TWI574430B - 量子點薄膜、照明器件及照明方法 - Google Patents

量子點薄膜、照明器件及照明方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI574430B
TWI574430B TW100140135A TW100140135A TWI574430B TW I574430 B TWI574430 B TW I574430B TW 100140135 A TW100140135 A TW 100140135A TW 100140135 A TW100140135 A TW 100140135A TW I574430 B TWI574430 B TW I574430B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
phosphor
light
layer
scattering
Prior art date
Application number
TW100140135A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201234646A (en
Inventor
羅伯特 都伯洛
威廉 弗利曼
恩尼斯特 李
保羅 古田
Original Assignee
南諾西斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46019494&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI574430(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 南諾西斯股份有限公司 filed Critical 南諾西斯股份有限公司
Publication of TW201234646A publication Critical patent/TW201234646A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI574430B publication Critical patent/TWI574430B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0055—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0058—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide
    • G02B6/0061—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide to provide homogeneous light output intensity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0068—Arrangements of plural sources, e.g. multi-colour light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133524—Light-guides, e.g. fibre-optic bundles, louvered or jalousie light-guides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133611—Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2313/00—Elements other than metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2551/00—Optical elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Description

量子點薄膜、照明器件及照明方法
本發明係關於量子點(QD)磷光體薄膜、QD照明器件及相關方法。
習知照明器件具有有限之光顏色特性及較差之照明效率。需要展現高色純度、高效率及改良之光顏色特性且具成本效益之照明方法及器件。
本發明係關於高效、色純且顏色可調諧的量子點(QD)照明方法及器件。本發明進一步係關於量子點薄膜(QD薄膜)以及相關照明方法及器件。該等照明器件包含用於電子器件之照明顯示器。在某些實施例中，本發明係關於用於諸如液晶顯示器(LCD)、電視機、電腦、行動電話、智慧型電話、個人數位助理(PDA)、遊戲器件、電子閱讀器件、數位相機及類似器件之顯示器件的背光單元(BLU)。本發明之QD薄膜可用於任何適當用途，包含BLU、向下式照明、室內或室外照明、舞臺照明、裝飾照明、補強照明、博物館照明、用於園藝、生物及其他用途之高度特定波長照明；以及熟悉此項技術者在研究本文所述之本發明後將顯而易知之額外照明應用。
本發明亦包含適用於光電應用之一量子點降頻轉換層或薄膜。本發明之QD薄膜可將部分日光轉換為可由一太陽能電池之一活性層吸收之較低能量的光，其中在無量子點薄膜之此降頻轉換下所轉換之波長之光無法被該活性層吸收並且轉換為電。因此，採用本發明之QD薄膜之一太陽能電池可具有增加之太陽能轉換效率。
本發明包含一種用作一光源、一濾光器及/或一原色光降頻轉換器之QD薄膜。在某些實施例中，QD薄膜為一原色光源，其中該QD薄膜為包括在電刺激後發射光子之電致發光QD的一電致發光薄膜。在某些實施例中，QD薄膜為一濾光器，其中該QD吸收具有某一波長或波長範圍之光。該QD薄膜濾光器可允許通過某些波長或波長範圍，同時吸收或過濾其他波長。在某些實施例中，QD薄膜為一降頻轉換器，其中該QD薄膜中之QD吸收來自一原色光源之原色光之至少一部分並且將其重新發射為具有比該原色光更低之能量或更長之波長的二級光。在較佳實施例中，QD薄膜為一濾光器與一原色光降頻轉換器二者，其中該原色光之一第一部分獲允許在未被該QD薄膜中之QD吸收的情況下通過該QD薄膜，且該原色光之至少一第二部分被該等QD吸收並且降頻轉換為具有比該原色光更低之能量或更長之波長的二級光。
在一實施例中，本發明提供量子點(QD)薄膜背光單元(BLU)。該QD BLU適當包括一發藍光二極體(LED)及一QD薄膜，該QD薄膜適當包括一QD磷光體材料薄膜或層，該QD磷光體材料薄膜或層係佈置於該QD磷光體材料層之頂側及底側之各者上之障壁層之間。適當言之，該LED係耦合至一光導面板(LGP)，且該QD薄膜係佈置於該LGP與一液晶顯示器(LCD)面板之光學薄膜之間。將QD薄膜佈置於LGP與LCD之光學薄膜之間允許有效再循環藍光且允許相對於QD之藍光之一增加的光學路徑長度，藉此允許大幅減少達成QD照明器件中之足夠亮度所需之QD濃度。
適當障壁層包含塑膠或玻璃板。適當言之，發光QD在將來自藍色LED之藍原色光降頻轉換成由QD發射之二級光後發射綠光及紅光。在較佳實施例中，BLU為一發白光型BLU。較佳實施例包含發射二級紅光之一第一群體之QD及發射二級綠光之一第二群體之量子點，其中發紅光QD群體及發綠光QD群體最佳係由藍原色光激發以提供白光。適當實施例進一步包括在激發後發射二級藍光之一第三群體之量子點。可控制紅光、綠光及藍光之各自部分以達成由該器件所發射之白光之一所期望之白點。用於在BLU器件中使用之例示性QD包括CdSe或ZnS。適當QD包含核/殼發光奈米晶體，該等核/殼發光奈米晶體包括CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS。在例示性實施例中，發光奈米晶體包含一外部配位體塗層且係分散於聚合基質中。本發明亦提供包括QD BLU之顯示系統。
適當言之，圍繞QD之聚合基質係包含至少兩種材料之不連續、複合基質。適當言之，第一基質材料包含胺基聚苯乙烯(APS)，且第二基質材料包含環氧樹脂。更適當言之，該第一基質材料包含聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺(PEI)，且該第二基質材料包含環氧樹脂。用於製備QD磷光體材料之適當方法包括將複數個發光奈米晶體分散於第一聚合材料中以形成發光奈米晶體與第一聚合材料之混合物。固化該混合物，並且從該固化混合物中產生微粒。適當言之，在固化之前將交聯劑添加至該混合物。在例示性實施例中，藉由碾磨固化混合物來產生微粒。將該微粒分散於第二聚合材料中以產生複合基質，且將該等材料形成為薄膜並且固化之。用於製備QD磷光體材料之其他適當方法包括將複數個發光奈米晶體分散於第一聚合材料中以形成發光奈米晶體與該第一聚合材料之混合物，添加第二材料，將該混合物形成為一薄膜，並且接著固化該薄膜。
在進一步實施例中，本發明提供具有散射特徵部之QD BLU，該等散射特徵部促進來自原色光源(較佳一藍色LED)之原色光之散射且增加該原色光相對於QD薄膜中之QD的光學路徑長度，藉此增加該QD BLU之效率且降低系統中之QD之數量。適當散射特徵部包含QD薄膜中之散射珠粒、主體基質中之散射域，以及/或障壁層或LGP上所形成之特徵部。
本發明提供新穎的QD磷光體材料、QD薄膜以及相關照明方法及器件。另外，本發明之QD遠端磷光體基於用於新穎性控制QD激發及用來激發QD磷光體材料中之QD之原色光的機構而在QD磷光體技術上有所突破。
將在隨後描述中提出本發明之額外特徵及優點，且在參閱該描述後將部分地顯而易知或可藉由實踐本發明而學習該等額外特徵及優點。本發明之優點將由該結構實現且獲得並且在書面描述及其技術方案以及附圖中專門予以指出。
應理解上述「發明內容」及以下「實施方式」二者皆為例示性及說明性的且旨在提供所申請之本發明之進一步解釋。
現將參考附圖描述本發明。在該等圖式中，相同參考數字指示相同或功能上類似之元件。
本發明提供用於照明應用的QD照明器件及QD薄膜。應明白本文所展示且描述之特定實施方案為本發明之實例且無意以任何方式另外限制本發明之範疇。實際上，為了簡短起見，本文可能未詳細描述習知電子裝置、製造、半導體器件，以及量子點、奈米晶體、奈米線體、奈米棒、奈米管及奈米帶技術及諸系統(及該等系統之個別操作組件之組件)之其他功能態樣。
色純度及可調諧性
光顏色發射之控制在包含向下式照明及顯示之許多照明應用中扮演著重要角色。尤為需要尤其在諸如遠端磷光體固態白色照明(SSWL)之具能量效率、混合色之照明應用中允許精確色點控制及可調諧性的方法及器件。本發明藉由提供在混合色照明應用中觸發個別光顏色分量的新穎機構而解決此議題。可由本發明完成之精确性及控制之位準仍有待習知技術達成。尤其在SSWL照明領域中，習知照明方法及器件缺乏提供高純度白光的能力，尤其是亦高度可調諧以展現用於不同照明應用及顯示器件之不同白點的高純度白光。習知照明依賴於守舊的過濾技術來濾出非期望之光能量而非解決問題之根源-光源。舉例而言，習知LCD BLU技術遭受不可控制之發射波長及須由LCD彩色濾光器濾出的寬光譜寬度，此導致浪費之光能量、低效率及高操作溫度。
本發明基於新穎QD磷光體材料、QD薄膜及對應照明方法及器件提供光之高色純度及可調諧性。另外，本發明之QD遠端磷光體基於用於新穎性控制用來激發本發明之QD磷光體材料中之QD之原色光的機構而在QD磷光體技術上有所突破。本發明包含新穎實施例，其中原色光經操縱以控制顏色及亮度，並且增加原色光之吸收及QD對二級光之隨後發射。
在某些實施例中，本發明提供一種用於顯示應用之背光單元(BLU)。本發明之BLU包含作為磷光體材料的發射可調諧式量子點(QD)，諸如大小可調諧之QD。使用一原色光源激發QD，BLU可產生由具有一均勻大小分布之一群體之QD發射且具有一純、飽和之顏色的光，或者由大小不同之量子點之摻合物發射且混合不同顏色的光。具有此QD大小可調諧性下，利用具有一精確界定之白點之QD BLU而獲得唯一的光譜工程設計。如下文更詳細論述，QD BLU之白點係藉由調諧包含發射BLU之光顏色分量之多個QD群體之大小分布的QD特性來調整。
與傳統顯示磷光體相比較，本發明之QD BLU之QD磷光體展現極高的光譜純度、色飽和度、顏色解析度及色域。如圖1所展示，QD展現取決於QD大小之精確發射特性，該QD大小可經準確調諧以提供不依賴於激發條件的恆定發射特性。發射光譜係由一單高斯峰值(Gaussian peak)界定，該高斯峰值由帶邊緣發光產生。由於量子侷限效應之直接結果，發射峰值位置係由核粒子大小來判定。例如，如圖1所展示，藉由在2 nm至15 nm(100及102)之範圍內調整粒徑所展示，可在整個可見光譜上精確調諧發射。圖1表示增加大小(從2 nm至15 nm)之奈米晶體之吸收峰值及發射峰值。初始峰值(較低波長)指示吸收波長且後續峰值(較高波長)指示發射波長(以奈米計)。隨著增加奈米晶體之大小，吸收峰值波長及發射峰值波長從約450 nm偏移至約700 nm，並且可在該範圍上調諧。在圖1上之垂直陰影條指示在藍色104、綠色106及紅色108範圍中之可見光波長。個別顏色分量之QD大小及窄光譜寬度之可調諧性允許獨立於原色光源波長使用多個不同QD群而達成一精確白點或其他混合色。
習知LCD背光展現有限之顏色屬性。舉例而言，如圖2可見-該圖展示一習知無機磷光體背光(藍色LED+YAG磷光體)之強度對顏色之一光譜標繪圖，來自YAG磷光體之黃光202為寬光譜、低強度的黃光。此無法調諧、較差品質之黃光之結果為浪費之光能量及比NTSC標準顏色準確度低10%。相反，根據本發明之一實例實施例，來自圖2所展示之發綠光QD磷光體及發紅光QD磷光體之發射(綠峰值204及紅峰值206)展現高純度、高強度且完全可調諧之光。此導致較高之能量效率及大於100% NTSC顏色準確度。本發明之QD BLU可經調諧以精確準確度達成任何目標白點。窄發射不僅防止人眼可見光譜之邊緣處之光子浪費，其亦允許優異地最佳化演色係數及功率轉換效率。
如圖3所展示之標準國際照明委員會(Commission Internationale de l’Eclairage，CIE)圖表中可見-該圖繪示本發明之一例示性QD BLU實施例之色域302，本發明之QDBLU提供對諸如YAG 304之習知BLU磷光體上之色域之改良。如由較大QD BLU色域三角形302所繪示，個別紅色、綠色及藍色(RGB)分量之高色純度擴展潛在顏色之陣列。個別紅光分量306、綠光分量308及藍光分量310之純度明顯允許一更純之三色白光。
顏色過濾由於其發展已在LCD技術中成為一個棘手議題。習知BLU磷光體之寬譜發射需要徹底的顏色過濾以消除非期望之發射且提供紅光、綠光及藍光之純色分量。習知LCD彩色濾光器主要依賴於各種染料、顏料及金屬氧化物來吸收由習知BLU磷光體所產生之非期望波長的光。此等吸收性材料由於嚴重的光降解而遭受短壽命，且在不同各自顏色之不同彩色濾光器之間遭受壽命不一致，該壽命不一致造成不同顯示顏色分量隨時間以不同速率變化。吸收性材料之此劣化不利影響發射顏色、個別顏色分量之純度、顯示器之白點、亮度及顯示器壽命。大量資源已專用於研究及發展用於LCD之彩色濾光器，但仍難以找到或生產用於習知LCD BLU且具有適當吸收率及透射率之經濟實惠、高品質的彩色濾光器。
本發明之QD BLU提供LCD彩色濾光器技術中之顏色過濾問題之一長期需要的解決方案。與習知LCD BLU不同，本發明之QD BLU可經高度調適用於現有LCD彩色濾光器，且可經準確調諧而與不同顯示器件之各種不同LCD彩色濾光器相容。運用本發明之QD BLU，可基於可用性、品質、成本、層厚度等等選定現有LCD彩色濾光器，而非將其調節成與習知BLU發射特性相容。可將QD BLU磷光體之個別光顏色分量精確調節成在極特定波長之光及與所選擇之彩色濾光器相容之極窄光譜寬度下發射。在此類窄光譜寬度及發射可調諧性下，本發明之一額外優點為顯示器彩色濾光器之改良之壽命。QD磷光體之窄光譜發射需要吸收性彩色濾光器材料之較少吸收，此導致彩色濾光器之較少劣化及增加之壽命。
如圖1可見，可將本發明之QD磷光體材料之發射光譜調諧成配合用於不同照明器件之多種彩色濾光器。在從個別光顏色分量過濾較少光的情況下，濾光器材料與諸如YAG之傳統BLU來源相比吸收更少之光能量。
亮度及效率
能量效率為消費者電子裝置領域中之一關鍵特徵，且顯示器消耗大部分器件功率。顯示器功率消耗尤其在大顯示器應用中大幅影響電子顯示器件的許多特徵，包含行動顯示應用上之電池需求，以及器件操作溫度及面板壽命。在習知顯示器件中，由器件所消耗之大量能量專用於顯示器，尤其是顯示器BLU。本發明之QD BLU展現顯示器BLU中之突破性效率改良。
本發明之QD BLU由於有效使用原色光而對習知BLU提供改良之效率，此導致減小浪費之光能量。習知BLU磷光體展現寬發射光譜，因此由彩色濾光器(例如，LCD彩色濾光器)濾出所產生之大量光以產生較銳利的顏色分量(例如，RGB)。此寬光譜過濾導致浪費之光能量、減少之亮度及較高之顯示器操作溫度。運用本發明之QD BLU及大小經調諧之量子點之窄頻寬發射，由磷光體材料所產生之最少光經由顏色過濾而被浪費。與習知磷光體材料相比較，本發明之QD磷光體需要大幅減小之光過濾。如上文參考圖2所闡述，QD磷光體材料之窄發射光譜導致更多光透過彩色濾光器發射而非濾出，且因此導致增加之亮度及效率。本發明之QD BLU之增加之色純度及照明效率呈現總顯示器亮度之能量有效性之增加。
已進行量子點磷光體的一些發展，舉例而言，如美國專利第7,374,807號、美國專利第7,645,397號、美國專利第6,501,091號、美國專利第6,803,719號、2010年4月29日申請之美國專利申請案第12/799813號、2008年3月19日申請之美國專利申請案第12/076530號、2009年10月30日申請之美國專利申請案第12/609736號，以及2009年10月30日申請之美國專利申請案第12/609760號中所揭示的發展，該等案之各者之揭示內容以引用之方式全部併入本文。舉例而言，可購自Nanosys之Quantum RailTM(QR)(展示於圖4A-圖4D中)包含一基於QD之遠端磷光體封裝400，該QD基遠端磷光體封裝400對習知BLU提供顏色品質改良。如下文進一步詳細闡述，本發明之新穎QD BLU在習知BLU以及QR磷光體封裝上呈現優點。
在涵蓋諸如YAG-塗佈之藍色LED BLU之藍色LED的習知BLU中，習知磷光體係用於將一部分藍光轉換為紅色及綠色以覆蓋整個可見光譜，且磷光體通常係放置成與LED直接接觸。在上文參考之NanosysTM Quantum RailTM(QR)BLU中，將發光QD混合至聚合物中以形成活性材料404，並且將該活性材料密封406於一玻璃毛細管402中以形成QR 400。如圖4A所展示，QR封裝係佈置成在LED 401與BLU之光導面板(LGP)403之間鄰近LED 401。歸因於圍繞量子點且在高操作溫度及高光通量下劣化的有機成份，QD在暴露至緊密接近LED之熱及光通量時具有有限之壽命，藉此限制QR BLU壽命。關於QR之額外議題包含在將QR安置成鄰近LED時缺乏控制及準確性、與適當黏著或膠黏QR相關聯之可靠性及光學議題，以及對機械損害之敏感性。
圖5展示一習知LED背光式LCD顯示器500，該圖展示BLU 512之組件，包含亮度增強薄膜(BEF)501、漫射器層504、LGP 506、LED外殼510及反射器508。
根據本發明之一例示性實施例，如圖6A及圖6B所展示，一照明器件600(例如，一顯示器BLU)包括包含一薄膜的一QD薄膜遠端磷光體封裝602，該薄膜包括夾在或佈置於兩個障壁層620、622之間之QD磷光體材料604。該QD薄膜係佈置於一光導面板(LGP)上面，且至少一原色光源610係定位成鄰近該LGP，其中該原色光源係與該QD磷光體材料光通信。當由該原色光源發射原色光614時，該原色光行進通過該LGP且朝向該QD薄膜。該QD薄膜及該原色光源經佈置使得該原色光行進通過該遠端磷光體封裝之QD磷光體材料並且激發該QD磷光體材料中之QD，藉此造成二級光從該QD薄膜發射。從該遠端磷光體封裝及該照明器件所發射之光可包含由磷光體材料發射之二級光、完全通過QD薄膜之原色光或較佳其組合。在圖6A及圖6B所展示之例示性實施例中，QD薄膜BLU 600進一步包括一底部反射薄膜或層608、靠近LGP之頂部及/或頂部之一或多個光提取層(圖6中未展示)，以及佈置於該QD薄膜上之一或多個亮度增強薄膜601，使得該QD薄膜夾在或佈置於BEF(例如，反射偏光器薄膜或稜鏡薄膜)與具有一反射薄膜及一或多個光提取層之LGP之間。
如圖6A至圖6C之實例實施例中所展示，本發明之照明方法及器件旨在較佳以包括以下列方式佈置之一QD磷光體層604之一QD薄膜層602的形式將量子點降頻轉換層安置於一更有利位置中：佈置於一LCD BLU之反射薄膜608與BEF 601之間一例如，佈置於一LCD BLU之反射薄膜608與LGP 606之間或佈置於LGP 606與BEF 601之間。適當言之，QD薄膜602包括一頂部障壁620及一底部障壁622，其中此等障壁容納且保護QD磷光體材料604以免受外部環境狀況影響。在QD薄膜佈置成鄰近LGP、而非靠近LED 610之此位置的情況下，QD磷光體材料處之光通量及溫度將顯著降低，導致QD磷光體材料及QD BLU有較久壽命。另外，簡化薄膜總成安裝並且解決機械損害議題。如下文更詳細論述利用本發明之QD薄膜實施例來達成許多額外的優點。
QD磷光體數量減小
令本發明人異常吃驚的是，QD薄膜在一LCD之某些層之間之部署導致由QD發射之二級光之亮度上有顯著且非常出乎意料之改良，此允許大量減小光學密度(亦即，QD之數量之減小)。在需要達成所期望位準之亮度及白點之QD較少的情況下，與QR照明器件相比較，可大幅減少(例如，差不多15倍或25倍減小)QD磷光體材料之光學密度(或QD濃度)，因此可使用較少QD獲得較大顯示表面積，且與QD數量減小成比例地大幅減小成本。藉由將QD佈置於一顯示器之BEF 601與LGP 606之間，大幅增加原色光相對於QD磷光體材料之有效路徑長度。如圖6B所展示，原色光614基本上係由BEF 601與LGP底部之反射薄膜608再循環，且藉由諸如漫射特徵部或層之額外特徵部所造成之反射及散射，以及顯示層及QD薄膜之折射率之差而再循環。此再循環造成原色光614在該原色光之一部分最終離開BLU之前以多種角度重複通過QD薄膜602。原色光614在QD磷光體材料中之路徑長度係由於通過QD磷光體材料所透射之高角度射線而增加，此導致QD薄膜中有更多的QD吸收(及重新發射)。
可藉由根據本發明之系統及方法操縱原色光而進一步增加原色光之路徑長度及QD吸收。在某些實施例中，如圖27A及圖27B所展示，原色光之此操縱及增加之吸收係藉由加入與QD薄膜相關聯之諸如散射珠粒或粒子的散射特徵部來達成所展示。由於QD磷光體本質上為等向性發射體，故其等係在全部方向上從QD表面發射光。與QD不同，諸如LED之激發光源由於其等為朗伯(Lambertian)發射體而更單向性地發射光，此意謂著從LED發射之光之強度在發射表面之法線處最高且隨著遠離法線增加之角度而減少。朗伯原色光發射體與等向性二次發射體之組合可能造成許多問題，包含單向原色光及低QD吸收率、低效率、高QD數量需求及不均勻之顏色及亮度分布-跨越顯示器表面區域及從各個視角兩方面。本發明之方法及器件改良顏色均勻性及亮度均勻性、增加效率且減小QD數量需求。在本發明使原色光及二級光之均勻發射方向及原色光之增加之QD吸收成為可能的情況下，從QD BLU發射之總體光具有更多可預測之特性，藉此允許QD BLU之顏色及其他發射特性之改良控制。
原色光之此高效使用允許減小產生一所期望之發射亮度及白點所需之QD之數量與原色光之量二者。藉由根據本發明之方法及器件操縱原色光，可達成由該器件所發射之原色光分量及二級光分量之精確控制。與用於增加遠端磷光體發射之傳統方法不同，光分量之此改良控制可在不增加所需原色光之量下且不增加QD磷光體材料之量下達成。令人驚訝且最明顯的是，此效果甚至可在QD數量顯著減少的情況下達成。本發明之新穎實施例允許出乎意料地減小根據本發明產生一QD薄膜層之一期望亮度及白點所需的量子點(例如，10倍至25倍減小)。
作為用於BLU之磷光體，QD提供許多優點。然而，由於顯示品質之QD磷光體生產之高成本，QD磷光體之應用通常限於諸如分子標記的低磷光體數量應用。本發明之QD BLU提供在QD磷光體中具有低數量之QD的QD磷光體BLU實施例。出於許多原因而期望最小化一QD BLU系統中所需之QD之數量。除了QD大量生產之高成本以外，QD磷光體對環境狀況高度敏感。QD數量減小簡化QD與其他材料之整合且減小一QD BLU系統中所需之非QD材料之量。舉例而言，較少QD將減小必需基質材料、障壁材料及原色光之量，藉此使QD BLU系統更小、更薄、更輕且更有效。材料之此減小大幅減小QD BLU之生產成本，使得QD BLU對於習知顯示器BLU而言具有成本競爭性。如下文更詳細描述，QD之減小亦允許QD BLU用於較大顯示器且產生在增加之表面積上(諸如在根據本發明之某些實施例之QD薄膜BLU中)使用QD磷光體材料之可能性，。與習知QD磷光體不同，本發明之QD薄膜明顯具有比原色光之表面積大得多之一表面積。
顏色及亮度均勻性
作為本發明之一額外優點，QD薄膜之空間組態在跨越顯示器觀察平面之亮度及顏色均勻性上提供改良。由於QD磷光體材料之增加之表面積及均勻佈置於LGP表面區域上之磷光體之位置，得以消除與QR BLU相關聯之亮度及顏色均勻性議題。習知顯示器BLU經高度工程設計以在顯示器觀察平面上提供均勻的光分布，且本發明之QD BLU包含有利整合於LGP與BEF之間以使用從LGP發射之高度均勻之原色光的一QD薄膜。舉例而言，在本發明之白光QD薄膜BLU實施例中，由於由QD發射之原色光及二級光二者之均勻性、控制及可預測性，可更精確地控制白點。原色光源之原色光特性係不均勻且難以控制的。如在本發明中，在將QD薄膜佈置成一層BLU堆疊的情況下，與QD相互作用之點處之原色光特性由於原色光均勻分散於LGP各處且在從LGP透射後而更為均勻且可預測。另外，從LGP發射之原色光之表面積遠遠大於靠近原色光源之光發射之小表面積。因此，QD薄膜BLU改良QD吸收及發射之可預測性、均勻性及控制以及來自照明器件之總體光發射。
原色光分散於QD磷光體材料中改良原色光與二級光之間之指向性發射之均勻性，藉此允許QD BLU發射之全部顏色之光有更均勻的發射及亮度。另外，QD薄膜中之QD磷光體材料中之漫射將能夠消除外部漫射層，藉此減少器件厚度。
溫度降低及壽命改良
QD對溫度高度敏感。在上文參考之QR BLU中，遠端磷光體封裝係佈置成鄰近且極靠近原色光源，此導致QD見至之較高操作溫度。本發明之QD照明器件及方法允許將QD磷光體材料放置成進一步遠離原色光源，藉此大幅減小QD操作溫度並且解決歸因於QD磷光體材料之溫度敏感性的問題。在減小造成來自QD之二次發射所需之原色光的情況下，本發明之另一優點包含QD BLU系統及總體顯示器件之增加之效率及較低之能量及操作溫度需求。另外，由於QD薄膜實施例中每單位面積之QD之減少之密度，與QR BLU相比較，可顯著減小(例如，10倍)光通量。因此，本發明之QD薄膜BLU改良QD磷光體穩定性、整合性及壽命。
製造、照明器件整合及機械整合性
利用本發明之QD薄膜來改良且更輕易地整合及對準，且QD薄膜與包含平面顯示層(諸如LGP、光學膜、漫射器薄膜、彩色濾光器薄膜、偏光器薄膜及遮罩薄膜)之現有顯示器特徵部更相容。QR BLU實施例中之整合及對準可能與習知BLU中一樣困難。舉例而言，QR封裝之尺寸控制可損及BLU中之QR之對準且妨礙發射原色光之方向之控制及可預測性。在本發明之QD薄膜實施例中，由於BLU中之遠端磷光體組態及位置，得以簡化原色光源與遠端磷光體封裝之光連接且使其更容易。與QR BLU相比較，本發明之QD薄膜改良大顯示器之整合且允許包括QD BLU之較大顯示器。QR BLU可能由於需要更多QR或更長QR而難以恰當地併入至大顯示器中。在尤其是具有長尺寸之QR的QR生產中難以達成緻密之尺寸控制。此外，由於QR對準所需之較長長度，大顯示器之QR之對準在製造方面正具有挑戰。在本發明之QD薄膜中，原色光源與QD磷光體之改良對準呈現較大QD BLU顯示器之可能性。運用本發明之完全相容、製程就緒之QD薄膜，可在原色光源與光透射層之對準中利用現有或習知對準技術，包含用於LED-LGP對準之現有處理總成及技術。另外，由於QD磷光體材料可均勻分佈於整個觀察平面上，故QD薄膜允許其中原色光源係安裝於顯示器背側上，而非邊緣對準原色光源或除了邊緣對準原色光源之外的實施例。
與QR BLU及習知顯示器BLU相比較，本發明之QD薄膜BLU提供許多另外的優點，包含容易BLU製造且整合至顯示器件中。雖然QR呈現與磷光體封裝生產相關聯之挑戰性議題-包含用磷光體材料404填充小毛細管402以及用一端部密封件406密封該等小毛細管，但是利用本發明之QD薄膜BLU之便利之捲軸式製造係可行的。此允許使用習知薄膜管線處理技術之便利大規模捲軸式處理，其中可製造QD薄膜及封裝且將其切割成一定大小，接著進一步處理之。可採用類似於膠帶塗佈中所使用之處理技術的捲軸式處理技術。QD磷光體材料可藉由噴塗、噴霧、溶劑噴塗、濕式塗佈及熟悉此項技術者已知之額外塗佈及沈積方法沈積。QD薄膜封裝之平坦層結構係與包含平面顯示層(諸如LGP及LCD過濾器、偏光器及玻璃平面)之現有顯示器特徵部相容。此平面結構減小與QR及習知磷光體相關聯之空間對準及耦合議題。另外，磷光體密度在整個顯示器表面區域上之均勻性在各個器件之間提供更大的可預測性及控制，藉此簡化用於不同照明應用及器件之本發明之BLU調適。
作為一另外優點，如下文更詳細論述，QD薄膜允許消除顯示器BLU中之某些層，諸如漫射層。此進一步簡化製造且允許更薄之照明器件。
本發明之QD薄膜實施例提供QD遠端磷光體封裝之機械整合性之改良。與QR遠端磷光體相比較，QD薄膜利用光通量之增加之表面積、更強之障壁材料，以及充當一額外保護障壁之一顯示器之現有平坦層之間之部署而找到另外的優點。
由於本發明可使原色光之損耗減少，本發明之QD薄膜得以在QR磷光體封裝上提供增強之效率。在QR BLU中，與原色光源與QR之對準及光耦合相關聯之困難可能造成來自原色光源之光由於原色光從QR中反射離開或者以其他方式離開而至環境中，或者不期望地透射至LGP中而被浪費且必須由顯示器濾出。利用本發明之QD薄膜實施例消除整合議題增加原色光之可預測性及控制，藉此大幅減少浪費的原色光之量且改良器件效率。
QD薄膜特徵部及實施例
在某些實施例中，本發明係關於顯示器件。如本文所使用，一顯示器件指具有一照明顯示器之任何系統。此類器件包含(但不限於)涵蓋一液晶顯示器(LCD)、電視機、電腦、行動電話、智慧型電話、個人數位助理(PDA)、遊戲器件、電子閱讀器件、數位相機等之器件。
雖然本文所述之特定實施例指用於顯示器件之BLU，但是本發明之QD薄膜可用於任何適當用途，包含(但不限於)向下式照明、室內或室外照明、舞臺照明、裝飾照明、補強照明、博物館照明及用於園藝、生物及其他用途之高度特定性波長照明以及熟悉此項技術者在研究本文所述之本發明後將顯而易知之額外照明應用。
如本文所使用，照明顯示器件之「顯示器」或「顯示面板」包含與該器件之顯示功能特定相關之全部層及組件，包含顯示器光源、磷光體材料、光導面板(LGP)、漫射器材料及層、反射器材料及層、光學材料及層(諸如亮度增強型薄膜(BEF))、用於照明控制之PCB面板、彩色濾光器、偏振稜鏡、偏振過濾器、玻璃薄膜、保護薄膜及類似物。如本文所參考，顯示器之「觀察平面」為顯示器件之使用者或觀察者所見到的顯示輸出之部分。
如本文所使用，「背光單元」(BLU)指產生用於照明顯示器件之光(包含原色光及二級光)之顯示器的部分。BLU之組件通常將包含(但不限於)一或多個原色光源、QD薄膜、一或多個LGP、BEF、漫射器層、反射薄膜、相關組件及類似組件。
原色光源係與本發明之磷光體材料光耦合，使得原色光源與二級光源彼此光通信。如本文所述，術語「光耦合」及「光連接」指由諸如原色光之光連接之元件，其中光可從一第一元件透射至該第一元件與之光耦合或連接之第二元件。原色光源可包含能夠從二級光源(QD磷光體)產生二級光發射的任何光源。一適當原色光源將具有能夠激發QD磷光體材料之QD之激發能量，藉此起始二級光發射。一理想原色光源亦將展現高效率、低操作溫度、高通量及高亮度。對於選定原色光源之額外考量可包含可用性、成本、大小、耐受性、發射顏色及純度、光譜寬度、發射光之方向、特徵部之壽命、品質、堅實度，以及與磷光體封裝、BLU及顯示器件之相容性。原色光源可為任何適當光源，諸如一LED、一藍光源或紫外光源(諸如藍色或UV LED)、一雷射器、一弧光燈、一黑體光源，以及其他固態光源。較佳實施例將包含一LED原色光源。較佳言之，原色光源為一藍光源或紫外光源，最佳為在440 nm至470 nm範圍內、更佳450 nm至460 nm範圍內發射之一藍色LED。舉例而言，原色光源可為GaN LED，諸如在450 nm之一波長下發射藍光之GaN LED。
在較佳實施例中，由藍原色光源發射之藍光之一部分將與QD吸收及重新發射成比例，且該藍原色光之一部分將用作由QD BLU及顯示器件發射之光之一藍光分量。在此等實施例中，由QD BLU發射之光將包含來自原色光源之原色光與吸收及重新發射後從QD發射之二級光的一混合。
雖然本申請案各處參考單個原色光源，但是本說明書中僅為簡單起見而參考此單一性，且亦隱含具有一個以上原色光源之實施例。如熟悉此項技術者將理解，本發明可取決於特定實施例或應用之需求而包括單個原色光源或複數個原色光源。另外，如下文更詳細闡述，一或多個原色光源係可佈置成沿顯示器之邊緣及/或佈置於各個顯示層的下面(例如，在LGP之後)。
本發明之BLU可包含原色光源之任何數量、配置、間隔及位置，包含邊緣發光型及/或後部發光型配置，如圖7A至圖7C所展示，其描繪邊緣發光型BLU(第7A圖)、後部發光型BLU(第7B圖)及組合之邊緣發光型及後部發光型BLU(第7C圖)。如熟悉此項技術者將理解，原色光源710之部署及數量將取決於照明器件之需求，且將包含不限於本文所述之實施例之任何可預料之組態。
