CN103943570A - 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法 - Google Patents

一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103943570A
CN103943570A CN201410106573.2A CN201410106573A CN103943570A CN 103943570 A CN103943570 A CN 103943570A CN 201410106573 A CN201410106573 A CN 201410106573A CN 103943570 A CN103943570 A CN 103943570A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicide
otp
silicon
metal silicide
floating boom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410106573.2A
Other languages
English (en)
Inventor
张智侃
曹亚民
杨斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410106573.2A priority Critical patent/CN103943570A/zh
Publication of CN103943570A publication Critical patent/CN103943570A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/20—Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明为一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一含有OTP浮栅的衬底；在该衬底上生长第一硅化物，在该第一硅化物上生长第二硅化物；去除覆盖该OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露；去除残留的第一硅化物；去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。本发明选用富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅组合。在OTP浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，这样既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高OTP的数据保持能力。

Description

一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法
技术领域
本发明涉及微电子制造领域，尤其涉及一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法。 
背景技术
现今使用的嵌入式存储器工艺，在逻辑区域以及存储区域，通常使用同一种金属硅化物掩蔽膜。一次性编程存储器时若用传统的二氧化硅加氮化硅薄膜作为金属硅化物掩蔽层，会导致浮栅中存储电子跃迁到二氧化硅和氮化硅界面，影响OTP对于数据的保持能力。为增强OTP对于数据的保持能力，有必要选用新的材料来形成金属硅化物掩蔽层。 
中国专利（CN101989644A）公开了一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法,属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层,使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。 
中国专利（CN102969278A）公开了一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片上制备氧埋层；在第一硅片上键合第二硅片，制备绝缘体上硅硅片；在制备绝缘体上硅器件之前，对绝缘体上硅硅片进行预处理，将氮离子注入到绝缘体上硅硅片的氧埋层，通过退火工艺，激活注入的氮离子，在氧埋层和衬底界面之间形成悬挂键；在经过处理的绝缘 体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元。由上述技术方案的实施，提供了一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元的制造方法，以增加氧埋层与衬底之间的界面悬挂键，从而有效的俘获电子，提高PMOS结构的浮体效应存储器单元的数据保持性能。 
上述两种专利均不能提高OTP浮栅的数据保持能力。 
发明内容
为达到上述目的，具体技术方案如下： 
一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，所述方法包括以下步骤： 
提供一含有OTP浮栅的衬底； 
在所述衬底上生长第一硅化物，在所述第一硅化物上生长第二硅化物； 
去除覆盖所述OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露； 
去除残留的第一硅化物； 
去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。 
优选的，所述第一硅化物为二氧化硅，所述第二硅化物为氮化硅； 
其中，所述第一硅化物的厚度为所述第二硅化物的厚度为
优选的，通过光刻以及干法刻蚀去除第二硅化物以及部分第一硅化物； 
其中，在光刻过程中，首先制备光刻胶覆盖所述第二硅化物，通 过曝光显影在所述光刻胶中打开位于所述OTP浮栅处的部分，形成开口，并以该开口为掩膜对所述第二硅化物和部分第一硅化物进行干法刻蚀。 
优选的，通过湿法刻蚀去除所述残留的第一硅化物。 
优选的，采用BOE溶液作为所述湿法刻蚀中的刻蚀液。 
优选的，在所述湿法刻蚀中，把过刻蚀的刻蚀量控制在100%。 
优选的，所述杂质包括所述光刻胶。 
本发明选用了富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅组合。在浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，这样既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高OTP浮栅的数据保持能力。 
附图说明
构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中： 
图1是现有技术中一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的结构示意图； 
图2～图6是本发明方法一实施例中进行不同工艺步骤后的结构示意图。 
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，显然，所描述的实例仅仅是本发明一部分实例，而不是全部的实例。基于本发明汇总的实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有实例，都属于本发明保护的范围。 
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实例及实例中的特征可以相互自由组合。 
本发明是一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，包括以下步骤： 
提供一含有OTP浮栅的衬底； 
在所述衬底上生长第一硅化物，在所述第一硅化物上生长第二硅化物； 
去除覆盖所述OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露； 
去除残留的第一硅化物； 
去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。 
本发明选用了富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替原有的二氧化硅加氮化硅组合。在浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，这样既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高OTP浮栅的数据保持能 力。 
以下将结合附图对本发明的实例做具体阐释。 
如图6所示，本发明的实例是一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，包括以下步骤： 
步骤一、如图2所示，提供一含有OTP浮栅4的衬底1；该衬底也含有其他器件5。 
步骤二、如图2所示，在所述衬底1上生长第一硅化物2在所述第一硅化物2上生长所述第二硅化物3；所述第一硅化物2为二氧化硅，所述第二硅化物3为氮化硅；优选的，所述第一硅化物2的厚度为所述第二硅化物3的厚度为该工艺过程与传统工艺相同。 
步骤三、去除覆盖所述OTP浮栅4的第二硅化物3以及部分第一硅化物2，以使所述OTP浮栅4暴露；通过光刻以及干法刻蚀去除第二硅化物3以及部分第一硅化物2；其中，如图3所示，在光刻过程中，首先制备光刻胶6覆盖所述第二硅化物3，通过曝光显影在所述光刻胶6中打开位于所述OTP浮栅4处的部分，形成开口，并以该开口为掩膜对所述第二硅化物3和部分第一硅化物2进行干法刻蚀。干法刻蚀条件为：以刻蚀所述第二硅化物3为主，以提高对于第一硅化物2的选择性，以免将OTP浮栅4上的第一硅化物2过刻。 
步骤四、如图5所示，去除残留第一硅化物2；通过带光刻胶进入BOE(Buffered Oxide Etchant缓冲氧化蚀刻剂BOE溶液)的药液槽，去除残留所述第一硅化物2即通过湿法刻蚀去除所述残留的第 一硅化物2。其中，OE(over etch)的刻蚀量控制在100％左右，即在刻蚀过程中，把过刻蚀的刻蚀量控制在100％，例如需要刻蚀的膜厚为200使用可以刻蚀400的条件去刻蚀，则OE(over etch)就为100％，以此来保证第一硅化物2被完全去除。 
步骤五、如图6所示，去除杂质，并生长富硅氧化硅7，以覆盖暴露的OTP浮栅4；该杂质包括所述光刻胶6。部分富硅氧化硅7直接覆盖在OTP浮栅4可以提高OTP浮栅4对于数据的保持能力。增加第一硅化物2中的硅含量可以有效限制掩蔽膜中氢离子的移动，减少掩蔽膜中氢的移动会减少OTP浮栅4中电子外溢，从而增强OTP浮栅4的数据保持能力。 
本发明一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法选用了富硅氧化硅作为金属硅化物掩蔽膜，代替传统的二氧化硅加氮化硅组合。在浮栅上形成局部的富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，其他区域保持原有的二氧化硅加氮化硅金属硅化物掩蔽膜，可以既不影响原有工艺以及其他器件，又能将浮栅上的金属硅化物膜改变为富硅氧化硅金属硅化物掩蔽膜，从而提高OTP浮栅的数据保持能力。 
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所做出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。 

Claims (7)

1.一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一含有OTP浮栅的衬底；
在所述衬底上生长第一硅化物，在所述第一硅化物上生长第二硅化物；
去除覆盖所述OTP浮栅的第二硅化物以及部分第一硅化物，以使所述OTP浮栅暴露；
去除残留的第一硅化物；
去除杂质，并生长富硅氧化硅，以覆盖暴露的OTP浮栅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅化物为二氧化硅，所述第二硅化物为氮化硅；
其中，所述第一硅化物的厚度为所述第二硅化物的厚度为
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过光刻以及干法刻蚀去除第二硅化物以及部分第一硅化物；
其中，在光刻过程中，首先制备光刻胶覆盖所述第二硅化物，通过曝光显影在所述光刻胶中打开位于所述OTP浮栅处的部分，形成开口，并以该开口为掩膜对所述第二硅化物和部分第一硅化物进行干法刻蚀。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除所述残留的第一硅化物。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用BOE溶液作为所述湿法刻蚀中的刻蚀液。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀中，将过刻蚀的刻蚀量控制在100%。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述杂质包括所述光刻胶。
CN201410106573.2A 2014-03-20 2014-03-20 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法 Pending CN103943570A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410106573.2A CN103943570A (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410106573.2A CN103943570A (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103943570A true CN103943570A (zh) 2014-07-23

Family

ID=51191173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410106573.2A Pending CN103943570A (zh) 2014-03-20 2014-03-20 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103943570A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106981492A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 力旺电子股份有限公司 非挥发性存储器结构和阵列
CN109994479A (zh) * 2019-04-02 2019-07-09 上海华力微电子有限公司 一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件
US10892266B2 (en) 2016-01-19 2021-01-12 Ememory Technology Inc. Nonvolatile memory structure and array

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7015100B1 (en) * 2004-12-23 2006-03-21 United Microelectronics Corp. Method of fabricating one-time programmable read only memory
US7202522B2 (en) * 2003-11-01 2007-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Erasable and programmable read only memory (EPROM) cell of an EPROM device and method of manufacturing a semiconductor device having the EPROM cell
CN102122641A (zh) * 2011-01-27 2011-07-13 上海宏力半导体制造有限公司 Otp器件的形成方法
CN102427066A (zh) * 2011-12-05 2012-04-25 上海先进半导体制造股份有限公司 Cmos一次性可编程只读存储器及其制造方法
CN102543884A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 Otp器件制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7202522B2 (en) * 2003-11-01 2007-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Erasable and programmable read only memory (EPROM) cell of an EPROM device and method of manufacturing a semiconductor device having the EPROM cell
US7015100B1 (en) * 2004-12-23 2006-03-21 United Microelectronics Corp. Method of fabricating one-time programmable read only memory
CN102543884A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 Otp器件制造方法
CN102122641A (zh) * 2011-01-27 2011-07-13 上海宏力半导体制造有限公司 Otp器件的形成方法
CN102427066A (zh) * 2011-12-05 2012-04-25 上海先进半导体制造股份有限公司 Cmos一次性可编程只读存储器及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. KARNETT等: "The influence of processing conditions on data retention behavior in a deep submicron NVM process", 《2003 IEEE/SEMI ADVANCED MANUFACTURING CONFERENCE》, 1 April 2003 (2003-04-01) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106981492A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 力旺电子股份有限公司 非挥发性存储器结构和阵列
CN106981492B (zh) * 2016-01-19 2020-10-20 力旺电子股份有限公司 非挥发性存储器结构和阵列
US10892266B2 (en) 2016-01-19 2021-01-12 Ememory Technology Inc. Nonvolatile memory structure and array
CN109994479A (zh) * 2019-04-02 2019-07-09 上海华力微电子有限公司 一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9129996B2 (en) Non-volatile memory (NVM) cell and high-K and metal gate transistor integration
CN106206598B (zh) 分栅式闪存器件制造方法
US9129855B2 (en) Non-volatile memory (NVM) and high-k and metal gate integration using gate-first methodology
CN103943570A (zh) 一种一次性编程存储器中金属硅化物掩膜的制备方法
JPS61131488A (ja) 不揮発性メモリセル及び関連トランジスタを含む集積構造体の製造方法
CN107658222A (zh) 一种3d nand闪存沟道孔的平坦化工艺
US20050191808A1 (en) Method for removing nanoclusters from selected regions
US4229755A (en) Fabrication of very large scale integrated circuits containing N-channel silicon gate nonvolatile memory elements
US20150001606A1 (en) Methods and structures for a split gate memory cell structure
US9397201B2 (en) Non-volatile memory (NVM) cell and a method of making
US9006093B2 (en) Non-volatile memory (NVM) and high voltage transistor integration
JP2006013422A (ja) 半導体素子及びその製造方法
CN106409833A (zh) 嵌入式闪存的隔离方法和制备方法
CN105845735A (zh) 一种mosfet及其制备方法
CN107887390A (zh) 一种改善闪存单元的工艺集成方法
TWI755063B (zh) 半導體結構、積體電路以及形成半導體結構的方法
KR20100073715A (ko) 고집적 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN107768375A (zh) 一种分裂栅的栅极形成方法
JPS6068658A (ja) 半導体装置の製造方法
CN109273454B (zh) 半导体结构及其形成方法
CN108122920B (zh) 提高浮栅型闪存擦除效率的方法以及浮栅型闪存
KR20030057173A (ko) 실리콘기판 내에 게이트를 갖는 더블게이트 제조방법
JP2007519255A (ja) Ｖｓｓ抵抗が低く、ドレイン誘起バリアハイト効果が低減されたフローティングゲートメモリセルの構造およびその製造方法
CN106298483B (zh) 多晶硅栅极的制作方法以及嵌入式闪存的制作方法
CN109065633A (zh) 存储单元及其形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140723