JP7117517B2 - 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ - Google Patents
波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7117517B2 JP7117517B2 JP2020561169A JP2020561169A JP7117517B2 JP 7117517 B2 JP7117517 B2 JP 7117517B2 JP 2020561169 A JP2020561169 A JP 2020561169A JP 2020561169 A JP2020561169 A JP 2020561169A JP 7117517 B2 JP7117517 B2 JP 7117517B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- wavelength conversion
- conversion member
- substrate
- filler particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 159
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 242
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 208
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 187
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 179
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 116
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 105
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 80
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 28
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 23
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 12
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 2
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
- G03B21/2033—LED or laser light sources
- G03B21/204—LED or laser light sources using secondary light emission, e.g. luminescence or fluorescence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
- F21V7/24—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
- F21V7/26—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material the material comprising photoluminescent substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
溶液成長法によって基板の上に無機結晶のマトリクスを形成したとき、得られた波長変換部材の温度が高いことがある。波長変換部材を使用したとき、波長変換部材の温度が上昇することもある。このとき、波長変換部材の温度が低下すると、基板及びマトリクスのそれぞれが収縮する。波長変換部材において、基板の線膨張係数がマトリクスの線膨張係数と異なるとき、基板の収縮の度合いは、マトリクスの収縮の度合いと異なる。そのため、波長変換部材の温度が低下することによって、基板とマトリクスとの間に応力が生じる。これにより、基板に反りが生じることがある。特に、基板において、マトリクスが形成されるべき領域の面積が大きい場合、基板の反りが大きくなりやすい。例えば、特許文献1に開示されている波長変換素子では、基板に反りが生じることがある。
図1は、実施形態1の波長変換部材100の概略断面図である。図1に示すように、波長変換部材100は、基板10及び蛍光体部20を備えている。基板10は、蛍光体部20を支持している。蛍光体部20は、基板10の上に配置されている。蛍光体部20は、マトリクス21、蛍光体22及び複数のフィラー粒子23を有する。蛍光体22は、例えば、複数の粒子122よりなる。蛍光体22の粒子122及び複数のフィラー粒子23のそれぞれは、マトリクス21に埋め込まれている。言い換えれば、蛍光体22の粒子122及び複数のフィラー粒子23のそれぞれは、マトリクス21に分散されている。蛍光体22の粒子122及び複数のフィラー粒子23のそれぞれは、マトリクス21に囲まれている。
上記の式において、P1は、蛍光体部20の体積に対するマトリクス21の体積の比率である。P2は、蛍光体部20の体積に対するフィラー粒子23の合計体積の比率である。P3は、蛍光体部20の体積に対する蛍光体22の体積の比率である。
図5は、実施形態2にかかる波長変換部材110の概略断面図である。図5に示すように、波長変換部材110の蛍光体22は、ブロック222の形状を有している。蛍光体部20に含まれた複数の蛍光体22のうち、一部の蛍光体22が蛍光体部20から部分的に露出している。以上を除き、波長変換部材110の構造は、実施形態1の波長変換部材100の構造と同じである。したがって、実施形態1の波長変換部材100と本実施形態の波長変換部材110とで共通する要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略することがある。すなわち、以下の各実施形態に関する説明は、技術的に矛盾しない限り、相互に適用されうる。さらに、技術的に矛盾しない限り、各実施形態は、相互に組み合わされてもよい。