在較佳實施例中，QD BLU包含佈置於顯示器之多層之間且鄰近於該等層的一QD薄膜遠端磷光體封裝。適當言之，QD薄膜係佈置於LGP上或該LGP的上面，適當佈置於LGP與LCD BLU之一或多個光學薄膜(諸如BEF)之間。QD薄膜包含一QD磷光體材料，該QD磷光體材料較佳係佈置於該QD磷光體材料之各側上之一或多個障壁層之間。適當言之，該QD薄膜經由其上佈置該QD薄膜之LGP而與原色光源光連接，使得原色光行進通過該LGP並且透射至該QD薄膜中。在較佳實施例中，如下文更詳細描述，QD薄膜包括諸如散射粒子之一或多個散射特徵部，以增強二級光發射。
QD薄膜遠端磷光體封裝
如本文所參考，如下文更詳細描述，本發明之「遠端磷光體封裝」或「QD薄膜」包含QD磷光體材料及與其相關聯之封裝材料。本發明之遠端磷光體封裝在原色光源與磷光體材料為個別元件且磷光體材料不與原色光源整合成單個元件的意義上為「遠端的」。原色光係從原色光源發射且在到達QD薄膜之QD磷光體材料之前行進通過一或多種外部媒體。
本發明之遠端磷光體封裝包含一QD磷光體材料，該QD磷光體材料包括至少一群體之發光量子點(QD)，本文亦稱為QD磷光體、二級光源或二級發光QD。如圖8所展示，QD 813在降頻轉換QD所吸收之原色光814後提供二級光發射816。如圖9所展示，本發明之QD適當包括一核/殼QD 900，其包含一核902、在該核上塗佈之至少一殼904，以及包含一或多個配位體906(較佳有機聚合配位體)之一外部塗層。在較佳實施例中，如圖10所展示，遠端磷光體封裝將包括一QD磷光體材料1000，該QD磷光體材料包含嵌入或分散於一或多種基質材料1030中之QD 1013，使得該QD磷光體材料包含一QD-基質材料複合物。
適當QD、配位體及基質材料包含熟悉此項技術者已知之任何此類適當材料，包含(但不限於)本文所提及之材料。如本文所參考，本發明之「QD磷光體材料」指QD磷光體(即，發射二級光之QD及相關聯之配位體或塗層)及與其相關聯之任何基質材料。在較佳實施例中，如下文進一步詳細描述，QD磷光體材料將進一步包含一或多個散射特徵部。
本發明提供包含發光量子點之各種組合物。可針對各種應用調節且調整發光QD之各種屬性，包含其吸收屬性、發射屬性及折射率。如本文所使用，術語「量子點」或「奈米晶體」指大體上為單晶之奈米結構。奈米晶體具有具有小於約500 nm且低至小於約1 nm之量級之一尺寸的至少一區或特徵性尺寸。如本文所使用，當參考任何數值時，「約」意謂著所聲明之值之±10%之一值(例如，約100 nm涵蓋從90 nm至110 nm(包含在內)之大小的一範圍)。熟悉此項技術者容易理解術語「奈米晶體」、「量子點」、「奈米點」及「點」係用於表示相似結構且在本文中可互換使用。本發明亦涵蓋使用多晶或非晶奈米晶體。
一般言之，具有特徵性尺寸之區將沿著結構之最小軸。QD在材料屬性上大體上可為同質的，或在某些實施例中，可為異質的。QD之光學屬性可由其粒子大小、化學或表面組合物；以及/或由此項技術中可用之適當光學試驗來判定。在約1 nm與約15 nm之間之範圍中調節奈米晶體大小之能力實現整個光學光譜中之光電發射覆蓋以在演色上提供重顯著之多面性。粒子囊封提供防化學品及UV劣化劑之穩健性。
額外例示性奈米結構包含(但不限於)奈米線體、奈米棒、奈米管、支鏈奈米結構、奈米四腳體、三腳體、二腳體、奈米粒子及具有至少一區或特徵性尺寸(選用三維之各者)的類似結構，該至少一區或特徵性尺寸具有小於約500 nm，例如小於約200 nm、小於約100 nm、小於約50 nm或甚至小於約20 nm或小於約10 nm的一尺寸。一般言之，區或特徵性尺寸將沿著結構之最小軸。奈米結構可(例如)大體上為結晶，大體上單晶、多晶、非晶或其組合。
可使用熟習此項技術者已知之任何方法產生用於本發明之QD(或其他奈米結構)。舉例而言，適當QD及用於形成適當QD之方法包含以下者中所揭示之QD及方法：美國專利第6,225,198號、2001年10月4日申請之美國專利申請公開案第2002/0066401號、美國專利第6,207,229號、美國專利第6,322,901號、美國專利第6,949,206號、美國專利第7,572,393號、美國專利第7,267,865號、美國專利第7,374,807號、2005年12月9日申請之美國專利申請案第11/299299號及美國專利第6,861,155號，該等案之各者全部以引用之方式併入本文。
可從任何適當材料、適當無機材料且更適當無機導電或半導電材料中產生用於本發明之QD(或其他奈米結構)。適當半導體材料包含任何類型之半導體，包含II-VI族、III-V族、IV-VI族及IV族半導體。適當半導體材料包含(但不限於)Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包含金剛石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及兩種或多種此類半導體之適當組合物。
在某些態樣中，半導體奈米晶體或其他奈米結構可包含來自由p-型摻雜物或n-型摻雜物組成之群組的摻雜物。用於本發明之奈米晶體(或其他奈米結構)亦可包括II-VI或III-V半導體。II-VI或III-V半導體奈米晶體及奈米結構之實例包含週期表之来自II族之元素(諸如Zn、Cd及Hg)與来自VI族之任何元素(諸如S、Se、Te、Po)之任何組合；以及週期表之來自III族之元素(諸如B、Al、Ga、In及Tl)與來自V族之任何元素(諸如N、P、As、Sb及Bi)之任何組合。其他適當無機奈米結構包含金屬奈米結構。適當金屬包含(但不限於)Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe、FePt及類似金属。
雖然熟悉此項技術者已知之任何方法可用於產生奈米晶體磷光體，但是適當使用用於無機奈米材料磷光體之受控生長的溶液相膠體方法。參見Alivisatos,A.P.,“Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots”Science 271:933(1996)；X. Peng,M. Schlamp,A. Kadavanich,A.P. Alivisatos,"Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility" J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029(1997)；以及C. B. Murray,D.J. Norris,M.G. Bawendi,“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E=sulfur,selenium,tellurium) semiconductor nanocrystallites”J. Am. Chem. Soc. 115:8706(1993)，其等之揭示內容之全文以引入的方式併入本文。此製造製程技術在無需清潔室及昂貴製造設備的情況下利用低成本可處理性。在此等方法中，將高溫下經歷熱解之金屬前驅體迅速注入至有機界面活性劑分子之熱溶液中。此等前驅體在高溫下分解並且反應成成核奈米晶體。在此起始成核階段之後，藉由將單體添加至生長晶體而開始一生長階段。結果為溶液中存在有機界面活性劑分子塗佈其表面的自立式結晶奈米粒子。
利用此方法，出現作為數秒內發生之一初始成核事件的合成，其後接著在高溫下晶體生長達數分鐘。可更改諸如溫度、所存在之界面活性劑之類型、前驅體材料及界面活性劑對單體之比率的參數以便改變反應之性質及進程。溫度控制成核事件之結構相、前驅體之分解速率及生長速率。有機界面活性劑分子調節溶解性與奈米晶體形狀之控制二者。界面活性劑對單體、界面活性劑彼此之間、單體彼此之間之比率及單體之個別濃度強烈影響生長之動力學。
在半導體奈米晶體中，光電引發之發射由奈米晶體之帶邊緣狀態產生。來自發光奈米晶體之帶邊緣發射與源自表面電子狀態之輻射及非輻射衰減通道競爭。X. Peng等人，J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029(1997)。結果，諸如懸鍵之表面缺陷之存在提供非輻射性重組中心且促成降低之發射效率。鈍化與移除表面俘獲狀態之一有效且永久性之方法為在奈米晶體之表面上磊晶生長無機殼材料。X. Peng等人，J. Am. Chem. Soc. 30:7019-7029(1997)。殼材料可經選擇使得電子位準為相對於核材料的類型1(例如，具有提供將電子及電洞局部化至核之一潛在步驟的一較大帶隙)。結果，可減小非輻射性重組之概率。
核-殼結構係藉由將含有殼材料之有機金屬前驅體添加至含有核奈米晶體之反應混合物而獲得。在此情況中，與其成核事件後接著生長，諸核不如充當核心，且殼從其表面生長。反應之溫度保持較低以便利將殼材料單體添加至核表面，同時防止殼材料之奈米晶體獨立成核。在反應混合物中提供界面活性劑以引導殼材料之受控生長並且確保溶解性。兩種材料之間存在一低晶格不匹配時獲得一均勻且磊晶生長之殼。
用於製備核-殼發光奈米晶體之例示性材料包含(但不限於)Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包含金剛石)、P、Co、Au、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及兩種或多種此類材料之適當組合。用於實施本發明之例示性核-殼發光奈米晶體包含(但不限於)(表示為核/殼)CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS以及其他核-殼發光奈米晶體。
在適當實施例中，CdSe由於此材料之合成之相對成熟而用作奈米晶體材料。由於使用一般表面化學，故亦可取代不含鎘之奈米晶體。用於顯示器BLU器件之例示性發光奈米晶體材料包含CdSe或ZnS，包含包括CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSeZn/CdS/ZnS、CdSeZn/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS之核/殼發光奈米晶體。最佳言之，本發明之量子點將包含核-殼QD，該等核-殼QD具有包括CdSe之一核及包括CdS或ZnS之至少一囊封殼層-最佳包括CdS之至少一囊封殼層及包含ZnS之至少一囊封殼層。
發光奈米晶體可由不受氧氣影響之材料製成，藉此簡化氧氣障壁需求及QD磷光體材料中之QD之光穩定化。在例示性實施例中，如下文更詳細論述，發光奈米晶體塗佈一或多種有機聚合配位體材料且係分散於包含一或多種基質材料之有機聚合基質中。發光奈米晶體可進一步塗佈包含一或多種材料(諸如二氧化矽、氧化鋁或氧化鈦(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3))之一或多個無機層以密閉式密封QD。
如下文進一步詳細描述，將基於用於QD BLU所使用之顯示用途之所期望之發射屬性來選擇用於本發明之QD。較佳QD特性包含高量子效率(例如，約90%或更多)、連續且可調諧之發射光譜，以及窄且尖銳之光譜發射(例如，小於40 nm、30 nm或更小、或20 nm或更小之半最大值全寬度(FWHM))。
在較佳實施例中，QD將包含在由一藍光源激發後能夠發射紅光之至少一群體之QD及能夠發射綠光之至少一群體之QD。如下文更詳細論述，可調整QD波長及濃度以符合所需光學效能。在其他實施例中，QD磷光體材料可包括一群體之QD，該群體之QD吸收具有非期望之發射波長之光的波長且重新發射具有一期望之發射波長之二級光。以此方式，QD薄膜包括至少一群體之顏色過濾QD以進一步調諧照明器件發射並且減小或消除顏色過濾之需要。
本發明之QD較佳塗佈嵌入於一或多種基質材料中且/或由一或多個障壁層密封之一或多種配位體塗層。此類配位體、基質材料及障壁可提供QD之耐光性並且保護QD免受包含高溫、高強度光、外部氣體、水分及其他有害環境狀況之環境狀況的影響。利用此等材料可達成額外效果，包含主體基質材料中之所需折射率、主體基質材料中之所需黏度或QD分散/可混性及其他所需效果。在較佳實施例中，將配位體及基質材料選擇為具有一足夠低之熱膨脹係數，使得熱固化大體上不會影響QD磷光體材料。
用於本發明之發光QD(或其他奈米結構)較佳包括與其表面共軛、協作、相關聯或連接之配位體。在較佳實施例中，QD包含包括配位體之一塗佈層，以保護該等QD免受外部水分及氧化影響、控制聚結且允許該等QD分散在基質材料中。適當配位體及基質材料以及用於提供該等材料之方法見述於本文。額外適當配位體及基質材料以及用於提供此類材料之方法包含熟習此項技術者已知之任何群組，包含以下者中所揭示之群組：2000年2月4日申請之美國專利申請案第12/79813號、2008年3月19日申請之美國專利申請案第12/076530號、2009年10月30日申請之美國專利申請案第12/609736號、2005年12月9日申請之美國專利申請案第11/299299號、美國專利第7,645,397號、美國專利第7,374,807號、美國專利第6,949,206號、美國專利第7,572,393號及美國專利第7,267,875號，該等案之各者之揭示內容全文以引用的方式併入本文。另外，適當配位體及基質材料包含此項技術中之任何適當材料。
如2000年2月4日申請之美國專利申請案第12/79813號中更詳細闡述，適當配位體結構包含多部分配位體結構，諸如3部分配位體，其中可針對其等之特定功能而獨立製造並且最佳化頭部基團、尾部基團及中間/體基團，且隨後組合成一理想功能之完整表面配位體。隨著此類多部分配位體之發展，可達成奈米晶體在基質中之裝填密度之控制以最佳化量子良率、光學散射、折射率之調諧，以及主體基質中之QD密度。可使用允許三種獨立基團單獨合成且隨後組合之通用技術來合成配位體分子。
較佳言之，配位體包含一或多種有機聚合配位體。適當配位體提供具有低氧滲透性之有效且穩固鍵結之QD囊封、沈澱或離析至在基質材料中之域中以形成不連續的雙相或多相基質，有利地在基質材料各處分散，且為市售之材料或可用市售材料容易地調配。
適當配位體包含(例如)聚合物、玻璃狀聚合物、聚矽氧、羧酸、二甲酸、多羧酸、丙烯酸、膦酸、膦酸酯、磷化氫、氧化膦、硫、胺、與環氧化物組合以形成環氧樹脂之胺、本文所提及之任何聚合配位體之單體、本文所提及之任何基質材料、本文提及之任何聚合基質材料之單體或此等材料之任何適當組合。適當言之，QD配位體將包含含胺有機聚合物，諸如胺基聚矽氧(AMS)(例如，GelestTM出售之AMS-242及AMS-233，及由Genesee Polymers Corp.TM出售之GP-998)；以及聚-醚胺，諸如JeffamineTM。適當配位體包含具有諸如胺部分或二羧酸部分之一或多種QD結合團之配位體。例示性胺配位體包含脂族胺，諸如癸胺或辛胺；以及聚合胺。
在較佳實施例中，配位體材料包含側基胺官能之聚苯乙烯(本文稱為胺基聚苯乙烯或APS)以塗佈且提供QD之耐光性，防止QD發射特性之非希望之變化。適當APS配位體包含(例如)包括苯乙烯單體及帶有胺團(較佳伯胺團)之單體的共聚物。圖11A展示例示性APS配位體。如圖11A之實例實施例所展示，APS係由苯乙烯順丁烯二酸酐(SMA)，諸如市售SMA(例如，SartomerTM SMA EF80)合成。將該酸酐以定量良率轉化為二甲酯，接著藉由與二胺反應而將該甲酯轉變為醯胺，其同時產生側基伯胺。在此反應後，藉由沈澱純化聚合物且可使用大小選擇來獲得適當分子量分量。在用於合成APS配位體之此實例實施例中，全部操縱係在乾燥無氧之氮氣氛圍下使用標準史萊克技術(Schlenk technique)實行。試劑、中間體及APS產物係在套手工作箱內部處置與儲存。使用MBraunTM MP-SPS溶劑系統使己烷、甲苯及甲醇去氧化且乾燥。使用含有8個苯乙烯單體及1個順丁烯二酸酐(或丙二酸酯衍生物)之「聚合物單元」估算聚合物之式量。為了合成苯乙烯順丁烯二酸二甲酯共聚物(2)，將SMA共聚物(1)(150 g)添加至2 L 3-頸圓底燒瓶(RBF)中。在添加至RBF反應燒瓶之前用加料漏斗量測甲醇(196 mL)及甲苯(275 mL)。將鹽酸(3滴)添加至該RBF中且將溫度設定至110℃，此造成反應溶液回流。在使反應溶液回流2天(約48小時)之後，移除熱且將反應溶液冷卻至室溫。藉由FTIR光譜學之樣品分析顯示酸酐已轉化為酯。藉由旋轉蒸發而從反應溶液中移除揮發物。藉由添加乙醚(100 mL)、用手打旋並且傾析至2 L分液漏斗中而用乙醚(600 mL)逐部分溶解產物。在該分液漏斗中用水(5×250 mL)洗滌產物。藉由旋轉蒸發而用一真空管線再次移除揮發物，直至產物為被壓碎成粉末的易碎、白色發泡體。產物經受真空直至已到達小於100毫托之一壓力超過4小時。將產物(142 g)儲存在套手工作箱中。藉由FTIR對分離產物之分析而指示酯無酸酐。接著，以將苯乙烯順丁烯二酸二甲酯共聚物(2)(140 g)添加至2 L 3-頸RBF中開始苯乙烯順丁烯二酸二胺共聚物(3)之合成，且該RBF反應燒瓶備有一回流冷凝器及一加料漏斗。添加甲苯(850 mL)並且將反應溶液加熱至50℃。在加熱反應溶液的同時，將1,4-二胺基丁烷(71.0 g)轉移至一250 mL Schlenk燒瓶中。在Schlenk管線上，藉由套管將該二胺基丁烷洗滌至溶解於甲醇(總計75 mL)中之RBF中。接著，將反應溶液溫度增加至140℃，且使反應溶液變混濁但自由攪拌。在140℃下回流反應溶液達9天。在回流6天之後，藉由FTIR對樣品之分析顯示酯已轉化為醯胺。回流反應溶液直至第9天將其冷卻至室溫。為了處理及純化，將反應溶液逐滴轉移至含有1500 mL己烷之5 L 3-頸RBF中。傾析頂部相，且用己烷(500 mL)洗滌產物且再次傾析頂部相。藉由真空轉移移除揮發物以留下無色、易碎發泡體。該發泡體經受真空直至壓力小於200毫托。接著將產物溶解於甲苯與甲醇之1:1混合物(1 L)中，形成混濁溶液。使用一封閉之惰性氛圍過濾系統並且透過一粗糙、燒結玻璃過濾器而將該溶液過濾至一個別Schlenk燒瓶中。在一機械攪拌之12 L 3頸RBF中將該溶液逐滴添加至8.0 L迅速攪拌的己烷中。該添加發生約2小時且造成聚合物沈澱。用己烷(150 mL)洗滌該聚合物且在真空至小於200毫托之一壓力下乾燥，產生易碎、白色發泡體。在揮發物移除製程期間定期地分裂固體且將其從燒瓶壁刮掉以便於乾燥。產物經受小於100毫托之真空達至少4小時。所得產物為壓碎成白色粉末(128 g)的易碎、白色發泡體。Schlenk技術較佳用以合成將提供QD之成功穩定之APS。
APS材料在形成完整QD塗層、光穩定化、障壁屬性、可固化性、容易沈積及與基質材料(諸如環氧樹脂)之相容性上提供習知材料之改良。
在更佳實施例中，配位體材料包含待塗佈之聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺，並且例如改良QD之溶解性及/或耐光性，防止QD發射特性中之非希望之改變。聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺較佳為支鏈的。可藉由使聚乙烯亞胺與其他化合物，例如，與諸如苄基溴、苄基氯或環氧樹脂之親電試劑反應而便利產生改質聚乙烯亞胺。較佳言之，藉由使聚乙烯亞胺與單環氧樹脂反應而產生用於本發明之改質聚乙烯亞胺。最佳言之，藉由使支鏈聚乙烯亞胺與單環氧樹脂反應而產生用於本發明之改質聚乙烯亞胺。聚乙烯亞胺可每當量聚乙烯亞胺上之伯胺與大於0且小於或等於1當量的單環氧樹脂反應。較佳言之，聚乙烯亞胺每當量聚乙烯亞胺上之伯胺與約0.05當量與約0.80當量之間之單環氧樹脂反應，更佳每當量伯胺與約0.10當量與約0.75當量之間之單環氧樹脂反應，或每當量伯胺與約0.20當量與約0.75當量之間之單環氧樹脂反應，例如每當量伯胺與約0.25當量單環氧樹脂、每當量伯胺與約0.40當量單環氧樹脂、每當量伯胺與約0.50當量單環氧樹脂、每當量伯胺與約0.60當量單環氧樹脂或每當量伯胺與約0.70當量單環氧樹脂反應。在不限於任何特定機構之情況下，儘管亦可與聚乙烯亞胺之仲胺發生一些反應，然而認為單環氧樹脂最初與聚乙烯亞胺上之游離伯胺反應。因此，例示性適當改質聚乙烯亞胺包含具有聚乙烯亞胺主鏈之支鏈聚合物，其中胺之一部分已例如藉由與單環氧樹脂反應而衍生。衍生之伯胺之百分數視需要變化，例如從大於0%至小於或等於100%。經改質之伯胺之百分數視需要在約5%與約80%之間、約10%與約75%之間或約20%與約70%之間，例如約25%、約40%、約50%、約60%或約70%。用於改質聚乙烯亞胺之單環氧樹脂之量視需要在約0.25倍與約0.875倍待改質之聚乙烯亞胺之重量之間，例如約0.40倍與約0.70倍聚乙烯亞胺之重量之間，例如約0.50倍聚乙烯亞胺之重量。
此項技術中已知許多單環氧樹脂適於與聚乙烯亞胺反應以產生改質聚乙烯亞胺配位體。一般言之，適當單環氧樹脂具有小於約1000、較佳小於約500且更佳小於約400或小於約300之分子量。單環氧樹脂可包含極性團及/或非極性團。單環氧樹脂可包含烴團，該烴團可為飽和或不飽和的，例如脂族或芳族團或其組合。如圖36A至圖36C所展示(分別展示)，用於與聚乙烯亞胺反應以產生改質聚乙烯亞胺配位體之較佳單環氧樹脂包含1,2-環氧-3-苯氧基丙烷(MW 150.1772)、1,2-環氧十二烷(MW 184.32)與縮水甘油基4-壬基苯基醚(MW 276.41)。
為了便於參考，如本文所使用之「PEI」指未改質之聚乙烯亞胺配位體及衍生自聚乙烯亞胺之配位體，且因此包含未改質之聚乙烯亞胺及改質聚乙烯亞胺二者。
如上所述，改質聚乙烯亞胺可由聚乙烯亞胺及單環氧樹脂合成。如圖37之例示性實施例所展示，改質聚乙烯亞胺係由聚乙烯亞胺(諸如，市售聚乙烯亞胺(例如，購自Nippon Shokubai Co.,Ltd.之 SP-012(MW 1200))及單環氧樹脂(諸如，市售單環氧樹脂(例如，購自Sigma-Aldrich之1,2-環氧-3-苯氧基丙烷))合成。在合成PEI之後，實行與QD之配位體交換以用PEI配位體塗佈該等QD。
在用於合成PEI配位體之此實例實施例中，使用配備一攪拌棒、1 L加料漏斗、軟管接頭、反應溶液中之熱電偶及具有接收燒瓶之短程蒸餾頭以及用以量測蒸氣溫度之溫度計的一5L4頸圓底燒瓶來建立裝置。另外，將蒸餾頭附接至含有一單向閥門之一起泡器。亦將一閥門放置於該起泡器與該蒸餾頭之間之軟管上。一旦藉由該軟管接頭而將該裝置連接至一Schlenk管線，則氮氣可通至反應燒瓶中，跨越反應溶液之表面且離開附接至蒸餾頭之起泡器。此外，起泡器上之單向閥門允許在未從該起泡器將空氣或油抽至反應燒瓶之情況下從軟管接頭對整個裝置施加真空。將反應燒瓶放置至連接至一溫度控制器的一加熱夾套中，其中熱電偶經安置以量測反應溶液溫度。
在一套手工作箱中，單獨將沈澱之CdSe/CdS/ZnS QD溶解於甲苯中(使用等於20%至25%體積之QD生長溶液的一體積之甲苯)，並且將其轉移至一Schlenk燒瓶中；QD與甲苯之總體積為2.5 L。此外，將己烷(540 mL)轉移至該套手工作箱中之一個別Schlenk燒瓶中。甲苯及己烷係從Sigma-Aldrich獲得且以原樣使用。
將該裝置附接至軟管接頭上之Schlenk管線且添加聚乙烯亞胺SP-012(240 g，購自Nippon Shokubai Co.,Ltd.，以原樣使用)。在攪拌時，在蒸餾頭與起泡器之間之軟管上之閥門打開的情況下，將該裝置放置於至小於300毫托之壓力之真空下且用氮氣倒沖三次。隨後關閉軟管上之閥門且藉由注射器將1,2-環氧-3-苯氧基丙烷(150 g，1.00莫耳，購自Sigma-Aldrich，以原樣使用)添加至反應溶液。藉由套管轉移甲苯(800 mL)且隨後在加料漏斗中量測之後將其添加至反應燒瓶。將該反應燒瓶加熱至100℃達30分鐘。隨後打開蒸餾頭與起泡器之間之軟管上的閥門並且收集約200 mL餾出物(或者約25%之甲苯)約半小時。關閉蒸餾頭與起泡器之間之閥門並且從套手工作箱中移除溶解於甲苯中之QD溶液且藉由套管將其轉移至加料漏斗中。隨後將QD之甲苯溶液添加至反應燒瓶中達15-30分鐘。在完成QD/甲苯添加之後，在100℃下加熱反應溶液達30分鐘。隨後打開蒸餾頭與起泡器之間之管線上的閥門並且收集約750 mL餾出物(或者約25%之甲苯)。在餾出物收集之後，移除蒸餾頭且用塞子密封反應燒瓶。將反應溶液冷卻至60℃。在攪拌的同時，藉由套管將己烷從Schlenk燒瓶轉移至加料漏斗中且以適度速率將其添加至反應溶液中。在完全混合後，停止攪拌且允許溶液隨著冷卻至室溫而沈降。藉由套管小心移除相對無色的上部相，在反應燒瓶中留下強烈著色之下部相(含有QD及PEI配位體)。在此實例中，每當量聚乙烯亞胺上之伯胺使用大約0.50當量1,2-環氧-3-苯氧基丙烷來改質該聚乙烯亞胺。
在一相關實例實施例中，藉由基本如上所述般但是用縮水甘油基4-壬基苯基醚改質聚乙烯亞胺來合成PEI配位體。在此實例中，每當量聚乙烯亞胺上之伯胺使用大約0.25當量縮水甘油基4-壬基苯基醚來改質該聚乙烯亞胺。在保持更多伯胺的同時，當如例示性1,2-環氧-3-苯氧基丙烷-改質之PEI所處理般交換至QD上時，此例示性縮水甘油基4-壬基苯基醚-改質之PEI給予類似溶解性行為，此可導致配位體對QD之更佳結合以及隨後之量子良率之改良。
PEI配位體在形成完整QD塗層、光穩定化、障壁屬性、可固化性、容易沈積及與基質材料(諸如環氧樹脂)之相容性中提供習知材料之改良。PEI材料優於習知材料及APS材料之其他優點包含：聚乙烯亞胺係廉價的且易於以在改質及配位體交換反應時直接使用之足够純之形式從許多來源購得；在配位體交換之前，可在無需任何額外裝置之情況下從反應燒瓶中輕易移除聚乙烯亞胺中之水及氧雜質；可在數小時之進程中在大量奈米晶體上輕易完成PEI配位體交換；可使用類似程序輕易交換各種奈米晶體(例如，發射綠色、紅色或該兩種顏色之混合之QD)；可藉由用己烷沈澱而從反應溶劑中移除交換之奈米晶體-PEI組合且藉由簡單傾析而移除溶劑之大部分；可以高濃度之奈米晶體(例如，多達30倍之最終調配物中所使用之濃度)產生奈米晶體-PEI組合，使得極濃混合物易於調配、儲存及/或運輸；奈米晶體-PEI組合不含揮發性溶劑，因此可安全地儲存或運輸；奈米晶體-PEI組合良好地分散至市售環氧樹脂中，因此可例如在薄膜製造前立即與可固化之基質輕易地混合；且由於基質相對常見且市場有售，故可輕易更改預固化混合物之黏度以符合薄膜塗佈及製造之需求。除了此等因素之外，用諸如1,2-環氧-3-苯氧基丙烷改質聚乙烯亞胺加入其他所期望之屬性，諸如；改良之己烷沈澱；改良之PEI-QD溶解性，在固化基質中導致更小、更可預測之奈米晶體域，且在所得QD薄膜中導致較少之大型不溶性粒子缺陷；更液態且在緊接塗佈薄膜之階段使混合物更流暢的交換奈米晶體-PEI組合；以及在薄膜生產期間達成所需位準之亮度及白點所需之減少之QD數量。因此，改質聚乙烯亞胺配位體之例示性期望特性(其可影響為產生改質配位體而采用之單環氧樹脂或其他試劑之選擇)包含：交換反應溶劑中之增強之溶解性(其導致較少不溶性簇)；用於與QD結合之足夠數量之剩餘伯胺；以及環氧樹脂(或其他者)基質中之增強之分散，此在儲存期間(在添加交聯劑及固化基質之前)產生較少可見之大型粒子缺陷及較不趨於在環氧樹脂中沈降。此外，所期望之改質聚乙烯亞胺配位體係透明的，不會經由能量轉移或光吸收而減小量子良率，不會在最終器件操作期間變成黃色/褐色，以及不會光電反應且造成隨時間增加之器件效能降級。
在某些實施例中，QD配位體可包含可聚合基團(即，可反應以設定聚合物之官能團)以將配位體併入(是否與奈米結構結合或過量提供)聚合物基質中。舉例而言，可在由自由基起始時聚合(甲基)丙烯酸酯基團，且可在由陽離子或陰離子起始劑起始時聚合環氧化物基團。舉例而言，在一較佳實施例中，在由胺起始時聚合環氧化物基團。
一般言之，聚合物配位體係與奈米結構之表面結合。然而，並非組合物中之全部配位體材料皆需要與奈米結構結合。可過量提供聚合物配位體，使得配位體之一些分子與奈米結構之一表面結合且配位體之其他分子不與奈米結構之表面結合。過量配位體可視需要聚合至嵌入奈米結構之基質中。該組合物可包含溶劑、交聯劑及/或起始劑(例如，自由基或陽離子起始劑)，以便於此併入。
本發明之磷光體材料進一步包含嵌入或以其他方式佈置QD之基質材料。基質材料可為能夠容納QD之任何適當主體基質材料。適當基質材料將與包含QD及任何圍繞封裝材料或層的BLU組件化學相容且光相容。適當基質材料包含對原色光及二級光二者透明且不會變黃的光學材料，藉此允許原色光與二級光二者透射通過該基質材料。在較佳實施例中，基質材料完全圍繞QD且提供一保護障壁，該保護障壁防止由諸如氧氣、水分及溫度之環境狀況所造成之QD之劣化。在期望一可撓或可模製之QD薄膜之應用中，基質材料可為可撓的。或者，基質材料可包含高強度不可撓材料。
較佳基質材料將具有低氧氣及水分滲透性，展現高光及化學穩定性，展現有利之折射率，並且黏著至鄰近QD磷光體材料之障壁或其他層，因此提供一氣密密封以保護QD。較佳基質材料將可用UV或熱固化方法固化以便於捲軸式處理。熱固化係最佳的。
用於本發明之QD磷光體材料之適當基質材料包含聚合物及有機與無機氧化物。用於本發明之基質之適當聚合物包含熟悉此項技術者已知可用於此一目的之任何聚合物。在適當實施例中，聚合物將為大體上半透明或大體上透明的。適當基質材料包含(但不限於)環氧樹脂、丙烯酸酯、降冰片烯、聚乙烯、聚(乙烯基縮丁醛)：聚(乙酸乙烯酯)、聚脲、聚胺酯；聚矽氧及聚矽氧衍生物，包含(但不限於)胺基聚矽氧(AMS)、聚苯基甲基矽氧烷、聚苯基烷基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷、聚二烷基矽氧烷、矽倍半氧烷、氟化聚矽氧及經乙烯基及氫化物取代之聚矽氧；由包含(但不限於)甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸月桂酯之單體形成之丙烯酸系聚合物及共聚物；基於苯乙烯之聚合物，諸如聚苯乙烯、胺基聚苯乙烯(APS)及聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)；與諸如二乙烯基苯之雙官能單體交聯之聚合物；適於交聯配位體材料之交聯劑、與配位體胺(例如，APS或PEI配位體胺)組合以形成環氧樹脂之環氧化物；及類似物。
可使用任何適當方法將本發明所使用之QD嵌入聚合物基質(或其他基質材料)中，該等方法例如為：將奈米晶體混合至聚合物中且壓鑄一薄膜；將奈米晶體與單體混合且使其等聚合在一起；在溶膠-凝膠中混合奈米晶體以形成氧化物；或熟悉此項技術者已知之任何其他方法。如本文所使用，術語「嵌入」係用以指示在構成基質之大部分組分之聚合物內圍封或埋入發光奈米晶體。應注意，儘管在其他實施例中，可根據一特定應用均勻性分布函數分佈發光奈米晶體，然而其等係適當均勻地分佈於基質各處。
配位體及/或基質材料亦可包含交聯劑及/或起始劑，例如用於將配位體及奈米結構併入至基質中。在一類實施例中，交聯劑為環氧樹脂交聯劑。
不連續或多相囊封材料係較佳的，使得在不可透水分及氧氣之疏水材料之域中保護QD。圖12A展示包含AMS-環氧樹脂乳液之QD磷光體材料，且圖12B展示APS-環氧樹脂QD磷光體材料。在較佳實施例中，基質材料包含環氧樹脂。較佳言之，如圖12B所展示，QD配位體包含APS且基質材料包含環氧樹脂，其中QD磷光體材料包含在環氧樹脂基質各處分散以形成多相材料之經APS塗佈之QD的域。最佳言之，QD配位體包含PEI且基質材料包含環氧樹脂，其中QD磷光體材料包含在環氧樹脂基質各處分散以形成多相材料之經PEI塗佈之QD的域。圖38A展示聚乙烯亞胺-環氧樹脂QD磷光體材料，且圖38B展示改質之聚乙烯亞胺-環氧樹脂QD磷光體材料。
較佳QD磷光體材料包含APS或PEI以及環氧樹脂，諸如LoctiteTM環氧樹脂E-30CL或來自Epic Resins(Palmyra,WI)之環氧樹脂，其中部分A之黏度規格為15K至40K厘泊(cP)(較佳30 K至40K cP)且部分B之黏度規格為3K cP至25K cP(較佳7.5K cP至10K cP)。較佳言之，QD磷光體材料包含QD，該等QD包含APS或PEI配位體以及與APS或PEI混合時聚合且交聯之一或多種環氧類聚合物，其中過量胺交聯環氧樹脂。
在形成QD磷光體材料之一較佳方法中，在溶劑(例如，甲苯)中提供QD並且將QD-溶劑混合物添加至配位體材料之混合物以塗佈該等QD。較佳言之，第一(配位體)材料包含含胺之聚合物，適當為APS或最佳為PEI。
在一較佳實施例中，將QD-甲苯混合物添加至APS與甲苯之混合物中以提供經APS塗佈之QD。將基質材料添加至溶劑混合物中，其後接著蒸發該溶劑。較佳將環氧類聚合物添加至該混合物中，其中由過量配位體材料之胺交聯環氧化物。由於環氧樹脂中之APS之不混溶性，經APS-塗佈之QD係定位於環氧樹脂基質材料各處之空間域中。如圖12B所展示，QD磷光體材料係由較佳混合額外基質之環氧樹脂材料的此QD-APS-環氧樹脂混合物形成，將該QD磷光體材料濕式塗佈至一基板上並且固化以形成QD薄膜。可將該混合物塗佈於一障壁層或LGP上並且熱固化或UV固化。熱固化係較佳的。固化可在諸個相中實行。舉例而言，QD磷光體材料可形成為若干層，其中個別地固化各層。較佳言之，將QD薄膜沈積於一底部障壁薄膜上並且將其部分地固化至該底部障壁薄膜，接著將一頂部障壁薄膜沈積於該QD材料上，且隨後繼續QD材料固化。
