CN102106009B - 波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种波长转换发光二极管(LED)芯片。所述波长转换LED芯片包括LED芯片和波长转换层。所述LED芯片发射预定波长区域内的光。所述波长转换层由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光。所述波长转换层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。

Description

波长转换发光二极管芯片和具有该芯片的发光二极管装置
技术领域
本发明涉及一种波长转换发光二极管(LED)芯片，更具体地涉及一种可以通过将从LED芯片发射的初始光与来自由初始光发射的一部分所激发的至少一种磷光体的二次光混合来发射白光的波长转换LED芯片以及一种具有该波长转换LED芯片的波长转换发光装置。 
背景技术
与传统的光源相比，半导体LED被认为是具有长寿命、低功耗、快速响应时间、高功率输出等优点的下一代光源，并且目前作为用于各种产品的光源而著名。 
在使用LED的发光装置中，广泛地采用使用磷光体的技术，从而将从LED芯片发射的光转换为不同波长的光。更具体地说，需要这样的波长转换技术来产生用于各种类型的发光设备和显示装置的背光单元的白光。 
在用于产生白光的波长转换发光装置中，磷光体包含在封装LED芯片的透明树脂中，从而将从LED芯片发射的初始光的一部分转换为不同波长的二次光。波长转换发光装置可以通过将初始光的未转换的部分与二次光混合来产生白光。 
混合有磷光体的透明树脂被提供为围绕LED芯片。在这种情况下，提供用于转换光波长的磷光体的分布会对发射的白光的亮度和光谱产生影响。也就是说，当磷光体未均匀地分布在树脂封装部分内部时，会发生由远场光束分布导致的发光效率劣化和色调偏差。另外，当使用两种或更多种磷光体(例如，选自于黄色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体的组合)来提高显色指数(CRI)时，由磷光体的不均匀分布导致的问题会变得更加严重。 
更具体地说，在具有由高电流驱动的高通量LED的发光装置中，具有低再现率的不规则磷光体的分布具有在更大程度上加速色转变效率降低速率和可靠性降低速率的缺点。 
发明内容
技术问题 
本发明的一方面提供了一种能够减小磷光体的分布的影响并能够确保波长转换部分的高再现的波长转换LED芯片。 
本发明的一方面还提供了一种能够减小磷光体的分布的影响并能够确保波长转换部分的高再现的波长转换发光装置。 
本发明的一方面还提供了一种能够减小磷光体的分布的影响并能够确保波长转换部分的高再现的用于制造波长转换发光装置的方法。 
技术方案 
根据本发明的一方面，提供了一种波长转换发光二极管(LED)芯片，所述波长转换LED芯片包括：LED芯片，用于发射预定波长区域内的光；波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。 
所述波长转换层的边缘可以沿所述发光二极管芯片的上边缘限定。 
含有磷光体的树脂可以具有疏水性和亲水性中的一种，所述发光二极管芯片的上表面可以包括具有与所述树脂的特性相同的特性的表面。 
所述波长转换LED芯片还可以包括表面改性层，所述表面改性层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有与所述树脂的特性相同的特性。所述表面改性层可以被提供为用于所述LED芯片的钝化层。 
多个不平坦部分可以形成在所述发光二极管芯片的上表面中。 
所述波长转换层还可以含有用于控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者的添加剂。 
形成所述波长转换层的树脂可以包括从由硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、它们的混合物和它们的化合物组成的组中选择的一种。 
主要用于将白光实现为最终光的所述预定波长区域可以是紫外线、蓝色和绿色的波长区域、蓝色和绿色的波长区域、紫外线和蓝色的波长区域、紫外线的波长区域、蓝色的波长区域以及绿色的波长区域中的一种。 
所述至少一种磷光体可以是用于将所述预定波长区域内的光转换为不同波长区域内的光的各种磷光体。 
所述波长转换层可以具有分别含有不同磷光体的至少两个树脂层。 
所述至少两个树脂层可以包括含有第一磷光体的第一树脂层和含有至少一种第二磷光体的第二树脂层，所述第一树脂层可以具有位于所述LED芯片的上表面上的内部区域中的第一凸弯月面形上表面，所述第二树脂层可以形成在所述第一树脂层上，并具有第二凸弯月面形上表面，所述第二树脂层的边界由所述LED芯片的上表面的边缘限定。 
由所述第一磷光体转换的光的波长可以比由所述第二磷光体转换的光的波长短。从所述LED芯片发射的光的峰值波长可以在大约380nm至大约500nm的范围内，所述第一磷光体可以包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体，所述第二磷光体可以包括用于将光转换为红光的红色磷光体。 
所述第一磷光体可以包括在所述树脂中重量％为大约20％至大约80％的绿色磷光体，所述第二磷光体可以包括在所述树脂中重量％为大约5％至大约30％的红色磷光体。 
从所述LED芯片发射的光的峰值波长可以在大约380nm至大约500nm的范围内，所述第一磷光体可以包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体，所述第二磷光体可以包括用于将光转换为红光的红色磷光体和用于将光转换为黄光的黄色磷光体。 
所述第一磷光体可以包括在所述树脂中重量％为大约5％至大约60％的绿色磷光体，所述第二磷光体可以包括在所述树脂中重量％为大约2％至大约25％的红色磷光体和重量％为大约15％至大约80％的黄色磷光体。 
根据本发明的另一方面，提供了一种波长转换发光装置，所述波长转换发光装置包括：用于安装的构件，具有第一引线结构和第二引线结构；发光二极管(LED)芯片，安装在用于安装的构件上，使得所述LED芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构，以发射预定波长区域内的光；波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述LED芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面。 
