JP3369089B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式ＩｎＸＡｌ
ＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦ｘ＜１，０≦Ｙ＜１）で表さ
れる窒化ガリウム系化合物半導体を具備する窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】最近ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、
ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を用い
た発光素子が注目されている。その窒化ガリウム系化合
物半導体は一般にサファイア基板の上に成長される。サ
ファイアのような絶縁性基板を用いた発光素子は、他の
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光素子
と異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能であ
るため、通常窒化ガリウム系化合物半導体層に設けられ
る正、負一対の電極は同一面側に形成される。特に、窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の場合、サファイア
が透光性であるため、電極面を下にして、サファイア基
板側を発光観測面とすることが多い（特開平４−１０６
７０号公報、特開平４−１０６７１号公報）。 【０００３】一方、サファイア基板側を下にして、同一
面側に設けられたそれぞれの電極に上からワイヤーボン
ディングした構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子も知られている（特開昭６０−１７５４６８号公報、
特開昭６１−５６４７４号公報）。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】サファイア基板側を発
光観測面とする構造の発光素子は、電極に発光を妨げら
れることなく、基板側全面から発光を観測することがで
きるという利点はあるが、両電極を接続するリードフレ
ーム間の間隔を狭くすることが困難であるため、チップ
サイズが約１ｍｍ以上と大きくなり、一枚あたりのウエ
ハーからとれるチップ数が少なくなるという欠点があ
る。 【０００５】これに対し、サファイア基板側を下にする
構造の発光素子は、チップサイズを小さくできるという
利点はあるが、窒化ガリウム系化合物半導体層（特に最
上層のｐ型層）に形成された電極によって発光が遮ら
れ、発光効率が低下するという欠点がある。つまり、電
極に金線等をワイヤーボンディングする際、ボンディン
グ位置の電極面積は、金線の太さに合わせてある程度の
大きさを必要とするため、その位置が発光面の中心部に
あると、例えば中心部の電極、ワイヤーボンディングの
際にできるボール等で発光を遮ることになる。 【０００６】そこで、本発明は、発光素子から出る発光
をできるだけ遮ることなく外部に取り出すことができる
発光効率の高い小型の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子は、基板上にｎ型ＧａＮからなる
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型ＧａＮから
なるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、前記ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成
され、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が
除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層表面にｎ電極が形成され、それら同一面側にあるｐ電
極とｎ電極とに通電することにより、発光する略矩形の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層に複数の線状の電極又
は、金属薄膜よりなり前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層のほぼ全面に形成されたオーミック用の透光性の
電極を形成し、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の電極のワイヤーボンディング位置と、前記ｎ電極のワ
イヤーボンディング位置とが、互いに対角線上の隅部と
隅部にある電極パターンとしたことを特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子（以下発光素子という。）を図１および図
２を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態の発光
素子を窒化ガリウム系化合物半導体層側から見た平面図
であり、図２は図１の発光素子をこの図に示すように一
点鎖線で切断した際の概略断面図である。この発光素子
はサファイア基板１の上にｎ型層２とｐ型層３とを順に
積層した構造を有しており、ｐ型層３の一部をエッチン
