CN107430303B - 量子点保护膜以及使用其而得到的波长变换片及背光单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种量子点保护膜，其是用于对荧光体进行封装的量子点保护膜，该量子点保护膜具有：保护层，其具有最大尺寸为100～500μm的异物；以及涂层，其形成在该保护层的一个面上，保护层中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～5.0个/m2，雾度值大于或等于20％。

Description

量子点保护膜以及使用其而得到的波长变换片及背光单元
技术领域
本发明涉及量子点保护膜以及使用该量子点保护膜得到的波长变换片及背光单元。
背景技术
液晶显示器是为了进行显示而使用液晶组合物的显示装置。液晶显示器被用作多种多样的仪器中的显示装置，特别是被用作信息显示装置或图像显示装置。
液晶显示器基于电压的施加，在液晶面板中针对每个区域使光透过或进行遮挡而对影像进行显示。因此，为了在液晶显示器中对影像进行显示，在液晶面板的背面需要背光。背光以往使用冷阴极管。最近出于长寿命及显色的优良等理由，有时取代冷阴极管而使用LED(发光二极管)。
另外，近年以国外的创业企业为中心，使用量子点的纳米尺寸的荧光体实现了产品化。量子点是发光性的半导体纳米颗粒，直径的范围为1～20nm。量子点的独特的光学特性及电子特性除了在生物学及医学诊断的领域中的荧光成像以外，还有效使用于平板显示器或多彩颜色的照明(灯饰)等众多的用途。
在显示器中占有非常大的重要度的白色LED技术中，通常使用通过蓝色(450nm)LED芯片对掺杂有铈的YAG·Ce(钇·铝·石榴石)下方变换用荧光体进行激发的方法。LED的蓝色光与从YAG荧光体产生的波长范围宽的黄色光混合而成为白色光。但是，该白色光会少许发蓝，常常被看成是“发冷”或“发凉”的白色。
量子点示出幅度宽的激发光谱，具有高量子效率，因此能够作为LED下方变换用荧光体使用。并且，仅通过对点尺寸或半导体材料的种类进行变更，就能够在可见光区域整体的范围对发光的波长进行完全地调整。因此，被说成量子点事实上具有产生所有的颜色的可能性，特别是在照明产业中强烈地期望的暖白色。并且，能够将发光波长与红、绿及蓝对应的3个种类的点进行组合，得到显色指数不同的白色光。如上所述，在使用通过量子点实现的背光的显示器中，与现有的液晶显示器相比，能够提高色调、表现出人能够识别的颜色的65％而不增加厚度、消耗电力、成本及制造工艺等。
该背光是使具有红或绿的发光光谱的量子点在膜内扩散，通过阻挡膜或其层叠体对该膜的两主面进行了封装(覆盖)的光学仪器，根据情况，不仅对主面、还对边缘部进行了封装。
另外，在专利文献1中，提出了为了对荧光体的劣化进行抑制，通过阻挡膜将包含荧光体的层夹着的技术。并且，在专利文献2中，提出了为了确保有机EL元件的可靠性，通过气体阻挡膜对有机EL元件进行包覆的技术。
专利文献1：日本特开2011－013567号公报
专利文献2：日本特开2009－018568号公报
发明内容
另外，如果在量子点保护膜存在伤痕、皱折及异物等，则有时被看作是显示器显示上的缺陷。因此，通常对量子点保护膜要求没有伤痕、皱折及异物等优异的外观。不仅如此，如果量子点劣化，则有时产生被称为黑斑的非发光区域。黑斑被看作显示器显示上的缺陷，因此还对量子点保护膜要求不产生黑斑这样的高阻挡性。
但是，现有的阻挡膜大多是用作食品或者医疗品等的包装材料或电子设备等的封装材料，非常难以得到作为量子点保护膜能够满足的性能。另外，即使通过在专利文献1或2中记载的阻挡膜制作出对量子点进行了封装的显示器，阻挡性并不充分，有时也会产生黑斑。另外，即使在例如无尘室环境中制作出构成膜，伤痕、皱折及异物等的减少也存在极限。因此，在专利文献1或2中记载的阻挡膜，无法说是在显示器显示上能够目视确认出的缺陷充分减少的阻挡膜。
本发明就是鉴于该情况而提出的，其目的在于提供一种能够将在显示器显示上能够目视确认出的缺陷减少的量子点保护膜、波长变换片及背光单元。
本发明提供一种量子点保护膜，其用于对荧光体进行封装，该量子点保护膜具有：保护层，其具有最大尺寸为100～500μm的异物；以及涂层，其形成在该保护层的一个面上，保护层中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～5.0个/m2，雾度值大于或等于20％。根据本发明，可减少能够在显示器显示上目视确认到的缺陷。
在上述量子点保护膜中，优选上述保护层具有最大尺寸为100～300μm的异物，最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比为0.1～2.0个/m2。在上述量子点保护膜中，优选上述保护层具有平均尺寸为200～500μm的异物，平均尺寸为200～500μm的异物的丰度比小于或等于3.0个/m2。在上述量子点保护膜中，优选上述保护层包含阻挡膜，该阻挡膜是将基材层和阻挡层层叠而成的，上述阻挡膜中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～2.0个/m2。异物的丰度比处在这些范围，由此存在能够更可靠地减少缺陷的发生的倾向。
优选上述量子点保护膜的总光线透过率大于或等于80％。由于总光线透过率大于或等于80％，因此以较少的电力使用，容易确保显示器上的明亮度。
另外，优选上述量子点保护膜的450nm下的光谱透过率大于或等于70％。由于450nm下的光谱透过率大于或等于70％，因此在作为光源特别是使用蓝色LED的情况下，容易确保充分的明亮度。
优选上述涂层的与保护层相反侧的面中的表面粗糙度Ra大于或等于0.2μm。由于上述表面粗糙度Ra大于或等于0.2μm，因此即使将量子点保护膜与棱镜片等其他部件层叠，也容易抑制干涉条纹的产生，并且容易将量子点保护膜的雾度值控制为大于或等于20％。
本发明还提供一种量子点保护膜，其用于对荧光体进行封装，该量子点保护膜具有：保护层，其具有最大尺寸为100～300μm的异物；以及涂层，其形成在该保护层的一个面上，保护层中的最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比为0.1～2.0个/m2，雾度值大于或等于20％。根据本发明，可减少能够在显示器显示上目视确认的缺陷。
本发明还提供一种量子点保护膜，其用于对荧光体进行封装，该量子点保护膜具有：保护层，其具有平均尺寸为200～500μm的异物；以及涂层，其形成在该保护层的一个面上，保护层中的平均尺寸为200～500μm的异物的丰度比小于或等于3.0个/m2，雾度值大于或等于20％。根据本发明，可减少能够在显示器显示上目视确认的缺陷。
本发明还提供一种波长变换片，其具有荧光体层和对该荧光体层进行封装的第1及第2量子点保护膜，至少上述第1量子点保护膜是配置为上述保护层与上述荧光体层相对的上述量子点保护膜。