所述LED芯片可以使用布线与所述第一引线结构和所述第二引线结构中的至少一个电连接。 
所述波长转换层的最大厚度可以小于所述LED芯片的上表面和所述布线的最上端之间的长度。 
波长转换发光装置还可以包括形成在用于安装的构件上的透镜形结构。 
根据本发明的又一方面，提供了一种用于制造波长转换发光装置的方法，所述方法包括：在用于安装的构件上安装发光二极管(LED)芯片，所述LED芯片用于发射预定波长区域内的光，所述用于安装的构件具有第一引线结构和第二引线结构，使得所述LED芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构；准备含有至少一种磷光体的液态树脂，所述至少一种磷光体用于将从所述LED芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光；在所述LED芯片的上表面上提供含有磷光体的液态树脂，使得提供在所安装的LED芯片的上表面上的所述液态树脂具有凸弯月面形上表面的结构；通过使含有磷光体的所述液态树脂固化以保持所述结构而在所述LED芯片的上表面上形成波长转换层。 
所述凸弯月面形上表面的结构可以由所述LED芯片的上边缘限定。可以使用滴涂工艺来执行提供含有磷光体的液态树脂的步骤。 
安装所述LED芯片的步骤可以包括：使用布线将所述LED芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构中的至少一个。提供含有磷光体的液态树脂的步骤可以在使用所述布线连接所述LED芯片之后执行。 
所述波长转换层的最大厚度可以小于所述LED芯片的上表面和所述布线的最上端之间的长度。 
准备含有磷光体的液态树脂的步骤可以包括：使用所述液态树脂的粘度、磷光体的粒度、磷光体含量和用于控制粘度的添加剂的含量中的至少一者来控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者，使得所述液态树脂在所述LED芯片的上表面上具有凸弯月面形上表面的结构。 
有益效果 
根据本发明的示例性实施例，磷光体层设置在LED芯片的上表面上，从而可以解决与磷光体的不均匀分布和色调再现相关的问题。另外，可以提供位于LED芯片的上表面上的磷光体层，使得磷光体层具有圆顶状凸弯月面形。这样的形状可以通过控制相对简单的工艺要素例如使得混合有磷光体的树脂的粘度或触变性最优化来获得。如此，可以在LED芯片的上表面上控制远场光束分布和由远场光束分布引起的色调偏差。 
另外，使用双层结构不仅可以使白光的色转换效率最大化，而且可以提高CRI。 
附图说明
图1是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的示意性剖视图； 
图2是示出根据本发明示例性实施例的波长转换LED芯片的改进的示意性剖视图； 
图3是示出根据本发明示例性实施例的波长转换LED芯片的改进的示意性剖视图； 
图4a至图4d是示出根据本发明示例性实施例的用于制造波长转换发光装置的每个主要过程的剖视图； 
图5是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的示意性剖视图； 
图6是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的示意性剖视图。 
具体实施方式
根据结合附图进行的下面详细描述，本发明的以上和其它方面、特征及其它优点将更易于理解。 
图1是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置10的示意性剖视图。 
参照图1，波长转换发光装置10包括基底11和安装在基底11上的LED芯片15，基底11是用于安装的构件。 
在本发明的示例性实施例中，LED芯片15可以使用粘结构件(未示出)固定在基底11上，并可以使用布线13与基底11的引线结构(未示出)电连接。 
具有凸弯月面形上表面M的磷光体层17形成在LED芯片15的上表面上。磷光体层17由含有磷光体17a的树脂17b形成，以将从LED芯片15发射的光的一部分转换为不同波长带的光。 
在用于将白光提供为最终光的示例性实施例中，从LED芯片15发射的光的波长带可以是紫外(UV)波长区域、蓝色波长区域或绿色波长区域。另外，波长带可以是广泛地分布波长区域的紫外线、蓝色和绿色的波长区域， 蓝色和绿色的波长区域，或者紫外线和蓝色的波长区域。 
例如，LED芯片15可以是峰值波长为大约380nm至大约500nm的UV或蓝色LED芯片。 
磷光体17a可以是能够将从LED芯片15发射的光转换为不同波长区域的光的至少一种磷光体。即，可以使用能够将光转换为黄光的一种磷光体，或者可以使用两种或更多种磷光体的组合。例如，可以使用红色磷光体和绿色磷光体的组合或者黄色磷光体和绿色磷光体的组合。随着磷光体的组合的数量增多，可以预计相对高的CRI。 
另外，用于波长转换层(磷光体层)17的树脂17b可以是硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、它们的混合物以及它们的化合物中的一种。 
这里，“混合物”是指从上述树脂中选择的至少两种树脂的物理混合。“化合物”是指至少两种选择的树脂通过化学键的合成。例如，化合物可以包括具有硅原子结合的羟基的硅树脂，并合成硅环氧化合物树脂，其中环氧树脂具有环氧乙烷。 
如图1所示，磷光体层17被限制到LED芯片15的上表面，与围绕芯片的整个区域的磷光体层相比，可以确保更均匀的磷光体分布。另外，因为将LED芯片15的上表面提供为主要光发射表面，所以即使当磷光体层17仅形成在芯片15的上表面时，仍可以获得足够的光转换效果。 
在本发明的示例性实施例中，磷光体层17具有凸弯月面形的上表面。凸弯月面结构可以在从磷光体层17发射的光的远场光束分布和色调分布方面提供有用的优点。适合于本发明示例性实施例的凸弯月面结构可以通过使用预先含有磷光体17a的液态树脂的表面张力来获得。另外，可以使用诸如含有液态树脂的磷光体的粘度和触变性之类的条件来控制凸弯月面结构。 