グして、ｎ型層２を露出させ、ｎ型層２の上に電極４
と、ｐ型層３の上に線状の電極５を形成している。さら
にそのｐ型層の上に形成した電極５は発光をできるだけ
妨げないように線状にすると共に、電流が均一に広がる
ようにｐ型層３の上に複数設けている。 【０００９】以上のような発光素子の電極４、および電
極５に金線７をワイヤーボンディングしてリードフレー
ムと金線７とを接続することにより発光素子は完成す
る。なお、６はワイヤーボンディング時に金線７からで
きるボールである。本発明の発光素子は、図１に示すよ
うにｐ型層３の隅部をエッチングして、電極４をｎ型層
２の隅部に形成し、この電極４をワイヤーボンディング
している。さらに、電極５のワイヤーボンディング位置
をｐ型層３の隅部としている。これらの図に示すよう
に、電極４をｎ型層２の隅部としてワイヤーボンディン
グすることにより、ｐ型層３の面積を大きくすることが
でき、広範囲の面積で発光を得ることができる。さら
に、電極５のワイヤーボンディング位置をｐ型層３の隅
部とすることにより、発光をボール６で遮ること少なく
外部に取り出すことができる。 【００１０】ｐ型層３に形成された電極５をワイヤーボ
ンディングするには、他にｐ型層３の隅（例えば、図１
に示すａ点、ｂ点）でも良いが、図１に示すように、そ
れらが対角線上の端にあること、つまりｎ型層の電極４
をワイヤーボンディングする位置と、ｐ型層の電極５を
ワイヤーボンディングする位置とは、同一面側からみて
対角線上の端にあることが特に好ましい。なぜなら、ワ
イヤーボンディング位置を互いに対角線上の端とするこ
とにより、電流が電極５から電極４に均一に流れ、均一
な面発光が得られる。これは窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子はサファイアという絶縁性基板の上に積層さ
れているため基板側から電極を取ることができない。従
って、同一窒化ガリウム系化合物半導体層側から正、負
両電極を取り出す場合、そのワイヤーボンディング位置
を電極４から最も離れた位置とすることにより、ｐ型層
３内に均一に電流を流すことができるため、均一な面発
光が得られることによる。このことは窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子特有の効果である。 【００１１】また、図３は本発明の他の実施形態に係る
発光素子を図１と同じく窒化ガリウム系化合物半導体層
側からみた平面図であり、図４は図３の平面図を一点鎖
線で示す位置で切断した際の概略断面図である。基本的
な構造は図１および図２と同一であるが、この発光素子
はｐ型層３の電極５を金属よりなる透光性の電極として
いる。電極５を金属とするのはｐ型層３とオーミック接
触を得るためである。さらに、電極５を透光性にするに
は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の金属が透光性となるよ
うに非常に薄く蒸着、またはスパッタすることによって
実現できる。また、金属を蒸着、スパッタした後、アニ
ーリングして、金属を窒化ガリウム系化合物半導体中に
拡散させると共に、外部に飛散させて透光性となるよう
な膜厚まで調整することにより実現できる。透光性にな
る電極５の膜厚は金属の種類によっても異なるが、好ま
しい膜厚は０．００１μｍ〜０．１μｍの範囲である。 【００１２】さらに、電極５を透光性とした場合、図３
に示すようにｐ型層３のほぼ全面に電極５を形成するこ
とができる。図３のように電極５を全面に形成すること
により、図１の線状の電極に比して、電流がよりｐ型層
３全面に広がるため、全面発光の好ましい発光素子を得
ることができる。 【００１３】さらにまた、電極５を透光性にした場合、
透光性電極の上に直接ワイヤーボンディングすると、電
極５の膜厚が薄いことにより、ボールが電極５と合金化
せずくっつきにくくなる傾向にあるため、図４に示すよ
うに電極５とは別にボンディング用の台座電極８を形成
する方が好ましい。台座電極８はＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ等通
常の電極材料を使用でき、数μｍの厚さで形成すること
ができる。また、図１に示す線状の電極５を透光性とし
てもよく、線状の電極５を透光性にした場合には、電極
５の隅部に台座電極８を設けてもよいことはいうまでも
ない。 【００１４】本発明において、ｎ型層の電極をワイヤー
ボンドするｎ型層の隅部とは、いいかえると図１、図３
に示すように、同一平面上においてｎ型層の隅部に形成
されている電極を指し、同様にｐ型層の電極をワイヤー
ボンドするｐ型層の隅部とは、図１、図３に示すように
同一平面上に形成されているｐ型層の電極の隅部を指し
ている。 【００１５】本発明の発光素子はｎ型層の電極がそのｎ
型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さら
に、ｐ型層の電極がそのｐ型層の隅部でワイヤーボンデ
ィングされているため、電極で発光を遮られることなく
効率よく外部へ発光を取り出すことができる。また上部
からワイヤーボンドするため、１チップを１リードフレ
ーム上に取り付けることができるため、チップサイズが
小さくでき生産性が向上する。さらに、ｎ型層の電極と