本发明还提供一种背光单元，其具有由蓝色LED构成的光源和上述波长变换片，在上述波长变换片中，隔着上述荧光体层而配置在与上述光源相反侧的量子点保护膜是上述第1量子点保护膜。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能够将在显示器显示上能够目视确认出的缺陷减少的量子点保护膜、波长变换片及背光单元。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。
图2是本发明的第二实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。
图3是本发明的第三实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。
图4是本发明的第四实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。
图5是本发明的第五实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。
图6是本发明的一个实施方式所涉及的波长变换片的概略剖视图。
图7是本发明的一个实施方式所涉及的背光单元的概略剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。此外，在附图中对相同或等同的要素标注相同的标号，省略重复的说明。
[量子点保护膜]
在本发明中，量子点保护膜具备保护层、在该保护层的一个面上形成的涂层，具有大于或等于20％的雾度值。雾度值优选大于或等于25％，更优选大于或等于40％，最优选大于或等于60％。另外，从得到充分的光线透过率的观点出发，雾度值优选小于或等于95％，更优选小于或等于90％。雾度值是表示膜的浊度的指标，是扩散透过光相对于总光线透过光的比例。雾度值具体地说通过下述算式求出。下述算式中的Td是扩散透过率，Tt是总光线透过率，扩散透过率及总光线透过率分别能够通过雾度计等测定。
雾度值(％)＝Td/Tt×100
在上述保护层具有最大尺寸为100～500μm的异物，能够使用上述最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～5.0个/m2的保护层。在上述保护层具有最大尺寸为100～300μm的异物，也可以使用上述最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比为0.1～2.0个/m2的保护层。如果在量子点保护膜中存在具有100μm左右的大小的物质，则能够通过肉眼进行目视确认。在使用具有如上所述的物质的膜而制造出显示装置的情况下，通常，容易成为显示上的缺陷。但是，本发明的量子点保护膜由于如上所述具有大于或等于20％的雾度值，因此即使使用具有异物的保护层而制造出显示装置，也能够对成为显示上的缺陷的情况进行抑制。同样地，即使在伴随量子点的劣化而产生了黑斑的情况下，也能够对该黑斑成为显示上的缺陷的情况进行抑制。其结果，量子点保护膜及波长变换片的成品率提高，进而即使产生小的黑斑也无法作为缺陷目视确认，因此也能够提高波长变换片的长期可靠性。另一方面，如果异物的最大尺寸超过500μm，则有时不能完全抑制成为显示上的缺陷的情况。在异物的最大尺寸超过300μm的情况下，根据保护层的雾度值，也有可能成为显示上的缺陷。因此，上述保护层可以使用没有最大尺寸超过500μm的异物的保护层，也可以使用没有最大尺寸超过300μm的异物的保护层。
上述保护层具有平均尺寸为200～500μm的异物，可以使用平均尺寸为200～500μm的异物的丰度比小于或等于3.0个/m2的保护层。平均尺寸为200～500μm的异物可能包含例如线状及棒状这样的长且细的异物。即使最大尺寸大，由于平均尺寸处在上述范围内，因此难以目视确认到异物。特别是由于平均尺寸为200～500μm的异物的丰度比小于或等于3.0个/m2，因此能够进一步对异物成为目视确认上的缺陷的情况进行抑制。
在这里，在本说明书中，异物是指，在对保护层进行观察时，能够识别为与保护层的其他部分在光学上不同的部分(块)。异物有时由与保护层的构成材料不同的材料构成，有时由与保护层的构成材料相同的材料构成。异物由与保护层的构成材料不同的材料构成的情况，例如有时在制造量子点保护膜时周围的灰尘及尘埃等混入至保护层内，有可能成为异物。另外，异物由与保护层的构成材料相同的材料构成的情况，例如有时在形成无机薄膜层时从蒸镀源蒸镀材料没有被气化，偶尔以大颗粒(蒸镀粉)的外形附着于保护层，上述颗粒有可能成为异物。
如果异物的丰度比小，则在制造出显示装置时的显示上的缺陷也变少，本发明的特征点在于，假设即使在保护层中以上述丰度比存在具有上述最大尺寸的异物，也能够对成为显示上的缺陷的情况进行抑制。从上述观点出发，最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比可以为0.1～2.0个/m2。最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比可以为0.5～2.0个/m2，也可以为0.8～2.0个/m2。如果最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比超过5.0个/m2、或最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比超过2.0个/m2，则异物会重叠而被目视确认到，其结果，最大尺寸变大，有时不能完全抑制成为显示上的缺陷的情况。另外，如果最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比超过5.0个/m2、或最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比超过2.0个/m2，则有可能损伤阻挡层6。
另外，在本说明书中，最大尺寸表示在从与保护层垂直的方向观察保护层时的平面S中，将被识别为异物的部分中的最远的2点连结后的距离(将2点连结的线的长度)。另外，在将连结上述的识别为异物的部分中的最远的2点的线A的长度设为LA，将在平面S上的与线A正交的轴上连结识别为异物的部分中的最远的2点的线B的长度设为LB时，通过下述算式能够计算平均尺寸LAV。
LAV＝(LA+LB)/2
关于异物的最大尺寸、平均尺寸及丰度比，例如能够使用光学式检查装置，通过图像处理对异物进行识别，根据检测到的像素数对异物尺寸进行测定。
量子点保护膜的总光线透过率优选大于或等于80％。由于总光线透过率大于或等于80％，因此通过较少的电力使用，容易确保显示装置中的明亮度。另外，如果总光线透过率小于80％，则来自光源的光的损失变大，有时在显示装置中无法确保充分的明亮度，或为了确保明亮度而必须使用更明亮的光源。
量子点保护膜的450nm下的光谱透过率优选大于或等于70％。由于450nm下的光谱透过率大于或等于70％，因此通过较少的电力使用，容易确保显示装置中的特别是蓝色的明亮度。在作为光源而使用蓝色LED的情况下，由于蓝色LED的波长为450nm附近，因此如果450nm附近的波长的光的透过率低，则来自光源的光的损失变大。因此，在显示装置中，有时无法特别以蓝色确保充分的明亮度，或为了确保明亮度而必须使用更明亮的光源。
本发明的量子点保护膜从上述的观点出发，能够具有各种各样的构造。下面，对本发明的量子点保护膜的构造具体地进行说明。
(第一实施方式)
图1是本发明的第一实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。在图1中，具体地说，量子点保护膜10具有在基材层3的一个面3b上依次层叠有无机薄膜层4、气体阻挡性包覆层5及涂层9的结构。即，在第一实施方式中，保护层7是将基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5依次层叠而成的，涂层9形成在气体阻挡性包覆层5上。在使用本实施方式的量子点保护膜10而制造波长变换片时，配置为基材层3的另一个面3a和荧光体层相对。在本实施方式中，保护层7的厚度作为整体，优选为10～250μm，更优选为16～150μm。
作为基材层3，并不特别受到限定，例如，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯类膜或聚萘二甲酸乙二醇酯类膜，更优选使用具有小于或等于25的酸值(为了将基材层3(膜)1g中所包含的游离酸及其他酸性物质中和所需的氢氧化钾的mg数)的聚对苯二甲酸乙二醇酯类膜。在这里，如果基材层3的酸值超过25，则特别是高温高湿环境下的基材稳定性受损，因此阻挡性有时降低。另一方面，如果酸值小于或等于25，则基材稳定性增加，在高温高湿环境下阻挡性也不降低而存在稳定的倾向。
基材层3的厚度并不特别受到限制，优选大于或等于3μm而小于或等于200μm，更优选大于或等于5μm而小于或等于150μm。
在基材层3的一个面3b上形成的无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5有时被称为阻挡层6。作为无机薄膜层(无机氧化物薄膜层)4，并不特别受到限定，例如，能够使用氧化铝、氧化硅、氧化镁或它们的混合物。在这些材料中，从阻挡性及生产性的观点出发，优选使用氧化铝或氧化硅。并且，从水蒸气阻挡性的观点出发，优选使用氧化硅。
无机薄膜层4的厚度(膜厚)优选为5～500nm，更优选为10～300nm。由于无机薄膜层4的厚度大于或等于5nm，因此存在容易得到均一的膜，容易得到阻挡性的倾向。另一方面，由于无机薄膜层4的厚度小于或等于500nm，因此存在能够使无机薄膜层4保持挠性，在成膜后不易由于弯折或拉伸等的外力而产生龟裂等的倾向。
气体阻挡性包覆层5是为了防止后续工序中的二次的各种损伤，并且赋予更高的阻挡性而设置的。气体阻挡性包覆层5的厚度(膜厚)优选为0.05～2.0μm，更优选为0.1～1.0μm。气体阻挡性包覆层5是由涂覆剂形成的，该涂覆剂作为成分而具有从由含羟基高分子化合物、金属醇盐、金属醇盐水解物及金属醇盐聚合物构成的组中选择的至少1种。由于气体阻挡性包覆层5的厚度大于或等于0.05μm，因此存在下述倾向，即，能够表现出均一的阻挡性，由于小于或等于2.0μm，因此能够保持挠性，在成膜后不易由于弯折或拉伸等的外力而产生龟裂等。
作为含羟基高分子化合物，可举出例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮及淀粉等水溶性高分子。含羟基高分子化合物从阻挡性的观点出发，优选聚乙烯醇。
金属醇盐是由一般式M(OR)n(M是Si、Ti、Al及Zr等金属，R是CH3及C2H5等烷基，n是1～4的整数)表示的化合物。作为金属醇盐，例如，可举出四乙氧基硅烷[Si(OC2H5)4]、三异丙醇铝[Al(O－iso－C3H7)3]等。金属醇盐在加水分解后，在水类的溶剂中比较稳定，因此优选四乙氧基硅烷或三异丙醇铝。作为金属醇盐水解物，可举出例如四乙氧基硅烷的水解物的硅酸盐(Si(OH)4)、及三异丙醇铝的水解物的氢氧化铝(Al(OH)3)等。
涂层9为了发挥光散射功能，设置在量子点保护膜10的表面，即，后面记述的波长变换片的表面。由于量子点保护膜10具有涂层9，因此除了光散射功能以外，还能够得到干涉条纹(莫尔条纹)防止功能及反射防止功能等。在本实施方式的量子点保护膜10中，特征在于，涂层9至少能够赋予光散射功能。
涂层9包含粘合剂树脂和微粒而构成。而且，构成为以微粒的一部分从涂层9的表面露出的方式埋入至粘合剂树脂中。涂层9具有上述结构，从而由在涂层9的表面露出的微粒产生微细的凹凸。如上所述，通过将涂层9设置于量子点保护膜10的表面，即，后面记述的波长变换片的表面，从而能够表现出光散射功能。
优选量子点保护膜10的涂层9侧的表面中的、即与涂层9的保护层7相反侧的面中的、表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra大于或等于0.2μm。由于上述表面粗糙度Ra大于或等于0.2μm，因此例如在与构成背光单元的情况的棱镜片等其他部件接触的情况下，能够对产生由平滑的膜彼此密接而引起的干涉条纹进行抑制。
作为粘合剂树脂，能够使用例如热塑性树脂、热固性树脂及紫外线固化性树脂等。
作为热塑性树脂，可举出例如纤维素衍生物、乙烯基类树脂、缩醛类树脂、丙烯酸类树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺树脂、线状聚酯树脂、氟树脂及聚碳酸酯树脂等。作为上述纤维素衍生物，可举出例如乙酰纤维素、硝化纤维素、乙酰丁基纤维素、乙基纤维素及甲基纤维素等。作为上述乙烯基类树脂，可举出例如醋酸乙烯酯聚合物及共聚物、氯化乙烯聚合物及共聚物、以及偏二氯乙烯聚合物及共聚物等。作为上述缩醛类树脂，举出例如聚乙烯醇缩甲醛及聚乙烯丁缩醛等。作为上述丙烯酸类树脂，举出例如丙烯酸类聚合物及共聚物、以及甲基丙烯酸类聚合物及共聚物等。
作为热固性树脂，可举出酚醛树脂、尿素蜜胺树脂、聚酯树脂及硅树脂等。
作为紫外线固化性树脂，可举出环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯及聚酯丙烯酸酯等的光聚合性预聚物。另外，也能够以上述光聚合性预聚物为主要成分，作为稀释剂而使用单官能团或多官能团的单体。
在涂层9中除了微粒的露出部分以外的粘合剂树脂层的厚度(膜厚)优选为0.1～20μm，更优选为0.3～10μm。由于粘合剂树脂层的膜厚大于或等于0.1μm，因此容易得到均一的膜，存在充分地得到光学性功能的倾向。另一方面，由于膜厚小于或等于20μm，因此向涂层9的表面微粒露出，存在容易得到赋予凹凸效果的倾向。另外，也能够维持透明性，顺应薄膜化的趋势。
作为微粒，能够使用有机颗粒或无机颗粒。这之中，也可以仅使用一种，也可以使用大于或等于两种。
作为有机颗粒，可举出球状丙烯酸树脂细粉末、尼龙树脂细粉末、四氟乙烯树脂细粉末、交联聚苯乙烯树脂细粉末、聚氨酯树脂细粉末、聚乙烯树脂细粉末、苯并胍胺树脂细粉末、硅树脂细粉末、环氧树脂细粉末、聚乙烯蜡颗粒及聚丙烯蜡颗粒等。作为无机颗粒，可举出二氧化硅颗粒、氧化锆颗粒、硫酸钡颗粒、氧化钛颗粒及氧化钡颗粒等。
另外，微粒的平均一次粒径(下面，有时称为平均粒径)优选为0.5～20μm。在这里，上述平均粒径是由激光衍射法测定出的，是体积平均直径。由于微粒的平均粒径大于或等于0.5μm，因此存在能够有效地向涂层9的表面赋予凹凸的倾向。另一方面，由于微粒的平均粒径小于或等于20μm，因此无需使用大幅地超过粘合剂树脂层的厚度的颗粒，能够将光线透过率维持得高。另外，由于微粒的平均粒径小于或等于20μm，因此存在能够抑制对在LED背光单元中使用的导光板造成损伤的倾向。涂层9相对于粘合剂树脂100质量部，优选包含0.1～50质量部的微粒，更优选包含2～20质量部。由于涂层9以上述范围包含微粒，因此能够维持覆膜的密接性。
另外，涂层9并不限定于发挥光散射功能的一层构造，也可以是发挥多个功能的层的层叠体。
第一实施方式所涉及的量子点保护膜能够按照下面的方式进行制造。首先，在基材层3的一个面通过例如蒸镀法等对无机薄膜层4进行层叠。接下来，将以包含水溶性高分子(含羟基高分子化合物)、和(a)大于或等于1种的金属醇盐及水解物或(b)塩化锡的至少一者在内的水溶液或者水/乙醇混合溶液作为主剂的涂覆剂，涂敷在无机薄膜层4的表面上，进行干燥，由此形成气体阻挡性包覆层5。由此，得到在基材层3上设置有阻挡层6的层叠体(阻挡膜8)。接下来，在上述层叠体的阻挡层6上涂敷将粘合剂树脂和微粒混合得到的涂覆液，进行干燥，由此形成涂层9。由此，得到在基材层3上层叠有阻挡层6及涂层9的量子点保护膜10。此外，在本实施方式中，阻挡膜8成为保护层7。
在阻挡膜8中，具有最大尺寸为100～500μm的异物，可以使用最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～2.0个/m2的阻挡膜。阻挡膜8中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比也可以为0.01～1.0个/m2。
(第二实施方式)
图2是本发明的第二实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。第二实施方式所涉及的量子点保护膜10与第一实施方式所涉及的量子点保护膜10的不同点在于，涂层9形成在保护层7的基材层侧的表面上。在图2中，具体地说，量子点保护膜10具有在基材层3的一个面3b上层叠有涂层9，在另一个面3a上依次层叠有无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5的结构。即，在第二实施方式中，保护层7是将基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5依次层叠而成的，涂层9形成在基材层3的另一个面3b上。此外，在本实施方式中也与第一实施方式同样地，阻挡膜8成为保护层7。通过制作阻挡膜8，在阻挡膜8的基材层3上形成涂层9，从而得到本实施方式所涉及的量子点保护膜10。在使用本实施方式的量子点保护膜10而制造波长变换片时，量子点保护膜10配置为气体阻挡性包覆层5和荧光体层相对。通过在波长变换片使用本实施方式的量子点保护膜10，从而阻挡层6设置在与荧光体层更接近的位置，因此能够更有效地发挥阻挡性能。
(第三实施方式)
图3是本发明的第三实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。第三实施方式所涉及的量子点保护膜10与第一实施方式所涉及的量子点保护膜10的不同点在于，构成有在气体阻挡性包覆层5上还设置有其他基材层3B的保护层7这点、以及涂层9形成在保护层7的其他基材层3B的表面上这点。在图3中，具体地说，量子点保护膜10具有下述结构，即，在第1基材层3A的一个面3b上依次层叠有无机薄膜层4、气体阻挡性包覆层5、第2基材层3B及涂层9。即，在第三实施方式中，保护层7是将第1基材层3A、无机薄膜层4、气体阻挡性包覆层5及第2基材层3B依次层叠而成的，涂层9形成在第2基材层3B的一个面3d上。保护层7也能够说成，构成为在第1基材层3A的一个面3b和第2基材层3B的另一个面3c之间夹着阻挡层6。此外，在本实施方式中，阻挡膜8是将第1基材层3A、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5依次层叠而成的。制作阻挡膜8，另一方面，在第2基材层3B上形成涂层9而制作带涂层的基材层，将阻挡膜8和带涂层的基材层以阻挡层6和第2基材层3B相对的方式，经由粘接剂等(未图示)进行贴合，由此得到本实施方式所涉及的量子点保护膜10。在使用本实施方式的量子点保护膜10而制造波长变换片时，量子点保护膜10配置为第1基材层3A的另一个面3a和荧光体层相对。根据本实施方式的量子点保护膜10，由第1及第2基材层3A、3B夹着阻挡层6，因此在阻挡层6产生微小的销孔等缺陷的情况下，也能够更有效地发挥阻挡性能。
(第四实施方式)
图4是本发明的第四实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。第四实施方式所涉及的量子点保护膜10与第一实施方式所涉及的量子点保护膜10的不同点在于，涂层9形成在保护层7的基材层侧的表面上这点、以及在基材层3上设置有2个阻挡层6i、6ii这点。在图4中，具体地说，量子点保护膜10具有下述结构，即，在基材层3的一个面3b上层叠有涂层9，在另一个面3a上依次层叠有第1无机薄膜层4i、第1气体阻挡性包覆层5i、第2无机薄膜层4ii及第2气体阻挡性包覆层5ii。即，在第四实施方式中，保护层7是将基材层3、第1无机薄膜层4i、第1气体阻挡性包覆层5i、第2无机薄膜层4ii及第2气体阻挡性包覆层5ii依次层叠而成的，涂层9形成在基材层3的另一个面3b上。此外，在本实施方式中，阻挡膜8与保护层7相同。制作阻挡膜8，在阻挡膜8的基材层3上形成涂层9，由此得到本实施方式所涉及的量子点保护膜10。在使用本实施方式的量子点保护膜10而制造波长变换片时，量子点保护膜10配置为第2气体阻挡性包覆层5ii和荧光体层相对。根据本实施方式的量子点保护膜10，层叠2个阻挡层6i、6ii，即，无机薄膜层和气体阻挡性包覆层交替地层叠有各2层，因此能够发挥更优异的阻挡性能。
(第五实施方式)
图5是本发明的第五实施方式所涉及的量子点保护膜的概略剖视图。第五实施方式所涉及的量子点保护膜10与第一实施方式所涉及的量子点保护膜的不同点在于，保护层7具有2个阻挡膜8A、8B，它们经由粘接层2而以阻挡层彼此相对的方式层叠，涂层9形成在保护层7的基材层侧的表面上。在本实施方式中，阻挡膜8A具有下述结构，即，在第1基材层3A的一个面3b上依次层叠有第1无机薄膜层4A及第1气体阻挡性包覆层5A，阻挡膜8B具有下述结构，即，在第2基材层3B的一个面3c上依次层叠有第2无机薄膜层4B及第2气体阻挡性包覆层5B。即，在第五实施方式中，保护层7是将第1基材层3A、第1无机薄膜层4A、第1气体阻挡性包覆层5A、粘接层2、第2气体阻挡性包覆层5B、第2无机薄膜层4B及第2基材层3B依次层叠而成的，涂层9形成在第2基材层3B的另一个面3d上。在第1基材层3A的一个面3b上形成的无机薄膜层4A及气体阻挡性包覆层5A有时称为第1阻挡层6A，在第2基材层3B的一个面3c上形成的无机薄膜层4B及气体阻挡性包覆层5B有时称为第2阻挡层6B。在使用本实施方式的量子点保护膜10而制造波长变换片时，量子点保护膜10配置为第1基材层3A和荧光体层相对。根据本实施方式的量子点保护膜10，层叠了阻挡膜8A、8B，因此能够发挥更优异的阻挡性能。
并且，在阻挡膜8A、8B中具有最大尺寸为100～500μm的异物，可以使用最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～2.0个/m2的阻挡膜。阻挡膜8A、8B中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比可以为0.1～5.0个/m2，也可以为0.5～5.0个/m2，另外，还可以为0.01～2.0个/m2。通过将如上所述的阻挡膜8A、8B贴合，从而容易将对这些进行贴合得到的保护层中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比控制为0.01～5.0个/m2，容易减少在显示器上能够目视确认到的缺陷。另外，如果阻挡膜8A、8B具有异物，则有时异物周边的气体阻挡性降低。但是，将阻挡膜8A、8B贴合，阻挡膜8A、8B各自中的最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比小于或等于2.0个/m2，因此各阻挡膜起作用而将各自的气体阻挡性补偿，例如在波长变换片中使用量子点保护膜10的情况下，存在进一步抑制黑斑(由于荧光体的失活而产生的暗点)等局部劣化的倾向。
阻挡膜8A、8B优选没有最大尺寸超过500μm的异物，即使存在，也优选该异物的丰度比小于或等于0.1个/m2。假设阻挡膜8A、8B中的直径为500μm的球形的异物的丰度比为2.0个/m2的情况下，在将它们贴合得到的气体阻挡层叠体中各自的阻挡膜具有的异物的一部分重合的概率约为6σ(3.4/1000000)，存在能够保证制造工序上的高品质的倾向。
[波长变换片]
图6是本发明的一个实施方式所涉及的波长变换片的概略剖视图。如图6所示，本实施方式的波长变换片20概略构成为，具有：荧光体层14，其使用了量子点；第1量子点保护膜，其设置为在荧光体层14的一个面上保护层7和荧光体层14相对；以及第2量子点保护膜，其设置在荧光体层14的另一个面上。在图6中，在第1量子点保护膜使用上述的量子点保护膜10，在第2量子点保护膜使用与上述的量子点保护膜10不同的量子点保护膜12。更具体地说，在荧光体层14的两个面上直接或经由封装树脂而分别层叠有第1及第2量子点保护膜10、12。由此，波长变换片20具有在第1及第2量子点保护膜10、12之间将荧光体层14包入(即，封装)的构造。此外，在图6中，仅在第1量子点保护膜使用上述的量子点保护膜10，但即可以是第1及第2量子点保护膜中的至少一者为上述的量子点保护膜，也可以是两者为上述的量子点保护膜10。即，本实施方式的波长变换片20具有：荧光体层14和对该荧光体层14进行封装的第1及第2量子点保护膜，至少上述第1量子点保护膜是配置为上述保护层7与上述荧光体层14相对的上述量子点保护膜10。在使用本实施方式的波长变换片20而制造背光单元时，配置为量子点保护膜10相对于光源而朝向相反侧。
荧光体层14包含树脂及荧光体。荧光体层14的厚度为几十～几百μm。作为上述树脂，能够使用例如光固化性树脂或热固性树脂。荧光体层14优选包含由量子点构成的2个种类的荧光体。另外，荧光体层14也可以是包含1个种类的荧光体的荧光体层和包含其他种类的荧光体的荧光体层层叠大于或等于2层而成的结构。2个种类的荧光体选择激发波长相同的荧光体。激发波长是基于由光源照射的光的波长而选择的。2个种类的荧光体的荧光色相互不同。各荧光色为红色及绿色。各荧光的波长及由光源照射的光的波长是基于滤色片的分光特性而选择的。荧光的峰值波长例如红色为610nm，绿色为550nm。
接下来，对荧光体的颗粒构造进行说明。作为荧光体，特别适合使用发光效率好的核壳型量子点。关于核壳型量子点，作为发光部的半导体晶体核由作为保护膜的壳包覆。例如，核能够使用硒化镉(CdSe)，壳能够使用硫化锌(ZnS)。CdSe的颗粒的表面缺陷由带隙大的ZnS包覆，由此量子产率提高。另外，荧光体可以是核由第1壳及第2壳二重地包覆的结构。在该情况下，核能够使用CdSe，第1壳能够使用硒化锌(ZnSe)，第2壳能够使用ZnS。
荧光体层14可以具有单层结构，即，使将来自光源的光变换为红色或绿色等的荧光体全部分散在单一层中，也可以具有多层结构，即，使各荧光体各自分散于多个层，将这些层进行层叠。
第2量子点保护膜12的构造并不特别受到限制。第2量子点保护膜12可以是例如通过上述的量子点保护膜10的制造工序得到的层叠体(阻挡膜)。即，第2量子点保护膜12可以具有从上述的量子点保护膜10将涂层9去除后的构造。
接下来，参照图6对本实施方式的波长变换片20的制造方法进行说明。作为荧光体层14的形成方法，并不特别受到限定，可举出例如在日本特表2013－544018号说明书中记载的方法。在使荧光体分散于粘合剂树脂，将调制出的荧光体分散液在与第1量子点保护膜10的涂层9相反侧的面(保护层7侧的面)10a上涂敷后，在涂敷面贴合第2量子点保护膜12，将荧光体层14硬化，由此能够制造波长变换片20。另外，相反地，在第2量子点保护膜12的一个面12a上涂敷上述荧光体分散液，在涂敷面以涂层9朝向与荧光体层14相反侧的方式(以保护层7和荧光体层14相对的方式)贴合第1量子点保护膜10，将荧光体层14硬化，由此也能够制造波长变换片20。
另外，在图6中，示出了将荧光体层14由第1及第2量子点保护膜10、12直接封装的结构，但并不限定于此。例如，也可以是独立于荧光体层14而设置对该荧光体层14进行覆盖并封装的封装树脂层。通过设为在第1及第2量子点保护膜10、12之间设置封装树脂层而对荧光体层14进行封装的结构，从而能够提供具有更高的阻挡性的波长变换片。
如以上说明所述，根据本实施方式的波长变换片20，在荧光体层14层叠的一个量子点保护膜(第1量子点保护膜10)具有涂层9，该涂层9具有光学性功能，上述涂层9设置在第1量子点保护膜10的表面，因此能够实现异物的不可视化及微小黑斑(暗点)的不可视化。
另外，根据本实施方式的波长变换片20，使用阻挡性或透明性优异的第1及第2量子点保护膜10、12，因此能够提供可最大限度地发挥量子点的性能的显示器用的背光单元。
并且，根据本实施方式的波长变换片20，使用阻挡性及透明性优异的第1及第2量子点保护膜10、12，从而能够提供与自然更接近的鲜艳的色彩、且色调优异的显示器。
[背光单元]
图7是本发明的一个实施方式所涉及的背光单元的概略剖视图。在图7中，背光单元30具有光源22和上述波长变换片20，隔着上述荧光体层14而配置在与上述光源22相反侧的量子点保护膜是上述第1量子点保护膜。详细地说，背光单元30在波长变换片20的第2量子点保护膜12侧的表面20a上依次配置导光板24及反射板26，光源22配置在上述导光板24的侧方(导光板24的面方向)。
导光板24及反射板26对从光源22照射的光有效地进行反射并进行引导，使用公知的材料。作为导光板24，使用例如丙烯酸、聚碳酸酯及环烯烃膜等。
在光源22中设置有多个发光色为蓝色的发光二极管元件。在从光源22照射的光射入至导光板24(D1方向)后，伴随反射及折射等而射入至荧光体层14(D2方向)。经过荧光体层14的光由于经过荧光体层14前的蓝色光和荧光体被其一部分激发而产生的较长波长的显色光(黄色光、红色光及绿色光等)混合而成为白色光。
实施例
下面，举出实施例对本发明具体地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[量子点保护膜的制作1]
(实施例1)
在双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(基材层3，商品名：“T60”，厚度：25μm，“東レ社”制)的单面上，通过真空蒸镀法而形成氧化硅层(无机薄膜层4，厚度：
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)。并且，在氧化硅层上涂敷烷氧基硅烷和聚乙烯醇构成的组合物并使其干燥，由此形成具有0.3μm的厚度的气体阻挡性包覆层5，得到由基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5构成的层叠体(阻挡膜8)。
接下来，在制作出的上述层叠体的气体阻挡性包覆层5的表面上，涂敷由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和二氧化硅颗粒(商品名：“トスパール120”，平均颗粒径：2.0μm，“モメンティブ·パフォーマンス·マテリアル社”制)20质量部构成的组合物。对覆膜进行加热而使丙烯酸树脂硬化，由此在气体阻挡性包覆层5上形成厚度5μm的涂层9，得到实施例1的量子点保护膜10。实施例1的量子点保护膜10具有图1所示的结构，量子点保护膜10中的由基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5构成的部分相当于保护层7。
(实施例2)
除了将形成涂层9的组合物中的二氧化硅颗粒的添加量设为15质量部以外，通过与实施例1相同的操作而得到实施例2的量子点保护膜10。
(实施例3)
除了将形成涂层9的组合物中的二氧化硅颗粒的添加量设为10质量部以外，通过与实施例1相同的操作而得到实施例3的量子点保护膜10。
(实施例4)
通过与实施例1相同的操作，得到由基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5构成的层叠体(阻挡膜8)。接下来，在上述层叠体的基材层3的表面上涂敷由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和二氧化硅颗粒(商品名：“トスパール120”，平均颗粒径：2.0μm，“モメンティブ·パフォーマンス·マテリアル社”制)20质量部构成的组合物。对覆膜进行加热，使丙烯酸树脂硬化，由此在基材层3上形成厚度5μm的涂层9，得到实施例4的量子点保护膜10。实施例4的量子点保护膜10具有图2所示的结构，上述量子点保护膜10中的由基材层3、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5构成的部分相当于保护层7。
(实施例5)
通过与实施例1相同的操作，得到由第1基材层3A、无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5构成的层叠体(阻挡膜8)。此外，在第1基材层3A中使用与实施例1中的基材层3相同的材料。接下来，在双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(第2基材层3B，商品名：“T60”，厚度：25μm，“東レ社”制)的单面上，涂敷由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和二氧化硅颗粒(商品名：“トスパール120”，平均颗粒径：2.0μm，“モメンティブ·パフォーマンス·マテリアル社”制)20质量部构成的组合物。对覆膜进行加热，使丙烯酸树脂硬化，由此在第2基材层3B上形成厚度5μm的涂层9，得到带涂覆层的基材层。以第2基材层3B的与形成有涂层9的面相反侧的面3c和气体阻挡性包覆层5相对的方式，将上述带涂覆层的基材层和上述层叠体重叠而配置，将这些通过丙烯酸类粘接剂进行贴合，由此得到实施例5的量子点保护膜10。实施例5的量子点保护膜10具有图3所示的结构，上述量子点保护膜10中的由第1基材层3A、无机薄膜层4、气体阻挡性包覆层5及第2基材层3B构成的部分相当于保护层7。
(实施例6)
通过与实施例1相同的操作，得到由基材层3、第1无机薄膜层4i及第1气体阻挡性包覆层5i构成的层叠体。此外，在第1无机薄膜层4i及第1气体阻挡性包覆层5i分别使用与实施例1中的无机薄膜层4及气体阻挡性包覆层5相同的材料。在上述第1气体阻挡性包覆层5i上通过真空蒸镀法而形成氧化硅层(第2无机薄膜层4ii、厚度：
Figure BDA0001397969090000201
)。并且，在第2无机薄膜层4ii上涂敷由烷氧基硅烷和聚乙烯醇构成的组合物，并使其干燥，由此形成具有0.3μm的厚度的第2气体阻挡性包覆层5ii。如上所述，得到由基材层3、第1无机薄膜层4i、第1气体阻挡性包覆层5i、第2无机薄膜层4ii及第2气体阻挡性包覆层5ii构成的层叠体(阻挡膜8)。接下来，在形成第2无机薄膜层4ii及第2气体阻挡性包覆层5ii后的上述层叠体的基材层3的表面上，涂敷由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和二氧化硅颗粒(商品名：“トスパール120”，平均颗粒径：2.0μm，“モメンティブ·パフォーマンス·マテリアル社”制)20质量部构成的组合物。对覆膜进行加热而使丙烯酸树脂硬化，由此在基材层3上形成厚度5μm的涂层9，得到实施例6的量子点保护膜10。实施例6的量子点保护膜10具有图4所示的结构，上述量子点保护膜10中的由基材层3、第1无机薄膜层4i、第1气体阻挡性包覆层5i、第2无机薄膜层4ii及第2气体阻挡性包覆层5ii构成的部分相当于保护层7。
(实施例7)
除了使用由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和丙烯酸颗粒(商品名：“アートパール”，平均颗粒径：32μm，“根上工業社”制)15质量部构成的组合物，在气体阻挡性包覆层5上形成厚度10μm的涂层9以外，通过与实施例1相同的操作而得到实施例7的量子点保护膜。
(对比例1)
除了设置涂层以外，通过实施例1相同的操作而得到对比例1的量子点保护膜。
[量子点保护膜的评价方法1]
对于通过实施例及对比例得到的量子点保护膜，按照下述方法对异物的丰度比、雾度值、总光线透过率、波长450nm的光线透过率(光谱透过率)及表面粗糙度进行了测定。
(异物的丰度比)
将在实施例及对比例中得到的量子点保护膜的涂层侧的面利用甲苯进行清洗，将涂层去除，由此得到量子点保护膜中的保护层。接下来，使用线传感器相机，对保护层中的最大尺寸为100～500μm的异物进行检测，对每单位面积的丰度比进行计算。同样地，对保护层中的最大尺寸为100～300μm的异物进行检测，对每单位面积的丰度比进行计算。并且，对保护层中的平均尺寸为200～500μm的异物进行检测，对每单位面积的丰度比进行计算。
(雾度值)
使用雾度计(商品名：“NDH－2000”，“日本電色工業株式会社”制)对在实施例及对比例中得到的量子点保护膜的雾度值(％)进行了测定。测定条件依照JIS K7361－1。在表1示出雾度值的测定结果。
(总光线透过率)
使用雾度计(商品名：“NDH－2000”，“日本電色工業株式会社”制)对在实施例及对比例中得到的量子点保护膜的总光线透过率(％)进行了测定。测定条件依照JIS K7136。在表1示出总光线透过率的测定结果。
(波长450nm的光线透过率)
使用分光光度计(商品名：“UV－2450”，“島津製作所社”制)对在实施例及对比例中得到的量子点保护膜的、波长450nm的光线透过率(％)进行了测定。在表1示出波长450nm的光线透过率的测定结果。
(表面粗糙度)
使用表面粗糙度测定装置(商品名：“サーフテスト”，“ミツトヨ社”制)依照JISB0601对在实施例及对比例中得到的量子点保护膜的涂层(在对比例1中，为气体阻挡性包覆层)表面的算术平均粗糙度Ra(μm)进行了测定。在表1示出表面粗糙度Ra的测定结果。
[波长变换片的制作1]
准备了在实施例1中得到的量子点保护膜(第1量子点保护膜)和在实施例1中得到的由基材层、无机薄膜层及气体阻挡性包覆层构成的层叠体(第2量子点保护膜)。接下来，将具有由硫化锌(ZnS)包覆硒化镉(CdSe)的颗粒而成的核壳构造的荧光体(商品名：“CdSe/ZnS 530”，“SIGMA－ALDRICH社”制)分散于溶剂并进行浓度调整，由此对荧光体分散液进行了调制。将上述荧光体分散液与环氧树脂类感光性树脂混合，得到荧光体组合物。在第2量子点保护膜的气体阻挡性包覆层上涂敷荧光体组合物，形成具有100μm的厚度的荧光体层。
在荧光体层上，以与涂层(在对比例1中为气体阻挡性包覆层)相反侧的面与荧光体层相对的方式配置而层叠第1量子点保护膜后，通过UV照射而使荧光体层(感光性树脂)硬化，由此得到使用实施例1的量子点保护膜的波长变换片。
另外，除了作为第1量子点保护膜而使用在实施例2～5及7中得到的量子点保护膜以外，以与实施例1同样的方式，得到使用实施例2～5及7的量子点保护膜的波长变换片。
另外，除了作为第1量子点保护膜而使用在实施例6中得到的量子点保护膜，作为第2量子点保护膜而使用在实施例6中得到的由基材层、第1无机薄膜层、第1气体阻挡性包覆层、第2无机薄膜层及第2气体阻挡性包覆层构成的层叠体以外，以与实施例1同样的方式，得到使用实施例6的量子点保护膜的波长变换片。
另外，除了作为第1量子点保护膜而使用在对比例1中得到的量子点保护膜，在荧光体层上以气体阻挡性包覆层朝向与荧光体层相反侧的方式配置而层叠第1量子点保护膜以外，以与实施例1同样的方式，得到使用对比例1的量子点保护膜的波长变换片。
[波长变换片的评价方法1]
对于所得到的波长变换片，按照下述方法对有无伴随异物等的显示上的缺陷进行了测定。
(有无伴随异物等的显示上的缺陷)
将得到的波长变换片在温度85℃的环境下暴露了1000小时。对暴露后的波长变换片从第2量子点保护膜侧照射蓝色光，从第1量子点膜侧通过目视对透过光进行确认，按照下述基准对有无伴随异物、伤痕、皱折及黑斑等的显示上的缺陷进行了评价。在表1示出评价结果。
A：不存在通过目视确认到的缺陷。
B：通过目视确认到的透过光的稍微的波动，但没有判断为缺陷。
C：存在通过目视确认到的缺陷。
[表1]
Figure BDA0001397969090000231
如表1所示，在使用实施例1～7的量子点保护膜的波长变换片中，尽管保护层具有异物，也没有确认到显示上的缺陷。但是，在实施例7中，涂层表面中的丙烯酸颗粒的露出部分大，有可能对导光板造成损伤。另一方面，在使用对比例1的量子点保护膜而得到的波长变换片中，确认到显示上的缺陷。
[量子点保护膜的制作2]
(实施例8)
在作为第1基材层3A的厚度25μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面，作为第1无机薄膜层4A而通过电子束加热式的真空蒸镀法将氧化硅设为0.03μm的厚度，将设置有第1无机薄膜层4A的第1基材层3A利用纯水进行清洗，并且将包含四乙氧基硅烷和聚乙烯醇的涂液通过湿涂覆法涂敷在清洗后的第1无机薄膜层4A上，形成0.6μm的厚度的第1气体阻挡性包覆层5A。由此，得到在第1基材层3A的一个面上设置有由第1无机薄膜层4A及第1气体阻挡性包覆层5A构成的0.6μm的第1阻挡层6A的第1阻挡膜8A。另一方面，通过相同的操作，得到在第2基材层3B的一个面上设置有由第2无机薄膜层4B及第2气体阻挡性包覆层5B构成的0.6μm的第2阻挡层6B的第2阻挡膜8B。将第1阻挡膜8A及第2阻挡膜8B卷绕为辊状。
接下来，在从辊抽出的第2阻挡膜8B的第2基材层3B的表面上，涂敷由丙烯酸树脂(商品名：“アカリディック”，“DIC社”制)100质量部和二氧化硅颗粒(商品名：“トスパール120”，平均颗粒径：2.0μm，“モメンティブ·パフォーマンス·マテリアル社”制)15质量部构成的组合物。对覆膜进行加热而使丙烯酸树脂硬化，由此在第2基材层3B上形成厚度5μm的涂层9，得到带涂层的阻挡膜。
接下来，将带涂层的阻挡膜和第1阻挡膜8A以第2气体阻挡性包覆层5B和第1气体阻挡性包覆层5A相对的方式经由2液硬化型环氧树脂粘接剂进行贴合，由此得到实施例8的量子点保护膜10。实施例8的量子点保护膜10具有图5所示的结构，上述量子点保护膜10中的由第1基材层3A、第1无机薄膜层4A、第1气体阻挡性包覆层5A、第2无机薄膜层4B、第2气体阻挡性包覆层5B及第2基材层3B构成的部分(包含粘接层)相当于保护层7。通过相同的操作，准备了2片实施例8的量子点保护膜10。此外，得到的量子点保护膜10的雾度值为40％。
(实施例9)
除了在将第1阻挡膜8A和第2阻挡膜8B贴合的粘接层使用丙烯酸类粘接剂以外，通过实施例8的操作，准备了2片实施例8的量子点保护膜10。此外，得到的量子点保护膜10的雾度值为40％。
(对比例2)
除了在第1阻挡膜8A的制造中不对设置了无机薄膜层4A的基材层3A进行清洗，在无机薄膜层4A上形成气体阻挡性包覆层5A，在第2阻挡膜8B的制造中，不对设置了无机薄膜层4B的基材层3B进行清洗，在无机薄膜层4B上形成气体阻挡性包覆层5B以外，通过与实施例8相同的操作，准备出2片对比例2的量子点保护膜。此外，得到的量子点保护膜的雾度值为40％。
[波长变换片的制作2]
将作为量子点的CdSe/ZnS530(商品名，“SIGMA－ALDRICH社”制)与环氧类感光性树脂混合而得到荧光体组合物。将荧光体组合物涂敷在通过实施例8得到的第1片量子点保护膜10的没有形成涂层9的一侧的面(第1基材层3A)上，在涂敷面上以上述涂敷面和第1基材层3A相对的方式层叠第2片量子点保护膜10，进行UV硬化层压，由此得到使用实施例8的量子点保护膜10的波长变换片。
[量子点保护膜的评价方法2]
使用具备具有反射和透过这2个系统的联机照相机(In-line camera)的外观检查机，针对在实施例8及9以及对比例2的量子点保护膜的制造时使用的涂层形成前的保护层约1000m2，对保护层中的最大尺寸及平均尺寸为100～700μm的异物进行检测，对按照最大尺寸及平均尺寸的每单位面积的丰度比进行计算。
使用上述的外观检查机对在实施例8中制造量子点保护膜时使用的阻挡膜的阻挡层形成面侧的最大尺寸及平均尺寸为100～700μm的异物进行检测，对按照最大尺寸及平均尺寸的每单位面积的丰度比进行计算。在表2示出异物的丰度比的评价结果。
[波长变换片的评价方法2]
(水蒸气透过度)
将在实施例及对比例中得到的量子点保护膜在85℃的空气中暴露1000小时，分别准备了暴露前后的量子点保护膜。关于水蒸气透过度，通过依照JIS K 7129的红外线传感器法的方法，对在实施例及对比例中得到的高温环境暴露前后的量子点保护膜的水蒸气透过度进行了测定。在表1示出高温环境暴露前后的水蒸气透过度的测定结果。在水蒸气透过度的测定时使用水蒸气透过率测定装置(商品名：“Permatran”，“MOCON社”制)。将透过单元的温度设为40℃，高湿度腔室的相对湿度设为90％RH，低湿度腔室的相对湿度设为0％RH。
(有无伴随异物等的显示上的缺陷)
将得到的波长变换片在温度85℃的环境下暴露1000小时。对暴露后的波长变换片从第1片量子点保护膜侧照射蓝色光，从第2片量子点膜侧通过目视对透过光进行确认，按照下述基准对有无伴随异物、伤痕、皱折及黑斑等的显示上的缺陷进行了评价。在表2示出评价结果。
A：不存在通过目视确认到的缺陷。
B：通过目视确认到的透过光的稍微的波动，但没有判断为缺陷。
C：存在通过目视确认到的缺陷。
[表2]
Figure BDA0001397969090000261
如表2所示，在使用实施例8的量子点保护膜的波长变换片中，尽管保护层具有异物，也没有确认到显示上的缺陷。另一方面，在使用对比例2的量子点保护膜而得到的波长变换片中，保护层中的异物稍多，确认到显示上的缺陷。此外，在对比例2中，与实施例8及9相比在保护层中具有较多异物，因此水蒸气透过度也稍微降低，但是实际使用时不存在问题的程度的降低。如上所述，在图像显示装置中使用的阻挡膜与仅需要气体阻挡性的通常的阻挡膜相比，更严格地管理异物的存在，但根据本发明，保护层即使具有一定数量的异物，也能够减少显示上的缺陷，能够提供可适用于图像显示装置的量子点保护膜。
标号的说明
3、3A、3B…基材层，4、4i、4ii、4A、4B…无机薄膜层，5、5i、5ii、5A、5B…气体阻挡性包覆层，6、6i、6ii、6A、6B…阻挡层，7…保护层，8、8A、8B…阻挡膜，9…涂层，10…(第1)量子点保护膜，12…第2量子点保护膜，14…荧光体层，20…波长变换片，30…背光单元。

Claims (9)

1.一种量子点保护膜，其用于对荧光体进行封装，
该量子点保护膜具有：
保护层，其具有最大尺寸为100～500μm的异物；以及涂层，其形成在该保护层的一个面上，
所述保护层中的所述最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～5.0个/m2，
雾度值大于或等于20％。
2.根据权利要求1所述的量子点保护膜，其中，
所述保护层具有最大尺寸为100～300μm的异物，所述最大尺寸为100～300μm的异物的丰度比为0.1～2.0个/m2。
3.根据权利要求1或2所述的量子点保护膜，其中，
所述保护层具有平均尺寸为200～500μm的异物，所述平均尺寸为200～500μm的异物的丰度比小于或等于3.0个/m2。
4.根据权利要求1所述的量子点保护膜，其中，
所述保护层包含阻挡膜，该阻挡膜是将基材层和阻挡层层叠而成的，
所述阻挡膜中的所述最大尺寸为100～500μm的异物的丰度比为0.01～2.0个/m2。
5.根据权利要求1所述的量子点保护膜，其中，
总光线透过率大于或等于80％。
6.根据权利要求1所述的量子点保护膜，其中，
450nm下的光谱透过率大于或等于70％。
7.根据权利要求1所述的量子点保护膜，其中，
所述涂层的与所述保护层相反侧的面中的表面粗糙度(Ra)大于或等于0.2μm。
8.一种波长变换片，其具有荧光体层和对该荧光体层进行封装的第1及第2量子点保护膜，
至少所述第1量子点保护膜是配置为所述保护层与所述荧光体层相对的权利要求1至7中任一项所述的量子点保护膜。
9.一种背光单元，其具有由蓝色LED构成的光源和权利要求8所述的波长变换片，
在所述波长变换片中，隔着所述荧光体层而配置在与所述光源相反侧的量子点保护膜是所述第1量子点保护膜。
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