をマスクとして化学エ
ッチングを行って電極非形成部の電極材料を除去する。
その後、レジスト１１１を除去することによりｐ側パッ
ド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを形成する。そし
て、（ｆ）から（ｈ）のｐ側オーミック電極を形成する
工程では、まずｐ側オーミック電極を形成しない電極非
形成部にレジスト１１２を塗布した後、電極材料を全面
に形成し、最後にレジスト１１２上に形成された電極層
１０５をレジスト１１２とともに除去する（リフトオフ
法）。
【００２９】以上のように、図３に示す製造工程では、
ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは同時に形
成することができるので、工程を短縮することができ
る。この場合、ｐ側パッド電極１０５ａ及びｎ側電極１
０５ｂを形成するために用いる電極材料は、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２と密着性が良い材料であ
るかつ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４とも
オーミック性および密着性が良い材料である必要があ
る。この条件を満たす電極材料としては、例えば、Ａｌ
単体、Ｔｉ／ＡｌやＷ／Ａｌなどが挙げられ、これらの
電極材料を積層して、アニーリングすることでｎ及びｐ
側電極としてオーミック性はもちろんのこと、ｎ側とｐ
側の窒化ガリウム系化合物半導体層のいずれの層に対し
ても良い密着性が得られる。
ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは同時に形
成することができるので、工程を短縮することができ
る。この場合、ｐ側パッド電極１０５ａ及びｎ側電極１
０５ｂを形成するために用いる電極材料は、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０２と密着性が良い材料であ
るかつ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４とも
オーミック性および密着性が良い材料である必要があ
る。この条件を満たす電極材料としては、例えば、Ａｌ
単体、Ｔｉ／ＡｌやＷ／Ａｌなどが挙げられ、これらの
電極材料を積層して、アニーリングすることでｎ及びｐ
側電極としてオーミック性はもちろんのこと、ｎ側とｐ
側の窒化ガリウム系化合物半導体層のいずれの層に対し
ても良い密着性が得られる。
【００３０】また、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極
１０５ｂは、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４
の上方から見て、平面形状が異なるように形成すること
が好ましく。例えば、図２に示すようにｎ側電極１０５
ｂを平面形状が円形となるように形成した場合、ｐ側パ
ッド電極１０５ａは平面形状が四角形となるように形成
する。ここで、本実施の形態では、ｐ側パッド電極１０
５ａは周縁部がｐ側オーミック電極１０８に覆われてい
るが、ｐ側オーミック電極が透光性を有すること、また
通常ｐ側パッド電極１０５ａはｐ側オーミック電極と比
べて膜厚がかなり大きく形成されることから、ワイヤー
ボンディングや実装の際にｐ側パッド電極１０５ａの形
状の識別は容易にできる。また、このことから、ｐ側パ
ッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは、平面形状が互
いに異なるように形成するようにすれば、ｐ側パッド電
極１０５ａの上面のうち、ｐ側オーミック電極で覆われ
ていない部分の形状は、ｎ側電極１０５ｂの平面形状と
同一であってもよい。
１０５ｂは、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４
の上方から見て、平面形状が異なるように形成すること
が好ましく。例えば、図２に示すようにｎ側電極１０５
ｂを平面形状が円形となるように形成した場合、ｐ側パ
ッド電極１０５ａは平面形状が四角形となるように形成
する。ここで、本実施の形態では、ｐ側パッド電極１０
５ａは周縁部がｐ側オーミック電極１０８に覆われてい
るが、ｐ側オーミック電極が透光性を有すること、また
通常ｐ側パッド電極１０５ａはｐ側オーミック電極と比
べて膜厚がかなり大きく形成されることから、ワイヤー
ボンディングや実装の際にｐ側パッド電極１０５ａの形
状の識別は容易にできる。また、このことから、ｐ側パ
ッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは、平面形状が互
いに異なるように形成するようにすれば、ｐ側パッド電
極１０５ａの上面のうち、ｐ側オーミック電極で覆われ
ていない部分の形状は、ｎ側電極１０５ｂの平面形状と
同一であってもよい。
【００３１】以上の説明した本発明に係る実施の形態の
窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、
図２に示すようにｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１
０５ｂを、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の
上方から見て対角をなす位置にそれぞれ形成している。
このような位置関係にすることで、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層１０４のほぼ全面を覆うｐ側パッド電極
１０５ａとｐ側オーミック電極とによってｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層１０４全体にわたって電流をほぼ
均一に流すことができ、均一な面発光が得られる。ま
た、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは金線
などのワイヤーとボンディングされるために、ワイヤー
の太さに合わせてある程度の大きさを必要とするが、ｐ
