JP2007149947A - 不揮発性メモリセル及びeeprom - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る不揮発性メモリセルは、基板中に形成された第1ウエル11と、ゲート絶縁膜を介して基板上に形成された浮遊ゲート40とを備えている。浮遊ゲート40は、第1ウエル11中のトンネル領域15とオーバラップするように形成されている。浮遊ゲート40に対する電荷の授受は、トンネル領域15と浮遊ゲート40との間のゲート絶縁膜を介して行われる。第1ウエル11中には、トンネル領域15に接するように第1拡散層12と第2拡散層13が形成されている。第1拡散層12と第2拡散層13は、反対の導電型を有し、同じ長さにわたってトンネル領域15に接するように形成されている。
【選択図】図2
Description
1−1.構造と原理
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性メモリセルの構造を示す平面図である。また、図2中の線A−A’、線B−B’、及び線C−C’に沿った断面構造が、それぞれ図3A、図3B、及び図3Cに示されている。
=(1/(1+C10/C30))・Ve ・・・(1)
以下、本実施の形態に係る不揮発性メモリセルに対するデータ書き込み/消去/読み出しに関して更に詳しく説明する。
まず、本実施の形態によれば、Pウエル11中のN+拡散層12とP+拡散層13は、トンネル領域15に接するように形成されている。それによる効果は次の通りである。FNトンネル電流に基づくEEPROMの場合、一般に、数十〜数百pAオーダーの微小な電流を流すことによりPROGRAM/ERASEが行われる。そのため、余計な抵抗は可能な限り小さい方が、特性の観点から好ましい。もし、ウエルコンタクト(拡散層)がトンネル領域15から離れて位置していると、ウエルの寄生抵抗が付いてしまう。しかしながら、本実施の形態によれば、ウエルコンタクトとトンネル領域15が接しているため、ウエルの寄生抵抗による影響が防止される。
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性メモリセルの構造を示す平面図である。図8において、第1の実施の形態と同様の構造には同一の符号が付されており、重複する説明は適宜省略される。第2の実施の形態に係る不揮発性メモリセルは、トンネル容量部10、リードトランジスタ20、及びウエル容量部30’を備えている。トンネル容量部10の構成は、第1の実施の形態における構成と同様である。従って、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
Vg=1/(1+C10/C30))・Vp ・・・(2)
図11は、本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性メモリセルの構造を示す平面図である。図11において、第1の実施の形態と同様の構造には同一の符号が付されており、重複する説明は適宜省略される。第3の実施の形態に係る不揮発性メモリセルは、トンネル容量部10とリードトランジスタ20の2素子を備えている。既出の実施の形態と比較して、ウエル容量部30が除かれている。
2 フローティングNウエル
3 素子分離構造
10 トンネル容量部
11 Pウエル
12 N+拡散層
13 P+拡散層
14 コンタクト
15 トンネル領域
20 リードトランジスタ
21 Pウエル
22 ソース/ドレイン
23 P+拡散層
24 コンタクト
30、30’ ウエル容量部
31 Pウエル
32 N+拡散層
33 P+拡散層
34 コンタクト
35 オーバラップ領域
40 浮遊ゲート(単層ポリシリコン)
LI 反転層
LA 蓄積層
Claims (12)
- 基板中に形成された第1ウエルと、
前記第1ウエル中の第1領域とオーバラップするように、ゲート絶縁膜を介して前記基板上に形成された浮遊ゲートと、
前記第1領域に接するように前記第1ウエル中に形成された第1拡散層及び第2拡散層と
を具備し、
前記浮遊ゲートに対する電荷の授受は、前記第1領域と前記浮遊ゲートとの間の前記ゲート絶縁膜を介して行われ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、反対の導電型を有し、前記浮遊ゲートに対する電荷供給効率が同じになるように設けられた
不揮発性メモリセル。 - 基板中に形成された第1ウエルと、
前記第1ウエル中の第1領域とオーバラップするように、ゲート絶縁膜を介して前記基板上に形成された浮遊ゲートと、
前記第1領域に接するように前記第1ウエル中に形成された第1拡散層及び第2拡散層と
を具備し、
前記浮遊ゲートに対する電荷の授受は、前記第1領域と前記浮遊ゲートとの間の前記ゲート絶縁膜を介して行われ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、反対の導電型を有し、且つ、同じ長さにわたって前記第1領域に接する
不揮発性メモリセル。 - 請求項2に記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、互いに離れて形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項3に記載の不揮発性メモリセルであって、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、前記第1領域を挟んで対向するように形成された
不揮発性メモリセル。 - 基板中に形成された第1ウエルと、
前記第1ウエル中の第1領域とオーバラップするように、ゲート絶縁膜を介して前記基板上に形成された浮遊ゲートと、
前記第1領域に接するように前記第1ウエル中に形成された第1拡散層及び第2拡散層と
を具備し、
前記浮遊ゲートに対する電荷の授受は、前記第1領域と前記浮遊ゲートとの間の前記ゲート絶縁膜を介して行われ、
前記第1拡散層と前記第2拡散層は、反対の導電型を有し、互いに離れて形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
更に、前記浮遊ゲートをゲート電極として用いるトランジスタを具備し、
データ読み出し時、前記トランジスタを用いることによって前記浮遊ゲートの電位状態が検出される
不揮発性メモリセル。 - 請求項6に記載の不揮発性メモリセルであって、
データの書き込み及び消去時、
第1電位が、前記第1ウエルに印加され、
前記第1電位と所定の電位差を有する第2電位が、前記トランジスタの拡散層に印加される
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の不揮発性メモリであって、
更に、前記基板中に形成され前記浮遊ゲートと容量結合した第2ウエルを具備し、
データの書き込み及び消去時、
第1電位が、前記第1ウエルに印加され、
前記第1電位と所定の電位差を有する第2電位が、前記第2ウエルに印加される
不揮発性メモリセル。 - 請求項8に記載の不揮発性メモリであって、
前記第2ウエルと前記浮遊ゲートによる容量は、前記第1ウエルと前記浮遊ゲートによる容量より大きい
不揮発性メモリセル。 - 請求項8又は9に記載の不揮発性メモリであって、
更に、前記第2ウエル中に形成された第3拡散層及び第4拡散層を具備し、
前記浮遊ゲートは、前記第2ウエル中の第2領域とオーバラップし、
前記第3拡散層及び前記第4拡散層は、反対の導電型を有し、前記第2領域と接するように形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の不揮発性メモリセルであって、
前記浮遊ゲートは、単層のポリシリコンから形成された
不揮発性メモリセル。 - 請求項1乃至11のいずれかに記載の不揮発性メモリセルを有する
EEPROM。
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