ｐ型層の電極とを対角線上、つまり最も距離の離れた位
置に配置することにより、電流を均一に広げることがで
き、発光効率がさらに向上する。またｐ型層の電極を透
光性にしてｐ型層のほぼ全面に形成することにより、電
流がｐ型層全面に均一に流れ、しかも発光は透光性電極
を通して電極側から観測することができる。 【００１６】 【実施例】基板上にｎ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層とを
順に積層したウエハーを用意する。次に前記ｐ型ＧａＮ
層の上に所定の形状のマスクを形成した後、ｐ型ＧａＮ
層を一部エッチングしてｎ型ＧａＮ層を露出させる。た
だし、エッチング形状は図１に示すような形状とし、露
出したｎ型層の面積はその上に電極を形成してその電極
の上にワイヤーボンディングできる最小限の面積とす
る。 【００１７】次にｐ型ＧａＮ層の上に電極形成用のマス
クを形成し、蒸着装置にてｐ型ＧａＮ層のほぼ全面にＮ
ｉ／Ａｕをおよそ３００オングストロームの厚さで蒸着
する。なお露出したｎ型ＧａＮ層の上にもＡｌを１μｍ
の厚さで蒸着する。この状態でｎ型層の電極とｐ型層の
電極とが対角線上に位置する電極パターンが完成する。 【００１８】蒸着後、アニーリング装置で、ウエハーを
アニーリングすることによりｐ型層上の電極を透光性に
する。さらに再度マスクを形成し、その透光性電極の所
定の位置にボンディング用のＡｌよりなる台座電極を１
μｍの厚さで形成する。この状態でｎ型層の電極のワイ
ヤーボンディング位置と、ｐ型層の電極のワイヤーボン
ディング位置とが対角線上にあるパターンが完成する。 【００１９】次にウエハーを、前に形成したパターンが
発光素子の隅に来るように四角形にカットして発光チッ
プとする。後はこの発光チップのＧａＮ層側を発光観測
面として、一つのリードフレーム上に載置し、それぞれ
の電極に金線をワイヤーボンディングした後、最後にエ
ポキシ樹脂で全体をモールドすることにより、本発明の
発光ダイオードとした。図５にこの発光ダイオードの概
略断面図を示す。この図において１０はリードフレー
ム、１１がエポキシ樹脂である。そしてこの発光ダイオ
ードを発光させたところ、同一の素子でｐ型層の電極の
中心にワイヤーボンディングしたものに比して１．５倍
も明るかった。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
は、ボンディング位置がその発光素子の対角線上にある
ため、電極、ボンディング用の電極、ボール等で発光を
遮ることが少なくなり発光素子の発光効率を向上させる
ことができる。また窒化ガリウム系化合物半導体層側か
ら、両電極を取り出してワイヤーボンディングできるた
め、チップサイズを小さくできて生産性が向上する。さ
らに、好ましくは両電極を対角線上に配置することによ
り、ｐ型層の電流を均一に広げることができ均一な発光
が得られる。
ＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦ｘ＜１，０≦Ｙ＜１）で表さ
れる窒化ガリウム系化合物半導体を具備する窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】最近ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、
ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を用い
た発光素子が注目されている。その窒化ガリウム系化合
物半導体は一般にサファイア基板の上に成長される。サ
ファイアのような絶縁性基板を用いた発光素子は、他の
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光素子
と異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能であ
るため、通常窒化ガリウム系化合物半導体層に設けられ
る正、負一対の電極は同一面側に形成される。特に、窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の場合、サファイア
が透光性であるため、電極面を下にして、サファイア基
板側を発光観測面とすることが多い（特開平４−１０６
７０号公報、特開平４−１０６７１号公報）。 【０００３】一方、サファイア基板側を下にして、同一
面側に設けられたそれぞれの電極に上からワイヤーボン
ディングした構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子も知られている（特開昭６０−１７５４６８号公報、
特開昭６１−５６４７４号公報）。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】サファイア基板側を発
光観測面とする構造の発光素子は、電極に発光を妨げら
れることなく、基板側全面から発光を観測することがで
きるという利点はあるが、両電極を接続するリードフレ
ーム間の間隔を狭くすることが困難であるため、チップ
サイズが約１ｍｍ以上と大きくなり、一枚あたりのウエ
ハーからとれるチップ数が少なくなるという欠点があ
る。 【０００５】これに対し、サファイア基板側を下にする
構造の発光素子は、チップサイズを小さくできるという
利点はあるが、窒化ガリウム系化合物半導体層（特に最
上層のｐ型層）に形成された電極によって発光が遮ら
れ、発光効率が低下するという欠点がある。つまり、電
極に金線等をワイヤーボンディングする際、ボンディン
グ位置の電極面積は、金線の太さに合わせてある程度の
大きさを必要とするため、その位置が発光面の中心部に
あると、例えば中心部の電極、ワイヤーボンディングの
際にできるボール等で発光を遮ることになる。 【０００６】そこで、本発明は、発光素子から出る発光
をできるだけ遮ることなく外部に取り出すことができる
発光効率の高い小型の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子は、基板上にｎ型ＧａＮからなる
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型ＧａＮから
なるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、前記ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成
され、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が
除去されて露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層表面にｎ電極が形成され、それら同一面側にあるｐ電
極とｎ電極とに通電することにより、発光する略矩形の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層に複数の線状の電極又
は、金属薄膜よりなり前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層のほぼ全面に形成されたオーミック用の透光性の
電極を形成し、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の電極のワイヤーボンディング位置と、前記ｎ電極のワ
イヤーボンディング位置とが、互いに対角線上の隅部と
隅部にある電極パターンとしたことを特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子（以下発光素子という。）を図１および図
２を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態の発光
素子を窒化ガリウム系化合物半導体層側から見た平面図
であり、図２は図１の発光素子をこの図に示すように一
点鎖線で切断した際の概略断面図である。この発光素子
はサファイア基板１の上にｎ型層２とｐ型層３とを順に
積層した構造を有しており、ｐ型層３の一部をエッチン
グして、ｎ型層２を露出させ、ｎ型層２の上に電極４
と、ｐ型層３の上に線状の電極５を形成している。さら
にそのｐ型層の上に形成した電極５は発光をできるだけ
妨げないように線状にすると共に、電流が均一に広がる
ようにｐ型層３の上に複数設けている。 【０００９】以上のような発光素子の電極４、および電
極５に金線７をワイヤーボンディングしてリードフレー
ムと金線７とを接続することにより発光素子は完成す
る。なお、６はワイヤーボンディング時に金線７からで
きるボールである。本発明の発光素子は、図１に示すよ
うにｐ型層３の隅部をエッチングして、電極４をｎ型層
２の隅部に形成し、この電極４をワイヤーボンディング
している。さらに、電極５のワイヤーボンディング位置
をｐ型層３の隅部としている。これらの図に示すよう
に、電極４をｎ型層２の隅部としてワイヤーボンディン
グすることにより、ｐ型層３の面積を大きくすることが
でき、広範囲の面積で発光を得ることができる。さら
に、電極５のワイヤーボンディング位置をｐ型層３の隅
部とすることにより、発光をボール６で遮ること少なく
外部に取り出すことができる。 【００１０】ｐ型層３に形成された電極５をワイヤーボ
ンディングするには、他にｐ型層３の隅（例えば、図１
に示すａ点、ｂ点）でも良いが、図１に示すように、そ
れらが対角線上の端にあること、つまりｎ型層の電極４
をワイヤーボンディングする位置と、ｐ型層の電極５を
ワイヤーボンディングする位置とは、同一面側からみて
対角線上の端にあることが特に好ましい。なぜなら、ワ
イヤーボンディング位置を互いに対角線上の端とするこ
とにより、電流が電極５から電極４に均一に流れ、均一
な面発光が得られる。これは窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子はサファイアという絶縁性基板の上に積層さ
れているため基板側から電極を取ることができない。従
って、同一窒化ガリウム系化合物半導体層側から正、負
両電極を取り出す場合、そのワイヤーボンディング位置
を電極４から最も離れた位置とすることにより、ｐ型層
３内に均一に電流を流すことができるため、均一な面発
光が得られることによる。このことは窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子特有の効果である。 【００１１】また、図３は本発明の他の実施形態に係る
発光素子を図１と同じく窒化ガリウム系化合物半導体層
側からみた平面図であり、図４は図３の平面図を一点鎖
線で示す位置で切断した際の概略断面図である。基本的
な構造は図１および図２と同一であるが、この発光素子
はｐ型層３の電極５を金属よりなる透光性の電極として
いる。電極５を金属とするのはｐ型層３とオーミック接
触を得るためである。さらに、電極５を透光性にするに
は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の金属が透光性となるよ
うに非常に薄く蒸着、またはスパッタすることによって
実現できる。また、金属を蒸着、スパッタした後、アニ
ーリングして、金属を窒化ガリウム系化合物半導体中に
拡散させると共に、外部に飛散させて透光性となるよう
な膜厚まで調整することにより実現できる。透光性にな
る電極５の膜厚は金属の種類によっても異なるが、好ま
しい膜厚は０．００１μｍ〜０．１μｍの範囲である。 【００１２】さらに、電極５を透光性とした場合、図３
に示すようにｐ型層３のほぼ全面に電極５を形成するこ
とができる。図３のように電極５を全面に形成すること
により、図１の線状の電極に比して、電流がよりｐ型層
３全面に広がるため、全面発光の好ましい発光素子を得
ることができる。 【００１３】さらにまた、電極５を透光性にした場合、
透光性電極の上に直接ワイヤーボンディングすると、電
極５の膜厚が薄いことにより、ボールが電極５と合金化
せずくっつきにくくなる傾向にあるため、図４に示すよ
うに電極５とは別にボンディング用の台座電極８を形成
する方が好ましい。台座電極８はＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ等通
常の電極材料を使用でき、数μｍの厚さで形成すること
ができる。また、図１に示す線状の電極５を透光性とし
てもよく、線状の電極５を透光性にした場合には、電極
５の隅部に台座電極８を設けてもよいことはいうまでも
ない。 【００１４】本発明において、ｎ型層の電極をワイヤー
ボンドするｎ型層の隅部とは、いいかえると図１、図３
に示すように、同一平面上においてｎ型層の隅部に形成
されている電極を指し、同様にｐ型層の電極をワイヤー
ボンドするｐ型層の隅部とは、図１、図３に示すように
同一平面上に形成されているｐ型層の電極の隅部を指し
ている。 【００１５】本発明の発光素子はｎ型層の電極がそのｎ
型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さら
に、ｐ型層の電極がそのｐ型層の隅部でワイヤーボンデ
ィングされているため、電極で発光を遮られることなく
効率よく外部へ発光を取り出すことができる。また上部
からワイヤーボンドするため、１チップを１リードフレ
ーム上に取り付けることができるため、チップサイズが
小さくでき生産性が向上する。さらに、ｎ型層の電極と
ｐ型層の電極とを対角線上、つまり最も距離の離れた位
置に配置することにより、電流を均一に広げることがで
き、発光効率がさらに向上する。またｐ型層の電極を透
光性にしてｐ型層のほぼ全面に形成することにより、電
流がｐ型層全面に均一に流れ、しかも発光は透光性電極
を通して電極側から観測することができる。 【００１６】 【実施例】基板上にｎ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層とを
順に積層したウエハーを用意する。次に前記ｐ型ＧａＮ
層の上に所定の形状のマスクを形成した後、ｐ型ＧａＮ
層を一部エッチングしてｎ型ＧａＮ層を露出させる。た
だし、エッチング形状は図１に示すような形状とし、露
出したｎ型層の面積はその上に電極を形成してその電極
の上にワイヤーボンディングできる最小限の面積とす
る。 【００１７】次にｐ型ＧａＮ層の上に電極形成用のマス
クを形成し、蒸着装置にてｐ型ＧａＮ層のほぼ全面にＮ
ｉ／Ａｕをおよそ３００オングストロームの厚さで蒸着
する。なお露出したｎ型ＧａＮ層の上にもＡｌを１μｍ
の厚さで蒸着する。この状態でｎ型層の電極とｐ型層の
電極とが対角線上に位置する電極パターンが完成する。 【００１８】蒸着後、アニーリング装置で、ウエハーを
アニーリングすることによりｐ型層上の電極を透光性に
する。さらに再度マスクを形成し、その透光性電極の所
定の位置にボンディング用のＡｌよりなる台座電極を１
μｍの厚さで形成する。この状態でｎ型層の電極のワイ
ヤーボンディング位置と、ｐ型層の電極のワイヤーボン
ディング位置とが対角線上にあるパターンが完成する。 【００１９】次にウエハーを、前に形成したパターンが
発光素子の隅に来るように四角形にカットして発光チッ
プとする。後はこの発光チップのＧａＮ層側を発光観測
面として、一つのリードフレーム上に載置し、それぞれ
の電極に金線をワイヤーボンディングした後、最後にエ
ポキシ樹脂で全体をモールドすることにより、本発明の
発光ダイオードとした。図５にこの発光ダイオードの概
略断面図を示す。この図において１０はリードフレー
ム、１１がエポキシ樹脂である。そしてこの発光ダイオ
ードを発光させたところ、同一の素子でｐ型層の電極の
中心にワイヤーボンディングしたものに比して１．５倍
も明るかった。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
は、ボンディング位置がその発光素子の対角線上にある
ため、電極、ボンディング用の電極、ボール等で発光を
遮ることが少なくなり発光素子の発光効率を向上させる
