KR100887068B1 - 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 다이오드 모듈 및 이의 제조방법이 개시된다. 개시된 발광 다이오드 모듈은 발광칩과; 상기 발광칩이 안착되는 내부 공간을 갖는 패키지 하우징과; 상기 발광칩에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시키는 형광물질들을 가지는 형광층;을 포함하며, 상기 형광층의 농도나 두께는 상기 형광층의 위치에 따라 다른 것을 특징으로 한다.
개시된 발광 다이오드 모듈의 제조방법은, 발광칩을 형성하는 단계와; 상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계와; 상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계와; 상기 패키지 하우징의 내부에 안착된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계와; 상기 방사패턴으로부터 형광층의 농도분포 또는 두께를 결정하는 단계와; 상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 농도분포 또는 두께로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법{Light emitting diode module and method of manufacturing the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 발광 다이오드 모듈을 개략적으로 보인 도면이다.
도 2는 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 예시적으로 도시한 그래프이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2에 해당하는 방사패턴을 갖는 경우 형광층의 농도 및 두께를 결정하는 방법을 설명하는 도면들이다.
도 4는 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 예시적으로 도시한 그래프이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4에 해당하는 방사패턴을 갖는 경우 형광층의 농도 및 두께를 결정하는 방법을 설명하는 도면들이다.
도 6은 형광층의 농도에 따른 형광전환효율을 나타낸 그래프이다.
도 7은 형광층의 두께에 따른 조명효율을 나타낸 그래프이다.
도 8은 발광칩의 방사패턴을 측정하는 단계에서의 도면이다.
도 9는 도 8의 단계에서 측정된 방사패턴을 보이는 그래프이다.
도 10은 도 8의 방사패턴을 고려하여 형광층을 위치에 따라 다른 두께로 도 포하여 제작한 발광 다이오드 모듈을 보이는 도면이다.
도 11은 도 10의 실시예의 발광다이오드 모듈과 비교하기 위한 발광다이오드 모듈을 도시한 도면이다.
도 12는 도 10의 실시예의 발광다이오드 모듈과 도 11의 비교예의 발광다이오드모듈의 특성을 비교한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
120,220... 발광칩 130,230... 서브마운트
140,240... 패키지하우징 160,260,270...레진층
180,280...형광층
본 발명은 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자외선 광 또는 청색광을 방출하는 발광 다이오드와 형광물질을 사용하여 백색광이나 다른 단색광을 구현함에 있어서 휘도 특성이 개선되도록 구조를 개선한 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode, 이하 LED)는 GaAs, AlGaN, AlGaAs등의 화합물 반도체를 이용하여 발광원을 구성함으로써 다양한 색의 빛을 발생시키는 반도체 발광소자이다. LED 는 반도체 레이저에 비해 제조 및 제어가 용이하며 또 형광등에 비해 장수명이므로, 형광등을 대신하여 차세대 디스플레이 장치의 조명용 광원으로서 부각되고 있다. 최근, 물리적, 화학적 특성이 우수한 질화물을 이용하여 구현된 청색 발광다이오드 및 자외선 발광 다이오드가 등장하였고, 또한 청색 또는 자외선 발광 다이오드와 형광물질을 이용하여 백색광 또는 다른 단색광을 만들 수 있게 됨으로써 발광 다이오드의 응용범위가 넓어지고 있다.
형광물질을 이용한 발광 다이오드 모듈은 청색 또는 자외선 발광 다이오드에서 방출된 광이 형광물질에 입사되어 에너지를 전달하고, 이에 의해 입사된 광보다 긴 파장의 광이 방출됨으로써 백색광 또는 다른 단색광을 만든다. 예컨대, 백색 발광 다이오드 모듈에 있어서는, 적색, 녹색 및 청색 형광물질이 혼합되어 이루어진 형광층이 채용되며, LED 칩에서 방출되는 자외선이 형광물질을 여기하고, 이에 따라 형광물질로부터 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 가시광이 방출된다. 이 때, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 가시광은 서로 혼합되어 방출되므로 인간의 눈에는 백색광으로 보이게 되는 것이다.
한편, 발광 다이오드에서 방출되어 형광층에 입사되는 광의 광파워는 일반적으로 형광층의 각 위치에서 다른 반면, 형광층의 두께는 균일하게 형성된다는 문제점이 있다. 즉, 발광 다이오드에서 방출되는 광의 구체적인 방사패턴을 고려하지 않고 균일한 두께로 형광층을 형성하는 경우 형광전환효율이 떨어지거나 조명효율이 낮아질 수 있다는 것이 단점이 된다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 형광층의 두께나 농도를 발광칩에서 방출하는 광의 방사패턴을 고려하여 결정함으로써, 높은 조 명 효율을 가지는 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드 모듈은, 발광칩과; 상기 발광칩이 안착되는 내부 공간을 갖는 패키지 하우징과; 상기 발광칩에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시키는 형광물질들을 가지는 형광층;을 포함하며, 상기 형광층은 각 위치에서 다른 농도분포를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 모듈의 제조방법은, 발광칩을 형성하는 단계와; 상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계와; 상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계와; 상기 패키지 하우징의 내부에 안착된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계와; 상기 방사패턴으로부터 형광층의 두께를 결정하는 단계와; 상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 두께로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 모듈의 제조방법은, 발광칩을 형성하는 단계와; 상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계와; 상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계와; 상기 패키지 하우징에 안착된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계와; 상기 방사패턴으로부터 형광층의 농도분포를 결정하는 단계와; 상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 농도분포로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 발광 다이오드 모듈의 구조를 보인 개략적으로 보인 도면이다. 도면을 참조하면, 발광 다이오드 모듈(100)은 발광칩(120)과, 발광칩(120)에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시키는 형광물질들을 가지는 형광층(180)을 포함한다.
발광칩(120)은 패키지하우징(140)의 내부공간에 마련된다. 예를 들면, 패키지하우징(140)의 내부공간에 안착된 서브마운트(130) 위에 배치된다. 패키지 하우징(140)은 발광칩(120)에서 방출되는 광을 상부로 반사시키는 내부반사면(140a)을 가지며, 전체적인 크기는 발광다이오드 모듈(100)이 사용되는 용도에 알맞은 사양으로 결정되게 된다. 패키지하우징(140)의 하부에는 제1리드프레임(142)과 제2리드프레임(144)이 마련되어 있다. 제1리드프레임(142)과 제2리드프레임(144)은 발광칩(120)의 미도시된 n 전극 및 p 전극에 각각 전기적으로 연결되어 발광칩(120)이 광을 방출하도록 전압을 인가하게 된다. 발광칩(120)은 p형반도체층, 활성층, n형반도체층을 포함하는 구조로서 이의 상세한 구조는 당업자에게 널리 알려져 있는 것이므로 자세한 설명은 생략한다.
패키지하우징(140)의 내부공간은 발광칩(120)과 서브마운트를 전체적으로 덮는 레진층(160)으로 채워질 수 있다. 레진층(160)은 발광칩(120)을 보호하며 또한 발광칩(120)의 굴절률과 발광칩(120) 외부의 굴절률과의 차이를 줄이기 위한 것이다. 레진층(160)의 굴절률이 발광칩(120)의 굴절률과 가까운 값이 될수록 발광칩(120)과 레진층(160)과의 경계면(120a)에서 전반사가 줄어들어 발광칩(22)의 외부로 방출되는 광이 많아지게 된다. 레진층(160)은 도시한바와 같이 패키지하우징(140)의 내부공간(140a)을 전체적으로 채우며 형성될 수도 있으나, 이는 예시적인 것이고, 내부공간(140a)의 일부에 발광칩(120)을 덮는 정도로만 형성될 수도 있다.
