US20050082546A1 - Light-emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Jeong-Wook Lee
Youn-joon Sung
Jae-hee Cho
Ho-sun Paek
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    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting device, and more particularly, to a high efficiency light-emitting device with improved light extraction efficiency and good defect density control and stress distribution control and, in which, a substrate limits a surface crystal orientation.
  • light-emitting devices include laser diodes (LD) and light emitting diodes (LED), and LEDs use properties of compound semiconductors to transmit a signal, which is electric energy converted into an infra-red light, visible light, or other forms of light.
  • the converting of electric energy into light can be categorized into temperature radiation and luminescence.
  • Photo luminescence caused by the excitation of light, a cathode luminescence caused by the irradiation of x-ray or an electron beam, and electroluminescence (EL) are all types of luminescence.
  • An LED is one kind of an EL and currently LEDs using group III-V compound semiconductors are widely used.
  • Group III nitride compound semiconductors are direct transition semiconductors, and are widely used in light-emitting devices such as LEDs and LDs since it is possible to obtain stable operation at a high temperature than devices that use other semiconductors.
  • the Group III nitride compound semiconductors use sapphire (Al 2 O 3 ) as a substrate and are formed on top of the substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of in general Group III nitride compound semiconductor, including a sapphire substrate.
  • a n-GaN layer 12 , an active layer 13 , a p-GaN layer 14 , and a p-type electrode layer 15 are sequentially formed on a sapphire substrate 11 .
  • an n-type electrode layer 16 is formed on the n-GaN layer 12 where the active layer 13 is not formed.
  • the most important issue is how efficiently can the light, which is created at an internal active layer, be extracted externally.
  • a device with a flip chip-type is adopted and the light extraction efficiency is at approximately 40% due to the difference in diffraction rates between the GaN and sapphire substrate.
  • an LED structure in which an uneven structure is formed by processing the surface of a sapphire substrate 21 and forming semiconductor crystal layers, which include active layers, on top of the substrate has been introduced.
  • Such a structure forms a diffraction rate interface having an uneven surface under the active layer 22 and enables the external extraction of a portion of the light which fades out within the device.
  • FIG. 2 b schematically illustrates a process of forming an LED on top of a sapphire substrate which has such an uneven structure.
  • FIG. 2 c -( a ) GaN facets are grown 24 from the top and each side portion of the uneven structure, as shown in and 2 c -( b ). Then a planarized GaN layer 23 can be obtained as shown in FIG. 2 c -( c ).
  • FIG. 2 c -( d ) illustrates the completion of a light emitting diode, in which an active layer 22 , etc. are on top of the planarized GaN layer 23 .
  • This process has a disadvantage in that when growing the semiconductor crystal layer using such a patterned sapphire substrate (PSS), since planarization is carried out after facet growth is performed on the pattern, regrowth has to be done to a sufficient thickness to perform planarization.
  • PSS patterned sapphire substrate
  • a structure is disclosed (No. WO2001-69663), in which a step difference is formed, group III nitride compound semiconductors are grown on the top surface and side portions of the step difference and a piercing phase is prevented.
  • a disadvantage is that a void is formed in the lower portion of the step difference and to planarize the growth layer group III nitride compound semiconductors have to be formed relatively thick.
  • an ELOG and a PENDEO method are used to reduce the defect density.
  • the ELOG method a separate mask layer is needed, and in the case of the PENDEO method, a void is formed on the interface portion of the substrate resulting in a decrease in light extraction efficiency.
  • the present invention provides a light-emitting device and a method of manufacturing the same.
  • the light-emitting device includes a substrate having at least one protruded portion with a curved surface in which a consistent defect density and uniform stress distribution can be obtained even when the growth of the semiconductor crystal layer and the forming of the light-emitting device are completed.
  • the light-emitting device has a high the light extraction efficiency for extracting light generated at a electroluminescense layer externally.
  • a light-emitting device including a substrate having at least one protruded portion with a curved surface, the crystal surface orientations of the at least one protruded portion are different from growth directions of a group III nitride compound semiconductor formed on the at least one protruded portion, and a plurality of semiconductor crystal layers comprising a plurality of active layers and electrodes formed on a portion of the substrate.
