KR102268693B1 - 파장 변환 부재 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 85
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 47
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101000990976 Homo sapiens Mitochondrial Rho GTPase 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100030325 Mitochondrial Rho GTPase 2 Human genes 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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Abstract
형광체층의 연필 경도를 높임으로써, 형광체층의 파편 비산이나 박리 등의 파손 리스크를 저감시킬 수 있는 파장 변환 부재를 제공한다. 사파이어로 형성된 기판 (12) 과, 상기 기판 (12) 상에 형성되고, 형광체 입자 (16) 및 투광성의 무기 재료 (22) 로 형성된 형광체층 (14) 을 구비하고, 상기 형광체층 (14) 의 연필 경도가 5B 이상이다. 이와 같이, 형광체층 (14) 의 경도가 높기 때문에, 형광체층 (14) 이 파편이 되어 비산되거나 기판 (12) 으로부터 박리되거나 한다는 파손 리스크를 저감시킬 수 있다.
Description
본 발명은, 형광체 입자를 함유하는 파장 변환 부재에 관한 것이다.
형광체를 사용한 발광 장치는, LED 등의 광원으로부터의 흡수광에 의해 여기된 형광체가 상이한 파장의 변환광을 방출하는 현상을 이용하고 있다. 최근, 에너지 효율이 높고, 소형화, 고에너지 밀도에 대응하기 쉬운 고출력의 레이저 다이오드 (LD) 를 여기원으로서 사용한 어플리케이션이 증가하고 있다.
그러나, 종래 사용되고 있던 에폭시나 실리콘 등으로 대표되는 수지에 형광체를 분산시킨 구조에서는, 레이저 조사 지점의 수지가 타서 눌어버려, 장수명화할 수 없었다. 이에 대해, 수지 대신에 무기 바인더를 사용하여, 무기 재료만으로 이루어지는 파장 변환 부재가 고안되어, 레이저를 비롯한 고에너지의 여기원을 사용한 경우의 내열성의 과제가 해결되었다.
특허문헌 1 은, 저융점 유리를 바인더로 하는 형광체를 LED 칩의 주위에 배치하고, 또한 그 주위를 저융점 유리에 의한 충전 부재로 충전한 면 실장형 LED 소자를 개시하고 있다.
또, 특허문헌 2 는, 파장 변환 부위가, 형광체와 형광체보다 입경이 작은 무기 미립자를 함유하는 폴리실라잔을 원료로 하여 제조한 세라믹층으로 이루어지는 발광 장치를 개시하고 있다. 이 발광 장치는, 폴리실라잔 중에 무기 미립자를 일정량 첨가함으로써 고온에서의 소성 과정을 없애고, 또, 무기 미립자로 공극을 메움으로써 수분의 침투를 방지하고 있다.
그러나, 상기의 특허문헌에 기재되어 있는 바와 같이, 종래 기술에 사용되는 무기 바인더는 취성 재료여서, 파장 변환 부재 제조시의 열처리에 있어서, 무기 바인더 자체의 수축에 의해, 무기 바인더 내부에 크랙이 발생하거나, 형광체 입자와의 사이에 간극이 발생하거나 하는 경우가 있다. 이것에 의해, 파장 변환 부재의 강도가 저하되어, 형광체층의 파편 비산이나 박리 등의 파손 리스크가 증대하고 있다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 형광체층의 연필 경도를 높임으로써, 형광체층의 파편 비산이나 박리 등의 파손 리스크를 저감시킬 수 있는 파장 변환 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(1) 상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 파장 변환 부재는, 사파이어로 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고, 상기 형광체층의 연필 경도가 5B 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이, 형광체층의 경도가 높기 때문에, 형광체층이 파편이 되어 비산되거나 기판으로부터 박리되거나 한다는 파손 리스크를 저감시킬 수 있다.
(2) 또, 본 발명의 파장 변환 부재는, 주로 알루미늄으로 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고, 상기 형광체층의 연필 경도가 3B 이상인 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같이, 형광체층의 경도가 높기 때문에, 형광체층이 파편이 되어 비산되거나 기판으로부터 박리되거나 한다는 파손 리스크를 저감시킬 수 있다.