在一更佳實施例中，例如如上所述般藉由將QD-甲苯混合物與包含PEI配位體之溶液組合而用PEI配位體塗佈QD。從上文詳述之實例實施例繼續描述用1,2-環氧-3-苯氧基丙烷改質之聚乙烯亞胺之合成，以及此經改質之聚乙烯亞胺配位體至QD上以製備QD磷光體材料之交換，在Schlenk管線上之一個別5 L 3頸圓底燒瓶中攪拌部分B(96 g)(LoctiteTM E-30CL環氧固化樹脂之胺團)。將溶液脫氣至小於100毫托之壓力且用氮氣倒沖三次。接著，在攪拌下藉由套管將QD-PEI溶液(即，含有QD及PEI配位體之強烈著色之下部相)添加至環氧樹脂之部分B之溶液中。若QD-PEI溶液過稠而無法轉移，則可添加一些甲苯(多達500 mL)以便於套管之轉移。在完成轉移之後，在攪拌下藉由真空轉移至小於200毫托之壓力而移除該溶劑之前混合該溶液1小時。在套手工作箱中轉移且儲存為一稠油之產物。在準備形成QD薄膜時，視需要將該產物與環氧樹脂之額外部分B混合以達成所希望之色點，接著將其與部分A(該環氧樹脂之環氧化物部分)混合，其中藉由任何過量配位體材料之胺及/或藉由樹脂之部分B之胺交聯該環氧化物。由於環氧樹脂中之PEI之不混溶性，經PEI-塗佈之QD係定位於環氧樹脂基質材料各處之空間域中。一般言之，PEI-QD域係相對較小(例如，直徑為100 nm量級)且在環氧樹脂基質各處均勻分佈。QD磷光體材料係由此QD-PEI-環氧樹脂混合物形成，將其濕式塗佈至一基板上且固化以形成QD薄膜。可將該混合物塗佈在一障壁層或LGP上並且熱固化或UV固化。熱固化為較佳的。固化可在諸個相中實行。舉例而言，QD磷光體材料可形成為若干層，其中個別地固化各層。較佳言之，將QD薄膜沈積於一底部障壁薄膜上並且將其部分地固化至該底部障壁薄膜，接著將一頂部障壁薄膜沈積於該QD材料上，且隨後繼續QD材料固化。
在製備QD磷光體材料之另一較佳方法中，如圖11B所展示，合成一第一聚合材料1102，且將複數個QD分散在該第一聚合材料(例如，APS或聚乙烯亞胺)中以用該第一聚合材料(例如，APS或聚乙烯亞胺配位體)塗佈該等QD並且形成該等QD與該第一聚合材料之混合物1104。在溶劑蒸發後固化該混合物，並且從固化混合物中產生微粒1106。適當言之，在固化之前將交聯劑添加至該混合物中。可藉由碾磨或球磨該固化混合物來形成QD-APS或QD-聚乙烯亞胺材料之精細或粗糙粉末而產生該微粒。適當言之，QD-APS或QD-聚乙烯亞胺粒子之直徑為約1 μm。此時，較佳將該微粒分散在一第二聚合材料(例如環氧樹脂)中以產生可形成為一薄膜之複合QD磷光體材料，並且將其固化1108、1110。或者，可用諸如氧化鋁、矽氧化物或氧化鈦(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)之氧化物塗佈該等粒子，藉此在該等粒子上形成一外部氧化物層。可使用此項技術已知之原子層沈積(ALD)或其他技術形成該氧化物層。經氧化物塗佈之粉末粒子可直接應用於照明器件(例如，佈置於LGP上或嵌入於該LGP內)，或者佈置於諸如環氧樹脂之基質材料中且形成為QD薄膜。在某些實施例中，可在無用於密封QD磷光體材料之額外障壁材料下(例如，無障壁層)在一照明器件中使用經氧化物塗佈之粉末粒子。
在一些實施例中，儘管環氧樹脂由於其黏著屬性、接近APS及PEI之密度、商業可用性及低成本而係較佳的，然而可使用環氧樹脂基質材料之任何取代物來採用上述APS-環氧樹脂配位體-基質混合物或PEI-環氧樹脂配位體-基質混合物。適當環氧樹脂取代物包括聚苯乙烯、降冰片烯、丙烯酸酯、矽氫化APS或任何固體塑膠。
在一些實施例中，基質係由塗佈QD之配位體材料形成。可提供交聯劑以與該配位體上之團反應。類似地，可提供起始劑(例如，自由基或陽離子起始劑)。在未提供第二基質材料之其他前驅體之實施例中，基質視需要而基本上由第一材料聚合物配位體及/或其交聯或進一步聚合形式以及任何剩餘溶劑、交聯劑、起始劑及類似物組成。在一實施例中，QD係塗佈AMS配位體，且藉由使用交聯劑交聯該等AMS配位體而提供聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)基質。
本發明之QD磷光體材料及QD薄膜可具有任何期望之大小、形狀、組態及厚度。如下文更詳細闡述，QD可取決於BLU之所期望之顏色及/或亮度輸出而以適於所期望之功能之任何裝填比率嵌入於基質中。QD磷光體材料之厚度及寬度可由此項技術已知之任何方法(諸如，濕式塗佈、噴塗、旋轉塗佈、絲網印刷)控制。在某些QD薄膜實施例中，QD磷光體材料可具有500 μm或更小、較佳250 μm或更小、更佳200 μm或更小、更佳50 μm至150 μm、最佳50μm至100 μm之一厚度。QD薄膜可具有100 μm、約100 μm、50 μm或約50 μm之一厚度。如下文更詳細闡述，QD磷光體材料可沈積成一層或個別層，且該等個別層可包括不同屬性。該QD磷光體材料之寬度及高度可取決於顯示器件之觀察面板之大小而為任何所期望之尺寸。舉例而言，在諸如手錶及電話之小顯示器件實施例中，QD磷光體可具有相對較小之表面積，或者在諸如TV及電腦監視器之大顯示器件實施例中，QD磷光體可具有大表面積。如下文更詳細論述，用於形成本發明之QD BLU之方法可包含形成一大QD薄膜且將該QD薄膜切割成較小QD薄膜以形成個別照明器件。
在本發明之某些實施例中，嵌入QD磷光體之基質材料可由BLU之其他層組成，諸如LGP、障壁層、BEF、漫射器層或BLU之其他適當層中之一或多者，使得QD嵌入於其中，其中從其處透射通過之原色光之至少一部分係由QD吸收且降頻轉換為由QD發射之二級光。在器件之一現有層內嵌入QD磷光體之實施例，以及在未由基質材料圍繞QD磷光體之實施例中，QD較佳包括一外部氧化物塗層，諸如矽氧化物、氧化鈦或氧化鋁(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)。經氧化物塗佈之QD可直接沈積至照明器件之一或多個層上及/或直接分散於該照明器件之一或多個層內。
如熟悉此項技術者將理解，本文所述之組件及材料可取決於特定應用及所期望之效果而選擇為具有一特定折射率。如本文所使用之術語「折射率(refractive index)、(index of refraction)或(refractive indices)」指示材料使光彎曲之程度。如熟悉此項技術者將理解，本文所述之材料之各者之折射率可藉由判定光在真空中之速度除以光在材料中之速度之比率來判定。本發明之照明器件之組件及材料之各者可選擇為具有所期望之一折射率，該等組件及材料包含基質材料、配位體材料、障壁層及/或其他材料。
在一類較佳實施例中，一或多種基質材料具有一低折射率且可與器件之一或多個障壁層、LGP、BEF及/或其他層指數匹配。
在另一實施例中，QD磷光體材料1304之至少一基質材料1330具有比照明器件中之鄰近層更低之一折射率，其中原色光進入QD磷光體材料之角度在進入該QD磷光體材料後從θ1增加至θ2。如圖13A所展示，在一實例實施例中，原色光1314a在QD磷光體材料層1304中折射，該QD磷光體材料層1304具有比LGP更低之一折射率。進入QD磷光體材料1304之光之角度增加，藉此增加原色光在QD磷光體材料中之路徑長度。結果，此增加原色光1314b將被在QD磷光體材料中之量子點吸收之概率。在原色光之一較長路徑長度及QD二次發射之增加之機會的情況下，需要一較低QD濃度來達成二級光之任何給定亮度。如熟悉此項技術者將明白，一或多個障壁層1320、1322可與諸如LGP 1306或基質材料1330之其他材料指數匹配或可具有一不同折射率。
在另一實施例中，QD磷光體材料包含具有與該QD磷光體層中之其他基質及/或配位體材料不同之一折射率的至少一種基質及/或配位體材料。舉例而言，QD薄膜可包含具有相對較低之一折射率之一第一基質材料及具有一較高折射率之一第二材料。該第二材料可包含一或多種基質或配位體材料。在一實例實施例中，如圖13B所展示，QD薄膜1302包含具有一第一折射率n1之至少一第一材料1330a及具有一第二折射率n2之一第二材料1330b，其中n2與n1不同，其中指數不匹配造成光在QD薄膜中折射-特定言之原色光折射。在一實施例中，如圖13B所展示，n2小於n1，其中第二材料1330b在QD薄膜中折射原色光1314。在一實施例中，QD係嵌入於第二材料1330b中。
如熟悉此項技術者將理解，基質材料可經選擇以調節基質材料之折射率之有利效果來恰當平衡需要之透明度及其他屬性。
障壁
在較佳實施例中，QD薄膜包括佈置於QD磷光體材料層之一側或兩側上之一或多個障壁層。適當障壁層保護QD及QD磷光體材料免受諸如高溫、氧氣及水分之環境狀況之影響。適當障壁材料包含不會變黃、透明光學材料，其為疏水性的且與QD磷光體材料化學並且機械相容，展現光及化學穩定性且可經受住高溫。較佳言之，一或多個障壁層係與QD磷光體材料指數匹配。在較佳實施例中，QD磷光體材料之基質材料係與一或多個鄰近障壁層指數匹配以具有類似之折射率，使得透射通過障壁層而朝QD磷光體材料之光之大部分從障壁層透射至磷光體材料中。此指數匹配減小障壁與基質材料之間之界面處的光損耗。
該等障壁層適當為固體材料，且可為固化的液體、凝膠或聚合物。該等障壁層取決於特定應用而可包含可撓或不可撓材料。障壁層較佳為平坦層，且取決於特定照明應用而可包含任何適當形狀及表面區域組態。在較佳實施例中，一或多個障壁層將與層壓薄膜處理技術相容，其中在至少一第一障壁薄膜上佈置QD磷光體材料，且在與該QD磷光體材料相對之一側上在該QD磷光體材料上佈置至少一第二障壁薄膜以形成根據本發明之一實施例之QD薄膜。適當障壁材料包含此項技術已知之任何適當障壁材料。舉例而言，適當障壁材料包含玻璃、聚合物及氧化物。適當障壁層材料包含(但不限於)諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)之聚合物；諸如矽氧化物、氧化鈦或氧化鋁(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)之氧化物；以及其等之適當組合。較佳言之，QD薄膜之各障壁層包括包含不同材料或組合物之至少兩層，使得該多層障壁消除或減小障壁層中之針孔缺陷對準，提供對氧氣及水分滲透進入QD磷光體材料之有效障壁。QD薄膜可包含任何適當材料或材料組合及QD磷光體材料之一側或兩側上之任何適當數量之障壁層。障壁層之材料、厚度及數量將取決於特定應用，且將適當經選擇以在最小化QD薄膜之厚度的同時最小化QD磷光體之障壁保護及亮度。在較佳實施例中，各障壁層包括一層壓薄膜，較佳一雙重層壓薄膜，其中各障壁層之厚度足夠厚以消除捲軸式或層壓製造方法中之起皺。在QD或其他QD磷光體材料包含重金屬或其他毒性材料之實施例中，障壁之數量及厚度可進一步取決於法定毒性指標，此等指標可能需要更多或更厚之障壁層。障壁之額外考量包含成本、可用性及機械強度。
在較佳實施例中，QD薄膜包括鄰近QD磷光體材料之各側之兩個或多個障壁層，較佳各側上有兩層或三層、最佳在QD磷光體材料之各側上有兩個障壁層。較佳言之，各障壁層包括一聚合物薄膜，該聚合物薄膜在該聚合物薄膜之至少一側上具有一薄氧化物塗層。較佳言之，該等障壁層包括在一側上塗佈一薄層之矽氧化物(例如，SiO2或Si2O3)之一PET薄膜。舉例而言，較佳障壁材料包含CeramisTM CPT-002及CPT-005，購自AlcanTM。在另一較佳實施例中，各障壁層包括例如具有約100 μm、100 μm或更小、50 μm或更小，較佳50 μm或約50 μm之厚度之一玻璃片。
如圖14A之實例實施例所展示，QD BLU 1400包含一原色光源1410、具有選用光提取特徵部1450之LGP 1406、佈置於該LGP下面之反射薄膜1408、BEF 1401及佈置於該LGP與BEF之間之QD薄膜1402。如圖14B所展示，QD薄膜1402包含一頂部障壁1420及一底部障壁1422。該等障壁1420及1422之各者包含鄰近QD磷光體材料1404的一第一子層1420a/1422a，以及在該第一層1420a/1422a上之一第二子層1420b/1422b。在較佳實施例中，子層之材料及數量經選擇以最小化鄰近子層之間之針孔對準。在較佳實施例中，頂部障壁1420與底部障壁142之各者包括包含矽氧化物之一第一子層1420a/1422a，以及包含PET之一第二子層1420b/1422b。較佳言之；將包含矽氧化物之第一子層1420a/1422a佈置成直接鄰近QD磷光體材料1404，且將包含PET之第二子層1420b/1422b佈置於第一子層1420a/1422a上面，使得第一子層1420a/1422a係佈置於QD磷光體材料1404與第二子層1420b/1422b之間。在一實例實施例中，QD磷光體材料具有約50 μm之一厚度，包含矽氧化物之第一子層之各者具有約8 μm之一厚度，且包含PET之第二子層各自具有約12 μm之一厚度。
在較佳實施例中，如圖14C所展示，頂部障壁及底部障壁各包含一雙重障壁(即，2個障壁層)。頂部障壁1420包括一第一障壁層及一第二障壁層，其中該第一障壁層包括一第一子層1420a及一第二子層1420b，且該第二障壁層包括一第一子層1420c及一第二子層1420d。底部障壁1422包括一第一障壁層及一第二障壁層，其中該第一障壁層包括一第一子層1422a及一第二子層1422b，且該第二障壁層包含一第一子層1422c及一第二子層1422d。較佳言之，第一子層1420a、1420c、1422a及1422c包含矽氧化物且第二子層1420b、1420d、1422b及1422d包含PET。在一實例實施例中，QD磷光體材料具有約100 μm之一厚度，包含矽氧化物之第一子層各自具有約8 μm之一厚度，且包含PET之第二子層各自具有約12 μm之一厚度。
如圖15A所展示，一或多個障壁層中之任何者可包括跨越觀察平面具有一一致厚度及結構之一層。分別如圖15B、圖15C及圖15D所展示，障壁層之任何者亦可包括在障壁層之頂部表面、底部表面或頂部表面與底部表面二者上之特徵部1550。如熟悉此項技術者將理解，可採用具有或不具特徵部1550之此類障壁層之任何適當組合。如圖15B至圖15I所展示之各種實例實施例所展示，障壁層之特徵部1550可包含任何適當紋理或圖案，包含稜鏡、斜角、透鏡、凸塊、波形特徵部、劃痕、透鏡、圓頂或隨機微型紋理表面。適當言之，該等特徵部可為光散射或漫射器特徵部一例如在QD薄膜中散射光或使從QD薄膜之頂部透射之光漫射以光平衡BLU之LGP、QD薄膜或其他層中之瑕疵。適當言之，該等特徵部可包括光提取或亮度增強特徵部以增強由BLU發射之光的光提取及亮度並且/或促進原色光再循環回至QD磷光體材料中以增強二級光發射。適當言之，特徵部1550防止QD薄膜與BLU之鄰近層(特定言之LGP)之間的密切實體耦合，因此防止非期望之包覆效果。適當言之，特徵部1550可具有約0.5 μm至1 μm之一高度大小，且該等特徵部之各者可隔開約0.5 μm至1 μm之一距離。適當言之，該等特徵部包含與在其上形成該等特徵部之障壁層相同的材料，且該等特徵部可直接形成於該障壁層中或形成於該障壁層上。特徵部1550可使用此項技術已知之任何方法形成，包含衝壓、雷射蝕刻、化學蝕刻、射出模製及擠壓。
在圖16A所展示之一實例實施例中，底部障壁層1622之底部表面包括抗耦合或抗包覆特徵部1650以防止LGP與QD薄膜之間之過度光學耦合(例如，包覆)。此等抗耦合或抗包覆特徵部1650防止LGP 1606與QD薄膜1602之間之過度實體接觸，藉此促進顯示表面上之亮度均勻性。適當言之，特徵部1650防止QD薄膜與BLU之鄰近層(特定言之LGP)之間之過度光學耦合。適當言之，特徵部1650可具有約0.5 μm至1 μm之一高度大小，且該等特徵部可各隔開約0.5 μm至1 μm之一距離。
在本發明之某些實施例中，障壁板1620之頂部表面包括結構特徵部1650，此結構特徵部1650減小頂部板1620與在該頂部板上面之媒體(例如，空氣)(光從器件發射至該媒體中)之間之界面處的全內反射。在一例示性實施例中，在障壁板1620與障壁板1620上面之鄰近媒體之空氣/玻璃界面處，頂部障壁板1620之頂部表面經微型紋理化。經微型紋理化之表面減小全內反射且增加來自頂部板之光提取。在某些實施例中，頂部板之頂部表面上之結構特徵部1650增加約10%或更多之光提取。如熟悉此項技術者將理解，可基於從磷光體封裝之磷光體材料發射之光之波長、QD薄膜與鄰近媒體之折射率或其他特性來選擇或更改結構特徵部1650之幾何形狀。
在另一例示性實施例中，如圖16B所展示，頂部障壁層1620之頂部表面包括諸如稜鏡或斜角之亮度增強特徵部1650，其朝QD薄膜反射回原色光之一部分，藉此提供原色光回至QD薄膜之「再循環」。如本文中所參考，「亮度增強薄膜」(BEF)及「亮度增強特徵部」係朝從其處透射光之方向反射回一部分光的薄膜或特徵部。朝BEF或亮度增強特徵部行進之光將取決於光入射於薄膜或特徵部上之角度而透射通過薄膜或特徵部。舉例而言，如圖16C至圖16D所展示，BEF 1601之亮度增強特徵部1650包括形成為在薄膜1601之頂部表面上平行的稜鏡或稜鏡凹槽。若光正交或垂直於平坦薄膜1601，則從LGP 1606向上行進之光將透射通過BEF。然而，若光具有一較高角度，則此光將向下朝LGP反射。BEF及亮度增強特徵部可經選擇以針對不同角度之光而具有多個反射角，且此等特徵部及角度可經選擇以達成一所期望之亮度或光「再循環」。舉例而言，一第一偏光器薄膜(或BEF)可從垂直於該薄膜之平面反射具有約15度至25度之一角度(即，偏離法線65度至75度)之光，且一第二薄膜可從垂直平面反射具有約25度至35度之一角度之光。如圖16D之薄膜1620a、1620b所展示，可將該等BEF佈置成在相對方向上佈置增強特徵部1650。亦可包含額外BEF。使用多角度且多方向之反射特徵部導致「立體角度之再循環」，其再循環從各個方向到達BEF之光。在本發明之較佳實施例中，一或多個BEF之角度或斜角將經選擇以朝QD薄膜反射原色光之一顯著部分，使得可大幅減小QD數量以達成來自QD之一所期望之二級光發射。
BEF及亮度增強特徵部可包含反射及/或折射薄膜、反射偏光器薄膜、稜鏡薄膜、凹槽薄膜、開槽之稜鏡薄膜、稜鏡、斜角、凹槽或此項技術已知之任何適當BEF或亮度增強特徵部。舉例而言，BEF可包含習知BEF，諸如購自3MTM之VikuitiTM BEF。在某些實施例中，一或多個障壁層可具有在其上或其中形成之亮度增強特徵部，其中該一或多個障壁層用作一障壁與一BEF二者。障壁層1620可為一BEF光學薄膜堆疊之底部BEF。在另一實例實施例中，在圖16C及圖16D中展示，頂部障壁包括至少兩層，各層在該層之頂部表面上包括亮度增強特徵部。頂部障壁1620包括一第一層1620a，該第一層1620a包括在頂部表面上具有亮度增強特徵部1650之一第一BEF，以及一第二層1620b，該第二層1620b包括在頂部表面上具有亮度增強特徵部1650之一第二BEF，其中該頂部障壁用作一障壁1620及包括該第一BEF障壁層1620a及該第二BEF障壁層1620b之一BEF堆疊1601二者。在較佳實施例中，QD BLU包括至少一BEF、更佳至少兩個BEF。適當言之，BLU可包括至少三個BEF。在較佳實施例中，至少一BEF包括一反射偏光器BEF(即，DBEF)，例如用於再循環否則將被液晶基質模組之底部偏光器薄膜吸收之光。等亮度增強特徵部及BEF可包含反射器及/或折射器、偏光器、反射偏光器、光提取特徵部、光再循環特徵部或此項技術已知之任何亮度增強特徵部。該等BEF及亮度增強特徵部1650可包含習知BEF。舉例而言，該等BEF可包含具有具一第一俯仰角之斜角或稜鏡之一第一層，以及具有具一第二俯仰角之斜角或稜鏡之至少一第二層。在另一實施例中，BLU可包含具有具一第三俯仰角之斜角或稜鏡之一第三BEF層。適當BEF包含習知BEF，包含購自3MTM之VikuitiTM BEF。
在某些實施例中，一或多個障壁層可由一現有層或材料而非額外障壁材料形成。舉例而言，在例示性實施例中，圍繞QD之基質材料本身可用作用於QD之障壁材料。在某些實施例中，QD薄膜之頂部障壁層可包括BLU之一漫射器層或一BEF薄膜。在另一實施例中，LGP可充當用於QD磷光體材料之一底部障壁層；然而，LGP與QD薄膜較佳彼此不密切接觸。如熟悉此項技術者將理解，QD磷光體障壁材料或障壁層可包含如本文所述之一或多種組分之任何適當組合。
如熟悉此項技術者將理解，本發明之QD薄膜之各障壁層可具有任何適當厚度，其將取決於照明器件及應用之特定需求及特性，以及諸如障壁層及QD磷光體材料之個別薄膜組件。在某些實施例中，各障壁層可具有50 μm或更小、40 μm或更小、30 μm或更小、較佳25 μm或更小或20 μm或更小、最佳15 μm或更小之一厚度。在某些實施例中，障壁層包括氧化物塗層，該氧化物塗層可包含諸如矽氧化物、氧化鈦及氧化鋁(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)之材料。該氧化物塗層可具有約10 μm或更小、5 μm或更小、1 μm或更小或100 nm或更小之一厚度。在某些實施例中，該障壁包括具有約100 nm或更小之一厚度之一薄氧化物塗層，且該薄氧化物塗層可具有10 nm或更小、5 nm或更小或3 nm或更小之一厚度。頂部障壁及/或底部障壁可由該薄氧化物塗層組成或可包括該薄氧化物塗層及一或多個額外材料層。
障壁密封
在一較佳實施例中，如圖17A及圖17B所展示，QD薄膜1702包括頂部障壁1720及底部障壁1722，其可包含本文所述之障壁實施例之任何者，以及一惰性區1705，其包括在暴露至諸如氧氣之環境狀況之QD磷光體材料周圍之一空間界定區。較佳言之，QD磷光體材料提供一足夠之障壁以防止氧氣或水分穿透超過預定或預界定之惰性區1705並且穿透至該QD磷光體材料之活性區1709。在一較佳實施例中，QD磷光體材料包括佈置於環氧樹脂基質材料中且經APS-塗佈或PEI-塗佈之QD，且惰性區在QD薄膜之最外邊緣或周邊處具有約1毫米之一寬度，且在該QD薄膜之周邊處具有等於該QD磷光體材料之厚度之一高度。該空間區之尺寸可包含任何適當尺寸且將取決於特定器件實施例，包含特定QD磷光體材料、障壁層之數量及類型等。惰性區之寬度可使用適當測試程序來判定，並且適當包括2 mm或更小或1.5 mm或更小，且較佳為1 mm或更小、1 mm或約1 mm。
除了一或多個障壁層以外或作為該一或多個障壁層之一替代，可邊緣密封及/或氣密密封QD薄膜以保護QD磷光體材料免受環境狀況影響。在一實例實施例中，如圖18A所展示，QD薄膜包括QD磷光體材料1804及一氣密封裝或塗佈層1821，該氣密封裝或塗佈層1821完全塗佈QD磷光體材料之整個外表面。如熟悉此項技術者將明白，包含本文具體描述之實施例的本發明之任何實施例包含在QD磷光體材料或QD薄膜之表面上之一外部氣密塗佈層。適當言之，氣密塗佈層包含氧化物，諸如矽氧化物、氧化鈦或氧化鋁(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)；玻璃、聚合物、環氧樹脂或本文所述之基質材料之任何者。氣密密封可由此項技術已知之任何適當方法形成，包含噴霧塗佈、噴塗、濕式塗佈、化學氣相沈積或原子層沈積。
在一較佳實施例中，將頂部障壁及底部障壁機械密封。如圖18B及圖18C之較佳實施例所展示，頂部及/或底部層係緊壓在一起以密封QD薄膜。適當言之，在QD磷光體材料完全固化之前緊壓障壁層1820及1822之邊緣。適當言之，在沈積QD薄膜及障壁層之後立即緊壓該等邊緣，以便最小化QD磷光體材料暴露至環境中之氧氣及水分。該等障壁邊緣可由緊壓、衝壓、熔融、滾軋、擠壓或類似方式予以密封。在形成QD薄膜之一實施例中，在用於將QD薄膜切割至適當大小之相同處理步驟期間密封一或多個障壁邊緣。如圖19A及圖20A所展示，可在QD薄膜包括包括一LGP 1906之一底部障壁1922之實施例中(如圖19A中，該圖展示QD磷光體材料直接形成於組合底部障壁層及LGP 1906、1922及頂部障壁層1920上)，以及在機械密封QD薄膜之前在LGP 2006上形成或沈積QD薄膜2002之實施例中(如圖20A中，該圖展示QD薄膜包括一頂部障壁2020、一底部障壁2022及一QD磷光體材料2004)可採用相同或類似之機械邊緣密封。
在其他實施例中，如圖19B及圖20B所展示，QD薄膜包括一邊緣密封件1927、2027，該邊緣密封件包含佈置成沿QD磷光體材料之周邊鄰近QD磷光體材料1904、2004的密封材料。適當言之，邊緣密封件包含適當的光學黏著材料，諸如環氧樹脂。邊緣密封件可包含QD磷光體材料之一或多種基質材料，包含本文所述之基質材料。在其他實施例中，如圖19C及圖20C所展示，密封材料1928、2028係形成於磷光體材料1904、2004上面，適當地覆蓋QD磷光體材料之整個頂部表面及邊緣。密封材料1928、2028適當包含透明、不會變黃光學材料，包含環氧樹脂或本文所述之任何適當基質材料。該密封材料可包含一氧化物塗層，包含諸如矽氧化物、氧化鈦或氧化鋁(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)之材料。適當言之，密封材料與QD磷光體材料化學且機械相容。適當言之，密封材料為具有高機械強度之耐用、可撓材料。可將密封材料沈積於QD磷光體材料上面或一或多種障壁材料上面。另外，可將一或多種障壁材料佈置於該密封材料上面。適當言之，密封材料為其可與QD磷光體材料一起固化的一可固化之材料一例如熱固化或UV固化。在另一類實施例中，如圖19D及圖20D所展示，QD磷光體材料1904、2004本身提供對環境狀況之一障壁。在此類實施例中，QD薄膜可排除一頂部及/或底部障壁。在此類實施例中，如上文更詳細描述。QD可視需要塗佈一氧化物塗層或層以提供針對環境狀況之進一步保護。
如熟悉此項技術者將理解，可以任何適當組合使用本文所述之障壁及密封件，且可基於照明器件之特定應用及所期望之特性來選擇該等障壁及密封件。
光導
本發明之QD薄膜遠端磷光體封裝係光連接至原色光源，使得該遠端磷光體封裝與該原色光源光學通信。在較佳實施例中，原色光源及QD薄膜遠端磷光體封裝各光耦合至至少一平坦波導(本文稱為一光導面板(LGP))，其中例如如圖6、圖7及圖13所展示，原色光源及二級光源之各者係經由LGP而彼此光學通信。QD薄膜係適當佈置於一LGP上面或鄰近該LGP，且該LGP係適當佈置於諸如LED之一或多個原色光發射源上面或者佈置成鄰近該一或多個原色光發射源，該一或多個原色光發射源提供原色光以起始來自磷光體封裝之磷光體材料之二級光發射。該LGP為從該原色光源發射之光提供透射通過該LGP至該遠端磷光體封裝的一光轉移媒體，藉此允許該原色光激發QD且造成二級光發射。在另一實施例中，LGP係佈置於遠端磷光體封裝與照明顯示器之觀察平面之間，其中離開遠端磷光體封裝之光透射通過LGP而至顯示器表面之整個觀察平面，其中該光被該顯示器之觀察者看見。LGP可包含對原色光及二級光透明的任何適當不會變黃的光學材料，且可包含熟悉此項技術者已知之任何適當LGP。舉例而言，LGP可包含任何習知LGP。適當LGP材料包括聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、丙烯酸聚合物樹脂、玻璃或此項技術已知之任何適當LGP材料。LGP之適當製造方法包含射出模製、擠壓或此項技術已知之其他適當實施例。在較佳實施例中，LGP提供來自該LGP之頂部表面之均勻原色光發射，使得進入QD薄膜之原色光具有均勻的顏色及亮度。LGP可包含此項技術已知之任何厚度或形狀。舉例而言，如圖21A及圖22A所展示，LGP厚度在整個LGP表面上面可為均勻的。或者如圖22C所展示，LGP可具有似楔形形狀。
在某些實施例中，QD薄膜遠端磷光體封裝可為來自LGP之一個別元件，同時在其他實施例中，遠端磷光體封裝可與LGP完全或部分地整合。在一例示性實施例中，磷光體材料及LGP係佈置於一單個層中，其中磷光體材料係嵌入於LGP中。在另一例示性實施例中，QD薄膜係佈置於LGP上面，其中該LGP為該QD薄膜之一底部障壁材料層。在較佳實施例中，QD薄膜及LGP為個別且不同的元件，其中最佳在該LGP與該QD薄膜之間最小化或消除過度實體耦合。
如圖21D、圖21E、圖22D至圖22K、圖23C及圖23D所展示，LGP 2106、2206、2306可包括在LGP之頂部表面、底部表面或頂部表面與底部表面二者上之特徵部2150、2250、2350。如圖22K所展示，LGP特徵部可定位於鄰近LGP之一個別層中。如圖21至圖23之各種實例實施例所展示，LGP特徵部2150、2250、2350可包括任何適當紋理或圖案，包含稜鏡、斜角、透鏡、凸塊、波形特徵部、劃痕、上文關於障壁層所述之任何特徵部或此項技術已知之任何適當特徵部。適當言之，該等特徵部可包含光散射或漫射器特徵部一例如在LGP或QD薄膜中散射光或使從LGP之頂部透射之光漫射以光平衡LGP或佈置於LGP下面之反射器薄膜中之瑕疵。適當言之，該等特徵部可例如在LGP之底部包括反射特徵部以使光反射遠離LGP之底部表面且反射朝向LGP之頂部表面。適當言之，該等特徵部可包含亮度增強特徵部以增強由BLU發射之光的亮度且/或促進再循環原色光回至QD磷光體材料中以增強二級光發射。適當言之，該等LGP特徵部可包含抗耦合特徵部一例如以在LGP與QD薄膜與鄰近該LGP之其他層之間減小光學耦合或防止包覆。適當言之，LGP特徵部可具有約0.5 μm至1 μm之之一高度大小，且該等特徵部之各者隔開約0.5-1 μm之一距離。間隔件2152及抗耦合特徵部2150可包含任何適當形狀、大小及材料。適當言之，該等特徵部包括與LGP相同之材料，且該等特徵部可直接形成於LGP中或形成於該LGP上。該等LGP特徵部可使用此項技術已知之任何方法形成，包含衝壓、雷射蝕刻、化學蝕刻、射出模製及擠壓。如熟悉此項技術者將理解，可採用該等LGP特徵部之任何適當組合。
在某些實施例中，如圖22A所展示，LGP可充當用於QD磷光體材料之一底部障壁層，且適當LGP-障壁層將包含任何光透明、不會變黃、不透氧氣及水分的材料，其對於QD而言為一足夠溫度之障壁。然而，在LGP與QD薄膜為不同層之實施例中，該LGP與該QD薄膜較佳不彼此密切接觸。在較佳實施例中，QD薄膜與LGP不會密切接觸，使得在該QD薄膜與該LGP之間消除或最小化一光學包覆效果，其中亮度均勻性在顯示器表面上獲維持。在圖21B所展示之一實例實施例中，LGP 2106與QD薄膜2102之間存在一間隙2151，諸如一空氣間隙。在另一實施例中，如圖21C所展示，間隔件2152在QD薄膜與LGP之間提供一隔開距離。適當言之，該LGP與該QD薄膜隔開或偏移約0.5 μm至1 μm之一距離。在另一實施例中，LGP包含抗耦合或抗包覆特徵部2150以防止該LGP與QD薄膜之間之過度或密切實體耦合。適當言之，特徵部2150、2250、2350或間隔件2152防止LGP與BLU之鄰近層(特定言之QD薄膜)之間之過度實體耦合。適當言之，該等抗包覆或抗耦合LGP特徵部可具有約0.5 μm至1 μm之一高度與寬度大小，且該等特徵部之各者可隔開約0.5 μm至1 μm之一距離。
在另一實例實施例中，如圖21D、圖22D至圖22I、圖23C及圖23D所展示，LGP在該LGP之頂部表面及/或底部表面上包括亮度增強特徵部2150、2250、2350，諸如稜鏡、透鏡、圓頂或斜角。適當言之，該等亮度增強特徵部在該LGP之頂部表面上包括亮度增強特徵部。該等亮度增強LGP特徵部可包含此項技術已知之習知亮度增強特徵部，包含本文所述之亮度增強特徵部。舉例而言，該等亮度增強特徵部可包含具有一第一俯仰角之斜角或稜鏡，具有一第二俯仰角之額外斜角或稜鏡，依此類推。
在另一實例實施例中，LGP包括散射或漫射器特徵部以在LGP或QD薄膜中散射光，或者散射從LGP之頂部透射之光以光平衡LGP或反射器薄膜中之瑕疵。在一較佳實施例中，LGP在該LGP之頂部表面、底部表面或頂部表面及底部表面上包括散射特徵部，其中該等特徵部促進QD薄膜中之散射以增加原色光在該QD薄膜之QD磷光體材料中之光學路徑長度。
在其他實施例中，LGP適當在該LGP之底部表面上包括反射特徵部，其中該等反射特徵部使光反射遠離該LGP之底部表面且朝該LGP之頂部表面。
在某些實施例中，如圖22B、圖23A至圖23H及圖26A至圖26H所展示，LGP包括嵌入於LGP中之至少一群體之二級光發射QD 2313、2514，使得該LGP與QD薄膜被整合至同一層中。如圖23A所展示，QD 2313可均勻分散於LGP 2306各處。或者如圖23B至圖23H所展示，該等QD可主要或單獨佈置於LGP之一特定部分、區或層中。如圖23B至圖23D及圖23H所展示，該等QD可佈置於LGP之一頂部部分、區或層中，且如圖23C及圖23D所展示，該等QD可主要佈置於LGP特徵部2350中或靠近LGP特徵部2350。如圖23E所展示，該等QD可佈置於LGP之一中間層或區2306內。如圖23F所展示，該等QD可佈置於LGP之一末端部分或區2306a內-例如在定位成與原色光源相對之一末端部分或區處或者在定位成最接近該原色光源之一末端部分或區處。如圖23G及圖23H所展示，該等QD可具有遍及LGP之一梯度密度-例如，QD濃度可朝LGP之頂部、底部或一或多個邊緣增加。
在其他實施例中，如圖24及圖25所展示，LGP可包含嵌入於該LGP中之散射特徵部，諸如散射珠粒2440、2540。如圖24A至圖24H所展示，散射珠粒2440可均勻分散於LGP 2406各處，主要或單獨佈置於LGP之一特定部分、區或層中-諸如該LGP之一頂部、底部、邊緣、周邊或中間部分、層或區中；或者經佈置使得該等散射珠粒具有遍及該LGP之一梯度密度。
在另一類實施例中，LGP包括二級光發射QD與散射特徵部(諸如散射珠粒)二者。LGP可包括QD及分散於其中之散射珠粒的任何適當配置。實例實施例係展示於圖25A至圖25H中。然而，如熟悉此項技術者將明白，本發明涵蓋任何適當配置，包含本文公開之配置及其任何組合。LGP中之QD及/或散射特徵部之配置應視特定照明方法及器件需求來選擇，且此等配置不限於本文所展示或論述之特定實例實施例。
反射薄膜
在較佳實施例中，本發明之照明器件包括朝QD磷光體材料反射原色光的反射特徵部。較佳言之，如圖6A及圖6B之實例實施例及展示示反射器薄膜508之圖5之習知BLU所展示，本發明之QD薄膜BLU包括佈置於LGP之底部或佈置於該LGP下面的一反射薄膜，使得LGP波導606佈置於QD薄膜602與反射薄膜608之間。該反射薄膜可包括任何適當材料，諸如一反射鏡、反射器粒子之一薄膜、一反射金屬薄膜或任何適當習知反射器。然而，反射薄膜608較佳為一白色薄膜。在某些實施例中，反射器薄膜可包括包含上文關於LGP及障壁層及圖21至圖26論述之特徵部的額外功能或特徵部，諸如散射、漫射器或亮度增強特徵部。