  • curvatures at each point of the surface of the protruded portions is greater than 0.
  • each surface of the protruded portions has a different crystal orientation from a (0001) surface.
  • the substrate is composed of sapphire or material including Si.
  • an n-GaN layer is formed on the substrate, an active layer, a p-GaN layer, and a p-type electrode layer are formed sequentially on a portion of the n-GaN layer, and an n-type electrode layer is formed on a portion of the n-GaN layer where the active layer is not formed.
  • a method of manufacturing a light-emitting device includes forming at least one protruded portion with a curved surface on a planarized substrate, and forming semiconductor crystal layers including active layers, on the substrate.
  • forming the at least one protruded portion includes patterning a photo resist formed on the substrate, hard baking the photo resist and the substrate, and etching the surface of the substrate, thereby forming at least one protruded portion.
  • an etching gas is a Cl gas selected from the group consisting of Cl 2 , BCl 3 , HCl, CCl 4 , and SiCl 4 .
  • a method of manufacturing a light-emitting device including forming at least one protruded portion with a curved surface on a substrate, and growing group III nitride compound semiconductor crystal layers from the substrate surface between the protruded portions until the surface of the protruded portions is covered.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a general Group III nitride compound semiconductor using a sapphire substrate
  • FIGS. 2 a and 2 b illustrate a general structure and process of forming a Group III nitride compound semiconductor on an eneven sapphire substrate
  • FIG. 2 c illustrates a general process of forming an LED on a substrate which has an uneven surface
  • FIG. 3 a is a cross-sectional view of a substrate of a light-emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 b is a SEM picture of the surface of the substrate of FIG. 3 a;
  • FIG. 3 c is a cross-sectional view of a flip chip-type light-emitting device, which includes a substrate in which curved surface type protrusion portions are formed according to the present invention
  • FIGS. 4 a through 4 d are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 a is a SEM picture illustrating the process of coating a GaN layer on top of the sapphire substrate, which ha a curved surface type protruded portions and planarizing the GaN layer according to the present invention
  • FIG. 5 b is a SEM picture illustrating the process of coating and planarizing a GaN layer on top of the sapphire substrate which has an uneven surface that has a planarized top;
  • FIG. 6 is a diagram to compare the light extraction power of the light-emitting device according the present invention with that of prior art.
  • FIG. 3 a is a cross-sectional view of a substrate of a light-emitting device which might include sapphire or Si according to an embodiment of the present invention.
  • smoothly curved protrusions 32 are formed on the surface of a substrate 31 .
  • Such protrusions 32 are different from the uneven structure of the general substrate shown in FIGS. 2 a through 2 c.
  • the top portion and side portion of the uneven structure of FIGS. 2 a through 2 c are discriminated since the top portion and side portion are each flat and the side portions are slanted at a predetermined angle with respect to the surface of the substrate 21 .
  • the protruded portions 32 formed on the surface of the substrate of FIG. 3 a has a curved surface, and thus there is not distinction between the upper portion and side portion, resulting in a surface in which a planarized surface does not exist. Therefore, the curvatures of each portion of the protruded portions 32 are greaterr than 0. Except where the protruded portion 32 and the main part of the substrate 31 meet, a corner does not exist. Therefore, crystal orientations of the surfaces of the protruded portions 32 of the substrate 31 are different from crystal growth directions (c axis) of the Group III nitride compound semiconductors, which are formed on top of the substrate 31 .
  • the surfaces of the curved surface type protruded portions 32 are formed of a crystal growth surfaces different from a (0001) surface. Therefore, the growth of group III nitride compound semiconductors does not frequently occur on the surface of the protruded portions 32 .
  • FIG. 3 b is a SEM picture of the surface of the substrate 31 of FIG. 3 a.
