JPS6228713A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPS6228713A JPS6228713A JP16759785A JP16759785A JPS6228713A JP S6228713 A JPS6228713 A JP S6228713A JP 16759785 A JP16759785 A JP 16759785A JP 16759785 A JP16759785 A JP 16759785A JP S6228713 A JPS6228713 A JP S6228713A
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- ferroelectric liquid
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- films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配向性とメモリー性を備えた強誘電性液晶素子
に関する。
に関する。
従来１時計や電卓等に用いられて液晶素子はネマチック
液晶をねじれ構造にしたツィステッドネマチック（ＴＮ
）モードによる表示が主流である。
液晶をねじれ構造にしたツィステッドネマチック（ＴＮ
）モードによる表示が主流である。
このモードの応答速度は、現状では２０ミリ秒が限度で
ある。一方、スメクチック液晶を用いて表示する試みも
盛んになりつつあり、特にスメクチックＣ１液晶やスメ
クチックＨ８相を有する液晶は強誘電性を示すことから
、マイヤー等〔ジュルナル、ド、フイジーク（Ｊ 、
ｄ ｅ ＊ ｐｈｙｓ）王立、Ｌ６９ 、１９７５年）
の発見以来、注目を集め、また、クラーク等により報告
された〔アプライド、フィジカル、レターズ（Ａｐｐｌ
、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ） ３６ 。
ある。一方、スメクチック液晶を用いて表示する試みも
盛んになりつつあり、特にスメクチックＣ１液晶やスメ
クチックＨ８相を有する液晶は強誘電性を示すことから
、マイヤー等〔ジュルナル、ド、フイジーク（Ｊ 、
ｄ ｅ ＊ ｐｈｙｓ）王立、Ｌ６９ 、１９７５年）
の発見以来、注目を集め、また、クラーク等により報告
された〔アプライド、フィジカル、レターズ（Ａｐｐｌ
、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ） ３６ 。
８９９．１９８０年〕如く、１ミリ秒以下の高速応答性
を示すことから、液晶の新たな応用分野を拓くものとし
て期待されている。
を示すことから、液晶の新たな応用分野を拓くものとし
て期待されている。
ところで、強誘電性菌素子においては、液晶分子を基板
面に平行なある優先方位にそろえて配列させ且つメモリ
ー性を発現させることが重要である。
面に平行なある優先方位にそろえて配列させ且つメモリ
ー性を発現させることが重要である。
まず従来から知られている強誘電性液晶の配向方法は１
強磁場の印加あるいはずり応力を加える方法などがある
。しかし、これらの方法は、生産プロセス上実用性が乏
しいと言える。また福田等はスペーサエツジからの配向
を提案している。
強磁場の印加あるいはずり応力を加える方法などがある
。しかし、これらの方法は、生産プロセス上実用性が乏
しいと言える。また福田等はスペーサエツジからの配向
を提案している。
（「自然」７月号、 １９８３年、又は「オプトロニク
ス」９月号、 ［８３年）。これも一様な配向を達成で
きる領域がエツジから１００μｍまでと狭いため、やは
り実用性に乏しい、他方、従来のネマチック液晶やコレ
ステリック液晶の配向制御に用いられているＳｉＯ斜方
蒸着（特公昭５４−１２０６７号）あるいは有機高分子
膜（特公昭５５−１０１８０号）を特定の方向に布等で
こするラビング法を用いても強誘電性液晶の一様な配向
が得られないという問題がある。
ス」９月号、 ［８３年）。これも一様な配向を達成で
きる領域がエツジから１００μｍまでと狭いため、やは
り実用性に乏しい、他方、従来のネマチック液晶やコレ
ステリック液晶の配向制御に用いられているＳｉＯ斜方
蒸着（特公昭５４−１２０６７号）あるいは有機高分子
膜（特公昭５５−１０１８０号）を特定の方向に布等で
こするラビング法を用いても強誘電性液晶の一様な配向
が得られないという問題がある。
一方、強誘電性液晶のメモリー性はエヌ、ニークラーク
、アンド、ニス、テイーラゲルヴアル（Ｎ 、 Ａ 、
Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ Ｓ、Ｔ、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ
ニアブライド フイジイツクス レターズＡｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、Ｌｓｔｔ。
、アンド、ニス、テイーラゲルヴアル（Ｎ 、 Ａ 、
Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ Ｓ、Ｔ、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ
ニアブライド フイジイツクス レターズＡｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、Ｌｓｔｔ。
