TW201545375A - 具有低彎曲值的三維發光二極體及其製備方法 - Google Patents

Abstract

本發明涉及具有低彎曲值的三維發光二極體及其製備方法。 本發明實施例的三維發光二極體，其特徵在於，包括：下部氮化物半導體層，形成於基板上，三維晶種層，形成於上述下部氮化物半導體層上，且形成有多個凹凸，以及發光結構層，以包括活性層的方式形成於上述三維晶種層上；在上述發光結構層形成具有與上述三維晶種層的多個凹凸相對應的形態的多個凹凸，形成於上述發光結構層的凹凸的縱橫比大於形成在上述三維晶種層的凹凸的縱橫比。

Description

具有低彎曲值的三維發光二極體及其製備方法

本發明涉及發光二極體(Light Emitting Diode，LED)的製備技術，更詳細地，涉及在n型氮化物半導體的上部生長發光層，在發光層的上部生長p型氮化物半導體層，並具有低彎曲值的三維(3D)結構的高效率發光二極體及其製備方法。

圖1簡要表示普通的發光二極體。

參照圖1，普通的發光二極體自下而上包括藍寶石基板之類的基板110、核生成層120、n型氮化物半導體層130、活性層140及p型氮化物半導體層150。並且，雖然並未在附圖中圖示，但在因檯面蝕刻而露出的n型氮化物半導體層130上形成n型電極，在p型氮化物半導體層150上形成p型電極。

具有如上所述的結構的發光二極體，透過n型氮化物半導體層130供給的電子和透過p型氮化物半導體層150供給的電洞在活性層140復合並產生光。

通常，發光二極體以使氮化物半導體在外延生長(epitaxy) 於基板上的方式製備。

圖2表示氮化物半導體在外延生長之前的基板的狀態，圖3表示氮化物半導體在外延生長中的基板的狀態，圖4表示氮化物半導體在外延生長之後的基板的狀態。

氮化物半導體的外延生長通常在金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)裝置中執行。

在氮化物半導體外延生長之前的情況下，如圖2所示的例子，基板210在基座之類的基板放置單元201上維持平平的狀態。然而，在氮化物半導體的外延生長過程中，因基板210的中央部和邊緣的溫度差，基板210和氮化物半導體220的晶格常數及結晶結構的差異而產生基板210的邊緣翹起的形態的彎曲(bow)。並且，在氮化物半導體的外延生長之後，會產生基板210及氮化物半導體層220的中央部翹起的形態的彎曲。這種彎曲沿著氮化物半導體的水平方向作為應力來產生作用，由此降低氮化物半導體的結晶品質，結果，成為減少活性層的複合機率，降低發光效率的因素。尤其，最近為了提高隨著生產率而使基板大型化，這種彎曲問題越發明顯。

在本說明書，彎曲值(bow value)意味著呈現基板及氮化物半導體層的彎曲程度的值。可以視為彎曲值越大，外延生長的氮化物半導體層的應力越增加，結果，具有高的彎曲值的發光二極體因活性層復合機率的減少而減少發光效率。

因此，形成具有低彎曲值的發光二極體。

作為與本發明相關的背景技術，具有韓國公開特許公報第10-2010-0122769號所公開的氮化物類半導體發光元件及其製備方法。上述 文獻僅僅公開了基於基板厚度變化的基板彎曲程度，並未公開或暗示基於半導體生長的基板彎曲的改善。

另一方面，作為針對三維結構發光二極體的背景技術，具有日本公開特許公報第2002-185040號、日本公開特許公報第2008-053608號、日本公開特許公報第2007-201020號、韓國公開特許公報第10-2005-0105681號、韓國公開特許公報第10-2012-124702號、韓國公開特許公報第10-2013-0095782號、韓國公開特許公報第10-2006-0027134號、韓國公開特許公報第10-2010-0031880號及韓國公開特許公報第10-2013-0008306號。在上述文獻的情況下，雖然公開包括形成於三維結構物上的發光層的發光元件，但並未公開或暗示由三維結構的快的橫向生長引起的所生長的半導體層的缺陷的減少及基板彎曲的減少。

