JP2019025539A

JP2019025539A - レーザー加工装置

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Publication number: JP2019025539A
Application number: JP2017151256A
Authority: JP
Inventors: 正寿名雪; Masatoshi Nayuki; 圭司能丸; Keiji Nomaru
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-08-04
Filing date: 2017-08-04
Publication date: 2019-02-21
Also published as: DE102018212918A1; US20190039185A1; KR20190015115A; US11090766B2; TW201918316A; TWI780175B; CN109382582A

Abstract

【課題】簡易な構成でレーザー光線を分割予定ラインの幅方向に振ると共に振り速度を高速化させること。【解決手段】ウエーハ（Ｗ）の分割予定ラインに沿ってレーザー加工するレーザー加工装置（１）が、レーザー光線を出射する発光部（４１）と、発光部から出射されたレーザー光を反射するポリゴンミラー（４２）と、ポリゴンミラーで反射したレーザー光線をウエーハに集光照射するｆθレンズ（４４）とを備え、ポリゴンミラーの各反射面（４３）が、回転軸（４５）の軸方向に平行な角度をゼロ度としたときの角度ゼロ度のゼロ度反射面（４３ａ）と、ゼロ度からプラス方向に角度を傾けたプラス反射面（４３ｂ−４３ｄ）と、ゼロ度からマイナス方向に角度を傾けたマイナス反射面（４３ｅ−４３ｇ）とで形成され、分割予定ラインの幅内で加工送り方向に直交する方向と加工送り方向にレーザー光線を揺動させる構成にした。【選択図】図４

Description

本発明は、ウエーハを分割予定ラインに沿ってレーザー加工するレーザー加工装置に関する。

ウエーハの表面には格子状に分割予定ラインが形成されており、分割予定ラインで区画された領域にはＩＣ、ＬＳＩ等の各種デバイスが形成されている。従来、レーザー加工装置として、ウエーハに対してレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。アブレーション加工では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線が分割予定ラインに沿って照射され、レーザー光線の照射箇所が部分的に除去されることで分割予定ラインに沿った溝が形成される。

特開平１０−３０５４２０号公報

ところで、分割予定ラインのライン幅はウエーハの種類に応じて異なっており、ライン幅が広いウエーハをレーザー加工する際には、レーザー光線を分割予定ラインの幅方向に振る必要がある。一般的には、一対のガルバノスキャナとｆθレンズを用いることでレーザー光線を幅方向に振って溝幅を自在に可変させることができる。しかしながら、一対のガルバノスキャナのミラーの角度を高速で可変させてレーザー光線を幅方向に振る必要があるため、装置構成が複雑になるという問題があった。また、レーザー光線の振り速度に更なる高速化が求められていた。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な構成でレーザー光線を分割予定ラインの幅方向に振ることができると共に、振り速度を高速化させることができるレーザー加工装置を提供することを目的の１つとする。

本発明の一態様のレーザー加工装置は、分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハを、該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を集光照射させレーザー加工するレーザー加工装置であって、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段が保持するウエーハの該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性波長のレーザー光線を集光照射させ加工溝を形成するレーザー加工手段と、該保持手段と該レーザー加工手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備え、該レーザー加工手段は、レーザー光線を出射する発光部と、回転軸で回転する複数の反射面を有するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーの該反射面で反射したレーザー光線を入射してウエーハに集光照射させるｆθレンズと、を備え、該ポリゴンミラーの該反射面は、該回転軸の軸方向に対して平行な方向をゼロ度とするゼロ度反射面と、該ゼロ度からプラス方向に角度を傾けたプラス反射面と、該ゼロ度からマイナス方向に角度を傾けたマイナス反射面とを備え、該分割予定ラインの幅内で加工送り方向に対して直交する方向と加工送り方向とにレーザー光線を揺動させる。

この構成によれば、ポリゴンミラーにレーザー光線が照射されることで、ポリゴンミラーのゼロ度反射面、プラス反射面、マイナス反射面でレーザー光線が反射される。このとき、ポリゴンミラーの回転に伴うゼロ度反射面、プラス反射面、マイナス反射面の切り替わり、及びポリゴンミラーの回転に伴う各反射面でのレーザー光線に対する反射角の変化によって、分割予定ラインの幅内で加工送り方向に対して直交する方向及び加工送り方向にレーザー光線が振られる。また、ポリゴンミラーの回転速度によって、レーザー光線の振り速度を決定することができる。このように、簡易な構成でレーザー光線を振ることができると共に、レーザー光線の振り速度を高速化させることができる。

本発明によれば、ポリゴンミラーにゼロ度反射面、プラス反射面、マイナス反射面を形成することで、簡易な構成によって分割予定ラインの幅内で加工送り方向に対して直交する方向と加工送り方向にレーザー光線を振ることができる。

本実施の形態のレーザー加工装置の斜視図である。比較例のレーザー加工の一例を示す図である。本実施の形態のレーザー光学系の模式図である。本実施の形態のポリゴンミラーの説明図である。本実施の形態のレーザー加工の一例を示す図である。本実施の形態のレーザー光線の振り幅の調整の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、レーザー加工装置について説明する。図１は、レーザー加工装置の斜視図である。図２は、比較例のレーザー加工の一例を示す図である。なお、レーザー加工装置は、本実施の形態のウエーハの加工方法を実施可能な構成であればよく、図１に示す構成に限定されない。

図１に示すように、レーザー加工装置１は、レーザー光線を照射するレーザー加工手段４０とウエーハＷを保持した保持手段２０とを相対移動させて、ウエーハＷをレーザー加工するように構成されている。ウエーハＷの表面には、複数の分割予定ラインＬが格子状に配列され、分割予定ラインＬによって区画された各領域に複数のデバイスが形成されている。ウエーハＷには保護テープＴの中央部分が貼着され、保護テープＴの外周部分には環状フレームＦが貼着されている。なお、ウエーハＷは、半導体基板に半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、無機材料基板に光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。

レーザー加工装置１の基台１０上には、レーザー加工手段４０に対して保持手段２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に加工送りする加工送り手段３０が設けられている。加工送り手段３０は、基台１０上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル３２とを有している。また、加工送り手段３０は、Ｘ軸テーブル３２の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のガイドレール３３と、一対のガイドレール３３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル３４とを有している。

Ｘ軸テーブル３２及びＹ軸テーブル３４の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成されており、これらのナット部にボールネジ３５、３７が螺合されている。そして、ボールネジ３５、３７の一端部に連結された駆動モータ３６、３８が回転駆動されることで、保持手段２０がガイドレール３１、３３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。また、Ｙ軸テーブル３４上には、ウエーハＷを保持する保持手段２０が設けられている。保持手段２０の上面には保持面２１が形成され、保持手段２０の周囲にはウエーハＷの周囲の環状フレームＦを挟持固定するクランプ部２２が設けられている。

保持手段２０の後方の立壁部１１にはアーム部１２が突設されており、アーム部１２の先端には保持手段２０上のウエーハＷをアブレーション加工するレーザー加工手段４０が設けられている。レーザー加工手段４０は、ウエーハＷの分割予定ラインＬに沿って吸収性波長のレーザー光線を集中照射させて加工溝を形成する。なお、アブレーションとは、レーザー光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。

また、レーザー加工装置１には、装置各部を統括制御する制御手段５０が設けられている。制御手段５０は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。メモリには、装置各部を制御する制御プログラムの他、レーザー加工条件等が記憶されている。レーザー加工装置１では、レーザー加工手段４０に対して保持手段２０が加工送り方向に移動されることで、ウエーハＷの分割予定ラインＬに沿ってアブレーション加工が実施される。

ところで、図２Ａの比較例に示すように、Ｌｏｗ−ｋ膜５１付きのウエーハＷでは、メカニカルダイシングでは膜剥がれが生じ易いため、アブレーション加工とメカニカルダイシングを組み合わせて分割される。この場合、紙面に対して垂直な方向に加工送りが実施されて分割予定ラインＬ（図１参照）に沿ってＬｏｗ−ｋ膜５１が除去される。加工送りが繰り返されることで、ウエーハＷの表面から所定幅の加工溝５９がアブレーション加工によって形成される。これにより、Ｌｏｗ−ｋ膜５１を除去した加工溝５９を介してウエーハＷの表面が外部に露出される。

この場合、図２Ｂに示すように、アブレーション加工では、切削ブレード５５がＬｏｗ−ｋ膜５１に接触しないように、切削ブレード５５のブレード幅よりも広く分割予定ラインＬ（図１参照）に加工溝５９を形成する必要がある。しかしながら、分割予定ラインＬの幅方向に広く加工溝５９を形成するためには、分割予定ラインＬに沿って何往復も加工送りを繰り返さなければならない。また、Ｌｏｗ−ｋ膜５１付きのウエーハＷに関わらず、分割予定ラインＬに比較的広い加工溝５７をアブレーション加工で形成する場合にも、加工送りを繰り返さなければならず、加工時間が長くなるという問題がある。

そこで、本実施の形態では、ポリゴンミラー４２（図４参照）の反射面を回転軸の軸方向に対して平行な反射面だけでなく、様々な傾きを持った反射面で構成するようにしている。これにより、ポリゴンミラー４２が回転することで、分割予定ラインＬの幅内で加工送り方向に対して直交する方向と加工送り方向にレーザー光線を揺動ことが可能になっている。分割予定ラインＬの幅方向にレーザー光線が搖動されながらアブレーション加工が実施されるため、分割予定ラインＬに沿って加工送りを繰り返す必要がなく、ウエーハＷに対する加工時間を短縮することが可能になっている。

以下、図３及び図４を参照して、レーザー光学系について説明する。図３は、本実施の形態のレーザー光学系の模式図である。図４は、本実施の形態のポリゴンミラーの説明図である。なお、図４はポリゴンミラーの一例を示しており、ポリゴンミラーはゼロ度反射面、マイナス反射面、プラス反射面を含む多角形に形成されていればよい。

図３に示すように、レーザー加工手段４０に収容されたレーザー光学系は、発光部４１から出射されたレーザー光線をポリゴンミラー４２の複数の反射面４３で反射させて、ｆθレンズ４４でウエーハＷに集光照射させている。発光部４１は、ウエーハＷに対し吸収性波長のレーザー光線をポリゴンミラー４２に向けて出射する。ポリゴンミラー４２は、加工送り方向に対して回転軸４５を直交させており、外周面に設けた複数の反射面４３によってｆθレンズ４４に向けてレーザー光線を反射している。ポリゴンミラー４２が回転することで、レーザー光線が加工送り方向に振られている。

また、ポリゴンミラー４２の各反射面４３は、回転軸４５の軸方向に対して様々な傾きを持っており、この各反射面４３の傾きによってレーザー光線が加工送り方向に直交する方向に振られている。ｆθレンズ４４は、ポリゴンミラー４２の各反射面４３で反射したレーザー光線が入射され、ウエーハＷに対して垂直にレーザー光線を集光照射する。このように、ポリゴンミラー４２でレーザー光線のｆθレンズ４４に対する入射位置を可変させて、ｆθレンズ４４によるレーザー光線の集光スポットを分割予定ラインＬ（図５参照）の幅内で移動させる。

図４に示すように、ポリゴンミラー４２の各反射面４３は、回転軸４５の軸方向に対して平行な方向をゼロ度としたときに、ゼロ度を基準にプラス方向及びマイナス方向に傾けられている。すなわち、各反射面４３は、回転軸４５の軸方向に対して平行なゼロ度反射面４３ａ、ゼロ度からプラス方向に角度を傾けたプラス反射面４３ｂ−４３ｄ、ゼロ度からマイナス方向に角度を傾けたマイナス反射面４３ｅ−４３ｇで構成されている。プラス反射面４３ｂ−４３ｄはゼロ度からプラス方向に３段階に角度が変えられており、マイナス反射面４３ｅ−４３ｇはゼロ度からマイナス方向に３段階に角度が変えている。

ゼロ度反射面４３ａでレーザー光線が反射されると、分割予定ラインＬ（図５参照）の幅方向の中心にレーザー光線が照射される。プラス反射面４３ｂ−４３ｄでレーザー光線が反射されると、分割予定ラインＬの幅方向の一端側にレーザー光線が振られる。マイナス反射面４３ｅ−４３ｇでレーザー光線が反射されると、分割予定ラインＬの幅方向の他端側にレーザー光線が振られる。このように、ポリゴンミラー４２が回転して回転軸４５に対する反射面４３の傾きが切り替えられることで、ポリゴンミラー４２に反射されたレーザー光線が分割予定ラインＬの幅方向に繰り返し動かされる。

また、ポリゴンミラー４２の回転によって、回転軸４５の軸方向から見たときのレーザー光線に対する各反射面４３の反射角φが可変される（図５Ｂ参照）。すなわち、ポリゴンミラー４２の回転によって各反射面４３のレーザー光線の反射角が連続的に可変されることで、ポリゴンミラー４２に反射されたレーザー光線が分割予定ラインＬの長さ方向に動かされる。このように、反射面４３の回転軸４５の軸方向に対する傾きと、ポリゴンミラー４２の回転による反射面４３の反射角の変化によって、分割予定ラインＬの内側で幅方向と長さ方向にレーザー光線の集光スポットが動かされている。

このとき、ポリゴンミラー４２の回転速度が高くなると、レーザー光線に対するポリゴンミラー４２の反射面４３の切り替わりが速くなると共に、レーザー光線に対する各反射面４３の反射角の変化が速くなる。これにより、ポリゴンミラー４２の回転速度の増加に伴って、分割予定ラインＬの幅方向及び長さ方向でのレーザー光線の振り速度が高速化される。よって、ポリゴンミラー４２の回転速度で振り速度を調節することができるため、ガルバノスキャナ等を使用する構成と比較して装置構成を簡略化することができると共に、レーザー光線の振り速度を高速化させることが可能になっている。

続いて、図５及び図６を参照して、レーザー加工について説明する。図５は、本実施の形態のレーザー加工の一例を示す図である。図６は、本実施の形態のレーザー光線の振り幅の調整の一例を示す図である。なお、図５及び図６の分割予定ライン上の矢印は、加工溝の形成時のレーザー光線の照射スポットの移動軌跡を示している。また、説明の便宜上、分割予定ライン上には加工溝の形成時の矢印のみを示し、加工溝については記載を省略している。

図５Ａに示すように、レーザー加工が開始されると、ポリゴンミラー４２が回転されると共にポリゴンミラー４２の反射面４３に向けてレーザー光線が照射される。レーザー光線がポリゴンミラー４２のマイナス反射面４３ｇで反射されると、回転軸４５（図４参照）の軸方向に対するマイナス方向の傾きによってレーザー光線がｆθレンズ４４の図示右寄りに入射される。レーザー光線はｆθレンズ４４を透過してウエーハＷ（図５Ｂ参照）の分割予定ラインＬの幅方向の右端側に集光照射され、分割予定ラインＬ上の右端側の矢印Ａｇに沿ってアブレーション加工されて加工溝が形成される。

このとき、図５Ｂに示すように、ポリゴンミラー４２が回転することで、ポリゴンミラー４２を側方から見てマイナス反射面４３ｇの反射角φが変化している。レーザー光線が小さな反射角φでマイナス反射面４３ｇに反射されると、レーザー光線がｆθレンズ４４の手前側に入射され、レーザー光線が大きな反射角φでマイナス反射面４３ｇに反射されると、レーザー光線がｆθレンズ４４の奥側に入射される。ｆθレンズ４４に対するレーザー光線の入射位置が振られることで、分割予定ラインＬの長さ方向で集光スポットが前後に振られてアブレーション加工される。

図５Ｃに示すように、ポリゴンミラー４２がさらに回転して、マイナス反射面４３ｆでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の右から２番目の矢印Ａｆに沿って加工溝が形成される。同様に、マイナス反射面４３ｅでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の右から３番目の矢印Ａｅに沿って加工溝が形成される。このとき、ウエーハＷが加工送りされているため、分割予定ラインＬの長さ方向に僅かにズレながら加工溝が幅方向に並んで形成されている。そして、ゼロ度反射面４３ａでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の中心の矢印Ａａに沿って加工溝が形成される。

図５Ｄに示すように、ポリゴンミラー４２がさらに回転して、プラス反射面４３ｂでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の左から３番目の矢印Ａｂに沿って加工溝が形成される。同様に、プラス反射面４３ｃでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の左から２番目の矢印Ａｃに沿って加工溝が形成される。そして、プラス反射面４３ｄでレーザー光線が反射されることで、分割予定ラインＬの幅方向の左端側の矢印Ａｄに沿って加工溝が形成される。分割予定ラインＬの幅内の矢印Ａに示すように、ポリゴンミラー４２の反射面４３の数だけ加工溝が斜めに並んで形成される。

図５Ｅに示すように、ポリゴンミラー４２がさらに回転すると、再びマイナス反射面４３ｇでレーザー光線が反射されて、分割予定ラインＬの右端側に２列目の矢印Ａｇに沿って加工溝が形成される。この動作が繰り返されることで、矢印に示されるように、分割予定ラインＬの幅方向に複数の加工溝が並んで形成されると共に、分割予定ラインＬの長さ方向に加工溝の列が所定間隔置きに形成される。このように、回転軸４５（図４参照）に対する反射面４３の傾きが異なるポリゴンミラー４２でレーザー光線を反射させることで、レーザー光線の集光スポットを加工送り方向及び加工送り方向に対する直交方向に動かすことが可能になっている。

なお、図６Ａに示すように、分割予定ラインＬ上の幅方向には、矢印Ａで示す複数の加工溝が所定ピッチＰで並んで形成されている。また、分割予定ラインＬ上の長さ方向には、矢印Ａで示す加工溝の列が所定間隔Ｄを空けて形成されている。レーザー加工の加工品質を向上させるためには、分割予定ラインＬに加工溝が隙間なく形成されるように矢印Ａの所定ピッチＰ及び所定間隔Ｄを狭くすることが好ましい。この場合、ポリゴンミラー４２の反射面４３（図４参照）の数を増やして、回転軸４５の軸方向に対する反射面４３の傾きをより細かく変えることで所定ピッチＰを狭くすることができる。

具体的には、本実施の形態では、回転軸４５に平行な反射面４３の他、プラス方向で角度が異なる３つの反射面４３、マイナス方向で角度が異なる３つの反射面４３の計７つの反射面４３で、７段階に可変した反射面４３の傾きでレーザー光線を反射している（図５参照）。このため、ポリゴンミラー４２の反射面４３を８つ以上に増やして、８段階以上に可変した反射面４３の傾きでレーザー光線を反射するようにする。これにより、分割予定ラインＬの幅方向に並んだ複数の加工溝の所定ピッチＰを狭くすることができ、分割予定ラインＬの幅方向により多くの加工溝を形成することができる。

また、保持手段２０の移動速度、すなわちウエーハＷ（図１参照）の加工送り速度を遅くすることで、分割予定ラインＬの長さ方向で加工溝の所定間隔Ｄを狭くすることができる。また、ポリゴンミラー４２（図４参照）の回転速度を速くすることでも、分割予定ラインＬの長さ方向で加工溝の所定間隔Ｄを狭くすることができる。このように、ウエーハＷの加工送り速度に対してポリゴンミラー４２の回転速度を相対的に高めることで、分割予定ラインＬの長さ方向でレーザー光線が照射される回数を増やして、分割予定ラインＬの長さ方向により多くの加工溝を形成することができる。

さらに、図６Ｂに示すように、ポリゴンミラー４２とｆθレンズ４４の距離を大きくとることで、分割予定ラインＬの長さ方向で加工溝の所定間隔Ｄを狭くすることができる。図６Ｂの図示左側に示すように、ポリゴンミラー４２とｆθレンズ４４の距離が近いと、レーザー光線の分割予定ラインＬの長さ方向の振れ量が小さくなる。一方で、図６Ｂの図示右側に示すように、ポリゴンミラー４２とｆθレンズ４４の距離が遠いと、レーザー光線の分割予定ラインＬの長さ方向の振れ量が大きくなる。このように、レーザー光線の分割予定ラインＬの長さ方向の振れ量を大きくして、加工溝の所定間隔Ｄを狭くすることができる。

以上のように、本実施の形態のレーザー加工装置１によれば、ポリゴンミラー４２にレーザー光線が照射されることで、ポリゴンミラー４２のゼロ度反射面４３ａ、プラス反射面４３ｂ−４３ｄ、マイナス反射面４３ｅ−４３ｇでレーザー光線が反射される。このとき、ポリゴンミラー４２の回転に伴うゼロ度反射面４３ａ、プラス反射面４３ｂ−４３ｄ、マイナス反射面４３ｅ−４３ｇの切り替わりによって、分割予定ラインＬの幅内で加工送り方向に対して直交する方向にレーザー光線が振られる。また、ポリゴンミラー４２の回転に伴う各反射面４３でのレーザー光線に対する反射角の変化によって、加工送り方向にレーザー光線が振られる。また、ポリゴンミラー４２の回転速度によって、レーザー光線の振り速度を決定することができる。このように、簡易な構成でレーザー光線を振ることができると共に、レーザー光線の振り速度を高速化させることができる。

なお、本実施の形態では、レーザー加工手段４０に収容されたレーザー光学系が、発光部４１、ポリゴンミラー４２、ｆθレンズ４４で構成されたが、この構成に限定されない。レーザー光学系は、分割予定ラインの幅内で加工送り方向に対して直交する方向及び加工送り方向とにレーザー光線を揺動させるように構成されていればよい。

また、本実施の形態では、ポリゴンミラー４２の反射面４３が、回転軸４５の軸方向に対する傾きの大きさ順に回転方向に並んで形成されているが、この構成に限定されない。ポリゴンミラーの反射面は、回転軸の軸方向に対して様々な角度で傾いて形成されていればよく、例えば、プラス反射面とマイナス反射面とが交互に形成されてもよい。

また、本実施の形態では、ポリゴンミラー４２の回転軸４５が分割予定ラインＬに対して直交する構成にしたが、この構成に限定されない。ポリゴンミラーの回転軸が分割予定ラインに交差する方向でもよいし、ポリゴンミラーの回転軸が分割予定ラインに平行な方向でもよい。

また、本実施の形態では、レーザー加工によってウエーハＷに加工溝が形成される構成にしたが、加工溝はウエーハＷを厚み方向で完全に分断した溝に限らず、ウエーハＷを厚み方向に部分的に切り込んだ溝でもよい。すなわち、加工溝とはフルカットで形成された溝だけでなく、ハーフカットで形成された溝を含んでいる。

また、本実施の形態では、ウエーハＷとして半導体ウエーハや光デバイスウエーハを例示して説明したが、ウエーハは分割予定ラインが形成されたＣＳＰ基板等のパッケージ基板でもよい。

また、本実施の形態では、加工送り手段３０としてボールネジ式の移動機構を例示して説明したが、この構成に限定されない。加工送り手段は、保持手段とレーザー加工手段とを相対的に加工送り可能であればよく、例えば、リニアモータ式の移動機構やラックアンドピニオン式の移動機構で構成されてもよい。

また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。

また、本発明の実施の形態及び変形例は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。

また、本実施の形態では、本発明を分割予定ラインに沿ってウエーハをアブレーション加工するレーザー加工装置に適用する構成ついて説明したが、レーザー光線を振りながら加工する他の加工装置に適用することが可能である。

以上説明したように、本発明は、簡易な構成でレーザー光線を分割予定ラインの幅方向に振ることができると共に、振り速度を高速化させることができるという効果を有し、特にＬｏｗ−ｋ膜付きのウエーハをレーザー加工するレーザー加工装置に有用である。

１レーザー加工装置
２０保持手段
２１保持面
３０加工送り手段
４０レーザー加工手段
４１発光部
４２ポリゴンミラー
４３反射面
４３ａゼロ度反射面
４３ｂ−４３ｄプラス反射面
４３ｅ−４３ｇマイナス反射面
４４ｆθレンズ
４５回転軸
Ｄ所定間隔
Ｌ分割予定ライン
Ｗウエーハ

Claims

分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハを、該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を集光照射させレーザー加工するレーザー加工装置であって、
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段が保持するウエーハの該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性波長のレーザー光線を集光照射させ加工溝を形成するレーザー加工手段と、該保持手段と該レーザー加工手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備え、
該レーザー加工手段は、レーザー光線を出射する発光部と、回転軸で回転する複数の反射面を有するポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーの該反射面で反射したレーザー光線を入射してウエーハに集光照射させるｆθレンズと、を備え、
該ポリゴンミラーの該反射面は、該回転軸の軸方向に対して平行な方向をゼロ度とするゼロ度反射面と、該ゼロ度からプラス方向に角度を傾けたプラス反射面と、該ゼロ度からマイナス方向に角度を傾けたマイナス反射面とを備え、該分割予定ラインの幅内で加工送り方向に対して直交する方向と加工送り方向とにレーザー光線を揺動させるレーザー加工装置。