(3) 또, 본 발명의 파장 변환 부재는, 기판과, 상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고, 상기 무기 재료는, 상기 기판과 상기 형광체 입자를 결합하는 결합재와, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하인 무기 입자를 함유하고, 상기 무기 입자는 상기 무기 재료에 대해 2.5 wt％ 이상 17.0 wt％ 이하 함유되는 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같이, 파장 변환 부재에는, 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하의 무기 입자가 함유되어 있기 때문에, 제조 공정에 있어서의 무기 바인더의 수축량이 억제되어, 내부에 파괴 기점으로서의 크랙의 발생을 저감시킬 수 있기 때문에, 경도를 향상시킬 수 있다.
(4) 또, 본 발명의 파장 변환 부재는, 상기 무기 입자가, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하인 SiO2 입자이고, 상기 무기 재료에 대해 2.5 wt％ 이상 6.0 wt％ 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 이로써, 제조 공정에 있어서의 무기 바인더의 수축량이 억제되어, 경도를 향상시킬 수 있다.
(5) 또, 본 발명의 파장 변환 부재는, 상기 무기 입자가, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하인 Al2O3 입자이고, 상기 무기 재료에 대해 6.0 wt％ 이상 12.0 wt％ 이하 함유되는 것을 특징으로 하고 있다. 이로써, 제조 공정에 있어서의 무기 바인더의 수축량이 억제되어, 경도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 파장 변환 부재의 형광체층의 경도가 높기 때문에, 형광체층이 파편이 되어 비산되거나 기판으로부터 박리되거나 한다는 파손 리스크를 저감시킬 수 있다.
도 1 의 (a), (b) 는, 각각 본 발명의 파장 변환 부재를 나타내는 모식도이다.
도 2 는, 본 발명의 파장 변환 부재의 제조 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 3 은, 기판이 사파이어로 형성된 파장 변환 부재의 연필 경도 시험의 조건 및 결과를 나타내는 표이다.
도 4 는, 기판이 알루미늄과 은으로 형성된 파장 변환 부재의 연필 경도 시험의 조건 및 결과를 나타내는 표이다.
도 5 의 (a), (b) 는, 각각 실시예 및 비교예의 파장 변환 부재의 SEM 에 의한 단면 사진이다.
도 2 는, 본 발명의 파장 변환 부재의 제조 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 3 은, 기판이 사파이어로 형성된 파장 변환 부재의 연필 경도 시험의 조건 및 결과를 나타내는 표이다.
도 4 는, 기판이 알루미늄과 은으로 형성된 파장 변환 부재의 연필 경도 시험의 조건 및 결과를 나타내는 표이다.
도 5 의 (a), (b) 는, 각각 실시예 및 비교예의 파장 변환 부재의 SEM 에 의한 단면 사진이다.
다음으로, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 설명의 이해를 용이하게 하기 위해, 각 도면에 있어서 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 구성도에 있어서, 각 구성 요소의 크기는 개념적으로 나타낸 것이며, 반드시 실제의 치수 비율을 나타내는 것은 아니다.
[파장 변환 부재의 구성]
도 1 의 (a), (b) 는, 각각 본 발명의 파장 변환 부재 (10) 를 나타내는 모식도이다. 파장 변환 부재 (10) 는, 기판 (12) 상에 형광체층 (14) 이 형성되어 있다. 파장 변환 부재 (10) 는, 광원으로부터 조사된 흡수광을 투과 또는 반사시키면서, 흡수광에 의해 여기되어 파장이 상이한 광을 발생시킨다. 예를 들어, 청색광의 흡수광을 투과 또는 반사시키면서, 형광체층 (14) 으로 변환된 녹색과 적색이나 황색의 변환광을 방사시켜, 변환광과 흡수광을 합치거나, 또는, 변환광만을 이용하여, 여러 가지 색의 광으로 변환할 수 있다.
기판 (12) 의 재료는, 사파이어, 알루미늄, 유리 등을 사용할 수 있다. 투과형의 기판은, 투광성을 갖는 재료로 제조한다. 반사형의 기판은, 기판의 전부를, 광을 반사하는 재료로 제조할 수도 있지만, 투광성을 갖는 재료의 일면에 광을 반사하는 재료를 도금 등으로 형성해도 된다. 발광 강도의 관점에서, 광이 투과하는 부분은 적어도 흡수광을 흡수하기 어려운 재료로 한다. 또, 고에너지의 광이 조사되어 온도가 높아지므로, 열전도성이 높은 편이 좋다. 투과형의 기판의 재료는, 사파이어인 것이 바람직하다. 열전도성이 높고, 투광성이 높기 때문이다. 또, 반사형의 기판의 재료는, 알루미늄인 것이 바람직하다. 열전도성이 높고, 광의 반사율이 높기 때문이다. 알루미늄의 표면에 예를 들어 은이 도금 또는 증착되어 있어도 된다. 또, 기판 (12) 은 판상인 것이 바람직하다.
형광체층 (14) 은, 기판 (12) 상에 막으로서 형성되고, 형광체 입자 (16) 및 무기 재료 (22) 에 의해 형성되어 있다. 또한, 도 1(b) 에서는, 형광체층 (14) 중, 형광체 입자 (16) 이외의 부분은 무기 입자 (18) 및 결합재 (20) 이고, 모식적으로 무기 입자 (18) 를 도트로 나타내고 있다. 무기 재료 (22) 는, 무기 입자 (18) 및 결합재 (20) 에 의해 형성되어 있지만, 무기 입자 (18) 의 재료로서 결합재 (20) 를 구성하는 물질과 동일한 물질을 사용하였을 때에는, 도 1(a) 에 나타낸 바와 같이, 무기 입자 (18) 및 결합재 (20) 가 일체화되어 구별이 되지 않게 되는 경우가 있다. 또, 도 1(b) 에 나타낸 바와 같이, 무기 입자 (18) 와 결합재 (20) 가 구별이 되는 경우도 있다.
결합재 (20) 는, 형광체 입자 (16), 무기 입자 (18) 및 기판 (12) 을 결합하고 있다. 이와 같이, 방열재로서 기능하는 기판 (12) 과 접합되어 있기 때문에 효율적으로 방열할 수 있어, 고에너지 밀도의 광의 조사에 대해, 형광체의 온도 소광을 억제할 수 있다. 형광체층 (14) 의 두께는, 2 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하이면 되고, 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
형광체 입자 (16) 는, 예를 들어 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체 (YAG 계 형광체) 및 루테튬·알루미늄·가닛계 형광체 (LAG 계 형광체) 를 사용할 수 있다. 그 밖에, 형광체 입자 (16) 는, 발광시키는 색의 설계에 따라 이하와 같은 재료에서 선택할 수 있다. 예를 들어, BaMgAl10O17 : Eu, ZnS : Ag,Cl, BaAl2S4 : Eu 혹은 CaMgSi2O6 : Eu 등의 청색계 형광체, Zn2SiO4 : Mn, (Y,Gd)BO3 : Tb, ZnS : Cu,Al, (M1)2SiO4 : Eu, (M1)(M2)2S : Eu, (M3)3Al5O12 : Ce, SiAlON : Eu, CaSiAlON : Eu, (M1)Si2O2N : Eu 혹은 (Ba,Sr,Mg)2SiO4 : Eu,Mn 등의 황색 또는 녹색계 형광체, (M1)3SiO5 : Eu 혹은 (M1)S : Eu 등의 황색, 등색 또는 적색계 형광체, (Y,Gd)BO3 : Eu, Y2O2S : Eu, (M1)2Si5N8 : Eu, (M1)AlSiN3 : Eu 혹은 YPVO4 : Eu 등의 적색계 형광체를 들 수 있다. 또한, 상기 화학식에 있어서, M1 은, Ba, Ca, Sr 및 Mg 로 이루어지는 군 중의 적어도 1 개가 포함되고, M2 는, Ga 및 Al 중의 적어도 1 개가 포함되고, M3 은, Y, Gd, Lu 및 Te 로 이루어지는 군 중 적어도 1 개가 포함된다. 또한, 상기의 형광체 입자 (16) 는 일례이며, 파장 변환 부재 (10) 에 사용되는 형광체 입자 (16) 가 반드시 상기에 한정되는 것은 아니다.
결합재 (20) 는, 무기 바인더가 가수 분해 또는 산화되어 형성된 것이며, 투광성을 갖는 무기 재료에 의해 구성되어 있다. 결합재 (20) 는, 예를 들어 실리카 (SiO2), 인산알루미늄으로 구성된다. 결합재 (20) 는 무기 재료로 이루어지므로, 레이저 다이오드 등의 고에너지의 광이 조사되어도 변질되지 않는다. 또, 결합재 (20) 는 투광성을 가지므로, 흡수광이나 변환광을 투과시킬 수 있다. 무기 바인더로는, 에틸실리케이트, 인산알루미늄 수용액 등을 사용할 수 있다.
무기 입자 (18) 는, 제조 공정에 있어서 무기 바인더에 첨가됨으로써, 제조 공정에 있어서의 무기 바인더의 수축량이 억제되어, 내부에 파괴 기점으로서의 크랙의 발생을 저감시킬 수 있기 때문에, 형광체층 (14) 의 경도를 향상시킬 수 있다. 무기 입자 (18) 는, 근자외 내지 근적외에 있어서, 광학적으로 투광성을 갖고, 무기 입자 (18) 에 의한 광의 산란을 경감시키기 때문에, 사용하는 광원의 광 (흡수광) 의 파장보다 충분히 작은 입자경을 갖는다. 예를 들어, 흡수광의 파장의 10 분의 1 이하의 평균 입자경으로 하면 된다.
무기 입자 (18) 는, 결합재 (20) 를 구성하는 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것이어도 되고, 상이한 물질로 이루어지는 것이어도 된다. 무기 입자 (18) 는, SiO2, Al2O3, ZrO2 또는 TiO2 로 이루어지는 군에서 1 종 이상이 선택되어 사용되는 것이 바람직하다. 무기 입자 (18) 의 평균 입자경은, 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하이다. 지나치게 작으면 1 차 입자의 응집이 발생하여, 양호한 분산 상태가 얻어지지 않고, 지나치게 크면 광의 산란이 현저해지기 때문에 광학 특성에 영향이 있기 때문이다. 또, 무기 입자의 형상은 구상에 가까운 것일수록 바람직하고, 입도 분포는 좁고 최대 입자경이 100 ㎚ 이하인 입자로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
예를 들어, 무기 입자 (18) 로서 SiO2 입자를 사용할 때에는, 평균 입자경은 10 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이면 보다 바람직하다. 또, 무기 입자 (18) 로서 Al2O3 입자를 사용할 때에는, 평균 입자경은 10 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이면 보다 바람직하다.
무기 입자 (18) 는, 형광체층 (14) 으로부터 형광체 입자 (16) 를 제외한 질량 (결합재 (20) 와 무기 입자 (18) 를 합친 무기 재료 (22) 의 질량) 중, 2.5 wt％ 이상 17.0 wt％ 이하 함유된다. 또, 예를 들어, 무기 입자 (18) 로서 SiO2 입자를 사용할 때에는, 2.5 wt％ 이상 6.0 wt％ 이하 함유되면 보다 바람직하다. 또, 무기 입자 (18) 로서 Al2O3 입자를 사용할 때에는, 6.0 wt％ 이상 12.0 wt％ 이하 함유되면 보다 바람직하다.
또한, 투광성을 갖는 물질이란, 0.5 ㎜ 의 대상 물질에 대해, 가시광의 파장 영역 (λ ＝ 380 ∼ 780 ㎚) 에서 광을 수직으로 입사하였을 때, 반대측으로부터 빠져나간 광의 방사속이 입사광의 80 ％ 를 초과하는 특성을 갖는 물질을 말한다.
본 발명의 파장 변환 부재 (10) 는, 광원과 조합함으로써, 발광 장치를 구성할 수 있다. 파장 변환 부재 (10) 는, 형광체층 (14) 이 무기 재료 (22) 로 이루어지므로, 광원으로서 예를 들어, 고출력의 레이저 다이오드를 사용할 수 있어, 고출력의 발광 장치를 구성할 수 있다. 또, 형광체층 (14) 의 표면 경도가 높으므로, 장수명의 발광 장치를 구성할 수 있다.
[파장 변환 부재의 제조 방법]
파장 변환 부재의 제조 방법의 일례를 설명한다. 도 2 는, 본 발명의 파장 변환 부재의 제조 방법을 나타내는 플로 차트이다. 우선 인쇄용 페이스트를 제조한다. 먼저, 형광체 입자를 준비한다 (스텝 S1). 형광체 입자에는, 예를 들어 YAG, LAG 등의 입자를 사용할 수 있다. 형광체 입자의 평균 입자경은, 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하이고, 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서 평균 입자경이란, 메디안 직경 (D50) 이다. 평균 입자경은, 레이저 회절/산란식 입자경 분포 측정 장치의 건식 측정 또는 습식 측정을 사용하여 계측할 수 있다.
다음으로, 준비한 형광체 입자를 용제에 분산시키고, 무기 입자 및 무기 바인더와 혼합하여, 인쇄용 페이스트를 제조한다 (스텝 S2). 혼합에는 볼 밀 등을 사용할 수 있다. 용제는, α-테르피네올, 부탄올, 이소포론, 글리세린 등의 고비점 용제를 사용할 수 있다.
또, 무기 바인더는, 에틸실리케이트 등의 유기 실리케이트인 것이 바람직하다. 유기 실리케이트를 사용함으로써 무기 입자가 분산되어, 적절한 점도의 인쇄용 페이스트를 제조할 수 있다. 예를 들어, 무기 바인더로서 에틸실리케이트를 사용할 때에는, 물 및 촉매의 질량에 대해, 에틸실리케이트를 10 wt％ 이상 150 wt％ 이하, 바람직하게는 30 wt％ 이상 100 wt％ 이하의 질량으로 한다. 그 밖에, 무기 바인더는, 가수 분해 혹은 산화에 의해 산화규소가 되는 산화규소 전구체, 규산 화합물, 실리카, 및 아모르퍼스 실리카로 이루어지는 군 중의 적어도 1 종을 함유하는 원료를, 상온에서 반응시키거나, 또는, 500 ℃ 이하의 온도에서 열 처리함으로써 얻어진 것이어도 된다. 산화규소 전구체로는, 예를 들어, 퍼하이드로폴리실라잔, 에틸실리케이트, 메틸실리케이트를 주성분으로 한 것을 들 수 있다.
혼합하는 무기 입자의 양은, 무기 바인더의 질량에 대해, 내할 (內割) 로 1.0 wt％ 이상 7.5 wt％ 이하이다. 이와 같은 비율로 무기 바인더와 무기 입자를 혼합함으로써, 무기 입자를 분산시킨 적절한 점도의 인쇄용 페이스트를 제조할 수 있다. 또, 예를 들어, 무기 입자로서 SiO2 입자를 사용할 때에는, 혼합하는 양은 1.0 wt％ 이상 2.5 wt％ 이하이면 보다 바람직하다. 또, 무기 입자로서 Al2O3 입자를 사용할 때에는, 혼합하는 양은 2.5 wt％ 이상 5.0 wt％ 이하이면 보다 바람직하다.
인쇄용 페이스트의 제조 후, 기판 상에 인쇄용 페이스트를 도포하여 페이스트층을 형성한다 (스텝 S3). 인쇄용 페이스트의 도포는, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 디스펜서에 의한 묘화법, 잉크젯법을 사용할 수 있다. 스크린 인쇄법을 사용하면, 두께가 얇은 페이스트층을 안정적으로 형성할 수 있으므로 바람직하다. 페이스트층의 두께는, 10 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
그리고, 페이스트층을 형성한 기판을 소성하여, 형광체층을 제조한다 (스텝 S4). 소성 온도는, 150 ℃ 이상 500 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 소성 시간은, 0.5 시간 이상 2.0 시간 이하인 것이 바람직하다. 또, 승온 속도는, 50 ℃/h 이상 200 ℃/h 이하인 것이 바람직하다. 또, 소성 전에 건조 공정을 마련해도 된다.
이와 같은 제조 공정에 의해, 표면 경도가 높아, 형광체층의 파편 비산이나 박리 등의 파손 리스크를 저감시킬 수 있는 파장 변환 부재를 용이하게 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 파장 변환 부재는, 형광체층이 무기 재료로 이루어지므로, 고출력의 레이저 다이오드를 여기원으로서 사용한 발광 장치에 바람직하게 사용할 수 있고, 형광체층의 표면 경도가 높으므로, 장수명의 발광 장치를 구성할 수 있다.
[실시예 및 비교예]
(시료의 제조 방법)
형광체 입자 (YAG 입자) 와 α-테르피네올 (용제) 을 혼합하여 분산재를 제조하였다. 또, 평균 입경 7 ㎚ ∼ 100 ㎚ 의 SiO2 입자 (무기 입자), 또는, 평균 입경 10 ㎚ ∼ 100 ㎚ 의 Al2O3 입자 (무기 입자) 를 사용하여, 에틸실리케이트 (무기 바인더) 의 질량에 대해, 무기 입자를 내할로 0 ∼ 10.0 wt％ 의 비율로 첨가하고, 혼합한 혼합 바인더를 제조하였다. 이것은, 소성 후의 함유량의 비율에서는, 0 ∼ 21.7 wt％ 에 해당한다. 또한, 평균 입경 7 ㎚ 미만의 SiO2 입자 및 평균 입경 10 ㎚ 미만의 Al2O3 입자는 실험을 실시하지 않았는데, 그 이유는, 이들 입자는 제조가 곤란하거나 또는 평균 입경이 지나치게 작으므로 응집될 것으로 생각되기 때문이다.
다음으로, 제조한 분산재의 질량에 대해, 혼합 바인더를 내할로 50 wt％ 의 비율로 혼합한 인쇄용 페이스트를 제조하였다. 그리고, 스크린 인쇄법을 사용하여 사파이어 기판 및 주로 알루미늄과 은으로 형성된 기판 (Alanod 제조 MIRO2 SILVER) 에 인쇄용 페이스트를 30 ㎛ 의 두께가 되도록 도포하였다. 도포 후에 100 ℃ 에서 20 분 건조시킨 후, 무기 바인더로 봉공 처리를 하였다. 마지막으로, 150 ℃/h 로 350 ℃ 까지 승온시키고, 30 분 소성하여 시료가 완성되었다.
(시료의 평가 방법)
도 3 및 도 4 는, 각각 기판이 사파이어 및 알루미늄과 은으로 형성된 파장 변환 부재의 연필 경도 시험의 조건 및 결과를 나타내는 표이다. 연필 경도 시험은, JIS K 5600-5-4 의 긁기 경도 (연필법) 에 의한 시험을 실시하여 형광체층의 막의 강도를 측정하였다.
기판이 사파이어로 형성되고 나노 입자 (무기 입자) 가 SiO2 일 때에는, 나노 입자의 평균 입경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하이고, 나노 입자 함유량이 2.5 wt％ 이상 16.9 wt％ 이하인 시료는, 기판이 사파이어이고 나노 입자를 함유하지 않는 시료에 비해, 모두 연필 경도가 높아졌다. 특히, 평균 입경이 10 ∼ 40 ㎚, 나노 입자 함유량이 2.5 ∼ 6.0 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다.
기판이 사파이어로 형성되고 나노 입자가 Al2O3 일 때에는, 나노 입자의 평균 입경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하이고, 나노 입자 함유량이 2.5 wt％ 이상 16.9 wt％ 이하인 시료는, 기판이 사파이어이고 나노 입자를 함유하지 않는 시료에 비해, 모두 연필 경도가 높아졌다. 특히, 평균 입경이 10 ∼ 20 ㎚, 나노 입자 함유량이 6.0 ∼ 11.6 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다.
기판이 알루미늄과 은으로 형성되고 나노 입자가 SiO2 일 때에는, 나노 입자의 평균 입경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하이고, 나노 입자 함유량이 2.5 wt％ 이상 16.9 wt％ 이하인 시료는, 기판이 알루미늄과 은이고 나노 입자를 함유하지 않는 시료에 비해, 모두 연필 경도가 높아졌다. 특히, 평균 입경이 10 ∼ 40 ㎚, 나노 입자 함유량이 2.5 ∼ 6.0 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다.
기판이 알루미늄과 은으로 형성되고 나노 입자가 Al2O3 일 때에는, 나노 입자의 평균 입경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하이고, 나노 입자 함유량이 2.5 wt％ 이상 16.9 wt％ 이하인 시료는, 기판이 알루미늄과 은이고 나노 입자를 함유하지 않는 시료에 비해, 모두 연필 경도가 높아졌다. 특히, 평균 입경이 10 ∼ 20 ㎚, 나노 입자 함유량이 6.0 ∼ 11.6 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다.
이 수치 범위 외에서도 연필 경도가 높은 시료가 있었다. 또, 나노 입자가 SiO2 이고, 나노 입자 함유량이 21.7 wt％ 일 때에는, 기판의 재료 및 평균 입경에 상관없이 인쇄가 곤란해졌기 때문에, 연필 경도의 측정을 할 수 없었다.
나노 입자별로 결과를 정리하면, 나노 입자가 SiO2 일 때에는, 평균 입경이 10 ∼ 40 ㎚, 나노 입자 함유량이 2.5 ∼ 6.0 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다. 따라서, 나노 입자가 SiO2 일 때에는, 기판의 재료에 상관없이 평균 입경이 10 ∼ 40 ㎚, 나노 입자 함유량이 2.5 ∼ 6.0 wt％ 의 범위인 것이 보다 바람직하다.
또, 나노 입자가 Al2O3 일 때에는, 평균 입경이 10 ∼ 20 ㎚, 나노 입자 함유량이 6.0 ∼ 11.6 wt％ 인 시료는 연필 경도가 보다 높아졌다. 따라서, 나노 입자가 Al2O3 일 때에는, 기판의 재료에 상관없이 평균 입경이 10 ∼ 20 ㎚, 나노 입자 함유량이 6.0 ∼ 12.0 wt％ 의 범위인 것이 보다 바람직하다.
도 5 의 (a), (b) 는, 각각 실시예 및 비교예의 파장 변환 부재의 SEM 에 의한 단면 사진이다. 도 5(a) 는, 사파이어 기판에, 평균 입경 12 ㎚ 의 SiO2 입자를, 소성 후 6.0 wt％ 함유하도록 첨가하여 제조한 파장 변환 부재의 단면의 SEM 사진이다. 또, 도 5(b) 는, 사파이어 기판에, 무기 입자를 첨가하지 않고 제조한 파장 변환 부재의 단면의 SEM 사진이다. 이들에 의하면, 무기 입자를 첨가한 파장 변환 부재 (실시예) 의 형광체층은, 무기 입자를 첨가하지 않는 파장 변환 부재 (비교예) 의 형광체층에 비해, 크랙의 수가 적고, 크기도 작게 되어 있는 것을 알 수 있다. 요컨대, 형광체층의 무기 재료에 무기 입자가 함유됨으로써, 크랙의 발생을 저감시킬 수 있다.
이상의 결과에 의해, 본 발명의 파장 변환 부재는, 형광체층의 경도가 높기 때문에, 형광체층이 파편이 되어 비산되거나 기판으로부터 박리되거나 한다는 파손 리스크를 저감시킬 수 있는 파장 변환 부재이다.
10 : 파장 변환 부재
12 : 기판
14 : 형광체층
16 : 형광체 입자
18 : 무기 입자
20 : 결합재
22 : 무기 재료
12 : 기판
14 : 형광체층
16 : 형광체 입자
18 : 무기 입자
20 : 결합재
22 : 무기 재료
Claims (5)
- 사파이어로 형성된 기판과,
상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고,
상기 형광체층의 연필 경도가 5B 이상이고,
상기 무기 재료는, 상기 기판과 상기 형광체 입자를 결합하는 결합재와 무기 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - 알루미늄으로 형성된 기판과,
상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고,
상기 형광체층의 연필 경도가 3B 이상이고,
상기 무기 재료는, 상기 기판과 상기 형광체 입자를 결합하는 결합재와 무기 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - 기판과,
상기 기판 상에 형성되고, 형광체 입자 및 투광성의 무기 재료로 형성된 형광체층을 구비하고,
상기 무기 재료는, 상기 기판과 상기 형광체 입자를 결합하는 결합재와, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하인 무기 입자를 함유하고, 상기 무기 입자는 상기 무기 재료에 대해 2.5 wt％ 이상 17.0 wt％ 이하 함유되는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - 제 3 항에 있어서,
상기 무기 입자는, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하인 SiO2 입자이고, 상기 무기 재료에 대해 2.5 wt％ 이상 6.0 wt％ 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재. - 제 3 항에 있어서,
상기 무기 입자는, 평균 입자경이 10 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하인 Al2O3 입자이고, 상기 무기 재료에 대해 6.0 wt％ 이상 12.0 wt％ 이하 함유되는 것을 특징으로 하는 파장 변환 부재.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-027636 | 2017-02-17 | ||
| JP2017027636A JP6902360B2 (ja) | 2017-02-17 | 2017-02-17 | 波長変換部材 |
| PCT/JP2017/043436 WO2018150686A1 (ja) | 2017-02-17 | 2017-12-04 | 波長変換部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190113750A KR20190113750A (ko) | 2019-10-08 |
| KR102268693B1 true KR102268693B1 (ko) | 2021-06-23 |
Family
ID=63170279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197014482A KR102268693B1 (ko) | 2017-02-17 | 2017-12-04 | 파장 변환 부재 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11060020B2 (ko) |
| EP (1) | EP3584613A4 (ko) |
| JP (1) | JP6902360B2 (ko) |
| KR (1) | KR102268693B1 (ko) |
| CN (1) | CN110291430B (ko) |
| TW (1) | TWI681573B (ko) |
| WO (1) | WO2018150686A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102149988B1 (ko) | 2018-09-07 | 2020-08-31 | 대주전자재료 주식회사 | 파장 변환 부재 제조용 적층체 및 파장 변환 부재의 제조방법 |
| WO2022123878A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | シャープ株式会社 | 波長変換部材、光源装置、前照灯具、および投影装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184357A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 冷陰極蛍光放電管 |
| JP2005330459A (ja) | 2003-10-28 | 2005-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光物質および発光装置 |
| JP2007142173A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Koha Co Ltd | 照明装置 |
| JP2007246873A (ja) | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体薄膜及びその製造方法、蛍光積層体、並びに発光装置 |
| JP2010118532A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Stanley Electric Co Ltd | 色変換発光装置 |
| WO2010110204A1 (ja) | 2009-03-27 | 2010-09-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 蛍光体部材、蛍光体部材の製造方法、及び照明装置 |
| JP2013247067A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置 |
| JP2014145012A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 樹脂組成物、波長変換部材、発光装置、ｌｅｄ照明器具、及び光学部材 |
| JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
| JP2016159445A (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 大日本印刷株式会社 | 積層体及び画像表示装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545460B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1996-10-16 | 積水化学工業株式会社 | 被覆金属体 |
| JP2004200531A (ja) | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型ｌｅｄ素子 |
| JP2007014217A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Hiroshi Yamakami | フライ風刺身食品 |
| JP2010209172A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Nitto Denko Corp | 金属酸化物蛍光体微粒子 |
| JPWO2011077548A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-05-02 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 発光装置 |
| JP2011238811A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Konica Minolta Opto Inc | 波長変換素子および発光装置 |
| JP5880566B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2016-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | Ｌｅｄ装置 |
| CN103367611B (zh) | 2012-03-28 | 2017-08-08 | 日亚化学工业株式会社 | 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置 |
| JP2014116587A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-26 | Toray Ind Inc | 蛍光体含有樹脂シート、これを用いたｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| JP2014127495A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Konica Minolta Inc | Ｌｅｄ装置、及びその製造方法 |
| DE102013105304A1 (de) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
| WO2015099084A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 信越石英株式会社 | 波長変換用石英ガラス部材及びその製造方法 |
| CN104953014B (zh) * | 2014-03-28 | 2019-01-29 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种多层结构玻璃荧光粉片及其制备方法及发光装置 |
| JP6428194B2 (ja) | 2014-11-21 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法ならびに発光装置 |
| US10451790B2 (en) | 2015-04-01 | 2019-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lighting device, display device, and television device that reduce unevenness in displayed color |
| WO2016194351A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置 |
| JP2018014480A (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | 反射層および蛍光体層付光半導体素子 |
-
2017
- 2017-02-17 JP JP2017027636A patent/JP6902360B2/ja active Active
- 2017-11-29 TW TW106141524A patent/TWI681573B/zh active
- 2017-12-04 CN CN201780086383.0A patent/CN110291430B/zh active Active
- 2017-12-04 US US16/463,652 patent/US11060020B2/en active Active
- 2017-12-04 EP EP17897082.8A patent/EP3584613A4/en active Pending
- 2017-12-04 KR KR1020197014482A patent/KR102268693B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-04 WO PCT/JP2017/043436 patent/WO2018150686A1/ja unknown
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184357A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 冷陰極蛍光放電管 |
| JP2005330459A (ja) | 2003-10-28 | 2005-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光物質および発光装置 |
| JP2007142173A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Koha Co Ltd | 照明装置 |
| JP2007246873A (ja) | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体薄膜及びその製造方法、蛍光積層体、並びに発光装置 |
| JP2010118532A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Stanley Electric Co Ltd | 色変換発光装置 |
| WO2010110204A1 (ja) | 2009-03-27 | 2010-09-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 蛍光体部材、蛍光体部材の製造方法、及び照明装置 |
| JP2013247067A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置 |
| JP2014145012A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 樹脂組成物、波長変換部材、発光装置、ｌｅｄ照明器具、及び光学部材 |
| JP2015102857A (ja) | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法 |
| JP2016159445A (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 大日本印刷株式会社 | 積層体及び画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190113750A (ko) | 2019-10-08 |
| CN110291430A (zh) | 2019-09-27 |
| US11060020B2 (en) | 2021-07-13 |
| WO2018150686A1 (ja) | 2018-08-23 |
| EP3584613A4 (en) | 2021-01-13 |
| TW201832383A (zh) | 2018-09-01 |
| US20190316034A1 (en) | 2019-10-17 |
| CN110291430B (zh) | 2021-10-15 |
| TWI681573B (zh) | 2020-01-01 |
| JP2018131577A (ja) | 2018-08-23 |
| EP3584613A1 (en) | 2019-12-25 |
| JP6902360B2 (ja) | 2021-07-14 |
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|---|---|---|---|
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