RU2251761C2 - Источник света со светоизлучающим элементом - Google Patents

Источник света со светоизлучающим элементом Download PDF

Info

Publication number
RU2251761C2
RU2251761C2 RU2003123094/28A RU2003123094A RU2251761C2 RU 2251761 C2 RU2251761 C2 RU 2251761C2 RU 2003123094/28 A RU2003123094/28 A RU 2003123094/28A RU 2003123094 A RU2003123094 A RU 2003123094A RU 2251761 C2 RU2251761 C2 RU 2251761C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
phosphor
light source
source according
led
Prior art date
Application number
RU2003123094/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2003123094A (ru
Inventor
Стефан ТАШ (AT)
Стефан ТАШ
Петер ПАХЛЕР (AT)
Петер ПАХЛЕР
Гундула РОТ (DE)
Гундула РОТ
Вальтер ТЕВС (DE)
Вальтер ТЕВС
Вольфганг КЕМПФЕРТ (DE)
Вольфганг КЕМПФЕРТ
Детлеф ШТАРИК (DE)
Детлеф ШТАРИК
Original Assignee
Тридоник Оптоэлектроник Гмбх
Литер Гбр.
Лёхетстоффверк Брайтунген Гмбх
Тойода Госеи Ко., Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=3689983&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2251761(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Тридоник Оптоэлектроник Гмбх, Литер Гбр., Лёхетстоффверк Брайтунген Гмбх, Тойода Госеи Ко., Лтд filed Critical Тридоник Оптоэлектроник Гмбх
Publication of RU2003123094A publication Critical patent/RU2003123094A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2251761C2 publication Critical patent/RU2251761C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7795—Phosphates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344—Aluminosilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0036—2-D arrangement of prisms, protrusions, indentations or roughened surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Использование: в приборах на светодиодах, испускания синего и/или ультрафиолетового излучения. Технический результат изобретения: создание источника излучения, позволяющего получать излучение в ультрафиолетовой области или в области синего цвета (от 370 нм до 490 нм), способного создавать белый свет с повышенным коэффициентом полезного действия, обеспечения возможности регулирования в широком диапазоне световых температур. Сущность: Источник света со светоизлучающим элементом, который испускает излучение в первой спектральной области, и с люминофором, который происходит из группы ортосиликатов щелочно-земельных металлов и который поглощает часть излучения источника света и испускает излучение в другой спектральной области. Согласно данному изобретению люминофор представляет собой активированный двухвалентным европием ортосиликат щелочно-земельного металла следующего состава: (2-х-у) SrO · х(Ваu, Саv) O·(1-а-b-с-d) SiO2 · aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2: yEu2+ и/или (2-х-у) ВаО · х(Sru, Саv) O · (1-а-b-с-d) SiO2 · аР2О5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2: yEu2+. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

Область техники
Данное изобретение относится к источнику света для создания белого света, содержащему в себе светоизлучающий диод (СИД) для испускания синего и/или ультрафиолетового излучения, по меньшей мере, с одним люминофором, который испускает часть синего и/или ультрафиолетового излучения и даже излучение в другой области спектра.
Известный уровень техники
Неорганические светодиоды отличаются, среди прочего, длительным сроком службы, незначительной занимаемой площадью, нечувствительностью к тряске и излучением в узкой полосе спектра.
В светодиодах при помощи присущего им излучения полупроводникового материала практически нельзя, хотя и можно, но это очень неэффективно, реализовать многочисленные цвета излучения в широком диапазоне излучения.
В WO 00/33390 описано светоизлучающее устройство, содержащее в себе светодиод, излучающий исключительно синий свет, или лазерный диод, который взаимодействует со смесью люминофоров.
При этом для создания белого света светодиод, излучающий в области спектра от 420 до 470 нм, комбинируется со смесью люминофоров, состоящей не менее чем из двух люминофоров. Для этого обязательно необходимо, чтобы два люминофора излучали с различными спектрами. Применяемая смесь люминофоров всегда содержит в себе один красный компонент и один зеленый компонент. В этом случае благодаря смешению этих цветов с синим излучением, испускаемым светодиодом, возникает белый свет.
К источникам белого света для общего освещения предъявляют, как правило, повышенные требования к качеству цветовоспроизведения осветительных средств. Во-вторых, потребители, прежде всего, в Европе и в Северной Америке, предпочитают более теплые цвета излучения с цветовой температурой в диапазоне от 2700 до 5000 К.
Из WO 00/33389 также известно применение Ba2SiO4:Eu2+ в качестве люминофора, среди прочих, для преобразования света, излучаемого синими светодиодами. Однако максимум излучения люминофора Ba2SiO4:Eu2+ приходится примерно на 505 нм, так что с помощью такой комбинации нельзя надежно создать белый свет.
В работе С.Х.М. Пурта (S.H.M. Poort) и др.: "Optical properties of Eu2+-activated orthosilicates and orthophospates" (“Оптические свойства ортосиликатов и ортофосфатов, активированных Еu2+”, журнал “Journal of Alloys and Compounds”, 260 (1997), стр. 93-97) исследуются свойства Ba2SiО4, активированного Еu, а также таких фосфатов, как КВаРO4 и KSrPO4. Здесь также констатируется, что излучение Ba2SiO4 приходится примерно на 505 нм.
Сущность изобретения
Задача данного изобретения состоит, таким образом, в том, чтобы изготовить усовершенствованный источник света, в котором в качестве источника излучения применяется светоизлучающий диод (СИД), причем этот источник излучения может излучать в ультрафиолетовой области или в области синего цвета (от 370 до 490 нм), и который способен создавать белый свет с повышенным коэффициентом полезного действия путем использования усовершенствованного люминофора, благодаря чему появляется возможность использования этого источника белого света для целей освещения.
Одновременно с этим преследуется цель избежать недостатков, известных исходя из известного уровня техники. При этом, кроме того, при применении одного или нескольких люминофоров необходимо обеспечить возможность регулирования в широком диапазоне цветовых температур для того, чтобы выполнить различные требования пользователей и, в частности, регулировать цвет в тех местах, которые находятся в пределах эллипсов допуска, установленных для общего освещения Международной комиссией по освещению (CIE).
Эта задача решается за счет создания источника света упомянутого выше, в котором
- люминофор представляет собой активированный двухвалентным европием ортосиликат щелочно-земельного металла одного из нижеследующих составов или смеси из этих составов:
a) (2-x-y)SrO· х(Ваu, Саv)O· (1-a-b-c-d)SiO2· aP2O5 bАl2О3 сВ2О3 dGеО2: уЕu2+
где
0≤ x≤ 1,6 0,005<у<0,5 х+у≤ 1,6
0≤ a,b,c,d<0,5 u+v=1;
b) (2-x-y)BaO· x(Sru, Cav)O· (1-a-b-c-d)SiO2· аР2О5 bAl2O3 сВ2О3 dGeО2:y Eu2+
где
0,01<x<1,6 0,005<у<0,5
0≤ а,b,с,d<0,5 u+v=1 х· u>0,4;
- излучение люминофора испускается в желто-зеленой, желтой или оранжевой области спектра;
- при этом путем выбора параметров в названных областях можно регулировать цветовую температуру и общий цветовой индекс созданного белого света.
В предпочтительном варианте выполнения, по меньшей мере, одно из значений a, b, c и d больше 0,01. Кроме того, в упомянутом ранее люминофоре доля кремния может быть замещена галлием.
Как было установлено, белый свет с хорошим цветовоспроизведением и значительной светоотдачей можно реализовать путем комбинации синего светодиода с люминофором, выбранным из упомянутой выше группы активированных двухвалентным европием ортосиликатов щелочно-земельных металлов. В противоположность люминофорам, которые основываются на ортосиликатах чистого бария и излучают зеленый с синеватым оттенком свет, именно с помощью смешанных кристаллов ортосиликата бария-стронция можно создать люминесцентный свет на участке от желто-зеленого, желтого до оранжево-желтого цвета, а в результате включения кальция в кристаллическую решетку ортосиликата - даже совершенно оранжевого цвета, и смешения пропускаемого света синего светодиода и испускаемого люминесцентного света выбранного люминофора можно генерировать белый свет с хорошим цветовоспроизведением и высоким коэффициентом полезного действия. Смещение цвета излучения путем замещения бария (Ва) стронцием (Sr) в ортосиликате для возбуждения жестким ультрафиолетовым излучением (возбуждение при 254 нм) до сих пор было известно только из работы Пурта и др. Однако тот факт, что этот эффект неожиданно сильно проявляется при облучении синим светом в диапазоне 440-475 нм, еще не описывался. Смешанные кристаллы ортосиликата Ba-Sr-Ca и их сильная излучающая способность при возбуждении длинноволновым ультрафиолетовым излучением или синим светом до сих пор были совершенно неизвестны.
Выбранный люминофор можно также использовать в смесях с другими люминофорами этой группы и/или с дополнительными светящимися красками, которые не относятся к этой группе. К упомянутым светящимся краскам относятся, например, излучающий синий свет алюминат щелочно-земельного металла, активированный двухвалентным европием и/или марганцем, а также излучающий красный свет люминофор из группы Y (V, Р, Si) О4: Eu, Bi, Y2O2S: Eu, Bi или же активированный европием и марганцем дисиликат щелочно-земельного магния: Еu2+, Mn2+, с формулой
Me(3-x-y)MgSi2О8:xEu, yMn,
где
0,005<х<0,5
0,005<у<0,5
и Me = Ва и/или Sr, и/или Са.
Как показано в нижеприведенных примерах осуществления изобретения, доля Sr в люминофорах со смешанными кристаллами, согласно данному изобретению, не должна быть слишком незначительной, чтобы обеспечить возможность генерирования белого света.
Далее, было также установлено, что дополнительное включение P2O5, Аl2О3 и/или В2О3 в кристаллическую решетку ортосиликата, а также замещение части кремния германием, таким образом, оказывают значительное влияние на спектр излучения соответствующего люминофора, так что этот спектр можно изменять благоприятным образом дальше для целей соответствующего применения. При этом ионы, меньшие по размерам, чем Si (IV), способствуют смещению максимума излучения в более длинноволновую область, в то время как более крупные ионы смещают центр излучения на более короткие длины волн. Кроме того, было установлено, что для кристалличности, излучающей способности и особенно для стабильности люминофоров, согласно данному изобретению, можно, предпочтительно, дополнительно включить в кристаллическую решетку люминофора небольшие количества одновалентных ионов, как, например, галогенидов и/или щелочных металлов.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения изобретения источник света имеет, по меньшей мере, два различных люминофора, причем, по меньшей мере, один из них является светящейся краской на основе ортосиликата щелочно-земельного металла. Таким способом можно точно установить оттенок белого цвета, требуемый для соответствующего случая применения, и, в частности, можно получить значения Ra больше 80. Другой предпочтительный вариант осуществления изобретения состоит в комбинации светодиода, излучающего в ультрафиолетовой области спектра, к примеру, в области от 370 до 390 нм, по меньшей мере, с тремя светящимися красками, из которых, по меньшей мере, одна является светящейся краской на основе ортосиликата щелочно-земельного металла согласно данному изобретению. В качестве дополнительных светящихся красок в соответствующих смесях светящихся красок могут использоваться излучающий синий свет алюминат щелочноземельного металла, активированный европием и/или марганцем, и/или излучающий красный свет люминофор из группы Y (V, Р, Si) О4: Eu, Bi, Y2O2S: Eu, Bi или же активированный европием и марганцем дисиликат щелочно-земельного магния.
Имеется несколько вариантов механического осуществления источника света согласно данному изобретению. Согласно одному варианту осуществления изобретения предусмотрено монтирование одного или несколько светодиодных кристаллов на печатной плате внутри рефлектора и диспергирование люминофора в световом диске, расположенном над рефлектором. Альтернативно можно смонтировать один или несколько светодиодных кристаллов на печатной плате внутри рефлектора и нанести люминофор на рефлектор.
Предпочтительно залить светодиодные кристаллы прозрачной заливочной массой, имеющей куполообразную форму. Эта заливочная масса образует, с одной стороны, механическую защиту; с другой стороны, она улучшает также оптические свойства (повышение выхода света из светодиодного кристалла).
Люминофор также может быть диспергирован в заливочной массе, которая связывает микросборку светодиодных кристаллов на печатной плате и полимерную линзу, по возможности, без газовых включений, причем полимерная линза и заливочная масса имеют показатели преломления, отличающиеся не более чем на 0,1. Эта заливочная масса может непосредственно включать светодиодный кристалл, но его можно также залить прозрачной заливочной массой (следовательно, в этом случае имеется прозрачная заливочная масса и заливочная масса с люминофором). Благодаря похожим показателям преломления на поверхностях раздела почти нет потерь из-за отражения.
Предпочтительно, полимерная линза имеет выемку сферической или эллипсоидальной формы, заполненную заливочной массой так, что светодиодная матрица закреплена на незначительном расстоянии от полимерной линзы. Таким образом можно уменьшить высоту механической сборки. Для того чтобы добиться равномерного распределения люминофора, целесообразно люминофор суспендировать предпочтительно в неорганической матрице. При применении, по меньшей мере, двух люминофоров целесообразно отдельно суспендировать в матрицах, по меньшей мере, два люминофора, расположенных друг за другом в направлении распространения света. Благодаря этому можно снизить концентрацию люминофоров по сравнению с гомогенной дисперсией различных люминофоров.
Ниже представлены важные этапы изготовления люминофоров в предпочтительном варианте осуществления изобретения.
Для изготовления люминофоров на основе ортосиликатов щелочно-земельных металлов соответственно выбранному составу тщательно смешиваются в стехиометрических количествах исходные вещества - карбонат щелочно-земельного металла, диоксид кремния, а также оксид европия, которые в ходе твердофазной реакции, обычной для изготовления светящихся красок, в восстановительной атмосфере при температурах в диапазоне от 1100° С до 1400° С превращаются в требуемый люминофор. При этом для кристалличности выгодно добавлять в реакционную смесь небольшие доли, предпочтительно меньше 0,2 моля, хлорида аммония или других галогенидов. В заявленном изобретении можно также заменить часть кремния германием, бором, алюминием, фосфором, путем добавки соединений названных элементов в соответствующих количествах, которые можно подвергнуть термическому разложению в окислах. Подобным образом можно добиться встраивания незначительных количеств ионов щелочно-земельных металлов в соответствующую кристаллическую решетку.
Полученные люминофоры на основе ортосиликатов согласно данному изобретению излучают на длинах волн примерно от 510 нм до 600 нм и имеют полуширину пика до 110 мм.
Благодаря соответствующим параметрам реакции и благодаря определенным добавкам, например, ионов одновалентных галогенидов и/или щелочно-земельных металлов, гранулометрический состав люминофоров согласно данному изобретению можно оптимально приспособить к требованиям соответствующего применения, не используя причиняющие повреждения процессы механического измельчения. Таким способом можно установить все узко- и широкополосные гранулометрические составы со средними размерами зерен d50 примерно от 2 мкм до 20 мкм.
Краткое описание чертежей
Дальнейшие преимущества изобретения поясняются ниже при помощи примеров осуществления изобретения и рисунков.
На фиг. 1-6 показаны спектры (относительная интенсивность I в зависимости от длины волны) различных светодиодных источников света согласно данному изобретению, а на фиг. 7-10 показаны различные варианты осуществления светодиодных источников света согласно данному изобретению.
Лучшие варианты осуществления изобретения
На фиг. 1 показан спектр излучения белого светодиода с цветовой температурой 2700 К, который возник в результате комбинации синего светодиода, излучающего в первой спектральной области с центральной длиной волны 464 нм, и люминофора согласно данному изобретению, имеющего состав (Sr1,4Ca0,6SiО4:Eu2+), излучающего во второй спектральной области с максимумом 596 нм.
Другие примеры комбинации светодиода, излучающего на длине волны 464 нм, с одним люминофором на основе ортосиликата согласно данному изобретению представлены на фиг. 2 и 3. Если для преобразования цвета применяется люминофор, излучающий желтый свет, с составом Sr1,90Ba0,08Ca0, 02SiO4: Eu2+, можно установить цвет белого света с цветовой температурой 4100 К, в то время как при применении люминофора с составом Sr1,84Ba0,16SiО4:Eu2+ можно изготовить источник белого света с цветовой температурой 6500 К.
Типичный спектр для комбинации светодиода на 464 нм с двумя люминофорами на основе ортосиликата согласно данному изобретению показан на фиг. 4. Применяемые светящиеся краски имеют составы Sr1,4Ca0,6SiО4:Eu2+ и Sr1,00Ba1,00SiО4: Eu2+. Для конкретного спектра, представленного на фиг. 4, получаются цветовая температура 5088 К и индекс цветовоспроизведения Ra=82. Разумеется, в зависимости от выбранных количественных соотношений люминофоров можно реализовать все цветовые температуры в диапазоне примерно от 5500 К до 7500 К, причем большое преимущество такого рода смесей из двух люминофоров на основе ортосиликата щелочно-земельных металлов согласно данному изобретению состоит в том, что одновременно можно получить значения Ra больше 80.
Это в виде примера иллюстрируется на фиг. 5. Представленный спектр относится к комбинации светодиода на 464 нм со смесью из двух люминофоров Sr1,6Ca0,4Si0,98Ga0,02° 4:Eu2+ и Sr1,10Ba0,90SiО4: Eu2+ и при цветовой температуре 5000 К обеспечивает значение Ra=82.
Если в качестве элемента, испускающего излучение, применяется ультрафиолетовый светодиод, излучающий в первой спектральной области с максимумом 370-390 нм, то благодаря комбинации такого светодиода со смесью светящихся красок, которая содержит люминофоры, см. фиг. 4, согласно данному изобретению, и наряду с этим определенную долю светящейся краски на основе алюмината бария-магния: Eu, Мn, излучающей сине-зеленый цвет, можно реализовать значения Ra больше 90. На фиг. 6 показан спектр излучения соответствующего источника белого света, который при цветовой температуре 6500 К имеет Ra=91.
Другие примеры можно взять из нижеследующего списка, в котором, наряду с длиной волны излучения применяемого неорганического светодиода и соответствующего состава люминофоров согласно данному изобретению, указаны результирующие цветовые температуры и значения Ra, а также координаты цветности источников света:
Т=2778 К (464 нм + Sr1,4Ca0,6SiO4: Eu2+); x=0,4619, у=0,4247, Ra=72;
Т=2950 К (464 нм + Sr1,4Ca0,6SiO4: Eu2+); x=0,4380, у=0,4004, Ra=73;
Т=3497 К (464 нм + Sr1,6Ba0,4SiO4: Eu2+); x=0,4086, у=0,3996, Ra=74;
Т=4183 К (464 нм + Sr1,9Ba0,08Ca0,02SiО4: Eu2+); x=0,3762, у=0,3873; Ra=75;
Т=6624 К (464 нм + Sr1,9Ba0,02Ca0,08SiО4: Eu2+); x=0,3101, у=0,3306; Ra=76;
Т=6385 К (464 нм + Sr1,6Ca0,4SiО4: Еu2+ + Sr0,4Ba1,6SiО4: Eu2+); x=0,3135, у=0,3397, Ra=82;
Т=4216 К (464 нм + Sr1,9Ba0,08Ca0,02SiО4: Eu2+); x=0,3710, у=0,3696; Ra=82;
Т=3954 К (464 нм + Sr1,6Ba0,4SiО4: Eu2+ + Sr0,4Ba1,6SiО4: Еu2+ + YVО4: Eu2+; x=0,3756, у=0,3816, Ra=84;
Т=6489 К (УФ светодиод + Sr1,6Ca0,4SiО4: Eu2+ + Sr0,4Ba1,6SiО4: Eu2+ + алюминат бария-магния: Еu2+); х=0,3115, у=0,3390, Ra=86;
Т=5097 К (464 нм + Sr1,6Ba0,4(Si0,98B0,01) О4: Eu2+ + Sr0,6Ba1,4SiО4: Eu2+); x=0,3423, у=0,3485, Ra=82;
Т=5084 К (УФ светодиод + Sr1,6Ca0,4(Si0,99B0,01) SiО4: Eu2+ + Sr0,6Ba1,4SiО4: Eu2+ + алюминат стронция-магния: Eu2+); x=0,3430, у=0,3531, Ra=83;
Т=3369 К (464 нм + Sr1,4Ca0,6Si0,95Ge0,05° 4: Eu2+; x=0,4134, у=0,3959, Ra=74;
Т=2787 К (466 нм + Sr1,4Ca0,6Si0,98P0,02° 4: Eu2+); x=0,4630, у=0,4280, Ra=72;
Т=2913 К (464 нм + Sr1,4Ca0,6Si0,98Al0,02° 4: Eu2+); x=0,4425, у=0,4050, Ra=73;
Т=4201 К
В предпочтительном варианте осуществления изобретения формирование цвета осуществляется следующим образом:
На печатной плате 2 собираются один или несколько светодиодных кристаллов 1 (см. фиг. 7). Непосредственно над светодиодами размещается средство герметизации в корпусе 3 в форме полусферы или полуэллипсоида (с одной стороны, для защиты светодиодных кристаллов и, с другой стороны, для обеспечения улучшенного вывода света, созданного в светодиоде). Это средство герметизации в корпусе 3 или может содержать в себе каждый кристалл по отдельности, или может представлять собой общую форму для всех кристаллов.
Смонтированная печатная плата 2 такого рода вставляется в рефлектор 4, или рефлектор накладывается поверх светодиодных кристаллов 1.
На рефлекторе 4 устанавливается световой диск 5. Он служит, с одной стороны, для защиты микросборки; с другой стороны, в этот световой диск вводятся люминофоры 6. Синий свет (или ультрафиолетовое излучение), проходящий через световой диск 5, при прохождении частично преобразуется люминофором 6 во вторую спектральную область, так что в целом получается глубина белого цвета. Потери вследствие эффектов волноводов, возникающих в плоскопараллельных пластинах, уменьшаются благодаря свойствам непрозрачности и рассеяния диска. Далее, рефлектор 4 обеспечивает попадание на световой диск только что предварительно направленного света, так что эффекты полного отражения сразу ослабляются.
Можно также нанести люминофор 6 на рефлектор 4, как это представлено на фиг. 8. В этом случае световая шайба не нужна.
В качестве альтернативы этому над каждым светодиодным кристаллом 1 (см. фиг. 9) можно насадить рефлектор 4’ и залить его в форме купола (средство герметизации в корпусе 3’), и над каждым рефлектором 3’ или над всей микросборкой разместить световой диск 5.
Для изготовления источников освещения целесообразно вместо отдельных светодиодов применять матрицы светодиодов. В предпочтительном варианте осуществления изобретения формирование цвета осуществляется на матрице светодиодов 1’ (см. фиг. 10), у которой светодиодные кристаллы 1 собираются непосредственно на печатной плате 2, следующим образом:
Матрица светодиодов 1’ (см. фиг. 10) приклеивается при помощи заливочной массы (3) (например, эпоксида) к прозрачной полимерной линзе 7, которая состоит из другого материала (например, РММА (полиметилметакрилат)). Материалы полимерной линзы 7 и заливочной массы 3 выбираются так, чтобы их показатели преломления были как можно более близкими, т.е. согласованными по фазе. Заливочная масса 3 находится в выемке максимально сферической или эллипсоидальной формы полимерной линзы 7. Форма выемки имеет значение постольку, поскольку в заливочной массе 3 диспергирован материал для конверсии цвета. Поэтому посредством придания формы можно обеспечить создание цветов излучения, независимых от угла. В качестве альтернативы этому матрицу можно сначала залить прозрачной заливочной массой, а затем приклеить к полимерной линзе при помощи заливочной массы, которая содержит в себе материал для конверсии цвета.
Для изготовления белых светодиодов с особо хорошим цветовоспроизведением, в которых используются, по меньшей мере, два различных люминофора, целесообразно диспергировать их не вместе в матрице, а диспергировать и наносить по отдельности. Это особенно относится к комбинациям, в которых окончательный цвет света создается в результате многоступенчатого процесса формирования цвета. Это значит, что цвет самого длинноволнового излучения генерируется в процессе излучения, который протекает следующим образом: поглощение излучения светодиода первым люминофором - излучение первого люминофора - поглощение излучения первого люминофора вторым люминофором и излучение второго люминофора. Особенно предпочтительно для процесса такого рода размещать отдельные материалы друг за другом в направлении распространения света, поскольку благодаря этому можно снизить концентрацию материалов по сравнению с гомогенной дисперсией различных материалов.
Данное изобретение не ограничивается описанными примерами. Люминофоры можно было бы также вводить в полимерную линзу (или другую оптику). Можно также размещать люминофор непосредственно поверх светодиодного кристалла или на поверхности прозрачной заливочной массы. Люминофор можно также вводить в матрицу вместе с рассеивающими частицами. Благодаря этому предотвращается осаждение частиц в матрице и обеспечивается равномерный выход света.

Claims (14)

1. Источник света для создания белого света, содержащий в себе светоизлучающий диод (СИД) для испускания синего и/или ультрафиолетового излучения, и, по меньшей мере, один люминофор, который испускает часть синего и/или ультрафиолетового излучения и даже излучение в другой области спектра, отличающийся тем, что люминофор представляет собой активированный двухвалентным европием ортосиликат щелочно-земельного металла одного из нижеследующих составов или смеси из этих составов:
а) (2-х-y)SrO· х(Ваu, Cav)O (1-а-b-с-d)SiO2· аР2О5bАl2O3сВ2О3dGеО2:yEu2+
где
0≤ х<1,6 0,005<у<0,5 x+y≤ 1,6
0≤ а, b, с, d<0,5 u+v=1;
b) (2-х-y)BaO· х(Sru, Cav)O· (1-а-b-с-d)SiO2· аР2О5 bАl2O3 сВ2О3 dGеО2:yEu2+
где
0,01<х<1,6 0,005<x<0,5
0≤ а, b, с, d<0,5 u+v=1 х· u≥ 0,4;
излучение люминофора испускается в желто-зеленой, желтой или оранжевой области спектра, при этом путем выбора параметров в названных областях можно регулировать цветовую температуру и общий цветовой индекс созданного белого света.
2. Источник света по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одно из значений а, b, с и d больше 0,01.
3. Источник света по п.1 или 2, отличающийся тем, что в люминофоре доля кремния может быть замещена галлием.
4. Источник света по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что он содержит дополнительный люминофор из группы алюминатов щелочно-земельных металлов, активированных двухвалентным европием и/или марганцем, и/или другой дополнительный люминофор, излучающий красный свет, из группы Y(V,Р,Si)О4 : Eu,Bi,Y2O2S : Eu,Bi или дисиликата щелочно-земельного магния : Eu2+, Мn2+, с формулой
Me(3-х-y)МgSi2O8: xEu, yMn,
где
0,005<х<0,5 0,005<у<0,5
и Ме=Ва, и/или Sr, и/или Са.
5. Источник света по одному из пп.1-4, отличающийся тем, что одновалентные ионы, в частности, галогениды и/или щелочные металлы, встроены в кристаллическую решетку люминофора.
6. Источник света по одному из пп.1-5, отличающийся тем, что светодиод излучает свет в области спектра от 300 до 500 нм, тем, что люминофор излучает свет в области спектра от 430 до 650 нм и тем, что источник света излучает белый свет с индексом цветовоспроизведения Rа>70.
7. Источник света по одному из пп.1-6, отличающийся тем, что один или несколько светодиодных чипов (1) размещены на печатной плате (2) внутри рефлектора (4) и люминофор (6) диспергирован на световом диске (5), размещенном над рефлектором (4).
8. Источник света по одному из пп.1-6, отличающийся тем, что один или несколько светодиодных чипов (1) размещены на печатной плате (2) внутри рефлектора (4) и люминофор (6) нанесен на рефлектор (4).
9. Источник света по п.7 или 8, отличающийся тем, что светодиодные чипы (1) залиты прозрачной заливочной массой (3, 3’), имеющей куполообразную форму.
10. Источник света по одному из пп.1-6, отличающийся тем, что люминофор диспергирован в заливочной массе (3), которая связывает микросборку (1’) светодиодных чипов (1) на печатной плате (2) и полимерную линзу (7) по возможности без газовых включений, причем полимерная линза (7) и заливочная масса (3) имеют показатели преломления, отличающиеся не более чем на 0,1.
11. Источник света по п.10, отличающийся тем, что полимерная линза (7) имеет выемку сферической или эллиптической формы, заполненную заливочной массой (3), так что светодиодная микросборка (1’) закреплена на незначительном расстоянии от полимерной линзы (7).
12. Источник света по одному из пп.1-11, отличающийся тем, что люминофор суспендирован в преимущественно неорганической матрице.
13. Источник света по одному из пп.4 и 12, отличающийся тем, что в матрицах отдельно суспендированы по меньшей мере два люминофора, которые размещены друг за другом в направлении распространения света.
14. Источник света по одному из пп.1-13, отличающийся тем, что средний размер зерен d50 для объемного распределения люминофора находится в диапазоне от 2 до 20 мкм.
RU2003123094/28A 2000-12-28 2001-11-19 Источник света со светоизлучающим элементом RU2251761C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ATA2154/2000 2000-12-28
AT0215400A AT410266B (de) 2000-12-28 2000-12-28 Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003123094A RU2003123094A (ru) 2005-02-20
RU2251761C2 true RU2251761C2 (ru) 2005-05-10

Family

ID=3689983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003123094/28A RU2251761C2 (ru) 2000-12-28 2001-11-19 Источник света со светоизлучающим элементом

Country Status (11)

Country Link
US (8) US6809347B2 (ru)
EP (6) EP2357678B1 (ru)
JP (5) JP4048116B2 (ru)
KR (6) KR100715580B1 (ru)
CN (4) CN1763982B (ru)
AT (2) AT410266B (ru)
DE (4) DE20122946U1 (ru)
ES (2) ES2345534T5 (ru)
RU (1) RU2251761C2 (ru)
TW (2) TWI297723B (ru)
WO (2) WO2002054502A1 (ru)

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2420930C1 (ru) * 2007-07-27 2011-06-10 Шарп Кабусики Кайся Осветительное устройство и устройство жидкокристаллического дисплея
WO2011096837A1 (ru) * 2010-02-05 2011-08-11 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ создания светоизлучающей поверхности и осветительное устройство для реализации способа
RU2426939C2 (ru) * 2005-11-17 2011-08-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Ламповый узел
RU2427753C2 (ru) * 2006-06-02 2011-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство, формирующее цветной и белый свет
WO2011162634A1 (ru) * 2010-06-25 2011-12-29 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Светодиодная лампа
WO2012018277A1 (ru) * 2010-08-04 2012-02-09 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Осветительное устройство
WO2012023880A1 (ru) * 2010-08-16 2012-02-23 Abramov Vladimir Semenovich Светодиодный источник излучения
WO2012064227A1 (ru) * 2010-11-08 2012-05-18 Krasnov Avgust Светодиод-лампа (далее по тексту сдл), светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для свето диода.
RU2475671C2 (ru) * 2008-08-29 2013-02-20 Шарп Кабусики Кайся Устройство задней подсветки и дисплейное устройство, снабженное таким устройством
DE112010005456T5 (de) 2010-03-16 2013-06-13 "Dis Plus" Ltd. Verfahren zur Lichtstromfarbregelung einer Weißleuchtdiode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
RU2485633C2 (ru) * 2004-12-22 2013-06-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Светоизлучающее устройство
RU2493635C2 (ru) * 2008-10-01 2013-09-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии
RU2502919C2 (ru) * 2008-06-13 2013-12-27 Филипс Электроникс Лтд Ориентируемая линза для светодиодного светильника
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
RU2503884C2 (ru) * 2011-12-15 2014-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Система стационарного освещения и светоизлучающее устройство для этой системы
RU2503881C2 (ru) * 2009-07-06 2014-01-10 Шарп Кабусики Кайся Устройство подсветки, устройство отображения и телевизионный приемник
RU2519242C2 (ru) * 2008-05-08 2014-06-10 Лок-Эф Гмбх Осветительное устройство
RU2522461C2 (ru) * 2010-03-12 2014-07-10 Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
RU2524456C2 (ru) * 2009-06-24 2014-07-27 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Светоизлучающее устройство, использующее люминесцентные вещества с оксиортосиликатными люминофорами
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
RU2524690C2 (ru) * 2010-03-12 2014-08-10 Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд Осветительное устройство на белых светодиодах
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
RU2583023C2 (ru) * 2010-10-26 2016-04-27 Лейхтштоффверк Брайтунген Гмбх Борофосфатный люминофор и источник света
RU2604832C2 (ru) * 2010-07-01 2016-12-10 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Модифицированный светодиодный модуль снаружи герметизированной стеклянной трубки
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
RU2628014C2 (ru) * 2012-12-06 2017-08-17 Евгений Михайлович Силкин Световой прибор
RU2639554C2 (ru) * 2016-03-01 2017-12-21 Николай Евгеньевич Староверов Герметичный светодиодный кластер повышенной эффективности (варианты)
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces

Families Citing this family (507)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050053798A (ko) 1996-06-26 2005-06-08 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4161603B2 (ja) * 2001-03-28 2008-10-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
EP1672707B1 (en) * 2001-04-20 2019-07-31 Nichia Corporation Light emitting device
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
TW595012B (en) 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
CN100383573C (zh) 2002-12-02 2008-04-23 3M创新有限公司 多光源照明系统
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
TWI351548B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
JP2004273798A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光デバイス
US7465961B2 (en) 2003-03-25 2008-12-16 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic equipment, backlight structure and keypad for electronic equipment
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
AT412928B (de) * 2003-06-18 2005-08-25 Guenther Dipl Ing Dr Leising Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
DE10331076B4 (de) * 2003-07-09 2011-04-07 Airbus Operations Gmbh Leuchtelement mit einer Leuchtdiode
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
CN100416873C (zh) * 2003-09-15 2008-09-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 白色发光照明系统
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
DE10354936B4 (de) * 2003-09-30 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
JP2005142311A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
US20050110401A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Lin Jung K. Light emitting diode package structure
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605211B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
US7576478B2 (en) * 2004-04-15 2009-08-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically controllable color conversion cell
FR2869159B1 (fr) * 2004-04-16 2006-06-16 Rhodia Chimie Sa Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche
EP1980605B1 (en) 2004-04-27 2012-02-22 Panasonic Corporation Light-emitting Device
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US20080121918A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-29 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency sphere led
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
EP1776722B1 (en) 2004-08-06 2008-01-09 Philips Intellectual Property & Standards GmbH High performance led lamp system
US20060044782A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Robin Hsu Light-storing safety device
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006086300A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Sanken Electric Co Ltd 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4534717B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US7670872B2 (en) 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
EP1824944A2 (en) * 2004-12-07 2007-08-29 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
WO2006098545A2 (en) * 2004-12-14 2006-09-21 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
US20060139335A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 International Business Machines Corporation Assembly and device for a display having a perimeter touch guard seal
US20060138443A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
WO2006071806A2 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
TWI303111B (en) * 2005-01-19 2008-11-11 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting diode device and manufacturing method thereof
TWM286903U (en) * 2005-01-25 2006-02-01 Shu-Shiung Guo Jewelry lamp
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
EP1694047B1 (de) * 2005-02-16 2020-03-18 X-Rite Switzerland GmbH Beleuchtungseinrichtung für ein Farbmessgerät
US20060189013A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
KR100799839B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-31 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US8793569B2 (en) * 2005-04-01 2014-07-29 Sony Corporation Presenting a recommendation based on user preference
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
KR100666189B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-09 서울반도체 주식회사 발광 소자
ATE534720T1 (de) * 2005-05-24 2011-12-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Grüner phosphor aus thiogallat, roter phosphor aus erdalkalisulfid und darauf basierende weisse lichtemittierungsvorrichtung
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
DE102005038698A1 (de) 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
KR100670478B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP4907121B2 (ja) 2005-07-28 2012-03-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
EP1750309A3 (en) * 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Light emitting device having protection element
US7927512B2 (en) 2005-08-04 2011-04-19 Nichia Corporation Phosphor and light emitting device
CN101227855B (zh) * 2005-08-05 2010-06-09 奥林巴斯医疗株式会社 发光单元
US7329907B2 (en) * 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US7765792B2 (en) 2005-10-21 2010-08-03 Honeywell International Inc. System for particulate matter sensor signal processing
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
JP4899433B2 (ja) * 2005-11-15 2012-03-21 三菱化学株式会社 蛍光体、並びにそれを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
WO2007061758A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-31 Cree, Inc. Tiles for solid state lighting
US8278846B2 (en) * 2005-11-18 2012-10-02 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
WO2007070821A2 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 Ilight Technologies, Inc. Illumination device with hue transformation
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
EP1963743B1 (en) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
US20070145879A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Abramov Vladimir S Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems
WO2007073496A2 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TWI491062B (zh) * 2006-01-20 2015-07-01 Cree Inc 空間分離發光膜以偏移固態發光器的光譜內容
KR101283182B1 (ko) * 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
JP5315616B2 (ja) * 2006-02-10 2013-10-16 三菱化学株式会社 発光装置、バックライト用白色発光体、及び画像表示装置
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
KR100746338B1 (ko) * 2006-02-20 2007-08-03 한국과학기술원 백색 발광장치용 형광체, 이의 제조방법 및 형광체를이용한 백색 발광장치
US20070210282A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Association Suisse Pour La Recherche Horlogere (Asrh) Phosphorescent compounds
EP1999232B1 (en) * 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Fluorescent material and light emitting diode using the same
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
CN100590173C (zh) 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
JP5032043B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
CN101410993B (zh) * 2006-03-28 2011-04-13 京瓷株式会社 发光装置
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5091421B2 (ja) * 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
EP2009486A4 (en) 2006-04-19 2009-12-09 Mitsubishi Chem Corp COLOR IMAGE DISPLAY DEVICE
JP2009534866A (ja) * 2006-04-24 2009-09-24 クリー， インコーポレイティッド 横向き平面実装白色ｌｅｄ
CN101443433A (zh) * 2006-04-27 2009-05-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括辐射源和发光材料的照明系统
CN101449100B (zh) 2006-05-05 2012-06-27 科锐公司 照明装置
US7755282B2 (en) * 2006-05-12 2010-07-13 Edison Opto Corporation LED structure and fabricating method for the same
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
JP4973011B2 (ja) * 2006-05-31 2012-07-11 豊田合成株式会社 Ｌｅｄ装置
KR100939936B1 (ko) * 2006-06-21 2010-02-04 대주전자재료 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
KR100887068B1 (ko) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101439567B1 (ko) * 2006-08-15 2014-09-11 다리엔 루밍라이트 컴퍼니 리미티드 다방출 피크를 가지는 실리케이트계 발광물질들, 그를 제조하는 방법 및 그를 사용하는 광방출 장치들
EP2060155A2 (en) * 2006-08-23 2009-05-20 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR20080018620A (ko) * 2006-08-25 2008-02-28 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US20080123023A1 (en) * 2006-08-30 2008-05-29 Trung Doan White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
US7713442B2 (en) 2006-10-03 2010-05-11 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR101008762B1 (ko) * 2006-10-12 2011-01-14 파나소닉 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
WO2008052318A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Light source comprising a light-excitable medium
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7648650B2 (en) * 2006-11-10 2010-01-19 Intematix Corporation Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
EP2843716A3 (en) 2006-11-15 2015-04-29 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
WO2008060594A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) through multiple extractors
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
US8045595B2 (en) * 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
KR100687417B1 (ko) * 2006-11-17 2007-02-27 엘지이노텍 주식회사 형광체의 제조방법
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
WO2008070604A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US8456388B2 (en) * 2007-02-14 2013-06-04 Cree, Inc. Systems and methods for split processor control in a solid state lighting panel
CN101247043B (zh) * 2007-02-15 2010-05-26 葳天科技股份有限公司 发光二极管电路组件
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US7864381B2 (en) 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US9525850B2 (en) 2007-03-20 2016-12-20 Prysm, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
JP5222600B2 (ja) 2007-04-05 2013-06-26 株式会社小糸製作所 蛍光体
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
EP1987762A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-05 F.Hoffmann-La Roche Ag Oximeter
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
RU2442197C2 (ru) 2007-05-17 2012-02-10 Призм, Инк. Многослойные экраны со светоизлучающими полосками для систем отображения со сканирующим лучом
US7712917B2 (en) * 2007-05-21 2010-05-11 Cree, Inc. Solid state lighting panels with limited color gamut and methods of limiting color gamut in solid state lighting panels
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8456392B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7682524B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Phosphor for producing white light under excitation of UV light and method for making the same
US7682525B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Material composition for producing blue phosphor by excitation of UV light and method for making the same
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
KR100919461B1 (ko) * 2007-07-09 2009-09-28 심현섭 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치
US8123384B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-28 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
CN101755345A (zh) * 2007-07-19 2010-06-23 夏普株式会社 发光装置
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
US20090033612A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Roberts John K Correction of temperature induced color drift in solid state lighting displays
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8829820B2 (en) * 2007-08-10 2014-09-09 Cree, Inc. Systems and methods for protecting display components from adverse operating conditions
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US20090050912A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode and outdoor illumination device having the same
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
US8519437B2 (en) * 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
DE102007043903A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
DE102007043904A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-19 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US8217568B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-10 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device using the light emitting element
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US20090108269A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Led Lighting Fixtures, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US20120037886A1 (en) * 2007-11-13 2012-02-16 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US7923925B2 (en) * 2007-11-20 2011-04-12 Group Iv Semiconductor, Inc. Light emitting device with a stopper layer structure
US8866410B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8823630B2 (en) * 2007-12-18 2014-09-02 Cree, Inc. Systems and methods for providing color management control in a lighting panel
US7907804B2 (en) 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
US7929816B2 (en) 2007-12-19 2011-04-19 Oree, Inc. Waveguide sheet containing in-coupling, propagation, and out-coupling regions
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8040070B2 (en) * 2008-01-23 2011-10-18 Cree, Inc. Frequency converted dimming signal generation
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TWI362413B (en) * 2008-02-25 2012-04-21 Ind Tech Res Inst Borate phosphor and white light illumination device utilizing the same
JP5227613B2 (ja) * 2008-02-27 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US20090225566A1 (en) 2008-03-05 2009-09-10 Micha Zimmermann Illumination apparatus and methods of forming the same
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
TWI361829B (en) 2008-03-20 2012-04-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
JP5665160B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明器具
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US7888688B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Thermal management for LED
DE102008021662A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
WO2009143283A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same
DE102008025864A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE202008018269U1 (de) 2008-05-29 2012-06-26 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
KR101438826B1 (ko) * 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
AU2009262174A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Mario W. Cardullo UV generated visible light source
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
DE102008031029B4 (de) * 2008-06-30 2012-10-31 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung für eine lichtemittierende Vorrichtung
WO2010002221A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US8698193B2 (en) * 2008-07-29 2014-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
US8080827B2 (en) * 2008-07-31 2011-12-20 Bridgelux, Inc. Top contact LED thermal management
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
US7859190B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-28 Bridgelux, Inc. Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
JP2010067903A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光素子
US8174100B2 (en) * 2008-09-22 2012-05-08 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source using a light-emitting diode
CN102171843B (zh) * 2008-09-26 2014-03-26 徐镇 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
WO2010055831A1 (ja) * 2008-11-13 2010-05-20 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010129583A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
DE102008062413A1 (de) 2008-12-17 2010-07-01 Poly-Tech Service Gmbh LED-basiertes Beleuchtungssystem
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
US8183575B2 (en) * 2009-01-26 2012-05-22 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device
KR20100093981A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
JP5327489B2 (ja) * 2009-02-20 2013-10-30 キューエムシー カンパニー リミテッド エルイーディーチップテスト装置
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US20100320904A1 (en) 2009-05-13 2010-12-23 Oree Inc. LED-Based Replacement Lamps for Incandescent Fixtures
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US20100315325A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source unit and display apparatus including the same
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
DE102009036462B4 (de) * 2009-08-06 2016-10-27 Trw Automotive Electronics & Components Gmbh Abgleichen des Farbortes von Leuchten und beleuchteten Bedien- oder Anzeigeeinheiten in einer gemeinsamen Umgebung
JP2011040494A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TWI361216B (en) * 2009-09-01 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
TWI539631B (zh) * 2009-09-15 2016-06-21 無限科技全球公司 製造發光、光伏或其它電子裝置及系統的方法
US8678618B2 (en) * 2009-09-25 2014-03-25 Toshiba Lighting & Technology Corporation Self-ballasted lamp having a light-transmissive member in contact with light emitting elements and lighting equipment incorporating the same
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
TWI403003B (zh) * 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
DE202009016962U1 (de) 2009-10-13 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffmischungen
JP5808745B2 (ja) 2009-10-13 2015-11-10 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ユウロピウムドープされたオルトケイ酸塩を含む発光体混合物
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
CN102668137A (zh) * 2009-12-04 2012-09-12 安纳托利·维斯耶维奇·维亚克夫 固态白色光源复合发光材料
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
TWI461626B (zh) * 2009-12-28 2014-11-21 Chi Mei Comm Systems Inc 光源裝置及具有該光源裝置之可攜式電子裝置
JP5257622B2 (ja) * 2010-02-26 2013-08-07 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
EP2553049B1 (en) 2010-03-31 2017-03-22 Osram Sylvania Inc. Phosphor and leds containing same
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
DE102010030473A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
DE102010034322A1 (de) * 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
US8568009B2 (en) * 2010-08-20 2013-10-29 Dicon Fiberoptics Inc. Compact high brightness LED aquarium light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
US8523385B2 (en) 2010-08-20 2013-09-03 DiCon Fibêroptics Inc. Compact high brightness LED grow light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
JP5127965B2 (ja) 2010-09-02 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
DE102010041236A1 (de) * 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102130254B (zh) * 2010-09-29 2015-03-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
US8357553B2 (en) 2010-10-08 2013-01-22 Guardian Industries Corp. Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same
US9024341B2 (en) * 2010-10-27 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Refractive index tuning of wafer level package LEDs
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
TWI592465B (zh) * 2010-11-22 2017-07-21 Ube Industries Silicate phosphor and light-emitting device having high light-emitting property and moisture resistance
DE102010055265A1 (de) 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9159885B2 (en) * 2010-12-29 2015-10-13 3M Innovative Properties Company Remote phosphor LED device with broadband output and controllable color
KR101719636B1 (ko) * 2011-01-28 2017-04-05 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
CN102130282A (zh) * 2011-02-12 2011-07-20 西安神光安瑞光电科技有限公司 白光led封装结构及封装方法
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
WO2012126561A1 (de) 2011-03-18 2012-09-27 Merck Patent Gmbh Silicat-leuchtstoffe
DE102011016567B4 (de) 2011-04-08 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
US8596815B2 (en) 2011-04-15 2013-12-03 Dicon Fiberoptics Inc. Multiple wavelength LED array illuminator for fluorescence microscopy
US8979316B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Dicon Fiberoptics Inc. Zoom spotlight using LED array
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
KR101793518B1 (ko) * 2011-05-19 2017-11-03 삼성전자주식회사 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
US8986842B2 (en) 2011-05-24 2015-03-24 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes
JP5772292B2 (ja) * 2011-06-28 2015-09-02 セイコーエプソン株式会社 生体センサーおよび生体情報検出装置
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
TWM418399U (en) * 2011-07-04 2011-12-11 Azurewave Technologies Inc Upright Stacked Light-emitting 2 LED structure
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011107893A1 (de) * 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
WO2013013154A2 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
KR101772588B1 (ko) 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
JP5634352B2 (ja) 2011-08-24 2014-12-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置および蛍光体の製造方法
US8410508B1 (en) * 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
EP2768037B1 (en) 2011-10-11 2015-07-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emission device, and illumination device using same
US20140347601A1 (en) * 2011-10-28 2014-11-27 Gary Gibson Luminescent layer with up-converting luminophores
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
JP2013110154A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Sanken Electric Co Ltd 発光装置
KR101323246B1 (ko) * 2011-11-21 2013-10-30 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 반도체 소자용 본딩 와이어, 그 제조방법, 반도체 소자용 본딩 와이어를 포함하는 발광다이오드 패키지
EP3367445B1 (en) 2011-11-23 2020-07-29 Quarkstar LLC Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
KR101894040B1 (ko) * 2011-12-06 2018-10-05 서울반도체 주식회사 엘이디 조명장치
US20130178001A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Wen-Lung Chin Method for Making LED LAMP
WO2013112542A1 (en) * 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
EP2620691B1 (en) * 2012-01-26 2015-07-08 Panasonic Corporation Lighting device
CN103242839B (zh) * 2012-02-08 2015-06-10 威士玻尔光电(苏州)有限公司 蓝光激发黄绿色铝酸盐荧光粉生产方法
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) * 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
EP2823017B1 (en) 2012-03-06 2017-04-19 Nitto Denko Corporation Ceramic body for light emitting devices
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
JP6435258B2 (ja) * 2012-03-30 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換側面被覆を具備する発光装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
CN104781369B (zh) * 2012-05-22 2017-07-07 皇家飞利浦有限公司 用于固态照明的诸如新窄带红色发射磷光体的新磷光体
CN102664230A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 邓崛 Led发光装置及其制造方法
CN103453333A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 致茂电子(苏州)有限公司 具有连续光谱的发光二极管光源
CN103511871A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯具
WO2014006501A1 (en) 2012-07-03 2014-01-09 Yosi Shani Planar remote phosphor illumination apparatus
CN102757784B (zh) * 2012-07-20 2014-05-07 江苏博睿光电有限公司 一种硅酸盐红色荧光粉及其制备方法
JP5578739B2 (ja) 2012-07-30 2014-08-27 住友金属鉱山株式会社 アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法
US9305439B2 (en) * 2012-10-25 2016-04-05 Google Inc. Configurable indicator on computing device
CN103837945A (zh) * 2012-11-28 2014-06-04 浜松光子学株式会社 单芯光收发器
TWI578573B (zh) * 2013-01-28 2017-04-11 Harvatek Corp A plurality of blue light emitting diodes in white light
US9133990B2 (en) 2013-01-31 2015-09-15 Dicon Fiberoptics Inc. LED illuminator apparatus, using multiple luminescent materials dispensed onto an array of LEDs, for improved color rendering, color mixing, and color temperature control
US9235039B2 (en) 2013-02-15 2016-01-12 Dicon Fiberoptics Inc. Broad-spectrum illuminator for microscopy applications, using the emissions of luminescent materials
JP2014160772A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
CN103203470B (zh) * 2013-05-13 2015-04-01 兰州理工大学 镍基荧光粒子功能指示复合涂层及其制备方法
WO2014184992A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および当該蛍光体を用いた発光装置、ならびに当該発光装置を備える投影装置および車両
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
RU2683077C2 (ru) * 2013-09-26 2019-03-26 Люмиледс Холдинг Б.В. Новое люминесцирующее вещество на основе нитридоалюмосиликата для твердотельного освещения
JP6323020B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
KR20150122360A (ko) * 2014-04-23 2015-11-02 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
ES2659344T3 (es) * 2014-09-11 2018-03-14 Philips Lighting Holding B.V. Módulo PC-LED con reproducción de blancos y eficiencia de conversión mejoradas
EP3224874B1 (en) 2014-11-26 2019-04-24 LedEngin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
WO2016150789A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Koninklijke Philips N.V. Blue emitting phosphor converted led with blue pigment
DE202015103126U1 (de) * 2015-06-15 2016-09-19 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
CN105087003B (zh) * 2015-09-02 2017-05-17 中国科学院长春应用化学研究所 一种橙黄光led荧光粉、其制备方法及其应用
US9478587B1 (en) 2015-12-22 2016-10-25 Dicon Fiberoptics Inc. Multi-layer circuit board for mounting multi-color LED chips into a uniform light emitter
CN108495898B (zh) 2016-01-14 2020-10-27 巴斯夫欧洲公司 具有刚性2，2’-联苯氧基桥接的苝双酰亚胺
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
FR3053757B1 (fr) * 2016-07-05 2020-07-17 Valeo Vision Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile
DE102016116439A1 (de) * 2016-09-02 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement
EP3523303B1 (en) 2016-10-06 2020-09-23 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
JP6932910B2 (ja) 2016-10-27 2021-09-08 船井電機株式会社 表示装置
KR101831899B1 (ko) * 2016-11-02 2018-02-26 에스케이씨 주식회사 다층 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN108063176A (zh) * 2017-10-30 2018-05-22 东莞市豪顺精密科技有限公司 一种蓝光led灯及其制造工艺和应用
JP6645488B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 信越半導体株式会社 半導体型蛍光体
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
CN111465605A (zh) 2017-12-19 2020-07-28 巴斯夫欧洲公司 氰基芳基取代的苯并(噻)呫吨化合物
CN108198809B (zh) * 2018-01-02 2020-01-07 广东纬达斯电器有限公司 一种led照明装置
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device
US11184967B2 (en) 2018-05-07 2021-11-23 Zane Coleman Angularly varying light emitting device with an imager
US10816939B1 (en) 2018-05-07 2020-10-27 Zane Coleman Method of illuminating an environment using an angularly varying light emitting device and an imager
KR102372498B1 (ko) * 2018-12-17 2022-03-10 박신애 발광장치를 구비하는 조립식 화장실용 패널
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
KR20220030989A (ko) * 2019-06-28 2022-03-11 덴카 주식회사 형광체 플레이트 및 그것을 사용한 발광 장치
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
EP4293733A4 (en) 2022-01-20 2024-04-17 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHORUS, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND VEHICLE DISPLAY LAMP
EP4293732A4 (en) 2022-01-20 2024-05-15 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND INDICATOR LIGHT FOR VEHICLES

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB544160A (en) * 1940-08-27 1942-03-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in luminescent materials
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
US4088923A (en) * 1974-03-15 1978-05-09 U.S. Philips Corporation Fluorescent lamp with superimposed luminescent layers
JPS5241484A (en) * 1975-09-25 1977-03-31 Gen Electric Fluorescent lamp structure using two kinds of phospher
JPS5944337B2 (ja) 1978-03-08 1984-10-29 三菱電機株式会社 螢光体
JPS57160381A (en) * 1981-03-25 1982-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speed controlling device of direct current motor
JPS59226088A (ja) 1983-06-07 1984-12-19 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
JPS6013882A (ja) 1983-07-05 1985-01-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
US4661419A (en) * 1984-07-31 1987-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
JPS6244792A (ja) 1985-08-22 1987-02-26 三菱電機株式会社 Ｃｒｔデイスプレイ装置
JPS62277488A (ja) 1986-05-27 1987-12-02 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
EP0550937B1 (en) † 1992-01-07 1997-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury discharge lamp
JP3215722B2 (ja) * 1992-08-14 2001-10-09 エヌイーシー三菱電機ビジュアルシステムズ株式会社 計測波形判定方法
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
JP3209096B2 (ja) * 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR20050053798A (ko) * 1996-06-26 2005-06-08 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH1056236A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体レーザ素子
JP3065258B2 (ja) 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JP4024892B2 (ja) * 1996-12-24 2007-12-19 化成オプトニクス株式会社 蓄光性発光素子
JP3706452B2 (ja) * 1996-12-24 2005-10-12 ローム株式会社 半導体発光素子
CN100485985C (zh) 1997-01-09 2009-05-06 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
KR100625835B1 (ko) * 1997-01-09 2006-09-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물반도체소자
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE59814117D1 (de) † 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
JP3246386B2 (ja) 1997-03-05 2002-01-15 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE19730006A1 (de) * 1997-07-12 1999-01-14 Walter Dipl Chem Dr Rer N Tews Kompakte Energiesparlampe mit verbesserter Farbwiedergabe
US5847507A (en) † 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3257455B2 (ja) 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6267911B1 (en) * 1997-11-07 2001-07-31 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Phosphors with long-persistent green phosphorescence
JP3627478B2 (ja) * 1997-11-25 2005-03-09 松下電工株式会社 光源装置
CN1086727C (zh) * 1998-01-14 2002-06-26 中日合资无锡帕克斯装饰制品有限公司 细颗粒蓄光性荧光粉及其制备方法
JP2924961B1 (ja) 1998-01-16 1999-07-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法
JP3612985B2 (ja) * 1998-02-02 2005-01-26 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
DE19806213B4 (de) 1998-02-16 2005-12-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Kompakte Energiesparlampe
JPH11233832A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6046465A (en) * 1998-04-17 2000-04-04 Hewlett-Packard Company Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same
JPH11354848A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
JP2000029696A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Sony Corp プロセッサおよびパイプライン処理制御方法
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
TW473429B (en) 1998-07-22 2002-01-21 Novartis Ag Method for marking a laminated film material
JP3584163B2 (ja) * 1998-07-27 2004-11-04 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE69937993C5 (de) * 1998-09-28 2019-01-10 Koninklijke Philips N.V. Beleuchtungsanordnung
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2000150966A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3708730B2 (ja) * 1998-12-01 2005-10-19 三菱電線工業株式会社 発光装置
US6656608B1 (en) * 1998-12-25 2003-12-02 Konica Corporation Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2000248280A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Yoshitaka Tateiwa 粗骨材の製造に関する土壌改良材及び製造する方法
JP3349111B2 (ja) 1999-03-15 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2000284280A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Rohm Co Ltd 面状光源
WO2000058665A1 (fr) 1999-03-29 2000-10-05 Rohm Co., Ltd Source lumineuse plane
JP2000349345A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP3337000B2 (ja) 1999-06-07 2002-10-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2000345152A (ja) * 1999-06-07 2000-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 黄色発光残光性フォトルミネッセンス蛍光体
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP2001217461A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2003282744A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp 不揮発性記憶装置

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2485633C2 (ru) * 2004-12-22 2013-06-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Светоизлучающее устройство
RU2426939C2 (ru) * 2005-11-17 2011-08-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Ламповый узел
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
RU2427753C2 (ru) * 2006-06-02 2011-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство, формирующее цветной и белый свет
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8111371B2 (en) 2007-07-27 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Illumination device and liquid crystal display device
RU2420930C1 (ru) * 2007-07-27 2011-06-10 Шарп Кабусики Кайся Осветительное устройство и устройство жидкокристаллического дисплея
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10892383B2 (en) 2007-10-31 2021-01-12 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
RU2519242C2 (ru) * 2008-05-08 2014-06-10 Лок-Эф Гмбх Осветительное устройство
RU2502919C2 (ru) * 2008-06-13 2013-12-27 Филипс Электроникс Лтд Ориентируемая линза для светодиодного светильника
RU2475671C2 (ru) * 2008-08-29 2013-02-20 Шарп Кабусики Кайся Устройство задней подсветки и дисплейное устройство, снабженное таким устройством
US8579490B2 (en) 2008-08-29 2013-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight device and display device provided with the same
RU2493635C2 (ru) * 2008-10-01 2013-09-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
RU2524456C2 (ru) * 2009-06-24 2014-07-27 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Светоизлучающее устройство, использующее люминесцентные вещества с оксиортосиликатными люминофорами
RU2503881C2 (ru) * 2009-07-06 2014-01-10 Шарп Кабусики Кайся Устройство подсветки, устройство отображения и телевизионный приемник
WO2011096837A1 (ru) * 2010-02-05 2011-08-11 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ создания светоизлучающей поверхности и осветительное устройство для реализации способа
RU2510824C1 (ru) * 2010-02-05 2014-04-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ создания светоизлучающей поверхности и осветительное устройство для реализации способа
RU2524690C2 (ru) * 2010-03-12 2014-08-10 Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд Осветительное устройство на белых светодиодах
RU2522461C2 (ru) * 2010-03-12 2014-07-10 Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
DE112010005456T5 (de) 2010-03-16 2013-06-13 "Dis Plus" Ltd. Verfahren zur Lichtstromfarbregelung einer Weißleuchtdiode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
RU2530426C2 (ru) * 2010-06-25 2014-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Светодиодная лампа
WO2011162634A1 (ru) * 2010-06-25 2011-12-29 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Светодиодная лампа
RU2604832C2 (ru) * 2010-07-01 2016-12-10 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Модифицированный светодиодный модуль снаружи герметизированной стеклянной трубки
WO2012018277A1 (ru) * 2010-08-04 2012-02-09 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Осветительное устройство
WO2012023880A1 (ru) * 2010-08-16 2012-02-23 Abramov Vladimir Semenovich Светодиодный источник излучения
RU2444676C1 (ru) * 2010-08-16 2012-03-10 Владимир Семенович Абрамов Светодиодный источник излучения
RU2583023C2 (ru) * 2010-10-26 2016-04-27 Лейхтштоффверк Брайтунген Гмбх Борофосфатный люминофор и источник света
WO2012064227A1 (ru) * 2010-11-08 2012-05-18 Krasnov Avgust Светодиод-лампа (далее по тексту сдл), светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для свето диода.
EA029315B1 (ru) * 2010-11-08 2018-03-30 Август Геннадьевич КРАСНОВ Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода
RU2503884C2 (ru) * 2011-12-15 2014-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Система стационарного освещения и светоизлучающее устройство для этой системы
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
RU2628014C2 (ru) * 2012-12-06 2017-08-17 Евгений Михайлович Силкин Световой прибор
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
RU2639554C2 (ru) * 2016-03-01 2017-12-21 Николай Евгеньевич Староверов Герметичный светодиодный кластер повышенной эффективности (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
US6943380B2 (en) 2005-09-13
EP1352431B2 (de) 2019-08-07
US7679101B2 (en) 2010-03-16
JP2007189239A (ja) 2007-07-26
JPWO2002054503A1 (ja) 2004-05-13
JP4583348B2 (ja) 2010-11-17
KR20050093871A (ko) 2005-09-23
CN1763982A (zh) 2006-04-26
CN1941441A (zh) 2007-04-04
US20050077532A1 (en) 2005-04-14
TWI297723B (en) 2008-06-11
EP2357678B1 (de) 2013-08-28
KR20070013339A (ko) 2007-01-30
EP2211392B1 (de) 2013-01-09
US20040051111A1 (en) 2004-03-18
ATA21542000A (de) 2002-07-15
JP2004516688A (ja) 2004-06-03
US20040090174A1 (en) 2004-05-13
EP2544247A2 (de) 2013-01-09
EP1352431B1 (de) 2010-04-21
CN1483224A (zh) 2004-03-17
CN1763982B (zh) 2011-07-20
JP4045189B2 (ja) 2008-02-13
JP5519552B2 (ja) 2014-06-11
DE50115448D1 (de) 2010-06-02
US7187011B2 (en) 2007-03-06
US20100155761A1 (en) 2010-06-24
EP2211392A1 (de) 2010-07-28
DE20122947U1 (de) 2011-08-05
EP1347517A4 (en) 2009-01-14
KR20050093870A (ko) 2005-09-23
EP2006924B1 (de) 2014-01-22
US7259396B2 (en) 2007-08-21
EP1352431A1 (de) 2003-10-15
RU2003123094A (ru) 2005-02-20
US20050162069A1 (en) 2005-07-28
KR20070118196A (ko) 2007-12-13
EP1347517A1 (en) 2003-09-24
KR100715580B1 (ko) 2007-05-09
ATE465518T1 (de) 2010-05-15
TW533604B (en) 2003-05-21
ES2437131T3 (es) 2014-01-09
JP4048116B2 (ja) 2008-02-13
AT410266B (de) 2003-03-25
JP4783306B2 (ja) 2011-09-28
KR100532638B1 (ko) 2005-12-01
US20070090383A1 (en) 2007-04-26
EP2357678A1 (de) 2011-08-17
CN1502137A (zh) 2004-06-02
US20050082574A1 (en) 2005-04-21
US20060267031A1 (en) 2006-11-30
JP2006319371A (ja) 2006-11-24
KR20030074641A (ko) 2003-09-19
KR100715579B1 (ko) 2007-05-09
KR100867788B1 (ko) 2008-11-10
DE20122946U1 (de) 2011-08-05
US7138660B2 (en) 2006-11-21
DE20122878U1 (de) 2010-04-08
US6809347B2 (en) 2004-10-26
CN1291503C (zh) 2006-12-20
EP2006924A1 (de) 2008-12-24
KR100849766B1 (ko) 2008-07-31
EP2544247B1 (de) 2014-06-25
WO2002054502A1 (de) 2002-07-11
WO2002054503A1 (fr) 2002-07-11
KR20030091951A (ko) 2003-12-03
ES2345534T5 (es) 2020-04-08
CN1268009C (zh) 2006-08-02
JP2011105951A (ja) 2011-06-02
EP2544247A3 (de) 2013-02-06
US7157746B2 (en) 2007-01-02
ES2345534T3 (es) 2010-09-27
CN1941441B (zh) 2010-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2251761C2 (ru) Источник света со светоизлучающим элементом
CN102660269B (zh) 包含辐射源和发光材料的照明系统
US7768189B2 (en) White LEDs with tunable CRI
US7857994B2 (en) Green emitting phosphors and blends thereof
EP2269207B1 (en) Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (leds)
US7737621B2 (en) Light emitting device provided with a wavelength conversion unit incorporating plural kinds of phosphors
US7906041B2 (en) Silicate-based green phosphors in red-green-blue (RGB) backlighting and white illumination systems
US6255670B1 (en) Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
CN101935526B (zh) 荧光体、其制备方法和发光装置
US20090309112A1 (en) Yellow-Emitting Phosphor and White Light Emitting Device Using the Same
CN101138278A (zh) 包括辐射源和荧光材料的照明系统
JP4223879B2 (ja) Ｓｍ付活赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子
CN101180381A (zh) 用于基于led的照明的红色磷光体
CN101151348A (zh) 用于具有改善的色彩品质的发光应用的氧氮化物磷光体
KR101618259B1 (ko) 발광단 및 상기 발광단을 가진 조명 시스템
JP2005054159A (ja) 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP2004111344A (ja) 発光素子
JP2004269834A (ja) 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子