JP6975122B2 - 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 - Google Patents

樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6975122B2
JP6975122B2 JP2018208966A JP2018208966A JP6975122B2 JP 6975122 B2 JP6975122 B2 JP 6975122B2 JP 2018208966 A JP2018208966 A JP 2018208966A JP 2018208966 A JP2018208966 A JP 2018208966A JP 6975122 B2 JP6975122 B2 JP 6975122B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength conversion
resin
resin composition
conversion film
copolymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018208966A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020075971A (ja
Inventor
義弘 野島
伸司 青木
一也 鳶島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2018208966A priority Critical patent/JP6975122B2/ja
Priority to US17/285,781 priority patent/US11749785B2/en
Priority to CN201980072442.8A priority patent/CN112969755B/zh
Priority to PCT/JP2019/040395 priority patent/WO2020095629A1/ja
Priority to KR1020217012212A priority patent/KR20210088552A/ko
Priority to TW108140036A priority patent/TWI837211B/zh
Publication of JP2020075971A publication Critical patent/JP2020075971A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6975122B2 publication Critical patent/JP6975122B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/14Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/011Nanostructured additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

本発明は、量子ドットを含む樹脂組成物及びそれを用いた波長変換材料、波長変換フィルム、バックライトユニット、画像表示装置に関する。
粒子径がナノサイズである半導体結晶粒子は量子ドットと呼ばれ、光吸収により生じた励起子がナノサイズの領域に閉じ込められることにより、半導体結晶粒子のエネルギー準位が離散的となり、またそのバンドギャップは、粒子径により変化する。これらの効果により量子ドットの蛍光発光は、一般的な蛍光体と比較して高輝度かつ高効率で、その発光波長の分布はシャープである。
また、量子ドットは、その粒子径によりバンドギャップが変化するという特性から、発光波長を制御できるという特徴を有しており、固体照明やディスプレイの波長変換材料としての応用が期待されている。例えば、ディスプレイに量子ドットを波長変換材料として用いることで、従来の蛍光体材料よりも広色域化、低消費電力が実現できる。
特許文献1には、量子ドットを波長変換材料として用いる実装方法として、量子ドットを樹脂材料中に分散させ、透明フィルムで量子ドットを含有した樹脂材料をラミネートすることで、波長変換フィルムとしてバックライトユニットに組み込む方法が提案されている。
さらに、量子ドットをLEDの波長変換材料として用いることで、従来の蛍光体材料よりも演色性の向上、低消費電力が実現できる。量子ドットを波長変換材料として用いる実装方法として、ディスプレイ及び固体照明に用いるLED素子として、量子ドットを含有した蛍光体層と青色LEDを組み合わせた方法が報告されている(特許文献2)。
特表2013−544018号公報 特表2002−510866号公報 国際公開第2011−081037号 特許第5900720号公報
しかしながら、量子ドットは粒子径がナノメートルサイズと小さいため、比表面積が大きい。そのため、表面エネルギーが高く表面活性であることから、不安定化しやすい。量子ドット表面のダングリングボンドや酸化反応などにより表面欠陥が生じ易く、これが蛍光発光特性の劣化の原因となる。これらは特に、カドミウムフリーの量子ドットやペロブスカイト型の量子ドットで問題となっている。現在得られている量子ドットには、このような安定性に関する問題があり、熱や湿度、光励起などにより、発光特性の劣化を引き起こし悪影響を及ぼすという問題がある。
量子ドットの発光特性の経時変化は、ディスプレイにおいて色ムラや発光ムラ、ドット落ちなどの欠陥になるため、量子ドットの安定性は重要な問題である。
このような問題に対し、ポリマーや無機酸化物等で量子ドット表面を被覆させる方法(特許文献3)や、酸素・湿気透過性の低いガスバリア性フィルムを用いることにより量子ドットの安定性を向上させる方法(特許文献4)が提案されている。
しかしながら、特許文献3に記載されるような、安定性を向上させるための量子ドット表面の被覆を行う工程において、量子ドットの発光特性を維持できず、特性の劣化が起こることが問題となっている。
また、特許文献4に記載されるようなバリアフィルムによる安定化についても、フィルム端面からの酸素・水蒸気の拡散による劣化が進行するという問題がある。さらに、タブレットやスマートフォンなどのモバイル用途では波長変換フィルムの薄膜化が求められるが、一般的にバリアフィルムは20〜200μm程度の厚さがあり、フィルム両面を保護しようとすると、厚さが少なくとも40μm以上厚くなってしまうため、波長変換フィルムの厚さを薄くすることに限界が生じていた。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、量子ドットの安定性を向上することのできる樹脂組成物を提供することを目的とする。さらに、前記樹脂組成物を用いた、波長変換材料、波長変換フィルム、さらに、当該波長変換フィルムを使用した、バックライトユニット及び画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含む樹脂組成物であって、前記ベース樹脂が含フッ素樹脂を含む樹脂組成物を提供する。
このような樹脂組成物によれば、量子ドットの安定性が飛躍的に向上されたものとなる。
このとき、前記含フッ素樹脂が、フッ素重合体、フッ素環状化合物、フッ素共重合体から選ばれた少なくとも一つである樹脂組成物とすることができる。
また、前記含フッ素樹脂が、下記一般式1から7から選ばれた少なくとも一つの構造単位を有する樹脂組成物とすることができる。
(−CF−CF−) (1)
(−CF−CF(O−R)−)
(但し、Rはパーフルオロアルキル基である。) (2)
(−CF−CFCl−) (3)
(−CF−CF(CF)−) (4)
(−CF−CF−) (5)
(−CF−CHF−) (6)
Figure 0006975122
(7)
これにより、量子ドットの安定性がより向上されたものとなる。
このとき、前記含フッ素樹脂が、前記一般式1から7から選ばれた少なくとも1つの構造単位を有する共重合体であり、該共重合体がブロック共重合体、交互共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれかである樹脂組成物とすることができる。
これにより、量子ドットの安定性がさらに向上されたものとなる。
このとき、前記含フッ素樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テトラフルオロエチレン・パーフルプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体、フルオロオレフィン・アクリル酸エステル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体、又は、これらの誘導体から選ばれたポリマーである樹脂組成物とすることができる。
これにより、量子ドットの安定性がさらに向上されたものとなる。
このとき、前記ベース樹脂が、フッ素非含有樹脂をさらに含む樹脂組成物とすることができ、より好ましくは、前記フッ素非含有樹脂が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂から選ばれた少なくとも一つ以上の樹脂を含む樹脂組成物とすることができる。
これにより、樹脂組成物を用いた成形品の特性の設定が容易になり、適用範囲が広がるものとなる。
このとき、前記樹脂組成物から形成された波長変換材料とすることができ、さらに、LED用波長変換材料とすることができる。
これにより、特性変化が小さく、安定性の優れた波長変換材料となる。
このとき、前記樹脂組成物から形成された波長変換層を含む波長変換フィルムとすることができる。
これにより、特性変化が小さく、安定性の優れた波長変換フィルムとなる。
このとき、前記樹脂組成物から形成された波長変換層を含む波長変換フィルムにおいて、前記含フッ素樹脂と前記フッ素非含有樹脂が少なくとも部分的に相分離しているものである波長変換フィルムとすることができる。
これにより、樹脂加工物を塗布したときの密着性の向上等、塗工性を向上できるとともに、含フッ素樹脂の使用量の低減によるコストダウンが期待できるものとなる。
このとき、前記波長変換フィルムが、単層の前記波長変換層からなるものとすることができる。
これにより、フィルムの厚さをより薄いものとできるため、特にモバイル用途などに適したものとなる。
このとき、前記波長変換フィルムが、前記波長変換層と、該波長変換層の両側に透明フィルムを積層した構造のものとすることができる。
これにより、強度の向上や、表面保護、光拡散等の特性を有するものとなる。
このとき、波長変換フィルムをLED用とすることができる。
これにより、安定した発光特性を有するLED素子を製造できるものとなる。
このとき、LED用波長変換材料又はLED用波長変換フィルムを備えたLED素子とすることができる。
これにより、安定した発光特性を有するLED素子となる。
このとき、波長変換フィルム又はLED素子を有するバックライトユニットとすることができる。
これにより、特性変化が小さく、安定性の優れたバックライトユニットとなる。
このとき、前記波長変換フィルムを有する画像表示装置とすることができる。
これにより、特性変化が小さく、安定性の優れた画像表示装置となる。
以上のように、本発明の樹脂組成物によれば、量子ドットの安定性を飛躍的に向上することが可能なものとなる。
以下、本発明について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のように、量子ドットの安定性を向上させ、信頼性を向上させることのできる樹脂組成物が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含む樹脂組成物であって、前記ベース樹脂が含フッ素樹脂を含む樹脂組成物により、量子ドットの安定性を飛躍的に向上できることを見出し、本発明を完成した。
以下、本発明について詳細に説明する。
(樹脂組成物)
まず、本発明に係る樹脂組成物について説明する。本発明に係る樹脂組成物は、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含んでおり、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むことに特徴を有している。本発明者は、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むことにより、量子ドットの安定性が飛躍的に向上することを見出した。
以下に、本発明に係る樹脂組成物に含まれる材料のそれぞれについて説明する。
(量子ドット)
まず、本発明に係る樹脂組成物に含まれる量子ドットについて説明する。
量子ドットは結晶性ナノ粒子蛍光体であるが、その種類、組成は特に限定されない。目的物の特性や設計に応じた量子ドットを選択することができる。例えば、II−IV族半導体、III−V族半導体、II−VI族半導体、I−III−VI族半導体、II−IV−V族半導体、IV族半導体、ペロブスカイト型半導体などを使用することができる。
具体的には、CdSe、CdS、CdTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlAs、AlSb、ZnSe、ZnS、ZnTe、Zn、GaP、GaAs、GaSb、CuInSe、CuInS、CuInTe、CuGaSe、CuGaS、CuGaTe、CuAlSe、CuAlS、CuAlTe、AgInSe、AgInS、AgInTe、AgGaSe、AgGaS、AgGaTe、PbSe、PbS、PbTe、Si、Ge、グラフェン、CsPbCl、CsPbBr、CsPbI、CHNHPbCl、さらにこれらの混晶やドーパントを添加したものが例示される。
量子ドットは、コアのみのもの、コアシェル構造を有するものなど、構造を問わない。また、球形、立方体状、棒状等どのような形状のものでも使用できる。
