JPH05150245A - 新規な液晶配向膜及びそれを用いた液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な配向性、双安定性と、大きなプレチル
ト角を提供し得る液晶配向膜を提供する。 【構成】 一般式（化１）： 【化１】 （Ａは四価の芳香族基、Ｂは二価の芳香族基であり、Ａ
及びＢの少なくとも一方はフッ素含有基で置換されてい
る）で表される構造単位をもつフッ素化ポリイミド系高
分子物質を包含する液晶配向膜。及びこれを配向制御膜
として用いた液晶素子。フッ素含有基はフッ素自体で
も、フッ素化アルキル基のようなフッ素化された基でも
よい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子における液晶
配向膜の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレーを始めとする液晶光学
素子においては、液晶を均一に配向させることが極めて
重要である。配向方法としては、ラビングした有機ポリ
マー薄膜が広く用いられてきた。最近、高品質ディスプ
レー技術の進歩に伴い、高分子配向膜に大きなプレチル
ト角を与えることが望まれるようになってきた。例え
ば、表示コントラストの高いＳＴＮ型では２７０度とい
う大きなねじれ角を実現するためにプレチルト角も大き
な値が必要とされている。また、強誘電性液晶を用いた
素子でいわゆるシェブロン構造を回避し、高いコントラ
ストを得るためにも大きなプレチルト角が必要である。
大きなプレチルト角を得る方法としては、ＳｉＯ斜方蒸
着膜を用いる方法が知られているが大面積を均一に処理
するのが難しく工業的な実用化には向かない。また、Ｄ
ＭＯＡＰ等の垂直配向剤と水平配向剤との組合せで所望
のプレチルト角を得る方法も知られているが、安定性に
不安がある。望ましくは、高分子膜で安定にプレチルト
角を得たいところであるが、そのような高分子配向膜は
これまで知られていない。配向膜のためのポリマーとし
て、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコールな
ど多くの有機ポリマーが検討されてきたが、長期信頼
性、耐熱性、耐湿性において従来ツイストネマティック
液晶素子の配向膜として使用実績のあるポリイミドが最
も有望視されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来ツイスト
ネマティック液晶素子で用いてきたポリイミド膜を用い
たのでは、ＳＴＮ型液晶素子における液晶配向は充分で
なく、また強誘電性液晶素子の特徴である双安定性が充
分には実現できなかった。本発明の目的は、良好な配向
性、双安定性と、大きなプレチルト角を提供し得る液晶
配向膜を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は液晶配向膜に関する発明であって、
下記一般式（化１）：

【化１】 （ただし、Ａは四価の芳香族基、Ｂは二価の芳香族基で
あり、Ａ及びＢの少なくとも一方はフッ素含有基で置換
されている）で表される構造単位をもつフッ素化ポリイ
ミド系高分子物質を包含するものであることを特徴とす
る。そして、本発明の第２の発明は液晶素子に関する発
明であって、基板、電圧印加手段、配向制御膜及び液晶
層を包含する液晶素子において、該配向制御膜が第１の
発明の液晶配向膜であることを特徴とする。

【０００５】本発明において、フッ素含有基とは、フッ
素自体及びフッ素化アルキル基、フッ素化アルコキシ基
のようにフッ素化された基を意味する。

【０００６】以下、本発明について更に詳細に説明す
る。本発明の液晶配向膜に用いるフッ素化ポリイミド
は、対応する酸二無水物及びジアミンとの縮合により合
成されるフッ素化ポリアミド酸を、例えば、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン（ＮＭＰ）、ブトキシエタノールなどの溶剤に
溶解し、この溶液を基板上に回転塗布法などの方法で塗
布した後、２００〜３５０℃に加熱処理し、脱水閉環さ
せることにより得られる。該フッ素化ポリアミド酸を得
る縮合反応は無水の条件下、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶媒に該
酸二無水物とジアミンを等モルずつ溶解し、５０℃又は
それ以下の温度で窒素雰囲気下かくはんすることにより
行われる。このようにしてＩＴＯなどの透明電極を備え
たガラス基板上に該フッ素化ポリイミド膜を所望の厚さ
に形成した後、この被膜面をナイロン布などで一方向に
ラビングして、液晶配向膜を得る。その後、所望の大き
さのスペーサを介して、２枚の液晶配向膜付き基板を張
り合わせることによりセルを作製し、常圧又は減圧下毛
細管現象を利用して液晶を注入することにより液晶素子
が得られる。このとき、液晶配向膜面はプレチルト角を
有するが、その大きさは用いたポリイミドの分子構造の
ほか、イミド化反応の温度、ラビングの強さなどにより
決まる。

【０００７】ポリイミドの分子構造は酸二無水物部分と
ジアミン部分とに分けられるが、本発明の液晶配向膜に
用いるフッ素化ポリイミドは、部分構造の少なくとも一
方がフッ素含有基で置換されていることを特徴としてお
り、その結果、大きなプレチルト角を示すことを特徴と
する。本発明のフッ素化ポリイミドにおいては、フッ素
含有基を含有する部分構造では液晶分子に対して反発性
の相互作用が働き、フッ素含有基を含有しない部分構造
では比較的反発性が小さいと推定される。このため、液
晶配向膜に接する液晶分子はその一部が反発され、他の
一部は吸引される。この結果として、大きなプレチルト
角が得られるものと推定される。

【０００８】本発明のフッ素化ポリイミド系高分子物質
の例としては、下記一般式（化２）：

【化２】 〔ただし、Ｅはフッ素を含まない二価の芳香族基であ
り、Ｄは次式（化３）：

【化３】 （ただし、Ｒ₁ 及びＲ₂ の少なくとも一方はフッ素又は
トリフルオロメチル基である）で表される基から選ばれ
る四価のフッ素化された芳香族基である〕で表される構
造単位をもつ化合物がある。他のフッ素化ポリイミド系
高分子物質の例としては、下記一般式（化４）：

【化４】 〔ただし、Ｌはフッ素を含まない四価の芳香族基であ
り、Ｍは次式（化５）：

【化５】 （式中Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₆ は、水素、フッ素、水酸
基、アルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル基、
又はフッ素化アルコキシ基であり、Ｚは単結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、又は基−Ｃ（Ｒ₇ ）（Ｒ₈ ）−＜ただし、
Ｒ₇ 、Ｒ₈ は水素、フッ素、アルキル基、又はフッ素化
アルキル基である＞であるが、式（化５）中のこれら置
換基の少なくとも１つはフッ素含有基である）で表され
る基から選ばれる二価のフッ素化された芳香族基であ
る〕で表される構造単位をもつ化合物がある。

【０００９】フッ素含有基を有する酸無水物としては、
例えば次の化合物を挙げることができる。２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、トリフルオロメチル−２，３，５，６−
ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ジトリフルオロメ
チル−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無
水物、ジフルオロ−２，３，５，６−ベンゼンテトラカ
ルボン酸二無水物、フルオロ−２，３，５，６−ベンゼ
ンテトラカルボン酸二無水物、４，４−ビス（３，４−
ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）テトラフルオロ
ベンゼン二無水物等。このときに用いるジアミンとして
は、例えば、次の化合物を例示することができる。４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノビフェニル、２，２′−ジメチル−４，４′
−ジアミノビフェニル、４，４″−ジアミノ−ｐ−ター
フェニル、ｐ−フェニレンジアミン、ベンジジン、ｍ−
フェニレンジアミン等。また、逆にジアミン部分にフッ
素含有基を含有するフッ素化ポリイミドでも高いプレチ
ルト角が得られる。フッ素含有基を含有するジアミンの
例として次の化合物を例示することができる。２，５−
ジアミノベンゾトリフルオライド、テトラフルオロパラ
フェニレンジアミン、テトラフルオロメタフェニレンジ
アミン、ビス（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−
アミノフェニル）エーテル、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）スルフィド、オク
タフルオロベンジジン、２，２′−ビス（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−
４、ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１
−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロエトキシ）−２，４−ジ
アミノベンゼン等。このときに用いる酸二無水物はフッ
素含有基を含有しないものとして、例えば、次の化合物
が挙げられる。ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）プロパン二無水物等。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

【００１１】実施例１ 三角フラスコにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物６．４４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）と、１−（１Ｈ，１
Ｈ−パーフルオロブトキシ）−２，４−ジアミノベンゼ
ン６．１２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＡｃ１０
０ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気中、室温で三日
間かくはんし、対応するフッ素化ポリアミド酸のＤＭＡ
ｃ溶液を得た。この溶液をＩＴＯ透明電極を備えたガラ
ス基板上に６０００回転３０秒の条件でスピンコート
し、７０℃、３０分及び３００℃１時間の加熱処理によ
り均一なポリイミド膜を得た。得られた基板の塗膜面を
（株）Ｅ．Ｈ．Ｃ．製ラビング装置で３回ラビングしラ
ビング方向が逆平行でかつ対向するように２枚を合せ、
直径１０μｍのガラス棒をスペーサとし、エポキシ接着
剤を用いて試験用液晶セルを組立てた。このセルにメル
ク社製ネマティック液晶ＺＬＩ２２９３を常圧下、注入
した。このセルを１２０℃に１時間保持した後、徐冷し
て液晶素子を得た。この素子の配向性は良好であり、磁
場容量法によりプレチルト角を測定したところ、１４度
という高い値が得られた。

【００１２】実施例２ ２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノビフェニル３．２０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用い
て、実施例１と同様にフッ素化ポリイミド配向膜を有す
る試験用液晶素子を得た。この素子の配向性は良好であ
り、磁場容量法によりプレチルト角を測定したところ、
１２度という高い値が得られた。

【００１３】実施例３ ジトリフルオロメチル−２，３，５，６−ベンゼンテト
ラカルボン酸二無水物３．５４ｇ（１０ｍｍｏｌ）及び
４，４″−ジアミノ−ｐ−ターフェニル２．６０ｇ（１
０ｍｍｏｌ）を用いて、実施例１と同様にフッ素化ポリ
イミド配向膜を有する試験用液晶素子を得た。この素子
の配向性は良好であり、磁場容量法によりプレチルト角
を測定したところ、１１度という高い値が得られた。

【００１４】実施例４ 実施例１と同じフッ素化ポリイミドを用いて、実施例１
と同様に試験用液晶セルを作製した。ただし、ラビング
方向は平行となるように張合せ、スペーサは２μｍとし
た。この試験用液晶セルに、メルク社の強誘電性液晶組
成物ＺＬＩ−４２３７−１００を減圧下加熱注入し、毎
時２℃の速度が徐冷して試験用強誘電性液晶素子を作製
した。この素子の配向性は良好であり、８９％の双安定
性を示した。

【００１５】実施例５ ジフルオロ−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン
酸二無水物１．７７ｇと３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノビフェニル１．０６ｇを用いたほかは、実施
例１と同様にして試験用液晶素子を作製した。この素子
の配向性は良好であり、プレチルト角は６度であった。

【００１６】実施例６ ４，４−ビス−（３，４−ジカルボキシトリフルオロフ
ェノキシ）テトラフルオロベンゼン二無水物５．８２ｇ
と３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル
２．１２ｇを用いたほかは、実施例１と同様にして試験
用液晶素子を作製した。この素子の配向性は良好であ
り、プレチルト角は１０度であった。

【００１７】実施例７ ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物６．４４ｇと
２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド３．５２ｇを
用いたほかは、実施例１と同様にして試験用液晶素子を
作製した。この素子の配向性は良好であり、プレチルト
角は１２度であった。

【００１８】実施例８ ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物６．４４ｇと
テトラフルオロメタフェニレンジアミン３．６０ｇを用
いたほかは、実施例１と同様にして試験用液晶素子を作
製した。この素子の配向性は良好であり、プレチルト角
は１２度であった。

【００１９】実施例９ ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物６．４４ｇと
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン６．６８ｇを用いたほかは、実施例１と同様にし
て試験用液晶素子を作製した。この素子の配向性は良好
であり、プレチルト角は８度であった。

【００２０】実施例１０ ピロメリット酸二無水物２．１８ｇと２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン３．６６ｇを用いたほかは、実施例１と同様にし
て試験用液晶素子を作製した。この素子の配向性は良好
であり、プレチルト角は１１度であった。

【００２１】実施例１１ ピロメリット酸二無水物２．１８ｇとビス（２，３，
５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテ
ル３．４４ｇを用いたほかは、実施例１と同様にして試
験用液晶素子を作製した。この素子の配向性は良好であ
り、プレチルト角は１３度であった。

【００２２】比較例１ ピロメリット酸二無水物２．１８ｇ（１０ｍｍｏｌ）と
３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル
２．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いて実施例１と同様の
試験用液晶素子を作製した。この素子の配向性は良好で
あったが、プレチルト角は２度であった。

【００２３】比較例２ 比較例１のポリイミドを用いて、実施例４と同様の強誘
電性液晶素子を作製した。この素子は多くのジグザグ欠
陥を有し、双安定性は４５％であった。

【００２４】実施例１２ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８．８８ｇ
（２０．０ｍｍｏｌ）と２，２′−ジ（トリフルオロメ
チル）−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２
０．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＡｃ１００ｇを加えた。こ
の混合物を窒素雰囲気下、室温で三日間かくはんし、ポ
リアミド酸のＤＭＡｃ溶液を得た。このものをアルミ板
上に回転塗布法で塗布した。その後、窒素雰囲気下で７
０℃で２時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分、
更に３５０℃で１時間加熱処理した。このアルミ板を１
０％塩酸に浸し、溶解させて、ポリイミドフィルムを得
た。このフィルムはアセトン、酢酸エチルに可溶であっ
た。このようにして得られたフィルム１．０ｇを酢酸エ
チル３０ｇに溶解し、ポリイミド溶液とした。この溶液
を片面にＩＴＯ膜を透明電極として設けたガラス基板上
に回転塗布法で塗布した。塗布条件は回転数３０００ｒ
ｐｍ、６０秒であった。塗布後、６０℃で１時間加熱処
理を行い、ポリイミド膜を得た。続いて、二枚の基板の
塗膜面をＥ．Ｈ．Ｃ．製ラビング装置で３回ラビング
し、ラビング方向が平行でかつ互いに対向するように合
せ、２μｍのガラスビーズをスペーサとしてセル厚２μ
ｍの液晶セルを組立てた。このセルにメルク社製強誘電
性液晶ＺＬＩ４２３７−１００を真空注入した。このセ
ルを等方性液体温度まで加熱した後、毎時１℃で室温ま
で徐冷して、強誘電性液晶素子を得た。この素子の配向
性は良好であり、図１に示すパルス電界（パルス長１ｍ
ｓ、±２０Ｖ、１０Ｈｚ）の印加により図２に示す光学
応答を示した。このときの双安定性は９０％であった。
なお、双安定性Ｍは、図３に示すように、Ｍ＝（Ｔｍ⁺
−Ｔｍ^- ）／（Ｔ⁺ −Ｔ^-）で表す。ここで、Ｔ±はパ
ルス電界印加時の明暗各状態での透過率、Ｔｍ±はメモ
リー時の明暗各状態での透過率を表す。

【００２５】実施例１３ 実施例１２と同様にして得た、３−トリフルオロメチル
ピロメリット酸二無水物と２，２′−ジ（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノビフェニルからなるフッ
素化ポリイミド０．６５ｇをＤＭＡｃ３０ｇに溶解して
得た溶液を用いて、同様に強誘電性液晶素子を得た。た
だし、二枚のガラス基板は逆平行になるように組合せ
た。この素子の配向性は良好であった。この素子に通電
処理を行い、双安定性を測定したところ９８％以上であ
った。

【００２６】実施例１４ 実施例１２と同様にして得た、３，６−ジ（トリフルオ
ロメチル）ピロメリット酸二無水物と２，２′−ジ（ト
リフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニルか
らなるフッ素化ポリイミド１．０ｇを酢酸エチル３０ｇ
に溶解して得た溶液を用いて、同様に強誘電性液晶素子
を得た。ただし、二枚のガラス基板は逆平行になるよう
に組合せた。この素子の配向性は良好であった。この素
子に通電処理を行い、双安定性を測定したところ９８％
以上であった。

【００２７】実施例１５ 実施例１２と同様にして得た、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水
物と３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニ
ルからなるフッ素化ポリイミド０．５ｇをＤＭＡｃ３０
ｇに溶解して得た溶液を用いて、同様に強誘電性液晶素
子を得た。ただし、二枚のガラス基板は逆平行になるよ
うに組合せた。この素子の配向性は良好であった。この
素子に通電処理を行い、双安定性を測定したところ９５
％であった。

【００２８】実施例１６ 実施例１２と同様にして得た、３，３′，４，４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と１−（１Ｈ，
１Ｈ−パーフルオロブトキシ）−２，４−ジアミノベン
ゼンからなるフッ素化ポリイミド０．４ｇをＤＭＡｃ３
０ｇに溶解して得た溶液を用いて、同様に強誘電性液晶
素子を得た。ただし、二枚のガラス基板は逆平行になる
ように組合せた。この素子の配向性は良好であった。こ
の素子に通電処理を行い、双安定性を測定したところ９
５％であった。

【００２９】比較例３ ３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビ
フェニルからなるポリアミド酸０．４ｇをＤＭＡｃ３０
ｇに溶解して得た溶液を用いて、同様に強誘電性液晶素
子を得た。ただし、上記ポリアミド酸溶液をガラス基板
に塗布後、７０℃３０分、３５０℃１時間の加熱処理に
よりポリイミド膜を得た。また、二枚のガラス基板は平
行になるように組合せた。この素子はジグザグ欠陥がみ
られた。この素子に通電処理を行い、双安定性を測定し
たところ６５％であった。

【００３０】比較例４ ピロメリット酸二無水物と３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノビフェニルからなるポリアミド酸のＤＭ
Ａｃ溶液を用いて、同様に強誘電性液晶素子を得た。た
だし、上記ポリアミド酸溶液をガラス基板に塗布後、７
０℃３０分、３５０℃１時間の加熱処理によりポリイミ
ド膜を得た。また、二枚のガラス基板は逆平行になるよ
うに組合せた。この素子はジグザグ欠陥がみられた。こ
の素子に通電処理を行い、双安定性を測定したところ５
５％であった。

【００３１】

【発明の効果】本発明により、高いプレチルト角を有す
る液晶配向膜及び液晶素子が得られる。高いプレチルト
角は、酸二無水物構造あるいはジアミン構造の少なくと
も一方へのフッ素含有基の導入によって、配向膜分子と
液晶分子の相互作用が異方性を持つことによって得られ
ると推定される。本発明の液晶配向膜を用いることによ
り、表示品質の良好な液晶素子あるいは強誘電性液晶素
子が得られる。また、強誘電性液晶素子の双安定性が改
善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子に対する印加電圧波形を示す
図である。

【図２】本発明の液晶素子の１例の光学応答波形を示す
図である。

【図３】本発明における双安定性Ｍの定義におけるＴｍ
±及びＴ±の関係を示す図である。

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【手続補正書】

【提出日】平成４年１１月３０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（化１）： 【化１】 （ただし、Ａは四価の芳香族基、Ｂは二価の芳香族基で
   あり、Ａ及びＢの少なくとも一方はフッ素含有基で置換
   されている）で表される構造単位をもつフッ素化ポリイ
   ミド系高分子物質を包含するものであることを特徴とす
   る液晶配向膜。
2. 【請求項２】 下記一般式（化２）： 【化２】 〔ただし、Ｅはフッ素を含まない二価の芳香族基であ
   り、Ｄは次式（化３）： 【化３】 （ただし、Ｒ₁ 及びＲ₂ の少なくとも一方はフッ素又は
   トリフルオロメチル基である）で表される基から選ばれ
   る四価のフッ素化された芳香族基である〕で表される構
   造単位をもつフッ素化ポリイミド系高分子物質を包含す
   るものであることを特徴とする液晶配向膜。
3. 【請求項３】 下記一般式（化４）： 【化４】 〔ただし、Ｌはフッ素を含まない四価の芳香族基であ
   り、Ｍは次式（化５）： 【化５】 （式中Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₆ は、水素、フッ素、水酸
   基、アルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル基、
   又はフッ素化アルコキシ基であり、Ｚは単結合、−Ｏ
   −、−Ｓ−、又は基−Ｃ（Ｒ₇ ）（Ｒ₈ ）−＜ただし、
   Ｒ₇ 、Ｒ₈ は水素、フッ素、アルキル基、又はフッ素化
   アルキル基である＞であるが、式（化５）中のこれら置
   換基の少なくとも１つはフッ素含有基である）で表され
   る基から選ばれる二価のフッ素化された芳香族基であ
   る〕で表される構造単位をもつフッ素化ポリイミド系高
   分子物質を包含するものであることを特徴とする液晶配
   向膜。
4. 【請求項４】 基板、電圧印加手段、配向制御膜及び液
   晶層を包含する液晶素子において、該配向制御膜が請求
   項１に記載の液晶配向膜であることを特徴とする液晶素
   子。