ことができる。また窒化ガリウム系化合物半導体層側か
ら、両電極を取り出してワイヤーボンディングできるた
め、チップサイズを小さくできて生産性が向上する。さ
らに、好ましくは両電極を対角線上に配置することによ
り、ｐ型層の電流を均一に広げることができ均一な発光
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に係る発光素子を窒化ガ
リウム系化合物半導体層側から見た平面図。 【図２】 図１の発光素子の概略断面図。 【図３】 本発明の他の実施形態に係る発光素子を窒化
ガリウム系化合物半導体層側から見た平面図。 【図４】 図３の発光素子の概略断面図。 【図５】 本発明の一実施形態に係る発光素子の概略断
面図。 【符号の説明】 １・・・・基板、 ２・・・・ｎ型層、 ３・・・・ｐ型層、 ４・・・・ｎ型層の電極、 ５・・・・ｐ型層の電極、 ６・・・・ボール、 ７・・・・金線、 ８・・・・台座電極。
リウム系化合物半導体層側から見た平面図。 【図２】 図１の発光素子の概略断面図。 【図３】 本発明の他の実施形態に係る発光素子を窒化
ガリウム系化合物半導体層側から見た平面図。 【図４】 図３の発光素子の概略断面図。 【図５】 本発明の一実施形態に係る発光素子の概略断
面図。 【符号の説明】 １・・・・基板、 ２・・・・ｎ型層、 ３・・・・ｐ型層、 ４・・・・ｎ型層の電極、 ５・・・・ｐ型層の電極、 ６・・・・ボール、 ７・・・・金線、 ８・・・・台座電極。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上にｎ型ＧａＮからなるｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層及びｐ型ＧａＮからなるｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層を有し、前記ｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、前記
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて
露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ
電極が形成され、それら同一面側にあるｐ電極とｎ電極
とに通電することにより、発光する略矩形の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子において、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に複数の線状の
電極又は、金属薄膜よりなり前記ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層のほぼ全面に形成されたオーミック用の透
光性の電極を形成し、 前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極のワイヤ
ーボンディング位置と、前記ｎ電極のワイヤーボンディ
ング位置とが、互いに対角線上の隅部と隅部にある電極
パターンとしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33095997A JP3369089B2 (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33095997A JP3369089B2 (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12931393A Division JP2748818B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-05-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=18238308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33095997A Expired - Lifetime JP3369089B2 (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3369089B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102646769B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-08-05 | 达亮电子（苏州）有限公司 | 发光二极管组件、发光二极管封装结构及其制造方法 |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP33095997A patent/JP3369089B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9159878B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10117017A (ja) | 1998-05-06 |
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