  • the protruded portions 32 use hemispheres. All protruded portions 32 on the surface of the substrate may have identical sizes and forms, but embodiments of the invention are not limited to this, and the size, form and curvature of each portion of the protruded portions 32 may differ slightly. For example, the curvature of the lower portion of the protruded portions 32 may be greater than the curvature of the upper portion or vise versa. In addition, the entire form of the protruded portions 32 may have curved surfaces, be hemispheres, form a striped pattern or have a bent horseshoe shape. Furthermore, there is no limit to the arrangement of the protruded portions so that the protruded portions may have a regular spaced arrangement such as a lattice structure or an irregular spaced arrangement.
  • the substrate 31 of the light-emitting device according to an embodiment of the present invention is not limited to a sapphire substrate, and any substrate that grows Group III nitride compound semiconductors such as Si, SiC etc. may also be used.
  • FIG. 3 c is a cross-sectional view of a flip-chip-type light-emitting device including the substrate 31 according to an embodiment of the present invention.
  • an n-GaN layer 33 is formed on the substrate 31 and an active layer 34 , a p-GaN layer 35 , and a p-type electrode layer 36 are sequentially formed on a portion of the n-GaN layer 33 .
  • an n-type electrode layer 37 is formed on a portion of the n-GaN layer 33 where the active layer 34 is not formed.
  • the structure of the light emitting device, aside from the substrate 31 is not much different from that of the group III nitride compound semiconductor light-emitting device.
  • a group III nitride compound semiconductor formed on the substrate 31 is not limited to GaN, and may also include secondary molecules such as AlN or InN, other tertiary molecules and quadruple molecules.
  • a method of manufacturing a light-emitting device will be described below.
  • the following is a process of forming a plurality of curved surface type protruded portions on the surface of a substrate.
  • a photo resist on the planarized substrate is patterned.
  • the patterning is carried out using a general photolithography method, and the thickness of the photo resist depends on the target value of the etching depth of the substrate. For example, when the etching depth of the sapphire substrate is approximately 1.2 ⁇ m the thickness of the photo resist can be approximately 2 ⁇ m.
  • hard baking is performed at a temperature of approximately 110° C.
  • a general reactive ion-etching method is used. Etching gas, pressure, and power are suitably adjusted to form a protruded portion of the substrate.
  • Cl 2 /BCl 3 is used as an etching gas, with a pressure of 3 mTorr, and a power of 800 W.
  • the etching gas can be selected from the Cl group of Cl 2 , BCl 3 , HCl, CCl 4 , and SiCl 4 etc.
  • the pressure can be between a few mTorr and tens of mTorr, depending on the etching gas, and is preferably 1 ⁇ 40 mTorr.
  • a plurality of protruded portions can be formed on the substrate surface by the above-described process. Then an n-GaN layer, an active layer, a p-GaN layer, a p-type electrode layer, and n-type electrode layer, are formed on the substrate.
  • the compound semiconductor layers formed on the substrate 31 are not largely different from those of general light emitting devices and the manufacturing process can be understand by those skilled in the art. However, when forming the light-emitting device on the substrate surface, with the protruded portions, a separate mask layer is not needed.
  • FIGS. 4 a through 4 d schematically illustrate a method of manufacturing the light-emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the surface of the planarized substrate 31 is etched, thereby forming a sapphire substrate 31 which has protruded portions 32 with curved surfaces.
  • the GaN layer 33 is grown on the substrate.
  • the GaN layer 33 is grown to a predetermined thickness and its surface is planarized.
  • FIG. 3 c illustrates a completed flip-chip type light-emitting device in which other active layers 34 and electrode layers 36 and 36 are all formed on top of the planarized n-GaN layer 33 of FIG. 4 c.
  • a void is not formed at an interface between the substrate 31 and the GaN layer 33 . Since the growth process for active layers carried out after the forming of the GaN layers 33 is well described in the prior art, it will not be mentioned here.
  • the method of manufacturing a light-emitting device illustrated in FIGS. 4 a through 4 d is different from the method forming a light-emitting device on a substrate that has an uneven surface as shown in FIG. 2 c.
  • the GaN does not grow facets as in the prior art and the thickness of the GaN layer 32 for obtaining a planarized layer is relatively thin.