更具体地说，在使用液态树脂形成磷光体层的工艺中，具有磷光体层17的凸弯月面形的结构的边界可以由LED芯片15的上边缘来限定。在这种情况下，磷光体层17可以被形成为使得在期望的区域(芯片的上表面)中获得高结构再现性。 
在本发明的示例性实施例中，考虑到期望的远场光束分布和色调分布，可以通过控制一些工艺因素来容易地改变和设计适合于磷光体层15的结构的弯月面形。 
更具体地说，作为用于获得期望的弯月面形的简单方法，可以采用控制含有液态树脂的磷光体的粘度或触变性的方法。 
不仅可以通过所使用的透明树脂的粘度自身而且可以通过加入到树脂的磷光体的含量和/或粒度来控制含有液态树脂的磷光体的粘度或触变性。另外，含有液态树脂的磷光体的粘度的控制可以通过使用另外的添加剂来实现，将参照图4更详细地对其进行描述。 
除了控制磷光体层的结构的上述方法以外，可以使用具有稳定性和高再现性的不同方法在芯片的上表面上形成期望的凸弯月面结构。 
至于这样的方法，例如可以使用改变LED芯片的上表面的表面状态的方法，将参照图2和图3更详细地对其进行描述。 
在图2中示出的波长转换LED芯片包括LED芯片25和形成在LED芯片25的上表面上的表面改性层26。磷光体层27形成在表面改性层26上。磷光体层27包括透明磷光体树脂27b和包含在透明磷光体树脂27b中的至少一种磷光体27a。 
在本发明的示例性实施例中，对于表面改性层26，选择物理特性(疏水性或亲水性)与用于磷光体层27的液态树脂的物理特性相同的材料。 
例如，当用于磷光体层27的树脂是诸如硅类树脂的疏水性液态树脂时，可以预先在LED芯片25的将要形成磷光体层27的上表面上形成诸如氮化硅层(SiNx)的疏水性材料。 
表面改性层26可以通过减小位于LED芯片25的上表面上的含有树脂的磷光体的润湿能力来提供弯月面形，使得弯月面形具有相对大的接触角θc。如上所述，适于本发明示例性实施例的表面改性层26有助于磷光体层27稳定地保持凸弯月面形。 
另外，当表面改性层26是具有电绝缘性能的材料时，可以将表面改性层26提供为用于LED芯片25的钝化层。在这种情况下，表面改性层26可以另外形成在除了LED芯片25的上表面之外的不同区域上。 
虽然在图2的示例性实施例中通过添加单独的层来形成表面改性层26，但是可以通过对LED芯片25的将要形成磷光体层27的上表面进行表面处理将表面改性层26实现为物理性能(疏水性或亲水性)与含有树脂的磷光体的物理性能相同。 
与此不同，参照图3，波长转换LED芯片30包括具有形成有不平坦部 分35a的上表面的LED芯片35和形成在上表面上的磷光体层37。磷光体层37包括透明磷光体树脂37b和包含在透明磷光体树脂37b中的至少一种磷光体37a。 
在本发明的示例性实施例中，可以使用不平坦部分来增大将要形成磷光体层37的表面的接触区域。因此，不平坦部分35a不仅通过延迟液态树脂在LED芯片35的上表面上的流动来有助于凸弯月面结构的形成，而且不平坦部分35a还提高与磷光体层37的粘结强度。适合于本发明示例性实施例的不平坦部分35a可以是通过湿蚀刻的不平坦部分，并且不限于此。 
图4a至图4d是示出用于制造根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的方法的每个主要工艺的剖视图。 
参照图4a，用于制造波长转换发光装置的方法通过在用于安装的构件51上安装用于发射特定波长区域内的光的LED芯片55而开始。 
用于安装的构件51包括可以提供外部连接端子的第一和第二引线结构52。安装的LED芯片55可以电连接到第一和第二引线结构52，从而驱动LED芯片55。与本发明的上述示例性实施例不同，根据LED芯片的电极结构，可以将线键合仅应用于位于一侧的电极的电连接，或者所有的电连接可以通过倒装芯片键合而不是线键合来实现。 
在本发明的示例性实施例中应用线键合的情况下，可以适当地设定布线53的连接形状和高度h，使得在随后的工艺期间在形成磷光体层时布线53不产生不利影响。这里，布线的高度h由布线的最上端与安装的LED芯片55的上表面之间的长度来定义。 
接下来，如图4b所示，准备用于形成磷光体层的含有液态树脂57的磷光体，然后将含有液态树脂57的磷光体设置在LED芯片55的上表面上，从而形成具有期望的凸弯月面形的上表面的结构57″。 
含有液态树脂57的磷光体包括将从LED芯片55发射的光转换为不同波长区域内的光的至少一种磷光体以及含有该磷光体的透明液态树脂。液态树脂可以是硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、它们的混合物和它们的化合物中的一种。 
可以将液态树脂57设置在LED芯片55的上表面上。液态树脂57的设置可以使用滴涂、丝网印刷、旋涂等中的至少一种来执行。更具体地说，滴涂工艺具有通过充分地使用液态树脂的表面张力而容易地实现期望的弯月面 曲线的优点。 
图4b的示例性工艺示出滴涂工艺。如图4b所示，使用喷嘴N而设置在LED芯片55的上表面上的滴57′由于表面张力在芯片的上表面上扩展，从而具有期望的凸弯月面结构57″。 
此时，期望的凸弯月面结构57″可以通过控制所提供的滴的量和液态树脂的粘度来提供，并被限制到芯片的上表面。更具体地说，根据液态树脂的粘度或触变性，可以通过改变形成在芯片55的上表面上的凸弯月面结构来控制远场光束分布和色调分布。 
含有树脂的磷光体的粘度不仅可以由所使用的透明树脂的粘度自身来控制，而且可以由包括在透明树脂中的磷光体的含量和/或粒度来控制。例如，在磷光体的含量高且磷光体的粒度小的情况下，可以提高含有树脂的磷光体的粘度和触变性。因此，由于表面张力更大，所以弯月面形的曲率将增大。在相反的情况下，可以获得具有小曲率或接触角的弯月面形的磷光体层。 
另外，含有液态树脂的磷光体的粘度或触变性的控制可以使用另外的添加剂来实现。例如，可以通过将另外的粉末(例如，SiO2或TiO2)与透明树脂混合来提高含有液态树脂的磷光体的粘度或触变性。 
如上所述，可以控制布线53的形状和高度，使得所提供的滴不流到芯片55的上表面外部，并形成期望的凸弯月面结构。在图4a的操作中，布线53可以预先被形成为高度h比磷光体层的弯月面结构57′的高度高。另外，从接触布线的弯月面结构的平面开始，布线引出角θw可以为大约45°。 
随后，如图4c所示，使含有液态树脂57″的磷光体固化，以保持弯月面结构。如此，可以在LED芯片的上表面上形成波长转换层(磷光体层)67。 
在该固化工艺之前，如图4b所示，设置在芯片55的上表面上的含有液态树脂57′的磷光体流动并转变为具有凸弯月面结构57″。此时，含有液态树脂57′的磷光体流动至到达芯片55的在凸弯月面结构57″的边界内的上边缘，位于芯片的上表面上的液态树脂的结构变化变得非常慢，并且这种变化可通过液滴的粘度控制几乎停止。 
如上所述，凸弯月面结构的边界可以由LED芯片55的上边缘限定，如图4c所示，由芯片55的上表面限定的磷光体层67可以通过施加固化工艺来提供。另外，可以提高磷光体层67的结构的再现性。 
如果需要，则可以在用于安装的构件上另外形成透镜形结构69，以保护 其上形成有磷光体层67的LED芯片55，如图4d所示。透镜形结构可以被提供为由硅、环氧树脂或它们的混合物形成的树脂封装部分，并且可以提高光特性和控制远场光束分布。 
本发明的示例性实施例提供了在图5和图6中示例性地示出的双层结构。 
图5是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的示意性剖视图。 
参照图5，波长转换发光装置120包括基底121和安装在基底121上的LED芯片125，基底121作为用于安装的构件。LED芯片125可以使用布线123与基底121的引线结构122电连接。 
具有凸弯月面形上表面的双层结构的磷光体层127和128形成在LED芯片125的上表面上。第一树脂层127含有第一磷光体，并具有位于LED芯片125的上表面上的内部区域中的第一凸弯月面形上表面。第二树脂层128形成在第一树脂层127上，含有第二磷光体，并具有第二凸弯月面形上表面。这里，第二树脂层128的外边界可以沿LED芯片125的上边缘限定。 
在这种情况下，总体上考虑到磷光体转换效率，由第一磷光体转换的光可以具有比第二磷光体转换的光的波长短的波长。 
具体地说，为了实现白光，当从LED芯片125发射的光的峰值波长在大约380nm至大约500nm的范围内时，第一磷光体可以包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体，第二磷光体可以包括用于将光转换为红光的红色磷光体。在这种情况下，第一磷光体可以包括在树脂中重量％为大约20％至大约80％的绿色磷光体，第二磷光体可以包括在树脂中重量％为大约5％至大约30％的红色磷光体。 
与此不同，第二磷光体可以包括用于将光转换为红光的红色磷光体和用于光转换为黄光的黄色磷光体。与本发明的先前的示例性实施例相比，这样的组合可以确保更大的CRI。在这种情况下，第一磷光体可以包括在树脂中重量％为大约5％至大约60％的绿色磷光体，第二磷光体可以包括在树脂中重量％为大约2％至大约25％的红色磷光体和重量％为大约15％至大约80％的黄色磷光体。 
这里，绿光的波长带为大约450nm至大约630nm，红光的波长带为大约550nm至大约750nm，黄光的波长带为大约480nm至680nm。 
另外，根据以上组合的磷光体均匀地分布在第一磷光体树脂层127和第 二磷光体树脂层128的透明树脂内部。第一磷光体树脂层127和第二磷光体树脂层128的外表面在固化之前由于液态树脂的表面张力、粘度或触变性而形成弯月面曲线。即，外表面可以具有凸圆顶形状。用于示例性实施例的透明液态树脂的粘度可以为大约500cps至大约2500cps。 
另外，如图5所示，透镜形结构129可以形成在用于安装的构件121上，以围绕LED芯片125和布线123。透镜形结构129可以由硅树脂、环氧树脂或它们的混合物形成。如图所示，透镜形结构129可以以透镜形状提供，以提高光特性和控制远场光束分布。 
图6是示出根据本发明示例性实施例的波长转换发光装置的示意性剖视图。 
如图6所示，波长转换发光装置130包括基底131和安装在基底131上的LED芯片135，基底131作为用于安装的构件。 
适于本发明示例性实施例的用于安装的构件131具有用于围绕LED芯片135的凹槽C。反射层(未示出)可以形成在凹槽的内壁上。LED芯片135可以使用布线133与基底131的引线结构132电连接。 
适于本发明示例性实施例的磷光体层137和138可以理解为与图5的双层磷光体层127和128的结构类似。即，第一树脂层137含有第一磷光体，并具有位于LED芯片135的上表面上的内容区域中的第一凸弯月面形上表面。第二树脂层138形成在第一树脂层137上，含有第二磷光体，并具有第二凸弯月面形上表面。这里，第二树脂层138的外边界可以沿LED芯片135的上边缘限定。第一磷光体和第二磷光体分别提供不同波长的光。由第一磷光体转换的光的波长比由第二磷光体转换的光的波长短。 
如上所述，将不同类型的磷光体隔离开，使得它们不彼此混合，从而可以抑制在各种磷光体混合在一起的情况下会发生的磷光体之间的光吸收问题，并且从LED芯发射的光可以被配置为穿过所有的磷光体。此外，可以提高最终转换的白光的色转换效率和CRI。 
虽然已经结合示例性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在没有脱离由权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出修改和改变。 

Claims (39)

1.一种波长转换发光二极管芯片，所述波长转换发光二极管芯片包括：
发光二极管芯片，用于发射预定波长区域内的光；
波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面，
其中，含有磷光体的树脂具有疏水性和亲水性中的一种，
所述波长转换发光二极管芯片还包括表面改性层，所述表面改性层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有与所述树脂的特性相同的特性。
2.根据权利要求1所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述波长转换层的边缘由所述发光二极管芯片的上边缘限定。
3.根据权利要求1或2所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述发光二极管芯片的上表面包括具有与所述树脂的特性相同的特性的表面。
4.根据权利要求1所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述表面改性层被提供为用于所述发光二极管芯片的钝化层。
5.一种波长转换发光二极管芯片，所述波长转换发光二极管芯片包括：
发光二极管芯片，用于发射预定波长区域内的光；
波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面，
其中，多个不平坦部分形成在所述发光二极管芯片的上表面中的所述发光二极管芯片和所述波长转换层的接触表面上。
6.根据权利要求1或5所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述波长转换层还含有用于控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者的添加剂。
7.根据权利要求1或5所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述树脂包括从由硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、它们的混合物和它们的化合物组成的组中选择的一种。
8.根据权利要求1或5所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述预定波长区域包括从由紫外线、蓝色和绿色的波长区域、蓝色和绿色的波长区域、紫外线和蓝色的波长区域、紫外线的波长区域、蓝色的波长区域以及绿色的波长区域组成的组中选择的波长区域。
9.根据权利要求1或5所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述至少一种磷光体包括用于将所述预定波长区域内的光转换为不同波长区域内的光的各种磷光体。
10.根据权利要求9所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述波长转换层包括分别含有不同磷光体的至少两个树脂层。
11.根据权利要求10所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述至少两个树脂层包括含有第一磷光体的第一树脂层和含有至少一种第二磷光体的第二树脂层，
所述第一树脂层包括位于所述发光二极管芯片的上表面上的内部区域中的第一凸弯月面形上表面，所述第二树脂层形成在所述第一树脂层上，并包括第二凸弯月面形上表面，所述第二树脂层的边界由所述发光二极管芯片的上表面的边缘限定。
12.根据权利要求11所述的波长转换发光二极管芯片，其中，由所述第一磷光体转换的光的波长比由所述第二磷光体转换的光的波长短。
13.根据权利要求12所述的波长转换发光二极管芯片，其中，从所述发光二极管芯片发射的光的峰值波长在380nm至500nm的范围内，所述第一磷光体包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体，所述第二磷光体包括用于将光转换为红光的红色磷光体。
14.根据权利要求13所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述第一磷光体包括在所述树脂中重量％为20％至80％的绿色磷光体，所述第二磷光体包括在所述树脂中重量％为5％至30％的红色磷光体。
15.根据权利要求12所述的波长转换发光二极管芯片，其中，从所述发光二极管芯片发射的光的峰值波长在380nm至500nm的范围内，所述第一磷光体包括用于将光转换为绿光的绿色磷光体，所述第二磷光体包括用于将光转换为红光的红色磷光体和用于将光转换为黄光的黄色磷光体。
16.根据权利要求15所述的波长转换发光二极管芯片，其中，所述第一磷光体包括在所述树脂中重量％为5％至60％的绿色磷光体，所述第二磷光体包括在所述树脂中重量％为2％至25％的红色磷光体和重量％为15％至80％的黄色磷光体。
17.一种波长转换发光装置，所述波长转换发光装置包括：
用于安装的构件，具有第一引线结构和第二引线结构；
发光二极管芯片，安装在用于安装的构件上，使得所述发光二极管芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构，以发射预定波长区域内的光；
波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面，
含有磷光体的树脂具有疏水性和亲水性中的一种，
所述波长转换发光装置还包括表面改性层，所述表面改性层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有与所述树脂的特性相同的特性。
18.根据权利要求17所述的波长转换发光装置，其中，所述波长转换层的边缘由所述发光二极管芯片的上边缘限定。
19.根据权利要求17或18所述的波长转换发光装置，其中，所述发光二极管芯片使用布线与所述第一引线结构和所述第二引线结构中的至少一个电连接。
20.根据权利要求19所述的波长转换发光装置，其中，所述波长转换层的最大厚度小于所述发光二极管芯片的上表面和所述布线的最上端之间的长度。
21.根据权利要求17或18所述的波长转换发光装置，其中，所述发光二极管芯片的上表面包括具有与所述树脂的特性相同的特性的表面。
22.根据权利要求17所述的波长转换发光装置，其中，所述表面改性层被提供为用于所述发光二极管芯片的钝化层。
23.一种波长转换发光装置，所述波长转换发光装置包括：
用于安装的构件，具有第一引线结构和第二引线结构；
发光二极管芯片，安装在用于安装的构件上，使得所述发光二极管芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构，以发射预定波长区域内的光；
波长转换层，由含有至少一种磷光体的树脂形成，所述至少一种磷光体将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光，所述波长转换层形成在所述发光二极管芯片的上表面上，并具有凸弯月面形上表面，
其中，多个不平坦部分形成在所述发光二极管芯片的上表面中的所述发光二极管芯片和所述波长转换层的接触表面上。
24.根据权利要求17或23所述的波长转换发光装置，其中，所述波长转换层还含有用于控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者的添加剂。
25.根据权利要求17或23所述的波长转换发光装置，其中，所述树脂包括从由硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、它们的混合物和它们的化合物组成的组中选择的一种。
26.根据权利要求17或23所述的波长转换发光装置，其中，所述预定波长区域包括从由紫外线、蓝色和绿色的波长区域、蓝色和绿色的波长区域、紫外线和蓝色的波长区域、紫外线的波长区域、蓝色的波长区域以及绿色的波长区域组成的组中选择的波长区域。
27.根据权利要求17或23所述的波长转换发光装置，其中，所述至少一种磷光体包括用于将所述预定波长区域内的光转换为不同波长区域内的光的各种磷光体。
28.根据权利要求27所述的波长转换发光装置，其中，所述波长转换层包括分别含有不同磷光体的至少两个树脂层。
29.根据权利要求28所述的波长转换发光装置，其中，所述至少两个树脂层包括含有第一磷光体的第一树脂层和含有第二磷光体的第二树脂层，
所述第一树脂层包括位于所述发光二极管芯片的上表面上的内部区域中的第一凸弯月面形上表面，所述第二树脂层形成在所述第一树脂层上，并包括第二凸弯月面形上表面，所述第二树脂层的边界由所述发光二极管芯片的上表面的边缘限定。
30.根据权利要求29所述的波长转换发光装置，其中，由所述第一磷光体转换的光的波长比由所述第二磷光体转换的光的波长短。
31.根据权利要求17或23所述的波长转换发光装置，所述波长转换发光装置还包括形成在用于安装的构件上以围绕所述发光二极管芯片的透镜形结构。
32.一种制造波长转换发光装置的方法，所述方法包括：
在用于安装的构件上安装发光二极管芯片，所述发光二极管芯片用于发射预定波长区域内的光，所述用于安装的构件具有第一引线结构和第二引线结构，使得所述发光二极管芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构；
准备含有至少一种磷光体的液态树脂，所述至少一种磷光体用于将从所述发光二极管芯片发射的光的一部分转换为不同波长区域内的光；
在所述发光二极管芯片的上表面上形成表面改性层；
在所述发光二极管芯片的上表面上提供含有磷光体的液态树脂，使得提供在所安装的发光二极管芯片的上表面上的所述液态树脂具有凸弯月面形上表面的结构；
通过使含有磷光体的所述液态树脂固化以保持所述凸弯月面形上表面的结构而在所述发光二极管芯片的上表面上形成波长转换层，
其中，含有磷光体的树脂具有疏水性和亲水性中的一种，所述表面改性层具有与所述树脂的特性相同的特性。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述凸弯月面形上表面的结构由所述发光二极管芯片的上边缘限定。
34.根据权利要求32或33所述的方法，其中，使用滴涂工艺来执行提供含有磷光体的液态树脂的步骤。
35.根据权利要求34所述的方法，其中，安装发光二极管芯片的步骤包括：使用布线将所述发光二极管芯片电连接到所述第一引线结构和所述第二引线结构中的至少一个，提供含有磷光体的液态树脂的步骤在使用所述布线连接所述发光二极管芯片之后执行。
36.根据权利要求35所述的方法，其中，所述波长转换层的最大厚度小于所述发光二极管芯片的上表面和所述布线的最上端之间的长度。
37.根据权利要求32或33所述的方法，其中，准备含有磷光体的液态树脂的步骤包括：使用所述液态树脂的粘度、磷光体的粒度、磷光体含量和用于控制粘度的添加剂的含量中的至少一者来控制含有磷光体的树脂的粘度和触变性中的一者，使得所述液态树脂在所述发光二极管芯片的上表面上具有凸弯月面形上表面的结构。
38.根据权利要求32或33所述的方法，其中，所述液态树脂包括从由硅类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、它们的混合物和它们的化合物组成的组中选择的一种。
39.根据权利要求32或33所述的方法，所述方法还包括：在用于安装的构件上形成透镜形结构，以围绕所述发光二极管芯片。
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10655792B2 (en) * 2014-09-28 2020-05-19 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US10240724B2 (en) 2015-08-17 2019-03-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
EP2378576A2 (en) * 2010-04-15 2011-10-19 Samsung LED Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
KR101134737B1 (ko) * 2010-07-05 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI456802B (zh) * 2010-08-11 2014-10-11 Interlight Optotech Corp 自成型之發光二極體透鏡之製作方法
KR101708025B1 (ko) * 2010-08-19 2017-02-20 서울반도체 주식회사 렌즈 및 그것을 포함하는 발광장치
DE102010045403A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8654064B2 (en) * 2010-10-18 2014-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Backlight having blue light emitting diodes and method of driving same
KR101230622B1 (ko) 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
US9109762B2 (en) * 2011-04-22 2015-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source and white light source system including the same
WO2012147608A1 (ja) * 2011-04-26 2012-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US8860056B2 (en) * 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
