TWI424989B - 用於有機電激發光裝置之新穎材料 - Google Patents

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Description

用於有機電激發光裝置之新穎材料
有機半導體係被發展用於許多不同應用，在廣義的意義中可被歸屬於電子業。例如，US 4539507、US 5151629、EP 0676461及WO 98/27136中描述以這些有機半導體作為功能性材料的有機電激發光裝置(OLED)的結構。
近幾年的發展為顯示燐光而非螢光的有機金屬錯合物的用途(M.A.Baldo等人，應用物理文學1999，75，4－6)。由於量子機械的緣故，至多4倍的能量及功率效率提高可使用有機金屬化合物作為燐光發射體。此發展是否成功仰賴於是否能找到對應的裝置組成，也可在OLED中實施這些優點(與單重態發光＝螢光相比三重態發光＝燐光)。
一般，顯示三重態發光的OLED中仍有相當多問題。因此，操作壽命一般都太短，至今仍未將燐光OLED導入高品質且長壽命的裝置。在燐光OLED中，所用的基質材料經常為4,4'－雙(N－咔唑基)聯苯(CBP)。缺點為以彼所製造的裝置的短暫壽命及高操作電壓，其導致低功率效率。此外，CBP具有不適當的高玻璃轉移溫度。儘管全都是CBP的缺點，但是其仍舊以三重態基質材料的形式使用，因為上述的問題即使是使用替代性基質材料也無法適當解決。
因此本發明的目的在於提供不具有上述問題且具有，特別是，較高玻璃轉移溫度而不會因此不利地影響其他裝置性質的咔唑衍生物。本發明進一步的目的在於藉由以三重態基質材料用於OLED中而提供導致改善的效率及壽命的咔唑衍生物。
驚人的是，在此已發現CBP的衍生物及其他咔唑的2－位置由芳族或雜芳族來取代的咔唑衍生物顯示明顯的改善。特別是，這將導致具有顯著提高玻璃轉移溫度的衍生物及該裝置的較長壽命和較高的效率而不會不利地該化合物的其他電子性質。因此本發明有關這些材料及其於有機電子裝置中的用途。
US 6,562,982揭示以3,6－位置被芳基取代的CBP衍生物作為有機電激發光裝置的電荷轉移化合物。這些化合物的玻璃轉移溫度並未指示。無論如何，這些化合物中的芳基取代基與該咔唑的氮共軛且因此對該化合物的電子性質具有明顯的影響。因此以此方式無法獲得具有與CBP相比擬的電子性質之CBP衍生物。
JP 2004/288381揭示被三重態基質材料形式的氟化芳族化合物取代的咔唑衍生物。在此該氟化的芳基取代基係鍵結至該咔唑的2－或3－位置。由於氟的高電負性，無論如何，這些取代基對於該分子的電子性質具有強大的影響。
本發明有關式(1)的化合物 其中下列適於所用的符號及指數：Ar在各出現處為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R1 基團取代；Ar1 在各出現處為，相同或不同，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R基團取代；R在各出現處為，相同或不同，Cl、Br、I、N(Ar2 )2 、CN、NO2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、C(＝O)Ar2 、P(＝O)(Ar2 )2 、S(＝O)Ar2 、S(＝O)2 Ar2 、－CR2 ＝CR2 (Ar2 )、OSO2 R2 、具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個碳原子的分支或環狀烷基、烷氧基或硫烷氧基，其各可被一或多個R2 基團取代，其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被R2 C＝CR2 、C≡C、Si(R2 )2 、Ge(R2 )2 、Sn(R2 )2 、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2 、P(＝O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 代替且其中一或多個H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO2 代替，或具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情形中可被一或多個R2 基團 取代，或具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可被一或多個R2 基團取代，或這些系統的組合；在此，二或多個取代基R也可相互形成單環狀或多環狀脂族或芳族環系統；R1 在各出現處係相同或不同，為R，Ar1 基團或F；Ar2 在各出現處係相同或不同，為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R2 基團取代；R2 在各出現處係相同或不同，為H或具有1至20個碳原子的脂族、芳族及/或雜芳族烴基；在此，二或多個取代基R2 也可相互形成單環狀或多環狀脂族或芳族環系統；n在各出現處係相同或不同，為0、1、2或3；p在各出現處係相同或不同，為0、1、2、3或4；q為1、2、3、4或5。
若指數q等於1，這意指Ar表示二價基團。若指數q大於1，這意指全部三或更多個咔唑基都鍵結至該芳族環系統Ar。q＝2時Ar為三價基團且q>2時相對地多價基團。指數q較佳為＝1或2，特佳為q＝1。
根據本發明的化合物較佳具有大於120℃的玻璃轉移溫度Tg，特佳為大於140℃。
為了本發明的目的，芳基含有6至60個碳原子；為了本發明的目的，雜芳基含有2至60個碳原子及至少一個雜原子，附帶條件為碳原子及雜原子的總數為至少5。 雜原子較佳為選自N、O及/或S。在此芳基或雜芳基意指簡單的芳族環，即苯，或簡單的雜芳族環，例如吡啶、嘧啶、噻吩等等，或稠合芳基或雜芳基，例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等等。
為了本發明的目的，芳族環系統的環系統中含有6至40個碳原子。為了本發明的目的，雜芳族環系統的環系統中含有2至40個碳原子及至少一個雜原子，附帶條件為碳原子及雜原子的總數為至少5。雜原子較佳為選自N、O及/或S。為了本發明的目的，芳族或雜芳族環系統意指不一定僅含有芳基或雜芳基，而是多數芳基或雜芳基也可能被非芳族單元(較佳為少於10%的H以外的原子)阻斷，如，例如sp3 －混成的C、N或O原子。因此，例如，如9,9'－螺二茀、9,9－二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、茋等等系統也被視為用於本發明目的的芳族環系統，且二或多個芳基，例如，被線性或環狀烷基或被甲矽烷基阻斷的系統也是一樣。該芳族環系統較佳不含金屬原子。
為了本發明的目的，C1 －至C40 －烷基(其中，除了個別H原子或CH2 基團可被上述基團取代以外)較佳為意指下列基團：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2－甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2－乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2－三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯 基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。C1 －至C40 －烷氧基較佳為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基或2－甲基丁氧基。具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其也可在各情形中被上述基團R取代且可經由任何想要的位置鍵聯至該芳族或雜芳族環系統)意指，特別是，衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、、苝、、稠四苯、稠五苯、苯並芘、聯苯、亞聯苯基(biphenylene)、聯三苯、亞聯三苯基(terphenylene)、茀、螺二茀、二氫菲、三氟芘、四氫芘、順－或反－茚並茀、參茚并苯(truxene)、異參茚并苯、螺參茚并苯、螺異參茚并苯、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并－5,6－喹啉、苯并－6,7－喹啉、苯并－7,8－喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹噁啉并咪唑、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、1,2－噻唑、1,3－噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹噁啉、1,5－二氮雜蒽、2,7－二氮雜芘、2,3－二氮雜芘、1,6－二氮雜芘、1,8－二氮雜芘、4,5－二氮雜芘、4,5,9,10－四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩噁嗪、吩噻嗪、熒紅環(fluorubin)、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉(benzocarboline)、啡啉、1,2,3－三唑、1,2,4－三唑、苯並 三唑、1,2,3－噁二唑、1,2,4－噁二唑、1,2,5－噁二唑、1,3,4－噁二唑、1,2,3－噻二唑、1,2,4－噻二唑、1,2,5－噻二唑、1,3,4－噻二唑、1,3,5－三嗪、1,2,4－三嗪、1,2,3－三嗪、四嗪、1,2,4,5－四嗪、1,2,3,4－四嗪、1,2,3,5－四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪及苯并噻二唑的基團。
在本發明的較佳具體例中，式(1)化合物中的指數n在各出現處為相同或不同，且為0或1。指數n特佳為＝0。
式(1)的較佳結構為式(2)至(7)的化合物： 其中該等符號及指數具有上述文中所指示的意義。
式(1)化合物或式(2)或式(5)化合物的較佳具體例中，指數p在各出現處為相同或不同，且為0、1或2 ，以0或1特佳。若指數p等於1，則取代基R1 以鍵結於咔唑5-位置或7-位置為較佳，以5-位置特佳。若指數p等於2，則取代基R1 以鍵結於咔唑5-位置與7-位置為較佳。
在式(3)或式(6)的化合物之較佳具體例中，該指數n在各出現處為相同或不同，且為0或1。若該指數n等於1，則該取代基R1 較佳為鍵結在該咔唑的5-位置。
為求清晰的緣故，該咔唑的位置編號係描述於下式中：
式(1)中或式(2)至(7)中較佳的基團Ar及Ar1 僅含有苯基及/或萘基或具有不多於兩個稠合芳族或雜芳族環的雜芳族基團，但是沒有更大的稠合芳族系統。較佳的基團Ar及Ar1 因此為由此類型鍵聯系統所建立的芳族環系統，或此類型鍵聯系統(如，例如，聯苯、茀、螺二茀等等)。再者該基團Ar及Ar1 較佳為咔唑。
特佳的基團Ar係選自1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、苯-1,3,5-三基、3,3'-聯苯基、4,4'-聯苯基、1,3,5-三苯基苯、三苯基胺、2,7-伸茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、2,7-伸螺聯茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、伸茚并茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、4,4"'-(1,1'：2',1"：2",1"'-聯四苯基)、4,4'-(2,2'-二甲基聯苯基 )、4,4'－(1,1'－聯萘基)、4,4'－茋基或二氫菲基(其可被一或多個R1 基團取代)。
特佳的基團Ar1 係相同或不同，且選自苯基、1－萘基、2－萘基、2－咔唑基、3－咔唑基、9－咔唑基、三苯基胺、萘基二苯基胺或二萘基苯基胺，其各自可被一或多個R基團取代。在此最後提到的兩個基團可經由1－或2－位置的伸萘基或經由該苯基鍵結。在此2－或3－咔唑基較佳為經由芳族基團R在氮上做取代。
再者較佳為式(1)中或式(2)至(7)中該符號R(即基團Ar1 上的取代基)在各出現處係相同或不同，且為H、N(Ar2 )2 、具有1至5個碳原子的直鏈烷基或具有3至5個碳原子的分支烷基，其中在各情形中一或多個不相鄰的CH2 基團可被－R2 C＝CR2 －或－O－代替且其中一或多個H原子可被F代替，或具有6至16個碳原子的芳基或具有2至16個碳原子的雜芳基或螺聯茀基，其各自可被一或多個R2 基團取代，或這些系統中之其二的組合。特佳的基團R在各出現處係相同或不同，且為H、甲基、乙基、異丙基、第三丁基，其中在各情形中一或多個H原子可被F代替，或苯基、萘基或螺二氟基，其各自可被一或多個R2 基團取代，或這些系統中之其二的組合。在從溶液加工的化合物中，也較佳為具有至多10個碳原子的線性或分支烷基鏈。作為取代基的溴、硼酸或硼酸衍生物特佳為使用此化合物作為根據本發明製備進一步的化合物所用的中間化合物。
再者較佳為式(1)中或式(2)至(7)中該符號R1 係在各出現處係相同或不同，且根據較佳的取代基R來定義或為Ar1 或F。
再者較佳為對稱化合物，即化合物中所有符號Ar1 都相同且受到相同取代。
較佳的式(1)化合物的例子為下文描述的化合物(1)至(72)：
根據本發明的化合物可經由有機化學標準方法來合成。因此，習知2－硝基聯苯衍生物可與亞磷酸三烷酯反應以得到對應的咔唑衍生物(M.Tavasli等人，合成2005，1619至1624頁)。此反應可先建立對應的芳基取代的2－硝基聯苯衍生物，其後續與亞磷酸三烷酯反應而用於建立2－芳基取代的咔唑衍生物。該2－芳基取代的咔唑衍生物可在標準條件下以Hartwig－Buchwald耦合作用耦合至二溴化芳族化合物以得到式(1)的化合物。熟於有機合成技藝 之士知道用於進行該Hartwig－Buchwald耦合的不同方法及其中的反應條件。不用二溴化芳族化合物，也可使用含有不同離去基的對應化合物，例如氯、碘、三氟甲磺酸酯基、甲苯磺酸酯基或一般磺酸酯基。使用含有又更多離去基的三取代芳族化合物能對應合成指數q為2或更大的式(1)化合物。
下文機構1中描述式(1)化合物的合成，其中為求清晰，q選為＝1，且沒顯示取代基R或R1 ：
再者本發明有關一種式(1)化合物之製備方法，由4－芳基－2－硝基－1,1'－聯苯基或4－雜芳基－2－硝基－1,1'－聯苯基(其中該芳基或雜芳基可被一或多個R基團取代且該聯苯基可被一或多個R1 基團取代)開始，其係與亞磷酸三烷酯(其中該等烷基，在各出現處相同或不同，具有1至10個碳原子)反應以得到對應的咔唑，接著Hartwig－Buchwald耦合至具有至少兩個反應基的芳族化合物。用於該Hartwig－Buchwald耦合的反應基較佳為選自氯、溴、碘、三氟甲磺酸酯基、甲苯磺酸酯基或OSO2 －R2 ，其中R2 具有與上文所示的相同意義。
根據本發明的化合物適用於有機電激發光裝置(OLED、PLED)，特別是作為燐光OLED中的三重態基質材料，但是也可作為電洞傳輸材料。
因此本發明進一步有關式(1)化合物在有機電子裝置(特別是有機電激發光裝置)中之用途。
再者，本發明進一步有關包含至少一種式(1)化合物的有機電子裝置(特別是包含陽極、陰極及至少一個發光層的有機電激發光裝置)，其特徵為該至少一層包含至少一種式(1)化合物。
陰極、陽極及發光層之外，該有機電激發光裝置也可含有進一步的層，例如在各情形中一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻障層、電子傳輸層、電子注入層及/或電荷產生層(IDMC 2003，台灣；OLED 21會期(5)，T.Matsumoto、T.Nakada、J.Endo、K.Mori、N.Kawamura、A.Yokoi、J.Kido，具有電荷產生層的多光子有機EL裝置)。具有，例如，激發阻障功能的中間層同樣可加入二發光層之間。然而，強調這些層各自不一定都要出現。
在本發明進一步較佳的具體例中，該有機電激發光裝置含有多個發光層，其中至少一個層包含至少一種根據本發明的化合物。該等發光層特佳在380 nm與750 nm之間總共具有多個放射最大值，導致整體白色放射，即該等發光層中使用能發螢光或發燐光的不同發光化合物。特佳為 三層系統，其中這些層至少一者包含至少一種根據本發明的化合物且其中三層顯示藍、綠及橙或紅色放射(基本結構參見例如WO 05/011013)。具有寬帶放射帶且因此顯示白色放射的發光體同樣適用於白色放射。
在本發明的較佳具體例中，根據本發明的化合物係作為燐光摻雜劑的基質。為了本發明的目的，在此燐光意指來自較高自旋多重激發態的發光(特別是來自激發三重態的發光)。該燐光摻雜劑包含至少一種化合物(其藉由適當激發而發光，較佳在可見光區，且含有至少一個具有大於20的原子序的原子，較佳地大於38且小於84，特佳大於56且小於80者)。該等燐光發射體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物(特別是含有銥或鉑的化合物)。熟於電激發光領域的技藝之士知道此類型的發射體。
特佳的有機電激發光裝置包含(作為燐光發射體)至少一種式(8)至(11)化合物 其中下列適於所用的符號：DCy在各出現處係相同或不同，且為含有至少一個供體 原子的環狀基團，較佳地氮或磷，該環狀基團經由該供體原子鍵結至金屬，且該環狀基團可依序帶有一或多個R1 取代基；該等基團DCy及CCy係經由共鍵價相互鍵結；CCy在各出現處係相同或不同，且為環狀基團，該環狀基團含有一個從而鍵結至金屬的碳原子，且該環狀基團可依序帶有一或多個R1 取代基；A在各出現處係相同或不同，且為單陰離子、二齒、螯合配位子，較佳為二酮酸酯配位子；R1 具有如上述的相同意義。
由於多個R1 基團之間形成環系統，以致在此橋基也可存在於DCy及CCy基團之間。
申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614及WO 05/033244揭露上述發射體的例子。
一般，根據先前技藝用於燐光OLED及熟於此藝之士一般習知的燐光錯合物都適合。
根據本發明的混合物包含以發射體及基質材料的全部混合物為基準1與99重量%之間，較佳為2與90重量%之間，特佳為3與40重量%之間，特別是5與15重量%之間的燐光發射體。同樣地，根據本發明的混合物包含以發射體及基質材料的全部混合物為基準99與1重量%之間，較佳為98與10重量%之間，特佳為97與60重量%之間，特別是95與85重量%之間的基質材料。
式(1)的化合物可任意為該發光層中唯一的基質材料。然而，該發光層中也可使用多種基質材料的混合物，這些基質材料可為多種不同的式(1)基質材料。經進一步證實較佳為運用式(1)的基質材料連同芳族酮或芳族膦氧化物、芳族亞碸或芳族碸作為該發光層中進一步的基質材料及燐光摻雜劑。較佳的芳族酮為兩個芳族或雜芳族環系統被鍵結至酮基者。較佳的芳族膦氧化物為三個芳族或雜芳族環系統被鍵結至氧化膦基者。特佳為下列式(12)及(13)的酮類及膦氧化物： 其中Ar具有如上述的相同意義。
申請案WO 04/093207中揭示特別適合的酮類。申請案WO 05/003253中揭示特別適合的膦氧化物、亞碸及碸。這些化合物可與作為燐光發射體的基質材料的式(1)化合物在一起用得很好。
若式(1)的化合物與作為基質材料的酮、膦氧化物、亞碸或碸一起使用，式(1)的化合物對酮、膦氧化物、亞碸或碸的比例較佳為在10：1至1：10的範圍，特佳為在5：1至1：5的範圍，非常特佳為在3：1至1：3的範圍。
在本發明的進一步較佳具體例中，該式(1)化合物係作為電洞傳輸材料或電洞注入材料。然後該化合物較佳 為用於螢光或燐光OLED中的電洞傳輸層或電洞注入層。為了本發明的目的，電洞注入層為直接毗鄰陽極的層。為了本發明的目的，電洞傳輸層為介於電洞注入層與發光層之間的層。若以式(1)化合物作為電洞傳輸或電洞注入材料，彼等較佳可與電子受體化合物摻雜，例如與F4 －TCNQ或與EP 1476881或EP 1596445所述的化合物。
再者較佳為一種有機電激發光裝置，其特徵為經由昇華法塗佈一或多個層，其中該等材料在低於10－5 毫巴壓力的真空昇華單元中蒸氣沈積，較佳為低於10－6 毫巴，特佳為低於10－7 毫巴。
同樣較佳為一種有機電激發光裝置，其特徵為經由OVPD(有機蒸氣相沈積)法或藉助於載體氣體昇華作用塗佈一或多個層。在對該等材料施加10－5 毫巴與1巴之間的壓力。
再者較佳為一種有機電激發光裝置，其特徵為由溶液(如，例如藉由旋塗)或使用任何預期的印刷法(如，例如網版印刷、軟版印刷或平版印刷，但是特佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨列印)製造一或多個層。為了此目的需要適合的化合物。
當用於有機電激發光裝置時，根據本發明的化合物具有優於先前技藝的下列驚人的優點：
1.該等化合物具有比CBP明顯較高的玻璃轉移溫度，其係根據先前技藝以三重態基質材料的形式使用。
2.使用呈三重態基質材料形式之根據本發明的化合物時也 能改善該裝置的壽命。
3.使用呈三重態基質材料形式之根據本發明的化合物時將進一步改善該裝置的效率。
這些上述優點並未伴隨其他電子性質的折損。特別是，根據本發明的裝置顯示與根據先前技藝的裝置相同的發射色彩。
本申請案內文有關與OLED及PLED及對應的顯示器相關之根據本發明的化合物的用途。儘管有此描述的限制，但是熟於此藝之士可不用進一步的發明性步驟也能將根據本發明的化合物用於其他電子裝置的進一步用途，例如用於有機場效電晶體(O－FET)、有機薄膜電晶體(O－TFT)、有機發光電晶體(O－LET)、有機積體電路(O－IC)、有機太陽能電池(O－SC)、有機場猝滅裝置(O－FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O－雷射)或有機光受體。
本發明同樣有關根據本發明的化合物在對應裝置中的用途且有關這些裝置本身。
本發明將藉由下列實施例更詳細的解釋而不想藉由彼來限制。
實施例
除非另行指明，否則下列合成係於經乾燥的溶劑中在保護性氣體環境下進行。起始材料可由ALDRICH獲得。4－溴－2－硝基苯基及2'－硝基－聯三苯係經由文獻方法(M. Tavasli等人，合成2005，1619至1624頁)製備。
實施例1：咔唑合成的一般合成程序
在迴流下加熱238 mmol的對應硝基芳族化合物及290.3 ml(1669 mmol)的亞磷酸三乙酯的混合物12小時。後續餾掉(72至76℃/9 mmHg)其餘的亞磷酸三乙酯。將水/MeOH(1：1)加至剩餘物，且濾掉固體且再結晶化。
實施例2：Hartwig－Buchwald耦合的一般合成程序
使176 mmol咔唑衍生物及64.2 mmol二溴芳族化合物在250 ml二甲苯中的脫氣溶液充滿N2 達1小時。首先3 ml(12.2 mmol)的P(t Bu)3 ，然後0.5 g(2.45 mmol)的醋酸鈀接著加至該溶液，後續添加81.9 g(956 mmol )的固態K3 PO4 。在迴流下加熱該反應混合物18小時。冷卻至室溫之後，小心加入1000 ml的水。以4 x 50 ml的H2 O清洗有機相且透過MgSO4 乾燥，且在真空中除去溶劑。經由再結晶化獲得純的產物。
實施例3：雙〔2－苯基咔唑基〕聯苯(C1)的合成
a)2－苯基－9H－咔唑的合成
文獻(M.Tavasli等人，合成2005，1619至1624頁)中有描述此化合物的合成。
b)與4,4－二溴聯苯反應以得到雙〔2－苯基咔唑基〕聯苯
由根據實施例2的一般合成程序使用4,4'－二溴聯苯來進行合成。以熱二噁烷，然後以MeOH且後續以醋酸乙酯經由攪拌清洗所獲得的固體；產量：39 g，理論值的96% ；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例4：1,3－雙〔2－苯基咔唑基〕苯(C2)經由2－苯基－9H－咔唑與1,3－二溴苯反應的合成
由根據實施例2的一般合成程序使用1,3－二溴苯來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶獲得固體。利用抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：29.5 g，理論值的91%；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例5：雙〔2－鄰－甲苯基咔唑基〕聯苯(C3)的合成
a)2－甲基－2'－硝基－聯三苯的合成
將1.7 g(1.49mmol)的Pd(PPh3 )4 加入25 g(183.8 mmol)鄰－甲苯基硼酸、51.1 g(183.8 mmol)4－溴－2－硝基聯苯及66.5 g(212.7 mmol)碳酸鉀在250 ml水和 250 ml THF的混合物中之經徹底攪拌、脫氣的懸浮液，且在迴流下加熱該混合物17小時。冷卻之後，分離有機相，以200 ml的水清洗3次及200 ml的飽和氯化鈉水溶液1次，透過硫酸鎂乾燥且在旋轉蒸發器中蒸發至乾燥。由己烷再結晶灰色殘餘物。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：50.5 g，理論值的95%；純度：根據HPLC為99.5%。
b)2－鄰－甲苯基－9H－咔唑的合成
由根據實施例1的一般咔唑合成程序，使用來自實施例5a)的聯三苯衍生物來進行合成。從己烷再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：85 g，理論值的80%；純度：根據HPLC為98.0%。
c)與4,4－二溴聯苯反應以得到雙〔2－鄰－甲苯基咔唑基〕聯苯
由根據實施例2的一般合成程序使用4,4'－二溴聯苯來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：44 g，理論值的94%；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例6：雙〔5－甲基－2－鄰－甲苯基咔唑基〕聯苯(C4)的合成
a)2,2"－二甲基－2'－硝基－對－聯三苯的合成
將5.46 g(4.7mmol)的Pd(PPh3 )4 加入155 g(1140 mmol)鄰－甲苯基硼酸、133.4 g(474.9 mmol)2,5－二溴硝基苯及305.3 g(1435 mmol)碳酸鉀在250 ml水和250 ml THF的混合物中之經徹底攪拌、脫氣的懸浮液，且在迴流下加熱該混合物20小時。冷卻之後，分離有 機相，以200 ml的水清洗3次及200 ml的飽和氯化鈉水溶液1次，透過硫酸鎂乾燥且在旋轉蒸發器中蒸發至乾燥。由己烷再結晶灰色殘餘物。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：50.5 g，理論值的97%；純度：根據HPLC為99.2%。