本發明的目的在於，提供具有低彎曲值的三維(3Dimension)發光二極體。

本發明的另一目的在於，提供製備具有低彎曲值的三維LED方面適合的方法。

用於實現上述一目的的本發明實施例的三維LED，包括：下部氮化物半導體層，形成於基板上，三維晶種層，形成於上述下部氮化物半導體層上，且形成有多個凹凸，以及發光結構層，以包括活性層的方式形成於上述三維晶種層上；在上述發光結構層形成有具有與上述三維晶種層的多個凹凸相對應的形態的多個凹凸，形成於上述發光結構層的凹凸的縱橫比大於形成在上述三維晶種層的凹凸的縱橫比。

此時，優選地，在上述發光結構層的最底層形成具有與上述 三維晶種層的多個凹凸相對應的形態的多個凹凸，多個凹凸之間呈平坦狀態，形成於上述發光結構層的最底層的凹凸的縱橫比大於形成在上述三維晶種層的凹凸的縱橫比。

並且，上述發光結構層可包括第一導電型氮化物半導體層、 活性層及第二導電型氮化物半導體層，或者可包括活性層及第二導電型氮化物半導體層，或者可包括無摻雜氮化物半導體層、活性層及第二導電型氮化物半導體層。在這種情況下，上述三維晶種層可包括無摻雜氮化物半導體或者第一導電型氮化物半導體。並且，上述下部氮化物半導體層可包括無摻雜氮化物半導體或者第一導電型氮化物半導體。

並且，上述多個凹凸可分別以垂直剖面由半圓形、橢圓形、 三角形、矩形及梯形等形態形成，水平剖面由多角形、圓形及橢圓形等形態形成。

並且，上述基板可選自直徑為2英寸以上的藍寶石、碳化矽、矽、GaN、ZnO、MgO、GaAs及玻璃。

並且，上述活性層可從凹凸的上部及側面放出單一波長的光。

並且，由於應力的減少，與適用平面形態的晶種層的二維LED相比，上述三維LED的彎曲值可減少。在這種情況下，與適用平面形態的晶種層的二維LED相比，上述三維LED的彎曲值可減少20%以上。

用於實現上述另一目的的本發明實施例的三維LED的製備方法，包括：在基板上形成下部氮化物半導體層的步驟，在上述下部氮化 物半導體層上形成具有多個凹凸的三維晶種層的步驟，以及透過橫向生長方法，在上述三維晶種層上形成包括活性層的發光結構層的步驟；以包括具有與上述三維晶種層的凹凸相對應的多個凹凸的形態形成上述發光結構層，使得形成於上述發光結構層的凹凸的縱橫比大於形成在上述三維晶種層的凹凸的縱橫比。

此時，上述三維晶種層的形成步驟可包括：在上述下部氮化 物半導體層上形成晶種用氮化物半導體層的步驟；在上述晶種用氮化物半導體層上形成掩模圖案的步驟；以蝕刻晶種用氮化物半導體層的方式形成多個凹凸的步驟；以及除去上述掩模圖案的步驟。

並且，優選地，與縱向生長速度相比，至少要使形成上述發 光結構層中的最底層時的橫向生長速度更快。

並且，上述除去掩模圖案的步驟在進行蝕刻上述氮化物半導 體層的步驟之後進行，或者在沒有進行單獨除去掩模圖案的製程的情況下，與蝕刻上述氮化物半導體層的步驟一同進行。

根據本發明的三維LED製備方法，由於三維晶種層而能夠有 效地進行橫向生長，因此，與現有的平面藍寶石或圖案化藍寶石基板(Patterned Sapphire Substrate，PSS)結構相比，能夠顯著降低彎曲值，並能形成高品質的外延薄膜。

因而，本發明提供因基於發光層的有效面積的增加和快的橫 向生長的應力減少(彎曲值)引起的高發光效率和p-型氮化物半導體的有效面積的增加而能夠實現具有低驅動電壓的高效率三維LED元件的劃時代的生長技術。

並且，與現有的三維LED的情況下，因生長於凹凸的側面和 上部面的活性層的厚度及組成成分的差異而呈現多個波長相比，本發明的三維LED的情況下，由於生長於凹凸的上部及側面的活性層的組成成分及厚度均勻，能夠從活性層放出單一波長的光，因而沒有色座標的變動，適合商業性的應用。