TW201327937A (zh) * 2011-12-30 2013-07-01 Radiant Opto Electronics Corp 發光二極體元件
US20130214418A1 (en) * 2012-01-12 2013-08-22 King Dragon International Inc. Semiconductor Device Package with Slanting Structures
KR101957700B1 (ko) * 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
WO2013133594A1 (en) 2012-03-05 2013-09-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
TWI505440B (zh) 2012-06-04 2015-10-21 Lextar Electronics Corp 光源模組
US20140035455A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Osram Sylvania Inc. LED Lamp With A High Color Rendering Index
DE102012112307A1 (de) 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP2014139999A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
TWI497771B (zh) * 2013-04-10 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體元件與發光二極體元件的製造方法
EP2803715B1 (en) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
DE102013110320B3 (de) * 2013-09-19 2014-09-25 AEMtec GmbH, Berlin Sensorvorrichtung zur Überwachung eines Schmierstoffzustands sowie Verfahren zur Fertigung der Sensorvorrichtung
JP2015192096A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光装置
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
JP6457225B2 (ja) * 2014-09-25 2019-01-23 株式会社小糸製作所 発光装置
US11421827B2 (en) * 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11073248B2 (en) * 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US10359152B2 (en) 2015-08-17 2019-07-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co, Ltd LED filament and LED light bulb
US10669474B2 (en) * 2016-10-04 2020-06-02 Toray Industries, Inc. Light source unit, and display and lighting device each including same
CN111025757B (zh) * 2019-12-25 2022-06-21 业成科技（成都）有限公司 电子装置及其制造方法
DE102020115565A1 (de) 2020-06-12 2021-12-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren
CN117321783A (zh) * 2020-06-23 2023-12-29 朗明纳斯股份有限公司 包括双原色红色led的发光系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1812092A (zh) * 2004-12-10 2006-08-02 安捷伦科技有限公司 具有量子点光转换的闪光模块

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09153645A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
DE10307282A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
US8063557B2 (en) 2003-07-04 2011-11-22 Epistar Corporation Light-emitting device having wavelength-converting materials therewithin
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2004158893A (ja) * 2004-03-02 2004-06-03 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
EP1736500A4 (en) * 2004-04-16 2010-03-24 Jsr Corp COMPOSITION FOR SEALING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR, OPTICAL SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING A COMPOSITION FOR SEALING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR
JP4143043B2 (ja) 2004-05-26 2008-09-03 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP2004260219A (ja) * 2004-06-14 2004-09-16 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
WO2006011734A1 (en) * 2004-07-24 2006-02-02 Young Rak Do Led device comprising thin-film phosphor having two dimensional nano periodic structures
KR100669950B1 (ko) * 2004-07-24 2007-01-17 도영락 2차원 나노주기구조를 갖는 박막형광체를 포함하는 ｌｅｄ구조체
JP2006060100A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004047727B4 (de) 2004-09-30 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
DE102005046420B4 (de) 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
JP4389126B2 (ja) 2004-10-04 2009-12-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2006114909A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US8012774B2 (en) * 2005-01-11 2011-09-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Coating process for a light-emitting diode (LED)
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
WO2006109222A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Structured substrate for a led
JP2008545269A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 白色発光ダイオード及びダイオードアレイを有する照明装置、それらの製造方法及び製造装置
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7365371B2 (en) 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US7847302B2 (en) 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
TWI407583B (zh) * 2006-06-27 2013-09-01 Mitsubishi Chem Corp 照明裝置
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100841171B1 (ko) * 2006-10-28 2008-06-24 삼성전기주식회사 형광체의 유동특성 제어방법, 형광체 및 형광체 페이스트
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP5013905B2 (ja) 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR100862532B1 (ko) * 2007-03-13 2008-10-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
WO2008153125A1 (ja) * 2007-06-15 2008-12-18 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
KR101783487B1 (ko) * 2009-05-01 2017-10-23 나노시스, 인크. 나노구조의 분산을 위한 기능화된 매트릭스
KR20120013758A (ko) * 2010-08-06 2012-02-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1812092A (zh) * 2004-12-10 2006-08-02 安捷伦科技有限公司 具有量子点光转换的闪光模块

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2005-340472A 2005.12.08
JP特开2006-135300A 2006.05.25
JP特开2006-60100A 2006.03.02
JP特表2008-521211A 2008.06.19

Also Published As

Publication number Publication date
EP2312658A4 (en) 2014-04-16
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KR101209548B1 (ko) 2012-12-07
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TWI499076B (zh) 2015-09-01
TW201015758A (en) 2010-04-16
WO2010002221A3 (ko) 2010-03-25
US8963187B2 (en) 2015-02-24

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