JP6760268B2 - 量子ドット保護フィルム並びにこれを用いて得られる波長変換シート及びバックライトユニット - Google Patents
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Description
本発明において、量子ドット保護フィルムは、保護層と、該保護層の一方の面上に形成されたコーティング層とを備え、20%以上のヘイズ値を有する。ヘイズ値は25%以上であることが好ましく、40%以上であることがより好ましく、60%以上であることがさらに好ましい。また、十分な光線透過率が得られる観点から、ヘイズ値は95%以下であることが好ましく、90%以下であることがより好ましい。ヘイズ値とは、フィルムの濁度を表す指標であり、全光線透過光に対する拡散透過光の割合である。ヘイズ値は、具体的には下記式から求められる。下記式中のTdは拡散透過率、Ttは全光線透過率であり、拡散透過率及び全光線透過率はそれぞれヘイズメーター等で測定することができる。
ヘイズ値(%)=Td/Tt×100
LAV=(LA+LB)/2
図1は、本発明の第一の実施形態に係る量子ドット保護フィルムの概略断面図である。図1において、量子ドット保護フィルム10は、具体的には、基材層3の一方の面3b上に無機薄膜層4、ガスバリア性被覆層5、及びコーティング層9がこの順に積層された構成を有する。すなわち、第一の実施形態において、保護層7は、基材層3、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5がこの順に積層されてなり、コーティング層9はガスバリア性被覆層5上に形成されている。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を用いて波長変換シートを製造する際には、基材層3の他方の面3aと蛍光体層とが対向するように配置される。本実施形態において、保護層7の厚さは、全体として、10〜250μmであることが好ましく、16〜150μmであることがより好ましい。
図2は、本発明の第二の実施形態に係る量子ドット保護フィルムの概略断面図である。第二の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10は、コーティング層9が保護層7の基材層側の表面上に形成されている点で第一の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10と異なる。図2において、量子ドット保護フィルム10は、具体的には、基材層3の一方の面3b上にコーティング層9が積層され、他方の面3a上に無機薄膜層4及びガスバリア性被覆層5がこの順に積層された構成を有する。すなわち、第二の実施形態において、保護層7は、基材層3、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5がこの順に積層されてなり、コーティング層9は基材層3の他方の面3b上に形成されている。なお、本実施形態においても第一の実施形態と同様に、バリアフィルム8が保護層7となる。バリアフィルム8を作製し、バリアフィルム8の基材層3上にコーティング層9を形成することにより、本実施形態に係る量子ドット保護フィルム10が得られる。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を用いて波長変換シートを製造する際には、量子ドット保護フィルム10はガスバリア性被覆層5と蛍光体層とが対向するように配置される。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を波長変換シートに用いることにより、バリア層6が蛍光体層とより近い位置に設けられているため、より効果的にバリア性能を発揮することができる。
図3は、本発明の第三の実施形態に係る量子ドット保護フィルムの概略断面図である。第三の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10は、ガスバリア性被覆層5上にさらに別の基材層3Bが設けられて保護層7を構成している点、及び、コーティング層9が保護層7の別の基材層3Bの表面上に形成されている点で第一の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10と異なる。図3において、量子ドット保護フィルム10は、具体的には、第1の基材層3Aの一方の面3b上に無機薄膜層4、ガスバリア性被覆層5、第2の基材層3B及びコーティング層9がこの順に積層された構成を有する。すなわち、第三の実施形態において、保護層7は、第1の基材層3A、無機薄膜層4、ガスバリア性被覆層5及び第2の基材層3Bがこの順に積層されてなり、コーティング層9は第2の基材層3Bの一方の面3d上に形成されている。保護層7は、第1の基材層3Aの一方の面3bと、第2の基材層3Bの他方の面3cとの間にバリア層6を挟み込むように構成されていると言うこともできる。なお、本実施形態において、バリアフィルム8は、第1の基材層3A、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5がこの順に積層されてなる。バリアフィルム8を作製する一方で、第2の基材層3B上にコーティング層9を形成してコーティング層付き基材層を作製して、バリアフィルム8とコーティング層付き基材層とを、バリア層6と第2の基材層3Bとが対向するように、接着剤等(図示しない)を介して貼り合せることにより、本実施形態に係る量子ドット保護フィルム10が得られる。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を用いて波長変換シートを製造する際には、量子ドット保護フィルム10は第1の基材層3Aの他方の面3aと蛍光体層とが対向するように配置される。本実施形態の量子ドット保護フィルム10によれば、バリア層6を第1及び第2の基材層3A,3Bによって挟み込んでいるため、バリア層6に微小なピンホール等の欠陥が生じている場合であっても、より効果的にバリア性能を発揮することができる。
図4は、本発明の第四の実施形態に係る量子ドット保護フィルムの概略断面図である。第四の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10は、コーティング層9が保護層7の基材層側の表面上に形成されている点、及び、基材層3上に2つのバリア層6i,6iiが設けられている点で第一の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10と異なる。図4において、量子ドット保護フィルム10は、具体的には、基材層3の一方の面3b上にコーティング層9が積層され、他方の面3a上に第1の無機薄膜層4i、第1のガスバリア性被覆層5i、第2の無機薄膜層4ii及び第2のガスバリア性被覆層5iiがこの順に積層された構成を有する。すなわち、第四の実施形態において、保護層7は、基材層3、第1の無機薄膜層4i、第1のガスバリア性被覆層5i、第2の無機薄膜層4ii及び第2のガスバリア性被覆層5iiがこの順に積層されてなり、コーティング層9は基材層3の他方の面3b上に形成されている。なお、本実施形態において、バリアフィルム8は保護層7と同じである。バリアフィルム8を作製し、バリアフィルム8の基材層3上にコーティング層9を形成することにより、本実施形態に係る量子ドット保護フィルム10が得られる。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を用いて波長変換シートを製造する際には、量子ドット保護フィルム10は第2のガスバリア性被覆層5iiと蛍光体層とが対向するように配置される。本実施形態の量子ドット保護フィルム10によれば、2つのバリア層6i,6iiが積層される、すなわち、無機薄膜層とガスバリア性被覆層とが交互に2層ずつ積層されているため、より優れたバリア性能を発揮することができる。
図5は、本発明の第五の実施形態に係る量子ドット保護フィルムの概略断面図である。第五の実施形態に係る量子ドット保護フィルム10は、保護層7が2つのバリアフィルム8A,8Bを備え、これらが接着層2を介してバリア層同士が対向するように積層されており、コーティング層9が保護層7の基材層側の表面上に形成されている点で、第一の実施形態に係る量子ドット保護フィルムと異なる。本実施形態において、バリアフィルム8Aは第1の基材層3Aの一方の面3b上に第1の無機薄膜層4A及び第1のガスバリア性被覆層5Aがこの順に積層された構成を有し、バリアフィルム8Bは第2の基材層3Bの一方の面3c上に第2の無機薄膜層4B及び第2のガスバリア性被覆層5Bがこの順に積層された構成を有する。すなわち、第五の実施形態において、保護層7は、第1の基材層3A、第1の無機薄膜層4A、第1のガスバリア性被覆層5A、接着層2、第2のガスバリア性被覆層5B、第2の無機薄膜層4B、及び第2の基材層3Bがこの順に積層されてなり、コーティング層9は第2の基材層3Bの他方の面3d上に形成されている。第1の基材層3Aの一方の面3b上に形成される無機薄膜層4A及びガスバリア性被覆層5Aは第1のバリア層6Aと言い、第2の基材層3Bの一方の面3c上に形成される無機薄膜層4B及びガスバリア性被覆層5Bは第2のバリア層6Bと言うことがある。本実施形態の量子ドット保護フィルム10を用いて波長変換シートを製造する際には、量子ドット保護フィルム10が第1の基材層3Aと蛍光体層とが対向するように配置される。本実施形態の量子ドット保護フィルム10によれば、バリアフィルム8A,8Bが積層されているため、より優れたバリア性能を発揮することができる。
図6は本発明の一実施形態に係る波長変換シートの概略断面図である。図6に示すように、本実施形態の波長変換シート20は、量子ドットを用いた蛍光体層14と、蛍光体層14の一方の面上に保護層7と蛍光体層14とが対向するように設けられた第1の量子ドット保護フィルムと、蛍光体層14の他方の面上に設けられた第2の量子ドット保護フィルムと、を備えて概略構成されている。図6において、第1の量子ドット保護フィルムには上述した量子ドット保護フィルム10が用いられ、第2の量子ドット保護フィルムには上述した量子ドット保護フィルム10とは異なる量子ドット保護フィルム12が用いられている。より具体的には、蛍光体層14の両面上に直接又は封止樹脂を介して第1及び第2の量子ドット保護フィルム10,12がそれぞれ積層されている。これによって、波長変換シート20は、第1及び第2の量子ドット保護フィルム10,12の間に、蛍光体層14が包み込まれた(すなわち、封止された)構造を有する。なお、図6では、第1の量子ドット保護フィルムのみに上述の量子ドット保護フィルム10を用いているが、第1及び第2の量子ドット保護フィルムのうちの少なくとも一方が上述の量子ドット保護フィルムであればよく、両方が上述の量子ドット保護フィルム10であってもよい。すなわち、本実施形態の波長変換シート20は、蛍光体層14と、該蛍光体層14を封止する第1及び第2の量子ドット保護フィルムとを備え、少なくとも上記第1の量子ドット保護フィルムは、上記保護層7が上記蛍光体層14と対向するように配置された上記量子ドット保護フィルム10である。本実施形態の波長変換シート20を用いてバックライトユニットを製造する際には、量子ドット保護フィルム10が光源に対して反対側を向くように配置される。
図7は本発明の一実施形態に係るバックライトユニットの概略断面図である。図7において、バックライトユニット30は光源22と上記波長変換シート20とを備え、上記蛍光体層14を挟んで上記光源22と反対側に配置された量子ドット保護フィルムが上記第1の量子ドット保護フィルムである。詳細には、バックライトユニット30は、波長変換シート20の第2の量子ドット保護フィルム12側の表面20a上に導光板24及び反射板26がこの順で配置され、光源22は上記導光板24の側方(導光板24の面方向)に配置される。
(実施例1)
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(基材層3、商品名:T60、厚さ:25μm、東レ社製)の片面上に、酸化珪素層(無機薄膜層4、厚さ:250Å)を真空蒸着法により形成した。さらに、酸化珪素層上にアルコキシシランとポリビニルアルコールからなる組成物を塗布、乾燥することにより、0.3μmの厚さを有するガスバリア性被覆層5を形成し、基材層3、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5からなる積層体(バリアフィルム8)を得た。
コーティング層9を形成する組成物中のシリカ粒子の添加量を15質量部としたこと以外は、実施例1と同様の操作にて実施例2の量子ドット保護フィルム10を得た。
コーティング層9を形成する組成物中のシリカ粒子の添加量を10質量部としたこと以外は、実施例1と同様の操作にて実施例3の量子ドット保護フィルム10を得た。
実施例1と同様の操作にて、基材層3、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5からなる積層体(バリアフィルム8)を得た。次に、上記積層体の基材層3の表面上に、アクリル樹脂(商品名:アカリディック、DIC社製)100質量部とシリカ粒子(商品名:トスパール120、平均粒子径:2.0μm、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル社製)20質量部からなる組成物を塗布した。塗膜を加熱して、アクリル樹脂を硬化することにより、基材層3上に厚さ5μmのコーティング層9を形成し、実施例4の量子ドット保護フィルム10を得た。実施例4の量子ドット保護フィルム10は図2に示す構成を有し、上記量子ドット保護フィルム10のうち、基材層3、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5からなる部分は保護層7に相当する。
実施例1と同様の操作にて、第1の基材層3A、無機薄膜層4、及びガスバリア性被覆層5からなる積層体(バリアフィルム8)を得た。なお、第1の基材層3Aには実施例1における基材層3と同じ材料を用いた。次に、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(第2の基材層3B、商品名:T60、厚さ:25μm、東レ社製)の片面上に、アクリル樹脂(商品名:アカリディック、DIC社製)100質量部とシリカ粒子(商品名:トスパール120、平均粒子径:2.0μm、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル社製)20質量部からなる組成物を塗布した。塗膜を加熱して、アクリル樹脂を硬化することにより、第2の基材層3B上に厚さ5μmのコーティング層9を形成し、コーティング付き基材層を得た。第2の基材層3Bのコーティング層9が形成された面と反対側の面3cと、ガスバリア性被覆層5とが対向するように、上記コーティング付き基材層と上記積層体とを重ねて配置し、これらをアクリル系粘着剤で貼り合わせることにより、実施例5の量子ドット保護フィルム10を得た。実施例5の量子ドット保護フィルム10は図3に示す構成を有し、上記量子ドット保護フィルム10のうち、第1の基材層3A、無機薄膜層4、ガスバリア性被覆層5、及び第2の基材層3Bからなる部分は保護層7に相当する。
実施例1と同様の操作にて、基材層3、第1の無機薄膜層4i、及び第1のガスバリア性被覆層5iからなる積層体を得た。なお、第1の無機薄膜層4i及び第1のガスバリア性被覆層5iにはそれぞれ、実施例1における無機薄膜層4及びガスバリア性被覆層5と同じ材料を用いた。上記第1のガスバリア性被覆層5i上に、酸化珪素層(第2の無機薄膜層4ii、厚さ:250Å)を真空蒸着法により形成した。さらに、第2の無機薄膜層4ii上にアルコキシシランとポリビニルアルコールからなる組成物を塗布、乾燥することにより、0.3μmの厚さを有する第2のガスバリア性被覆層5iiを形成した。このようにして、基材層3、第1の無機薄膜層4i、第1のガスバリア性被覆層5i、第2の無機薄膜層4ii及び第2のガスバリア性被覆層5iiからなる積層体(バリアフィルム8)を得た。次に、第2の無機薄膜層4ii及び第2のガスバリア性被覆層5iiを形成後の上記積層体の基材層3の表面上に、アクリル樹脂(商品名:アカリディック、DIC社製)100質量部とシリカ粒子(商品名:トスパール120、平均粒子径:2.0μm、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル社製)20質量部からなる組成物を塗布した。塗膜を加熱してアクリル樹脂を硬化することにより、基材層3上に厚さ5μmのコーティング層9を形成し、実施例6の量子ドット保護フィルム10を得た。実施例6の量子ドット保護フィルム10は図4に示す構成を有し、上記量子ドット保護フィルム10のうち、基材層3、第1の無機薄膜層4i、第1のガスバリア性被覆層5i、第2の無機薄膜層4ii、及び第2のガスバリア性被覆層5iiからなる部分は保護層7に相当する。
アクリル樹脂(商品名:アカリディック、DIC社製)100質量部とアクリル粒子(商品名:アートパール、平均粒子径:32μm、根上工業社製)15質量部からなる組成物を用いて、ガスバリア性被覆層5上に厚さ10μmのコーティング層9を形成したこと以外は、実施例1と同様の操作にて参考例7の量子ドット保護フィルムを得た。
コーティング層を設けないこと以外は、実施例1と同様の操作にて比較例1の量子ドット保護フィルムを得た。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムについて、異物の存在率、ヘイズ値、全光線透過率、波長450nmの光線透過率(分光透過率)、及び表面粗さを下記方法に従って測定した。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムのコーティング層側の面をトルエンで洗浄し、コーティング層を除くことにより、量子ドット保護フィルム中の保護層を得た。次に、ラインセンサカメラを用いて、保護層中の最大寸法が100〜500μmの異物を検出し、単位面積当たりの存在率を算出した。同様にして、保護層中の最大寸法が100〜300μmの異物を検出し、単位面積当たりの存在率を算出した。さらに、保護層中の平均寸法が200〜500μmの異物を検出し、単位面積当たりの存在率を算出した。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムのヘイズ値(%)をヘイズメーター(商品名:NDH−2000、日本電色工業株式会社製)を用いて測定した。測定条件は、JIS K7361−1に準拠するものとした。ヘイズ値の測定結果を表1に示す。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムの全光線透過率(%)をヘイズメーター(商品名:NDH−2000、日本電色工業株式会社製)を用いて測定した。測定条件は、JIS K7136に準拠するものとした。全光線透過率の測定結果を表1に示す。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムの、波長450nmの光線透過率(%)を、分光光度計(商品名:UV−2450、島津製作所社製)を用いて測定した。波長450nmの光線透過率の測定結果を表1に示す。
実施例、参考例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムのコーティング層(比較例1においては、ガスバリア性被覆層)表面の算術平均粗さRa(μm)を、表面粗さ測定装置(商品名:サーフテスト、ミツトヨ社製)を用いて、JIS B0601に準拠して測定した。表面粗さRaの測定結果を表1に示す。
実施例1で得られた量子ドット保護フィルム(第1の量子ドット保護フィルム)と、実施例1で得られた、基材層、無機薄膜層、及びガスバリア性被覆層からなる積層体(第2の量子ドット保護フィルム)とを準備した。次に、セレン化カドミウム(CdSe)の粒子に硫化亜鉛(ZnS)を被覆したコア・シェル構造を有する蛍光体(商品名:CdSe/ZnS 530、SIGMA−ALDRICH社製)を溶媒に分散して濃度調整することで、蛍光体分散液を調製した。上記蛍光体分散液をエポキシ系感光性樹脂と混合して、蛍光体組成物を得た。第2の量子ドット保護フィルムのガスバリア性被覆層上に蛍光体組成物を塗布し、100μmの厚さを有する蛍光体層を形成した。
得られた波長変換シートについて、異物等に伴う表示上の欠陥の有無を下記方法に従って測定した。
得られた波長変換シートを、温度85℃の環境下に、1000時間曝露した。曝露後の波長変換シートに対し、第2の量子ドット保護フィルム側から青色光を照射し、第1の量子ドットフィルム側から透過光を目視にて確認し、下記基準に従って異物、キズ、シワ及びダークスポット等に伴う表示上の欠陥の有無を評価した。評価結果を表1に示す。
A:目視にて認められる欠陥が存在しなかった。
B:目視にて透過光の僅かな揺らぎが認められたが欠陥とは判断しなかった。
C:目視にて認められる欠陥が存在していた。
(実施例8)
第1の基材層3Aとしての厚み25μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、第1の無機薄膜層4Aとして酸化珪素を電子ビーム加熱式の真空蒸着法により0.03μmの厚みに設け、第1の無機薄膜層4Aが設けられた第1の基材層3Aを純水にて洗浄し、さらに、テトラエトキシシランとポリビニルアルコールとを含む塗液をウエットコーティング法により洗浄後の第1の無機薄膜層4A上に塗工し、0.6μmの厚みの第1のガスバリア性被覆層5Aを形成した。これにより、第1の基材層3Aの一方の面上に第1の無機薄膜層4A及び第1のガスバリア性被覆層5Aからなる0.6μmの第1のバリア層6Aが設けられた第1のバリアフィルム8Aを得た。一方、同様の操作にて、第2の基材層3Bの一方の面上に第2の無機薄膜層4B及び第2のガスバリア性被覆層5Bからなる0.6μmの第2のバリア層6Bが設けられた第2のバリアフィルム8Bを得た。第1のバリアフィルム8A及び第2のバリアフィルム8Bをロール状に巻き取った。
第1のバリアフィルム8Aと第2のバリアフィルム8Bを貼り合せる接着層にアクリル系粘着剤を用いたこと以外は、実施例8の操作にて、実施例8の量子ドット保護フィルム10を2枚準備した。なお得られた量子ドット保護フィルム10のヘイズ値は40%であった。
第1のバリアフィルム8Aの製造において、無機薄膜層4Aが設けられた基材層3Aを洗浄せずに、無機薄膜層4A上にガスバリア性被覆層5Aを形成し、第2のバリアフィルム8Bの製造において、無機薄膜層4Bが設けられた基材層3Bを洗浄せずに、無機薄膜層4B上にガスバリア性被覆層5Bを形成したこと以外は、実施例8と同様の操作にて、比較例2の量子ドット保護フィルムを2枚準備した。なお得られた量子ドット保護フィルムのヘイズ値は40%であった。
量子ドットとしてのCdSe/ZnS530(商品名、SIGMA−ALDRICH社製)をエポキシ系感光性樹脂と混合して蛍光体組成物を得た。蛍光体組成物を実施例8で得られた1枚目の量子ドット保護フィルム10のコーティング層9が形成されていない側の面(第1の基材層3A)上に塗布し、塗布面上に上記塗布面と第1の基材層3Aが対向するように2枚目の量子ドット保護フィルム10を積層し、UV硬化ラミネートすることにより、実施例8の量子ドット保護フィルム10を用いた波長変換シートを得た。
反射と透過の2系統を有するインラインカメラを備えた外観検査機を使用し、実施例8及び9並びに比較例2の量子ドット保護フィルムの製造に用いたコーティング層形成前の保護層約1000m2に対して、保護層中の最大寸法及び平均寸法が100〜700μmの異物を検出し、最大寸法及び平均寸法別の単位面積当たりの存在率を算出した。
(水蒸気透過度)
実施例及び比較例で得られた量子ドット保護フィルムを85℃の空気中に1000時間曝露し、曝露前後の量子ドット保護フィルムをそれぞれ準備した。水蒸気透過度をJIS K 7129の赤外線センサ法に準ずる方法で、実施例及び比較例で得られた高温環境曝露前後での量子ドット保護フィルムの水蒸気透過度を測定した。高温環境曝露前後での水蒸気透過度の測定結果を表1に示す。水蒸気透過度の測定には水蒸気透過率測定装置(商品名:Permatran、MOCON社製)を用いた。透過セルの温度は40℃とし、高湿度チャンバの相対湿度は90%RHとし、低湿度チャンバの相対湿度を0%RHとした。
得られた波長変換シートを、温度85℃の環境下に、1000時間曝露した。曝露後の波長変換シートに対し、1枚目の量子ドット保護フィルム側から青色光を照射し、2枚目の量子ドットフィルム側から透過光を目視にて確認し、下記基準に従って異物、キズ、シワ及びダークスポット等に伴う表示上の欠陥の有無を評価した。評価結果を表2に示す。
A:目視にて認められる欠陥が存在しなかった。
B:目視にて透過光の僅かな揺らぎが認められたが欠陥とは判断しなかった。
C:目視にて認められる欠陥が存在していた。
Claims (8)
- 蛍光体を封止するための量子ドット保護フィルムであって、
最大寸法が100〜500μmである異物を有する保護層と、該保護層の一方の面上に形成されたコーティング層とを備え、
前記保護層における前記最大寸法が100〜500μmである異物の存在率が0.01〜5.0個/m2であり、
前記保護層が、基材層とバリア層とを積層したバリアフィルムを含み、
前記バリア層が、前記基材層上に無機薄膜層、ガスバリア性被覆層の順に積層してなり、
全光線透過率が80%以上であり、
450nmでの分光透過率が70%以上であり、
ヘイズ値が20%以上である、量子ドット保護フィルム。 - 前記保護層は最大寸法が100〜300μmである異物を有し、前記最大寸法が100〜300μmである異物の存在率が0.1〜2.0個/m2である、請求項1に記載の量子ドット保護フィルム。
- 前記保護層は平均寸法が200〜500μmである異物を有し、前記平均寸法が200〜500μmである異物の存在率が3.0個/m2以下である、請求項1又は2に記載の量子ドット保護フィルム。
- 前記バリアフィルムにおける前記最大寸法が100〜500μmである異物の存在率が0.01〜2.0個/m2である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の量子ドット保護フィルム。
- 前記コーティング層の前記保護層と反対側の面における表面粗さRaが0.2μm以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の量子ドット保護フィルム。
- 前記コーティング層は、平均一次粒径が0.5〜20μmである、シリカ粒子、ジルコニア粒子、硫酸バリウム粒子、酸化チタン粒子、及び酸化バリウム粒子のうちの少なくとも一種の無機粒子を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の量子ドット保護フィルム。
- 蛍光体層と、該蛍光体層を封止する第1及び第2の量子ドット保護フィルムとを備え、
少なくとも前記第1の量子ドット保護フィルムは、前記保護層が前記蛍光体層と対向するように配置された請求項1〜6のいずれか一項に記載の量子ドット保護フィルムである、波長変換シート。 - 青色LEDからなる光源と請求項7に記載の波長変換シートとを備え、
前記波長変換シートにおいて、前記蛍光体層を挟んで前記光源と反対側に配置された量子ドット保護フィルムが前記第1の量子ドット保護フィルムである、バックライトユニット。
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