110、210、510‧‧‧基板

120‧‧‧核生成層

130‧‧‧n型氮化物半導體層

140‧‧‧活性層

150‧‧‧p型氮化物半導體層

201‧‧‧基板放置單元

220‧‧‧氮化物半導體

520‧‧‧下部氮化物半導體層

530‧‧‧三維晶種層

535a‧‧‧梯形凹凸

535b‧‧‧半圓形凹凸

540‧‧‧發光結構層

541‧‧‧第一導電型氮化物半導體層

542‧‧‧活性層

543‧‧‧第二導電型氮化物半導體層

圖1簡要表示普通的發光二極體。

圖2表示氮化物半導體在外延生長之前的基板的狀態。

圖3表示氮化物半導體在外延生長中的基板的狀態。

圖4表示氮化物半導體在外延生長之後的基板的狀態。

圖5簡要表示本發明實施例的具有低彎曲值的三維LED。

圖6簡要表示形成有垂直剖面為梯形的多個凹凸535a的三維晶種層。

圖7簡要表示形成有垂直剖面為半圓形的多個凹凸535b的三維晶種層。

圖8表示實施例1、實施例2及比較例的電特性。

圖9表示實施例1、實施例2及比較例的驅動電壓。

圖10表示實施例1、實施例2及比較例的光輸出特性。

圖11表示本發明的三維LED的照片。

以下參照附圖詳細說明的實施例會讓本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法更加明確。但是，本發明不局限於以下所公開的實施例，能夠以互不相同的各種方式實施，本實施例只用於使本發 明的公開內容更加完整，有助於本發明所屬技術領域具通常知識者完整地理解本發明的範疇，本發明根據發明要求保護範圍而定義。在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構要素。

以下，參照附圖對本發明的具有低彎曲值的三維LED及其製備方法進行說明。

在本發明中，三維LED作為與生長在基板上的氮化物半導體層的水平面與基板平行的通常的二維結構的發光二極體相對比的概念，意味著以蝕刻外延生長的二維結構的一部分的方式形成三維結構物(凹凸結構)，並使包括活性層的半導體層生長於三維結構物上的發光二極體。

圖5簡要表示本發明實施例的具有低彎曲值的三維LED。

參照圖5，所示的三維LED包括下部氮化物半導體層520、三維晶種層530及發光結構層540。

下部氮化物半導體層520形成於基板510上。基板520上還可以包括核生成層。

基板510可利用藍寶石、碳化矽、矽、GaN、ZnO、MgO、GaAs及玻璃等多種材質的基板。尤其，在本發明中，在節約成本及提高生產率方面考慮，基板510可利用直徑為2英寸以上的基板，更優選地，可利用直徑為4英寸以上的大面積基板。這是因為在本發明的情況下，即使在大面積基板的情況下，也能呈現低彎曲值，因而可形成高品質的發光結構層。

三維晶種層530形成於下部氮化物半導體層520上。在本發明中，在三維晶種層形成多個凹凸。借助形成這種多個凹凸的三維晶種層，能夠透過橫向生長法形成發光結構層的各層。根據橫向生長方法，可透過 電位密度的減少更加提高結晶品質。

優選地，三維晶種層530可透過如下方法形成。首先，在下 部氮化物半導體層上形成氮化物半導體層。然後，在所形成的氮化物半導體層上形成掩模圖案。之後，在形成掩模圖案的狀態下，按指定的圖案蝕刻氮化物半導體層。最後，能夠以除去掩模圖案或者在氮化物半導體蝕刻製程中完全蝕刻掩模圖案的方式除去掩模圖案。

發光結構層540在三維晶種層530上至少包括活性層而形成。

發光結構層540可包括第一導電型氮化物半導體層541、活性 層542及第二導電型氮化物半導體層543。在第一導電型氮化物半導體層541和活性層542之間還可以形成摻雜濃度低於第一導電型氮化物半導體層541的第一導電型氮化物半導體層或無摻雜氮化物半導體層。其中，無摻雜意味著並沒有故意地摻雜不純物。

並且，根據情況，可在三維晶種層530上直接形成活性層 542，在這種情況下，發光結構層540還可以包括活性層542及第二導電型氮化物半導體層543。並且，在無摻雜氮化物半導體層以橫向生長的方式再形成之後，可在三維晶種層530上形成活性層542及第二導電型氮化物半導體層543。

在第一導電型氮化物半導體層541和第二導電型氮化物半導 體層543摻雜有相反的導電型不純物。例如，若在第一導電型氮化物半導體層541摻雜矽(Si)等n型不純物，則第二導電型氮化物半導體層543摻雜有鎂(Mg)等p型不純物。例如，在已設定的發光波長為藍色或綠色區域的情況下，能夠以由GaN(或InGaN、AlGaN、AlInGaN)量子位能障壁(Potential Energy Barrier)層和InGaN量子阱層之類的量子位能障壁層和量子阱層交替地層疊一次以上的方式形成活性層542。並且，根據所設定的發光波長，可選擇用於改變組成成分和厚度的量子位能障壁層和量子阱層，例如，能夠以由AlGaInN量子勢壘層及與上述的量子位能障壁層的組成成分或厚度不同的AlGaInN量子阱層交替地層疊的方式形成活性層。

此時，在本發明中，發光結構層呈包括與上述三維晶種層的 多個凹凸形態相對應的多個凹凸的形態。這可在形成發光結構層時為了將根據三維晶種的高度、間隔及密度而生長的凹凸的上部、傾斜面以及平坦面的結晶缺陷(凹陷)最小化，能夠以控制生長溫度及生長時間等生長條件的方式容易地使具有所需形態的凹凸及性能的三維LED元件結構最優化。然而，即使在形成三維發光結構層的上部、傾斜面及平坦面的凹凸的情況下，若在傾斜面形成如微量的凹陷之類的結晶缺陷，則三維發光結構層不能執行適當的功能，因此，只有體現最佳的結晶學結構，才能夠體現具有工作電壓、光輸出、可靠性等所需的電特性的三維LED元件。

尤其，在本發明的情況下，本發明的特徵在於，形成於發光 結構層540的凹凸的縱橫比大於形成在三維晶種層530的凹凸的縱橫比。其中，凹凸的縱橫比意味著相對於凹凸的橫向長度的縱向長度之比。像這樣，形成於發光結構層540的凹凸的縱橫比大於形成在三維晶種層530的凹凸的縱橫比是因為在本發明的情況下，透過橫向生長來形成發光結構體540的至少最底層。

像這樣，在發光結構層整體以包括凹凸的形態形成的情況 下，根據由最上部的第二導電型氮化物半導體層(例如，p型氮化鎵(p-GaN)) 和電極的有效接觸面積的增加引起的面電阻(sheet resistance,Rs)的減少，可獲得低的驅動電壓(工作電壓)、光輸出下垂(droop)的減少及可靠性增加的效果。

另一方面，可在發光結構層540的最底層(圖5中為第一導電 型氮化物半導體層541)形成與三維晶種層530的多個凹凸的形態相對應的多個凹凸，多個凹凸之間能夠以平坦的方式形成。並且，由於發光結構層540的最底層透過橫向生長而形成，因此，形成於發光結構層540的最底層的凹凸情況下，縱橫比大於形成在三維晶種層530的凹凸的縱橫比。

這能夠以透過快速的橫向生長速度恢復蝕刻損傷的方式執 行。為此，優選地，如圖5所示，形成第一導電型氮化物半導體層時的橫向(圖5的a方向)生長速度比縱方向(圖5的b方向)，即，與基板相垂直的方向的生長速度更快。

並且，三維晶種層530可由第一導電型氮化物半導體或者無 摻雜氮化物半導體形成。

並且，在由第一導電型氮化物半導體形成三維晶種層530的 情況下，下部氮化物半導體層520可由無摻雜氮化物半導體或第一導電型氮化物半導體形成。

圖6簡要表示形成有垂直剖面為梯形的多個凹凸535a的三維 晶種層，圖7簡要表示形成有垂直剖面為半圓形的多個凹凸535b的三維晶種層。

在三維晶種層530中，如圖6及圖7所示，多個凹凸不僅能夠 分別以梯形535a、半球形態535b的方式形成，而且垂直剖面還能以透鏡形、 橢圓形、三角形及矩形等的形態形成，水平剖面能夠以三角形、四角形、五角形及六角形等多角形或圓形、橢圓形等多種形態形成，並且，根據所需的發光二極體元件的性能，能夠以考慮最佳的三維晶種(seed)形狀和大小、蝕刻高度及間隔等和最終形成的三維發光結構層的上部面、傾斜面及平坦面的結晶缺陷的方式進行選擇。優選地，在本發明以半球形態形成，但並不局限於此，可根據大面積/高輸出的發光二極體晶片(chip)的結構來選擇多種形態的三維晶種形態。

在本發明的三維LED的情況下，活性層以包括凹凸的形態形 成，與通常的平面活性層的結構相比，能夠增加有效活性層面積，因此，易於提高光輸出。

尤其，在本發明的三維LED中，由於在凹凸的上部及側面生 長的活性層的組成成分及厚度均勻，因而能夠在活性層放出單一波長的光。並且，在本發明的三維LED的情況下，與以往的二維生長的半導體層相比，活性層形成於橫向生長的三維結構上，從而在半導體層內產生相對小的應力，且電位密度低，因此，與以往的二維LED相比，能夠進行更大的光輸出。

並且，與適用平面形態的晶種層的二維LED相比，本發明的 三維LED能夠透過應力的減少來減少彎曲值，且如後述的例所示，與適用平面形態的晶種層的二維LED相比，彎曲值可減少20%以上。

表1呈現出在金屬有機化合物化學氣相沉積中，以相同的生 長條件、相同的厚度使發光二極體結構生長之後，測定三維凹凸的形成有無的多個試樣的彎曲值的結果。

在表1中，平面(flat)意味著生長於平面藍寶石基板上的發光 二極體結構(以下基準發光二極體)，平面三維(flat 3D)意味著包括形成本發明的半球形凹凸的三維晶種層結構，而向活性層及至p型氮化鎵施加凹凸的形態的發光二極體結構，圖案化藍寶石基板意味著在圖案化藍寶石基板上包括通常的橫向生長的發光二極體結構。

如表1所示，確認了樣本1、樣本2、樣本3與平面結構相比， 使用三維結構，分別為47.7%、40.3%、29%，因而在整體上減少了20%以上的彎曲值。這可以視為因圖案化藍寶石基板而分別減少15.3%、14.4%、2.3%的彎曲值相比，所減少的程度明顯高。

圖8以比較所變化的工作電壓的電特性的方式表示實施例 1(作為本發明的三維LED結構，3MQWs)、實施例2(作為本發明的三維LED結構，5MQWs)及比較例(作為二維結構的發光二極體結構，3MQWs)的施加電流。並且，圖9表示實施例1、實施例2及比較例的電流-電壓特性。並且，圖10表示實施例1、實施例2及比較例的施加電流變化的光輸出特性。

參照圖8，在實施例1、實施例2的情況下，能夠看出與比較 例相比，在相同電流條件下，正向電壓下降相對更低。並且，參照圖9，在實施例1、實施例2的情況下，能夠看出與比較例相比，驅動電壓相對更低。 並且，參照圖10，在實施例1、實施例2的情況下，能夠看出與比較例相比，在相同電流條件下，光輸出特性更優秀。

如圖8至圖10所示，在本發明的三維LED的情況下，能夠發揮電特性及光輸出特性優秀的效果。

圖11表示本發明的三維LED的照片。更具體地，圖11的(a)部分為在2英寸的藍寶石基板上形成多個發光二極體的顯微鏡照片，圖11的(b)部分為單位發光二極體的掃描電子顯微鏡(SEM)照片，圖11的(c)部分為在形成電極之後施加電壓時的發光照片。

如圖11所示，可知在本發明的三維LED的情況下，透過具有低彎曲值的特性來適用大面積基板時，也能呈現均勻且優秀的發光效率。

以上，圍繞本發明的實施例對本發明進行了說明，但在本發明所屬技術領域的普通技術人員的水平上，可實施多種修改或變形。這些修改或變形在不脫離本發明所提供的技術思想的範圍的情況下，均屬於本發明。因此本發明的權力範圍應根據發明要求保護範圍來判斷。

510‧‧‧基板

520‧‧‧下部氮化物半導體層

530‧‧‧三維晶種層

540‧‧‧發光結構層

541‧‧‧第一導電型氮化物半導體層

542‧‧‧活性層

543‧‧‧第二導電型氮化物半導體層

Claims (18)

1. 一種三維發光二極體，包括：一下部氮化物半導體層，形成於一基板上；一三維晶種層，形成於該下部氮化物半導體層上，且形成有多個凹凸；以及一發光結構層，以包括一活性層的方式形成於該三維晶種層上；在該發光結構層形成具有與該三維晶種層的該些凹凸相對應的形態的多個凹凸，形成於該發光結構層的該些凹凸的縱橫比大於形成在該些三維晶種層的該些凹凸的縱橫比。
2. 如請求項1所述之三維發光二極體，其中在該發光結構層的最底層形成具有與該三維晶種層的該些凹凸相對應的形態的該些凹凸，該些凹凸之間呈平坦狀態，形成於該發光結構層的最底層的該些凹凸的縱橫比大於形成在該三維晶種層的該些凹凸的縱橫比。
3. 如請求項1所述之三維發光二極體，其中該發光結構層包括一第一導電型氮化物半導體層、一活性層及一第二導電型氮化物半導體層，或者包括一活性層及一第二導電型氮化物半導體層，或者包括一無摻雜氮化物半導體層、一活性層及一第二導電型氮化物半導體層。
4. 如請求項3所述之三維發光二極體，其中該三維晶種層包括一無摻雜氮化物半導體或者一第一導電型氮化物半導體。
5. 如請求項3所述之三維發光二極體，其中該下部氮化物半導體層包括一無摻雜氮化物半導體或者一第一導電型氮化物半導體。
6. 如請求項1所述之三維發光二極體，其中該些凹凸分別以垂直剖面由選自半圓形、橢圓形、三角形、矩形及梯形中的形態形成，水平剖面由選自多角形、圓形及橢圓形中的形態形成。
7. 如請求項1所述之三維發光二極體，其中該基板選自直徑為2英寸以上的藍寶石、碳化矽、矽、GaN、ZnO、MgO、GaAs及玻璃。
8. 如請求項1所述之三維發光二極體，其中該活性層從該些凹凸的上部及側面放出一單一波長的光。
9. 如請求項1所述之三維發光二極體，由於應力的減少，與適用平面形態的晶種層的二維發光二極體相比，該三維發光二極體的彎曲值減少。
10. 如請求項9所述之三維發光二極體，其中與適用平面形態的晶種層的二維LED相比，該三維LED的彎曲度減少20%以上。
11. 一種三維發光二極體的製備方法，包括：在一基板上形成一下部氮化物半導體層的步驟；在該下部氮化物半導體層上形成具有多個凹凸的一三維晶種層的步驟；以及透過一橫向生長方法，在該三維晶種層上形成包括一活性層的一發光結構層的步驟；以包括具有與該三維晶種層的該些凹凸相對應的多個凹凸的形態形成該發光結構層，使得形成於該發光結構層的該些凹凸的縱橫比大於形成在該三維晶種層的該些凹凸的縱橫比。
12. 如請求項11所述之三維發光二極體的製備方法，其中該三維晶種層的形成步驟包括：在該下部氮化物半導體層上形成一晶種用氮化物半導體層的步驟；在該晶種用氮化物半導體層上形成一掩模圖案的步驟；以一蝕刻該晶種用氮化物半導體層的方式形成多個凹凸的步驟；以及除去該掩模圖案的步驟。
13. 如請求項12所述之三維發光二極體的製備方法，其中與形成該發光結構層中的最底層時的縱向生長速度相比，至少要使形成該發光結構層中的最底層時的橫向生長速度更快。
14. 如請求項12所述之三維發光二極體的製備方法，其中該些凹凸分別以垂直剖面由選自半圓形、橢圓形、三角形、矩形及梯形中的形態形成，水平剖面由選自多角形、圓形及橢圓形中的形態形成。
15. 如請求項12所述之三維發光二極體的製備方法，其中除去該掩模圖案的步驟在進行該蝕刻該氮化物半導體層的步驟之後進行，或者與該蝕刻該氮化物半導體層的步驟一同進行。
16. 如請求項11所述之三維發光二極體的製備方法，其中該發光結構層包括一第一導電型氮化物半導體層、一活性層及一第二導電型氮化物半導體層，或者包括一活性層及一第二導電型氮化物半導體層，或者包括一無摻雜氮化物半導體層、一活性層及一第二導電型氮化物半導體層。
17. 如請求項11所述之三維發光二極體的製備方法，其中由於應力的減少，與適用平面形態的晶種層的二維發光二極體相比，透過該三維發光二極體製備方法製備的三維發光二極體的彎曲值減少。
18. 如請求項17所述之三維發光二極體的製備方法，其中與該適用平面形態的晶種層的二維發光二極體相比，該三維發光二極體的彎曲度減少20%以上。