CN112969755A - 树脂组合物、波长转换材料、波长转换膜、led元件、背光单元及图像显示装置 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 147
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 110
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 102
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 32
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 10
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 claims description 6
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920007478 Kynar® 740 Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQQTZCPKNZVLFF-UHFFFAOYSA-N 4h-1,2-benzoxazin-3-one Chemical class C1=CC=C2ONC(=O)CC2=C1 HQQTZCPKNZVLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920006361 Polyflon Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930002877 anthocyanin Chemical class 0.000 description 1
- 239000004410 anthocyanin Chemical class 0.000 description 1
- 235000010208 anthocyanin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004636 anthocyanins Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Chemical class CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005125 dioxazines Chemical class 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000005670 ethenylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- ACTRVOBWPAIOHC-UHFFFAOYSA-N succimer Chemical compound OC(=O)C(S)C(S)C(O)=O ACTRVOBWPAIOHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
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- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
本发明为一种树脂组合物,其含有作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和基体树脂,所述树脂组合物的特征在于,所述基体树脂含有含氟树脂。由此,提供一种能够提高量子点的稳定性的树脂组合物。
Description
技术领域
本发明涉及含有量子点的树脂组合物、及使用了该树脂组合物的波长转换材料、波长转换膜、背光单元、图像显示装置。
背景技术
粒径为纳米尺寸的半导体晶体颗粒被称为量子点,通过将因光吸收而产生的激子限制在纳米尺寸的范围内,半导体晶体颗粒的能级变得离散,此外,其带隙会随着粒径而变化。由于这些效果,量子点的荧光发光的亮度和效率比普通的荧光体高,其发光波长的分布较尖锐。
此外,量子点因带隙随着其粒径发生变化的这一特性而具有能够控制发光波长的特征,期待将其用作固体照明和显示器的波长转换材料。例如,通过在显示器中将量子点用作波长转换材料,能够实现比现有的荧光体材料更广的色域、更低的耗电量。
作为将量子点用作波长转换材料的安装方法,专利文献1提出了一种将量子点分散在树脂材料中,在透明膜上层压含有量子点的树脂材料,从而制成波长转换膜进而安装入背光单元中的方法。
进一步,通过将量子点用作LED的波长转换材料,较之现有的荧光体材料,能够实现显色性的提高、低耗电量。作为将量子点用作波长转换材料的安装方法,报告有将含有量子点的荧光体层和蓝色LED组合而作为显示器及固体照明中使用的LED元件的方法(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2013-544018号公报
专利文献2:日本特表2002-510866号公报
专利文献3:国际公开第2011-081037号
专利文献4:日本专利第5900720号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,量子点的粒径小至纳米尺寸,因此比表面积大。因而,表面能较高且为表面活性,故而容易不稳定。量子点表面容易因悬空键(dangling bond)或氧化反应等产生表面缺陷,这会成为荧光发光特性发生劣化的原因。这些尤其在无镉量子点和钙钛矿型量子点中会是个问题。目前获得的量子点存在这种与稳定性相关的问题,并存在因热或湿度、光激发等引起发光特性的劣化进而产生不良影响的问题。
量子点的发光特性的经时变化导致显示器中产生颜色不均、发光不均或坏点(defective pixel)等缺陷,因此量子点的稳定性是重要的问题。
针对这样的问题,提出了用聚合物或无机氧化物等覆盖量子点表面的方法(专利文献3),或通过使用氧气/湿气透过性低的气体阻隔膜来提高量子点的稳定性的方法(专利文献4)。
然而,在专利文献3所记载的、为了提高稳定性而对量子点表面进行覆盖的工序中,无法保持量子点的发光特性,导致特性发生劣化的问题。
此外,专利文献4所记载的利用阻隔膜的稳定化也存在因来自于膜端面的氧气/水蒸气的扩散而导致劣化恶化的问题。并且,在平板或智能手机等移动用途中,谋求波长转换膜的薄型化,但通常阻隔膜具有20~200μm左右的厚度,若要对膜的两面进行保护,则厚度至少会增厚到40μm以上,因此在减薄波长转换膜的厚度方面产生了极限。
本发明是为了解决上述问题而进行的,其目的在于提供一种能够提高量子点的稳定性的树脂组合物。进一步,本发明的目的在于提供使用了所述树脂组合物的波长转换材料、波长转换膜、以及使用了该波长转换膜的背光单元及图像显示装置。
解决技术问题的技术手段
本发明是为了实现上述目的而进行的,本发明提供一种树脂组合物,其含有作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和基体树脂,所述基体树脂含有含氟树脂。
通过这样的树脂组合物,量子点的稳定性得到飞跃性提高。
此时,可将树脂组合物设为:所述含氟树脂为选自氟聚合物、氟环状化合物、氟共聚物中的至少一种的树脂组合物。
此外,可将树脂组合物设为:所述含氟树脂具有选自下述通式1至7中的至少一种结构单元的树脂组合物。
(-CF2-CF2-) (1)
(-CF2-CF(O-R)-)
(其中,R为全氟烷基) (2)
(-CF2-CFCl-) (3)
(-CF2-CF(CF3)-) (4)
(-CF2-CF2-) (5)
(-CF2-CHF-) (6)
[化学式1]
由此,量子点的稳定性进一步得到提高。
此时,可将树脂组合物设为:所述含氟树脂为具有选自所述通式1至7中的至少一种结构单元的共聚物,且该共聚物为嵌段共聚物、交替共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任一种的树脂组合物。
由此,量子点的稳定性进一步得到提高。
此时,可将树脂组合物设为:所述含氟树脂为选自聚四氟乙烯、全氟烷氧基烷烃、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、四氟乙烯-全氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、氟乙烯-乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、三氟氯乙烯-乙烯共聚物、氟烯烃-丙烯酸酯共聚物、四氟乙烯-全氟二氧杂环戊烯共聚物、或它们的衍生物中的聚合物的树脂组合物。
由此,量子点的稳定性进一步得到提高。
此时,可将树脂组合物设为:所述基体树脂进一步含有不含氟的树脂的树脂组合物,更优选设为:所述不含氟的树脂含有选自丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂中的至少一种以上的树脂的树脂组合物。
由此,容易设定使用了树脂组合物的成型物的特性,适用范围变广。
此时,可制成由所述树脂组合物形成的波长转换材料,进一步可制成LED用波长转换材料。
由此,形成特性变化小、稳定性优异的波长转换材料。
此时,可制成含有由所述树脂组合物形成的波长转换层的波长转换膜。
由此,形成特性变化小、稳定性优异的波长转换膜。
此时,可制成在含有由所述树脂组合物形成的波长转换层的波长转换膜中,所述含氟树脂与所述不含氟的树脂至少部分相分离的波长转换膜。
由此,可提高涂布树脂加工物时的密合性等涂布性,且同时可期待因减少含氟树脂的用量所带来的成本降低。
此时,所述波长转换膜可由单层的所述波长转换层构成。
由此,能够进一步减薄膜的厚度,因此特别适合于移动用途等。
此时,可将所述波长转换膜制成层叠了所述波长转换层和透明膜的结构,所述透明膜层叠于所述波长转换层的两侧。
由此,形成强度得到提高并具有表面保护、光扩散等特性的波长转换膜。
此时,可将波长转换膜用于LED。
由此,可制造具有稳定的发光特性的LED元件。
此时,可制成具备LED用波长转换材料或LED用波长转换膜的LED元件。
由此,形成具有稳定的发光特性的LED元件。
此时,可制成具有波长转换膜或LED元件的背光单元。
由此,形成特性变化小、稳定性优异的背光单元。
此时,可制成具有所述波长转换膜的图像显示装置。
由此,形成特性变化小、稳定性优异的图像显示装置。
发明效果
如上所述,通过本发明的树脂组合物,能够飞跃性地提高量子点的稳定性。
具体实施方式
以下,对本发明进行说明,但本发明并不限定于此。
如上所述,谋求一种能够提高量子点的稳定性、并能够提高可靠性的树脂组合物。
本申请的发明人对上述技术问题进行了反复认真研究,结果发现通过下述树脂组合物,能够飞跃性地提高量子点的稳定性,进而完成了本发明,所述树脂组合物含有作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和基体树脂,且所述基体树脂含有含氟树脂。
以下,对本发明进行详细说明。
(树脂组合物)