在另一實施例中，如圖6C所展示，QD磷光體材料層604可直接佈置於反射薄膜608上面。反射薄膜608可形成QD薄膜之底部障壁層622，其中薄膜608、622形成一組合障壁薄膜及反射薄膜。如圖6C所展示，QD薄膜602在QD磷光體層604與LGP 606之間包含一頂部障壁層620。該器件可視需要包含一漫射器薄膜605，該漫射器薄膜605係與QD磷光體層604隔開。舉例而言，如圖6C所展示，漫射器薄膜605係佈置於LGP 606的上面，例如在LGP 606與BEF層601之間。底部反射障壁薄膜608、622可包含具有不同屬性之多個層。在一此實施例(未展示)中，底部反射障壁薄膜可包含一或多個塑膠或聚合物障壁薄膜層及一或多個反射材料層。舉例而言，該底部反射障壁薄膜可包含佈置成直接鄰近QD磷光體層604且與該QD磷光體層604直接實體接觸的至少一第一塑膠/聚合物障壁層，以及在該塑膠障壁層下面的一反射薄膜層，例如諸如一鋁薄膜層之一反射金屬層，其中該塑膠/聚合物障壁薄膜係佈置於該QD磷光體層604與該反射薄膜層之間。該底部反射障壁薄膜視需要可進一步包含佈置於該反射薄膜層下面之至少一第二聚合物/塑膠薄膜層，其中該反射薄膜層係佈置於底部反射薄膜堆疊中之第一聚合物/塑膠層與第二聚合物/塑膠層之間。該一或多個塑膠/聚合物層可防止反射薄膜層之刮痕或損害並且改良該反射薄膜層與QD磷光體層604或照明器件中之其他層之間的黏著。
漫射器薄膜
在本發明之某些實施例中，照明器件包括一漫射器薄膜，該漫射器薄膜與本文所述之散射特徵部不同且補充該等散射特徵部，諸如圖5之習知LCD 500所展示之漫射器薄膜504。該漫射器薄膜可包含此項技術已知之任何漫射器薄膜，包含增益漫射器薄膜，並且可佈置於LGP上面或下面、本發明QD薄膜上面或下面、或該一或多個BEF或BLU之其他光學薄膜上面或下面。在較佳實施例中，QD薄膜(或本發明之其他特徵部)消除BLU中對一習知漫射器薄膜之需要，藉此最小化照明器件之厚度。如下文更詳細論述，QD薄膜可包含與其相關聯之一或多個散射或漫射器特徵部，除了增加QD薄膜中之QD之二次發射以外，其亦可提供傳統漫射器之目的。
在其他實施例中，除了QD磷光體薄膜層之外或替代該QD磷光體薄膜層，該器件可包含一或多個漫射器薄膜。舉例而言，BLU可包含QD薄膜上面的一或兩個漫射器薄膜。
亮度增強
在本發明之較佳實施例中，BLU包括一或多個亮度增強特徵部或亮度增強薄膜。如本文中所參考，「亮度增強薄膜」(BEF)及「亮度增強特徵部」係將一部分光往回反射朝向該光從其處透射之方向的薄膜或特徵部。朝BEF或亮度增強特徵部行進之光將取決於光入射於薄膜或特徵部上之角度而透射通過該薄膜或特徵部。舉例而言，如圖16C至圖16D所展示，BEF 1601之亮度增強特徵部1650包括在薄膜1601之頂部表面上形成為平行的稜鏡或稜鏡凹槽。若光正交或垂直於平坦薄膜1601，則從LGP 1606向上行進之光將透射通過BEF。然而，若光具有一較高角度，則此光將向下朝LGP反射。BEF及亮度增強特徵部可經選擇以針對不同角度之光而具有多個反射角度，且該等特徵部及角度可經選擇以達成所期望之亮度或光「再循環」。舉例而言，一第一偏光器薄膜(或BEF)可從垂直於薄膜之平面反射具有約15度至25度之一角度(即，偏離法線65度至75度)之光，且一第二薄膜可從該垂直平面反射具有約25度至35度之一角度之光。如圖16D之薄膜1620a、1620b所展示，該等BEF可佈置成在相對方向上佈置增強特徵部1650。亦可包含額外BEF。使用多角度且多方向之反射特徵部造成「立體角度再循環」，其再循環從各個方向到達BEF之光。在本發明之較佳實施例中，一或多個BEF之角度或斜角將經選擇以朝QD薄膜反射原色光之一顯著部分，使得可大幅減小QD數量以達成來自QD之一所期望之二級光發射。
在某些實施例中，一或多個障壁層可具有在其上或在其中形成之亮度增強特徵部，其中該一或多個障壁層用作一障壁與一BEF二者。BLU可包括本文所述之任何亮度增強特徵部及BEF，包含上文關於LGP及QD薄膜障壁層及圖16及圖21至圖26所論述之特徵部及薄膜。在較佳實施例中，照明器件包括至少兩個或多個BEF 601、至少一LGP 606及佈置於該LGP 606與該等BEF 601之間(如圖6A及圖6B所展示)，或者佈置於底部反射薄膜608與該等BEF 601之間(如圖6C所展示)之一QD薄膜遠端磷光體封裝602。在額外實施例中，LGP及/或一或多個障壁層包括例如上文關於圖16及圖21至圖26所論述的一BEF或亮度增強特徵部。在較佳實施例中，QD BLU包括至少一BEF、更佳至少兩個BEF。適當言之，該BLU可包含至少三個BEF，其中至少一BEF包括一反射偏光器BEF(即，一DBEF)。該等亮度增強特徵部及BEF可包含偏光器、反射偏光器、光提取特徵部、光再循環特徵部或此項技術已知之任何亮度增強特徵部。該等BEF及亮度增強特徵部1650可包含習知BEF。舉例而言，該等BEF可包含具有具一第一俯仰角之斜角或稜鏡的一第一層以及具有具一第二俯仰角之斜角或稜鏡的至少一第二層。在另一實施例中，BLU可包含具有具一第三俯仰角之斜角或稜鏡的一第三BEF層。適當BEF包含習知BEF，包含購自3MTM之BEF，包含3MTM VikuitiTM亮度增強薄膜。
在某些實施例中，一或多個BEF可為來自QD薄膜及LGP的一或多個個別或不同層。在其他實施例中，如上所述，LGP或障壁層之至少一者包括至少一BEF。在其他實施例中，QD係佈置於一或多個BEF中，諸如一底部、中間或頂部BEF中，使得該QD薄膜及一或多個BEF完全或部分地整合至同一層中。在某些實施例中，QD磷光體材料可形成為一適當BEF。舉例而言，該QD磷光體材料層可在該QD磷光體材料層之頂部表面及/或底部表面處包括亮度增強特徵部。在某些實施例中，QD BLU包括佈置於QD磷光體材料層中之一第一群體之QD(例如，發紅光QD)，佈置於一第一BEF(佈置於該QD磷光體材料層上面)及適當至少一第二BEF(佈置於該第一BEF上面)中之一第二群體之QD(例如，發綠光QD)。在某些實施例中，QD BLU包括至少兩個BEF，其中一第一BEF包括一第一群體之QD(例如，發紅光QD)，且一第二BEF包含一第二群體之QD(例如，發綠光QD)。
在較佳實施例中，一或多個BEF可經選擇以朝QD磷光體材料層反射或折射回高百分數之光，其中增加原色光再循環，且在QD磷光體材料中進一步增加原色光之光學路徑長度。
可使用習知BEF方法及材料形成包括QD之BEF，使得BEF材料為QD磷光體材料之主體基質材料，或者該BEF可包含任何適當QD基質材料，包含本文參考之任何適當基質材料。
元件間之媒體材料
本發明之QD照明器件可包括在該照明器件之鄰近元件之間之一或多種媒體材料。該器件可包含佈置於該器件中之任何鄰近元件之間之一或多種媒體材料，包含佈置於原色光源與LGP之間、LGP與QD薄膜之間、QD磷光體材料內之不同層或區之間、QD磷光體材料與一或多個障壁層之間、QD磷光體材料與LGP之間、QD磷光體材料與一或多個BEF、漫射器、反射器或其他特徵部之間、多個障壁層之間，或者該照明器件之任何其他元件之間。該一或多種媒體可包含任何適當材料，包含(但不限於)一真空、空氣、氣體、光學材料、黏著劑、光學黏著劑、玻璃、聚合物、固體、液體、凝膠、固化材料、光學耦合材料、指數匹配或指數不匹配材料、指數梯度材料、包覆或抗包覆材料、間隔件、環氧樹脂、矽膠、聚矽氧、本文所述之任何基質材料、亮度增強材料、散射或漫射器材料、反射或抗反射材料、波長選擇性材料、波長選擇性抗反射材料、彩色濾光器或此項技術已知之其他適當媒體。適當媒體材料包含光透明、不會變黃、壓力敏感之光學黏著劑。適當材料包含聚矽氧、聚矽氧凝膠、矽膠、環氧樹脂(例如，LoctiteTM環氧樹脂E-30CL)、丙烯酸酯(例如，3MTM黏著劑2175)及本文所述之基質材料。該一或多種媒體材料可應用為可固化凝膠或液體且在沈積期間或之後固化，或在沈積之前預形成且預固化。適當固化方法包含UV固化、熱固化、化學固化或此項技術已知之其他適當固化方法。適當言之，指數匹配媒體材料可經選擇以最少化照明器件之元件之間之光學損耗。
散射
與傳統照明系統相比較，基於QD之磷光體與相關系統展現唯一的複雜性。舉例而言，涉及LED封裝之大多數傳統照明系統需要來自來源LED之高度指向之光。然而，在本發明之某些實施例中，一高度漫射且為原色光之源較佳增加QD磷光體材料中之原色光路徑。如圖8所繪示，QD自然且等向地發射光，此意謂著由各QD 813所產生之二級光816將從QD表面處在全部方向上發射。極為不同的是，一典型源LED封裝以一更為單向或朗伯(Lambertian)方式而非等向地發射原色光814。結果，由LED原色光源及QD磷光體材料所發射之各自輻射圖案將有所不同。輻射圖案之此等差異促成涵蓋QD磷光體之照明器件(例如，一顯示器)中之顏色及亮度之不均。本發明包含校正此等顏色及亮度之不均的某些方法及器件。另外，原色光源之單向發射圖案限制原色光在BLU中之固有路徑長度。本發明包含用於散射光(諸如原色光)以增加原色光在QD薄膜之QD磷光體材料中之路徑長度，藉此增加二級光發射及效率的方法及器件。
本發明包含用於操縱原色光以增加原色光在一QD光轉換薄膜中之光學路徑長度的方法及器件。在較佳實施例中，原色光之操縱包含增加原色光在QD薄膜之QD磷光體材料中之散射。如本文中所使用，「散射」指在一或多種散射特徵部之入射後，光偏轉或重新定向以改變其指向軌道至一更為等向或漫射(即，較少朗伯或單向性)之發射路徑中。在較佳實施例中，散射之機制主要係歸因於米氏散射(Mie scattering)及散射特徵部與周圍材料(諸如QD磷光體材料)之折射率之差異。米氏散射之一示意圖係展示於圖27A及圖27B中，其描繪單向原色光2714a針對大小不同之散射珠粒2740a、2740b而散射為更為漫射的原色光2714b。在某些實施例中，散射特徵部.之光散射機制可包含米氏散射、折射、反射、漫折射或反射、子表面折射或反射、漫透射、繞射或其任何適當組合。包含散射特徵部之QD薄膜明顯提供一組合散射/漫射器薄膜層及QD光轉換薄膜層，藉此消除顯示器BLU中對個別磷光體及漫射器薄膜之需要。
如熟悉此項技術者將理解，散射機構將取決於許多因素，包含原色光之特性、基質材料及散射特徵部。舉例而言，由散射特徵部所引發之散射將取決於所散射之光之波長、方向及其他屬性；材料之折射率、特徵部與周圍基質之間之指數變化、散射特徵部之粒子、分子結構及晶界內之任何指數變化；散射特徵部之尺寸、密度、體積、形狀、表面結構、位置及定向；以及更多因素。儘管可容許散射特徵部之一些吸收，然而較佳散射材料將展現零或最小光吸收以允許高度彈性散射及效率。動態光散射技術(諸如此項技術已知之動態光散射技術)可用來判定本發明之一特定照明器件中之散射特徵部之理想特性。亦可使用試誤法來判定一特定照明器件實施例最可能之組態。另外，亦可使用理論計算來粗略估計散射。舉例而言，可使用此項技術已知之米氏理論計算來描述包括大小類似於散射光之波長之介電球之一色散之實施例中的散射過程。
在本發明之較佳實施例中，原色光經選擇性散射以改變該原色光之指向性，此造成QD激發及二級光發射之一增加之機率，且因此亦降低通過遠端磷光體材料而未被QD吸收之原色光的量。在一較佳類實施例中，散射特徵部包括一或多個散射特徵部，該一或多個散射特徵部在該等散射特徵部與主體基質材料之間之界面處具有與該主體基質材料之折射率不同的一折射率。舉例而言，如圖13B所展示，該等散射特徵部可包括散射域1330b。該等散射域係包含具有與另一基質材料之折射率不同之折射率之材料的空間區，其中原色光在QD磷光體材料被重新定向。在一較佳實施例中，如圖27C所描繪，散射特徵部包括分散於QD磷光體材料2704各處之散射粒子2740。在進入QD磷光體材料之後，原色光2714a將完全透射通過遠端磷光體材料，由一或多個散射粒子散射及/或由一QD 2713吸收且造成二級光發射2716。以此方式，由於改變進入之原色光之指向性將增加QD吸收之概率，故需要較少QD來達成一所期望之二次發射。在額外實施例中，散射特徵部可包括散射空隙，諸如QD磷光體材料中之氣泡或間隙。在其他實施例中，如上文關於障壁層特徵部及圖15B至圖15I所述，一或多個障壁層可包含散射特徵部以增加QD磷光體材料中之散射。適當言之，該QD薄膜包括佈置於QD磷光體材料下面之至少一障壁層，其中該至少一障壁層包括散射特徵部1550，其中該等散射特徵部散射透射至該QD磷光體材料中之原色光。在另一類實施例中，QD薄膜包括該QD薄膜中之至少一群體之原色光發射磷光體-例如，發射額外原色光(諸如，藍光)之QD，使得由該等QD所發射之等向一級藍光被該QD薄膜中之二級光發射QD吸收。在一實例實施例中，散射特徵部包括分散於QD磷光體材料中之發藍光QD。該等發藍光QD可均勻分散於該QD磷光體材料各處，該等藍色QD可佈置於該QD磷光體材料中之二級光發射QD下面，或者該等藍色QD之至少一部分可佈置於該等二級光發射QD(例如，發紅光QD及發綠光QD)之至少一部分的下面。
用於控制散射粒子之散射的最重要特性將包含該等散射粒子之折射率、大小、體積及密度。如熟悉此項技術者將理解，散射珠粒特性可經調諧以達成QD磷光體材料中之理想散射。
適當散射粒子包括此項技術已知之任何適當光學材料，氧化鋁、藍寶石、空氣或其他氣體、空心珠粒或粒子，諸如填充空氣或填充氣體之材料(例如，填充空氣/氣體之玻璃或聚合物)；聚合物，包含PS、PC、PMMA、丙烯酸系、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、三聚氰胺樹脂、甲醛樹脂或三聚氰胺與甲醛之樹脂(例如，EpostarTM S12三聚氰胺-甲醛樹脂珠粒，購自Nippon Shokubai Co.,Ltd.)；及其任何適當組合。較佳散射粒子材料包含玻璃，諸如高折射率光學玻璃、矽氧化物玻璃或矽酸硼玻璃。在一較佳實施例中，QD磷光體材料包括經APS-塗佈或PEI-塗佈之QD及環氧樹脂，且散射粒子包括二氧化矽或矽酸硼。較佳散射粒子包括具有比周圍材料之折射率高之一折射率的一或多種光學材料。
在某些實施例中，散射粒子包括具有一第一折射率之第一複數個散射粒子以及具有與該第一折射率不同之一第二折射率之第二複數個散射粒子。舉例而言，該等散射粒子可包含具有約1.43之一折射率之第一複數個二氧化矽珠粒及具有約1.66之一折射率之第二複數個三聚氰胺-甲醛樹脂珠粒(例如，EpostarTM S12三聚氰胺-甲醛樹脂珠粒，購自Nippon Shokubai Co.,Ltd.)。在一实例實施例中，二氧化矽珠粒可具有約1 μm之一直徑，且該等三聚氰胺-甲醛樹脂珠粒可具有約1.5 μm之一直徑。
較佳言之，該等散射特徵部包括具有一光滑表面之球狀粒子之一單分散群體。適當言之，該等散射粒子可具有不大於約4倍之優先散射之光(例如，原色光，較佳藍原色光)之波長的一最大尺寸。較佳言之，該等散射粒子具有與優先散射之光(例如原色光，較佳藍色原色光)之波長類似之一最大尺寸。該等散射粒子可為具有小於5 μm之一直徑的球狀粒子。較佳言之，該原色光包括藍光且該等散射粒子具有約0.5 μm至約2 μm、0.5 μm至2 μm、約0.5 μm至約1.5 μm、0.5 μm至1.5 μm、約0.5 μm至約1 μm、0.5 μm至1 μm、0.5 μm、約0.5 μm、0.75 μm、約0.75 μm、1.5 μm、約1.5 μm、1.75 μm、約1.75 μm、2 μm或約2 μm之一直徑。最佳言之，該等散射粒子具有1 μm或約1 μm之一直徑。較佳言之，該等散射粒子包括球狀粒子之一單分散群體，其較佳係嵌入或佈置於QD磷光體材料內。
該等散射粒子可在QD磷光體材料中具有任何適當濃度。較佳言之，該等散射粒子具有約2 g/cm3或更多之密度。在較佳實施例中，散射珠粒之材料密度將經選擇以最佳化QD磷光體材料中之分散。舉例而言，該等散射粒子之材料密度可高於QD磷光體材料以促進朝該QD磷光體材料之底部沈降。較佳言之，散射粒子之材料密度係與QD磷光體材料類似以防止固化之前朝該QD磷光體材料之底部之沈降。取決於散射粒子及QD磷光體材料之特性，散射粒子之濃度可為約1體積%至約15體積%或約2重量%至約30重量%。適當言之，該等散射粒子包括球形珠粒，該等球形珠粒包含二氧化矽、矽酸硼或聚苯乙烯，較佳為二氧化矽或矽酸硼，最佳為二氧化矽；且具有約1 μm至2 μm、最佳1 μm或約1 μm之一直徑。較佳言之，QD磷光體材料包括具有1 μm或約1 μm之一直徑之球形珠粒，其中珠粒之濃度為約1體積%至15體積%或約2重量%至30重量%，更佳約2.5體積%至10體積%或約5重量%至20重量%、最佳約5體積%至10體積%或約10重量%至20重量%。如熟悉此項技術者將理解，應針對為散射珠粒所代替之QD磷光體材料之體積而調整QD磷光體材料體積或濃度。
在其他實施例中，散射特徵部包括在LGP及障壁層之一或多者之一或多個表面上形成之表面特徵部。舉例而言，該等散射特徵部可包括包含上文關於圖15至圖16及圖21至圖22所述之特徵部的微型紋理、隨機微型紋理化之圖案、稜鏡、斜角、稜錐、凹槽、透鏡、凸塊、波浪、劃痕、圓頂或類似物，包含本文所述之任何適當特徵部。在本文所述之任何實施例中，散射特徵部較佳具有小於5 μm之量級之一大小-例如約5 μm或更小、約2 μm或更小、約1.5 μm或更小、約1 μm或更小或約0.5 μm或更小之一大小。
本發明係關於一種QD光轉換薄膜，其使用出乎意料低濃度之量子點。在一實驗性實例中，使用LoctiteTM環氧樹脂E-30CL在一惰性環境中形成一QD薄膜，其中在將QD-APS-環氧樹脂乳液固化成一250 μm厚之層之後，將嵌入於APS粒子中之QD混合至該環氧樹脂中以形成一透明兩相系統。通常預期將需要約0.5之一光學密度以使用依賴於藍色LED原色光透射之紅色及綠色磷光體來達成一恰當白點以覆蓋NTSC色域三角形(展示於第3圖中)。舉例而言，此為QR遠端磷光體封裝中之情況。然而令本發明人异常吃驚的是，發現根據本發明之一實施例之QD薄膜會導致所期望之QD濃度降低約10倍至25倍。QR磷光體材料之光學密度之此大幅減小使得一薄膜之概念可行且具成本效益。
在一實驗性實例中，在一惰性環境中使用LoctiteTM環氧樹脂E-30CL形成一QD薄膜，其中在將QD-APS-環氧樹脂乳液固化成具有0.05之一光學密度之一250 μm薄膜後，將嵌入於APS粒子中之QD混合至該環氧樹脂中以形成一透明兩相系統。該薄膜係放置於一蜂巢式電話顯示器中之一光導上且幾乎偵測不到綠光或紅光。製得另一相同調配物且添加5體積%之2 μm二氧化矽珠粒。由於環氧樹脂(1.52)與二氧化矽珠粒(1.42)之間之大折射率差，具有QD薄膜之顯示器展現一理想之白點及增加之亮度。
在額外實驗性實例中，將具有散射珠粒之一QD薄膜與一QR毛細管遠端磷光體封裝相比較。與相同行動電話及膝上型器件中之QR磷光體封裝相比較，QD薄膜允許QD減小15倍及25倍，以及QD磷光體封裝之改良之白點及顏色均勻性、增加之亮度、較少藍色洩漏及減小之溫度。
由本發明所提供之散射粒子之多種配置可達成多個有益效果。舉例而言，如圖24A、圖25A、圖27C、圖28A至圖28F所展示，散射粒子較佳係佈置於與QD相同之層或媒體內。在一較佳類實施例中，QD薄膜包括至少一群體之QD及至少一群體之散射粒子，其中該等散射粒子之至少一第一部分係佈置於該等QD之至少一第一部分下面，使得該第一部分散射粒子比該第一部分QD更緊密接近入射之原色光。最佳言之，該等散射粒子係以一膠狀方式均勻(即，均勻或均質地)分散於QD磷光體材料各處。可在沈積之前超音波降解處理散射珠粒以促進QD磷光體材料內之均勻分散。
如圖24B至圖24H及圖25B至圖25I所展示，散射粒子2440、2540可主要佈置於QD磷光體材料之特定區2404、2505中，諸如朝QD磷光體材料之頂部、中間、底部或邊緣或其任何適當組合佈置。該等散射粒子可較靠近或遠離原色光之入射表面。該等散射粒子可具有從頂部至底部、底部至頂部、一或多個邊緣或QD磷光體材料2404、2504內之任何其他位置增加或減少的一梯度密度。如圖26B圖至圖26G所展示，在具有多個QD磷光體材料層之實施例中，散射粒子2640可分散於多個QD磷光體材料層2604a、2604b之一或多個QD磷光體材料層內(如圖26D至圖26E所展示)，或分散於多個此類層之間(如圖26F至圖26G所展示)。該等散射粒子可嵌入於一或多種基質材料中(如圖26D至圖26F圖所展示)，或者在無基質材料之情況下沈積(如圖26G所展示)。不同QD磷光體層可具有不同配置或特性之散射粒子。舉例而言，不同QD磷光體層可具有不同散射粒子特性。舉例而言，散射粒子群體2640a及2640b(展示於圖26D中)可具有不同大小、材料、折射率、材料密度、濃度、數量、梯度或配置。舉例而言，多個QD磷光體層可包括上文關於圖23、圖24及圖25所述之不同層之任何組合。較佳言之，該等散射粒子係佈置於與各群體之QD相同之層中以便最大化原色光在包括QD之各QD遠端磷光體層內之多向性色散，且因此最大化QD吸收之概率。雖然圖26僅展示一個、兩個或三個QD磷光體材料層，但是QD薄膜可包括任何適當數量之QD磷光體材料層。該多個層可彼此不同，或合併為一單個QD磷光體材料層。
在某些實施例中，如圖29至圖31所繪示，散射粒子2940、3040、3140係佈置成鄰近QD磷光體材料。舉例而言，該等散射粒子可佈置成直接鄰近該QD磷光體材料。該等散射粒子可佈置於該QD磷光體層之底部(圖29A)、頂部(圖29B)或兩側(圖29C)上或佈置成靠近該QD磷光體層之底部(圖29A)、頂部(圖29B)或兩側(圖29C)。該等散射粒子可佈置成與該QD磷光體材料直接接觸(如圖29A至圖29C所展示)，以及/或由該器件之一或多個障壁層隔開(如圖30A至圖30C圖及圖31A至圖31C所展示)。如圖31A至圖31C所展示，該等散射粒子可佈置於LGP上面及/或下面。如上所述，如圖24至圖25圖以及圖31A至圖31C所展示，該等散射粒子可定位成鄰近該LGP，定位在該LGP上或定位在該LGP內。展示於圖14A至圖14C中，該等散射粒子可佈置於該器件之障壁層之一或多者內-例如佈置於障壁層1420a至1420d、1422a至1422d之一或多者內。
如熟悉此項技術者將理解，與原色光操縱或散射相關之方法及器件之任何者可與本發明之QD薄膜實施例之任何者組合，包含本文具體描述之實施例。
層及空間變動
如上所述，本發明之QD薄膜包含一QD磷光體材料層。在較佳實施例中，QD磷光體材料層在整個顯示器觀察平面表面區域上面將具有均勻的厚度。在其他實施例中，QD磷光體材料層可在觀察平面表面區域上面具有一變化之厚度，並且可具有遠離QD薄膜之一或多個邊緣在厚度上增加或減少的一楔形形狀。可形成具有任何適當形狀之QD薄膜。在較佳實施例中，QD磷光體材料及QD薄膜在整個顯示器觀察平面表面區域上面形成具有一均勻厚度的一平坦薄膜。如圖26B至圖26G圖所展示，在具有多個QD磷光體材料層之實施例中，各層之厚度可具有選擇用於理想固化的一厚度。
由本發明提供之QD及/或QD磷光體材料之其他特徵部(例如，散射粒子)之多種配置可達成多個有益效果。舉例而言，如圖23A、圖24A及圖27C所展示，QD係以一膠狀方式均勻(即，均勻或均質地)分散於該QD磷光體材料各處。
在某些實施例中，QD薄膜之QD磷光體材料可包含具有不同元素或特性之多個層或空間區。舉例而言，該QD薄膜可包含多個QD磷光體材料層，該多個QD磷光體材料層具有包括不同折射率之不同基質材料。作為另一實例，QD磷光體材料可包含包括能夠發射具有一第一波長之二級光之一第一群體之QD(例如，發綠光QD)的一第一層或區，以及包括能夠發射具有一第二波長之二級光之一第二群體之QD(例如，發紅光QD)的一第二層或區。該QD薄膜可進一步包括佈置於與該等QD群體之一或多者相同之層中，以及/或佈置於至少一第三層或區中的一群體之散射珠粒或其他散射特徵部。該至少第三層或區可佈置成鄰近一或多個含QD之層及/或佈置於一或多個含QD之層之間。在其他實施例中，QD磷光體材料之多個層或空間區可包括在空間上變化之特性，諸如QD濃度、散射珠粒濃度或其他特性。舉例而言，如圖23B至圖24H、圖24B至圖24H及圖25B至圖25I所展示，QD 2313、2513及/或散射粒子2440、2540可主要佈置於QD磷光體材料之特定區中，諸如朝QD磷光體材料之頂部、中間、底部或邊緣或其任何適當組合佈置。該等QD及/或散射粒子可佈置成較靠近或遠離原色光之入射表面。該等QD及/或散射粒子可具有從頂部至底部、底部至頂部、一或多個邊緣或在QD磷光體材料之一或多個層內之任何其他位置增加或減少的一梯度密度。在額外實施例中，QD薄膜可包括例如形成為QD磷光體材料之頂部及/或底部層且包含坯料基質材料的一或多個層。此類坯料基質材料層可對諸如障壁層之鄰近層提供增加之黏著，提供額外厚度，提供與鄰近層之光學匹配，或者可用作一障壁層。
如圖26A所展示，QD薄膜可具有一QD磷光體材料層。在較佳實施例中，QD薄膜包含具有兩個或多個層(諸如圖26B所展示之層2604a及2604b)的QD磷光體材料。在較佳實施例中，如圖26B至圖26G圖所展示，QD磷光體材料包括多個層，且QD 2613及/或散射特徵部(例如，散射粒子)2640可分散於該多個QD磷光體材料層之一或多個QD磷光體材料層內。不同QD磷光體材料層可具有相同或不同配置或特性的QD及/或散射特徵部。舉例而言，不同QD磷光體層可在不同QD磷光體材料層之一或多者中具有不同QD特性，諸如不同QD發射顏色、濃度、大小、材料、梯度或配置。另外或是或者，不同QD磷光體層可具有不同的散射粒子特性，諸如不同散射粒子大小、材料、折射率、密度、數量、梯度或配置。舉例而言，多個QD磷光體層可包括上文關於第圖23、圖24及圖25所述之不同層之任何組合。舉例而言，如圖23B至圖23H、圖24B至圖24H及圖25B圖25I所展示，在QD磷光體材料層之一或多者中，QD 2313、2513及/或散射珠粒2440、2540可主要佈置於QD磷光體材料之特定區2304、2504中，諸如朝QD磷光體材料之頂部、中間、底部或邊緣或其任何適當組合佈置。該等QD及/或散射粒子可較靠近或遠離原色光之入射表面。該等QD及/或散射粒子可具有從頂部至底部、自底部至頂部、一或多個邊緣或在該QD磷光體材料內之任何其他位置增加或減少的一梯度密度。在具有多個QD磷光體材料層之較佳實施例中，如圖26F至圖26G所展示，QD 2613、2613a、2613b可分散於多個QD磷光體材料層2604a、2604b、2604c之一或多個QD磷光體材料層內，或者分散於多個此類層之間。散射粒子可嵌入於一或多種基質材料中(如圖26D至圖26F所展示)，或者在無基質材料之情況下沈積(如圖26G所展示)。不同QD磷光體層可具有不同配置或特性的散射粒子。舉例而言，不同QD磷光體層可具有不同散射粒子特性。舉例而言，QD群體2613a及2613b(如圖26C、圖26D、圖26F及圖26G所展示)可具有不同發射顏色、濃度、大小、材料、梯度、配置或其任何組合。在較佳實施例中，散射粒子2640、2640a、2640b係佈置於與各QD群體相同之層中以便最大化原色光在包括QD之各QD遠端磷光體層內之多向性色散，且因此最大化原色光被QD吸收之概率。雖然圖26僅展示一個、兩個或三個QD磷光體材料層，但是QD薄膜可包括任何適當數量之QD磷光體材料層。該多個層可彼此不同，或者合併為一單個QD磷光體材料層。用於形成多個QD磷光體材料層之方法可包含在應用下一層之前應用並且固化各層，或者應用多個層並且同時固化該多個層。
在一類實施例中，本發明之QD薄膜遠端磷光體封裝包含包括至少一群體之QD磷光體的一QD磷光體材料。該等QD係基於使用QD薄膜之照明應用之所期望之發射屬性來選擇。磷光體材料將原色光之至少一部分轉換為不同波長之光。QD磷光體材料可包含任何QD，該等QD適用於在降頻轉換從一原色光源發射且被該等QD吸收之原色光後發射二級光。在較佳實施例中，QD磷光體材料包含具有一材料及大小且在由原色光激發後發射二級紅光的一第一群體之量子點，以及具有一材料及大小且在由原色光激發後發射二級綠光的一第二群體之量子點。在此類實施例中，藍原色光、二級紅光及二級綠光之一部分係從QD薄膜及總體照明器件中共同發射為白光。各群體之QD可佈置於相同或不同之QD磷光體材料層中。在一較佳實施例中，QD薄膜包括包括一群體之發紅光QD的一第一QD磷光體材料層，包括一群體之發綠光QD的一第二QD磷光體材料層，以及佈置於該第一QD磷光體材料層、該第二QD磷光體材料層及一個別QD薄膜層之一或多者內之至少一群體之散射粒子。
在額外實施例中，除了發紅光QD及發綠光QD群體之外，QD磷光體材料可適當包括用於發射一額外及/或不同顏色之額外原色光(例如，藍光)或二級光的額外及/或不同QD群體(例如，黃光，或者一不同色度之紅光或綠光)。在一實例實施例中，磷光體材料包括具有一材料及大小且在由原色光激發後發射藍光的一第三群體之QD，舉例而言，此原色光可包含藍光或紫外光。在其他實施例中，磷光體材料可包括具有一材料及大小且在激發後以所期望之波長之光發射而發射光的一群體之量子點或不同群體之量子點之組合。該磷光體材料可包括具有一材料及大小且發射紅光、橙光、黃光、綠光或藍光的一群體之量子點；或者包括其任何組合的多個群體之量子點。
在某些實施例中，QD薄膜可包含具有多種不同光發射特性的複數個空間區。在一實施例中，QD薄膜包括一第一複數個空間區，該第一複數個空間區包括能夠發射具有一第一波長或波長範圍之光的一第一群體之QD(例如，發綠光QD)，以及至少一第二複數個空間區，該至少第二複數個空間區能夠發射具有與該第一波長或波長範圍不同之一第二波長或波長範圍之光的一第二群體之QD(例如，發紅光QD)。該QD薄膜可進一步包括一第三複數個空間區，該第三複數個空間區包括能夠發射具有與該第一波長或波長範圍及該第二波長或波長範圍之至少一者不同之一第三波長或波長範圍之光的一第三群體之QD(例如，發藍光QD)。該QD薄膜可包括額外複數個空間區，該額外複數個空間區包括能夠發射具有與該第一波長或波長範圍、該第二波長或波長範圍及該第三波長或波長範圍之至少一者不同之額外波長或波長範圍之光的額外複數個群體之QD。舉例而言，該QD薄膜可包含複數個不同空間區或像素，其中各像素包括發射不同顏色光的複數個較小空間區或子像素。舉例而言，該QD磷光體層可包含複數個像素，其中各像素包含包括一或多種發紅光QD之一第一子像素、包括一或多種發綠光QD之一第二子像素以及包括一或多種發藍光QD之一第三子像素。
顏色調諧及白點
較佳實施例包含發射二級紅光之一第一群體之QD及發射二級綠光之一第二群體之量子點，其中最佳由藍原色光之一部分激發發紅光QD群體及發綠光QD群體以提供白光。適當實施例進一步包括在激發後發射二級藍光的一第三群體之量子點。紅光、綠光及藍光之各自部分可經控制以達成由器件所發射之白光的一所期望之白點。對於根據本發明之量子點磷光體材料而言，經轉換之原色光之總量對通過遠端磷光體之量為磷光體濃度之一函數。因此，轉換為二級光之原色光之量將取決於磷光體封裝中之磷光體材料中之量子點的濃度。可藉由改變磷光體材料中之各群體之量子點(即，該磷光體材料中之發綠光/發紅光磷光體量子點群體)之比率及/或濃度而控制從器件所發射之光之所得顏色及亮度。另外，可藉由改變QD磷光體材料中之散射粒子之特性(諸如，散射粒子之大小、數量、材料、濃度及配置)而控制該顏色及亮度。
為了達成諸如所期望之白點及亮度之一所期望之光輸出，可單獨或組合地觸發原色光源、QD及散射粒子中之各者。在較佳實施例中，原色光源及二級光源之各者經選擇以最大化系統之效率並且提供從該等原色光源及二級光源所發射之光的所期望之顏色及亮度。舉例而言，可基於所期望之發射特性之最佳效率來選擇原色光源，且該原色光源亦可選擇成具有在其下由磷光體材料吸收且重新發射最大量之能量的一激發波長。QD可經調整以在與原色光源組合時提供所期望之輸出。可基於磷光體材料之已建立之標準來選擇原色光源。然而，在較佳實施例中，QD磷光體材料係基於原色光源之已建立之特性來調節以提供所期望之光輸出。觸發QD以準確達成所期望之發光輸出的能力係大小可調諧之QD作為諸如顯示器BLU之照明器件中之磷光體材料的許多優點的一個優點。在較佳實施例中，QD係基於其發射波長及光譜寬度(即，顏色及色純度)以及量子效率來選擇以最大化二級光發射之亮度。調整QD之濃度及不同QD群體之比率將影響QD磷光體材料之光學密度。
適當言之，取決於用途、QD特性、QD薄膜特性及其他BLU特性，將以約0.001體積%與約75體積%之間之比率將QD裝填於QD薄膜中。熟悉此項技術者可容易判定QD濃度及比率且本文關於具體應用而進一步描述該等QD濃度及比率。在例示性較佳實施例中，QD薄膜之QD磷光體材料包括小於約20體積%、小於約15體積%、小於約10體積%、小於約5體積%、小於1體積%或小於約1體積%之QD。
可觸發若干因素以達成所期望之光輸出，而不管所期望之光發射為由一單群體之QD所發射之一單色光，或由原色光QD及二級光QD二者以及/或發射不同顏色光之多個不同群體之QD所發射的一混色光。在一較佳實施例中，QD BLU發射包括來自原色光源之藍光以及包含由各自群體之QD發射之紅光及綠光二者之二級光之一混合物的白光。原色光源及二級光源可經選擇以達成QD BLU之一所期望之白點。在較佳實施例中，QD磷光體材料包括具有不同發綠光QD及/或發紅光QD濃度的多個層。較佳言之，該等發綠光及發紅光QD係佈置於QD磷光體材料之個別且不同的層中。在其他適當實施例中，第一及第二QD全體係形成於相同的(多個)QD磷光體材料層中。
用於形成QD薄膜之適當方法包含用於達成任何所期望之白點的一多點、反覆調配。在一較佳實施例中，形成QD薄膜之QD磷光體材料之方法包含用於白點定目標的一反覆多點調配，其中QD磷光體材料係形成為以基質材料中之QD之一第一標稱混合物開始，該等QD之第一標稱混合物在基本基質材料中包含一第一百分數之發紅光及綠光QD，接著在基質材料、坯料基質材料中添加QD之一或多種額外混合物，或者在基質材料中添加散射粒子之一混合物。在一實例實施例中，如圖32、圖33A至圖33C所展示，該方法包含用於白點定目標之一五點調配，其中QD磷光體材料係由以下者形成：(A)經APS塗佈之QD(或更佳經PEI塗佈之QD)在環氧樹脂基質材料中之一第一標稱混合物，向該標稱混合物(A)中添加以下者之一或多者：(B)經APS塗佈(或經PEI塗佈)之QD之一第二環氧樹脂混合物、(C)經APS塗佈(或經PEI塗佈)之QD之一第三環氧樹脂混合物、(D)經APS塗佈(或經PEI塗佈)之QD之一第四環氧樹脂混合物及(E)經APS塗佈(或經PEI塗佈)之QD之一第五環氧樹脂混合物。如熟悉此項技術者將理解，各混合物之各自量可取決於所期望之白點、亮度及QD磷光體材料層之厚度而包含於任何適當量中。適當言之，一反覆過程係用來達成所期望之白點及亮度，其中獨立地添加該等混合物，直至為QD薄膜達成所期望之發射特性及厚度。在添加各混合物之後，可出於白點及亮度而測試QD磷光體材料，並且可在到達所期望之白點、亮度及QD磷光體材料層厚度後停止該過程。適當言之，可使用紫外光-可見光及螢光光譜學或此項技術已知之其他適當分光光度判定法定期測試包含光學密度、發射波長、FWHM、白點及亮度的QD薄膜及發射特性。
在一例示性實施例中，標稱混合物(A)包含30體積%發綠光QD及15體積%發紅光QD。可以任何適當量向混合物(A)添加適當量之下列者之一或多者：包含20體積%發綠光QD之混合物(B)、包含20體積%發紅光QD之混合物(C)、包含20體積%發綠光QD及20體積%發紅光QD之混合物(D)，以及包含10體積%發綠光QD及10體積%發紅光QD之混合物(E)。如圖33C所展示，可添加混合物(B)以達成更主要為綠色之一光3301，可添加混合物(C)以達成更主要為紅色之一光3303，且可添加混合物(D)及(E)之任一者以達成類似比例且更為紅色及綠色之光3302。當需要更為紅色及綠色之光時及/或當需要較小之薄膜厚度時，可將混合物(D)添加至QD磷光體材料中。當需要較少之紅色及綠色光時及/或當需要較大之薄膜厚度時，可添加混合物(E)。如熟悉此項技術者將理解，將可能發生QD吸收二級光且將需要調整以平衡此吸收。舉例而言，在具有發綠光QD及發紅光QD之實施例中，一部分二級綠光將被吸收且作為二級紅光而重新發射。為對此作補救，將需要一較高百分數或濃度之發綠光QD以平衡因綠光吸收而產生的額外二級紅光。在較佳實施例中，混合物(A)-(E)之各者進一步包括一群體之散射粒子，其中該等散射粒子在各混合物中可具有相同或不同的濃度。在其他適當實施例中，將該等散射粒子以散射粒子與基質材料之一個別混合物添加至QD磷光體材料中。在一例示性QD薄膜實施例中，最終QD磷光體材料調配物包含約55體積%發綠光且經配位體塗佈之QD、約25體積%發紅光且經配位體塗佈之QD、約5體積%散射粒子及約30體積%基質材料。較佳言之，配位體材料包含APS，基質材料包含環氧樹脂且該等散射粒子包含二氧化矽或矽酸硼珠粒。更佳言之，配位體材料包含PEI，基質材料包含環氧樹脂且散射粒子包含二氧化矽或矽酸硼珠粒。
在一實例實施例中，量子點在磷光體材料中之濃度經設定使得約20%之入射光將通過磷光體而未轉換為二級光，亦即，20%之原色光將離開該磷光體材料。進入磷光體之原色光之剩餘部分被該等量子點吸收且重新發射為二級光或因低效率而損耗。舉例而言，在20%之藍色原色光透射通過磷光體封裝且離開該磷光體封裝之實例實施例中，32%之原色光重新發射為綠光且40%之原色光重新發射為紅光。在此實例實施例中，磷光體材料之QD具有約90%之一量子良率，因此剩餘8%之原色光因吸收而損耗而未在磷光體材料中重新發射。由於磷光體中之一些二級綠光被發紅光QD吸收且重新發射為紅光，故該磷光體材料中可能需要綠色量子點與紅色量子點之比率之額外變化以從該磷光體之頂部板達成最終所期望之輸出發射光譜。
如熟悉此項技術者將理解，不同QD群體之具體百分數不受限制，且可採用QD與基質材料之任何適當混合物或多種混合物來形成QD薄膜。另外，可使用本文所述之多重調配方法形成本文所述之QD薄膜實施例之任何者，例如，包含多層QD磷光體材料及具有不同或變化之QD及/或散射粒子特性的QD磷光體材料層。
QD磷光體材料應用
可由此項技術已知之任何適當方法沈積QD磷光體材料，該等方法包含(但不限於)噴塗、噴霧、溶劑噴霧、濕式塗佈、黏著塗佈、旋轉塗佈、膠帶塗佈或此項技術已知之任何適當沈積方法。較佳言之，在沈積之後固化QD磷光體材料。適當固化方法包含光固化，諸如UV固化；以及熱固化。在形成本發明之QD薄膜時可利用傳統層壓薄膜處理方法、膠帶塗佈法及/或捲軸式製造方法。可將QD磷光體材料直接塗佈至照明器件之所期望之層上。或者，可將QD磷光體材料形成為一實體層作為一獨立元件且隨後應用至BLU堆疊。可將QD磷光體材料沈積於一或多個障壁層、LGP或BLU之其他層上。
在其他照明器件實施例(例如，一向下式照明器件)中，可將QD磷光體材料沈積於該照明器件之任何適當表面或基板上。在一實例實施例中，可將QD磷光體材料沈積於照明器件之外殼的內表面上，且可視需要藉由沈積鄰近該QD磷光體材料之一障壁層而密封該QD磷光體材料。在另一實例實施例中，首先形成適當包含在頂側和底側上鄰近QD磷光體材料之障壁層的QD薄膜，且隨後模製該QD薄膜以形成照明器件之一發光層。在一實例實施例中，模製QD薄膜以形成(或配合)照明器件之外部外殼或壁。
在一較佳類實施例中，經由濕式塗佈及熱固化後沈積而沈積QD磷光體材料。如圖34所展示，該圖繪示用於形成QD薄膜之一適當方法，在步驟3410中提供一或多個底部障壁層；在步驟3420中，將一或多種QD磷光體材料混合物沈積至障壁基板上以形成QD磷光體材料層3404；在步驟3430中，將一或多個頂部障壁層沈積於該QD磷光體材料上；在步驟3440中，固化該QD磷光體材料；在步驟3450中，視需要密封該QD薄膜；以及在步驟3460中，將該QD薄膜應用至所期望之照明器件，諸如顯示器BLU。
在某些實施例中，第一障壁3520及第二障壁3522之各者可包含切割成較小部分之玻璃片。此切割可在步驟3430、3440及3450之任何者之後進行。在此類實施例中，可採用便利的捲軸式製造來形成器件之各種層。在其他實施例中，可在應用QD磷光體材料3420之前以適用於器件應用之一大小提供第一玻璃板及第二玻璃板。在形成QD薄膜遠端磷光體封裝後，將QD薄膜光耦合至一或多個原色光源，諸如藍色LED，使得來自該等原色光源之光入射在底部玻璃板之底部表面上。較佳言之，QD薄膜係佈置於一顯示器BLU之一LGP上面，使得入射之原色光完全入射在該底板上。最佳言之，該QD薄膜係佈置於LGP與一LCD BLU之至少一BEF之間。
較佳言之，熱固化混合物以形成QD磷光體材料層。在一較佳實施例中，將QD磷光體材料直接塗佈至QD薄膜之一障壁層上，且隨後將一額外障壁層沈積於該QD磷光體材料上以產生QD薄膜。可在該障壁薄膜下面採用一支撐基板用以增加之強度、穩定性及塗佈均勻性並且防止材料不堅實、氣泡形成及障壁層材料或其他材料之起皺或折疊。另外，較佳將一或多個障壁層沈積於QD磷光體材料上面以在頂部障壁層與底部障壁層之間密封材料。適當言之，可將該等障壁層沈積成一層壓薄膜且視需要加以密封並且進一步處理，其後接著將QD薄膜併入至特定照明器件中。如熟悉此項技術者將理解，QD磷光體材料沈積方法可包含額外或變化之組分。此類實施例將允許聯機製程調整QD磷光體發射特性，諸如亮度及顏色(例如，調整QD薄膜BLU白點)以及QD薄膜厚度及其他特性。另外，此等實施例將允許在生產期間定期測試QD薄膜特性以及達成精確QD薄膜特性之任何必需的觸發。此類測試及調整亦可在改變處理線之機械組態之情況下完成，如可採用電腦程式來電改變形成一QD薄膜之混合物時使用的各自量。
如圖35所展示，在用於形成QD薄膜之一較佳方法實施例中，在沈積之前以個別混合物A、B、C、D、E提供QD磷光體材料之不同混合物。在一實例實施例中，混合物A-E可包含上文關於圖33及包含混合物A、B、C、D及E之五點調配方法所述的五種混合物。
在另一實例實施例中，該方法可包含具有不同特性之QD磷光體材料之多種混合物。舉例而言，一第一混合物A可包含能夠發射第一波長之二級光(例如，紅光)的一第一群體之QD，且一第二混合物B可包含能夠發射不同於該第一波長之一第二波長之二級光(例如，綠光)的一第二群體之QD。該方法可包含額外混合物，諸如包括發射具有與該第一波長之紅光不同一波長之紅光之一第三群體之QD的一第三混合物C，及包含發射具有與該第二波長之綠光不同一波長之綠光之一第四群體之QD的一第四混合物D。可組合任何適當比率混合物之第一混合物、第二混合物、第三混合物及第四混合物以產生所期望之QD磷光體材料特性。可將此類混合物與包含坯料基質材料(例如，環氧樹脂)、一群體之散射珠粒或其組合之至少一第五混合物E進一步組合。可同時或單獨沈積該等混合物，並且可將其個別地或同時固化。
在其他實施例中，混合物包含經配位體塗佈之QD在環氧樹脂中的多種混合物，其中該等混合物具有不同QD濃度。舉例而言，該方法可包含具有一第一濃度之發紅光QD且經配位體塗佈之QD的一第一環氧樹脂混合物、具有高於該第一濃度之一第二濃度之發紅光QD且經配位體塗佈之QD的一第二環氧樹脂混合物、具有第三濃度之發綠光QD且經配位體塗佈之QD的一第三環氧樹脂混合物，以及具有高於該第三濃度之發綠光QD之一第四濃度之發綠光QD且經配位體塗佈之QD的一第四環氧樹脂混合物。較佳言之，配位體為APS或更佳為PEI。可組合任何適當比率混合物之第一混合物、第二混合物、第三混合物及第四混合物以產生所期望之QD磷光體材料特性。可將此類混合物與包含坯料環氧樹脂材料、一或多群散射珠粒或其組合之至少一第五混合物進一步組合以形成QD薄膜之QD磷光體材料。
在一較佳類實施例中，本發明之方法可包括形成具有一第一QD濃度之一第一混合物，用該第一混合物塗佈一基板以形成QD磷光體材料之一第一層；形成具有一第二QD濃度之一第二混合物，用該第二混合物塗佈該基板以形成該QD磷光體材料之一第二層；以及固化該第一QD磷光體材料層及該第二QD磷光體材料層。在某些實施例中，該等方法可進一步包括以QD之第三混合物至第i混合物重複該等步驟，用該第三混合物至該第i混合物塗佈該基板以形成第三QD磷光體材料層至第i QD磷光體材料層，及固化該第三QD磷光體材料層至該第i QD磷光體材料層。該第一層至該第i層可具有相同或不同的發射特性、QD類型、QD濃度、基質材料、折射率及/或散射粒子大小、濃度或材料；或其他不同特性。藉由提供各具潛在不同特性之個別QD磷光體材料層，可產生在總體層各處具有一QD梯度，或者在總體QD磷光體材料層各處具有其他梯度屬性的一QD薄膜。在其他實施例中，該等個別層之特性之任何者可為相同的，或者可以使得總體特性僅在一個別層內改變或以一非分級方式在層間改變的一方式製備。在額外實施例中，本發明之方法可包括由此類多種混合物(諸如第一至第i混合物)形成單個QD磷光體材料。
在上述實施例之任何者中，該方法可包含包括散射特徵部(諸如散射珠粒)及基質材料的一或多種混合物。該方法可包含具有不同大小及/或濃度之散射珠粒的多種混合物。舉例而言，該方法可包含包括一第一大小之散射珠粒之一第一混合物以及包括一第二大小之散射珠粒之至少一第二混合物。另外或是或者，該方法可包含包括一第一濃度之散射珠粒之一第一混合物以及包括一第二濃度之散射珠粒之至少一第二混合物。
在上述實施例之任何者中，該方法可包含諸如環氧樹脂、PEI-環氧樹脂混合物或APS-環氧樹脂混合物的坯料基質材料，可將其添加至QD磷光體材料混合物中以調整QD磷光體材料層厚度、黏著性、折射率、QD濃度、散射珠粒濃度、黏度或其他要素。該坯料材料可提供密封材料，諸如在個別QD磷光體層之邊緣周圍之一密封區，且該坯料材料可用來形成一緩衝器層以隔開QD磷光體材料之不同區。
在某些實施例中，如上文更詳細解釋，用於形成QD薄膜之方法包含在QD薄膜之一或多個層中形成空間變動。
電致發光器件
在一通常類實施例中，QD薄膜包含複數個QD，其中該QD薄膜係用作一電致發光光源。如圖39A至圖39C所展示，電致發光器件3900包含一QD薄膜3902，該QD薄膜3902包含一發光QD層3904。較佳言之，發光QD層3904包含分散於基質材料3930中之複數個QD。較佳言之，QD層3904包含能夠發射不同波長之光的多種不同QD。在較佳實施例中，發光QD層3904包含一起發射一混合顏色之光(例如，白光)之不同QD的一均勻混合物，其中從電致發光器件3900發射之光為包括由該等不同QD發射之不同顏色之光的一均勻混合顏色之光。舉例而言，QD層3904可包含發紅光QD 3904a、發綠光QD 3904b及發藍光QD 3904c之一混合物，其中該等發紅光QD、該等發綠光QD及該等發藍光QD均勻分佈於QD層3904之水平平面各處使得由電致發光器件3900所發射之光為白光。
最佳言之，該QD層包含能夠發射紅光之一第一複數個QD、能夠發射綠光之一第二複數個QD以及能夠發射藍光之一第三複數個QD。在某些實施例中，QD層3904包含一單層QD。
在電致發光器件3900中圍繞發光QD層3904之層可包含適用於形成一電致發光BLU之任何層配置，包含熟悉此項技術者已知之任何層及層配置。在圖39A所展示之實例實施例中，該器件包含發光QD層3904、一陽極層3962及一陰極層3964。較佳言之，該陰極層3964為一反射層，其中反射由電致發光QD所發射之光遠離該陰極層3964，使得BLU僅從該BLU之頂部表面發射光。陰極層3964可為反射層或可包含的一個別反射層(未展示)。如圖39B所展示，該器件可進一步包含一第一囊封或障壁層3920及一第二囊封或障壁層3922。較佳言之，該電致發光QD層3904係佈置於該第一囊封層與該第二囊封層之間。較佳言之，該第一囊封障壁層及該第二囊封障壁層之各者係直接鄰近電致發光QD層3904且與電致發光QD層3904直接實體接觸。如圖39C所展示，該器件可進一步包含佈置於電致發光QD層3904與陽極3962之間之一電洞傳輸層(HTL)3966及/或佈置於該電致發光QD層3904與陰極3964之間之一電子傳輸層(ETL)3968。在另一實施例(未展示)中，該器件可包含該陽極、該陰極及該HTL及/或ETL，其中該等層中之一或多層形成障壁層以保護電致發光QD層。如熟悉此項技術者將理解，可採用本文所述之此等層或元件之任何適當組合以形成本發明之電致發光BLU。
在一實施例中，電致發光QD BLU可包含像素電子裝置(例如，列電晶體及行電晶體)以個別地定址QD層3904之不同空間區或像素。此允許電刺激(或不電刺激)限制於由有關電晶體電定址之QD層3904之特定區的QD。此允許在該QD層之不同空間區上同時局部發射及局部調光，藉此在操作BLU期間節省能量且改良對比度。在一實施例中，陽極層3962及/或陰極層3964可包含列電晶體及/或行電晶體。舉例而言，該BLU可包含一主動型矩陣或一被動型矩陣電晶體組態以定址QD層3904中之個別空間區或像素，或者熟悉此項技術者已知之任何其他電晶體組態。
在另一類實施例中，發光QD層3904可包含由佈置於各空間區內之量子點發射之光之顏色區分的複數個空間區。舉例而言，QD層3904可包含圖案化於該QD層中之一第一複數個空間區或像素以產生用於一顯示器器件之一BLU。各像素可包含用於發射紅光、綠光及藍光之一個別子像素。該QD磷光體層可包含包括發紅光QD之一第一複數個空間區或子像素、包含發綠光QD之一第二複數個空間區或子像素，以及視需要包含發藍光QD之一第三複數個空間區或子像素。該等子像素可使用本文所述之捲軸式處理技術來圖案化，其中應用一個別QD基質材料以形成發紅光、綠光及藍光的空間區或子像素。如上文所闡述，BLU可包含用於個別定址個別像素及子像素之任何適當電晶體組態，其中定址各像素或子像素造成與各個別像素或子像素相關聯之QD之電刺激。
雖然上文已描述本發明之多種實施例，但是應理解其等僅係以實例且非限制性方式呈現。熟悉此項技術者將顯而易知可在不脫離本發明之精神及範疇下在該等實施例中作出各種形式及細節改變。因此，本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例之任何者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物界定。
如熟悉此項技術者將理解，可以任何適當組合使用上述器件組件及/或處理組分以形成本發明之QD薄膜。
本說明書所提及之全部公開案、專利及專利申請案可指示本發明所關於之技術之熟悉者之技藝位準，且其係在相同程度上以引用的方式併入本文，如同已明確且個別地指示以引用的方式併入各個別公開案、專利或專利申請案一般。
100．．．2 nm之粒徑
102．．．15 nm之粒徑
104．．．可見藍光
106．．．可見綠光
108．．．可見紅光
202．．．黃光
204．．．綠峰值
206．．．紅峰值
302．．．色域三角形
304．．．YAG色域
306．．．紅光分量
308．．．綠光分量
310．．．藍光分量
400．．．基於量子點(QD)之遠端磷光體封裝
401．．．發光二極體/LED
402．．．玻璃毛細管/小毛細管
403．．．光導面板/LGP
404．．．磷光體材料
406．．．端部密封件
500．．．習知LED背光式LCD顯示器
501．．．亮度增強薄膜/BEF
504．．．漫射器
506．．．光導面板/LGP
508．．．反射器
510．．．LED外殼
512．．．背光單元/BLU
600．．．照明器件
601．．．亮度增強薄膜/BEF
602．．．QD薄膜
604．．．QD磷光體材料層
605．．．漫射器
606．．．LGP
608．．．反射薄膜
610．．．原色光源
614．．．原色光
620．．．障壁層
622．．．障壁層
710．．．原色光源
813．．．QD
814．．．原色光
816．．．二級光
900．．．核/殼QD
902．．．核
904．．．殼
906．．．配位體
1013．．．QD
1030．．．基質材料
1302．．．QD薄膜
1304．．．QD磷光體材料
1306．．．LGP
1314．．．原色光
1314a．．．原色光
1314b．．．原色光
1320．．．障壁層
1322．．．障壁層
1330．．．基質材料
1330a．．．第一材料
1330b．．．第二材料
1401．．．BEF
1402．．．QD薄膜
1404．．．QD磷光體材料
1406．．．LGP
1408．．．反射薄膜
1410．．．原色光源
1420a．．．第一子層
1420b．．．第二子層
1420c．．．第一子層
1420d．．．第二子層
1420．．．頂部障壁/障壁
1422．．．底部障壁/障壁
1422a．．．第一子層
1422b．．．第二子層
1422c．．．第一子層
1422d．．．第二子層
1450．．．光提取特徵部
1550．．．特徵/LGP特徵部
1601．．．BEF
1602．．．QD薄膜
1606．．．LGP
1620．．．障壁板
1620a．．．第一薄膜層
1620b．．．第二薄膜層
1622．．．底部障壁層
1650．．．抗耦合或抗包覆特徵部
1702．．．QD薄膜
1705．．．惰性區
1709．．．活性區
1720．．．頂部障壁
1722．．．底部障壁
1804．．．QD磷光體材料
1820．．．障壁層
1821．．．塗佈層
1822．．．障壁層
1904．．．QD磷光體材料
1906．．．LGP
1920．．．頂部障壁層
1922．．．底部障壁層
1927．．．邊緣密封件
1928．．．密封材料
2002．．．QD薄膜
2004．．．QD磷光體材料
2006．．．LGP
2020．．．頂部障壁
2022．．．底部障壁
2027．．．邊緣密封件
2028．．．密封材料
2102．．．QD薄膜
2106．．．LGP
2150．．．抗耦合或抗包覆特徵部
2151．．．間隙
2152．．．間隔件
2206．．．LGP
2250．．．亮度增強特徵部
2304．．．QD磷光體材料之特定區
2306．．．LGP
2306a．．．末端部分或區
2313．．．發射二級光之QD
2350．．．亮度增強特徵部
2404．．．QD磷光體材料之特定區
2440．．．散射珠粒/散射粒子
2504．．．QD磷光體材料之特定區
2513．．．QD
2514．．．發射二級光之QD
2540．．．散射珠粒/散射粒子
2604a．．．QD磷光體材料層
2604b．．．QD磷光體材料層
2604c．．．QD磷光體材料層
2613．．．QD群體
2613a．．．QD群體
2613b．．．QD群體
2640．．．散射粒子/散射特徵部
2640a．．．散射粒子群體
2640b．．．散射粒子群體
2704．．．QD磷光體材料
2713．．．QD
2714a．．．原色光
2714b．．．原色光
2716．．．二級光發射
2740．．．散射粒子
2740a．．．散射珠粒
2740b．．．散射珠粒
2940．．．散射粒子
3040．．．散射粒子
3140．．．散射粒子
3301．．．綠光
3302．．．類似比例之紅綠光
3303．．．紅光
3402．．．QD薄膜遠端磷光體封裝
3404．．．QD磷光體材料
3420．．．第二障壁板
3422．．．第一障壁板
3520．．．第一障壁
3522．．．第二障壁
3902．．．QD薄膜
3904．．．發光QD層
3904a．．．發紅光QD
3904b．．．發綠光QD
3904c．．．發藍光QD
3920．．．第一囊封或障壁層
3922．．．第二囊封或障壁層
3930．．．基質材料
3962．．．陽極
3964．．．陰極
3966．．．電洞傳輸層/HTL
3968．．．電子傳輸層/ETL
附圖繪示本發明且連同「實施方式」一起進一步用來解釋本發明之原理且用來使熟悉此項技術者能夠製作並且使用本發明，該等附圖併入本文中且形成本說明書之一部分。
圖1展示QD吸收及發射特性之可調性。
圖2展示習知固態白光(SSWL)器件與基於QD之固態白光器件之光顏色分量之一對照。
圖3展示QD BLU、一習知BLU及NTSC標準之一CIE圖及色域。
圖4A至圖4D展示先前技術Quantum RailTM遠端磷光體封裝。
圖5展示一習知液晶顯示器(LCD)堆疊。
圖6A至圖6C展示根據本發明之一實施例之一QD薄膜BLU及光再循環機構。
圖7A至圖7C展示用於本發明之QD照明器件之各種原色光源配置。
圖8繪示根據本發明之一QD中之原色光吸收及二級光發射。
圖9展示根據本發明之一經配位體塗佈之QD。
圖10展示根據本發明之包含嵌入於基質中之QD之QD磷光體材料。
圖11A至圖11B展示本發明之配位體及QD薄膜形成方法。
圖12A至圖12B展示根據本發明之QD磷光體材料。
圖13A至圖13B繪示根據本發明之光學特徵部及機構。
圖14A至圖14C繪示根據本發明之某些實施例之障壁薄膜及材料。
圖15A至圖151繪示根據本發明之各種例示性障壁及障壁特徵部。
圖16A至圖16D繪示根據本發明之各種例示性光學增強特徵部。
圖17A至圖17B展示根據本發明之一實施例之本發明之QD磷光體材料及QD磷光體材料惰性區。
圖18A至圖18C、圖19A-圖19D及圖20A-圖20D繪示根據本發明之某些實施例之QD磷光體材料、障壁及密封件。
圖21A至圖21E及圖22A-圖22K繪示根據本發明之某些實施例之各種光導特徵部。
圖23A至圖23H、圖24A至圖24H、圖25A至圖25I及圖26A至圖26G繪示根據本發明之某些實施例之QD及散射特徵部之各種空間配置。
圖27A至圖27C繪示散射特徵部及用於本發明之散射特徵部之機構。
圖28A至圖28F、圖29A-圖29C、圖30A-圖30C及圖31A-圖31C繪示根據本發明之某些實施例之各種LGP及障壁配置以及QD與散射特徵部之空間配置。
圖32及圖33A至圖33C展示根據本發明之某些方法及器件之調色及白點產生。
圖34至圖35展示根據本發明之QD薄膜形成方法。
圖36A至圖36C展示可用來產生PEI配位體之例示性單環氧改質劑。圖36A展示1,2-環氧-3-苯氧基丙烷，圖36B展示1,2-環氧十二烷示，且圖36C展示縮水甘油基4-壬基苯基醚。
圖37繪示本發明之配位體形成方法。
圖38A及圖38B展示根據本發明之QD磷光體材料。
圖39A至圖39C展示包含根據本發明之一實施例之一QD薄膜之一電致發光背光器件。
600．．．照明器件
601．．．亮度增強薄膜/BEF
602．．．QD薄膜
604．．．QD磷光體材料層
606．．．LGP
608．．．反射薄膜
610．．．原色光源
614．．．原色光
620．．．障壁層
622．．．障壁層

Claims (169)

  1. 一種顯示器背光單元(BLU)，其包含：至少一原色光源，其發射原色光；一光導面板(LGP)，其光耦合至該至少一原色光源，其中該原色光均勻透射通過該LGP；包括至少一群體之發光量子點(QD)之一遠端磷光體薄膜，其中該遠端磷光體薄膜係佈置於該LGP上，其中該原色光均勻透射通過該LGP且透射至該遠端磷光體薄膜中，其中該原色光之至少一部分係由該至少一群體之QD吸收且被該等QD重新發射為具有比該原色光更長之一波長的二級光；一第一障壁薄膜，係佈置於該遠端磷光體薄膜之一第一表面上；及一第二障壁薄膜，係佈置於該遠端磷光體薄膜之一第二表面上，該第二表面係與該第一表面相對。
  2. 如請求項1之顯示器BLU，其中該顯示器為一液晶顯示器(LCD)。
  3. 如請求項1之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜係佈置成直接鄰近該LGP。
  4. 如請求項1之顯示器BLU，其進一步包括在該LGP下面之一反射器薄膜，其中該反射器薄膜朝該遠端磷光體薄膜中之QD反射原色光。
  5. 如請求項1之顯示器BLU，其進一步包括在該LGP之底部表面處、該LGP之頂部表面處或該LGP之底部表面 及頂部表面處之一或多個漫射器層或光提取層，其中該一或多個漫射器層或光提取層朝該LGP上面之該遠端磷光體薄膜反射或折射原色光。
  6. 如請求項1之顯示器BLU，其進一步包括一或多個亮度增強薄膜(BEF)，其中該遠端磷光體薄膜係佈置於該LGP上面且該一或多個BEF係佈置於該遠端磷光體薄膜上面，其中該原色光之一第一部分透射通過該一或多個BEF且該原色光之一第二部分係由該一或多個BEF朝該遠端磷光體薄膜反射。
  7. 如請求項第6項之顯示器BLU，其中該BLU包括至少兩個BEF。
  8. 如請求項1之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜包括一QD磷光體材料薄膜，該QD磷光體材料薄膜包括至少一QD磷光體材料薄膜層，該至少一QD磷光體材料薄膜層包括嵌入於基質材料中之該至少一群體之QD。
  9. 如請求項8之顯示器BLU，其中該至少一QD磷光體材料薄膜層包括嵌入於環氧樹脂基質材料中之該至少一群體之QD，其中該等QD塗佈胺基聚苯乙烯(APS)配位體材料且嵌入於該環氧樹脂基質材料中。
  10. 如請求項8之顯示器BLU，其中該至少一QD磷光體材料薄膜層包括嵌入於環氧樹脂基質材料中之該至少一群體之QD，其中該等QD塗佈聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺配位體材料且嵌入於該環氧樹脂基質材料中。
  11. 如請求項8之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄 膜包括佈置於至少一頂部障壁薄膜與至少一底部障壁薄膜之間之該至少一QD磷光體材料薄膜層，其中該等頂部及底部障壁薄膜係各自佈置成在該QD磷光體材料薄膜之相對側上鄰近該QD磷光體材料薄膜。
  12. 如請求項11之顯示器BLU，其中該至少一頂部障壁薄膜包括兩個或多個障壁薄膜且該至少一底部障壁薄膜包括兩個或多個底部障壁薄膜。
  13. 如請求項11之顯示器BLU，其中該等障壁薄膜中之各者包含透明材料，該透明材料包括玻璃、聚合物或塗佈一氧化物層之一聚合物薄膜。
  14. 如請求項13之顯示器BLU，其中該聚合物包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)且該氧化物層包含二氧化矽。
  15. 如請求項1之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜進一步包括至少一群體之散射粒子，其中該等散射粒子朝該等QD之至少一部分散射原色光之至少一部分。
  16. 如請求項15之顯示器BLU，其中該等散射粒子增加該原色光在該遠端磷光體薄膜中之光學路徑長度。
  17. 如請求項15之顯示器BLU，其中該等散射粒子之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分的下面。
  18. 如請求項15之顯示器BLU，其中該原色光之至少一部分係由該等散射粒子散射且隨後由該等QD吸收且重新發射為二級光。
  19. 如請求項15之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料 薄膜進一步包含至少一種基質材料，其中該至少一群體之QD及該至少一群體之散射粒子係嵌入於該基質材料中。
  20. 如請求項19之顯示器BLU，且其中散射粒子具有比該基質材料之折射率更高之一折射率。
  21. 如請求項20之顯示器BLU，其中該等散射粒子具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  22. 如請求項15之顯示器BLU，其中該等散射粒子包括具有在約0.5μm與約2μm之間之一直徑、約0.5μm之一直徑或約1μm之一直徑的球形珠粒。
  23. 如請求項15之顯示器BLU，其中該等散射粒子包括球形珠粒，該等球形珠粒包含選自由二氧化矽、矽酸硼及聚苯乙烯組成之群組之至少一種材料。
  24. 如請求項15之顯示器BLU，其中該等散射粒子包括空隙。
  25. 如請求項15之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜係由約1體積%-約15體積%散射粒子、約2體積%-約10體積%散射粒子或約5體積%散射粒子組成。
  26. 如請求項19之顯示器BLU，其中該至少一群體之QD及該至少一群體之散射粒子係在該QD磷光體材料薄膜各處均勻分散。
  27. 如請求項1之顯示器BLU，其中該BLU為一白光BLU，其中該原色光源包括一或多個發藍光之二極體(LED)，其中該遠端磷光體薄膜包括發射二級紅光之一第一群體之QD及發射二級綠光之一第二群體之QD，且其 中由該BLU發射之白光包括藍原色光、二級紅光及二級綠光。
  28. 如請求項19之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜包括：一第一薄膜層，其包括發射二級紅光之一第一群體之QD；一第二薄膜層，其包括發射二級綠光之一第二群體之QD；及至少一群體之散射粒子，其等係佈置於該第一薄膜層、該第二薄膜層、與該第一薄膜層及該第二薄膜層不同之一第三薄膜層及其組合中。
  29. 如請求項1之顯示器BLU，其中在該至少一原色光源中包括耦合至該LGP之一或多個邊緣之一或多個藍色LED，其中該一或多個LED係佈置於與該LGP相同之平面內。
  30. 如請求項2之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜為覆蓋該LCD之整個觀察平面表面區域之一平坦薄膜。
  31. 如請求項8之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜在該顯示器之整個觀察平面表面區域上具有一均勻厚度。
  32. 一種顯示器背光單元(BLU)，其包括：發射原色光之至少一原色光源；光耦合至該至少一原色光源之一光導面板(LGP)，其中該原色光均勻透射通過該LGP； 一遠端磷光體薄膜，其包括至少一群體之光發射量子點(QD)及朝該等QD散射原色光之一或多個原色光散射特徵部，其中該遠端磷光體薄膜係佈置於該LGP上，其中該原色光均勻透射通過該LGP且透射至該遠端磷光體薄膜中，其中該原色光之至少一部分係由該至少一群體之QD吸收且由該等QD重新發射為具有比該原色光更長之一波長的二級光；一第一障壁薄膜，係佈置於該遠端磷光體薄膜之一第一表面上；及一第二障壁薄膜，係佈置於該遠端磷光體薄膜之一第二表面上，該第二表面係與該第一表面相對。
  33. 如請求項第32項之顯示器BLU，其中該顯示器為一液晶顯示器(LCD)。
  34. 如請求項32之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜係佈置成直接鄰近該LGP。
  35. 如請求項32之顯示器BLU，其進一步包括在該LGP下面之一反射器薄膜，其中該反射器薄膜朝該遠端磷光體薄膜中之QD反射原色光。
  36. 如請求項32之顯示器BLU，其進一步包括在該LGP之底部表面處、在該LGP之頂部表面處或在該LGP之底部表面及頂部表面處之一或多個漫射器層或光提取層，其中該一或多個漫射器層或光提取層朝該LGP上之該遠端磷光體薄膜反射或折射原色光。
  37. 如請求項32之顯示器BLU，其進一步包括一或多個亮度增強薄膜(BEF)，其中該遠端磷光體薄膜係佈置於該LGP的上面且該一或多個BEF係佈置於該遠端磷光體薄膜的上面，其中該原色光之一第一部分透射通過該一或多個BEF且該原色光之一第二部分係由該一或多個BEF朝該遠端磷光體薄膜反射。
  38. 如請求項37之顯示器BLU，其中該BLU包括至少兩個BEF。
  39. 如請求項32之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜包括一QD磷光體材料薄膜，該QD磷光體材料薄膜包括包含至少一種基質材料之至少一QD磷光體材料薄膜層，其中該至少一群體之QD嵌入於該至少一種基質材料中。
  40. 如請求項39之顯示器BLU，其中該至少一QD磷光體材料薄膜層包括嵌入於環氧樹脂基質材料中之該至少一群體之QD，其中該等QD塗佈胺基聚苯乙烯(APS)配位體材料且嵌入於該環氧樹脂基質材料中。
  41. 如請求項39之顯示器BLU，其中該至少一QD磷光體材料薄膜層包括嵌入於環氧樹脂基質材料中之該至少一群體之QD，其中該等QD塗佈聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺配位體材料且嵌入於該環氧樹脂基質材料中。
  42. 如請求項39之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜包括佈置於至少一頂部障壁薄膜與至少一底部障壁薄膜之間之該至少一QD磷光體材料薄膜層，其中該等頂部及底部障壁薄膜各係佈置成在該QD磷光體材料薄膜之相對 側上鄰近該QD磷光體材料薄膜。
  43. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部增加在該遠端磷光體薄膜中之原色光光學路徑長度，藉此增加由該等QD吸收且重新發射為二級光之原色光之量。
  44. 如請求項32之顯示器BLU，其中由該等散射特徵部散射之該原色光之至少一部分隨後由該等QD吸收且重新發射為二級光。
  45. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分的下面，使得該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分與該至少一原色光源之間。
  46. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於與該等QD之至少一部分相同之層中。
  47. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部之大部分係佈置於與該等QD相同之該層中或在該等QD的下面。
  48. 如請求項39之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部係佈置於該QD磷光體材料薄膜之一或多個層內。
  49. 如請求項39之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部係佈置於該QD磷光體材料薄膜之多個層之間。
  50. 如請求項39之顯示器BLU，其中該一或多個原色 光散射特徵部及該至少一群體之QD係均勻分散於該QD磷光體材料薄膜各處。
  51. 如請求項42之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部係分散在該QD磷光體材料薄膜與一或.多個障壁薄膜之間。
  52. 如請求項42之顯示器BLU，其中該至少一底部障壁薄膜包括一第一障壁薄膜及至少一第二障壁薄膜，其中該一或多個原色光散射特徵部係分散在該第一障壁薄膜與至少該第二障壁薄膜之間。
  53. 如請求項42之顯示器BLU，其中該至少一頂部障壁薄膜包括一第一障壁薄膜及至少一第二障壁薄膜，其中該一或多個原色光散射特徵部係分散在該第一障壁薄膜與至少該第二障壁薄膜之間。
  54. 如請求項32之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部包括散射粒子。
  55. 如請求項54之顯示器BLU，其中該等散射粒子包括球形散射珠粒。
  56. 如請求項55之顯示器BLU，其中該等散射珠粒包括二氧化矽、矽酸硼或聚苯乙烯珠粒。
  57. 如請求項55之顯示器BLU，其中該等散射珠粒係嵌入於該基質材料中且具有比周圍基質材料之折射率更高之一折射率。
  58. 如請求項57之顯示器BLU，其中該等散射粒子具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  59. 如請求項55之顯示器BLU，其中該等散射粒子包括具有在約0.5μm與約2μm之間之一直徑、約0.5μm之一直徑或約1μm之一直徑之球形珠粒。
  60. 如請求項15之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜係由約1體積%-約15體積%散射粒子、約2體積%-約10體積%散射粒子或約5體積%散射粒子組成。
  61. 如請求項32之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部包括空隙。
  62. 如請求項32之顯示器BLU，其中該一或多個原色光散射特徵部包括空心珠粒。
  63. 如請求項39之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜包括具有一第一折射率之一第一基質材料，以及具有不同於該第一折射率之一第二折射率之至少一第二基質材料，其中該等原色光散射特徵部包括散射域，該等散射域包括分散於該第一基質材料內之該第二基質材料之域。
  64. 如請求項63之顯示器BLU，其中該散射域具有在約0.5μm與約2μm之間、約0.5μm或約1μm之一尺寸。
  65. 如請求項63之顯示器BLU，其中該第一基質材料具有小於2之一折射率，且該第二材料具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  66. 如請求項63之顯示器BLU，其中該第一材料包含環氧樹脂且該第二材料具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  67. 如請求項63之顯示器BLU，其中該第一材料包含 透明玻璃或聚合物材料且該第二材料包含空氣。
  68. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部包括吸收原色光且發射藍光之一群體之光發射QD。
  69. 如請求項42之顯示器BLU，其中該等散射特徵部係形成於至少一該障壁薄膜之一表面上。
  70. 如請求項42之顯示器BLU，其中該等散射特徵部係形成在至少一障壁薄膜之至少一表面上，此障壁薄膜表面直接接觸該QD磷光體材料薄膜。
  71. 如請求項42之顯示器BLU，其中該等散射特徵部包括形成於至少一該障壁薄膜之一表面上之一原色光散射表面圖案，其中該圖案包括微型紋理、稜鏡、斜角、稜錐、凹槽、透鏡、凸塊、波浪、劃痕或圓頂。
  72. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等散射特徵部包括形成在該LGP之一表面上的一原色光散射表面圖案。
  73. 如請求項72之顯示器BLU，其中該圖案包括一隨機微型紋理圖案、稜鏡、斜角、透鏡、凸塊、波浪、劃痕或圓頂。
  74. 如請求項32之顯示器BLU，其中該等特徵部具有約5μm或更小、約2μm或更小、約1.5μm或更小、約1μm或更小或約0.5μm或更小之一大小。
  75. 如請求項31之顯示器BLU，其中包括QD及散射特徵部之該遠端磷光體薄膜為一組合漫射器及磷光體薄膜，藉此減小或消除該顯示器BLU中個別磷光體薄膜及漫射器薄膜之需要。
  76. 如請求項32之顯示器BLU，其中該BLU為一白光BLU，其中該原色光源包括一或多個發藍光二極體(LED)，其中該遠端磷光體薄膜包括發射二級紅光之一第一群體之QD及發射二級綠光之一第二群體之QD，且其中由該BLU發射之白光包括藍原色光、二級紅光及二級綠光。
  77. 如請求項39之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜包括：一第一薄膜層，其包括發射二級紅光之一第一群體之QD；一第二薄膜層，其包括發射二級綠光之一第二群體之QD；及至少一群體之散射粒子，其佈置於該第一薄膜層、該第二薄膜層、與該第一薄膜層及該第二薄膜層不同之一第三薄膜層中之一或多者中。
  78. 如請求項32之顯示器BLU，其中在該至少一原色光源中包括耦合至該LGP之一或多個邊緣之一或多個藍色LED，其中該一或多個LED係佈置於與該LGP相同之平面內。
  79. 如請求項33之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜為覆蓋該LCD之整個觀察平面表面區域之一平坦薄膜。
  80. 如請求項39之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜在該顯示器之整個觀察平面表面區域上具有一均勻厚度。
  81. 如請求項8或39之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜具有500μm或更小、250μm或更小、200μm或更小、50μm-150μm、50μm-100μm、約100μm或約50μm 之一厚度。
  82. 如請求項54之顯示器BLU，其中該等散射粒子係佈置於該等QD的下面，在該LGP與該等QD之間之一層中。
  83. 如請求項40之顯示器BLU，其中該等散射特徵部包括嵌入於至少一該底部障壁薄膜中之散射粒子。
  84. 如請求項8或39之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料薄膜包括小於約20體積%、小於20體積%、小於約15體積%、小於15體積%、小於約10體積%、小於約5體積%、小於5體積%、小於1體積%或小於約1體積%之QD。
  85. 如請求項39之顯示器BLU，其中該等散射特徵部包括分散於該至少一QD磷光體材料薄膜層中之粒子，其中該等散射粒子具有接近該QD磷光體材料之密度之一密度。
  86. 如請求項11或42之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料係密封在該等障壁薄膜之間，其中該密封包括一端部密封、氣密密封或其組合。
  87. 如請求項11或42之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料係密封在該等障壁薄膜之間，其中該等障壁薄膜之周邊邊緣為緊壓密封或熔接密封的。
  88. 如請求項11或42之顯示器BLU，其中該QD磷光體材料包括在該遠端磷光體薄膜之周邊周圍一惰性區。
  89. 如請求項88之顯示器BLU，其中該惰性區具有約1mm、約1mm或更小或小於1mm之一寬度。
  90. 如請求項42之顯示器BLU，其中該等障壁薄膜之各者包含透明材料，該透明材料包括玻璃、聚合物或塗佈一氧化物層之一聚合物薄膜。
  91. 如請求項11或42之顯示器BLU，其中該等頂部及底部障壁薄膜之至少一者包括至少兩個障壁薄膜，該至少兩個障壁薄膜具有密封於該至少兩個障壁薄膜之間之一真空或填充氣體之間隙。
  92. 一種形成一顯示器背光單元(BLU)之方法，該方法包括：(a)提供發射原色光之至少一原色光源；(b)提供一降頻轉換磷光體薄膜層，其包括在吸收該原色光後發射二級光之至少一群體之量子點(QD)；(c)將該磷光體薄膜層佈置於一光導平面(LGP)與一或多個亮度增強薄膜(BEF)之間；(d)將一第一障壁薄膜佈置於該磷光體薄膜層之一第一表面上；及(e)將一第二障壁薄膜佈置於該磷光體薄膜層之一第二表面上，該第二表面係與該第一表面相對。
  93. 如請求項92之方法，其中該LGP包括朝該等QD反射該原色光之一反射薄膜或反射特徵部。
  94. 如請求項92之方法，其中該一或多個BEF朝該等QD反射該原色光之至少一部分。
  95. 如請求項92之方法，其進一步包括將該磷光體薄膜層佈置於該LGP的上面，使得該磷光體薄膜層與該至少 一原色光源被該LGP隔開。
  96. 如請求項92之方法，其中步驟(b)中之該提供包括：將該等QD嵌入於至少一種透明基質材料中，以及在兩個或多個透明障壁薄膜之間形成一QD磷光體材料薄膜。
  97. 如請求項96之方法，其中該等障壁薄膜包括層壓薄膜。
  98. 如請求項94之方法，其中步驟(b)中之該提供進一步包括：將一群體之散射珠粒嵌入於該基質材料中，其中該等散射珠粒將朝該等QD散射原色光。
  99. 如請求項96之方法，其中步驟(b)中之該提供進一步包括：形成一第一QD磷光體材料薄膜層，該第一QD磷光體材料薄膜層包括發射二級紅光之一第一群體之QD；及形成一第二QD磷光體材料薄膜層，該第二QD磷光體材料薄膜層包括發射二級綠光之一第二群體之QD。
  100. 如請求項99之方法，其進一步包括：在該第一層中、該第二層中、與該第一層及該第二層不同之一第三層中或其組合中提供一群體之散射粒子。
  101. 如請求項92之方法，其中該BLU為一發白光BLU，該原色光包括藍原色光，該等QD包括一第一群體之發紅光QD及一第二群體之發綠光QD，且其中該白光包括該藍原色光、二級紅光及二級綠光。
  102. 一種量子點(QD)磷光體薄膜，其包括： 一QD磷光體材料，其包括嵌入於至少一種基質材料中之至少一群體之QD，其中該等QD在吸收原色光之後發射二級光；及至少一底部障壁薄膜，其等係佈置於該QD磷光體材料之一第一表面上；及至少一頂部障壁薄膜，其等係佈置於該QD磷光體材料之一第二表面上，其中該第二表面與該第一表面相對；其中該QD磷光體材料係佈置於該至少一頂部障壁薄膜與該至少一底部障壁薄膜之間。
  103. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料與一第一底部障壁薄膜及一第一頂部障壁薄膜直接實體接觸。
  104. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該至少一底部障壁薄膜及/或該至少一頂部障壁薄膜各包括兩個障壁薄膜、三個障壁薄膜、兩個或多個障壁薄膜或三個或多個障壁薄膜。
  105. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中各障壁薄膜包含透明玻璃材料、透明聚合物材料、氧化物塗層或其組合。
  106. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中至少一該障壁薄膜包括一聚合物薄膜及在該聚合物薄膜上之一氧化物塗層。
  107. 如請求項106之QD磷光體薄膜，其中該聚合物包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)且該氧化物層包含二 氧化矽。
  108. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其進一步包括在該QD磷光體薄膜中散射原色光之一或多個散射特徵部。
  109. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部增加原色光在該QD磷光體薄膜中之光學路徑長度。
  110. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括散射粒子、散射空隙、散射域或散射表面特徵部。
  111. 如請求項110之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括散射粒子，其中該等散射粒子包括球形散射珠粒。
  112. 如請求項111之QD磷光體薄膜，其中該等散射珠粒包括二氧化矽、矽酸硼或聚苯乙烯。
  113. 如請求項111之QD磷光體薄膜，其中該等散射粒子包括具有約0.5μm與約2μm之間之一直徑、約0.5μm之一直徑或約1μm之一直徑。
  114. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部係嵌入於該基質材料中且具有比周圍基質材料之折射率更高之一折射率。
  115. 如請求項114之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  116. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射 特徵部具有約0.5μm與約2μm之間、約0.5μm或約1μm之一尺寸。
  117. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料包括具有一第一折射率之一第一基質材料，以及具有不同於該第一折射率之一第二折射率之至少一第二基質材料，其中該等原色光散射特徵部包括散射域，該等散射域包括分散於該第一基質材料內之該第二基質材料之域。
  118. 如請求項117之QD磷光體薄膜，其中該第一基質材料具有小於2之一折射率，且該第二材料具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  119. 如請求項117之QD磷光體薄膜，其中該第一材料包含環氧樹脂且該第二材料具有約2或更大、大於2或約2之一折射率。
  120. 如請求項117之QD磷光體薄膜，其中該第一材料包含透明玻璃或聚合物材料且該第二材料包含空氣。
  121. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括吸收原色光且發射藍光之一群體之光發射QD。
  122. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括形成於該等障壁薄膜之至少一者之至少一表面上之表面圖案。
  123. 如請求項122之QD磷光體薄膜，其中該圖案包括微型紋理、稜鏡、斜角、稜錐、凹槽、透鏡、凸塊、波浪、劃痕或圓頂。
  124. 如請求項122之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵具有約5μm或更小、約2μm或更小、約1.5μm或更小、約1μm或更小或約0.5μm或更小之一大小。
  125. 如請求項122之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部係形成於該等障壁薄膜中之至少一者之至少一表面上，此障壁薄膜表面直接接觸該QD磷光體材料。
  126. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括嵌入於至少一該底部障壁薄膜中之散射粒子。
  127. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括分散於該至少一QD磷光體材料薄膜層中之散射粒子，其中該等散射粒子具有接近該QD磷光體材料之密度之一密度。
  128. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部包括空心珠粒。
  129. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該等QD均勻分散於該QD磷光體材料中。
  130. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部均勻分散於該QD磷光體材料中。
  131. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於與該等QD之至少一部分相同之QD磷光體材料層中。
  132. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一第一部分與該等QD之至少一第二部分之間。
  133. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分的下面，使得該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分與該至少一底部障壁薄膜之間。
  134. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部係佈置於該等QD的下面，其中該等散射特徵部係佈置於該等QD與該至少一底部障壁之間。
  135. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分上，使得該等散射特徵部之至少一部分係佈置於該等QD之至少一部分與該至少一頂部障壁薄膜之間。
  136. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該等散射特徵部係佈置於該等QD的上面，其中該等散射特徵部係佈置於該等QD與該至少一頂部障壁之間。
  137. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該至少一底部障壁薄膜包括兩個或多個底部障壁薄膜，且該等散射特徵部係佈置於兩個或多個該等底部障壁薄膜之間。
  138. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該頂部障壁薄膜包括兩個或多個底部障壁薄膜，且該等散射特徵部係佈置於兩個或多個該等底部障壁薄膜之間。
  139. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料係由約1體積%-約15體積%散射粒子、約2體積%-約10體積%散射粒子或約5體積%散射粒子組成。
  140. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光 體材料包括小於約20體積%、小於20體積%、小於約15體積%、小於15體積%、小於約10體積%、小於約5體積%、或小於5體積%、小於1體積%或小於約1體積%之材料之QD。
  141. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料包括發射二級紅光之一第一群體之QD及發射二級綠光之一第二群體之QD。
  142. 如請求項第141項之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料包括包括該第一群體之QD之一第一QD磷光體材料層以及包括該第二群體之QD之一第二QD磷光體材料層。
  143. 如請求項108之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料包括包括該第一群體之QD之一第一QD磷光體材料層以及包括該第二群體之QD之一第二QD磷光體材料層，其中該等散射特徵部係佈置於該第一QD磷光體材料層、該第二QD磷光體材料層及與該第一層及該第二層不同之一第三QD磷光體材料層之一或多者中。
  144. 如請求項143之QD磷光體材料層，其中該等散射特徵部係佈置於與該第一層及該第二層不同之一第三QD磷光體材料層中，其中該第三層係佈置於該第一層及該第二層的上面，在該第一層及該第二層的下面或在該第一層與該第二層之間。
  145. 如請求項102之QD磷光體薄膜，其中該等QD包括一胺基聚苯乙烯(APS)配位體塗層。
  146. 如請求項100之QD磷光體薄膜，其中該等QD包括一聚乙烯亞胺或改質聚乙烯亞胺配位體塗層。
  147. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該至少一種基質材料包括環氧樹脂。
  148. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料在該整個QD磷光體薄膜上具有一均勻厚度。
  149. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料具有500μm或更小、250μm或更小、200μm或更小、50-150μm、50-100μm、約100μm或約50μm之一厚度。
  150. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料薄膜具有500μm或更小、250μm或更小、200μm或更小、50-150μm、50-100μm、約100μm或約50μm之一厚度。
  151. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料係密封於該等障壁薄膜之間，其中該密封包括端部密封、氣密密封或其組合。
  152. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料係密封於該等障壁薄膜之間，其中該等障壁薄膜之周邊邊緣為緊壓密封或熔接密封的。
  153. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該QD磷光體材料包括在該遠端磷光體薄膜之周邊周圍之一惰性區。
  154. 如請求項153之QD磷光體薄膜，其中該惰性區具有約1mm、約1mm或更小、小於1mm、約2mm、約2 mm或更小或小於2mm之一寬度。
  155. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中該等頂部及底部障壁薄膜之至少一者包括至少兩個障壁薄膜，該至少兩個障壁薄膜具有在至少兩個障壁薄膜之間密封之一真空或填充氣體之間隙。
  156. 如請求項103之QD磷光體薄膜，其中至少一該障壁薄膜包括在該障壁薄膜之一或多個表面上之亮度增強特徵部。
  157. 一種形成一量子點(QD)磷光體薄膜之方法，該方法包括：(a)將一底部障壁薄膜佈置於一基板上；(b)形成包括嵌入於至少一種基質材料中之至少一群體之QD之一QD磷光體材料；(c)在該底部障壁薄膜上佈置該QD磷光體材料；(d)將該QD磷光體材料部分地固化至該底部障壁薄膜；(e)在該部分地固化之QD磷光體材料上面佈置一頂部障壁薄膜；及(f)將該部分地固化之QD磷光體材料固化至該頂部及底部障壁薄膜。
  158. 如請求項157之方法，其中該QD磷光體材料進一步包括一群體之散射粒子。
  159. 如請求項157之方法，其中步驟(c)中之沈積包括：沈積一第一QD磷光體材料層及沈積至少一第二QD 磷光體材料層。
  160. 如請求項159之方法，其中該第一QD磷光體材料層包括一第一濃度之QD且該第二QD磷光體材料包括一第二濃度之QD。
  161. 如請求項159之方法，其中該第一QD磷光體材料層包括一群體之發紅光QD且該第二QD磷光體材料包括一群體之發綠光QD。
  162. 如請求項157之方法，其中步驟(c)中之該沈積包括：沈積多個QD磷光體材料層，其中各層具有一不同濃度之發紅光QD及一不同濃度之發綠光QD。
  163. 如請求項157之方法，其中步驟(c)中之該沈積包括：沈積多個QD磷光體材料層，其中一或多個層包括一群體之散射粒子。
  164. 如請求項157之方法，其進一步包括固化該QD磷光體材料，其中該固化包括熱固化或紫外線固化。
  165. 如請求項157之方法，其進一步包括密封該等頂部及底部障壁薄膜，藉此將該QD磷光體材料密封在該等頂部障壁薄膜與該等底部障壁薄膜之間。
  166. 如請求項157之方法，其進一步包括在該至少一頂部障壁薄膜之表面上形成一或多個亮度增強特徵部。
  167. 如請求項1之顯示器BLU，其中該遠端磷光體薄膜包括只有兩群體之發光量子點(QD)，包含用以發射第一二級光之一第一群體之QD以及用以發射波長不同於該第一二級光之第二二級光之一第二群體之QD，其中該 原色光之至少一部分係由該兩群體之QD吸收且被該等QD重新發射為該第一及第二二級光。
  168. 如請求項157之方法，其中該頂部或底部障壁薄膜之佈置包括使該頂部或底部障壁薄膜之折射率分別與該至少一種基質材料之折射率匹配。
  169. 如請求項157之方法，其中該QD磷光體材料之形成包括使用具有一第一折射率的一第一基質材料及具有一不同於該第一折射率之第二折射率的一第二基質材料。
TW100140135A 2010-11-10 2011-11-03 量子點薄膜、照明器件及照明方法 TWI574430B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41200410P 2010-11-10 2010-11-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201234646A TW201234646A (en) 2012-08-16
TWI574430B true TWI574430B (zh) 2017-03-11

Family

ID=46019494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100140135A TWI574430B (zh) 2010-11-10 2011-11-03 量子點薄膜、照明器件及照明方法

Country Status (7)

Country Link
US (7) US9199842B2 (zh)
EP (3) EP2638321B1 (zh)
JP (1) JP5940079B2 (zh)
KR (4) KR102381463B1 (zh)
CN (2) CN104932051A (zh)
TW (1) TWI574430B (zh)
WO (1) WO2012064562A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10564475B2 (en) 2017-10-31 2020-02-18 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US10768480B2 (en) 2017-10-31 2020-09-08 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US10775670B2 (en) 2017-10-31 2020-09-15 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same

Families Citing this family (579)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
KR101631986B1 (ko) * 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20100214282A1 (en) * 2009-02-24 2010-08-26 Dolby Laboratories Licensing Corporation Apparatus for providing light source modulation in dual modulator displays
KR101753740B1 (ko) 2009-04-28 2017-07-04 삼성전자주식회사 광학 재료, 광학 부품 및 방법
US8933526B2 (en) * 2009-07-15 2015-01-13 First Solar, Inc. Nanostructured functional coatings and devices
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
WO2011038111A1 (en) 2009-09-23 2011-03-31 Crystalplex Corporation Passivated nanoparticles
WO2011047385A1 (en) 2009-10-17 2011-04-21 Qd Vision, Inc. An optical, component, products including same, and methods for making same
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8735791B2 (en) 2010-07-13 2014-05-27 Svv Technology Innovations, Inc. Light harvesting system employing microstructures for efficient light trapping
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR20120105953A (ko) * 2011-03-17 2012-09-26 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이동 단말기의 제조방법
KR101273099B1 (ko) * 2011-05-24 2013-06-13 엘지이노텍 주식회사 광학 시트, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
JP5373859B2 (ja) * 2011-07-05 2013-12-18 デクセリアルズ株式会社 照明装置
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US9097826B2 (en) 2011-10-08 2015-08-04 Svv Technology Innovations, Inc. Collimating illumination systems employing a waveguide
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013078251A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013077106A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 シャープ株式会社 色変換基板、表示装置および色変換基板の製造方法
KR101664507B1 (ko) 2011-12-08 2016-10-10 엘지이노텍 주식회사 표시장치
CH706065A1 (fr) * 2012-01-23 2013-07-31 Daniel Spadini Montre comportant un affichage analogique et un affichage numérique.
KR101574842B1 (ko) * 2012-03-16 2015-12-08 세종대학교산학협력단 양자점- 고분자 복합체 입자, 상기 복합체 입자를 포함하는 광학요소, 및 상기 광학요소의 제조방법
TW201341726A (zh) * 2012-04-13 2013-10-16 E Lon Optronics Co Ltd 擴散結構以及應用該擴散結構之具有光源的裝置
US9929325B2 (en) * 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
TWI506064B (zh) * 2012-07-23 2015-11-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 量子點高分子複合膜及其製造方法
US10062334B2 (en) * 2012-07-31 2018-08-28 Apple Inc. Backlight dimming control for a display utilizing quantum dots
US20140036203A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Apple Inc. Light mixture for a display utilizing quantum dots
US9506627B2 (en) * 2012-08-06 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Highly stable QDS-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
KR101620309B1 (ko) * 2012-08-10 2016-05-12 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 광원, 디스플레이 시스템에서 디스플레이 패널을 조명하기 위한 방법, 및 그를 위한 장치 및 컴퓨터 판독가능한 저장 매체
JP2015525960A (ja) * 2012-08-13 2015-09-07 バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフトＢａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧ アウトカップリング要素を有する導光プレート
DE102012107797A1 (de) * 2012-08-23 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
KR101971123B1 (ko) * 2012-08-23 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 나노 형광체 시트 및 백라이트 장치
KR102118309B1 (ko) * 2012-09-19 2020-06-03 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 양자점/리모트 인광 디스플레이 시스템 개선
WO2014053951A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converting element comprising ceramic capsule
KR20180083969A (ko) * 2012-10-04 2018-07-23 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점들을 이용한 조명 표지판
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
JP6407877B2 (ja) 2012-11-20 2018-10-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子の製造のための高純度溶媒における調合物
CN103032770B (zh) * 2012-12-25 2015-12-23 威特龙消防安全集团股份公司 一种文物安全照明装置
CN103917000B (zh) * 2013-01-07 2017-06-13 群康科技(深圳)有限公司 图案化色转换膜及应用其的显示装置
TW201427893A (zh) * 2013-01-07 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置
KR102165441B1 (ko) * 2013-01-21 2020-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점 필름
KR102062687B1 (ko) * 2013-01-23 2020-01-06 엘지전자 주식회사 양자점 복합 필름 및 이를 이용한 백라이트 유닛
EP2950704B1 (en) 2013-01-29 2017-10-18 Philips Lighting Holding B.V. A light source, luminaire and surgical illumination unit
US9273851B2 (en) * 2013-01-30 2016-03-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Backlight module and liquid crystal display device
WO2014123724A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 3M Innovative Properties Company High color gamut quantum dot display
KR20150115794A (ko) 2013-02-08 2015-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 집적 양자점 광학 구조물
BR112015020571B1 (pt) 2013-03-08 2022-04-12 Dolby Laboratories Licensing Corporation Método para acionamento de um monitor de escurecimento local, meio de armazenamento não transitório legível por computador e aparelho
CA2905890C (en) 2013-03-14 2022-02-08 Nanosys, Inc. Method for solventless quantum dot exchange
CA2905883C (en) 2013-03-14 2021-09-14 William P. Freeman Alkyl-acid ligands for nanocrystals
CA2905913C (en) 2013-03-14 2021-07-13 Nanosys, Inc. Polyhedral oligomeric silsesquioxane nanocrystal stabilization ligands
WO2014154722A1 (en) 2013-03-26 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Hermetically sealed illumination device with luminescent material and manufacturing method therefor
JP5867740B2 (ja) * 2013-04-26 2016-02-24 コニカミノルタ株式会社 発光装置及び画像形成装置
US9274264B2 (en) * 2013-05-09 2016-03-01 Htc Corporation Light source module
US9570044B2 (en) 2013-05-09 2017-02-14 Htc Corporation Image adjusting method, light source module and electronic device
US9435933B2 (en) * 2013-05-09 2016-09-06 Htc Corporation Light source module and electronic device
JP5796038B2 (ja) * 2013-06-18 2015-10-21 デクセリアルズ株式会社 蛍光体シート
CN103292225A (zh) * 2013-06-28 2013-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光光源
JP6153895B2 (ja) * 2013-07-22 2017-06-28 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
JP6087872B2 (ja) 2013-08-12 2017-03-01 富士フイルム株式会社 光学フィルム、バリアフィルム、光変換部材、バックライトユニットおよび液晶表示装置
KR102086712B1 (ko) 2013-08-14 2020-05-15 나노코 테크놀로지스 리미티드 다상의 수지를 이용한 양자점 막
JP6159302B2 (ja) * 2013-08-23 2017-07-05 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
JP6230974B2 (ja) * 2013-08-26 2017-11-15 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
CN104421754A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 信利半导体有限公司 Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器
GB201315241D0 (en) 2013-08-27 2013-10-09 Nano Lit Technologies Ltd Improvements in or relating to lighting
KR102108994B1 (ko) * 2013-08-30 2020-05-12 삼성전자주식회사 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛
CN109976025A (zh) * 2013-09-13 2019-07-05 凸版印刷株式会社 波长转换片和背光单元
CN105556349B (zh) * 2013-09-16 2018-03-13 Lg化学株式会社 光散射片、包括该光散射片的电子器件以及制备该光散射片的方法
KR102223504B1 (ko) * 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법
US11746290B2 (en) 2013-09-26 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
US9778510B2 (en) 2013-10-08 2017-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
JP2017501530A (ja) * 2013-10-17 2017-01-12 ナノシス・インク． 発光ダイオード（ｌｅｄ）デバイス
JP2016536637A (ja) * 2013-10-31 2016-11-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ダウンコンバージョンフィルム要素を収容したバックライトシステム
WO2015069640A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 Nanosys, Inc. Backlight unit for display devices adapted to reduce light leakage
WO2015077373A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-28 Qd Vision, Inc. Methods for making optical components, optical components, and products including same
CN105264432B (zh) * 2013-11-20 2018-05-04 华为终端（东莞）有限公司 一种液晶模组及电子设备
JP2015102857A (ja) 2013-11-28 2015-06-04 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
WO2015083813A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 富士フイルム株式会社 光変換部材、偏光板、液晶パネル、バックライトユニット、および液晶表示装置
CN103676315A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种导光板、背光源及液晶显示装置
JP6414075B2 (ja) * 2013-12-09 2018-10-31 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
US9470399B1 (en) * 2013-12-13 2016-10-18 Amazon Technologies, Inc. Light-emitting polymer films, articles containing same, and methods of making
CN105829103B (zh) * 2013-12-20 2018-10-19 3M创新有限公司 边缘侵入得到改善的量子点制品
KR102157244B1 (ko) 2013-12-20 2020-09-18 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환체 및 이를 포함하는 액정표시장치
TW201531775A (zh) * 2013-12-24 2015-08-16 富士軟片股份有限公司 光學片構件及顯示裝置
KR102132220B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 양자점 광학 소자의 제조 방법 및 양자점 광학 소자를 포함한 백라이트 유닛
KR20160105460A (ko) * 2014-01-06 2016-09-06 나노코 테크놀로지스 리미티드 카드뮴이 없는 양자점 나노입자
DE102014100627A1 (de) * 2014-01-21 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
KR101657954B1 (ko) 2014-02-05 2016-09-21 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20150092801A (ko) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
TWI500984B (zh) * 2014-02-11 2015-09-21 Htc Corp 光源模組以及電子裝置
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
CN106103646B (zh) * 2014-03-04 2018-09-18 纳米技术有限公司 用于制造量子点聚合物膜的方法
WO2015138174A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-17 3M Innovative Properties Company Composite nanoparticles including a thiol-substituted silicone
CN103852817B (zh) * 2014-03-14 2016-05-11 宁波激智科技股份有限公司 一种应用于背光模组的量子点膜
KR20150110847A (ko) 2014-03-20 2015-10-05 삼성디스플레이 주식회사 양자점 충진 튜브 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6441956B2 (ja) * 2014-03-26 2018-12-19 ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション 各種ディスプレイにおけるグローバル光補償
US9708532B2 (en) * 2014-03-28 2017-07-18 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot compositions
JP6448618B2 (ja) 2014-03-31 2019-01-09 富士フイルム株式会社 光変換部材及び光変換部材の製造方法並びに光変換部材を含むバックライトユニットおよび液晶表示装置
WO2015151092A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Polarized light source device
JP6330902B2 (ja) * 2014-04-04 2018-05-30 凸版印刷株式会社 波長変換シート及びバックライトユニット
WO2015156227A1 (ja) 2014-04-08 2015-10-15 Ｎｓマテリアルズ株式会社 波長変換部材、成形体、波長変換装置、シート部材、発光装置、導光装置、並びに表示装置
KR20150116986A (ko) 2014-04-08 2015-10-19 삼성디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
DE102014106585A1 (de) * 2014-05-09 2015-11-12 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6243872B2 (ja) * 2014-05-19 2017-12-06 富士フイルム株式会社 量子ドット含有積層体の製造方法、量子ドット含有積層体、バックライトユニット、液晶表示装置および量子ドット含有組成物
JP6326003B2 (ja) 2014-05-19 2018-05-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに量子ドット含有重合性組成物
JP6159351B2 (ja) 2014-05-19 2017-07-05 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに波長変換部材の製造方法
JP6308975B2 (ja) 2014-05-19 2018-04-11 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび液晶表示装置
US9651826B2 (en) 2014-05-19 2017-05-16 Fujifilm Corporation Wavelength conversion member, backlight unit, and liquid crystal display device
JP2016000803A (ja) 2014-05-19 2016-01-07 富士フイルム株式会社 量子ドット含有重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
KR20150134926A (ko) * 2014-05-23 2015-12-02 주식회사 창강화학 양자점 필름, 이를 포함하는 표시장치, 및 양자점 필름의 제조방법
US10642087B2 (en) 2014-05-23 2020-05-05 Eyesafe, Llc Light emission reducing compounds for electronic devices
EP3148712B1 (en) 2014-05-29 2021-08-18 Crystalplex Corporation Dispersion system for quantum dots
US20170075058A1 (en) * 2014-05-30 2017-03-16 Hewlett-Packrd Development Company, L.P. Laminating a quantum dot enhancement film to a light guide plate
JP6277065B2 (ja) 2014-05-30 2018-02-07 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび液晶表示装置
EP3152275B1 (en) 2014-06-03 2019-04-17 3M Innovative Properties Company Particles with quantum dots and method of making the same
US9851497B2 (en) * 2014-06-11 2017-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light mixing chamber for use with color converting material and light guide plate and assembly
CN104049410A (zh) * 2014-06-17 2014-09-17 福州大学 一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法
KR20150145798A (ko) 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 그를 포함하는 표시장치
KR102204953B1 (ko) 2014-06-25 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 형광 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
EP3161553A1 (en) 2014-06-26 2017-05-03 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. Emitting film with improved light-out coupling
WO2015199310A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
EP2960713B1 (en) 2014-06-27 2017-06-28 LG Electronics Inc. Backlight unit and display device having the same
KR101613959B1 (ko) * 2014-06-27 2016-04-20 엘지전자 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
JP2016012047A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
US10167417B2 (en) 2014-07-03 2019-01-01 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with reduced edge ingress and improved color stability
CN105793034A (zh) * 2014-07-18 2016-07-20 凸版印刷株式会社 波长转换片材用保护膜、波长转换片材及背光单元
TWI653143B (zh) * 2014-07-24 2019-03-11 日商凸版印刷股份有限公司 積層薄膜及積層體、以及波長轉換薄片、背光單元及電致發光發光單元
KR102282214B1 (ko) * 2014-08-01 2021-07-26 삼성전자주식회사 가스 배리어성 점착 시트의 점착층용 조성물, 상기 조성물로부터 제조되는 가스 배리어성 점착 시트, 상기 가스 배리어성 점착 시트가 구비된 광학시트
KR20160015948A (ko) 2014-08-01 2016-02-15 삼성전자주식회사 디스플레이 기기
US20170222095A1 (en) * 2014-08-06 2017-08-03 Ns Materials Inc. Resin molded product and manufacturing method thereof, and wavelength conversion member and illumination member
CN106536676B (zh) * 2014-08-14 2019-08-16 株式会社Lg化学 发光膜
JP2016042449A (ja) * 2014-08-19 2016-03-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
EP3633663A1 (en) 2014-08-21 2020-04-08 Dolby Laboratories Licensing Corp. Techniques for dual modulation with light conversion
JP2017526133A (ja) * 2014-08-21 2017-09-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ダウンコンバージョンフィルム要素を内蔵したバックライトシステム
JP5843024B1 (ja) * 2014-08-22 2016-01-13 大日本印刷株式会社 表示装置
KR101510855B1 (ko) 2014-08-22 2015-04-09 삼성전자 주식회사 몰드프레임 및 광학 시트와 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR101569084B1 (ko) 2014-08-26 2015-11-13 삼성전자 주식회사 광발광 적층 복합체 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시 장치
US10502891B2 (en) * 2014-08-28 2019-12-10 Sony Corporation Display device and illumination device
CN104154468B (zh) * 2014-09-01 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组
JP6358548B2 (ja) * 2014-09-01 2018-07-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
KR102181888B1 (ko) 2014-09-03 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102293604B1 (ko) 2014-09-04 2021-08-24 삼성전자주식회사 자발광 액정 표시 장치
KR102224083B1 (ko) 2014-09-12 2021-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2016039079A1 (ja) * 2014-09-12 2016-03-17 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルムおよび機能性積層フィルムの製造方法
WO2016039080A1 (ja) * 2014-09-12 2016-03-17 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルムおよび機能性積層フィルムの製造方法
TWI616687B (zh) * 2014-09-19 2018-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 擴光件及應用該擴光件之發光設備、顯示裝置和電子裝置
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9739926B2 (en) 2014-09-26 2017-08-22 Fujifilm Corporation Laminate film, backlight unit, and liquid crystal display device
JP6117283B2 (ja) * 2014-09-26 2017-04-19 富士フイルム株式会社 積層フィルム、バックライトユニット、液晶表示装置、および、積層フィルムの製造方法
WO2016052625A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
WO2016051760A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
JP6295237B2 (ja) 2014-09-30 2018-03-14 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置および波長変換部材
JP2016072153A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 富士フイルム株式会社 バックライトおよび液晶表示装置
JP6302387B2 (ja) * 2014-09-30 2018-03-28 富士フイルム株式会社 波長変換部材の製造方法、波長変換部材、バックライトユニットおよび液晶表示装置
CN115268141A (zh) * 2014-09-30 2022-11-01 富士胶片株式会社 背光单元、液晶显示装置及波长转换部件
JP6339053B2 (ja) 2014-09-30 2018-06-06 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
KR20160038325A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 색변환용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6560914B2 (ja) * 2014-09-30 2019-08-14 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
JP6117758B2 (ja) 2014-09-30 2017-04-19 富士フイルム株式会社 積層フィルム、バックライトユニット、液晶表示装置、および、積層フィルムの製造方法
KR20160039468A (ko) * 2014-10-01 2016-04-11 엘지전자 주식회사 광학 부재, 백라이트 유닛 및 표시 장치
KR20160042226A (ko) * 2014-10-07 2016-04-19 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
US10571619B2 (en) 2014-10-16 2020-02-25 Toppan Printing Co., Ltd. Quantum dot protective film, quantum dot film using same, and backlight unit
JP5900720B1 (ja) * 2014-10-16 2016-04-06 凸版印刷株式会社 量子ドット保護フィルム、それを用いた量子ドットフィルム及びバックライトユニット
KR20160046067A (ko) 2014-10-17 2016-04-28 도레이케미칼 주식회사 화이트 보정 광학필름 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9513426B2 (en) 2014-10-22 2016-12-06 Industrial Technology Research Institute Light down conversion film and display backlight unit using the same
KR101643052B1 (ko) 2014-11-06 2016-07-27 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
WO2016076219A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
JP2016103461A (ja) * 2014-11-14 2016-06-02 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
EP3219482B1 (en) 2014-11-14 2024-02-07 Toppan Printing Co., Ltd. Optical barrier film, color conversion film, and backlight unit
JP6431749B2 (ja) 2014-11-14 2018-11-28 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルム
JP6305319B2 (ja) 2014-11-14 2018-04-04 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置並びに波長変換部材の製造方法
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
KR102242786B1 (ko) * 2014-11-27 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 표시장치
KR102334395B1 (ko) 2014-12-05 2021-12-01 삼성전자주식회사 배리어 코팅 조성물, 그로부터 제조되는 복합체, 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품
DE102014117983A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen
KR101604339B1 (ko) * 2014-12-09 2016-03-18 엘지전자 주식회사 광 변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
JP6363487B2 (ja) 2014-12-10 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
KR102260013B1 (ko) 2014-12-10 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6464724B2 (ja) * 2014-12-20 2019-02-06 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
JP2016128245A (ja) * 2015-01-10 2016-07-14 三菱樹脂株式会社 電子部材用封止フィルム
JP6634675B2 (ja) * 2014-12-20 2020-01-22 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
KR102138756B1 (ko) * 2014-12-20 2020-07-28 미쯔비시 케미컬 주식회사 전자 부재용 밀봉 필름
TWI560509B (en) * 2014-12-22 2016-12-01 Ind Tech Res Inst Enhanced wavelength converting structure, luminescent film and display backlighting unit
KR20160079375A (ko) 2014-12-26 2016-07-06 도레이케미칼 주식회사 발광색 변환 조성물, 발광색 변환 유닛 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR20160079374A (ko) 2014-12-26 2016-07-06 도레이케미칼 주식회사 고색재현력이 우수한 보상필름
KR102230594B1 (ko) * 2014-12-26 2021-03-22 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. 파장 변환 부재 및 그 제조 방법
KR101621820B1 (ko) * 2014-12-29 2016-05-17 삼성전자 주식회사 광원, 광원을 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
US10551670B2 (en) * 2015-01-05 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display with improved color reproducibility
KR101777596B1 (ko) * 2015-01-06 2017-09-13 코닝정밀소재 주식회사 양자점 복합체 및 이를 포함하는 광전소자
JP6500447B2 (ja) * 2015-01-10 2019-04-17 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
US20160200974A1 (en) * 2015-01-12 2016-07-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Brightness equalized quantum dots
CN105864683A (zh) * 2015-01-22 2016-08-17 青岛海信电器股份有限公司 光源组件、背光模组及显示装置
US20160225962A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Empire Technology Development Llc Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes
JP6628056B2 (ja) * 2015-01-31 2020-01-08 エルジー・ケム・リミテッド 光変換素子及びそれを含むディスプレイ装置
JP6277142B2 (ja) 2015-02-02 2018-02-07 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび量子ドットフィルム
JP6363526B2 (ja) * 2015-02-02 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法
JP6448397B2 (ja) 2015-02-02 2019-01-09 富士フイルム株式会社 蛍光体分散組成物及びそれを用いて得られた蛍光成形体、波長変換膜、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
JP6333749B2 (ja) * 2015-02-02 2018-05-30 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法
JP6550771B2 (ja) * 2015-02-02 2019-07-31 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
JP6247649B2 (ja) 2015-02-02 2017-12-13 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび波長変換フィルム
JP7233165B2 (ja) * 2015-02-04 2023-03-06 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電気光学スイッチング素子およびディスプレイデバイス
EP3053874B1 (en) * 2015-02-04 2017-11-22 LG Electronics Inc. Light conversion member, and backlight unit and display device including the same
WO2016124324A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electronic element and display
JP6309472B2 (ja) * 2015-02-06 2018-04-11 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP6404372B2 (ja) * 2015-02-09 2018-10-10 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置および波長変換部材の製造方法
CN104597654A (zh) * 2015-02-13 2015-05-06 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
US10162220B2 (en) 2015-02-25 2018-12-25 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device, and television device
JP6202023B2 (ja) * 2015-02-26 2017-09-27 大日本印刷株式会社 積層体及び画像表示装置
WO2016140209A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
CN104597557A (zh) * 2015-03-03 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 复合导光板及其制备方法、背光模组、显示装置
JP6250575B2 (ja) 2015-03-06 2017-12-20 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび画像表示装置
CN107429885A (zh) 2015-03-10 2017-12-01 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
CN104698680A (zh) * 2015-03-11 2015-06-10 青岛海信电器股份有限公司 模组和显示设备
KR102061533B1 (ko) 2015-03-13 2020-01-02 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 나노구조 물질 방법 및 장치
CN107407834B (zh) 2015-03-16 2021-02-19 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
EP3070109B1 (en) 2015-03-16 2018-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
WO2016148052A1 (ja) 2015-03-18 2016-09-22 シャープ株式会社 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
CN107407467B (zh) 2015-03-18 2020-03-27 夏普株式会社 照明装置、显示装置和电视接收装置
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
JP6575100B2 (ja) * 2015-03-25 2019-09-18 大日本印刷株式会社 導光部材、面光源装置及び表示装置
JP2016181652A (ja) * 2015-03-25 2016-10-13 日本電気硝子株式会社 波長変換部材、その製造方法及び発光デバイス
JP6351532B2 (ja) * 2015-03-26 2018-07-04 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
CN104696830A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 一种背光模组、显示装置及背光模组的制作方法
CN107430223B (zh) * 2015-03-30 2020-12-04 凸版印刷株式会社 光学膜及其制造方法、以及光学阻隔膜及颜色转换膜
KR20160117083A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 코오롱인더스트리 주식회사 양자점을 포함하는 광학 시트
WO2016158370A1 (ja) 2015-04-01 2016-10-06 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
JP6360966B2 (ja) 2015-04-01 2018-07-18 シャープ株式会社 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
JP6760268B2 (ja) * 2015-04-02 2020-09-23 凸版印刷株式会社 量子ドット保護フィルム並びにこれを用いて得られる波長変換シート及びバックライトユニット
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
CN104848168A (zh) * 2015-04-10 2015-08-19 武汉华星光电技术有限公司 一种量子点膜片的制造方法
WO2016167927A1 (en) 2015-04-16 2016-10-20 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-epoxy matrix
US10984735B2 (en) 2015-04-17 2021-04-20 Nanosys, Inc. White point uniformity in display devices
KR101686736B1 (ko) * 2015-04-17 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
CN104728779B (zh) * 2015-04-21 2018-01-12 张家港康得新光电材料有限公司 发光膜层结构及背光模组
CN104832885A (zh) * 2015-04-24 2015-08-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器、背光模组及其导光板
KR101686737B1 (ko) * 2015-04-30 2016-12-14 엘지전자 주식회사 광 변환 플레이트, 이를 포함하는 발광 다이오드 패키지, 백라이트 유닛 및 표시장치
CN104777670B (zh) * 2015-05-05 2017-12-29 武汉华星光电技术有限公司 量子点膜片和液晶显示器
JP2016212348A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 株式会社 オルタステクノロジー 液晶表示装置
US9890329B2 (en) * 2015-05-14 2018-02-13 National Tsing Hua University Quantum dot nanocrystal structure
KR102538377B1 (ko) 2015-05-20 2023-06-01 도레이 카부시키가이샤 조명 장치 및 표시 장치
KR20160136696A (ko) * 2015-05-20 2016-11-30 삼성에스디아이 주식회사 광학 필름, 이의 제조 방법 및 상기 광학 필름을 포함하는 백라이트 유닛 및 소자
TWI544257B (zh) * 2015-05-25 2016-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 背光模組、導光板結構及顯示裝置
CN106287397A (zh) * 2015-05-25 2017-01-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组、导光板结构及显示装置
WO2016189827A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
KR101993679B1 (ko) * 2015-05-28 2019-06-27 후지필름 가부시키가이샤 양자 도트 함유 조성물, 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 및 액정 표시 장치
JP6419960B2 (ja) 2015-05-29 2018-11-07 富士フイルム株式会社 組成物とポリマー成形用組成物、及びそれを用いて得られた波長変換体、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
KR101970168B1 (ko) 2015-05-29 2019-04-19 후지필름 가부시키가이샤 파장 변환 부재 및 그것을 구비한 백라이트 유닛, 액정 표시 장치
CN106292055A (zh) * 2015-06-09 2017-01-04 瑞仪光电(苏州)有限公司 量子点增强薄膜和背光模块
CN113641038A (zh) * 2015-06-09 2021-11-12 瑞仪光电(苏州)有限公司 背光模块
JP6653622B2 (ja) * 2015-06-10 2020-02-26 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および量子ドット含有重合性組成物
CN104914622B (zh) * 2015-06-10 2018-10-09 青岛海信电器股份有限公司 量子点发光器件和背光模组
TWI635622B (zh) 2015-06-10 2018-09-11 隆達電子股份有限公司 發光結構、燈具及背光模組
KR102367759B1 (ko) * 2015-06-12 2022-02-28 삼성전자주식회사 백 라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN104864318B (zh) * 2015-06-12 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
KR102314061B1 (ko) 2015-06-16 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 광 변환 부재 및 그것을 포함하는 표시 장치
JP6433592B2 (ja) 2015-06-17 2018-12-05 富士フイルム株式会社 積層フィルムおよび積層フィルムの製造方法
KR102016407B1 (ko) 2015-06-18 2019-09-02 후지필름 가부시키가이샤 적층 필름
US20160369975A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 National Tsing Hua University Quantum dot-containing wavelength converter
KR20170000147A (ko) * 2015-06-23 2017-01-02 삼성전자주식회사 디스플레이 어셈블리 및 디스플레이 어셈블리를 이용하는 디스플레이 장치
US9841548B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
KR102294879B1 (ko) * 2015-06-30 2021-08-26 코오롱인더스트리 주식회사 광학시트 제조방법
KR102267595B1 (ko) * 2015-06-30 2021-06-18 코오롱인더스트리 주식회사 휘도 및 색 균일도가 향상된 광학시트
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
JP6672624B2 (ja) * 2015-07-14 2020-03-25 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
JP6550992B2 (ja) * 2015-07-14 2019-07-31 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
KR102459467B1 (ko) 2015-07-17 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP3325571B1 (en) * 2015-07-17 2019-05-01 Merck Patent GmbH Luminescent particle, ink formulation, polymer composition, optical device, fabrication thereof, and use of the luminescent particle
KR102386109B1 (ko) 2015-07-20 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104950518A (zh) * 2015-07-21 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点膜、量子点膜的制备方法及背光模组
KR101689084B1 (ko) * 2015-07-22 2016-12-23 희성전자 주식회사 양자점 시트
KR20170011616A (ko) 2015-07-23 2017-02-02 주식회사 아모그린텍 청색광원용 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6599992B2 (ja) * 2015-07-31 2019-10-30 富士フイルム株式会社 積層フィルム
KR101803523B1 (ko) 2015-08-07 2017-11-30 한국기계연구원 디스플레이에 사용되는 양자점 집합체의 집합 방법
KR20170019019A (ko) 2015-08-10 2017-02-21 삼성디스플레이 주식회사 광학부재의 제조방법
WO2017026375A1 (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 富士フイルム株式会社 積層フィルム
CN105093677B (zh) * 2015-08-11 2019-05-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器及其液晶显示模组
CN107921738A (zh) 2015-08-12 2018-04-17 富士胶片株式会社 层叠膜
JP6527053B2 (ja) 2015-08-28 2019-06-05 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの転写方法
KR20170026936A (ko) 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 도광판 및 이를 포함하는 표시장치
US10156343B2 (en) * 2015-09-03 2018-12-18 Efun Technology Co., Ltd. Optical film and lighting module including the same
TWI705897B (zh) * 2015-09-03 2020-10-01 迎輝科技股份有限公司 光學膜，及含有該光學膜的發光裝置與顯示器
WO2017044597A1 (en) 2015-09-09 2017-03-16 Truskier Jonathan Highly luminescent cadmium-free nanocrystals with blue emission
US9989806B2 (en) * 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR20180054675A (ko) 2015-09-15 2018-05-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 첨가제 안정화된 복합 나노입자
US20180255642A1 (en) * 2015-09-15 2018-09-06 Philips Lighting Holding B.V. Barrier layer delaying oxygen depletion in sealed gas-filled led lamps
US10836960B2 (en) 2015-09-15 2020-11-17 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
KR102449686B1 (ko) * 2015-09-18 2022-09-30 엘지전자 주식회사 광 변환 복합체, 이를 포함하는 광 변환 부재, 표시장치 및 발광소자 패키지및 이의 제조방법
KR102024254B1 (ko) * 2015-09-23 2019-09-23 주식회사 엘지화학 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN108139036B (zh) * 2015-09-24 2020-05-15 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
CN108136726A (zh) * 2015-09-24 2018-06-08 3M创新有限公司 量子点制品的基体
JP6872330B2 (ja) * 2015-09-28 2021-05-19 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いた偏光板のセットおよび液晶表示装置
JP6829969B2 (ja) 2015-09-28 2021-02-17 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いた偏光板のセットおよび液晶表示装置
KR102384407B1 (ko) 2015-10-01 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102504125B1 (ko) * 2015-10-13 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 편광 선택 컬러 필터 및 이를 구비하는 표시 장치
CN105182610A (zh) * 2015-10-19 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
JP6509091B2 (ja) * 2015-10-20 2019-05-08 富士フイルム株式会社 波長変換積層フィルム
US10246634B2 (en) * 2015-10-26 2019-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot having polymeric outer layer, photosensitive compositions including the same, and quantum dot polymer composite pattern produced therefrom
CN105202396A (zh) * 2015-10-27 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制作方法和显示装置
EP3168278B2 (en) 2015-10-28 2022-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
JP2017091866A (ja) 2015-11-12 2017-05-25 キヤノン株式会社 発光装置
WO2017086319A1 (ja) * 2015-11-18 2017-05-26 凸版印刷株式会社 保護フィルム及び波長変換シート
CN105259699B (zh) * 2015-11-27 2018-09-11 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器及其显示方法
JP6948120B2 (ja) * 2015-11-30 2021-10-13 大日本印刷株式会社 積層体の製造方法、積層体、バックライト装置、および表示装置
CN107017325B (zh) 2015-11-30 2020-06-23 隆达电子股份有限公司 量子点复合材料及其制造方法与应用
CN105304028B (zh) * 2015-12-09 2017-12-19 青岛海信电器股份有限公司 一种图像处理方法及液晶显示设备
CN105388666B (zh) * 2015-12-11 2019-01-01 青岛海信电器股份有限公司 背光模组及显示装置
KR20170072381A (ko) 2015-12-16 2017-06-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP6600013B2 (ja) * 2015-12-22 2019-10-30 富士フイルム株式会社 波長変換フィルム
KR102498798B1 (ko) 2015-12-22 2023-02-09 삼성전자주식회사 양자점 및 이를 포함하는 소자
KR20180098308A (ko) * 2015-12-23 2018-09-03 아반타마 아게 발광 구성요소
KR102653473B1 (ko) * 2015-12-29 2024-04-01 삼성전자주식회사 양자점을 포함하는 전자 소자
US9658489B1 (en) * 2015-12-31 2017-05-23 Nanosys, Inc. Backlight units for display devices
WO2017117160A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 3M Innovative Properties Company Article comprising particles with quantum dots
US11015115B2 (en) 2015-12-31 2021-05-25 3M Innovative Properties Company Curable quantum dot compositions and articles
JP6872849B2 (ja) * 2016-01-04 2021-05-19 東レエンジニアリング株式会社 光変換フィルムの製造方法、光変換フィルム製造装置、及び光変換フィルム
CN105449111B (zh) * 2016-01-08 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法
JP6627521B2 (ja) * 2016-01-14 2020-01-08 コニカミノルタ株式会社 機能性フィルムおよびこれを含む量子ドット（ｑｄ）含有積層部材の製造方法
US10066161B2 (en) * 2016-01-19 2018-09-04 Nanosys, Inc. InP quantum dots with GaP and AlP shells and methods of producing the same
KR101746722B1 (ko) * 2016-01-20 2017-06-13 에스케이씨하스디스플레이필름(유) 양자점 시트 및 색순도 향상 필름을 포함하는 액정표시장치
US10655815B2 (en) * 2016-01-22 2020-05-19 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot-based lighting devices for animal husbandry and aquariums
JP2017138538A (ja) 2016-02-05 2017-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105552244B (zh) * 2016-02-17 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN108699433B (zh) 2016-02-17 2020-08-14 3M创新有限公司 具有稳定含氟化合物共聚物的量子点
EP3419927B1 (en) 2016-02-26 2023-11-22 Shoei Chemical Inc. Low cadmium content nanostructure compositions and uses thereof
TWI736583B (zh) 2016-03-02 2021-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 含有量子點之聚合物複合物
US10754081B2 (en) * 2016-03-07 2020-08-25 Current Lighting Solutions, Llc Devices containing a remote phosphor package with red line emitting phosphors and green emitting quantum dots
US10831066B2 (en) * 2016-03-10 2020-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and alignment film
JP6473705B2 (ja) 2016-03-10 2019-02-20 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよび波長変換フィルム
CN106908990A (zh) * 2016-03-16 2017-06-30 宁波长阳科技股份有限公司 一种量子点膜及其制备方法
JP6854675B2 (ja) * 2016-03-18 2021-04-07 日東電工株式会社 波長変換機能を有する粘着テープ
KR20170113746A (ko) 2016-03-24 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI596851B (zh) * 2016-03-24 2017-08-21 國立中央大學 雷射激發之白光照明系統
CN109073800B (zh) * 2016-03-31 2022-09-02 凸版印刷株式会社 阻隔膜及其制造方法、波长转换片及其制造方法、以及光学层叠体及其制造方法
JP6759667B2 (ja) * 2016-03-31 2020-09-23 凸版印刷株式会社 光学積層体及びその製造方法、並びに、波長変換シート及びその製造方法
TWI796290B (zh) 2016-04-12 2023-03-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 聚合物複合物及其製造方法
TWI774664B (zh) * 2016-04-12 2022-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 用於製造經囊封量子點之方法
CN105736983B (zh) * 2016-04-13 2018-10-19 中国计量大学 一种基于电磁调控的可调色量子点led
US11129253B2 (en) * 2016-04-19 2021-09-21 Suntracker Technologies Ltd. Temporally modulated lighting system and method
CA3021763A1 (en) 2016-04-26 2017-11-02 Nanosys, Inc. Stable inp quantum dots with thick shell coating and method of producing the same
JP6844294B2 (ja) * 2016-04-27 2021-03-17 大日本印刷株式会社 光波長変換粒子、光波長変換粒子分散液、光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、画像表示装置、および光波長変換粒子の製造方法
EP3239197B1 (en) * 2016-04-28 2019-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd Layered structures and quantum dot sheets and electronic devices including the same
EP3242333B1 (en) * 2016-05-03 2020-09-09 Nokia Technologies Oy An apparatus and method of forming an apparatus comprising a graphene field effect transistor
US10234723B2 (en) * 2016-05-05 2019-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit including anisotropic semiconductor nanocrystal particles, production method thereof, and electronic device including the same
KR102529150B1 (ko) * 2016-05-11 2023-05-03 삼성전자주식회사 광 변환 장치, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 광원 모듈과 백라이트 유닛
KR20170128729A (ko) 2016-05-13 2017-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017201465A1 (en) 2016-05-19 2017-11-23 Crystalplex Corporation Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them
KR102481314B1 (ko) 2016-05-19 2022-12-23 나노시스, 인크. 고 발광성 나노구조체를 위한 코어/쉘 양자점의 형태를 개선하기 위한 방법
CN105891936B (zh) * 2016-05-20 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 导光元件及其制作方法以及背光模组
TWI806827B (zh) 2016-05-27 2023-07-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 囊封量子點之流變改質劑
CN105867025B (zh) * 2016-06-01 2019-02-01 武汉华星光电技术有限公司 背光模组
JP2019519455A (ja) 2016-06-06 2019-07-11 ナノシス・インク． 高温でコアシェルナノ結晶を合成する方法
KR102520111B1 (ko) 2016-06-08 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 편광 발광판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US9736900B1 (en) * 2016-06-15 2017-08-15 Rockwell Collins, Inc. Quantum dot tunable assemblies and methods
US10319268B2 (en) * 2016-06-24 2019-06-11 Nanosys, Inc. Ambient light color compensating device
KR20190022689A (ko) 2016-06-27 2019-03-06 나노시스, 인크. 나노구조체들의 완충된 코팅을 위한 방법들
US10553648B2 (en) * 2016-06-30 2020-02-04 Innolux Corporation Light-emitting diode display device
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
TWI641645B (zh) 2016-07-08 2018-11-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於囊封量子點之多層聚合物複合物
JP6706982B2 (ja) * 2016-07-11 2020-06-10 富士フイルム株式会社 面状照明装置
KR20190033071A (ko) 2016-07-20 2019-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점을 위한 안정화 스티렌계 중합체
WO2018017513A1 (en) 2016-07-20 2018-01-25 3M Innovative Properties Company Stabilizing styrenic polymer for quantum dots
KR102648944B1 (ko) * 2016-08-12 2024-03-20 도판 홀딩스 가부시키가이샤 형광체 보호 필름, 파장 변환 시트 및 발광 유닛
CN107656330A (zh) * 2016-08-19 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 具有多层结构的量子点光学膜、其制备方法和用途
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US20180073702A1 (en) 2016-09-15 2018-03-15 Nanosys, Inc. Architectural Window with Built-In QLED Lighting
EP3300128B1 (en) * 2016-09-21 2021-03-03 Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. Phosphor arrangement and method
KR20190060900A (ko) 2016-09-26 2019-06-04 히타치가세이가부시끼가이샤 경화성 조성물, 파장 변환재, 백라이트 유닛, 및 화상 표시 장치
JP2019532473A (ja) * 2016-10-12 2019-11-07 カティーバ， インコーポレイテッド 量子ドットおよびそのインクジェット印刷技法を利用するディスプレイデバイス
US10330848B2 (en) 2016-10-14 2019-06-25 Chengfeng Optronics Corporation Light source module
TWI625572B (zh) * 2016-10-14 2018-06-01 晨豐光電股份有限公司 光源模組
US11320577B2 (en) * 2016-10-31 2022-05-03 Nanosys, Inc. Radiation absorbing element for increasing color gamut of quantum dot based display devices
CN106505137B (zh) * 2016-11-01 2018-08-17 厦门世纳芯科技有限公司 一种光学效果优异的量子点增强膜及其制备方法
KR102661442B1 (ko) * 2016-11-02 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI594054B (zh) * 2016-11-04 2017-08-01 友達光電股份有限公司 具量子點的背光模組及其製造方法
CN109937323B (zh) * 2016-11-07 2022-06-24 富士胶片株式会社 含光吸收体膜及背光单元
JP2018081195A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 Ｎｓマテリアルズ株式会社 液晶表示装置
CN106405938B (zh) * 2016-11-18 2019-07-09 厦门天马微电子有限公司 一种液晶背光模组、液晶显示设备
CN106444155A (zh) * 2016-11-29 2017-02-22 天津市中环量子科技有限公司 一种背光模组及液晶显示器
US10790411B2 (en) 2016-12-01 2020-09-29 Nanosys, Inc. Quantum dot LED with spacer particles
KR20180064616A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
WO2018106784A2 (en) 2016-12-07 2018-06-14 Djg Holdings, Llc Preparation of large area signage stack
EP3336158B1 (en) * 2016-12-14 2023-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle
EP3339946B1 (en) * 2016-12-21 2020-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures, production methods thereof, and liquid crystal display including the same
CN106772769A (zh) * 2016-12-31 2017-05-31 惠科股份有限公司 背光模块及其应用的显示设备与导光板的制造方法
CN106597746A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 惠科股份有限公司 背光模块及显示装置
CN108279459B (zh) * 2017-01-05 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及显示装置
US10209129B2 (en) 2017-01-06 2019-02-19 Nanosys, Inc. Optical measurement of thin films
CN108303819B (zh) * 2017-01-12 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置
US10508232B2 (en) 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
US10472563B2 (en) 2017-02-16 2019-11-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods for making improved quantum dot resin formulations
WO2018159623A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 日本化薬株式会社 画像表示装置
JP6841108B2 (ja) * 2017-03-17 2021-03-10 大日本印刷株式会社 光波長変換部材、バックライト装置、および画像表示装置
US10546985B2 (en) 2017-03-28 2020-01-28 Nanosys, Inc. Method for increasing the light output of microLED devices using quantum dots
CN107142100A (zh) * 2017-03-29 2017-09-08 华南理工大学 一种梯度折射率包裹量子点膜片及其制备方法
KR20230153510A (ko) 2017-04-18 2023-11-06 더 유니버서티 오브 시카고 광활성인 무기 리간드-캐핑된 무기 나노결정
CN107167865B (zh) * 2017-05-03 2020-08-25 苏州星烁纳米科技有限公司 侧入式背光模组及液晶显示装置
CN107703676A (zh) * 2017-05-04 2018-02-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种光学膜组件、背光模组及显示设备
CN107121841B (zh) * 2017-05-04 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
CN206848649U (zh) * 2017-05-04 2018-01-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光学膜、背光模组及显示设备
CN206946014U (zh) * 2017-05-04 2018-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种光学膜组件、背光模组及显示设备
CN206848648U (zh) * 2017-05-04 2018-01-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种背光模组和显示设备
US10649129B2 (en) * 2017-05-16 2020-05-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Light guide plate, backlight module and display device
CN207198363U (zh) * 2017-05-16 2018-04-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种导光板、背光模组及显示设备
JP2018198187A (ja) 2017-05-25 2018-12-13 キヤノン株式会社 発光装置および表示装置
WO2018220163A1 (en) * 2017-06-02 2018-12-06 Nexdot Color conversion layer and display apparatus having the same
CN109001936A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 群创光电股份有限公司 光源模块及显示设备
KR102311058B1 (ko) 2017-06-13 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102533078B1 (ko) 2017-06-16 2023-05-16 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107329201A (zh) * 2017-07-03 2017-11-07 深圳Tcl新技术有限公司 侧入式背光模组及显示装置
KR102343413B1 (ko) * 2017-07-19 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107329319A (zh) * 2017-07-21 2017-11-07 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点膜片及其制备方法、背光模组
US10746377B2 (en) * 2017-07-24 2020-08-18 Cyalume Technologies, Inc. Thin laminar material for producing short wave infrared emission
KR102433161B1 (ko) 2017-08-18 2022-08-17 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107526214A (zh) * 2017-08-21 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 荧光粉薄膜组件及其制作方法、背光模组
US10935842B2 (en) 2017-08-25 2021-03-02 Nanosys, Inc. Nanostructure based display devices
US11092850B2 (en) 2017-08-25 2021-08-17 Nanosys, Inc. Using multiple excitation wavelengths in nanostructure based display devices
US11029559B2 (en) 2017-08-25 2021-06-08 Nanosys, Inc. Nanostructure based display devices
KR102433156B1 (ko) 2017-09-08 2022-08-17 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10711188B2 (en) 2017-09-21 2020-07-14 Raytheon Company Process for producing quantum dots having broadened optical emission
GB2566711B (en) * 2017-09-22 2020-08-19 Visteon Global Tech Inc A backlight panel for providing area backlighting of a panel display device
CN107577084B (zh) * 2017-09-29 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 背光设备及其制作方法
CN111183376A (zh) 2017-09-29 2020-05-19 日立化成株式会社 波长转换构件、背光单元、图像显示装置、波长转换用树脂组合物、以及波长转换用树脂固化物
WO2019072938A1 (en) 2017-10-10 2019-04-18 Katholieke Universiteit Leuven PLATE-GUIDE LIGHT
CN117687243A (zh) * 2017-10-17 2024-03-12 科迪华公司 用于显示装置的具有高量子点浓度的油墨组合物
WO2019077752A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 日立化成株式会社 バックライトユニット、画像表示装置及び波長変換部材
KR102459728B1 (ko) 2017-10-20 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TW201923027A (zh) 2017-10-25 2019-06-16 美商納諾西斯有限公司 具有厚外殼塗層的穩定磷化銦量子點及其製備方法
JP6993187B2 (ja) 2017-11-16 2022-01-13 日東電工株式会社 光学部材
KR102150150B1 (ko) * 2017-11-28 2020-08-31 주식회사 엘지화학 색변환 필름, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20190064702A (ko) * 2017-11-30 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102418724B1 (ko) * 2017-12-05 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
US11046885B2 (en) * 2017-12-18 2021-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures and electronic devices including the same
JP6935745B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 色変換層および画像表示装置
WO2019130582A1 (ja) 2017-12-28 2019-07-04 日立化成株式会社 積層体、波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
KR20190083388A (ko) * 2018-01-03 2019-07-12 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102485577B1 (ko) * 2018-01-08 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US20190219874A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
KR102216397B1 (ko) * 2018-01-23 2021-02-16 주식회사 엘지화학 색변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
CN108303824A (zh) * 2018-01-31 2018-07-20 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组以及液晶显示器
TWI677109B (zh) * 2018-02-02 2019-11-11 國立臺灣大學 抬頭顯示器、發光薄膜與其製法
JP7025233B2 (ja) * 2018-02-08 2022-02-24 東レエンジニアリング株式会社 光変換体の製造方法、光変換体の製造装置、および光変換体
US20190265404A1 (en) * 2018-02-24 2019-08-29 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Optical film, backlight module, and display device
JP2019148622A (ja) * 2018-02-26 2019-09-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂粉末、波長変換板、発光装置、及び、樹脂粉末の製造方法
CN108398829B (zh) * 2018-02-27 2021-03-02 惠州市华星光电技术有限公司 基于量子点的背光模组及其制作方法
US20190273178A1 (en) 2018-03-05 2019-09-05 Nanosys, Inc. Decreased Photon Reabsorption in Emissive Quantum Dots
CN111954831B (zh) * 2018-03-07 2024-02-02 凸版印刷株式会社 光学膜、光学阻隔膜以及背光单元
WO2019186729A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
WO2019186726A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
JPWO2019186734A1 (ja) 2018-03-27 2021-05-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、硬化性組成物及び硬化物
JPWO2019186735A1 (ja) 2018-03-27 2021-04-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
WO2019186727A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
KR20190118220A (ko) * 2018-04-09 2019-10-18 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102568654B1 (ko) * 2018-04-10 2023-08-23 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법
US11121339B2 (en) 2018-05-11 2021-09-14 Nanosys, Inc. Quantum dot LED design based on resonant energy transfer
JP7357185B2 (ja) 2018-05-30 2023-10-06 ナノシス・インク． 青色発光ＺｎＳｅ１－ｘＴｅｘ合金ナノ結晶の合成方法
US11054698B2 (en) * 2018-05-31 2021-07-06 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
WO2019235064A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 日東電工株式会社 液晶表示装置
KR102614932B1 (ko) 2018-06-08 2023-12-18 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102567653B1 (ko) * 2018-06-11 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102526548B1 (ko) * 2018-06-12 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102071472B1 (ko) 2018-06-28 2020-01-30 주식회사 엘엠에스 미니 led 또는 마이크로 led 백라이트 유닛용 광학 필름
CN110655922B (zh) 2018-06-29 2024-02-27 昭荣化学工业株式会社 使用In3+盐作为掺杂剂的ZnSe量子点的波长调谐
CN108803126B (zh) * 2018-06-29 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102649006B1 (ko) * 2018-07-06 2024-03-20 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2020023583A1 (en) 2018-07-24 2020-01-30 Nanosys, Inc. Methods of improving efficiency of displays using quantum dots with integrated optical elements
KR102518416B1 (ko) * 2018-07-31 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 저굴절층 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102186061B1 (ko) 2018-08-16 2020-12-03 (주)디씨티 나노 형광체 시트
KR102543576B1 (ko) * 2018-08-31 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US11428988B2 (en) 2018-08-31 2022-08-30 Nanosys, Inc. Increasing color gamut performance and efficiency in quantum dot color conversion layers
CN109164632A (zh) * 2018-08-31 2019-01-08 华南师范大学 一种高色域液晶显示背光模组及其制备方法
US10852468B2 (en) 2018-09-10 2020-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Optical member and display apparatus including the same
KR102187789B1 (ko) * 2018-10-15 2020-12-07 주식회사 소룩스 퀀텀닷 일체형 확산판을 채택한 조명
KR102595085B1 (ko) 2018-10-16 2023-10-27 삼성디스플레이 주식회사 라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200049929A (ko) * 2018-10-29 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102106817B1 (ko) * 2018-10-30 2020-05-14 재단법인대구경북과학기술원 색순도 조절 다층 구조 필터 및 이의 제조 방법
JP6975122B2 (ja) 2018-11-06 2021-12-01 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、ｌｅｄ素子、バックライトユニット及び画像表示装置
KR102602160B1 (ko) 2018-11-07 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법
JP7095853B2 (ja) * 2018-11-12 2022-07-05 エルジー・ケム・リミテッド 色変換フィルム、これを含むバックライトユニット及びディスプレイ装置
US20220186108A1 (en) * 2018-11-12 2022-06-16 Lg Chem, Ltd. Colour conversion film, and back light unit and display device comprising same
US11592701B2 (en) * 2018-11-28 2023-02-28 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US11810532B2 (en) 2018-11-28 2023-11-07 Eyesafe Inc. Systems for monitoring and regulating harmful blue light exposure from digital devices
WO2022177606A1 (en) * 2021-02-17 2022-08-25 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US10955697B2 (en) 2018-11-28 2021-03-23 Eyesafe Inc. Light emission modification
JP7117517B2 (ja) * 2018-12-18 2022-08-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ
KR102599057B1 (ko) 2019-01-03 2023-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20200092523A (ko) 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
EP3898886B1 (en) * 2019-01-24 2024-03-13 Shoei Chemical Inc. Thin shell quantum dots for enhanced blue light absorption
WO2020159530A1 (en) * 2019-02-01 2020-08-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Anti-glare diffusing films for electronic displays
CN113646403A (zh) 2019-02-05 2021-11-12 纳米系统公司 使用熔盐化学合成无机纳米结构的方法
WO2020183618A1 (ja) 2019-03-12 2020-09-17 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び波長変換用樹脂組成物
KR102577764B1 (ko) 2019-03-19 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20200122719A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102652436B1 (ko) 2019-04-18 2024-03-27 삼성전자주식회사 ZnTeSe 기반의 양자점
KR20200122717A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
EP3928361A1 (en) 2019-04-19 2021-12-29 Nanosys, Inc. Flexible electroluminescent devices
WO2020217649A1 (ja) 2019-04-26 2020-10-29 信越化学工業株式会社 量子ドット、波長変換材料、バックライトユニット、画像表示装置及び量子ドットの製造方法
JP2022530624A (ja) * 2019-04-30 2022-06-30 コーニング インコーポレイテッド 量子ドットを有するバックライトユニット
KR20220006087A (ko) 2019-05-08 2022-01-14 나노시스, 인크. 광 추출 효율이 개선된 나노구조체 기반 디스플레이 디바이스들
KR20220007614A (ko) * 2019-05-13 2022-01-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 배리어 필름, 그것을 이용한 파장 변환 시트 및 그것을 이용한 표시 장치
JP2020193249A (ja) 2019-05-27 2020-12-03 信越化学工業株式会社 量子ドット、量子ドット組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、バックライトユニット及び画像表示装置
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
US11262063B2 (en) * 2019-06-05 2022-03-01 Light Source Engineering Llc Horticulture light panel assembly
EP3763801B1 (en) 2019-07-12 2022-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot-containing material, method of preparing the same, and optical member and appapratus including the quantum dot-containing material
FR3099540B1 (fr) * 2019-07-31 2021-07-30 Valeo Vision Dispositif lumineux pour véhicule automobile
TWI712165B (zh) * 2019-08-06 2020-12-01 國立臺灣大學 微發光二極體陣列與其製法
KR20210034995A (ko) 2019-09-23 2021-03-31 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 이에 구비되는 도광판 및 그 제조 방법
CN112680211A (zh) 2019-10-17 2021-04-20 三星电子株式会社 芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件
US11603493B2 (en) 2019-10-17 2023-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same
CN110718618B (zh) * 2019-10-18 2021-01-15 吉林大学 基于量子点的模拟太阳光谱的wled的制造方法以及智能灯泡
KR20210065245A (ko) * 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
CN114746363A (zh) 2019-12-02 2022-07-12 信越化学工业株式会社 量子点、波长转换材料、背光单元、图像显示装置及量子点的制造方法
KR102171204B1 (ko) * 2019-12-30 2020-10-28 엘지전자 주식회사 양자점 복합 필름 및 이를 이용한 백라이트 유닛
WO2021141945A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Nanosys, Inc. Rohs compliant mixed quantum dot films
US11294115B1 (en) * 2020-02-03 2022-04-05 Wah Hong Industrial Corp. Enhanced light diffusion film structure
CN114981691A (zh) 2020-02-13 2022-08-30 东丽株式会社 糊剂、基板、显示器及基板的制造方法
CN113325620A (zh) * 2020-02-28 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种曲面车载显示模组、车载显示装置及车辆
US11487158B2 (en) * 2020-03-25 2022-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit, method of manufacturing the same and display apparatus including the same
JP7352504B2 (ja) 2020-03-30 2023-09-28 信越化学工業株式会社 量子ドットの製造方法
TWI751521B (zh) * 2020-04-08 2022-01-01 國立清華大學 白光量子點二極體元件、背光模組及照明裝置
CN113497192A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 陈学仕 白光量子点二极管元件、背光模块及照明装置
KR20210149963A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
WO2021251448A1 (ja) 2020-06-11 2021-12-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、発光装置および液晶表示装置
JP7427541B2 (ja) 2020-06-15 2024-02-05 信越化学工業株式会社 量子ドットの製造方法
CN111812878B (zh) * 2020-07-06 2022-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种保护膜及其制备方法、显示装置
CN113999558B (zh) 2020-07-28 2022-06-07 台湾扬昕股份有限公司 量子点组合物、色彩转换膜及背光模块
CN112082652B (zh) * 2020-09-14 2021-06-22 大连理工大学 一种多层透明黑磷片堆叠的集成阵列式偏振成像探测器以及相应的偏振信息计算方法
KR20220036681A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TW202224209A (zh) 2020-10-22 2022-06-16 美商納諾西斯有限公司 具有混合傳輸層的電致發光裝置
TW202230848A (zh) 2020-10-22 2022-08-01 美商納諾西斯有限公司 具有有機傳輸層的電致發光裝置
CN112310268A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种新型中温温差电材料的制备方法
KR20220062213A (ko) 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 반도체 나노입자, 이를 포함한 전자 장치 및 상기 반도체 나노입자의 제조 방법
CN112347597B (zh) * 2020-11-13 2024-04-05 西安工程大学 基于改进粒子群算法提升led照明均匀性的方法
CN112162435B (zh) * 2020-11-13 2022-04-08 福州大学 一种侧入式量子点背光模组结构
CN112162436B (zh) * 2020-11-13 2022-04-08 福州大学 一种量子点背光模组结构
CN114578613A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 优美特创新材料股份有限公司 含有荧光粉及量子点的背光模块
US11209697B1 (en) * 2020-11-30 2021-12-28 Unique Materials Co., Ltd. Backlight unit with phosphors and quantum dots
JP7355724B2 (ja) 2020-12-07 2023-10-03 信越化学工業株式会社 量子ドットの表面処理方法及び表面処理装置
EP4063944A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-28 Sony Group Corporation Device for a liquid crystal display and liquid crystal display
KR20220145646A (ko) 2021-04-22 2022-10-31 삼성전자주식회사 표시장치
JP7335520B2 (ja) * 2021-06-21 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置
WO2023287886A1 (en) 2021-07-13 2023-01-19 Nanosys, Inc. Tunable illumination device
CN113703226B (zh) * 2021-09-08 2022-09-27 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院 高亮度、防蓝光量子点光学板及其制备方法和背光模组
WO2023091415A1 (en) * 2021-11-16 2023-05-25 Nanosys, Inc. Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof
JP7464893B2 (ja) 2021-12-09 2024-04-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023141438A1 (en) 2022-01-19 2023-07-27 Nanosys, Inc. Uv-curable quantum dot formulations
US11784805B2 (en) 2022-03-07 2023-10-10 Raytheon Company Ultra high entropy material-based non-reversible spectral signature generation via quantum dots
WO2023183619A1 (en) 2022-03-25 2023-09-28 Nanosys, Inc. Silica composite microparticles comprising nanostructures
WO2023220050A1 (en) 2022-05-09 2023-11-16 Nanosys, Inc. Microled-based display device and method of manufacturing same
CN115308945B (zh) * 2022-08-01 2023-05-30 惠州华星光电显示有限公司 显示装置
US11846837B1 (en) 2022-08-24 2023-12-19 Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. Display device
KR102604931B1 (ko) * 2022-11-30 2023-11-22 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 양자점 소재의 표면 개질 방법 및 이를 활용하는 led조명용 양자점 광학부재

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550406B (en) * 2000-03-15 2003-09-01 Nec Lcd Technologies Ltd Light source unit
TW200419223A (en) * 2003-02-18 2004-10-01 Ran-Hong Raymond Wang Liquid crystal display viewable under all lighting conditions
TW200537714A (en) * 2004-04-06 2005-11-16 Cree Inc Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US20090091689A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Soon-Joon Rho Display device
TW200938913A (en) * 2008-03-13 2009-09-16 Kismart Corp A flat panel display capable of multi-sided viewings and its back light module
TW201036214A (en) * 2008-11-19 2010-10-01 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based light emitting devices and associated materials and methods

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1279813A (en) 1916-07-10 1918-09-24 Rail Joint Co Compromise rail-joint.
US3913872A (en) * 1973-01-18 1975-10-21 Bell & Howell Co Light tunnel for uniformly illuminating an object
US4130343A (en) 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
DE2730142C2 (de) 1977-07-04 1988-01-21 Papst-Motoren GmbH & Co KG, 7742 St Georgen Kollektorloser Gleichstrommotor der zweisträngigen Bauart
JPH0658440B2 (ja) 1987-11-17 1994-08-03 コニカ株式会社 保護層を有する蛍光体パネル
US5496913A (en) 1992-11-02 1996-03-05 Furukawa Electric Co., Ltd Aromatic polycarbonate, a method for producing the same, and a plastic optical waveguide using the same
US5442254A (en) 1993-05-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Fluorescent device with quantum contained particle screen
JPH07248495A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6107105A (en) 1994-05-13 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Amorphous tin films for an integrated capacitor dielectric/bottom plate using high dielectric constant material
US5482890A (en) 1994-10-14 1996-01-09 National Science Council Method of fabricating quantum dot structures
US5667650A (en) 1995-02-14 1997-09-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company High flow gas manifold for high rate, off-axis sputter deposition
US5975711A (en) 1995-06-27 1999-11-02 Lumitex, Inc. Integrated display panel assemblies
GB9609282D0 (en) 1996-05-03 1996-07-10 Cambridge Display Tech Ltd Protective thin oxide layer
AU8130598A (en) 1997-07-14 1999-02-10 Citizen Watch Co. Ltd. Liquid crystal display
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US5990479A (en) 1997-11-25 1999-11-23 Regents Of The University Of California Organo Luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes
EP1057049B1 (en) * 1998-02-18 2008-10-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical film
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6864626B1 (en) 1998-06-03 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals
CA2348641A1 (en) 1998-08-31 2001-04-19 The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Coated cathodoluminescent phosphors
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP3384983B2 (ja) * 1999-08-27 2003-03-10 恵和株式会社 光拡散シート及びこれを用いたバックライトユニット
WO2002021557A1 (en) 2000-09-06 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for oled devices
US6225198B1 (en) 2000-02-04 2001-05-01 The Regents Of The University Of California Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process
CA2401459A1 (en) 2000-03-06 2001-09-13 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Lighting apparatus having quantum dot layer
ATE414289T1 (de) 2000-03-16 2008-11-15 Led Products Inc Verfahren zum entwerfen und zur herstellung von hocheffizienter nichtabbildender optik
DE20008103U1 (de) 2000-05-05 2001-09-13 Coripharm Medizinprodukte Gmbh Aufbereitungs- und Applikationsvorrichtung für aus wenigstens einer pulver- oder granulatförmigen und einer flüssigen Komponente unmittelbar vor Gebrauch zu einer pastösen fließfähigen Masse aufzubereitende Materialien, insbesondere Knochenzement
WO2002029140A1 (en) 2000-10-04 2002-04-11 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Synthesis of colloidal nanocrystals
FR2818439B1 (fr) 2000-12-18 2003-09-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un ilot de matiere confine entre des electrodes, et applications aux transistors
US20020186921A1 (en) 2001-06-06 2002-12-12 Schumacher Lynn C. Multiwavelength optical fiber devices
US6784603B2 (en) 2001-07-20 2004-08-31 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Fluorescent lighting apparatus
ATE556845T1 (de) 2001-07-20 2012-05-15 Life Technologies Corp Lumineszierende nanopartikel und ihre herstellung
US6794265B2 (en) 2001-08-02 2004-09-21 Ultradots, Inc. Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6933537B2 (en) 2001-09-28 2005-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sealing for OLED devices
ITTO20020033A1 (it) 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
US20030148379A1 (en) 2002-02-06 2003-08-07 Roitman Daniel B. Methods for making microbar encoders for bioprobes
JP2003240963A (ja) * 2002-02-21 2003-08-27 Minolta Co Ltd 照明装置及び表示装置
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
JP4323243B2 (ja) * 2002-08-14 2009-09-02 富士フイルム株式会社 放射線像変換パネル
GB0220063D0 (en) 2002-08-29 2002-10-09 Isis Innovation Magnetic particle and process for preparation
CA2497451A1 (en) 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
US6878871B2 (en) 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
AU2003298998A1 (en) 2002-09-05 2004-04-08 Nanosys, Inc. Oriented nanostructures and methods of preparing
US7572393B2 (en) 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
JP5138145B2 (ja) 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004239713A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Konica Minolta Holdings Inc 放射線画像変換パネル
EP1441019A1 (en) 2002-12-25 2004-07-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Radiographic image conversion panel
WO2005022120A2 (en) 2003-03-11 2005-03-10 Nanosys, Inc. Process for producing nanocrystals and nanocrystals produced thereby
WO2004105201A2 (en) 2003-05-21 2004-12-02 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Semiconductor nanocrystal-based optical devices and method of preparing such devices
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP1704596A2 (en) 2003-09-05 2006-09-27 Dot Metrics Technology, Inc. Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture
KR100796122B1 (ko) 2003-09-09 2008-01-21 삼성전자주식회사 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상
CN1886844B (zh) 2003-12-02 2010-06-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
WO2005067485A2 (en) 2003-12-12 2005-07-28 Quantum Dot Corporation Preparation of stable, bright luminescent nanoparticles having compositionally engineered properties
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7374807B2 (en) 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
US7267865B2 (en) 2004-02-20 2007-09-11 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Draw resonant resistant multilayer films
KR100652057B1 (ko) 2004-04-02 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이를 이용한 리페어 방법
US7572490B2 (en) 2004-04-27 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Brightness enhancement film for liquid crystal display and manufacturing method thereof
US7653008B2 (en) 2004-05-21 2010-01-26 Bea Systems, Inc. Dynamically configurable service oriented architecture
US7997771B2 (en) * 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
US7968273B2 (en) 2004-06-08 2011-06-28 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
TW201341440A (zh) 2004-06-08 2013-10-16 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
US8563133B2 (en) 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
WO2005122235A2 (en) 2004-06-08 2005-12-22 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US8088483B1 (en) 2004-06-08 2012-01-03 Nanosys, Inc. Process for group 10 metal nanostructure synthesis and compositions made using same
US8324640B2 (en) 2004-07-02 2012-12-04 GE Lighting Solutions, LLC LED-based edge lit illumination system
US20070121227A1 (en) 2004-07-02 2007-05-31 Efun Technology Co., Ltd. Brightness enhancement film having curved prism units and light scattering particles
US7055381B2 (en) * 2004-07-08 2006-06-06 The Goodyear Tire & Rubber Company Method of testing tires for durability
US7229690B2 (en) 2004-07-26 2007-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Microspheres including nanoparticles
JP2006073202A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US7278775B2 (en) * 2004-09-09 2007-10-09 Fusion Optix Inc. Enhanced LCD backlight
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP4815781B2 (ja) 2004-10-20 2011-11-16 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置及びバックライト装置
US7901102B2 (en) 2004-10-22 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display apparatus employing the same
WO2006055872A2 (en) 2004-11-17 2006-05-26 Fusion Optix, Inc. Enhanced light fixture
US7481562B2 (en) 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
EP1819508A1 (en) * 2004-11-19 2007-08-22 Akzo Nobel N.V. Method for preparing flexible mechanically compensated transparent layered material
KR100735148B1 (ko) * 2004-11-22 2007-07-03 (주)케이디티 백라이트 장치용 광 여기 확산시트, 이를 이용한액정표시용 백라이트 장치
JP4923477B2 (ja) 2004-11-24 2012-04-25 株式会社豊田中央研究所 量子ドットアレイ及びその製造方法、並びに量子ドットアレイ素子及びその製造方法
JP4462081B2 (ja) 2005-03-18 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP2006291064A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Instruments Inc 蛍光体フィルム、照明装置、及び、これを有する表示装置
JP4469307B2 (ja) * 2005-05-31 2010-05-26 セイコーインスツル株式会社 表示装置
US20060268537A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Makoto Kurihara Phosphor film, lighting device using the same, and display device
JP4579065B2 (ja) 2005-06-23 2010-11-10 セイコーインスツル株式会社 照明装置、及びこれを備える表示装置
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US20080206589A1 (en) 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
KR20070035341A (ko) 2005-09-27 2007-03-30 삼성전자주식회사 간극을 채운 반도체 나노결정층을 함유하는 발광소자 및 그제조방법
EP1790977A1 (en) 2005-11-23 2007-05-30 SONY DEUTSCHLAND GmbH Nanoparticle/nanofiber based chemical sensor, arrays of such sensors, uses and method of fabrication thereof, and method of detecting an analyte
JP4771837B2 (ja) 2005-11-28 2011-09-14 京セラ株式会社 波長変換器および発光装置
KR101304635B1 (ko) 2006-01-09 2013-09-05 삼성전자주식회사 무기물 발광 다이오드 및 그의 제조방법
JP2007206569A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Daicel Chem Ind Ltd 光学シート
KR100754396B1 (ko) 2006-02-16 2007-08-31 삼성전자주식회사 양자점 발광소자 및 그 제조방법
US20080038558A1 (en) 2006-04-05 2008-02-14 Evident Technologies, Inc. I-iii-vi semiconductor nanocrystals, i-iii-vi water stable semiconductor nanocrystals, and methods of making same
US7714322B2 (en) 2006-04-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Nanoparticle positioning technique
US20080173886A1 (en) 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
US20070267972A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Menegus Harry E Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device
US20080012001A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Evident Technologies Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
US8120239B2 (en) 2006-08-16 2012-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Infrared display with luminescent quantum dots
US7969085B2 (en) 2006-08-18 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color-change material layer
US20080191604A1 (en) 2006-09-27 2008-08-14 Evident Technologies Retro-emission systems comprising microlens arrays and luminescent emitters
GB2442505A (en) 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
US7888700B2 (en) 2007-03-08 2011-02-15 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting device
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100155749A1 (en) 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
JP2010528118A (ja) 2007-03-19 2010-08-19 ナノシス・インコーポレイテッド ナノ結晶を被包するための方法
KR100745317B1 (ko) * 2007-03-28 2007-08-01 삼성전자주식회사 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상
US7705596B2 (en) * 2007-05-18 2010-04-27 The Trustees Of The University Of Pennsylvania System and method for minimizing MRI-imaging artifacts
KR101464795B1 (ko) 2007-05-20 2014-11-27 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광 재순환 중공 공동형 디스플레이 백라이트
EP2168004A2 (en) 2007-06-22 2010-03-31 3M Innovative Properties Company Systems and methods for controlling backlight output characteristics
US7854215B2 (en) * 2007-06-28 2010-12-21 Gm Global Technology Operations, Inc. Valve train with overload features
WO2009011922A1 (en) 2007-07-18 2009-01-22 Qd Vision, Inc. Quantum dot-based light sheets useful for solid-state lighting
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
JP2009036804A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ欠陥の修正方法及びカラーフィルタ基板
JP5176471B2 (ja) * 2007-10-16 2013-04-03 マックス株式会社 タイムレコーダシステム、タイムレコーダおよび打刻承認方法
JP2009157276A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
WO2009098857A1 (ja) 2008-02-06 2009-08-13 Fujikura Ltd. 色素増感太陽電池
JP2009231273A (ja) 2008-02-27 2009-10-08 Seiko Instruments Inc 照明装置及びこれを備える表示装置
US8916890B2 (en) 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5418762B2 (ja) 2008-04-25 2014-02-19 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
WO2009137053A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US8021008B2 (en) 2008-05-27 2011-09-20 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using quantum dots in a liquid
CN101609863B (zh) 2008-06-16 2013-01-02 启萌科技有限公司 荧光膜
KR20100013453A (ko) 2008-07-31 2010-02-10 (주)케이디티 프리즘 기능을 가진 광여기 프리즘 시트
TWI389147B (zh) * 2008-08-04 2013-03-11 Delta Electronics Inc 導電繞組及應用該導電繞組之磁性元件
KR100982991B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
KR100982992B1 (ko) 2008-09-08 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환시트, 및 양자점 파장변환시트를 포함하는 발광장치
KR101577300B1 (ko) 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
WO2010056240A1 (en) 2008-11-13 2010-05-20 Hcf Partners, L.P. Cross-linked quantum dots and methods for producing and using the same
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
CN102257599A (zh) 2008-12-30 2011-11-23 纳米系统公司 用于包封纳米晶体的方法及所得的复合物
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101584663B1 (ko) 2009-02-17 2016-01-13 삼성전자주식회사 양자 점을 이용한 고분자 분산형 액정 디스플레이 장치
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
CN102656233B (zh) 2009-05-01 2015-04-29 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
CN101707223B (zh) 2009-10-29 2011-07-20 中山大学 光谱下转移彩色电池组件
JP4949525B2 (ja) 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
US20120113671A1 (en) 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
TWI540349B (zh) 2014-05-29 2016-07-01 Radiant Opto Electronics Corp Backlight module
KR101572165B1 (ko) 2014-12-09 2015-11-26 삼성전자 주식회사 디스플레이 장치 및 이에 포함되는 백 라이트 유닛

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550406B (en) * 2000-03-15 2003-09-01 Nec Lcd Technologies Ltd Light source unit
TW200419223A (en) * 2003-02-18 2004-10-01 Ran-Hong Raymond Wang Liquid crystal display viewable under all lighting conditions
TW200537714A (en) * 2004-04-06 2005-11-16 Cree Inc Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US20090091689A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Soon-Joon Rho Display device
TW200938913A (en) * 2008-03-13 2009-09-16 Kismart Corp A flat panel display capable of multi-sided viewings and its back light module
TW201036214A (en) * 2008-11-19 2010-10-01 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based light emitting devices and associated materials and methods

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10564475B2 (en) 2017-10-31 2020-02-18 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same
TWI694279B (zh) * 2017-10-31 2020-05-21 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 背光單元以及包含其之液晶顯示裝置
US10768480B2 (en) 2017-10-31 2020-09-08 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US10775670B2 (en) 2017-10-31 2020-09-15 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP3839335A1 (en) 2021-06-23
JP5940079B2 (ja) 2016-06-29
EP3540300A1 (en) 2019-09-18
US11396158B2 (en) 2022-07-26
KR102496406B1 (ko) 2023-02-06
US20210347146A1 (en) 2021-11-11
KR20130120486A (ko) 2013-11-04
WO2012064562A1 (en) 2012-05-18
US20200249388A1 (en) 2020-08-06
KR102098682B1 (ko) 2020-05-22
CN103228983A (zh) 2013-07-31
US10302845B2 (en) 2019-05-28
JP2013544018A (ja) 2013-12-09
EP3540300B1 (en) 2024-05-08
US9804319B2 (en) 2017-10-31
KR20200039806A (ko) 2020-04-16
US10899105B2 (en) 2021-01-26
US20160349428A1 (en) 2016-12-01
KR102381463B1 (ko) 2022-04-01
KR20210037000A (ko) 2021-04-05
US10551553B2 (en) 2020-02-04
EP2638321A4 (en) 2014-05-07
EP2638321A1 (en) 2013-09-18
US20160363713A1 (en) 2016-12-15
US9199842B2 (en) 2015-12-01
US20150300600A1 (en) 2015-10-22
US10444423B2 (en) 2019-10-15
US20190391319A1 (en) 2019-12-26
US20120113672A1 (en) 2012-05-10
KR20220045061A (ko) 2022-04-12
CN104932051A (zh) 2015-09-23
TW201234646A (en) 2012-08-16
EP2638321B1 (en) 2019-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI574430B (zh) 量子點薄膜、照明器件及照明方法
US11420412B2 (en) Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US10509263B2 (en) Backlight units for display devices
AU2017350734B2 (en) Backlight unit for a display device
KR20170139061A (ko) 디스플레이 디바이스들에서의 백색 포인트 균일성