b)5－甲基－2－鄰－甲苯基－9H－咔唑的合成
由根據實施例1的一般咔唑合成程序，使用來自實施例6a)的聯三苯衍生物來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：76 g，理論值的70%；純度：根據HPLC為97.0%。
c)與4,4－二溴聯苯反應以得到雙〔5－甲苯－2－鄰－甲苯基咔唑基〕聯苯
由根據實施例2的一般合成程序使用4,4'－二溴聯苯來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：44 g，理論值的90%；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例7：雙〔2－萘－1－基咔唑基〕聯苯(C5)的合成
a)4－萘－1－基－2－硝基聯苯的合成
將1.62 g(1.40mmol)的Pd(PPh3 )4 加入46 g(268 mmol)1－萘基硼酸、71 g(255.3 mmol)4－溴－2－硝基聯苯及93 g(433.9 mmol)碳酸鉀在700 ml水和700 mlTHF的混合物中之經徹底攪拌、脫氣的懸浮液，且在迴流下加熱該混合物17小時。冷卻之後，分離有機相，以400 ml的水清洗3次及400 ml的飽和氯化鈉水溶液1次，透 過硫酸鎂乾燥且在旋轉蒸發器中蒸發至乾燥。由己烷再結晶灰色殘餘物。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：83.1 g，理論值的97.9%；純度：根據HPLC為99.0%。
b)2－萘－1－基－9H－咔唑的合成
由根據實施例1的一般咔唑合成程序，使用來自實施例7a)的化合物來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：55 g，理論值的75%；純度：根據HPLC為97.0%。
c)與4,4－二溴聯苯反應以得到雙〔2－萘－1－基－咔唑基〕聯苯
由根據實施例2的一般合成程序使用4,4'－二溴聯苯來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：41 g，理論值的85%；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例8：雙〔9－萘－1－基苯并〔c〕咔唑基〕聯苯(C6)的合成
a)1－硝基－2,5－二萘－1－基苯的合成
將2.4 g(2.1mmol)的Pd(PPh3 )4 加入67.8 g(190 mmol)1－萘基硼酸、53.3 g(190 mmol)2,5－二溴硝基苯及137.9 g(648.5 mmol)碳酸鉀在250 ml水和250 ml THF的混合物中之經徹底攪拌、脫氣的懸浮液，且在迴流下加熱該混合物20小時。冷卻之後，分離有機相，以200 ml的水清洗3次及200 ml的飽和氯化鈉水溶液1次，透過硫酸鎂乾燥且在旋轉蒸發器中蒸發至乾燥。由己烷再結晶灰色殘餘物。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：86.1 g，理論值的71%；純度：根據HPLC為98.4%。
b)9－萘－1－基－7H－苯并〔c〕咔唑的合成
由根據實施例1的一般咔唑合成程序，使用來自實施例8a)的化合物來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：49 g，理論值的60%；純度：根據HPLC為97.9%。
c)與4,4－二溴聯苯反應以得到雙〔9－萘基苯并〔c〕－咔唑基〕聯苯
由根據實施例2的一般合成程序使用4,4'－二溴聯苯來進行合成。從己烷/CH2 Cl2 (5：1)再結晶所獲得的固體。以抽吸濾掉沈積的晶體，以小量MeOH清洗且在真空中乾燥；產量：49.5 g，理論值的84%；純度：根據HPLC為99.9%。
實施例9：玻璃轉移溫度的測定
測定化合物C1至C6及作為比較化合物的CBP(雙－4,4'－(N,N'－咔唑基)聯苯)和1,3－雙(咔唑基)苯的玻璃轉移溫度。使用Netsch，DSC 204/1/G Phnix來測定玻璃轉移溫度Tg。在各自情形中，測量5至10 mg樣品。為了測定玻璃轉移溫度Tg，熔融之後從該DSC設備移出樣品且立即置於液態氮中以達到最大的冷卻速率。Tg可藉由快速加熱(20 K/min或，若在此加熱速率下沒有結果的話，在100 K/min下)而測定。結果總結於表1及表2中。由此可見，根據本發明的化合物的玻璃轉移溫度明顯高於咔唑基未被芳基取代的對應比較性化合物的玻璃轉移溫 度。
實施例10：包含根據本發明的化合物之有機電激發光裝置的製造及特徵化
根據本發明的電激發光裝置可依，例如，WO 05/003253所述的方式製造。在此比較不同OLED的結果。就較好的相容性來看其基本結構、所用的材料、摻雜程度及層厚度相同。第一個實施例描述根據先前技藝的比較性標準，其中該發光層由主材料CBP及僕材料(摻雜劑)Ir(piq)3 構成。再者，描述由具有發光層的OLED，該發光層由主材料C1、C2、C4或C5及僕材料(摻雜劑)Ir(piq)3 構成。以類似於上述一般程序的方式製造具有下列結構的OLED：
下文為求清晰而描繪Ir(piq)3 的結構：
這些仍未最適化的OLED經由標準方法予以特徵化；為了此目的，測定電激發光光譜、呈亮度函數形式的效率(以cd/A為單位測量)，由電流/電壓/亮度特徵線(IUL特徵線)來計算，及壽命。
使用標準主CBP所製造的OLED的利用在上述條件在CIE色座標：x＝0.68，y＝0.32下得到約7.9 cd/A的最大效率。為了1000 cd/m2 的發光密度，需要6.0 V的電壓。在1000 cd/m2 的初始發光密度下壽命為約5000 h(參見表3)。對照之下，使用根據本發明的主材料C1、C2、C4及C5所製造的OLED顯示在CIE色座標：x＝0.68，y＝0.32下得到約8.3 cd/A的最大效率，具有不同的結構，其中1000 cd/m2 的參考發光密度所需的電壓為至多5.0 V(參見表3)。在1000 cd/m2 的初始發光密度下壽命為至多11,000 h，比參考材料CBP長(參見表3)。
更多具有與上述裝置相同裝置結構，但是以Ir(ppy)3 (參－(苯基吡啶)銥，根據WO 04/085449合成)作為發光材料(摻雜劑)的有機電激發光裝置係類似於上文所示的實施例11至15製造。
下文為求清晰而描繪Ir(ppy)3 的結構：
使用標準主CBP所製造的OLED的利用在上述條件在CIE色座標：x＝0.30，y＝0.60下得到約25 cd/A的最大效率。為了1000 cd/m2 的發光密度，需要5.3 V的電壓。在1000 cd/m2 的初始發光密度下壽命為約2400 h(參見表4 )。對照之下，使用根據本發明的主材料C1所製造的OLED顯示在CIE色座標：x＝0.30，y＝0.60下得到約27 cd/A的最大效率，其中1000 cd/m2 的參考發光密度所需的電壓為至多4.7 V(參見表4)。在1000 cd/m2 的初始發光密度下壽命為3000 h，比參考材料CBP長(參見表4)。
另一個具有與上述裝置相同裝置結構及相同發光材料Ir(ppy)3 ，但是以根據本發明的化合物C1與雙(9,9'－螺二氟－2－基)酮(根據WO 04/093207合成)的混合物作為基質材料(主材料)的有機電激發光裝置係類似於上文所示的實施例17製造。
下文為求清晰而描給雙(9,9'－螺二氟－2－基)酮的結構：
使用根據本發明的主C1與雙(9,9'－螺二氟－2－基)酮的混合物所製造的OLED的利用在CIE色座標：x＝0.34，y＝0.60下得到37 cd/A的最大效率，其中為了1000 cd/m2 的參考發光密度所需的電壓僅3.2 V(參見表5)。在1000 cd/m2 的初始發光密度下壽命為14,000 h(參見表5)。由此，使用該主材料的混合物時又進一步提高效率及壽命係可能的。

Claims (18)

  1. 一種式(1)所示的化合物， 其中下列適於所用的符號及指數：Ar 在各出現處為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R1 基團取代；Ar1 在各出現處為，相同或不同，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R基團取代；R 在各出現處為，相同或不同，Cl、Br、I、N(Ar2 )2 、CN、NO2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、C(=O)Ar2 、P(=O)(Ar2 )2 、S(=O)Ar2 、S(=O)2 Ar2 、-CR2 =CR2 (Ar2 )、OSO2 R2 、具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷氧基或具有3至40個碳原子的分支或環狀烷基、烷氧基或硫烷氧基，其各可被一或多個R2 基團取代，其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被R2 C=CR2 、C≡C、Si(R2 )2 、Ge(R2 )2 、Sn(R2 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 代替且其中一或多個 H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO2 代替，或具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情形中可被一或多個R2 基團取代，或具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可被一或多個R2 基團取代，或這些系統的組合；在此，二或多個取代基R也可相互形成單環狀或多環狀脂族或芳族環系統；R1 在各出現處係相同或不同，為R，Ar1 基團或F；Ar2 在各出現處係相同或不同，為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R2 基團取代；R2 在各出現處係相同或不同，為H或具有1至20個碳原子的脂族、芳族及/或雜芳族烴基；在此，二或多個取代基R2 也可相互形成單環狀或多環狀脂族或芳族環系統；n 在各出現處係相同或不同，為0、1、2或3；p 在各出現處係相同或不同，為0、1、2、3或4；q 為1、2、3、4或5。
  2. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該指數n，在各出現處係相同或不同，為0或1。
  3. 如申請專利範圍第1項之化合物，該化合物係選自式(2)至(7)所示的結構 其中該等符號及指數具有申請專利範圍第1項所指示的意義。
  4. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該指數p，在各出現處係相同或不同，為0、1或2。
  5. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中若該指數p=1，則該取代基R1 係鍵結在該咔唑的5-位置或7-位置；或者若該指數p=2，則該取代基R1 係鍵結在該咔唑的5-位置或7-位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該等基團Ar及Ar1 為由苯基及/或萘基或此類型鍵聯系統所建立的芳族環系統，或具有不多於兩個稠合芳族或雜芳族環或此 類型鍵聯系統的雜芳族基團或咔唑。
  7. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該基團Ar係選自1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、苯-1,3,5-三基、3,3'-聯苯基、4,4'-聯苯基、1,3,5-三苯基苯、三苯基胺、2,7-伸茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、2,7-伸螺聯茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、伸茚并茀基(其可被一或多個R1 基團取代)、4,4"'-(1,1'：2',1"：2",1"'-聯四苯基)、4,4'-(2,2'-二甲基聯苯基)、4,4'-(1,1'-聯萘基)、4,4'-茋基或二氫菲基(其可被一或多個R1 基團取代)。
  8. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該等基團Ar1 係相同或不同，且選自苯基、1-萘基、2-萘基、三苯基胺、2-咔唑基、3-咔唑基、9-咔唑基、萘基二苯基胺或二萘基苯基胺，其各自可被一或多個R基團取代。
  9. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該符號R在各出現處係相同或不同，且為H，N(Ar2 )2 ，具有1至5個碳原子的直鏈烷基或具有3至5個碳原子的分支烷基，其中在各情形中一或多個不相鄰的CH2 基團可被-R2 C=CR2 -或-O-代替且其中一或多個H原子可被F代替，或具有6至16個碳原子的芳基或具有2至16個碳原子的雜芳基或螺聯茀基，其各自可被一或多個R2 基團取代，或這些系統中之兩者的組合。
  10. 如申請專利範圍第1項之化合物，其為所有Ar1 都相同的對稱化合物。
  11. 一種根據申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物之製備方法，其係藉由4-芳基-2-硝基-1,1'-聯苯基或4-雜芳基-2-硝基-1,1'-聯苯基(其中該芳基或雜芳基可被一或多個R基團取代且該聯苯基可被一或多個R1 基團取代)與亞磷酸三烷酯(其中該等烷基，在各出現處相同或不同，具有1至10個碳原子)的反應以得到對應的咔唑，接著Hartwig-Buchwald耦合至具有至少兩個反應基的芳族化合物Ar，該等反應基為選自氯、溴、碘、三氟甲磺酸酯基、甲苯磺酸酯基或OSO2 -R2 ，其中R2 具有與申請專利範圍第1項所示的相同意義。
  12. 一種根據申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物在有機電子裝置中之用途。
  13. 一種有機電子裝置，是選自有機電激發光裝置(OLED、PLED)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機積體電路(O-IC)、有機太陽能電池(O-SC)、有機場猝滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)或有機光受體，其在至少一層中包含至少一種根據申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物。
  14. 如申請專利範圍第13項之有機電子裝置，其係有機電激發光裝置且包含陰極、陽極及至少一個發光層和視需要進一步的層(在各情形中選自一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻障層、電子傳輸層、電子注入層 及/或電荷產生層)。
  15. 如申請專利範圍第14項之有機電子裝置，其中以申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物作為燐光摻雜劑的基質。
  16. 如申請專利範圍第15項之有機電子裝置，其中以申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物連同芳族酮、芳族膦氧化物、芳族亞碸或芳族碸作為燐光摻雜劑的基質。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之有機電子裝置，其中該燐光摻雜劑包含至少一種在適當激發下會發光且含有至少一個原子序大於20之原子的化合物。
  18. 如申請專利範圍第14項之有機電子裝置，其中以申請專利範圍第1至10項中一或多項的化合物作為電洞傳輸材料或電洞注入材料。
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