JPH11177131A - 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 - Google Patents
半導体発光素子チップおよびそのマウント方法Info
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- JPH11177131A JPH11177131A JP33863597A JP33863597A JPH11177131A JP H11177131 A JPH11177131 A JP H11177131A JP 33863597 A JP33863597 A JP 33863597A JP 33863597 A JP33863597 A JP 33863597A JP H11177131 A JPH11177131 A JP H11177131A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小形のＬＥＤチップの極性を簡単に識別する
ことができると共に、自動的にマウントし得るＬＥＤチ
ップを提供する。 【解決手段】 発光層を形成すべくｎ形半導体層１およ
びｐ形半導体層２が設けられる発光層形成部１２と、ｎ
形半導体層１およびｐ形半導体層２にそれぞれ電気的に
接続して設けられるｎ側電極４およびｐ側電極５とを有
している。そして、ｎ側電極４およびｐ側電極５が前記
発光層形成部１２の両端面側に設けられ、かつ、ｎ側電
極４およびｐ側電極５が異なる外形形状に形成されてい
る。
ことができると共に、自動的にマウントし得るＬＥＤチ
ップを提供する。 【解決手段】 発光層を形成すべくｎ形半導体層１およ
びｐ形半導体層２が設けられる発光層形成部１２と、ｎ
形半導体層１およびｐ形半導体層２にそれぞれ電気的に
接続して設けられるｎ側電極４およびｐ側電極５とを有
している。そして、ｎ側電極４およびｐ側電極５が前記
発光層形成部１２の両端面側に設けられ、かつ、ｎ側電
極４およびｐ側電極５が異なる外形形状に形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グをしないで発光素子チップの電極をハンダや導電性接
着剤などにより基板の接続部に直接接着することができ
る半導体発光素子チップおよびそのマウント方法に関す
る。さらに詳しくは、ｎ側電極とｐ側電極を簡単に識別
することができ、自動機により自動的にマウントして組
み立てることができる半導体発光素子チップおよびその
マウント方法に関する。
グをしないで発光素子チップの電極をハンダや導電性接
着剤などにより基板の接続部に直接接着することができ
る半導体発光素子チップおよびそのマウント方法に関す
る。さらに詳しくは、ｎ側電極とｐ側電極を簡単に識別
することができ、自動機により自動的にマウントして組
み立てることができる半導体発光素子チップおよびその
マウント方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機やＰＨＳなどの携帯機器の小
形化に伴い、それらに用いられる発光素子なども軽薄短
小化が要求され、とくに高さが低い薄型の半導体発光素
子が要求されている。
形化に伴い、それらに用いられる発光素子なども軽薄短
小化が要求され、とくに高さが低い薄型の半導体発光素
子が要求されている。
【０００３】この種の小形で薄型のチップ型発光素子は
図６（ａ）に示されるように、基板２１の両端部に端子
電極２２、２３が形成され、一方の端子電極２２と接続
され端子電極の一部となる電極上に発光ダイオード（以
下、ＬＥＤという）チップ４０がボンディングされてそ
の下部電極が端子電極２２と直接接続され、その上部電
極が金線２７により他方の端子電極２３とワイヤボンデ
ィングされて、それぞれ電気的に接続されている。ＬＥ
Ｄチップ４０は、たとえば図６（ｂ）に示されるよう
に、ＧａＡｓやＧａＰなどからなるｎ形半導体層４１と
ｐ形半導体層４２との接合によるｐｎ接合面（発光層）
４３が形成され、その両面に電極４４、４５が設けられ
ることにより構成されている。この基板１の表面側に
は、透明または乳白色のエポキシ樹脂などからなる樹脂
によりＬＥＤチップ４０や金線２７を被覆して保護する
パッケージ２５が形成されている。
図６（ａ）に示されるように、基板２１の両端部に端子
電極２２、２３が形成され、一方の端子電極２２と接続
され端子電極の一部となる電極上に発光ダイオード（以
下、ＬＥＤという）チップ４０がボンディングされてそ
の下部電極が端子電極２２と直接接続され、その上部電
極が金線２７により他方の端子電極２３とワイヤボンデ
ィングされて、それぞれ電気的に接続されている。ＬＥ
Ｄチップ４０は、たとえば図６（ｂ）に示されるよう
に、ＧａＡｓやＧａＰなどからなるｎ形半導体層４１と
ｐ形半導体層４２との接合によるｐｎ接合面（発光層）
４３が形成され、その両面に電極４４、４５が設けられ
ることにより構成されている。この基板１の表面側に
