JP2013191900A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013191900A JP2013191900A JP2013141322A JP2013141322A JP2013191900A JP 2013191900 A JP2013191900 A JP 2013191900A JP 2013141322 A JP2013141322 A JP 2013141322A JP 2013141322 A JP2013141322 A JP 2013141322A JP 2013191900 A JP2013191900 A JP 2013191900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- light emitting
- electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 423
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 527
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150027751 Casr gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018250 LaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと絶縁層20と第2導電部30bと封止部50とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第1半導体層、発光層及び第2半導体層を含む半導体積層体10と、第2主面10aの側で第1、第2半導体層に接続された第1、第2電極14、15と、を含む。第1導電部は、第1電極に接続され、第2半導体層と離間しつつ第2半導体層の一部12pを覆う第1柱部31aを含む。絶縁層20は第2半導体層と第1柱部との間に設けられる。第2導電部は第2電極に接続され第2主面の上に立設される。封止部は第1、第2導電部の側面を覆う。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図1(b)は模式的平面図であり、図1(a)は、図1(b)のA−A’線断面図である。
半導体積層体10は、第1導電形の第1半導体層11と、第2導電形の第2半導体層12と、第1半導体層11と第2半導体層12との間に設けられた発光層13と、を含む。
このため、半導体発光装置110において良好な接続性を得るためには、封止部50から露出する第1導電部30aの第1端面31aeの面積、及び、封止部50から露出する第2導電部30bの第2端面31beの面積をできるだけ大きくすることが望ましい。また、第1端面31aeと第2端面31beとの間隔は、例えば、第1端面31aeの辺の長さ(例えばX軸方向に沿った辺の長さ)程度に広く設定されることが望ましい。
半導体発光装置110のX軸方向に沿った辺の長さは、例えば600μmとすることができる。半導体発光装置110のY軸方向に沿った辺の長さは、例えば300μmとすることができる。以下では、半導体発光装置110のX軸方向に沿った辺の長さが600μmであり、Y軸方向に沿った辺の長さが300μmである場合についての構成の例について説明する。
X軸方向(第1柱部31aから第2柱部31bに向かう方向)に沿った半導体発光装置110の長さは、Y軸方向(第1柱部31aから第2柱部31bに向かう方向と、第2主面10aから第1主面10bに向かう方向と、に対して直交する方向)に沿った半導体発光装置110の長さよりも長く設定することができる。
これにより、X軸方向に沿って第1端面31aeと第2端面31beとを配置したときにおいて、第1端面31aeのサイズと第2端面31beのサイズと、を大きく設定できる。これにより、電極の接続性がより向上できる。
なお、第1電極14は、導電層と、導電層と第1半導体層11との間に設けられた反射層と、を含んでも良い。このように、第1電極14は積層構造を有することができる。
図2(a)〜図2(e)、図3(a)〜図3(e)、及び、図4(a)〜図4(e)は、第1の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
すなわち、これらの図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
本製造方法は、複数の半導体発光装置110をウェーハレベルで一括して製造する方法である。
すなわち、これらの図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
このように、透光部62の形状は任意である。
図7(a)及び図7(b)は、第2の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図7(b)は模式的平面図であり、図7(a)は、図7(b)のB−B’線断面図である。
これらの図は、Z軸方向に沿って半導体発光装置をみたときの、第1端面31ae及び第2端面31beの形状を例示している。
図10は、第3の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
すなわち、同図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
図12は、第4の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
図13は、第5の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
すなわち、同図は、図1(b)のA−A’線断面に相当する断面図である。
図14(a)及び図14(b)は、第6の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式図である。
すなわち、図14(b)は模式的平面図であり、図14(a)は、図14(b)のC−C’線断面図である。
図15は、第7の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
本実施形態は、上記の実施形態に係るいずれかの半導体発光装置を製造する方法である。すなわち、本製造方法は、第1導電形の第1半導体層11と、第2導電形の第2半導体層12と、第1半導体層11と第2半導体層12との間に設けられた発光層13と、を含み、第1半導体層11の側の第1主面10bと第2半導体層12の側の第2主面10aとを有し、第2半導体層12及び発光層13が選択的に除去されて第2主面10aにおいて第1半導体層11の一部が露出した半導体積層体10と、第2主面10aの側において第1半導体層11に電気的に接続された第1電極14と、第2主面10aの側において第2半導体層12に電気的に接続された第2電極15と、を含む発光部10dと、第1電極14に電気的に接続された第1導電部30aであって、第2半導体層12と離間しつつ第2半導体層12の第2主面10aの側の一部12pを覆い第2主面10aの上に立設された第1柱部31aを含む第1導電部30aと、第2半導体層12の第2主面10aの側の一部12pと、第1柱部31aと、の間に設けられた絶縁層20と、第2電極15に電気的に接続され、第2主面10aの上に立設された第2柱部31bを含む第2導電部30bと、第1導電部30aの側面及び第2導電部30bの側面を覆う封止部50と、半導体積層体10の第1主面10bに設けられた光学層であって、発光層13から放出された発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部(蛍光体層61)を含む光学層60と、を有する半導体発光装置の製造方法である。
Y2O2S:Eu、
Y2O2S:Eu+顔料、
Y2O3:Eu、
Zn3(PO4)2:Mn、
(Zn,Cd)S:Ag+In2O3、
(Y,Gd,Eu)BO3、
(Y,Gd,Eu)2O3、
YVO4:Eu、
La2O2S:Eu,Sm、
LaSi3N5:Eu2+、
α−sialon:Eu2+、
CaAlSiN3:Eu2+、
CaSiNX:Eu2+、
CaSiNX:Ce2+、
M2Si5N8:Eu2+、
CaAlSiN3:Eu2+、
(SrCa)AlSiN3:EuX+、
Srx(SiyAl3)z(OxN):EuX+ 。
ZnS:Cu,Al、
ZnS:Cu,Al+顔料、
(Zn,Cd)S:Cu,Al、
ZnS:Cu,Au,Al,+顔料、
Y3Al5O12:Tb、
Y3(Al,Ga)5O12:Tb、
Y2SiO5:Tb、
Zn2SiO4:Mn、
(Zn,Cd)S:Cu、
ZnS:Cu、
Zn2SiO4:Mn、
ZnS:Cu+Zn2SiO4:Mn、
Gd2O2S:Tb、
(Zn,Cd)S:Ag、
ZnS:Cu,Al、
Y2O2S:Tb、
ZnS:Cu,Al+In2O3、
(Zn,Cd)S:Ag+In2O3、
(Zn,Mn)2SiO4、
BaAl12O19:Mn、
(Ba,Sr,Mg)O・aAl2O3:Mn、
LaPO4:Ce,Tb、
Zn2SiO4:Mn、
ZnS:Cu、
3(Ba,Mg,Eu,Mn)O・8Al2O3、
La2O3・0.2SiO2・0.9P2O5:Ce,Tb、
CeMgAl11O19:Tb、
CaSc2O4:Ce、
(BrSr)SiO4:Eu、
α−sialon:Yb2+、
β−sialon:Eu2+、
(SrBa)YSi4N7:Eu2+、
(CaSr)Si2O4N7:Eu2+、
Sr(SiAl)(ON):Ce 。
ZnS:Ag、
ZnS:Ag+顔料、
ZnS:Ag,Al、
ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl、
ZnS:Ag+In2O3、
ZnS:Zn+In2O3、
(Ba,Eu)MgAl10O17、
(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、
Sr10(PO4)6Cl2:Eu、
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al10O17、
10(Sr,Ca,Ba,Eu)・6PO4・Cl2、
BaMg2Al16O25:Eu 。
Li(Eu,Sm)W2O8、
(Y,Gd)3,(Al,Ga)5O12:Ce3+、
Li2SrSiO4:Eu2+、
(Sr(Ca,Ba))3SiO5:Eu2+、
SrSi2ON2.7:Eu2+ 。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (12)
- 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第1半導体層の側の第1主面と前記第2半導体層の側の第2主面とを有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第2主面上に設けられた第1電極と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第2主面上に設けられた第2電極と、
を含む発光部と、
前記第1電極に電気的に接続された第1導電部であって、前記第2半導体層と離間しつつ前記第2半導体層の前記第2主面の側の一部を覆い前記第2主面に立設された第1柱部を含む前記第1導電部と、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部と、前記第1柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第2電極に電気的に接続された第2導電部であって、前記第2主面の上に立設された第2柱部を含む第2導電部と、
前記第1導電部と前記第2導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、
を備え、
前記第1導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記第1電極と前記第1柱部とを電気的に接続する第1接続部をさらに含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1導電部は、前記第1電極と前記第2電極との間を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 第2電極と第2柱部とを電気的に接続する第2接続部をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部をさらに備えた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1導電部の前記半導体積層体とは反対側の第1端面と、前記第2導電部の前記半導体積層体とは反対側の第2端面と、は、非対称であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1導電部は、前記第1導電部の前記半導体積層体とは反対側の第1端面に設けられ、前記第1柱部に用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する第1表面層をさらに有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1柱部は、前記第1柱部の側面に設けられた第1粗面化部を有していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記封止部は、第1封止層と、前記第1封止層よりも前記第1半導体層から遠い第2封止層と、を含む部分を有し、
前記第1封止層は、前記第2封止層の耐熱性よりも高い耐熱性を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記第2主面から前記第1主面に向かう方向に対して垂直な平面内において、前記半導体積層体の少なくとも1つの辺に対向して設けられ、前記半導体積層体に用いられる材料からなり、前記封止部に覆われた周辺積層部をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 蛍光体を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の前記半導体積層体とは反対側に設けられ前記蛍光体層の硬度よりも高い硬度を有する硬質膜と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第1半導体層の側の第1主面と前記第2半導体層の側の第2主面とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第2主面上に設けられた第1電極と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第2主面上に設けられた第2電極と、を含む発光部と、前記第1電極に電気的に接続された第1導電部であって、前記第2半導体層と離間しつつ前記第2半導体層の前記第2主面の側の一部を覆い前記第2主面に立設された第1柱部を含む前記第1導電部と、前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部と、前記第1柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第2電極に電気的に接続された第2導電部であって、前記第2主面の上に立設された第2柱部を含む第2導電部と、前記第1導電部と前記第2導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、を備え、前記第1導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記第1電極と前記第1柱部とを電気的に接続する第1接続部をさらに含む半導体発光装置の製造方法であって、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第1導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記絶縁層の形成と、前記導電膜の形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項10記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013141322A JP5695706B2 (ja) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013141322A JP5695706B2 (ja) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010130519A Division JP5414627B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232413A Division JP2015043462A (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191900A true JP2013191900A (ja) | 2013-09-26 |
JP2013191900A5 JP2013191900A5 (ja) | 2013-11-07 |
JP5695706B2 JP5695706B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=49391782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013141322A Active JP5695706B2 (ja) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5695706B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015119014A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びその電極形成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163531A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 周縁に電極を有する発光ダイオード |
JPH11177131A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 |
JP2001196631A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 |
JP2002118293A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
WO2006035664A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置 |
JP2006237104A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サージ保護用半導体素子およびその製造方法 |
JP2010517289A (ja) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー インコーポレイテッド | ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置 |
-
2013
- 2013-07-05 JP JP2013141322A patent/JP5695706B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163531A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 周縁に電極を有する発光ダイオード |
JPH11177131A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 |
JP2001196631A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 |
JP2002118293A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
WO2006035664A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置 |
JP2006237104A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サージ保護用半導体素子およびその製造方法 |
JP2010517289A (ja) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー インコーポレイテッド | ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015119014A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びその電極形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5695706B2 (ja) | 2015-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5414627B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5398644B2 (ja) | 半導体発光装置を用いた光源装置 | |
JP5426481B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5356312B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5325834B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
TWI438947B (zh) | 半導體發光裝置之製造方法 | |
JP5414579B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5449039B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US8866179B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP5657591B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2013201273A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20130106869A (ko) | 발광 장치, 발광 모듈 및 발광 장치의 제조 방법 | |
JP2011253999A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6201675B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
US20140063822A1 (en) | Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board | |
JP2011258673A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2015043462A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5695706B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5592963B2 (ja) | 半導体発光装置を用いた光源装置 | |
JP2011258674A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5537700B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2014187405A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140606 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150206 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5695706 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |