JP2020075971A - 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
量子ドットの発光特性の経時変化は、ディスプレイにおいて色ムラや発光ムラ、ドット落ちなどの欠陥になるため、量子ドットの安定性は重要な問題である。
また、前記含フッ素樹脂が、下記一般式1から7から選ばれた少なくとも一つの構造単位を有する樹脂組成物とすることができる。
(−CF2−CF2−) (1)
(−CF2−CF(O−R)−)
(但し、Rはパーフルオロアルキル基である。) (2)
(−CF2−CFCl−) (3)
(−CF2−CF(CF3)−) (4)
(−CF2−CF2−) (5)
(−CF2−CHF−) (6)
まず、本発明に係る樹脂組成物について説明する。本発明に係る樹脂組成物は、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含んでおり、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むことに特徴を有している。本発明者は、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むことにより、量子ドットの安定性が飛躍的に向上することを見出した。
以下に、本発明に係る樹脂組成物に含まれる材料のそれぞれについて説明する。
まず、本発明に係る樹脂組成物に含まれる量子ドットについて説明する。
量子ドットは結晶性ナノ粒子蛍光体であるが、その種類、組成は特に限定されない。目的物の特性や設計に応じた量子ドットを選択することができる。例えば、II−IV族半導体、III−V族半導体、II−VI族半導体、I−III−VI族半導体、II−IV−V族半導体、IV族半導体、ペロブスカイト型半導体などを使用することができる。
具体的には、CdSe、CdS、CdTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlAs、AlSb、ZnSe、ZnS、ZnTe、Zn3P2、GaP、GaAs、GaSb、CuInSe2、CuInS2、CuInTe2、CuGaSe2、CuGaS2、CuGaTe2、CuAlSe2、CuAlS2、CuAlTe2、AgInSe2、AgInS2、AgInTe、AgGaSe2、AgGaS2、AgGaTe2、PbSe、PbS、PbTe、Si、Ge、グラフェン、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CH3NH3PbCl3、さらにこれらの混晶やドーパントを添加したものが例示される。
次に、本発明に係る樹脂組成物に含まれるベース樹脂について説明する。ベース樹脂は、含フッ素樹脂を含む点に特徴を有している。これにより、樹脂組成物中に含まれる量子ドットの安定性を向上することができる。なお、本明細書において「ベース樹脂」とは、樹脂組成物から量子ドットと添加剤を除いた樹脂成分を意味する。
(−CF2−CF2−) (1)
(−CF2−CF(O−R)−)
(但し、Rはパーフルオロアルキル基である。) (2)
(−CF2−CFCl−) (3)
(−CF2−CF(CF3)−) (4)
(−CF2−CF2−) (5)
(−CF2−CHF−) (6)
本発明に係る樹脂組成物は、結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットと含フッ素樹脂を含むベース樹脂以外の材料を添加剤として含むことが可能である。例えば、光散乱体として機能するシリカ、ジルコニア、アルミナ、チタニアなどの微粒子を含むことができる。また、無機蛍光体や有機蛍光体が含まれていても良い。無機蛍光体としては、YAG、LSN、LYSN、CASN、SCASN、KSF、CSO、β−SIALON、GYAG、LuAG、SBCAが、有機蛍光体としては、ペリレン誘導体、アントラキノン誘導体、アントラセン誘導体、フタロシアニン誘導体、シアニン誘導体、ジオキサジン誘導体、ベンゾオキサジノン誘導体、クマリン誘導体、キノフタロン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ピラリゾン誘導体などが例示される。
本発明に係る樹脂組成物は、量子ドットとベース樹脂、さらに、任意でその他の添加剤を混合することで製造することができる。これらの混合方法は特に限定されず、用いるベース樹脂の性状や目的とする用途の特性に合わせ適宜選択できる。例えば、溶剤に溶解させたベース樹脂に、量子ドットを分散させた溶液を混合しても良く、ベース樹脂のフレークに、量子ドット溶液あるいは量子ドット溶液から遠心分離等により回収した量子ドットの固体を添加し、混練しても良い。量子ドットとベース樹脂は必ずしも均一に分散する必要はない。また、ベース樹脂がフッ素非含有樹脂を含む場合、フッ素含有樹脂とフッ素非含有樹脂とが部分的に相分離した状態であってもよい。この場合、樹脂組成物を塗布したときの濡れ性や密着性の向上等、塗工性を向上できるとともに、含フッ素樹脂の使用量の低減によるコストダウンが期待できるものとなる。
本発明に係る樹脂組成物から、波長変換材料を得ることができる。この波長変換材料は、量子ドットの安定性に優れたものとなるため、特性の変化が小さいものとなる。波長変換材料の形態は、特に限定されない。バルク、板、シート、フィルム等、様々な形状のものとすることができる。波長変換材料は、その形態に合わせた適切な製造方法により得ることができ、例えば、溶液キャスト法、溶液流涎法、溶融押出成形法、注型成形法、射出成形法、積層造形法などを用いることができる。
本発明に係る樹脂組成物から波長変換層を形成し、該波長変換層を含む波長変換フィルムとすることが好ましい。この場合、波長変換フィルムの厚さは特に限定されず、目的に応じ適宜設計できる。波長変換フィルムの厚さは、例えば、5〜500μm程度が好ましく、200μm以下であればより好ましく、100μm以下であればさらに好ましい。このような範囲であれば、より安定した発光特性を得ることができる。
さらに、波長変換層を機能性フィルムで挟んだ3層以上の積層構造や、基材フィルム上に波長変換層を塗布した2層以上の積層構造とすることも可能である。積層構造とすれば、強度の向上や、表面保護、光拡散等の機能を付与することができる。例えば、機能性フィルムや基材フィルムとして透明フィルムを使用する場合には、PET、PP、PEなどが挙げられる。このとき、透明フィルムと波長変換層の間に接着層が存在しても良い。また、波長変換層と、基材フィルムや機能性フィルムとの密着性を向上させるために、シランカップリング剤等により表面処理を行うことも好ましい。
量子ドットとして、球状で平均粒子径が6nmのInP/ZnSe/ZnSコアシェル量子ドット(以下、「QD−G」という)、及び、球状で平均粒子径が8nmのInP/ZnSe/ZnSコアシェル量子ドット(以下、「QD−R」という)を用いた。各量子ドットが、20質量%トルエン溶液に分散されている溶液(以下、「量子ドット溶液」という)を準備した。
まず、上記量子ドット溶液に対し、体積比で5倍のアセトンを添加し量子ドットを沈殿させ、遠心分離機により10000rpmで10分間の遠心分離処理を行い、量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるETFE(AGC社製:C−88AXP)に対し、上記量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、300℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、73μmであった。
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPFA(ダイキン工業社製:ポリフロンPFA AP−202)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、320℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、83μmであった。
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPCTFE(ダイキン工業社製:ネオフロンPCTFE M−300P)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、290℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、112μmであった。
実施例1と同様にして量子ドットのペーストを得た。
次に、ベース樹脂であるPVDF(アルケマ社製:KYNAR740)に対し、量子ドットのペーストを、QD−G及びQD−Rがそれぞれ3質量%となるように加え、樹脂組成物を得た。その後、該樹脂組成物を単軸押出機に投入し混練した後、220℃の条件でT型ダイスから押出し、ロールを通し、冷却・固化させ波長変換フィルムを形成した。得られた波長変換フィルムの厚さは、46μmであった。
PVDF(アルケマ社製:KYNAR740)をDMF(関東化学社製)に固形分濃度が20質量%となるように溶解させ、ベース樹脂溶液を得た。
次に、上記ベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−GとQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し3質量%となるように添加、混合し、樹脂組成物を得た。
次に、該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて30分加熱し固化させ、波長変換層を有する積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上にPETフィルムを貼り合せラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱硬化させ、積層体である波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが109μm、波長変換フィルム全体の厚さは159μmであった。
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、樹脂組成物を得た。
次に、該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換層を有する積層体の波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが72μm、波長変換フィルム全体の厚さは97μmであった。
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、混合溶液を得た。
次に上記混合溶液に対し、平均粒径30μmのシリカ粒子(信越化学工業製 QSG−30)を、上記混合溶液に対し5質量%添加し分散させ、量子ドットとベース樹脂とシリカ粒子を含む樹脂組成物を得た。
次に該樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム(東レ社製:ルミラーフィルムT60)上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換層を有する積層体の波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが77μm、波長変換フィルム全体の厚さは102μmであった。
フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体(AGC製:ルミフロンLF200)の40%キシレン溶液のベース樹脂溶液に対し、量子ドット溶液を、QD−G及びQD−Rがそれぞれ樹脂固形分に対し2質量%となるよう添加、混合し、混合溶液を得た。
次に、上記混合溶液に対し、アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)を、フッ素樹脂:アクリル樹脂が重量比で3:7となるように添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
このようにして得た樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、80℃のオーブンにて1時間加熱硬化させ、波長変換フィルムを形成した。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが79μm、波長変換フィルム全体の厚さは104μmであった。
実施例1と同様にして厚さ56μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
実施例2と同様にして厚さ48μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
実施例3と同様にして厚さ50μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
実施例4と同様にして厚さ41μmの波長変換フィルムを形成した。このフィルムを、青色LEDが実装された封止材上に配置してLED素子を作製した。
実施例5で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは38μmであった。
実施例6で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは34μmであった。
実施例7で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは40μmであった。
実施例8で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、85℃、1時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは58μmであった。
アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)に対し、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、60℃で2時間加熱し、その後150℃で4時間加熱し、固化させ、波長変換層を有するフィルムを形成した。さらに、波長変換層上に25μmのPETフィルムを貼り合せ、ラミネート加工し積層フィルムを得た。この積層フィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが81μm、波長変換フィルム全体の厚さは131μmであった。
エポキシ樹脂(ファインポリマーズ社製:EpiFine TO−0107−20)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、さらに25μmのPETフィルムを貼り合わせ、波長変換層を有するフィルムを得た。これを365nm UV LEDランプにより100W/cm2、20秒間のUV照射を行い波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが67μm、波長変換フィルム全体の厚さは117μmであった。
アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより15μmのバリアフィルム(凸版印刷社製:GLフィルム)上に塗布し、60℃で2時間加熱、その後150℃で4時間加熱し波長変換層を固化させ、積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上に15μmのバリアフィルムを貼り合せラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが83μm、波長変換フィルム全体の厚さは113μmであった。
量子ドット溶液20mLに3−アミノプロピルトリメトキシシラン(東京化成製)を0.2mL添加し室温で24時間混合し、量子ドット混合溶液を得た。
次に、上記量子ドット混合溶液に、テトラメトキシシラン(東京化成製)0.5mLを、激しく撹拌した状態で滴下した。撹拌したまま10%アンモニア水を1mLを少量ずつ滴下し、20時間撹拌、反応を行った。
反応後、遠心分離を行い、SiO2層で被覆された量子ドットを得た。
次に、アクリル樹脂(DIC社製:アクリディック BL−616−BA)をベース樹脂として、上記SiO2層で被覆された量子ドットを用い、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、SiO2層で被覆された量子ドットとアクリル樹脂を含む樹脂組成物を得た。
次に、上記樹脂組成物の撹拌脱泡を行い、バーコーターにより25μmのPETフィルム上に塗布し、60℃で2時間加熱、その後150℃で4時間加熱し、固化させ積層フィルムを形成した。さらに波長変換層上に25μmのPETフィルムを貼り合せ、ラミネート加工した。このフィルムを85℃で1時間加熱し波長変換層を硬化させ、波長変換フィルムを得た。
得られた波長変換フィルムは、波長変換層の厚さが75μm、波長変換フィルム全体の厚さは125μmであった。
比較例2で得た樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、365nm UV LEDランプにより100W/cm2、20秒間のUV照射を行い硬化させ、LED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは50μmであった。
シリコーン樹脂(信越化学工業社製:LPS−5547)をベース樹脂として、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、60℃、2時間加熱し硬化させLED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは58μmであった。
エポキシ樹脂(Electric Materials Inc.製:OPTOCAST 3553)をベース樹脂として、比較例4で得た量子ドットを用い、QD−G及びQD−Rが、樹脂固形分に対しそれぞれ2質量%となるよう添加、撹拌し、SiO2層で被覆された量子ドットとアクリル樹脂を含む樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を、青色LEDが実装された封止材上に塗布し、365nm UV LEDランプにより100W/cm2、20秒間のUV照射を行い硬化させ、LED素子を作製した。形成された波長変換材料の厚さは51μmであった。
初期発光時の量子収率を基準としたときの、高温高湿処理後の量子収率の相対強度の変化量を、下記表1に示す基準で評価した。なお、波長変換フィルムの蛍光発光特性評価は、量子効率測定システム(大塚電子製QE−2100)を用い、励起波長を450nmとして発光特性を測定した。また測定は、フィルム端部及び端部から5cm内部の2か所で行った。
一方、比較例1−4のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含まない場合は、実施例と比較して安定性が悪かった。特に、比較例1、2のように量子ドットの安定性対策を行っていない場合には、発光特性の相対変化量が大きく、著しく不安定であった。比較例3では、バリア膜で波長変換フィルムを挟むことにより量子ドットの安定性を図っているものの、安定性は不十分であった。比較例4では、安定性を向上させるための量子ドット表面の被覆を行っているが、量子ドットの発光特性を維持できず、特性の劣化が発生した。
一方、比較例5−7のように、ベース樹脂が含フッ素樹脂を含まない場合は、実施例と比較してLED素子の発光特性の安定性が悪かった。特に、比較例5、6のように量子ドットの安定性対策を行っていない場合には、発光特性の相対変化量が大きく、著しく不安定であった。比較例7では、安定性を向上させるための量子ドット表面の被覆を行っているが、量子ドットの発光特性を維持できず、LED発光特性の劣化が発生した。
Claims (19)
- 結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットとベース樹脂とを含む樹脂組成物であって、
前記ベース樹脂が含フッ素樹脂を含むことを特徴とする樹脂組成物。 - 前記含フッ素樹脂が、フッ素重合体、フッ素環状化合物、フッ素共重合体から選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記含フッ素樹脂が、前記一般式1から7から選ばれた少なくとも1つの構造単位を有する共重合体であり、該共重合体がブロック共重合体、交互共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の樹脂組成物。
- 前記含フッ素樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、テトラフルオロエチレン・パーフルプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、フルオロエチレン・ビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体、フルオロオレフィン・アクリル酸エステル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロジオキソール共重合体、又は、これらの誘導体から選ばれたポリマーであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記ベース樹脂が、フッ素非含有樹脂をさらに含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
- 前記フッ素非含有樹脂が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂から選ばれた少なくとも一つ以上の樹脂を含むことを特徴とする請求項6に記載の樹脂組成物。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成されたものであることを特徴とする波長変換材料。
- 前記波長変換材料が、LED用波長変換材料であることを特徴とする請求項8に記載の波長変換材料。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の樹脂組成物から形成された波長変換層を含むものであることを特徴とする波長変換フィルム。
- 請求項6又は7に記載の樹脂組成物から形成された波長変換層を含む波長変換フィルムにおいて、前記含フッ素樹脂と前記フッ素非含有樹脂が少なくとも部分的に相分離しているものであることを特徴とする波長変換フィルム。
- 前記波長変換フィルムが、単層の前記波長変換層からなるものであることを特徴とする請求項10又は11に記載の波長変換フィルム。
- 前記波長変換フィルムが、前記波長変換層と、該波長変換層の両側に透明フィルムを積層した構造であることを特徴とする請求項10又は11に記載の波長変換フィルム。
- 前記波長変換フィルムが、LED用波長変換フィルムであることを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の波長変換フィルム。
- 請求項9に記載の波長変換材料又は請求項14に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とするLED素子。
- 請求項10から14のいずれか一項に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とするバックライトユニット。
- 請求項15に記載のLED素子を有するものであることを特徴とするバックライトユニット。
- 請求項10から14のいずれか一項に記載の波長変換フィルムを有するものであることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項16又は17に記載のバックライトユニットを有するものであることを特徴とする画像表示装置。
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