側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを上述の位置
関係にすることにより、発光面の中央部において光を遮
ることなく出力できる面の面積（発光面積）を大きくと
ることができる。
窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法において、
図２に示すようにｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１
０５ｂを、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の
上方から見て対角をなす位置にそれぞれ形成している。
このような位置関係にすることで、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層１０４のほぼ全面を覆うｐ側パッド電極
１０５ａとｐ側オーミック電極とによってｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層１０４全体にわたって電流をほぼ
均一に流すことができ、均一な面発光が得られる。ま
た、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂは金線
などのワイヤーとボンディングされるために、ワイヤー
の太さに合わせてある程度の大きさを必要とするが、ｐ
側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５ｂを上述の位置
関係にすることにより、発光面の中央部において光を遮
ることなく出力できる面の面積（発光面積）を大きくと
ることができる。
【００３２】また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導
体素子では、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５
ｂをｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４側から見
て、それぞれの平面形状が異なるように形成しているの
で、ワイヤーボンディング、又は実装の際の画像認識に
よりｎ側であるかｐ側であるか識別することが可能とな
り、実装歩留を向上させることができる。
体素子では、ｐ側パッド電極１０５ａとｎ側電極１０５
ｂをｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４側から見
て、それぞれの平面形状が異なるように形成しているの
で、ワイヤーボンディング、又は実装の際の画像認識に
よりｎ側であるかｐ側であるか識別することが可能とな
り、実装歩留を向上させることができる。
【００３３】変形例．以上の実施の形態では、ワイヤー
ボンディングされる窒化ガリウム系化合物半導体素子に
ついて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、フリップチップボンディングされる窒化ガリウム系
化合物半導体素子に適用しても上述の実施の形態と同様
の作用効果を有する。すなわち、フリップチップボンデ
ィングとは、例えば、図１に示す素子のｎ側電極１０５
ｂとｐ側パッド電極１０５ａとをそれぞれ実装基板の負
側及び正側の電極に対向させて直接、はんだ等により接
合するものであるが、実施の形態で説明したように、ｐ
側オーミック電極の材料のｐ側パッド電極へのマイグレ
ーションを抑制できるので、ｐ側パッド電極１０５ａと
半田との接着力を劣化させることがない。従って、フリ
ップチップボンディングをする場合においても、ｐ側パ
ッド電極１０５ａと半田との界面等における剥離を防止
でき、ボンディングする箇所における接着力の低下を防
止することができる。
ボンディングされる窒化ガリウム系化合物半導体素子に
ついて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、フリップチップボンディングされる窒化ガリウム系
化合物半導体素子に適用しても上述の実施の形態と同様
の作用効果を有する。すなわち、フリップチップボンデ
ィングとは、例えば、図１に示す素子のｎ側電極１０５
ｂとｐ側パッド電極１０５ａとをそれぞれ実装基板の負
側及び正側の電極に対向させて直接、はんだ等により接
合するものであるが、実施の形態で説明したように、ｐ
側オーミック電極の材料のｐ側パッド電極へのマイグレ
ーションを抑制できるので、ｐ側パッド電極１０５ａと
半田との接着力を劣化させることがない。従って、フリ
ップチップボンディングをする場合においても、ｐ側パ
ッド電極１０５ａと半田との界面等における剥離を防止
でき、ボンディングする箇所における接着力の低下を防
止することができる。
【００３４】
【実施例】次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
だけに限定されるものではない。 ［実施例１］図３は本発明の製造方法の一実施例を示し
たものである。実施例１では、まず、サファイアからな
る窒化ガリウムとは異なる異種基板１０１上に、Ｓｉド
ープＧａＮからなるｎ型を示す窒化ガリウム系化合物半
導体層１０２を形成する。続いてＧａＮからなる単一量
子井戸または多重量子井戸の活性層１０３、さらにＭｇ
ドープＧａＮからなるｐ型を示す窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４を形成する。そして、図３（ａ）に示す
ように、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の一
部を除去しｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２を
露出させる。
だけに限定されるものではない。 ［実施例１］図３は本発明の製造方法の一実施例を示し
たものである。実施例１では、まず、サファイアからな
る窒化ガリウムとは異なる異種基板１０１上に、Ｓｉド
ープＧａＮからなるｎ型を示す窒化ガリウム系化合物半
導体層１０２を形成する。続いてＧａＮからなる単一量
子井戸または多重量子井戸の活性層１０３、さらにＭｇ
ドープＧａＮからなるｐ型を示す窒化ガリウム系化合物
