CN104932051A - 量子点薄膜、照明器件及照明方法 - Google Patents

量子点薄膜、照明器件及照明方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104932051A
CN104932051A CN201510353134.6A CN201510353134A CN104932051A CN 104932051 A CN104932051 A CN 104932051A CN 201510353134 A CN201510353134 A CN 201510353134A CN 104932051 A CN104932051 A CN 104932051A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
film
lgp
phosphor material
blu
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510353134.6A
Other languages
English (en)
Inventor
R·S·杜博劳
W·P·弗里曼
E·李
P·弗鲁塔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanosys Inc
Original Assignee
Nanosys Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46019494&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN104932051(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nanosys Inc filed Critical Nanosys Inc
Publication of CN104932051A publication Critical patent/CN104932051A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0055—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0058—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide
    • G02B6/0061—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide to provide homogeneous light output intensity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0068—Arrangements of plural sources, e.g. multi-colour light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133524—Light-guides, e.g. fibre-optic bundles, louvered or jalousie light-guides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133611—Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2313/00—Elements other than metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2551/00—Optical elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Abstract

本公开涉及量子点薄膜、照明器件及照明方法。本发明提供发光量子点薄膜、量子点照明器件以及基于量子点的背光单元。本发明也描述相关组合物、组件及方法。本发明提供改良的量子点囊封及基体材料。本发明描述具有保护障壁的量子点薄膜。本发明也包括高效率、高亮度及高色纯度且基于量子点的照明器件，以及用于改良基于量子点的照明器件的效率及光学特性的方法。