実施形態2の波長変換部材110において、複数の蛍光体22は、規則的に並んでいてもよい。図6は、実施形態3にかかる波長変換部材120の概略断面図である。図6に示すように、波長変換部材120では、複数の蛍光体22は、蛍光体部20の厚さ方向と直交する方向に等間隔で並んでいる。蛍光体22の上面及び下面は、蛍光体部20の厚さ方向と直交する方向に延びていてもよい。蛍光体22の上面及び下面は、互いに平行であってもよい。蛍光体22の側面は、蛍光体部20の厚さ方向に延びていてもよい。蛍光体22の側面は、互いに平行であってもよい。
図7は、実施形態4にかかる波長変換部材130の概略断面図である。図7に示すように、波長変換部材130の蛍光体部20は、1つの蛍光体22を有している。蛍光体22の形状は、例えば、板状である。板状の蛍光体22のサイズは、蛍光体の粒子122のサイズより大きくてもよい。以上を除き、波長変換部材130の構造は、実施形態1にかかる波長変換部材100の構造と同じである。
実施形態4にかかる波長変換部材130において、複数の孔22aは、貫通孔でなくてもよい。図8は、実施形態5にかかる波長変換部材140の概略断面図である。図8に示すように、波長変換部材140において、複数の孔22aのそれぞれは、蛍光体22の下面のみに開口しており、上面には開口していない。複数の孔22aは、蛍光体22の上面のみに開口し、下面には開口していなくてもよい。
図9は、実施形態にかかる光学装置200の概略断面図である。図9に示すように、光学装置200は、波長変換部材100及び励起光源40を備えている。励起光源40は、励起光を放射する。波長変換部材100は、励起光源40から放射された励起光が進む光路上に配置されている。励起光源40と波長変換部材100の基板10との間に波長変換部材100の蛍光体部20が位置している。光学装置200は、反射型光学装置である。波長変換部材100に代えて、図5を参照して説明した波長変換部材110、図6を参照して説明した波長変換部材120、図7を参照して説明した波長変換部材130及び図8を参照して説明した波長変換部材140も使用可能である。波長変換部材100、110、120、130、140の組み合わせを光学装置200に使用することも可能である。
蛍光体部20は、励起光源40と波長変換部材100の基板10との間に位置していなくてもよい。図10は、変形例にかかる光学装置210の概略断面図である。図10の光学装置210において、励起光源40は、波長変換部材100の基板10に向かい合っている。光学装置210において、基板10は、励起光に対して透光性を有する。励起光は、基板10を透過して蛍光体部20に到達する。光学装置210は、透過型光学装置である。
図11は、別の変形例にかかる光学装置220の概略断面図である。図11に示すように、本変形例の光学装置220は、複数の励起光源40及び波長変換部材100を備えている。図11では、波長変換部材100の蛍光体部20は、複数の励起光源40のそれぞれと波長変換部材100の基板10との間に位置している。複数の励起光源40は、波長変換部材100の蛍光体部20に向かい合っている。光学装置220は、プロジェクタの用途に適している。
図13は、本実施形態にかかるプロジェクタ500の概略構成図である。図13に示すように、プロジェクタ500は、光学装置220、光学ユニット300及び制御部400を備える。光学ユニット300は、光学装置220から放射された光を変換し、プロジェクタ500の外部の対象物に画像又は映像を投射する。対象物としては、例えば、スクリーンが挙げられる。光学ユニット300は、集光レンズ70、ロッドインテグレータ71、レンズユニット72、表示素子73及び投射レンズ74を備える。
図15は、本実施形態にかかる照明装置600の概略構成図である。図15に示すように、照明装置600は、光学装置200及び光学部品80を備えている。光学装置200に代えて、図10を参照して説明した光学装置210も使用可能である。光学部品80は、光学装置200から放射された光を前方に導くための部品であり、具体的には、リフレクタである。光学部品80は、例えば、Al、Agなどの金属膜又は表面に誘電体層が形成されたAl膜を有する。光学装置200の前方には、フィルタ81が設けられていてもよい。フィルタ81は、光学装置200の励起光源からのコヒーレントな青色光が直接外部に出ないように、青色光を吸収又は散乱させる。照明装置600は、いわゆるリフレクタータイプであってもよく、プロジェクタータイプであってもよい。照明装置600は、例えば、車両用ヘッドランプである。
(サンプル1~5)
サンプル1~5のフィラー粒子を準備した。サンプル1のフィラー粒子は、アルミナでできていた。サンプル1のフィラー粒子の線膨張係数は、7.5ppm/Kであった。サンプル2のフィラー粒子は、ポリスチレンでできていた。サンプル2のフィラー粒子の線膨張係数は、65ppm/Kであった。サンプル3のフィラー粒子は、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)でできていた。サンプル3のフィラー粒子の線膨張係数は、70ppm/Kであった。サンプル4のフィラー粒子は、シリコーンゴムでできたコア、及び、シリコーンゴム以外の他のシリコーン樹脂でできたシェルで構成されたシリコーン複合粒子であった。サンプル4のフィラー粒子の線膨張係数は、286ppm/Kであった。サンプル5のフィラー粒子は、シリコーンゴムでできていた。サンプル5のフィラー粒子の線膨張係数は、300ppm/Kであった。
サンプル1~5のフィラー粒子のそれぞれについて、450nmの波長の光に対する吸収率、及び、550nmの波長の光に対する吸収率を測定した。吸収率の測定には、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製のC9920-02G)を用いた。吸収率の測定には、合成石英でできたシャーレを用いた。シャーレの底面は、平面視で円の形状を有していた。平面視でのシャーレの底面の直径は、約17mmであった。シャーレの厚さは、約5mmであった。シャーレは、蓋を備えていた。測定の結果を表5に示す。
サンプル1から5のフィラー粒子のそれぞれを周囲温度200℃で24時間加熱した。加熱した後のフィラー粒子について、上記と同様の方法で、450nmの波長の光に対する吸収率、及び、550nmの波長の光に対する吸収率を測定した。測定の結果を表5に示す。