형광층(180)은 형광물질을 포함하여 이루어진 층으로, 예를 들면, 레진계열의 물질에 형광물질이 혼합되어 이루어진다. 형광층(180)에 입사된 광은 형광물질에 에너지를 전달하고 에너지가 낮은 광, 즉 긴 파장의 광으로 색상이 변환되어 방출되게 된다. 이 때, 형광물질이 혼합된 농도는 일정하지 않으며 위치에 따라 다르게 형성된다. 또한, 형광층(180)의 두께 또한 위치에 따라 다르게 형성된다. 구체적인 농도분포나 두께분포는 베어칩(bare chip) 상태, 즉, 형광층(180)이 도포되기 전 단계의 발광칩(120)에서 방출되는 광의 방사패턴에 의해 결정된다. 이는 형광층(180)의 각 위치에 입사되는 광파워의 구체적인 강도 차이를 고려하여 형광층(180)의 농도와 두께를 결정함으로써 형광전환효율(Phosphor conversion efficiency, PCE)을 높이기 위한 것이다. 형광전환효율은 형광층에 의해 변환되어 출사되는 광량을 형광층을 도포하기 전 발광칩에서 출사되는 광량에 대한 비율로 나타낸 것으로, 형광층의 형광전환효율이 높아지면 발광다이오드 모듈의 휘도 특성도 개선된다. 발광칩(120)에서 방출되는 광의 방사패턴은 발광칩(120)의 구조에 따라 다를 뿐만 아니라 패키지하우징(140)에 따라 다르다. 패키지하우징(140)에 따라 내부공간의 크기나 내부반사면(140a)이 조금씩 다르게 형성될 수 있고, 이에 의해 방사패턴이 영향을 받기 때문이다. 따라서, 형광층(180)의 농도나 두께는 형광층(180)이 도포되기 전 단계에서 방사패턴을 측정한 후 이를 고려하여 결정되게 되며, 예를 들어, 광파워가 높은 곳은 광파워가 낮은 곳보다 상대적으로 농도를 높게 또는 두께를 크게 한다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여 상기 형광층(180)의 농도분포 및 두께분포를 결정하는 방법을 설명한다.
도 2는 발광칩(120)에서 방출되는 광의 방사패턴을 예시적으로 도시한 그래프로서, 형광층(180)을 도포하기 전 단계에서 측정된 것이다. 도 3a 내지 도 3c는 발광칩(120)이 도 2에 해당하는 방사패턴을 갖는 경우 형광층(180)의 농도 및 두께를 결정하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 2를 참조하면, 방출되는 광의 방사패턴은 중심축 부근에서는 광파워가 다소 낮으며, 중심축에서 대략 ±45°인 지점에서 최대값에 이른 후 점차 감소하는 패턴을 갖는다. 도 3a를 참조하면, 형광층(180)은 균일한 두께(t)를 가지며 형광층(180)의 농도는 광파워가 낮은 중심부에서는 낮게 광파워가 상대적으로 높은 양측부에서는 높게 형성된다. 농도의 변화 범위 △d는 농도에 대한 발광특성을 고려하여 적절히 결정되며 이에 대해서는 후술한다. 도 3b는 두께를 변화시킨 경우로서, 형광층(180)의 농도는 균일하며 형광층(180)의 두 께(t)가 광파워가 높은 중심부에서는 작게 형성되고, 광파워가 높아지는 양측부로 갈수록 크게 형성되어 있다. 두께의 변화 범위 △t는 두께에 대한 발광특성을 고려하여 적절히 결정되며, 이에 대해서는 후술한다. 도 3c는 두께와 농도를 모두 변화시킨 구성이다. 도면을 참조하면, 형광층의 농도가 중심부에서 양측부로 감에 따라 높아지며, 또한 두께도 중심부에서 양측부로 갈수록 커진다. 이와 같이 농도와 두께, 두 가지 요소를 모두 이용하는 경우 어느 하나만을 변수로 하는 경우보다 △t나 △d를 작게 하면서 제어범위를 크게 할 수 있다. 따라서, 농도나 두께의 가변범위가 충분하지 않은 경우에 이러한 방법으로 형광층(180)의 농도 및 두께를 결정할 수 있다. 또는, 어느 하나만을 조절하여 용이하게 제어되지 않는 경우에도 이러한 방법으로 형광층(180)을 구성할 수 있다.
도 4는 발광칩(120)에서 방출되는 광의 방사패턴을 예시적으로 도시한 그래프로서, 형광층(180)을 도포하기 전 단계에서 측정된 것이다. 도 5a 내지 도 5c는 발광칩(120)이 도 4에 해당하는 방사패턴을 갖는 경우 형광층(120)의 농도 또는 두께를 결정하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 4를 참조하면, 방출되는 광의 방사패턴은 중심축 부분에서 광파워의 최대값을 가지며, 중심축의 좌우로 감에 따라 점차 감소하는 패턴을 갖는다. 도 5a를 참조하면, 형광층(180)은 균일한 두께(t)를 가지며 형광층(180)의 농도는 변화폭을 △d로 하여 중심부에서는 높게 양측부에서는 낮게 형성된다. 도 5b를 참조하면, 형광층(180)의 농도는 균일하게 형성되고 형광층(180)의 두께(t)가 그 변화범위를 △t로 하여 중심부에서는 크게 형성되고 양측부로 갈수록 작게 형성되어 있다. 도 5c를 참조하면 형광층(180)의 농도와 두께 가 모두 균일하지 않고 소정 분포를 갖는 구성으로 되어 있다. 즉, 농도(d)가 양측부에서 중심부로 감에 따라 높아지며, 또한 두께(t)도 양측부에서 중심부로 갈수록 커진다. 농도분포나 두께분포는 상기 도면들에서는 연속적으로 변하는 형태로 나타나고 있으나, 이는 예시적인 것이며 복수개의 영역으로 나누어 계단식 분포를 갖는 형태로 구성되는 것도 가능하다.
한편, 형광층(180)의 농도가 높아지고 두께가 커짐에 따라 계속적으로 형광층의 형광전환효율이 좋아지는 것은 아니다. 소정 범위 이상에서 형광전환효율은 오히려 감소하고 이에 따라 발광 다이오드 모듈의 조명효율은 낮아지게 된다. 따라서, 농도분포나 두께분포는 이를 고려하여 적절한 범위 내에서 결정되어야 한다.
도 6은 형광층의 농도에 따른 형광전환효율을 나타낸 그래프이다. 백색 발광다이오드 모듈을 제작하여 측정한 것으로, 적색, 녹색, 청색 형광물질이 함유된 형광층의 두께를 약 200um 정도로 하고 농도를 변화시키면서 측정한 그래프이다. 그래프를 참조하면, 형광층의 농도가 약 35%이상이 되면 형광전환효율은 더 이상 높아지지 않고 낮아지는 것을 알 수 있다. 상기 최적 농도는 예시적인 것으로 발광칩이나 패키지하우징의 구체적인 구조에 따라서 달라진다.
도 7은 형광층의 두께에 따른 조명효율을 나타낸 그래프이다. 단색 발광다이오드 모듈을 제작하여 측정한 것으로, 형광층의 농도는 약 40%로 하고 두께를 변화시키면서 측정한 그래프이다. 조명효율은 발광다이오드 모듈의 성능을 나타내는 지수 중 하나로서, 공급한 1와트(watt)의 전력당 사람 눈이 느끼는 밝기(lumen:lm)값을 의미한다. 형광층의 두께가 약 300um인 범위까지는 형광층의 두께가 증가함에 따라 조명효율이 높아지나, 그 이상에서는 조명효율이 낮아진다. 따라서 형광층의 두께 변화범위는 이러한 특성을 고려하여 결정해야한다. 상기 최적 두께 또한 예시적인 것이며 발광칩이나 패키지하우징의 구체적인 구조에 따라 달라진다.
이하, 도 8 내지 도 12를 참조하여, 상기 설명한 방법에 따라 제작된 발광다이오드 모듈의 특성을 비교예와 비교하여 설명하기로 한다.
도 8은 발광칩의 방사패턴을 측정하는 단계에서의 도면이다. 패키지하우징(240)의 내부공간에 서브마운트(230)를 마련하고, 서브마운트(230) 위에 발광칩(220)이 배치되어 있다. 발광칩(220)의 상부에 레진층(260)이 형성되어 있다. 발광칩(220)은 파장이 약 410nm인 광을 방출하는 칩으로 구성되었다.
도 9는 상기 발광칩(220)의 방사패턴을 측정한 그래프이다. 그래프를 참조하면, 발광칩의 중심축 상에서 광파워가 최대가 되며 중심축의 좌우로 갈수록 광파워는 점차 낮아지는 분포를 갖는다.
도 10은 상기 방사패턴을 고려하여 형광층(280)을 위치에 따라 다른 두께로 도포하여 제작한 발광다이오드 모듈(200)을 보이는 도면이다. 발광다이오드 모듈(200)은 발광칩(220)과 발광칩(220) 상부에 배치된 형광층(280)을 포함하며, 패키지하우징(240)의 내부공간에 안착된 서브마운트(230) 위에 배치된다. 패키지하우징(240)의 하부에는 발광칩(220)에 전압을 인가하는 제1리드프레임(242)과 제2리드프레임(244)이 마련되어 있다. 레진층(260,270)은 발광칩(220)과 형광층(280) 사이 에 형성되고, 또한 패키지하우징(240) 내부공간을 전체적으로 채우며 형성되어 있다. 형광층(280)의 두께는 위치에 따라 다르게 되어 있으며, 즉 광파워가 강한 중 심부에서의 두께는 광파워가 약한 양측부보다 크게 형성하였다. 이 때, 형광층(280)의 두께가 지나치게 두꺼운 경우는 형광전환효율이 낮아지므로 이를 고려하여 형광층(280)의 두께는 최대두께(t1)는 300nm로 하였고, 최소두께(t2)는 50nm가 되도록 하였다.
도 11은 도 10의 실시예의 발광다이오드 모듈(200)과 비교하기 위한 발광다이오드 모듈(200 )로서, 형광층(280 )의 두께를 제외한 나머지 구성은 도 10의 경우와 동일하다. 형광층(280)의 두께(to)는 약 200nm 로 균일하게 형성한 경우이다.
도 12는 도 10의 실시예의 발광다이오드 모듈(200)과 비교예의 발광다이오드 모듈(200 )의 특성을 비교한 것이다. 그래프를 참조하면, 형광층에서 전환되어 출광되는 광은 585nm 파장에서 최대 강도를 가지며, 실시예의 경우 비교예의 경우보다 약 26% 증가된 값을 갖는 것으로 나타나고 있다. 또한, 원치 않는 파장영역의 광(leak out)이 줄어드는 효과도 있어 형광층의 형광변환효율이 극대화 되었음을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 LED 모듈은, 형광층의 두께나 농도가 발광칩의 방사패턴을 고려하여 소정 분포를 갖도록 구성된 것을 특징으로 하여 개선된 휘도 특성을 갖는다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 따른 발광 다이오드 모듈의 제조방법은 형광층을 도포하기 전 단계에서 방사패턴을 측정하고 이를 고려하여 형광층의 두께와 농도를 결정하므로 휘도가 개선된 발광다이오드모듈을 제공하게 된다. 또한, 방사패턴의 측정과 함께 형광층의 농도나 두께에 따른 형광전환효 율을 측정함으로써 최적 범위의 농도 두께 범위를 결정하는 경우 보다 개선된 발광다이오드 모듈을 제조할 수 있다.
이러한 본원 발명인 LED 모듈은 이해를 돕기 위하여 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

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  7. 발광칩을 형성하는 단계;
    상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계;
    상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계;
    상기 발광칩의 상부에 레진층을 형성하는 단계;
    상기 패키지 하우징의 내부에 안착되고 상부에 레진층이 형성된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계;
    상기 방사패턴에 따른 각 위치의 형광층의 두께를 서로 다른 두께로 결정하는 단계; 및
    상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 두께로 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 패키지 하우징의 내부에 안착된 상기 발광칩에 대하여 형광층의 두께에 따른 조명효율 또는 형광전환효율을 측정하는 단계;를 더 포함하며, 상기 형광층의 두께분포는 형광층의 두께가 증가함에 따라 조명효율 또는 형광전환효율이 증가하는 두께 범위 내에서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 형광층의 두께는 상기 방출되는 광의 광파워가 강한 부분은 광파워가 약한 부분보다 상대적으로 두께가 크게 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
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  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 방사패턴에 따른 각 위치의 형광층의 농도분포를 서로 다른 농도분포로 결정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 형광층의 농도분포는 상기 방출되는 광의 광파워가 강한 부분은 광파워가 약한 부분보다 상대적으로 농도가 높게 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 패키지 하우징에 안착된 상기 발광칩에 대해 형광층의 농도에 따른 조명효율 또는 형광전환효율을 측정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 형광층의 농도분포는 형광층의 농도가 높아짐에 따라 조명효율 또는 형광전환효율이 증가하는 농도 범위 내에서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  15. 발광칩을 형성하는 단계;
    상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계;
    상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계;
    상기 패키지 하우징에 안착된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계;
    상기 방사패턴에 따른 각 위치의 형광층의 농도분포를 서로 다른 농도분포로 결정하는 단계; 및
    상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 농도분포로 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 패키지 하우징에 안착된 상기 발광칩에 대해 형광층의 농도에 따른 조명효율 또는 형광전환효율을 측정하는 단계;를 더 포함하며, 상기 형광층의 농도분포는 형광층의 농도가 높아짐에 따라 조명효율 또는 형광전환효율이 높아지는 농도 범위 내에서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 형광층의 농도분포는 상기 방출되는 광의 광파워가 강한 부분은 광파워가 약한 부분보다 상대적으로 농도가 높게 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 모듈 제조방법.
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