TWI618072B - 電源切換電路 - Google Patents

電源切換電路 Download PDF

Info

Publication number
TWI618072B
TWI618072B TW106101257A TW106101257A TWI618072B TW I618072 B TWI618072 B TW I618072B TW 106101257 A TW106101257 A TW 106101257A TW 106101257 A TW106101257 A TW 106101257A TW I618072 B TWI618072 B TW I618072B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
supply voltage
voltage
transistor
node
drain terminal
Prior art date
Application number
TW106101257A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201727649A (zh
Inventor
黃智揚
古惟銘
Original Assignee
力旺電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 力旺電子股份有限公司 filed Critical 力旺電子股份有限公司
Publication of TW201727649A publication Critical patent/TW201727649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI618072B publication Critical patent/TWI618072B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0441—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing multiple floating gate devices, e.g. separate read-and-write FAMOS transistors with connected floating gates
    • G11C16/0458—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing multiple floating gate devices, e.g. separate read-and-write FAMOS transistors with connected floating gates comprising two or more independent floating gates which store independent data
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/12—Programming voltage switching circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/20—Initialising; Data preset; Chip identification
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24—Bit-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10—Decoders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
    • H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42324—Gate electrodes for transistors with a floating gate
    • H01L29/42328—Gate electrodes for transistors with a floating gate with at least one additional gate other than the floating gate and the control gate, e.g. program gate, erase gate or select gate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/10—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the top-view layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
    • H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/60—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates the control gate being a doped region, e.g. single-poly memory cell
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/70—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates the floating gate being an electrode shared by two or more components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

一電源切換電路包括：一第一電晶體、第二電晶體與一電流源。第一電晶體的一第一源汲端與一閘極端分別接收一第一供應電壓與一第二供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至一節點z，且該節點z產生一輸出信號。一第二電晶體的一第一源汲端與一閘極端分別接收該第二供應電壓與該第一供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至該節點z。一電流源連接於一偏壓電壓與該節點z之間。該第一供應電壓、該第二供應電壓或者該偏壓電壓可被選擇成為該輸出信號。

