JPS62295028A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は液晶表示素子に関し、更に詳しくは配向膜を改
良した液晶表示素子に関する。

（従来の技術） 従来、液晶表示素子の配向膜（液晶分子を基板に対し水
平方向に配向せしめる膜）としては有機シラン化合物、
二塩基性カルボン酸クロム錯体、ポリビニルアルコール
、ポリオキシエチレン、芳香族ポリアミド、ポリイミド
などが用いられる。

中でも作業性、耐熱性に優れたポリイミド前駆体あるい
はポリイミドは広く使用され、その溶液を基板上に塗布
し溶剤を除去した後膜表面を布等で一定方向に擦るラビ
ング処理を施して形成される。

なおポリイミド前駆体は必要に応じて２００〜４００℃
の温度下に熱処理してポリイミド膜を形成した後ラビン
グ処理が施される。

特開昭５４−１０１３３８号公報には配向特性を一改良
するため芳香族ポリマーに金属酸化物が混合された配向
膜を備えた液晶表示素子が開示されている。

（発明が解決しようとする問題点） ポリイミド前駆体あるいはポリイミドの配向膜を使った
液晶表示素子においては、液晶駆動波形の非対称性ある
いは外部の静電気の影響によってコントラスト、視野角
などの表示異常が発生する。

この異常現象の原因は高い体積抵抗率（ｌＱ１５Ω・ｃ
ｍ以上）を持つ配向膜にあり、配向膜の帯電量に二次元
分布があるため液晶印加電圧が局所的に変わり、その結
果、局所的な表示異常現象が発生する。

ポリイミド前駆体あるいはポリイミドに金属酸化物が混
合された配向膜を備えた液晶表示素子では、前述の表示
異常が多少改善されるが、金属酸化物を有機金属化合物
の熱処理によって得るため工程数が多くなるという欠点
がめった。

特にカラー液晶表示素子ではカラー表示するため対向基
板側に赤（Ｒ）、青（Ｂ）および緑（Ｇ）のカラーフィ
ルターを設けてあり、高温下での熱処理によりＲ，Ｂお
よびＧの変色あるいは減色が発生し実用的なカラー液晶
表示素子が得られない欠点があった。

本発明は以上のような問題点に鑑みなされたものであり
、工程数が少なく、またカラーフィルターの変色あるい
は減色が発生せず、ざらにポリイミド前駆体あるいはポ
リイミドの優れた配向特性およびその他の特性を損うこ
となく、体積抵抗率を低下させた配向膜を具備した液晶
表示素子を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明は液晶表示素子において、下記（Ａ）式で表わさ
れる繰返し構造単位からなるポリイミド前駆体 （Ｚｌは少なくとも２個の炭素原子を”有￥葛４価の有
機基およびＺｌは２価の有機基を表わす）あるいは下記
ＣＢ）式で表わされる繰返し構造単位からなるポリイミ
ド （Ｚｌは少なくとも２個の炭素原子を有する４価の有機
基およびＺｌは２価の有機基を表わす）と、金属粉末及
び／又は導電性有機化合物を混合した配向膜を具備した
ことを特徴とする液晶表示素子である。

本発明の液晶表示素子は一般に知られている液晶表示素
子であってその配向膜が前記の重合体組成物から構成さ
れていればそれらすべての液晶表示素子を含むものであ
る。すなわち、例えば基板、透明導電膜、スイッチ要素
、接着剤および液晶などより構成される形態は格別、限
定されず、またそれらの材料の種類等にも限定されるも
ので、はない。

本発明に用いられる配向膜を構成するポリイミド前駆体
は後述するテトラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物
とを重合反応させて得られる。このテトラカルボン酸二
無水物は次式 （式中、Ｚｌは少なくとも２（ｌｉｉｔの炭素原子を有
する４価の有機基を表わす）で示される化合物である。

この化合物の具体例としてはピロメリット酸二無水物、
２．２’　、３．３’　−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３．３’　、４．４’　−ジフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２，２−ビス（３’　、４’　−
ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２−ビ
ス（３’　、４’　−ジカルボキシフェニル）へキサフ
ロロブロバンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）−スルホンニ無水物、３．３’　、４．４’　
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３
，４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水物、２゜
３．６．７−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、１
，２，５．６−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水
物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸
二無水物、シクロオクタ−１，５−ジエンテトラカルボ
ン駿二無水物、式 ％式％ （ｎは１〜１０の整数である） Ｑ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０で示さ
れるテトラカルボン酸二無水物、ｍ−およびｐ−フェニ
レンビス（コハク酸無水物）、ｍ−およびｐ−フェニレ
ンビス（グルタル酸無水物）などが挙げられ、これらの
化合物は１種もしくは２種以上の混合系で使用される。

ジアミノ化合物は次式 ％式％ （式中７２は前記と同義である） で示される化合物である。この化合物の具体例としては
、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン
、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、
オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカ
メチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、２，１１
−ジアミノドデカン、１，２−ビス（３′−７ミノブロ
ボキシ）エタン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、ピ
ペラジン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジ
アミン、２，４−ジアミノトルエン、４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルメ
タン、３，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３．４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４゜４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４′−ジアミノジフエニルスルホン、３，３′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、２．２−ビス（４′−アミノフェニル）プロ
パン、４，４′−ジアミノ、ジフェニルケトン、３，３
′−ジアミノジフェニルケトン、３，４′−ジアミノジ
フェニルケトン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリ
レンジアミン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタ
ン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）エーテル、ビス
（４−アミノシクロヘキシル）スルホン、ビス（４−ア
ミノシクロヘキシル）ケトン、１．３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１゜４−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、２゜２−ビス（３′−アミノフェノキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（４′−アミノフ
ェノキシフェニル）プロパン、４．４’−ビス（３−ア
ミノフエノキシ）ジフェニル、４．４’−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ジフェニル、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン、１．３−ビス（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル）ケトン、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニルフケトン、ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、９．９−
ビス（４−７ミノフエニル）アントラセン０Φ、９．９
−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４．４′−
ジアミノ−ｐ−ターフェニル、４，４′−ベンジジン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルフェーテ
ル、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニルフェ
ーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
ツメタン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ルツメタン、 ＣＨｓ　　　ＣＨｓ ８２Ｎ−（ＣＨ２）３　８１０−８１　　（ＣＨ２）３
ＮＨ２ＣＨｓ　　　ＣＨａ ＣＨａ　　　ＣＨ３ Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）４−８　Ｉ　−０−８ｌ　　（ＣＨ
２）ａ　　ＮＨ２ＣＨａ　　　ＣＨａ ＣＨａ　　　ＣＨｓ ＣＨ３ＣＨｓ ＣＨｓ　　　　　　ＣＨｓ ＣＨ３ＣＨａ が挙げられ、これらの化合物は１種もしくは２種以上の
混合系で使用される。またこれらの化合物において炭素
原子に結合した水素原子が塩素原子、臭素原子、フッソ
原子、メチル基、メトキシ基で置換された化合物も使用
することができる。

通常ポリイミド前駆体は有機溶剤を用いる溶液法による
重合反応で得られる。このとき用いる有機溶剤の具体例
としてはＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
　、Ｎ’−テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド、スルホランなどの極性溶剤を使用し、その使用
量はポリイミド前駆体濃度が５〜４５重量％好ましくは
１０〜３０１１％の範囲である。このポリイミド前駆体
の製造には公知の方法を適用すればよい−。すなわち有
機溶剤中にテトラカルボン酸二無水物を懸濁おるいは溶
解せしめ、次にジアミノ化合物あるいはその溶液を添加
して、−２０〜９０℃の温度範囲、好ましくは一１０〜
６０℃の温度範囲で反応させる。この反応においてテト
ラカルボン酸二無水物の使用量はジアミノ化合物に対し
等モルでおることが好ましいが１０モル％以下の範囲で
過剰あるいは不足する凸で使用することも可能である。

本発明においてポリイミド前駆体には、例えば東し■型
開品名“セミコファイン″、日本合成ゴム■製配向膜“
ＪＰＡあるいはＪＰＢ”などを用いることも含まれる。

本発明に使用する金属粉末及び／又は導電性有機化合物
はポリイミド前駆体あるいはポリイミド配向膜の体積抵
抗率を下げることを目的とするものであり、かかる効果
を発揮する化合物であれば特に限定されるものではない
。金属粉末の具体例としてはＺｎ、ｉ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ａ
ｕ、Ａｇ。

Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｏｒ、Ｇｏ、Ｃｄ。

Ｐｂ、Ｐｔ、Ｐｃｊ、Ｍ（Ｊ、Ｍｎ、Ｍｏ、−Ｎ−ｉ−
。

Ｚｒ、Ｔａなどの粉末およびこれら金属あるいは金属化
合物の超微粒子を含有する物質、例えば染料５ｐｉｒｉ
ｔ　Ｂｌａｃｋ＃　９２０　（住友化学社製商品名）等
が挙げられる。導電性有機化合物としては例えばＮＭＰ
−ＴＣＮＱ　（Ｎ−メチルツェナジニウム−テトラシア
ノキノジメタン）錯体、およびＴＴＦ体のその他の具体
例については日本化学会場「化学総説Ｎ０４２伝導性低
次元物質の化学」学会出版センター（１９Ｂ３）に開示
されている。またこれら金属粉末あるいは導電性有機化
合物をポリイミド前駆体あるいはポリイミド溶液に配合
したとき不溶性である場合、沈澱が出しる。これを防止
し溶液に均一に分散させるために金属粉末あるいは導電
性有機化合物の粒径は０．５盟以下、好ましくは０．３
４以下である。これら金属粉末あるいは導電性有機化合
物は１種あるいは２種以上混合して使用することができ
る。

本発明に用いる金属粉末あるいは導電性有機化合物の配
合量はポリイミド前駆体あるいはポリイミド固形分１０
０重量部に対し０．０５〜６０１１部の範囲、好ましく
は０．１〜４０重量部の範囲である。

金属粉末あるいは導電性有機化合物が０．０５重置部以
下では得られるポリイミド前駆体あるいはポリイミド配
向膜の体積抵抗率は１０１５Ω・ｃｍより大きな値を示
し、一方６０重量部を超えて使用すれば得られる配向膜
は脆く実用に適さない。

本発明において金属粉末あるいは導電性有機化合物をポ
リイミド前駆体あるいはポリイミドに配合する方法には
特に制限がなく、ポリイミド前駆体あるいはポリイミド
溶液に金属粉末あるいは導電性有機化合物を添加して均
一に分散あるいは溶解せしめる方法、ポリイミド前駆体
溶液あるいはポリイミド溶液に金属粉末あるいは導電性
有機化合物の均一分散液あるいは溶液を混合する方法、
さらには両者の濃厚液をロールで混練した後、所定の濃
度に希釈する方法等が採用される。

本発明のポリイミド配向膜はポリイミド前肩体配向膜を
基板に塗布１２００〜３５０℃の温度下に熱処理して得
られる。これ以外に前記出発原料を適当に選択すること
により有機溶剤に可溶なポリイミドを製造することが可
能である。かかるポリイミドを用いる場合、ポリイミド
前駆体の場合と同様、ポリイミド溶液に金属粉末あるい
は導電性有機化合物を配合することができる。このよう
な可溶性ポリイミド溶液の製造法は特に限定されない。

通常はポリイミド前駆体溶液を無水酢酸およびトリエチ
ルアミンを添加して所定の温度および時間処理すること
によりポリイミドを製造し、そのままポリイミド溶液と
して用いることができる。またこのようにして得たポリ
イミド溶液をメタノールなどの貧溶剤から一度分離、精
製し、再度有機溶剤に溶解せしめ所定の濃度のポリイミ
ド溶液とすることができる。さらに可溶性ポリイミドと
しては市販のポリイミド溶液、例えば日本合成ゴム■商
品名配向膜用ポリイミド溶液ＪＩＡ、ＪＩＢシリーズを
用いることも可能である。

本発明に係る配向膜の厚さは通常５０Ａ−２２，、□で
ある。この厚さは前記の範囲を外れる場合には加工性、
配向性能、光の透過性が劣る傾向にあり望ましくない。

好ましくは１００人〜０．２−である。

また配向膜を得る方法は特に限定されず、配向膜を基板
上に設ける方法としては金属あるいは導電性有機化合物
を配合したポリイミド前駆体あるいはポリイミド溶液を
バー塗布法、スピンナー塗布法、スプレー塗布法、浸漬
法、刷毛塗り法、スクリーン印刷法等により基板に塗布
した後、乾燥させて、あるいは必要に応じて更にその後
所定の硬化条件下に硬化して配向膜が形成される。

本発明の液晶表示素子に封入する液晶としてはビフェニ
ル型液晶、シッフ塩型液晶、エステル型液晶、シクロヘ
キザン型液晶、アゾキシ型液晶、ジオキサン型液晶、ピ
リミジン型液晶、ビフェニルシクロヘキサン型液晶、ざ
らには強誘電性液晶等を挙げることができ、これらの液
晶は２種以上組合わせて用いる。

本発明の液晶表示素子の製造方法について説明する。前
記したポリイミド前駆体あるい−は′ポリイミドを前記
した有機溶剤に溶解する。この溶液の濃度は、通常０．
５〜３０重量％となるようｉｌｌ製される。この範囲を
外れる場合には、基板への塗膜性が悪くなり平滑な好ま
しい膜厚の配向膜が得られず望ましくない。好ましくは
１〜２０重合％である。

次にこの溶液に所定口の金属粉末あるいは導電性有機化
合物を添加し、均一溶液あるいは均一な分散液を調整す
る。この溶液をあるいは分散液を酸化インジウム等の透
明導電性膜、薄膜トランジスターなどを有する基板に塗
布し８０〜２００℃の温度下で加熱乾燥した後ラビング
処理して配向膜を作成する。なおポリイミド前駆体を用
いた場合、必要に応じて２５０〜４００℃の温度で硬化
した後ラビング処理して配向膜を作成する。また配向膜
と基板との接着性を改善するために、アミノシラン、エ
ポキシシラン、ビニルシランなとのシランカップリング
剤：チタネートカップリング剤を前記した溶液に適宜配
合してもよい。

つぎに、このようにして形成した配向膜を有する２枚の
基板を対向させて平行に配置し１８．そ、の間に液晶を
封入して本発明の液晶表示素子を得る。

なお、本発明の液晶表示素子は常法によりカラー表示と
することも可能である。

（作　用） 本発明に用いた金属粉末あるいは導電性有機化合物を混
合した配向膜の体積抵抗率は１０１５Ω・ｃｍから１Ｑ
１０Ω・ｃｔｔｔの範囲まで混合量に応じて自由に変え
ることが出来る。また上記体積抵抗率の範囲内では、液
晶の配向特性およびその他の特性を損うことはなかった
。

本発明の液晶表示素子は駆動電圧の非対称性あるいは外
部の静電気の影響による異常表示に強く、配向膜の体積
抵抗率の低下が帯電」の減少あるいは電荷の不均一分布
を減少させる作用があることが分った。

このような効果は、配向膜の電気抵抗が下がることによ
って、液晶−配向膜界面に電荷が蓄まろうとしても、あ
るいは分布が不均一になろうとしても、電気抵抗の小さ
い配向膜（以降低抵抗配向膜と呼ぶ）を通して表示電極
ＩＴＯに電荷が逃げてしまうことに起因する。

（実施例） 次に本発明の液晶表示素子の製法を図面を参照して説明
する。

実施例１ 第１図は本発明の低抵抗配向膜を用いた液晶表示素子の
縦断面図であり、第２図は従来の配向膜の場合である。

第２図において、透明ガラス基板ω上に透明導電膜■を
堆積し、続いて日本合成ゴム製配向膜“ＪＩＢ”（ポリ
イミド）（イ）を７００人の厚さで塗布する。１５０℃
の熱処理を施し、セルギャップ８−の液晶セルを組立て
る。この時の配向膜の体積抵抗率はおよそ２Ｘ１０１６
Ω・ｃｍであった。セルに注入する液晶はＥ、）ｌｅｒ
Ｃｋ社製Ｚ　Ｌ　Ｉ　−１９５７−５のＴＮ−ＦＥＭ形
液晶である。駆動回路は３２Ｈｚの方形波を発生、一方
の電極に対して、他方は±３■の電圧が印加される。

このような状態で液晶を表示駆動すると、時間経過する
につれて、配向膜一液晶界面に１うα（Φ）あるいはマ
イナス（ｅ）の電荷が不均一に分布し始める。この原因
は、方形波が完全な非対称でないこと、配向膜の厚さが
均一でないこと、更に外部より静電気が印加されること
などである。

しかしながら液晶セル全体でみれば電荷の総和は零であ
る。このように電荷が局在した液晶表示素子は、局所的
な電界の非対称が生じ、液晶分子が完全に立上らないあ
るいはイオン蓄積による液晶劣化などを引起し、不均一
な表示が現れる。