３６ （１９８０） ８９９．特開昭５６−１０７２１
６号公報Ｕ Ｓ Ｐ４，３６７．９４２号等）らによっ
て提唱されるように、１μｍ程度と極めて薄くすること
で初めて達成されている。しかし、この様に薄いギャッ
プのものでは現状の技術で素子を生産することは不可能
である。
６号公報Ｕ Ｓ Ｐ４，３６７．９４２号等）らによっ
て提唱されるように、１μｍ程度と極めて薄くすること
で初めて達成されている。しかし、この様に薄いギャッ
プのものでは現状の技術で素子を生産することは不可能
である。
更に、強誘電性液晶素子の配向制御膜は、信頼性特性及
びプロセスを考慮すると高温処理よりも低温処理（１５
０’Ｃ以下）がのぞましく、要望視されている。
びプロセスを考慮すると高温処理よりも低温処理（１５
０’Ｃ以下）がのぞましく、要望視されている。
そこで、本発明者らは低温処理が可能で配向性及びメモ
リー性の良い配向制御膜を見いだす目的で種々の検討を
進めた結果、ポリイミド膜でも更にイミド化率を向上し
たある種のポリエステルイミド溶液を用いることにより
達成できることを見いだし、本発明に至ったものである
。
リー性の良い配向制御膜を見いだす目的で種々の検討を
進めた結果、ポリイミド膜でも更にイミド化率を向上し
たある種のポリエステルイミド溶液を用いることにより
達成できることを見いだし、本発明に至ったものである
。
本発明の目的は、強誘電性液晶（スメクチックＣ１液晶
を含む）の一様配向制御とメモリー性を発現した強誘電
性液晶素子を提供することにある。
を含む）の一様配向制御とメモリー性を発現した強誘電
性液晶素子を提供することにある。
本発明は基板、電界印加手段、配向制御層及び強誘電性
液晶層を包含する液晶素子において、該配向制御層が低
温処理型の可溶性ポリエーテルイミド溶液を塗布した高
分子膜で構成されることを特徴とする。即ち、強誘電性
液晶の配向性及びメモリー性を発現させるためには、液
晶分子が界面に対し平行で且つ面内では任意の方向を向
くようにするのが望ましい。特に、メモリー性について
は、強誘電性液′晶分子配向の双安定性により発現する
状態（ＯＮ、０ＦＦ）にあり、液晶分子が界面に平行に
なりやすい配向制御膜について、種々検討を行って本発
明に至ったものである。
液晶層を包含する液晶素子において、該配向制御層が低
温処理型の可溶性ポリエーテルイミド溶液を塗布した高
分子膜で構成されることを特徴とする。即ち、強誘電性
液晶の配向性及びメモリー性を発現させるためには、液
晶分子が界面に対し平行で且つ面内では任意の方向を向
くようにするのが望ましい。特に、メモリー性について
は、強誘電性液′晶分子配向の双安定性により発現する
状態（ＯＮ、０ＦＦ）にあり、液晶分子が界面に平行に
なりやすい配向制御膜について、種々検討を行って本発
明に至ったものである。
本発明に用いられる低温処理型の可溶性のポリエステル
イミド系の配向制御膜は、ジアミン化合物としては例え
ば４，４′−ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニル
エーテル、４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジ
フェニルエーテル、４．４′−ビス（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルベンゾフェノン、４，４′−ビス（ｍ
−アミノフェノキシ）ジフェニルベンゾフェノン、４゜
４′−ビス（Ｐ−アミノフェノキシジフェニルメタン、
４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルメ
タン、４，４′−ビス（ｍ−アミノフエイキシ）ジフェ
ニルスルホン、４，４′−ビス（ｍ−アミノフエイキシ
）ジフェニルスルホン、４．４′−ビス（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ジフェルニルプロパン、４，４′−ビス（ｍ
−アミノフエイキシ）ジフェニルプロパン、４，４′−
ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルプロパン、４
．４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルフロ
ロプロパン等が挙げられる。又、ジアミノシロキサンと
して下記化合物等が挙げられる。
イミド系の配向制御膜は、ジアミン化合物としては例え
ば４，４′−ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニル
エーテル、４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジ
フェニルエーテル、４．４′−ビス（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルベンゾフェノン、４，４′−ビス（ｍ
−アミノフェノキシ）ジフェニルベンゾフェノン、４゜
４′−ビス（Ｐ−アミノフェノキシジフェニルメタン、
４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルメ
タン、４，４′−ビス（ｍ−アミノフエイキシ）ジフェ
ニルスルホン、４，４′−ビス（ｍ−アミノフエイキシ
）ジフェニルスルホン、４．４′−ビス（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ジフェルニルプロパン、４，４′−ビス（ｍ
