TW449670B - Method for making thin film device with coating film, liquid crystal panel and electronic device - Google Patents

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Ichio Yudasaka
Tatsuya Shimoda
Sadao Kanbe
Wakao Miyazawa
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印义一 Α7 ____Β7________ 五、發明說明（1 ) 技術面域 本發明係關於包含薄膜《晶體（以下略稱爲T F T ) 等的薄膜餍稹構造之薄膜元件及其製造方法，特別是有關 於初期之設備投資不必多，而可以低成本製造的薄膜元件 及其製造方法•本發明進而關於使用該薄膜π件之液晶面 板以及電子機器* > 背景技術 近年來•使用此種薄膜元件之液晶顯示裝置被應用於 筆記型電腦、車載用導航系統、攝影機、各種攜帶資訊機 器等，應用區域以及生產數置正急速擴大中•道是因爲液 晶顯示裝置的價格降低、以及畫面尺寸的擴大、解像度提 高、消費電力降低等的性能提升所導致的·但是爲了要進 一步擴大市場，擴大應用的區域，必須要更進一步削減成 本。 液晶顯示裝置的主流.'，係將T F Τ作爲像素用開關元 件之主動矩陣型液晶顯示裝置·此液晶顯示基板係由 T F Τ，以及接績於T F Τ之像素電極以矩陣形狀被形成 之T F Τ基板，及在由共通電極所形成的對向基板之間封 入液晶而構成•第17圖顯示TFT基板60的主要部· 於第1 7圖，在被配線於列方向的複數的源極線或是資料 訊號線S 1、S 2 ........... S η ·以及被配線於行方向 的複數的閘極線或者是掃描訊號線G1、G2 ...........
Gn的各交黏附近的像素位置上形成TFT6 1 ·此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） ---------— II 裝------ -- 訂-----I !_ 線 (請先閱讀背面之注意事項再一".本頁) 4 49 6 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 五、發明說明（2 ) T F T 6 1的源極電極接縝於源極線，汲極電極接續於像 素電極6 2 ·由源棰電極所供給的資料訊號*基於閘極線 所供給的掃描時序訊號，藉由T F T 6 1而施加於像素電 極6 2 »液晶，藉由像素電極6 2與共通電極（未於圖中 顯示）之間的電場而改爱其狀態*被驅動顯示· 液晶顯示裝置，係藉由對TFT基板6 0 對向基板 之間封入液晶等的面板組裝，以及駆動源極線或是閘極線 的驅動電路的實裝等所構成的，其成本大大的依存於 TFT基板6 0的生產成本*而TFT基板6 0的成本依 存於T F T的製造方法*驅動電路的一部份•可以藉由T F 丁構成其主動元件的方法於TFT基板6 0上形成之， 在此場合•液晶顯示裝置的生產成本之中TFT基板所佔 的成本的比例特別會提萵* 此處TFT具有由絕緣層，導電層、源極、汲極，以 及至少包含具有頻道區域的矽半導體層的複數的薄膜所構 成的薄膜層積構造· T FT的成本，大幅依存於此薄膜層 積構造的製造成本· 此薄膜餍稹構造之中，於絕緣層的形成方法，因爲以 一般所使用的 N P C V D (NormalPressure Chemical Vapor Deposition)法形成的薄膜厚度不均一 *所以使用 LP (LowPressure) CVD 或者是 PE (Plasma Enhanced) CVD 。 以金屬層所代表的導《屠， 係藉由 濺鍍所 形成的。供形成矽半導體層的矽膜也是藉由P E CVD或 是L P CVD而被形成的•進而，對於此矽膜，使用藉由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） — — — — — — — — — — — — — -— — — 1 — — — ^ 111111 I I (請先閱讀背面之沒意事項再-?本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製一 4496 7 〇 A7 _ _ B7 五、發明說明（3 ) 離子注入法或是離子植入法而將不純物導入之方法•或者 是採用，在成爲源棰、汲極S域的髙澳度不純物區域，藉 由C VD裝置形成不純物植入之矽膜的方法· 使用於上述之各種成膜之CVD裝置，濺鍍裝置等都 是在真空下進行處理的真空處理裝置*因爲必須要有大規 模的真空排氣設備所以初期投資成本相當大· ，在真 空處理裝置，係經由真空排氣，基板加熱、成膜、破壊真 空的順序搬送基板，而進行成膜等的處理•因此，基板的 氣氛也必須要由大氣換爲真空•而生產性也有極限*此外 •離子注入裝置或是離子植入裝置在基本上也是個真空裝 置因此也有上述的問題。進而在離子注入裝置或是離子植 入裝置，必須要有電漿生成、離子導出、離子的質量分析 (在離子注入的場合），雔子加速*離子集束、離子掃描 等等極爲昂贵的機構，初期投資極爲髙價* 如此，製造薄膜層積構造所需的薄膜形成技術或是其 加工技術，基本上是與L'S I的製造技術相同*亦即，降 低T F T基板的成本的主要手段，在於形成TFT的基板 尺寸的大型化*薄膜形成及其加工工程的效率提高以及良 品率的提高* 但是，爲了降低成本以及製造大型的液晶顳示裝置的 目的而將基板尺寸大型化的做法，不僅在真空處理裝置內 造成基板的高速搬送上的障礙*而且容易在成膜工程因爲 熱應力而導致基板容易龜裂的問題*要提高良品率極爲困 難。此外，基板尺寸的大型化，同時強迫成膜裝置也必須 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐> — — — — — — — — — — — — — *ιί — — !— ^» — — — — — 1 — (婧先明讀背面之注—項再、··3'*·1》
A 6 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製一 五、發明說明（4 ) 大型化*結果，因爲被真空排氣的容積增大導致了成膜裝 置的價格提高，而招致了初期投資的增大，結果要達成成 本降低是有困難的· 又* TF T的良品率提髙係降低成本的有效手段，但 是現在既已接近了極限之良品率*所以要大幅提升良品率 在數字上亦爲有困難的狀況· 此外，因爲要製作各種層的圖案，所以實施光蝕刻工 程•在此光蝕刻工程*必須要有光阻膜的塗布工程、曝光 工程、顯像工程*進而於其後還必須要有蝕刻工程、絕緣 塗料除去工程，爲了要製作圖案所需的工程法也是增大薄 膜形成方法的工程數的重要原因。道也是造成薄膜元件的 製造成本提髙的原因。 關於此光蝕刻工程中的絕緣塗料塗布工程*被滴下到 基板上的光阻液之中，在旋轉塗布後殘存爲光阻膜的僅爲 不到1 %的量*而具有光阻液的使用效率惡化的問題· 此外，取代曝光工程'所使用的大型曝光裝置的降低成 本的方法，已有印刷法被提出•但是在加工精度上還沒有 到達實用的地步· 如前所述，現在液晶顯示裝置的狀況爲既被要求大幅 降低價格，同時被要求T F T基板的大幅降低生產成本的 困難狀況· 本發明之目的在於提供：將使用於液晶顯示基板等的 薄膜厝積構造的一部分或者是全部的薄膜，不採用真空裝 置來成膜，降低初期投資成本及維持成本同時提高生產率 本紙張尺度適用中國S家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -- - - ---------裝·!1 訂 _ί·! ·線 (請先"1讀背面之注意事項再\、本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製， 449670 A7 _ B7 五、發明說明（5 ) ，而爲更能大幅降低製造成本的薄膜元件以及其製造方法 本發明其他的目的在於，圚謀藉由塗布膜形成薄膜而 降低成本，同時提供特性接近CVD膜、濺銨膜的薄膜元 件以及其製造方法* 本發明進而其他的目的在於，藉由塗布膜g#低在形 成薄膜時塗布液的消耗置，提供可以降低成本的薄膜元件 以及其製造方法· 本發明進而其他的目的在於*提供可以不必使用光蝕 刻工程而形成膜上之圖案，因而降低生產成本之薄膜元件 以及其製造方法。 本發明進而其他的目的在於，提供藉由塗布膜形成像 素電極因而可以將接觸液晶的面平坦化的薄膜元件以及使 用此薄膜元件的液晶面板以及電子機器· 本發明進而其他的目的在於*提供可以將配線層兼用 爲供黑矩陣用的遮光層，，而且數值口徑（NA )髙的薄膜 元件，液晶面板以及使用該液晶面板的電子機器· 本發明進而其他的目的在於，提供藉由使用低成本的 薄膜元件而可以降低成本的液晶面板以及電子機器· 發明之開示 根據本發明之一實施樣態，係具有至少包含有1層絕 緣層以及至少包含有1層導電餍的複數屠的薄膜所構成的 薄膜層稹構造之薄膜元件，其特徵爲： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格<210 X 297公釐） — —— — — —--- ----- I I I t t II ·1111111 {請先Μ讀背面之注意事項再、·»本荑) -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一
44§§7§ M __ _ B7 五、發明說明（6.) 前述薄膜層積構造之中的至少1層之前述薄膜被形成 之方法，係將含有該薄膜的構成成份的液體塗布之後被熱 處理而得之塗布膜（以矽氧烷（siloxane)結合爲基本構 造的Spin OnGlass膜除外）* 此薄腆元件的製造方法，具有： 在基板上、塗布包含有該薄膜的構成成份布液的 工程，及 對於前述基板上的塗布面施以熱處理而形成塗布膜（ 以砂氧院（siloxane)結合爲基本構造的Spin On Glass膜 除外）的工程· 本發明，薄膜層稹構造之中之至少1層*係不經由真 空處理裝置而以塗布膜的方式形成的•作爲此種塗布膜， 已知有以矽氨烷結合爲基本構造的Spin On Glass(SOG) 膜被作爲平坦化層使用*但是有機S 0 G膜具有對於氧氣 電漿處理容易被蝕刻的問題•而無機S OG膜具有即使是 數千埃（A)厚的膜厚也容易發生龜裂的問題，所以幾乎 沒有以單層而被使用於層間絕緣膜 > 被利用的程度至多僅 在被使用於C VD絕緣膜的上層的平坦化層而已· 本發明係藉由此S OG膜以外的塗布膜，形成構成薄 膜層積構造的絕緣層或是導電層自身之發明，同時薄膜的 平担化也成爲可能*此塗布膜·因爲不是藉由CVD裝置 或是濺鍍裝置等真空處理裝置而可以形成的，所以可以用 比從前相比極少的投資就可以構築置產生産線*可以提高 製造裝置的生產率，也可以大幡削減薄膜元件的成本· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 « 297公釐） — — — — —— — — — — — — — · 1 I I I I I I ^ * — — — — — (請先M讀背面之注—項再、τ本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4496 7 〇 Α7 ___Β7____ 五、發明說明（7 ) 前述的薄膜層積構造，對象包括了包含半導體層的、 包含薄膜電晶體的、包含下層絕緣層或上層的保護用絕緣 層的種種構造。 此時，以包含薄膜層積構造的全部的絕緣層作爲塗布 膜爲佳。但是，爲了要確保薄膜電晶髖的特性而對於膜質 條件嚴格要求的閘極絕緣層，也可以藉由塗布膜以外的方 法來形成。 本發明的目的特別是在於降低元件成本，所以最好是 將被包含於薄膜層積構造的2層以上的薄膜藉由塗布法來 形成。 絕緣層可以藉由塗布含有具有S i -Ν結合的聚合物 (聚政氨院：polysilazane)的液體而且在氧氣氣氛施以 第1熱處理而得到S i 02塗布膜。上述組成之聚矽氨烷 具有高耐龜裂性，高耐氧氣電漿性，單層也可以作爲具有 相當程度的膜厚的絕緣膜來使用。 此絕緣層，在第1熱處理之後，以較該第1熱處理更 高的溫度進行第2熱處理，在前述第1熱處理後，最好是 保持該界面的清淨。此第2熱處理可以藉由雷射回火 (Anneal)或是燈光回火而在高溫短時間的條件下實施。 半導體層，係於含有矽粒子的液體所塗布的而且經過 第1熱處理的矽塗布膜之中，含有不純物而構成的" 此半導體層，也在第1熱處理後藉由較該熱處理溫度 爲高的高溫進行第2熱處理，而使其最好是能較第1熱處 理之後更提高其結晶性。此第2熱處理也可以藉由雷射回 -----> ^ ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用爭國國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公釐） -10- 449670 A? B7 五、發明說明（8) 火或是燈光回火而在高溫短時間的條件下實施。 作爲擴散矽塗布膜之中的不純物的方法，最好是包含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於前述矽塗布膜上形成不純物含有層的工程，及 將前述不純物含有層加熱，使前述不純物擴散於前述 矽塗布膜中的工程。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 從前，成爲源極、汲極區域的髙濃度不純物區域，係 藉由C VD裝置形成注入不純物的矽膜的方法，或是使用 藉由離子注入法或是離子植入法而將不純物導入的方法* 然而，在本發明中係藉由將液體塗布後再加以燒成而形成 含有不純物的薄膜，藉由將該薄膜經由燈光回火或是雷射 回火等高溫短時間之熱處理而形成高濃度不純物區域，而 形成源極、汲極區域·離子注入裝置或是離子植入裝置在 基本上除了是真空裝置之外，還必須要有產生電漿、引出 離子、離子的質量分析（離子注入裝置的場合）、離子的 加速、離子的集束、離子的掃描等等極爲複雜的機構，與 塗布含有不純物的薄膜而進行熱處理的裝置相比，其裝置 價格的差異極爲明顯。 導電層有2種形成方法，其一爲形成金屬薄膜的方法 ，另一爲形成透明導電薄膜的方法。 形成金羼薄膜作爲導電層時，將含有導電性粒子的液 體加以塗布之後，藉由第1熱處理使液體成份蒸發，而可 以藉此形成導電性塗布膜* 此導電層也在第1熱處理後於以較該第1熱處理更高 本紙張尺度適用中困困家標準（CNS>A4規格（2】0 X 297公釐〉 -11- 44967ο B7_ 五、發明說明（9 ) 的溫度進行第2熱處理，而以電阻值較第1熱處理後爲低 者較佳。此第2熱處理也可以藉由雷射回火或是燈光回火 而在高溫短時間的條件下實施。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成透明導電薄膜作爲導電層的方法，最好是具有： 將前述塗布面於氧氣氣氛或是非還原性氣氛中進行熱 處理之第1熱處理工程，及 將前述塗布面於氫氣氣氛或是還原性氣氛中進行熱處 理之第2熱處理工程。 作爲導電層而形成透明電極的場合，塗布亦可以使用 例如含有銦與錫之有機酸。在此場合，較佳的方式爲在塗 布後（使用例如1 〇 o°c)蒸發掉用於控制黏度用的溶劑 ，之後贲施上述之第1、第2熱處理。在第1熱處理形成 銦的氧化物以及錫的氧化物。而在第2熱處理於氫氣氣氛 或者是在還原氣氛下進行還原處理。 此處，前述第2熱處理工程的熱處理溫度，最好是設 定爲較前述第1熱處理工程的熱處理溫度爲低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此，可以防止經過第1熱處理工程的透明導電性塗 布膜，在第2熱處理工程中因熱而劣化》 在前述第2熱處理工程後，直到前述基板的溫度降至 2 0 0°C以下爲止，最好是都保持於非氧化氣氛。如此， 可以抑制於第2熱處理工程接受還原處理的透明導電性塗 布膜在大氣中再次氧化，所以透明導電性塗布膜的薄片電 阻值不會增大。爲了要確實防止再次氧化，只要在取出至 大氣時將基板的溫度降至1 0 0°C以下即可。特別是塗布 本紙張尺度適用中困國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 449 6 7 〇 Α7 Β7 五、發明說明（10 ) I το膜的比電阻是因膜中的氧氣缺陷越多而越低，所以 大氣中的氧氣所造成的透明導電性塗布膜若是引起了再氧 化則比電阻會增加· 要形成此透明導電性塗布膜將含有銦（I Π )以及錫 (Sn)的塗布液塗布於前述基板上•此塗布膜於第1熱 處理過程中成爲I TO膜·若使用此塗布I T 瞑，也可 以作爲透明電極來利用* 若在塗布I TO膜表面鍍金的話，也可以作爲透明電 極以外的導電層來利用，而且可以較鍍金更降低其接觸電 阻。 爲了降低此接觸電阻，最好是在塗布I TO的接觸面 上，進而在設置藉由濺鍍而形成的導電性濺鍍膜· 作爲薄膜層稹構造•可以舉出在複數的資料線與複數 的掃描線的各交點附近所形成的每個像素處所配置的像索 開關元件，及包含接績於該像素之像素電極之主動矩陣基 板β ， 用於此主動矩陣基板的代表的像素開關元仵係薄膜電 晶體•此作爲像索開關元件用的薄膜電晶體，包含有：電 氣接績於前述資料線的源極區域，及電氣接績於前述掃描 線的閘極電極，及電氣接績於前述像素電極的汲極電極* 如此•在薄膜層稹構造上，將像素電極形成於導竃性 塗布膜上較佳*這是因爲雖然此像素電極所形成的面通常 具有髙低差，然而在導電性塗布膜上形成像索霉極的聒， 導電性塗布膜的表面成爲幾乎平坦的緣故•因此，被實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210»«297公釐> * — II ί I I I! I I ! (請先和讀背面之泫意事項再 Τ本頁》 -13 - 4496 7 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 A7 B7 五、發明說明（11 ) 良好的抛光，可以防止反向傾斜苗域的發生· 作爲用於像索電極的導電性塗膜考以塗布I το膜爲 佳•塗布I TO成爲透明電極，逋於製造透過型液晶顯示 裝置的主動矩陣基板· 作爲像素開關元件之薄膜電晶饑，具有形成於前述閘 極電極的表面側的層間絕緣膜，前述資料線以述像素 電極藉由形成於前述層間絕緣膜的接觸孔（contact hole )，而可以具有分別與前述源極蓝域以及前述汲極區域電 氣接績的構造* 此時，層間絕緣膜可以具有位於下側層的下餍側層間 絕緣膜*及被形成於該下層側餍間絕緣膜的表面的上餍側 層間絕緣膜•在此場合，前述資料線，藉由形成於前述下 餍側層間絕緣膜的第1接觸孔而電氣接績於前述源極面域 •另一方面，前述像素電極，藉由形成於前述下層側層間 絕緣膜以及前述上層側層間絕緣膜的第2接觸孔，而電氣 接觸於前述汲極區域· 如此而構成的話，資料線與像素電極因爲係形成於不 同層，所以即使是形成在相互重合的位置上也不會發生短 路•因此，可以使像素電極的外周緣位於資料現以及掃描 線的上方· 如此一來，於資料線與掃描線，以及像素電極之間· 平面的間隙變得不存在了 •因此，資料線以及掃描線可以 作爲黑矩陣而發揮遮光的機能*也就是說，沒有追加其他 的工程以形成供黑矩陣之遮光餍的必要· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝， -------tr---------^ (锖先閱讀背面之注項再.-<本頁) -14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4496 70 Μ ____ ___Β7 五、發明說明（12 ) 此外，因爲像素電極的形成範豳擴大的緣故，所以像 素區域的數值口徑（NA)也增大，也產生了顯示變亮的 優點· 被形成於導電性塗布膜的像素電極，係以介由導電性 濺鍍膜而與汲極電氣接績者爲隹· 因爲導電性塗布膜與濺鍍膜相比其接觸電<_低的緣 故，所以在導電性塗布膜與源極面域之間介在有導電性濺 鍍膜的話，可以降低接觭電阻· 此導電性濺鍍膜也以濺鍍I TO膜爲佳因爲不會降 低數值口徑* 前述導電性塗布膜與前述導電性濺鍍膜若爲同一圖案 ，則可以提髙像素電極的圓案的精度•道是因爲僅在與絕 緣塗料罩之密著性高的導電性濺鍍膜上形成絕緣塗料罩· 而可以將導電性塗布膜與導電性濺鍍膜同時圖案化的緣故 。沒有必要在與絕緣塗料罩密著性低的導電性濺鍍膜上形 成絕緣塗料罩，也不會發'生起因於此的圖案化的精度降低 在前述導電性塗布膜與前述導電性濺銨膜不視同一個 圖案的場合，前述導電性塗布膜的外周緣係以位於較前述 導電性濺鍍膜的外周緣更爲外側的位置爲佳· 在此場合，分別於導電性塗布膜與導電性濺鍍膜上形 成絕緣塗料罩，於分別的工程中被實施圖案化•此時，像 素®極的外周緣的圖案精度，僅依存於較導電性濺鍍膜爲 大的導電性塗布膜的II案精度•亦即，與絕緣塗料罩之密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !!裝·11!11 訂· — I 線 {請先Μ讀背面之注意事項再tNr本頁) -15 - 449070 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 五、發明說明（！3 ) 著性低的導竃性濺鍍膜的圖案精度所造成的不良影響•並 不及於像素電極的圍案精度* 如果使前述導電性濺鍍膜與前述資料線位於同層的話 *兩層可以用同一金屬材料同時形成* 也可以使前述導電性濺鍍膜政前述資料線更位於上層 來取代前述方式•在此場合•因爲各膜的形成捏係分別 的工程，所以可以選擇採用相同材料或是不同的材料· 前述厝間絕緣膜，具備有位於下層側的下層側餍間絕 緣膜以及層基於該下層側餍間絕緣膜的表面的上層側層間 絕緣膜，絕緣膜的表面上，前述資料線與導電性濺鍍膜可 以形成於同靥•此時*前述資料線係介由被形成於前述下 層側層間絕緣膜的第1接觸孔而電氣接綾於前述源極區域 •另一方面，前述導電性濺鍍膜*介由被形成於前述上靥 側曆間絕緣膜以及前述下層側層間絕綠膜之第2接觸孔而 電氣接縝於前述汲極區域•而，於前述導電性濺銨膜的表 面上餍積有前述導電性塗'布膜· 取代此法，也可已於前述下層側層間絕緣膜的表面上 將前述資料線與前述導電性濺鍍膜形成於同層•在此場合 ，前述資料線，係介由形成於前述下層側層間絕緣膜的第 1接觸孔而電氣接績於前述源極區域•前述導電性濺鍍膜 係介由形成於前述下層側層間絕緣膜的第2接觸孔而電氣 接繽於前述汲極區域•而，前述導電性塗布膜，係層稹於 前述上餍側層間絕緣膜的表面上，而介由形成於前述上層 側層間絕緣膜的第3接觸孔而電氣接縯於前述導電性濺銨 本度適用中國國家標準(CNS>A4規格（210 X 297公釐) — — — — — — — — — — — —— in— — — — ^— — — 1 — II ^ ί婧先»讀背面之注I項再' T本頁) -16 - 4496/0 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製一 五、發明說明（14 ) 膜· 根據本發明之其他實施樣想，本發明可以設有：形成 上述薄膜元件的主動矩陣基板*及與前述主動矩陣基板對 向配置的對向基板•及被封入前述主動矩陣基板與前述對 向基板之間的液晶餍而構成液晶面板* 根據本發明進而其他的樣態，可以構成具胃彡該液晶面 板的電子機器* 在任何場合，都可以藉由薄膜元件的成本降低，板的 電子機器大幅降低成本· 在上述的液體的塗布工程*僅在前述基板上的塗布區 域塗布前述液體，而將圖案化的塗布膜形成於基板上者較 佳》因爲如此一來可以不需要工程繁多的光蝕刻工程•此 外，因爲可以藉由此塗布方法減少塗布液的消耗量•所以 可以降低營運成本* 根據本發明進而其他的樣態，本發明之特徵在於準備 具有複數吐出口的塗布液吐出噴嘴，使基板與前述複數的 塗布液吐出噴嘴之間的相對位置變化*同時僅對於基板上 的塗布區域吐出前述塗布液•將圖案化的塗布膜形成於基 板上* 此方法可以利用例如噴墨方式而實現*如此·因爲不 會塗布多餘的塗布液而可以節約之外，還因爲不需要光蝕 刻工程的緣故所以對於設備成本的降低以及製造率的提上 具有相當大的貢獻•例如於絕緣塗料膜的形成上，藉由從 前的塗布技術僅有滴下量的1 %前後成爲塗布膜而被利用 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — —— -1111111 ^ i I I III ί請先背面之注意事項再t ΐ本頁》 -17 - 4496/〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 A7 B7 五、發明說明（) ，根據本發明的話可以利用到滴下量的1〇%以上的絕緣 塗料作爲塗布膜而被利用•此髙塗布效率·不僅是對於絕 緣塗料有效，關於根據本發明之其他塗布膜也當然有效， 而可以藉由塗布材料的削減與縮短塗布工程的節拍時間可 以達成液晶顯示裝置的成本降低* 複數之前述吐出口，係以前述塗布液的吐@$狀態以及 非吐出狀態係分別被獨立控制的，且在控制各個前述吐出 口的塗布時序的同時，相對變化前述基板與前述複數之塗 布液吐出噴嘴之間的相對位置者爲佳*因爲可以進行更精 密的圖案塗布· 如此之塗布方法，除了供形成絕緣塗料圖案用的絕緣 塗料塗布之外，也可以適用於供形成上述塗布膜用之各種 塗布膜的塗布•例如若能將塗布絕緣膜實行圖案塗布的聒 •也可以在塗布的同時形成接觸孔* 如此根據本發明，因爲可以藉由塗布液體進行熱處理 而形成一部份或是全部的薄膜，所以可以用價格低廉且具 有高生產性的製造裝置製造薄膜元件· 實施發明之最佳形態 以下基於圖面詳細說明本發明* 第1實施例 第3圖以及第4圖分別顯示含有T F T的薄膜元件的 2個基本構造例。 本紙張尺度適用t國國家摞準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — —— — ' — — II 1 i n — — — — — — {請先Mti背面之注意事項再』 T本頁) -18 - 44967〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ 五、發明說明（) 第3 Μ係使用科布雷那型的多結晶矽之T F T斷面圖 。於玻璃基板1 0上形成下底絕緣膜12，於其上形成多 結晶矽TFT ·於第3圖，多結晶矽層1 4係由不純物被 髙儂度植入的源極區域1 4 S以及汲極區域1 4D，以及 其間之頻道區域1 4 C所構成的* 此多結晶矽層1 4上‘形成有閘極絕緣膜1 ，進而於 其上還形成有閘1 8極電極以及閘極線（未於圖中顯示） 。介由形成於靥間絕緣膜2 0以及其下之閘極絕緣膜1 6 的開口部，由透明導電腆所構成的像索電極2 2接艟於汲 極區域1 4D，源極線2 4接繚於源極區域1 4 S ·最上 層的保護膜2 6亦有被省略的時候*又，下底絕緣膜1 2 的目的係爲了防止由玻璃基板來的污染，以及整理多結晶 矽膜1 4所要形成的表面的狀態，也有被省略的時候· 第4圚係逆交錯型的非晶質矽TFT的斷面面•於玻 璃基板3 0上形成下底絕緣膜3 2 *於其上形成非晶質矽 TFT ·又，下底絕緣膜'3 2經常被省略於第4圖，在閘 極電極3 4以及被接續於鬧極竄極的閘極線之下，被形成 1 . \ 有1層或者是多層的閘極絕緣膜3 6 *於閘極電極3 4之 上，被形成有非晶質矽的頻道區域3 8 C ·進而藉由在非 晶質矽中擴散不純物而形成了源極·汲極區域3 8 S， 38D。此外|像素電極40 *介由金靥配線層42，電 氣接績於汲極區域3 8 D，源極線4 4電氣接績於源極面 域3 8 S ·又，金屬配線層4 2與源極線4 4同時被彤成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 x297公« ) -------II----inlll—^ί — — —— — I (請先吼讀背面之沒意事項再·· τ本頁) -19 - A7 4 49670 _____B7__________ 五、發明說明（Π ) 又，被形成於頻道區域3 8 C上的頻道保護膜4 6， 係在蝕刻源極.汲極區域膜3 8 S以及3 8 D時保護頻道 區域3 8 C用的膜，也有被省略的時候· 第3圖及第4圖，願示基本的TFT構造•而道些構 造的變形係相當多樣的•例如於第3圖的科布雷那型 TF T，爲了提高數值口徑而於像素電極2 2 ^源極線 2 4之間設有第2層間絕緣膜，可以達成使像索電極2 2 與源極線2 4的間隔窄化的構造•或者是以接縯於閘極電 極1 8的未於圖中顯示的閘極線或是源極線2 4的配線電 阻之降低或是配線的冗長化爲目的，可以將該閘極線，源 極線作成是多餍膜*進而•也可以在TFT元件的上或下 ，形成遮光層•於第4圖的逆交錯型TFT，以提高數值 口徑、降低配線電阻、減少缺陷的產生爲目的，可以進行 佩現貨是絕緣膜的多餍化· 這些構造的改良*幾乎完全都是對於第3圖或者是第 4圖的基本構造*增加其構成TFT的薄膜的層稹數* 於下述的實施例，說明關於將構成以第3圇，第4圖
I 所示之薄膜層積構造的各種薄腴以不須真空處理裝置的塗 布膜方式來形成的場合· (塗布絕緣膜的形成方法） 第1圖顯示藉由塗布液體進行熱處理而形成例如絕綠 膜的薄膜的塗布型絕緣膜形成裝置•作爲被塗布後被熱處 理而成爲絕緣膜的液髖，可以舉出聚矽氨烷（具有S i — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — 111— — » *11 — — — — — ^^ <111!1 ί請先$背面之沒意事項再'T本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 “967〇 幻 B7 五、發明說明（l.8 ) N結合的聚合物的總稱）·聚矽氣烷之一爲 [SiH2NH〕„(n爲正整數），此製品係由東燃（股 )以r東燃聚矽氨烷」的製品名稱在市面上出售•又•若 將[S i H2NH〕„中的Η以烷基（例如甲基，乙基等） 來置換的話*成爲有機聚矽氨烷，而與無機聚矽氨烷之間 有所區分•在本實施例中以使用無機聚矽氨烷|隹· 此聚矽氨烷與二甲基苯的液體混合，而於基板上藉由 例如旋轉來塗布•此塗布膜藉由在含有水蒸汽或者是氧氣 的氣氛中進行熱處理而轉化爲S i 02· 作爲比較例，可以舉出在塗布後藉由熱處理而成之 S 0 G ( Spin-On-Glass)膜。此SOG膜係以矽氧烷結 合爲基本構造之聚合物，有具有烷基的有機S 0 G以及不 具有烷基的無機S 0G ·以酒精等作爲溶媒使用· SOG 膜係以平坦化爲目的而被使用爲L S I的層間絕緣膜•有 機S ◦ G膜對於氧氣電漿處理而言具有容易被侵蝕的問題 ，而無機SOG膜則是具有即使厚度達數千埃（A)的膜 厚也容易發生龜裂的問題，幾乎完全沒有以單層而被使用 於層間絕緣膜的例子•而是被利用於CVD絕緣膜的上層 的平坦化層· 相對於此點*聚矽氨烷對象裂的耐性髙，此外也具有 耐氧氣電漿性*即使是單層也可以作爲某種程度厚的絕緣 膜來使用。亦即，在此處說明關於使用聚矽氣烷的場合· 又，本發明係將薄膜層稹構造之至少1層或者是複數層， 除了以矽氧烷結合爲基本構造之S Ο G膜之外的塗布膜而 本紙張尺度適用中a固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« > — — — — — ——It!! — — — — — — — — — (锖先*讀背面之沒意事項再r T本頁》 -21 - 經濟部智慧財產局員工消f合作杜印製〃 4496 7 〇 47 A7 ___ B7 五、發明說明（l9 ) 形成的，僅限於滿足此條件，也可以附加的使用SOG膜 於第1豳，裝填器101將收容於卡匣的複數枚的玻 璃基板一枚一枚地取出，，而將玻璃基板搬送至旋轉塗布 機102 ·在旋轉塗布機102，如第12圓所示，於載 物台1 0 3上基板1 3 2被真空吸著，由分配^ 3 4的 噴嘴136向基板132滴下聚矽氨烷138·被滴下的 聚矽氨烷1 3 8於基板中央部如第12圖所示般的擴散· 聚矽氨烷與二甲基苯的混合液被倒入稱爲canister (罐） 的溶器內，而被保管於第1圔、第1 2圖所示之液體保管 部1 0 5 *聚矽氨烷與二甲基苯的混合液*由液體保管部 105介由供給管140而被供給到分配器134，而被 塗布於基板上•進而，藉由置物台130的旋轉•如第 1 3圖所示*聚矽氨烷1 3 8被拉伸至玻璃基板1 3 2的 全面而被塗布*此時，大部分的二甲基苯蒸發掉了 *置物 台1 3 0的旋轉數或是旋鹌時間*係以第1圖所示之控制 部1 0 6來控制，回轉數在數秒之間上升至1 0 0 0 r pm，而在1 000 r pm維持20秒程度，進而在數 秒後停止·於此塗布條件，聚矽氨烷的塗布膜的膜厚約爲 7 0 0 0埃（A) ·其次，玻璃基板被搬送至熱處理部 103，以水蒸汽氣氛、100_350度C的溫度進行 熱處理1 0 — 6 0分鐘·而變成S i 02·此熱處理係以 溫度控制部107來控制*熱處理部103，爲了要提高 塗布型絕緣膜形成裝置的處理能力，而使前述旋轉塗布機 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)A4规格（210 * 297公釐) " -22 - — — — — — — III — —--itmln ^> — — — — 1 — 1 (請先g讀背面之注項再ί本I > 4496?〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2〇 ) 1 0 2的工作時間能夠與熱處理時間整合•而設定了熱斑 理布1 0 3的長度或是該爐內的基板收容枚數•於被混合 聚矽氧烷的液體中使用例如二甲基苯，此外於變成時因爲 發生氫氣或是氨的緣故，至少有旋轉塗布機1 0 2與熱處 理部1 0 3必須要有排氣設備1 0 8 *被施以熱處理而形 成有絕緣膜的玻璃基板以取下器（un loader) p 4將其 收容於卡匣· 第1圖所示之本發明的塗布型絕緣膜形成裝置*與從 前的CVD裝置相比，裝置之構成極爲簡單，因而裝置價 格也更一靥的便宜·而且與CVD裝置相比•生產性萵* 維修簡單，而且有工作率高的特徵·可以因爲此特徵而大 幅減低液晶顯示裝置的成本。 在第1圖所示之塗布型絕緣膜形成裝置，可以形成如 第3圖所示之下層絕緣膜1 2、閘極絕緣膜1 6，層間絕 緣膜20、保護膜26之所以的絕緣膜*此外 >在像素電 極2 2與源極配線2 4之個追加形成絕緣膜的場合，該追 加的絕緣膜可以利用第1面的裝置而形成塗布膜，具有將
t I 絕緣膜表面平坦化的效果，係特別有效•又，也可以省略 下層絕緣膜1 2或是保護膜2 6 · 此處*閘極絕綠膜1 5诨左右TF T的電氣特性的重 要絕緣膜，必須同時控制膜厚、膜質同時還有與矽膜之界 面特性· 因此，除了要清淨閘極絕緣膜1 6的塗布形成前的矽 膜1 4的表面狀態•而且以使用如第2圖所示之塗布型絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 «297公釐) --- ----1 — I I — I · I I — I — I — ^ilnl — II ί請先Μ讀背面之沒意事項再t T本頁) -23 - 4496 7 0 A? _ B7 五、發明說明（21 ) 緣膜形成裝置爲佳•第2圖所示之裝置，係於具有與第1 圖所示裝置之熱處理部1 0 3具有同樣機能的第1熱處理 部1 0 3 A以及取下器1 〇 4之間股有第2熱處理部 1 Ο 3B ·在此第2熱處理部1 03 B，係於藉由第1熱 處理部1 0 3A進行上述之熱處理後，以較第1熱處理部 1 0 3A之熱處理溫度爲高的400 - 500 進行 3 0 - 6 0分鐘的熱處理，或者是以燈光退火、雷射退火 等進行髙溫短時間的退火爲佳· 藉此，閘極絕緣膜1 6等的絕緣膜，與僅藉由第1圖 之熱處理部1 0 3進行熱處理的場合相比，更爲緻密化， 改善了膜質及界面特性· 又|提到關於界面特性，與塗布絕緣膜相比因爲在真 空氣氛下所形成的CVD膜較容易控制，所以在要求髙性 能的TFT的場合，構成TFT的絕緣膜之中閘極絕緣膜 可以藉由CVD膜來形成，而其他的絕緣膜則可利用本發 明而形成塗布絕緣膜亦可-· 於第4圚之TFT構造，可以於下層絕緣膜3 2，閘 極絕緣膜3 6、頻道保護膜4 6使用本發明之塗布絕緣膜 〇 (塗布矽膜的形成方法） 作爲被保管於第1圖或者是第2_所示的塗布液保管 部1 0 5內的塗布液，可以藉由準備含有矽粒子的液體， 利用與第1圓或是第2圖的裝置相同的裝置，形成塗布矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公茇） ——— — — — III — — — —— * I I <«先«讀背面之泫意事項再'4本頁> 訂· ;線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製” -24 - 4496 7 〇 A7 B7 五、發明說明（22) 膜- (請先《讀背面之沒意事項再'布本頁) 塗布液所含有的矽粒子的粒徑，可以使用例如 0. 01〜之粒子•此矽粒子的粒徑•因應被塗 布的矽膜的膜厚而被選擇•本案發明人所使用之矽粒子的 粒徑爲1 0%的1 程度的粒子，而1 0 以下的粒 子佔9 5% *將此粒徑之矽粒子，藉由微粒子心裝置進行 微粒子化，可以得到所要的粒徑的矽粒子· 具有指定範圍的粒徑的矽粒子被混合於例如酒精等的 液體而成懸濁液，被保管於塗布液保管部1 0 5 *而，於 藉由裝填器1 0 5而被搬入旋轉塗布機1 0 6的基板上， 吐出矽粒子與酒精的懸濁液•而以與形成塗布絕緣膜同樣 的塗布條件使置物台1 3 0旋轉，將矽粒子的塗布膜拉伸 於基板上*而此時大部分的酒精都蒸發掉了 * 其次，於熱處理部1 0 3或者是第1熱處理部 1 0 3 A *與形成塗布絕緣膜的場合同樣的熱處理條件將 基板進行熱處理•此時藉也矽粒子間的反應而於基板上形 成結晶化之矽膜· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 使用第2圖的裝置的場合，進而於第2熱處理部 1 0 3 B，以較該基板在第1熱處理部1 〇 3 A之熱處理 溫度爲髙的溫度進行熱處理•此熱處理，以藉由奮射退火 或是燈光退火在更短的時間內進行者爲佳· 於此第2熱處理部1 0 3 B再度進行熱處理，與僅於 第1熱處理部1 03A進行熱處理之結果相比較，矽膜的 結晶性，緻密性以及與其他膜之密著性都有提升· 本尺度適用中g國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） "* ' -25 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4496 7 〇 ΑΓ ___Β7___ 五、發明說明（23 ) 第5圖、第6圖係連績形成塗布矽膜以及塗布絕緣膜 的成膜裝置的構成圖。 第5圇之成膜裝置，在線上接續著裝填器1 0 1 1第 1旋轉塗布機1 02Α、第1熱處理部1 Ο 3Α、第2熱 處理部103Β、第2旋轉塗布機102Β、熱處理部 1 03以及取下器1 04。於第1旋轉塗布機1 Ο 2Α， 被接續著保管矽粒子與酒精的懸濁液的第1塗布液保管部 1 0 5Α與第1控制部1 〇 6Α。於第2旋轉塗布機 1 0 2 Β，被接續著保管聚矽氨烷與二甲基苯的混合液的 第2塗布液保管部105Β與第2控制部106Β。 使用第5圖之裝置的話，裝填、取下的次數可以各省 掉一次，所以可以進而提高生產率。 第6圖之成膜裝置*係將第5圖之成膜裝置的第2熱 處理部1 0 3 Β配置於塗布絕緣膜的熱處理部1 〇 3之後 的變形例。在此場合，將附有絕緣膜之覆蓋層的矽膜藉由 實施雷射退火等的第2熱處理部1 0 3 Β而進行結晶化。 因爲絕緣膜具有降低矽表面的反射率的效果，所以具有雷 射能量可以有效率地被矽膜吸收的利點。此外雷射回火之 後的矽膜表面之特徵位平滑。又，將第6圖中的熱處理部 1 0 3與第2處理部1 0 3 Β以一個熱處理部來兼用亦可 。在此場合，於此被兼用的一個熱處理部，可以同時進行 塗布絕緣膜的燒成，以及其上之矽膜的結晶化的熱處理可 以同時進行* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公a > III----I f I I ^ w I -----It· —--!!·# y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 449670 A7 ____B7__ 五、發明說明（24) (塗布矽膜的其他形成方法） 將塗布液塗布•其後進行熱處理而形成矽膜之其他的 塗布型矽膜形成裝置顯示於第7圖。在CVD法中，形成 矽膜所使用的是甲矽烷（S i H4)或是乙矽烷（ S i 2Η β )，但是在本發明中所使用的是乙矽烷或是丙砂 烷（S i 3Η8)等髙次的矽烷。矽烷類的沸點，依矽的數 目不同分別爲：單矽烷一 111. 9°C，乙矽烷
—14. 5 °C，丙矽烷 52. 9 °C，丁矽烷 108. 1 °C 。甲矽烷與乙矽烷在常溫常壓下爲氣體，丙矽烷以上的高 次矽烷爲液體。乙矽烷被降溫至零下數+ °C時成爲液體， 可以作爲塗布膜來利用。此處主要說明關於使用丙矽烷的 場合。 於第7圖，以裝填器2 0 1由卡匣將玻璃基板一枚枚 地取出搬送至裝填鎖定室2 0 2 ·裝填鎖定室2 0 2藉由 排氣裝置7 1 1減壓。到達指定的壓力之後，玻璃基板成 爲與前述壓力同樣程度的減壓狀態而移動至旋轉塗布機 2 0 3，丙矽烷由丙矽烷保管部2 0 7介由分配器而被塗 布於玻璃基板上。在旋轉塗布部2 0 3以回轉數1 0 0至 2 0 0 0 r pm的轉速使基板旋轉數秒至2 0秒而丙矽烷 被旋轉塗布》丙矽烷旋轉塗布之玻璃基板立刻被搬送到與 前述壓力相同程度的第1熱處理部204 |以300 — 4 5 0°C施以數+分鐘的熱處理而形成膜厚約爲數百埃（ A )的矽膜。其次，玻璃基板被搬送到與前述壓力同程度 的第2熱處理部2 0 5，接受雷射回火或是燈光回火等的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- — II--------》裝· — 訂.！— 1 — — 1") <請先闓讀背面之注意"項再填寫本頁) 9 4 4 經濟部智慧財產局具工消f合作社印製， 6 7〇 A7 ________B7__-__ 五、發明說明（25 ) 高溫短時間的熱處理•藉此，矽膜被結晶化•其次•玻填 基板被搬送至裝填鎖定室2 0 6，藉爲氮氣氣體回到大氣 壓厚，被撤送至取下器2 0 7而被收容於卡匣內· 在此*排氣裝置211，最好是有接績於2個裝填鎖 定室202、206的1台，以及接績於旋轉塗布部 203、 第1、第2熱處理部204、20 5 台共計 兩台所構成者爲佳·而旋轉塗布機2 0 3、第1熱處理部 204以及第2熱處理部205，係藉由排氣裝置21 1 而持績排氣•保持於非活性氣氛之減壓狀態（1. 〇 — 0. 5氣壓程度）·道是因爲矽烷類係具有毒性之氣髓， 而爲了要使汽化的矽烷類不要漏到裝置外的緣故•甲矽烷 的容許濃度（TLV)爲5ppm，乙矽烷等髙次的矽烷 也應該具有相同程度的容許濃度*此外，矽烷類在常溫的 空氣中自然燃燒，若是濃度太高，會導致爆發地燃燒•亦 即•至少接績於旋轉塗布機2 0 3、第1第2熱處理部 204、 205所接績的排氣裝置2 1 1之排氣，係接縯 於將矽烷類無害化的排氣處理裝置2 1 2 ·又，第7圔之 各處理室2 0 1〜2 0 7相互間接績於閘極閥，而使汽化 的矽烷類不流入2個裝填鎖定室而於搬送玻璃基板時，開 閉該閘極閥。 旋轉塗布機2 0 3的主要部分與第1 2圖幾乎相同* 於第7跚玻璃基板被真空之稱之載物台的溫度，以被溫度 控制部2 1 0控制者爲佳•此處，在以丙矽烷時爲常溫或 者是0°C在使用乙矽烷時，以一 4 0°C以下*或者是被控 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公蜚） ---— — — — — — — — — — — ^ — — — — — — -28 - A7 B7 44967〇 五、發明說明（26) 制於- 6 OeC以下•此外，乙矽烷以及丙矽烷的保管部 2 0 8或者是供給線（未於圓中顯示）也以藉由溫度控制 部2 10，而能夠被控制於與載物台幾乎同程度的溫度者 爲佳*
乙矽烷或丙矽烷係作爲液髏來塗布，必須在較其沸黏 更低的溫度進行塗布作業，而丙矽烷的蒸汽壓&常溫常懕 下約爲0. 4氣壓，而乙矽烷的蒸汽壓，在常壓一4 0 eC 的程度下約爲0. 3氣壓，有必要儘可能的降低該蒸汽壓 的大小•因此，道些矽烷類或是基板的溫度以儘可能的降 低爲佳· 爲了要使乙矽烷或丙矽烷等的蒸汽壓更低，提髙塗布 膜的均一性，也可以將旋轉塗布機203或第1，第2熱 處理部204、205藉由非活性氣體而加壓亦可•在加 壓狀態乙矽烷等的沸點溫度上升*而在同溫度之蒸汽壓變 低的緣故，旋轉塗布機2 0 3的溫度設定爲較前述之設定 溫度爲高，也可以設定爲接近室溫•在此場合，考慮到萬 一丙矽烷發生外漏，而於可以有加壓狀態的構造之外在設 有可以減壓的狀態之2重構造，而將外洩的丙矽烷藉由另 外設置的排氣裝置來排氣者較佳•此該排氣氣體，藉由排 氣處理部212處理· 此外，旋轉塗布機3或是第1、第2熱處理部204 、2 0 5的內部所滯留的矽烷氣體，也以排氣裝置2 1 1 排氣· 於第8圈所示之矽膜形成裝置，係將第7圚所示之矽 本紙張尺度適用令國S家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） --------------裝--- <請先《讀背面之注^^項再'.-4本1> 訂· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -29 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 449670 A7 __B7_____ 五、發明說明（27) 膜形成裝置與第1圖所示之絕緣膜形成裝置於線上結合。 亦即*第7圖之第2熱處理部2 0 5與裝填鎖定室2 0 6 之間，導入第1圖之旋轉塗布部1 0 2以及熱處理爐 1 0 3而構成的。 於第8圖，矽膜在第2熱處理部2 0 4藉由雷射退火 而進行結晶化爲止的動作與第7圖的裝置的動作相同。被 結晶化的矽膜，於旋轉塗布機1 0 2被塗布聚矽氨烷或是 無機SOG膜。接著於熱處理部103，被塗布之膜變成 絕緣膜。 旋轉塗布機203、第1、第2熱處理部204、 2 0 5係與第7圖同樣處於非活性氣體氣氛之減壓狀態。 雖然在第1圖絕緣膜的旋轉塗布機1 0 2以及熱處理部 1 0 3係常壓，但是在第8圖的裝置則爲非活性氣體氣氛 的減壓狀態。爲此之排氣係以排氣裝置1 0 8來進行。 藉由第8圖而形成之矽膜，因爲係於該矽膜上在非活 性氣體氣氛形成絕緣膜的緣故，所以並無暴露至大氣。亦 即，因爲可以控制左右T F T元件的特性的矽膜與絕緣膜 的界面，所以可以提高T F T元件的特性或者是提高該特 性的均一性。 又，在第8圖中矽膜上的絕緣膜形成是在矽膜的結晶 化之後才進行的，然而與第6圖的裝置同樣，在矽膜的第 1熱處理後形成絕緣膜，將矽膜的結晶化在絕緣膜的熱處 理之後進行亦可。在此場合，也與第6圖的場合同樣，藉 由將附有絕緣膜覆蓋層的矽膜藉由雷射回火而結晶化。因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (諳先M讀背面之注意事項再填寫本頁)
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n I -30- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4496 7 〇 __Β7______ 五、發明說明（28 ) 爲絕緣膜具有降低矽表面的反射率的效果，所以具有雷射 能量有效率地被矽膜吸收的利點。此外，在雷射回火之後 的矽膜的表面具有平滑等的特徵。 (向塗布矽膜擴散不純物的方法） 向矽膜擴散不純物的方法，可以使用從前的離子注入 裝置等來賁施亦可，但以如第1 0圖或是第1 1圖所示， 將含有不純物的絕緣層在塗布之後，使其向下層的矽膜擴 散不純物者爲佳。 此不純物含有絕緣膜的形成，可以使用第2圖所示之 裝置相同的裝置。在本實施例，將含有燐玻璃或者是硼玻 璃的S 0 G膜作爲不純物含有塗布膜而塗布。在形成N型 的高濃度不純物區域的場合，將酒精及醋酸乙醚作爲溶媒 而使矽濃度成爲數個重量百分比而於含有矽氧烷聚合物的 液體將該液體每1 0 0毫升具有數百ίί g的P205的 S 0 G膜作爲不純物含有塗布膜而用來塗布》在此場合， 於第2圚的塗布液保管部1 0 5保管該塗布液 > 藉由旋轉 塗布機1 0 2將該塗布液塗布於基板上》藉而於旋轉塗布 機1 0 2，以數千r pm的回轉數旋轉基板。而可以得到 數千埃（A)的膜厚的前述500膜。此不純物含有塗布 膜，以第1熱處理部1 Ο 3A在300°C到500°C的溫 度被熱處理，而成爲含有數個莫耳百分比的P2〇5的燐玻 璃膜。被形成燐玻璃膜的T F T基板，於第2熱處理部 1 0 3 B，接受燈光回火或是雷射回火之高溫短時間的熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格<210x297公釐） -----------^裝---ί I 丨訂ί I! — I -^w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製P “96 7 0 A7 B7 五、發明說明（29) 處理，SOG膜中的不純物向下餍的矽膜中固相擴散，而 於該矽膜中形成高濃度不純物ffi域· T F T基板最後由取 下器1 0 4收容於卡匣· 在此源極*汲極苗域的形成*塗布工程以及高溫短時 間的退火工程都可以在1分鐘內處理，具有非常高的生產 性•又，雖然熱處理工程需要花上數+分鏟的間•但是 在熱處理爐的長度或是構造上施以工夫可以削減節拍時間 〇 前述不純物含有塗布膜被塗布的T F T的斷面圈顆示 於第10圖及第11圖•第10圖係與第3圖對應之科布 雷那型TFT，於玻璃基板1 4上形成下屠絕緣膜1 2， 於其上矽餍1 4被圖案化•閘極絕緣膜1 6係將閘極電極 1 8遮蔽而蝕刻除去|而應該成爲源極、汲極的區域才暫 時露出•亦即，不純物含有塗布膜5 0係接於前述矽膜的 成爲源極、汲極的區域14S、14D而被形成的•而藉 由前述之髙溫短時間的熱'處理，不純物含有塗布膜5 0所 含有的燐藉由固相擴散而擴散至前述矽膜中，形成薄膜電 阻在1 ΚΩ/□以下的N型源極、汲極菡域1 4 S、 1 4 D。 其後之工程可以由第3圖所示之TFT断面圖可知， 依照層間絕緣膜的形成、接觸孔開口，形成像素電極、湎 極配線的順序被形成•此處，在形成層間絕緣膜時’將不 純物含有膜5 0除去之後再次重新藉由前述之塗布膜而形 成層間絕緣膜亦可，或是於不純物含有塗布膜5 0之上新 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公爱〉 ! — 1 義 — · • — It· — ！ I--- Λ-·靖先Μ讀背面之注意事項再· Τ本I) -32 - 4 49 b 7 〇 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製_ A7 B7 五、發明說明（30 ) 形成層間絕緣膜亦可*在不純物含有塗布膜5 〇上形成新 的層間絕緣膜的方法，絕緣膜變成有2暦而液晶顯示裝置 之源極線與閘極線的短路缺陷變少· 第1 1圓係對應第4圖之逆交錯型TFT *於玻璃基 板3 0上形成下層絕緣膜3 2，於其上形成閘極電極3 5 *進而介由閘極絕緣膜3 4矽層3 3被圖案化緣膜 5 2矽頻道區域的保護膜同時也成爲不純物擴散之罩，藉 由塗布絕緣膜而被形成· 不純物含有絕緣膜5 4，接於成爲罩的絕緣膜5 2及 矽膜33之應該成爲源極、汲極的區域33S、33D， 而被形成爲塗布絕緣膜•而藉由前述之高溫短時間的熱處 理，不純物含有絕緣膜5 4所含有的燐藉由固相擴散而擴 散至前述矽膜3 3中，形成薄膜電阻在1 ΚΩ/□程度的 N型源極、汲極區域33S、33D* 其後之工程可以由第4圖所示之T F T斷面圖可知， 在除去不純物含有絕緣膜·5 4之後，依照像素電極、源極 配線以及汲極電極以及其接績部的順序被形成· 根據本實施例•第3圓所示之科布雷那型TFT，源 極、汲極區域的形成，可以取代從前的離子注入法或是離 子植入法而改採塗布膜的形成與髙溫短時間的熱處理來進 行，可以使用價廉而且生產性高的裝置製造T F T ·此外 ，於第4圖所示之逆交錯型TF T，藉由CVD法形成湎 極、汲極面域的方法*可以置換爲塗布膜的形成與高溫短 時間的熱處理來進行，與科布雷那型T F T的場合相同可 本纸張尺度適用中S圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — ——--— — — — — — ^ ill — — — I — — — — — — — — ^ <請先《讀背面之注$項再、T本頁》 -33 - Α7 Β7 五、發明說明（31 ) 以使用價廉而且生產性髙的裝置製造TFT· (塗布導電膜的形成方法） 其次*說明關於將含有導電性粒子的液體塗布而形成 塗布導電膜的方法·此塗布導電膜也可以使用第1圚或第 2圖所示之裝置製造•此時，第1、第2圖的液保管 部1 0 5所保管的液體，使用將金羼等導電性物質之微粒 子分散於液體例如有機溶媒之物•例如，將粒徑8 0 -1 0 0埃（A)的銀微粒子分散於帖品酵.（terpineol) 或是甲苯等有機溶媒之物，藉由旋轉塗布機1 〇 2而吐出 於基板上。其後，將基扳以1 〇 〇 〇 r pm的轉速旋轉將 該塗布液旋轉塗布於基板上•進而，於第1圖的熱處理部 1 03或者是第2圖的第1熱處理部1 〇3A，以250 — 300 °C熱處理的話，可以得到數千埃（A)的導電膜 *於導箄性物質的微粒子，此外還具有Au，A1 ，Cu ，Ni ，Co，Cr，I.'TO等等，可以藉由塗布型導電 膜形成裝置而形成導電膜 ί . 所得到的導電膜係微粒子的集合而且非常具有活性的 緣故，旋轉塗布機1 0 2，及熱處理部1 0 3或者是第1 熱處理部1 0 3 Α必須要在非活性氣體氣氛之中· 此外，塗布導電膜的電阻值與大塊物質的電阻相比也 有高出1 0倍的情形*在此場合，於第2圖的第2熱處理 部103B，將塗布導電膜進而在300 — 500 °C進行 熱處理的話，可以降低導電膜的電阻值•與此同時•可以 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —34 一 --------------裝--- ~請先«.讀背面之注意事項再·'-»本頁) 訂· •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製| 449670 A? B7 五、發明說明（32 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 降低T F T的源極區域與以塗布導電膜所形成的源極配線 之接觸電阻，也可以降低汲極區域與與以塗布導電瞑所形 成的像素電極之接觸電阻。於第2熱處理部1 0 3 B，若 以燈光回火或是雷射回火等進行高溫短時間的熱處理·可 以更有效果的達到塗布導電膜的低電阻化與接觸電阻的降 低•此外，將異種金屬形成多層，也可以提高信賴性。因 爲Ag在空氣中比較容易氧化*所以在Ag的上面形成較不易 在空氣中氧化的A 1或是C u爲佳。 (透明電極的形成方法） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，說明關於使用塗布I TO膜形成透明電極的方 法。此塗布I TO膜也可以用與第2圖相同的裝置實施。 本實施例所使用的塗布液，係有機銦與有機錫在混合二甲 苯（xylol)中以9 7 : 3的比率被配合8%的液狀物（ 例如，日本旭電化工業株式會社製造之商品：Adeka I TO 塗布膜/IT0-103L)。又，可以使用有機銦與有 機錫的比由99:1到90:10爲止的範圍內的溶液作 爲塗布液。此塗布液被保管餘地2圖的塗布液保管部 10 5° 此塗布液於旋轉塗布機1 0 2被吐出至基板上，進而 使基板旋轉而被旋轉塗布β 其次，實施塗布膜的熱處理，此時之熱處理條件係如 下述所設定的。首先，於第2圖的第1熱處理部1 0 3Α ，在2 5 0 °C〜4 5 0°C的空氣或是氧氣氣氛中進行3 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ 297公釐） 4496 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製^ 五、發明說明（33) 分鐘到6 0分鐘的第1熱處理•其次*於第2熱處理部 1 Ο 3B *在200 °C〜400 eC的含有氫氣的氣氛中進 行3 0分鐘到6 0分鐘的第2熱處理•結果•有機成份被 除掉，形成銦的氧化物與錫的氧化物的混合膜（I TO膜 )·藉由上述熱處理*形成膜厚約500埃（A)〜約 2000埃（A)的I TO膜，薄膜電阻爲 〜1 04Ω/□，而光的透過率在9 0%以上，成爲具備 有充分性能的作爲像素電極4 1的I TO膜*前述第1熱 處理後的I TO膜的薄膜電阻爲1 〇5Ω/□〜 1 〇βΩ/□的層級•而藉由第2熱處理可以使薄膜電阻 降低到1 02Ω/□〜1 □的層級· 此塗布1 TO膜的形成*藉由第5圖或第6圚所示之 裝置，可以於線上製造塗布I TO膜與塗布絕緣膜•如此 ，可以藉由絕緣膜保護剛剛形成的具有活性的塗布I TO 膜的表面* (導電層的其他形成方法） 此方法，係於上述塗布I TO膜之上•形成鍍金屬膜 層的方法。第9圖，顯示於塗布I TO表面施以鍍鎳的流 捏圚*於第9圖的步驟1 ，以上述之方法形成塗布I Τ Ο 膜•其次*於步驟2，將塗布I TO表面例如乾蝕刻而使 其表面活化·在步驟3，作爲步騄4之鍍鎳處理的前處理 •首先於塗布I TO的表面，使其附著Pd/Sn之錯鹽 ，其次於表面進行使其析出P d的處理· 本&張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — I!— — — —— — - · I I — II I 1 訂· I — — — — — — <請先間讀背面之注$項再\:為本!> -36 - 449670 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 A7 B7 五、發明說明（34 > 在步騄4的鍍鎳工程，藉由實施例如無《解鍍金工程 ，雖然在塗布I TO的表面析出P d ·但是被置換爲N i 而成爲鍍鎳處理·在步驟4進而對於N i之鍍層加以退火 ，使其鍍金層緻密化•最後，於步驂5 *於Ni之鍍層上 進行作爲氧化防止層用的貴金屬鍍金例如金之鍍金處理* 而完成導電層* 藉由此方法，可以將塗布I TO膜作爲基層·同時也 可以形成鍍金層形成透明電極以外的導電層· (旋轉塗布以外的塗布方法） 第14圖至第16圖顯示塗布供作形成薄膜用之液蹙 *或者是在乾蝕刻時被使用爲罩之絕緣塗料等的液體的塗 布裝置•在本實施例中以絕緣塗料爲例來說明塗布之液體 >不限於絕緣塗料塗布，當然也可以利用於上述之各種塗 布膜的形成。於第1 4圖，置物台3 0 1上基板302被 真空吸附•絕緣塗料由液鴒保管部3 0 7通過供給管 306而被供給到分配器頭304 *絕緣塗料進而由設於
I 分配器頭3 0 7的複數噴嘴3 0 5向基板3 0 2上以極多 的細點303的形態被塗布。 噴嘴3 0 5的詳細斷面圖如第1 5圔所示•第1 5圖 係與噴墨印表機的印表頭具有相同構造•藉由壓電元件的 霣動而將絕緣塗料吐出•絕緣塗料由入口部3 1 1介由供 給口 3 1 2而儲存於空腔（cavity)部3 1 3 *藉由密著於 霣動板315的壓電元件314的伸縮該振動板產生《動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) I!·—!· SjiJ * !| I I I 1 訂· — - ·-請先《燴背面之注意事項再^本頁) -37 - 449670 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製， 五、發明說明（35 ) ，而使空腔313的髖積減少或是增加•絕緣塗料在空腔 3 1 3的體積減少時由噴嘴口 3 1 6吐出，而在空腔 3 1 3的體稹增加時*絕緣塗料由供給口 3 1 2被供給到 空腔313。噴嘴口 316係由例如第16圖所示2次元 支付數個配列而成，如第1 4圖所示，藉由基板3 0 2或 者是分配器3 0 4的相對移勖，基板全面上絕g遂料以細 點狀被塗布· 第1 6面中•噴嘴口的排列間距，係橫方向上的間距 P1爲數+#m·而在縱方向上間距P2爲數mm·噴嘴 口 3 1 6的口徑爲數十#in至數百·—次的吐出置爲 數十n g.到數百n g，被吐出的絕緣塗料的液滴的大小爲 直徑數+ #πι到數百»呈細點狀被塗布的絕緣塗料* 在由噴嘴3 0 5吐出後立刻成爲直徑數百的圓形•將 絕緣塗料全面塗布於基板的場合，前述細點3 0 3的間距 也爲數百yin，而以回轉數數百至數千r pm在數秒之間 旋轉基板的話|可以得到膜厚均一的塗布膜*塗布膜的膜 厚不僅可由基板的回轉速或是旋轉時間來控制，還可以由 噴嘴口 3 1 6的口徑以及細點3 0 3的間距來控制· 此絕緣塗料的塗布方式係噴墨列印方式的液體塗布方 式*因爲係將基板全面塗布細點狀的緣故*只要使細黏3 0 3之間的沒有絕緣塗料的部分可以被塗布絕緣塗料而將 基板移動例如旋轉即可，可以有效率地使用絕緣塗料•此 方式不僅是對於絕緣塗料而已•對於被形成於前述之塗布 膜的絕緣膜、矽膜、導電膜的形成也可以同樣適用的緣故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -------------裝----- » I n n I n I 線 <請先明讀背面之注意事項再i ?本頁) -38 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 44967ο A7 ___B7___ 五、發明說明（36〉 •所以對於液晶顯示裝置的成本降低具有非常大的效果。 此外，於噴墨方式的液體塗布，因爲噴嘴口 3 1 6的 口徑可以更小，所以也可以將其塗成1 0〜2 0 μιη寬的 線狀圖案•若將此技術應用於矽膜或是導電膜的形成，可 以不需要光蝕刻工程而可以直接描繪。若是T F Τ的設計 規則爲數十程度的話，藉由此直接描畫與塗布方式的 薄膜形成技術的組合，也可以不使用CVD裝置、濺鍍裝 置、離子注入或是離子植入裝置、曝光裝置、蝕刻裝置等 而製造液晶顯示裝置·亦即，僅藉由本方法噴墨方式的液 體塗布裝置，及雷射回火裝置或燈光回火裝置等的熱處理 裝置可以製造液晶顯示裝置。 又，此第1實施例舉TFT主動矩陣基板爲例說明薄 膜元件，同樣的主動基板元件也可以同樣適用於Μ I Μ ( 金屬—絕緣—金屬）、MIS(金屬一絕緣一矽）等的其 他的2端子、3端子元件來作爲像素開關元件》例如使用 Μ I Μ之主動矩陣基板的薄膜層積構造不含半導體層，而 使僅由導電層與絕綠層而構成的，在此場合也可以適用本 發明。進而，本發明並不限於主動矩陣積板，作爲顯示要 素也不侷限於液晶，也可以使用例如E L ( electronic luminescence) β進而，含有T F T的半導體元件、 D M D ( d i g i t a 1 m i r r 〇 r d e ν i c e )等，含有導電層與絕緣 層，進而具有包含半導體層的種種薄膜層積構造的薄膜元 件也可以適用本發明。 其次，說明本發明逋用於液晶顯示裝置用的主動矩陣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- 4 — — — — — — —--I— w ' I I--— II — [ — — — — — W (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) Α7 ^49 6 7 〇 ___Β7________ 五、發明說明（37 ) 基板，特別是關於將像素m極形成於導《性塗布膜之第2 〜第7實施例· 第2實施例 第18圖係於液晶顯示裝置用的主動矩陣基板上被形 成區劃的像素區域的一部份的擴大平面圔，第圖爲其 I一I <線所相當的位置的斷面圖· 於第18圖及第19圓*液晶顯示裝置用的主動矩陣 基板400 *係於絕緣基板410上藉由資料線Sn， S η + 1 .........，與掃描線G m · G m + 1 .........而被ffi 劃形成於複數之像素區域4 0 2，對於各像素區域4 0 2 被形成有TF丁404。此TFT404，具有：於源極 區域414以及汲極區域416之間形成頻道的頻道區域 4 1 7，及於該頻道區域4 1 7介由閘極絕緣膜4 1 3而 對峙之閘極電極4 1 5，及於該閘極電極4 1 5的表面側 形成之層間絕緣膜4 2 1. ”及介由該餍間絕緣膜4 2 1之 接觸孔4 2 1 A而電氣接繚於源極區域4 1 4的源極電極 I ' 431 ，以及介由層間絕緣膜421的接觸孔421 B而 電氣接續於汲極面域4 1 6的由I TO膜所構成的像索電 極44 1 ·源極電極43 1係資料線Sn，Sn + 1 ...... …的一部份，閘極電極4 1 5係掃描線Gm，Gm+1… ......的一部份β 此處，像素電極4 4 1 *與源極電極（資料線） 431相同，被形成於層間絕緣膜421的表面*因此· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — —— — —— — a ·11111!1 — — — — — — — · <請先00讀背面41·注意Ϋ項再 ΐ本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製j -40 - 4'496 7〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ 五、發明說明（38) 爲了使這些電極之間彼此不發生短路，像索電捶4 4 1， 係使與資料線Sn，Sn + l成平行的外周緣441A、 441B較資料線Sn ’ Sn + Ι更爲內側之位置而被構 成的* 第 20ϋ(Α)〜（D)、第 21 圖（A)〜（C) ，係顯示本實施例之主動矩陣基板之製造方法y程斷面 圖。 在如此之主動矩陣基板4 0 0的製造方法，首先，如 第2 0圖（A)所示，使用無鹼玻璃作爲絕緣基板4 1 0 *首先將絕緣基板4 1 0清淨化之後，於絕緣基板4 1 0 上藉由 CVD 法（Chemical Vapor Deposition)或者是 PVD 法（Physical Vapor Deposition)形成由较氧化膜 等所構成的下層保護膜4 1 1 * CVD法，包括了例如減 壓CVD法（LPCVD法）或是電漿CVD法（PEC VD法）等等。而PVD法|例如有濺鍍法等方法·又， 下層保護膜1 1 ·可以因爲包含於絕緣基板4 1 0的不純 物或是該基板的清淨度等原因而可以省略* 其次，形成要成爲T F T 4 0 4的主動層的真性矽膜 等的半導體膜4 0 6 ·此半導體膜4 0 6也可以藉由 C VD法或是P V D法來形成。如此而得之半導髋膜 4 0 6 *直接作爲非晶質矽膜而可以利用於TF T的頻道 區域等的半導體層*此外，半導髖膜120 *係如第20 圖（B )所示，也可以藉由雷射光等的光學能或者是電磁 能的短時間照射而進行結晶化· 本紙張尺度適用尹國國家標準<CNS)A4規格（210 * 297公釐） — III — — — — — — — —— ill — — — — I I I I I I I I (請先Μ讀背面之注意事項再t"本頁} -41 - A7 4 49 6 7 0 _______B7__________ 五、發明說明（39 ) 其次，在形成具有指定的圖樣的絕緣塗料罩之後，使 用此絕綠塗料罩將半導體膜4 0 6晒樣化，如第2 0圖（ c )所示，成爲島狀的半導髖膜4 1 2 ·在半導髏膜 4 1 2上形成圖案後，藉由PVD法或是CVD法等形成 閘極絕緣膜4 1 3 » 其次，藉由濺鍍形成作爲閘極電極的鋁膜常，閘 極電極與閘極配線，係以同樣的金觸材料藉由同一工程而 被形成的。在堆稂成爲閘急電極的薄膜之後，如第2 0圖 (D)所示•進行圖案化，形成閘極電極415·此時也 形成掃描線•其次，對於半導體膜4 1 2導入不純物離子 ，形成源極區域4 1 4以及汲極區域4 1 6 *不純物離子 未被導入的部分成爲頻道區域4 1 7 ·在此方法·因爲閘 極電極4 1 5成爲離子注入的遮罩，所以頻道®域4 1 7 ，係成爲僅在閘極電極415下被形成的自己整合構造， 而構成偏移閘極構造或是L D D構造的T F T亦可•不純 物離子的導入，可以適用使用質量非分離型離子注入裝置 而注入不純物元素的氫化物與氫元素的離子植入法，或者 是採用質量分離型離子注入裝置僅將所要的不純物離子注 入之離子注入法等。離子植入法的原料氣體使用在氫氣中 混入濃度在0 . 1 %程度的P H3或是Β2Ηβ等注入不純 物的氫化物*
其次，如第2 1圖（Α)所示，將矽之氧化膜所構成 的層間絕緣膜4 2 1藉由CVD法或是PVD法來形成· 在離子注入與層間絕緣層4 2 1的形成之後，在3 5 0eC 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公;^ ~ -42 - 1 — — — — — vllllllt ·1111111< <請先Mtf背面之注意事項再' t本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製， 449670 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 五、發明說明（仙） 程度以下的適當的熱環境下施以數十分鏟到數小時的熱處 理而進行注入離子的活性化以及層間絕綠膜4 2 1的增濃 稠化· 其次，如第2 1圖（B)所示，層間絕緣膜4 2 1之 中•在相當於源極區域414以及汲極區域416的位置 形成接觸孔421A以及'421B *其次，在成供源極 電極形成用的鋁膜等被濺鍍形成之後，將其圖案化，形成 源及電極4 3 1。此時，資料線也被形成*其次*如第 2 1圆（C)所示·於層間絕緣膜42 1的表面全體塗布 形成IT◦膜408· 此塗布形成膜，可以使用各種液狀或是漿狀的塗布材 。這些塗布材之中*若爲液狀的塗布材可以使用浸塗法或 是旋轉塗布法*若爲漿狀，可以使用網版印刷法等方法· 在此第2實施例的塗布材，與第1實施例相同*都是有機 機銦與有機錫在混合二甲苯（xylol)中以9 7 : 3的比 率被配合8%的液狀物C例如，曰本旭電化工業株式會社 製造之商品：Adeka ΙΤ0塗布膜/ ITO-103L)， 可以於絕緣基板4 1 0的表面側（層間絕緣膜2 0的表面 )以旋轉塗布法來塗布•此處，可以使用塗布膜的有機銦 與有機錫的比在9 9/1到9 0/1 0的範国內的塗布材 〇
在此第2實施例，也是對於塗布於絕緣基板4 1 0的 表面側的膜進行溶劑乾燥，在除去溶劑後進行热處理（燒 成）*此時作爲熱處理的條件爲例如2 5 0 °C〜4 5 0 °C 本紙張尺度適用中國因家樣準(咖規格_297 _ — I!! - · ! I 訂-! (請先Μ讀背*之注意事項再、"»本頁) 4496 7 〇 經濟部智慧財產局員工消f合作杜印製一 Α7 Β7 五、發明說明（41 ) 的空氣或是氧氣氣氛中進行3 0分鏟到6 0分鏜的第1熱 處理後，在2 0 or〜4 0 0乞的含有氫的氣氛中進行 3 0分鐘到6 0分鐘的第2熱處理•結果，有機成分被除 去，形成銦的氧化物與錫的氧化物的混合膜（I TO膜） •藉由上述熱處理膜厚約500埃（A)〜約2000埃 (A)的I TO膜，薄膜電阻爲1 〇2Ω/Ε] y 1 04Ω /□，而光的透過率在9 0%以上，成爲具備有 充分性能的作爲像素電極4 1的I TO膜·前述第1热處 理後的I TO膜的薄膜亀阻爲1 05Ω/□〜1 0*>〇/□ 的餍級，而藉由第2熱處理可以使薄膜電阻降低到 1 02Ω/□〜1 04Ω/□的層級· 如此形成I TO膜408之後，將其圖案化，如第 1 9圖所示，形成像素電極之後•於各像索區域4 02形 成TFT404。亦即，如果藉由透過掃描線Gm而被供 給的控制訊號而驅動TF T4 0 4的話，被封入像素電極 4 4 1與對向電極（未於调中顯示）之間的液晶細胞處· 由資料線S η透過TF T4 0 4而寫入畫像資訊，可以進 行指定的顯示。 如此，在第2實施例中*形成供形成像素電極4 4 1 的I Τ 0膜時，因爲將液狀的塗布材藉由逋於大型基板的 處理的旋轉塗布法等塗布成膜法而塗布於絕緣基板410 上的緣故•所以與例如濺鍍法等必須使用具備大型真空系 的成膜裝置的成膜法不同，可以藉由價廉的成膜裝置來成 膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 44 - !1!11_ . I i I I I 訂· I I I ---I 先明讀背面之注意事項再」·4本頁) 4496 7 0 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ ____B7 ______五、發明說明（42 ) 而且，藉由塗布成膜法，如第2 5跚（B)所示•將 供構成像素電極4 4 1的液狀或是漿狀的塗布材，塗布於 層間絕緣膜4 2 1的表面時，因爲塗布材將接觸孔4 2 1 B和緩的埋入的緣故，所以像素電極4 4 1的表面形狀不 容易受到下層側的凹凸等的影響*因此，可以形成表面上 沒有高低差的平坦的像素電極4 4 1 (導電膜，可以安 定的進行抛光，同時可以防止反向傾斜面域的發生*因此 ，藉由此第2實施例，可以提升顯示品質· 相對於此，如第25圇（A)所示，若以濺鍍ITO 膜4 5 0形成像素電極，則依照此濺鍍I TO膜4 5 0所 形成的面的高低段差而形成濺鍍I TO膜4 5 0 *濺鍍 I TO膜4 5 0的表面所形成的髙低段差，成爲不安定的 抛光或是反向傾斜區域的原因*而降低顯示品質·而且· 濺鍍I TO膜450因爲要把接觸孔4 2 1 B全部埋入而 形成是困難的緣故，所以在該處形成開口部•此開口部的 存在，亦成爲不安定的拋光或是反向傾斜區域的原因•也 就是說，如第25圈（B).所示於塗布ITO膜形成像索 電極441是有用的* 第3實施例 第2 2圖*係液晶顯示裝置用的主動矩陣基板上形成 區劃的像素區域的一部份的擴大平面匾•第2 3圖•係相 當於其Π—Π’線的位置之斷面圖· 於第2 2圖及第2 3圚，第3實施例相關的液晶顯示 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 U 讀 背 面 之 注 % 裝 訂 線 -45 - 449 6 7 0 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（43 ) 裝置用的主動矩陣基板4 0 1上的薄膜元件的構造*與第 2實施例的主動矩陣基板4 0 0上的薄膜元件的構造的相 異點如下述· 首先，在第3實施例，層間絕緣膜，於鬧極電極 4 1 5的表面側，係由位於下層側的下層侧層間絕緣膜 4 2 1，與被形成於該下層側屠間絕緣膜4 2 的表面的 上層側餍間絕緣膜4 2 2所構成的2餍構造•此處’源極 電極4 3 1被形成於下層側層間絕緣膜4 2 1的表面，介 由下層側層間絕緣膜4 2 1的接觸孔4 2 1 A而電氣接績 於源極區域414* 相對於此，像索電極4 4 1係形成於上層側餍間絕緣 膜4 2 2的表面，介由上層側靥間絕緣膜4 2 2以及下層 側層間絕緣膜4 2 1的接觸孔4 2 2 A而電氣接綾於汲極 區域416·如此像素電極441因爲係被構成於與源極 電極4 31不同的層，所以這些電極之間不會短路* 此處，在第3實施例'，可以由第2 2圖得知，於任一 像素區域4 0 2，像素電極4 4 1其與資料線S η，
Sn + 1成平行的外周緣44 1Α、441Β，係位於郯 接像素間資料線S η，S η + 1的上方位置而被構成的* 此外，像素電極4 4 1 ’其與掃描線Gm，Gm+ 1成平 行的外周緣4 4 1 C、4 4 1 D，係位於鄰接像素間掃描 線Gm，Gm + 1的上方位置而被構成的•亦即，像索電 極44 1 ’其一部分係於資料線sn，Sn+i以及掃描 線Gm ’ Gm+1的上方被覆盏著·亦即，像素電極44 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 χ 297公爱） ----———— — - — It · ! I — I I----I I I ί請先§背面之注意事項再-本頁> -46 - 4496 70 Λ7 Α7 Β7 五、發明說明（44) 1的4邊的外周緣441A〜441D，及資料線Sn· Sn + 1、掃描線Gm，Gm+1之間從平面來看並無空 隙·因此，資料線Sn，Sn + Ι、掃描線Gm，
Gm+ 1其自身具有黑矩陣的機能·結果’即使不增加供 形成黑矩陣層的工程數，也可以進行高品位的顯示· 如此之主動矩陣基板4 0 1的製造方法，g；第2實施 例所說明的第20圖（A)〜第20圖（D)共通•此處 *參照第24圖（A)〜（D)說明進行過第20圚（D )所示的工程之後的工程* 首先*如第2 4圖（A)所示，在形成源極區域 4 1 4，汲極區域4 1 6、頻道區域4 1 7、閘極絕緣膜 413以及閘極電極415之後，於閘極電極415的表 面側，以CVD法或PVD法形成由矽的氧化膜所構成的 下層側層間絕緣膜4 2 1。 其次，如第24圖（B)所示，於下層側層間絕緣膜 4 2 1之中，相當於源極區域4 1 4的位置形成接觸孔 421A。其次，在濺鍍形成供形成源極電極4 3 1以及 資料線用的鋁膜後*將其圖案化，形成源極電極4 3 1以 及資料線Sn · Sn + 1 · 其次，如第2 4圖（C )所示，於下曆側層間絕嫌膜 4 2 1的表面以CVD法或是PVD法形成由矽的氧化膜 所構成的上層側層間絕緣膜4 2 2 *其次，在下層側餍間 絕緣膜4 2 1以及上層側層間絕緣膜4 2 2之中，相當於 汲極區域4 1 6的位置形成接觸孔4 2 2A · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 先 U 讀 背 面 之 注 意 事 項 * 頁 裝 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ -47 - A7
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 JW 449670 _ B7_ _ _ 五、發明說明（45 ) 其次，如第24圖（D)所示，於餍間絕緣膜422 的表面全體塗布形成I TO膜40 9 · 此塗布形成膜也與第1、第2實施例相同，可以使用 各種液狀或者是漿狀的塗布材*道些塗布材之中*液狀的 塗布材可以使用浸塗法或是旋轉塗布法*若爲漿狀，可以 使用網版印刷法等方法。於此第3賁施例，塗^的I T 0 膜409也被實施前述之第1、第2熱處理，降低薄膜電 阻* 其後，將I TO膜409圖案化，如第23圖所示， 形成像素電極4 4 1。此時•如參照第2 2圓所說明的， 於任一像素區域2，使像素電極4 4 1的4邊的外周緣 441A〜441D於所鄰接的像素之間資料線Sn， Sn+1 、掃描線Gm，Gm+1被覆羞般的圖案化•因 爲通常資料現以及掃描線是以金屬膜形成的，所以這些資 料線以及掃描線成爲遮光膜•而可以作爲黑矩陣來利用· 因此，即使不增加工程數'，也可以進行髙品位的顯示* 而且，像素區域4 4 1直到資料現以及掃描線被覆蓋 爲止其形成範圍被擴張到最大限度，所以像索區域4 0 2 的數值口徑很高。因此，也提髙顯示的品質· 此外，在此第3實施例，形成供形成像素電極4 4 1 用的I TO膜時，因爲是將液狀的塗布材藉由適於大型基 板的處理的旋轉塗布法而塗布於絕緣基板410上的緣故 ，所以如第1 0圊（B)所示，像素電極44 1在下層側 爲凹部的部分較厚，而成爲凸部的部分較薄而被形成的· 纸張尺i適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇）
Dili--------* I ---I 1 I I —11 — —^^ 《锖先Mti背面之注4事項再' t本頁} 48 449670 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 五、發明說明（46) 亦即，資料線所導致的凹凸在像素®極4 4 1的表面並不 會反映出來。因此，在表面可以形成沒有高低差的平坦的 像素電極•因此抛光可以安定地進行，同時，也可以防止 反向傾斜區域的發生。如此之利點，對於掃描線的上層側 也是一樣的》因此，根據本發明*顯示品質得以提升· 進而，在形成供形成像素電極4 4 1的1|>0膜時》 因爲液狀的塗布材是藉由旋轉徒步法在絕緣基板410上 塗布的緣故•所以與例如濺鍍法等必須使用具備大型真空 系的成膜裝置的成膜法不同•可以藉由價廉的成膜裝置來 成膜· 而且，塗布成膜法在髙低差包覆性上相當優異的緣故 ，在下層側即使下層側層間絕緣膜4 2 1以及上層側層間 絕緣膜422的接觸孔421A、422A存在，其大凹 凸對於像素電極4 4 1 ( I TO膜）的表面形狀也不會帶 來影響•亦即•因爲係形成由下層側層間絕緣膜4 2 1以 及上層側層間絕緣膜4 2、2所構成的2層構造的層間絕緣 膜的緣故，即使是接觸孔4 2 1 A、4 2 2A所導致的凹 凸很大，也可以形成表面沒有髙低差的平坦的像索電棰 441·亦即，像索電極441可以採用直接接續於汲棰 區域4 1 6的構造*因爲可以不必在下層側餍間絕緣膜 4 2 1與上層側餍間絕緣膜4 2 2之層間形成電氣接績於 汲極區域4 16的中繼電極（bia)，所以製造工程可以 簡化· 又，在第3實施例，於形成像素電極4 4 1時，也是 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公轚)— I!! — * ·111 — II 訂· — (請先M-tft背面之注意事項再碑本頁) -49 - 4 496 7 0 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製， A7 B7 五、發明說明（47 ) 因爲由液狀的塗布材形成I TO臏的緣故，所以使用旋轉 塗布法，如果使用漿狀的塗布材可以使用印刷法來形成 I TO膜•進而，若使用漿狀塗布材，也可以利用網版印 刷的緣故*將漿狀的塗布材僅印刷在像素電極4 4 1應該 要被形成的區域，而將其進行乾燥、熱處理後直接作爲像 素電極4 4 1來使用亦可•在此場合，對於藉刻所製 作的I T ◦膜而言因爲不要圖案化的緣故，所以具有製造 成本可以大幅降低的優點· 此外，對於第2、第3實施例，都說明過了層間絕緣 膜的接觸孔的存在對於像素電極4 4 1的表面形狀容易造 成影響的科布雷那型T F T的例子，對於逆交錯型等 T F T也是若能於下層側對於具有凹凸的區域在形成像素 電極時適用本發明的話，可以除去相關的凹凸對於像素電 極的表面形狀所造成的影響。 第4實施例 .、 此第4實施例之構造，顯示於第2 6圖*其爲相當於 第22圖之I I — I I >斷面與第3實施例的第23圖相 異的構造· 於此第4實施例，層間絕緣膜4 2 0也是具有由位於 下厝側的下層側層間絕緣膜421·與被層稹於此下層側 層間絕緣膜4 2 1的表面上的上靥側層間絕綠膜4 2 2所 構成的2層構造· 第2 6圖所示之構造與第2 3圖相異處，在於像索電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公変> I------— I· *! J 訂·！ *線 ί婧先閱肃背面之注意事項再 内本頁> -50 - 4496 / 〇 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製一 A7 B7 五、發明說明（4S ) 極4 4 1係由上層側層間絕緣膜4 2 2的表面上藉由濺鍍 所形成的濺鍍I TO膜446 (導電性濺鍍膜），以及在 此濺鍍I TO膜4 4 6的表面上塗布成膜所形成的塗布 I TO膜4 4 7 (導電性透明塗布膜）等所構成的2餍構 造· 亦即，塗布I TO膜447，介由於其下的濺鍍 1 TO膜44 6與汲極區域4 1 6電氣接績•濺鍍I TO 膜4 4 6與塗布I TO膜4 4 7 ·因爲係如後述總括形成 圖案的緣故*所以其形成區域相同· 此點以外的構造因爲與第2 3圖相同•所以使用與第 2 3圖相同的符號*省略其詳細說明· 於此第4實施例，其平面的配置也是與第3實施例所 說明的第2 2圖相同，所以資料線Sn，Sn + 1 ......... 以及掃描線Gm，Gm+1 .........其自身具有黑矩陣的機 能•也就是說即使不增加工程數也可以進行髙品質的顧示 於第3實施例接觸於汲極區域4 1 6的塗布I TO膜 4 4 7，與濺鍍I TO膜作比較，具有接觸電阻較髙的傾 向。在第4寅施例中，因爲塗布丨TO膜447到底是介 由濺鍍I TO膜446而電氣接觸於汲極S域4 1 6的綠 故，所以具有可以解消接觸電阻較髙的優點· 以下參照第2 7圇（A)〜（E)以及第28圖（A )〜（E)說明如此之主動矩陣基板40 1的製造方法· 此處，第27圖（A)〜（E)以及第28圖（A)〜（ 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公« ) — — — I1IIIIII! * 11 11 I I I ^ — — — — — — — — ί請先《讀背面之注意事項再^本頁> -51 - ^67〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 五、發明說明（49) E)與顯示第3實施例之工程之第2 0® (A) ~ (D) 以及第2 4圖（A)是相同的緣故，所以省略其說明•此 外第2 8圖（B) 、（C)與顯示第3實施例的工程的第 24 面（B) 、（C)相同· 第2 8圚（A)係顯示作爲第2 8圖（B)的前處理 工程的絕緣塗料圖樣形成工程*爲了要形成第^8圖（B )所示之源極電極4 3 1以及源極線，在第2 8圖（A) 藉由濺鍍法形成鋁膜4 6 0 ·其後，於此鋁膜4 6 0上· 形成圖案化之絕緣塗料覃4 6 1 *使用此絕緣塗料罩4 6 1將鋁膜460蝕刻，形成如第28圖（B)所示之源極 電極4 3 1以及資料線。 其次，如第2 8圖（C )所示·於下層側餍間絕緣膜 4 2 1的表面藉由CVD法或是PVD法形成由矽的氧化 膜所構成的上層側層間絕緣膜4 2 2 ·在離子注入與層間 絕緣膜形成之後•於3 5 0 °C左右以下的逋當的熱環境下 進行數十分鐘到數小時的熱處理使注入的離子活性化，以 及進行層間絕緣膜4 2 0 (下層側層間絕緣膜4 2 1以及 , · 上層側層間絕緣膜422)的增濃稠化。其次，於下餍側 層間絕緣膜4 2 1以及上層側層間絕緣膜4 2 2之中*於 相當於汲極E域4 1 6的位置形成接觸孔4 2 2 A · 其次，如第2 8圖（D)所示，下層側厝間絕緣膜 4 2 1以及上層側層間絕緣膜4 2 2所構成的層間絕緣膜 420的表面全體藉由濺鍍法形成濺鍍ITO膜446 ( 導電性濺鍍膜）· 本纸張尺度遶用中0困家標準（CNS)A4規格（210 * 297公II ) ----- -裝 il! — II 訂·1!11!線 ί請先和•讀背面之注意事項再 1?本頁》 -52 - I 4496 7 0 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製~ 五、發明說明（50 ) 接著，如第28圚（E)所示，在濺鍍I TO膜 446的表面上形成塗布】TO膜447 (専電性透明塗 布膜）· 此塗布膜I T0447的形成，可以採用與第1〜第 3實施例相同的製程條件·於此第4實施例塗布於表面側 的液狀或者是漿狀的塗膜•在將溶劑乾燥除去#·在熱 處理裝置內進行熱處理•此時，熱處理的條件例如以溫度 2 5 0 °C〜5 0 0 "C，最好是在2 5 0 eC〜4 0 0°C的空 氣中或者是含有氧氣的氣氛或者是非還原性氣氛中進行 3 0分鐘到6 0分鐘的第1熱處理（燒成），之後以 2 0 0°C以上的溫度，最好是2 0 0 °C〜3 5 0 Ϊ的含氫 的還原性氣氛中進行3 0分鐘到6 0分鐘的第2熱處理· 每個場合都是將第1熱處理過程所安定化的皮膜不致因熱 而劣化•而將第2熱處理的處理溫度定爲較第1熱處理的 處理溫度爲低。如此而進行熱處理的話，在除去有機成分 的同時，塗膜成爲銦的氧化物與錫的氧化物的混合膜（塗 布I TO膜447) *結果，膜厚約500埃（Α)〜約 I . 2000埃（A)的I TO膜*薄膜電阻爲1 02Ω/〇 〜1 04Ω/□，而光的透過率在9 0%以上》成爲具備 有充分性能的作爲像素電極4 1的I Τ 0膜· 其後，直到基板溫度降至2 0 0 eC以下爲止都將絕緣 基板410置於進行第2熱處理的還原性氣氛中或者是氮 氣氣體等非氧化行氣氛中，或者是保持於其他非氧化性氣 氛中•在基板溫度降至2 0 0 °C以下之後，將絕緣基板 I 背 而 之· 注 t 裝 訂 線 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） -53 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製_ 9 一 4 . 7〇 A7 B7 五、發明說明（si ) 4 1 0由熱處理裝置中取出至大氣中•如此，如果將絕緣 基板4 1 0的溫度降低到2 0 OeC&下之後再使其接觸到 大氣的話，可以防止在含氫氣氛下的第2熱處理所還原而 低電阻化的皮膜再度被氧化*所以可以得到薄膜電阻很小 的塗布I TO膜44 7 ·將絕緣基板4 1 0由熱處理裝置 取出至大氣中的溫度，若要以防止塗布I TO胃>4 47的 再度氧化是以1 00 1以下爲隹•塗布I TO膜447的 比電阻係氧氣缺陷越多越低的緣故•所以由於大氣中的氧 氣而使塗布I TO膜447起再氧化的話，會使比電阻增 加β 如此，在形成濺鍍I TO膜44 6以及塗布I TO膜 447之後，如第28圖（E)所示，形成絕緣塗膜眾 4 6 2，將其總括而以王水系或是HB r等的蝕刻液，或 者是用C Η 4等的乾蝕刻而圖案化，如第2 6圖所示，形 成像素電極4 4 1 «*藉此*各像素區域4 0 2分別形成 TFT。亦即，藉由透過掃描線Gin所被供給的控制訊號 而驅動T F T的話，於介於像素電極4 4 1與對向電極（ 未於圖中顯示）之間所被封入的液晶，由資料線S η透過 T F Τ而寫入畫像資訊《可以進行指定的顯示· 此外於本實施例中，形成像索電極4 4 1時使用塗布 I TO膜4 4 7。因爲此塗布成膜法在髙低段差的包覆性 上極爲優異，所以如第39圆（B)所示’構成塗布 1 T 0膜4 4 7用的液狀或者是漿狀的塗布材*可以平滑 地埋沒起因於接觸孔4 2 2A的濺鍍I TO膜4 4 6表面 匕紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------II---ills — — — — — — — ί锖先"讀背面·之注意事項再 t本I) 54 - 4- 49 6 7 〇 經濟部智慧財產局貝工消f合作杜印製一 -! A7 B7 五、發明說明（52 ) 的凹凸等•此外，將塗布材塗布於絕緣基板4 1 0上時， 塗布I TO膜44 7在原爲凹部的部分較厚而在原爲凸部 的部分較薄•亦即，資料線4 3 1所導致的凹凸也不會反 映於像素電極4 4 1的表面•掃描線4 1 5的上層側也相 同•因此，可以形成表面上沒有髙低段差的平坦的像素m 極4 4 1，可以安定的進行拋光，也可以防止掏傾斜E 域的發生。因此，根據本發明可以提升顆示品質· 另一方面，如第39圖（A)所示，若將像素電極僅 形成於濺鍍I TO膜446 ·則沿著此濺鍍I TO膜 4 4 6所形成的面的高低段差而形成濺鍍I TO膜4 4 6 •於濺鍍I TO膜446的表面形成的髙低段差，成爲不 安定的抛光以及反向傾斜區域的原因，導致顯示品質的降 低。而且，濺鍍ITO膜446，要將接觸孔422A全 部埋入而形成是有困難的，因此於該處形成開口部•此開 口部的存在，也成爲不安定的抛光以及反向傾斜區域的原 因•亦即，形成塗布I ΤΌ膜44 7是有用的· 此外•如第4實施例所示，在以將像素電極4 4 1與 源極電極4 3 1形成於相異的層間爲目的而將層間絕緣膜 4 2 0形成爲2層構造的場合|接觸孔4 2 2 A的口徑深 度比變大，但使用塗布I TO膜447的話，具有可以形 成平坦的像素電極4 4 1的顯著效果* 此外，濺鍍I TO膜446與塗布I TO膜447比 較具有與絕緣塗料之間的密著性較差的傾向•在本實施例 中，塗布I TO膜447的表面形成絕緣塗料罩462的 本紙張尺度適用中S困家標準<CNS)A4規格（2]0 * 297公釐） — — — I1IIIIII1* 11!1111 ·11111111 <請先H·讀背面之沒意"項再 内本頁) -55 - 4496 7〇 A7 B7 五、發明說明（53) 緣故’所以不發生圈案精度降低的問題點•因此，可以構 成具有髙精細圓案的像素電極44 1 * ί請先《讀背面之注意事項再本頁) 第5資施例 第2 9圚顯示適用本發明之液晶顯示用主動矩陣基板 上所區劃形成的像素區域的一部分的擴大平面圖>，第3 0 圖係顯示相當於其I I I 一 I I I 線的位置的斷面画· 又|於第5實施例，與第4實施例共通的部分給予相同的 符號的緣故而省略其說明· 於第2 9圖，此第5實施例所相關的液晶顯示用主動 矩陣基板4 0 1 ·也是於絕緣基板4 1 0上藉由資料線 4 3 1與掃描線4 1 5而於複數的像素區域4 0 2被區劃 形成*對於各個像素區域4 0 2形成TFT · 於此第5實施例的構造•其平面配置除了濺鍍I TO 膜以外，也與第3、第4實施例所說明的第2 2圖相同， 所以資料線S η，S η +，1 ..........與掃描線G m， G m + 1 ..........其自身具有黑矩陣的機能•亦即，即使 I ' 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製_ 不增加工程數也能夠進行髙品質的顯示· 此第5實施例與第4賁施例相異之處在於濺鍍I TO 膜4 5 6與塗布1 TO膜4 5 7，係如後述般的分別被圖 案化而形成的緣故，其形成區域不同，塗布I TO膜 4 5 7的形成區域較濺鍍I TO膜4 5 6的形成區域更廣 » 此處，如第4實施例所示，塗布I TO膜與濺鍍 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公* )~~— -56 - 449670 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 五、發明說明（54 ) I TO膜形成於同一區域的場合，可以統括兩I το膜而 圖案化*亦即，絕緣塗料罩僅形成於與其密著性隹的塗布 I TO膜的表面，而沒有必要形成於與絕綠塗料罩的密著 性差的濺鍍1T◦膜的表面•因此•可以達成髙精細度的 圖案。 相對於此，於第5賁施例的場合，在濺鍍膜的 表面也有必要形成絕緣塗料罩•但是，在塗布I το膜較 濺鍍I το膜的形成面域爲廣的場合•即使濺鍍I το膜 與絕緣塗料罩的密著性較差圈案化精度較差*也可以靠與 絕緣塗料罩之間密著性佳的塗布1T◦膜的圓案精度規定 最終的圖案，所以可以達成高精細圖案· 如此構成的主動矩陣基板4 0 1的製造方法•與第4 實施例所說明的第27圖（A)〜第27圖（E)所示的 工程共通，進而•與第3 1圖（A)〜（C)的工程也共 通。此處•以下參照第31圖（D)〜（F)僅說明第 3 1圖（D)所示之工程以後的工程· 在第3 1圖（C ) *與下層側層間絕緣膜4 2 1的表
\ I 面形成由矽的氧化膜所構成的上層側層間絕緣膜4 2 2 * 而且，形成有接觸孔422A· 其次，如第3 1圖（D )所示，於下層側層間絕綠膜 4 2 1以及上層側層間絕緣膜4 2 2所構成的層間絕緣膜 420的表面全體藉由濺鍍法形成I TO膜456 (導電 性濺鍍膜）。到此爲止的工程與第4實施例相同* 但是，在此第5實施例，僅將濺鍍I TO膜4 5 6藉 本紙張尺度適用中國@家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — 1111 — — — * ·111(111 訂-I ----- <’請先M1I·背面之注—項再 ？本買> -57 - 4496 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製_ 五、發明說明（55) 由王水系或是HB r等的蝕刻液，或者是使用CH4等乾 蝕刻而圈案化*亦即，在形成濺鍍I TO膜4 5 6之後， 如第3 1圖（D)所示，形成絕緣塗料軍464，而將其 圖案化•使用此絕緣塗料罩464將濺鍍I TO膜456 蝕刻，如第3 1圖（E)所示，較像素電極44 1的形成 預定區域更窄的區域上殘留濺鍍I TO膜4 5^*其次· 於濺鍍I TO膜4 5 6的表面側形成塗布I TO膜4 5 7 (導電性透明塗布膜）·於形成此塗布I TO膜，可以使 用上述各實施例所說明的塗布材· 如此而形成塗布膜457之後*如第3 1圖（F)所 示，形成絕緣塗料罩4 6 2 *將其藉由王水系或HB r等 蝕刻液，或者是使用CH 4等的乾蝕刻而圖案化，如第 3 0圖所示，形成像素電極44 1 · 於此第5實施例的構造，也與第4實施例的構造具有 相同的效果。特別是*接觸於汲極E域4 1 6的塗布 I TO膜4 5 7 *與濺鍍'1 TO膜相比較具有接觸電阻較 高的傾向，第5實施例中塗布I TO膜4 5 7到底是介由 濺鍍I TO膜4 5 6而電氣接續於汲棰E域4 1 6的緣故 ，所以具有可以解消接觸電阻較大的問題點•此外，因爲 濺鍍I TO膜456只要薄薄一靥即可，所以即使與絕緣 塗料罩4 6 4之間的密著性不佳也可以在藉由短時間的蝕 刻來完成，所以對於圖案化並沒有帶來不便•此外，對於 圖案化精度很高的塗布I TO膜4 5 7，圖案化精度因爲 是規定像素電極4 0的最終圖案精度，所以可以達成髙精 本度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐) — —— —1 — — — — — — — — ·111!111 · — — — — — — — (锖先閱讀背面之注意事項再 t本頁) -58 - 4 49 6 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製j 五、發明說明（56) 細圓案* 第6實施例 第3 2圖顯示本發明所適用之液晶顯示用主動矩陣基 板上所被區劃的像素區域之一部份的擴大平面圚，而第 3 3圚係顯示相當於其IV — IV'線的位置的斷。 此第6實施例的特徵構造，在於像素電極4 4 1係於 上層側層間絕緣膜4 2 2的表面塗布成膜而形成塗布 I TO膜4 6 8 (導電性透明塗布膜）所構成的·此塗布 I TO膜4 6 8 ·係於下謄側層間絕緣膜4 2 1的表面對 於藉由濺鍍法所形成的鋁膜所構成的中繼電極*介由上層 側層間絕緣膜4 2 2的接觸孔4 2 2A而電氣接績著*此 外*中繼電極4 6 6係介由下層側層間絕緣膜4 2 1的接 觸孔421B而電氣接續於汲極區域416·亦即，像素 電極4 4 1 •介由位於其下餍側的中繼電極4 6 6而電氣 接續於汲極區域4 1 6 ν' 此處，中繼電極4 6 6係鋁膜，因爲不具光透過性* » · 所以爲了要使數位口徑不要降低，將其形成菡域限定於接 觸孔421B的內部以及周圔* 如此構成的主動矩陣基板4 01的製造方法，與第4 實施例所說明的第2 7圖（A)〜（E)所示之工程共通 •此處，在以下的說明，係參照第34圜（A)〜（D) 而僅說明第2 7圖（E )所示之工程之後的工程* 如第34圖（A)所示，下層側餍間絕緣膜42 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 * 297公釐） — — — — — — — —— — — — — ·1111111 « — — — III — — <锖先Μ讀背面之注意事項再· t本頁) -59 - 4496 7 0 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 五、發明說明（57) 中，在相當於源極區域4 1 4以及汲極區域4 1 6的位置 上形成接觸孔4 2 1 A、4 2 1 B之後，濺鍍形成供形成 源極電極4 3 1以及資料線用的鋁膜4 6 0 (導電性濺鍍 膜/金屬膜）·其次’形成絕緣塗料罩4 7 0 1使用此絕 緣塗料罩4 7 0將鋁膜4 6 0圖案化•結果，如第3 4圖 (B)所示，同時形成源極電極4 3 1、資料gj以及中繼 電極4 6 6。 其次•如第34圖（C)所示，藉由CVD法或者是 P VD法在下層側層間絕緣膜4 2 1的表面形成由矽的氧 化膜所構成的上層側層間絕緣膜4 2 2 ·其次，上層側層 間絕緣膜4 2 2之中，相當於中級電極的位置（相當於汲 極區域4 1 6的位置）形成接觸孔42 2A * 其次，如第34圖（D)所示，於下層側層間絕緣膜 4 2 1以及上層側層間絕緣膜4 2 2所構成的層間絕緣膜 420的表面全體形成塗布I TO膜468 (導電性透明 塗布膜）。 此塗布I TO膜4 6 8的形成*可以使用上述各實施 例所說明的塗布材。如此而形成I TO膜4 6 8之後，形 成絕緣塗料罩4 6 2並加以圚案化，如第3 3圖所示，形 成像素電極4 4 1。 此時，由第32圖可知，可以構成由資料線Sn， 5 η + 1 .........，與揷描線Gm ’ Gm + 1 .........所構成 的黑矩陣*而且•像素區域4 0 2的數值口徑變髙，可以 形成表面上沒有高低段差的平坦的像素電極4 4 1，所以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ~~~~~ 一 60 —
Ill — — — — — — — — — — - I I I I I I J f— ϊ — — — <靖先Μ.讀貲面'之ii意事項再 IT本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 4 b / 0 A7 ___B7 五、發明說明（58) 可以安定的進行抛光之外，可以防止反向傾斜苗域的發生
D 此外*由塗布I TO膜4 6 8所構成的像素電極 44 1與濺鍍I TO膜等比較雖然在與汲極區域41 6 ( 矽膜）之接觸電阻有偏髙的傾向，但因爲在此第6實施例 中塗布膜4 6 8係係介由/猫鍍形成的鋁膜所構的中繼電 極4 6 6而電氣接績於汲極苗域4 1 6的緣故，可以解消 接觸電阻較大的問題· 又•在本賁施例，中繼電極46 6係採用鋁，若能採 用鋁與髙融點金靥之2層膜作爲中繼電極，可以使與塗布 I TO膜4 6 8的接觸電阻更爲壓低*亦即，鎢或是鉬等 高融點金靥與鋁相比較不易氧化•所以即使在與含有大量 氧的塗布I TO膜4 6 8相接觸也不會被氧化•因此，中 繼電極4 6 8與塗布I T ◦膜4 6 8之間的接觸電阻可以 保持著很低。 第7實施例 第3 5圖係適用本發明的液晶顯示用主動矩陣基板上 所被區劃的像素區域之一部份的擴大平面圖，第3 6圔係 顯示相當於其V—V’線的位置的斷面面* 在此第7實施例，特徵爲改良第1 8圖以及第1 9圖 所示之第2實施例的構造*藉由中纜電極4 8 0確保塗布 I TO膜4 4 1與汲極區域4 1 6的電氣接績· 於第3 5面，此第7實施例相關的主動矩陣基板 本紙張尺度用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) --— Ill — — — — — — — * I I I I I I I ^* — — — — 1 — I I <請先Μ讀背面之注意事項再"»本ί》 -61 - 449670 經濟部智慧財產局B工消貧合作社印製_ A7 B7 五、發明說明（59) 4 0 1，也是在絕緣基板4 1 〇上於資料線4 3 1與掃描 線4 1 5所區劃形成的複數的像素S域4 0 2，對於各個 像素區域4 0 2形成TFT (像素開關用之非線型元件） *此處，若僅以像素電極的平坦化或是其接觭電阻的降低 爲目的的話，可以如以下之構成· 亦即，如第3 6圖所示*在第7實施例，間絕緣膜 4 2 1僅由1層的矽的氧化膜所構成· 塗布I TO膜所構成的像素電極4 4 1 ，係被形成於 其下餍側餍間絕緣膜4 2 1的表面藉由濺鍍法所形成的鋁 膜（導電性濺鍍膜/金騙瞋）所構成的中繼電極4 8 0的 表面側。亦即，像素電極4 4 1介由中繼電極4 8 0而與 汲極區域4 1 6電氣接續·此處中繼電極4 8 0亦爲鋁膜 ，不具透光性的緣故，其形成區域僅被限定於接觸孔 421B的內部以及其周困· 在此第7實施例，像素電極4 4 1係與源極電極 4 3 1爲於相同的層間而被構成的緣故•所以這些電極之 間係不會短路而被配置的·（參照第3 5圖、第3 6圖） « 如此構成的主動陣列基板4 0 1的製造方法’與第4 實施例所說明的第2 7圚（A)〜（E)所示的工程大致 上是共通的•此處，參照第37圖（A)〜（C)僅說明 第27圚（E)所示之工程之後所進行的工程· 如第37圇（A)所示*層間絕緣膜421之中’在 相當於源極區域414以及汲極萑域416的位置形成接 本紙張尺度適用中因國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -62 - 1!! ·1!1 訂-— · Λ請先閱·讀背面之注意事項再Λ本買》 449670 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製· 五、發明說明（.60 ) 觭孔421A，421B ·其次，在濺鍍形成了供形成源 極電極4 3 1以及資料線用的鋁膜4 6 0之後，形成絕緣 塗料罩4 7 0 »其次，使用絕緣塗料罩4 7 0將鋁膜 460圖案化，如第37圖（B)所示，形成源及電極 431 、資料線、以及中繼電極 其次’如第37圖（C)所示，在層間絕膜4 2 1 的表面側全體上形成塗布I TO膜4 8 2 (導電性透明塗 布膜）·此塗布I TO膜482的形成也可以使用如前述 之各實施例所使用之塗布材· 如此在形成塗布I TO膜4 8 2之後，形成絕緣塗料 罩484，用之將ITO膜482圖案化•如第36圔所 示，形成像素電極441。 於此第7實施例所形成的像素電極4 4 1也因爲採用 高低段差覆蓋性優異的塗布成膜法的緣故•所以可以形成 表面沒有高低段差的平坦的像素電極4 4 1 ·亦即，可以 安定的進行抛光之外•可以防止反向傾斜區域的發生•此 外*藉由中繼電極的中介，可以解消藉由塗布成膜法而形 成的I TO膜所構成的像素電極4 4 1與汲極區域4 1 6 的接觸電阻變高的問題。 又，本發明並不限定於上述的實施例*只要在本發明 之要旨範圍內，種種變形均可能實施* 例如，在第6、第7實施例，由工程數最小限的觀黏 來看，將中繼電極466、480與源極電極43 1以及 資料線同時形成，而其係由相同的材質構成的金屬膜（鋁 本紙張尺度適議麵娜爾格，撕姻 ml — — — — — — — — — — — — — — — {請先Μ讀背面之注意事項再為本頁) 449 6 7 0 A7 B7 五、發明說明（61 ) 膜）所構成的》取代於此，如第38圖（A)所示，在層 間絕緣膜4 2 0係由下盾側層間絕緣膜4 2 1與上層側層 間絕緣膜4 2 2所構成的場合，將藉由塗布成膜所形成的 I TO膜所構成的像素電極4 4 1以及由導電性濺鍍膜所 形成的中艇電極4 8 6的雙方都形成於上層側層間絕緣膜 4 2 2的表面上亦可*如此而構成的場合，與實施例 不同的是，因爲像素電極4 4 1的形成E域可以擴張的緣 故，資料線以及掃描線可以作爲黑矩陣來利用*此外，將 中雄電極4 8 6 (導電性濺鍍膜）以與源極電極4 3 1相 異的工程來形成的緣故•關於其材質無論是採用與源極電 極4 3 1爲相同的金屬材料，或者是不同的材料皆可· 此外，在第6 *第7實施例，都是以層間絕綠膜的接 觸孔的存在對於像素電極的表面形狀容易造成影響的科布 雷那型T F T爲例來作說明，將本發明適用於逆交錯型T F T亦屑可能。特別是，不得不在具有凹凸的區域上形成 像素電極的場合，如本發坰般的使用藉由塗布成膜而形成 的導電性透明塗布膜來形成像素電極的話，可以除去相關 的凹凸對於像素電極表面所造成的影響· 例如，第38圖（B)所示之逆交錯型TFT，若使 用塗布I TO膜於像素電極4 4 1 ，則可以使像素電極 44 1的表面平坦化。於第3 8圖（B )所示之TFT， 依序層稹著絕緣基板4 1 0的表面側的下層保護膜4 1 1 ，閘極電極4 1 5、閛極絕緣膜4 1 3、構成頻道區域4 1 7的真性非晶質矽膜，以及頻道保護用的絕緣膜4 9 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 ---------I---裝 i — t請先Mtt背面_之沒意事項再 内本頁》 訂· -線. 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製. -64 - 4496 7 〇 Α7 Β7 五、發明說明（62) *於頻道保護用的絕緣膜4 9 〇的兩側高濃度N型非晶質 矽膜構成源極、汲極區域414、416 ,於道些源極、 汲極區域4 1 4、4 1 6的表面構成有由鉻、鋁、鈦等的 濺鑛膜所形成的源極電極4 3 1以及中雄電極4 9 2 *進 而，於道些的表面側構成有層間絕緣膜4 9 4以及像索電 極441。此處，因爲像素電極係由塗布IT 所構成 的緣故，表面是平坦的*此外，像素電極4 4 1 ·介由靨 間絕緣膜4 1 1的接觸孔而與中繼電極4 9 6電氣接績· 亦即，像素電極4 4 1介由濺鍍膜所構成的中繼電極 4 9 6電氣接縝於汲極電極4 1 6的緣故•所以可以解決 由塗布I TO膜所構成的像素電極4 4 1與汲極區域 416(矽膜）的接觸電阻過髙的問題•進而，像素電極 44 1因爲係由與源極電極43 1構成於不同的層間，所 以這些電極之間並不會短路。因此，像素電極4 4 1可以 在直到被資料線或是掃描線（未於圖中顯示）覆蓋的程度 爲止的範圍將像素電極形成於寬廣的區域，所以資料線或 掃描線自身可以作爲黑矩陣利用之外，也可以提高像索區 \ - 域的數值口徑· 進而，形成像素電極時，由液狀的塗布材形成塗布 I TO膜而採用旋轉塗布法，若使用漿狀塗布材的話可以 使用印刷法形成塗布I TO膜•進而因爲若使用漿狀塗布 材可以利用網版印刷的緣故，所以僅將應該要形成像索m 極的區域印刷漿狀的塗布材，將其乾燥、熱處理而直接作 爲像素電極使用亦可*在此場合，因爲不需要藉由蝕刻對 本紙張尺度適用中画因家棵準(⑽娜⑵刚⑧ -----------裝 i — (請先閱讀背面之注意事項再.*本頁) 訂. 線， 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製_ 4 4967〇 A7 B7 五、發明說明（63) I TO膜進行圖案化*所以具有可以大幅降低製造成本的 優點· --------------裝--- (諳先Μ讀背面之注t事項再.·=»本頁》 又，第2實施例〜第7賁施例，說明僅將像素電極形 成於塗布膜的例，但是如第1實施例所說明的，像素電極 以外的絕緣層、導電層、半導體靥等任何層都可以藉由塗 布膜而形成》 ^ 第8實施例 線· 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印制户 使用上述實施例的液晶顯示裝置所構成的電子機器， 係包含顯示於第4 0圖之顯示資訊输出源1 〇 〇 0 ’顯示 資訊處理電路1 0 0 2、顯示驅動電路1 0 0 4、液晶面 板等的顯示面板1 〇 〇 6、時序發生電路1 0 0 8以及電 源電路1 0 1 0而構成的*顯示資訊输出源1 〇 〇 〇，係 包含ROM、RAM等的記憶體、將電視訊號同步而輸出 的同步電路等所構成的’基於時序發生電路1 〇 〇 8所發 出的時序，將影像訊號等的顯示資訊輸出·顯示資訊處理 電路1002，基於由時序發生電路1008所發出的時 序處理顯示資訊而輸出*此顯示資訊處理電路1 〇 〇 2可 以包含有例如增幅·極性反轉電路，相展開電路、回轉電 路、伽馬補正電路或是甜位（clamp).電路等*顯示駆動 電路1 0 0 4，細胞含掃描側驅動電路以及資料側驅動電 路而被構成的，將液晶面板驅動顯示β電源電路1 〇 1 〇 ，係對於上述各電路供給電力· 如此構成之電子機器，可以舉出例如：第4 1圖所顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公S ) 66 A7 B7 44967〇 五、發明說明（64) 示之液晶投影機，第4 2圖所示之多媒髏對應個人電腦（ PC)以及工程工作站（EWS)，窠43圖所示之文字 傅呼器、或者是行動電話，文書處理機、電視、觀景窗式 或是監視器直視式的攝影機、甯子手冊、竃子桌上型計算 機、導航裝置、POS終端機、具備觭控螢幕等的裝置等 * 第4 1圖所示之液晶投影機，係將透過型液晶面板作 爲光閥而使用之投影型投影機，使用例如3板稜鏡方式的 光學系· 於第41圖，在投影機1100 *由白色光源的燈光 單元1102所射出的投影光在光導1104的內部，藉 由複數的反射鏡1 1 0 6以及2枚的二色性反射鏡 1 1 08而分爲R、G、B3原色，而被導向顯示分雇各 色之影像的液晶面板1 1 1 OR、1 1 1 0G以及 1110B*而，藉由這些1110R、1110G以及 1 1 1 0B變調的光由3個方向相二色性稜鏡1 1 1 2入 射·在二色性稜鏡i 1 i 2 ,紅光R以及藍光B被折屈 9 0度*綠光則是直進，而各色之影像被合成，透過投影 鏡頭1 1 1 4而對螢幕投影彩色影像•第4 2圖所示之個 人電腦1 200具有備有鍵盤1202的本體部1204 以及液晶顯示耋面1 2 0 6 · 第4 3圖所示之文字傳呼器1 3 0 0 ·係於金羼製的 框架1302內，具有：液晶顯示基板1304 ·備有背 光1306a的光導1306，電路基板1308、第1 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)A4規格（21〇χ297公漦） — — — — — — — — — — — It ·1111111 ^* — — — — 1 — <請先明讀背面之注意事項再-"本頁> 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製π -67 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 44967〇 A7 _ B7 五、發明說明（65 > 、第2遮蔽板1310、1312，2個彈性導電體 1314、1316以及薄膜攜帶膠帶1318·2個彈 性導堪體1 3 1 4、1 3 1 6以及薄膜攜帶膠帶1 3 1 8 係將液晶顯示基板1 3 0 4與電路基板1 3 0 8相接縯用 的· 此處，液晶面板1 3 0 4，係於2枚透明g# 1 304a、1 304b之間封入液晶之物，藉此至少構 成點矩陣型的液晶顯示面板•於一方的透明基板上可以形 成如第4 0圖所示之驅動電路1 0 0 4，或者是於此再加 上顯示資訊處理電路1 0 0 2 »未被搭載於液晶顯示基板 1 3 0 4上的電路，成爲液晶顯示基板的外加電路，在第 4 3圖的場合可以搭載於電路基板1 3 0 8。 第4 3圍僅係顳示傅呼器的構成*所以除了液晶顯示 基板1 304之外還必須要有電路基板1 308，在作爲 電子機器用的一項元件而使用液晶顯示裝置的場合，在透 明基板上被搭載顯示驅動.電路等的場合*其液晶顯示裝置 的最小單位爲液晶顳示基板1 3 0 4 *或者，將液晶顯示 基板1 3 0 4作爲筐體而固定於金屬骨架1 3 0 2之物， 作爲電子機器用的一項元件之液晶顯示裝置來使用亦可* 進而在背光式的場合*金靥製的骨架1 3 0 2內，組裝入 液晶顯示基板1304，及備有背光1306a的光導 1 3 0 6，而可以構成液晶顯示裝置•取代此方式，而如 第4 4圖所示，於構成液晶顯示基板1 3 0 4的2枚透明 基板1304a、1304b之一方上，接嫌於被形成金 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !!!!裝！ —訂· I — — — I!線 <請先ΜΛ背面·之注意事項再··本頁》 _ 68 - 4496 7 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（邱） 羼導電膜的聚醯亞胺膠帶13 2 2上實裝I C晶片 1 3 2 4 而成的 T C P (Tape Carrier Package) 1 3 2 Ο，而作爲電子機器用的一元件之液晶顯示裝置來 使用亦可· 圖面之簡單說明 >> 第1圖係使用於本發明第1賁施例之塗布膜形成裝置 之構成圖。 第2圖係使用於本發明第1實施例之其他塗布膜形成 裝置之構成圊。 第3圖係科布雷那型T F Τ的斷面圖。 第4圖係逆交錯型TFT之斷面圖· 第5圖係使用於本發明之第1實施例之串連型塗布膜 形成裝置之構成圖* 第6圖係使用於本發明之第1實施例之其他串連型塗 布膜形成裝置之構成圇 第7圖係使用於本發明之第1賁施例之塗布矽膜形成 裝置之構成圖· 第8圖係使用於本發明之第1實施例之其他塗布矽膜 形成裝置之構成圜· 第9圖係說明對於塗布I TO膜表面進行鍍金屬的方 法的流程圖· 第10圖係藉由本發明之方法製造使用含有不純物之 絕緣層之科布雷那型T F T的製造過程的斷面圈* 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐> ^ -69 - ----— — — — — - — I— * — — — — — — — — — — —— — {請先Μ1*背面之注意事項再 1?本頁) 44967ο A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 五、發明說明（67 ) 第1 1圖係藉由本發明之方法製造使用含有不純物之 絕緣層之逆交錯型T F T的製造過程的斷面圖· 第12_係使用於本發明第1實施例之液體塗布裝置 的構成圓· 第13圚係藉由第12圚之液體塗布裝置進行旋轉塗 布之後的狀態之概略說明圖* 第1 4圖係藉由本發明之其他液體塗布裝置之構成圖 第1 511係第1 4圖所示之液體塗布裝置的部份擴大 圖 第16圖係第14圖所示之液體塗布裝置的部份擴大 圖 第17圖係構成液晶顯示裝置之TFT基板* 第18圖係本發明第2實施例相關的液晶顯示裝置用 主動矩陣碁板上所被區剌的像素區域之一部@的擴大平面 圖* ' 第1 9圇係第1 8圖之相當於I 一 1 #線的位置之斷 面圖。 第20圇（A)〜（D)係顯示第1 9圖所示之主動 矩陣基板的製造方法之斷面圚* 第2 1圖係顯示進行顯示於第2 0圇之工程以後的各 工程的斷面圖。 第2 2圖係關於本發明之第3實施例之液晶顯示裝置 用主動矩陣基板上所被面劃的像素區域之一部份的擴大平 本紙張尺度適用中囯國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） — — IT!·'It—!· · ! I 訂·！ "5^ <請先閱tk背面之;±意事項再豸寫本頁) -70 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44967ο A7 ____ B7 五、發明說明（68) 面圖· 第23圓係相當於第22圖之Π_Π’線的位置之斷 面圖· 第2 4圖係製造第2 2圖所示之主動矩陣基板時，第 2 0圇所示之工程以後之各工程之斷面圖· 第25圖（A) 、（Β)係比較例以及本聲之賁施 例的接觸孔附近分別擴大之縱斷面圖· 第26圚係顯示相當於第22圖之I I >線的 位置切斷之本發明第4實施形態的構造縱斷面圖· 第2 7圖（A)〜（E)係顯示第2 6圖所示之主動 矩陣基板的製造方法之斷面圖。 第28圔（A)〜（E)係接續於第27圖而被實施 之工程之断面圖* 第2 9圚係本發明之第5實施例相關的液晶顯示用主 動矩陣基板上所被區劃的像素苗域之一部份的擴大平面圓 〇 第30圖係顯示相當於第29圖之I I I 一 I I I > 線的位罝的斷面圖· 第3 1圖（A)〜（F)係於製造第2 9圖所示之主 動矩陣基板之*第2 7圖所示之工程之後而被賁施之工程 之斷面圖· 第3 2圖係本發明之第6實施例相關的液晶顯示用主 動矩陣基板上所被區劃的像素區域之一部份的擴大平面_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 * 297公釐） — — — — — — I! — ] — — * - — — — 111— — 111111_ ^^ (請先«故背面之注意事項再本頁) -71 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ Η 4 9 6 7 〇 Α7 ____ _ Β7 五、發明說明（69) 第3 3圖係顯示相當於第3 2圖之I V - 1 V >線的 位置的斷面圖· 第34圚（A)〜（D)係於製造第32圖所示之主 動矩陣基板之|第2 7圖所示之工程之後而被實施之工程 之斷面圖。 第3 5圖係本發明之第7實施例相關的液^5^顯示用主 動矩陣基板上所被區劃的像素區域之一部份的擴大平面圖 第3 6圖係顯示相當於第3 5圖之V - V z線的位置 的斷面圖。 第37圖（A)〜（C)係於製造第35圖所示之主 動矩陣塞板之，第2 7圖所示之工程之後而被實施之工程 之斷面圖。 第3 8圖（A) 、（B)係相關於其他實施形態之液 晶顯示用主動矩陣基板之說明圖· 第3 9E(A) 、C'B)係比較例以及本發明之實施 例的接觸孔附近分別擴大之縱斷面圖。 第4 0圄係本發明之第8實施例相關的電子機器所包 含的液晶顯示裝置的方塊圖* 第4 1圖係使用第4 0圈之液晶顯示裝置的電子機器 之一例之投影機的概略斷面圇· 第42圖係電子機器之其他例之個人電腦的概略說明 第4 3圖係電子機器進而其他之例之分頁器的組裝分 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) """ ： -72 - -------------裝 I -I n 一5, ^1 I ϋ n n n I 線 (請先Mil'背面之注意事項再 ' 為本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製| 449670 A7 B7 五、發明說明（) 解斜視圖。 第4 4圖係顯示具有T C P之液晶顯示裝置之概略說 明圚。 主要元件符號說明 — — — — — — — — —--I I — — — — — — — ^·1ιί — (請先閱讀背面之注意事項再 r本頁) 1 0 玻 璃 基 板 1 2 下 底 絕緣膜 1 4 多 結 晶 矽 層 1 4 S 源 極 區 域 1 4 D 汲 極 區 域 1 4 C 頻 道 區 域 1 6 閘 極 絕 緣 膜 1 8 閘 極 電 極 2 0 層 間 絕 緣 膜 2 2 像 素 電 極 2 4 源 極 線 ' ' 2 6 保 護 膜 3 0 玻 璃 基 板 3 2 下 底 絕 緣 膜 3 4 閘 極 電 極 3 6 閘 極 絕 緣 膜 3 8 C 頻 道 區 域 3 8 S 源 極 區 域 3 8 D 汲 極 區 域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -73 - 449670 A7 _______ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 五、發明說明（Ή 4 0 4 2 4 4 4 610 110 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 13 0 13 2 13 4 13 6 13 8 14 0 2 0 1 2 0 2 2 0 3 2 0 4 2 0 5 2 0 6 2 0 7 像素電極 金靥配線層 源極線 頻道保護膜 裝填器 旋轉塗布機 熱處理部 取下器（un loader )_ 液體保管部 控制部 溫度控制部 置物台 基板 分配器 噴嘴 聚矽氨烷' 供給管 裝填器 裝填鎖定室 旋轉塗布機 第1熱處理部 第2熱處理部 裝填鎖定室 取下器 !!* ! I 訂-------I ~锖先閱讚背面之注意事項再 两本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 74 449670 A7 _______B7_五、發明說明（.72 )2 11 排氣裝置212 排氣處理裝置 -------------裝--- <請先閲讀背面之注意事項再 τ本頁) -線. 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210*297公釐） -75 -

Claims (1)

  1. 「4酉# S ©106420號專利申請案 :中文申請專利範圍修正本 A8B8C8D8 民國90年5月呈 元件，係由包含至 層薄膜所構成之具 構造中之至少1層 構成成份的液髖之 氧院（s i 1 oxane ) G lass )膜除外）c 利範圍第1項之薄 含有半導髏層* 利範圍第2項之薄 有具有：具有源極 域之矽半導體層， 體。 利範圔第3項之薄 層，進而還具有下 利範圍第3或4項 於前述源極區域的 極電極，及將前述 之1層以上的層間 利範圔第3或4項 的上層，進而還具 利範圍第3或4項 所包含的所有前述 请 先 讀 背 面 之 注 % 事 項 再 填 I ^ 頁I I 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製j 申請專利範圍 1 . 一種薄膜 1層導電餍之複數 膜元件，其特徵爲 前述薄膜層積 爲塗布含有該薄膜 成之塗布膜（以矽 SOG (Spin On 2 .如申請專 薄膜層稹構造係包 3 .如申請專 薄膜層積構造包含 位於其間之頻道區 極電極之薄膜電晶 4 .如申請專 述薄膜電晶體的下 5 .如申請專 進而還具有：接續 前述汲極區域的汲 以及汲極電極絕緣 6 .如申請專 於前述薄膜電晶體 7 .如申請專 前述薄膜層機構造 述塗布膜· 少1層絕緣膜與至少 有薄膜層積構造之薄 前述薄膜，係被構成 後再進行熱處理所形 結合爲基本構造的 I 膜元件•其中，前述 膜元件，其中，前述 區域、汲極區域以及 及閘極絕緣層，及閘 膜元件，其中，於前 層絕緣層。 之薄膜元件|其中， 源極電極*及接續於 閘極電極1源極電極 絕緣層。 之薄膜元件，其中， 有保護用絕緣層* 之薄膜元件，其中， 絕緣層，係形成於前 本紙張尺度適用中S困家標準（CNS)A4规格（210 «297公爱） A8B8C8D8 4496 7Ω 六、申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第4項之薄膜元件•其中，前述 閘極絕緣層以外的所有的前述絕緣餍係形成於前述塗布膜 〇 9.如申請專利範圍第1 、2、3或4項之薄膜元件 ’其中 > 被包含於前述薄膜層積構造的2層以上的前述薄 膜，係被形成於前述塗布膜。 1 0.如申請專利範圍第1、2、3、4或8項之薄 膜元件，其中，前述至少1層絕緣膜，係被形成爲塗布含 有S i _N結合的聚合物的液體而且在氧氣氣氛進行第1 熱處理所得之S i 02塗布膜· 11.如申請專利範圍第1〇項之薄膜元件•其中， 前述至少1層之絕緣餍》係於前述第1熱處理後以較該第 1熱處理更高的溫度進行第2熱處理，而較前述第1熱處 理之後其界面更清淨》 1 2.如申請專利範圍第2、3、4或8項之薄膜元 件，其中，前述半導體層”係於含有矽粒子的液體被塗布 而且進行第1熱處理而得的.砂塗布膜之中，含有不純物。 ' , 13.如申請專利範圍第12項之薄膜元件*其中， 前述半導體層，係於前述第1熱處理後以較該第1熱處理 更高的溫度進行第2熱處理，而較前述第1熱處理之後更 提升其結晶性· 14·如申請專利範圍第1、2、3、4或8項之薄 膜元件|其中，前述至少1層之導電層，係由含有導電性 粒子的液髏被塗布而且經過第1熱處理而形成的導電性塗 ----„------------------訂---- -----*5^ (琦先閲讀背面之注意事項再填窵才頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印裂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公2 ) -2- 6 9 4 4 ο ABfcDf 六、申請專利範圍 布膜* 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之薄膜元件，其中， 前述至少1層之導電層，係於前述第1熱處理後以較該第 1熱處理更高的溫度進行第2熱處理’而較前述第1熱處 理之後更降低其電阻。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之薄膜元件，其中， 前述導電性塗布膜係塗布I TO膜。 1 7 .如申請專利範圔第1 6項之薄膜元件，其中， 前述塗布I TO膜表面被施以鍍金。 1 8 .如申請專利範園第1 3項之薄膜元件，其中， 前述至少1層之導電層，於其接觸面上進而還具有藉由濺 鍍而形成的導電性濺鍍膜。 19. 如申請專利範圍第1項之薄膜元件•其中，前 述薄膜層積構造*係包含有被配置於每個被形成於複數的 資料線與複數的掃描線的各交點附近的各像素的像素開關 元件，及接續於該元件之像素電極》 20. 如申請專利範圍第19項之薄膜元件，其中， 前述像素開關元件係薄膜電晶體· 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之薄膜元件，其中， 前述薄膜電晶體，包含電氣接續於前述資料線的源極區域 >及電氣接續於前述掃描線的閘極電極，及電氣接續於前 述像素電極的汲極電極•而前述像素電極係被形成於導電 性塗布膜· 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之薄膜元件，其中· ----------------I--II 訂--------•線，' <請先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)A4規袼（210x297公笼> -3- A8B8C8D8 449670 、申請專利範圍 前述導電性塗布膜係塗布I T 0膜· 2 3 .如申請專利範園第2 1或2 2項之薄膜元件， 其中，前述薄膜電晶睡，具有被形成於前述閘極電極的表 面側之層間絕緣膜，前述資料線以及前述像素電極，介由 被形成於前述層間絕緣膜的接觸孔，而分別電氣接績於前 述源極區域以及前述汲極區域· 2 4 .如申請專利範圔第2 3項之薄膜元件，其中， 前述層間絕緣膜具有：位於下層側的下層側層間絕緣膜， 及被形成於該下層側層間絕緣膜的表面的上層側層間絕緣 膜；前述資料線，介由被形成於前述下層側層間絕緣膜的 第1接觸孔電氣接績於前述源極區域：前述像素電極，介 由被形成於前述下層側層間絕緣膜以及前述上層側層間絕 緣膜的第2接觸孔而電氣接續於前述汲極區域；前述像素 電極的外周緣係位於前述資料線與前述掃描線的上方· 2 5 .如申請專利範圍第2 4項之薄膜元件，其中* 被形成於前述導電性塗布猴之前述像素電極，係介由導電 性濺鍍膜而電氣接續於前述.汲極電極· « t 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之薄膜元件，其中， 前述導電性濺鍍膜係濺鍍I TO膜。 27. 如申請專利範圍第25或26項之薄膜元件， 其中，前述導電性塗布膜以及前述導電性濺鍍膜具有相同 的圖案* 28. 如申請專利範圍第25或26項之薄膜元件， 其中，前述導電性塗布膜的外周緣，較前述導電性濺鍍膜 —---;---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之泫意事項再墣窝本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合怍社印製 本紙張尺度適用Ψ困國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公爱） —4 — A8B8C8D8 六 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製i ^4967〇 申請專利範圍 的外周緣更位於外側· 29. 如申請專利範圍第25或26項之薄膜元件， 其中’前述導電性濺鍍膜係與前述資料線位於相同層，而 且係由相同的金靥材料所形成的* 30. 如申請專利範圍第25或26項之薄膜元件， 其中’前述導電性濺鍍膜係位於較前述資料線更上層的位 置。 3 1 ·如申請專利範圍第2 3項之薄膜元件.其中， 前述層間絕緣膜，具備有位於下層側之層間絕緣膜，及被 層積於該下層側層間絕緣膜的表面的上層側層間絕緣膜， 於前述上層側餍間絕緣膜的表面，設有與前述資料線被形 成於同層的導電性濺鍍膜， 前述資料線，介於被形成於前述下層側層間絕緣膜的 第1接觸孔而電氣接續於前述源極區域， 前述導電性濺鍍膜，係介由被形成於前述上層側層間 絕緣膜以及前述下層側層間絕緣膜的第2接觸孔而電氣接 續於前述汲極區域， 前述導電性濺鍍膜的表面上層積著前述導電性塗布膜 3 2 .如申請專利範圍第2 3項之薄膜元件，其中， 前述層間絕緣膜，具備有位於下層側之層間絕緣膜|及被 層稹於該下層側層間絕緣膜的表面的上層側層間絕緣膜， 於前述上靥側層間絕緣膜的表面•設有與前述資料線被形 成於同層的導電性濺鍍膜· 請 先 閱 讀 .背 面 之 注 意 事 項 再 « · 寫農 本衣 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -5- is 449670 六、申請專利範圍 前述資料線，介於被形成於前述下層側層間絕緣膜的 第1接觸孔而電氣接績於前述源極區域， 前述導電性濺鍍膜，係介由被形成於前述下層側層間 絕緣膜的第2接觸孔而電氣接績於前述汲極區域， 前述導電性塗布膜，係被層稹於前述上層側層間絕緣 膜的表面上，介由被形成於前述上層側餍間絕緣膜的第3 接觸孔電氣接績於前述導電性濺鍍膜。 3 3 .—種液晶面板，係具有：形成申請專利範圍第 1 9至3 2項之任一項所記載的薄膜元件的主動矩陣基板 ，及 位於前述主動矩陣基板相對方向而配置的對向基板， 及 被封入前述主動矩陣基板與前述對向基板間的液晶層 〇 34. —種電子機器*係具有如申請專利範圍第33 項所記載之液晶面板· ' 3 5 . —種薄膜元件的製造方法，係於基板上，具有 包含至少1層的導電層與至少1層的絕緣層所構成的複數 層的薄膜所成的薄膜層積構造的薄膜元件的製造方法，其 特徵爲： 前述薄膜層積構造之中至少1層的前述薄膜的形成工 程’係具有： 於前述基板上，塗布含有該薄膜的構成成份的塗布液 的工程，及 ^紙張尺度適用中困固家標準<CNS)A4規格（210 * 297公« ) ZZ. ullilllllllll - — ———I — I *111(1 — — — (請先閱讀背面之注意事項再填f.本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 44967〇 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注i項再填寫本頁) 對於前·述基板上的塗布面施以熱處理形成塗布膜（以 较氧院（siloxane)結合爲基本構造的Spin On Glass膜 除外）的工程。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述至少1層的絕緣層的形成工程，係具有： 塗布含有S i - N結合的聚合物的塗布液於前述基板上的 第1工程，及對該塗布面在氧氣氣氛進行第1熱處理形成 S i 02的絕緣性塗布膜的第2工程：前述至少1層的絕 緣膜係形成於前述絕緣性塗布膜》 37. 如申請專利範圍第36項之薄膜元件的製造方 法，其中，於前述第2工程之後，進而還具有以較前述第 1熱處理更高的溫度對於前述基板施以第2熱處理，而使 其較前述第1熱處理之後前述至少1層的絕緣層的界面變 得更加清淨之第3工程。 38. 如申請專利範圍第37項之薄膜元件的製造方 法*其中，前述第2熱處理係以雷射回火或是燈光回火的 方式實施的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 39. 如申請專利範圍第35項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述薄膜層積構造進而還具有矽半導體層；前 述矽半導體層的形成工程，係包含將含有矽粒子的塗布液 塗布於前述基板上的第1工程，及對於該塗布面施以第1 熱處理而形成矽塗布膜的第2工程’及使前述矽塗布膜中 含有不純物而形成前述矽半導體層的第3工程。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項之薄膜元件的製造方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐) ~ " 44967〇 Α8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 ctt先閲讀背面之;!-意事項再填寫本頁> 法’其中，於前述第2工程之後，進而還具有以較前述第 1熱處理更高的溫度施以第2熱處理，而使其較前述第1 熱處理之後前述矽塗布膜的結晶性提高之第4工程。 4 1 .如申請專利範圔第4 0項之薄膜元件的製造方 法’其中，前述第2熱處理係以雷射回火或是燈回火的方 式實施的* 42. 如申請專利範圍第39、40或41項之薄膜 元件的製造方法，其中，前述第3工程，含有：於前述矽 塗布膜上塗布形成不純物含有層之工程，及將前述不純物 含有層加熱，使前述不純物向前述矽塗布膜中擴散之工程 43. 如申請專利範圍第35項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述至少1層的導電層的形成工程，係具有： 塗布含有導電性粒子的塗布液於前述基板上的第1工程’ 及對該塗布面施以第1熱處理形成導電性塗布膜的第2 X 程；前述至少1層的導電層係形成於前述導電性塗布膜° 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 44. 如申請專利範圍第43項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述第2工程之後，還有第3工程，其係在比 前述第1熱處理更高的溫度，進行第2熱處理’使前述導 電性塗布膜的電阻較前述第1熱處理之後更低° 45，如申請專利範圍第44項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述第2熱處理係以雷射回火或是燈回火的方 式實施的。 46.如申請專利範圍第35項之薄膜元件的製造方 —8— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公董） 4496 7Π A8B8C8D8 經濟部智慧財產局ΒΚ工消t合作社印製一 六、申請專利範圍 法•其中，前述至少1層的導電層的形成工程•係具有‘ 將前述塗布面在氧氣氣氛或者是在非還原性氣氛下進行熱 處理之第1熱處理工程|及將前述塗布面在氫氣氣氛或者 是在還原性氣氛下進行熱處理之第2熱處理工程：前述至 少1層的導電餍係形成於透明導電性塗布膜。 47.如申請專利範面第46項之薄膜元件的製造方 法•其中•前述第2熱處理工程的熱處理溫度係被設定爲 較前述第1熱處理的熱處理溫度爲低· 4 8 .如申請專利範圍第4 6或4 7項之薄膜元件的 製造方法，其中，前述第2熱處理工程之後，直到前述基 板的溫度降低到2 0 0 °C以下爲止，都保持在非氧化氣氛 中。 49.如申請專利範圍第46或47項之薄膜元件的 製造方法，其中，將含有銦（I η)以及錫（Sn)的塗 布液塗布於前述基板上，使前述透明導電性塗布膜形成於 塗布I T 0膜· · ， 5 0 .如申請專利範園第4 9項之薄膜元件的製造方 法，其中，進而還包括：在前述第2熱處理工程之後，對 前述塗布I T 0膜表面施以鍍金的工程* 5 1 .如申請專利範圍第4 9項之薄膜元件的製造方 法，其中，進而還包括：在前述塗布I το膜的接觸面上 *藉由濺鍍法形成導電性濺鍍膜的工程· 52.如申請專利範困第35，36 ' 37、38、 39、40、41 ，43、44、45，46、47、 (請先Μ讀唷面之注意事項再填W本頁) -¾ 訂· -線- 本紙張尺度適用中困囲家標準（CNS>A4规格<210*297公S > _〇- Is ^4967〇 六、申請專利範圍 (請先Μ讀嘴面之注意事項再填寫本買) 5 0或51項之薄膜元件的製造方法，其中’於前述液髖 的塗布工程，僅對於前述基板上的塗布區域塗布前述液體 ，而在基板上形成圖案化的塗布腆* 5 3 . —種薄膜元件的製造方法，其特徵爲：準備具 有複數吐出口的塗布液吐出噴嘴’改變基板與前述複數的 塗布液吐出噴嘴的相對位置’同時僅於基板上的塗布區域 吐出前述塗布液，將圊案化之塗布膜形成於基板上· 5 4 .如申請專利範園第5 3項之薄膜元件的製造方 法*其中，複數之前述吐出口 |前述塗布液的吐出狀態以 及非吐出狀態係分別獨立被控制，在控制各個前述吐出口 的吐出時序的同時•改變前述基板與前述複數的塗布液吐 出噴嘴的相對位置。 5 5 .如申請專利範圍第5 3或5 4項之薄膜元件的 製造方法*其中•前述塗布液係絕緣塗料液•將前述絕緣 塗料液依照指定的圖案塗布之後，進行熱處理，將絕緣塗 料膜形成圖案。 ' 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製一 56.如申請專利範圍第53或54項之薄膜元件的 製造方法，其中，前述塗布液係含有被圖案化而形成於前 述基板上的薄膜的構成成份之液•將前述塗布液依照指定 的圖案塗布之後，加以熱處理使前述薄膜形成圇案· 5 7 .如申請專利範圍第5 6項之薄膜元件的製造方 法，其中，前述薄膜係指定圖案的導電層。 5 8 .如申請專利範園第5 6項之薄膜元件的製造方 法，其中•前述薄膜係指定圖案的絕緣層· 本紙張又度適用_困Η家播舉（CNS>A4規格（210 * 297公ft >~.1〇_ A8B8C8D8 44967η 六、申請專利範圍 59.如申請專利範圍第58項之薄膜元件的製造方 法，其中•於前述絕緣層，接觸孔同時被形成· {請先Μ讀嘴面之注意事項再填'势本頁) lSJ·. -線 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製_ 本紙張尺度ia用中國困家標準（CNS)A4规格（210χ 297 公S) -11-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7118943B2 (en) 2002-04-22 2006-10-10 Seiko Epson Corporation Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment
US7316983B2 (en) 2001-12-12 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method and cleaning method

Families Citing this family (162)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5834327A (en) * 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
US6120588A (en) 1996-07-19 2000-09-19 E Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
EP1450412A3 (en) * 1996-05-15 2005-03-09 Seiko Epson Corporation Thin film device and method for making
US6746905B1 (en) * 1996-06-20 2004-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor and manufacturing process therefor
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
EP0912913A1 (en) 1996-07-19 1999-05-06 E-Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
CN100481560C (zh) 1996-09-19 2009-04-22 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
US20020075422A1 (en) * 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
JPH10237078A (ja) * 1996-10-14 1998-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 金属錯体溶液、感光性金属錯体溶液及び金属酸化物膜の形成方法
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP3916284B2 (ja) * 1997-02-28 2007-05-16 東京応化工業株式会社 多層配線構造の形成方法
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
US6599631B2 (en) 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
US7226966B2 (en) 2001-08-03 2007-06-05 Nanogram Corporation Structures incorporating polymer-inorganic particle blends
US8568684B2 (en) 2000-10-17 2013-10-29 Nanogram Corporation Methods for synthesizing submicron doped silicon particles
US20090075083A1 (en) 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
CN101068025B (zh) * 1997-08-21 2010-05-12 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
GB2376344B (en) * 1997-10-14 2003-02-19 Patterning Technologies Ltd Method of forming an electronic device
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6162743A (en) * 1998-02-10 2000-12-19 Chu; Cheng-Jye Low dielectric constant film and method thereof
US6897855B1 (en) 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
US6476783B2 (en) 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
US6704133B2 (en) 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
JP4223092B2 (ja) * 1998-05-19 2009-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7153729B1 (en) 1998-07-15 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
JP2000124157A (ja) * 1998-08-10 2000-04-28 Vacuum Metallurgical Co Ltd Ｃｕ薄膜の形成法
US6530340B2 (en) 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6407009B1 (en) 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
US6317642B1 (en) * 1998-11-12 2001-11-13 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and methods for uniform scan dispensing of spin-on materials
US6312304B1 (en) * 1998-12-15 2001-11-06 E Ink Corporation Assembly of microencapsulated electronic displays
US6498592B1 (en) * 1999-02-16 2002-12-24 Sarnoff Corp. Display tile structure using organic light emitting materials
TW486824B (en) * 1999-03-30 2002-05-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing thin-film transistor
JP4042327B2 (ja) * 1999-03-30 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
DE60038931D1 (de) * 1999-03-30 2008-07-03 Seiko Epson Corp Verfahren zur Herstellung einer Siliziumschicht und Tintenstrahlzusammensetzung für Tintenstrahldrucker
US6771239B1 (en) * 1999-05-17 2004-08-03 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing an active matrix substrate
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP4948726B2 (ja) * 1999-07-21 2012-06-06 イー インク コーポレイション 電子ディスプレイを制御するための電子回路素子を作製する好適な方法
KR100587363B1 (ko) * 1999-09-20 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
TW491952B (en) * 1999-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp Optoelectic apparatus and electronic apparatus
JP2001119029A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置
US6519842B2 (en) * 1999-12-10 2003-02-18 Ebara Corporation Method for mounting semiconductor device
TW437097B (en) * 1999-12-20 2001-05-28 Hannstar Display Corp Manufacturing method for thin film transistor
AU2015901A (en) * 1999-12-21 2001-07-03 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
DE10008455A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Durchführung von Steuerungs- oder Regelungsfunktionen und Verfahren zur Steuerung oder Regelung bei einem Fahrzeug
US7053005B2 (en) * 2000-05-02 2006-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a silicon oxide layer in a semiconductor manufacturing process
KR100362834B1 (ko) 2000-05-02 2002-11-29 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 산화막 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 장치
US7078321B2 (en) * 2000-06-19 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
GB0024294D0 (en) * 2000-10-04 2000-11-15 Univ Cambridge Tech Solid state embossing of polymer devices
US6479405B2 (en) * 2000-10-12 2002-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon oxide layer in semiconductor manufacturing process using spin-on glass composition and isolation method using the same method
KR100766493B1 (ko) * 2001-02-12 2007-10-15 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
GB0105145D0 (en) 2001-03-02 2001-04-18 Koninkl Philips Electronics Nv Thin film transistors and method of manufacture
KR100397671B1 (ko) * 2001-03-07 2003-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 잉크젯 방식 컬러필터를 가지는 액정표시장치 및 그의제조방법
JP4002410B2 (ja) * 2001-06-22 2007-10-31 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
JP4618948B2 (ja) * 2001-08-24 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
JP3648183B2 (ja) 2001-08-29 2005-05-18 聡 澤村 透明シリコーン系被膜形成組成物及びその硬化方法。
JP2003068757A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Sony Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP3948930B2 (ja) * 2001-10-31 2007-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
DE10202991A1 (de) * 2002-01-26 2003-07-31 Roland Man Druckmasch Oberfläche für ein Bauteil einer Druckmaschine
EP1361619A3 (en) * 2002-05-09 2007-08-15 Konica Corporation Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof
JP4320564B2 (ja) * 2002-06-28 2009-08-26 日亜化学工業株式会社 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜形成用溶液および透明導電膜の形成方法
KR20050032114A (ko) * 2002-08-06 2005-04-06 아베시아 리미티드 유기 전기 소자
DE10238816B4 (de) * 2002-08-23 2008-01-10 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung von Anschlussbereichen einer integrierten Schaltung und integrierte Schaltung mit Anschlussbereichen
JP4615197B2 (ja) * 2002-08-30 2011-01-19 シャープ株式会社 Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP3967253B2 (ja) * 2002-11-08 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 多孔質絶縁膜の形成方法及び多孔質絶縁膜の形成装置
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US7256079B2 (en) * 2002-12-16 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaluation method using a TEG, a method of manufacturing a semiconductor device having a TEG, an element substrate and a panel having the TEG, a program for controlling dosage and a computer-readable recording medium recoding the program
US7078276B1 (en) * 2003-01-08 2006-07-18 Kovio, Inc. Nanoparticles and method for making the same
JP4741192B2 (ja) * 2003-01-17 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3972825B2 (ja) * 2003-01-28 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JPWO2004070823A1 (ja) * 2003-02-05 2006-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4549866B2 (ja) * 2003-02-05 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の製造方法
JP4244382B2 (ja) * 2003-02-26 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 機能性材料定着方法及びデバイス製造方法
DE10308515B4 (de) * 2003-02-26 2007-01-25 Schott Ag Verfahren zur Herstellung organischer lichtemittierender Dioden und organische lichtemittierende Diode
KR100652214B1 (ko) * 2003-04-03 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP3988676B2 (ja) * 2003-05-01 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法
JP2004335715A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Toppoly Optoelectronics Corp シリコン酸化層の形成方法
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
US7192859B2 (en) * 2003-05-16 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and display device
US20050001869A1 (en) * 2003-05-23 2005-01-06 Nordson Corporation Viscous material noncontact jetting system
JP3788467B2 (ja) * 2003-05-28 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
US7879696B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
WO2005008785A1 (ja) * 2003-07-17 2005-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2005084416A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
JP4498715B2 (ja) * 2003-09-26 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4889933B2 (ja) * 2003-10-02 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
CN1871711B (zh) 2003-10-28 2011-12-07 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法,以及电视接收机
JP4877866B2 (ja) * 2003-10-28 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8101467B2 (en) 2003-10-28 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same, and liquid crystal television receiver
US7439086B2 (en) 2003-11-14 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display device
US8247965B2 (en) 2003-11-14 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device and method for manufacturing the same
US7276385B1 (en) 2003-11-24 2007-10-02 Kovio, Inc. Methods of laser repairing a circuit, compositions and equipment for such methods, and structures formed from such methods
SE0303604L (sv) * 2003-12-30 2005-11-18 Swedish Lcd Ct Ab En process för tillverkning av LCD
JP2005209696A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2005236186A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Seiko Epson Corp 半導体装置とその製造方法並びに電子機器
JP4281584B2 (ja) * 2004-03-04 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005303081A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光センサーおよび固体撮像装置
JP4652120B2 (ja) * 2004-05-21 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造装置、およびパターン形成方法
US20050257738A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of semiconductor device and pattern-forming method
US7491590B2 (en) * 2004-05-28 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor in display device
KR100927256B1 (ko) * 2004-07-09 2009-11-16 엘지전자 주식회사 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
US7314513B1 (en) 2004-09-24 2008-01-01 Kovio, Inc. Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions
US7674926B1 (en) 2004-10-01 2010-03-09 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006236768A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Seiko Epson Corp スリット形成方法、電子放出素子の製造方法、及び電子デバイス
WO2006089420A2 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Csl Silicones Inc. Title: method and apparatus for automated coating of electrical insulators with a silicone composition
US8461628B2 (en) * 2005-03-18 2013-06-11 Kovio, Inc. MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7619248B1 (en) 2005-03-18 2009-11-17 Kovio, Inc. MOS transistor with self-aligned source and drain, and method for making the same
WO2006117909A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha パターン薄膜、半導体素子及び回路基板の製造方法、並びに、レジスト材料、半導体素子及び回路基板
JP2006319161A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器
JP4438685B2 (ja) * 2005-05-23 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 透明導電膜とその形成方法、電気光学装置、及び電子機器
KR101152127B1 (ko) * 2005-05-27 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
JP4279271B2 (ja) 2005-06-01 2009-06-17 アルプス電気株式会社 弾性表面波素子及びその製造方法
KR20070002492A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
US7687327B2 (en) * 2005-07-08 2010-03-30 Kovio, Inc, Methods for manufacturing RFID tags and structures formed therefrom
KR100752374B1 (ko) * 2005-11-11 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
US8263977B2 (en) 2005-12-02 2012-09-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. TFT substrate and TFT substrate manufacturing method
JP4674544B2 (ja) * 2005-12-27 2011-04-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US7849812B2 (en) 2006-02-28 2010-12-14 Csl Silicones Inc. Method and apparatus for automated coating of electrical insulators with a silicone composition
JP5232970B2 (ja) * 2006-04-13 2013-07-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ
US7691691B1 (en) 2006-05-23 2010-04-06 Kovio, Inc. Semiconductor device and methods for making the same
US20080029046A1 (en) * 2006-05-25 2008-02-07 Welles Robert D Hot water reclaimer
US8796125B2 (en) * 2006-06-12 2014-08-05 Kovio, Inc. Printed, self-aligned, top gate thin film transistor
US7701011B2 (en) * 2006-08-15 2010-04-20 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US7767520B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-03 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US9196641B2 (en) 2006-08-15 2015-11-24 Thin Film Electronics Asa Printed dopant layers
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
US7868959B2 (en) * 2006-11-21 2011-01-11 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device having common electrodes formed over the main face of an insulating substrate and made of a coating type electroconductive film inside a bank to regulate the edges thereof
JP4252595B2 (ja) * 2006-11-21 2009-04-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置とその製造方法
JP5084236B2 (ja) * 2006-11-30 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造装置およびデバイス製造方法
WO2008085806A1 (en) 2007-01-03 2008-07-17 Nanogram Corporation Nanoparticle inks based on silicon/germanium, doped particles, printing and processes for semiconductor applications
JP2007142451A (ja) * 2007-01-22 2007-06-07 Nec Corp 絶縁膜、絶縁膜パターン、薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び、液体パターン形成装置
KR100909873B1 (ko) * 2007-09-05 2009-07-30 신와전공 주식회사 터치패널 제조용 패드, 이를 이용한 터치패널 제조방법 및이에 의해 제조되는 터치패널
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2009103775A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US7943527B2 (en) * 2008-05-30 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Surface preparation for thin film growth by enhanced nucleation
JP6258569B2 (ja) * 2008-08-04 2018-01-10 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料
DE112009002023T5 (de) 2008-08-19 2011-06-30 Lintec Corp. Geformter Gegenstand, Verfahren zur Herstellung desselben, elektronisches Vorrichtungsteil und elektronische Vorrichtung
WO2010082693A1 (ko) * 2009-01-14 2010-07-22 신와전공주식회사 터치패널 제조용 패드, 이를 이용한 터치패널 제조방법 및 이에 의해 제조되는 터치패널
US8174021B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP5704610B2 (ja) 2009-05-22 2015-04-22 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
CN101988193B (zh) * 2009-08-05 2014-04-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 湿式镀膜系统
US8624049B2 (en) * 2010-01-18 2014-01-07 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
JP5697230B2 (ja) * 2010-03-31 2015-04-08 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
US8895962B2 (en) 2010-06-29 2014-11-25 Nanogram Corporation Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods
US9556513B2 (en) 2010-08-20 2017-01-31 Lintec Corporation Molding, production method therefor, part for electronic devices and electronic device
JP5818340B2 (ja) * 2010-10-25 2015-11-18 富士フイルム株式会社 撥水膜の形成方法
TWI427839B (zh) * 2010-12-03 2014-02-21 Ind Tech Res Inst 薄膜圖案的沉積裝置與方法
CN103109373B (zh) * 2011-04-06 2016-04-13 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置用薄膜半导体装置及其制造方法
WO2013015093A1 (ja) * 2011-07-27 2013-01-31 住友重機械工業株式会社 基板製造装置
JP6271716B2 (ja) 2013-05-24 2018-01-31 帝人株式会社 シリコン／ゲルマニウム系ナノ粒子及び高粘度アルコール溶媒を含有する印刷用インク
CN106462015B (zh) * 2014-06-17 2019-05-28 三菱电机株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN104084699B (zh) * 2014-06-26 2016-01-06 天津大学 一种柔性衬底上制备均匀有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法
CN108728010B (zh) * 2017-04-18 2021-02-26 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种改性导电填料、其制备方法与应用
CN113793718B (zh) * 2021-08-23 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 一种薄膜电极及其制备方法和应用

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3792308A (en) * 1970-06-08 1974-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrophoretic display device of the luminescent type
US3956032A (en) * 1974-09-24 1976-05-11 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Process for fabricating SiC semiconductor devices
US4007462A (en) * 1975-12-24 1977-02-08 Recognition Equipment Incorporated Light absorption printing process
US4569305A (en) * 1981-10-09 1986-02-11 Ferco S.R.L. Apparatus to provide the application of glue on preselected zones of printed circuit boards
JPS5975205A (ja) 1982-10-25 1984-04-27 Seiko Epson Corp カラ−フイルタの製造方法
US4792817A (en) * 1983-08-29 1988-12-20 Diagraph Corporation Ink jet printing systems
US4683146A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing deposition films
JPS6178165A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US4687352A (en) * 1984-12-29 1987-08-18 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Printer with an image reader
JPS6231174A (ja) 1985-08-02 1987-02-10 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型トランジスタ
JPH0711631B2 (ja) 1985-10-09 1995-02-08 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造方法
EP0218117A3 (en) * 1985-10-11 1989-11-23 Allied Corporation Cyclosilazane polymers as dielectric films in integrated circuit fabrication technology
JP2549840B2 (ja) * 1986-03-25 1996-10-30 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル
JPS62295028A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Toshiba Corp 液晶表示素子
JPS6343323A (ja) 1986-08-08 1988-02-24 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0679122B2 (ja) 1986-10-22 1994-10-05 セイコー電子工業株式会社 電気光学装置
US4891110A (en) * 1986-11-10 1990-01-02 Zenith Electronics Corporation Cataphoretic process for screening color cathode ray tubes
JPH01140188A (ja) 1987-11-26 1989-06-01 Komatsu Ltd 薄膜ｅｌ表示パネル
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US5132248A (en) * 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
JPH02224340A (ja) 1989-02-27 1990-09-06 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0316612A (ja) 1989-06-14 1991-01-24 Kawasaki Steel Corp 焼却灰溶融炉発生ダストの処理装置および方法
JPH03109526A (ja) * 1989-06-20 1991-05-09 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 液晶表示装置用アクティブマトリックス基板
JPH0333824A (ja) 1989-06-30 1991-02-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶材料の製膜方法
JPH0745846Y2 (ja) 1989-06-30 1995-10-18 太陽誘電株式会社 霧化薄膜形成装置
JPH03102324A (ja) * 1989-09-18 1991-04-26 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH03126921A (ja) * 1989-10-12 1991-05-30 Sony Corp 液晶表示装置
JP2807510B2 (ja) 1989-11-29 1998-10-08 大日本印刷株式会社 転写シート及び液晶表示素子の製造方法
US5066512A (en) 1989-12-08 1991-11-19 International Business Machines Corporation Electrostatic deposition of lcd color filters
JPH03192334A (ja) 1989-12-22 1991-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
JP2959014B2 (ja) 1990-01-24 1999-10-06 松下電器産業株式会社 透明電極基板の製造方法
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
JP2734464B2 (ja) 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JP2921004B2 (ja) 1990-03-19 1999-07-19 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5326692B1 (en) 1992-05-13 1996-04-30 Molecular Probes Inc Fluorescent microparticles with controllable enhanced stokes shift
US5041190A (en) * 1990-05-16 1991-08-20 Xerox Corporation Method of fabricating channel plates and ink jet printheads containing channel plates
US5202261A (en) * 1990-07-19 1993-04-13 Miles Inc. Conductive sensors and their use in diagnostic assays
US5250439A (en) * 1990-07-19 1993-10-05 Miles Inc. Use of conductive sensors in diagnostic assays
JPH04106954A (ja) 1990-08-24 1992-04-08 Sony Corp 液相ｃｖｄ法を用いた半導体装置の製造方法
US5477352A (en) * 1990-10-31 1995-12-19 Sharp Kaushiki Kaisha Liquid crystal display device with liquid crystal dispersed or impregnated in a perfluoro-type polymer of perfluoroalkyl acrylate or methacrylate
US5347154A (en) 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
JPH04253033A (ja) * 1991-01-30 1992-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
AU2250392A (en) * 1991-06-12 1993-01-12 Case Western Reserve University Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers
KR930005559B1 (ko) * 1991-06-14 1993-06-23 삼성전관 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR940000143B1 (ko) * 1991-06-25 1994-01-07 재단법인 한국전자통신연구소 대형 박막 트랜지스터(TFT) 액정 디스플레이 패널(LCD panel)의 제조방법
JPH05116941A (ja) * 1991-10-30 1993-05-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜の製造方法
US5214350A (en) 1991-09-11 1993-05-25 Zenith Electronics Identification of image displays and their component parts
JP3262815B2 (ja) * 1991-10-21 2002-03-04 触媒化成工業株式会社 平滑ガラス基板およびその製造方法
JPH05144741A (ja) 1991-11-21 1993-06-11 Showa Denko Kk アモルフアスシリコン膜の形成方法
JP3217821B2 (ja) 1991-12-16 2001-10-15 マツダ株式会社 車両用空調装置
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2981944B2 (ja) 1992-02-19 1999-11-22 松下電器産業株式会社 パターン化した透明導電膜の形成方法
JPH05259154A (ja) 1992-03-04 1993-10-08 Nec Corp 半導体装置の製造方法
DE69327559T2 (de) * 1992-03-25 2000-07-06 Kanegafuchi Chemical Ind Dünnfilm aus polysilizium und verfahren zu seiner herstellung
DE4212501C1 (en) * 1992-04-14 1993-08-05 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Deposition of silicon nitride polymer layer on substrate - using linear or cyclic silazane in gas, giving good quality and high coating ratio
US5439519A (en) * 1992-04-28 1995-08-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Solution applying apparatus
EP0605685B1 (en) * 1992-06-01 1999-10-13 Advanced Technology Incubator, Inc. Light influencing element for high resolution optical systems and method of making same
JP2964780B2 (ja) * 1992-06-10 1999-10-18 富士ゼロックス株式会社 配向性多層強誘電体薄膜およびその作製方法
US5997122A (en) * 1992-06-30 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording apparatus capable of performing liquid droplet diameter random variable recording and ink jet recording method using ink for liquid droplet random variable recording
US5510066A (en) * 1992-08-14 1996-04-23 Guild Associates, Inc. Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body
JP3000796B2 (ja) 1992-09-08 2000-01-17 住友金属工業株式会社 半導体基板への可溶性金属塩の塗布量制御方法
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP3003422B2 (ja) 1992-10-01 2000-01-31 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2773578B2 (ja) 1992-10-02 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3033067B2 (ja) * 1992-10-05 2000-04-17 富士ゼロックス株式会社 多層強誘電体導膜の製造方法
JPH06175144A (ja) 1992-12-07 1994-06-24 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 透明導電膜形成用インク前駆体及びｉｔｏ透明導電膜形成方法
JPH06204168A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 半導体装置
JPH06281958A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp 液晶表示装置
US5446570A (en) * 1993-04-27 1995-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with projecting portions on the electrodes
JP2921814B2 (ja) 1993-05-17 1999-07-19 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP3724592B2 (ja) * 1993-07-26 2005-12-07 ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド 半導体基板の平坦化方法
JP2790163B2 (ja) * 1993-07-29 1998-08-27 富士通株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びフラットディスプレイ装置の製造方法
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5403617A (en) * 1993-09-15 1995-04-04 Mobium Enterprises Corporation Hybrid pulsed valve for thin film coating and method
US5410806A (en) * 1993-09-15 1995-05-02 Lsi Logic Corporation Method for fabricating conductive epoxy grid array semiconductors packages
JPH07122475A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Toshiba Corp レジスト塗布装置
TW417034B (en) * 1993-11-24 2001-01-01 Canon Kk Color filter, method for manufacturing it, and liquid crystal panel
JP2860869B2 (ja) * 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3017912B2 (ja) * 1993-12-13 2000-03-13 シャープ株式会社 液晶表示装置用電極基板及び液晶表示装置
JP2950156B2 (ja) 1993-12-24 1999-09-20 日本板硝子株式会社 液晶表示装置用基板の製造方法
JP3009581B2 (ja) 1993-12-27 2000-02-14 富士チタン工業株式会社 導電性塗料
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JP2929260B2 (ja) 1993-12-31 1999-08-03 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
US5399390A (en) * 1994-01-27 1995-03-21 Motorola, Inc. Liquid crystal display with polymeric substrate
ATE207620T1 (de) 1994-01-28 2001-11-15 Canon Kk Farbfilter, verfahren zu seiner herstellung, und flüssigkristalltafel
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3517934B2 (ja) 1994-03-24 2004-04-12 昭和電工株式会社 シリコン膜の形成方法
JP3484815B2 (ja) * 1994-05-09 2004-01-06 昭和電工株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
IL110318A (en) * 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
JPH081065A (ja) * 1994-06-23 1996-01-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 表面処理装置
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
JP2907318B2 (ja) 1994-09-09 1999-06-21 日本板硝子株式会社 電極埋設基板及びその製造方法
US5935331A (en) * 1994-09-09 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming films
US5665857A (en) * 1994-09-12 1997-09-09 Motorola Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3431700B2 (ja) * 1994-11-14 2003-07-28 理想科学工業株式会社 孔版印刷用原紙の製版方法及び製版装置
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5610932A (en) 1995-01-25 1997-03-11 Physical Sciences, Inc. Solid state dye laser host
JP3208638B2 (ja) 1995-01-31 2001-09-17 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法
TW334474B (en) * 1995-02-01 1998-06-21 Sumitomo Kagaku Kk Method for making a polymeric fluorescent substrate and organic electrolumninescent element
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
KR100303134B1 (ko) * 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
JP3124722B2 (ja) 1995-07-31 2001-01-15 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5652019A (en) * 1995-10-10 1997-07-29 Rockwell International Corporation Method for producing resistive gradients on substrates and articles produced thereby
JPH09123513A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Fuji Xerox Co Ltd 導電性高分子薄膜及びその製造方法、導電性高分子薄 膜の駆動方法並びに画像形成方法及び画像形成装置
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
JP3102324B2 (ja) 1995-11-14 2000-10-23 富士ゼロックス株式会社 インクジェットプリントヘッド、インクジェットプリンタおよびインクジェットプリントヘッドのメンテナンス方法
US5866471A (en) * 1995-12-26 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming semiconductor thin film and method of fabricating solar cell
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
DE69700945T2 (de) * 1996-04-17 2000-07-20 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zur herstellung einer gesinterten struktur auf einem substrat
EP1450412A3 (en) * 1996-05-15 2005-03-09 Seiko Epson Corporation Thin film device and method for making
JP3268426B2 (ja) 1996-05-27 2002-03-25 矢崎総業株式会社 吸収冷温水機の溶液循環ポンプの故障予知制御方法
US5779799A (en) * 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US6104311A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Addison Technologies Information storage and identification tag
US20020075422A1 (en) * 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP0880306A4 (en) * 1996-11-27 2000-07-05 Tdk Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
GB9701680D0 (en) * 1997-01-28 1997-03-19 Cambridge Display Tech Ltd Viscosity modification of precursor solutions
US5972419A (en) * 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
GB9718516D0 (en) * 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JP4348746B2 (ja) * 1998-02-18 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 機能素子、発光素子、光学デバイス、及び機能素子の製造方法
US6137221A (en) * 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
TW486824B (en) * 1999-03-30 2002-05-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing thin-film transistor
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6326692B1 (en) * 2000-02-23 2001-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. Insulating and capping structure with preservation of the low dielectric constant of the insulating layer
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
JP3815269B2 (ja) * 2000-07-07 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
EP1386358A1 (en) * 2001-04-26 2004-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7316983B2 (en) 2001-12-12 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US7763320B2 (en) 2001-12-12 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US7118943B2 (en) 2002-04-22 2006-10-10 Seiko Epson Corporation Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment

Also Published As

Publication number Publication date
US20020179906A1 (en) 2002-12-05
EP0855614A1 (en) 1998-07-29
CN1529344A (zh) 2004-09-15
US7229859B2 (en) 2007-06-12
KR20040089747A (ko) 2004-10-21
US5989945A (en) 1999-11-23
JP3876994B2 (ja) 2007-02-07
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EP1450412A2 (en) 2004-08-25
CN1194697A (zh) 1998-09-30
KR19990028928A (ko) 1999-04-15
KR100479000B1 (ko) 2005-08-01
CN1529350A (zh) 2004-09-15
JP2004318165A (ja) 2004-11-11
JP4515809B2 (ja) 2010-08-04
US6593591B2 (en) 2003-07-15
US20030134519A1 (en) 2003-07-17
KR20040097231A (ko) 2004-11-17
US20020100908A1 (en) 2002-08-01
EP0855614A4 (en) 2001-12-19
WO1997043689A1 (en) 1997-11-20
US20020074547A1 (en) 2002-06-20
KR100512670B1 (ko) 2005-09-07
EP1445793A2 (en) 2004-08-11
CN1169015C (zh) 2004-09-29
US7067337B2 (en) 2006-06-27
JP3725169B2 (ja) 2005-12-07
EP1450412A3 (en) 2005-03-09
KR100516316B1 (ko) 2005-09-23

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