サンプル1から5のフィラー粒子のそれぞれを周囲温度240℃で24時間加熱した。加熱した後のフィラー粒子について、上記と同様の方法で、450nmの波長の光に対する吸収率、及び、550nmの波長の光に対する吸収率を測定した。測定の結果を表5に示す。
(比較例1)
次の方法によって、比較例1の波長変換部材を作製した。まず、反射層を備えた基板本体を準備した。基板本体としては、アルミニウム基板を用いた。基板本体は、円板の形状を有していた。基板本体は、基板本体を厚さ方向に貫通する貫通孔を有していた。貫通孔は、平面視で円形状を有していた。貫通孔は、基板本体の外周面によって規定された仮想円の中心に位置していた。基板本体の厚さは、1.0mmであった。平面視での基板本体の直径は、65mmであった。平面視での貫通孔の直径は、25mmであった。基板本体の線膨張係数は、23ppm/Kであった。次に、基板本体の上に、結晶性のZnO薄膜を形成した。ZnO薄膜は、平面視でリングの形状を有していた。基板本体の外周面によって規定された仮想円の中心は、ZnO薄膜の外周面によって規定された仮想円の中心と一致していた。ZnO薄膜の外周面によって規定された仮想円の直径は、62mmであった。ZnO薄膜の内周面によって規定された仮想円の直径は、52mmであった。
蛍光体の粒子とともに、サンプル3のフィラー粒子をZnO薄膜の上に配置したことを除き、比較例1と同じ方法によって実施例1の波長変換部材を得た。実施例1の波長変換部材において、蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の合計体積の比率P2は、0.029であった。このとき、蛍光体の粒子の合計体積V1とフィラー粒子の合計体積V2とにより求められるV2/(V1+V2)の値は、0.05であった。実施例1の波長変換部材において、蛍光体部の厚さは、60μmであった。実施例1の波長変換部材に含まれるマトリクスの線膨張係数は、3.5ppm/Kであった。
蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率P2を0.081に調節したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施例2の波長変換部材を得た。このとき、V2/(V1+V2)の値は、0.14であった。さらに、実施例1と同じ方法によって、実施例2の波長変換部材について、基板の反りの度合いを算出した。算出の結果を表6に示す。
蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率P2を0.161に調節したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施例3の波長変換部材を得た。このとき、V2/(V1+V2)の値は、0.28であった。さらに、実施例1と同じ方法によって、実施例3の波長変換部材について、基板の反りの度合いを算出した。算出の結果を表6に示す。
次に、蛍光体部の線膨張係数が基板の線膨張係数と等しい場合における、蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率を算出した。
まず、基板本体として、アルミニウム基板を用いることを想定した。アルミニウム基板の線膨張係数は、23ppm/Kであった。蛍光体として、YAGを用いることを想定した。YAGの線膨張係数は、8ppm/Kであった。マトリクスとして、ZnOを用いることを想定した。ZnOの線膨張係数は、3.5ppm/Kであった。フィラー粒子として、サンプル3のフィラー粒子を用いることを想定した。サンプル3のフィラー粒子の線膨張係数は、70ppm/Kであった。
基板本体として、ステンレス鋼(SUS430)を用いることを想定したことを除き、計算例1と同じ方法によって計算例2の計算を行った。SUS430の線膨張係数は、10.4ppm/Kであった。蛍光体部の線膨張係数が基板の線膨張係数と等しい場合における、蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率P2は、0.070であった。このとき、V2/(V1+V2)の値は、0.122であった。
フィラー粒子として、サンプル5のフィラー粒子を用いることを想定したことを除き、計算例1と同じ方法によって計算例3の計算を行った。サンプル5のフィラー粒子の線膨張係数は、300ppm/Kであった。蛍光体部の線膨張係数が基板の線膨張係数と等しい場合における、蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率P2は、0.058であった。このとき、V2/(V1+V2)の値は、0.101であった。
基板本体として、ステンレス鋼(SUS430)を用いることを想定したことを除き、計算例3と同じ方法によって計算例4の計算を行った。蛍光体部の線膨張係数が基板の線膨張係数と等しい場合における、蛍光体部の体積に対するフィラー粒子の体積の比率P2は、0.015であった。このとき、V2/(V1+V2)の値は、0.025であった。
11 基板本体
12 薄膜
20 蛍光体部
21 マトリクス
22 蛍光体
23 フィラー粒子
40 励起光源
100,110,120,130,140 波長変換部材
200,210,220 光学装置
500 プロジェクタ
600 照明装置
Claims (12)
- 基板と、
前記基板に支持されてかつ無機材料を含むマトリクスと、
前記マトリクスに埋め込まれた蛍光体と、
前記マトリクスに埋め込まれたフィラー粒子と、
を備え、
前記フィラー粒子の線膨張係数は25ppm/K以上790ppm/K以下であり、かつ、前記マトリクスの線膨張係数よりも大きい、波長変換部材。 - 前記基板の線膨張係数は、前記マトリクスの前記線膨張係数より大きく、かつ、前記フィラー粒子の前記線膨張係数より小さい、請求項1に記載の波長変換部材。
- 前記マトリクスの前記線膨張係数は9.8ppm/K以下である、請求項1又は2に記載の波長変換部材。