は、透明または乳白色のエポキシ樹脂などからなる樹脂
によりＬＥＤチップ４０や金線２７を被覆して保護する
パッケージ２５が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
チップ型発光素子は、必要な発光層の面積からＬＥＤチ
ップの大きさが下限の状態にあるが、金線などによるワ
イヤボンディングをしているため、その厚さが大きくな
り、さらなる小形化を行えない。しかし、一方で携帯電
話機やＰＨＳなどの携帯機器の発展および小形化に伴
い、電子部品の小形化の要請が一層高まり、チップ型発
光素子においてはとくに薄型のものが要求されている。
しかも、前述の金線などのワイヤを使用すると、熱スト
レスが加わった場合にその周囲を覆うエポキシ樹脂の伸
縮によりワイヤに疲労断線が生じるという問題もある。
チップ型発光素子は、必要な発光層の面積からＬＥＤチ
ップの大きさが下限の状態にあるが、金線などによるワ
イヤボンディングをしているため、その厚さが大きくな
り、さらなる小形化を行えない。しかし、一方で携帯電
話機やＰＨＳなどの携帯機器の発展および小形化に伴
い、電子部品の小形化の要請が一層高まり、チップ型発
光素子においてはとくに薄型のものが要求されている。
しかも、前述の金線などのワイヤを使用すると、熱スト
レスが加わった場合にその周囲を覆うエポキシ樹脂の伸
縮によりワイヤに疲労断線が生じるという問題もある。
【０００５】このような問題を解決するために、本発明
者はＬＥＤチップを直方体形状にして発光層の面積を確
保すると共に、両電極を両端部に設ける構造とすること
により、ワイヤボンディングをしないで直接マウント基
板などに導電性接着剤などにより接続する構造の半導体
発光素子を、たとえば特願平８−３０４８１０号などに
より開示している。この構造は、たとえば図５にウェハ
から切断したＬＥＤチップの一部断面斜視図が示される
ように、ｎ形半導体層１とｐ形半導体層２とからなる発
光層形成部１２およびその上下両端面にｎ側およびｐ側
の電極４、５が設けられた構造になっている。なお、６
はｐｎ接合部を保護するために、ウェハの状態でメサエ
ッチングをしてＳｉＯ2 やポリイミドなどを埋め込んだ
保護層である。このＬＥＤチップは、半導体層が積層さ
れた半導体ウェハを、平面形状で長方形になるようにダ
イシングをすることにより形成されているため、両面の
電極４、５共に真空蒸着などにより平面的に形成されて
いる。そのため、ＬＥＤチップが外形的には対称形状で
ｎ側電極４およびｐ側電極５の判別をつけにくく、自動
化できないと共に、人間が作業をしてもその判別に時間
がかかるという問題がある。
者はＬＥＤチップを直方体形状にして発光層の面積を確
保すると共に、両電極を両端部に設ける構造とすること
により、ワイヤボンディングをしないで直接マウント基
板などに導電性接着剤などにより接続する構造の半導体
発光素子を、たとえば特願平８−３０４８１０号などに
より開示している。この構造は、たとえば図５にウェハ
から切断したＬＥＤチップの一部断面斜視図が示される
ように、ｎ形半導体層１とｐ形半導体層２とからなる発
光層形成部１２およびその上下両端面にｎ側およびｐ側
の電極４、５が設けられた構造になっている。なお、６
はｐｎ接合部を保護するために、ウェハの状態でメサエ
ッチングをしてＳｉＯ2 やポリイミドなどを埋め込んだ
保護層である。このＬＥＤチップは、半導体層が積層さ
れた半導体ウェハを、平面形状で長方形になるようにダ
イシングをすることにより形成されているため、両面の
電極４、５共に真空蒸着などにより平面的に形成されて
いる。そのため、ＬＥＤチップが外形的には対称形状で
ｎ側電極４およびｐ側電極５の判別をつけにくく、自動
化できないと共に、人間が作業をしてもその判別に時間
がかかるという問題がある。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、小形のＬＥＤチップの極性を簡単に
識別することができると共に、自動的にマウントし得る
ＬＥＤチップを提供することを目的とする。
になされたもので、小形のＬＥＤチップの極性を簡単に
識別することができると共に、自動的にマウントし得る
ＬＥＤチップを提供することを目的とする。
【０００７】本発明の他の目的は、ワイヤレスにするこ
とができる小形で直方体形状のＬＥＤチップをマウント
台に自動的にマウントすることができるＬＥＤチップの
マウント方法を提供することにある。
とができる小形で直方体形状のＬＥＤチップをマウント
台に自動的にマウントすることができるＬＥＤチップの
マウント方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子チップは、発光層を形成すべくｎ形半導体層および
ｐ形半導体層が設けられる発光層形成部と、該ｎ形半導
体層およびｐ形半導体層にそれぞれ電気的に接続して設
けられるｎ側電極およびｐ側電極とを有し、前記ｎ側電