Description

量子点薄膜、照明器件及照明方法
本申请是申请日为2011年11月2日、申请号为201180057057.X、发明名称为“量子点薄膜、照明器件及照明方法”的中国发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年11月10日提交的美国临时申请号61/412,004的权益，该申请以引用的方式全部并入本文。
技术领域
本发明关于量子点(QD)磷光体薄膜、QD照明器件及相关方法。
背景技术
常规照明器件具有有限的光颜色特性及较差的照明效率。需要展现高色纯度、高效率及改良的光颜色特性且具成本效益的照明方法及器件。
发明内容
本发明涉及高效、色纯且颜色可调谐的量子点(QD)照明方法及器件。本发明进一步涉及量子点薄膜(QD薄膜)以及相关照明方法和器件。该照明器件包括用于电子器件的照明显示器。在某些实施方案中，本发明涉及用于诸如液晶显示器(LCD)、电视机、计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、游戏器件、电子阅读器件、数字相机及类似器件的显示器件的背光单元(BLU)。本发明的QD薄膜可用于任何适当用途，包括BLU、向下式照明、室内或室外照明、舞台照明、装饰照明、重点照明、博物馆照明、用于园艺、生物及其他用途的高度特定波长照明；以及本领域普通技术人员在研究本文所述的本发明后将显而易知的额外照明应用。
本发明也包括适用于光电应用的量子点降频转换层或薄膜。本发明的QD薄膜可将部分日光转换为可由太阳能电池的活性层吸收的较低能量的光，其中在无量子点薄膜的降频转换下所转换的波长的光无法被该活性层吸收并且转换为电。因此，采用本发明的QD薄膜的太阳能电池可具有增加的太阳能转换效率。
本发明包括一种用作光源、滤光器和/或一次光降频转换器的QD薄膜。在某些实施方案中，QD薄膜为一次光源，其中该QD薄膜为包括在电刺激后发射光子的电致发光QD的电致发光薄膜。在某些实施方案中，QD薄膜为滤光器，其中该QD吸收具有某一波长或波长范围的光。该QD薄膜滤光器可允许通过某些波长或波长范围，同时吸收或过滤其他波长。在某些实施方案中，QD薄膜为降频转换器，由此该QD薄膜中的QD吸收来自一次光源的一次光的至少一部分并且将其重新发射为具有比该一次光更低的能量或更长的波长的二次光。在优选实施方案中，QD薄膜为滤光器与一次光降频转换器二者，由此该一次光的第一部分获允许在未被该QD薄膜中的QD吸收的情况下通过该QD薄膜，且该一次光的至少第二部分被该QD吸收并且降频转换为具有比该一次光更低的能量或更长的波长的二次光。
在一个实施方案中，本发明提供量子点(QD)薄膜背光单元(BLU)。该QD BLU适当包括发蓝光二极管(LED)及QD薄膜，该QD薄膜适当包括QD磷光体材料薄膜或层，该QD磷光体材料薄膜或层布置于该QD磷光体材料层的顶侧及底侧的各者上的障壁层之间。适当地，该LED耦合至光导面板(LGP)，且该QD薄膜布置于该LGP与液晶显示器(LCD)面板的光学薄膜之间。将QD薄膜布置于LGP与LCD的光学薄膜之间允许有效再循环蓝光且允许相对于QD的蓝光的增加的光学路径长度，藉此允许大幅减少达成QD照明器件中的足够亮度所需的QD浓度。
适当障壁层包括塑料或玻璃板。适当地，发光QD在将来自蓝色LED的一次蓝光降频转换成由QD发射的二次光后发射绿光及红光。在优选实施方案中，BLU为发白光型BLU。优选实施方案包括发射二次红光的第一群体的QD及发射二次绿光的第二群体的量子点，最优选其中发红光QD群体及发绿光QD群体由一次蓝光激发以提供白光。适当实施方案进一步包括在激发后发射二次蓝光的第三群体的量子点。可控制红光、绿光及蓝光的各自部分以达成由该器件所发射的白光的所期望的白点。用于在BLU器件中使用的示例性QD包括CdSe或ZnS。适当QD包括核/壳发光纳米晶体，该核/壳发光纳米晶体包括CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS。在示例性实施方案中，发光纳米晶体包括外部配体涂层且分散于聚合基体中。本发明也提供包括QD BLU的显示系统。
适当地，围绕QD的聚合基体是包括至少两种材料的不连续、复合基体。适当地，第一基体材料包括氨基聚苯乙烯(APS)，且第二基体材料包括环氧树脂。更适当地，该第一基体材料包括聚乙烯亚胺或改性聚乙烯亚胺(PEI)，且该第二基体材料包括环氧树脂。用于制备QD磷光体材料的适当方法包括将多个发光纳米晶体分散于第一聚合材料中以形成发光纳米晶体与第一聚合材料的混合物。固化该混合物，并且从该固化混合物中产生微粒。适当地，在固化之前将交联剂添加至该混合物。在示例性实施方案中，通过碾磨固化混合物来产生微粒。将该微粒分散于第二聚合材料中以产生复合基体，且将该材料形成为薄膜并且是固化的。用于制备QD磷光体材料的其他适当方法包括将多个发光纳米晶体分散于第一聚合材料中以形成发光纳米晶体与该第一聚合材料的混合物，添加第二材料，将该混合物形成为薄膜，并且接着固化该薄膜。
在进一步实施方案中，本发明提供具有散射特征件的QD BLU，该散射特征件促进来自一次光源(优选蓝色LED)的一次光的散射且增加该一次光相对于QD薄膜中的QD的光学路径长度，藉此增加该QD BLU的效率且降低系统中的QD的数量。适当散射特征件包括QD薄膜中的散射珠粒、主体基体中的散射域，和/或障壁层或LGP上所形成的特征件。
本发明提供新颖的QD磷光体材料、QD薄膜以及相关照明方法及器件。另外，本发明的QD远程磷光体基于用于新颖性控制QD激发及用来激发QD磷光体材料中的QD的一次光的机构而在QD磷光体技术上有所突破。
将在随后描述中提出本发明的额外特征及优点，且在参阅该描述后将部分地显而易知或可通过实践本发明而学习该额外特征及优点。本发明的优点将由该结构实现且获得并且在书面描述及其权利要求以及附图中专门予以指出。
应理解上述一般描述及以下详细描述二者皆为示例性及说明性的并且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图绘示本发明且连同描述一起进一步用来解释本发明的原理且用来使本领域普通技术人员能够制作并且使用本发明，该附图并入本文中且形成本说明书的一部分。
图1展示QD吸收及发射特性的可调性。
图2展示常规的固态白光(SSWL)器件与基于QD的固态白光器件的光颜色分量的比较。
图3展示QD BLU、常规BLU及NTSC标准的CIE图及色域。
图4A至图4D展示先前技术Quantum Rail TM远程磷光体封装。
图5展示常规液晶显示器(LCD)堆栈。
图6A至图6C展示根据本发明的实施方案的QD薄膜BLU及光再循环机构。
图7A至图7C展示用于本发明的QD照明器件的各种一次光源配置。
图8绘示根据本发明的QD中的一次光吸收及二次光发射。
图9展示根据本发明的经配体涂布的QD。
图10展示根据本发明的包括嵌入于基体中的QD的QD磷光体材料。
图11A至图11B展示本发明的配体及QD薄膜形成方法。
图12A至图12B展示根据本发明的QD磷光体材料。
图13A至图13B绘示根据本发明的光学特征件及机构。
图14A至图14C绘示根据本发明的某些实施方案的障壁薄膜及材料。
图15A至图15I绘示根据本发明的各种示例性障壁及障壁特征件。
图16A至图16D绘示根据本发明的各种示例性光学增强特征件。
图17A至图17B展示根据本发明的实施方案的本发明的QD磷光体材料及QD磷光体材料惰性区。
图18A至图18C、图19A-图19D及图20A-图20D绘示根据本发明的某些实施方案的QD磷光体材料、障壁及密封件。
图21A至图21E及图22A-图22K绘示根据本发明的某些实施方案的各种光导特征件。
图23A至图23H、图24A至图24H、图25A至图25I及图26A至图26G绘示根据本发明的某些实施方案的QD及散射特征件的各种空间配置。
图27A至图27C绘示散射特征件及用于本发明的散射特征件的机构。
图28A至图28F、图29A-图29C、图30A-图30C及图31A-图31C绘示根据本发明的某些实施方案的各种LGP及障壁配置以及QD与散射特征件的空间配置。
图32及图33A至图33C展示根据本发明的某些方法及器件的调色及白点产生。
图34至图35展示根据本发明的QD薄膜形成方法。
图36A至图36C展示可用来产生PEI配体的示例性单环氧改性剂。图36A展示1,2-环氧-3-苯氧基丙烷，图36B展示1,2-环氧十二烷，且图36C展示缩水甘油基4-壬基苯基醚。
图37绘示本发明的配体形成方法。
图38A及图38B展示根据本发明的QD磷光体材料。
图39A至图39C展示包括根据本发明的实施方案的QD薄膜的电致发光背光器件。
现将参考附图描述本发明。在该图式中，相同参考数字指示相同或功能上类似的组件。
具体实施方式
本发明提供用于照明应用的QD照明器件及QD薄膜。应明白本文所展示且描述的特定实施方案为本发明的实例且无意以任何方式另外限制本发明的范畴。实际上，为了简短起见，本文可能未详细描述常规电子装置、制造、半导体器件，以及量子点、纳米晶体、纳米线体、纳米棒、纳米管及纳米带技术及系统(及该系统的个别操作组件的组件)的其他功能方面。
色纯度及可调谐性
光颜色发射的控制在包括向下式照明及显示的许多照明应用中扮演着重要角色。为需要尤其在诸如远程磷光体固态白色照明(SSWL)的具能量效率、混合色的照明应用中允许精确色点控制及可调谐性的方法及器件。本发明通过提供在混合色照明应用中触发个别光颜色分量的新颖机构而解决此问题。可由本发明完成的精确性及控制的水平仍有待常规技术达成。尤其在SSWL照明领域中，常规照明方法及器件缺乏提供高纯度白光的能力，尤其是也高度可调谐以展现用于不同照明应用及显示器件的不同白点的高纯度白光。常规照明依赖于守旧的过滤技术来滤出非期望的光能量而非解决问题的根源-光源。例如，常规LCD BLU技术遭受不可控制的发射波长及必须由LCD彩色滤光器滤出的宽光谱宽度，此导致浪费的光能量、低效率及高操作温度。
本发明基于新颖QD磷光体材料、QD薄膜及对应照明方法及器件提供光的高色纯度及可调谐性。另外，本发明的QD远程磷光体基于用于新颖性控制用来激发本发明的QD磷光体材料中的QD的一次光的机构而在QD磷光体技术上有所突破。本发明包括新颖实施方案，其中一次光经操纵以控制颜色及亮度，并且增加一次光的吸收及QD对二次光的随后发射。
在某些实施方案中，本发明提供一种用于显示应用的背光单元(BLU)。本发明的BLU包括作为磷光体材料的发射可调谐式量子点(QD)，诸如大小可调谐的QD。使用一次光源激发QD，BLU可产生由具有均匀大小分布的一个群体的QD发射且具有纯、饱和的颜色的光，或者由大小不同的量子点的掺合物发射且混合不同颜色的光。具有此QD大小可调谐性下，利用具有精确界定的白点的QD BLU而获得唯一的光谱工程设计。如下文更详细论述，QD BLU的白点通过调谐包括发射BLU的光颜色分量的多个QD群体的大小分布的QD特性来调整。
与传统显示磷光体相比较，本发明的QD BLU的QD磷光体展现极高的光谱纯度、色饱和度、颜色分辨率及色域。如图1所展示，QD展现取决于QD大小的精确发射特性，该QD大小可经准确调谐以提供不依赖于激发条件的恒定发射特性。发射光谱由单高斯峰值(Gaussian peak)界定，该高斯峰值由带边缘发光产生。由于量子局限效应的直接结果，发射峰值位置由核粒子大小来判定。例如，如图1所展示，通过在2nm至15nm(100及102)的范围内调整粒径所展示，可在整个可见光谱上精确调谐发射。图1表示增加大小(从2nm至15nm)的纳米晶体的吸收峰值及发射峰值。初始峰值(较低波长)指示吸收波长且后续峰值(较高波长)指示发射波长(以纳米计)。随着增加纳米晶体的大小，吸收峰值波长及发射峰值波长从约450nm偏移至约700nm，并且可在该范围上调谐。在图1上的垂直阴影条指示在蓝色104、绿色106及红色108范围中的可见光波长。个别颜色分量的QD大小及窄光谱宽度的可调谐性允许独立于一次光源波长使用多个不同QD群体而达成精确白点或其他混合色。
常规LCD背光展现有限的颜色属性。例如，如图2可见，该图展示常规无机磷光体背光(蓝色LED+YAG磷光体)的强度对颜色的光谱标绘图，来自YAG磷光体的黄光202为宽光谱、低强度的黄光。此无法调谐、较差质量的黄光的结果为浪费的光能量及比NTSC标准颜色准确度低10％。相反，根据本发明的一个实例实施方案，来自图2所展示的发绿光QD磷光体及发红光QD磷光体的发射(绿峰值204及红峰值206)展现高纯度、高强度且完全可调谐的光。此导致较高的能量效率及大于100％NTSC颜色准确度。本发明的QD BLU可经调谐以精确准确度达成任何目标白点。窄发射不仅防止人眼可见光谱的边缘处的光子浪费，其也允许优异地优化显色指数及功率转换效率。
如图3所展示的标准国际照明委员会(Commission Internationalede l’Eclairage，CIE)图表中可见，该图绘示本发明的示例性QD BLU实施方案的色域302，本发明的QDBLU提供对诸如YAG 304的常规BLU磷光体上的色域的改良。如由较大QD BLU色域三角形302所绘示，个别红色、绿色及蓝色(RGB)分量的高色纯度扩展潜在颜色的数组。个别红光分量306、绿光分量308及蓝光分量310的纯度明显允许更纯的三色白光。
颜色过滤由于其发展已在LCD技术中成为一个棘手问题。常规BLU磷光体的宽谱发射需要彻底的颜色过滤以消除非期望的发射且提供红光、绿光及蓝光的纯色分量。常规LCD彩色滤光器主要依赖于各种染料、颜料及金属氧化物来吸收由常规BLU磷光体所产生的非期望波长的光。这些吸收性材料由于严重的光降解而遭受短寿命，且在不同各自颜色的不同彩色滤光器之间遭受寿命不一致，该寿命不一致造成不同显示颜色分量随时间以不同速率变化。吸收性材料的此劣化不利影响发射颜色、个别颜色分量的纯度、显示器的白点、亮度及显示器寿命。大量资源已专用于研究及发展用于LCD的彩色滤光器，但仍难以找到或生产用于常规LCD BLU且具有适当吸收率及透射率的经济实惠、高质量的彩色滤光器。
本发明的QD BLU提供LCD彩色滤光器技术中的颜色过滤问题的长期需要的解决方案。与常规LCD BLU不同，本发明的QD BLU可经高度调适用于现有LCD彩色滤光器，且可经准确调谐而与不同显示器件的各种不同LCD彩色滤光器相容。运用本发明的QD BLU，可基于可用性、质量、成本、层厚度等选定现有LCD彩色滤光器，而非将其调节成与常规BLU发射特性兼容。可将QD BLU磷光体的个别光颜色分量精确调节成在极特定波长的光及与所选择的彩色滤光器兼容的极窄光谱宽度下发射。在此类窄光谱宽度及发射可调谐性下，本发明的额外优点为显示器彩色滤光器的改良的寿命。QD磷光体的窄光谱发射需要吸收性彩色滤光器材料的较少吸收，此导致彩色滤光器的较少劣化及增加的寿命。
如图1可见，可将本发明的QD磷光体材料的发射光谱调谐成配合用于不同照明器件的多种彩色滤光器。在从个别光颜色分量过滤较少光的情况下，滤光器材料与诸如YAG的传统BLU来源相比吸收更少的光能量。
亮度及效率
能量效率为消费者电子装置领域中的关键特征，且显示器消耗大部分器件功率。显示器功率消耗尤其在大显示器应用中大幅影响电子显示器件的许多特征，包括行动显示应用上的电池需求，以及器件操作温度及面板寿命。在常规显示器件中，由器件所消耗的大量能量专用于显示器，尤其是显示器BLU。本发明的QD BLU展现显示器BLU中的突破性效率改良。
本发明的QD BLU由于有效使用一次光而对常规BLU提供改良的效率，此导致减小浪费的光能量。常规BLU磷光体展现宽发射光谱，因此由彩色滤光器(例如，LCD彩色滤光器)滤出所产生的大量光以产生较锐利的颜色分量(例如，RGB)。此宽光谱过滤导致浪费的光能量、减少的亮度及较高的显示器操作温度。运用本发明的QD BLU及大小经调谐的量子点的窄带宽发射，由磷光体材料所产生的最少光经由颜色过滤而被浪费。与常规磷光体材料相比较，本发明的QD磷光体需要大幅减小的光过滤。如上文参考图2所阐述，QD磷光体材料的窄发射光谱导致更多光透过彩色滤光器发射而非滤出，且因此导致增加的亮度及效率。本发明的QD BLU的增加的色纯度及照明效率呈现总显示器亮度的能量有效性的增加。
已进行量子点磷光体的一些发展，例如，如美国专利第7,374,807号、美国专利第7,645,397号、美国专利第6,501,091号、美国专利第6,803,719号、2010年4月29日提交的美国专利申请案第12/799813号、2008年3月19日提交的美国专利申请案第12/076530号、2009年10月30日提交的美国专利申请案第12/609736号，以及2009年10月30日提交的美国专利申请案第12/609760号中所公开的发展，其各者的公开内容以引用的方式整体并入本文。例如，可购自NanosysTM的Quantum RailTM(QR)(展示于图4A-图4D中)包括基于QD的远程磷光体封装400，该QD基远程磷光体封装400对常规BLU提供颜色质量改良。如下文进一步详细阐述，本发明的新颖QD BLU在常规BLU以及QR磷光体封装上呈现优势。
在涵盖蓝色LED(诸如YAG-涂布的蓝色LED BLU)的常规BLU中，常规磷光体用于将一部分蓝光转换为红色及绿色以覆盖整个可见光谱，且磷光体通常放置成与LED直接接触。在上文参考的NanosysTM的Quantum RailTM(QR)BLU中，将发光QD混合至聚合物中以形成活性材料404，并且将该活性材料密封406于玻璃毛细管402中以形成QR 400。如图4A所展示，QR封装布置成在LED 401与BLU的光导面板(LGP)403之间邻近LED 401。归因于围绕量子点且在高操作温度及高光通量下劣化的有机成份，QD在暴露至紧密接近LED的热及光通量时具有有限的寿命，藉此限制QR BLU寿命。关于QR的额外问题包括在将QR安置成邻近LED时缺乏控制及准确性、与适当黏着或胶黏QR相关联的可靠性及光学问题，以及对机械损害的敏感性。
图5展示常规LED背光式LCD显示器500，该图展示BLU 512的组件，包括亮度增强薄膜(BEF)501、漫射层504、LGP 506、LED外壳510及反射器508。
根据本发明的一个示例性实施方案，如图6A及图6B所展示，照明器件600(例如，显示器BLU)包括包括薄膜的QD薄膜远程磷光体封装602，该薄膜包括夹在或布置于两个障壁层620、622之间的QD磷光体材料604。该QD薄膜布置于一个光导面板(LGP)上面，且至少一个一次光源610定位成邻近该LGP，由此该一次光源与该QD磷光体材料光通信。当由该一次光源发射一次光614时，该一次光行进通过该LGP且朝向该QD薄膜。该QD薄膜及该一次光源经布置使得该一次光行进通过该远程磷光体封装的QD磷光体材料并且激发该QD磷光体材料中的QD，藉此造成二次光从该QD薄膜发射。从该远程磷光体封装及该照明器件所发射的光可包括由磷光体材料发射的二次光、完全通过QD薄膜的一次光或优选其组合。在图6A及图6B所展示的示例性实施方案中，QD薄膜BLU 600进一步包括底部反射薄膜或层608、靠近LGP的顶部和/或底部的一个或多个光提取层(图6中未展示)，以及布置于该QD薄膜上的一个或多个亮度增强薄膜601，使得该QD薄膜夹在或布置于BEF(例如，反射偏光器薄膜或棱镜薄膜)与具有反射薄膜及一个或多个光提取层的LGP之间。
如图6A至图6C的实例实施方案中所展示，本发明的照明方法及器件旨在优选以包括以下列方式布置的QD磷光体层604的QD薄膜层602的形式将量子点降频转换层安置于更有利位置中：布置于LCD BLU的反射薄膜608与BEF 601之间—例如，布置于LCD BLU的反射薄膜608与LGP 606之间或布置于LGP 606与BEF 601之间。适当地，QD薄膜602包括顶部障壁620及底部障壁622，其中这些障壁容纳且保护QD磷光体材料604以免受外部环境状况影响。在QD薄膜布置成邻近LGP、而非靠近LED 610的此位置的情况下，QD磷光体材料处的光通量及温度将显著降低，导致QD磷光体材料及QD BLU有较久寿命。另外，简化薄膜总成安装并且解决机械损害问题。如下文更详细论述利用本发明的QD薄膜实施方案来达成许多额外的优点。
QD磷光体数量减小
令本发明人异常吃惊的是，QD薄膜在LCD的某些层之间的部署导致由QD发射的二次光的亮度上有显著且非常出乎意料的改良，此允许大量减小光学密度(即，QD的数量的减小)。在达成所期望位准的亮度及白点所需的QD较少的情况下，与QR照明器件相比较，可大幅减少(例如，差不多15倍或25倍减小)QD磷光体材料的光学密度(或QD浓度)，因此可使用较少QD获得较大显示表面积，且与QD数量减小成比例地大幅减小成本。通过将QD布置于显示器的BEF 601与LGP 606之间，大幅增加一次光相对于QD磷光体材料的有效路径长度。如图6B所展示，一次光614基本上由BEF 601与LGP底部的反射薄膜608再循环，且通过诸如漫射特征件或层的额外特征件所造成的反射及散射，以及显示层及QD薄膜的折射率的差而再循环。此再循环造成一次光614在该一次光的一部分最终离开BLU之前以多种角度重复通过QD薄膜602。一次光614在QD磷光体材料中的路径长度由于通过QD磷光体材料所透射的高角度射线而增加，此导致QD薄膜中有更多的QD吸收(及重新发射)。
可通过根据本发明的系统及方法操纵一次光而进一步增加一次光的路径长度及QD吸收。在某些实施方案中，如图27A及图27B所展示，一次光的此操纵及增加的吸收通过加入与QD薄膜相关联的诸如散射珠粒或粒子的散射特征件来达成所展示。由于QD磷光体本质上为等向性发射体，故其在全部方向上从QD表面发射光。与QD不同，诸如LED的激发光源由于其为朗伯(Lambertian)发射体而更单向性地发射光，此意味着从LED发射的光的强度在发射表面的法线处最高且随着远离法线增加的角度而减少。朗伯一次光发射体与等向性二次发射体的组合可能造成许多问题，包括单向一次光及低QD吸收率、低效率、高QD数量需求及不均匀的颜色及亮度分布—跨越显示器表面区域及从各个视角两方面。本发明的方法及器件改良颜色均匀性及亮度均匀性、增加效率且减小QD数量需求。在本发明使一次光及二次光的均匀发射方向及一次光的增加的QD吸收成为可能的情况下，从QD BLU发射的总体光具有更多可预测的特性，藉此允许QD BLU的颜色及其他发射特性的改良控制。
一次光的此高效使用允许减小产生所期望的发射亮度及白点所需的QD的数量与一次光的量二者。通过根据本发明的方法及器件操纵一次光，可达成由该器件所发射的一次光分量及二次光分量的精确控制。与用于增加远程磷光体发射的传统方法不同，光分量的此改良控制可在不增加所需一次光的量下且不增加QD磷光体材料的量下达成。令人惊讶且最明显的是，此效果甚至可在QD数量显著减少的情况下达成。本发明的新颖实施方案允许出乎意料地减小根据本发明产生QD薄膜层的期望亮度及白点所需的量子点(例如，10倍至25倍减小)。
作为用于BLU的磷光体，QD提供许多优点。然而，由于显示质量的QD磷光体生产的高成本，QD磷光体的应用通常限于诸如分子标记的低磷光体数量应用。本发明的QD BLU提供在QD磷光体中具有低数量的QD的QD磷光体BLU实施方案。出于许多原因而期望最小化QD BLU系统中所需的QD的数量。除了QD大量生产的高成本以外，QD磷光体对环境状况高度敏感。QD数量减小简化QD与其他材料的整合且减小QD BLU系统中所需的非QD材料的量。例如，较少QD将减小必需基体材料、障壁材料及一次光的量，藉此使QD BLU系统更小、更薄、更轻且更有效。材料的此减小大幅减小QD BLU的生产成本，使得QD BLU对于常规显示器BLU而言具有成本竞争性。如下文更详细描述，QD的减小也允许QD BLU用于较大显示器且产生在增加的表面积上(诸如在根据本发明的某些实施方案的QD薄膜BLU中)使用QD磷光体材料的可能性。与常规QD磷光体不同，本发明的QD薄膜明显具有比一次光的表面积大得多的表面积。
颜色及亮度均匀性
作为本发明的额外优点，QD薄膜的空间组态在跨越显示器观察平面的亮度及颜色均匀性上提供改良。由于QD磷光体材料的增加的表面积及均匀布置于LGP表面区域上的磷光体的位置，得以消除与QR BLU相关联的亮度及颜色均匀性问题。常规显示器BLU经高度工程设计以在显示器观察平面上提供均匀的光分布，且本发明的QDBLU包括有利整合于LGP与BEF之间以使用从LGP发射的高度均匀的一次光的QD薄膜。例如，在本发明的白光QD薄膜BLU实施方案中，由于由QD发射的一次光及二次光二者的均匀性、控制及可预测性，可更精确地控制白点。一次光源的一次光特性是不均匀且难以控制的。如在本发明中，在将QD薄膜布置成一层BLU堆栈的情况下，与QD相互作用的点处的一次光特性由于一次光均匀分散于LGP各处且在从LGP透射后而更为均匀且可预测。另外，从LGP发射的一次光的表面积远远大于靠近一次光源的光发射的小表面积。因此，QD薄膜BLU改良QD吸收及发射的可预测性、均匀性及控制以及来自照明器件的总体光发射。
一次光分散于QD磷光体材料中改良一次光与二次光之间的指向性发射的均匀性，藉此允许QD BLU发射的全部颜色的光有更均匀的发射及亮度。另外，QD薄膜中的QD磷光体材料中的漫射将能够消除外部漫射层，藉此减少器件厚度。
温度降低及寿命改良
QD对温度高度敏感。在上文参考的QR BLU中，远程磷光体封装布置成邻近且极靠近一次光源，此导致由QD见到的较高操作温度。本发明的QD照明器件及方法允许将QD磷光体材料放置成进一步远离一次光源，藉此大幅减小QD操作温度并且解决归因于QD磷光体材料的温度敏感性的问题。在减小造成来自QD的二次发射所需的一次光的情况下，本发明的另一优点包括QD BLU系统及总体显示器件的增加的效率及较低的能量及操作温度需求。另外，由于QD薄膜实施方案中每单位面积的QD的减少的密度，与QR BLU相比较，可显著减小(例如，100倍)光通量。因此，本发明的QD薄膜BLU改良QD磷光体稳定性、整合性及寿命。
制造、照明器件整合及机械整合性
利用本发明的QD薄膜来改良且更轻易地整合及对准，且QD薄膜与包括平面显示层(诸如LGP、光学膜、漫射器薄膜、彩色滤光器薄膜、偏光器薄膜及屏蔽薄膜)的现有显示器特征件更兼容。QR BLU实施方案中的整合及对准可能与常规BLU中一样困难。例如，QR封装的尺寸控制可损及BLU中的QR的对准且妨碍发射一次光的方向的控制及可预测性。在本发明的QD薄膜实施方案中，由于BLU中的远程磷光体组态及位置，得以简化一次光源与远程磷光体封装的光连接且使其更容易。与QR BLU相比较，本发明的QD薄膜改良大显示器的整合且允许包括QD BLU的较大显示器。QR BLU可能由于需要更多QR或更长QR而难以恰当地并入至大显示器中。在尤其是具有长尺寸的QR的QR生产中难以达成致密的尺寸控制。此外，由于QR对准所需的较长长度，大显示器尺寸的QR的对准在制造方面正具有挑战。在本发明的QD薄膜中，一次光源与QD磷光体的改良对准呈现较大QD BLU显示器的可能性。运用本发明的完全兼容、工艺就绪的QD薄膜，可在一次光源与光透射层的对准中利用现有或常规对准技术，包括用于LED-LGP对准的现有处理总成及技术。另外，由于QD磷光体材料可均匀分布于整个观察平面上，故QD薄膜允许其中一次光源安装于显示器背侧上，而非边缘对准一次光源或除了边缘对准一次光源之外的实施方案。
与QR BLU及常规显示器BLU相比较，本发明的QD薄膜BLU提供许多另外的优点，包括容易BLU制造且整合至显示器件中。虽然QR呈现与磷光体封装生产相关联的挑战性问题—包括用磷光体材料404填充小毛细管402以及用端部密封件406密封该小毛细管，但是利用本发明的QD薄膜BLU的便利的滚动条式制造是可行的。此允许使用常规薄膜管线处理技术的便利大规模滚动条式处理，由此可制造QD薄膜及封装且将其切割成一定大小，接着进一步处理。可采用类似于胶带涂布中所使用的处理技术的滚动条式处理技术。QD磷光体材料可通过喷涂、喷雾、溶剂喷涂、湿式涂布及本领域普通技术人员已知的额外涂布及沉积方法沉积。QD薄膜封装的平坦层结构与包括平面显示层(诸如LGP及LCD过滤器、偏光器及玻璃平面)的现有显示器特征件兼容。此平面结构减小与QR及常规磷光体相关联的空间对准及耦合问题。另外，磷光体密度在整个显示器表面区域上的均匀性在各个器件之间提供更大的可预测性及控制，藉此简化用于不同照明应用及器件的本发明的BLU调适。
作为另外优点，如下文更详细论述，QD薄膜允许消除显示器BLU中的某些层，诸如漫射层。此进一步简化制造且允许更薄的照明器件。
本发明的QD薄膜实施方案提供QD远程磷光体封装的机械整合性的改良。与QR远程磷光体相比较，QD薄膜利用光通量的增加的表面积、更强的障壁材料，以及充当额外保护障壁的显示器的现有平坦层之间的部署而找到另外的优点。
由于本发明可使一次光的损耗减少，本发明的QD薄膜得以在QR磷光体封装上提供增强的效率。在QR BLU中，与一次光源与QR的对准及光耦合相关联的困难可能造成来自一次光源的光由于一次光从QR中反射离开或者以其他方式离开而至环境中，或者不期望地透射至LGP中而被浪费且必须由显示器滤出。利用本发明的QD薄膜实施方案消除整合问题增加一次光的可预测性及控制，藉此大幅减少浪费的一次光的量且改良器件效率。
QD薄膜特征件及实施方案
在某些实施方案中，本发明涉及显示器件。如本文所使用，显示器件指具有照明显示器的任何系统。此类器件包括(但不限于)涵盖液晶显示器(LCD)、电视机、计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、游戏器件、电子阅读器件、数字相机等的器件。
虽然本文所述的特定实施方案指用于显示器件的BLU，但是本发明的QD薄膜可用于任何适当用途，包括(但不限于)向下式照明、室内或室外照明、舞台照明、装饰照明、重点照明、博物馆照明及用于园艺、生物及其他用途的高度特定性波长照明以及本领域普通技术人员在研究本文所述的本发明后将显而易知的额外照明应用。
如本文所使用，照明显示器件的“显示器”或“显示面板”包括与该器件的显示功能特定相关的全部层及组件，包括显示器光源、磷光体材料、光导面板(LGP)、漫射器材料及层、反射器材料及层、光学材料及层(诸如亮度增强型薄膜(BEF))、用于照明控制的PCB面板、彩色滤光器、偏振棱镜、偏振过滤器、玻璃薄膜、保护薄膜及类似物。如本文所参考，显示器的“观察平面”为显示器件的使用者或观察者所见到的显示输出的部分。
如本文所使用，“背光单元”(BLU)指产生用于照明显示器件的光(包括一次光及二次光)的显示器的部分。BLU的组件通常将包括(但不限于)一个或多个一次光源、QD薄膜、一个或多个LGP、BEF、漫射层、反射薄膜、相关组件及类似组件。
一次光源与本发明的磷光体材料光耦合，使得一次光源与二次光源彼此光通信。如本文所述，术语“光耦合”及“光连接”指由诸如一次光的光连接的组件，由此光可从第一组件透射至与该第一组件光耦合或连接的第二组件。一次光源可包括能够从二次光源(QD磷光体)产生二次光发射的任何光源。适当一次光源将具有能够激发QD磷光体材料的QD的激发能量，藉此起始二次光发射。理想一次光源也将展现高效率、低操作温度、高通量及高亮度。对于选定一次光源的额外考虑可包括可用性、成本、大小、耐受性、发射颜色及纯度、光谱宽度、发射光的方向、特征件的寿命、质量、坚实度，以及与磷光体封装、BLU及显示器件的兼容性。一次光源可为任何适当光源，诸如LED、蓝光源或紫外光源(诸如蓝色或UV LED)、激光器、弧光灯、黑体光源，以及其他固态光源。优选实施方案将包括LED一次光源。优选地，一次光源为蓝光源或紫外光源，最优选为在440nm至470nm范围内、更优选450至460范围内发射的蓝色LED。例如，一次光源可为GaN LED，诸如在450nm的波长下发射蓝光的GaN LED。
在优选实施方案中，由一次蓝光源发射的蓝光的一部分将与QD吸收及重新发射成比例，且该一次蓝光的一部分将用作由QD BLU及显示器件发射的光的蓝光分量。在这些实施方案中，由QD BLU发射的光将包括来自一次光源的一次光与在吸收及重新发射后从QD发射的二次光的混合。
虽然本申请案各处参考单个一次光源，但是本说明书中仅为简单起见而参考此单一性，且也隐含具有一个以上一次光源的实施方案。如本领域普通技术人员将理解，本发明可取决于特定实施方案或应用的需求而包括单个一次光源或多个一次光源。另外，如下文更详细阐述，一个或多个一次光源可布置成沿显示器的边缘和/或布置于各个显示层的下面(例如，在LGP之后)。
本发明的BLU可包括一次光源的任何数量、配置、间隔及位置，包括边缘发光型和/或后部发光型配置，如图7A至图7C所展示，其描绘边缘发光型BLU(图7A)、后部发光型BLU(图7B)及组合的边缘发光型及后部发光型BLU(图7C)。如本领域普通技术人员将理解，一次光源710的部署及数量将取决于照明器件的需求，且将包括不限于本文所述的实施方案的任何可预料的组态。
在优选实施方案中，QD BLU包括布置于显示器的多层之间且邻近于该层的QD薄膜远程磷光体封装。适当地，QD薄膜布置于LGP上或该LGP的上面，适当布置于LGP与LCD BLU的一个或多个光学薄膜(诸如BEF)之间。QD薄膜包括QD磷光体材料，该QD磷光体材料优选布置于该QD磷光体材料的各侧上的一个或多个障壁层之间。适当地，该QD薄膜经由其上布置该QD薄膜的LGP而与一次光源光连接，使得一次光行进通过该LGP并且透射至该QD薄膜中。在优选实施方案中，如下文更详细描述，QD薄膜包括诸如散射粒子的一个或多个散射特征件，以增强二次光发射。
QD薄膜远程磷光体封装
如本文所参考，如下文更详细描述，本发明的“远程磷光体封装”或“QD薄膜”包括QD磷光体材料及与其相关联的封装材料。本发明的远程磷光体封装在一次光源与磷光体材料为个别组件且磷光体材料不与一次光源整合成单个组件的意义上为“远程的”。一次光从一次光源发射且在到达QD薄膜的QD磷光体材料之前行进通过一种或多种外部媒体。
本发明的远程磷光体封装包括QD磷光体材料，该QD磷光体材料包括至少一个群体的发光量子点(QD)，本文也称为QD磷光体、二次光源或二次发光QD。如图8所展示，QD 813在降频转换QD所吸收的一次光814后提供二次光发射816。如图9所展示，本发明的QD适当包括核/壳QD 900，其包括核902、在该核上涂布的至少一个壳904，以及包括一个或多个配体906(优选有机聚合配体)的外部涂层。在优选实施方案中，如图10所展示，远程磷光体封装将包括QD磷光体材料1000，该QD磷光体材料包括嵌入或分散于一种或多种基体材料1030中的QD 1013，使得该QD磷光体材料包括QD-基体材料复合物。
适当QD、配体及基体材料包括本领域普通技术人员已知的任何此类适当材料，包括(但不限于)本文所提及的材料。如本文所参考，本发明的“QD磷光体材料”指QD磷光体(即，发射二次光的QD及相关联的配体或涂层)及与其相关联的任何基体材料。在优选实施方案中，如下文进一步详细描述，QD磷光体材料将进一步包括一个或多个散射特征件。
本发明提供包括发光量子点的各种组合物。可针对各种应用调节且调整发光QD的各种属性，包括其吸收属性、发射属性及折射率。如本文所使用，术语“量子点”或“纳米晶体”指大体上为单晶的纳米结构。纳米晶体具有具有小于约500nm且低至小于约1nm的量级的尺寸的至少一个区或特征性尺寸。如本文所使用，当参考任何数值时，“约”意味着所述的值的±10％的值(例如，约100nm涵盖从90nm(含)至110nm(含)的大小的范围)。本领域普通技术人员容易理解术语“纳米晶体”、“量子点”、“纳米点”及“点”用于表示相似结构且在本文中可互换使用。本发明也涵盖使用多晶或非晶纳米晶体。
一般而言，具有特征性尺寸的区将沿着结构的最小轴。QD在材料属性上大体上可为同质的，或在某些实施方案中，可为异质的。QD的光学属性可由其粒子大小、化学或表面组合物；和/或由本领域中可用的适当光学试验来判定。在约1nm与约15nm之间的范围中调节纳米晶体大小的能力实现整个光学光谱中的光电发射覆盖以在显色上提供显著的多面性。粒子囊封提供防化学品及UV劣化剂的稳健性。
额外示例性纳米结构包括(但不限于)纳米线体、纳米棒、纳米管、支链纳米结构、纳米四脚体、三脚体(tripod)、二脚体(bipod)、纳米粒子及具有至少一个区或特征性尺寸(选用三维的各者)的类似结构，该至少一个区或特征性尺寸具有小于约500nm，例如小于约200nm、小于约100nm、小于约50nm或甚至小于约20nm或小于约10nm的尺寸。一般而言，区或特征性尺寸将沿着结构的最小轴。纳米结构可(例如)大体上为结晶，大体上单晶、多晶、非晶或其组合。
可使用本领域熟练技术人员已知的任何方法产生用于本发明的QD(或其他纳米结构)。例如，适当QD及用于形成适当QD的方法包括以下者中所公开的QD及方法：美国专利第6,225,198号、2001年10月4日提交的美国专利申请公开案第2002/0066401号、美国专利第6,207,229号、美国专利第6,322,901号、美国专利第6,949,206号、美国专利第7,572,393号、美国专利第7,267,865号、美国专利第7,374,807号、2005年12月9日提交的美国专利申请案第11/299299号及美国专利第6,861,155号，其各者全部以引用的方式并入本文。
可从任何适当材料、适当无机材料且更适当无机导电或半导电材料中产生用于本发明的QD(或其他纳米结构)。适当半导体材料包括任何类型的半导体，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族及IV族半导体。适当半导体材料包括(但不限于)Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及两种或多种此类半导体的适当组合物。
在某些方面中，半导体纳米晶体或其他纳米结构可包括来自由p-型掺杂物或n-型掺杂物组成的群组的掺杂物。用于本发明的纳米晶体(或其他纳米结构)也可包括II-VI或III-V半导体。II-VI或III-V半导体纳米晶体及纳米结构的实例包括周期表的来自II族的元素(诸如Zn、Cd及Hg)与来自VI族的任何元素(诸如S、Se、Te、Po)的任何组合；以及周期表的来自III族的元素(诸如B、Al、Ga、In及Tl)与来自V族的任何元素(诸如N、P、As、Sb及Bi)的任何组合。其他适当无机纳米结构包括金属纳米结构。适当金属包括(但不限于)Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe、FePt及类似金属。
虽然本领域普通技术人员已知的任何方法可用于产生纳米晶体磷光体，但是适当使用用于无机纳米材料磷光体的受控生长的溶液相胶体方法。参见Alivisatos,A.P.,“Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots”Science 271:933(1996)；X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos,"Epitaxial growth of highly luminescentCdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronicaccessibility"J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)；以及C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,“Synthesis and characterization of nearlymonodisperse CdE(E＝sulfur,selenium,tellurium)semiconductornanocrystallites”J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993)，其公开内容以引入的方式整体并入本文。此制造工艺技术在无需清洁室及昂贵制造设备的情况下利用低成本可处理性。在这些方法中，将高温下经历热解的金属前驱体迅速注入至有机界面活性剂分子的热溶液中。这些前驱体在高温下分解并且反应成成核纳米晶体。在此起始成核阶段之后，通过将单体添加至生长晶体而开始生长阶段。结果为溶液中存在有机界面活性剂分子涂布其表面的自立式结晶纳米粒子。
利用此方法，出现作为数秒内发生的初始成核事件的合成，其后接着在高温下晶体生长达数分钟。可更改诸如温度、所存在的界面活性剂的类型、前驱体材料及界面活性剂对单体的比率的参数以便改变反应的性质及进程。温度控制成核事件的结构相、前驱体的分解速率及生长速率。有机界面活性剂分子调节溶解性与纳米晶体形状的控制二者。界面活性剂对单体、界面活性剂彼此之间、单体彼此之间的比率及单体的个别浓度强烈影响生长的动力学。
在半导体纳米晶体中，光电引发的发射由纳米晶体的带边缘状态产生。来自发光纳米晶体的带边缘发射与源自表面电子状态的辐射及非辐射衰减通道竞争。X.Peng等人，J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)。结果，诸如悬键的表面缺陷的存在提供非辐射性重组中心且促成降低的发射效率。钝化与移除表面俘获状态的有效且永久性的方法为在纳米晶体的表面上外延地生长无机壳材料。X.Peng等人，J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)。壳材料可经选择使得电子位准为相对于核材料的类型I(例如，具有提供将电子及电洞局部化至核的潜在步骤的较大带隙)。结果，可减小非辐射性重组的概率。
核-壳结构通过将含有壳材料的有机金属前驱体添加至含有核纳米晶体的反应混合物而获得。在此情况中，与其成核事件后接着生长，诸核不如充当核心，且壳从其表面生长。反应的温度保持较低以便利将壳材料单体添加至核表面，同时防止壳材料的纳米晶体独立成核。在反应混合物中提供界面活性剂以引导壳材料的受控生长并且确保溶解性。两种材料之间存在低晶格不匹配时获得均匀且外延生长的壳。
用于制备核-壳发光纳米晶体的示例性材料包括(但不限于)Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、Co、Au、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及两种或多种此类材料的适当组合。用于实施本发明的示例性核-壳发光纳米晶体包括(但不限于)(表示为核/壳)CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS以及其他核-壳发光纳米晶体。
在适当实施方案中，CdSe由于此材料的合成的相对成熟而用作纳米晶体材料。由于使用一般表面化学，故也可取代不含镉的纳米晶体。用于显示器BLU器件的示例性发光纳米晶体材料包括CdSe或ZnS，包括包括CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSeZn/CdS/ZnS、CdSeZn/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS的核/壳发光纳米晶体。最优选地，本发明的量子点将包括核-壳QD，该核-壳QD具有包括CdSe的核及包括CdS或ZnS的至少一个囊封壳层—最优选包括CdS的至少一个囊封壳层及包括ZnS的至少一个囊封壳层。
发光纳米晶体可由不受氧气影响的材料制成，藉此简化氧气障壁需求及QD磷光体材料中的QD的光稳定化。在示例性实施方案中，如下文更详细论述，发光纳米晶体涂布有一种或多种有机聚合配体材料且分散于包括一种或多种基体材料的有机聚合基体中。发光纳米晶体可进一步涂布有包括一种或多种材料(诸如二氧化硅、氧化铝或氧化钛(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3))的一个或多个无机层以密闭式密封QD。
如下文进一步详细描述，将基于用于QD BLU所使用的显示用途的所期望的发射属性来选择用于本发明的QD。优选QD特性包括高量子效率(例如，约90％或更多)、连续且可调谐的发射光谱，以及窄且尖锐的光谱发射(例如，小于40nm、30nm或更小、或20nm或更小的半最大值全宽度(FWHM))。
在优选实施方案中，QD将包括在由蓝光源激发后能够发射红光的至少一个群体的QD及能够发射绿光的至少一个群体的QD。如下文更详细论述，可调整QD波长及浓度以符合所需光学效能。在其他实施方案中，QD磷光体材料可包括一个群体的QD，该群体的QD吸收具有非期望的发射波长的光的波长且重新发射具有期望的发射波长的二次光。以此方式，QD薄膜包括至少一个群体的颜色过滤QD以进一步调谐照明器件发射并且减小或消除颜色过滤的需要。
本发明的QD优选涂布有嵌入于一种或多种基体材料中且/或由一个或多个障壁层密封的一种或多种配体涂层。此类配体、基体材料及障壁可提供QD的耐光性并且保护QD免受包括高温、高强度光、外部气体、水分及其他有害环境状况的环境状况的影响。利用这些材料可达成额外效果，包括主体基体材料中的所需折射率、主体基体材料中的所需黏度或QD分散/可混性及其他所需效果。在优选实施方案中，将配体及基体材料选择为具有足够低的热膨胀系数，使得热固化大体上不会影响QD磷光体材料。
用于本发明的发光QD(或其他纳米结构)优选包括与其表面共轭、协作、相关联或连接的配体。在优选实施方案中，QD包括包括配体的涂布层，以保护该QD免受外部水分及氧化影响、控制聚结且允许该QD分散在基体材料中。适当配体及基体材料以及用于提供该材料的方法见述于本文。额外适当配体及基体材料以及用于提供此类材料的方法包括本领域熟练技术人员已知的任何群组，包括以下者中所公开的群组：2000年2月4日提交的美国专利申请案第12/79813号、2008年3月19日提交的美国专利申请案第12/076530号、2009年10月30日提交的美国专利申请案第12/609736号、2005年12月9日提交的美国专利申请案第11/299299号、美国专利第7,645,397号、美国专利第7,374,807号、美国专利第6,949,206号、美国专利第7,572,393号及美国专利第7,267,875号，其各者的公开内容以引用的方式整体并入本文。另外，适当配体及基体材料包括本领域中的任何适当材料。
如2000年2月4日提交的美国专利申请案第12/79813号中更详细阐述，适当配体结构包括多部分配体结构，诸如3部分配体，其中可针对其的特定功能而独立制造并且优化头部基团、尾部基团及中间/体基团，且随后组合成理想功能的完整表面配体。随着此类多部分配体的发展，可达成纳米晶体在基体中的装填密度的控制以优化量子收率、光学散射、折射率的调谐，以及主体基体中的QD密度。可使用允许三种独立基团单独合成且随后组合的通用技术来合成配体分子。
优选地，配体包括一种或多种有机聚合配体。适当配体提供具有低氧渗透性的有效且稳固键结的QD囊封、沉淀或离析至在基体材料中的域中以形成不连续的双相或多相基体，有利地在基体材料各处分散，且为市售的材料或可用市售材料容易地调配。
适当配体包括(例如)聚合物、玻璃状聚合物、硅氧烷、羧酸、二甲酸、多羧酸、丙烯酸、膦酸、膦酸酯、膦、氧化膦、硫、胺、与环氧化物组合以形成环氧树脂的胺、本文所提及的任何聚合配体的单体、本文所提及的任何基体材料、本文提及的任何聚合基体材料的单体或这些材料的任何适当组合。适当地，QD配体将包括含胺有机聚合物，诸如氨基硅氧烷(AMS)(例如，GelestTM出售的AMS-242及AMS-233，及由Genesee Polymers Corp.TM出售的GP-998)；以及聚-醚胺，诸如JeffamineTM。适当配体包括具有诸如胺部分或二羧酸部分的一种或多种QD结合部分的配体。示例性胺配体包括脂族胺，诸如癸胺或辛胺；以及聚合胺。
在优选实施方案中，配体材料包括侧基胺官能的聚苯乙烯(本文称为氨基聚苯乙烯或APS)以涂布且提供QD的耐光性，防止QD发射特性的非希望的变化。适当APS配体包括(例如)包括苯乙烯单体及带有胺部分(优选伯胺部分)的单体的共聚物。图11A展示示例性APS配体。如图11A的实例实施方案所展示，APS由苯乙烯顺丁烯二酸酐(SMA)，诸如市售SMA(例如，SartomerTM SMA EF80)合成。将该酸酐以定量收率转化为二甲酯，接着通过与二胺反应而将该甲酯转变为酰胺，其同时产生侧基伯胺。在此反应后，通过沉淀纯化聚合物且可使用大小选择来获得适当分子量分数。在用于合成APS配体的此实例实施方案中，全部操纵在干燥无氧的氮气氛围下使用标准史莱克技术(Schlenk technique)实行。试剂、中间体及APS产物在手套箱内部处置与储存。使用MBraunTM MP-SPS溶剂系统使己烷、甲苯及甲醇去氧化且干燥。使用含有8个苯乙烯单体及1个顺丁烯二酸酐(或丙二酸酯衍生物)的‘聚合物单元’估算聚合物的式量。为了合成苯乙烯顺丁烯二酸二甲酯共聚物(2)，将SMA共聚物(1)(150g)添加至2L 3-颈圆底烧瓶(RBF)中。在添加至RBF反应烧瓶之前用加料漏斗测量甲醇(196mL)及甲苯(275mL)。将盐酸(3滴)添加至该RBF中且将温度设定至110℃，此造成反应溶液回流。在使反应溶液回流2天(约48小时)之后，移除热且将反应溶液冷却至室温。通过FTIR光谱学的样品分析显示酸酐已转化为酯。通过旋转蒸发而从反应溶液中移除挥发物。通过添加乙醚(100mL)、用手打旋并且倾析至2L分液漏斗中而用乙醚(600mL)逐部分溶解产物。在该分液漏斗中用水(5×250mL)洗涤产物。通过旋转蒸发而用真空管线再次移除挥发物，直至产物为被压碎成粉末的易碎、白色发泡体。产物经受真空直至已到达小于100毫托的压力超过4小时。将产物(142g)储存在手套箱中。通过FTIR对分离产物的分析而指示酯无酸酐。接着，以将苯乙烯顺丁烯二酸二甲酯共聚物(2)(140g)添加至2L 3-颈RBF中开始苯乙烯顺丁烯二酸二胺共聚物(3)的合成，且该RBF反应烧瓶备有回流冷凝器及加料漏斗。添加甲苯(850mL)并且将反应溶液加热至50℃。在加热反应溶液的同时，将1,4-二氨基丁烷(71.0g)转移至250mL Schlenk烧瓶中。在Schlenk管线上，通过套管将该二氨基丁烷洗涤至溶解于甲醇(总计75mL)中的RBF中。接着，将反应溶液温度增加至140℃，且使反应溶液变混浊但自由搅拌。在140℃下回流反应溶液达9天。在回流6天之后，通过FTIR对样品的分析显示酯已转化为酰胺。回流反应溶液直至第9天将其冷却至室温。为了处理及纯化，将反应溶液逐滴转移至含有1500mL己烷的5L 3-颈RBF中。倾析顶部相，且用己烷(500mL)洗涤产物且再次倾析顶部相。通过真空转移移除挥发物以留下无色、易碎发泡体。该发泡体经受真空直至压力小于200毫托。接着将产物溶解于甲苯与甲醇的1:1混合物(1L)中，形成混浊溶液。使用封闭的惰性氛围过滤系统并且透过粗糙、烧结玻璃过滤器而将该溶液过滤至独立的Schlenk烧瓶中。在机械搅拌的12L 3颈RBF中将该溶液逐滴添加至8.0L迅速搅拌的己烷中。该添加发生约2小时且造成聚合物沉淀。用己烷(150mL)洗涤该聚合物且在真空至小于200毫托的压力下干燥，产生易碎、白色发泡体。在挥发物移除工艺期间定期地分裂固体且将其从烧瓶壁刮掉以便于干燥。产物经受小于100毫托的真空达至少4小时。所得产物为压碎成白色粉末(128g)的易碎、白色发泡体。Schlenk技术优选用以合成将提供QD的成功稳定的APS。
APS材料在形成完整QD涂层、光稳定化、障壁属性、可固化性、容易沉积及与基体材料(诸如环氧树脂)的兼容性上提供常规材料的改良。
在更优选实施方案中，配体材料包括待涂布的聚乙烯亚胺或改性聚乙烯亚胺，并且例如改良QD的溶解性和/或耐光性，防止QD发射特性中的非希望的改变。聚乙烯亚胺或改性聚乙烯亚胺优选为支链的。可通过使聚乙烯亚胺与其他化合物，例如，与诸如苄基溴、苄基氯或环氧树脂的亲电试剂反应而便利产生改性聚乙烯亚胺。优选地，通过使聚乙烯亚胺与单环氧树脂反应而产生用于本发明的改性聚乙烯亚胺。最优选地，通过使支链聚乙烯亚胺与单环氧树脂反应而产生用于本发明的改性聚乙烯亚胺。聚乙烯亚胺可每当量聚乙烯亚胺上的伯胺与大于0且小于或等于1当量的单环氧树脂反应。优选地，聚乙烯亚胺与每当量聚乙烯亚胺上的伯胺约0.05当量与约0.80当量之间的单环氧树脂反应，更优选与每当量伯胺约0.10当量与约0.75当量之间的单环氧树脂反应，或与每当量伯胺约0.20当量与约0.75当量之间的单环氧树脂反应，例如与每当量伯胺约0.25当量单环氧树脂、与每当量伯胺约0.40当量单环氧树脂、与每当量伯胺约0.50当量单环氧树脂、与每当量伯胺约0.60当量单环氧树脂或与每当量伯胺约0.70当量单环氧树脂反应。在不限于任何特定机构的情况下，尽管也可与聚乙烯亚胺的仲胺发生一些反应，然而认为单环氧树脂最初与聚乙烯亚胺上的游离伯胺反应。因此，示例性适当改性聚乙烯亚胺包括具有聚乙烯亚胺主链的支链聚合物，其中胺的一部分已例如通过与单环氧树脂反应而衍生。衍生的伯胺的百分数任选地变化，例如从大于0％至小于或等于100％。经改性的伯胺的百分数任选地在约5％与约80％之间、约10％与约75％之间或约20％与约70％之间，例如约25％、约40％、约50％、约60％或约70％。用于改性聚乙烯亚胺的单环氧树脂的量任选地在约0.25倍与约0.875倍待改性的聚乙烯亚胺的重量之间，例如约0.40倍与约0.70倍聚乙烯亚胺的重量之间，例如约0.50倍聚乙烯亚胺的重量。
本领域中已知许多单环氧树脂适于与聚乙烯亚胺反应以产生改性聚乙烯亚胺配体。一般而言，适当单环氧树脂具有小于约1000、优选小于约500且更优选小于约400或小于约300的分子量。单环氧树脂可包括极性部分和/或非极性部分。单环氧树脂可包括烃部分，该烃部分可为饱和或不饱和的，例如脂族或芳族团或其组合。如图36A至图36C所展示(分别展示)，用于与聚乙烯亚胺反应以产生改性聚乙烯亚胺配体的优选单环氧树脂包括1,2-环氧-3-苯氧基丙烷(MW150.1772)、1,2-环氧十二烷(MW 184.32)与缩水甘油基4-壬基苯基醚(MW 276.41)。
为了便于参考，如本文所使用的“PEI”指未改性的聚乙烯亚胺配体及衍生自聚乙烯亚胺的配体，且因此包括未改性的聚乙烯亚胺及改性聚乙烯亚胺二者。
如上所述，改性聚乙烯亚胺可由聚乙烯亚胺及单环氧树脂合成。如图37的示例性实施方案所展示，改性聚乙烯亚胺由聚乙烯亚胺(诸如，市售聚乙烯亚胺(例如，购自Nippon Shokubai Co.,Ltd.的SP-012(MW 1200))及单环氧树脂(诸如，市售单环氧树脂(例如，购自Sigma-Aldrich的1,2-环氧-3-苯氧基丙烷))合成。在合成PEI之后，实行与QD的配体交换以用PEI配体涂布该QD。
在用于合成PEI配体的此实例实施方案中，使用配备搅拌棒、1L加料漏斗、软管接头、反应溶液中的热电偶及具有接收烧瓶的短程蒸馏头以及用以测量蒸气温度的温度计的5L 4颈圆底烧瓶来建立装置。另外，将蒸馏头附接至含有单向阀门的起泡器。也将阀门放置于该起泡器与该蒸馏头之间的软管上。一旦通过该软管接头而将该装置连接至Schlenk管线，则氮气可通至反应烧瓶中，跨越反应溶液的表面且离开附接至蒸馏头的起泡器。此外，起泡器上的单向阀门允许在未从该起泡器将空气或油抽至反应烧瓶的情况下从软管接头对整个装置施加真空。将反应烧瓶放置至连接至温度控制器的加热夹套中，其中热电偶经安置以测量反应溶液温度。
在手套箱中，单独将沉淀的CdSe/CdS/ZnS QD溶解于甲苯中(使用等于20％至25％体积的QD生长溶液的体积的甲苯)，并且将其转移至Schlenk烧瓶中；QD与甲苯的总体积为2.5L。此外，将己烷(540mL)转移至该手套箱中的个别Schlenk烧瓶中。甲苯及己烷从Sigma-Aldrich获得且以原样使用。
将该装置附接至软管接头上的Schlenk管线且添加聚乙烯亚胺SP-012(240g，购自Nippon Shokubai Co.,Ltd.，以原样使用)。在搅拌时，在蒸馏头与起泡器之间的软管上的阀门打开的情况下，将该装置放置于至小于300毫托的压力的真空下且用氮气冲洗三次。随后关闭软管上的阀门且通过注射器将1,2-环氧-3-苯氧基丙烷(150g，1.00摩尔，购自Sigma-Aldrich，以原样使用)添加至反应溶液。通过套管转移甲苯(800mL)且随后在加料漏斗中测量之后将其添加至反应烧瓶。将该反应烧瓶加热至100℃达30分钟。随后打开蒸馏头与起泡器之间的软管上的阀门并且收集约200mL馏出物(或者约25％的甲苯)约半小时。关闭蒸馏头与起泡器之间的阀门并且从手套箱中移除溶解于甲苯中的QD溶液且通过套管将其转移至加料漏斗中。随后将QD的甲苯溶液添加至反应烧瓶中达15-30分钟。在完成QD/甲苯添加之后，在100℃下加热反应溶液达30分钟。随后打开蒸馏头与起泡器之间的管在线的阀门并且收集约750mL馏出物(或者约25％的甲苯)。在馏出物收集之后，移除蒸馏头且用塞子密封反应烧瓶。将反应溶液冷却至60℃。在搅拌的同时，通过套管将己烷从Schlenk烧瓶转移至加料漏斗中且以适度速率将其添加至反应溶液中。在完全混合后，停止搅拌且允许溶液随着冷却至室温而沉降。通过套管小心移除相对无色的上部相，在反应烧瓶中留下强烈着色的下部相(含有QD及PEI配体)。在此实例中，使用每当量聚乙烯亚胺上的伯胺大约0.50当量1,2-环氧-3-苯氧基丙烷来改性该聚乙烯亚胺。
在相关实例实施方案中，通过基本如上所述般但是用缩水甘油基4-壬基苯基醚改性聚乙烯亚胺来合成PEI配体。在此实例中，使用每当量聚乙烯亚胺上的伯胺大约0.25当量缩水甘油基4-壬基苯基醚来改性该聚乙烯亚胺。在保持更多伯胺的同时，当如示例性1,2-环氧-3-苯氧基丙烷-改性的PEI所处理般交换至QD上时，此示例性缩水甘油基4-壬基苯基醚-改性的PEI给予类似溶解性行为，此可导致配体对QD的更好结合以及随后的量子收率的改良。
PEI配体在形成完整QD涂层、光稳定化、障壁属性、可固化性、容易沉积及与基体材料(诸如环氧树脂)的兼容性中提供常规材料的改良。PEI材料优于常规材料及APS材料的其他优点包括：聚乙烯亚胺是廉价的且易于以在改性及配体交换反应时直接使用的足够纯的形式从许多来源购得；在配体交换之前，可在无需任何额外装置的情况下从反应烧瓶中轻易移除聚乙烯亚胺中的水及氧杂质；可在数小时的进程中在大量纳米晶体上轻易完成PEI配体交换；可使用类似程序轻易交换各种纳米晶体(例如，发射绿色、红色或该两种颜色的混合的QD)；可通过用己烷沉淀而从反应溶剂中移除交换的纳米晶体-PEI组合并且通过简单倾析而移除溶剂的大部分；可以高浓度的纳米晶体(例如，多达30倍的最终调配物中所使用的浓度)产生纳米晶体-PEI组合，使得极浓混合物易于调配、储存和/或运输；纳米晶体-PEI组合不含挥发性溶剂，因此可安全地储存或运输；纳米晶体-PEI组合良好地分散至市售环氧树脂中，因此可例如在薄膜制造前立即与可固化的基体轻易地混合；且由于基体相对常见且市场有售，故可轻易更改预固化混合物的黏度以符合薄膜涂布及制造的需求。除了这些因素之外，用诸如1,2-环氧-3-苯氧基丙烷改性聚乙烯亚胺加入其他所期望的属性，诸如；改良的己烷沉淀；改良的PEI-QD溶解性，在固化基体中导致更小、更可预测的纳米晶体域，且在所得QD薄膜中导致较少的大型不溶性粒子缺陷；更液态且在紧接涂布薄膜的阶段使混合物更流畅的交换纳米晶体-PEI组合；以及在薄膜生产期间达成期望水平的亮度及白点所需的减少的QD数量。因此，改性聚乙烯亚胺配体的示例性期望特性(其可影响为产生改性配体而采用的单环氧树脂或其他试剂的选择)包括：交换反应溶剂中的增强的溶解性(其导致较少不溶性簇)；用于与QD结合的足够数量的剩余伯胺；以及环氧树脂(或其他者)基体中的增强的分散，此在储存期间(在添加交联剂及固化基体之前)产生较少可见的大型粒子缺陷及较不趋于在环氧树脂中沉降。此外，所期望的改性聚乙烯亚胺配体是透明的，不会经由能量转移或光吸收而减小量子收率，不会在最终器件操作期间变成黄色/褐色，以及不会光电反应且造成随时间增加的器件效能降级。
在某些实施方案中，QD配体可包括可聚合基团(即，可反应以设定聚合物的官能团)以将配体并入(是否与纳米结构结合或过量提供)聚合物基体中。例如，可在由自由基起始时聚合(甲基)丙烯酸酯基团，且可在由阳离子或阴离子起始剂起始时聚合环氧化物基团。例如，在优选实施方案中，在由胺起始时聚合环氧化物基团。
一般而言，聚合物配体与纳米结构的表面结合。然而，并非组合物中的全部配体材料皆需要与纳米结构结合。可过量提供聚合物配体，使得配体的一些分子与纳米结构的表面结合且配体的其他分子不与纳米结构的表面结合。过量配体可任选地聚合至嵌入纳米结构的基体中。该组合物可包括溶剂、交联剂和/或起始剂(例如，自由基或阳离子起始剂)，以便于此并入。
本发明的磷光体材料进一步包括嵌入或以其他方式布置QD的基体材料。基体材料可为能够容纳QD的任何适当主体基体材料。适当基体材料将与包括QD及任何围绕封装材料或层的BLU组件化学兼容且光兼容。适当基体材料包括对一次光及二次光二者透明且不会变黄的光学材料，藉此允许一次光与二次光二者透射通过该基体材料。在优选实施方案中，基体材料完全围绕QD且提供保护障壁，该保护障壁防止由诸如氧气、水分及温度的环境状况所造成的QD的劣化。在期望可挠或可模制的QD薄膜的应用中，基体材料可为可挠的。或者，基体材料可包括高强度不可挠材料。
优选基体材料将具有低氧气及水分渗透性，展现高耐光性及化学稳定性，展现有利的折射率，并且黏着至邻近QD磷光体材料的障壁或其他层，因此提供气密密封以保护QD。优选基体材料将可用UV或热固化方法固化以便于滚动条式处理。热固化是最优选的。
用于本发明的QD磷光体材料的适当基体材料包括聚合物及有机与无机氧化物。用于本发明的基体的适当聚合物包括本领域普通技术人员已知可用于此目的的任何聚合物。在适当实施方案中，聚合物将为大体上半透明或大体上透明的。适当基体材料包括(但不限于)环氧树脂、丙烯酸酯、降冰片烯、聚乙烯、聚(乙烯基缩丁醛)：聚(乙酸乙烯酯)、聚脲、聚氨酯；硅氧烷及硅氧烷衍生物，包括(但不限于)氨基硅氧烷(AMS)、聚苯基甲基硅氧烷、聚苯基烷基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚二烷基硅氧烷、倍半硅氧烷、氟化硅氧烷及经乙烯基及氢化物取代的硅氧烷；由包括(但不限于)甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸月桂酯的单体形成的丙烯酸聚合物及共聚物；基于苯乙烯的聚合物，诸如聚苯乙烯、氨基聚苯乙烯(APS)及聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)；与诸如二乙烯基苯的双官能单体交联的聚合物；适于交联配体材料的交联剂、与配体胺(例如，APS或PEI配体胺)组合以形成环氧树脂的环氧化物；及类似物。
可使用任何适当方法将本发明所使用的QD嵌入聚合物基体(或其他基体材料)中，该方法例如为：将纳米晶体混合至聚合物中且压铸薄膜；将纳米晶体与单体混合且使其聚合在一起；在溶胶-凝胶中混合纳米晶体以形成氧化物；或本领域普通技术人员已知的任何其他方法。如本文所使用，术语“嵌入”用以指示在构成基体的大部分组分的聚合物内围封或埋入发光纳米晶体。应注意，尽管在其他实施方案中，可根据特定应用均匀性分布函数分布发光纳米晶体，然而其适当均匀地分布于基体各处。
配体和/或基体材料也可包括交联剂和/或起始剂，例如用于将配体及纳米结构并入至基体中。在一类实施方案中，交联剂为环氧树脂交联剂。
不连续或多相囊封材料是优选的，使得在不可透水分及氧气的疏水材料的域中保护QD。图12A展示包括AMS-环氧树脂乳液的QD磷光体材料，且图12B展示APS-环氧树脂QD磷光体材料。在优选实施方案中，基体材料包括环氧树脂。优选地，如图12B所展示，QD配体包括APS且基体材料包括环氧树脂，由此QD磷光体材料包括在环氧树脂基体各处分散以形成多相材料的经APS涂布的QD的域。最优选地，QD配体包括PEI且基体材料包括环氧树脂，由此QD磷光体材料包括在环氧树脂基体各处分散以形成多相材料的经PEI涂布的QD的域。图38A展示聚乙烯亚胺-环氧树脂QD磷光体材料，且图38B展示改性的聚乙烯亚胺-环氧树脂QD磷光体材料。
优选QD磷光体材料包括APS或PEI以及环氧树脂，诸如LoctiteTM环氧树脂E-30CL或来自Epic Resins(Palmyra,WI)的环氧树脂，其中部分A的黏度规格为15K至40K厘泊(cP)(优选30K至40KcP)且部分B的黏度规格为3K cP至25K cP(优选7.5K cP至10K cP)。优选地，QD磷光体材料包括QD，该QD包括APS或PEI配体以及与APS或PEI混合时聚合且交联的一种或多种环氧类聚合物，其中过量胺交联环氧树脂。
在形成QD磷光体材料的优选方法中，在溶剂(例如，甲苯)中提供QD并且将QD-溶剂混合物添加至配体材料的混合物以涂布该QD。优选地，第一(配体)材料包括含胺的聚合物，适当为APS或最优选为PEI。
在优选实施方案中，将QD-甲苯混合物添加至APS与甲苯的混合物中以提供经APS涂布的QD。将基体材料添加至溶剂混合物中，其后接着蒸发该溶剂。优选将环氧类聚合物添加至该混合物中，由此由过量配体材料的胺交联环氧化物。由于环氧树脂中的APS的不混溶性，经APS-涂布的QD定位于环氧树脂基体材料各处的空间域中。如图12B所展示，QD磷光体材料由优选混合额外基体的环氧树脂材料的此QD-APS-环氧树脂混合物形成，将该QD磷光体材料湿式涂布至基板上并且固化以形成QD薄膜。可将该混合物涂布于障壁层或LGP上并且热固化或UV固化。热固化是优选的。固化可在各个相中实行。例如，QD磷光体材料可形成为若干层，其中个别地固化各层。优选地，将QD薄膜沉积于底部障壁薄膜上并且将其部分地固化至该底部障壁薄膜，接着将顶部障壁薄膜沉积于该QD材料上，且随后继续QD材料固化。
在更优选实施方案中，例如如上所述般通过将QD-甲苯混合物与包括PEI配体的溶液组合而用PEI配体涂布QD。从上文详述的实例实施方案继续描述用1,2-环氧-3-苯氧基丙烷改性的聚乙烯亚胺的合成，以及此经改性的聚乙烯亚胺配体至QD上以制备QD磷光体材料的交换，在Schlenk管在线上的个别5L 3颈圆底烧瓶中搅拌部分B(96g)(LoctiteTME-30CL环氧固化树脂的胺部分)。将溶液脱气至小于100毫托的压力且用氮气冲洗三次。接着，在搅拌下通过套管将QD-PEI溶液(即，含有QD及PEI配体的强烈着色的下部相)添加至环氧树脂的部分B的溶液中。若QD-PEI溶液过稠而无法转移，则可添加一些甲苯(多达500mL)以便于套管的转移。在完成转移之后，在搅拌下通过真空转移至小于200毫托的压力而移除该溶剂之前混合该溶液1小时。在手套箱中转移且储存为稠油的产物。在准备形成QD薄膜时，任选地将该产物与环氧树脂的额外部分B混合以达成所希望的色点，接着将其与部分A(该环氧树脂的环氧化物部分)混合，由此通过任何过量配体材料的胺和/或通过树脂的部分B的胺交联该环氧化物。由于环氧树脂中的PEI的不混溶性，经PEI-涂布的QD定位于环氧树脂基体材料各处的空间域中。一般而言，PEI-QD域相对较小(例如，直径为100nm量级)且在环氧树脂基体各处均匀分布。QD磷光体材料由此QD-PEI-环氧树脂混合物形成，将其湿式涂布至基板上且固化以形成QD薄膜。可将该混合物涂布在障壁层或LGP上并且热固化或UV固化。热固化为优选的。固化可在各个相中实行。例如，QD磷光体材料可形成为若干层，其中个别地固化各层。优选地，将QD薄膜沉积于底部障壁薄膜上并且将其部分地固化至该底部障壁薄膜，接着将顶部障壁薄膜沉积于该QD材料上，且随后继续QD材料固化。
在制备QD磷光体材料的另一个优选方法中，如图11B所展示，合成第一聚合材料1102，且将多个QD分散在该第一聚合材料(例如，APS或聚乙烯亚胺)中以用该第一聚合材料(例如，APS或聚乙烯亚胺配体)涂布该QD并且形成该QD与该第一聚合材料的混合物1104。在溶剂蒸发后固化该混合物，并且从固化混合物中产生微粒1106。适当地，在固化之前将交联剂添加至该混合物中。可通过碾磨或球磨该固化混合物来形成QD-APS或QD-聚乙烯亚胺材料的精细或粗糙粉末而产生该微粒。适当地，QD-APS或QD-聚乙烯亚胺粒子的直径为约1μm。此时，优选将该微粒分散在第二聚合材料(例如环氧树脂)中以产生可形成为薄膜的复合QD磷光体材料，并且将其固化1108、1110。或者，可用诸如氧化铝、硅氧化物或氧化钛(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)的氧化物涂布该粒子，藉此在该粒子上形成外部氧化物层。可使用本领域已知的原子层沉积(ALD)或其他技术形成该氧化物层。经氧化物涂布的粉末粒子可直接应用于照明器件(例如，布置于LGP上或嵌入于该LGP内)，或者布置于诸如环氧树脂的基体材料中且形成为QD薄膜。在某些实施方案中，可在没有用于密封QD磷光体材料的额外障壁材料下(例如，无障壁层)在照明器件中使用经氧化物涂布的粉末粒子。
在一些实施方案中，尽管环氧树脂由于其黏着属性、接近APS及PEI的密度、商业可用性及低成本而是优选的，然而可使用环氧树脂基体材料的任何取代物来采用上述APS-环氧树脂配体-基体混合物或PEI-环氧树脂配体-基体混合物。适当环氧树脂取代物包括聚苯乙烯、降冰片烯、丙烯酸酯、硅氢化APS或任何固体塑料。
在一些实施方案中，基体由涂布QD的配体材料形成。可提供交联剂以与该配体上的部分反应。类似地，可提供起始剂(例如，自由基或阳离子起始剂)。在未提供第二基体材料的其他前驱体的实施方案中，基体任选地而基本上由第一材料聚合物配体和/或其交联或进一步聚合形式以及任何剩余溶剂、交联剂、起始剂及类似物组成。在一实施方案中，QD涂布有AMS配体，且通过使用交联剂交联该AMS配体而提供聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)基体。
本发明的QD磷光体材料及QD薄膜可具有任何期望的大小、形状、组态及厚度。如下文更详细阐述，QD可取决于BLU的所期望的颜色和/或亮度输出而以适于所期望的功能的任何装填比率嵌入于基体中。QD磷光体材料的厚度及宽度可由本领域已知的任何方法(诸如，湿式涂布、喷涂、旋转涂布、丝网印刷)控制。在某些QD薄膜实施方案中，QD磷光体材料可具有500μm或更小、优选250μm或更小、更优选200μm或更小、更优选50μm至150μm、最优选50μm至100μm的厚度。QD薄膜可具有100μm、约100μm、50μm或约50μm的厚度。如下文更详细阐述，QD磷光体材料可沉积成一层或个别层，且该个别层可包括不同属性。该QD磷光体材料的宽度及高度可取决于显示器件的观察面板的大小而为任何所期望的尺寸。例如，在诸如手表及电话的小显示器件实施方案中，QD磷光体可具有相对较小的表面积，或者在诸如TV及计算机监视器的大显示器件实施方案中，QD磷光体可具有大表面积。如下文更详细论述，用于形成本发明的QD BLU的方法可包括形成大QD薄膜且将该QD薄膜切割成较小QD薄膜以形成个别照明器件。
在本发明的某些实施方案中，嵌入QD磷光体的基体材料可由BLU的其他层组成，诸如LGP、障壁层、BEF、漫射层或BLU的其他适当层中的一或多者，使得QD嵌入于其中，由此从其处透射通过的一次光的至少一部分由QD吸收且降频转换为由QD发射的二次光。在器件的现有层内嵌入QD磷光体的实施方案，以及在未由基体材料围绕QD磷光体的实施方案中，QD优选包括外部氧化物涂层，诸如硅氧化物、氧化钛或氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)。经氧化物涂布的QD可直接沉积至照明器件的一个或多个层上和/或直接分散于该照明器件的一个或多个层内。
如本领域普通技术人员将理解，本文所述的组件及材料可取决于特定应用及所期望的效果而选择为具有特定折射率。如本文所使用的术语“折射率(refractive index)、(index of refraction)或(refractiveindices)”指示材料使光弯曲的程度。如本领域普通技术人员将理解，本文所述的材料的各者的折射率可通过判定光在真空中的速度除以光在材料中的速度的比率来判定。本发明的照明器件的组件及材料的各者可选择为具有所期望的折射率，该组件及材料包括基体材料、配体材料、障壁层和/或其他材料。
在一类优选实施方案中，一种或多种基体材料具有低折射率且可与器件的一个或多个障壁层、LGP、BEF和/或其他层指数匹配。
在另一个实施方案中，QD磷光体材料1304的至少一种基体材料1330具有比照明器件中的邻近层更低的折射率，由此一次光进入QD磷光体材料的角度在进入该QD磷光体材料后从θ1增加至θ2。如图13A所展示，在一个实例实施方案中，一次光1314a在QD磷光体材料层1304中折射，该QD磷光体材料层1304具有比LGP更低的折射率。进入QD磷光体材料1304的光的角度增加，藉此增加一次光在QD磷光体材料中的路径长度。结果，此增加一次光1314b将被在QD磷光体材料中的量子点吸收的概率。在一次光的较长路径长度及QD二次发射的增加的机会的情况下，需要较低QD浓度来达成二次光的任何给定亮度。如本领域普通技术人员将明白，一个或多个障壁层1320、1322可与诸如LGP 1306或基体材料1330的其他材料指数匹配或可具有不同折射率。
在另一个实施方案中，QD磷光体材料包括具有与该QD磷光体层中的其他基体和/或配体材料不同的折射率的至少一种基体和/或配体材料。例如，QD薄膜可包括具有相对较低的折射率的第一基体材料及具有较高折射率的第二材料。该第二材料可包括一种或多种基体或配体材料。在一个实例实施方案中，如图13B所展示，QD薄膜1302包括具有第一折射率n1的至少一个第一材料1330a及具有第二折射率n2的第二材料1330b，其中n2与n1不同，由此指数不匹配造成光在QD薄膜中折射—特定地为一次光折射。在一个实施方案中，如图13B所展示，n2小于n1，由此第二材料1330b在QD薄膜中折射一次光1314。在一个实施方案中，QD嵌入于第二材料1330b中。
如本领域普通技术人员将理解，基体材料可经选择以调节基体材料的折射率的有利效果来恰当平衡需要的透明度及其他属性。
障壁
在优选实施方案中，QD薄膜包括布置于QD磷光体材料层的一侧或两侧上的一个或多个障壁层。适当障壁层保护QD及QD磷光体材料免受诸如高温、氧气及水分的环境状况的影响。适当障壁材料包括不会变黄、透明光学材料，其为疏水性的且与QD磷光体材料化学并且机械兼容，展现耐光性及化学稳定性且可经受住高温。优选地，一个或多个障壁层与QD磷光体材料指数匹配。在优选实施方案中，QD磷光体材料的基体材料与一个或多个邻近障壁层指数匹配以具有类似的折射率，使得透射通过障壁层而朝QD磷光体材料的光的大部分从障壁层透射至磷光体材料中。此指数匹配减小障壁与基体材料之间的界面处的光损耗。
该障壁层适当为固体材料，且可为固化的液体、凝胶或聚合物。该障壁层取决于特定应用而可包括可挠或不可挠材料。障壁层优选为平坦层，且取决于特定照明应用而可包括任何适当形状及表面区域组态。在优选实施方案中，一个或多个障壁层将与层压薄膜处理技术兼容，由此在至少第一障壁薄膜上布置QD磷光体材料，且在与该QD磷光体材料相对的一侧上在该QD磷光体材料上布置至少第二障壁薄膜以形成根据本发明的一个实施方案的QD薄膜。适当障壁材料包括本领域已知的任何适当障壁材料。例如，适当障壁材料包括玻璃、聚合物及氧化物。适当障壁层材料包括(但不限于)诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的聚合物；诸如硅氧化物、氧化钛或氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)的氧化物；以及其适当组合。优选地，QD薄膜的各障壁层包括包括不同材料或组合物的至少两层，使得该多层障壁消除或减小障壁层中的针孔缺陷对准，提供对氧气及水分渗透进入QD磷光体材料的有效障壁。QD薄膜可包括任何适当材料或材料组合及QD磷光体材料的一侧或两侧上的任何适当数量的障壁层。障壁层的材料、厚度及数量将取决于特定应用，且将适当经选择以在最小化QD薄膜的厚度的同时最小化QD磷光体的障壁保护及亮度。在优选实施方案中，各障壁层包括层压薄膜，优选双重层压薄膜，其中各障壁层的厚度足够厚以消除滚动条式或层压制造方法中的起皱。在QD或其他QD磷光体材料包括重金属或其他毒性材料的实施方案中，障壁的数量及厚度可进一步取决于法定毒性指标，这些指标可能需要更多或更厚的障壁层。障壁的额外考虑包括成本、可用性及机械强度。
在优选实施方案中，QD薄膜包括邻近QD磷光体材料的各侧的两个或多个障壁层，优选各侧上有两层或三层、最优选在QD磷光体材料的各侧上有两个障壁层。优选地，各障壁层包括聚合物薄膜，该聚合物薄膜在该聚合物薄膜的至少一侧上具有薄氧化物涂层。优选地，该障壁层包括在一侧上涂布薄层的硅氧化物(例如，SiO2或Si2O3)的PET薄膜。例如，优选障壁材料包括CeramisTMCPT-002及CPT-005，购自AlcanTM。在另一个优选实施方案中，各障壁层包括例如具有约100μm、100μm或更小、50μm或更小，优选50μm或约50μm的厚度的玻璃片。
如图14A的实例实施方案所展示，QD BLU 1400包括一次光源1410、具有选用光提取特征件1450的LGP 1406、布置于该LGP下面的反射薄膜1408、BEF 1401及布置于该LGP与BEF之间的QD薄膜1402。如图14B所展示，QD薄膜1402包括顶部障壁1420及底部障壁1422。该障壁1420及1422的各者包括邻近QD磷光体材料1404的第一子层1420a/1422a，以及在该第一层1420a/1422a上的第二子层1420b/1422b。在优选实施方案中，子层的材料及数量经选择以最小化邻近子层之间的针孔对准。在优选实施方案中，顶部障壁1420与底部障壁1422的各者包括包括硅氧化物的第一子层1420a/1422a，以及包括PET的第二子层1420b/1422b。优选地；将包括硅氧化物的第一子层1420a/1422a布置成直接邻近QD磷光体材料1404，且将包括PET的第二子层1420b/1422b布置于第一子层1420a/1422a上面，使得第一子层1420a/1422a布置于QD磷光体材料1404与第二子层1420b/1422b之间。在一个实例实施方案中，QD磷光体材料具有约50μm的厚度，包括硅氧化物的第一子层的各者具有约8μm的厚度，且包括PET的第二子层各自具有约12μm的厚度。
在优选实施方案中，如图14C所展示，顶部障壁及底部障壁各包括双重障壁(即，2个障壁层)。顶部障壁1420包括第一障壁层及第二障壁层，其中该第一障壁层包括第一子层1420a及第二子层1420b，且该第二障壁层包括第一子层1420c及第二子层1420d。底部障壁1422包括第一障壁层及第二障壁层，其中该第一障壁层包括第一子层1422a及第二子层1422b，且该第二障壁层包括第一子层1422c及第二子层1422d。优选地，第一子层1420a、1420c、1422a及1422c包括硅氧化物且第二子层1420b、1420d、1422b及1422d包括PET。在一个实例实施方案中，QD磷光体材料具有约100μm的厚度，包括硅氧化物的第一子层各自具有约8μm的厚度，且包括PET的第二子层各自具有约12μm的厚度。
如图15A所展示，一个或多个障壁层中的任何者可包括跨越观察平面具有一致厚度及结构的一层。分别如图15B、图15C及图15D所展示，障壁层的任何者也可包括在障壁层的顶部表面、底部表面或顶部表面与底部表面二者上的特征件1550。如本领域普通技术人员将理解，可采用具有或不具有特征件1550的此类障壁层的任何适当组合。如图15B至图15I所展示的各种实例实施方案所展示，障壁层的特征件1550可包括任何适当纹理或图案，包括棱镜、斜角、透镜、凸块、波形特征件、划痕、透镜、圆顶或随机微型纹理表面。适当地，该特征件可为光散射或漫射器特征件—例如在QD薄膜中散射光或使从QD薄膜的顶部透射的光漫射以光平衡BLU的LGP、QD薄膜或其他层中的瑕疵。适当地，该特征件可包括光提取或亮度增强特征件以增强由BLU发射的光的光提取及亮度并且/或促进一次光再循环回至QD磷光体材料中以增强二次光发射。适当地，特征件1550防止QD薄膜与BLU的邻近层(特定地为LGP)之间的密切实体耦合，因此防止非期望的包覆效果。适当地，特征件1550可具有约0.5μm至1μm的高度大小，且该特征件的各者可隔开约0.5μm至1μm的距离。适当地，该特征件包括与在其上形成该特征件的障壁层相同的材料，且该特征件可直接形成于该障壁层中或形成于该障壁层上。特征件1550可使用本领域已知的任何方法形成，包括冲压、雷射蚀刻、化学蚀刻、射出模制及挤压。
在图16A所展示的一个实例实施方案中，底部障壁层1622的底部表面包括抗耦合或抗包覆特征件1650以防止LGP与QD薄膜之间的过度光学耦合(例如，包覆)。这些抗耦合或抗包覆特征件1650防止LGP 1606与QD薄膜1602之间的过度实体接触，藉此促进显示表面上的亮度均匀性。适当地，特征件1650防止QD薄膜与BLU的邻近层(特定地为LGP)之间的过度光学耦合。适当地，特征件1650可具有约0.5μm至1μm的高度和宽度的大小，且该特征件可各隔开约0.5μm至1μm的距离。
在本发明的某些实施方案中，障壁板1620的顶部表面包括结构特征件1650，此结构特征件1650减小顶部板1620与在该顶部板上面的媒体(例如，空气)(光从器件发射至该媒体中)之间的界面处的全内反射。在示例性实施方案中，在障壁板1620与障壁板1620上面的邻近媒体的空气/玻璃界面处，顶部障壁板1620的顶部表面经微型纹理化。经微型纹理化的表面减小全内反射且增加来自顶部板的光提取。在某些实施方案中，顶部板的顶部表面上的结构特征件1650增加约10％或更多的光提取。如本领域普通技术人员将理解，可基于从磷光体封装的磷光体材料发射的光的波长、QD薄膜与邻近媒体的折射率或其他特性来选择或更改结构特征件1650的几何形状。
在另一个示例性实施方案中，如图16B所展示，顶部障壁层1620的顶部表面包括诸如棱镜或斜角的亮度增强特征件1650，其朝QD薄膜反射回一次光的一部分，藉此提供一次光回至QD薄膜的“再循环”。如本文中所参考，“亮度增强薄膜”(BEF)及“亮度增强特征件”朝从其处透射光的方向反射回一部分光的薄膜或特征件。朝BEF或亮度增强特征件行进的光将取决于光入射于薄膜或特征件上的角度而透射通过薄膜或特征件。例如，如图16C至图16D所展示，BEF 1601的亮度增强特征件1650包括形成为在薄膜1601的顶部表面上平行的棱镜或棱镜凹槽。若光正交或垂直于平坦薄膜1601，则从LGP 1606向上行进的光将透射通过BEF。然而，若光具有较高角度，则此光将向下朝LGP反射。BEF及亮度增强特征件可经选择以针对不同角度的光而具有多个反射角，且这些特征件及角度可经选择以达成所期望的亮度或光“再循环”。例如，第一偏光器薄膜(或BEF)可从垂直于该薄膜的平面反射具有约15度至25度的角度(即，偏离法线65度至75度)的光，且第二薄膜可从垂直平面反射具有约25度至35度的角度的光。如图16D的薄膜1620a、1620b所展示，可将该BEF布置成在相对方向上布置增强特征件1650。也可包括额外BEF。使用多角度且多方向的反射特征件导致“立体角度的再循环”，其再循环从各个方向到达BEF的光。在本发明的优选实施方案中，一个或多个BEF的角度或斜角将经选择以朝QD薄膜反射一次光的显著部分，使得可大幅减小QD数量以达成来自QD的一所期望的二次光发射。
BEF及亮度增强特征件可包括反射和/或折射薄膜、反射偏光器薄膜、棱镜薄膜、凹槽薄膜、开槽的棱镜薄膜、棱镜、斜角、凹槽或本领域已知的任何适当BEF或亮度增强特征件。例如，BEF可包括常规BEF，诸如购自3MTM的VikuitiTMBEF。在某些实施方案中，一个或多个障壁层可具有在其上或其中形成的亮度增强特征件，由此该一个或多个障壁层用作障壁与BEF二者。障壁层1620可为BEF光学薄膜堆栈的底部BEF。在另一个实例实施方案中，在图16C及图16D中展示，顶部障壁包括至少两层，各层在该层的顶部表面上包括亮度增强特征件。顶部障壁1620包括第一层1620a，该第一层1620a包括在顶部表面上具有亮度增强特征件1650的第一BEF，以及第二层1620b，该第二层1620b包括在顶部表面上具有亮度增强特征件1650的第二BEF，其中该顶部障壁用作障壁1620及包括该第一BEF障壁层1620a及该第二BEF障壁层1620b的BEF堆栈1601二者。在优选实施方案中，QD BLU包括至少一个BEF、更优选至少两个BEF。适当地，BLU可包括至少三个BEF。在优选实施方案中，至少一个BEF包括反射偏光器BEF(即，DBEF)，例如用于再循环否则将被液晶基体模块的底部偏光器薄膜吸收的光。等亮度增强特征件及BEF可包括反射器和/或折射器、偏光器、反射偏光器、光提取特征件、光再循环特征件或本领域已知的任何亮度增强特征件。该BEF及亮度增强特征件1650可包括常规BEF。例如，该BEF可包括具有具第一俯仰角的斜角或棱镜的第一层，以及具有具第二俯仰角的斜角或棱镜的至少第二层。在另一个实施方案中，BLU可包括具有具第三俯仰角的斜角或棱镜的第三BEF层。适当BEF包括常规BEF，包括购自3MTM的VikuitiTMBEF。
在某些实施方案中，一个或多个障壁层可由现有层或材料而非额外障壁材料形成。例如，在示例性实施方案中，围绕QD的基体材料本身可用作用于QD的障壁材料。在某些实施方案中，QD薄膜的顶部障壁层可包括BLU的漫射层或BEF薄膜。在另一个实施方案中，LGP可充当用于QD磷光体材料的底部障壁层；然而，LGP与QD薄膜优选彼此不密切接触。如本领域普通技术人员将理解，QD磷光体障壁材料或障壁层可包括如本文所述的一种或多种组分的任何适当组合。
如本领域普通技术人员将理解，本发明的QD薄膜的各障壁层可具有任何适当厚度，其将取决于照明器件及应用的特定需求及特性，以及诸如障壁层及QD磷光体材料的个别薄膜组件。在某些实施方案中，各障壁层可具有50μm或更小、40μm或更小、30μm或更小、优选25μm或更小或20μm或更小、最优选15μm或更小的厚度。在某些实施方案中，障壁层包括氧化物涂层，该氧化物涂层可包括诸如硅氧化物、氧化钛及氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)的材料。该氧化物涂层可具有约10μm或更小、5μm或更小、1μm或更小或100nm或更小的厚度。在某些实施方案中，该障壁包括具有约100nm或更小的厚度的薄氧化物涂层，且该薄氧化物涂层可具有10nm或更小、5nm或更小或3nm或更小的厚度。顶部障壁和/或底部障壁可由该薄氧化物涂层组成或可包括该薄氧化物涂层及一个或多个额外材料层。
障壁密封
在优选实施方案中，如图17A及图17B所展示，QD薄膜1702包括顶部障壁1720及底部障壁1722，其可包括本文所述的障壁实施方案的任何者，以及惰性区1705，其包括在暴露至诸如氧气的环境状况的QD磷光体材料周围的空间界定区。优选地，QD磷光体材料提供足够的障壁以防止氧气或水分穿透超过预定或预界定的惰性区1705并且穿透至该QD磷光体材料的活性区1709。在优选实施方案中，QD磷光体材料包括布置于环氧树脂基体材料中且经APS-涂布或PEI-涂布的QD，且惰性区在QD薄膜的最外边缘或周边处具有约1毫米的宽度，且在该QD薄膜的周边处具有等于该QD磷光体材料的厚度的高度。该空间区的尺寸可包括任何适当尺寸且将取决于特定器件实施方案，包括特定QD磷光体材料、障壁层的数量及类型等。惰性区的宽度可使用适当测试程序来判定，并且适当包括2mm或更小或1.5mm或更小，且优选为1mm或更小、1mm或约1mm。
除了一个或多个障壁层以外或作为该一个或多个障壁层的替代方案，可边缘密封和/或气密密封QD薄膜以保护QD磷光体材料免受环境状况影响。在一个实例实施方案中，如图18A所展示，QD薄膜包括QD磷光体材料1804及气密封装或涂布层1821，该气密封装或涂布层1821完全涂布QD磷光体材料的整个外表面。如本领域普通技术人员将明白，包括本文具体描述的实施方案的本发明的任何实施方案包括在QD磷光体材料或QD薄膜的表面上的外部气密涂布层。适当地，气密涂布层包括氧化物，诸如硅氧化物、氧化钛或氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)；玻璃、聚合物、环氧树脂或本文所述的基体材料的任何者。气密密封可由本领域已知的任何适当方法形成，包括喷雾涂布、喷涂、湿式涂布、化学气相沉积或原子层沉积。
在优选实施方案中，将顶部障壁及底部障壁机械密封。如图18B及图18C的优选实施方案所展示，顶部和/或底部层紧压在一起以密封QD薄膜。适当地，在QD磷光体材料完全固化之前紧压障壁层1820及1822的边缘。适当地，在沉积QD薄膜及障壁层之后立即紧压该边缘，以便最小化QD磷光体材料暴露至环境中的氧气及水分。该障壁边缘可由紧压、冲压、熔融、滚轧、挤压或类似方式予以密封。在形成QD薄膜的一个实施方案中，在用于将QD薄膜切割至适当大小的相同处理步骤期间密封一个或多个障壁边缘。如图19A及图20A所展示，可在QD薄膜包括包括LGP 1906的底部障壁1922的实施方案中(如图19A中，该图展示QD磷光体材料直接形成于组合底部障壁层及LGP 1906、1922及顶部障壁层1920上)，以及在机械密封QD薄膜之前在LGP 2006上形成或沉积QD薄膜2002的实施方案中(如图20A中，该图展示QD薄膜包括顶部障壁2020、底部障壁2022及QD磷光体材料2004)可采用相同或类似的机械边缘密封。
在其他实施方案中，如图19B及图20B所展示，QD薄膜包括边缘密封件1927、2027，该边缘密封件包括布置成沿QD磷光体材料的周边邻近QD磷光体材料1904、2004的密封材料。适当地，边缘密封件包括适当的光学黏着材料，诸如环氧树脂。边缘密封件可包括QD磷光体材料的一种或多种基体材料，包括本文所述的基体材料。在其他实施方案中，如图19C及图20C所展示，密封材料1928、2028形成于QD磷光体材料1904、2004上面，适当地覆盖QD磷光体材料的整个顶部表面及边缘。密封材料1928、2028适当包括透明、不会变黄的光学材料，包括环氧树脂或本文所述的任何适当基体材料。该密封材料可包括氧化物涂层，包括诸如硅氧化物、氧化钛或氧化铝(例如，SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)的材料。适当地，密封材料与QD磷光体材料化学且机械兼容。适当地，密封材料为具有高机械强度的耐用、可挠材料。可将密封材料沉积于QD磷光体材料上面或一种或多种障壁材料上面。另外，可将一种或多种障壁材料布置于该密封材料上面。适当地，密封材料为其可与QD磷光体材料一起固化的可固化的材料—例如热固化或UV固化。在另一类实施方案中，如图19D及图20D所展示，QD磷光体材料1904、2004本身提供对环境状况的障壁。在此类实施方案中，QD薄膜可排除顶部和/或底部障壁。在此类实施方案中，如上文更详细描述。QD可任选地涂布有氧化物涂层或层以提供针对环境状况的进一步保护。
如本领域普通技术人员将理解，可以任何适当组合使用本文所述的障壁及密封件，且可基于照明器件的特定应用及所期望的特性来选择该障壁及密封件。
光导
本发明的QD薄膜远程磷光体封装光连接至一次光源，使得该远程磷光体封装与该一次光源光学通信。在优选实施方案中，一次光源及QD薄膜远程磷光体封装各自光耦合至至少一个平坦波导(本文称为一个光导面板(LGP))，由此例如如图6、图7及图13所展示，一次光源及二次光源的各者经由LGP而彼此光学通信。QD薄膜适当布置于LGP上面或邻近该LGP，且该LGP适当布置于诸如LED的一个或多个一次光发射源上面或者布置成邻近该一个或多个一次光发射源，该一个或多个一次光发射源提供一次光以起始来自磷光体封装的磷光体材料的二次光发射。该LGP为从该一次光源发射的光提供透射通过该LGP至该远程磷光体封装的光转移媒体，藉此允许该一次光激发QD且造成二次光发射。在另一个实施方案中，LGP布置于远程磷光体封装与照明显示器的观察平面之间，其中离开远程磷光体封装的光透射通过LGP而至显示器表面的整个观察平面，由此该光被该显示器的观察者看见。LGP可包括对一次光及二次光透明的任何适当不会变黄的光学材料，且可包括本领域普通技术人员已知的任何适当LGP。例如，LGP可包括任何常规LGP。适当LGP材料包括聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、丙烯酸聚合物树脂、玻璃或本领域已知的任何适当LGP材料。LGP的适当制造方法包括射出模制、挤压或本领域已知的其他适当实施方案。在优选实施方案中，LGP提供来自该LGP的顶部表面的均匀一次光发射，使得进入QD薄膜的一次光具有均匀的颜色及亮度。LGP可包括本领域已知的任何厚度或形状。例如，如图21A及图22A所展示，LGP厚度在整个LGP表面上面可为均匀的。或者如图22C所展示，LGP可具有似楔形形状。
在某些实施方案中，QD薄膜远程磷光体封装可为来自LGP的个别组件，同时在其他实施方案中，远程磷光体封装可与LGP完全或部分地整合。在示例性实施方案中，磷光体材料及LGP布置于单个层中，其中磷光体材料嵌入于LGP中。在另一个示例性实施方案中，QD薄膜布置于LGP上面，其中该LGP为该QD薄膜的底部障壁材料层。在优选实施方案中，QD薄膜及LGP为个别且不同的组件，其中最优选在该LGP与该QD薄膜之间最小化或消除过度实体耦合。
如图21D、图21E、图22D至图22K、图23C及图23D所展示，LGP 2106、2206、2306可包括在LGP的顶部表面、底部表面或顶部表面与底部表面二者上的特征件2150、2250、2350。如图22K所展示，LGP特征件可定位于邻近LGP的一个别层中。如图21至图23的各种实例实施方案所展示，LGP特征件2150、2250、2350可包括任何适当纹理或图案，包括棱镜、斜角、透镜、凸块、波形特征件、划痕、上文关于障壁层所述的任何特征件或本领域已知的任何适当特征件。适当地，该特征件可包括光散射或漫射器特征件—例如在LGP或QD薄膜中散射光或使从LGP的顶部透射的光漫射以光平衡LGP或布置于LGP下面的反射器薄膜2108中的瑕疵。适当地，该特征件可例如在LGP的底部包括反射特征件以使光反射远离LGP的底部表面且反射朝向LGP的顶部表面。适当地，该特征件可包括亮度增强特征件以增强由BLU发射的光的亮度且/或促进再循环一次光回至QD磷光体材料中以增强二次光发射。适当地，该LGP特征件可包括抗耦合特征件—例如以在LGP与QD薄膜与邻近该LGP的其他层之间减小光学耦合或防止包覆。适当地，LGP特征件可具有约0.5μm至1μm的高度的大小，且该特征件的各者隔开约0.5-1μm的距离。间隔件2152及抗耦合特征件2150可包括任何适当形状、大小及材料。适当地，该特征件包括与LGP相同的材料，且该特征件可直接形成于LGP中或形成于该LGP上。该LGP特征件可使用本领域已知的任何方法形成，包括冲压、雷射蚀刻、化学蚀刻、射出模制及挤压。如本领域普通技术人员将理解，可采用该LGP特征件的任何适当组合。
在某些实施方案中，如图22A所展示，LGP可充当用于QD磷光体材料的底部障壁层，且适当LGP-障壁层将包括任何光透明、不会变黄、不透氧气及水分的材料，其对于QD而言为足够温度的障壁。然而，在LGP与QD薄膜为不同层的实施方案中，该LGP与该QD薄膜优选不彼此密切接触。在优选实施方案中，QD薄膜与LGP不会密切接触，使得在该QD薄膜与该LGP之间消除或最小化光学包覆效果，由此亮度均匀性在显示器表面上获维持。在图21B所展示的一个实例实施方案中，LGP 2106与QD薄膜2102之间存在间隙2151，诸如空气间隙。在另一个实施方案中，如图21C所展示，间隔件2152在QD薄膜与LGP之间提供一隔开距离。适当地，该LGP与该QD薄膜隔开或偏移约0.5μm至1μm的距离。在另一个实施方案中，LGP包括抗耦合或抗包覆特征件2150以防止该LGP与QD薄膜之间的过度或密切实体耦合。适当地，特征件2150、2250、2350或间隔件2152防止LGP与BLU的邻近层(特定地为QD薄膜)之间的过度实体耦合。适当地，该抗包覆或抗耦合LGP特征件可具有约0.5μm至1μm的高度与宽度大小，且该特征件的各者可隔开约0.5μm至1μm的距离。
在另一个实例实施方案中，如图21D、图22D至图22I、图23C及图23D所展示，LGP在该LGP的顶部表面和/或底部表面上包括亮度增强特征件2150、2250、2350，诸如棱镜、透镜、圆顶或斜角。适当地，该亮度增强特征件在该LGP的顶部表面上包括亮度增强特征件。该亮度增强LGP特征件可包括本领域已知的常规亮度增强特征件，包括本文所述的亮度增强特征件。例如，该亮度增强特征件可包括具有第一俯仰角的斜角或棱镜，具有第二俯仰角的额外斜角或棱镜，依此类推。
在另一个实例实施方案中，LGP包括散射或漫射器特征件以在LGP或QD薄膜中散射光，或者散射从LGP的顶部透射的光以光平衡LGP或反射器薄膜中的瑕疵。在优选实施方案中，LGP在该LGP的顶部表面、底部表面或顶部表面及底部表面上包括散射特征件，由此该特征件促进QD薄膜中的散射以增加一次光在该QD薄膜的QD磷光体材料中的光学路径长度。
在其他实施方案中，LGP适当在该LGP的底部表面上包括反射特征件，由此该反射特征件使光反射远离该LGP的底部表面且朝该LGP的顶部表面。
在某些实施方案中，如图22B、图23A至图23H及图26A至图26H所展示，LGP包括嵌入于LGP中的至少一个群体的二次光发射QD 2313、2514，使得该LGP与QD薄膜被整合至同一层中。如图23A所展示，QD 2313可均匀分散于LGP 2306各处。或者如图23B至图23H所展示，该QD可主要或单独布置于LGP的特定部分、区或层中。如图23B至图23D及图23H所展示，该QD可布置于LGP的顶部部分、区或层中，且如图23C及图23D所展示，该QD可主要布置于LGP特征件2350中或靠近LGP特征件2350。如图23E所展示，该QD可布置于LGP的中间层或区2306内。如图23F所展示，该QD可布置于LGP的末端部分或区2306a内—例如在定位成与一次光源相对的末端部分或区处或者在定位成最接近该一次光源的末端部分或区处。如图23G及图23H所展示，该QD可具有遍及LGP的梯度密度—例如，QD浓度可朝LGP的顶部、底部或一个或多个边缘增加。
在其他实施方案中，如图24及图25所展示，LGP可包括嵌入于该LGP中的散射特征件，诸如散射珠粒2440、2540。如图24A至图24H所展示，散射珠粒2440可均匀分散于LGP 2406各处，主要或单独布置于LGP的特定部分、区或层中—诸如该LGP的顶部、底部、边缘、周边或中间部分、层或区中；或者经布置使得该散射珠粒具有遍及该LGP的梯度密度。
在另一类实施方案中，LGP包括二次光发射QD与散射特征件(诸如散射珠粒)二者。LGP可包括QD及分散于其中的散射珠粒的任何适当配置。实例实施方案展示于图25A至图25H中。然而，如本领域普通技术人员将明白，本发明涵盖任何适当配置，包括本文公开的配置及其任何组合。LGP中的QD和/或散射特征件的配置应视特定照明方法及器件需求来选择，且这些配置不限于本文所展示或论述的特定实例实施方案。
反射薄膜
在优选实施方案中，本发明的照明器件包括朝QD磷光体材料反射一次光的反射特征件。优选地，如图6A及图6B的实例实施方案及展示示反射器薄膜508的图5的常规BLU所展示，本发明的QD薄膜BLU包括布置于LGP的底部或布置于该LGP下面的反射薄膜，使得LGP波导606布置于QD薄膜602与反射薄膜608之间。该反射薄膜可包括任何适当材料，诸如反射镜、反射器粒子的薄膜、反射金属薄膜或任何适当常规反射器。然而，反射薄膜608优选为白色薄膜。在某些实施方案中，反射器薄膜可包括包括上文关于LGP及障壁层及图21至图26论述的特征件的额外功能或特征件，诸如散射、漫射器或亮度增强特征件。
在另一个实施方案中，如图6C所展示，QD磷光体材料层604可直接布置于反射薄膜608上面。反射薄膜608可形成QD薄膜的底部障壁层622，由此薄膜608、622形成组合障壁薄膜及反射薄膜。如图6C所展示，QD薄膜602包括在QD磷光体层604与LGP 606之间的顶部障壁层620。该器件可任选地包括漫射器薄膜605，该漫射器薄膜605与QD磷光体层604隔开。例如，如图6C所展示，漫射器薄膜605布置于LGP 606的上面，例如在LGP 606与BEF层601之间。底部反射障壁薄膜608、622可包括具有不同属性的多个层。在此实施方案(未展示)中，底部反射障壁薄膜可包括一个或多个塑料或聚合物障壁薄膜层及一个或多个反射材料层。例如，该底部反射障壁薄膜可包括布置成直接邻近QD磷光体层604且与该QD磷光体层604直接实体接触的至少一个第一塑料/聚合物障壁层，以及在该塑料障壁层下面的反射薄膜层，例如诸如铝薄膜层的反射金属层，由此该塑料/聚合物障壁薄膜布置于该QD磷光体层604与该反射薄膜层之间。该底部反射障壁薄膜任选地可进一步包括布置于该反射薄膜层下面的至少第二聚合物/塑料薄膜层，由此该反射薄膜层布置于底部反射薄膜堆栈中的第一聚合物/塑料层与第二聚合物/塑料层之间。该一个或多个塑料/聚合物层可防止反射薄膜层的刮痕或损害并且改良该反射薄膜层与QD磷光体层604或照明器件中的其他层之间的黏着。
漫射器薄膜
在本发明的某些实施方案中，照明器件包括漫射器薄膜，该漫射器薄膜与本文所述的散射特征件不同且补充该散射特征件，诸如图5的常规LCD 500所展示的漫射器薄膜504。该漫射器薄膜可包括本领域已知的任何漫射器薄膜，包括增益漫射器薄膜，并且可布置于LGP上面或下面、本发明QD薄膜上面或下面、或该一个或多个BEF或BLU的其他光学薄膜上面或下面。在优选实施方案中，QD薄膜(或本发明的其他特征件)消除BLU中对常规漫射器薄膜的需要，藉此最小化照明器件的厚度。如下文更详细论述，QD薄膜可包括与其相关联的一个或多个散射或漫射器特征件，除了增加QD薄膜中的QD的二次发射以外，其也可提供传统漫射器的目的。
在其他实施方案中，除了QD磷光体薄膜层之外或替代该QD磷光体薄膜层，该器件可包括一个或多个漫射器薄膜。例如，BLU可包括QD薄膜上面的一或两个漫射器薄膜。
亮度增强
在本发明的优选实施方案中，BLU包括一个或多个亮度增强特征件或亮度增强薄膜。如本文中所参考，“亮度增强薄膜”(BEF)及“亮度增强特征件”将一部分光往回反射朝向该光从其处透射的方向的薄膜或特征件。朝BEF或亮度增强特征件行进的光将取决于光入射于薄膜或特征件上的角度而透射通过该薄膜或特征件。例如，如图16C至图16D所展示，BEF 1601的亮度增强特征件1650包括在薄膜1601的顶部表面上形成为平行的棱镜或棱镜凹槽。若光正交或垂直于平坦薄膜1601，则从LGP 1606向上行进的光将透射通过BEF。然而，若光具有较高角度，则此光将向下朝LGP反射。BEF及亮度增强特征件可经选择以针对不同角度的光而具有多个反射角度，且该特征件及角度可经选择以达成所期望的亮度或光“再循环”。例如，第一偏光器薄膜(或BEF)可从垂直于薄膜的平面反射具有约15度至25度的角度(即，偏离法线65度至75度)的光，且第二薄膜可从该垂直平面反射具有约25度至35度的角度的光。如图16D的薄膜1620a、1620b所展示，该BEF可布置成在相对方向上布置增强特征件1650。也可包括额外BEF。使用多角度且多方向的反射特征件造成“立体角度再循环”，其再循环从各个方向到达BEF的光。在本发明的优选实施方案中，一个或多个BEF的角度或斜角将经选择以朝QD薄膜反射一次光的显著部分，使得可大幅减小QD数量以达成来自QD的所期望的二次光发射。
在某些实施方案中，一个或多个障壁层可具有在其上或在其中形成的亮度增强特征件，由此该一个或多个障壁层用作障壁与BEF二者。BLU可包括本文所述的任何亮度增强特征件及BEF，包括上文关于LGP及QD薄膜障壁层及图16和图21至图26所论述的特征件及薄膜。在优选实施方案中，照明器件包括至少两个或多个BEF 601、至少一个LGP 606及布置于该LGP 606与该BEF 601之间(如图6A及图6B所展示)，或者布置于底部反射薄膜608与该BEF 601之间(如图6C所展示)的QD薄膜远程磷光体封装602。在额外实施方案中，LGP和/或一个或多个障壁层包括例如上文关于图16及图21至图26所论述的BEF或亮度增强特征件。在优选实施方案中，QD BLU包括至少一个BEF、更优选至少两个BEF。适当地，该BLU可包括至少三个BEF，其中至少一个BEF包括反射偏光器BEF(即，DBEF)。该亮度增强特征件及BEF可包偏光器、反射偏光器、光提取特征件、光再循环特征件或本领域已知的任何亮度增强特征件。该BEF及亮度增强特征件1650可包括常规BEF。例如，该BEF可包括具有具第一俯仰角的斜角或棱镜的第一层以及具有具第二俯仰角的斜角或棱镜的至少第二层。在另一个实施方案中，BLU可包括具有具第三俯仰角的斜角或棱镜的第三BEF层。适当BEF包括常规BEF，包括购自3MTM的BEF，包括3MTM VikuitiTM亮度增强薄膜。
在某些实施方案中，一个或多个BEF可为来自QD薄膜及LGP的一个或多个单独或不同层。在其他实施方案中，如上所述，LGP或障壁层的至少一者包括至少一个BEF。在其他实施方案中，QD布置于一个或多个BEF中，诸如底部、中间或顶部BEF中，使得该QD薄膜及一个或多个BEF完全或部分地整合至同一层中。在某些实施方案中，QD磷光体材料可形成为适当BEF。例如，该QD磷光体材料层可在该QD磷光体材料层的顶部表面和/或底部表面处包括亮度增强特征件。在某些实施方案中，QD BLU包括布置于QD磷光体材料层中的第一群体的QD(例如，发红光QD)，布置于第一BEF(布置于该QD磷光体材料层上面)及适当至少第二BEF(布置于该第一BEF上面)中的第二群体的QD(例如，发绿光QD)。在某些实施方案中，QD BLU包括至少两个BEF，其中第一BEF包括第一群体的QD(例如，发红光QD)，且第二BEF包括第二群体的QD(例如，发绿光QD)。
在优选实施方案中，一个或多个BEF可经选择以朝QD磷光体材料层反射或折射回高百分数的光，由此增加一次光再循环，且在QD磷光体材料中进一步增加一次光的光学路径长度。
可使用常规BEF方法及材料形成包括QD的BEF，使得BEF材料为QD磷光体材料的主体基体材料，或者该BEF可包括任何适当QD基体材料，包括本文参考的任何适当基体材料。
组件间的媒体材料
本发明的QD照明器件可包括在该照明器件的邻近组件之间的一种或多种媒体材料。该器件可包括布置于该器件中的任何邻近组件之间的一种或多种媒体材料，包括布置于一次光源与LGP之间、LGP与QD薄膜之间、QD磷光体材料内的不同层或区之间、QD磷光体材料与一个或多个障壁层之间、QD磷光体材料与LGP之间、QD磷光体材料与一个或多个BEF、漫射器、反射器或其他特征件之间、多个障壁层之间，或者该照明器件的任何其他组件之间。该一种或多种媒体可包括任何适当材料，包括(但不限于)真空、空气、气体、光学材料、黏着剂、光学黏着剂、玻璃、聚合物、固体、液体、凝胶、固化材料、光学耦合材料、指数匹配或指数不匹配材料、指数梯度材料、包覆或抗包覆材料、间隔件、环氧树脂、硅胶、硅氧烷、本文所述的任何基体材料、亮度增强材料、散射或漫射器材料、反射或抗反射材料、波长选择性材料、波长选择性抗反射材料、彩色滤光器或本领域已知的其他适当媒体。适当媒体材料包括光透明、不会变黄、压力敏感的光学黏着剂。适当材料包括硅氧烷、硅氧烷凝胶、硅胶、环氧树脂(例如，LoctiteTM环氧树脂E-30CL)、丙烯酸酯(例如，3MTM黏着剂2175)及本文所述的基体材料。该一种或多种媒体材料可应用为可固化凝胶或液体且在沉积期间或之后固化，或在沉积之前预形成且预固化。适当固化方法包括UV固化、热固化、化学固化或本领域已知的其他适当固化方法。适当地，指数匹配媒体材料可经选择以最少化照明器件的组件之间的光学损耗。
散射
与传统照明系统相比较，基于QD的磷光体与相关系统展现唯一的复杂性。例如，涉及LED封装的大多数传统照明系统需要来自来源LED的高度指向的光。然而，在本发明的某些实施方案中，高度漫射且为一次光的源优选增加QD磷光体材料中的一次光路径。如图8所绘示，QD自然且等向地发射光，此意谓着由各QD 813所产生的二次光816将从QD表面处在全部方向上发射。极为不同的是，典型源LED封装以更为单向或朗伯(Lambertian)方式而非等向地发射一次光814。结果，由LED一次光源及QD磷光体材料所发射的各自辐射图案将有所不同。辐射图案的这些差异促成涵盖QD磷光体的照明器件(例如，显示器)中的颜色及亮度的不均。本发明包括校正这些颜色及亮度的不均的某些方法及器件。另外，一次光源的单向发射图案限制一次光在BLU中的固有路径长度。本发明包括用于散射光(诸如一次光)以增加一次光在QD薄膜的QD磷光体材料中的路径长度，藉此增加二次光发射及效率的方法及器件。
本发明包括用于操纵一次光以增加一次光在QD光转换薄膜中的光学路径长度的方法及器件。在优选实施方案中，一次光的操纵包括增加一次光在QD薄膜的QD磷光体材料中的散射。如本文中所使用，“散射”指在一种或多种散射特征件的入射后，光偏转或重新定向以改变其指向轨道至更为等向或漫射(即，较少朗伯或单向性)的发射路径中。在优选实施方案中，散射的机制主要归因于米氏散射(Miescattering)及散射特征件与周围材料(诸如QD磷光体材料)的折射率的差异。米氏散射的示意图展示于图27A及图27B中，其描绘单向一次光2714a针对大小不同的散射珠粒2740a、2740b而散射为更为漫射的一次光2714b。在某些实施方案中，散射特征件的光散射机制可包括米氏散射、折射、反射、漫折射或反射、子表面折射或反射、漫透射、绕射或其任何适当组合。包括散射特征件的QD薄膜明显提供组合散射/漫射器薄膜层及QD光转换薄膜层，藉此消除显示器BLU中对单独磷光体及漫射器薄膜的需要。
如本领域普通技术人员将理解，散射机构将取决于许多因素，包括一次光的特性、基体材料及散射特征件。例如，由散射特征件所引发的散射将取决于所散射的光的波长、方向及其他属性；材料的折射率、特征件与周围基体之间的指数变化、散射特征件的粒子、分子结构及晶界内的任何指数变化；散射特征件的尺寸、密度、体积、形状、表面结构、位置及定向；以及更多因素。尽管可容许散射特征件的一些吸收，然而优选散射材料将展现零或最小光吸收以允许高度弹性散射及效率。动态光散射技术(诸如本领域已知的动态光散射技术)可用来判定本发明的特定照明器件中的散射特征件的理想特性。也可使用试误法来判定特定照明器件实施方案最可能的组态。另外，也可使用理论计算来粗略估计散射。例如，可使用本领域已知的米氏理论计算来描述包括大小类似于散射光的波长的介电球的色散的实施方案中的散射过程。
在本发明的优选实施方案中，一次光经选择性散射以改变该一次光的指向性，此造成QD激发及二次光发射的增加的机率，且因此也降低通过远程磷光体材料而未被QD吸收的一次光的量。在优选类实施方案中，散射特征件包括一个或多个散射特征件，该一个或多个散射特征件在该散射特征件与主体基体材料之间的界面处具有与该主体基体材料的折射率不同的折射率。例如，如图13B所展示，该散射特征件可包括散射域1330b。该散射域包括具有与另一基体材料的折射率不同的折射率的材料的空间区，由此一次光在QD磷光体材料被重新定向。在优选实施方案中，如图27C所描绘，散射特征件包括分散于QD磷光体材料2704各处的散射粒子2740。在进入QD磷光体材料之后，一次光2714a将完全透射通过远程磷光体材料，由一个或多个散射粒子散射和/或由QD 2713吸收且造成二次光发射2716。以此方式，由于改变进入的一次光的指向性将增加QD吸收的概率，故需要较少QD来达成所期望的二次发射。在额外实施方案中，散射特征件可包括散射空隙，诸如QD磷光体材料中的气泡或间隙。在其他实施方案中，如上文关于障壁层特征件及图15B至图15I所述，一个或多个障壁层可包括散射特征件以增加QD磷光体材料中的散射。适当地，该QD薄膜包括布置于QD磷光体材料下面的至少一个障壁层，其中该至少一个障壁层包括散射特征件1550，由此该散射特征件散射透射至该QD磷光体材料中的一次光。在另一类实施方案中，QD薄膜包括该QD薄膜中的至少一个群体的一次光发射磷光体—例如，发射额外一次光(诸如，蓝光)的QD，使得由该QD所发射的等向一级蓝光被该QD薄膜中的二次光发射QD吸收。在一个实例实施方案中，散射特征件包括分散于QD磷光体材料中的发蓝光QD。该发蓝光QD可均匀分散于该QD磷光体材料各处，该蓝色QD可布置于该QD磷光体材料中的二次光发射QD下面，或者该蓝色QD的至少一部分可布置于该二次光发射QD(例如，发红光QD及发绿光QD)的至少一部分的下面。
用于控制散射粒子的散射的最重要特性将包括该散射粒子的折射率、大小、体积及密度。如本领域普通技术人员将理解，散射珠粒特性可经调谐以达成QD磷光体材料中的理想散射。
适当散射粒子包括本领域已知的任何适当光学材料，氧化铝、蓝宝石、空气或其他气体、空心珠粒或粒子，诸如填充空气或填充气体的材料(例如，填充空气/气体的玻璃或聚合物)；聚合物，包括PS、PC、PMMA、丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、三聚氰胺树脂、甲醛树脂或三聚氰胺与甲醛的树脂(例如，EpostarTMS12三聚氰胺-甲醛树脂珠粒，购自Nippon Shokubai Co.,Ltd.)；及其任何适当组合。优选散射粒子材料包括玻璃，诸如高折射率光学玻璃、二氧化硅玻璃或硅酸硼玻璃。在优选实施方案中，QD磷光体材料包括经APS-涂布或PEI-涂布的QD及环氧树脂，且散射粒子包括二氧化硅或硅酸硼。优选散射粒子包括具有比周围材料的折射率高的折射率的一种或多种光学材料。
在某些实施方案中，散射粒子包括具有第一折射率的第一多个散射粒子以及具有与该第一折射率不同的第二折射率的第二多个散射粒子。例如，该散射粒子可包括具有约1.43的折射率的第一多个二氧化硅珠粒及具有约1.66的折射率的第二多个三聚氰胺-甲醛树脂珠粒(例如，EpostarTMS12三聚氰胺-甲醛树脂珠粒，购自Nippon ShokubaiCo.,Ltd.)。在一个实例实施方案中，二氧化硅珠粒可具有约1μm的直径，且该三聚氰胺-甲醛树脂珠粒可具有约1.5μm的直径。
优选地，该散射特征件包括具有光滑表面的球状粒子的单分散群体。适当地，该散射粒子可具有不大于约4倍的优先散射的光(例如，一次光，优选一次蓝光)的波长的最大尺寸。优选地，该散射粒子具有与优先散射的光(例如一次光，优选蓝色一次光)的波长类似的最大尺寸。该散射粒子可为具有小于5μm的直径的球状粒子。优选地，该一次光包括蓝光且该散射粒子具有约0.5μm至约2μm、0.5μm至2μm、约0.5μm至约1.5μm、0.5μm至1.5μm、约0.5μm至约1μm、0.5μm至1μm、0.5μm、约0.5μm、0.75μm、约0.75μm、1.5μm、约1.5μm、1.75μm、约1.75μm、2μm或约2μm的直径。最优选地，该散射粒子具有1μm或约1μm的直径。优选地，该散射粒子包括球状粒子的单分散群体，其优选嵌入或布置于QD磷光体材料内。
该散射粒子可在QD磷光体材料中具有任何适当浓度。优选地，该散射粒子具有约2g/cm3或更多的密度。在优选实施方案中，散射珠粒的材料密度将经选择以优化QD磷光体材料中的分散。例如，该散射粒子的材料密度可高于QD磷光体材料以促进朝该QD磷光体材料的底部沉降。优选地，散射粒子的材料密度与QD磷光体材料类似以防止固化之前朝该QD磷光体材料的底部的沉降。取决于散射粒子及QD磷光体材料的特性，散射粒子的浓度可为约1体积％至约15体积％或约2重量％至约30重量％。适当地，该散射粒子包括球形珠粒，该球形珠粒包括二氧化硅、硅酸硼或聚苯乙烯，优选为二氧化硅或硅酸硼，最优选为二氧化硅；且具有约1μm至2μm、最优选1μm或约1μm的直径。优选地，QD磷光体材料包括具有1μm或约1μm的直径的球形珠粒，其中珠粒的浓度为约1体积％至15体积％或约2重量％至30重量％，更优选约2.5体积％至10体积％或约5重量％至20重量％、最优选约5体积％至10体积％或约10重量％至20重量％。如本领域普通技术人员将理解，应针对为散射珠粒所代替的QD磷光体材料的体积而调整QD磷光体材料体积或浓度。
在其他实施方案中，散射特征件包括在LGP及障壁层的一或多者的一个或多个表面上形成的表面特征件。例如，该散射特征件可包括包括上文关于图15至图16及图21至图22所述的特征件的微型纹理、随机微型纹理化的图案、棱镜、斜角、棱锥、凹槽、透镜、凸块、波浪、划痕、圆顶或类似物，包括本文所述的任何适当特征件。在本文所述的任何实施方案中，散射特征件优选具有小于5μm的量级的大小—例如约5μm或更小、约2μm或更小、约1.5μm或更小、约1μm或更小或约0.5μm或更小的大小。
本发明涉及一种QD光转换薄膜，其使用出乎意料低浓度的量子点。在一个实验性实例中，使用LoctiteTM环氧树脂E-30CL在惰性环境中形成QD薄膜，由此在将QD-APS-环氧树脂乳液固化成250μm厚的层之后，将嵌入于APS粒子中的QD混合至该环氧树脂中以形成透明两相系统。通常预期将需要约0.5的光学密度以使用依赖于蓝色LED一次光透射的红色及绿色磷光体来达成恰当白点以覆盖NTSC色域三角形(展示于第3图中)。例如，此为QR远程磷光体封装中的情况。然而令本发明人异常吃惊的是，发现根据本发明的一个实施方案的QD薄膜会导致所期望的QD浓度降低约10倍至25倍。QR磷光体材料的光学密度的此大幅减小使得薄膜的概念可行且具成本效益。
在一个实验性实例中，在惰性环境中使用LoctiteTM环氧树脂E-30CL形成QD薄膜，由此在将QD-APS-环氧树脂乳液固化成具有0.05的光学密度的250μm薄膜后，将嵌入于APS粒子中的QD混合至该环氧树脂中以形成透明两相系统。该薄膜放置于蜂巢式电话显示器中的光导上且几乎检测不到绿光或红光。制得另一个相同调配物且添加5体积％的2μm二氧化硅珠粒。由于环氧树脂(1.52)与二氧化硅珠粒(1.42)之间的大折射率差，具有QD薄膜的显示器展现理想的白点及增加的亮度。
在额外实验性实例中，将具有散射珠粒的QD薄膜与QR毛细管远程磷光体封装相比较。与相同移动电话及膝上型器件中的QR磷光体封装相比较，QD薄膜允许QD减小15倍及25倍，以及QD磷光体封装的改良的白点及颜色均匀性、增加的亮度、较少蓝色泄漏及减小的温度。
由本发明所提供的散射粒子的多种配置可达成多个有益效果。例如，如图24A、图25A、图27C、图28A至图28F所展示，散射粒子优选布置于与QD相同的层或媒体内。在一个优选类实施方案中，QD薄膜包括至少一个群体的QD及至少一个群体的散射粒子，其中该散射粒子的至少第一部分布置于该QD的至少第一部分下面，使得该第一部分散射粒子比该第一部分QD更紧密接近入射的一次光。最优选地，该散射粒子以胶状方式均匀(即，均匀或均质地)分散于QD磷光体材料各处。可在沉积之前超声处理散射珠粒以促进QD磷光体材料内的均匀分散。
如图24B至图24H及图25B至图25I所展示，散射粒子2440、2540可主要布置于QD磷光体材料的特定区2404、2505中，诸如朝QD磷光体材料的顶部、中间、底部或边缘或其任何适当组合布置。该散射粒子可较靠近或远离一次光的入射表面。该散射粒子可具有从顶部至底部、底部至顶部、一个或多个边缘或QD磷光体材料2404、2504内的任何其他位置增加或减少的梯度密度。如图26B图至图26G所展示，在具有多个QD磷光体材料层的实施方案中，散射粒子2640可分散于多个QD磷光体材料层2604a、2604b的一个或多个QD磷光体材料层内(如图26D至图26E所展示)，或分散于多个此类层之间(如图26F至图26G所展示)。该散射粒子可嵌入于一种或多种基体材料中(如图26D至图26F图所展示)，或者在无基体材料的情况下沉积(如图26G所展示)。不同QD磷光体层可具有不同配置或特性的散射粒子。例如，不同QD磷光体层可具有不同散射粒子特性。例如，散射粒子群体2640a及2640b(展示于图26D中)可具有不同大小、材料、折射率、材料密度、浓度、数量、梯度或配置。例如，多个QD磷光体层可包括上文关于图23、图24及图25所述的不同层的任何组合。优选地，该散射粒子布置于与各群体的QD相同的层中以便最大化一次光在包括QD的各QD远程磷光体层内的多向性色散，且因此最大化QD吸收的概率。虽然图26仅展示一个、两个或三个QD磷光体材料层，但是QD薄膜可包括任何适当数量的QD磷光体材料层。该多个层可彼此不同，或合并为单个QD磷光体材料层。
在某些实施方案中，如图29至图31所绘示，散射粒子2940、3040、3140布置成邻近QD磷光体材料。例如，该散射粒子可布置成直接邻近该QD磷光体材料。该散射粒子可布置于该QD磷光体层的底部(图29A)、顶部(图29B)或两侧(图29C)上或布置成靠近该QD磷光体层的底部(图29A)、顶部(图29B)或两侧(图29C)。该散射粒子可布置成与该QD磷光体材料直接接触(如图29A至图29C所展示)，和/或由该器件的一个或多个障壁层隔开(如图30A至图30C图及图31A至图31C所展示)。如图31A至图31C所展示，该散射粒子可布置于LGP上面和/或下面。如上所述，如图24至图25图以及图31A至图31C所展示，该散射粒子可定位成邻近该LGP，定位在该LGP上或定位在该LGP内。展示于图14A至图14C中，该散射粒子可布置于该器件的障壁层的一或多者内—例如布置于障壁层1420a至1420d、1422a至1422d的一或多者内。
如本领域普通技术人员将理解，与一次光操纵或散射相关的方法及器件的任何者可与本发明的QD薄膜实施方案的任何者组合，包括本文具体描述的实施方案。
层及空间变动
如上所述，本发明的QD薄膜包括QD磷光体材料层。在优选实施方案中，QD磷光体材料层在整个显示器观察平面表面区域上面将具有均匀的厚度。在其他实施方案中，QD磷光体材料层可在观察平面表面区域上面具有变化的厚度，并且可具有远离QD薄膜的一个或多个边缘在厚度上增加或减少的楔形形状。可形成具有任何适当形状的QD薄膜。在优选实施方案中，QD磷光体材料及QD薄膜在整个显示器观察平面表面区域上面形成具有均匀厚度的平坦薄膜。如图26B至图26G所展示，在具有多个QD磷光体材料层的实施方案中，各层的厚度可具有选择用于理想固化的厚度。
由本发明提供的QD和/或QD磷光体材料的其他特征件(例如，散射粒子)的多种配置可达成多个有益效果。例如，如图23A、图24A及图27C所展示，QD以胶状方式均匀(即，均匀或均质地)分散于该QD磷光体材料各处。
在某些实施方案中，QD薄膜的QD磷光体材料可包括具有不同元素或特性的多个层或空间区。例如，该QD薄膜可包括多个QD磷光体材料层，该多个QD磷光体材料层具有包括不同折射率的不同基体材料。作为另一实例，QD磷光体材料可包括包括能够发射具有第一波长的二次光的第一群体的QD(例如，发绿光QD)的第一层或区，以及包括能够发射具有第二波长的二次光的第二群体的QD(例如，发红光QD)的第二层或区。该QD薄膜可进一步包括布置于与该QD群体的一或多者相同的层中，和/或布置于至少第三层或区中的一个群体的散射珠粒或其他散射特征件。该至少第三层或区可布置成邻近一个或多个含QD的层和/或布置于一个或多个含QD的层之间。在其他实施方案中，QD磷光体材料的多个层或空间区可包括在空间上变化的特性，诸如QD浓度、散射珠粒浓度或其他特性。例如，如图23B至图24H、图24B至图24H及图25B至图25I所展示，QD 2313、2513和/或散射粒子2440、2540可主要布置于QD磷光体材料的特定区中，诸如朝QD磷光体材料的顶部、中间、底部或边缘或其任何适当组合布置。该QD和/或散射粒子可布置成较靠近或远离一次光的入射表面。该QD和/或散射粒子可具有从顶部至底部、底部至顶部、一个或多个边缘或在QD磷光体材料的一个或多个层内的任何其他位置增加或减少的梯度密度。在额外实施方案中，QD薄膜可包括例如形成为QD磷光体材料的顶部和/或底部层且包括坯料基体材料的一个或多个层。此类坯料基体材料层可对诸如障壁层的邻近层提供增加的黏着，提供额外厚度，提供与邻近层的光学匹配，或者可用作障壁层。
如图26A所展示，QD薄膜可具有QD磷光体材料层。在优选实施方案中，QD薄膜包括具有两个或多个层(诸如图26B所展示的层2604a及2604b)的QD磷光体材料。在优选实施方案中，如图26B至图26G图所展示，QD磷光体材料包括多个层，且QD 2613和/或散射特征件(例如，散射粒子)2640可分散于该多个QD磷光体材料层的一个或多个QD磷光体材料层内。不同QD磷光体材料层可具有相同或不同配置或特性的QD和/或散射特征件。例如，不同QD磷光体层可在不同QD磷光体材料层的一或多者中具有不同QD特性，诸如不同QD发射颜色、浓度、大小、材料、梯度或配置。另外或可选地，不同QD磷光体层可具有不同的散射粒子特性，诸如不同散射粒子大小、材料、折射率、密度、数量、梯度或配置。例如，多个QD磷光体层可包括上文关于图23、图24及图25所述的不同层的任何组合。例如，如图23B至图23H、图24B至图24H及图25B图25I所展示，在QD磷光体材料层的一或多者中，QD 2313、2513和/或散射珠粒2440、2540可主要布置于QD磷光体材料的特定区2304、2504中，诸如朝QD磷光体材料的顶部、中间、底部或边缘或其任何适当组合布置。该QD和/或散射粒子可较靠近或远离一次光的入射表面。该QD和/或散射粒子可具有从顶部至底部、自底部至顶部、一个或多个边缘或在该QD磷光体材料内的任何其他位置增加或减少的梯度密度。在具有多个QD磷光体材料层的优选实施方案中，如图26F至图26G所展示，QD 2613、2613a、2613b可分散于多个QD磷光体材料层2604a、2604b、2604c的一个或多个QD磷光体材料层内，或者分散于多个此类层之间。散射粒子可嵌入于一种或多种基体材料中(如图26D至图26F所展示)，或者在无基体材料的情况下沉积(如图26G所展示)。不同QD磷光体层可具有不同配置或特性的散射粒子。例如，不同QD磷光体层可具有不同散射粒子特性。例如，QD群体2613a及2613b(如图26C、图26D、图26F及图26G所展示)可具有不同发射颜色、浓度、大小、材料、梯度、配置或其任何组合。在优选实施方案中，散射粒子2640、2640a、2640b布置于与各QD群体相同的层中以便最大化一次光在包括QD的各QD远程磷光体层内的多向性色散，且因此最大化一次光被QD吸收的概率。虽然图26仅展示一个、两个或三个QD磷光体材料层，但是QD薄膜可包括任何适当数量的QD磷光体材料层。该多个层可彼此不同，或者合并为单个QD磷光体材料层。用于形成多个QD磷光体材料层的方法可包括在应用下一层之前应用并且固化各层，或者应用多个层并且同时固化该多个层。
在一类实施方案中，本发明的QD薄膜远程磷光体封装包括包括至少一个群体的QD磷光体的QD磷光体材料。该QD基于使用QD薄膜的照明应用的所期望的发射属性来选择。磷光体材料将一次光的至少一部分转换为不同波长的光。QD磷光体材料可包括任何QD，该QD适用于在降频转换从一个一次光源发射且被该QD吸收的一次光后发射二次光。在优选实施方案中，QD磷光体材料包括具有材料及大小且在由一次光激发后发射二次红光的第一群体的量子点，以及具有材料及大小且在由一次光激发后发射二次绿光的第二群体的量子点。在此类实施方案中，一次蓝光、二次红光及二次绿光的一部分从QD薄膜及总体照明器件中共同发射为白光。各群体的QD可布置于相同或不同的QD磷光体材料层中。在优选实施方案中，QD薄膜包括包括一个群体的发红光QD的第一QD磷光体材料层，包括一个群体的发绿光QD的第二QD磷光体材料层，以及布置于该第一QD磷光体材料层、该第二QD磷光体材料层及单独QD薄膜层的一或多者内的至少一个群体的散射粒子。
在额外实施方案中，除了发红光QD及发绿光QD群体之外，QD磷光体材料可适当包括用于发射额外和/或不同颜色的额外一次光(例如，蓝光)或二次光的额外和/或不同QD群体(例如，黄光，或者不同色度的红光或绿光)。在一个实例实施方案中，磷光体材料包括具有材料及大小且在由一次光激发后发射蓝光的第三群体的QD，例如，此一次光可包括蓝光或紫外光。在其他实施方案中，磷光体材料可包括具有材料及大小且在激发后以所期望的波长的光发射而发射光的一个群体的量子点或不同群体的量子点的组合。该磷光体材料可包括具有材料及大小且发射红光、橙光、黄光、绿光或蓝光的一个群体的量子点；或者包括其任何组合的多个群体的量子点。
在某些实施方案中，QD薄膜可包括具有多种不同光发射特性的多个空间区。在一实施方案中，QD薄膜包括第一多个空间区，该第一多个空间区包括能够发射具有第一波长或波长范围的光的第一群体的QD(例如，发绿光QD)，以及至少第二多个空间区，该至少第二多个空间区能够发射具有与该第一波长或波长范围不同的第二波长或波长范围的光的第二群体的QD(例如，发红光QD)。该QD薄膜可进一步包括第三多个空间区，该第三多个空间区包括能够发射具有与该第一波长或波长范围及该第二波长或波长范围的至少一者不同的第三波长或波长范围的光的第三群体的QD(例如，发蓝光QD)。该QD薄膜可包括额外多个空间区，该额外多个空间区包括能够发射具有与该第一波长或波长范围、该第二波长或波长范围及该第三波长或波长范围的至少一者不同的额外波长或波长范围的光的额外多个群体的QD。例如，该QD薄膜可包括多个不同空间区或像素，其中各像素包括发射不同颜色光的多个较小空间区或子像素。例如，该QD磷光体层可包括多个像素，其中各像素包括包括一种或多种发红光QD的第一子像素、包括一种或多种发绿光QD的第二子像素以及包括一种或多种发蓝光QD的第三子像素。
颜色调谐及白点
优选实施方案包括发射二次红光的第一群体的QD及发射二次绿光的第二群体的量子点，其中最优选由一次蓝光的一部分激发发红光QD群体及发绿光QD群体以提供白光。适当实施方案进一步包括在激发后发射二次蓝光的第三群体的量子点。红光、绿光及蓝光的各自部分可经控制以达成由器件所发射的白光的所期望的白点。对于根据本发明的量子点磷光体材料而言，经转换的一次光的总量对通过远程磷光体的量为磷光体浓度的函数。因此，转换为二次光的一次光的量将取决于磷光体封装中的磷光体材料中的量子点的浓度。可通过改变磷光体材料中的各群体的量子点(即，该磷光体材料中的发绿光/发红光磷光体量子点群体)的比率和/或浓度而控制从器件所发射的光的所得颜色及亮度。另外，可通过改变QD磷光体材料中的散射粒子的特性(诸如，散射粒子的大小、数量、材料、浓度及配置)而控制该颜色及亮度。
为了达成诸如所期望的白点及亮度的所期望的光输出，可单独或组合地触发一次光源、QD及散射粒子中的各者。在优选实施方案中，一次光源及二次光源的各者经选择以最大化系统的效率并且提供从该一次光源及二次光源所发射的光的所期望的颜色及亮度。例如，可基于所期望的发射特性的最优选效率来选择一次光源，且该一次光源也可选择成具有在其下由磷光体材料吸收且重新发射最大量的能量的激发波长。QD可经调整以在与一次光源组合时提供所期望的输出。可基于磷光体材料的已建立的标准来选择一次光源。然而，在优选实施方案中，QD磷光体材料基于一次光源的已建立的特性来调节以提供所期望的光输出。触发QD以准确达成所期望的发光输出的能力大小可调谐的QD作为诸如显示器BLU的照明器件中的磷光体材料的许多优点的一个优点。在优选实施方案中，QD基于其发射波长及光谱宽度(即，颜色及色纯度)以及量子效率来选择以最大化二次光发射的亮度。调整QD的浓度及不同QD群体的比率将影响QD磷光体材料的光学密度。
适当地，取决于用途、QD特性、QD薄膜特性及其他BLU特性，将以约0.001体积％与约75体积％之间的比率将QD装填于QD薄膜中。本领域普通技术人员可容易判定QD浓度及比率且本文关于具体应用而进一步描述该QD浓度及比率。在示例性优选实施方案中，QD薄膜的QD磷光体材料包括小于约20体积％、小于约15体积％、小于约10体积％、小于约5体积％、小于1体积％或小于约1体积％的QD。
可触发若干因素以达成所期望的光输出，而不管所期望的光发射为由单群体的QD所发射的单色光，或由一次光QD及二次光QD二者和/或发射不同颜色光的多个不同群体的QD所发射的混色光。在优选实施方案中，QD BLU发射包括来自一次光源的蓝光以及包括由各自群体的QD发射的红光及绿光二者的二次光的混合物的白光。一次光源及二次光源可经选择以达成QD BLU的所期望的白点。在优选实施方案中，QD磷光体材料包括具有不同发绿光QD和/或发红光QD浓度的多个层。优选地，该发绿光及发红光QD布置于QD磷光体材料的个别且不同的层中。在其他适当实施方案中，第一及第二QD全体形成于相同的(多个)QD磷光体材料层中。
用于形成QD薄膜的适当方法包括用于达成任何所期望的白点的多点、反复调配。在优选实施方案中，形成QD薄膜的QD磷光体材料的方法包括用于白点定目标的反复多点调配，其中QD磷光体材料形成为以基体材料中的QD的第一标称混合物开始，该QD的第一标称混合物在基本基体材料中包括第一百分数的发红光及绿光QD，接着在基体材料、坯料基体材料中添加QD的一种或多种额外混合物，或者在基体材料中添加散射粒子的混合物。在一个实例实施方案中，如图32、图33A至图33C所展示，该方法包括用于白点定目标的五点调配，其中QD磷光体材料由以下者形成：(A)经APS涂布的QD(或更优选经PEI涂布的QD)在环氧树脂基体材料中的第一标称混合物，向该标称混合物(A)中添加以下者的一或多者：(B)经APS涂布(或经PEI涂布)的QD的第二环氧树脂混合物、(C)经APS涂布(或经PEI涂布)的QD的第三环氧树脂混合物、(D)经APS涂布(或经PEI涂布)的QD的第四环氧树脂混合物及(E)经APS涂布(或经PEI涂布)的QD的第五环氧树脂混合物。如本领域普通技术人员将理解，各混合物的各自量可取决于所期望的白点、亮度及QD磷光体材料层的厚度而包括于任何适当量中。适当地，反复过程用来达成所期望的白点及亮度，其中独立地添加该混合物，直至为QD薄膜达成所期望的发射特性及厚度。在添加各混合物之后，可出于白点及亮度而测试QD磷光体材料，并且可在到达所期望的白点、亮度及QD磷光体材料层厚度后停止该过程。适当地，可使用紫外光-可见光及荧光光谱学或本领域已知的其他适当分光光度法定期测试包括光学密度、发射波长、FWHM、白点及亮度的QD薄膜及发射特性。
在一个示例性实施方案中，标称混合物(A)包括30体积％的发绿光QD及15体积％的发红光QD。可以任何适当量向混合物(A)添加适当量的下列者的一或多者：包括20体积％发绿光QD的混合物(B)、包括20体积％发红光QD的混合物(C)、包括20体积％发绿光QD及20体积％发红光QD的混合物(D)，以及包括10体积％发绿光QD及10体积％发红光QD的混合物(E)。如图33C所展示，可添加混合物(B)以达成更主要为绿色的光3301，可添加混合物(C)以达成更主要为红色的光3303，且可添加混合物(D)及(E)的任一者以达成类似比例且更为红色及绿色的光3302。当需要更为红色及绿色的光时和/或当需要较小的薄膜厚度时，可将混合物(D)添加至QD磷光体材料中。当需要较少的红色及绿色光时和/或当需要较大的薄膜厚度时，可添加混合物(E)。如本领域普通技术人员将理解，将可能发生QD吸收二次光且将需要调整以平衡此吸收。例如，在具有发绿光QD及发红光QD的实施方案中，一部分二次绿光将被吸收且作为二次红光而重新发射。为对此作补救，将需要较高百分数或浓度的发绿光QD以平衡因绿光吸收而产生的额外二次红光。在优选实施方案中，混合物(A)-(E)的各者进一步包括一个群体的散射粒子，其中该散射粒子在各混合物中可具有相同或不同的浓度。在其他适当实施方案中，将该散射粒子以散射粒子与基体材料的个别混合物添加至QD磷光体材料中。在一个示例性QD薄膜实施方案中，最终QD磷光体材料调配物包括约55体积％发绿光且经配体涂布的QD、约25体积％发红光且经配体涂布的QD、约5体积％散射粒子及约30体积％基体材料。优选地，配体材料包括APS，基体材料包括环氧树脂且该散射粒子包括二氧化硅或硅酸硼珠粒。更优选地，配体材料包括PEI，基体材料包括环氧树脂且散射粒子包括二氧化硅或硅酸硼珠粒。
在一个实例实施方案中，量子点在磷光体材料中的浓度经设定使得约20％的入射光将通过磷光体而未转换为二次光，即，20％的一次光将离开该磷光体材料。进入磷光体的一次光的剩余部分被该量子点吸收且重新发射为二次光或因低效率而损耗。例如，在20％的蓝色一次光透射通过磷光体封装且离开该磷光体封装的实例实施方案中，32％的一次光重新发射为绿光且40％的一次光重新发射为红光。在此实例实施方案中，磷光体材料的QD具有约90％的量子收率，因此剩余8％的一次光因吸收而损耗而未在磷光体材料中重新发射。由于磷光体中的一些二次绿光被发红光QD吸收且重新发射为红光，故该磷光体材料中可能需要绿色量子点与红色量子点的比率的额外变化以从该磷光体的顶部板达成最终所期望的输出发射光谱。
如本领域普通技术人员将理解，不同QD群体的具体百分数不受限制，且可采用QD与基体材料的任何适当混合物或多种混合物来形成QD薄膜。另外，可使用本文所述的多重调配方法形成本文所述的QD薄膜实施方案的任何者，例如，包括多层QD磷光体材料及具有不同或变化的QD和/或散射粒子特性的QD磷光体材料层。
QD磷光体材料应用
可由本领域已知的任何适当方法沉积QD磷光体材料，该方法包括(但不限于)喷涂、喷雾、溶剂喷雾、湿式涂布、黏着涂布、旋转涂布、胶带涂布或本领域已知的任何适当沉积方法。优选地，在沉积之后固化QD磷光体材料。适当固化方法包括光固化，诸如UV固化；以及热固化。在形成本发明的QD薄膜时可利用传统层压薄膜处理方法、胶带涂布法和/或滚动条式制造方法。可将QD磷光体材料直接涂布至照明器件的所期望的层上。或者，可将QD磷光体材料形成为物理层作为独立组件且随后应用至BLU堆栈。可将QD磷光体材料沉积于一个或多个障壁层、LGP或BLU的其他层上。
在其他照明器件实施方案(例如，向下式照明器件)中，可将QD磷光体材料沉积于该照明器件的任何适当表面或基板上。在一个实例实施方案中，可将QD磷光体材料沉积于照明器件的外壳的内表面上，且可任选地通过沉积邻近该QD磷光体材料的障壁层而密封该QD磷光体材料。在另一个实例实施方案中，首先形成适当包括在顶侧和底侧上邻近QD磷光体材料的障壁层的QD薄膜，且随后模制该QD薄膜以形成照明器件的发光层。在一个实例实施方案中，模制QD薄膜以形成(或配合)照明器件的外部外壳或壁。
在优选类实施方案中，经由湿式涂布及热固化后沉积而沉积QD磷光体材料。如图34所展示，该图绘示用于形成QD薄膜的适当方法，在步骤3410中提供一个或多个底部障壁层；在步骤3420中，将一种或多种QD磷光体材料混合物沉积至障壁基板上以形成QD磷光体材料层3404；在步骤3430中，将一个或多个顶部障壁层沉积于该QD磷光体材料上；在步骤3440中，固化该QD磷光体材料；在步骤3450中，任选地密封该QD薄膜；以及在步骤3460中，将该QD薄膜应用至所期望的照明器件，诸如显示器BLU。
在某些实施方案中，第一障壁3520及第二障壁3522的各者可包括切割成较小部分的玻璃片。此切割可在步骤3430、3440及3450的任何者之后进行。在此类实施方案中，可采用便利的滚动条式制造来形成器件的各种层。在其他实施方案中，可在应用QD磷光体材料3420之前以适用于器件应用的大小提供第一玻璃板及第二玻璃板。在形成QD薄膜远程磷光体封装后，将QD薄膜光耦合至一个或多个一次光源，诸如蓝色LED，使得来自该一次光源的光入射在底部玻璃板的底部表面上。优选地，QD薄膜布置于显示器BLU的LGP上面，使得入射的一次光完全入射在该底板上。最优选地，该QD薄膜布置于LGP与LCD BLU的至少一个BEF之间。
优选地，热固化混合物以形成QD磷光体材料层。在优选实施方案中，将QD磷光体材料直接涂布至QD薄膜的障壁层上，且随后将额外障壁层沉积于该QD磷光体材料上以产生QD薄膜。可在该障壁薄膜下面采用支撑基板用以增加的强度、稳定性及涂布均匀性并且防止材料不坚实、气泡形成及障壁层材料或其他材料的起皱或折迭。另外，优选将一个或多个障壁层沉积于QD磷光体材料上面以在顶部障壁层与底部障壁层之间密封材料。适当地，可将该障壁层沉积成层压薄膜且任选地加以密封并且进一步处理，其后接着将QD薄膜并入至特定照明器件中。如本领域普通技术人员将理解，QD磷光体材料沉积方法可包括额外或变化的组分。此类实施方案将允许联机工艺调整QD磷光体发射特性，诸如亮度及颜色(例如，调整QD薄膜BLU白点)以及QD薄膜厚度及其他特性。另外，这些实施方案将允许在生产期间定期测试QD薄膜特性以及达成精确QD薄膜特性的任何必需的触发。此类测试及调整也可在改变处理线的机械组态的情况下完成，如可采用计算机程序来电改变形成QD薄膜时使用的混合物的各自量。
如图35所展示，在用于形成QD薄膜的优选方法实施方案中，在沉积之前以个别混合物A、B、C、D、E提供QD磷光体材料的不同混合物。在一个实例实施方案中，混合物A-E可包括上文关于图33及包括混合物A、B、C、D及E的五点调配方法所述的五种混合物。
在另一个实例实施方案中，该方法可包括具有不同特性的QD磷光体材料的多种混合物。例如，第一混合物A可包括能够发射第一波长的二次光(例如，红光)的第一群体的QD，且第二混合物B可包括能够发射不同于该第一波长的第二波长的二次光(例如，绿光)的第二群体的QD。该方法可包括额外混合物，诸如包括发射具有与该第一波长的红光不同波长的红光的第三群体的QD的第三混合物C，及包括发射具有与该第二波长的绿光不同波长的绿光的第四群体的QD的第四混合物D。可组合任何适当比率混合物的第一混合物、第二混合物、第三混合物及第四混合物以产生所期望的QD磷光体材料特性。可将此类混合物与包括坯料基体材料(例如，环氧树脂)、一个群体的散射珠粒或其组合的至少一个第五混合物E进一步组合。可同时或单独沉积该混合物，并且可将其个别地或同时固化。
在其他实施方案中，混合物包括经配体涂布的QD在环氧树脂中的多种混合物，其中该混合物具有不同QD浓度。例如，该方法可包括具有第一浓度的发红光QD且经配体涂布的QD的第一环氧树脂混合物、具有高于该第一浓度的第二浓度的发红光QD且经配体涂布的QD的第二环氧树脂混合物、具有第三浓度的发绿光QD且经配体涂布的QD的第三环氧树脂混合物，以及具有高于该第三浓度的发绿光QD的第四浓度的发绿光QD且经配体涂布的QD的第四环氧树脂混合物。优选地，配体为APS或更优选为PEI。可组合任何适当比率混合物的第一混合物、第二混合物、第三混合物及第四混合物以产生所期望的QD磷光体材料特性。可将此类混合物与包括坯料环氧树脂材料、一个或多群散射珠粒或其组合的至少第五混合物进一步组合以形成QD薄膜的QD磷光体材料。
在优选类实施方案中，本发明的方法可包括形成具有第一QD浓度的第一混合物，用该第一混合物涂布基板以形成QD磷光体材料的第一层；形成具有第二QD浓度的第二混合物，用该第二混合物涂布该基板以形成该QD磷光体材料的第二层；以及固化该第一QD磷光体材料层及该第二QD磷光体材料层。在某些实施方案中，该方法可进一步包括以QD的第三混合物至第i混合物重复该步骤，用该第三混合物至该第i混合物涂布该基板以形成第三QD磷光体材料层至第i QD磷光体材料层，及固化该第三QD磷光体材料层至该第i QD磷光体材料层。该第一层至该第i层可具有相同或不同的发射特性、QD类型、QD浓度、基体材料、折射率和/或散射粒子大小、浓度或材料；或其他不同特性。通过提供各具潜在不同特性的个别QD磷光体材料层，可产生在总体层各处具有QD梯度，或者在总体QD磷光体材料层各处具有其他梯度属性的QD薄膜。在其他实施方案中，该个别层的特性的任何者可为相同的，或者可以使得总体特性仅在个别层内改变或以非分级方式在层间改变的方式制备。在额外实施方案中，本发明的方法可包括由此类多种混合物(诸如第一至第i混合物)形成单个QD磷光体材料。
在上述实施方案的任何者中，该方法可包括包括散射特征件(诸如散射珠粒)及基体材料的一种或多种混合物。该方法可包括具有不同大小和/或浓度的散射珠粒的多种混合物。例如，该方法可包括包括第一大小的散射珠粒的第一混合物以及包括第二大小的散射珠粒的至少第二混合物。另外或可选地，该方法可包括包括第一浓度的散射珠粒的第一混合物以及包括第二浓度的散射珠粒的至少第二混合物。
在上述实施方案的任何者中，该方法可包括诸如环氧树脂、PEI-环氧树脂混合物或APS-环氧树脂混合物的坯料基体材料，可将其添加至QD磷光体材料混合物中以调整QD磷光体材料层厚度、黏着性、折射率、QD浓度、散射珠粒浓度、黏度或其他要素。该坯料材料可提供密封材料，诸如在个别QD磷光体层的边缘周围的密封区，且该坯料材料可用来形成缓冲器层以隔开QD磷光体材料的不同区。
在某些实施方案中，如上文更详细解释，用于形成QD薄膜的方法包括在QD薄膜的一个或多个层中形成空间变动。
电致发光器件
在一个一般类实施方案中，QD薄膜包括多个QD，由此该QD薄膜用作电致发光光源。如图39A至图39C所展示，电致发光器件3900包括QD薄膜3902，该QD薄膜3902包括发光QD层3904。优选地，发光QD层3904包括分散于基体材料3930中的多个QD。优选地，QD层3904包括能够发射不同波长的光的多种不同QD。在优选实施方案中，发光QD层3904包括一起发射混合颜色的光(例如，白光)的不同QD的均匀混合物，由此从电致发光器件3900发射的光为包括由该不同QD发射的不同颜色的光的均匀混合颜色的光。例如，QD层3904可包括发红光QD 3904a、发绿光QD 3904b及发蓝光QD 3904c的混合物，其中该发红光QD、该发绿光QD及该发蓝光QD均匀分布于QD层3904的水平平面各处使得由电致发光器件3900所发射的光为白光。
最优选地，该QD层包括能够发射红光的第一多个QD、能够发射绿光的第二多个QD以及能够发射蓝光的第三多个QD。在某些实施方案中，QD层3904包括单层QD。
在电致发光器件3900中围绕发光QD层3904的层可包括适用于形成电致发光BLU的任何层配置，包括本领域普通技术人员已知的任何层及层配置。在图39A所展示的实例实施方案中，该器件包括发光QD层3904、阳极层3962及阴极层3964。优选地，该阴极层3964为反射层，由此反射由电致发光QD所发射的光远离该阴极层3964，使得BLU仅从该BLU的顶部表面发射光。阴极层3964可为反射层或可包括的个别反射层(未展示)。如图39B所展示，该器件可进一步包括第一囊封或障壁层3920及第二囊封或障壁层3922。优选地，该电致发光QD层3904布置于该第一囊封层与该第二囊封层之间。优选地，该第一囊封障壁层及该第二囊封障壁层的各者直接邻近电致发光QD层3904且与电致发光QD层3904直接实体接触。如图39C所展示，该器件可进一步包括布置于电致发光QD层3904与阳极3962之间的电洞传输层(HTL)3966和/或布置于该电致发光QD层3904与阴极3964之间的电子传输层(ETL)3968。在另一实施方案(未展示)中，该器件可包括该阳极、该阴极及该HTL和/或ETL，由此该层中的一层或多层形成障壁层以保护电致发光QD层。如本领域普通技术人员将理解，可采用本文所述的这些层或组件的任何适当组合以形成本发明的电致发光BLU。
在一个实施方案中，电致发光QD BLU可包括像素电子装置(例如，列晶体管及行晶体管)以个别地寻址QD层3904的不同空间区或像素。此允许电刺激(或不电刺激)限制于由有关晶体管电寻址的QD层3904的特定区的QD。此允许在该QD层的不同空间区上同时局部发射及局部调光，藉此在操作BLU期间节省能量且改良对比度。在一个实施方案中，阳极层3962和/或阴极层3964可包括列晶体管和/或行晶体管。例如，该BLU可包括主动型矩阵或被动型矩阵晶体管组态以寻址QD层3904中的个别空间区或像素，或者本领域普通技术人员已知的任何其他晶体管组态。
在另一类实施方案中，发光QD层3904可包括由布置于各空间区内的量子点发射的光的颜色区分的多个空间区。例如，QD层3904可包括图案化于该QD层中的第一多个空间区或像素以产生用于显示器器件的BLU。各像素可包括用于发射红光、绿光及蓝光的个别子像素。该QD磷光体层可包括包括发红光QD的第一多个空间区或子像素、包括发绿光QD的第二多个空间区或子像素，以及任选地包括发蓝光QD的第三多个空间区或子像素。该子像素可使用本文所述的滚动条式处理技术来图案化，由此应用个别QD基体材料以形成发红光、绿光及蓝光的空间区或子像素。如上文所阐述，BLU可包括用于个别寻址个别像素及子像素的任何适当晶体管组态，由此寻址各像素或子像素造成与各个别像素或子像素相关联的QD的电刺激。
虽然上文已描述本发明的多种实施方案，但是应理解其仅以实例且非限制性方式呈现。本领域普通技术人员将显而易知可在不脱离本发明的精神及范畴下在该实施方案中作出各种形式及细节改变。因此，本发明的广度及范畴不应由上述示例性实施方案的任何者限制，而应仅根据以下申请专利范围及其等效物界定。
如本领域普通技术人员将理解，可以任何适当组合使用上述器件组件和/或处理组分以形成本发明的QD薄膜。
本说明书所提及的全部公开案、专利及专利申请案可指示本发明所属领域熟练技术人员的技能水平，且其在相同程度上以引用的方式并入本文，如同已明确且个别地指示以引用的方式并入各个别公开案、专利或专利申请案一般。

Claims (14)

1.一种显示器背光单元BLU，其包括：
至少一个一次光源，其发射一次光；
光导面板LGP，其光耦合至所述至少一个一次光源，由此所述一次光均匀透射通过所述LGP；
远程磷光体薄膜，其布置于所述LGP上，其中所述一次光均匀透射通过所述LGP且透射至所述远程磷光体薄膜中；以及
第一障壁薄膜和第二障壁薄膜，其中所述第一障壁薄膜和第二障壁薄膜各自布置成在所述远程磷光体薄膜的相对侧上邻近所述远程磷光体薄膜，并且
其中所述远程磷光体薄膜包括两个群体的光发射量子点QD，包括被配置成发射第一红二次光的第一群体的QD和被配置成发射第二绿二次光的第二群体的QD，由此所述一次光的至少一部分由所述两个群体的QD吸收且被所述QD重新发射为具有比所述一次光更低的能量或更长的波长的所述第一和第二二次光。
2.如权利要求1所述的显示器背光单元BLU，其中：
所述远程磷光体薄膜还包括朝所述QD散射一次光的一个或多个一次光散射特征件。
3.如权利要求1或2所述的显示器BLU，其中所述远程磷光体薄膜包括QD磷光体材料薄膜，所述QD磷光体材料薄膜包括含有至少一种基体材料的至少一个QD磷光体材料薄膜层，其中所述QD嵌入于所述至少一种基体材料中。
4.如权利要求2所述的显示器BLU，其中所述散射特征件的至少一部分布置于与所述QD的至少一部分相同的层中。
5.如权利要求3所述的显示器BLU，其中所述一个或多个一次光散射特征件及所述QD均匀分散于所述QD磷光体材料薄膜各处。
6.如权利要求2所述的显示器BLU，其中所述一个或多个一次光散射特征件包括散射粒子。
7.如权利要求6所述的显示器BLU，其中所述散射粒子包括球形散射珠粒，或者所述散射珠粒包括二氧化硅、硅酸硼或聚苯乙烯珠粒。
8.如权利要求2所述的显示器BLU，其中所述散射特征件形成于至少一个所述障壁薄膜的表面上，或所述散射特征件形成在至少一个障壁薄膜的至少一个表面上，此障壁薄膜表面直接接触所述QD磷光体材料薄膜。
9.如权利要求2所述的显示器BLU，其中所述至少一个一次光源中包括耦合至所述LGP的一个或多个边缘或底表面的一个或多个蓝色LED，由此所述一个或多个LED布置于与所述LGP相同的平面内。
10.一种形成显示器背光单元(BLU)的方法，所述方法包括：
(a)提供发射一次光的至少一个一次光源；
(b)提供光导面板LGP，其光耦合至所述至少一个一次光源，由此所述一次光均匀透射通过所述LGP；
(c)提供远程磷光体薄膜，其中所述远程磷光体薄膜包括两个群体的光发射量子点QD，包括被配置成发射第一红二次光的第一群体的QD和被配置成发射第二绿二次光的第二群体的QD，由此所述一次光的至少一部分由所述两个群体的QD吸收且被所述QD重新发射为具有比所述一次光更低的能量或更长的波长的所述第一和第二二次光；
(d)提供第一障壁薄膜和第二障壁薄膜，其中所述第一障壁薄膜和第二障壁薄膜各自布置成在所述远程磷光体薄膜的相对侧上邻近所述远程磷光体薄膜；以及
(e)将所述远程磷光体薄膜布置于所述LGP上，其中所述一次光均匀透射通过所述LGP且透射至所述远程磷光体薄膜中。
11.一种显示器背光单元BLU，其包括：
至少一个一次光源，其发射一次光；
光导面板LGP，其光耦合至所述至少一个一次光源，由此所述一次光均匀透射通过所述LGP；以及
远程磷光体薄膜，其夹在至少两个障壁层之间，包括被配置成发射具有比所述一次光更长的波长的第一二次光的一个群体的光发射量子点QD；
其中所述一次光均匀透射通过所述LGP且透射至所述远程磷光体薄膜中，由此所述一次光的至少一部分由所述一个群体的QD吸收且被所述QD重新发射为具有比所述一次光更长的波长的所述第一二次光。
12.如权利要求11所述的显示器BLU，其中所述障壁薄膜中的每一个包括透明材料，所述透明材料包括玻璃、聚合物或涂布有氧化物层的聚合物薄膜。
13.如权利要求11所述的显示器BLU，其中所述障壁薄膜中的每一个包括涂布有氧化物层的聚合物薄膜。
14.如权利要求1或2所述的显示器BLU，其中所述障壁薄膜中的每一个包括涂布有氧化物层的聚合物薄膜。
CN201510353134.6A 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法 Pending CN104932051A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41200410P 2010-11-10 2010-11-10
US61/412,004 2010-11-10
CN201180057057XA CN103228983A (zh) 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180057057XA Division CN103228983A (zh) 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104932051A true CN104932051A (zh) 2015-09-23

Family

ID=46019494

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510353134.6A Pending CN104932051A (zh) 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法
CN201180057057XA Pending CN103228983A (zh) 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180057057XA Pending CN103228983A (zh) 2010-11-10 2011-11-02 量子点薄膜、照明器件及照明方法

Country Status (7)

Country Link
US (7) US9199842B2 (zh)
EP (3) EP2638321B1 (zh)
JP (1) JP5940079B2 (zh)
KR (4) KR102381463B1 (zh)
CN (2) CN104932051A (zh)
TW (1) TWI574430B (zh)
WO (1) WO2012064562A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106287397A (zh) * 2015-05-25 2017-01-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组、导光板结构及显示装置
CN106990606A (zh) * 2016-01-20 2017-07-28 爱思开哈斯显示用薄膜有限公司 包括量子点膜和色彩纯度增强薄膜的液晶显示器
CN107121723A (zh) * 2017-05-16 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种导光板、背光模组及显示设备
CN107656330A (zh) * 2016-08-19 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 具有多层结构的量子点光学膜、其制备方法和用途
CN108471728A (zh) * 2016-01-22 2018-08-31 纳米技术有限公司 用于畜牧业和水族馆的基于量子点的照明器具
CN109071213A (zh) * 2016-02-26 2018-12-21 纳米系统公司 低镉含量纳米结构组合物及其用途
CN109313874A (zh) * 2016-06-24 2019-02-05 纳米系统公司 环境光颜色补偿设备
CN110023825A (zh) * 2016-10-31 2019-07-16 纳米系统公司 用于显示器件的背光单元
US11774065B2 (en) 2020-07-28 2023-10-03 Nano Precision Taiwan Limited Quantum dot composition, color conversion film and backlight module
US11846837B1 (en) 2022-08-24 2023-12-19 Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. Display device
WO2024026948A1 (zh) * 2022-08-01 2024-02-08 惠州华星光电显示有限公司 显示装置

Families Citing this family (571)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
KR101631986B1 (ko) * 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20100214282A1 (en) * 2009-02-24 2010-08-26 Dolby Laboratories Licensing Corporation Apparatus for providing light source modulation in dual modulator displays
KR101753740B1 (ko) 2009-04-28 2017-07-04 삼성전자주식회사 광학 재료, 광학 부품 및 방법
US8933526B2 (en) * 2009-07-15 2015-01-13 First Solar, Inc. Nanostructured functional coatings and devices
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
WO2011038111A1 (en) 2009-09-23 2011-03-31 Crystalplex Corporation Passivated nanoparticles
WO2011047385A1 (en) 2009-10-17 2011-04-21 Qd Vision, Inc. An optical, component, products including same, and methods for making same
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8735791B2 (en) 2010-07-13 2014-05-27 Svv Technology Innovations, Inc. Light harvesting system employing microstructures for efficient light trapping
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR20120105953A (ko) * 2011-03-17 2012-09-26 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이동 단말기의 제조방법
KR101273099B1 (ko) * 2011-05-24 2013-06-13 엘지이노텍 주식회사 광학 시트, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
JP5373859B2 (ja) * 2011-07-05 2013-12-18 デクセリアルズ株式会社 照明装置
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US9097826B2 (en) 2011-10-08 2015-08-04 Svv Technology Innovations, Inc. Collimating illumination systems employing a waveguide
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013078251A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013077106A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 シャープ株式会社 色変換基板、表示装置および色変換基板の製造方法
KR101664507B1 (ko) 2011-12-08 2016-10-10 엘지이노텍 주식회사 표시장치
CH706065A1 (fr) * 2012-01-23 2013-07-31 Daniel Spadini Montre comportant un affichage analogique et un affichage numérique.
KR101574842B1 (ko) * 2012-03-16 2015-12-08 세종대학교산학협력단 양자점- 고분자 복합체 입자, 상기 복합체 입자를 포함하는 광학요소, 및 상기 광학요소의 제조방법
TW201341726A (zh) * 2012-04-13 2013-10-16 E Lon Optronics Co Ltd 擴散結構以及應用該擴散結構之具有光源的裝置
US9929325B2 (en) * 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
TWI506064B (zh) * 2012-07-23 2015-11-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 量子點高分子複合膜及其製造方法
US10062334B2 (en) * 2012-07-31 2018-08-28 Apple Inc. Backlight dimming control for a display utilizing quantum dots
US20140036203A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Apple Inc. Light mixture for a display utilizing quantum dots
US9506627B2 (en) * 2012-08-06 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Highly stable QDS-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
KR101620309B1 (ko) * 2012-08-10 2016-05-12 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 광원, 디스플레이 시스템에서 디스플레이 패널을 조명하기 위한 방법, 및 그를 위한 장치 및 컴퓨터 판독가능한 저장 매체
JP2015525960A (ja) * 2012-08-13 2015-09-07 バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフトＢａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧ アウトカップリング要素を有する導光プレート
DE102012107797A1 (de) * 2012-08-23 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
KR101971123B1 (ko) * 2012-08-23 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 나노 형광체 시트 및 백라이트 장치
KR102118309B1 (ko) * 2012-09-19 2020-06-03 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 양자점/리모트 인광 디스플레이 시스템 개선
WO2014053951A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converting element comprising ceramic capsule
KR20180083969A (ko) * 2012-10-04 2018-07-23 나노코 테크놀로지스 리미티드 양자점들을 이용한 조명 표지판
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
JP6407877B2 (ja) 2012-11-20 2018-10-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子の製造のための高純度溶媒における調合物
CN103032770B (zh) * 2012-12-25 2015-12-23 威特龙消防安全集团股份公司 一种文物安全照明装置
CN103917000B (zh) * 2013-01-07 2017-06-13 群康科技(深圳)有限公司 图案化色转换膜及应用其的显示装置
TW201427893A (zh) * 2013-01-07 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置
KR102165441B1 (ko) * 2013-01-21 2020-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점 필름
KR102062687B1 (ko) * 2013-01-23 2020-01-06 엘지전자 주식회사 양자점 복합 필름 및 이를 이용한 백라이트 유닛
EP2950704B1 (en) 2013-01-29 2017-10-18 Philips Lighting Holding B.V. A light source, luminaire and surgical illumination unit
US9273851B2 (en) * 2013-01-30 2016-03-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Backlight module and liquid crystal display device
WO2014123724A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 3M Innovative Properties Company High color gamut quantum dot display
KR20150115794A (ko) 2013-02-08 2015-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 집적 양자점 광학 구조물
BR112015020571B1 (pt) 2013-03-08 2022-04-12 Dolby Laboratories Licensing Corporation Método para acionamento de um monitor de escurecimento local, meio de armazenamento não transitório legível por computador e aparelho
CA2905890C (en) 2013-03-14 2022-02-08 Nanosys, Inc. Method for solventless quantum dot exchange
CA2905883C (en) 2013-03-14 2021-09-14 William P. Freeman Alkyl-acid ligands for nanocrystals
CA2905913C (en) 2013-03-14 2021-07-13 Nanosys, Inc. Polyhedral oligomeric silsesquioxane nanocrystal stabilization ligands
WO2014154722A1 (en) 2013-03-26 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Hermetically sealed illumination device with luminescent material and manufacturing method therefor
JP5867740B2 (ja) * 2013-04-26 2016-02-24 コニカミノルタ株式会社 発光装置及び画像形成装置
US9274264B2 (en) * 2013-05-09 2016-03-01 Htc Corporation Light source module
US9570044B2 (en) 2013-05-09 2017-02-14 Htc Corporation Image adjusting method, light source module and electronic device
US9435933B2 (en) * 2013-05-09 2016-09-06 Htc Corporation Light source module and electronic device
JP5796038B2 (ja) * 2013-06-18 2015-10-21 デクセリアルズ株式会社 蛍光体シート
CN103292225A (zh) * 2013-06-28 2013-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光光源
JP6153895B2 (ja) * 2013-07-22 2017-06-28 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
JP6087872B2 (ja) 2013-08-12 2017-03-01 富士フイルム株式会社 光学フィルム、バリアフィルム、光変換部材、バックライトユニットおよび液晶表示装置
KR102086712B1 (ko) 2013-08-14 2020-05-15 나노코 테크놀로지스 리미티드 다상의 수지를 이용한 양자점 막
JP6159302B2 (ja) * 2013-08-23 2017-07-05 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
JP6230974B2 (ja) * 2013-08-26 2017-11-15 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
CN104421754A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 信利半导体有限公司 Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器
GB201315241D0 (en) 2013-08-27 2013-10-09 Nano Lit Technologies Ltd Improvements in or relating to lighting
KR102108994B1 (ko) * 2013-08-30 2020-05-12 삼성전자주식회사 광 변환 소자 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 광원 유닛
CN109976025A (zh) * 2013-09-13 2019-07-05 凸版印刷株式会社 波长转换片和背光单元
CN105556349B (zh) * 2013-09-16 2018-03-13 Lg化学株式会社 光散射片、包括该光散射片的电子器件以及制备该光散射片的方法
KR102223504B1 (ko) * 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법
US11746290B2 (en) 2013-09-26 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
US9778510B2 (en) 2013-10-08 2017-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
JP2017501530A (ja) * 2013-10-17 2017-01-12 ナノシス・インク． 発光ダイオード（ｌｅｄ）デバイス
JP2016536637A (ja) * 2013-10-31 2016-11-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ダウンコンバージョンフィルム要素を収容したバックライトシステム
WO2015069640A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 Nanosys, Inc. Backlight unit for display devices adapted to reduce light leakage
WO2015077373A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-28 Qd Vision, Inc. Methods for making optical components, optical components, and products including same
CN105264432B (zh) * 2013-11-20 2018-05-04 华为终端（东莞）有限公司 一种液晶模组及电子设备
JP2015102857A (ja) 2013-11-28 2015-06-04 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
WO2015083813A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 富士フイルム株式会社 光変換部材、偏光板、液晶パネル、バックライトユニット、および液晶表示装置
CN103676315A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种导光板、背光源及液晶显示装置
JP6414075B2 (ja) * 2013-12-09 2018-10-31 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
US9470399B1 (en) * 2013-12-13 2016-10-18 Amazon Technologies, Inc. Light-emitting polymer films, articles containing same, and methods of making
CN105829103B (zh) * 2013-12-20 2018-10-19 3M创新有限公司 边缘侵入得到改善的量子点制品
KR102157244B1 (ko) 2013-12-20 2020-09-18 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환체 및 이를 포함하는 액정표시장치
TW201531775A (zh) * 2013-12-24 2015-08-16 富士軟片股份有限公司 光學片構件及顯示裝置
KR102132220B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 양자점 광학 소자의 제조 방법 및 양자점 광학 소자를 포함한 백라이트 유닛
KR20160105460A (ko) * 2014-01-06 2016-09-06 나노코 테크놀로지스 리미티드 카드뮴이 없는 양자점 나노입자
DE102014100627A1 (de) * 2014-01-21 2015-07-23 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
KR101657954B1 (ko) 2014-02-05 2016-09-21 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20150092801A (ko) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
TWI500984B (zh) * 2014-02-11 2015-09-21 Htc Corp 光源模組以及電子裝置
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
CN106103646B (zh) * 2014-03-04 2018-09-18 纳米技术有限公司 用于制造量子点聚合物膜的方法
WO2015138174A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-17 3M Innovative Properties Company Composite nanoparticles including a thiol-substituted silicone
CN103852817B (zh) * 2014-03-14 2016-05-11 宁波激智科技股份有限公司 一种应用于背光模组的量子点膜
KR20150110847A (ko) 2014-03-20 2015-10-05 삼성디스플레이 주식회사 양자점 충진 튜브 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6441956B2 (ja) * 2014-03-26 2018-12-19 ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション 各種ディスプレイにおけるグローバル光補償
US9708532B2 (en) * 2014-03-28 2017-07-18 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot compositions
JP6448618B2 (ja) 2014-03-31 2019-01-09 富士フイルム株式会社 光変換部材及び光変換部材の製造方法並びに光変換部材を含むバックライトユニットおよび液晶表示装置
WO2015151092A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Polarized light source device
JP6330902B2 (ja) * 2014-04-04 2018-05-30 凸版印刷株式会社 波長変換シート及びバックライトユニット
WO2015156227A1 (ja) 2014-04-08 2015-10-15 Ｎｓマテリアルズ株式会社 波長変換部材、成形体、波長変換装置、シート部材、発光装置、導光装置、並びに表示装置
KR20150116986A (ko) 2014-04-08 2015-10-19 삼성디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
DE102014106585A1 (de) * 2014-05-09 2015-11-12 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6243872B2 (ja) * 2014-05-19 2017-12-06 富士フイルム株式会社 量子ドット含有積層体の製造方法、量子ドット含有積層体、バックライトユニット、液晶表示装置および量子ドット含有組成物
JP6326003B2 (ja) 2014-05-19 2018-05-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに量子ドット含有重合性組成物
JP6159351B2 (ja) 2014-05-19 2017-07-05 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに波長変換部材の製造方法
JP6308975B2 (ja) 2014-05-19 2018-04-11 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび液晶表示装置
US9651826B2 (en) 2014-05-19 2017-05-16 Fujifilm Corporation Wavelength conversion member, backlight unit, and liquid crystal display device
JP2016000803A (ja) 2014-05-19 2016-01-07 富士フイルム株式会社 量子ドット含有重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
KR20150134926A (ko) * 2014-05-23 2015-12-02 주식회사 창강화학 양자점 필름, 이를 포함하는 표시장치, 및 양자점 필름의 제조방법
US10642087B2 (en) 2014-05-23 2020-05-05 Eyesafe, Llc Light emission reducing compounds for electronic devices
EP3148712B1 (en) 2014-05-29 2021-08-18 Crystalplex Corporation Dispersion system for quantum dots
US20170075058A1 (en) * 2014-05-30 2017-03-16 Hewlett-Packrd Development Company, L.P. Laminating a quantum dot enhancement film to a light guide plate
JP6277065B2 (ja) 2014-05-30 2018-02-07 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび液晶表示装置
EP3152275B1 (en) 2014-06-03 2019-04-17 3M Innovative Properties Company Particles with quantum dots and method of making the same
US9851497B2 (en) * 2014-06-11 2017-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light mixing chamber for use with color converting material and light guide plate and assembly
CN104049410A (zh) * 2014-06-17 2014-09-17 福州大学 一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法
KR20150145798A (ko) 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 그를 포함하는 표시장치
KR102204953B1 (ko) 2014-06-25 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 형광 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
EP3161553A1 (en) 2014-06-26 2017-05-03 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. Emitting film with improved light-out coupling
WO2015199310A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
EP2960713B1 (en) 2014-06-27 2017-06-28 LG Electronics Inc. Backlight unit and display device having the same
KR101613959B1 (ko) * 2014-06-27 2016-04-20 엘지전자 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
JP2016012047A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
US10167417B2 (en) 2014-07-03 2019-01-01 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with reduced edge ingress and improved color stability
CN105793034A (zh) * 2014-07-18 2016-07-20 凸版印刷株式会社 波长转换片材用保护膜、波长转换片材及背光单元
TWI653143B (zh) * 2014-07-24 2019-03-11 日商凸版印刷股份有限公司 積層薄膜及積層體、以及波長轉換薄片、背光單元及電致發光發光單元
KR102282214B1 (ko) * 2014-08-01 2021-07-26 삼성전자주식회사 가스 배리어성 점착 시트의 점착층용 조성물, 상기 조성물로부터 제조되는 가스 배리어성 점착 시트, 상기 가스 배리어성 점착 시트가 구비된 광학시트
KR20160015948A (ko) 2014-08-01 2016-02-15 삼성전자주식회사 디스플레이 기기
US20170222095A1 (en) * 2014-08-06 2017-08-03 Ns Materials Inc. Resin molded product and manufacturing method thereof, and wavelength conversion member and illumination member
CN106536676B (zh) * 2014-08-14 2019-08-16 株式会社Lg化学 发光膜
JP2016042449A (ja) * 2014-08-19 2016-03-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
EP3633663A1 (en) 2014-08-21 2020-04-08 Dolby Laboratories Licensing Corp. Techniques for dual modulation with light conversion
JP2017526133A (ja) * 2014-08-21 2017-09-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ダウンコンバージョンフィルム要素を内蔵したバックライトシステム
JP5843024B1 (ja) * 2014-08-22 2016-01-13 大日本印刷株式会社 表示装置
KR101510855B1 (ko) 2014-08-22 2015-04-09 삼성전자 주식회사 몰드프레임 및 광학 시트와 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR101569084B1 (ko) 2014-08-26 2015-11-13 삼성전자 주식회사 광발광 적층 복합체 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시 장치
US10502891B2 (en) * 2014-08-28 2019-12-10 Sony Corporation Display device and illumination device
CN104154468B (zh) * 2014-09-01 2016-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组
JP6358548B2 (ja) * 2014-09-01 2018-07-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
KR102181888B1 (ko) 2014-09-03 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102293604B1 (ko) 2014-09-04 2021-08-24 삼성전자주식회사 자발광 액정 표시 장치
KR102224083B1 (ko) 2014-09-12 2021-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2016039079A1 (ja) * 2014-09-12 2016-03-17 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルムおよび機能性積層フィルムの製造方法
WO2016039080A1 (ja) * 2014-09-12 2016-03-17 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルムおよび機能性積層フィルムの製造方法
TWI616687B (zh) * 2014-09-19 2018-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 擴光件及應用該擴光件之發光設備、顯示裝置和電子裝置
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9739926B2 (en) 2014-09-26 2017-08-22 Fujifilm Corporation Laminate film, backlight unit, and liquid crystal display device
JP6117283B2 (ja) * 2014-09-26 2017-04-19 富士フイルム株式会社 積層フィルム、バックライトユニット、液晶表示装置、および、積層フィルムの製造方法
WO2016052625A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
WO2016051760A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
JP6295237B2 (ja) 2014-09-30 2018-03-14 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置および波長変換部材
JP2016072153A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 富士フイルム株式会社 バックライトおよび液晶表示装置
JP6302387B2 (ja) * 2014-09-30 2018-03-28 富士フイルム株式会社 波長変換部材の製造方法、波長変換部材、バックライトユニットおよび液晶表示装置
CN115268141A (zh) * 2014-09-30 2022-11-01 富士胶片株式会社 背光单元、液晶显示装置及波长转换部件
JP6339053B2 (ja) 2014-09-30 2018-06-06 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
KR20160038325A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 색변환용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6560914B2 (ja) * 2014-09-30 2019-08-14 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
JP6117758B2 (ja) 2014-09-30 2017-04-19 富士フイルム株式会社 積層フィルム、バックライトユニット、液晶表示装置、および、積層フィルムの製造方法
KR20160039468A (ko) * 2014-10-01 2016-04-11 엘지전자 주식회사 광학 부재, 백라이트 유닛 및 표시 장치
KR20160042226A (ko) * 2014-10-07 2016-04-19 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
US10571619B2 (en) 2014-10-16 2020-02-25 Toppan Printing Co., Ltd. Quantum dot protective film, quantum dot film using same, and backlight unit
JP5900720B1 (ja) * 2014-10-16 2016-04-06 凸版印刷株式会社 量子ドット保護フィルム、それを用いた量子ドットフィルム及びバックライトユニット
KR20160046067A (ko) 2014-10-17 2016-04-28 도레이케미칼 주식회사 화이트 보정 광학필름 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9513426B2 (en) 2014-10-22 2016-12-06 Industrial Technology Research Institute Light down conversion film and display backlight unit using the same
KR101643052B1 (ko) 2014-11-06 2016-07-27 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
WO2016076219A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 コニカミノルタ株式会社 光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
JP2016103461A (ja) * 2014-11-14 2016-06-02 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
EP3219482B1 (en) 2014-11-14 2024-02-07 Toppan Printing Co., Ltd. Optical barrier film, color conversion film, and backlight unit
JP6431749B2 (ja) 2014-11-14 2018-11-28 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルム
JP6305319B2 (ja) 2014-11-14 2018-04-04 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置並びに波長変換部材の製造方法
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
KR102242786B1 (ko) * 2014-11-27 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 표시장치
KR102334395B1 (ko) 2014-12-05 2021-12-01 삼성전자주식회사 배리어 코팅 조성물, 그로부터 제조되는 복합체, 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품
DE102014117983A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen
KR101604339B1 (ko) * 2014-12-09 2016-03-18 엘지전자 주식회사 광 변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
JP6363487B2 (ja) 2014-12-10 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
KR102260013B1 (ko) 2014-12-10 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6464724B2 (ja) * 2014-12-20 2019-02-06 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
JP2016128245A (ja) * 2015-01-10 2016-07-14 三菱樹脂株式会社 電子部材用封止フィルム
JP6634675B2 (ja) * 2014-12-20 2020-01-22 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
KR102138756B1 (ko) * 2014-12-20 2020-07-28 미쯔비시 케미컬 주식회사 전자 부재용 밀봉 필름
TWI560509B (en) * 2014-12-22 2016-12-01 Ind Tech Res Inst Enhanced wavelength converting structure, luminescent film and display backlighting unit
KR20160079375A (ko) 2014-12-26 2016-07-06 도레이케미칼 주식회사 발광색 변환 조성물, 발광색 변환 유닛 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR20160079374A (ko) 2014-12-26 2016-07-06 도레이케미칼 주식회사 고색재현력이 우수한 보상필름
KR102230594B1 (ko) * 2014-12-26 2021-03-22 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. 파장 변환 부재 및 그 제조 방법
KR101621820B1 (ko) * 2014-12-29 2016-05-17 삼성전자 주식회사 광원, 광원을 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
US10551670B2 (en) * 2015-01-05 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display with improved color reproducibility
KR101777596B1 (ko) * 2015-01-06 2017-09-13 코닝정밀소재 주식회사 양자점 복합체 및 이를 포함하는 광전소자
JP6500447B2 (ja) * 2015-01-10 2019-04-17 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
US20160200974A1 (en) * 2015-01-12 2016-07-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Brightness equalized quantum dots
CN105864683A (zh) * 2015-01-22 2016-08-17 青岛海信电器股份有限公司 光源组件、背光模组及显示装置
US20160225962A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Empire Technology Development Llc Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes
JP6628056B2 (ja) * 2015-01-31 2020-01-08 エルジー・ケム・リミテッド 光変換素子及びそれを含むディスプレイ装置
JP6277142B2 (ja) 2015-02-02 2018-02-07 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび量子ドットフィルム
JP6363526B2 (ja) * 2015-02-02 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法
JP6448397B2 (ja) 2015-02-02 2019-01-09 富士フイルム株式会社 蛍光体分散組成物及びそれを用いて得られた蛍光成形体、波長変換膜、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
JP6333749B2 (ja) * 2015-02-02 2018-05-30 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法
JP6550771B2 (ja) * 2015-02-02 2019-07-31 三菱ケミカル株式会社 電子部材用封止フィルム
JP6247649B2 (ja) 2015-02-02 2017-12-13 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび波長変換フィルム
JP7233165B2 (ja) * 2015-02-04 2023-03-06 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電気光学スイッチング素子およびディスプレイデバイス
EP3053874B1 (en) * 2015-02-04 2017-11-22 LG Electronics Inc. Light conversion member, and backlight unit and display device including the same
WO2016124324A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electronic element and display
JP6309472B2 (ja) * 2015-02-06 2018-04-11 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP6404372B2 (ja) * 2015-02-09 2018-10-10 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置および波長変換部材の製造方法
CN104597654A (zh) * 2015-02-13 2015-05-06 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
US10162220B2 (en) 2015-02-25 2018-12-25 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device, and television device
JP6202023B2 (ja) * 2015-02-26 2017-09-27 大日本印刷株式会社 積層体及び画像表示装置
WO2016140209A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
CN104597557A (zh) * 2015-03-03 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 复合导光板及其制备方法、背光模组、显示装置
JP6250575B2 (ja) 2015-03-06 2017-12-20 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび画像表示装置
CN107429885A (zh) 2015-03-10 2017-12-01 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
CN104698680A (zh) * 2015-03-11 2015-06-10 青岛海信电器股份有限公司 模组和显示设备
KR102061533B1 (ko) 2015-03-13 2020-01-02 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 나노구조 물질 방법 및 장치
CN107407834B (zh) 2015-03-16 2021-02-19 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
EP3070109B1 (en) 2015-03-16 2018-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
WO2016148052A1 (ja) 2015-03-18 2016-09-22 シャープ株式会社 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
CN107407467B (zh) 2015-03-18 2020-03-27 夏普株式会社 照明装置、显示装置和电视接收装置
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
JP6575100B2 (ja) * 2015-03-25 2019-09-18 大日本印刷株式会社 導光部材、面光源装置及び表示装置
JP2016181652A (ja) * 2015-03-25 2016-10-13 日本電気硝子株式会社 波長変換部材、その製造方法及び発光デバイス
JP6351532B2 (ja) * 2015-03-26 2018-07-04 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
CN104696830A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 一种背光模组、显示装置及背光模组的制作方法
CN107430223B (zh) * 2015-03-30 2020-12-04 凸版印刷株式会社 光学膜及其制造方法、以及光学阻隔膜及颜色转换膜
KR20160117083A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 코오롱인더스트리 주식회사 양자점을 포함하는 광학 시트
WO2016158370A1 (ja) 2015-04-01 2016-10-06 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
JP6360966B2 (ja) 2015-04-01 2018-07-18 シャープ株式会社 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
JP6760268B2 (ja) * 2015-04-02 2020-09-23 凸版印刷株式会社 量子ドット保護フィルム並びにこれを用いて得られる波長変換シート及びバックライトユニット
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
CN104848168A (zh) * 2015-04-10 2015-08-19 武汉华星光电技术有限公司 一种量子点膜片的制造方法
WO2016167927A1 (en) 2015-04-16 2016-10-20 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-epoxy matrix
US10984735B2 (en) 2015-04-17 2021-04-20 Nanosys, Inc. White point uniformity in display devices
KR101686736B1 (ko) * 2015-04-17 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
CN104728779B (zh) * 2015-04-21 2018-01-12 张家港康得新光电材料有限公司 发光膜层结构及背光模组
CN104832885A (zh) * 2015-04-24 2015-08-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器、背光模组及其导光板
KR101686737B1 (ko) * 2015-04-30 2016-12-14 엘지전자 주식회사 광 변환 플레이트, 이를 포함하는 발광 다이오드 패키지, 백라이트 유닛 및 표시장치
CN104777670B (zh) * 2015-05-05 2017-12-29 武汉华星光电技术有限公司 量子点膜片和液晶显示器
JP2016212348A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 株式会社 オルタステクノロジー 液晶表示装置
US9890329B2 (en) * 2015-05-14 2018-02-13 National Tsing Hua University Quantum dot nanocrystal structure
KR102538377B1 (ko) 2015-05-20 2023-06-01 도레이 카부시키가이샤 조명 장치 및 표시 장치
KR20160136696A (ko) * 2015-05-20 2016-11-30 삼성에스디아이 주식회사 광학 필름, 이의 제조 방법 및 상기 광학 필름을 포함하는 백라이트 유닛 및 소자
TWI544257B (zh) * 2015-05-25 2016-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 背光模組、導光板結構及顯示裝置
WO2016189827A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
KR101993679B1 (ko) * 2015-05-28 2019-06-27 후지필름 가부시키가이샤 양자 도트 함유 조성물, 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 및 액정 표시 장치
JP6419960B2 (ja) 2015-05-29 2018-11-07 富士フイルム株式会社 組成物とポリマー成形用組成物、及びそれを用いて得られた波長変換体、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
KR101970168B1 (ko) 2015-05-29 2019-04-19 후지필름 가부시키가이샤 파장 변환 부재 및 그것을 구비한 백라이트 유닛, 액정 표시 장치
CN106292055A (zh) * 2015-06-09 2017-01-04 瑞仪光电(苏州)有限公司 量子点增强薄膜和背光模块
CN113641038A (zh) * 2015-06-09 2021-11-12 瑞仪光电(苏州)有限公司 背光模块
JP6653622B2 (ja) * 2015-06-10 2020-02-26 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および量子ドット含有重合性組成物
CN104914622B (zh) * 2015-06-10 2018-10-09 青岛海信电器股份有限公司 量子点发光器件和背光模组
TWI635622B (zh) 2015-06-10 2018-09-11 隆達電子股份有限公司 發光結構、燈具及背光模組
KR102367759B1 (ko) * 2015-06-12 2022-02-28 삼성전자주식회사 백 라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN104864318B (zh) * 2015-06-12 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
KR102314061B1 (ko) 2015-06-16 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 광 변환 부재 및 그것을 포함하는 표시 장치
JP6433592B2 (ja) 2015-06-17 2018-12-05 富士フイルム株式会社 積層フィルムおよび積層フィルムの製造方法
KR102016407B1 (ko) 2015-06-18 2019-09-02 후지필름 가부시키가이샤 적층 필름
US20160369975A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 National Tsing Hua University Quantum dot-containing wavelength converter
KR20170000147A (ko) * 2015-06-23 2017-01-02 삼성전자주식회사 디스플레이 어셈블리 및 디스플레이 어셈블리를 이용하는 디스플레이 장치
US9841548B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
KR102294879B1 (ko) * 2015-06-30 2021-08-26 코오롱인더스트리 주식회사 광학시트 제조방법
KR102267595B1 (ko) * 2015-06-30 2021-06-18 코오롱인더스트리 주식회사 휘도 및 색 균일도가 향상된 광학시트
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
JP6672624B2 (ja) * 2015-07-14 2020-03-25 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
JP6550992B2 (ja) * 2015-07-14 2019-07-31 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
KR102459467B1 (ko) 2015-07-17 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP3325571B1 (en) * 2015-07-17 2019-05-01 Merck Patent GmbH Luminescent particle, ink formulation, polymer composition, optical device, fabrication thereof, and use of the luminescent particle
KR102386109B1 (ko) 2015-07-20 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104950518A (zh) * 2015-07-21 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点膜、量子点膜的制备方法及背光模组
KR101689084B1 (ko) * 2015-07-22 2016-12-23 희성전자 주식회사 양자점 시트
KR20170011616A (ko) 2015-07-23 2017-02-02 주식회사 아모그린텍 청색광원용 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6599992B2 (ja) * 2015-07-31 2019-10-30 富士フイルム株式会社 積層フィルム
KR101803523B1 (ko) 2015-08-07 2017-11-30 한국기계연구원 디스플레이에 사용되는 양자점 집합체의 집합 방법
KR20170019019A (ko) 2015-08-10 2017-02-21 삼성디스플레이 주식회사 광학부재의 제조방법
WO2017026375A1 (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 富士フイルム株式会社 積層フィルム
CN105093677B (zh) * 2015-08-11 2019-05-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器及其液晶显示模组
CN107921738A (zh) 2015-08-12 2018-04-17 富士胶片株式会社 层叠膜
JP6527053B2 (ja) 2015-08-28 2019-06-05 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの転写方法
KR20170026936A (ko) 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 도광판 및 이를 포함하는 표시장치
US10156343B2 (en) * 2015-09-03 2018-12-18 Efun Technology Co., Ltd. Optical film and lighting module including the same
TWI705897B (zh) * 2015-09-03 2020-10-01 迎輝科技股份有限公司 光學膜，及含有該光學膜的發光裝置與顯示器
WO2017044597A1 (en) 2015-09-09 2017-03-16 Truskier Jonathan Highly luminescent cadmium-free nanocrystals with blue emission
US9989806B2 (en) * 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR20180054675A (ko) 2015-09-15 2018-05-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 첨가제 안정화된 복합 나노입자
US20180255642A1 (en) * 2015-09-15 2018-09-06 Philips Lighting Holding B.V. Barrier layer delaying oxygen depletion in sealed gas-filled led lamps
US10836960B2 (en) 2015-09-15 2020-11-17 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
KR102449686B1 (ko) * 2015-09-18 2022-09-30 엘지전자 주식회사 광 변환 복합체, 이를 포함하는 광 변환 부재, 표시장치 및 발광소자 패키지및 이의 제조방법
KR102024254B1 (ko) * 2015-09-23 2019-09-23 주식회사 엘지화학 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN108139036B (zh) * 2015-09-24 2020-05-15 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
CN108136726A (zh) * 2015-09-24 2018-06-08 3M创新有限公司 量子点制品的基体
JP6872330B2 (ja) * 2015-09-28 2021-05-19 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いた偏光板のセットおよび液晶表示装置
JP6829969B2 (ja) 2015-09-28 2021-02-17 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いた偏光板のセットおよび液晶表示装置
KR102384407B1 (ko) 2015-10-01 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102504125B1 (ko) * 2015-10-13 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 편광 선택 컬러 필터 및 이를 구비하는 표시 장치
CN105182610A (zh) * 2015-10-19 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
JP6509091B2 (ja) * 2015-10-20 2019-05-08 富士フイルム株式会社 波長変換積層フィルム
US10246634B2 (en) * 2015-10-26 2019-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot having polymeric outer layer, photosensitive compositions including the same, and quantum dot polymer composite pattern produced therefrom
CN105202396A (zh) * 2015-10-27 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制作方法和显示装置
EP3168278B2 (en) 2015-10-28 2022-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
JP2017091866A (ja) 2015-11-12 2017-05-25 キヤノン株式会社 発光装置
WO2017086319A1 (ja) * 2015-11-18 2017-05-26 凸版印刷株式会社 保護フィルム及び波長変換シート
CN105259699B (zh) * 2015-11-27 2018-09-11 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器及其显示方法
JP6948120B2 (ja) * 2015-11-30 2021-10-13 大日本印刷株式会社 積層体の製造方法、積層体、バックライト装置、および表示装置
CN107017325B (zh) 2015-11-30 2020-06-23 隆达电子股份有限公司 量子点复合材料及其制造方法与应用
CN105304028B (zh) * 2015-12-09 2017-12-19 青岛海信电器股份有限公司 一种图像处理方法及液晶显示设备
CN105388666B (zh) * 2015-12-11 2019-01-01 青岛海信电器股份有限公司 背光模组及显示装置
KR20170072381A (ko) 2015-12-16 2017-06-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP6600013B2 (ja) * 2015-12-22 2019-10-30 富士フイルム株式会社 波長変換フィルム
KR102498798B1 (ko) 2015-12-22 2023-02-09 삼성전자주식회사 양자점 및 이를 포함하는 소자
KR20180098308A (ko) * 2015-12-23 2018-09-03 아반타마 아게 발광 구성요소
KR102653473B1 (ko) * 2015-12-29 2024-04-01 삼성전자주식회사 양자점을 포함하는 전자 소자
US9658489B1 (en) * 2015-12-31 2017-05-23 Nanosys, Inc. Backlight units for display devices
WO2017117160A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 3M Innovative Properties Company Article comprising particles with quantum dots
US11015115B2 (en) 2015-12-31 2021-05-25 3M Innovative Properties Company Curable quantum dot compositions and articles
JP6872849B2 (ja) * 2016-01-04 2021-05-19 東レエンジニアリング株式会社 光変換フィルムの製造方法、光変換フィルム製造装置、及び光変換フィルム
CN105449111B (zh) * 2016-01-08 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法
JP6627521B2 (ja) * 2016-01-14 2020-01-08 コニカミノルタ株式会社 機能性フィルムおよびこれを含む量子ドット（ｑｄ）含有積層部材の製造方法
US10066161B2 (en) * 2016-01-19 2018-09-04 Nanosys, Inc. InP quantum dots with GaP and AlP shells and methods of producing the same
JP2017138538A (ja) 2016-02-05 2017-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105552244B (zh) * 2016-02-17 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN108699433B (zh) 2016-02-17 2020-08-14 3M创新有限公司 具有稳定含氟化合物共聚物的量子点
TWI736583B (zh) 2016-03-02 2021-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 含有量子點之聚合物複合物
US10754081B2 (en) * 2016-03-07 2020-08-25 Current Lighting Solutions, Llc Devices containing a remote phosphor package with red line emitting phosphors and green emitting quantum dots
US10831066B2 (en) * 2016-03-10 2020-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and alignment film
JP6473705B2 (ja) 2016-03-10 2019-02-20 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよび波長変換フィルム
CN106908990A (zh) * 2016-03-16 2017-06-30 宁波长阳科技股份有限公司 一种量子点膜及其制备方法
JP6854675B2 (ja) * 2016-03-18 2021-04-07 日東電工株式会社 波長変換機能を有する粘着テープ
KR20170113746A (ko) 2016-03-24 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI596851B (zh) * 2016-03-24 2017-08-21 國立中央大學 雷射激發之白光照明系統
CN109073800B (zh) * 2016-03-31 2022-09-02 凸版印刷株式会社 阻隔膜及其制造方法、波长转换片及其制造方法、以及光学层叠体及其制造方法
JP6759667B2 (ja) * 2016-03-31 2020-09-23 凸版印刷株式会社 光学積層体及びその製造方法、並びに、波長変換シート及びその製造方法
TWI796290B (zh) 2016-04-12 2023-03-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 聚合物複合物及其製造方法
TWI774664B (zh) * 2016-04-12 2022-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 用於製造經囊封量子點之方法
CN105736983B (zh) * 2016-04-13 2018-10-19 中国计量大学 一种基于电磁调控的可调色量子点led
US11129253B2 (en) * 2016-04-19 2021-09-21 Suntracker Technologies Ltd. Temporally modulated lighting system and method
CA3021763A1 (en) 2016-04-26 2017-11-02 Nanosys, Inc. Stable inp quantum dots with thick shell coating and method of producing the same
JP6844294B2 (ja) * 2016-04-27 2021-03-17 大日本印刷株式会社 光波長変換粒子、光波長変換粒子分散液、光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、画像表示装置、および光波長変換粒子の製造方法
EP3239197B1 (en) * 2016-04-28 2019-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd Layered structures and quantum dot sheets and electronic devices including the same
EP3242333B1 (en) * 2016-05-03 2020-09-09 Nokia Technologies Oy An apparatus and method of forming an apparatus comprising a graphene field effect transistor
US10234723B2 (en) * 2016-05-05 2019-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit including anisotropic semiconductor nanocrystal particles, production method thereof, and electronic device including the same
KR102529150B1 (ko) * 2016-05-11 2023-05-03 삼성전자주식회사 광 변환 장치, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 광원 모듈과 백라이트 유닛
KR20170128729A (ko) 2016-05-13 2017-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017201465A1 (en) 2016-05-19 2017-11-23 Crystalplex Corporation Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them
KR102481314B1 (ko) 2016-05-19 2022-12-23 나노시스, 인크. 고 발광성 나노구조체를 위한 코어/쉘 양자점의 형태를 개선하기 위한 방법
CN105891936B (zh) * 2016-05-20 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 导光元件及其制作方法以及背光模组
TWI806827B (zh) 2016-05-27 2023-07-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 囊封量子點之流變改質劑
CN105867025B (zh) * 2016-06-01 2019-02-01 武汉华星光电技术有限公司 背光模组
JP2019519455A (ja) 2016-06-06 2019-07-11 ナノシス・インク． 高温でコアシェルナノ結晶を合成する方法
KR102520111B1 (ko) 2016-06-08 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 편광 발광판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US9736900B1 (en) * 2016-06-15 2017-08-15 Rockwell Collins, Inc. Quantum dot tunable assemblies and methods
KR20190022689A (ko) 2016-06-27 2019-03-06 나노시스, 인크. 나노구조체들의 완충된 코팅을 위한 방법들
US10553648B2 (en) * 2016-06-30 2020-02-04 Innolux Corporation Light-emitting diode display device
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
TWI641645B (zh) 2016-07-08 2018-11-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於囊封量子點之多層聚合物複合物
JP6706982B2 (ja) * 2016-07-11 2020-06-10 富士フイルム株式会社 面状照明装置
KR20190033071A (ko) 2016-07-20 2019-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점을 위한 안정화 스티렌계 중합체
WO2018017513A1 (en) 2016-07-20 2018-01-25 3M Innovative Properties Company Stabilizing styrenic polymer for quantum dots
KR102648944B1 (ko) * 2016-08-12 2024-03-20 도판 홀딩스 가부시키가이샤 형광체 보호 필름, 파장 변환 시트 및 발광 유닛
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US20180073702A1 (en) 2016-09-15 2018-03-15 Nanosys, Inc. Architectural Window with Built-In QLED Lighting
EP3300128B1 (en) * 2016-09-21 2021-03-03 Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. Phosphor arrangement and method
KR20190060900A (ko) 2016-09-26 2019-06-04 히타치가세이가부시끼가이샤 경화성 조성물, 파장 변환재, 백라이트 유닛, 및 화상 표시 장치
JP2019532473A (ja) * 2016-10-12 2019-11-07 カティーバ， インコーポレイテッド 量子ドットおよびそのインクジェット印刷技法を利用するディスプレイデバイス
US10330848B2 (en) 2016-10-14 2019-06-25 Chengfeng Optronics Corporation Light source module
TWI625572B (zh) * 2016-10-14 2018-06-01 晨豐光電股份有限公司 光源模組
CN106505137B (zh) * 2016-11-01 2018-08-17 厦门世纳芯科技有限公司 一种光学效果优异的量子点增强膜及其制备方法
KR102661442B1 (ko) * 2016-11-02 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI594054B (zh) * 2016-11-04 2017-08-01 友達光電股份有限公司 具量子點的背光模組及其製造方法
CN109937323B (zh) * 2016-11-07 2022-06-24 富士胶片株式会社 含光吸收体膜及背光单元
JP2018081195A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 Ｎｓマテリアルズ株式会社 液晶表示装置
CN106405938B (zh) * 2016-11-18 2019-07-09 厦门天马微电子有限公司 一种液晶背光模组、液晶显示设备
CN106444155A (zh) * 2016-11-29 2017-02-22 天津市中环量子科技有限公司 一种背光模组及液晶显示器
US10790411B2 (en) 2016-12-01 2020-09-29 Nanosys, Inc. Quantum dot LED with spacer particles
KR20180064616A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
WO2018106784A2 (en) 2016-12-07 2018-06-14 Djg Holdings, Llc Preparation of large area signage stack
EP3336158B1 (en) * 2016-12-14 2023-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle
EP3339946B1 (en) * 2016-12-21 2020-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures, production methods thereof, and liquid crystal display including the same
CN106772769A (zh) * 2016-12-31 2017-05-31 惠科股份有限公司 背光模块及其应用的显示设备与导光板的制造方法
CN106597746A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 惠科股份有限公司 背光模块及显示装置
CN108279459B (zh) * 2017-01-05 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及显示装置
US10209129B2 (en) 2017-01-06 2019-02-19 Nanosys, Inc. Optical measurement of thin films
CN108303819B (zh) * 2017-01-12 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置
US10508232B2 (en) 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
US10472563B2 (en) 2017-02-16 2019-11-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods for making improved quantum dot resin formulations
WO2018159623A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 日本化薬株式会社 画像表示装置
JP6841108B2 (ja) * 2017-03-17 2021-03-10 大日本印刷株式会社 光波長変換部材、バックライト装置、および画像表示装置
US10546985B2 (en) 2017-03-28 2020-01-28 Nanosys, Inc. Method for increasing the light output of microLED devices using quantum dots
CN107142100A (zh) * 2017-03-29 2017-09-08 华南理工大学 一种梯度折射率包裹量子点膜片及其制备方法
KR20230153510A (ko) 2017-04-18 2023-11-06 더 유니버서티 오브 시카고 광활성인 무기 리간드-캐핑된 무기 나노결정
CN107167865B (zh) * 2017-05-03 2020-08-25 苏州星烁纳米科技有限公司 侧入式背光模组及液晶显示装置
CN107703676A (zh) * 2017-05-04 2018-02-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种光学膜组件、背光模组及显示设备
CN107121841B (zh) * 2017-05-04 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
CN206848649U (zh) * 2017-05-04 2018-01-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光学膜、背光模组及显示设备
CN206946014U (zh) * 2017-05-04 2018-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种光学膜组件、背光模组及显示设备
CN206848648U (zh) * 2017-05-04 2018-01-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种背光模组和显示设备
US10649129B2 (en) * 2017-05-16 2020-05-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Light guide plate, backlight module and display device
JP2018198187A (ja) 2017-05-25 2018-12-13 キヤノン株式会社 発光装置および表示装置
WO2018220163A1 (en) * 2017-06-02 2018-12-06 Nexdot Color conversion layer and display apparatus having the same
CN109001936A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 群创光电股份有限公司 光源模块及显示设备
KR102311058B1 (ko) 2017-06-13 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102533078B1 (ko) 2017-06-16 2023-05-16 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107329201A (zh) * 2017-07-03 2017-11-07 深圳Tcl新技术有限公司 侧入式背光模组及显示装置
KR102343413B1 (ko) * 2017-07-19 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107329319A (zh) * 2017-07-21 2017-11-07 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点膜片及其制备方法、背光模组
US10746377B2 (en) * 2017-07-24 2020-08-18 Cyalume Technologies, Inc. Thin laminar material for producing short wave infrared emission
KR102433161B1 (ko) 2017-08-18 2022-08-17 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107526214A (zh) * 2017-08-21 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 荧光粉薄膜组件及其制作方法、背光模组
US10935842B2 (en) 2017-08-25 2021-03-02 Nanosys, Inc. Nanostructure based display devices
US11092850B2 (en) 2017-08-25 2021-08-17 Nanosys, Inc. Using multiple excitation wavelengths in nanostructure based display devices
US11029559B2 (en) 2017-08-25 2021-06-08 Nanosys, Inc. Nanostructure based display devices
KR102433156B1 (ko) 2017-09-08 2022-08-17 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10711188B2 (en) 2017-09-21 2020-07-14 Raytheon Company Process for producing quantum dots having broadened optical emission
GB2566711B (en) * 2017-09-22 2020-08-19 Visteon Global Tech Inc A backlight panel for providing area backlighting of a panel display device
CN107577084B (zh) * 2017-09-29 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 背光设备及其制作方法
CN111183376A (zh) 2017-09-29 2020-05-19 日立化成株式会社 波长转换构件、背光单元、图像显示装置、波长转换用树脂组合物、以及波长转换用树脂固化物
WO2019072938A1 (en) 2017-10-10 2019-04-18 Katholieke Universiteit Leuven PLATE-GUIDE LIGHT
CN117687243A (zh) * 2017-10-17 2024-03-12 科迪华公司 用于显示装置的具有高量子点浓度的油墨组合物
WO2019077752A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 日立化成株式会社 バックライトユニット、画像表示装置及び波長変換部材
KR102459728B1 (ko) 2017-10-20 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TW201923027A (zh) 2017-10-25 2019-06-16 美商納諾西斯有限公司 具有厚外殼塗層的穩定磷化銦量子點及其製備方法
KR102522945B1 (ko) 2017-10-31 2023-04-17 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102513512B1 (ko) 2017-10-31 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102451309B1 (ko) 2017-10-31 2022-10-05 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP6993187B2 (ja) 2017-11-16 2022-01-13 日東電工株式会社 光学部材
KR102150150B1 (ko) * 2017-11-28 2020-08-31 주식회사 엘지화학 색변환 필름, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20190064702A (ko) * 2017-11-30 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102418724B1 (ko) * 2017-12-05 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
US11046885B2 (en) * 2017-12-18 2021-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures and electronic devices including the same
JP6935745B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-15 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 色変換層および画像表示装置
WO2019130582A1 (ja) 2017-12-28 2019-07-04 日立化成株式会社 積層体、波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
KR20190083388A (ko) * 2018-01-03 2019-07-12 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102485577B1 (ko) * 2018-01-08 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US20190219874A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
KR102216397B1 (ko) * 2018-01-23 2021-02-16 주식회사 엘지화학 색변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
CN108303824A (zh) * 2018-01-31 2018-07-20 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组以及液晶显示器
TWI677109B (zh) * 2018-02-02 2019-11-11 國立臺灣大學 抬頭顯示器、發光薄膜與其製法
JP7025233B2 (ja) * 2018-02-08 2022-02-24 東レエンジニアリング株式会社 光変換体の製造方法、光変換体の製造装置、および光変換体
US20190265404A1 (en) * 2018-02-24 2019-08-29 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Optical film, backlight module, and display device
JP2019148622A (ja) * 2018-02-26 2019-09-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂粉末、波長変換板、発光装置、及び、樹脂粉末の製造方法
CN108398829B (zh) * 2018-02-27 2021-03-02 惠州市华星光电技术有限公司 基于量子点的背光模组及其制作方法
US20190273178A1 (en) 2018-03-05 2019-09-05 Nanosys, Inc. Decreased Photon Reabsorption in Emissive Quantum Dots
CN111954831B (zh) * 2018-03-07 2024-02-02 凸版印刷株式会社 光学膜、光学阻隔膜以及背光单元
WO2019186729A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
WO2019186726A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
JPWO2019186734A1 (ja) 2018-03-27 2021-05-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、硬化性組成物及び硬化物
JPWO2019186735A1 (ja) 2018-03-27 2021-04-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
WO2019186727A1 (ja) 2018-03-27 2019-10-03 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、及び画像表示装置
KR20190118220A (ko) * 2018-04-09 2019-10-18 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102568654B1 (ko) * 2018-04-10 2023-08-23 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법
US11121339B2 (en) 2018-05-11 2021-09-14 Nanosys, Inc. Quantum dot LED design based on resonant energy transfer
JP7357185B2 (ja) 2018-05-30 2023-10-06 ナノシス・インク． 青色発光ＺｎＳｅ１－ｘＴｅｘ合金ナノ結晶の合成方法
US11054698B2 (en) * 2018-05-31 2021-07-06 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
WO2019235064A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 日東電工株式会社 液晶表示装置
KR102614932B1 (ko) 2018-06-08 2023-12-18 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102567653B1 (ko) * 2018-06-11 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102526548B1 (ko) * 2018-06-12 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102071472B1 (ko) 2018-06-28 2020-01-30 주식회사 엘엠에스 미니 led 또는 마이크로 led 백라이트 유닛용 광학 필름
CN110655922B (zh) 2018-06-29 2024-02-27 昭荣化学工业株式会社 使用In3+盐作为掺杂剂的ZnSe量子点的波长调谐
CN108803126B (zh) * 2018-06-29 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102649006B1 (ko) * 2018-07-06 2024-03-20 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2020023583A1 (en) 2018-07-24 2020-01-30 Nanosys, Inc. Methods of improving efficiency of displays using quantum dots with integrated optical elements
KR102518416B1 (ko) * 2018-07-31 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 저굴절층 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102186061B1 (ko) 2018-08-16 2020-12-03 (주)디씨티 나노 형광체 시트
KR102543576B1 (ko) * 2018-08-31 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US11428988B2 (en) 2018-08-31 2022-08-30 Nanosys, Inc. Increasing color gamut performance and efficiency in quantum dot color conversion layers
CN109164632A (zh) * 2018-08-31 2019-01-08 华南师范大学 一种高色域液晶显示背光模组及其制备方法
US10852468B2 (en) 2018-09-10 2020-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Optical member and display apparatus including the same
KR102187789B1 (ko) * 2018-10-15 2020-12-07 주식회사 소룩스 퀀텀닷 일체형 확산판을 채택한 조명
KR102595085B1 (ko) 2018-10-16 2023-10-27 삼성디스플레이 주식회사 라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200049929A (ko) * 2018-10-29 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102106817B1 (ko) * 2018-10-30 2020-05-14 재단법인대구경북과학기술원 색순도 조절 다층 구조 필터 및 이의 제조 방법
JP6975122B2 (ja) 2018-11-06 2021-12-01 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、ｌｅｄ素子、バックライトユニット及び画像表示装置
KR102602160B1 (ko) 2018-11-07 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법
JP7095853B2 (ja) * 2018-11-12 2022-07-05 エルジー・ケム・リミテッド 色変換フィルム、これを含むバックライトユニット及びディスプレイ装置
US20220186108A1 (en) * 2018-11-12 2022-06-16 Lg Chem, Ltd. Colour conversion film, and back light unit and display device comprising same
US11592701B2 (en) * 2018-11-28 2023-02-28 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US11810532B2 (en) 2018-11-28 2023-11-07 Eyesafe Inc. Systems for monitoring and regulating harmful blue light exposure from digital devices
WO2022177606A1 (en) * 2021-02-17 2022-08-25 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US10955697B2 (en) 2018-11-28 2021-03-23 Eyesafe Inc. Light emission modification
JP7117517B2 (ja) * 2018-12-18 2022-08-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ
KR102599057B1 (ko) 2019-01-03 2023-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20200092523A (ko) 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
EP3898886B1 (en) * 2019-01-24 2024-03-13 Shoei Chemical Inc. Thin shell quantum dots for enhanced blue light absorption
WO2020159530A1 (en) * 2019-02-01 2020-08-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Anti-glare diffusing films for electronic displays
CN113646403A (zh) 2019-02-05 2021-11-12 纳米系统公司 使用熔盐化学合成无机纳米结构的方法
WO2020183618A1 (ja) 2019-03-12 2020-09-17 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び波長変換用樹脂組成物
KR102577764B1 (ko) 2019-03-19 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20200122719A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102652436B1 (ko) 2019-04-18 2024-03-27 삼성전자주식회사 ZnTeSe 기반의 양자점
KR20200122717A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
EP3928361A1 (en) 2019-04-19 2021-12-29 Nanosys, Inc. Flexible electroluminescent devices
WO2020217649A1 (ja) 2019-04-26 2020-10-29 信越化学工業株式会社 量子ドット、波長変換材料、バックライトユニット、画像表示装置及び量子ドットの製造方法
JP2022530624A (ja) * 2019-04-30 2022-06-30 コーニング インコーポレイテッド 量子ドットを有するバックライトユニット
KR20220006087A (ko) 2019-05-08 2022-01-14 나노시스, 인크. 광 추출 효율이 개선된 나노구조체 기반 디스플레이 디바이스들
KR20220007614A (ko) * 2019-05-13 2022-01-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 배리어 필름, 그것을 이용한 파장 변환 시트 및 그것을 이용한 표시 장치
JP2020193249A (ja) 2019-05-27 2020-12-03 信越化学工業株式会社 量子ドット、量子ドット組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、バックライトユニット及び画像表示装置
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
US11262063B2 (en) * 2019-06-05 2022-03-01 Light Source Engineering Llc Horticulture light panel assembly
EP3763801B1 (en) 2019-07-12 2022-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot-containing material, method of preparing the same, and optical member and appapratus including the quantum dot-containing material
FR3099540B1 (fr) * 2019-07-31 2021-07-30 Valeo Vision Dispositif lumineux pour véhicule automobile
TWI712165B (zh) * 2019-08-06 2020-12-01 國立臺灣大學 微發光二極體陣列與其製法
KR20210034995A (ko) 2019-09-23 2021-03-31 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 이에 구비되는 도광판 및 그 제조 방법
CN112680211A (zh) 2019-10-17 2021-04-20 三星电子株式会社 芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件
US11603493B2 (en) 2019-10-17 2023-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same
CN110718618B (zh) * 2019-10-18 2021-01-15 吉林大学 基于量子点的模拟太阳光谱的wled的制造方法以及智能灯泡
KR20210065245A (ko) * 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
CN114746363A (zh) 2019-12-02 2022-07-12 信越化学工业株式会社 量子点、波长转换材料、背光单元、图像显示装置及量子点的制造方法
KR102171204B1 (ko) * 2019-12-30 2020-10-28 엘지전자 주식회사 양자점 복합 필름 및 이를 이용한 백라이트 유닛
WO2021141945A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Nanosys, Inc. Rohs compliant mixed quantum dot films
US11294115B1 (en) * 2020-02-03 2022-04-05 Wah Hong Industrial Corp. Enhanced light diffusion film structure
CN114981691A (zh) 2020-02-13 2022-08-30 东丽株式会社 糊剂、基板、显示器及基板的制造方法
CN113325620A (zh) * 2020-02-28 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种曲面车载显示模组、车载显示装置及车辆
US11487158B2 (en) * 2020-03-25 2022-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit, method of manufacturing the same and display apparatus including the same
JP7352504B2 (ja) 2020-03-30 2023-09-28 信越化学工業株式会社 量子ドットの製造方法
TWI751521B (zh) * 2020-04-08 2022-01-01 國立清華大學 白光量子點二極體元件、背光模組及照明裝置
CN113497192A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 陈学仕 白光量子点二极管元件、背光模块及照明装置
KR20210149963A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
WO2021251448A1 (ja) 2020-06-11 2021-12-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、発光装置および液晶表示装置
JP7427541B2 (ja) 2020-06-15 2024-02-05 信越化学工業株式会社 量子ドットの製造方法
CN111812878B (zh) * 2020-07-06 2022-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种保护膜及其制备方法、显示装置
CN112082652B (zh) * 2020-09-14 2021-06-22 大连理工大学 一种多层透明黑磷片堆叠的集成阵列式偏振成像探测器以及相应的偏振信息计算方法
KR20220036681A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TW202224209A (zh) 2020-10-22 2022-06-16 美商納諾西斯有限公司 具有混合傳輸層的電致發光裝置
TW202230848A (zh) 2020-10-22 2022-08-01 美商納諾西斯有限公司 具有有機傳輸層的電致發光裝置
CN112310268A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种新型中温温差电材料的制备方法
KR20220062213A (ko) 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 반도체 나노입자, 이를 포함한 전자 장치 및 상기 반도체 나노입자의 제조 방법
CN112347597B (zh) * 2020-11-13 2024-04-05 西安工程大学 基于改进粒子群算法提升led照明均匀性的方法
CN112162435B (zh) * 2020-11-13 2022-04-08 福州大学 一种侧入式量子点背光模组结构
CN112162436B (zh) * 2020-11-13 2022-04-08 福州大学 一种量子点背光模组结构
CN114578613A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 优美特创新材料股份有限公司 含有荧光粉及量子点的背光模块
US11209697B1 (en) * 2020-11-30 2021-12-28 Unique Materials Co., Ltd. Backlight unit with phosphors and quantum dots
JP7355724B2 (ja) 2020-12-07 2023-10-03 信越化学工業株式会社 量子ドットの表面処理方法及び表面処理装置
EP4063944A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-28 Sony Group Corporation Device for a liquid crystal display and liquid crystal display
KR20220145646A (ko) 2021-04-22 2022-10-31 삼성전자주식회사 표시장치
JP7335520B2 (ja) * 2021-06-21 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置
WO2023287886A1 (en) 2021-07-13 2023-01-19 Nanosys, Inc. Tunable illumination device
CN113703226B (zh) * 2021-09-08 2022-09-27 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院 高亮度、防蓝光量子点光学板及其制备方法和背光模组
WO2023091415A1 (en) * 2021-11-16 2023-05-25 Nanosys, Inc. Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof
JP7464893B2 (ja) 2021-12-09 2024-04-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023141438A1 (en) 2022-01-19 2023-07-27 Nanosys, Inc. Uv-curable quantum dot formulations
US11784805B2 (en) 2022-03-07 2023-10-10 Raytheon Company Ultra high entropy material-based non-reversible spectral signature generation via quantum dots
WO2023183619A1 (en) 2022-03-25 2023-09-28 Nanosys, Inc. Silica composite microparticles comprising nanostructures
WO2023220050A1 (en) 2022-05-09 2023-11-16 Nanosys, Inc. Microled-based display device and method of manufacturing same
KR102604931B1 (ko) * 2022-11-30 2023-11-22 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 양자점 소재의 표면 개질 방법 및 이를 활용하는 led조명용 양자점 광학부재

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060056166A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-16 Yeo Terence E Enhanced LCD backlight
CN1779522A (zh) * 2004-11-22 2006-05-31 高迪技术株式会社 用于背光装置的光激发－散射板和使用该光激发－散射板的用于液晶显示器的背光设备
US20090000579A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Rozario Frederick J Valve train with overload features
US20090011579A1 (en) * 2004-11-24 2009-01-08 Yasuhiko Takeda Quantum Dot Array And Production Method Therefor, And Dot Array Element And Production Method Therefor
US20090091689A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Soon-Joon Rho Display device
CN100559066C (zh) * 2005-05-31 2009-11-11 精工电子有限公司 磷光体薄膜,使用其的照明装置及显示装置
CN101609863A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 启萌科技有限公司 荧光膜
US20100026437A1 (en) * 2008-08-04 2010-02-04 Tsai-Sheng Lin Conductive winding module and magnetic element having such conductive winding module

Family Cites Families (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1279813A (en) 1916-07-10 1918-09-24 Rail Joint Co Compromise rail-joint.
US3913872A (en) * 1973-01-18 1975-10-21 Bell & Howell Co Light tunnel for uniformly illuminating an object
US4130343A (en) 1977-02-22 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Coupling arrangements between a light-emitting diode and an optical fiber waveguide and between an optical fiber waveguide and a semiconductor optical detector
DE2730142C2 (de) 1977-07-04 1988-01-21 Papst-Motoren GmbH & Co KG, 7742 St Georgen Kollektorloser Gleichstrommotor der zweisträngigen Bauart
JPH0658440B2 (ja) 1987-11-17 1994-08-03 コニカ株式会社 保護層を有する蛍光体パネル
US5496913A (en) 1992-11-02 1996-03-05 Furukawa Electric Co., Ltd Aromatic polycarbonate, a method for producing the same, and a plastic optical waveguide using the same
US5442254A (en) 1993-05-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Fluorescent device with quantum contained particle screen
JPH07248495A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6107105A (en) 1994-05-13 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Amorphous tin films for an integrated capacitor dielectric/bottom plate using high dielectric constant material
US5482890A (en) 1994-10-14 1996-01-09 National Science Council Method of fabricating quantum dot structures
US5667650A (en) 1995-02-14 1997-09-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company High flow gas manifold for high rate, off-axis sputter deposition
US5975711A (en) 1995-06-27 1999-11-02 Lumitex, Inc. Integrated display panel assemblies
GB9609282D0 (en) 1996-05-03 1996-07-10 Cambridge Display Tech Ltd Protective thin oxide layer
AU8130598A (en) 1997-07-14 1999-02-10 Citizen Watch Co. Ltd. Liquid crystal display
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US5990479A (en) 1997-11-25 1999-11-23 Regents Of The University Of California Organo Luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes
EP1057049B1 (en) * 1998-02-18 2008-10-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical film
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6864626B1 (en) 1998-06-03 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals
CA2348641A1 (en) 1998-08-31 2001-04-19 The Government Of The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Coated cathodoluminescent phosphors
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP3384983B2 (ja) * 1999-08-27 2003-03-10 恵和株式会社 光拡散シート及びこれを用いたバックライトユニット
WO2002021557A1 (en) 2000-09-06 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for oled devices
US6225198B1 (en) 2000-02-04 2001-05-01 The Regents Of The University Of California Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process
CA2401459A1 (en) 2000-03-06 2001-09-13 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Lighting apparatus having quantum dot layer
JP2001265235A (ja) 2000-03-15 2001-09-28 Nec Corp 光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
ATE414289T1 (de) 2000-03-16 2008-11-15 Led Products Inc Verfahren zum entwerfen und zur herstellung von hocheffizienter nichtabbildender optik
DE20008103U1 (de) 2000-05-05 2001-09-13 Coripharm Medizinprodukte Gmbh Aufbereitungs- und Applikationsvorrichtung für aus wenigstens einer pulver- oder granulatförmigen und einer flüssigen Komponente unmittelbar vor Gebrauch zu einer pastösen fließfähigen Masse aufzubereitende Materialien, insbesondere Knochenzement
WO2002029140A1 (en) 2000-10-04 2002-04-11 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Synthesis of colloidal nanocrystals
FR2818439B1 (fr) 2000-12-18 2003-09-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un ilot de matiere confine entre des electrodes, et applications aux transistors
US20020186921A1 (en) 2001-06-06 2002-12-12 Schumacher Lynn C. Multiwavelength optical fiber devices
US6784603B2 (en) 2001-07-20 2004-08-31 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Fluorescent lighting apparatus
ATE556845T1 (de) 2001-07-20 2012-05-15 Life Technologies Corp Lumineszierende nanopartikel und ihre herstellung
US6794265B2 (en) 2001-08-02 2004-09-21 Ultradots, Inc. Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6933537B2 (en) 2001-09-28 2005-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sealing for OLED devices
ITTO20020033A1 (it) 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
US20030148379A1 (en) 2002-02-06 2003-08-07 Roitman Daniel B. Methods for making microbar encoders for bioprobes
JP2003240963A (ja) * 2002-02-21 2003-08-27 Minolta Co Ltd 照明装置及び表示装置
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
JP4323243B2 (ja) * 2002-08-14 2009-09-02 富士フイルム株式会社 放射線像変換パネル
GB0220063D0 (en) 2002-08-29 2002-10-09 Isis Innovation Magnetic particle and process for preparation
CA2497451A1 (en) 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
US6878871B2 (en) 2002-09-05 2005-04-12 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
AU2003298998A1 (en) 2002-09-05 2004-04-08 Nanosys, Inc. Oriented nanostructures and methods of preparing
US7572393B2 (en) 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
JP5138145B2 (ja) 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004239713A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Konica Minolta Holdings Inc 放射線画像変換パネル
EP1441019A1 (en) 2002-12-25 2004-07-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Radiographic image conversion panel
US6909486B2 (en) * 2003-02-18 2005-06-21 Ran-Hong Raymond Wang Liquid crystal display viewable under all lighting conditions
WO2005022120A2 (en) 2003-03-11 2005-03-10 Nanosys, Inc. Process for producing nanocrystals and nanocrystals produced thereby
WO2004105201A2 (en) 2003-05-21 2004-12-02 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Semiconductor nanocrystal-based optical devices and method of preparing such devices
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP1704596A2 (en) 2003-09-05 2006-09-27 Dot Metrics Technology, Inc. Quantum dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth and methods of manufacture
KR100796122B1 (ko) 2003-09-09 2008-01-21 삼성전자주식회사 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상
CN1886844B (zh) 2003-12-02 2010-06-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
WO2005067485A2 (en) 2003-12-12 2005-07-28 Quantum Dot Corporation Preparation of stable, bright luminescent nanoparticles having compositionally engineered properties
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7374807B2 (en) 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
US7267865B2 (en) 2004-02-20 2007-09-11 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Draw resonant resistant multilayer films
KR100652057B1 (ko) 2004-04-02 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이를 이용한 리페어 방법
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US7572490B2 (en) 2004-04-27 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Brightness enhancement film for liquid crystal display and manufacturing method thereof
US7653008B2 (en) 2004-05-21 2010-01-26 Bea Systems, Inc. Dynamically configurable service oriented architecture
US7997771B2 (en) * 2004-06-01 2011-08-16 3M Innovative Properties Company LED array systems
US7968273B2 (en) 2004-06-08 2011-06-28 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
TW201341440A (zh) 2004-06-08 2013-10-16 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
US8563133B2 (en) 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
WO2005122235A2 (en) 2004-06-08 2005-12-22 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US8088483B1 (en) 2004-06-08 2012-01-03 Nanosys, Inc. Process for group 10 metal nanostructure synthesis and compositions made using same
US8324640B2 (en) 2004-07-02 2012-12-04 GE Lighting Solutions, LLC LED-based edge lit illumination system
US20070121227A1 (en) 2004-07-02 2007-05-31 Efun Technology Co., Ltd. Brightness enhancement film having curved prism units and light scattering particles
US7055381B2 (en) * 2004-07-08 2006-06-06 The Goodyear Tire & Rubber Company Method of testing tires for durability
US7229690B2 (en) 2004-07-26 2007-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Microspheres including nanoparticles
JP2006073202A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP4815781B2 (ja) 2004-10-20 2011-11-16 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置及びバックライト装置
US7901102B2 (en) 2004-10-22 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display apparatus employing the same
WO2006055872A2 (en) 2004-11-17 2006-05-26 Fusion Optix, Inc. Enhanced light fixture
US7481562B2 (en) 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
EP1819508A1 (en) * 2004-11-19 2007-08-22 Akzo Nobel N.V. Method for preparing flexible mechanically compensated transparent layered material
JP4462081B2 (ja) 2005-03-18 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP2006291064A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Instruments Inc 蛍光体フィルム、照明装置、及び、これを有する表示装置
US20060268537A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Makoto Kurihara Phosphor film, lighting device using the same, and display device
JP4579065B2 (ja) 2005-06-23 2010-11-10 セイコーインスツル株式会社 照明装置、及びこれを備える表示装置
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US20080206589A1 (en) 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
KR20070035341A (ko) 2005-09-27 2007-03-30 삼성전자주식회사 간극을 채운 반도체 나노결정층을 함유하는 발광소자 및 그제조방법
EP1790977A1 (en) 2005-11-23 2007-05-30 SONY DEUTSCHLAND GmbH Nanoparticle/nanofiber based chemical sensor, arrays of such sensors, uses and method of fabrication thereof, and method of detecting an analyte
JP4771837B2 (ja) 2005-11-28 2011-09-14 京セラ株式会社 波長変換器および発光装置
KR101304635B1 (ko) 2006-01-09 2013-09-05 삼성전자주식회사 무기물 발광 다이오드 및 그의 제조방법
JP2007206569A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Daicel Chem Ind Ltd 光学シート
KR100754396B1 (ko) 2006-02-16 2007-08-31 삼성전자주식회사 양자점 발광소자 및 그 제조방법
US20080038558A1 (en) 2006-04-05 2008-02-14 Evident Technologies, Inc. I-iii-vi semiconductor nanocrystals, i-iii-vi water stable semiconductor nanocrystals, and methods of making same
US7714322B2 (en) 2006-04-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Nanoparticle positioning technique
US20080173886A1 (en) 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
US20070267972A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Menegus Harry E Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device
US20080012001A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Evident Technologies Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
US8120239B2 (en) 2006-08-16 2012-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Infrared display with luminescent quantum dots
US7969085B2 (en) 2006-08-18 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color-change material layer
US20080191604A1 (en) 2006-09-27 2008-08-14 Evident Technologies Retro-emission systems comprising microlens arrays and luminescent emitters
GB2442505A (en) 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
US7888700B2 (en) 2007-03-08 2011-02-15 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting device
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100155749A1 (en) 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
JP2010528118A (ja) 2007-03-19 2010-08-19 ナノシス・インコーポレイテッド ナノ結晶を被包するための方法
KR100745317B1 (ko) * 2007-03-28 2007-08-01 삼성전자주식회사 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상
US7705596B2 (en) * 2007-05-18 2010-04-27 The Trustees Of The University Of Pennsylvania System and method for minimizing MRI-imaging artifacts
KR101464795B1 (ko) 2007-05-20 2014-11-27 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광 재순환 중공 공동형 디스플레이 백라이트
EP2168004A2 (en) 2007-06-22 2010-03-31 3M Innovative Properties Company Systems and methods for controlling backlight output characteristics
WO2009011922A1 (en) 2007-07-18 2009-01-22 Qd Vision, Inc. Quantum dot-based light sheets useful for solid-state lighting
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
JP2009036804A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ欠陥の修正方法及びカラーフィルタ基板
JP5176471B2 (ja) * 2007-10-16 2013-04-03 マックス株式会社 タイムレコーダシステム、タイムレコーダおよび打刻承認方法
JP2009157276A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
WO2009098857A1 (ja) 2008-02-06 2009-08-13 Fujikura Ltd. 色素増感太陽電池
JP2009231273A (ja) 2008-02-27 2009-10-08 Seiko Instruments Inc 照明装置及びこれを備える表示装置
TW200938913A (en) * 2008-03-13 2009-09-16 Kismart Corp A flat panel display capable of multi-sided viewings and its back light module
US8916890B2 (en) 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5418762B2 (ja) 2008-04-25 2014-02-19 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
WO2009137053A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US8021008B2 (en) 2008-05-27 2011-09-20 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using quantum dots in a liquid
KR20100013453A (ko) 2008-07-31 2010-02-10 (주)케이디티 프리즘 기능을 가진 광여기 프리즘 시트
KR100982991B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
KR100982992B1 (ko) 2008-09-08 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환시트, 및 양자점 파장변환시트를 포함하는 발광장치
KR101577300B1 (ko) 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
WO2010056240A1 (en) 2008-11-13 2010-05-20 Hcf Partners, L.P. Cross-linked quantum dots and methods for producing and using the same
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
CN102257599A (zh) 2008-12-30 2011-11-23 纳米系统公司 用于包封纳米晶体的方法及所得的复合物
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101584663B1 (ko) 2009-02-17 2016-01-13 삼성전자주식회사 양자 점을 이용한 고분자 분산형 액정 디스플레이 장치
KR101631986B1 (ko) 2009-02-18 2016-06-21 삼성전자주식회사 도광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
CN102656233B (zh) 2009-05-01 2015-04-29 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
CN101707223B (zh) 2009-10-29 2011-07-20 中山大学 光谱下转移彩色电池组件
JP4949525B2 (ja) 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
US20120113671A1 (en) 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
TWI540349B (zh) 2014-05-29 2016-07-01 Radiant Opto Electronics Corp Backlight module
KR101572165B1 (ko) 2014-12-09 2015-11-26 삼성전자 주식회사 디스플레이 장치 및 이에 포함되는 백 라이트 유닛

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060056166A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-16 Yeo Terence E Enhanced LCD backlight
CN1779522A (zh) * 2004-11-22 2006-05-31 高迪技术株式会社 用于背光装置的光激发－散射板和使用该光激发－散射板的用于液晶显示器的背光设备
US20090011579A1 (en) * 2004-11-24 2009-01-08 Yasuhiko Takeda Quantum Dot Array And Production Method Therefor, And Dot Array Element And Production Method Therefor
CN100559066C (zh) * 2005-05-31 2009-11-11 精工电子有限公司 磷光体薄膜,使用其的照明装置及显示装置
US20090000579A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Rozario Frederick J Valve train with overload features
US20090091689A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Soon-Joon Rho Display device
CN101609863A (zh) * 2008-06-16 2009-12-23 启萌科技有限公司 荧光膜
US20100026437A1 (en) * 2008-08-04 2010-02-04 Tsai-Sheng Lin Conductive winding module and magnetic element having such conductive winding module

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106287397A (zh) * 2015-05-25 2017-01-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组、导光板结构及显示装置
CN106990606A (zh) * 2016-01-20 2017-07-28 爱思开哈斯显示用薄膜有限公司 包括量子点膜和色彩纯度增强薄膜的液晶显示器
CN108471728A (zh) * 2016-01-22 2018-08-31 纳米技术有限公司 用于畜牧业和水族馆的基于量子点的照明器具
CN109071213A (zh) * 2016-02-26 2018-12-21 纳米系统公司 低镉含量纳米结构组合物及其用途
CN109313874A (zh) * 2016-06-24 2019-02-05 纳米系统公司 环境光颜色补偿设备
CN107656330A (zh) * 2016-08-19 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 具有多层结构的量子点光学膜、其制备方法和用途
CN110023825A (zh) * 2016-10-31 2019-07-16 纳米系统公司 用于显示器件的背光单元
CN107121723A (zh) * 2017-05-16 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种导光板、背光模组及显示设备
US11774065B2 (en) 2020-07-28 2023-10-03 Nano Precision Taiwan Limited Quantum dot composition, color conversion film and backlight module
WO2024026948A1 (zh) * 2022-08-01 2024-02-08 惠州华星光电显示有限公司 显示装置
US11846837B1 (en) 2022-08-24 2023-12-19 Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP3839335A1 (en) 2021-06-23
JP5940079B2 (ja) 2016-06-29
EP3540300A1 (en) 2019-09-18
US11396158B2 (en) 2022-07-26
KR102496406B1 (ko) 2023-02-06
US20210347146A1 (en) 2021-11-11
TWI574430B (zh) 2017-03-11
KR20130120486A (ko) 2013-11-04
WO2012064562A1 (en) 2012-05-18
US20200249388A1 (en) 2020-08-06
KR102098682B1 (ko) 2020-05-22
CN103228983A (zh) 2013-07-31
US10302845B2 (en) 2019-05-28
JP2013544018A (ja) 2013-12-09
EP3540300B1 (en) 2024-05-08
US9804319B2 (en) 2017-10-31
KR20200039806A (ko) 2020-04-16
US10899105B2 (en) 2021-01-26
US20160349428A1 (en) 2016-12-01
KR102381463B1 (ko) 2022-04-01
KR20210037000A (ko) 2021-04-05
US10551553B2 (en) 2020-02-04
EP2638321A4 (en) 2014-05-07
EP2638321A1 (en) 2013-09-18
US20160363713A1 (en) 2016-12-15
US9199842B2 (en) 2015-12-01
US20150300600A1 (en) 2015-10-22
US10444423B2 (en) 2019-10-15
US20190391319A1 (en) 2019-12-26
US20120113672A1 (en) 2012-05-10
KR20220045061A (ko) 2022-04-12
TW201234646A (en) 2012-08-16
EP2638321B1 (en) 2019-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104932051A (zh) 量子点薄膜、照明器件及照明方法
KR101575143B1 (ko) 광학 시트 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
CN102803129B (zh) 光学材料、光学部件和方法
US11198270B2 (en) Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
CN106195923A (zh) 光转化膜以及具有所述光转化膜的背光单元和显示装置
CN1725521B (zh) 光电子器件及其制造方法
TWI680178B (zh) 量子點材料及其製備方法
CN108604026A (zh) 用于显示器件的背光单元
TW201947303A (zh) 量子點顯示裝置
US20210139770A1 (en) Metastable aggregate and uses thereof
CN110088230A (zh) 组合物、膜、层叠结构体、发光装置、显示器及组合物的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150923