量子ドットの平均粒子径は、樹脂組成物の使用目的に応じて、適宜設定可能である。例えば、蛍光体としての波長範囲に合わせ選択できる。量子ドットの平均粒子径は、例えば、100nm以下であることが好ましく、20nm以下であることが好ましい。このような範囲の平均粒子径であれば、樹脂中での分散性の向上による光透過率の向上や、凝集の抑制効果などが期待できる。また、量子サイズ効果がより効果的なものとなり、例えば発光効率の向上が期待でき、粒子径によるバンドギャップの制御も容易となる。
なお、量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)により得られる粒子画像を計測し、粒子20個以上の定方向最大径、即ち、フェレ(Feret)径の平均値から計算することができる。もちろん、平均粒子径の測定方法はこれに限定されず、他の方法で測定を行うことも可能である。
さらに、量子ドットの表面に、有機分子や無機分子あるいはポリマーの被覆層を有していても良く、その構造は限定されない。また、被覆層の厚さも、目的とする特性に応じ適宜設定できる。例えば、量子ドットの平均粒子径が100nm以下となる程度の厚さの範囲内で、被覆層を形成することができる。
被覆層としては、ステアリン酸、オレイン酸、パルミチン酸、ジメルカプトコハク酸、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、1−ドデカンチオールなどの有機分子やポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン、ポリシルセスキオキサン、ポリ(メタクリル酸メチル)、ポリアクリロニトリル、ポリエチレングリコールなどのポリマー、シリカやアルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、酸化ガリウム、窒化ケイ素、窒化ガリウムなどの無機分子が例示される。
樹脂組成物中に含まれる量子ドットの量(濃度)は、特に限定されない。フィルムの厚さや量子ドットの発光効率、目的とする波長変換フィルムの特性に合わせ適宜設定可能である。
(ベース樹脂)
次に、本発明に係る樹脂組成物に含まれるベース樹脂について説明する。ベース樹脂は、含フッ素樹脂を含む点に特徴を有している。これにより、樹脂組成物中に含まれる量子ドットの安定性を向上することができる。なお、本明細書において「ベース樹脂」とは、樹脂組成物から量子ドットと添加剤を除いた樹脂成分を意味する。
含フッ素樹脂としては、フッ素重合体、フッ素環状化合物、フッ素共重合体から選ばれた少なくとも一つであることが好ましい。また、これらの重合度や存在比率も、特に限定されない。目的とする粘度、硬度などの樹脂特性に合わせて、適宜設定可能である。
また、上記含フッ素樹脂としては、下記一般式1から7から選ばれた少なくとも一つの構造単位を有することが好ましい。
(−CF−CF−) (1)
(−CF−CF(O−R)−)
(但し、Rはパーフルオロアルキル基である。) (2)
(−CF−CFCl−) (3)
(−CF−CF(CF)−) (4)
(−CF−CF−) (5)
(−CF−CHF−) (6)
Figure 0006975122
(7)
含フッ素樹脂は、上記一般式1〜7の構造単位以外の構造単位を含んでいても良く、その種類は特に限定されない。目的とする樹脂の特性に合わせ適宜設定可能である。また、一般式1〜7の構造単位以外の構造単位としては、ビニルアルコール、ビニルエーテル、ビニルエステル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルアミド、ウレタン、スチレン、エチレン、酢酸ビニル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、アクリロニトリル、ビニルアルキルエーテル、オルガノシロキサンなどが例示されるが、これらに限定されるものではないことは言うまでもない。
また、含フッ素樹脂における上記一般式1〜7の構造単位の存在比率も、特に限定されない。
前記含フッ素樹脂は、前記一般式1から7から選ばれた少なくとも1つの構造単位を有する共重合体であることが好ましく、該共重合体がブロック共重合体、交互共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれかであることが好ましい。
前記含フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニル、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体、フルオロオレフィン・アクリル酸エステル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体、又は、これらの誘導体から選ばれたポリマーとすることができる。これらのポリマーであれば、樹脂組成物をフィルムとしたときに、ガスバリア性や加工性などに優れたものとなる。
また、ベース樹脂は、上記含フッ素樹脂以外の樹脂を含むこともできる。含フッ素樹脂以外の樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂から選ばれた少なくとも一つ以上の樹脂を使用することができる。これにより、本発明に係る樹脂組成物を波長変換材料や波長変換フィルムに適用したときに、その柔軟性、強度をはじめとした機械的特性等の設定が容易になり、適用範囲が広がる。
なお、ベース樹脂中に含まれる含フッ素樹脂の量は、特に限定されない。ベース樹脂総量に対し、1質量%以上が好ましく、10質量%以上であればより好ましい。30質量%以上であれば、さらに確実に量子ドットの安定性を向上することができる。上限値は100質量%であるが、90%以下、さらに好ましくは50%以下とすることもできる。含フッ素樹脂は比較的高価であるため、含有量を少なくすればコストの低減が期待できる。また、濡れ性や密着性など、塗工性の向上が期待できる。
(その他の添加剤)
本発明に係る樹脂組成物は、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットと含フッ素樹脂を含むベース樹脂以外の材料を添加剤として含むことが可能である。例えば、光散乱体として機能するシリカ、ジルコニア、アルミナ、チタニアなどの微粒子を含むことができる。また、無機蛍光体や有機蛍光体が含まれていても良い。無機蛍光体としては、YAG、LSN、LYSN、CASN、SCASN、KSF、CSO、β−SIALON、GYAG、LuAG、SBCAが、有機蛍光体としては、ペリレン誘導体、アントラキノン誘導体、アントラセン誘導体、フタロシアニン誘導体、シアニン誘導体、ジオキサジン誘導体、ベンゾオキサジノン誘導体、クマリン誘導体、キノフタロン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ピラリゾン誘導体などが例示される。
(樹脂組成物の製造方法)
本発明に係る樹脂組成物は、量子ドットとベース樹脂、さらに、任意でその他の添加剤を混合することで製造することができる。これらの混合方法は特に限定されず、用いるベース樹脂の性状や目的とする用途の特性に合わせ適宜選択できる。例えば、溶剤に溶解させたベース樹脂に、量子ドットを分散させた溶液を混合しても良く、ベース樹脂のフレークに、量子ドット溶液あるいは量子ドット溶液から遠心分離等により回収した量子ドットの固体を添加し、混練しても良い。量子ドットとベース樹脂は必ずしも均一に分散する必要はない。また、ベース樹脂がフッ素非含有樹脂を含む場合、フッ素含有樹脂とフッ素非含有樹脂とが部分的に相分離した状態であってもよい。この場合、樹脂組成物を塗布したときの濡れ性や密着性の向上等、塗工性を向上できるとともに、含フッ素樹脂の使用量の低減によるコストダウンが期待できるものとなる。
(波長変換材料)
本発明に係る樹脂組成物から、波長変換材料を得ることができる。この波長変換材料は、量子ドットの安定性に優れたものとなるため、特性の変化が小さいものとなる。波長変換材料の形態は、特に限定されない。バルク、板、シート、フィルム等、様々な形状のものとすることができる。波長変換材料は、その形態に合わせた適切な製造方法により得ることができ、例えば、溶液キャスト法、溶液流涎法、溶融押出成形法、注型成形法、射出成形法、積層造形法などを用いることができる。
(波長変換フィルム)
本発明に係る樹脂組成物から波長変換層を形成し、該波長変換層を含む波長変換フィルムとすることが好ましい。この場合、波長変換フィルムの厚さは特に限定されず、目的に応じ適宜設計できる。波長変換フィルムの厚さは、例えば、5〜500μm程度が好ましく、200μm以下であればより好ましく、100μm以下であればさらに好ましい。このような範囲であれば、より安定した発光特性を得ることができる。
また、波長変換フィルムの構造も特に限定されない。例えば、単層の波長変換層からなるフィルムとすることができる。単層のフィルムであれば、フィルムの厚さをより薄いものとできるため、特にモバイル用途などに適したものとなる。
さらに、波長変換層を機能性フィルムで挟んだ3層以上の積層構造や、基材フィルム上に波長変換層を塗布した2層以上の積層構造とすることも可能である。積層構造とすれば、強度の向上や、表面保護、光拡散等の機能を付与することができる。例えば、機能性フィルムや基材フィルムとして透明フィルムを使用する場合には、PET、PP、PEなどが挙げられる。このとき、透明フィルムと波長変換層の間に接着層が存在しても良い。また、波長変換層と、基材フィルムや機能性フィルムとの密着性を向上させるために、シランカップリング剤等により表面処理を行うことも好ましい。
なお、波長変換層は、樹脂組成物の性状や目的とする波長変換フィルムの特性に応じた適切な製造方法により製造することができる。例えば、溶液キャスト法、溶液流涎法、溶融押出成形法などが例示される。製造した波長変換層を、上記のように単層の波長変換フィルムとして用いたり、他のフィルム等と積層させて波長変換フィルムとしたりすることができる。
また、本発明に係る波長変換材料、波長変換フィルムを、例えば、LEDに適用したり、青色LEDが結合された導光パネル面に設置したバックライトユニットや、前記導光パネル面と液晶ディスプレイパネルとの間に配置した画像表示装置とすることが好適である。上記波長変換フィルムは、光源である1次光の少なくとも一部を吸収し、例えば、1次光よりも波長の長い2次光を放出することにより、量子ドットの発光波長に依存した任意の波長分布を持った光に変換することができる。本発明に係る波長変換フィルムは、量子ドットの安定性が飛躍的に向上されたものであるため、バックライトユニットや画像表示装置の高寿命化が期待できる。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明について詳細に説明するが、本発明を限定するものではない。
(実施例1)
量子ドットとして、球状で平均粒子径が6nmのInP/ZnSe/ZnSコアシェル量子ドット(以下、「QD−G」という)、及び、球状で平均粒子径が8nmのInP/ZnSe/ZnSコアシェル量子ドット(以下、「QD−R」という)を用いた。各量子ドットが、20質量%トルエン溶液に分散されている溶液(以下、「量子ドット溶液」という)を準備した。
まず、上記量子ドット溶液に対し、体積比で5倍のアセトンを添加し量子ドットを沈殿させ、遠心分離機により10000rpmで10分間の遠心分離処理を行い、量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるETFE(AGC社製:C−88AXP)に対し、上記量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、300℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、73μmであった。
(実施例2)
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPFA(ダイキン工業社製:ポリフロンPFA AP−202)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、320℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、83μmであった。
(実施例3)
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPCTFE(ダイキン工業社製:ネオフロンPCTFE M−300P)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、290℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、112μmであった。
(実施例4)
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPVDF(アルケマ社製:KYNAR740)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、220℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、46μmであった。
(実施例5)
PVDF(アルケマ社製:KYNAR740)をDMF(関東化学社製)に固形分濃度が20質量%となるように溶解させ、ベース樹脂溶液を得た。
次に、上記ベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−GとQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し3質量%となるように添加、混合し、樹脂組成物を得た。
次に、該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて30分加熱し固化させ、波長変換層を有する積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上にPETフィルムを貼り合せラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱硬化させ、積層体である波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが109μm、波長変換フィルム全体の厚さは159μmであった。
(実施例6)
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、樹脂組成物を得た。
次に、該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換層を有する積層体の波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが72μm、波長変換フィルム全体の厚さは97μmであった。
(実施例7)
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、混合溶液を得た。
次に上記混合溶液に対し、平均粒径30μmのシリカ粒子(信越化学工業製 QSG−30)を、上記混合溶液に対し5質量%添加し分散させ、量子ドットとベース樹脂とシリカ粒子を含む樹脂組成物を得た。
次に該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換層を有する積層体の波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが77μm、波長変換フィルム全体の厚さは102μmであった。
(実施例8)
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、混合溶液を得た。
次に、上記混合溶液に対し、アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)を、フッ素樹脂:アクリル樹脂が重量比で3:7となるように添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
このようにして得た樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換フィルムを形成した。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが79μm、波長変換フィルム全体の厚さは104μmであった。
(実施例9)
実施例1と同様にして厚さ56μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
(実施例10)
実施例2と同様にして厚さ48μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
(実施例11)
実施例3と同様にして厚さ50μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
(実施例12)
実施例4と同様にして厚さ41μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
(実施例13)
実施例5で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは38μmであった。
(実施例14)
実施例6で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは34μmであった。
(実施例15)
実施例7で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは40μmであった。
(実施例16)
実施例8で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは58μmであった。
(比較例1)
アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)に対し、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、60℃で2時間加熱し、その後150℃で4時間加熱し、固化させ、波長変換層を有するフィルムを形成した。さらに、波長変換層上に25μmのPETフィルムを貼り合せ、ラミネート加工し積層フィルムを得た。この積層フィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが81μm、波長変換フィルム全体の厚さは131μmであった。
(比較例2)
エポキシ樹脂(ファインポリマーズ社製:EpiFine TO−0107−20)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、さらに25μmのPETフィルムを貼り合わせ、波長変換層を有するフィルムを得た。これを365nm UV LEDランプにより100W/cm、20秒間のUV照射を行い波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが67μm、波長変換フィルム全体の厚さは117μmであった。
(比較例3)
アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより15μmのバリアフィルム(凸版印刷社製:GLフィルム)上に塗布し、60℃で2時間加熱、その後150℃で4時間加熱し波長変換層を固化させ、積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上に15μmのバリアフィルムを貼り合せラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが83μm、波長変換フィルム全体の厚さは113μmであった。
(比較例4)
量子ドット溶液20mLに3−アミノプロピルトリメトキシシラン(東京化成製)を0.2mL添加し室温で24時間混合し、量子ドット混合溶液を得た。
次に、上記量子ドット混合溶液に、テトラメトキシシラン(東京化成製)0.5mLを、激しく撹拌した状態で滴下した。撹拌したまま10%アンモニア水を1mLを少量ずつ滴下し、20時間撹拌、反応を行った。
反応後、遠心分離を行い、SiO層で被覆された量子ドットを得た。
次に、アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)をベース樹脂として、上記SiO層で被覆された量子ドットを用い、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、SiO層で被覆された量子ドットとアクリル樹脂を含む樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、60℃で2時間加熱、その後150℃で4時間加熱し、固化させ積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上に25μmのPETフィルムを貼り合せ、ラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが75μm、波長変換フィルム全体の厚さは125μmであった。
(比較例5)
比較例2で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、365nm UV LEDランプにより100W/cm、20秒間のUV照射を行い硬化させ、LED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは50μmであった。
(比較例6)
シリコーン樹脂(信越化学工業社製:LPS−5547)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、60℃、2時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは58μmであった。
(比較例7)
エポキシ樹脂(Electric Materials Inc.製:OPTOCAST 3553)をベース樹脂として、比較例4で得た量子ドットを用い、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、SiO層で被覆された量子ドットとアクリル樹脂を含む樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、365nm UV LEDランプにより100W/cm、20秒間のUV照射を行い硬化させ、LED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは51μmであった。
実施例1−8及び比較例1−4で作製した波長変換フィルムについて、まず、初期発光特性を測定し、その後、高温高湿状態(温度85度、湿度85%、保持時間250時間)で保持した後、再び発光特性を評価した。
初期発光時の量子収率を基準としたときの、高温高湿処理後の量子収率の相対強度の変化量を、下記表1に示す基準で評価した。なお、波長変換フィルムの蛍光発光特性評価は、量子効率測定システム(大塚電子製QE−2100)を用い、励起波長を450nmとして発光特性を測定した。また測定は、フィルム端部及び端部から5cm内部の2か所で行った。
Figure 0006975122
表2に、実施例1−8及び比較例1−4について、樹脂組成物の内容、波長変換フィルムの構造と併せて、発光特性の評価結果を示す。なお、測定場所については、フィルム端部を「1」、端部から5cm内部を「2」とした。
Figure 0006975122
実施例1−8のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むものとすることにより、量子ドットの劣化を抑制することができ、信頼性の高い特性の安定した波長変換フィルムを得ることができることがわかった。
一方、比較例1−4のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含まない場合は、実施例と比較して安定性が悪かった。特に、比較例1、2のように量子ドットの安定性対策を行っていない場合には、発光特性の相対変化量が大きく、著しく不安定であった。比較例3では、バリア膜で波長変換フィルムを挟むことにより量子ドットの安定性を図っているものの、安定性は不十分であった。比較例4では、安定性を向上させるための量子ドット表面の被覆を行っているが、量子ドットの発光特性を維持できず、特性の劣化が発生した。
次に、実施例9−16及び比較例5−7で作製したLED素子について、まず初期発光特性を測定し、次に20mAの電流が流れる状態で連続して1000時間発光させたのち、再び発光特性を評価した。初期発光時の発光強度を基準としたときの、1000時間発光後の発光強度の相対変化量を、表1の基準で評価した。実施例9−16及び比較例5−7について、表3に発光特性の評価結果を示す。
Figure 0006975122
実施例9−16のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むものとすることにより、量子ドットの劣化を抑制することができ、信頼性の高い発光特性の安定したLED素子を得ることができることがわかった。
一方、比較例5−7のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含まない場合は、実施例と比較してLED素子の発光特性の安定性が悪かった。特に、比較例5、6のように量子ドットの安定性対策を行っていない場合には、発光特性の相対変化量が大きく、著しく不安定であった。比較例7では、安定性を向上させるための量子ドット表面の被覆を行っているが、量子ドットの発光特性を維持できず、LED発光特性の劣化が発生した。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (18)

  1. 結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含む樹脂組成物であって、
    前記ベース樹脂が含フッ素樹脂を含み、
    前記ベース樹脂が、フッ素非含有樹脂をさらに含むことを特徴とする樹脂組成物。
  2. 前記含フッ素樹脂が、フッ素重合体、フッ素環状化合物、フッ素共重合体から選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載の樹脂組成物。
  3. 前記含フッ素樹脂が、下記一般式1から7から選ばれた少なくとも一つの構造単位を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
    (−CF−CF−) (1)
    (−CF−CF(O−R)−)
    (但し、Rはパーフルオロアルキル基である。) (2)
    (−CF−CFCl−) (3)
    (−CF−CF(CF)−) (4)
    (−CF−CF−) (5)
    (−CF−CHF−) (6)
    Figure 0006975122
    (7)
  4. 前記含フッ素樹脂が、前記一般式1から7から選ばれた少なくとも1つの構造単位を有する共重合体であり、該共重合体がブロック共重合体、交互共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の樹脂組成物。
  5. 前記含フッ素樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テトラフルオロエチレン・パーフルプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体、フルオロオレフィン・アクリル酸エステル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体、又は、これらの誘導体から選ばれたポリマーであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  6. 前記フッ素非含有樹脂が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂から選ばれた少なくとも一つ以上の樹脂を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  7. 請求項1からのいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成されたものであることを特徴とする波長変換材料。
  8. 前記波長変換材料が、LED用波長変換材料であることを特徴とする請求項に記載の波長変換材料。
  9. 請求項1からのいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成された波長変換層を含むものであることを特徴とする波長変換フィルム。
  10. 請求項1から6のいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成された波長変換層を含む波長変換フィルムにおいて、前記含フッ素樹脂と前記フッ素非含有樹脂が少なくとも部分的に相分離しているものであることを特徴とする波長変換フィルム。
  11. 前記波長変換フィルムが、単層の前記波長変換層からなるものであることを特徴とする請求項又は10に記載の波長変換フィルム。
  12. 前記波長変換フィルムが、前記波長変換層と、該波長変換層の両側に透明フィルムを積層した構造であることを特徴とする請求項又は10に記載の波長変換フィルム。
  13. 前記波長変換フィルムが、LED用波長変換フィルムであることを特徴とする請求項から12のいずれか一項に記載の波長変換フィルム。
  14. 請求項に記載の波長変換材料又は請求項13に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とするLED素子。
  15. 請求項から13のいずれか一項に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とするバックライトユニット。
  16. 請求項14に記載のLED素子を有するものであることを特徴とするバックライトユニット。
  17. 請求項から13のいずれか一項に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とする画像表示装置。
  18. 請求項15又は16に記載のバックライトユニットを有するものであることを特徴とする画像表示装置。
JP2018208966A 2018-11-06 2018-11-06 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 Active JP6975122B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018208966A JP6975122B2 (ja) 2018-11-06 2018-11-06 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置
US17/285,781 US11749785B2 (en) 2018-11-06 2019-10-15 Resin composition, wavelength conversion material, wavelength conversion film, LED device, backlight unit, and image display apparatus
CN201980072442.8A CN112969755B (zh) 2018-11-06 2019-10-15 树脂组合物、波长转换材料、波长转换膜、led元件、背光单元及图像显示装置
PCT/JP2019/040395 WO2020095629A1 (ja) 2018-11-06 2019-10-15 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置
KR1020217012212A KR20210088552A (ko) 2018-11-06 2019-10-15 수지 조성물, 파장 변환 재료, 파장 변환 필름, led 소자, 백라이트 유닛 및 화상 표시 장치
TW108140036A TWI837211B (zh) 2018-11-06 2019-11-05 樹脂組成物、波長轉換材料、波長轉換薄膜、led元件、背光單元及圖像顯示裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018208966A JP6975122B2 (ja) 2018-11-06 2018-11-06 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020075971A JP2020075971A (ja) 2020-05-21
JP6975122B2 true JP6975122B2 (ja) 2021-12-01

Family

ID=70612383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018208966A Active JP6975122B2 (ja) 2018-11-06 2018-11-06 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11749785B2 (ja)
JP (1) JP6975122B2 (ja)
KR (1) KR20210088552A (ja)
CN (1) CN112969755B (ja)
WO (1) WO2020095629A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102664441B1 (ko) * 2020-05-27 2024-05-08 삼성전자주식회사 양자점 복합체 및 이를 포함하는 전자소자
JP7335520B2 (ja) 2021-06-21 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59720B2 (ja) 1979-09-12 1984-01-07 株式会社日立製作所 圧力タンク式給水装置の制御装置
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
WO2000064981A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 General Electric Company Compositions and methods for reduced food adhesion
GB0500289D0 (en) * 2005-01-07 2005-02-16 Imp College Innovations Ltd Electrodes
TWI336013B (en) * 2006-04-04 2011-01-11 Wintek Corp Color liquid crystal display
JP5682069B2 (ja) 2009-12-28 2015-03-11 独立行政法人産業技術総合研究所 ゾル−ゲル法によって作製した半導体ナノ粒子分散蛍光性微粒子
KR20200039806A (ko) 2010-11-10 2020-04-16 나노시스, 인크. 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들
US20120138874A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
JPWO2012132239A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 蛍光フィルムおよび表示フィルム
US9318721B2 (en) * 2012-01-27 2016-04-19 Wake Forest University Field induced polymer electroluminescent (FIPEL) device
JP5900720B1 (ja) 2014-10-16 2016-04-06 凸版印刷株式会社 量子ドット保護フィルム、それを用いた量子ドットフィルム及びバックライトユニット
JP6247649B2 (ja) 2015-02-02 2017-12-13 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび波長変換フィルム
KR101686736B1 (ko) * 2015-04-17 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
WO2017030857A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 3M Innovative Properties Company Perfluoroether-stabilized quantum dots
RU2745690C2 (ru) * 2016-01-26 2021-03-30 Мерк Патент Гмбх Композиция, цветопреобразующий лист и светоизлучающее диодное устройство

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210088552A (ko) 2021-07-14
JP2020075971A (ja) 2020-05-21
US11749785B2 (en) 2023-09-05
CN112969755A (zh) 2021-06-15
WO2020095629A1 (ja) 2020-05-14
CN112969755B (zh) 2023-06-23
TW202024298A (zh) 2020-07-01
US20210384385A1 (en) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11835815B2 (en) Quantum dot, quantum dot composition, wavelength conversion material, wavelength conversion film, backlight unit and image display device
EP3122840B1 (en) Quantum dot compositions
KR20150071005A (ko) 고분자 마이크로 입자 및 이의 제조방법
JP6975122B2 (ja) 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置
US9899575B2 (en) Method of continuous flow synthesis and method of correcting emission spectrum of light emitting device
KR101959487B1 (ko) 발광 필름
KR20150023206A (ko) 양자점-무기입자-고분자 복합체 및 이를 포함하는 광학요소
WO2017140489A1 (en) Nanocrystal epoxy thiol (meth)acrylate composite material and nanocrystal epoxy thiol (methacrylate) composite film
KR20160021052A (ko) 발광 필름
JP7273992B2 (ja) 量子ドット、波長変換材料、バックライトユニット、画像表示装置及び量子ドットの製造方法
KR101815344B1 (ko) 발광 필름
TWI837211B (zh) 樹脂組成物、波長轉換材料、波長轉換薄膜、led元件、背光單元及圖像顯示裝置
TWI839522B (zh) 量子點、量子點組成物、波長轉換材料、波長轉換薄膜、背光單元及影像顯示裝置
JP2015151456A (ja) 発光体粒子、発光体粒子の製造方法、光学部材、光学部材の製造方法および光学デバイス
KR102289273B1 (ko) 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US10703870B2 (en) Composition for optical film, and optical film comprising same
WO2019162741A1 (en) Phase separated quantum dot layer
KR20190089029A (ko) 양자점 필름 및 이의 용도
US20240136482A1 (en) Composite encapsulation material and optical device of the same
KR101985804B1 (ko) 광학 부재용 조성물
CN117925177A (zh) 复合封装材料及光学装置
KR20160121134A (ko) 배리어 필름

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211019

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6975122

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150