極およびｐ側電極が前記発光層形成部の両面側に設けら
れ、かつ、該ｎ側電極およびｐ側電極が異なる外形形状
に形成されている。
素子チップは、発光層を形成すべくｎ形半導体層および
ｐ形半導体層が設けられる発光層形成部と、該ｎ形半導
体層およびｐ形半導体層にそれぞれ電気的に接続して設
けられるｎ側電極およびｐ側電極とを有し、前記ｎ側電
極およびｐ側電極が前記発光層形成部の両面側に設けら
れ、かつ、該ｎ側電極およびｐ側電極が異なる外形形状
に形成されている。
【０００９】ここに発光層とは、ｐ形半導体層（単にｐ
形層ということもある）とｎ形半導体層（単にｎ形層と
いうこともある）とが直接接するｐｎ接合面の近傍やｐ
形層とｎ形層とにより挟持される活性層などの電子と正
孔の再結合により光を発生させる領域を意味し、発光層
形成部とは、その発光層を形成するためのｐ形層および
ｎ形層、または活性層とその活性層を挟持するｎ形層お
よびｐ形層をそれぞれ少なくとも含む半導体層部を意味
する。
形層ということもある）とｎ形半導体層（単にｎ形層と
いうこともある）とが直接接するｐｎ接合面の近傍やｐ
形層とｎ形層とにより挟持される活性層などの電子と正
孔の再結合により光を発生させる領域を意味し、発光層
形成部とは、その発光層を形成するためのｐ形層および
ｎ形層、または活性層とその活性層を挟持するｎ形層お
よびｐ形層をそれぞれ少なくとも含む半導体層部を意味
する。
【００１０】本発明のＬＥＤチップのマウント方法は、
発光素子チップをマウント基板上にマウントし、該発光
素子チップの両電極を導電性材料により直接マウント基
板に接着する発光素子チップのマウント方法であって、
前記発光素子チップの両電極を異なる外形形状に形成
し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形の凹部を有す
るトレイを準備し、該トレイを振動させながら発光素子
チップを該トレイの凹部内に整列させ、該整列した発光
素子チップを真空吸引によりマウント基板にマウントす
ることを特徴とする。
発光素子チップをマウント基板上にマウントし、該発光
素子チップの両電極を導電性材料により直接マウント基
板に接着する発光素子チップのマウント方法であって、
前記発光素子チップの両電極を異なる外形形状に形成
し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形の凹部を有す
るトレイを準備し、該トレイを振動させながら発光素子
チップを該トレイの凹部内に整列させ、該整列した発光
素子チップを真空吸引によりマウント基板にマウントす
ることを特徴とする。
【００１１】ここにほぼ相似形とは、ＬＥＤチップを一
定方向にすれば凹部に挿入することができ、ＬＥＤチッ
プを逆向きにした場合には凹部に挿入できない程度に、
前記一定方向のＬＥＤチップの形状と似通っていること
を意味する。
定方向にすれば凹部に挿入することができ、ＬＥＤチッ
プを逆向きにした場合には凹部に挿入できない程度に、
前記一定方向のＬＥＤチップの形状と似通っていること
を意味する。
【００１２】本発明のＬＥＤチップのマウント方法の他
の形態は、発光素子チップをマウント基板上にマウント
し、該発光素子チップの両電極を導電性材料により直接
マウント基板に接着する発光素子チップのマウント方法
であって、前記発光素子チップの両電極を異なる外形形
状に形成し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形の凹
部をマウント基板上にマウントする位置と面対称の位置
に合せて形成したトレイを準備し、該トレイを振動させ
ながら発光素子チップを該トレイの凹部内に整列させ、
該凹部内に発光素子チップが整列したトレイを裏面側か
ら真空吸引しながら裏返し、発光素子チップがマウント
基板のマウント部に合うように前記トレイを位置合せし
て前記真空吸引を解除することにより発光素子チップを
マウント基板にマウントすることを特徴とする。
の形態は、発光素子チップをマウント基板上にマウント
し、該発光素子チップの両電極を導電性材料により直接
マウント基板に接着する発光素子チップのマウント方法
であって、前記発光素子チップの両電極を異なる外形形
状に形成し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形の凹
部をマウント基板上にマウントする位置と面対称の位置
に合せて形成したトレイを準備し、該トレイを振動させ
ながら発光素子チップを該トレイの凹部内に整列させ、
該凹部内に発光素子チップが整列したトレイを裏面側か
ら真空吸引しながら裏返し、発光素子チップがマウント
基板のマウント部に合うように前記トレイを位置合せし
て前記真空吸引を解除することにより発光素子チップを
マウント基板にマウントすることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体発光素子チップおよびそのマウント方法につ
いて説明をする。
明の半導体発光素子チップおよびそのマウント方法につ
いて説明をする。
【００１４】本発明の半導体発光素子チップ１０は、た
とえば図１（ａ）〜（ｂ）にその一実施形態の斜視およ
び断面の説明図が示されるような構造になっている。す
なわち、たとえばｎ形のＧａＡｓからなる半導体基板か
らなるｎ形半導体層１と、そのｎ形半導体層１上に発光
層を形成すべくｐｎ接合を形成するための、たとえばｐ
形ＧａＡｓからなるｐ形半導体層２が設けられる発光層
形成部１２と、ｎ形半導体層１およびｐ形半導体層２に
それぞれ電気的に接続して設けられるｎ側電極４および
ｐ側電極５とを有している。そして、ｎ側電極４および
ｐ側電極５が発光層形成部１２の両面側に設けられ、か
つ、ｎ側電極４およびｐ側電極４が異なる外形形状に形
成されていることに特徴がある。図１に示される例で
は、発光層形成部１２の外形が直方体形状に形成される
と共に、発光層形成部１２の外周に絶縁性透明樹脂から
なる被覆層３が設けられてｐｎ接合部を保護すると共
に、ｐ側電極５が凸形状に形成されることにより、両電
極４、５の外形形状を異ならせている。
とえば図１（ａ）〜（ｂ）にその一実施形態の斜視およ
び断面の説明図が示されるような構造になっている。す
なわち、たとえばｎ形のＧａＡｓからなる半導体基板か
らなるｎ形半導体層１と、そのｎ形半導体層１上に発光
層を形成すべくｐｎ接合を形成するための、たとえばｐ
形ＧａＡｓからなるｐ形半導体層２が設けられる発光層
形成部１２と、ｎ形半導体層１およびｐ形半導体層２に
それぞれ電気的に接続して設けられるｎ側電極４および
ｐ側電極５とを有している。そして、ｎ側電極４および
ｐ側電極５が発光層形成部１２の両面側に設けられ、か
つ、ｎ側電極４およびｐ側電極４が異なる外形形状に形
成されていることに特徴がある。図１に示される例で
は、発光層形成部１２の外形が直方体形状に形成される
と共に、発光層形成部１２の外周に絶縁性透明樹脂から
なる被覆層３が設けられてｐｎ接合部を保護すると共
に、ｐ側電極５が凸形状に形成されることにより、両電
極４、５の外形形状を異ならせている。
【００１５】発光層形成部１２は、この例のように、ｎ
形半導体層１である半導体基板上にその半導体基板の導
電型と異なる導電型のｐ形半導体層２を設けることによ
りｐｎ接合を形成したり、半導体基板上にさらにｎ形層
およびｐ形層をエピタキシャル成長などにより設けるこ
とによりｐｎ接合を形成したり、基板上にｎ形およびｐ
形の両クラッド層により活性層が挟持される半導体積層
部を設けることによりダブルヘテロ接合構造を形成する
ことなどにより形成され得る。また、ｐｎ接合は一方の
半導体層をエピタキシャル成長ではなく拡散などにより
形成することもできる。この発光層形成部１２は、基板
が半導体基板であれば、その裏面側の電極を直接電気的
に接続することができるため好ましいが、絶縁性の基板
でもその基板にコンタクトホールを設けることなどによ
り、その裏面側に電極が設けられれば使用できる。たと
えばサファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体
層を積層してＬＥＤチップを形成する青色系のＬＥＤチ
ップの場合でも、コンタクトホールなどを介してその基
板の裏面側に一方の電極が設けられればよい。
形半導体層１である半導体基板上にその半導体基板の導
電型と異なる導電型のｐ形半導体層２を設けることによ
りｐｎ接合を形成したり、半導体基板上にさらにｎ形層
およびｐ形層をエピタキシャル成長などにより設けるこ
とによりｐｎ接合を形成したり、基板上にｎ形およびｐ
形の両クラッド層により活性層が挟持される半導体積層
部を設けることによりダブルヘテロ接合構造を形成する
ことなどにより形成され得る。また、ｐｎ接合は一方の
半導体層をエピタキシャル成長ではなく拡散などにより
形成することもできる。この発光層形成部１２は、基板
が半導体基板であれば、その裏面側の電極を直接電気的
に接続することができるため好ましいが、絶縁性の基板
でもその基板にコンタクトホールを設けることなどによ
り、その裏面側に電極が設けられれば使用できる。たと
えばサファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体
層を積層してＬＥＤチップを形成する青色系のＬＥＤチ
ップの場合でも、コンタクトホールなどを介してその基
板の裏面側に一方の電極が設けられればよい。
【００１６】被覆層３は、たとえば発光層形成部１２で
発光する光を吸収しないエポキシ樹脂などの絶縁性透明
樹脂からなっており、発光層形成部１２の半導体層の周
囲を被覆している。すなわち、図１に示されるＬＥＤチ
ップが基板上に横倒しにしてボンディングされる際に発
光層形成部１２のｐ形層２とｎ形層１とをショートさせ
ないように保護するためのものである。この被覆層３
は、発光層形成部１２のショートを防止すると共に、Ｌ
ＥＤチップの側面から放射される光を外部に取り出す光
として利用するため、たとえばエポキシ樹脂のような光
を透過する絶縁性透明材料のものが用いられる。なお、
図５に示されるようなｐｎ接合部のみを保護するため、
半導体ウェハの状態でメサエッチングをしてＳｉＯ2 や
ポリイミドのような絶縁物を埋め込む保護膜を設けても
よい。
発光する光を吸収しないエポキシ樹脂などの絶縁性透明
樹脂からなっており、発光層形成部１２の半導体層の周
囲を被覆している。すなわち、図１に示されるＬＥＤチ
ップが基板上に横倒しにしてボンディングされる際に発
光層形成部１２のｐ形層２とｎ形層１とをショートさせ
ないように保護するためのものである。この被覆層３
は、発光層形成部１２のショートを防止すると共に、Ｌ
ＥＤチップの側面から放射される光を外部に取り出す光
として利用するため、たとえばエポキシ樹脂のような光
を透過する絶縁性透明材料のものが用いられる。なお、
図５に示されるようなｐｎ接合部のみを保護するため、
半導体ウェハの状態でメサエッチングをしてＳｉＯ2 や
ポリイミドのような絶縁物を埋め込む保護膜を設けても
よい。
【００１７】電極４、５は、用いられる半導体層とのオ
ーミック接触を得やすい材料、たとえばＧａＡｓに対し
てＡｕやＡｌなどが真空蒸着などにより設けられる。本
発明では、一方の電極であるｐ側電極５が凸形状に形成
されている。このような凸形状の電極５を形成するに
は、電極金属を薄く蒸着した後にハンダを付けて溶融す
ることにより、表面張力により図１に示されるような凸
形状になる。このような球面状などの後述するトレイへ
の整列が容易な凸形状に形成することが好ましい。
ーミック接触を得やすい材料、たとえばＧａＡｓに対し
てＡｕやＡｌなどが真空蒸着などにより設けられる。本
発明では、一方の電極であるｐ側電極５が凸形状に形成
されている。このような凸形状の電極５を形成するに
は、電極金属を薄く蒸着した後にハンダを付けて溶融す
ることにより、表面張力により図１に示されるような凸
形状になる。このような球面状などの後述するトレイへ
の整列が容易な凸形状に形成することが好ましい。
【００１８】本発明のＬＥＤチップ１０によれば、ｐ側
電極とｎ側電極とが異なる形状に形成されているため、
一目でｎ側かｐ側かを識別することができ、極性を間違
えることがなく、作業をしやすいと共に歩留りを向上さ
せることができる。また、ｎ側とｐ側とで形状が異なる
ために、その形状に合せた凹部を有するトレイを作製
し、振動などによりＬＥＤチップ１０をその凹部内に収
納することにより、ＬＥＤチップ１０の極性の方向を自
動的に揃えて整列させることができ、自動機によりマウ
ントすることができる。
電極とｎ側電極とが異なる形状に形成されているため、
一目でｎ側かｐ側かを識別することができ、極性を間違
えることがなく、作業をしやすいと共に歩留りを向上さ
せることができる。また、ｎ側とｐ側とで形状が異なる
ために、その形状に合せた凹部を有するトレイを作製
し、振動などによりＬＥＤチップ１０をその凹部内に収
納することにより、ＬＥＤチップ１０の極性の方向を自
動的に揃えて整列させることができ、自動機によりマウ
ントすることができる。
【００１９】つぎに、前述の形状にしたＬＥＤチップを
自動的にマウント台にマウントする方法について説明を
する。
自動的にマウント台にマウントする方法について説明を
する。
【００２０】図２（ａ）に示されるように、たとえばア
ルミニウム板にＬＥＤチップ１０と相似形（ＬＥＤチッ
プ１０の一定方向の向きには入るが逆向きには入らない
程度に似た形状を意味する）の凹部１８が、たとえばマ
トリクス状に整列して形成されたトレイ１７を準備す
る。この凹部１８は、直方体のＬＥＤチップ１０をその
電極４、５がそれぞれ横方向に対向するように横倒しに
した状態で、幅広面が平面形状になるように形成され
る。その結果、安定してＬＥＤチップ１０が凹部１８に
入りやすいと共に、マウント台１６にそのまま移動して
マウントしたときに幅広面から光を取り出すことがで
き、大きな輝度を得やすい。また、凹部１８の中心部に
は真空吸引をすることができるように、バキューム孔１
８ａが形成されており、真空吸引することにより、凹部
１８の上にきたＬＥＤチップ１０を凹部１８内に引っ張
り込む働きをする。
ルミニウム板にＬＥＤチップ１０と相似形（ＬＥＤチッ
プ１０の一定方向の向きには入るが逆向きには入らない
程度に似た形状を意味する）の凹部１８が、たとえばマ
トリクス状に整列して形成されたトレイ１７を準備す
る。この凹部１８は、直方体のＬＥＤチップ１０をその
電極４、５がそれぞれ横方向に対向するように横倒しに
した状態で、幅広面が平面形状になるように形成され
る。その結果、安定してＬＥＤチップ１０が凹部１８に
入りやすいと共に、マウント台１６にそのまま移動して
マウントしたときに幅広面から光を取り出すことがで
き、大きな輝度を得やすい。また、凹部１８の中心部に
は真空吸引をすることができるように、バキューム孔１
８ａが形成されており、真空吸引することにより、凹部
１８の上にきたＬＥＤチップ１０を凹部１８内に引っ張
り込む働きをする。
【００２１】このような構造のトレイ１７の上に、図１
に示されるような一方の電極形状を他方と異ならせたＬ
ＥＤチップ１０を複数個載置し、トレイ１７を振動させ
る。その結果、ＬＥＤチップ１０の向きが凹部１８の向
きと異なるときは、図２（ｂ）〜（ｃ）に斜視図および
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図がそれぞれ示されるように、ｎ側
電極４の方が凹部１８の先端部まで行かないため、いく
ら振動を加えても凹部１８内に収納されず、片方が浮き
上がって振動によりはじかれる。一方、ＬＥＤチップ１
０と凹部１８との向きが一致しているときは、図２
（ｄ）〜（ｅ）に斜視図および（ｄ）のＥ−Ｅ線断面図
がそれぞれ示されるように、真空吸引にも助けられてＬ
ＥＤチップ１０が凹部１８内に収納される。その結果、
振動を一定時間続けることにより、逆向きで凹部１８内
に収納されないＬＥＤチップ１０ははじかれて振動する
うちに向きが修正されて凹部１８内に収納され、トレイ
１７の凹部１８内にＬＥＤチップ１０が整列される。
に示されるような一方の電極形状を他方と異ならせたＬ
ＥＤチップ１０を複数個載置し、トレイ１７を振動させ
る。その結果、ＬＥＤチップ１０の向きが凹部１８の向
きと異なるときは、図２（ｂ）〜（ｃ）に斜視図および
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図がそれぞれ示されるように、ｎ側
電極４の方が凹部１８の先端部まで行かないため、いく
ら振動を加えても凹部１８内に収納されず、片方が浮き
上がって振動によりはじかれる。一方、ＬＥＤチップ１
０と凹部１８との向きが一致しているときは、図２
（ｄ）〜（ｅ）に斜視図および（ｄ）のＥ−Ｅ線断面図
がそれぞれ示されるように、真空吸引にも助けられてＬ
ＥＤチップ１０が凹部１８内に収納される。その結果、
振動を一定時間続けることにより、逆向きで凹部１８内
に収納されないＬＥＤチップ１０ははじかれて振動する
うちに向きが修正されて凹部１８内に収納され、トレイ
１７の凹部１８内にＬＥＤチップ１０が整列される。
【００２２】つぎに、図３に示されるように、マトリク
ス状に整列されたＬＥＤチップ１０を１個づつ真空吸引
するコレット１５により吸引して、マウント台１６のマ
ウントすべきところに移動させて装着する。たとえばＬ
ＥＤチップ１０をマトリクス状に並べてドットマトリク
スの表示装置を形成する場合など、沢山のＬＥＤチップ
１０を同じマウント台１６にマウントする場合、マウン
ト台１６の電極との接続部にハンダペースト１９または
熱硬化性接着剤などを塗布しておいて、マウント台１６
の上につぎつぎとＬＥＤチップ１０をマウントした後
に、リフロー炉または加熱炉に入れて熱硬化させること
により、一度に複数個のＬＥＤチップ１０をマウントし
て各電極を電気的接続しながら接着することができる。
ス状に整列されたＬＥＤチップ１０を１個づつ真空吸引
するコレット１５により吸引して、マウント台１６のマ
ウントすべきところに移動させて装着する。たとえばＬ
ＥＤチップ１０をマトリクス状に並べてドットマトリク
スの表示装置を形成する場合など、沢山のＬＥＤチップ
１０を同じマウント台１６にマウントする場合、マウン
ト台１６の電極との接続部にハンダペースト１９または
熱硬化性接着剤などを塗布しておいて、マウント台１６
の上につぎつぎとＬＥＤチップ１０をマウントした後
に、リフロー炉または加熱炉に入れて熱硬化させること
により、一度に複数個のＬＥＤチップ１０をマウントし
て各電極を電気的接続しながら接着することができる。
【００２３】この方法によれば、ＬＥＤチップ１０が一
定の極性の向きに整列されているため、自動的に吸引し
て移動するだけでマウントすることができる。その結
果、ＬＥＤチップ１０の極性を一々確認する必要もな
く、自動機で淡々と行うことができると共に、極性間違
いによる不良も発生しない。
定の極性の向きに整列されているため、自動的に吸引し
て移動するだけでマウントすることができる。その結
果、ＬＥＤチップ１０の極性を一々確認する必要もな
く、自動機で淡々と行うことができると共に、極性間違
いによる不良も発生しない。
【００２４】図４は他のマウント方法を示す説明図であ
る。この方法は、トレイ１７に形成する凹部１８を、予
めマウント台１６のＬＥＤチップをマウントする位置と
面対称になるように合せて形成しておく。前述のよう
に、マウント台１６にＬＥＤチップ１０をマトリクス状
にマウントする場合には、トレイ１７の凹部１８も同じ
ピッチでマトリクス状に設けておく。そして、前述の図
２（ａ）に示されるように、トレイ１７上にＬＥＤチッ
プ１０を載置して振動させ、凹部１８内に整列させる。
その後、図４（ａ）に示されるように、バキューム孔１
８ａを介して排気パイプ１４によりＬＥＤチップ１０を
吸引しながらトレイ１７を反転させる（図４（ｂ）参
