JP2013191900A5

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Publication number: JP2013191900A5
Application number: JP2013141322A
Authority: JP
Filing date: 2013-07-05
Publication date: 2013-11-07
Anticipated expiration: 2030-06-07

Description

本発明の実施形態によれば、発光部と、第１導電部と、絶縁層と、第２導電部と、封止部と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記発光部は、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第２主面上に設けられた第１電極と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、を含む。前記第１導電部は、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられる、前記第２導電部は、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む。前記封止部は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている。前記第１導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含む。前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１接続部と、の間に配置され、前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記平面に前記第１柱部を投影した面積よりも小さく、前記第２導電部は、前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含み、前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記平面に前記第２柱部を投影した面積よりも大きく、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２接続部とが重なっていない。
本発明の実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられていない第１電極と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、を備え、前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面の面積よりも小さく、前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面の面積よりも大きく、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２導電部とが重なっていないことを特徴とする半導体発光装置が提供される。

本発明の別の実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられていない第１電極と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、を備え、前記第１導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含み、前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１接続部と、の間に配置され、前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記平面に前記第１柱部を投影した面積よりも小さく、前記第２導電部は、前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含み、前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記平面に前記第２柱部を投影した面積よりも大きく、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２接続部とが重なっていない半導体発光装置の製造方法が提供される。前記製造方法は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成する。

Claims

第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第２主面上に設けられた第１電極と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、
を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、
を備え、
前記第１導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含み、前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１接続部と、の間に配置され、
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記平面に前記第１柱部を投影した面積よりも小さく、
前記第２導電部は、前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含み、
前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記平面に前記第２柱部を投影した面積よりも大きく、
前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２接続部とが重なっていないことを特徴とする半導体発光装置。
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第２主面上に設けられた第１電極と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、
を含む発光部と、
前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、
前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、
を備え、
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面の面積よりも小さく、
前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面の面積よりも大きく、
前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２導電部とが重なっていないことを特徴とする半導体発光装置。
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記第１導電部の少なくとも一部は、前記第１電極の少なくとも一部に重なる請求項１または２に記載の半導体発光装置。
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記第２導電部の少なくとも一部は、前記第２電極の少なくとも一部と重なる請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面と、前記第２導電部の前記半導体積層体とは反対側の第２端面と、は、非対称であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第１導電部は、前記第１導電部の前記半導体積層体とは反対側の第１端面に設けられ、前記第１柱部に用いられる材料の濡れ性よりも高い濡れ性を有する第１表面層をさらに有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第１柱部は、前記第１柱部の側面に設けられた第１粗面化部を有していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記封止部は、第１封止層と、前記第１封止層よりも前記第１半導体層から遠い第２封止層と、を含む部分を有し、
前記第１封止層は、前記第２封止層の耐熱性よりも高い耐熱性を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面内において、前記半導体積層体の少なくとも１つの辺に対向して設けられ、前記半導体積層体に用いられる材料からなり、前記封止部に覆われた周辺積層部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
蛍光体を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の前記半導体積層体とは反対側に設けられ前記蛍光体層の硬度よりも高い硬度を有する硬質膜と、をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第１半導体層の側の第１主面と前記第２半導体層の側の第２主面とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第２主面上に設けられた第１電極と、前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第２主面上に設けられた第２電極と、を含む発光部と、前記第１電極に電気的に接続された第１導電部であって、前記第２半導体層と離間しつつ前記第２半導体層の前記第２主面の側の一部を覆い前記第２主面に立設された第１柱部を含む前記第１導電部と、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１柱部と、の間に設けられた絶縁層と、前記第２電極に電気的に接続された第２導電部であって、前記第２主面の上に立設された第２柱部を含む第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、を備え、前記第１導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い前記第１電極と前記第１柱部とを電気的に接続する第１接続部をさらに含み、前記絶縁層は、前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部と、前記第１接続部と、の間に配置され、前記第２主面から前記第１主面に向かう方向に対して垂直な平面に前記第１電極を投影した面積は、前記平面に前記第１柱部を投影した面積よりも小さく、前記第２導電部は、前記第２電極と前記第２柱部とを電気的に接続する第２接続部をさらに含み、前記平面に前記第２接続部を投影した面積は、前記平面に前記第２柱部を投影した面積よりも大きく、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう積層方向からみたときに、前記第１導電部と前記第２接続部とが重なっていない半導体発光装置の製造方法であって、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層を形成し、
前記第２半導体層の前記第２主面の側の前記一部を覆う前記絶縁層の上に、前記第１導電部の少なくとも一部となる導電膜を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
前記絶縁層の形成と、前記導電膜の形成と、は、
複数の前記半導体積層体が設けられた基板において、前記複数の半導体積層体について一括して実施されることを特徴とする請求項１２記載の半導体発光装置の製造方法。