JP2007149997A - 不揮発性メモリセル及びeeprom - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 26
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 28
- PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N lufenuron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(C(F)(F)F)F)=CC(Cl)=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H01L29/7883—Programmable transistors with only two possible levels of programmation charging by tunnelling of carriers, e.g. Fowler-Nordheim tunnelling
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- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
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Abstract
【課題】メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきの抑制。
【解決手段】本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板中に形成された第1ウエル11と、ゲート絶縁膜を介して基板上に形成された浮遊ゲート30と、浮遊ゲート30をゲート電極として用いるMOSトランジスタ20とを備える。浮遊ゲート30は、第1ウエル11中の第1領域15とオーバラップするように形成されている。浮遊ゲート30に対する電荷の授受は、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜を介して行われる。第1ウエル11中には、上記第1領域15に接するように第1拡散層12及び第2拡散層13が形成される。ここで、第1拡散層12と第2拡散層13は、反対の導電型を有している。
【選択図】図3
【解決手段】本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板中に形成された第1ウエル11と、ゲート絶縁膜を介して基板上に形成された浮遊ゲート30と、浮遊ゲート30をゲート電極として用いるMOSトランジスタ20とを備える。浮遊ゲート30は、第1ウエル11中の第1領域15とオーバラップするように形成されている。浮遊ゲート30に対する電荷の授受は、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜を介して行われる。第1ウエル11中には、上記第1領域15に接するように第1拡散層12及び第2拡散層13が形成される。ここで、第1拡散層12と第2拡散層13は、反対の導電型を有している。
【選択図】図3
Description
本発明は、不揮発性メモリに関し、特に、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)に関する。
電気的に内容を書き換えることができる不揮発性メモリとして、EEPROMが知られている。そのEEPROMの一種として、スタック型のゲートではなく単層のゲートを有する「単層ポリ型のEEPROM(Single Poly EEPROM)」が知られている。そのような単層ポリ型のEEPROMは、例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3、及び特許文献4に開示されている。
特許文献1(特開2000−340773号公報)に記載されたEEPROMにおいて、半導体基板の表層部に形成されたN+拡散層がコントロールゲートとして機能する。そのN+拡散層は、半導体基板上に形成された単層ゲート(フローティングゲート)とオーバラップする。また、単層ゲートは、半導体基板中のトンネル領域ともオーバラップする。単層ゲートへの電荷注入は、このトンネル領域から行われる。更に、このEEPROMは、上記単層ゲートをゲート電極として用いるMOSトランジスタを有する。上述のトンネル領域は、このMOSトランジスタのソース又はドレインの一部である。
特許文献2(特開2001−185633号公報)に記載されたEEPROMは、基板中に形成された第1のNウエル、第2のNウエル、基板上に形成された単層ゲート(浮遊ゲート)、及びリードトランジスタを備えている。第1のNウエルと単層ゲートは、ゲート絶縁膜を介してオーバラップしており、第1容量部を構成している。また、第2のNウエルと単層ゲートは、ゲート絶縁膜を介してオーバラップしており、第2容量部を構成している。第1及び第2のNウエルには、P型拡散層とN型拡散層が形成されている。P型拡散層は、単層ゲートの周辺に形成され、N型拡散層は、単層ゲートから離れた位置に形成されている。単層ゲートへの電荷注入は、第1容量部あるいは第2容量部のゲート絶縁膜を通して行われる。
特許文献3(米国特許第6788574号)に記載されたEEPROMは、基板中に形成された第1のNウエル、第2のNウエル、基板上に形成された単層ゲート(浮遊ゲート)、及びリードトランジスタを備えている。第1のNウエルと単層ゲートは、ゲート絶縁膜を介してオーバラップしており、トンネル容量部を構成している。また、第2のNウエルと単層ゲートは、ゲート絶縁膜を介してオーバラップしており、カップリング容量部を構成している。第1及び第2のNウエルには、P型拡散層とN型拡散層が形成されている。P型拡散層とN型拡散層は、各Nウエル中において互いに隣接するように形成されている。単層ゲートへの電荷注入は、トンネル容量部のゲート絶縁膜を通して行われる。
また、単層ゲートへの電荷注入が、容量部ではなくトランジスタのゲート絶縁膜を通して行われる従来技術が、特許文献4(特開平6−334190号公報)に開示されている。
図1は、その特許文献4に記載されたEEPROMセルの構造を示している。図1において、P型半導体基板101中にNウエル104が形成されており、P型半導体基板101上にはゲート絶縁膜を介して単層ポリシリコン(浮遊ゲート)108が形成されている。P型半導体基板101には、NMOSトランジスタが形成され、Nウエル104には、PMOSトランジスタが形成されている。具体的には、NMOSトランジスタは、N+拡散層(ソース/ドレイン)102a、102b、及びゲート電極103から構成されている。一方、PMOSトランジスタは、P+拡散層(ソース/ドレイン)105a、105b、N+拡散層106、及びゲート電極107から構成されている。上記単層ポリシリコン(浮遊ゲート)108は、NMOSトランジスタのゲート電極103であり、且つ、PMOSトランジスタのゲート電極107である。
このように構成されたEEPROMセルにおいて、端子109、110、及び111のそれぞれに所定の電位を印加することによって、NMOSトランジスタのゲート絶縁膜を通して浮遊ゲート108に対する電荷の授受が行われる。例えば、PROGRAM時、図1に示されるように、NMOSトランジスタのソース/ドレイン102a、102bに、端子109及び110を通して高電位Vpが印加される。一方、PMOSトランジスタのソース/ドレイン105a、105b及びN+拡散層106には、端子111を通してグランド電位が印加される。これにより、浮遊ゲート108とNMOSトランジスタのソース/ドレイン102a、102bとの間に高電界が生じる。その結果、FN(Fowler-Nordheim)トンネリングが発生し、ゲート電極103からソース/ドレイン102a、102bへ電子が引き抜かれる。
図2には、上述のPROGRAM時の状態が、容量の観点から示されている。NMOSトランジスタのゲート容量値をC1、PMOSトランジスタのゲート容量値をC2とする。その場合、容量結合によって浮遊ゲートに誘起される電位Vgは、次の式(1)で表される。
Vg=C1/(C2+C1)・Vp ・・・(1)
よって、NMOSトランジスタにおけるFNトンネリングに関係する電位差Vp−Vgは、次の式(2)で表される。
Vp−Vg=C2/(C2+C1)・Vp
=(1/(1+C1/C2))・Vp ・・・(2)
=(1/(1+C1/C2))・Vp ・・・(2)
ここで、パラメータC1/C2は、容量比と呼ばれる。例えば、電位Vpが10Vであり、容量比C1/C2が1/4である場合、電位差Vp−Vgは8Vになるはずである。設計者は、電位差Vp−Vgが所望の値になるように、容量比C1/C2や電位Vpを設定することができる。より小さな電位Vpで同じ電位差Vp−Vgを得るためには、すなわち、効率良く電位Vp−Vgを生成するためには、容量比C1/C2をより小さくすればよい。但し、ゲート容量値C1とC2の差が大きくなることは、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタのいずれか一方のサイズが極端に大きくなることを意味する。このことは、メモリセルのサイズの増大を招き、好ましくない。
本願発明者は、次の点に初めて着目した。例えば、上述のPROGRAM時、NMOSトランジスタに高電位Vpが印加され、PMOSトランジスタにグランド電位が印加される。そのため、図2に示されるように、Nウエル104の表層部には蓄積層(Accumulation Layer)LAが形成される。この蓄積層LAの負電荷(−)は、PMOSトランジスタの実効的なゲート容量値C2を変えてしまう。Nウエル104の代わりにPウエルが用いられる場合は、反転層(Inversion Layer)の負電荷が、実効的なゲート容量値C2を変えてしまう。その結果、電位差Vp−Vgが設計値からずれてしまう。電位差Vp−Vgの設計値からのずれは、メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきを招き、メモリの信頼性の低下の原因となる。
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号・符号を用いて、[課題を解決するための手段]を説明する。これらの番号・符号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板(1)中に形成された第1ウエル(11)と、ゲート絶縁膜を介して基板(1)上に形成された浮遊ゲート(30)と、浮遊ゲート(30)をゲート電極として用いるMOSトランジスタ(20)とを備える。浮遊ゲート(30)は、第1ウエル(11)中の第1領域(15)とオーバラップするように形成されており、第1ウエル(11)は、コントロールゲートの役割を果たす。一方、MOSトランジスタ(20)は、トンネル容量部の役割を果たしており、浮遊ゲート(30)に対する電荷の授受は、MOSトランジスタ(20)のゲート絶縁膜を介して行われる。第1ウエル(11)中には、上記第1領域(15)に接するように第1拡散層(12)及び第2拡散層(13)が形成される。ここで、第1拡散層(12)と第2拡散層(13)は、反対の導電型を有しており、トランジスタを構成していない。
第1ウエル(11)は、例えばPウエル(11)であるとする。また、第1拡散層(12)がP+拡散層(12)であり、第2拡散層(13)がN+拡散層(13)であるとする。データの書き込み及び消去時、第1電位が、Pウエル(11)中のP+拡散層(12)及びN+拡散層(13)に印加される。また、第1電位と所定の電位差を有する第2電位が、MOSトランジスタ(20)の拡散層に印加される。その結果、Pウエル(11)中の上記第1領域(15)の表層部には、PROGRAMあるいはERASEに応じて、反転層(LI)あるいは蓄積層(LA)が形成される。
第1領域(15)に反転層(LI)が形成される場合、その表層部にはN型半導体のように電子が多く集まる。ここで、本発明によれば、N+拡散層(13)が第1領域(15)に接するように形成されているため、そのN+拡散層(13)と上記反転層(LI)が電気的に導通する。その結果、反転層(LI)の電位が、所定の電位である上述の第1電位に固定される。従って、反転層(LI)のせいで実効的なゲート容量値が変動してしまうことが防止される。
一方、第1領域(15)に蓄積層(LA)が形成される場合、その表層部に正孔が多く集まる。ここで、本発明によれば、P+拡散層(12)が第1領域(15)に接するように形成されているため、そのP+拡散層(12)と上記蓄積層(LA)が電気的に導通する。その結果、蓄積層(LA)の電位が、所定の電位である上述の第1電位に固定される。従って、蓄積層(LA)のせいで実効的なゲート容量値が変動してしまうことが防止される。
以上に説明されたように、導電型の異なる拡散層(12,13)が第1領域(15)に接するように設けられているため、反転層(LI)及び蓄積層(LA)のいずれが形成される場合であっても、それら反転層(LI)及び蓄積層(LA)の電位が所定の値に固定される。つまり、PROGRAM/ERASEのいずれの場合であっても、ゲート容量値の変化が防止される。従って、トンネル容量部(MOSトランジスタ)のゲート絶縁膜に印加される電位差の設計値からのずれが抑制される。その電位差が設計値とほぼ等しくなるため、メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきが抑制され、メモリの信頼性が向上する。
本発明に係る不揮発性メモリによれば、PROGRAM/ERASEのいずれの場合であっても、ゲート容量値の変化が防止される。トンネル容量部のゲート絶縁膜に印加される電位差のずれが抑制されるため、メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきが抑制される。
添付図面を参照して、本発明に係る不揮発性メモリを説明する。本明細書において、不揮発性メモリとしてEEPROMが例示される。
1.構造と原理
図3は、本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリセルの構造を示す平面図である。また、図3中の線A−A’、線B−B’、及び線C−C’に沿った断面構造が、それぞれ図4A、図4B、及び図4Cに示されている。
図3は、本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリセルの構造を示す平面図である。また、図3中の線A−A’、線B−B’、及び線C−C’に沿った断面構造が、それぞれ図4A、図4B、及び図4Cに示されている。
図3に示されるように、本実施の形態に係る不揮発性メモリセルは、ウエル容量部10とMOSトランジスタ20を備えている。また、浮遊ゲート(floating gate)30が、ウエル容量部10とMOSトランジスタ20のそれぞれに対して設けられている。
図3を参照して、ウエル容量部10は、Pウエル11と浮遊ゲート30で構成されている。Pウエル11と浮遊ゲート30がオーバラップする領域は、以下「オーバラップ領域15」と参照される。Pウエル11中には、オーバラップ領域15に接するように、P+拡散層12及びN+拡散層13が形成されている。それらP+拡散層12及びN+拡散層13は、オーバラップ領域15を挟んで対向するように独立して設けられている。また、それらP+拡散層12及びN+拡散層13に接続するようにコンタクト14が形成されている。図4Aには、ウエル容量部10の構造が更に示されている。P型基板1表面の所定の領域には素子分離構造3が形成されており、P型基板1中にフローティングNウエル2が形成されおり、そのフローティングNウエル2中に上記Pウエル11が形成されている。Pウエル11上には、ゲート絶縁膜を介して浮遊ゲート30が形成されている。その浮遊ゲート30とPウエル11がオーバラップする領域が、オーバラップ領域15である。P+拡散層12とN+拡散層13は、Pウエル11中でオーバラップ領域15に接するように形成されている。
再び図3を参照して、MOSトランジスタ20は、Pウエル21に形成されるNチャネルMOSトランジスタである。具体的には、Pウエル21中には、ソース/ドレインとしてのN+拡散層22、及びウエル電位を供給するためのP+拡散層23が形成されている。それらN+拡散層22及びP+拡散層23に接続するようにコンタクト24が形成されている。図4Bには、MOSトランジスタ20の構造が更に示されている。P型基板1表面の所定の領域には素子分離構造3が形成されており、P型基板1中にフローティングNウエル2が形成されおり、そのフローティングNウエル2中に上記Pウエル21が形成されている。Pウエル21中には、N+拡散層(ソース/ドレイン)22及びP+拡散層23が形成されている。N+拡散層22に挟まれる領域の上には、ゲート絶縁膜を介して浮遊ゲート30が形成されている。MOSトランジスタ20は、浮遊ゲート30をゲート電極として用いている。
図4Cには、浮遊ゲート30の構造が示されている。この浮遊ゲート30は、Pウエル11とPウエル21にまたがるように形成されている。つまり、浮遊ゲート30は、ウエル容量部10及びMOSトランジスタ20に対して共通に設けられている。好適には、図4Cに示されるように、浮遊ゲート30は単層構造を有している。単層の浮遊ゲート30は、例えば、単層ポリシリコンから形成されている。浮遊ゲート30は、絶縁膜によって囲まれており、周囲から電気的に隔離されている。
上述のPウエル11とPウエル21は、浮遊ゲート30と容量結合している。本実施の形態によれば、ウエル容量部10のPウエル11が「コントロールゲート」として機能する。浮遊ゲート30に対する電荷の授受は、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜(トンネル絶縁膜)を通して行われる。
浮遊ゲート30に対する電荷の授受の原理は、具体的には次の通りである。図3に示されたコンタクト14を介して、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13に、第1電位が印加される。また、コンタクト24を介して、MOSトランジスタ20のN+拡散層22及びPウエル21に、第2電位が印加される。第1電位と第2電位との間には所定の電位差があり、その所定の電位差に応じた電位が浮遊ゲート30に誘起される。
例えば、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13に、電位Veが印加され、MOSトランジスタ20のN+拡散層22及びPウエル21に、グランド電位GNDが印加されるとする。また、Pウエル11と浮遊ゲート30による容量(ゲート容量値)がC10であり、MOSトランジスタ20のMOS容量がC20であるとする。この時、容量結合によって浮遊ゲート30に誘起される電位Vgは、次の式(3)で表される。
Vg=C10/(C10+C20)・Ve
=(1/(1+C20/C10))・Ve ・・・(3)
=(1/(1+C20/C10))・Ve ・・・(3)
式(3)において、パラメータC20/C10は「容量比」と呼ばれている。この浮遊ゲート30の電位Vgとグランド電位GNDとの間の電位差(電圧)が、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される。その電圧に応じた高電界によってFNトンネリングが発生し、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜を通して電荷授受が行われる。設計者は、電圧Vgが所望の値になるように、容量比C20/C10や電位Veを設定することができる。より小さな電位Veで同じ電圧Vgを得るためには、すなわち、効率良く電圧Vgを得るためには、容量比C20/C10をより小さくすればよい。つまり、図3に示されたように、MOSトランジスタ20の面積が、ウエル容量部10の面積より小さくなるように設計されればよい(C10>C20)。
また、不揮発性メモリに記録されたデータを読み出すためには、上記浮遊ゲート30の電位状態が検出されればよい。浮遊ゲート30の電位状態を検出するためには、トランジスタ(リードトランジスタ)が必要である。本実施の形態においては、上記MOSトランジスタ20がリードトランジスタとして用いられればよい。つまり、本実施の形態に係るMOSトランジスタ20は、データ読み出しのために少なくとも必要であるが、浮遊ゲート30に対する電荷注入にも用いられる。
2.動作
以下、本実施の形態に係る不揮発性メモリセルに対するデータ書き込み/消去/読み出しに関して更に詳しく説明する。
以下、本実施の形態に係る不揮発性メモリセルに対するデータ書き込み/消去/読み出しに関して更に詳しく説明する。
2−1.消去:ERASE(電子の注入)
ERASE時、浮遊ゲート30には電子が注入される。そのERASE時の不揮発性メモリセルの状態の一例が、図5に示されている。図5において、浮遊ゲート30は、ウエル容量部10のゲート電極30aとMOSトランジスタ20のゲート電極30bに分けて表現されている。それらゲート電極30aとゲート電極30bは電気的に接続されており、それらの電位Vgは同一である。
ERASE時、浮遊ゲート30には電子が注入される。そのERASE時の不揮発性メモリセルの状態の一例が、図5に示されている。図5において、浮遊ゲート30は、ウエル容量部10のゲート電極30aとMOSトランジスタ20のゲート電極30bに分けて表現されている。それらゲート電極30aとゲート電極30bは電気的に接続されており、それらの電位Vgは同一である。
P+拡散層12、N+拡散層13、Pウエル21、ソース/ドレイン22へ印加される電位は、適宜設計され得る。例えば、図5に示されるように、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13には、正の消去電位Veが印加される。一方、MOSトランジスタ20のPウエル21及びソース/ドレイン22には、グランド電位GNDが印加される。これにより、ある電位Vgが、浮遊ゲート30に誘起される。その電位Vgに応じた電界がMOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加され、電子が浮遊ゲート30に注入される。
このERASE時、MOSトランジスタ20のPウエル21の表層部には、電子が多く集まっており、反転層(Inversion Layer)LIが形成されている。一方、ウエル容量部10のPウエル11の表層部(オーバラップ領域15)には、正孔が多く集まっており、蓄積層(Accumulation Layer)LAが形成されている。ここで、本実施の形態によれば、P+拡散層12がオーバラップ領域15と接するように形成されているため、蓄積層LAはP+拡散層12と直接接続され、両者は電気的に導通する。その結果、蓄積層LAの電位が、上述の消去電位Veに固定される。
正孔が多く集まる蓄積層LAの電位が固定されると、その蓄積層LAの正電荷(+)のせいで実効的なゲート容量値C10が変動してしまうことが防止される。その結果、浮遊ゲート30に実際に誘起される電位Vgと、上記式(3)から期待される値との間のずれが低減される。つまり、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される電位差Vgの設計値からのずれが抑制される。従って、不揮発性メモリセルに対する消去特性のばらつきが抑制され、メモリの信頼性が向上する。
2−2.書き込み:PROGRAM(正孔の注入)
PROGRAM時、浮遊ゲート30には正孔が注入される。そのPROGRAM時の不揮発性メモリセルの状態の一例が、図5と同様の形式で、図6に示されている。P+拡散層12、N+拡散層13、Pウエル21、ソース/ドレイン22へ印加される電位は、適宜設計され得る。例えば、図6に示されるように、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13には、負の書込電位Vpが印加される。一方、MOSトランジスタ20のPウエル21及びソース/ドレイン22には、グランド電位GNDが印加される。これにより、ある電位Vgが、浮遊ゲート30に誘起される。その電位Vgに応じた電界がMOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加され、正孔が浮遊ゲート30に注入される。
PROGRAM時、浮遊ゲート30には正孔が注入される。そのPROGRAM時の不揮発性メモリセルの状態の一例が、図5と同様の形式で、図6に示されている。P+拡散層12、N+拡散層13、Pウエル21、ソース/ドレイン22へ印加される電位は、適宜設計され得る。例えば、図6に示されるように、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13には、負の書込電位Vpが印加される。一方、MOSトランジスタ20のPウエル21及びソース/ドレイン22には、グランド電位GNDが印加される。これにより、ある電位Vgが、浮遊ゲート30に誘起される。その電位Vgに応じた電界がMOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加され、正孔が浮遊ゲート30に注入される。
このPROGRAM時、MOSトランジスタ20のPウエル21の表層部には、正孔が多く集まっており、蓄積層LAが形成されている。一方、ウエル容量部10のPウエル11の表層部(オーバラップ領域15)には、N型半導体のように電子が多く集まっており、反転層LIが形成されている。ここで、本実施の形態によれば、N+拡散層13がオーバラップ領域15と接するように形成されているため、反転層LIはN+拡散層13に直接接続され、両者は電気的に導通する。その結果、反転層LIの電位が、上述の書込電位Vpに固定される。
電子が多く集まる反転層LIの電位が固定されると、その反転層LIの負電荷(−)のせいで実効的なゲート容量値C10が変動してしまうことが防止される。その結果、浮遊ゲート30に実際に誘起される電位Vgと、上記式(3)から期待される値との間のずれが低減される。つまり、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される電位差Vgの設計値からのずれが抑制される。従って、不揮発性メモリセルに対する書き込み特性のばらつきが抑制され、メモリの信頼性が向上する。
2−3.読み出し:READ
図7は、READ時の不揮発性メモリセルの状態の一例を示している。例えば、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13に読出電位Vrが印加される。また、MOSトランジスタ20のソース22及びPウエル21にグランド電位GNDが印加され、そのドレイン22に所定の電位が印加される。MOSトランジスタ20が導通するか否かを検出することによって、MOSトランジスタ20の閾値電圧、すなわち、格納データに対応した浮遊ゲート30の電位状態を知ることができる。
図7は、READ時の不揮発性メモリセルの状態の一例を示している。例えば、ウエル容量部10のP+拡散層12及びN+拡散層13に読出電位Vrが印加される。また、MOSトランジスタ20のソース22及びPウエル21にグランド電位GNDが印加され、そのドレイン22に所定の電位が印加される。MOSトランジスタ20が導通するか否かを検出することによって、MOSトランジスタ20の閾値電圧、すなわち、格納データに対応した浮遊ゲート30の電位状態を知ることができる。
3.効果
本実施の形態によれば、ウエル容量部10のオーバラップ領域15に、反対の導電型を有するP+拡散層12及びN+拡散層13が接している。従って、オーバラップ領域15に蓄積層LAが形成される場合であっても、反転層LIが形成される場合であっても、その蓄積層LAあるいは反転層LIは、P+拡散層12及びN+拡散層13のいずれかと電気的に導通する。言い換えれば、ERASE及びPROGRAMのいずれの場合であっても、蓄積層LAや反転層LIの電位は、所定の電位(Ve,Vp)に固定される。その結果、蓄積層LAの正電荷(+)や反転層LIの負電荷(−)のせいで実効的なゲート容量値C10が変化することが防止される。よって、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される電位差Vgの設計値からのずれが抑制される。その電位差が設計値とほぼ等しくなるため、メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきが抑制され、メモリの信頼性が向上する。
本実施の形態によれば、ウエル容量部10のオーバラップ領域15に、反対の導電型を有するP+拡散層12及びN+拡散層13が接している。従って、オーバラップ領域15に蓄積層LAが形成される場合であっても、反転層LIが形成される場合であっても、その蓄積層LAあるいは反転層LIは、P+拡散層12及びN+拡散層13のいずれかと電気的に導通する。言い換えれば、ERASE及びPROGRAMのいずれの場合であっても、蓄積層LAや反転層LIの電位は、所定の電位(Ve,Vp)に固定される。その結果、蓄積層LAの正電荷(+)や反転層LIの負電荷(−)のせいで実効的なゲート容量値C10が変化することが防止される。よって、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される電位差Vgの設計値からのずれが抑制される。その電位差が設計値とほぼ等しくなるため、メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきが抑制され、メモリの信頼性が向上する。
特に、MOSトランジスタ20のゲート絶縁膜に印加される電位差Vgが、所望の設計値から大幅に小さくなることが防止され、好適である。もし、その電位差Vgが設計値から大幅に小さくなったとすれば、最悪の場合、書き込み/消去が行われなくなってしまう。ゲート容量値の変動を見込んで、容量比C20/C10をより小さく設計することも考えられる。しかしながら、ゲート容量値C10とC20の差が大きくなることは、ウエル容量部10のサイズが極端に大きくなることを意味する。このことは、メモリセル全体のサイズの増大を招き、好ましくない。本実施の形態によれば、ゲート容量値の変化が抑制されるので、ウエル容量部10のサイズをいたずらに大きくする必要がなくなる。このことは、メモリセル全体のサイズの観点から好適である。
また、図3に示されるように、P+拡散層12とN+拡散層13は、Pウエル11中において互いに離れて形成されている。具体的には、通常のトランジスタと同様に、P+拡散層12とN+拡散層13は、オーバラップ領域15を挟んで対向するように形成されている。P+拡散層12とN+拡散層13は、同じ長さにわたってオーバラップ領域15に接触している。このような配置は、製造プロセスが容易になるという点で優れている。
更に、本実施の形態による不揮発性メモリセルは、2素子(ウエル容量部10、MOSトランジスタ20)で構成される。3素子(トンネル容量部、カップリング容量部、リードトランジスタ)の場合と比較して、メモリセル面積が縮小され、好適である。
1 P型基板
2 フローティングNウエル
3 素子分離構造
10 ウエル容量部
11 Pウエル
12 P+拡散層
13 N+拡散層
14 コンタクト
15 オーバラップ領域
20 トランジスタ
21 Pウエル
22 ソース/ドレイン
23 P+拡散層
24 コンタクト
30 浮遊ゲート(単層ポリシリコン)
LI 反転層
LA 蓄積層
2 フローティングNウエル
3 素子分離構造
10 ウエル容量部
11 Pウエル
12 P+拡散層
13 N+拡散層
14 コンタクト
15 オーバラップ領域
20 トランジスタ
21 Pウエル
22 ソース/ドレイン
23 P+拡散層
24 コンタクト
30 浮遊ゲート(単層ポリシリコン)
LI 反転層
LA 蓄積層
Claims (9)
- 基板中に形成された第1ウエルと、
前記第1ウエル中の第1領域とオーバラップするように、ゲート絶縁膜を介して前記基板上に形成された浮遊ゲートと、
前記第1領域に接するように前記第1ウエル中に形成された第1拡散層及び第2拡散層と、
前記浮遊ゲートをゲート電極として用いるMOSトランジスタと
を具備し、
前記浮遊ゲートに対する電荷の授受は、前記MOSトランジスタの前記ゲート絶縁膜を介して行われ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、反対の導電型を有する
不揮発性メモリセル。 - 請求項1に記載の不揮発性メモリセルであって、
データの書き込み及び消去時、
第1電位が、前記第1ウエルの前記第1拡散層及び前記第2拡散層に印加され、
前記第1電位と所定の電位差を有する第2電位が、前記MOSトランジスタの拡散層に印加される
不揮発性メモリセル。 - 請求項2に記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1ウエルと前記浮遊ゲートによる容量は、前記MOSトランジスタが有するMOS容量より大きい
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
データ読み出し時、前記トランジスタを用いることによって前記浮遊ゲートの電位状態が検出される
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、互いに離れて形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、同じ長さにわたって前記第1領域に接する
不揮発性メモリセル。 - 請求項5又は6に記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、前記第1領域を挟んで対向するように形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
前記浮遊ゲートは、単層のポリシリコンから形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の不揮発性メモリセルを有する
EEPROM。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343039A JP2007149997A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 不揮発性メモリセル及びeeprom |
US11/601,740 US20070120175A1 (en) | 2005-11-29 | 2006-11-20 | Eeprom |
KR1020060117508A KR100803011B1 (ko) | 2005-11-29 | 2006-11-27 | Eeprom |
CNA2006101635163A CN101013702A (zh) | 2005-11-29 | 2006-11-29 | Eeprom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343039A JP2007149997A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 不揮発性メモリセル及びeeprom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149997A true JP2007149997A (ja) | 2007-06-14 |
Family
ID=38086606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005343039A Withdrawn JP2007149997A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 不揮発性メモリセル及びeeprom |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070120175A1 (ja) |
JP (1) | JP2007149997A (ja) |
KR (1) | KR100803011B1 (ja) |
CN (1) | CN101013702A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018101767A (ja) * | 2016-01-19 | 2018-06-28 | 力旺電子股▲ふん▼有限公司eMemory Technology Inc. | 消去デバイスを有する単一ポリ不揮発性メモリセルの構造 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8050541B2 (en) * | 2006-03-23 | 2011-11-01 | Motorola Mobility, Inc. | System and method for altering playback speed of recorded content |
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KR101291750B1 (ko) | 2011-10-14 | 2013-07-31 | 주식회사 동부하이텍 | 이이피롬과 그 제조 방법 |
US9018691B2 (en) * | 2012-12-27 | 2015-04-28 | Ememory Technology Inc. | Nonvolatile memory structure and fabrication method thereof |
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KR102166525B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-10-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 단일층의 게이트를 갖는 불휘발성 메모리소자 및 그 동작방법과, 이를 이용한 메모리 셀어레이 |
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2005
- 2005-11-29 JP JP2005343039A patent/JP2007149997A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-11-20 US US11/601,740 patent/US20070120175A1/en not_active Abandoned
- 2006-11-27 KR KR1020060117508A patent/KR100803011B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-29 CN CNA2006101635163A patent/CN101013702A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070056969A (ko) | 2007-06-04 |
KR100803011B1 (ko) | 2008-02-14 |
US20070120175A1 (en) | 2007-05-31 |
CN101013702A (zh) | 2007-08-08 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090819 |