照）。
る。この方法は、トレイ１７に形成する凹部１８を、予
めマウント台１６のＬＥＤチップをマウントする位置と
面対称になるように合せて形成しておく。前述のよう
に、マウント台１６にＬＥＤチップ１０をマトリクス状
にマウントする場合には、トレイ１７の凹部１８も同じ
ピッチでマトリクス状に設けておく。そして、前述の図
２（ａ）に示されるように、トレイ１７上にＬＥＤチッ
プ１０を載置して振動させ、凹部１８内に整列させる。
その後、図４（ａ）に示されるように、バキューム孔１
８ａを介して排気パイプ１４によりＬＥＤチップ１０を
吸引しながらトレイ１７を反転させる（図４（ｂ）参
照）。
【００２５】一方、マウント台１６には、ＬＥＤチップ
１０の電極接続部にハンダペースト１９またはたとえば
熱硬化性の導電性ペーストを塗布しておき（図４（ｃ）
参照）、前述の反転したトレイ１７をマウントするＬＥ
Ｄチップ１０の位置がマウント台１６のＬＥＤチップ１
０をマウントする場所と一致するように位置合せをし
て、真空吸引を止める。そうすると、ＬＥＤチップ１０
がトレイ１７から落下し、マウント台１６の所定の場所
にマウントされる。その後、前述と同様に、リフロー炉
または加熱炉に入れてハンダペーストまたは熱硬化性ペ
ーストを溶融固化または熱硬化させる（図４（ｄ）参
照）。
１０の電極接続部にハンダペースト１９またはたとえば
熱硬化性の導電性ペーストを塗布しておき（図４（ｃ）
参照）、前述の反転したトレイ１７をマウントするＬＥ
Ｄチップ１０の位置がマウント台１６のＬＥＤチップ１
０をマウントする場所と一致するように位置合せをし
て、真空吸引を止める。そうすると、ＬＥＤチップ１０
がトレイ１７から落下し、マウント台１６の所定の場所
にマウントされる。その後、前述と同様に、リフロー炉
または加熱炉に入れてハンダペーストまたは熱硬化性ペ
ーストを溶融固化または熱硬化させる（図４（ｄ）参
照）。
【００２６】この方法によれば、１個１個コレットによ
り吸引して搬送しなくても、沢山のＬＥＤチップを一度
に自動的にマウントすることができるため、一層能率的
にマウントすることができる。
り吸引して搬送しなくても、沢山のＬＥＤチップを一度
に自動的にマウントすることができるため、一層能率的
にマウントすることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＥＤチップを大量に
マウントする発光装置を製造する場合でも、その極性を
簡単に識別することができ、確実にしかも自動的にマウ
ントすることができる。その結果、製造工数を大幅に減
少させることができると共に、歩留りが向上してコスト
ダウンを達成することができる。
マウントする発光装置を製造する場合でも、その極性を
簡単に識別することができ、確実にしかも自動的にマウ
ントすることができる。その結果、製造工数を大幅に減
少させることができると共に、歩留りが向上してコスト
ダウンを達成することができる。
【図１】本発明のＬＥＤチップの一実施形態の斜視およ
び断面の説明図である。
び断面の説明図である。
【図２】図１のＬＥＤチップをトレイに整列するときの
説明図である。
説明図である。
【図３】図１のＬＥＤチップをマウントする方法の一実
施形態の説明図である。
施形態の説明図である。
【図４】図１のＬＥＤチップをマウントする方法の他の
実施形態の説明図である。
実施形態の説明図である。
【図５】ワイヤボンディングをしないで電極を接続する
ＬＥＤチップの構造例を示す図である。
ＬＥＤチップの構造例を示す図である。
【図６】従来のチップ型発光素子の説明図である。
１ ｎ形半導体層 ２ ｐ形半導体層 ４ ｎ側電極 ５ ｐ側電極 １０ ＬＥＤチップ １２ 発光層形成部
Claims (3)
- 【請求項１】 発光層を形成すべくｎ形半導体層および
ｐ形半導体層が設けられる発光層形成部と、該ｎ形半導
体層およびｐ形半導体層にそれぞれ電気的に接続して設
けられるｎ側電極およびｐ側電極とを有し、前記ｎ側電
極およびｐ側電極が前記発光層形成部の両端面側に設け
られ、かつ、該ｎ側電極およびｐ側電極が異なる外形形
状に形成されてなる半導体発光素子チップ。 - 【請求項２】 発光素子チップをマウント基板上にマウ
ントし、該発光素子チップの両電極を導電性材料により
直接マウント基板に接着する発光素子チップのマウント
方法であって、前記発光素子チップの両電極を異なる外
形形状に形成し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形
の凹部を有するトレイを準備し、該トレイを振動させな
がら発光素子チップを該トレイの凹部内に整列させ、該
整列した発光素子チップを真空吸引によりマウント基板
にマウントする発光素子チップのマウント方法。 - 【請求項３】 発光素子チップをマウント基板上にマウ
ントし、該発光素子チップの両電極を導電性材料により
直接マウント基板に接着する発光素子チップのマウント
方法であって、前記発光素子チップの両電極を異なる外
形形状に形成し、該発光素子チップの外形とほぼ相似形
の凹部をマウント基板上にマウントする位置と面対称の
位置に合せて形成したトレイを準備し、該トレイを振動
させながら発光素子チップを該トレイの凹部内に整列さ
せ、該凹部内に発光素子チップが整列したトレイを裏面
側から真空吸引しながら裏返し、発光素子チップがマウ
ント基板のマウント部に合うように前記トレイを位置合
せして、前記真空吸引を解除することにより発光素子チ
ップをマウント基板にマウントする発光素子チップのマ
ウント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33863597A JPH11177131A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33863597A JPH11177131A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177131A true JPH11177131A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18320040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33863597A Pending JPH11177131A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 半導体発光素子チップおよびそのマウント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11177131A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093824A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品、整列パレット、及び、電子部品のアライメント方法 |
| JP2005183573A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置、電子部品装着方法および電子部品供給装置 |
| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2012099560A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Kyocera Kinseki Corp | 素子部品搭載装置 |
| JP2013131583A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、接続子、半導体装置及び整列治具 |
| JP2013191900A (ja) * | 2013-07-05 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2017162894A (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 日本電気株式会社 | 位置決め装置および位置決め方法 |
-
1997
- 1997-12-09 JP JP33863597A patent/JPH11177131A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093824A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品、整列パレット、及び、電子部品のアライメント方法 |
| JP2005183573A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置、電子部品装着方法および電子部品供給装置 |
| JP2011258671A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2012099560A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Kyocera Kinseki Corp | 素子部品搭載装置 |
| JP2013131583A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、接続子、半導体装置及び整列治具 |
| JP2013191900A (ja) * | 2013-07-05 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2017162894A (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 日本電気株式会社 | 位置決め装置および位置決め方法 |
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