半導体層１０４を形成する。そして、図３（ａ）に示す
ように、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０４の一
部を除去しｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０２を
露出させる。
【００３５】次に、ｐ型およびｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層表面の全面を覆うようにｎ側電極１０５ｂ及
びｐ側パッド電極１０５ａを形成するためのＷ／Ａｌか
らなる電極層１０５を２００オングストローム（Ｗ）／
１００００オングストローム（Ａｌ）の膜厚で積層し、
アニール処理をする（図３（ｂ））。尚、ｎ側電極１０
５ｂ及びｐ側パッド電極１０５ａとなる電極層として、
ＷまたはＴｉとＡｌとの積層体を用いるときは、Ｗまた
はＴｉの膜厚を１０〜５００オングストローム、Ａｌの
膜厚を３０００〜１５０００オングストロームとするこ
とが好ましく、このようにするとワイヤーボンディング
が容易となる。
物半導体層表面の全面を覆うようにｎ側電極１０５ｂ及
びｐ側パッド電極１０５ａを形成するためのＷ／Ａｌか
らなる電極層１０５を２００オングストローム（Ｗ）／
１００００オングストローム（Ａｌ）の膜厚で積層し、
アニール処理をする（図３（ｂ））。尚、ｎ側電極１０
５ｂ及びｐ側パッド電極１０５ａとなる電極層として、
ＷまたはＴｉとＡｌとの積層体を用いるときは、Ｗまた
はＴｉの膜厚を１０〜５００オングストローム、Ａｌの
膜厚を３０００〜１５０００オングストロームとするこ
とが好ましく、このようにするとワイヤーボンディング
が容易となる。
【００３６】次に、電極層１０５上における、ｎ側電極
１０５ｂおよびｐ側パッド電極１０５ａを形成する各位
置にマスク１１１を形成し（図３（ｃ））、ＲＩＥ（リ
アクティブイオンエッチング）でマスク１１１で覆われ
ていない部分のＷ／Ａｌを除去する（図３（ｄ））。次
にこのマスク１１１を除去し、今度はｐ側オーミック電
極１０８の非形成部にマスク１１２を形成する（図３
（ｆ））。そしてｐ側オーミック電極１０８としてＮｉ
／Ａｕを総膜厚が５００オングストロームとなるように
積層し、アニール処理をする（図３（ｇ））。このよう
にｐ側オーミック電極１０８をＡｕを含む２層構造と
し、アニール処理をする場合、その総膜厚は５０〜１０
００オングストロームとすることが望ましい。
１０５ｂおよびｐ側パッド電極１０５ａを形成する各位
置にマスク１１１を形成し（図３（ｃ））、ＲＩＥ（リ
アクティブイオンエッチング）でマスク１１１で覆われ
ていない部分のＷ／Ａｌを除去する（図３（ｄ））。次
にこのマスク１１１を除去し、今度はｐ側オーミック電
極１０８の非形成部にマスク１１２を形成する（図３
（ｆ））。そしてｐ側オーミック電極１０８としてＮｉ
／Ａｕを総膜厚が５００オングストロームとなるように
積層し、アニール処理をする（図３（ｇ））。このよう
にｐ側オーミック電極１０８をＡｕを含む２層構造と
し、アニール処理をする場合、その総膜厚は５０〜１０
００オングストロームとすることが望ましい。
【００３７】最後にマスク１１２を除去し、ｎ側電極お
よびｐ側パッド電極上にボール１０９を介してワイヤー
１１０を接続すると図３（ｈ）に示す構造が得られる。
よびｐ側パッド電極上にボール１０９を介してワイヤー
１１０を接続すると図３（ｈ）に示す構造が得られる。
【００３８】［実施例２］異種基板１０１上にｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層１０４までを形成し、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層１０２を露出させるまでは
実施例１と同様にする。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層１０２を露出させた後、まずｎ側電極を形成する。
具体的には、ｎ側電極の非形成部をマスクで覆い、ｎ側
電極１０５ｂとしてＷ／Ａｌを２００オングストローム
／１００００オングストロームの膜厚で積層し、アニー
ル処理をする。このようにｎ側電極としてＷまたはＴｉ
とＡｌとの積層体を用いるとき、ｎ側電極１０６の膜厚
は、実施例１のｎ側電極１０５ａと同様の範囲にするこ
とが望ましい。
ガリウム系化合物半導体層１０４までを形成し、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層１０２を露出させるまでは
実施例１と同様にする。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層１０２を露出させた後、まずｎ側電極を形成する。
具体的には、ｎ側電極の非形成部をマスクで覆い、ｎ側
電極１０５ｂとしてＷ／Ａｌを２００オングストローム
／１００００オングストロームの膜厚で積層し、アニー
ル処理をする。このようにｎ側電極としてＷまたはＴｉ
とＡｌとの積層体を用いるとき、ｎ側電極１０６の膜厚
は、実施例１のｎ側電極１０５ａと同様の範囲にするこ
とが望ましい。
【００３９】次にマスクを除去し、ｐ側パッド電極１０
７の非形成部をマスクで覆い、Ｎｉ層を１０００オング
ストロームの厚さに形成し、Ａｕ層を８０００オングス
トロームの厚さに形成することにより、Ｎｉ（１０００
オングストローム）／Ａｕ（８０００オングストロー
ム）からなる２層構造のｐ側パッド電極１０７を形成す
る。尚、このようにｐ側パッド電極１０７をｎ側電極１
０６と同一のものではなく、ＮｉなどとＡｕを積層した
だけの２層構造とする場合、Ｎｉなどを５００〜２００
０オングストローム、Ａｕは３０００〜１５０００オン
グストロームとすることが望ましい。そして、マスク除
去した後、今度はｐ側オーミック電極１０８の非形成部
をマスクで覆い、ｐ側オーミック電極１０８としてＮｉ
／Ａｕを総膜厚が５００オングストロームとなるように
積層し、アニール処理をする。これらの膜厚は実施例１
のｐ側オーミック電極の膜厚と同様の範囲とすることが
望ましい。
７の非形成部をマスクで覆い、Ｎｉ層を１０００オング
ストロームの厚さに形成し、Ａｕ層を８０００オングス
トロームの厚さに形成することにより、Ｎｉ（１０００
オングストローム）／Ａｕ（８０００オングストロー
ム）からなる２層構造のｐ側パッド電極１０７を形成す
る。尚、このようにｐ側パッド電極１０７をｎ側電極１
０６と同一のものではなく、ＮｉなどとＡｕを積層した
だけの２層構造とする場合、Ｎｉなどを５００〜２００
０オングストローム、Ａｕは３０００〜１５０００オン
グストロームとすることが望ましい。そして、マスク除
去した後、今度はｐ側オーミック電極１０８の非形成部
をマスクで覆い、ｐ側オーミック電極１０８としてＮｉ
／Ａｕを総膜厚が５００オングストロームとなるように
積層し、アニール処理をする。これらの膜厚は実施例１
のｐ側オーミック電極の膜厚と同様の範囲とすることが
望ましい。
【００４０】最後にマスクを除去し、ｎ側電極およびｐ
側パッド電極上にボールを介してワイヤーを接続する。
この製造方法によって得られた窒化ガリウム系化合物半
導体素子は素子の断面は図５に示すようになる。このよ
うに、実施例２ではｐ側パッド電極１０７をＮｉ／Ａｕ
とすることにより、ｐ側パッド電極１０７をｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０４とのオーミック性が良好
でかつ密着力の強いパッド電極とできる。すなわち、実
施例２ではｎ側電極１０６をＷ／Ａｌとし、ｐ側パッド
電極１０７をＮｉ／Ａｕとしているので、実施例１に比
較して製造工程は複雑になるが、ｎ側電極１０６及びｐ
側パッド電極１０７をそれぞれ最も適した電極材料で形
成することができる。
側パッド電極上にボールを介してワイヤーを接続する。
この製造方法によって得られた窒化ガリウム系化合物半
導体素子は素子の断面は図５に示すようになる。このよ
うに、実施例２ではｐ側パッド電極１０７をＮｉ／Ａｕ
とすることにより、ｐ側パッド電極１０７をｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層１０４とのオーミック性が良好
でかつ密着力の強いパッド電極とできる。すなわち、実
施例２ではｎ側電極１０６をＷ／Ａｌとし、ｐ側パッド
電極１０７をＮｉ／Ａｕとしているので、実施例１に比
較して製造工程は複雑になるが、ｎ側電極１０６及びｐ
側パッド電極１０７をそれぞれ最も適した電極材料で形
成することができる。
【００４１】［実施例３］本発明に係る実施例３の窒化
ガリウム系化合物半導体素子は、ｐ側パッド電極１０５
ａとしてＡｕを１００００オングストロームの膜厚で形
成した以外は、実施例２と同様にしている。すなわち、
実施例３はｐ側パッド電極１０５ａをＡｕ単層で形成す
ることにより、実施例２において工程の簡略化を図った
ものである。尚、実施例３のように、ｐ側パッド電極を
Ａｕの単層とする場合、膜厚は３０００〜１５０００オ
ングストロームとすることが望ましい。このように本発
明では、ｐ側パッド電極をＡｕの単層で形成することも
できる。
ガリウム系化合物半導体素子は、ｐ側パッド電極１０５
ａとしてＡｕを１００００オングストロームの膜厚で形
成した以外は、実施例２と同様にしている。すなわち、
実施例３はｐ側パッド電極１０５ａをＡｕ単層で形成す
ることにより、実施例２において工程の簡略化を図った
ものである。尚、実施例３のように、ｐ側パッド電極を
Ａｕの単層とする場合、膜厚は３０００〜１５０００オ
ングストロームとすることが望ましい。このように本発
明では、ｐ側パッド電極をＡｕの単層で形成することも
できる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子の製造方法によって、電極に特徴
を有する素子構造が提供でき、この構造によってワイヤ
ー等と素子とが剥がれ難くなり、信頼性が大幅に向上
し、さらに製造工程が簡略化されたことで、歩留の向上
も可能となった。
ム系化合物半導体素子の製造方法によって、電極に特徴
を有する素子構造が提供でき、この構造によってワイヤ
ー等と素子とが剥がれ難くなり、信頼性が大幅に向上
し、さらに製造工程が簡略化されたことで、歩留の向上
も可能となった。
【図１】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体
素子の一実施の形態を示した模式断面図。
製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体
素子の一実施の形態を示した模式断面図。
【図２】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体
素子の一実施の形態を示した窒化ガリウム系化合物半導
体側から見た平面図。
製造方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体
素子の一実施の形態を示した窒化ガリウム系化合物半導
体側から見た平面図。
【図３】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法の一実施の製造工程を示した模式断面図。
製造方法の一実施の製造工程を示した模式断面図。
【図４】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体素子
の一実施の形態を従来の製造方法によって得られる窒化
ガリウム系化合物半導体素子と比較したときの模式断面
図（（ａ）本発明によって得られる素子、（ｂ）従来の
製造方法によって得られる素子）。
方法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体素子
の一実施の形態を従来の製造方法によって得られる窒化
ガリウム系化合物半導体素子と比較したときの模式断面
図（（ａ）本発明によって得られる素子、（ｂ）従来の
製造方法によって得られる素子）。
【図５】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子の
製造方法の他の実施によって得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の形態を示した模式断面図。
製造方法の他の実施によって得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の形態を示した模式断面図。
【図６】 従来の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体素子の
一実施の形態を示した模式断面図。
法によって得られる窒化ガリウム系化合物半導体素子の
一実施の形態を示した模式断面図。
１０１・・・基板、 １０２・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、 １０３・・・活性層、 １０４・・・ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層、 １０５・・・電極層、 １０５ｂ，１０６・・・ｎ側電極、 １０５ａ，１０７・・・ｐ側パッド電極（第１のｐ側電
極）、 １０８・・・ｐ側オーミック電極（第２のｐ側電極）、 １０９・・・ボール、 １１０・・・ワイヤー、 １１１、１１２・・・マスク。
極）、 １０８・・・ｐ側オーミック電極（第２のｐ側電極）、 １０９・・・ボール、 １１０・・・ワイヤー、 １１１、１１２・・・マスク。
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を積層
し、該ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側
電極が、一方ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部
が除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層の表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形
成されたｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することに
より発光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造
する方法において、 上記ｐ側電極とｎ側電極を形成する工程は、 上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の対角を
なす位置にある一対の隅部のうちの一方の隅部にｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層を露出させ、その表面にｎ
側電極を形成し、他方の隅部にｐ側パッド電極として第
１のｐ側電極を形成する工程と、 上記第１のｐ側電極および上記ｎ側電極を形成後、上記
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の残りの表面と上記
第１のｐ側電極の周縁部とを覆うように、透光性を有す
るｐ側オーミック電極として第２のｐ側電極を形成する
工程とからなり、上記第１のｐ側電極と上記第２のｐ側
電極とからなるｐ側電極と上記ｎ側電極とを形成するこ
とを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造
方法。 - 【請求項２】 上記第２のｐ側電極を形成する工程は、 上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上において上記
第２のｐ側電極を形成する領域を開口させるように該領
域以外をマスキングする工程と、 上記領域に、２価イオンとなりうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群から選択した少なくとも１種
とＡｕとを順に積層する工程と、 積層後にアニールする工程とを含んでなることを特徴と
する請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子
の製造方法。 - 【請求項３】 上記第１のｐ側電極はｎ側電極と同一組
成であって、 上記第１のｐ側電極とｎ側電極を形成する工程は、該２
つの電極が形成される部分を除いてマスクを形成するマ
スキング工程と、 上記マスクを用いて該第１のｐ側電極とｎ側電極を同時
に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または
請求項２のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導
体素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記第１のｐ側電極とｎ側電極とを、ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の上方から見て平面形
状が互いに異なるように形成することを特徴とする請求
項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の窒化ガ
リウム系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層さ
れ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ側電
極が、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去
されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面にｎ側電極が形成され、それら同一面側に形成され
たｐ側電極とｎ側電極とを介して通電することにより発
光させる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、 上記ｎ側電極は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
表面の対角をなす位置にある一対の隅部のうちの一方の
隅部において露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層表面に形成され、 上記ｐ側電極は、他方の隅部のｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層表面隅部にｐ側パッド電極として形成された
第１のｐ側電極と、該第１のｐ側電極が形成されていな
いｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の残りの表面と上
記第１のｐ側電極の周縁部とを覆うように形成された透
光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオ
ーミック接触する第２のｐ側電極とを有してなることを
特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。 - 【請求項６】 上記第２のｐ側電極は、２価イオンとな
りうる、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群から
選択した少なくとも１種とＡｕとを順に積層後、アニー
ルした合金であることを特徴とする請求項５に記載の窒
化ガリウム系化合物半導体素子。 - 【請求項７】 上記第１のｐ側電極とｎ側電極は、実質
的に同一の膜厚を有しかつ同一の金属材料からなること
を特徴とする請求項５または請求項６のいずれかに記載
の窒化ガリウム系化合物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34866799A JP2001196631A (ja) | 1999-10-29 | 1999-12-08 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30892399 | 1999-10-29 | ||
| JP11-308923 | 1999-10-29 | ||
| JP34866799A JP2001196631A (ja) | 1999-10-29 | 1999-12-08 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196631A true JP2001196631A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=26565742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34866799A Pending JP2001196631A (ja) | 1999-10-29 | 1999-12-08 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001196631A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229187A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 |
| JP2007173575A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2008508726A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | クリー インコーポレイテッド | Ｐ型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2013191900A (ja) * | 2013-07-05 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| RU2523777C2 (ru) * | 2009-05-06 | 2014-07-20 | ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи | Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией |
-
1999
- 1999-12-08 JP JP34866799A patent/JP2001196631A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008508726A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | クリー インコーポレイテッド | Ｐ型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
| US8089090B2 (en) | 2004-07-27 | 2012-01-03 | Cree, Inc. | Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices |
| KR101335168B1 (ko) | 2004-07-27 | 2013-11-29 | 크리 인코포레이티드 | Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 |
| US8759868B2 (en) | 2004-07-27 | 2014-06-24 | Cree, Inc. | Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices |
| JP2006229187A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 |
| JP2007173575A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法 |
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| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2013191900A (ja) * | 2013-07-05 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050817 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050817 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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