−アミノフエイキシ）ジフェニルプロパン、４，４′−
ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルプロパン、４
．４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルフロ
ロプロパン等が挙げられる。又、ジアミノシロキサンと
して下記化合物等が挙げられる。
ＣＨ３ＣＨ。
ＣＨ３ＣＨ。
ＣＩ＋ＨｓＣ，Ｈ。
ＣＨ，ＣＨ。
ＣＧＨ，Ｃ，Ｈ。
更に、重縮合させるもう一方のテトラカルボン酸二無水
物としては、例えばピロメリット酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、３．３’ 、４．４’ −ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３゜６．７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２．３，５．６−ピリジンテトラカルボン酸
二無水物、１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４′−ジスルホニルシフタル酸二無
水物等、一般のポリイミドの合成に使用される環状炭化
水素系テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
物としては、例えばピロメリット酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、３．３’ 、４．４’ −ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３゜６．７−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２．３，５．６−ピリジンテトラカルボン酸
二無水物、１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、３，４，９．１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４′−ジスルホニルシフタル酸二無
水物等、一般のポリイミドの合成に使用される環状炭化
水素系テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
更に前記で示したジアミン化合物に、既知のジアミン類
例えば４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４
′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド
等少量であれば併用させても良い。
例えば４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４
′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド
等少量であれば併用させても良い。
また、有機溶剤としては、クレゾール、クロルフェノー
ル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ。
ル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ。
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、キノ
リン、スルホラン塩化メチレン、塩化メチレン、シクロ
ヘキサノン等が挙げられる。配向制御膜に用いるポリエ
ステルイミド重縮合物は、ジアミン化合物、テトラカル
ボン酸二無水物をクレゾール等の溶剤を用いて、合成段
階でポリエステルイミド溶液にしてイミド化率を高めた
高分子膜である。更に、ポリマーの重合度を向上させる
目的で触媒等を用いても問題はない。
ミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、ピリジン、キノ
リン、スルホラン塩化メチレン、塩化メチレン、シクロ
ヘキサノン等が挙げられる。配向制御膜に用いるポリエ
ステルイミド重縮合物は、ジアミン化合物、テトラカル
ボン酸二無水物をクレゾール等の溶剤を用いて、合成段
階でポリエステルイミド溶液にしてイミド化率を高めた
高分子膜である。更に、ポリマーの重合度を向上させる
目的で触媒等を用いても問題はない。
更に、配向制御膜の密着性や信頼性等を向上させるには
、シランカップリング剤や電極の上層もしくは下層にＳ
ｉＯ２，ＡＱ２０３．Ｔｉｅ、等の膜及び混合膜を併用
させても良い。
、シランカップリング剤や電極の上層もしくは下層にＳ
ｉＯ２，ＡＱ２０３．Ｔｉｅ、等の膜及び混合膜を併用
させても良い。
本発明において、基板上にポリエステルイミド膜を設け
るためには、ポリエステルイミド溶液を刷毛塗り法、浸
積法７回転塗布法、スプレー法。
るためには、ポリエステルイミド溶液を刷毛塗り法、浸
積法７回転塗布法、スプレー法。
印刷法などにより塗布し、しかる後溶媒除去を行う。た
だし、被膜形成法はこれに限られるものではなく、蒸着
、スパッタリング等の公知薄膜形成技術を用いることも
可能である。ポリエステルイミド膜形成後、被膜面を布
等で一方向にラビングして配向制御膜を得る。
だし、被膜形成法はこれに限られるものではなく、蒸着
、スパッタリング等の公知薄膜形成技術を用いることも
可能である。ポリエステルイミド膜形成後、被膜面を布
等で一方向にラビングして配向制御膜を得る。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、下記に示す化合
物等種々知られている。
物等種々知られている。
ただし、上記は本発明に用いられる液晶化合物の一例を
示すもので本発明はこれらに限定するものではない。表
示モードとしては複屈折モード、ゲストホストモードの
いずれも使用することが可能である。とくに、ゲストホ
ストモードにおいてはゲストに二色性色素を用いること
ができる。
示すもので本発明はこれらに限定するものではない。表
示モードとしては複屈折モード、ゲストホストモードの
いずれも使用することが可能である。とくに、ゲストホ
ストモードにおいてはゲストに二色性色素を用いること
ができる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルエー
テル０．１モル、３．３’ 、４．４’−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物０．１ モルをクレゾールと
トルエン混合溶液中で加温して重縮合しポリエステルイ
ミド溶液を得る。更にメタノール中で沈殿させた後、塩
化メチレンに再溶解させたポリエステルイミド溶液を用
いて塗布後、８０℃で溶媒除去を行い膜を形成した。膜
厚は約２００人。２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラ
ビング後、ファイバーをスペーサーとして挟持して２．
８μｍギャップの液晶セルを組み立て、液晶を真空封入
した。強誘電性液晶材料としては、下記化合物を用いた
。
テル０．１モル、３．３’ 、４．４’−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物０．１ モルをクレゾールと
トルエン混合溶液中で加温して重縮合しポリエステルイ
ミド溶液を得る。更にメタノール中で沈殿させた後、塩
化メチレンに再溶解させたポリエステルイミド溶液を用
いて塗布後、８０℃で溶媒除去を行い膜を形成した。膜
厚は約２００人。２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラ
ビング後、ファイバーをスペーサーとして挟持して２．
８μｍギャップの液晶セルを組み立て、液晶を真空封入
した。強誘電性液晶材料としては、下記化合物を用いた
。
（結晶 スメクチックＣＩ′相１２３℃
コレステリック相 等労相）液晶封入後、配
向性とメモリー性の有無について調べ配向性については
、第２図に示す方法で２枚の偏光板を用いて、液晶素子
に一定の直流電圧（＋）、 （−）を印加した時の透
過光強度よりコントラスト比（ＣＲ）で調べた。また、
メモリー性については、印加電圧と素子の明るさの応答
との関係を第１図に示す。第１図（ａ）は素子に印加し
た電圧波形を表わし、第１図（ｂ）はそれぞれ実施例１
〜８をまた。第１図（ｃ）はそれぞれ比較例１〜３の測
定結果の一例である。
向性とメモリー性の有無について調べ配向性については
、第２図に示す方法で２枚の偏光板を用いて、液晶素子
に一定の直流電圧（＋）、 （−）を印加した時の透
過光強度よりコントラスト比（ＣＲ）で調べた。また、
メモリー性については、印加電圧と素子の明るさの応答
との関係を第１図に示す。第１図（ａ）は素子に印加し
た電圧波形を表わし、第１図（ｂ）はそれぞれ実施例１
〜８をまた。第１図（ｃ）はそれぞれ比較例１〜３の測
定結果の一例である。
従って、メモリー性は第１図（ｂ）に示すように印加電
圧がＯの時に２種の安定状態６及び７が存在することか
らメモリー性を有することを確認した。また、コントラ
スト比（ＣＲ）は４５０である。
圧がＯの時に２種の安定状態６及び７が存在することか
らメモリー性を有することを確認した。また、コントラ
スト比（ＣＲ）は４５０である。
実施例２
実施例１と同じポリエステルイミド溶液を用いて配向膜
形成を行い、下記に示す強誘電性液晶材料を封入後、 コレステリック相 等労相）液晶素子の配向
性とメモリー性の有無を調べた。
形成を行い、下記に示す強誘電性液晶材料を封入後、 コレステリック相 等労相）液晶素子の配向
性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：４００
実施例３
実施例１と同じポリエステルイミド溶液に、更にγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン０．１ｗｔ％を添加し
同様に配向膜形成を行い、下記に示す強誘電性液晶に２
色性色素３ ｗ ｔ％混入した材料を封入後、 （結晶−一一一一一つスメクチックＣＩ″相１２１℃ コレステリック相−一一一一一吟等方相）液晶素子の配
向性とメモリー性の有無を調べた。
ミノプロピルトリエトキシシラン０．１ｗｔ％を添加し
同様に配向膜形成を行い、下記に示す強誘電性液晶に２
色性色素３ ｗ ｔ％混入した材料を封入後、 （結晶−一一一一一つスメクチックＣＩ″相１２１℃ コレステリック相−一一一一一吟等方相）液晶素子の配
向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：３８０
実施例３
４．４′−ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルメタ
ン０．１ モル、ピロメリット酸二無水物０．０７
モル、３，３’ 、４．４’ −ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物０．０３ モルを用いて実施例１と
同様に合成し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに再溶解
した溶液を用いてポリエステルイミド膜を作成した。膜
厚は約１５０人。一方の基板の塗膜をそれぞれ布等でラ
ビング後、微粉末Ａｌ１粉等をスペーサーとして挟持し
て３μｍギャップの液晶セルを組み立て、液晶にて２色
性色素を２ｗｔ％混入した材料を真空封入した。強誘電
性液晶材料としては、下記に示す２成分混合組成物を用
いた。
ン０．１ モル、ピロメリット酸二無水物０．０７
モル、３，３’ 、４．４’ −ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物０．０３ モルを用いて実施例１と
同様に合成し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに再溶解
した溶液を用いてポリエステルイミド膜を作成した。膜
厚は約１５０人。一方の基板の塗膜をそれぞれ布等でラ
ビング後、微粉末Ａｌ１粉等をスペーサーとして挟持し
て３μｍギャップの液晶セルを組み立て、液晶にて２色
性色素を２ｗｔ％混入した材料を真空封入した。強誘電
性液晶材料としては、下記に示す２成分混合組成物を用
いた。
（結晶 スメクチックＣ″相１１８℃
コレステリック相□等方相）
その後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：３８０
実施例５
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン０．１ モル、ピロメリット酸二無水物０．０５モ
ル、３．３’ 、４．４’ −ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物０．０５モルを用いて実施例１と同様に合
成し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに再溶解したポリエ
ステルイミド溶液を用いてポリエステルイミド膜を作成
した。膜厚は１２０人、２枚の基板の塗膜をそれぞれ布
等でラビング後、ファイバーをスペーサーとして挟持し
て４．８ μｍギャップの液晶セルを組み立て、下記に
示す強誘電性液晶 コレステリックＡ相 等労相）を真空封入後
、配向性とメモリー性の有無を調べた。
ホン０．１ モル、ピロメリット酸二無水物０．０５モ
ル、３．３’ 、４．４’ −ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物０．０５モルを用いて実施例１と同様に合
成し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに再溶解したポリエ
ステルイミド溶液を用いてポリエステルイミド膜を作成
した。膜厚は１２０人、２枚の基板の塗膜をそれぞれ布
等でラビング後、ファイバーをスペーサーとして挟持し
て４．８ μｍギャップの液晶セルを組み立て、下記に
示す強誘電性液晶 コレステリックＡ相 等労相）を真空封入後
、配向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：４２０
実施例６
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルプロ
パン０．１ モル、３．３’ 、４．４’ −ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物０．１モルを用いて実
施例１と同様に合成し、Ｎ−メチル２−ピロリドンに再
溶解した溶液を用いて、ポリエステルイミド膜を作成し
た。膜厚は２５０人。
パン０．１ モル、３．３’ 、４．４’ −ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物０．１モルを用いて実
施例１と同様に合成し、Ｎ−メチル２−ピロリドンに再
溶解した溶液を用いて、ポリエステルイミド膜を作成し
た。膜厚は２５０人。
２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラビング後ファイバ
ーをスペーサーとして挟持して３．１μｍギャップの液
晶セルを組み立て、実施例４の強誘電性液晶を真空封入
後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
ーをスペーサーとして挟持して３．１μｍギャップの液
晶セルを組み立て、実施例４の強誘電性液晶を真空封入
後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：４５０
実施例７
電極の下層にＳｉＯ□膜を設けた基板に、実施例６のポ
リエステルイミド溶液を用いて同様に配向膜形成を行い
、４．３ μｍギャップの液晶セルを組み立て、実施例
５の強誘電性液晶を真空封入後、配向性とメモリー性の
有無を調べた。
リエステルイミド溶液を用いて同様に配向膜形成を行い
、４．３ μｍギャップの液晶セルを組み立て、実施例
５の強誘電性液晶を真空封入後、配向性とメモリー性の
有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：４２０
実施例８
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン０．０９５モル、ジアミノシロキサン化ＣＨ，ＣＨ
。
ホン０．０９５モル、ジアミノシロキサン化ＣＨ，ＣＨ
。
金物０．００５モル、ピロメリット酸二無水物０．０５
モル、３．３’ 、４．４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物０．０５ モルを用いて実施例１と同
様にポリイミド溶液を合成した。更に。
モル、３．３’ 、４．４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物０．０５ モルを用いて実施例１と同
様にポリイミド溶液を合成した。更に。
Ｎ−メチル−２−ピロリドンと塩化メチレンの混合溶媒
に再溶解した溶液を塗布後、１５０℃で溶媒除去を行い
、ポリエステルイミド膜を作成した。
に再溶解した溶液を塗布後、１５０℃で溶媒除去を行い
、ポリエステルイミド膜を作成した。
膜厚は２１０人。２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラ
ビング後、ファイバーをスペーサとして挟持して２．５
μｍギャップの溶晶セルを組み立て、実施例４の強誘
電性液晶に二色性色素ａｗｔ％混入した材料を真空封入
後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
ビング後、ファイバーをスペーサとして挟持して２．５
μｍギャップの溶晶セルを組み立て、実施例４の強誘
電性液晶に二色性色素ａｗｔ％混入した材料を真空封入
後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：有り
コントラスト比（ＣＲ）：４００
比較例１
４．４′−ジアミノジフェニルエーテル０．１モル、ピ
ロメリット酸二無水物０．１ モルをＮ −メチル−
２−ピロリドン溶液中で重縮合して、得られたポリアミ
ド酸ワニスを塗布後、２５０℃で加熱閉環反応させたポ
リイミド膜を用いた。膜厚は２００人。２枚の基板の塗
膜をそれぞれ布等でラビング後、ファイバーをスペーサ
として挟持して２．５ μｍギャップの液晶セルを組み
立て、実施例１の強誘電性液晶を真空封入後、配向性と
メモリー性の有無を調べた。
ロメリット酸二無水物０．１ モルをＮ −メチル−
２−ピロリドン溶液中で重縮合して、得られたポリアミ
ド酸ワニスを塗布後、２５０℃で加熱閉環反応させたポ
リイミド膜を用いた。膜厚は２００人。２枚の基板の塗
膜をそれぞれ布等でラビング後、ファイバーをスペーサ
として挟持して２．５ μｍギャップの液晶セルを組み
立て、実施例１の強誘電性液晶を真空封入後、配向性と
メモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：無し
コントラスト比（ＣＲ）：２８０
比較例２
４．４′−ジアミノジフェニルメタン０．１ モル、
４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．１
モルをＮ、Ｎ−ジメチアルセトアミド溶液中で重縮
合して、得られたポリアミド酸ワニスを塗布後、２００
℃で加熱閉環反応させたポリイミド膜を用いた。膜厚は
１５０人、２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラビング
後、ファイバーをスペーサとして挟持して２．２ μｍ
ギャップの液晶セルを組み立て、実施例３の強誘電性液
晶を真空封入後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．１
モルをＮ、Ｎ−ジメチアルセトアミド溶液中で重縮
合して、得られたポリアミド酸ワニスを塗布後、２００
℃で加熱閉環反応させたポリイミド膜を用いた。膜厚は
１５０人、２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラビング
後、ファイバーをスペーサとして挟持して２．２ μｍ
ギャップの液晶セルを組み立て、実施例３の強誘電性液
晶を真空封入後、配向性とメモリー性の有無を調べた。
メモリー性 ：無し
コントラスト比（ＣＲ）：２５０
比較例３
ｐ−フェニレンジアミン０．１ モル、３．３’ 。
４．４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物０
．１ モルをＮ−メチル−２−ピロリドン溶液中で重
縮合して、得られたポリアミド酸ワニスより塗布後、２
５０℃で加熱閉環反応させたポリイミド膜を用いた。膜
厚は１２０人。２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラビ
ング後、ファイバーをスペーサとして挟持して３．０
μｍギャップの液晶セルを組み立て、実施例４の強誘電
性液晶を真空封入後、配向性とメモリー性の有無を調べ
た。
．１ モルをＮ−メチル−２−ピロリドン溶液中で重
縮合して、得られたポリアミド酸ワニスより塗布後、２
５０℃で加熱閉環反応させたポリイミド膜を用いた。膜
厚は１２０人。２枚の基板の塗膜をそれぞれ布等でラビ
ング後、ファイバーをスペーサとして挟持して３．０
μｍギャップの液晶セルを組み立て、実施例４の強誘電
性液晶を真空封入後、配向性とメモリー性の有無を調べ
た。
メモリー性 ：無し
コントラスト比（ＣＲ）：２８０
〔発明の効果〕
本発明は、低温処理が可能な配向制御膜を有する強誘電
性液晶素子であり、一様配向制御及びメモリー性を発現
することから、現時点で困難視されている高解像度、大
画面のディスプレイを提供できるものである。
性液晶素子であり、一様配向制御及びメモリー性を発現
することから、現時点で困難視されている高解像度、大
画面のディスプレイを提供できるものである。
第１図は印加電圧と素子の明るさの応答特性を示す図、
第２図は透過光強度比の測定系略図である。 １・・・光源、２・・・偏光子、３・・・液晶素子、４
・・・検光子、５・・・光強度検出器。
第２図は透過光強度比の測定系略図である。 １・・・光源、２・・・偏光子、３・・・液晶素子、４
・・・検光子、５・・・光強度検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方は透光性の電極を有する基板間に、
スメクチックＣ＾＊液晶を介在して成る液晶素子におい
て、上記電極と液晶相の間に一方もしくは両方に低温処
理型の可溶性ポリイミド溶液から成る配向制御層を設け
たことを特徴とする強誘電性液晶素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、該可溶性ポリイミ
ド溶液は、ポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドシ
ロキサンであることを特徴とする強誘電性液晶素子。 ３、特許請求の範囲第２項において、低温処理型の該可
溶性ポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドシロキサ
ン溶液は下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （式中、ＸはＳＯ＿２、Ｏ、ＣＯ、ＣＨ＿２、Ｓ、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、Ｙはテトラカルボン酸二無水物残基、Ａ
ｒ＿１はアルキル基、アリール基、Ａｒ＿２はアルキレ
ン基又はアルキル基により置換されることもあるフェニ
レン基を示す） （ I ）または（ I ）＋（II）からなることを特徴とす
る強誘電性液晶素子。 ４、特許請求の範囲第３項において、該液晶素子はシラ
ンカップリング剤を含むことを特徴とする強誘電性液晶
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16759785A JPS6228713A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16759785A JPS6228713A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228713A true JPS6228713A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15852715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16759785A Pending JPS6228713A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228713A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05216043A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤および液晶表示素子 |
| JPH05216044A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤および液晶表示素子 |
| JPH05289086A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤及び液晶表示素子 |
| JPH06180448A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Canon Inc | 液晶素子 |
| CN108384002A (zh) * | 2017-02-03 | 2018-08-10 | 台虹科技股份有限公司 | 聚酰亚胺聚合物以及聚酰亚胺膜 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16759785A patent/JPS6228713A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05216043A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤および液晶表示素子 |
| JPH05216044A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤および液晶表示素子 |
| JPH05289086A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用配向剤及び液晶表示素子 |
| JPH06180448A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Canon Inc | 液晶素子 |
| CN108384002A (zh) * | 2017-02-03 | 2018-08-10 | 台虹科技股份有限公司 | 聚酰亚胺聚合物以及聚酰亚胺膜 |
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