Description

電源切換電路
本發明是有關於一種電源切換電路，且特別是有關於一種運用於非揮發性記憶體的電源切換電路。
眾所周知，非揮發性記憶體可在電源消失之後，仍可保存資料，因此非揮發性記憶體已經廣泛的運用於電子產品中。再者，非揮發性記憶體中包括多個非揮發性記憶胞(non-Volatile cell)排列而成非揮發性記憶胞陣列(non-Volatile cell array)，而每個非揮發性記憶胞中皆包含一浮動閘電晶體(floating gate transistor)。
請參照第1圖，其所繪示為揮發性記憶體示意圖。非揮發性記憶體中包括一非揮發性記憶胞陣列110與一電源切換電路(power switch circuit)120。其中，電源切換電路120連接至非揮發性記憶胞陣列110。電源切換電路120接收多個供應電壓(supply voltage)，並可在不同運作模式下輸出適當的供應電壓作為輸出信號Vs，並提供至非揮發性記憶胞陣列110。
舉例來說，電源切換電路120接收第一供應電壓與第二供應電壓。於非揮發性記憶胞陣列的抹除模式(erase mode) 時，電源切換電路120提供第一供應電壓至非揮發性記憶胞陣列110。再者，於編程模式(program mode)時，提供第二供應電壓至非揮發性記憶胞陣列110。
本發明係有關於一種電源切換電路，包括：一第一電晶體，具有一第一源汲端接收一第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點z，一閘極端接收一第二供應電壓，一體極端連接至該節點z，其中該節點z產生一輸出信號；一第二電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至該節點z，一閘極端接收該第一供應電壓，一體極端連接至該節點z；以及一電流源，連接於一偏壓電壓與該節點z之間；其中，當該第一供應電壓小於該第二供應電壓時，該輸出信號等於該第一供應電壓；當該第一供應電壓大於該第二供應電壓時，該輸出信號等於該第二供應電壓；當該第一供應電壓等於該第二供應電壓時，該輸出信號等於該偏壓電壓。
本發明係有關於一種電源切換電路，包括：一第一電晶體，具有一第一源汲端接收一第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點z，一閘極端接收一第二供應電壓，一體極端連接至該節點z，其中該節點z產生一輸出信號；一第二電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至該節點z，一閘極端接收該第一供應電壓，一體極端連接至該節點z； 一第三電晶體，具有一第一源汲端接收一偏壓電壓，一第二源汲端連接至該節點z，一閘極端接收一轉換信號，一體極端連接至該節點z；一自動選擇電路，接收該第一供應電壓與該第二供應電壓，並產生一輸出電壓，其中當該第一供應電壓小於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第一供應電壓；以及當該第一供應電壓大於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第二供應電壓；以及一準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該準位轉換器根據該輸出電壓與一控制信號，將該控制信號轉換為該轉換信號。
本發明係有關於一種電源切換電路，包括：一第一電晶體，具有一第一源汲端接收一第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點w，一閘極端接收一第一轉換信號，其中該節點w產生一輸出信號；一第二電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至該節點w，一閘極端接收一第二轉換信號；一第一自動選擇電路，接收該第一供應電壓與該第二供應電壓，並產生一輸出電壓，其中當該第一供應電壓小於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第一供應電壓；以及當該第一供應電壓大於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第二供應電壓；一第一準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該第一準位轉換器根據該輸出電壓與一第一控制信號，將該第一控制信號轉換為該第一轉換信號；以及一第二準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該第二準位轉換器根據該輸出電壓與一第二控制信號，將該第二控制信號轉換為該第二轉換信號。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
110‧‧‧非揮發性記憶胞
120、300、400、500、600、650、700、800‧‧‧電源切換電路
10、310、320、640、654、710、720‧‧‧自動選擇電路
330、620、630、652、810‧‧‧準位轉換器
410、910‧‧‧控制電路
412、912‧‧‧及閘
414、416、510、914、916、952‧‧‧電流源
900、950‧‧‧電源切換電路
第1圖所繪示為揮發性記憶體示意圖。
第2A圖所繪示為自動選擇電路。
第2B圖所繪示為自動選擇電路10的真值表。
第3A圖所繪示為本發明電源切換電路的第一實施例。
第3B圖所繪示為第一實施例電源切換電路的真值表。
第4圖所繪示為本發明電源切換電路的第二實施例。
第5A圖所繪示為本發明電源切換電路的第三實施例。
第5B圖所繪示為第三實施例切換電路的真值表。
第6A圖所繪示為本發明電源切換電路的第四實施例。
第6B圖所繪示為第四實施例準位轉換器的真值表。
第7圖所繪示為本發明電源切換電路的第五實施例。
第8圖所繪示為本發明電源切換電路的第六實施例。
第9圖所繪示為本發明電源切換電路的第七實施例。
第10圖所繪示為本發明電源切換電路的第八實施例。
第11圖所繪示為本發明電源切換電路的第九實施例。
請參照第2A圖，其所繪示為自動選擇電路。自動選擇電路10包括二個n型電晶體ma、mb。電晶體ma的第一源 汲端(source/drain terminal)連接至節點x、第二源汲端連接至節點z、閘極端連接至節點y、體極端(body terminal)連接至節點z。電晶體mb的第一源汲端連接至節點y、第二源汲端連接至節點z、閘極端連接至節點x、體極端連接至節點z。再者，節點x與節點y為自動選擇電路10的二輸入端，分別接收供應電壓Vp1與Vp2；節點z為為自動選擇電路10的輸出端，可以選擇性地將二個供應電壓Vp1與Vp2其中之一作為輸出信號Vs。
在本發明的實施例中，供應電壓Vp1與Vp2的電壓值小於等於零。而自動選擇電路10可以自動地選擇二個供應電壓Vp1與Vp2中較小的電壓做為輸出信號Vs。當然，自動選擇電路10的二個供應電壓Vp1與Vp2的電壓值也可大於零，而自動選擇電路10也可以自動地選擇二個供應電壓Vp1與Vp2中較小的電壓做為輸出信號Vs。
請參照第2B圖，其所繪示為自動選擇電路10的真值表。當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為-4V時，電晶體mb開啟(turn on)且電晶體ma關閉(turn off)，較低的供應電壓Vp2(-4V)即成為輸出信號Vs。再者，當供應電壓Vp1為-6V且供應電壓Vp2為-4V時，電晶體ma開啟且電晶體mb關閉，較低的供應電壓Vp1(-6V)即成為輸出信號Vs。
由於自動選擇電路10輸出信號Vs為二個供應電壓Vp1與Vp2中較小的電壓。因此，將輸出信號Vs作為電晶體ma與mb的體極端電壓，可以消除電晶體ma與mb的基體效應(body effect)。
另外，當二供應電壓Vp1、Vp2皆相同，或者一個供應電壓未提供時，輸出信號Vs的電壓值可能約為0V的浮接狀態(floating)。在此狀況下，輸出信號Vs約為供應電壓減去Vtn。其中，Vtn為電晶體ma與mb的臨限電壓(threshold Voltage)。
如第2B圖所示，當供應電壓Vp1、Vp2皆為0V時，其輸出信號Vs為0-Vtn。當供應電壓Vp1為0V且節點y成為浮接狀態(意即，未提供供應電壓Vp2)時，其輸出信號Vs為0-Vtn。
請參照第3A圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第一實施例。電源切換電路300包括：自動選擇電路310、320，一準位轉換器(level shifter)330與一n型電晶體mc。其中，自動選擇電路310、320的電路結構與第2A圖相同。
自動選擇電路310接收二個供應電壓Vp1與Vp2，並將較低的供應電壓作為輸出信號(output signal)Vs。另外，自動選擇電路320接收二個供應電壓Vp1與Vp2，並將較低的供應電壓作為輸出電壓(output voltage)Vx，並作為準位轉換器330的電壓源(voltage source)。
準位轉換器330接收邏輯準位的控制信號EN_mc並根據電壓源Vx與控制信號EN_mc來降轉(shift down)控制信號EN_mc成為轉換信號(shifted signal)Sc。舉例來說，當控制信號EN_mc為3.3V的邏輯高準位時，準位轉換器330產生3.3V的轉換信號Sc；當控制信號EN_mc為0V的邏輯低準位時，準位轉換 器330產生相同於電壓源Vx的轉換信號Sc。
根據本發明的實施例，當供應電壓Vp1與Vp2不相同時，控制信號EN_mc為邏輯低準位；當供應電壓Vp1與Vp2相同時，控制信號EN_mc為邏輯高準位；以及，當供應電壓Vp1與Vp2其中之一為浮接狀態時，控制信號EN_mc為邏輯高準位。
再者，電晶體mc的第一源汲端接收一偏壓電壓Vbias、第二源汲端與體極端連接至電源切換電路300的輸出端(亦即節點z)，閘極端接收轉換信號Sc。其中，偏壓電壓Vbias可為供應電壓Vp1與Vp2其中之一。
請參照第3B圖，其所繪示為第一實施例電源切換電路300的真值表。當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為-4V時，控制信號EN_mc為邏輯低準位(Lo=0V)，轉換信號Sc為-4V，使得電晶體mc關閉。再者，電晶體mb開啟且電晶體ma關閉，較低的供應電壓Vp2(-4V)即成為輸出信號Vs。
再者，當供應電壓Vp1為-6V且供應電壓Vp2為-4V時，控制信號EN_mc為邏輯低準位(Lo=0V)，轉換信號Sc為-6V，使得電晶體mc關閉。再者，電晶體ma開啟且電晶體mb關閉，較低的供應電壓Vp1(-6V)即成為輸出信號Vs。
當二供應電壓Vp1、Vp2相同時，電晶體ma與電晶體mb皆關閉。再者，控制信號EN_mc為邏輯高準位(Hi=3.3V)，轉換信號Sc為3.3V，使得電晶體mc開啟，偏壓電壓Vbias即成為輸出信號Vs。
當供應電壓Vp2為浮接狀態時，電晶體ma與電晶體mb皆關閉。再者，控制信號EN_mc為邏輯高準位(Hi=3.3V)，轉換信號Sc為3.3V，使得電晶體mc開啟，偏壓電壓Vbias即成為輸出信號Vs。其中，上述的偏壓電壓Vbias可為供應電壓Vp1與Vp2其中之一，例如0V。
換言之，本發明第一實施例的電源切換電路300可以自動地選擇較低的供應電壓作為輸出信號Vs。並且，也可以在二供應電壓Vp1、Vp2相同時，防止輸出信號Vs成為浮接狀態。
請參照第4圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第二實施例。相較於第3A圖第一實施例的電源切換電路300，第二實施例電源切換電路400更包括一控制電路410用以產生邏輯準位的控制信號EN_mc。
控制電路410包括電晶體md、me，電流源(current source)414、416，及閘(AND gate)412。其中，電流源414連接於電壓源Vdd與節點a之間。電晶體md第一源汲端與體極端接收供應電壓Vp1，第二源汲端連接至節點a，閘極端接收供應電壓Vp2。電流源416連接於電壓源Vdd與節點b之間。電晶體me第一源汲端與體極端接收供應電壓Vp2，第二源汲端連接至節點b，閘極端接收供應電壓Vp1。及閘412的二輸入端分別連接至節點a、b，輸出端產生邏輯準位的控制信號EN_mc。其中，電壓源Vdd的電壓值為3.3V。再者，偏壓電壓Vbias可為供應電壓Vp1與Vp2其中之一。
當供應電壓Vp1與Vp2不相同時，電晶體md與me其中之一會開啟，另一個電晶體則關閉。舉例來說，當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為-4V時，電晶體me開啟且電晶體md關閉。因此，節點a為邏輯高準位，節點b為邏輯低準位，及閘412輸出邏輯低準位的控制信號EN_mc。
當供應電壓Vp1與Vp2相同時，電晶體md與me皆關閉。舉例來說，當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為0V時，電晶體me、md關閉。因此，節點a與節點b為邏輯高準位，及閘412輸出邏輯高準位的控制信號EN_mc。
同理，當供應電壓Vp1與Vp2其中之一為浮接狀態時，電晶體md與me皆關閉，且及閘412輸出邏輯高準位的控制信號EN_mc。
第二實施例的電源切換電路400的真值表相同於第3B圖，此處不再贅述。相同地，本發明第二實施例的電源切換電路400可以自動地選擇較低的供應電壓作為輸出信號Vs。並且，也可以在二供應電壓Vp1、Vp2相同時，防止輸出信號Vs成為浮接狀態。
請參照第5A圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第三實施例。電源切換電路500包括：弱電流源(weak current source)510以及自動選擇電路310。其中，自動選擇電路310的電路結構與第2A圖相同。弱電流源510連接於偏壓電源Vbias與自動選擇電路310的輸出端(節點z)之間。第三實施例的電源切 換電路500也可以在二供應電壓Vp1、Vp2相同時，防止輸出信號Vs成為浮接狀態。
請參照第5B圖，其所繪示為第三實施例切換電路500的真值表。當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為-4V時，電晶體mb開啟(turn on)且電晶體ma關閉(turn off)，較低的供應電壓Vp2(-4V)即成為輸出信號Vs。
再者，當供應電壓Vp1為-6V且供應電壓Vp2為-4V時，電晶體ma開啟且電晶體mb關閉，較低的供應電壓Vp1(-6V)即成為輸出信號Vs。
另外，當二供應電壓Vp1、Vp2皆相同，或者一個供應電壓未提供時，電晶體ma、mb皆關閉。此時，弱電流源510所提供的弱電流可對節點z進行充電(charge)，使得節點z維持在偏壓電源Vbias，而不會呈現浮接狀態。再者，偏壓電壓Vbias可以等於二個供應電壓Vp1、Vp2其中之一。
換言之，本發明第三實施例的電源切換電路500可以自動地選擇較低的供應電壓作為輸出信號Vs。並且，也可以在二供應電壓Vp1、Vp2相同時，防止輸出信號Vs成為浮接狀態。
請參照第6A圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第四實施例。電源切換電路300包括：n型電晶體m1、m2，準位轉換器620、630，與自動選擇電路640。其中，電源切換電路接收二個控制信號EN_m1與EN_m2，並選擇性地將供應電壓Vp1或者供應電壓Vp2作為輸出信號Vs。其中，控制信號EN_m1與 EN_m2的邏輯高準位為3.3V，邏輯低準位為0V。
再者，自動選擇電路640接收二個供應電壓Vp1與供應電壓Vp2，並將較低的供應電壓作為輸出電壓Vx，並作為準位轉換器620、630的電壓源。其中，自動選擇電路640與第2A圖相同，詳細電路不再贅述。
準位轉換器620接收邏輯準位的控制信號EN_m1，並根據電壓源Vx與控制信號EN_m1來降轉(shift down)控制信號EN_m1。舉例來說，當控制信號EN_m1為3.3V的邏輯高準位時，準位轉換器620產生3.3V的轉換信號S1；當控制信號EN_m1為0V的邏輯低準位時，準位轉換器620產生相同於電壓源Vx的轉換信號S1。
再者，準位轉換器630接收邏輯準位的控制信號EN_m2，並根據電壓源Vx與控制信號EN_m2來降轉(shift down)控制信號EN_m2。舉例來說，當控制信號EN_m2為3.3V的邏輯高準位時，準位轉換器630產生3.3V的轉換信號S2；當控制信號EN_m2為0V的邏輯低準位時，準位轉換器330產生相同於電壓源Vx的轉換信號S2。
電源切換電路600中，電晶體m1的第一源汲端接收供應電壓Vp1、第二源汲端連接至節點w、閘極端接收轉換信號S1。電晶體m2的第一源汲端接收供應電壓Vp2、第二源汲端連接至節點w、閘極端接收轉換信號S2。再者，節點w產生輸出信號Vs。在此實施例中，電晶體m1與電晶體m2的體極端也可 以接收電壓源Vx。
根據本發明的第四實施例，供應電壓Vp1與Vp2為小於等於零的電壓。請參照第6B圖，其所繪示為第四實施例準位轉換器600的真值表。當供應電壓Vp1小於供應電壓Vp2時，自動選擇電路640的輸出電壓Vx等於供應電壓Vp1。例如，供應電壓Vp1為-4V且供應電壓Vp2為0V時，自動選擇電路640的輸出電壓Vx為-4V。再者，根據快閃記憶胞陣列的各種不同操作動作，例如抹除動作時，控制信號EN_m1為3.3V的邏輯高準位，且控制信號EN_m2為0V的邏輯低準位時，轉換信號S1為3.3V使得電晶體m1開啟，轉換信號S2為-4V使得電晶體m2關閉。因此，電源切換電路600將供應電壓Vp1作為輸出信號Vs，意即輸出信號Vs等於-4V。
再者，於快閃記憶胞陣列的另一種操作動作，例如讀取動作時，控制信號EN_m1為0V的邏輯低準位，且控制信號EN_m2為3.3V的邏輯高準位，轉換信號S1為-4V使得電晶體m1關閉，轉換信號S2為3.3V使得電晶體m2開啟。因此，電源切換電路600將供應電壓Vp2作為輸出信號Vs，意即輸出信號Vs等於0V。
當供應電壓Vp1大於供應電壓Vp2時，自動選擇電路640的輸出電壓Vx等於供應電壓Vp2。在其他的應用上，供應電壓Vp1與供應電壓Vp2其中之一是由內部泵浦電路(pumping circuit)所提供，而其中另一則是由外部所提供。例如，供應電壓 Vp1為-4V且供應電壓Vp2為-6V時，自動選擇電路640的輸出電壓Vx為-6V。再者，當控制信號EN_m1為3.3V的邏輯高準位，且控制信號EN_m2為0V的邏輯低準位時，轉換信號S1為3.3V使得電晶體m1開啟，轉換信號S2為-6V使得電晶體m2關閉。因此，電源切換電路600將供應電壓Vp1作為輸出信號Vs，意即輸出信號Vs等於-4V。
再者，當控制信號EN_m1為0V的邏輯低準位，且控制信號EN_m2為3.3V的邏輯高準位時，轉換信號S1為-6V使得電晶體m1關閉，轉換信號S2為3.3V使得電晶體m2開啟。因此，電源切換電路600將供應電壓Vp2作為輸出信號Vs，意即輸出信號Vs等於-6V。
請參照第7圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第四實施例。電源切換電路650包括：一n型電晶體m1、一準位轉換器652與一自動選擇電路654。電源切換電路650接收邏輯準位的控制信號EN_m1並選擇性地將供應電壓Vp1作為輸出信號(output signal)Vs。控制信號EN_mc的邏輯高準位為3.3V，控制信號EN_mc的邏輯低準位為0V。
在此實施例中，自動選擇電路654接收供應電壓Vp1與輸出信號Vs，並選擇二者之中較低者為輸出電壓Vx，並作為電晶體m1的體極端電壓。當然，自動選擇電路654的輸出電壓Vx出電壓也作為準位轉換器652的電壓源。再者，自動選擇電路654的電路結構與第2A圖相同。
在此實施例中，自動選擇電路654接收供應電壓Vp1與輸出信號Vs，並選擇二者之中較低者為輸出電壓Vx作為體極端電壓，並傳遞至電晶體m1的體極端。因此，可以消除電晶體m1的基體效應。
請參照第8圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第六實施例。相較於第6A圖第四實施例之電源切換電路600，第六實施例之電源切換電路700更增加自動選擇電路710、720。再者，自動選擇電路710、720的詳細電路與第2A圖相同。此處僅介紹第六實施例電源切換電路700內部自動選擇電路710、720的運作。
根據本發明的第六實施例，自動選擇電路710接收供應電壓Vp1與輸出信號Vs，並將較低的電壓傳遞至電晶體m1的體極端，作為電晶體m1的體極電壓Vm1b。而自動選擇電路720接收供應電壓Vp2與輸出信號Vs，並將較低的電壓傳遞至電晶體m2的體極端，作為電晶體m2的體極電壓Vm2b。因此，可以消除電晶體m1與m2的基體效應(body effect)。
再者，第六實施例電源切換電路700的真值表相同於第6B圖，此處不再贅述。
請參照第9圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第七實施例。相較於第8圖的第六實施例電源切換電路700，第七實施例之電源切換電路800更增加一n型電晶體m3與一準位轉換器810。第七實施例的電源切換電路800係用來防止控制信 號EN_m1、EN_m2皆為邏輯低準位而造成節點w呈現浮接狀態(floating)。說明如下。
根據本發明的第七實施例，準位轉換器810接收控制信號EN_m3，並根據電壓源Vx來降轉控制信號EN_m3。舉例來說，當控制信號EN_m3為3.3V的邏輯高準位時，準位轉換器810產生3.3V的轉換信號S3；當控制信號EN_m3為0V的邏輯低準位時，準位轉換器810產生相同於電壓源Vx的轉換信號S3。
再者，電晶體m3的第一源汲端接收一偏壓電壓Vbias，第二源汲端連接至節點w，閘極端接收轉換信號S3，體極端接收自動選擇電路640的輸出電壓Vx。
當控制信號EN_m1與控制信號EN_m2為邏輯低準位時，控制信號EN_m3為邏輯高準位。因此，當控制信號EN_m1、EN_m2皆為邏輯低準位，並使得電晶體m1、m2皆關閉時，轉換信號S3開啟電晶體m3，使得節點w維持在偏壓電源Vbias，而不會呈現浮接狀態。再者，偏壓電壓Vbias可以等於二個供應電壓Vp1、Vp2其中之一。
請參照第10圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第八實施例。相較於第九圖第七實施例的電源切換電路800，第八實施例電源切換電路900更包括一控制電路910用以產生邏輯準位的控制信號EN_m3。
控制電路910包括電晶體m4、m5，電流源(current source)914、916，及閘912。其中，電流源914連接於電壓源Vdd 與節點c之間。電晶體m4第一源汲端與體極端接收供應電壓Vp1，第二源汲端連接至節點c，閘極端接收供應電壓Vp2。電流源916連接於電壓源Vdd與節點d之間。電晶體m5第一源汲端與體極端接收供應電壓Vp2，第二源汲端連接至節點d，閘極端接收供應電壓Vp1。及閘912的二輸入端分別連接至節點c、d，輸出端產生邏輯準位的控制信號EN_mc。其中，電壓源Vdd的電壓值為3.3V。
當供應電壓Vp1與Vp2相同且控制信號EN_m1、EN_m2皆為邏輯低準位，電晶體m1、m2關閉。舉例來說，當供應電壓Vp1為0V且供應電壓Vp2為0V時，電晶體m4、m5關閉。因此，節點c與節點d為邏輯高準位，及閘912輸出邏輯高準位的控制信號EN_m3。
再者，當控制信號EN_m3為邏輯高準位時，轉換信號S3開啟電晶體m3，使得節點w維持在偏壓電源Vbias，而不會呈現浮接狀態。再者，偏壓電壓Vbias可以等於二個供應電壓Vp1、Vp2其中之一。
請參照第11圖，其所繪示為本發明電源切換電路的第九實施例。相較於第8圖第六實施例之的電源切換電路700，第九實施例之電源切換電路950更增加一弱電流源(weak current source)952。用以防止控制信號EN_m1、EN_m2皆為邏輯低準位而造成節點w呈現浮接狀態(floating)。說明如下。
根據本發明的第九實施例，弱電流源952連接於偏 壓電源Vbias與節點w之間。當控制信號EN_m1、EN_m2皆為邏輯低準位，並使得電晶體m1、m2皆關閉時，弱電流源952所提供的弱電流可對節點w進行充電(charge)，使得節點w維持在偏壓電源Vbias，而不會呈現浮接狀態。再者，偏壓電壓Vbias可以等於二個供應電壓Vp1、Vp2其中之一。
由以上的說明可知，本發明係提出一種電源切換電路，在第一實施例至第三實施例中，電源切換電路可以自動地於多個供應電壓中選擇電壓值最低的供應電壓作為輸出信號，並且可以防止輸出信號呈現浮接狀態。在第四實施例至第九實施例中，電源切換電路可以根據控制信號來選擇多個供應電壓中之一，並作為輸出信號，並且也可以防止輸出信號呈現浮接狀態。
再者，在此領域的技術人員，可以根據以上的實施例所揭露的內容進行修改並達成本發明的目的。舉例來說，在此領域的技術人員可以省略第六實施例至第九實施例的自動選擇電路710、720，仍可以達成本發明的目的。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
300‧‧‧電源切換電路
310、320‧‧‧自動選擇電路
330‧‧‧準位轉換器

Claims (14)

  1. 一種電源切換電路，包括：一第一電晶體，具有一第一源汲端接收一第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點z，一閘極端接收一第二供應電壓，一體極端連接至該節點z，其中該節點z產生一輸出信號；一第二電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至該節點z，一閘極端接收該第一供應電壓，一體極端連接至該節點z；一第三電晶體，具有一第一源汲端接收一偏壓電壓，一第二源汲端連接至該節點z，一閘極端接收一轉換信號，一體極端連接至該節點z；一自動選擇電路，接收該第一供應電壓與該第二供應電壓，並產生一輸出電壓，其中當該第一供應電壓小於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第一供應電壓；以及當該第一供應電壓大於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第二供應電壓；以及一準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該準位轉換器根據該輸出電壓與一控制信號，將該控制信號轉換為該轉換信號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電源切換電路，其中該偏壓電壓等於該第一供應電壓或者該偏壓電壓等於該第二供應電壓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電源切換電路，其中該第一 電晶體、該第二電晶體與該第三電晶體為n型電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電源切換電路，其中該自動選擇電路包括：一第四電晶體，具有一第一源汲端接收該第一供應電壓，一第二源汲端產生該輸出電壓，一閘極端接收該第二供應電壓，一體極端連接至該第二源汲端；以及一第五電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至該第四電晶體的該第二源汲端，一閘極端接收該第一供應電壓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電源切換電路，更包括：一第四電晶體，具有一第一源汲端與一體極端接收該第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點a，一閘極端接收該第二供應電壓；一第五電晶體，具有一第一源汲端與一體極端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至一節點b，一閘極端接收該第一供應電壓；一第一電流源，連接於一電壓源與該節點a之間；一第二電流源，連接於該電壓源與該節點b之間；以及一及閘，具有二輸入端分別連接至該節點a與該節點b，並產生該控制信號。
  6. 一種電源切換電路，包括：一第一電晶體，具有一第一源汲端接收一第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點w，一閘極端接收一第一轉換信號，其中該節點w產生一輸出信號；一第二電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至該節點w，一閘極端接收一第二轉換信號；一第一自動選擇電路，接收該第一供應電壓與該第二供應電壓，並產生一輸出電壓，其中當該第一供應電壓小於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第一供應電壓；以及當該第一供應電壓大於該第二供應電壓時，該輸出電壓等於該第二供應電壓；一第一準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該第一準位轉換器根據該輸出電壓與一第一控制信號，將該第一控制信號轉換為該第一轉換信號；以及一第二準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該第二準位轉換器根據該輸出電壓與一第二控制信號，將該第二控制信號轉換為該第二轉換信號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電源切換電路，其中該第一電晶體與該第二電晶體為n型電晶體。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電源切換電路，其中該第一 自動選擇電路包括：一第三電晶體，具有一第一源汲端接收該第一供應電壓，一第二源汲端產生該輸出電壓，一閘極端接收該第二供應電壓，一體極端連接至該第二源汲端；以及一第四電晶體，具有一第一源汲端接收該第二供應電壓，一第二源汲端與一體極端連接至該三電晶體的該第二源汲端，一閘極端接收該第一供應電壓。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之電源切換電路，更包括：一第二自動選擇電路，接收該第一供應電壓與該輸出信號，並產生一第一體極電壓傳送至該第一電晶體的一體極端，其中當該第一供應電壓小於該輸出信號時，該第一體極電壓等於該第一供應電壓；以及當該第一供應電壓大於該輸出信號時，該第一體極電壓等於該輸出信號；以及一第三自動選擇電路，接收該第二供應電壓與該輸出信號，並產生一第二體極電壓傳送至該第二電晶體的一體極端，其中當該第二供應電壓小於該輸出信號時，該第二體極電壓等於該第二供應電壓；以及當該第二供應電壓大於該輸出信號時，該第二體極電壓等於該輸出信號。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之電源切換電路，更包括：一第三電晶體，具有一第一源汲端接收一偏壓電壓，一第二 源汲端連接至該節點w，一閘極端接收一第三轉換信號(S3)；一第三準位轉換器，接收該輸出電壓，其中該第三準位轉換器根據該輸出電壓與一第三控制信號，將該第三控制信號轉換為該第三轉換信號；其中，當該第一控制信號與該第二控制信號為一第一邏輯準位時，該第三控制信號為一第二邏輯準位。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電源切換電路，其中該偏壓電壓等於該第一供應電壓或者該偏壓電壓等於該第二供應電壓。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之電源切換電路，更包括：一第四電晶體，具有一第一源汲端與一體極端接收該第一供應電壓，一第二源汲端連接至一節點c，一閘極端接收該第二供應電壓；一第五電晶體，具有一第一源汲端與一體極端接收該第二供應電壓，一第二源汲端連接至一節點d，一閘極端接收該第一供應電壓；一第一電流源，連接於一電壓源與該節點c之間；一第二電流源，連接於該電壓源與該節點d之間；以及一及閘，具有二輸入端分別連接至該節點c與該節點d，並產生該第三控制信號。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之電源切換電路，更包括：一弱電流源，連接於一偏壓電壓與該節點w之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之電源切換電路，其中該偏壓電壓等於該第一供應電壓或者該偏壓電壓等於該第二供應電壓。
TW106101257A 2016-01-19 2017-01-13 電源切換電路 TWI618072B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662280683P 2016-01-19 2016-01-19
US62/280,683 2016-01-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201727649A TW201727649A (zh) 2017-08-01
TWI618072B true TWI618072B (zh) 2018-03-11

Family

ID=56137184

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105121411A TWI578322B (zh) 2016-01-19 2016-07-06 電壓切換電路
TW105123524A TWI613672B (zh) 2016-01-19 2016-07-26 記憶體陣列
TW105133388A TWI587455B (zh) 2016-01-19 2016-10-17 非揮發性記憶體結構
TW106100743A TWI621123B (zh) 2016-01-19 2017-01-10 非揮發性記憶體的驅動電路
TW106100807A TWI614763B (zh) 2016-01-19 2017-01-11 記憶體裝置、其週邊電路及其單一位元組資料寫入方法
TW106101257A TWI618072B (zh) 2016-01-19 2017-01-13 電源切換電路
TW106101517A TWI630615B (zh) 2016-01-19 2017-01-17 記憶體陣列
TW106104042A TWI646665B (zh) 2016-01-19 2017-02-08 具有抹除元件的單層多晶矽非揮發性記憶胞結構
TW106108098A TWI613659B (zh) 2016-01-19 2017-03-13 記憶單元
TW106113346A TWI613654B (zh) 2016-01-19 2017-04-21 記憶體單元及記憶體陣列
TW106114486A TWI641115B (zh) 2016-01-19 2017-05-02 記憶體單元及記憶體陣列

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105121411A TWI578322B (zh) 2016-01-19 2016-07-06 電壓切換電路
TW105123524A TWI613672B (zh) 2016-01-19 2016-07-26 記憶體陣列
TW105133388A TWI587455B (zh) 2016-01-19 2016-10-17 非揮發性記憶體結構
TW106100743A TWI621123B (zh) 2016-01-19 2017-01-10 非揮發性記憶體的驅動電路
TW106100807A TWI614763B (zh) 2016-01-19 2017-01-11 記憶體裝置、其週邊電路及其單一位元組資料寫入方法

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106101517A TWI630615B (zh) 2016-01-19 2017-01-17 記憶體陣列
TW106104042A TWI646665B (zh) 2016-01-19 2017-02-08 具有抹除元件的單層多晶矽非揮發性記憶胞結構
TW106108098A TWI613659B (zh) 2016-01-19 2017-03-13 記憶單元
TW106113346A TWI613654B (zh) 2016-01-19 2017-04-21 記憶體單元及記憶體陣列
TW106114486A TWI641115B (zh) 2016-01-19 2017-05-02 記憶體單元及記憶體陣列

Country Status (5)

Country Link
US (13) US9847133B2 (zh)
EP (6) EP3196883B1 (zh)
JP (4) JP6122531B1 (zh)
CN (10) CN106981311B (zh)
TW (11) TWI578322B (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9965267B2 (en) 2015-11-19 2018-05-08 Raytheon Company Dynamic interface for firmware updates
US9847133B2 (en) * 2016-01-19 2017-12-19 Ememory Technology Inc. Memory array capable of performing byte erase operation
US9633734B1 (en) * 2016-07-14 2017-04-25 Ememory Technology Inc. Driving circuit for non-volatile memory
CN107768373B (zh) * 2016-08-15 2022-05-10 华邦电子股份有限公司 存储元件及其制造方法
US9882566B1 (en) * 2017-01-10 2018-01-30 Ememory Technology Inc. Driving circuit for non-volatile memory
TWI652683B (zh) * 2017-10-13 2019-03-01 力旺電子股份有限公司 用於記憶體的電壓驅動器
US10332597B2 (en) * 2017-11-08 2019-06-25 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Floating gate OTP/MTP structure and method for producing the same
JP7143326B2 (ja) 2017-12-20 2022-09-28 タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 半導体装置
KR102422839B1 (ko) * 2018-02-23 2022-07-19 에스케이하이닉스 시스템아이씨 주식회사 수평 커플링 구조 및 단일층 게이트를 갖는 불휘발성 메모리 소자
KR102385951B1 (ko) * 2018-02-23 2022-04-14 에스케이하이닉스 시스템아이씨 주식회사 프로그램 효율이 증대되는 원 타임 프로그래머블 메모리 및 그 제조방법
US10522202B2 (en) * 2018-04-23 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory device and compensation method therein
US10964708B2 (en) * 2018-06-26 2021-03-30 Micron Technology, Inc. Fuse-array element
CN108986866B (zh) * 2018-07-20 2020-12-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种读高压传输电路
TWI659502B (zh) * 2018-08-02 2019-05-11 旺宏電子股份有限公司 非揮發性記憶體結構
CN110828464A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 旺宏电子股份有限公司 非易失性存储器结构
US11176969B2 (en) 2018-08-20 2021-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory circuit including a first program device
DE102019120605B4 (de) 2018-08-20 2022-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Speicherschaltung und verfahren zu deren herstellung
CN109147851B (zh) * 2018-08-31 2020-12-25 上海华力微电子有限公司 一种锁存电路
KR20200031894A (ko) * 2018-09-17 2020-03-25 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 모듈 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US10797064B2 (en) * 2018-09-19 2020-10-06 Ememory Technology Inc. Single-poly non-volatile memory cell and operating method thereof
CN109524042B (zh) * 2018-09-21 2020-03-17 浙江大学 一种基于反型模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列
TWI708253B (zh) 2018-11-16 2020-10-21 力旺電子股份有限公司 非揮發性記憶體良率提升的設計暨測試方法
CN111342541B (zh) * 2018-12-19 2021-04-16 智原微电子(苏州)有限公司 电源切换电路
US10832781B2 (en) * 2019-02-27 2020-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit device
US10924112B2 (en) * 2019-04-11 2021-02-16 Ememory Technology Inc. Bandgap reference circuit
US11508719B2 (en) * 2019-05-13 2022-11-22 Ememory Technology Inc. Electrostatic discharge circuit
CN112086115B (zh) * 2019-06-14 2023-03-28 力旺电子股份有限公司 存储器系统
CN112131037B (zh) * 2019-06-24 2023-11-14 华邦电子股份有限公司 存储器装置
JP2021048230A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11521980B2 (en) * 2019-11-14 2022-12-06 Ememory Technology Inc. Read-only memory cell and associated memory cell array
US11217281B2 (en) * 2020-03-12 2022-01-04 Ememory Technology Inc. Differential sensing device with wide sensing margin
US11139006B1 (en) * 2020-03-12 2021-10-05 Ememory Technology Inc. Self-biased sense amplification circuit
JP6887044B1 (ja) * 2020-05-22 2021-06-16 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置および読出し方法
TWI739695B (zh) * 2020-06-14 2021-09-11 力旺電子股份有限公司 轉壓器
CN114373489A (zh) * 2020-10-15 2022-04-19 华邦电子股份有限公司 非易失性存储器装置
US11373715B1 (en) * 2021-01-14 2022-06-28 Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Post over-erase correction method with auto-adjusting verification and leakage degree detection
TWI819457B (zh) * 2021-02-18 2023-10-21 力旺電子股份有限公司 多次編程非揮發性記憶體的記憶胞陣列
US11854647B2 (en) * 2021-07-29 2023-12-26 Micron Technology, Inc. Voltage level shifter transition time reduction
US11972800B2 (en) * 2021-12-16 2024-04-30 Ememory Technology Inc. Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array
US12014783B2 (en) * 2022-01-10 2024-06-18 Ememory Technology Inc. Driving circuit for non-volatile memory

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100001782A1 (en) * 2007-03-16 2010-01-07 Fujitsu Microelectronics Limited Power switch circuit and semiconductor integrated circuit device
US20110304381A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Wei-Ming Ku Power switch circuit for tracing a higher supply voltage without a voltage drop
TW201301014A (zh) * 2011-03-09 2013-01-01 Seiko Instr Inc 電源切換電路
US20140062204A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 SK Hynix Inc. Power voltage selection device
US20140097686A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Nxp B.V. Low/high voltage selector

Family Cites Families (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617652A (en) 1979-01-24 1986-10-14 Xicor, Inc. Integrated high voltage distribution and control systems
JP2685966B2 (ja) 1990-06-22 1997-12-08 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5331590A (en) 1991-10-15 1994-07-19 Lattice Semiconductor Corporation Single poly EE cell with separate read/write paths and reduced product term coupling
JP3180608B2 (ja) 1994-03-28 2001-06-25 松下電器産業株式会社 電源選択回路
JP3068752B2 (ja) 1994-08-29 2000-07-24 松下電器産業株式会社 半導体装置
US5648669A (en) * 1995-05-26 1997-07-15 Cypress Semiconductor High speed flash memory cell structure and method
US5742542A (en) * 1995-07-03 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Non-volatile memory cells using only positive charge to store data
US5640344A (en) * 1995-07-25 1997-06-17 Btr, Inc. Programmable non-volatile bidirectional switch for programmable logic
US6005806A (en) * 1996-03-14 1999-12-21 Altera Corporation Nonvolatile configuration cells and cell arrays
JP4659662B2 (ja) 1997-04-28 2011-03-30 ペグレ・セミコンダクターズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置及びその製造方法
FR2767219B1 (fr) * 1997-08-08 1999-09-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif memoire non volatile programmable et effacable electriquement compatible avec un procede de fabrication cmos/soi
JP3037236B2 (ja) * 1997-11-13 2000-04-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 レベルシフタ回路
US5959889A (en) * 1997-12-29 1999-09-28 Cypress Semiconductor Corp. Counter-bias scheme to reduce charge gain in an electrically erasable cell
DE19808525A1 (de) 1998-02-27 1999-09-02 Siemens Ag Integrierte Schaltung
JP2000021183A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体不揮発性メモリ
US5999451A (en) 1998-07-13 1999-12-07 Macronix International Co., Ltd. Byte-wide write scheme for a page flash device
JP3344331B2 (ja) 1998-09-30 2002-11-11 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2000276889A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
CN1376313A (zh) * 1999-08-27 2002-10-23 马克罗尼克斯美国公司 用于双位存储的非易失性存储器结构及其制造方法
JP2001068650A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
KR100338772B1 (ko) * 2000-03-10 2002-05-31 윤종용 바이어스 라인이 분리된 비휘발성 메모리 장치의 워드라인 드라이버 및 워드 라인 드라이빙 방법
US6370071B1 (en) * 2000-09-13 2002-04-09 Lattice Semiconductor Corporation High voltage CMOS switch
JP2005510889A (ja) * 2001-11-27 2005-04-21 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ バイト消去可能なｅｅｐｒｏｍメモリを有する半導体デバイス
TW536818B (en) 2002-05-03 2003-06-11 Ememory Technology Inc Single-poly EEPROM
US6621745B1 (en) * 2002-06-18 2003-09-16 Atmel Corporation Row decoder circuit for use in programming a memory device
US6774704B2 (en) 2002-10-28 2004-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Control circuit for selecting the greater of two voltage signals
US7038947B2 (en) * 2002-12-19 2006-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Two-transistor flash cell for large endurance application
CN1224106C (zh) * 2003-03-05 2005-10-19 力旺电子股份有限公司 只读存储器及其制作方法
JP2004326864A (ja) 2003-04-22 2004-11-18 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
FR2856185A1 (fr) 2003-06-12 2004-12-17 St Microelectronics Sa Memoire flash programmable par mot
US6963503B1 (en) 2003-07-11 2005-11-08 Altera Corporation. EEPROM with improved circuit performance and reduced cell size
JP2005051227A (ja) * 2003-07-17 2005-02-24 Nec Electronics Corp 半導体記憶装置
US7081774B2 (en) * 2003-07-30 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit having source follower and semiconductor device having the circuit
US7169667B2 (en) * 2003-07-30 2007-01-30 Promos Technologies Inc. Nonvolatile memory cell with multiple floating gates formed after the select gate
US7145370B2 (en) 2003-09-05 2006-12-05 Impinj, Inc. High-voltage switches in single-well CMOS processes
US20050134355A1 (en) 2003-12-18 2005-06-23 Masato Maede Level shift circuit
US20050205969A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Charge trap non-volatile memory structure for 2 bits per transistor
US7580311B2 (en) * 2004-03-30 2009-08-25 Virage Logic Corporation Reduced area high voltage switch for NVM
US7629640B2 (en) * 2004-05-03 2009-12-08 The Regents Of The University Of California Two bit/four bit SONOS flash memory cell
DE602004010795T2 (de) * 2004-06-24 2008-12-11 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung
US6992927B1 (en) 2004-07-08 2006-01-31 National Semiconductor Corporation Nonvolatile memory cell
US7209392B2 (en) * 2004-07-20 2007-04-24 Ememory Technology Inc. Single poly non-volatile memory
KR100633332B1 (ko) * 2004-11-09 2006-10-11 주식회사 하이닉스반도체 음의 전압 공급회로
KR100642631B1 (ko) * 2004-12-06 2006-11-10 삼성전자주식회사 전압 발생회로 및 이를 구비한 반도체 메모리 장치
US7369438B2 (en) 2004-12-28 2008-05-06 Aplus Flash Technology, Inc. Combo memory design and technology for multiple-function java card, sim-card, bio-passport and bio-id card applications
US7193265B2 (en) 2005-03-16 2007-03-20 United Microelectronics Corp. Single-poly EEPROM
US7263001B2 (en) 2005-03-17 2007-08-28 Impinj, Inc. Compact non-volatile memory cell and array system
US7288964B2 (en) 2005-08-12 2007-10-30 Ememory Technology Inc. Voltage selective circuit of power source
JP4800109B2 (ja) 2005-09-13 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2007149997A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Nec Electronics Corp 不揮発性メモリセル及びｅｅｐｒｏｍ
US7382658B2 (en) 2006-01-26 2008-06-03 Mosys, Inc. Non-volatile memory embedded in a conventional logic process and methods for operating same
US7391647B2 (en) * 2006-04-11 2008-06-24 Mosys, Inc. Non-volatile memory in CMOS logic process and method of operation thereof
US20070247915A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Intersil Americas Inc. Multiple time programmable (MTP) PMOS floating gate-based non-volatile memory device for a general-purpose CMOS technology with thick gate oxide
US7773416B2 (en) * 2006-05-26 2010-08-10 Macronix International Co., Ltd. Single poly, multi-bit non-volatile memory device and methods for operating the same
JP4901325B2 (ja) 2006-06-22 2012-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7768059B2 (en) 2006-06-26 2010-08-03 Ememory Technology Inc. Nonvolatile single-poly memory device
TWI373127B (en) * 2006-06-26 2012-09-21 Ememory Technology Inc Nonvolatile single-poly memory device
US20070296034A1 (en) 2006-06-26 2007-12-27 Hsin-Ming Chen Silicon-on-insulator (soi) memory device
JP5005970B2 (ja) 2006-06-27 2012-08-22 株式会社リコー 電圧制御回路及び電圧制御回路を有する半導体集積回路
CN100508169C (zh) * 2006-08-02 2009-07-01 联华电子股份有限公司 单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法
US7586792B1 (en) * 2006-08-24 2009-09-08 National Semiconductor Corporation System and method for providing drain avalanche hot carrier programming for non-volatile memory applications
KR100805839B1 (ko) * 2006-08-29 2008-02-21 삼성전자주식회사 고전압 발생기를 공유하는 플래시 메모리 장치
US7483310B1 (en) * 2006-11-02 2009-01-27 National Semiconductor Corporation System and method for providing high endurance low cost CMOS compatible EEPROM devices
KR100781041B1 (ko) * 2006-11-06 2007-11-30 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 장치 및 그 소거 동작 제어 방법
JP4863844B2 (ja) * 2006-11-08 2012-01-25 セイコーインスツル株式会社 電圧切替回路
US8378407B2 (en) 2006-12-07 2013-02-19 Tower Semiconductor, Ltd. Floating gate inverter type memory cell and array
US7755941B2 (en) * 2007-02-23 2010-07-13 Panasonic Corporation Nonvolatile semiconductor memory device
US7436710B2 (en) 2007-03-12 2008-10-14 Maxim Integrated Products, Inc. EEPROM memory device with cell having NMOS in a P pocket as a control gate, PMOS program/erase transistor, and PMOS access transistor in a common well
US7663916B2 (en) 2007-04-16 2010-02-16 Taiwan Semicondcutor Manufacturing Company, Ltd. Logic compatible arrays and operations
US7903465B2 (en) * 2007-04-24 2011-03-08 Intersil Americas Inc. Memory array of floating gate-based non-volatile memory cells
JP4455621B2 (ja) * 2007-07-17 2010-04-21 株式会社東芝 エージングデバイス
US8369155B2 (en) * 2007-08-08 2013-02-05 Hynix Semiconductor Inc. Operating method in a non-volatile memory device
JP2009049182A (ja) 2007-08-20 2009-03-05 Toyota Motor Corp 不揮発性半導体記憶素子
US7700993B2 (en) * 2007-11-05 2010-04-20 International Business Machines Corporation CMOS EPROM and EEPROM devices and programmable CMOS inverters
KR101286241B1 (ko) 2007-11-26 2013-07-15 삼성전자주식회사 최대 전압 선택회로
US7968926B2 (en) 2007-12-19 2011-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Logic non-volatile memory cell with improved data retention ability
CN101965638B (zh) * 2008-01-18 2012-12-05 夏普株式会社 非易失性随机存取存储器
US7639536B2 (en) 2008-03-07 2009-12-29 United Microelectronics Corp. Storage unit of single-conductor non-volatile memory cell and method of erasing the same
US7800426B2 (en) 2008-03-27 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Two voltage input level shifter with switches for core power off application
JP5266443B2 (ja) * 2008-04-18 2013-08-21 インターチップ株式会社 不揮発性メモリセル及び不揮発性メモリセル内蔵データラッチ
US8344443B2 (en) 2008-04-25 2013-01-01 Freescale Semiconductor, Inc. Single poly NVM devices and arrays
US8218377B2 (en) * 2008-05-19 2012-07-10 Stmicroelectronics Pvt. Ltd. Fail-safe high speed level shifter for wide supply voltage range
US7894261B1 (en) 2008-05-22 2011-02-22 Synopsys, Inc. PFET nonvolatile memory
US8295087B2 (en) * 2008-06-16 2012-10-23 Aplus Flash Technology, Inc. Row-decoder and select gate decoder structures suitable for flashed-based EEPROM operating below +/− 10v BVDS
KR101462487B1 (ko) * 2008-07-07 2014-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US7983081B2 (en) 2008-12-14 2011-07-19 Chip.Memory Technology, Inc. Non-volatile memory apparatus and method with deep N-well
US8189390B2 (en) * 2009-03-05 2012-05-29 Mosaid Technologies Incorporated NAND flash architecture with multi-level row decoding
US8319528B2 (en) * 2009-03-26 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having interconnected transistors and electronic device including semiconductor device
KR101020298B1 (ko) 2009-05-28 2011-03-07 주식회사 하이닉스반도체 레벨 시프터 및 반도체 메모리 장치
CN101650972B (zh) * 2009-06-12 2013-05-29 东信和平科技股份有限公司 智能卡的非易失性存储器数据更新方法
JP2011009454A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置
FR2952227B1 (fr) 2009-10-29 2013-09-06 St Microelectronics Rousset Dispositif de memoire du type electriquement programmable et effacable, a deux cellules par bit
EP2323135A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-18 SiTel Semiconductor B.V. Method and apparatus for emulating byte wise programmable functionality into sector wise erasable memory
KR101071190B1 (ko) * 2009-11-27 2011-10-10 주식회사 하이닉스반도체 레벨 쉬프팅 회로 및 이를 이용한 비휘발성 반도체 메모리 장치
IT1397229B1 (it) * 2009-12-30 2013-01-04 St Microelectronics Srl Dispositivo di memoria ftp programmabile e cancellabile a livello di cella
US9153309B2 (en) * 2010-02-07 2015-10-06 Zeno Semiconductor Inc. Semiconductor memory device having electrically floating body transistor, semiconductor memory device having both volatile and non-volatile functionality and method or operating
US8284600B1 (en) * 2010-02-08 2012-10-09 National Semiconductor Corporation 5-transistor non-volatile memory cell
KR101676816B1 (ko) * 2010-02-11 2016-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US9082652B2 (en) 2010-03-23 2015-07-14 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, active matrix substrate, and display device
KR101653262B1 (ko) * 2010-04-12 2016-09-02 삼성전자주식회사 멀티-비트 메모리의 프로그램 방법 및 그것을 이용한 데이터 저장 시스템
US8217705B2 (en) 2010-05-06 2012-07-10 Micron Technology, Inc. Voltage switching in a memory device
US8355282B2 (en) 2010-06-17 2013-01-15 Ememory Technology Inc. Logic-based multiple time programming memory cell
US8958245B2 (en) 2010-06-17 2015-02-17 Ememory Technology Inc. Logic-based multiple time programming memory cell compatible with generic CMOS processes
US9042174B2 (en) 2010-06-17 2015-05-26 Ememory Technology Inc. Non-volatile memory cell
US8279681B2 (en) 2010-06-24 2012-10-02 Semiconductor Components Industries, Llc Method of using a nonvolatile memory cell
US20120014183A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Pavel Poplevine 3 transistor (n/p/n) non-volatile memory cell without program disturb
US8044699B1 (en) * 2010-07-19 2011-10-25 Polar Semiconductor, Inc. Differential high voltage level shifter
KR101868332B1 (ko) * 2010-11-25 2018-06-20 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함한 데이터 저장 장치
US8461899B2 (en) * 2011-01-14 2013-06-11 Stmicroelectronics International N.V. Negative voltage level shifter circuit
DE112012002622B4 (de) * 2011-06-24 2017-01-26 International Business Machines Corporation Aufzeichnungseinheit für lineare Aufzeichnung zum Ausführen optimalen Schreibens beim Empfangen einer Reihe von Befehlen, darunter gemischte Lese- und Schreibbefehle, sowie Verfahren und Programm für dessen Ausführung
US9455021B2 (en) 2011-07-22 2016-09-27 Texas Instruments Incorporated Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability
KR20130022743A (ko) * 2011-08-26 2013-03-07 에스케이하이닉스 주식회사 고전압 생성회로 및 이를 구비한 반도체 장치
US8999785B2 (en) * 2011-09-27 2015-04-07 Tower Semiconductor Ltd. Flash-to-ROM conversion
CN103078618B (zh) * 2011-10-26 2015-08-12 力旺电子股份有限公司 电压开关电路
JP2013102119A (ja) * 2011-11-07 2013-05-23 Ememory Technology Inc 不揮発性メモリーセル
US8508971B2 (en) 2011-11-08 2013-08-13 Wafertech, Llc Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate
US9165661B2 (en) * 2012-02-16 2015-10-20 Cypress Semiconductor Corporation Systems and methods for switching between voltages
US9048137B2 (en) 2012-02-17 2015-06-02 Flashsilicon Incorporation Scalable gate logic non-volatile memory cells and arrays
US8941167B2 (en) 2012-03-08 2015-01-27 Ememory Technology Inc. Erasable programmable single-ploy nonvolatile memory
TWI467744B (zh) * 2012-03-12 2015-01-01 Vanguard Int Semiconduct Corp 單層多晶矽可電抹除可程式唯讀記憶裝置
US8787092B2 (en) 2012-03-13 2014-07-22 Ememory Technology Inc. Programming inhibit method of nonvolatile memory apparatus for reducing leakage current
US9390799B2 (en) * 2012-04-30 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells
TWI469328B (zh) 2012-05-25 2015-01-11 Ememory Technology Inc 具可程式可抹除的單一多晶矽層非揮發性記憶體
TWI498901B (zh) * 2012-06-04 2015-09-01 Ememory Technology Inc 利用程式化禁止方法減少漏電流的非揮發性記憶體裝置
US9729145B2 (en) * 2012-06-12 2017-08-08 Infineon Technologies Ag Circuit and a method for selecting a power supply
KR101334843B1 (ko) * 2012-08-07 2013-12-02 주식회사 동부하이텍 전압 출력 회로 및 이를 이용한 네거티브 전압 선택 출력 장치
WO2014038115A1 (ja) 2012-09-06 2014-03-13 パナソニック株式会社 半導体集積回路
JP5556873B2 (ja) * 2012-10-19 2014-07-23 株式会社フローディア 不揮発性半導体記憶装置
JP6053474B2 (ja) * 2012-11-27 2016-12-27 株式会社フローディア 不揮発性半導体記憶装置
JP2014116547A (ja) 2012-12-12 2014-06-26 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP6078327B2 (ja) * 2012-12-19 2017-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8963609B2 (en) * 2013-03-01 2015-02-24 Arm Limited Combinatorial circuit and method of operation of such a combinatorial circuit
US9275748B2 (en) * 2013-03-14 2016-03-01 Silicon Storage Technology, Inc. Low leakage, low threshold voltage, split-gate flash cell operation
KR102095856B1 (ko) * 2013-04-15 2020-04-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 바디 바이어스 방법
US9197200B2 (en) 2013-05-16 2015-11-24 Dialog Semiconductor Gmbh Dynamic level shifter circuit
US9362374B2 (en) * 2013-06-27 2016-06-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Simple and cost-free MTP structure
US9520404B2 (en) 2013-07-30 2016-12-13 Synopsys, Inc. Asymmetric dense floating gate nonvolatile memory with decoupled capacitor
CN103456359A (zh) * 2013-09-03 2013-12-18 苏州宽温电子科技有限公司 基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元
US9236453B2 (en) * 2013-09-27 2016-01-12 Ememory Technology Inc. Nonvolatile memory structure and fabrication method thereof
US9019780B1 (en) * 2013-10-08 2015-04-28 Ememory Technology Inc. Non-volatile memory apparatus and data verification method thereof
KR20150042041A (ko) * 2013-10-10 2015-04-20 에스케이하이닉스 주식회사 전압발생기, 집적회로 및 전압 발생 방법
FR3012673B1 (fr) * 2013-10-31 2017-04-14 St Microelectronics Rousset Memoire programmable par injection de porteurs chauds et procede de programmation d'une telle memoire
KR102072767B1 (ko) * 2013-11-21 2020-02-03 삼성전자주식회사 고전압 스위치 및 그것을 포함하는 불휘발성 메모리 장치
US9159425B2 (en) * 2013-11-25 2015-10-13 Stmicroelectronics International N.V. Non-volatile memory with reduced sub-threshold leakage during program and erase operations
KR102157875B1 (ko) * 2013-12-19 2020-09-22 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 시스템
JP6235901B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9331699B2 (en) 2014-01-08 2016-05-03 Micron Technology, Inc. Level shifters, memory systems, and level shifting methods
KR20160132405A (ko) * 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103943570A (zh) * 2014-03-20 2014-07-23 上海华力微电子有限公司 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法
US9508396B2 (en) * 2014-04-02 2016-11-29 Ememory Technology Inc. Array structure of single-ploy nonvolatile memory
JP5745136B1 (ja) * 2014-05-09 2015-07-08 力晶科技股▲ふん▼有限公司 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法
FR3021806B1 (fr) * 2014-05-28 2017-09-01 St Microelectronics Sa Procede de programmation d'une cellule memoire non volatile comprenant une grille de transistor de selection partagee
FR3021804B1 (fr) * 2014-05-28 2017-09-01 Stmicroelectronics Rousset Cellule memoire non volatile duale comprenant un transistor d'effacement
JP6286292B2 (ja) 2014-06-20 2018-02-28 株式会社フローディア 不揮発性半導体記憶装置
US20160006348A1 (en) 2014-07-07 2016-01-07 Ememory Technology Inc. Charge pump apparatus
US9431111B2 (en) * 2014-07-08 2016-08-30 Ememory Technology Inc. One time programming memory cell, array structure and operating method thereof
CN104112472B (zh) * 2014-07-22 2017-05-03 中国人民解放军国防科学技术大学 兼容标准cmos工艺的超低功耗差分结构非易失性存储器
CN104361906B (zh) * 2014-10-24 2017-09-19 中国人民解放军国防科学技术大学 基于标准cmos工艺的超低功耗非易失性存储器
US9514820B2 (en) * 2014-11-19 2016-12-06 Stmicroelectronics (Rousset) Sas EEPROM architecture wherein each bit is formed by two serially connected cells
JP6340310B2 (ja) 2014-12-17 2018-06-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置およびウェラブル装置
TWI546903B (zh) * 2015-01-15 2016-08-21 聯笙電子股份有限公司 非揮發性記憶體單元
JP6457829B2 (ja) 2015-02-05 2019-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN104900266B (zh) * 2015-06-10 2018-10-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Eeprom存储单元门极控制信号产生电路
US9799395B2 (en) 2015-11-30 2017-10-24 Texas Instruments Incorporated Sense amplifier in low power and high performance SRAM
US9847133B2 (en) 2016-01-19 2017-12-19 Ememory Technology Inc. Memory array capable of performing byte erase operation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100001782A1 (en) * 2007-03-16 2010-01-07 Fujitsu Microelectronics Limited Power switch circuit and semiconductor integrated circuit device
US20110304381A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Wei-Ming Ku Power switch circuit for tracing a higher supply voltage without a voltage drop
TW201301014A (zh) * 2011-03-09 2013-01-01 Seiko Instr Inc 電源切換電路
US20140062204A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 SK Hynix Inc. Power voltage selection device
US20140097686A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Nxp B.V. Low/high voltage selector

Also Published As

Publication number Publication date
TW201828302A (zh) 2018-08-01
TWI646665B (zh) 2019-01-01
JP6285001B2 (ja) 2018-02-28
JP6392379B2 (ja) 2018-09-19
US9520196B1 (en) 2016-12-13
CN106981309A (zh) 2017-07-25
US20170207230A1 (en) 2017-07-20
CN106981304B (zh) 2020-02-07
JP6566975B2 (ja) 2019-08-28
TW201727838A (zh) 2017-08-01
CN108154898A (zh) 2018-06-12
EP3196883B1 (en) 2019-09-04
US20180261294A1 (en) 2018-09-13
US9653173B1 (en) 2017-05-16
US9941011B2 (en) 2018-04-10
CN106981299B (zh) 2019-10-18
EP3410440A1 (en) 2018-12-05
TW201801084A (zh) 2018-01-01
TWI613659B (zh) 2018-02-01
TW201727651A (zh) 2017-08-01
TWI587455B (zh) 2017-06-11
EP3196885A1 (en) 2017-07-26
US20170206941A1 (en) 2017-07-20
US20170206968A1 (en) 2017-07-20
JP2018101767A (ja) 2018-06-28
US20170206975A1 (en) 2017-07-20
EP3197051B1 (en) 2020-01-15
US10038003B2 (en) 2018-07-31
TWI621123B (zh) 2018-04-11
TWI614763B (zh) 2018-02-11
JP6122531B1 (ja) 2017-04-26
CN106981307A (zh) 2017-07-25
CN106981492A (zh) 2017-07-25
TW201822212A (zh) 2018-06-16
CN106981311B (zh) 2019-08-30
US20170206969A1 (en) 2017-07-20
CN108206186A (zh) 2018-06-26
JP2017130247A (ja) 2017-07-27
TW201727632A (zh) 2017-08-01
US9805776B2 (en) 2017-10-31
CN108320772A (zh) 2018-07-24
EP3196884A1 (en) 2017-07-26
EP3196883A1 (en) 2017-07-26
CN106981304A (zh) 2017-07-25
TW201830665A (zh) 2018-08-16
TWI578322B (zh) 2017-04-11
TWI613654B (zh) 2018-02-01
CN106981307B (zh) 2020-04-07
EP3410440B1 (en) 2020-05-13
US9792993B2 (en) 2017-10-17
US10255980B2 (en) 2019-04-09
EP3196886A1 (en) 2017-07-26
US9847133B2 (en) 2017-12-19
TW201740374A (zh) 2017-11-16
EP3196886B1 (en) 2021-03-31
CN107017023B (zh) 2020-05-05
US10121550B2 (en) 2018-11-06
TWI641115B (zh) 2018-11-11
CN106981311A (zh) 2017-07-25
US20170206976A1 (en) 2017-07-20
EP3196885B1 (en) 2019-03-27
US9812212B2 (en) 2017-11-07
CN107017023A (zh) 2017-08-04
CN106981309B (zh) 2020-02-14
TW201737256A (zh) 2017-10-16
TW201824520A (zh) 2018-07-01
JP2017130646A (ja) 2017-07-27
JP2017139045A (ja) 2017-08-10
CN108154898B (zh) 2021-02-02
US20180190357A1 (en) 2018-07-05
US20170207228A1 (en) 2017-07-20
US10262746B2 (en) 2019-04-16
EP3197051A1 (en) 2017-07-26
TW201727649A (zh) 2017-08-01
US9786340B2 (en) 2017-10-10
US20170206945A1 (en) 2017-07-20
CN106981299A (zh) 2017-07-25
TWI613672B (zh) 2018-02-01
CN108206186B (zh) 2020-10-13
US10096368B2 (en) 2018-10-09
TWI630615B (zh) 2018-07-21
CN106981492B (zh) 2020-10-20
CN108320772B (zh) 2020-07-10
EP3196884B1 (en) 2021-08-04
US20170206970A1 (en) 2017-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI618072B (zh) 電源切換電路
TWI669714B (zh) 電壓控制裝置及記憶體系統
JP6464232B2 (ja) 不揮発性メモリ用駆動回路
TWI430579B (zh) 電壓位準移位器、電壓位準移位方法以及積體電路
US9633734B1 (en) Driving circuit for non-volatile memory
KR100336236B1 (ko) 반도체집적회로장치
US20050146230A1 (en) Power supply voltage switch circuit
KR20090033894A (ko) 비휘발성 메모리의 고전압 래치에 대한 고전압 전원 저하를방지하기 위한 방법 및 장치
US9076529B2 (en) Level shift circuit and semiconductor device using level shift circuit
JPH11273384A (ja) 半導体装置
US9209797B2 (en) Semiconductor device
KR20160145744A (ko) 래치 및 d 플립플롭
CN109801653B (zh) 非挥发存储器的区块解码器与位准移位器
TW201318339A (zh) 電壓開關電路
JP3176339B2 (ja) レベルシフト回路及びこれを備える不揮発性メモリ
US7288964B2 (en) Voltage selective circuit of power source
US9620185B1 (en) Voltage supply devices generating voltages applied to nonvolatile memory cells
CN112349333B (zh) 一种存储器cmos电路
US9928921B2 (en) Non-volatile memory, semiconductor device and reading method
JP6282124B2 (ja) レベルシフト回路及び半導体装置
TWI756084B (zh) 針對電池電壓的分壓器電路以及具備分壓器電路的電子裝置
US10763849B2 (en) Semiconductor integrated circuit
CN107437434B (zh) 高压电平位移电路和非易失性存储器
KR100948474B1 (ko) 전하 전달 소자 및 그를 이용한 차지 펌프 회로
TW202234805A (zh) 電壓轉換器與使用其的電路系統