  • an epitaxial growth occurs, but in the present invention, growth of the GaN layer 33 does not easily occur on the surface of the protruded portion 32 .
  • the protruded portions 32 must have curved surfaces. Therefore, the growth of the group III nitride compound semiconductor starts on the surface of the substrate 31 between the protruded portions 32 , that is, a planarized portion, and as the thickness of the group III nitride compound semiconductor increases, the side and top portions of the protruded portions 32 become covered.
  • FIG. 5 a is a SEM image illustrating a process of coating the GaN layer 33 on the substrate 31 with the protruded portions 32
  • FIG. 5 b is a SEM image illustrating a process of coating the GaN layer 33 on the general substrate 21 with an uneven surface.
  • the uneven structure which has a planar surface and protruded portions 32 with curved surfaces formed on the surface of the substrate 31 are manufactured at an identical height.
  • FIG. 5 a -( b ) the planarization of the substrate 31 is carried out by the GaN layer 33 , except on the top portion of the protruded portions 32 .
  • facet growth of the GaN occurs on the top and side surfaces of the uneven portion and the degree of planarization is very low.
  • FIG. 5 a -( c ) on top of the substrate 31 , GaN is coated and complete planarization is achieved.
  • planarization is carried out on top of the uneven surface but complete planarization is not achieved between each uneven surface.
  • FIG. 6 is a graph comparing the light extraction of the light-emitting device according to the present invention with that of prior art.
  • A illustrates the light-emitting device which is formed on the general planarized substrate 11 shown in FIG. 1 .
  • B illustrates the light-emitting device formed on the general substrate 21 having the uneven surface shown in FIG. 2 d.
  • C illustrates a light-emitting device, formed on the substrate 31 having protruded portions 32 with curved surfaces according to the present invention, shown in FIG. 3 c.
  • the light extraction in case B in which the light-emitting device is formed on the substrate 21 with an uneven surface is 50% greater than the case of A in which the light-emitting device is formed on the substrate 11 with the planar surface.
  • the light extraction in case C in which the light-emitting device is formed on the substrate 31 , with the protruded portions 32 , with the curved surfaces is greater than 60% more than in case A.
  • light extraction in case C is approximately 10% than in case B. This is because in the substrate 31 with the protruded portions 32 , the semiconductor crystal layer forms an optical lens which changes the light path and reduces the defect density of the growing semiconductor crystal layer.
  • the protruded portions of the light-emitting device according to embodiments of the present invention are different from the crystal growth directions of the Group III nitride compound semiconductor to be formed on the substrate, and may be hemispheres, stripes, horse shoe shapes etc., and the arrangement can include regular and irregular arrangements.
  • planarization is carried out efficiently and consistent defect density control and control of stress distribution is easily attained, even when the growth and light-emitting device of the semiconductor crystal layer are complete, and, as a result, can increase light extraction efficiency of the light which is generated at the electroluminescence layer are directed toward the outside of the light-emitting device.

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Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1724846A2 (en) * 2005-05-16 2006-11-22 Sony Corporation Light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for their production, method for growing a nitride-based III-V group compound semiconductor, light source cell unit, light emitting diode backlight, light-emitting diode display and electronic device
WO2007003684A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Optogan Oy Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
WO2007013757A1 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US20070100325A1 (en) * 2005-11-03 2007-05-03 Sebastien Jutras Multifaceted tracker device for computer-assisted surgery
US20070176160A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Hamamatsu Photonics K.K. Electron tube
US20070246700A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Hyung Jo Park Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same
US20070262330A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device having multi-pattern structure and method of manufacturing same
US20080008964A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Chia-Hua Chan Light emitting diode and method of fabricating a nano/micro structure
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2008081717A1 (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Showa Denko K.K. Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
WO2009002129A2 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20090032835A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device
US20090114933A1 (en) * 2006-03-31 2009-05-07 Showa Denko K.K., GaN BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LAMP
KR100916375B1 (ko) 2007-06-27 2009-09-07 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 제조하는 방법
US20090236629A1 (en) * 2005-07-08 2009-09-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Sustrate and Semiconductor Light-Emitting Device
US20090242918A1 (en) * 2004-09-22 2009-10-01 Cree, Inc. High Efficiency Group III Nitride LED with Lenticular Surface
US20100006862A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-14 Huga Optotech Inc. Substrate for fabricating light emitting device and light emitting device fabricated therefrom
US20100006878A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Semiconductor light emitting device having patterned substrate and manufacturing method of the same
US20100025684A1 (en) * 2006-12-22 2010-02-04 Showa Denko K.K. Method for producing group iii nitride semiconductor layer, group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp
US20100102353A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
DE102008056175A1 (de) * 2008-11-06 2010-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements und Strahlung emittierendes Dünnschichtbauelement
US20100224894A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Wooree Lst Co., Ltd Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
US20100273331A1 (en) * 2006-07-05 2010-10-28 National Central University Method of fabricating a nano/micro structure
WO2010123165A1 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Snu R&Db Foundation Method of fabricating substrate where patterns are formed
US20110042711A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Wooree Lst Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
TWI387004B (zh) * 2009-04-24 2013-02-21 Snu R&Db Foundation 形成有圖案之基板的製造方法
CN103650171A (zh) * 2011-07-15 2014-03-19 皇家飞利浦有限公司 将半导体装置结合到支持衬底的方法
EP2722901A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-23 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device with dislocation propagation prevention
US9024331B2 (en) 2009-12-17 2015-05-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Substrate, template substrate, semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element producing method, illumination device using semiconductor light emitting element and electronic device
US9484496B2 (en) 2010-02-04 2016-11-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
CN109461378A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 三星显示有限公司 可折叠显示设备及其制造方法
USRE48858E1 (en) 2011-08-22 2021-12-21 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and light unit
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Families Citing this family (410)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
DE102004063978B4 (de) * 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
US20070018186A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof
KR100958590B1 (ko) 2005-08-19 2010-05-18 한빔 주식회사 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR100610639B1 (ko) * 2005-07-22 2006-08-09 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
TWI253771B (en) * 2005-07-25 2006-04-21 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode structure
KR20070063731A (ko) * 2005-12-15 2007-06-20 엘지전자 주식회사 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자
KR101163788B1 (ko) 2006-03-05 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
KR100786777B1 (ko) * 2006-03-28 2007-12-18 전북대학교산학협력단 반도체 구조물의 제조 방법
KR100730755B1 (ko) * 2006-05-12 2007-06-21 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광소자 제조 방법 및 그 수직형 발광소자
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
JP5082752B2 (ja) * 2006-12-21 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
US7663148B2 (en) * 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
KR101305786B1 (ko) * 2007-06-21 2013-09-06 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7905618B2 (en) 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP2009295753A (ja) 2008-06-04 2009-12-17 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
TWI413279B (zh) 2008-06-20 2013-10-21 Toyoda Gosei Kk Iii族氮化物半導體發光元件及其製造方法、以及燈
CN102106009B (zh) 2008-07-03 2013-07-24 三星电子株式会社 波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置
WO2010002226A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
KR100882240B1 (ko) * 2008-09-11 2009-02-25 (주)플러스텍 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP2010092936A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Yamaguchi Univ 半導体装置
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
EP2357679B1 (en) 2008-11-14 2018-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical/horizontal light-emitting diode for semiconductor
KR101141269B1 (ko) * 2008-12-26 2012-05-04 한국광기술원 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR101055266B1 (ko) 2009-05-07 2011-08-09 (주)더리즈 반도체 소자용 기판 및 이를 이용한 반도체 소자
JP2011009382A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE112010003358T5 (de) * 2009-08-21 2012-08-02 Soraa, Inc. Verfahren und strukturen zum schnellen abscheiden von ultradünnen epitaktischen gallium- und stickstoffhaltigen strukturen für bauelemente
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
JP5463901B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100976819B1 (ko) 2010-02-10 2010-08-20 (주)더리즈 반도체 기판 및 이를 이용한 발광소자
US8258531B2 (en) * 2010-03-26 2012-09-04 Huga Optotech Inc. Semiconductor devices
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2012026757A2 (ko) 2010-08-25 2012-03-01 삼성엘이디 주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
CN102420281B (zh) * 2010-09-28 2014-12-10 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
KR20120042500A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
CN102623600A (zh) * 2011-01-31 2012-08-01 隆达电子股份有限公司 半导体发光结构
EP2503606B1 (en) 2011-03-25 2020-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
TWI470829B (zh) * 2011-04-27 2015-01-21 Sino American Silicon Prod Inc 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
JP5914807B2 (ja) * 2011-12-14 2016-05-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 サファイア基板のエッチング方法
CN104126096B (zh) 2011-12-16 2017-06-20 三星电子株式会社 照明装置的散热结构以及照明装置
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
JP5673581B2 (ja) 2012-02-24 2015-02-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、ランプ、並びに、レチクル
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
CN103035802A (zh) * 2012-12-15 2013-04-10 华南理工大学 一种用于led倒装结构的图形化衬底及led芯片
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
KR102038885B1 (ko) 2013-05-27 2019-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102122366B1 (ko) 2013-06-14 2020-06-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20150002361A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
EP3022779B1 (en) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
KR102061563B1 (ko) 2013-08-06 2020-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150021814A (ko) 2013-08-21 2015-03-03 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
KR102075985B1 (ko) 2013-10-14 2020-02-11 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102122360B1 (ko) 2013-10-16 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광모듈 테스트 장치
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102086360B1 (ko) 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
KR102122359B1 (ko) 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR102070092B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20150084311A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성전자주식회사 발광모듈
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102075986B1 (ko) 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102175723B1 (ko) 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
US9548419B2 (en) * 2014-05-20 2017-01-17 Southern Taiwan University Of Science And Technology Light emitting diode chip having multi microstructure substrate surface
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102223037B1 (ko) 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
CN106558597B (zh) 2015-09-30 2020-03-06 三星电子株式会社 发光器件封装件
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR101803929B1 (ko) 2016-03-10 2018-01-11 주식회사 소프트에피 근자외선 발광 반도체 발광소자 및 이에 사용되는 3족 질화물 반도체 템플릿
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102443694B1 (ko) * 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
US10147760B2 (en) 2016-12-08 2018-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting devices
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102680862B1 (ko) 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR20180089117A (ko) 2017-01-31 2018-08-08 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR20180095397A (ko) 2017-02-17 2018-08-27 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR20180098904A (ko) 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102666539B1 (ko) 2017-12-13 2024-05-17 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20200111323A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20200112369A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20200118333A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20210000351A (ko) 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102684977B1 (ko) 2019-07-08 2024-07-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR20210006567A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US11374202B2 (en) 2019-09-11 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20210034726A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20210048621A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20210052626A (ko) 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20210063518A (ko) 2019-11-22 2021-06-02 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR20210064855A (ko) 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
KR20210097855A (ko) 2020-01-30 2021-08-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102741A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210141036A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR20210145590A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR20210145553A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR20210158254A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210158701A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220034972A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220036176A (ko) 2020-09-15 2022-03-22 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20220068558A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220087298A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20220094290A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220095289A (ko) 2020-12-29 2022-07-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220102508A (ko) 2021-01-13 2022-07-20 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220107485A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220112375A (ko) 2021-02-04 2022-08-11 삼성전자주식회사 플래시 led 모듈
KR20220112908A (ko) 2021-02-04 2022-08-12 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR20220133634A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230010139A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR20230079869A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템
US12027107B2 (en) 2022-07-15 2024-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
KR20240031788A (ko) 2022-09-01 2024-03-08 삼성전자주식회사 디스플레이용 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030057444A1 (en) * 2001-07-24 2003-03-27 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
US20030197166A1 (en) * 1998-09-14 2003-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor Device and Semiconductor Substrate, and Method of Fabricating the Same
US6657236B1 (en) * 1999-12-03 2003-12-02 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
US7053420B2 (en) * 2001-03-21 2006-05-30 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN group semiconductor light-emitting element with concave and convex structures on the substrate and a production method thereof

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5181221A (en) * 1990-09-12 1993-01-19 Seiko Epson Corporation Surface emission type semiconductor laser
JPH06302853A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光素子
JPH07147429A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Victor Co Of Japan Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JPH1027769A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Toshiba Corp 半導体チップとその製造方法
US6140570A (en) * 1997-10-29 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovolatic element
JPH11142610A (ja) 1997-11-14 1999-05-28 Seiko Epson Corp マイクロレンズアレイ基板の製造方法
US5914421A (en) 1998-07-01 1999-06-22 Dow Corning Corporation Method for preparation of alkoxysilanes having reduced halide content
JP3469484B2 (ja) * 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US7141444B2 (en) 2000-03-14 2006-11-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP3556916B2 (ja) * 2000-09-18 2004-08-25 三菱電線工業株式会社 半導体基材の製造方法
JP3595277B2 (ja) * 2001-03-21 2004-12-02 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光ダイオード
JP2002289540A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体結晶の製造方法およびＧａＮ系半導体基材
JP2002353425A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Kyocera Corp サファイア基板およびその製造方法
JP2003068655A (ja) 2001-08-27 2003-03-07 Hoya Corp 化合物単結晶の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030197166A1 (en) * 1998-09-14 2003-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor Device and Semiconductor Substrate, and Method of Fabricating the Same
US6657236B1 (en) * 1999-12-03 2003-12-02 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
US20040041164A1 (en) * 1999-12-03 2004-03-04 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US7053420B2 (en) * 2001-03-21 2006-05-30 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN group semiconductor light-emitting element with concave and convex structures on the substrate and a production method thereof
US20030057444A1 (en) * 2001-07-24 2003-03-27 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device

Cited By (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090242918A1 (en) * 2004-09-22 2009-10-01 Cree, Inc. High Efficiency Group III Nitride LED with Lenticular Surface
US8183588B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-22 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8154039B2 (en) 2004-09-22 2012-04-10 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7763904B2 (en) 2005-01-07 2010-07-27 Optogan Oy Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
EP1724846A2 (en) * 2005-05-16 2006-11-22 Sony Corporation Light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for their production, method for growing a nitride-based III-V group compound semiconductor, light source cell unit, light emitting diode backlight, light-emitting diode display and electronic device
US20100308349A1 (en) * 2005-05-16 2010-12-09 Sony Corporation Light-emitting diode, method for making light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for making integrated light-emitting diode, method for growing a nitride-based iii-v group compound semiconductor, light source cell unit, light-emitting diode backlight, and light-emitting diode display and electronic device
EP1724846A3 (en) * 2005-05-16 2013-12-25 Sony Corporation Light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for their production, method for growing a nitride-based III-V group compound semiconductor, light source cell unit, light emitting diode backlight, light-emitting diode display and electronic device
WO2007003684A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Optogan Oy Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
US20090127574A1 (en) * 2005-07-01 2009-05-21 Bougrov Vladislav E Semiconductor Structure and Method of Manufacturing a Semiconductor Structure
US8062913B2 (en) 2005-07-01 2011-11-22 OptoGaN, Oy Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
US20100314662A1 (en) * 2005-07-01 2010-12-16 Optogan Oy Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
US20090236629A1 (en) * 2005-07-08 2009-09-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Sustrate and Semiconductor Light-Emitting Device
US20110001164A1 (en) * 2005-07-25 2011-01-06 Jin Sik Choi Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US20080217638A1 (en) * 2005-07-25 2008-09-11 Jin Sik Choi Semiconductor Light Emitting Device and Fabrication Method Thereof
US8742429B2 (en) * 2005-07-25 2014-06-03 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US9147797B2 (en) 2005-07-25 2015-09-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
WO2007013757A1 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Lg Innotek Co., Ltd Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US20070100325A1 (en) * 2005-11-03 2007-05-03 Sebastien Jutras Multifaceted tracker device for computer-assisted surgery
US20070176160A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Hamamatsu Photonics K.K. Electron tube
US20090114933A1 (en) * 2006-03-31 2009-05-07 Showa Denko K.K., GaN BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LAMP
US7968361B2 (en) 2006-03-31 2011-06-28 Showa Denko K.K. GaN based semiconductor light emitting device and lamp
US20070246700A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Hyung Jo Park Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same
US20070262330A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device having multi-pattern structure and method of manufacturing same
US8013354B2 (en) 2006-05-15 2011-09-06 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting device having multi-pattern structure and method of manufacturing same
US20100273331A1 (en) * 2006-07-05 2010-10-28 National Central University Method of fabricating a nano/micro structure
US20080008964A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Chia-Hua Chan Light emitting diode and method of fabricating a nano/micro structure
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US20080073655A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
US8492186B2 (en) 2006-12-22 2013-07-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride semiconductor layer, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp
US20100025684A1 (en) * 2006-12-22 2010-02-04 Showa Denko K.K. Method for producing group iii nitride semiconductor layer, group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp
WO2008081717A1 (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Showa Denko K.K. Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
WO2009002129A3 (en) * 2007-06-27 2009-03-12 Epivalley Co Ltd Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
WO2009002129A2 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20100102351A1 (en) * 2007-06-27 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same
KR100916375B1 (ko) 2007-06-27 2009-09-07 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 제조하는 방법
US20090032835A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device
US20100006878A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Semiconductor light emitting device having patterned substrate and manufacturing method of the same
US7999272B2 (en) * 2008-07-08 2011-08-16 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having patterned substrate
US8372669B2 (en) 2008-07-08 2013-02-12 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device having patterned substrate and manufacturing method of the same
US20100006862A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-14 Huga Optotech Inc. Substrate for fabricating light emitting device and light emitting device fabricated therefrom
US20100102353A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
TWI425657B (zh) * 2008-11-06 2014-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh 發出輻射之薄膜組件之製造方法及發出輻射之薄膜組件
US20110215295A1 (en) * 2008-11-06 2011-09-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing a radiation-emitting thin film component and radiation-emitting thin film component
US8420439B2 (en) 2008-11-06 2013-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing a radiation-emitting thin film component and radiation-emitting thin film component
DE102008056175A1 (de) * 2008-11-06 2010-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements und Strahlung emittierendes Dünnschichtbauelement
US20100224894A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Wooree Lst Co., Ltd Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
DE112009004687B4 (de) 2009-04-24 2019-03-21 Hexasolution Co., Ltd. Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Oxidkügelchen-Muster ausgebildet werden
TWI387004B (zh) * 2009-04-24 2013-02-21 Snu R&Db Foundation 形成有圖案之基板的製造方法
US8691334B2 (en) 2009-04-24 2014-04-08 SK Hynix Inc. Method of fabricating substrate where patterns are formed
WO2010123165A1 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Snu R&Db Foundation Method of fabricating substrate where patterns are formed
US20110042711A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Wooree Lst Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
US9024331B2 (en) 2009-12-17 2015-05-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Substrate, template substrate, semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element producing method, illumination device using semiconductor light emitting element and electronic device
US9484496B2 (en) 2010-02-04 2016-11-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
US11721788B2 (en) 2011-07-15 2023-08-08 Lumileds Llc Method of bonding a semiconductor device to a support substrate
CN103650171A (zh) * 2011-07-15 2014-03-19 皇家飞利浦有限公司 将半导体装置结合到支持衬底的方法
USRE48858E1 (en) 2011-08-22 2021-12-21 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and light unit
US8890200B2 (en) 2012-10-17 2014-11-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting apparatus having the same
EP2722901A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-23 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device with dislocation propagation prevention
CN109461378A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 三星显示有限公司 可折叠显示设备及其制造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11796163B2 (en) 2020-05-12 2023-10-24 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US12066173B2 (en) 2020-05-12 2024-08-20 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5666164B2 (ja) 2015-02-12
KR100714639B1 (ko) 2007-05-07
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JP4580193B2 (ja) 2010-11-10
CN101667617A (zh) 2010-03-10

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