DE69801455D1 - Verfahren zum Schneiden der Vorform eines Oxyd-Einkristalls, und ein Verfahren zur Herstellung von funktionellen Vorrichtungen - Google Patents

Verfahren zum Schneiden der Vorform eines Oxyd-Einkristalls, und ein Verfahren zur Herstellung von funktionellen Vorrichtungen

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JP4883497 1997-03-04
JP22032097A JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1997-08-15 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法

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Families Citing this family (251)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124161A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Disco Abrasive Syst Ltd 基盤の分割方法
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6562698B2 (en) 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6555447B2 (en) * 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
AU2002258130A1 (en) * 2001-05-03 2002-11-18 Jemtex Ink Jet Printing Ltd. Ink jet printers and methods
JP2002372641A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Ngk Insulators Ltd 光導波路の製造方法、光導波路および波長変換デバイス
EP1423282B1 (de) * 2001-09-06 2011-02-09 Ricoh Company, Ltd. Herstellungsverfahren für flüssigkeitstropfenabgabekopf
SG139508A1 (en) * 2001-09-10 2008-02-29 Micron Technology Inc Wafer dicing device and method
SG102639A1 (en) * 2001-10-08 2004-03-26 Micron Technology Inc Apparatus and method for packing circuits
JP3612317B2 (ja) * 2001-11-30 2005-01-19 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
AU2003211575A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
AU2003211581A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
SG142115A1 (en) * 2002-06-14 2008-05-28 Micron Technology Inc Wafer level packaging
JP2004066293A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd レーザ加工方法
JP2004090534A (ja) 2002-09-02 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板の加工装置および加工方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
AU2003220847A1 (en) 2003-03-12 2004-09-30 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
WO2004096483A1 (ja) 2003-04-25 2004-11-11 Nitto Denko Corporation レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
SG119185A1 (en) * 2003-05-06 2006-02-28 Micron Technology Inc Method for packaging circuits and packaged circuits
US6949449B2 (en) * 2003-07-11 2005-09-27 Electro Scientific Industries, Inc. Method of forming a scribe line on a ceramic substrate
KR101193723B1 (ko) 2003-07-18 2012-10-22 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005101413A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
ATE553638T1 (de) 2003-12-25 2012-04-15 Nitto Denko Corp Verfahren zur herstellung durch laser werkstücke
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4854061B2 (ja) 2005-01-14 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP4873863B2 (ja) * 2005-01-14 2012-02-08 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート
DE102006003591A1 (de) 2005-01-26 2006-08-17 Disco Corporation Laserstrahlbearbeitungsmaschine
JP4705450B2 (ja) 2005-03-11 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの保持機構
JP4648044B2 (ja) 2005-03-15 2011-03-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4684697B2 (ja) * 2005-03-22 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハ破断方法
JP2006269897A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2006315017A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
JP4676247B2 (ja) * 2005-05-19 2011-04-27 株式会社ディスコ テープ貼り機
JP2006344795A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4942313B2 (ja) 2005-07-07 2012-05-30 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
JP4599243B2 (ja) 2005-07-12 2010-12-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US7608523B2 (en) 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
DE102006042280A1 (de) 2005-09-08 2007-06-06 IMRA America, Inc., Ann Arbor Bearbeitung von transparentem Material mit einem Ultrakurzpuls-Laser
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4800729B2 (ja) * 2005-10-05 2011-10-26 株式会社光波 基板加工方法及び発光素子の製造方法
US20070134833A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor element and method of making same
JP4777783B2 (ja) * 2006-01-26 2011-09-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4652986B2 (ja) * 2006-02-08 2011-03-16 株式会社ディスコ 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置
JP4776431B2 (ja) * 2006-05-17 2011-09-21 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置
JP2008053500A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008060164A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP5007090B2 (ja) 2006-09-11 2012-08-22 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP4903523B2 (ja) 2006-09-25 2012-03-28 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
JP4977432B2 (ja) 2006-10-17 2012-07-18 株式会社ディスコ ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
JP5133568B2 (ja) 2007-01-11 2013-01-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2008170366A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2008192806A (ja) 2007-02-05 2008-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP4885762B2 (ja) 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2008277414A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5010978B2 (ja) 2007-05-22 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
ITPD20070201A1 (it) * 2007-06-08 2008-12-09 Helios Technology Societa A Re Macchina per la rimozione di superfici di semiconduttori, ed in particolare di superfici con circuiti integrati
JP5043630B2 (ja) 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP5090897B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-05 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP5171294B2 (ja) 2008-02-06 2013-03-27 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP2009184002A (ja) 2008-02-08 2009-08-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法
JP2009224454A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの製造方法
JP5117920B2 (ja) 2008-04-28 2013-01-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5155030B2 (ja) 2008-06-13 2013-02-27 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの分割方法
JP2010045117A (ja) 2008-08-11 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5231136B2 (ja) 2008-08-22 2013-07-10 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5139922B2 (ja) 2008-08-25 2013-02-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5199789B2 (ja) 2008-08-25 2013-05-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2010087433A (ja) 2008-10-02 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法、レーザ加工装置およびチップの製造方法
JP5324180B2 (ja) * 2008-10-07 2013-10-23 株式会社ディスコ レーザ加工方法およびレーザ加工装置
DE102008052006B4 (de) * 2008-10-10 2018-12-20 3D-Micromac Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie
JP5323441B2 (ja) * 2008-10-16 2013-10-23 株式会社ディスコ 分割方法
JP5318544B2 (ja) 2008-12-01 2013-10-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2010131806A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd アルチック基板の分割方法
JP2010134328A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd 偏光素子およびレーザーユニット
JP5300543B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
JP5300544B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
JP2010217113A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 断面形状測定装置
JP5436917B2 (ja) 2009-04-23 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2010283084A (ja) 2009-06-03 2010-12-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5385060B2 (ja) 2009-09-07 2014-01-08 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置
JP5384284B2 (ja) 2009-10-09 2014-01-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5595716B2 (ja) 2009-11-18 2014-09-24 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5553586B2 (ja) * 2009-12-08 2014-07-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2011124323A (ja) 2009-12-09 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd 発光デバイス、発光デバイスの製造方法および発光デバイス素材の加工装置
JP2011134955A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd 板状材料からのチップ状部品の生産方法
JP5558128B2 (ja) * 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5558129B2 (ja) 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5461218B2 (ja) 2010-02-08 2014-04-02 株式会社ディスコ 接着フィルム保持機構
US8591287B2 (en) * 2010-02-26 2013-11-26 Corning Incorporated Methods of fabricating a honeycomb extrusion die from a die body
JP2011224931A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Disco Corp 光デバイスウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP5508133B2 (ja) * 2010-05-19 2014-05-28 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
JP2011248241A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法及びレーザー加工装置
JP5518612B2 (ja) 2010-07-20 2014-06-11 株式会社ディスコ 光学装置およびこれを備えるレーザー加工装置
JP5643036B2 (ja) 2010-09-14 2014-12-17 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5770446B2 (ja) 2010-09-30 2015-08-26 株式会社ディスコ 分割方法
JP5758116B2 (ja) 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法
JP5752933B2 (ja) 2010-12-17 2015-07-22 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5878292B2 (ja) 2010-12-24 2016-03-08 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5804716B2 (ja) 2011-02-03 2015-11-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2012223783A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Panasonic Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5846764B2 (ja) 2011-06-01 2016-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5846765B2 (ja) 2011-06-01 2016-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5823749B2 (ja) 2011-07-11 2015-11-25 株式会社ディスコ 光デバイス基板の分割方法
JP5766530B2 (ja) 2011-07-13 2015-08-19 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5787653B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5797963B2 (ja) 2011-07-25 2015-10-21 株式会社ディスコ レーザー光線のスポット形状検出方法
JP2013078785A (ja) 2011-10-04 2013-05-02 Disco Corp レーザー加工装置の集光スポット位置検出方法
JP5839923B2 (ja) 2011-10-06 2016-01-06 株式会社ディスコ パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
JP2013081957A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
JP5888927B2 (ja) 2011-10-06 2016-03-22 株式会社ディスコ ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
JP5839390B2 (ja) 2011-10-06 2016-01-06 株式会社ディスコ アブレーション加工方法
JP5878330B2 (ja) 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
JP5886603B2 (ja) 2011-11-11 2016-03-16 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5860272B2 (ja) 2011-11-24 2016-02-16 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5964580B2 (ja) 2011-12-26 2016-08-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2013152986A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5902490B2 (ja) 2012-01-25 2016-04-13 株式会社ディスコ レーザー光線のスポット形状検出方法およびスポット形状検出装置
JP5996250B2 (ja) 2012-04-24 2016-09-21 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP6425368B2 (ja) 2012-04-27 2018-11-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP5996260B2 (ja) 2012-05-09 2016-09-21 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
CN102749746B (zh) * 2012-06-21 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶基板切割装置及液晶基板切割方法
JP5918044B2 (ja) 2012-06-25 2016-05-18 株式会社ディスコ 加工方法および加工装置
JP5892878B2 (ja) * 2012-06-28 2016-03-23 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5995563B2 (ja) 2012-07-11 2016-09-21 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP6137798B2 (ja) 2012-09-26 2017-05-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置及び保護膜被覆方法
JP2014124646A (ja) 2012-12-25 2014-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法および微粒子層形成剤
JP6208430B2 (ja) 2013-01-25 2017-10-04 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6062287B2 (ja) 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
WO2015008189A2 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Dicing a wafer of light emitting devices
JP6121281B2 (ja) 2013-08-06 2017-04-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6255192B2 (ja) 2013-09-04 2017-12-27 株式会社ディスコ 光デバイス及び光デバイスの加工方法
JP6223801B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-01 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
JP2015138815A (ja) 2014-01-21 2015-07-30 株式会社ディスコ 光デバイス及び光デバイスの加工方法
JP2015144192A (ja) 2014-01-31 2015-08-06 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP6277017B2 (ja) 2014-03-03 2018-02-07 株式会社ディスコ 光デバイス
JP6324796B2 (ja) 2014-04-21 2018-05-16 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6366996B2 (ja) 2014-05-19 2018-08-01 株式会社ディスコ リフトオフ方法
KR101602782B1 (ko) 2014-07-03 2016-03-11 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 마킹 방법
JP6349175B2 (ja) 2014-07-14 2018-06-27 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
CN104129000B (zh) * 2014-07-28 2016-02-10 江苏吉星新材料有限公司 一种热交换法蓝宝石籽晶的加工方法
JP6393583B2 (ja) 2014-10-30 2018-09-19 株式会社ディスコ 保護膜検出装置及び保護膜検出方法
JP2016111119A (ja) 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP2016111236A (ja) 2014-12-08 2016-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6599098B2 (ja) 2014-12-12 2019-10-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016143766A (ja) 2015-02-02 2016-08-08 株式会社ディスコ 単結晶部材の加工方法
JP6495056B2 (ja) 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6407066B2 (ja) 2015-03-06 2018-10-17 株式会社ディスコ 光デバイスチップの製造方法
JP2016167552A (ja) 2015-03-10 2016-09-15 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6478728B2 (ja) 2015-03-11 2019-03-06 株式会社ディスコ 保護膜検出方法
JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6399961B2 (ja) * 2015-04-06 2018-10-03 株式会社ディスコ 光デバイスチップの製造方法
JP6548944B2 (ja) 2015-04-09 2019-07-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2017050444A (ja) 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ディスコ 光デバイス層の剥離方法
JP6625854B2 (ja) 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6549014B2 (ja) 2015-10-13 2019-07-24 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6576212B2 (ja) 2015-11-05 2019-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6576211B2 (ja) 2015-11-05 2019-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6521837B2 (ja) 2015-11-05 2019-05-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
JP2017152569A (ja) 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6625926B2 (ja) 2016-04-13 2019-12-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6755705B2 (ja) 2016-05-09 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6665020B2 (ja) 2016-05-10 2020-03-13 株式会社ディスコ 分割工具、および分割工具の使用方法
JP6755707B2 (ja) 2016-05-12 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6850112B2 (ja) 2016-11-28 2021-03-31 株式会社ディスコ Ｌｅｄ組み立て方法
JP6870974B2 (ja) 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP2018098441A (ja) 2016-12-16 2018-06-21 株式会社ディスコ ダイボンダー
JP6814646B2 (ja) 2017-01-23 2021-01-20 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
JP6799470B2 (ja) 2017-01-24 2020-12-16 株式会社ディスコ スポット形状検出装置
JP6802093B2 (ja) 2017-03-13 2020-12-16 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6781649B2 (ja) 2017-03-13 2020-11-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7032050B2 (ja) 2017-03-14 2022-03-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6882045B2 (ja) 2017-04-13 2021-06-02 株式会社ディスコ 集光点位置検出方法
JP6837905B2 (ja) 2017-04-25 2021-03-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6938212B2 (ja) 2017-05-11 2021-09-22 株式会社ディスコ 加工方法
JP7076951B2 (ja) 2017-05-23 2022-05-30 株式会社ディスコ 反射率検出装置
JP6932437B2 (ja) 2017-06-02 2021-09-08 株式会社ディスコ レーザ加工装置の光軸確認方法
JP7098284B2 (ja) 2017-07-06 2022-07-11 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法
JP7023629B2 (ja) 2017-07-07 2022-02-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019025539A (ja) 2017-08-04 2019-02-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998149B2 (ja) 2017-08-08 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6985060B2 (ja) 2017-08-17 2021-12-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6973916B2 (ja) * 2017-08-21 2021-12-01 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6959073B2 (ja) 2017-08-30 2021-11-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6953242B2 (ja) 2017-09-06 2021-10-27 株式会社ディスコ 高さ検出装置、及びレーザー加工装置
JP7039238B2 (ja) 2017-10-03 2022-03-22 株式会社ディスコ レーザー照射機構
JP2019069465A (ja) 2017-10-11 2019-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6965094B2 (ja) 2017-10-17 2021-11-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7007053B2 (ja) 2017-10-17 2022-01-24 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP6907091B2 (ja) 2017-10-19 2021-07-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6907093B2 (ja) 2017-10-24 2021-07-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6968659B2 (ja) 2017-10-25 2021-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6985102B2 (ja) 2017-10-31 2021-12-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998177B2 (ja) 2017-11-02 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998178B2 (ja) 2017-11-07 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018046289A (ja) * 2017-11-21 2018-03-22 エイブリック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6925945B2 (ja) 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7027137B2 (ja) 2017-11-30 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JP7072977B2 (ja) 2018-03-05 2022-05-23 株式会社ディスコ デバイスの移設方法
JP7154809B2 (ja) 2018-04-20 2022-10-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019192717A (ja) 2018-04-20 2019-10-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7123643B2 (ja) 2018-06-11 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7201343B2 (ja) 2018-06-19 2023-01-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7158932B2 (ja) 2018-07-13 2022-10-24 株式会社ディスコ Ｌｅｄウエーハの加工方法
JP2020013962A (ja) 2018-07-20 2020-01-23 株式会社ディスコ Ｌｅｄウエーハの加工方法
JP7258414B2 (ja) 2018-08-28 2023-04-17 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
US11088082B2 (en) * 2018-08-29 2021-08-10 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device with partial EMI shielding and method of making the same
JP7166718B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020077681A (ja) 2018-11-06 2020-05-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7199786B2 (ja) 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7195700B2 (ja) 2018-11-12 2022-12-26 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP7251898B2 (ja) 2018-12-06 2023-04-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7246825B2 (ja) 2018-12-06 2023-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7224719B2 (ja) 2019-01-17 2023-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7229636B2 (ja) 2019-01-17 2023-02-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282452B2 (ja) 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282453B2 (ja) 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7328020B2 (ja) 2019-06-21 2023-08-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7339031B2 (ja) 2019-06-28 2023-09-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2021070039A (ja) 2019-10-30 2021-05-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7436212B2 (ja) 2020-01-06 2024-02-21 株式会社ディスコ ウエーハ加工方法、及びウエーハ加工装置
JP7370881B2 (ja) 2020-01-24 2023-10-30 株式会社ディスコ ウエーハ加工方法、及びウエーハ加工装置
JP2021148545A (ja) 2020-03-18 2021-09-27 株式会社ディスコ 検査装置および検査方法
JP2021158303A (ja) 2020-03-30 2021-10-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US20230197456A1 (en) 2020-04-14 2023-06-22 Kwansei Gakuin Educational Foundation Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing
US20230212785A1 (en) 2020-04-14 2023-07-06 Kwansei Gakuin Educational Foundation Aluminum nitride substrate manufacturing method, aluminum nitride substrate, and method of removing strain layer introduced into aluminum nitride substrate by laser processing
JP2021178337A (ja) 2020-05-12 2021-11-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7442938B2 (ja) 2020-06-05 2024-03-05 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法、及び加工装置
JP2022077223A (ja) 2020-11-11 2022-05-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2022079812A (ja) 2020-11-17 2022-05-27 株式会社ディスコ チャックテーブル及びレーザー加工装置
JP2022164272A (ja) 2021-04-16 2022-10-27 株式会社ディスコ Ｌｅｄディスプレイパネルの製造方法
JP2023001571A (ja) 2021-06-21 2023-01-06 株式会社ディスコ 加工方法
JP2023003563A (ja) 2021-06-24 2023-01-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2024020801A (ja) 2022-08-02 2024-02-15 株式会社ディスコ レーザ加工装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3247576A (en) * 1962-10-30 1966-04-26 Ibm Method of fabrication of crystalline shapes
NL299821A (de) 1962-10-31 1900-01-01
US3257626A (en) * 1962-12-31 1966-06-21 Ibm Semiconductor laser structures
JPS546456A (en) 1977-06-17 1979-01-18 Hitachi Ltd Separating method into semiconductor pellet
US4227348A (en) * 1978-12-26 1980-10-14 Rca Corporation Method of slicing a wafer
JPS5836939A (ja) 1981-08-26 1983-03-04 Toshiba Corp ガラスウエハの切断方法
JPS5844739A (ja) 1981-09-10 1983-03-15 Toshiba Corp サファイヤ基板のスクライビング方法
FR2557732B1 (fr) 1983-12-28 1986-04-11 Lefevre Rene Procede de realisation de dispositifs piezoelectriques miniatures utilisant un usinage par laser et dispositifs obtenus par ce procede
JPS61251132A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
DD249797A1 (de) * 1986-06-06 1987-09-16 Elektronische Bauelemente C Vo Verfahren zum einkerben bzw. vereinzeln von piezoelektrischen substraten
JPS6469304A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Sharp Kk Cleaving device
JPS63288714A (ja) * 1988-05-02 1988-11-25 Hitachi Ltd ダイシング治具
JPH0676269B2 (ja) 1990-02-28 1994-09-28 太陽誘電株式会社 セラミック基板のレーザースクライブ方法
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10305420A (ja) 1998-11-17
EP0863231A1 (de) 1998-09-09
EP0863231B1 (de) 2001-08-29
US6257224B1 (en) 2001-07-10
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