首先,对本发明的树脂组合物进行说明。本发明的树脂组合物的特征在于,含有作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和基体树脂,基体树脂含有含氟树脂。本申请的发明人发现,通过使基体树脂含有含氟树脂,量子点的稳定性得到飞跃性提高。
以下,分别对本发明的树脂组合物中所含的材料进行说明。
(量子点)
首先,对本发明的树脂组合物中所含的量子点进行说明。
量子点是结晶性纳米颗粒荧光体,其种类、组成没有特别限定。可以选择与目标物的特性和设计相应的量子点。例如,可以使用II-IV族半导体、III-V族半导体、II-VI族半导体、I-III-VI族半导体、II-IV-V族半导体、IV族半导体、钙钛矿型半导体等。
具体而言,可例示出CdSe、CdS、CdTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlAs、AlSb、ZnSe、ZnS、ZnTe、Zn3P2、GaP、GaAs、GaSb、CuInSe2、CuInS2、CuInTe2、CuGaSe2、CuGaS2、CuGaTe2、CuAlSe2、CuAlS2、CuAlTe2、AgInSe2、AgInS2、AgInTe、AgGaSe2、AgGaS2、AgGaTe2、PbSe、PbS、PbTe、Si、Ge、石墨烯、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CH3NH3PbCl3、以及它们的混合晶体或添加了掺杂物后的物质。
量子点可以是仅为核的量子点,也可以是具有核壳结构的量子点等,对结构没有限定。此外,也可以使用球形、立方体状、棒状等形状的量子点。
量子点的平均粒径可以根据树脂组合物的使用目的而适当设定。例如,可以根据作为荧光体的波长范围进行选择。量子点的平均粒径例如优选为100nm以下,优选为20nm以下。若为该范围的平均粒径,则可期待因提高了在树脂中的分散性而带来的透光率的提高、凝聚的抑制效果等。此外,量子尺寸效应变得更加有效,例如可期待发光效率的提高,也容易通过粒径来控制带隙。
另外,关于量子点的平均粒径,可对使用透射电子显微镜(TransmissionElectron Microscope:TEM)而得到的颗粒图像进行测量,根据20个以上的颗粒在固定方向的最大直径、即费雷特(Feret)直径的平均值进行计算。当然,平均粒径的测定方法并不限定于此,也可以使用其他方法进行测定。
进一步,可以在量子点的表面具有有机分子、无机分子或聚合物的覆盖层,其结构没有限定。此外,覆盖层的厚度也可以根据目标特性进行适当设定。例如,可以在使量子点的平均粒径为100nm以下的程度的厚度范围内形成覆盖层。
作为覆盖层,可以例示出硬脂酸、油酸、棕榈酸、二巯基琥珀酸、油胺、十六烷基胺、十八烷基胺、1-十二烷基硫醇等有机分子;或者聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚倍半硅氧烷、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯腈或聚乙二醇等聚合物;二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化镓、氮化硅或氮化镓等无机分子。
树脂组合物中所含的量子点的量(浓度)没有特别限定。可以根据膜的厚度、量子点的发光效率、目标波长转换膜的特性而适当设定。
(基体树脂)
接着,对本发明的树脂组合物中所含的基体树脂进行说明。基体树脂具有含有含氟树脂这一特征。由此,能够提高树脂组合物中所含的量子点的稳定性。另外,在本说明书中,“基体树脂”是指树脂组合物中除了量子点和添加剂之外的树脂成分。
作为含氟树脂,优选其为选自氟聚合物、氟环状化合物、氟共聚物中的至少一种。此外,它们的聚合度或存在比例也没有特别限定。可以根据目标粘度、硬度等树脂特性而适当设定。
此外,作为上述含氟树脂,优选其具有选自下述通式1至7中的至少一种结构单元。
(-CF2-CF2-) (1)
(-CF2-CF(O-R)-)
(其中,R为全氟烷基) (2)
(-CF2-CFCl-) (3)
(-CF2-CF(CF3)-) (4)
(-CF2-CF2-) (5)
(-CF2-CHF-) (6)
[化学式2]
含氟树脂也可以含有除上述通式1~7的结构单元之外的结构单元,其种类没有特别限定。可以根据目标树脂特性进行适当设定。此外,作为除通式1~7的结构单元之外的结构单元,可以例示出乙烯醇、乙烯基醚、乙烯基酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、氨基甲酸酯(urethane)、苯乙烯、乙烯、乙酸乙烯酯、卤代乙烯、偏卤代乙烯、丙烯腈、乙烯基烷基醚、有机硅氧烷等,但当然不限定于此。
此外,含氟树脂中的上述通式1~7的结构单元的存在比例没有特别限定。
所述含氟树脂优选为具有选自所述通式1至7中的至少一种结构单元的共聚物,该共聚物优选为嵌段共聚物、交替共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任意一种。
可将所述含氟树脂设为选自聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烃(PFA)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯、四氟乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、氟乙烯-乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、三氟氯乙烯-乙烯共聚物、氟烯烃-丙烯酸酯共聚物、四氟乙烯-全氟二氧杂环戊烯共聚物、或它们的衍生物中的聚合物。若为这样的聚合物,则将树脂组合物制成膜时,气体阻隔性和加工性等优异。
此外,基体树脂也可以含有除上述含氟树脂之外的树脂。作为除含氟树脂之外的树脂,例如可以使用选自丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂中的至少一种以上的树脂。由此,将本发明的树脂组合物适用于波长转换材料或波长转换膜时,容易设定其以柔软性、强度为代表的机械特性等,适用范围变广。
另外,基体树脂中所含的含氟树脂的量没有特别限定。相对于基体树脂的总量,优选为1质量%以上,若为10质量%以上则更为优选。若为30质量%以上,则能够进一步切实地提高量子点的稳定性。虽然上限值为100质量%,但也可以设定为90%以下,进一步优选设定为50%以下。由于含氟树脂的价格较高,因此若减少含量则可期待成本的降低。此外,可期待提高润湿性和密合性等涂布性。
(其他添加剂)
本发明的树脂组合物可以含有除了作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和含有含氟树脂的基体树脂之外的材料作为添加剂。例如,可以含有作为光散射体发挥功能的二氧化硅、氧化锆、氧化铝、二氧化钛等颗粒。此外,也可以含有无机荧光体或有机荧光体。作为无机荧光体,可例示出YAG、LSN、LYSN、CASN、SCASN、KSF、CSO、β-SIALON、GYAG、LuAG、SBCA,作为有机荧光体,可例示出苝衍生物、蒽醌衍生物、蒽衍生物、酞菁衍生物、花青苷衍生物、二噁嗪衍生物、苯并噁嗪酮衍生物、香豆素衍生物、喹酞酮(quinophthalone)衍生物、苯并噁唑衍生物、吡唑啉衍生物等。
(树脂组合物的制备方法)
本发明的树脂组合物可以通过混合量子点和基体树脂、以及任意的其他添加剂而制备。这些物质的混合方法没有特别限定,可以根据所使用的基体树脂的性状或目标用途特性而适当选择。例如,可以向溶解于溶剂中的基体树脂中混合分散有量子点的溶液,也可以向基体树脂的薄片中添加量子点溶液或通过离心分离等从量子点溶液中回收的量子点的固体,并进行捏合。量子点和基体树脂没有必要必须均匀分散。此外,在基体树脂含有不含氟的树脂的情况下,含氟树脂与不含氟的树脂可以是部分相分离的状态。这种情况下,可提高涂布树脂组合物时的润湿性和密合性等涂布性,且同时可期待因减少含氟树脂的用量所带来的成本降低。
(波长转换材料)
可以由本发明的树脂组合物获得波长转换材料。由于量子点的稳定性优异,因此该波长转换材料的特性变化小。波长转换材料的形态没有特别限定。可以为块、板、片、膜等各种形状。波长转换材料可以通过与其形态相应的适当的制造方法获得。例如,可以使用溶液浇铸法、溶液流延法、熔融挤出成型法、铸塑成型法、注射成型法、层叠成型法等。
(波长转换膜)
优选由本发明的树脂组合物形成波长转换层,并制成含有该波长转换层的波长转换膜。此时,波长转换膜的厚度没有特别限定,可以根据目的而适当设计。波长转换膜的厚度例如优选为5~500μm左右,更优选为200μm以下,进一步优选为100μm以下。若为这样的范围,则能够获得更稳定的发光特性。
此外,波长转换膜的结构也没有特别限定。例如,可以制成由单层的波长转换层构成的膜。若为单层的膜,则由于能够进一步减薄膜的厚度,因此特别适合于移动用途等。
进一步,也可以制成用功能性膜夹持波长转换层而成的3层以上的层叠结构,或者在基材膜上涂布波长转换层而成的2层以上的层叠结构。若制成层叠结构,则能够提高强度、或者赋予表面保护、光扩散等功能。例如,在使用透明膜作为功能性膜或基材膜的情况下,可列举出PET、PP、PE等。此时,也可以在透明膜和波长转换层之间存在粘合层。此外,为了提高波长转换层与基材膜或功能性膜之间的密合性,优选利用硅烷偶联剂等进行表面处理。
另外,波长转换层可以通过与树脂组合物的性状或目标波长转换膜特性相应的适当的制造方法进行制造。例如,可例示出溶液浇铸法、溶液流延法、熔融挤出成型法等。可将所制造的波长转换层用作如上所述的单层的波长转换膜、或者将所制备的波长转换层与其他膜等层叠而制成波长转换膜。
此外,本发明的波长转换材料、波长转换膜适合应用于例如LED,或者适合制成设置在连接有蓝色LED的导光板面上的背光单元、或配置在所述导光板面与液晶显示面板之间的图像显示装置。上述波长转换膜通过吸收作为光源的一次光的至少一部分,发出例如波长比一次光长的二次光,从而能够转换成具有取决于量子点的发光波长的任意波长分布的光。对于本发明的波长转换膜,由于量子点的稳定性得到了飞跃性提高,因此可期待背光单元和图像显示装置的寿命的延长。
实施例
以下,列举实施例及比较例对本发明进行详细说明,但其并不限定本发明。
(实施例1)
作为量子点,使用球形且平均粒径为6nm、发光波长为531nm的InP/ZnSe/ZnS核壳量子点(以下,称为“QD-G”),以及球形且平均粒径为8nm、发光波长为627nm的InP/ZnSe/ZnS核壳量子点(以下,称为“QD-R”)。并准备将各量子点分散在20质量%甲苯溶液中而成的溶液(以下,称为“量子点溶液”)。
首先,向上述量子点溶液中添加以体积比计为5倍的丙酮从而使量子点沉淀,使用离心分离机以10000rpm进行10分钟的离心分离处理,得到量子点的糊料(paste)。
接着,以使QD-G及QD-R分别为3质量%的方式,向作为基体树脂的ETFE(AGC Inc.制造:C-88AXP)中添加上述量子点的糊料,得到树脂组合物。然后,将该树脂组合物投入单轴挤出机而进行捏合后,在300℃的条件下由T型模具挤出,通过辊而使其冷却并固化,形成波长转换膜。所得到的波长转换膜的厚度为73μm。
(实施例2)
以与实施例1相同的方式得到量子点的糊料。
接着,以使QD-G及QD-R分别为3质量%的方式,向作为基体树脂的PFA(DAIKININDUSTRIES,LTD.制造:Polyflon PFA AP-202)中添加量子点的糊料,得到树脂组合物。然后,将该树脂组合物投入单轴挤出机而进行捏合后,在320℃的条件下由T型模具挤出,通过辊而使其冷却并固化,形成波长转换膜。所得到的波长转换膜的厚度为83μm。
(实施例3)
以与实施例1相同的方式得到量子点的糊料。
接着,以使QD-G及QD-R分别为3质量%的方式,向作为基体树脂的PCTFE(DAIKININDUSTRIES,LTD.制造:Neoflon PCTFE M-300P)中添加量子点的糊料,得到树脂组合物。然后,将该树脂组合物投入单轴挤出机而进行捏合后,在290℃的条件下由T型模具挤出,通过辊而使其冷却并固化,形成波长转换膜。所得到的波长转换膜的厚度为112μm。
(实施例4)
以与实施例1相同的方式得到量子点的糊料。
接着,以使QD-G及QD-R分别为3质量%的方式,向作为基体树脂的PVDF(ArkemaInc.,制造:KYNAR740)中添加量子点的糊料,得到树脂组合物。然后,将该树脂组合物投入单轴挤出机而进行捏合后,在220℃的条件下由T型模具挤出,通过辊而使其冷却并固化,形成波长转换膜。所得到的波长转换膜的厚度为46μm。
(实施例5)
以使固体成分浓度为20质量%的方式,将PVDF(Arkema Inc.,制造:KYNAR740)溶解在DMF(KANTO CHEMICAL CO.,INC.制造)中,得到基体树脂溶液。
接着,以使QD-G和QD-R相对于树脂固体成分分别为3质量%的方式,向上述基体树脂溶液中添加量子点溶液并进行混合,得到树脂组合物。
接着,对该树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜(TORAYINDUSTRIES,INC.制造:Lumirror Film T60)上,用80℃的烘箱加热30分钟使其固化,形成具有波长转换层的层叠膜。进一步在波长转换层上贴合PET膜,进行层压加工。以85℃对该膜进行1小时加热固化,得到作为层叠体的波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为109μm,波长转换膜的总厚度为159μm。
(实施例6)
以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式,向氟乙烯-乙烯基醚共聚物(AGC Inc.制造:LUMIFLON LF200)的40%二甲苯溶液的基体树脂溶液中添加量子点溶液并进行混合,得到树脂组合物。
接着,对该树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜(TORAYINDUSTRIES,INC.制造:Lumirror Film T60)上,用80℃的烘箱使其加热固化1小时,得到具有波长转换层的层叠体的波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为72μm,波长转换膜的总厚度为97μm。
(实施例7)
以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式,向氟乙烯-乙烯基醚共聚物(AGC Inc.制造:LUMIFLON LF200)的40%二甲苯溶液的基体树脂溶液中添加量子点溶液并进行混合,得到混合溶液。
接着,以相对于上述混合溶液为5质量%的方式,将平均粒径为30μm的二氧化硅颗粒(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造QSG-30)添加至上述混合溶液中并使其分散,得到含有量子点、基体树脂及二氧化硅颗粒的树脂组合物。
接着,对该树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜(TORAYINDUSTRIES,INC.制造:Lumirror Film T60)上,用80℃的烘箱使其加热固化1小时,得到具有波长转换层的层叠体的波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为77μm,波长转换膜的总厚度为102μm。
(实施例8)
以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式,向氟乙烯-乙烯基醚共聚物(AGC Inc.制造:LUMIFLON LF200)的40%二甲苯溶液的基体树脂溶液中添加量子点溶液并进行混合,得到混合溶液。
接着,以使氟树脂:丙烯酸树脂以重量比计为3:7的方式,向上述混合溶液中添加丙烯酸树脂(DIC Corporation制造:ACRYDIC BL-616-BA)并进行搅拌,得到树脂组合物。
对由此得到的树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜上,用80℃的烘箱使其加热固化1小时,形成波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为79μm,波长转换膜的总厚度为104μm。
(实施例9)
以与实施例1相同的方式形成厚度为56μm的波长转换膜。将该膜配置在安装有蓝色LED的密封材料上,制作LED元件。
(实施例10)
以与实施例2相同的方式形成厚度为48μm的波长转换膜。将该膜配置在安装有蓝色LED的密封材料上,制作LED元件。
(实施例11)
以与实施例3相同的方式形成厚度为50μm的波长转换膜。将该膜配置在安装有蓝色LED的密封材料上,制作LED元件。
(实施例12)
以与实施例4相同的方式形成厚度为41μm的波长转换膜。将该膜配置在安装有蓝色LED的密封材料上,制作LED元件。
(实施例13)
将实施例5中得到的树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,以85℃加热1小时而使其固化,从而制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为38μm。
(实施例14)
将实施例6中得到的树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,以85℃加热1小时而使其固化,从而制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为34μm。
(实施例15)
将实施例7中得到的树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,以85℃加热1小时而使其固化,从而制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为40μm。
(实施例16)
将实施例8中得到的树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,以85℃加热1小时而使其固化,从而制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为58μm。
(比较例1)
以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式,向丙烯酸树脂(DICCorporation制造:ACRYDIC BL-616-BA)中进行添加并搅拌,得到树脂组合物。
接着,对上述树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜上,以60℃加热2小时,然后以150℃加热4小时,使其固化,形成具有波长转换层的膜。进一步,在波长转换层上贴合25μm的PET膜,进行层压加工,得到层叠膜。以85℃对该层叠膜进行1小时加热而使波长转换层固化,得到波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为81μm,波长转换膜的总厚度为131μm。
(比较例2)
以环氧树脂(Fine Polymers Corporation制造:EpiFine TO-0107-20)为基体树脂,以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式进行添加并搅拌,得到树脂组合物。
接着,对上述树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜上,进一步贴合25μm的PET膜,得到具有波长转换层的膜。使用365nm UV LED灯对该膜进行100W/cm2、20秒的UV照射,使波长转换层固化,得到波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为67μm,波长转换膜的总厚度为117μm。
(比较例3)
以丙烯酸树脂(DIC Corporation制造:ACRYDIC BL-616-BA)为基体树脂,以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式进行添加并搅拌,得到树脂组合物。
接着,对上述树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在15μm的阻隔膜(ToppanPrinting CO.,LTD.制造:GL FILM)上,以60℃加热2小时,然后以150℃加热4小时,使波长转换层固化,形成层叠膜。进一步,在波长转换层上贴合15μm的阻隔膜,进行层压加工。以85℃对该膜进行1小时加热而使波长转换层固化,得到波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为83μm,波长转换膜的总厚度为113μm。
(比较例4)
向20ml量子点溶液中添加0.2ml的3-氨基丙基三甲氧基硅烷(TOKYO CHEMICALINDUSTRY CO.,LTD.制造),在室温下混合24小时,得到量子点混合溶液。
接着,在剧烈搅拌的状态下向上述量子点混合溶液中滴加0.5ml的四甲氧基硅烷(TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)。在进行搅拌的状态下一点一点地滴加1ml的10%氨水,搅拌20小时,进行反应。
反应后,进行离心分离,得到用SiO2层覆盖的量子点。
接着,以丙烯酸树脂(DIC Corporation制造:ACRYDIC BL-616-BA)为基体树脂,使用上述用SiO2层覆盖的量子点,以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式进行添加并搅拌,得到含有用SiO2层覆盖的量子点和丙烯酸树脂的树脂组合物。
接着,对上述树脂组合物进行搅拌脱泡,使用棒涂机涂布在25μm的PET膜上,以60℃加热2小时,然后以150℃加热4小时,使其固化,形成层叠膜。进一步,在波长转换层上贴合25μm的PET膜,进行层压加工。以85℃对该膜进行1小时加热而使波长转换层固化,得到波长转换膜。
所得到的波长转换膜的波长转换层的厚度为75μm,波长转换膜的总厚度为125μm。
(比较例5)
将比较例2中得到的树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,使用365nmUV LED灯对其进行100W/cm2、20秒的UV照射,使其固化,制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为50μm。
(比较例6)
以硅树脂(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造:LPS-5547)为基体树脂,以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式进行添加并搅拌,得到树脂组合物。将该树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,以60℃加热2小时而使其固化,从而制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为58μm。
(比较例7)
以环氧树脂(Electric Materials Inc.制造:OPTOCAST 3553)为基体树脂,使用比较例4中得到的量子点,以使QD-G及QD-R相对于树脂固体成分分别为2质量%的方式进行添加并搅拌,得到含有用SiO2层覆盖的量子点和丙烯酸树脂的树脂组合物。
将该树脂组合物涂布在安装有蓝色LED的密封材料上,使用365nm UV LED灯对其进行100W/cm2、20秒的UV照射而使其固化,制作LED元件。所形成的波长转换材料的厚度为51μm。
对于实施例1~8及比较例1~4中制作的波长转换膜,首先测定初始发光特性,然后在高温高湿状态(温度85度、湿度85%、保存时间250小时)下进行保存后,再次评价发光特性。
以下述表1所示的标准,对以初始发光时的量子产率为标准的、高温高湿处理后的量子产率的相对强度变化量进行评价。另外,关于波长转换膜的荧光发光特性评价,使用量子效率测定系统(Otsuka Electronics Co.,Ltd.制造的QE-2100),将激发波长设定为450nm,测定发光特性。此外,在膜端部及距端部5cm的内部这两个位置进行测定。
[表1]
相对变化量 | 评价结果 |
小于5% | A |
5%以上且小于10% | B |
10%以上且小于20% | C |
20%以上 | D |
在表2中,示出了实施例1~8及比较例1~4的树脂组合物的成分、波长转换膜的结构,且一并示出了发光特性的评价结果。另外,关于测定部位,将膜端部记作“1”、将距端部5cm的内部记作“2”。
由实施例1~8所示可知,通过使基体树脂含有含氟树脂,能够抑制量子点的劣化,能够得到可靠性高且特性稳定的波长转换膜。
另一方面,如比较例1~4所示,在基体树脂不含有含氟树脂的情况下,稳定性比实施例差。特别是如比较例1、2所示,在未对量子点实施稳定性措施的情况下,发光特性的相对变化量大、明显不稳定。比较例3中,虽然试图用阻隔膜夹持波长转换膜而获得量子点的稳定性,但稳定性不充分。比较例4中,虽对量子点表面进行了用于提高稳定性的覆盖,但未能保持量子点的发光特性,特性发生了劣化。
接着,针对实施例9~16及比较例5~7中制作的LED元件,首先测定初始发光特性,接着在流通20mA的电流的状态下使其连续发光1000小时后,再次评价发光特性。以表1的标准对以初始发光时的发光强度为标准的、发光1000小时后的发光强度的相对变化量进行评价。表3示出了实施例9~16及比较例5~7的发光特性的评价结果。
[表3]
由实施例9~16可知,通过使基体树脂含有含氟树脂,能够抑制量子点的劣化,能够得到可靠性高且发光特性稳定的LED元件。
另一方面,如比较例5~7所示,在基体树脂不含有含氟树脂的情况下,LED元件的发光特性的稳定性比实施例差。特别是如比较例5、6所示,在未对量子点实施稳定性措施的情况下,发光特性的相对变化量大、明显不稳定。比较例7中,虽对量子点表面进行了用于提高稳定性的覆盖,但未能保持量子点的发光特性,LED发光特性发生了劣化。
此外,本发明并不限定于上述实施方案。上述实施方案仅为例示,与本发明的权利要求书中所记载的技术构思具有实质相同的构成、并起到相同作用效果的技术方案均包含在本发明的保护范围内。
Claims (19)
1.一种树脂组合物,其含有作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点和基体树脂,所述树脂组合物的特征在于,所述基体树脂含有含氟树脂。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其特征在于,所述含氟树脂为选自氟聚合物、氟环状化合物、氟共聚物中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的树脂组合物,其特征在于,所述含氟树脂为具有选自所述通式1至7中的至少一种结构单元的共聚物,该共聚物为嵌段共聚物、交替共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任意一种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的树脂组合物,其特征在于,所述含氟树脂为选自聚四氟乙烯、全氟烷氧基烷烃、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、四氟乙烯-全氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、氟乙烯-乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、三氟氯乙烯-乙烯共聚物、氟烯烃-丙烯酸酯共聚物、四氟乙烯-全氟二氧杂环戊烯共聚物、或它们的衍生物中的聚合物。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的树脂组合物,其特征在于,所述基体树脂进一步含有不含氟的树脂。
7.根据权利要求6所述的树脂组合物,其特征在于,所述不含氟的树脂含有选自丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂中的至少一种以上的树脂。
8.一种波长转换材料,其特征在于,其由权利要求1~7中任一项所述的树脂组合物形成。
9.根据权利要求8所述的波长转换材料,其特征在于,所述波长转换材料为LED用波长转换材料。
10.一种波长转换膜,其特征在于,其含有由权利要求1~7中任一项所述的树脂组合物形成的波长转换层。
11.一种波长转换膜,其特征在于,在含有由权利要求6或7所述的树脂组合物形成的波长转换层的波长转换膜中,所述含氟树脂与所述不含氟的树脂至少部分相分离。
12.根据权利要求10或11所述的波长转换膜,其特征在于,所述波长转换膜由单层的所述波长转换层构成。
13.根据权利要求10或11所述的波长转换膜,其特征在于,所述波长转换膜为层叠了所述波长转换层和透明膜的结构,所述透明膜层叠于所述波长转换层的两侧。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的波长转换膜,其特征在于,所述波长转换膜为LED用波长转换膜。
15.一种LED元件,其特征在于,其具有权利要求9所述的波长转换材料或权利要求14所述的波长转换膜。
16.一种背光单元,其特征在于,其具有权利要求10~14中任一项所述的波长转换膜。
17.一种背光单元,其特征在于,其具有权利要求15所述的LED元件。
18.一种图像显示装置,其特征在于,其具有权利要求10~14中任一项所述的波长转换膜。
19.一种图像显示装置,其特征在于,其具有权利要求16或17所述的背光单元。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-208966 | 2018-11-06 | ||
JP2018208966A JP6975122B2 (ja) | 2018-11-06 | 2018-11-06 | 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 |
PCT/JP2019/040395 WO2020095629A1 (ja) | 2018-11-06 | 2019-10-15 | 樹脂組成物、波長変換材料、波長変換フィルム、led素子、バックライトユニット及び画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112969755A true CN112969755A (zh) | 2021-06-15 |
CN112969755B CN112969755B (zh) | 2023-06-23 |
Family
ID=70612383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980072442.8A Active CN112969755B (zh) | 2018-11-06 | 2019-10-15 | 树脂组合物、波长转换材料、波长转换膜、led元件、背光单元及图像显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11749785B2 (zh) |
JP (1) | JP6975122B2 (zh) |
KR (1) | KR20210088552A (zh) |
CN (1) | CN112969755B (zh) |
WO (1) | WO2020095629A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102664441B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2024-05-08 | 삼성전자주식회사 | 양자점 복합체 및 이를 포함하는 전자소자 |
JP7335520B2 (ja) | 2021-06-21 | 2023-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置 |
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- 2019-10-15 KR KR1020217012212A patent/KR20210088552A/ko unknown
- 2019-10-15 WO PCT/JP2019/040395 patent/WO2020095629A1/ja active Application Filing
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KR20210088552A (ko) | 2021-07-14 |
WO2020095629A1 (ja) | 2020-05-14 |
US11749785B2 (en) | 2023-09-05 |
US20210384385A1 (en) | 2021-12-09 |
JP6975122B2 (ja) | 2021-12-01 |
TW202024298A (zh) | 2020-07-01 |
CN112969755B (zh) | 2023-06-23 |
JP2020075971A (ja) | 2020-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |