JP2015102857A - 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 - Google Patents
光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015102857A JP2015102857A JP2013246010A JP2013246010A JP2015102857A JP 2015102857 A JP2015102857 A JP 2015102857A JP 2013246010 A JP2013246010 A JP 2013246010A JP 2013246010 A JP2013246010 A JP 2013246010A JP 2015102857 A JP2015102857 A JP 2015102857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light conversion
- layer
- conversion member
- quantum dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133609—Direct backlight including means for improving the color mixing, e.g. white
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
- G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
- G02B6/0026—Wavelength selective element, sheet or layer, e.g. filter or grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133624—Illuminating devices characterised by their spectral emissions
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
- Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
更に本発明は、この光変換部材を含むバックライトユニット、およびこのバックライトユニットを含む液晶表示装置にも関する。
この点について更に説明すると、ポリオルガノシルセスキオキサンとは、主骨格にSi−O結合を含むシロキサン重合体であり、組成式[XSiO3/2]a(Xは置換基、aは繰り返し単位数を表す。)で表される構造を含み、主骨格においてケイ素は3つの酸素と結合し、酸素は2つのケイ素と結合している。組成式から明らかなように、無機シリカSiO2と有機シリコーン(R2SiO)aとの中間的な物質である。
一方、量子ドットを含む光変換部材では、通常、樹脂を主成分とする有機層(有機マトリックス)に量子ドットが分散している。
本発明者は以上の点に着目し、量子ドット含有層の有機マトリックスとして、有機化合物でありながら無機物質としての性質も示すポリオルガノシルセスキオキサンを用いるとともに、量子ドット含有層に隣接するバリア層として無機層を設けることで、層間の密着性を高めることができ、これにより優れた耐候性を示す光変換部材が得られることを見出すに至ったものである。
本発明は、以上の知見に基づき完成された。
入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材であって、
光変換層は、量子ドットおよびポリオルガノシルセスキオキサンを含み、かつ、
光変換層に直接接する隣接無機層を有する光変換部材、
に関する。
600nm〜680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(A)、
500nm〜600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(B)、および
400nm〜500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(C)、
からなる群から選択される少なくとも一種である。
上記光変換部材と、
光源と、
を少なくとも含むバックライトユニット、
に関する。
430〜480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
500〜600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
600〜680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、
を発光する。
他の一態様では、上記バックライトユニットは、導光板を更に含み、光変換部材を、導光板と光源との間に有する。
上記バックライトユニットと、
液晶セルと、
を少なくとも含む液晶表示装置、
に関する。
上記光変換部材の製造方法であって、
上述の光変換層を形成すること、
および、
無機材料を蒸着することにより隣接無機層を形成すること、
を含む製造方法、
に関する。
本発明の一態様にかかる光変換部材は、入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材である。上記光変換層は、量子ドットおよびポリオルガノシルセスキオキサンを含み、かつ上記光変換層に直接接する隣接無機層が含まれる。ここで、直接接するとは、接着層などの他の層を介さずに二層が隣接配置されていることをいうものとする。隣接無機層がバリア層としての機能を良好に発揮することにより、量子ドットの劣化により光変換部材の耐候性が低下することを防ぐことができる。これは先に説明したように、有機マトリックスを構成するポリオルガノシルセスキオキサンが、有機化合物でありながら無機物質としての性質を有することが、隣接無機層と光変換層との密着性向上に寄与することによるものである。
以下、上記光変換部材について、更に詳細に説明する。
また、本発明および本明細書中、ピークの「半値幅」とは、ピーク高さ1/2でのピークの幅のことを言う。また、400〜500nm、好ましくは430〜480nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を青色光と呼び、500〜600nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を緑色光と呼び、600〜680nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を赤色光と呼ぶ。
そして図1(a)に示す例では、導光板31Bから出射される光が、光変換部材31Cに入射する。図1(a)に示す例では、導光板31Bのエッジ部に配置された光源31Aから出射される光32は青色光であり、導光板31Bの液晶セル(図示せず)側の面から液晶セルに向けて出射される。導光板31Bから出射された光(青色光32)の経路上に配置された光変換部材31Cには、青色光32により励起され赤色光34を発光する量子ドット(A)と、青色光32により励起され緑色光33を発光する量子ドット(B)を、少なくとも含む。このようにしてバックライトユニット31からは、励起された緑色光33および赤色光34、ならびに光変換部材31Cを透過した青色光32が出射される。こうしてRGBの輝線光を発光させることで、白色光を具現化することができる。
図1(b)に示す例は、光変換部材と導光板の配置が異なる点以外は、図1(a)に示す態様と同様である。図1(b)に示す例では、光変換部材31Cから、励起された緑色光33および赤色光34、ならびに光変換部材31Cを透過した青色光32が出射され導光板に入射し、面光源が実現される。
光変換部材は、少なくとも、入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する。その他の必須の層として、本発明の一態様にかかる光変換部材には、光変換層に直接接する無機層(隣接無機層)が含まれる。その詳細は、後述する。
[RSiO3/2]n …(1)
表される構造を含むことができる。ポリオルガノシルセスキオキサンは、完全に閉じた多面体構造であるかご型、多面体の一部が開裂した不完全かご型(かご型開裂)、ラダー型、ランダム型などの構造を有するものが知られている。かご型構造を有するポリオルガノシルセスキオキサンは、上記一般式(1)で表すことができる。一般式(1)において、Rは置換基を表し、複数存在するRは同一であっても異なっていてもよく、nは、8、10または12を表す。複数存在するRの少なくとも1つが重合性基を含む有機官能基である化合物が、重合性シルセスキオキサン化合物である。
[RSiO3/2]n -[R’SiO1/2]n'…(6)
光変換層の総厚は、好ましくは1〜500μmの範囲であり、より好ましくは100〜400μmの範囲である。また、光変換層が複数の単一量子ドット層または量子ドット混合層を含む場合、一層の膜厚は、好ましくは1〜300μmの範囲であり、より好ましくは10〜250μmの範囲である。
本発明の一態様にかかる光変換部材は、上記光変換層に直接接する隣接層として、無機層を有する。無機材料から形成される無機層は、バリア性、特に酸素バリア性に優れるため、量子ドットの光酸化反応を抑制するためのバリア層として好適である。しかし、光変換層と無機層との密着性が低い場合には、無機層によるバリア機能が不十分となり、耐候性を維持することは困難となる。これに対し本発明の一態様にかかる光変換部材は、有機マトリックスとしてポリシルセスキオキサンを含む光変換層と隣接する無機層とが、高い密着性を示すことにより、優れた耐候性を示す光変換部材を得ることができる。
即ち、本発明の一態様は、
光変換層を形成すること、
および、
無機材料を蒸着することにより隣接無機層を形成すること、
を含む、上記光変換部材の製造方法、
に関する。前述のように、光変換層の形成は、重合性シルセスキオキサン化合物を含む硬化性組成物の硬化処理により行うことが好ましい。
ここで本発明における蒸着とは、成膜材料を蒸発ないし飛散させ被蒸着面に堆積させることができる各種成膜方法、より詳しくは、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)、種々の化学的気相成長法(CVD)を含むものとする。
上述の光変換部材は、上記隣接無機層の、光変換層と直接接する面とは反対の面に、無機層および有機層からなる群から選ばれる一層以上を有することもできる。また、上記光変換層の、隣接無機層と直接接する面とは反対の面に、無機層および有機層からなる群から選ばれる一層以上を有することもできる。このように複数の層を積層することは、より一層バリア性を高めることができるため、耐候性向上の観点からは好ましい。他方、積層する層の数が増えるほど、光変換部材の光透過率は低下する傾向があるため、良好な光透過率を維持し得る範囲で、積層数を増やすことが望ましい。具体的には、光変換部材は、可視光領域における全光線透過率が90%以上であり、かつ酸素透過率が0.01cm3/(m2・day)以下であることが好ましい。ここで、上記酸素透過率は、測定温度23℃、相対湿度90%の条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX−TRAN 2/20:商品名)を用いて測定した値である。また、可視光領域とは、380〜780nmの波長領域をいうものとし、全光線透過率とは、量子ドットを含む光変換層の光吸収および反射の寄与を除いた光透過率の平均値を示す。
酸素透過率は、より好ましくは、0.001cm3/(m2・day)以下である。可視光領域における全光線透過率は、より好ましくは95%以上である。酸素透過率は低いほど好ましく、可視光領域における全光線透過率は高いほど好ましい。
本発明の一態様にかかるバックライトユニットは、上述の光変換部材と、光源と、
を少なくとも含む。光変換部材の詳細は、先に記載した通りである。
高輝度かつ高い色再現性の実現の観点からは、バックライトユニットとして、多波長光源化されたものを用いることが好ましい。好ましい一態様としては、
430〜480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
500〜600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
600〜680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、
を発光するバックライトユニットを挙げることができる。
より一層の輝度および色再現性の向上の観点から、バックライトユニットが発光する青色光の波長帯域は、450〜480nmであることが好ましく、460〜470nmであることがより好ましい。
同様の観点から、バックライトユニットが発光する緑色光の波長帯域は、520〜550nmであることが好ましく、530〜540nmであることがより好ましい。
また、同様の観点から、バックライトユニットが発光する赤色光の波長帯域は、610〜650nmであることが好ましく、620〜640nmであることがより好ましい。
または他の態様では、光源として、300nm〜430nmの波長帯域に発光中心波長を有する紫外光を発光するもの、例えば、紫外光発光ダイオードを用いることができる。この場合、光変換層には、量子ドット(A)、(B)とともに、励起光により励起され青色光を発光する量子ドット(C)が含まれることが好ましい。これにより、光変換部材から発光される赤色光、緑色光および青色光により、白色光を具現化することができる。
また他の態様では、青色光を発光する青色レーザー、緑色光を発光する緑色レーザー、赤色光を発光する赤色レーザーからなる群から選ばれる光源の二種を用い、該光源が出射する光とは異なる発光波長を有する蛍光を発光する量子ドットを、光変換層に存在させることにより、光源から発光される二種の光と、光変換層の量子ドットから発光される光により、白色光を具現化することもできる。
バックライトユニットの構成は、導光板や反射板などを構成部材とするエッジライト方式であっても、直下型方式であってもよい。図1には、一態様として、エッジライト方式のバックライトユニットの例を示した。導光板としては、公知のものを何ら制限なく使用することができる。
また、バックライトユニットが、赤色光のうち630nmよりも長波長の光を選択的に透過する赤色用波長選択フィルタを有することも、好ましい。
このような青色用波長選択フィルタや赤色用波長選択フィルタとしては特に制限は無く、公知のものを用いることができる。そのようなフィルタは、特開2008−52067号公報などに記載されており、この公報の内容は本発明に組み込まれる。
本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、上述のバックライトユニットと、液晶セルと、を少なくとも含む。
液晶セルの駆動モードについては特に制限はなく、ツイステットネマチック(TN)、スーパーツイステットネマチック(STN)、バーティカルアライメント(VA)、インプレインスイッチング(IPS)、オプティカリーコンペンセイテットベンドセル(OCB)等の種々のモードを利用することができる。液晶セルは、VAモード、OCBモード、IPSモード、またはTNモードであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。VAモードの液晶表示装置の構成としては、特開2008−262161号公報の図2に示す構成が一例として挙げられる。ただし、液晶表示装置の具体的構成には特に制限はなく、公知の構成を採用することができる。
バックライト側偏光板14は、偏光子12が、2枚の偏光板保護フィルム11および13で挟まれた構成であることが好ましい。
本明細書中、偏光子に対して液晶セルに近い側の偏光板保護フィルムをインナー側偏光板保護フィルムと言い、偏光子に対して液晶セルから遠い側の偏光板保護フィルムをアウター側偏光板保護フィルムと言う。図2に示す例では、偏光板保護フィルム13がインナー側偏光板保護フィルムであり、偏光板保護フィルム11がアウター側偏光板保護フィルムである。
(1)無機蒸着膜Aの作製
ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポン社製テオネックス(登録商標)Q65FA、厚さ100μm、幅1000mm)を真空成膜装置の送り出し部にセットし真空排気した後、CVD法にて無機層(無機層A)としてSiN膜(膜厚50nm)をポリエチレンナフタレートフィルムの片面のみに蒸着し、片面のみに無機層Aが積層された無機蒸着膜Aのロールフィルムを作製した。
(2)光学変換層1の作製
下記の量子ドット分散液Aを調製し、孔径0.2μmのポリプロピレン製フィルタでろ過した後、30分間減圧乾燥して塗布液として用いた。無機蒸着膜Aの無機層Aが積層された側の上に調製した塗布液を塗布した後、窒素下にて160W/cm2の空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて紫外線を照射固定化し、無機層A上に直接、光変換層1を作製した。こうして、ポリエチレンナフタレートフィルム上に無機層Aと光変換層1が直接積層された積層体を得た。積層体の膜厚は、280μmであった。
量子ドットを含有する光学変換層1用組成
──────────────────────────────────────
量子ドット1のトルエン分散液(発光極大:530nm) 10質量部
量子ドット2のトルエン分散液(発行極大:620nm) 1質量部
ラウリルメタクリレート 2.5質量部
かご型構造を有する重合性シルセスキオキサンS-1 0.54質量部
光重合開始剤 0.009質量部
(イルガキュア819(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製)
──────────────────────────────────────
使用した材料を下記に示す。
・量子ドット1のトルエン分散液 InP530−10(NN-labs社製)
・量子ドット2のトルエン分散液 InP620−10(NN-labs社製)
・かご型シロセスキオキサンS−1:特開2010−96848号公報実施例1記載のかご型構造を主たる成分とするシリコーン樹脂
上記(2)で作製した積層体と、上記(1)と同様の方法で作製した無機蒸着膜Aを、光変換層1と無機層Aとが隣接するように重ねあわせ、接着剤を用いることなくラミネート(熱圧着)することにより、光変換層の両面に隣接無機層を有する、図3に示す層構成の光変換部材1を得た。
光学変換層の作製において、かご型構造を有する重合性シルセスキオキサンを下記S−2〜S−4(かご型または不完全かご型構造を有するもの)に変更して光変換層2〜4を作製した点以外、実施例1と同様にして光変換部材2〜4を作製した。
・S−2:特開2012−218322号公報実施例1記載の構造式(6)で表されるシルセスキオキサンオリゴマー
・S−3:特開2012−218322号公報実施例4記載の構造式(8)で表されるシルセスキオキサンオリゴマー
・S−4:特開2012−218322号公報実施例5記載の構造式(9)で表されるシルセスキオキサンオリゴマー
無機蒸着膜Aの作製において、SiN膜に代えて、CVD法にて無機層(無機層B)としてAl2O3膜(膜厚50nm)をポリエチレンナフタレートフィルムの片面のみに蒸着し、片面のみに無機層Bが積層された無機蒸着膜Bのロールフィルムを作製した。
無機蒸着膜Aを無機蒸着膜Bに変更した点以外、実施例1と同様にして、図4に示す層構成の光学変換部材5を作製した。
光変換層形成に用いるポリオルガノシルセスキオキサンを、非重合性ポリオルガノシルセスキオキサンS−6(PSS-Octamethyl substituted(Aldrich社製))に変更して光変換層6を作製した点以外、実施例1と同様にして、光変換部材6を作製した。
光学変換層の作製において、かご型構造を有するポリオルガノシルセスキオキサン0.54質量部をラウリルメタクリレート0.54質量部に変更して光変換層7を作製した点以外、実施例1と同様にして、図5に示す層構成の光学変換部材7を作製した。
市販の液晶表示装置(パナソニック社製商品名THL42D2)を分解し、液晶セルがある側の導光板上に、実施例、比較例で作製した各光学変換部材を加え、バックライトユニットを以下のB狭大域バックライトユニットに変更し、液晶表示装置を製造した。用いたB狭帯域バックライトユニットは、光源として、青色発光ダイオード(日亜B−LED:Blue、主波長465nm、半値幅20nm)を備える。
<密着性の評価>
JIS K5400に準拠した方法で評価した。PENフィルム付の無機蒸着膜表面にカッターナイフで膜面に対して90°の切り込みを1mm間隔で入れ、1mm間隔の碁盤目を100個作製した。この上に2cm幅のマイラーテープ(日東電工製、ポリエステルテープ、No.31B)で貼り付けたテープを剥がした。最表面の層が残存したマスの数で評価した。光変換部材の両面について同様の試験を行い、残存したマスの数が少ない方の面の値を用いて以下の評価基準により評価した。
A:残存マス数100個
B:残存マス数99〜60個
C:残存マス数59〜20個
D:残存マス数19〜0個
<耐候性の評価>
実施例、比較例で作製した光変換部材の耐候性を評価した。耐候性は、22mW、465nmの青色LEDを使用し、このLEDパッケージに20mAの電流を流し、大気下、200時間連続して積層体に照射し、光照射後での光変換部材の発光効率を測定した。その結果を元に以下の基準で評価した。
A 光照射前と比較して80%以上の発光効率である。
B 光照射前と比較して60%以上 80%未満の発光効率である。
C 光照射前と比較して40%以上 60%未満の発光効率である。
D 光照射前と比較して40%未満の発光効率である。
<鉛筆硬度の評価>
実施例1〜4、6と同様の方法で作製した光変換層1〜4、6について、光変換層表面の硬度を、500g荷重条件の鉛筆硬度試験(JIS5600−5−4準拠)で測定し、以下の基準で、評価を行った。
A:3H以上
B:3H未満
<ブリードアウト有無の評価>
光変換部材を、ホットプレート上で、100℃50%RHの温度湿度下で100時間静置した後、光変換部材表面を目視、および、顕微鏡(観察倍率100倍)で観察し、ブリードアウト物が確認されたものをA、確認されなかったものをBとして評価した。
表1に示すように、実施例1〜6の光変換部材は、光照射後の発光効率の低下が少なく、比較例1の光変換部材と比べて優れた耐候性を示した。有機マトリックスとしてポリオルガノシルセスキオキサンを含む光変換層の隣接層として無機層を設けることで、光変換層と無機層との密着性を高めることができ、これにより無機層がバリア層としての機能を良好に発揮することができたことによるものである。
また、光変換層の隣接無機層としてSiN層を設けた実施例1〜4、6の光変換部材では、実施例5と比べてより良好な密着性および耐候性が得られた理由は、ポリオルガノシロキサンがケイ素含有化合物と高い親和性を有することにあると考えられる。
加えて、実施例1〜5と実施例6との対比から、重合性ポリオルガノシルセスキオキサンを用いて硬化処理を経て形成された光変換層は、非重合性ポリオルガノシルセスキオキサンを用いて形成された光変換層よりも高硬度であり、かつブリードアウトの発生も抑制されていることが確認できる。
以上の結果から、本発明によれば、優れた耐候性を有する光変換部材、ならびにこの光変換部材を備えたバックライトユニットおよび液晶表示装置の提供が可能になることが示された。
Claims (15)
- 入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材であって、
前記光変換層は、量子ドットおよびポリオルガノシルセスキオキサンを含み、かつ、
前記光変換層に直接接する隣接無機層を有する光変換部材。 - 前記隣接無機層を、前記光変換層の両面に有する請求項1に記載の光変換部材。
- 前記隣接無機層は、無機窒化物層および無機酸化物層からなる群から選択される請求項1または2に記載の光変換部材。
- 前記隣接無機層は、ケイ素含有層である請求項1〜3のいずれか1項に記載の光変換部材。
- 前記光変換層は、量子ドットおよび重合性シルセスキオキサン化合物を含有する硬化性組成物の硬化物層である請求項1〜4のいずれか1項に記載の光変換部材。
- 前記ポリオルガノシルセスキオキサンは、かご型構造または不完全かご型構造を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の光変換部材。
- 前記量子ドットは、
600nm〜680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(A)、
500nm〜600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(B)、および
400nm〜500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット(C)、
からなる群から選択される少なくとも一種である請求項1〜6のいずれか1項に記載の光変換部材。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光変換部材と、
光源と、
を少なくとも含むバックライトユニット。 - 430〜480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
500〜600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
600〜680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、
を発光する請求項8に記載のバックライトユニット。 - 前記光源は、430nm〜480nmの波長帯域に発光中心波長を有する請求項8または9に記載のバックライトユニット。
- 導光板を更に含み、
前記光変換部材を、前記導光板から出射される光の経路上に有する請求項8〜10のいずれか1項に記載のバックライトユニット。 - 導光板を更に含み、
前記光変換部材を、前記導光板と光源との間に有する請求項8〜10のいずれか1項に記載のバックライトユニット。 - 請求項8〜12のいずれか1項に記載のバックライトユニットと、
液晶セルと、
を少なくとも含む液晶表示装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光変換部材の製造方法であって、
前記光変換層を形成すること、
および、
無機材料を蒸着することにより前記隣接無機層を形成すること、
を含む、前記製造方法。 - 前記光変換層を、量子ドットおよび重合性シルセスキオキサン化合物を含有する硬化性組成物を硬化させることにより形成する、請求項14に記載の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013246010A JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2013-11-28 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
PCT/JP2014/081503 WO2015080238A1 (ja) | 2013-11-28 | 2014-11-28 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
US15/165,453 US9778509B2 (en) | 2013-11-28 | 2016-05-26 | Optical conversion member, backlight unit, and liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013246010A JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2013-11-28 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015102857A true JP2015102857A (ja) | 2015-06-04 |
Family
ID=53199173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013246010A Abandoned JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2013-11-28 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9778509B2 (ja) |
JP (1) | JP2015102857A (ja) |
WO (1) | WO2015080238A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105301836A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-02-03 | 青岛海信电器股份有限公司 | 直下式背光模组及显示装置 |
WO2017045901A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Philips Lighting Holding B.V. | Barrier layer delaying oxygen depletion in sealed gas-filled led lamps |
JP2018525849A (ja) * | 2016-03-30 | 2018-09-06 | 深▲じぇん▼市聚▲飛▼光▲電▼股▲ふん▼有限公司Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd | 広色域白色量子ドットledの封止方法 |
CN108594356A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-09-28 | 厦门佰亨源量子光电科技有限公司 | 一种水性量子点微晶导光板及其制备方法 |
CN109031777A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-12-18 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点膜片及其制备方法和背光模组 |
JP2019506510A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-03-07 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 安定性に優れた量子ドット含有ポリマーフィルム |
WO2019042151A1 (zh) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜片及其制作方法、彩膜基板和显示装置 |
WO2019097930A1 (ja) | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | 光学部材 |
CN110214285A (zh) * | 2017-01-24 | 2019-09-06 | 富士胶片株式会社 | 波长转换膜 |
KR20190113750A (ko) * | 2017-02-17 | 2019-10-08 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 파장 변환 부재 |
US10859871B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-12-08 | Nitto Denko Corporation | Optical member, and polarizing plate set and liquid crystal display device that use said optical member |
US11046885B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Layered structures and electronic devices including the same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI588574B (zh) * | 2016-10-18 | 2017-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004529984A (ja) * | 2000-10-27 | 2004-09-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 有機/無機ナノ複合体用の十分に規定されたナノサイズの構築ブロック |
JP2008505773A (ja) * | 2004-06-08 | 2008-02-28 | ナノシス・インク. | ナノ構造の堆積後封入、前記ナノ構造を含む組成物、デバイス及びシステム |
JP2009263621A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドット−無機マトリックス複合体の製造方法 |
JP2009545883A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-24 | ナノシス・インク. | ナノ構造単層を形成するための方法及びデバイス並びに前記単層を含むデバイス |
JP2013037165A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
WO2013046130A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display backlight system |
JP2013539598A (ja) * | 2010-08-11 | 2013-10-24 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 量子ドット系照明 |
JP2013218953A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Sony Corp | 発光装置、表示装置および照明装置 |
JP2016534393A (ja) * | 2013-08-05 | 2016-11-04 | コーニング インコーポレイテッド | 発光コーティングおよびデバイス |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08176444A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光学材料及びこれを用いた光導波路 |
EP2638321B1 (en) | 2010-11-10 | 2019-05-08 | Nanosys, Inc. | Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods |
-
2013
- 2013-11-28 JP JP2013246010A patent/JP2015102857A/ja not_active Abandoned
-
2014
- 2014-11-28 WO PCT/JP2014/081503 patent/WO2015080238A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-05-26 US US15/165,453 patent/US9778509B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004529984A (ja) * | 2000-10-27 | 2004-09-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 有機/無機ナノ複合体用の十分に規定されたナノサイズの構築ブロック |
JP2008505773A (ja) * | 2004-06-08 | 2008-02-28 | ナノシス・インク. | ナノ構造の堆積後封入、前記ナノ構造を含む組成物、デバイス及びシステム |
JP2009545883A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-24 | ナノシス・インク. | ナノ構造単層を形成するための方法及びデバイス並びに前記単層を含むデバイス |
JP2009263621A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドット−無機マトリックス複合体の製造方法 |
JP2013539598A (ja) * | 2010-08-11 | 2013-10-24 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 量子ドット系照明 |
JP2013037165A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
WO2013046130A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display backlight system |
JP2013218953A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Sony Corp | 発光装置、表示装置および照明装置 |
JP2016534393A (ja) * | 2013-08-05 | 2016-11-04 | コーニング インコーポレイテッド | 発光コーティングおよびデバイス |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017045901A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Philips Lighting Holding B.V. | Barrier layer delaying oxygen depletion in sealed gas-filled led lamps |
US10859871B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-12-08 | Nitto Denko Corporation | Optical member, and polarizing plate set and liquid crystal display device that use said optical member |
CN105301836A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-02-03 | 青岛海信电器股份有限公司 | 直下式背光模组及显示装置 |
JP2019506510A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-03-07 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 安定性に優れた量子ドット含有ポリマーフィルム |
JP2018525849A (ja) * | 2016-03-30 | 2018-09-06 | 深▲じぇん▼市聚▲飛▼光▲電▼股▲ふん▼有限公司Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd | 広色域白色量子ドットledの封止方法 |
CN110214285B (zh) * | 2017-01-24 | 2021-08-03 | 富士胶片株式会社 | 波长转换膜 |
CN110214285A (zh) * | 2017-01-24 | 2019-09-06 | 富士胶片株式会社 | 波长转换膜 |
KR102268693B1 (ko) | 2017-02-17 | 2021-06-23 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 파장 변환 부재 |
KR20190113750A (ko) * | 2017-02-17 | 2019-10-08 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 파장 변환 부재 |
CN109031777A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-12-18 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点膜片及其制备方法和背光模组 |
WO2019042151A1 (zh) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜片及其制作方法、彩膜基板和显示装置 |
US11635555B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-04-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Colour film sheet and fabricating method therefor, colour film substrate, and display apparatus |
WO2019097930A1 (ja) | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | 光学部材 |
US11046885B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Layered structures and electronic devices including the same |
CN108594356A (zh) * | 2018-05-08 | 2018-09-28 | 厦门佰亨源量子光电科技有限公司 | 一种水性量子点微晶导光板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015080238A1 (ja) | 2015-06-04 |
US20160274414A1 (en) | 2016-09-22 |
US9778509B2 (en) | 2017-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2015080238A1 (ja) | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 | |
US10513655B2 (en) | Wavelength conversion member, backlight unit including wavelength conversion member, liquid crystal display device, and method of manufacturing wavelength conversion member | |
CN105531620B (zh) | 光学膜、阻隔膜、光转换部件、背光单元及液晶显示装置 | |
JP6653622B2 (ja) | 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および量子ドット含有重合性組成物 | |
JP6363526B2 (ja) | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 | |
CN106716189B (zh) | 波长转换部件、背光单元、液晶显示装置、含有量子点的聚合性组合物及波长转换部件的制造方法 | |
JP6363487B2 (ja) | 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法 | |
JP6326003B2 (ja) | 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに量子ドット含有重合性組成物 | |
JP6243872B2 (ja) | 量子ドット含有積層体の製造方法、量子ドット含有積層体、バックライトユニット、液晶表示装置および量子ドット含有組成物 | |
JP6230974B2 (ja) | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 | |
JP6159351B2 (ja) | 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに波長変換部材の製造方法 | |
US10267973B2 (en) | Wavelength conversion member, backlight unit, polarizing plate, liquid crystal panel, and liquid crystal display device | |
JP6308975B2 (ja) | バックライトユニットおよび液晶表示装置 | |
WO2015025950A1 (ja) | 光変換部材、ならびにこれを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置 | |
WO2018016589A1 (ja) | 量子ドット含有組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置 | |
CN106462006B (zh) | 转印材料、液晶面板的制造方法及液晶显示装置的制造方法 | |
JP6117758B2 (ja) | 積層フィルム、バックライトユニット、液晶表示装置、および、積層フィルムの製造方法 | |
WO2015041316A1 (ja) | 液晶表示装置および光変換部材 | |
US20150330603A1 (en) | Wavelength conversion member, backlight unit, and liquid crystal display device | |
JP6187099B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、積層体、ハードコートフィルム及びフィルム積層体 | |
CN115291434A (zh) | 背光单元、液晶显示装置及波长转换部件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20171101 |