これに対して第１図は配向膜を低抵抗化したものであり
、“’ＪＩＢ”配向膜に導電性化合物５ｐｉｒｉｔ　Ｂ
ｌａｃｋ＃　９２０　（商品名、住友化学社製）を混合
した配向膜を使用した。具体的には０．８８グラムのポ
リイミドを含むｐ−ブチロラクトン２２グラムに＃９２
０を０．４グラム溶かした配向膜てあり、空温における
体積抵抗率はおよそ２Ｘ１０１１Ω・ＣＩＩｔである。

配向膜は７００人の厚さで塗布１．１５０℃、３０分間
熱処理した。他の条件、材料は第２図と同じである。

同じ様に３２Ｈ２でＩ３Ｖの方形波で１・万時−間以上
の表示実験を行ったが表示の不均一性は全く観察されな
かった。この原因は配向膜の抵抗が５桁下がったことに
よって電荷の不均一分布が起°こらなくなったためであ
る。

次にポリイミド前駆体配向膜日立化成製゛ｐ　ＩＸ　−
１４００”を使って同様の実験を行った。

配向膜の熱処理温度は３００℃、１時間であり、＃９２
０導電性化合物を混合したものの体積抵抗率は５ｘ１０
１０Ωφｃｍ、これに対して混合しないものは５　ｘ　
１０１５Ω”　ｃｔｒｒであった。

同様に１万時間の連続表示実験の結果、本発明による液
晶表示素子は異常表示が全く観察されなかった。

第３図は表示面積０．２５　ｃｉ　（０，５ＣＩ！ｉＸ
　０．５ＣＩ！１）、セルギャップ８朗Ｚ　Ｌ　Ｉ　−
１９７５−５液晶セル１００個の表示の経時変化である
。セルの表示電極に印加する電圧は一方の電極に対して
他方の電極には＋４Ｖ、−２Ｖの方形波を印加した。こ
れは強制的に駆動電圧の非対称を発生させたものであり
、駆動電圧の実効値は３．０Ｖであるが、平均値は一方
の電極が他方に対して１．ＯＶ高い状態、すなわち直流
が印加された駆動になっている。このような駆動におけ
る低抵抗配向膜液晶素子と、従来の高抵抗素子との表示
異常の発生数の経時変化を第３図に示す。

従来形の液晶素子では１０時間以内に表示異常セルが現
れる。異常の内容はコントラストの不均一であり、液晶
への実効電圧が２．５ｖではなくなったためである。５
００時間（２０日間）を経過すると、従来形配向膜液晶
セルの約半数は異常表示が坦れ、５．０００時間後には
ほとんど全てがだめになってしまう。

これに対して低抵抗配向膜液晶素子は１　、０００時間
までは何の異常もなく　１０．０００時間後においても
異常セルはわずか５個であった。配向膜の膜厚分布はど
ちらのセルも７００人±２００人とバラツキが大きかっ
たが、このような膜厚の不均一性に起因する異常表示に
も本発明低抵抗配向膜液晶素子は強いことが分る。

配向膜の体積抵抗率の最適値は、液晶−の抵抗率、セル
の厚さ、配向膜の厚さ、駆動波形の非対称性等によって
変ってくる。一応の目安として液晶の時定数（〜体積抵
抗率Ｘ比誘電率）の１０，０００倍の時定数になる配向
膜の体積抵抗値が上限の値であり、下限の値は液晶の体
積抵抗値である。しかしながら、駆動波形の非対称が大
きくなるにつれて体積抵抗は小さくした方が良く、１．
０Ｖ程度の直流成分が予想される液晶表示素子では１０
１１Ω・ｃｍ程度の低抵抗化が要求される。

本発明の他の実施例として非晶質シリコン薄膜トランジ
スタ（ａ−３ｉ　ＴＦＴ）をスイッチング素子に用いた
アクティブマトリックス駆動方式の液晶、表示素子（ａ
−３ｉ　ＴＦＴ−Ｌ（１−））用の配向膜にも、本発明
低抵抗配向膜は有効でおる。特に、ａ−３ｉ　ＴＦＴ−
Ｌ（ｔ）においては、液晶を完全な交流で（平均値ＯＶ
）駆動することは難しい。理由は、液晶容量だけでなく
、ａ−３ｉ　ＴＦＴに浮遊客員があるため、液晶の駆動
電圧波形が程度の差こそあれ、非対称になってしまう。

そのため従来の高抵抗配向膜を用いた素子では、数時間
もたてば必−ず１表示に異常が発生する。１．０Ｖのア
ンバランスの動作状態でも１　、０００時間は、表示に
全く異常は見られなかった。実際のアンバランス電圧は
ｉ、ｏｖ以下であり、ａ−３ｉ　ＴＦＴ−Ｌ（ｈ）にお
いても１０，０００時間のライフが実現出来た。

アクティブマトリクス方式あるいは先の実施例の液晶素
子において、スイッチング素子が形成されている基板（
アレイ基板）あるいは、一方の基板にのみ本発明の低抵
抗配向膜を塗布し他方の基板には従来の高抵抗配向膜を
塗布して液晶セルを作成しても、本発明と同様の効果が
得られる。

実施例２ １．４−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンゼン１．０
モルと３．３’　、４．４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物０．５モルおよびピロメリット酸二無
水物０．５モルをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド中でＯ
′Ｃで４時間反応させ固有粘度１．７のポリイミド前駆
体溶液を得た。次にこのポリイミド前駆体濃度が５重量
％のＮ、Ｎ−ジメチルアミド溶液２００　（ｊに平均粒
径ｏ、ｉｐの鉄の微粉末ｏ、ｉｇを配合して配向膜溶液
を調整した。この溶液を電極が形成されているガラス基
板上にスピンナーを用いて塗布し１５０℃で６０分間２
５０℃で６０分間熱処理し膜厚８００人の皮膜を形成し
た。この皮膜の体積抵抗率は３×七Ω・ｃｍであった。

皮膜表面をネル布で一定方向にこすってラビング処理を
行い液晶セルを組立て実施例１と同様にして液晶を注入
し、液晶の配向特性を調べた結果±３■の印加電圧で良
好な結果を得た。

実施例３ 実施例２で得たポリイミド前駆体溶液を用いてポリイミ
ド前駆体濃度４重量％のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
溶液２００９をＥ！した。次にこの溶液にＴＴＦ−ＴＣ
ＮＱ錯体１ｇを添加し湿空でＴＴＦ−ＴＣＮＱが飽和に
溶解したポリイミド前駆体溶液を得た。この溶液に実施
例２と同様にして基板上に膜厚７００人の皮膜を形成し
この膜の体積抵抗率を測定した結果８．３Ｘ　１０１２
Ω・ｏｎであった。又実施例２と同様に液晶セルを組立
て液晶の配向特性を調べたところ±３ｖの印加電圧で良
好な結果を得た。

〔発明の効果〕

本発明の低抵抗配向膜を塗布した液晶表示素子は液晶駆
動電圧波形の非対称性、あるいは配向膜の膜厚分布の不
均一性などに起因する電荷の蓄積を防止出来るために、
経時試験による異常表示の発生を防ぐことが出来る。ま
た、低抵抗配向膜はポリイミド前駆体あるいはポリイミ
ド配向膜と同等の配向特性、塗布性能、そして液晶に対
する信頼性を示している。

【図面の簡単な説明】 第１図、第２図は本発明による液晶表示素子と従来抵抗
配向膜使用液晶表示素子の縦断面図を示している。第３
図は各セルの経時変化を示したものである。 ■・・・透明ガラス基板　　■・・・透明導電膜■・・
・低抵抗配向膜　　　に）・・・従来形配向膜■・・・
液晶 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男 第１図 １／２−一一一一一一一一一一一一一 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶表示素子において、下記（Ａ）式で表わされ
   る繰返し構造単位からなるポリイミド前駆体（Ａ）▲数
   式、化学式、表等があります▼ （Ｚ＿１は少なくとも２個の炭素原子を有する４価の有
   機基およびＺ＿２は２価の有機基を表わす）あるいは下
   記（Ｂ）式で表わされる繰返し構造単位からなるポリイ
   ミド ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｚ＿１は少なくとも２個の炭素原子を有する４価の有
   機基およびＺ＿２は２価の有機基を表わす）と、金属粉
   末及び／又は導電性有機化合物を混合した配向膜を具備
   したことを特徴とする液晶表示素子
2. （２）前記金属粉末の平均粒径が０．５μｍ以下である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
   素子