- 前記基板の線膨張係数は9.9ppm/K以上17.8ppm/K以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 前記フィラー粒子は、シロキサン結合を有する高分子化合物を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 前記フィラー粒子はゴム弾性を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 550nmの波長の光に対する前記フィラー粒子の吸収率が25%以下である、請求項1から6のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 前記マトリクスは無機結晶を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 前記無機結晶は酸化亜鉛を含む、請求項8に記載の波長変換部材。
- 前記酸化亜鉛はc軸に配向している、請求項9に記載の波長変換部材。
- 請求項1から10のいずれか1項に記載の波長変換部材と、
前記波長変換部材に励起光を照射する励起光源と、
を備えた光学装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の波長変換部材を備えたプロジェクタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018236356 | 2018-12-18 | ||
JP2018236356 | 2018-12-18 | ||
PCT/JP2019/039322 WO2020129358A1 (ja) | 2018-12-18 | 2019-10-04 | 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020129358A1 JPWO2020129358A1 (ja) | 2021-10-21 |
JP7117517B2 true JP7117517B2 (ja) | 2022-08-15 |
Family
ID=71100738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020561169A Active JP7117517B2 (ja) | 2018-12-18 | 2019-10-04 | 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11329198B2 (ja) |
JP (1) | JP7117517B2 (ja) |
CN (1) | CN113195971B (ja) |
DE (1) | DE112019006277T5 (ja) |
WO (1) | WO2020129358A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022021853A (ja) | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材及び発光装置 |
CN114316978A (zh) | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 日亚化学工业株式会社 | 波长转换构件及发光装置 |
DE102022132170A1 (de) | 2022-12-05 | 2024-06-06 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Bilderzeugungseinrichtung mit einer weißes Laserlicht abgebenden Beleuchtungseinheit und Kopf-Oben-Anzeigevorrichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017198982A (ja) | 2016-04-20 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材、光源、及び車両用ヘッドランプ |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5940079B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2016-06-29 | ナノシス・インク. | ディスプレイバックライトユニット及びディスプレイバックライトユニットの形成方法 |
JP5799712B2 (ja) | 2011-09-28 | 2015-10-28 | カシオ計算機株式会社 | 蛍光体ホイール、光源装置及びプロジェクター |
DE112013002508B4 (de) | 2012-05-16 | 2020-09-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wellenlängen-Umwandlungselement, Verfahren zu seiner Herstellung und LED-Element und Laserlicht emittierendes Halbleiterbauteil, die das Wellenlängen-Umwandlungselement verwenden |
WO2013175773A1 (ja) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置 |
JP6192903B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2017-09-06 | シャープ株式会社 | 光源装置、照明装置および車両用前照灯 |
JP2014105313A (ja) | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体を含有する熱硬化性シリコーン組成物の製造方法および波長変換コンポーネントの製造方法 |
WO2014162893A1 (ja) | 2013-04-01 | 2014-10-09 | 旭硝子株式会社 | 光変換部材、その製造方法、照明光源および液晶表示装置 |
CN105555729A (zh) * | 2013-09-18 | 2016-05-04 | 旭硝子株式会社 | 带低反射膜的强化玻璃板及其制造方法 |
JP6357835B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-07-18 | ソニー株式会社 | 発光素子、光源装置およびプロジェクタ |
JP6202023B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2017-09-27 | 大日本印刷株式会社 | 積層体及び画像表示装置 |
JP2017028251A (ja) | 2015-07-23 | 2017-02-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材、光源装置、照明装置車両、および波長変換部材の製造方法 |
JP2017043682A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | デクセリアルズ株式会社 | 波長変換部材、蛍光体シート、白色光源装置、及び表示装置 |
WO2017047412A1 (ja) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及び発光デバイス |
JP6740616B2 (ja) | 2015-09-15 | 2020-08-19 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及び発光デバイス |
JP6754200B2 (ja) | 2016-03-09 | 2020-09-09 | 古河電気工業株式会社 | ネットワークシステム、通信装置、および、通信方法 |
JP2018013681A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及び発光デバイス |
WO2018159268A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材、光源及び照明装置 |
JP2018159742A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
EP4159826A1 (en) * | 2018-07-27 | 2023-04-05 | Materion Corporation | Reflective color correction for phosphor illumination systems |
-
2019
- 2019-10-04 US US17/414,877 patent/US11329198B2/en active Active
- 2019-10-04 WO PCT/JP2019/039322 patent/WO2020129358A1/ja active Application Filing
- 2019-10-04 CN CN201980082187.5A patent/CN113195971B/zh active Active
- 2019-10-04 JP JP2020561169A patent/JP7117517B2/ja active Active
- 2019-10-04 DE DE112019006277.8T patent/DE112019006277T5/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017198982A (ja) | 2016-04-20 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換部材、光源、及び車両用ヘッドランプ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113195971B (zh) | 2024-03-08 |
CN113195971A (zh) | 2021-07-30 |
WO2020129358A1 (ja) | 2020-06-25 |
US11329198B2 (en) | 2022-05-10 |
JPWO2020129358A1 (ja) | 2021-10-21 |
DE112019006277T5 (de) | 2021-10-14 |
US20220059729A1 (en) | 2022-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7117517B2 (ja) | 波長変換部材、光学装置及びプロジェクタ | |
JP6937489B2 (ja) | 波長変換部材、光源及び照明装置 | |
JP5966501B2 (ja) | 波長変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置 | |
US9835310B2 (en) | Wave-length conversion inorganic member, and method for manufacturing the same | |
JP6347393B2 (ja) | 変換素子、コンポーネントおよびコンポーネントを製造するための方法 | |
JP5966529B2 (ja) | 波長変換用無機成形体及び発光装置 | |
US11130909B2 (en) | Wavelength conversion member, light source, illumination device, and method for manufacturing wavelength conversion member | |
JP6982745B2 (ja) | 波長変換部材及び光源 | |
JP7113277B2 (ja) | 波長変換部材及びそれを用いた光源装置、プロジェクタならびに車両 | |
JP7245980B2 (ja) | 波長変換部材、光学装置、プロジェクタ及び波長変換部材の製造方法 | |
WO2020100479A1 (ja) | 蛍光体粒子、波長変換部材、発光装置及び蛍光体粒子の製造方法 | |
US20220100068A1 (en) | Wavelength conversion member and projector | |
WO2020012923A1 (ja) | 光源装置、プロジェクタ及び車両 | |
TW202327112A (zh) | 光學元件用窗材、光學元件封裝體用蓋、光學元件封裝體及光學裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220606 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7117517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |