KR20130083207A - 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법 - Google Patents

웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법이 개시된다. 개시된 형광층 형성방법은, 복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼를 하부 몰드 및 상부 몰드 사이에 클램핑하되 상기 웨이퍼 및 상기 상부 몰드 사이에 공간을 형성하는 단계와, 상기 공간으로 형광액을 주입하여 상기 웨이퍼 상으로 형광층을 형성하는 단계와, 상기 상부 몰드 및 하부 몰드로부터 상기 웨이퍼를 분리하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법{Method of forming phosphor layer on light emitting device chip wafer using wafer lavel mold}
본 발명은 복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼 상에 웨이퍼 레벨 몰드를 이용하여 형광층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
발광소자 칩(light emitting device chip), 예를 들면, 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 발광다이오드는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 빛의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 발광다이오드는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어 여러가지 용도로 적용이 가능하다.
반도체 제조공정을 이용하여 발광다이오드를 제조하는 경우, 생산성 향상을 위해 복수의 발광 다이오드 칩을 웨이퍼 상에 형성한다.
종래에는 웨이퍼 레벨에서 발광소자 칩 상에 형광층을 형성하기 위해서 두꺼운 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 두꺼운 포토레지스트 패턴 상으로 형광층을 스크린 프린팅한다. 웨이퍼 레벨에서 형광층을 원하는 두께로 래핑을 한 후, 두꺼운 포토레지스트 패턴을 제거한다.
그러나, 종래 방법은 웨이퍼 레벨로 발광소자 칩 상에 형광층을 형성할 수 있으나, 형광층의 두께가 동일하여 각 발광소자 칩의 발광 특성에 적절한 형광층 두께와 차이가 날 수 있으며, 따라서, 제조된 발광소자의 발광 품질이 저하될 수 있다.
본 발명은 웨이퍼 레벨로 각 발광소자 칩에 대응되는 높이로 형광층을 형성하는 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법을 제공한다.
또한, 각 발광소자 칩의 특성을 고려하여 형광층의 높이를 결정하므로, 웨이퍼 레벨로 생산된 발광소자 칩의 색좌표가 균일할 수 있어, 발광소자 칩을 이용한 패키지의 품질이 향상될 수 있다.
본 별명의 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법은:
복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼를 하부 몰드 및 상부 몰드 사이에 클램핑하되 상기 웨이퍼 및 상기 상부 몰드 사이에 공간을 형성하는 단계;
상기 공간으로 형광액을 주입하여 상기 웨이퍼 상으로 형광층을 형성하는 단계; 및
상기 상부 몰드 및 하부 몰드로부터 상기 웨이퍼를 분리하는 단계;를 포함한다.
상기 클램핑 단계는 상기 하부 몰드를 대향하는 상기 상부 몰드의 천정 상의 복수의 로드로 마주보는 상기 복수의 발광소자 칩의 전극을 커버하는 단계를 포함한다.
상기 클램핑 단계 이전에 상기 상부 몰드에 이형층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 이형층은 상기 분리 단계에서 상기 웨이퍼로부터 상기 상부 몰드가 용이하게 릴리스되게 한다.
상기 발광소자 칩 웨이퍼의 각 발광소자 칩에서 방출되는 피크 파장을 측정하는 단계; 및
상기 상부 몰드의 천정으로부터 상기 발광소자의 상면까지의 거리는 상기 피크 파장에 따라 다르게 준비하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 상부 몰드의 상기 거리는 상기 피크 파장이 클수록 작을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법은:
복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼에서 각 발광소자 칩에서 발광되는 피크 파장을 측정하는 단계;
상기 웨이퍼를 하부 몰드에 장착하는 단계;
상기 하부 몰드에 상부 몰드를 클램핑하여 상기 웨이퍼 및 상기 상부 몰드 사이에 공간을 형성하는 단계;
상기 공간으로 형광액을 주입하여 상기 웨이퍼 상으로 형광층을 형성하는 단계; 및
상기 상부 몰드 및 하부 몰드로부터 상기 웨이퍼를 분리하는 단계;를 포함하며,
상기 상부 몰드는 상기 발광소자 칩의 상면 및 상기 상부 몰드 사이의 거리가 상기 피크 파장에 따라 다르다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 레벨에서 형광층을 형성하므로 생산성이 향산된다.
또한, 형광층의 형성후 형광층을 추가적으로 래핑할 필요가 없으며, 두꺼운 포토레지스트를 사용하지 않으므로 공정이 단순화된다.
또한, 각 발광소자 칩의 발광 특성을 고려하여 각 발광소자 칩의 형광층의 높이를 결정하므로, 제조된 발광소자 칩을 이용한 발광소자 패키지의 품질이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명에서의 발광소자 칩의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 3은 웨이퍼 상에서 중앙을 가로지르는 지름 방향에서의 발광소자 칩의 피크 파장을 측정한 결과를 플로팅한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 이하에서 "상" 또는 "위"라는 용어는 어떤 층 위에 직접 접촉되어 배치된 경우뿐만 아니라 접촉되지 않고 떨어져 위에 배치되는 경우, 다른 층을 사이에 두고 위에 배치되는 경우 등을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명에서의 발광소자 칩(100)의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판, 예컨대 실리콘 알루미늄(SiAl) 기판(110) 상에 발광소자용 반도체층(120)이 적층되어 있다. 반도체층(120)은 기판(110) 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물층(121), 활성층(122), 및 제2 질화물층(123)으로 이루어질 수 있다. 제1 질화물층(121)과 제2 질화물층(123)은 p형 불순물 및 n형 불순물중 서로 다른 불순물로 도핑된다. 본 실시예에서는 제1 질화물층(121)은 n형 질화물층이며, 제2 질화물층(123)은 p형 질화물층인 것을 예시한다. 제1 질화물층(121)은 InxGayAlzN 으로 형성될 수 있다. 제1 질화물층(121)은 한가지 조성으로 이루어진 단일층, 또는 조성이 다른 복수의 층으로 이루어질 수도 있다.
활성층(122)은 GaN과 InGaN이 교번되어 형성된 복수의 양자 우물층 구조의 활성층일 수 있다.
제2 질화물층(123)은 InxGayAlzN 으로 형성될 수 있다. 제2 질화물층(123)은 한가지 조성으로 이루어진 단일층, 또는 조성이 다른 복수의 층으로 이루어질 수도 있다.
제2 질화물층(123) 상에는 제1 전극(130)이 형성된다. 제1 전극(130)은 p형 전극일 수 있다. 실리콘 알루미늄 기판(110)은 n형 전극으로 작용할 수 있다.
도 1에는 수직형 전극구조를 가진 발광소자 칩의 구조가 개시되어 있으나, 본 발명의 발광소자 칩은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 수평형 전극 구조를 가질 수도 있으며, 수평형 전극 구조에 대한 상세한 설명은 생략한다.
복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼 상에서 각 발광소자 칩 상에 형광층을 웨이퍼 레벨로 형성하기 위해서는 전극, 예컨대 도 1의 제1 전극(130)을 제외한 영역에 형광층을 형성한다.
종래에는 두꺼운 포토레지스트 패턴을 이용하여 제1 전극을 가린 상태에서 형광층을 형성하였으나, 이러한 방법은 두꺼운 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정, 형광층의 높이를 조절하기 위해서 래핑을 하는 공정을 필요로 하므로, 형광층 제조공정이 복잡하다.
이하에서는 금속 메탈 몰드를 사용하여 발광소자 칩 상에 웨이퍼 레벨로 형광층을 용이하게 형성하는 방법을 설명한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법을 단계적으로 보여주는 도면들이다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 2a를 참조하면, 상면(211)에 복수의 발광소자 칩으로 이루어진 웨이퍼(200)를 준비한다. 도 2a에는 하나의 웨이퍼에 편의상 수십 개의 발광소자 칩이 형성되어 있으나, 실제는 수천 개의 발광소자 칩이 하나의 웨이퍼에 형성될 수 있다. 발광소자 칩은 도 1의 발광소자 칩(100)과 실질적으로 동일할 수 있다.
웨이퍼(200)는 실리콘 알루미늄으로 형성된 기판(210)과, 그 위에 형성된 GaN 계 반도체층(220)과 제1 전극(230)을 포함할 수 있다. 발광소자 칩은 웨이퍼(200) 상에서 매트릭스 배열 형태로 형성될 수 있다. 또한, 발광소자 칩의 구조는 다양할 수 있으며, 일 예로 도 1의 수직형 발광소자 칩(100)을 가질 수 있다. 기판(210), 반도체층(220), 제1 전극(230)은 각각 도 1의 기판(110), 반도체층(120), 제1 전극(130)에 대응된다.
도 2b를 참조하면, 웨이퍼(200)를 그 사이에 배치할 수 있는 하부 몰드(240) 및 상부 몰드(250)를 준비한다. 하부 몰드(240)에는 웨이퍼(200)가 장착되는 장착홈(242)과 웨이퍼(200)를 둘러싸는 테두리가 형성되어 있다. 상부 몰드(250)에는 하부 몰드(240)의 테두리와 대응되는 테두리를 포함한다. 상부 몰드(250)의 테두리와 하부 몰드(240)의 테두리가 서로를 지지한다. 상부 몰드(250) 및 웨이퍼 사이에 일정 공간이 형성된다.
상부 몰드(250)에는 각 발광소자 칩의 제1 전극(230)에 대응되게 복수의 로드(252)가 형성되어 있다. 각 로드(252)는 후술하는 형광층 도포공정에서 전극이 형광층으로 도포되는 것을 방지하도록 제1 전극(230)의 상부를 커버한다.
상부 몰드(250) 또는 하부 몰드(240)에는 형광액을 주입하는 형광액 주입홀(254)이 형성된다. 도 2b에서는 형광액 주입홀(254)이 상부 몰드(250)에 형성된 것을 예시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 형광액 주입홀(254)은 하부 몰드(240)에 형성될 수도 있다.
상부 몰드(250)와 하부 몰드(240)는 철, 알루미늄과 같은 일반 금속으로 형성될 수 있다.
다시 도 2b를 참조하면, 하부 몰드(240)의 장착홈(242)에 웨이퍼(200)를 장착한다. 웨이퍼(200)의 기판(210)이 하부 몰드(240)의 장착홈(242)에 접촉하도록 배치한다. 이어서, 상부 몰드(250)를 하부 몰드(240)에 클램핑하면서 로드(252)가 발광소자 칩의 제1 전극(230)을 커버하도록 한다.
도 2b에서는 편의상 3개의 발광소자 칩과 그에 대응하는 상부 몰드 및 하부 몰드를 도시하였지만 실제는 수천 개의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼를 내포한다.
도 2c를 참조하면, 상부 몰드(250)의 일측에 형성된 형광액 주입홀(254)로부터 형광액을 공급하여 발광소자 칩 상으로 형광층(260)을 형성한다. 즉, 상부 몰드(250) 및 웨이퍼(200) 사이의 공간으로 형광액을 공급한다. 형광액은 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등에 형광체 입자가 분포된 액체일 수 있다. 백색광을 내는 발광 소자를 위해서, 발광소자 칩은 블루광을 방출하는 발광소자 칩일 수 있으며, 형광체 입자는 옐로우 형광체이거나, 또는 그린 형광체와 레드 형광체가 섞인 형광체로 이루어질 수 있다.
형광액 주입홀(254)로부터 인입된 형광액은 하부 몰드(240) 및 상부 몰드(250) 사이의 공간에서 로드(252) 사이를 통과하여 전극 영역을 제외한 각 발광소자 칩을 덮는다. 이때, 형광층(260)은 발광소자 칩 사이의 영역, 즉 스트리트(S)도 덮는다.
한편, 발광소자 칩과 상부 몰드(250)의 천정 사이의 거리(D)는 발광소자 칩 상의 형광층(260)의 두께에 해당된다. 형광층(260)의 두께는 대략 70㎛일 수 있다. 그러나, 형광층(260)의 두께는 발광소자 칩의 피크 파장과 관련하여 적정 두께가 있다.
도 3은 웨이퍼(200) 상에서 중앙을 가로지르는 지름 방향에서의 발광소자 칩의 피크 파장을 측정한 결과를 플로팅한 도면이다. 도 3을 참조하면, 발광소자 칩의 피크 파장은 대략 438.9 nm ~ 448.4 nm 로, 위치에 따라서 다소 차이가 있다. 피크 파장이 높은 영역은 형광층(260)의 두께가 상대적으로 얇게 형성하며, 피크 파장이 낮은 영역은 형광층(260)의 두께가 상대적으로 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 이를 위해서, 상부 몰드(250)의 천정과 발광소자 칩 사이의 거리(D)를 미리 조절한다. 예컨대, 피크 파장이 3nm 높으면 거리(D)를 대략 1-20 ㎛ 낮게 형성할 수 있다.
일반적으로, 동일한 배치(batch) 공정에서의 웨이퍼 상의 발광소자 칩의 발광 특성은 위치별로 일정할 수 있다. 또한, 웨이퍼에서 동심원의 발광소자 칩의 발광특성은 유사하므로, 각 웨이퍼에서 각 발광소자 칩에 대해서 발광소자 칩 특성을 측정하는 대신에 지름 방향의 발광소자 칩의 특성을 측정한 후, 동심원에 있는 발광소자 칩들에 적용할 수 있다. 웨이퍼 상의 발광소자 칩들의 피크 파장 측정은 각 웨이퍼 마다 하지 않아도 되며, 따라서, 상부 몰드(250)에서의 거리(D)는 배치 공정에 따라 일정한 패턴으로 형성될 수 있다.
한편, 상부 몰드(250)에는 이형층(미도시), 예컨대 테프론 코팅을 형성할 수 있다. 이형층은 형광층(260)이 형성된 웨이퍼(200)를 상부 몰드(250)로부터 용이하게 릴리스할 수 있게 한다. 또한, 이형층은 로드(252)가 제1 전극(230)을 접촉시 제1 전극(230)을 보호할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 상부 몰드(250) 및 하부 몰드(240)로부터 웨이퍼(200)를 분리한다. 웨이퍼(200) 상에는 형광층(260)이 도포되어 있으며, 발광소자 칩 상의 제1 전극(230)에는 형광층(260)이 도포되어 있지 않다.
도 2e를 참조하면, 웨이퍼(200) 상으로 보호 테이프(270)를 부착한다. 보호 테이프(270)는 형광층(260)을 보호하면서, 웨이퍼(200)를 고정하는 면을 제공한다. 이어서, 미도시된 그라인더로 기판(210)의 하면을 그라인딩하여 원하는 두께를 가진 기판(212)을 만들 수 있다. 예컨대, 500㎛ 두께의 기판(210)을 150㎛ 두께의 기판(212)으로 그라인딩할 수 있다. 이어서, 보호 테이프(270)를 제거할 수 있다.
도 2f를 참조하면, 기판(212)의 하부에 다이싱 테이프(280) 상에 배치한 다음 기판(212)을 다이싱하여 각 발광소자 칩(290)으로 분리한다. 다이싱 공정에서 발광소자 칩(290) 사이의 형광층(260)이 제거되어 발광소자 칩(290) 상에만 형광층(262)이 남게 된다. 다이싱 테이프(280)는 점착성을 주는 테이프이면 되며, 특별하게 제한을 두지 않는다. 예컨대, 자외선 테이프(ultraviolet tape: UV tape), 열경화성 테이프(thermosetting tape) 등을 사용할 수 있다. 다이싱 테이프(280)는 대략 50 - 200 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
분리된 발광소자 칩(290)은 패키징 공정을 통해서 발광소자 패키지로 만들어지며, 이에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
상기 실시예에서는 하나의 수직형 발광소자 칩에 대해서 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, GaN 반도체층에 p형 전극 및 n형전극이 형성된 경우, 상부 몰드에는 각 발광소자 칩의 두개의 전극에 대응되게 두개의 로드가 형성되어서 형광액 도포시 두개의 전극을 가릴 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
100, 290: 발광소자 칩 200: 웨이퍼
210, 212: 기판 220: 반도체층
230; 제1 전극 240: 하부 몰드
250: 상부 몰드 252: 로드
260, 262: 형광층 270, 280: 테이프
S: 스트리트

Claims (9)

  1. 복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼를 하부 몰드 및 상부 몰드 사이에 클램핑하되 상기 웨이퍼 및 상기 상부 몰드 사이에 공간을 형성하는 단계;
    상기 공간으로 형광액을 주입하여 상기 웨이퍼 상으로 형광층을 형성하는 단계; 및
    상기 상부 몰드 및 하부 몰드로부터 상기 웨이퍼를 분리하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 클램핑 단계는 상기 하부 몰드를 대향하는 상기 상부 몰드의 천정 상의 복수의 로드로 마주보는 상기 복수의 발광소자 칩의 전극을 커버하는 단계를 포함하는 형광층 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 클램핑 단계 이전에 상기 상부 몰드에 이형층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 이형층은 상기 분리 단계에서 상기 웨이퍼로부터 상기 상부 몰드가 용이하게 릴리스되게 하는 형광층 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 웨이퍼의 각 발광소자 칩에서 방출되는 피크 파장을 측정하는 단계; 및
    상기 상부 몰드의 천정으로부터 상기 발광소자의 상면까지의 거리는 상기 피크 파장에 따라 다르게 형성하는 단계;를 포함하는 형광층 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 상부 몰드의 상기 거리는 상기 피크 파장이 클수록 작은 형광층 제조방법.
  6. 복수의 발광소자 칩이 형성된 웨이퍼에서 각 발광소자 칩에서 발광되는 피크 파장을 측정하는 단계;
    상기 웨이퍼를 하부 몰드에 장착하는 단계;
    상기 하부 몰드에 상부 몰드를 클램핑하여 상기 웨이퍼 및 상기 상부 몰드 사이에 공간을 형성하는 단계;
    상기 공간으로 형광액을 주입하여 상기 웨이퍼 상으로 형광층을 형성하는 단계; 및
    상기 상부 몰드 및 하부 몰드로부터 상기 웨이퍼를 분리하는 단계;를 포함하며,
    상기 상부 몰드는 상기 발광소자 칩의 상면 및 상기 상부 몰드 사이의 거리가 상기 피크 파장에 따라 다른, 웨이퍼 레벨 몰드를 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 형광층 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 클램핑 단계는 상기 하부 몰드를 대향하는 상기 상부 몰드의 천정에 형성된 복수의 로드로 마주보는 상기 복수의 발광소자 칩의 전극을 커버하는 단계를 포함하는 형광층 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 클램핑 단계 이전에 상기 상부 몰드에 이형층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 이형층은 상기 분리 단계에서 상기 웨이퍼로부터 상기 상부 몰드가 용이하게 릴리스되게 하는 형광층 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 몰드의 상기 거리는 상기 피크 파장이 클수록 작은 형광층 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101367918B1 (ko) * 2012-09-24 2014-02-28 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지
JP6464877B2 (ja) * 2014-05-21 2019-02-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6809203B2 (ja) * 2016-12-20 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
GB202020709D0 (en) * 2020-12-30 2021-02-10 Ams Sensors Singapore Pte Ltd Method of shielding electronic modules from radio frequency electromagnetic radiation

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009097A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100887068B1 (ko) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
WO2008152179A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Elektrobit Wireless Communications Oy Input arrangement
TWI396298B (zh) * 2007-08-29 2013-05-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用
CN101388426B (zh) * 2007-09-10 2012-10-10 亿光电子工业股份有限公司 一种发光半导体晶片和发光半导体组件的制造方法
CN101582475B (zh) * 2008-12-29 2011-09-28 佛山市国星光电股份有限公司 在led芯片上涂布荧光粉层的方法及led器件的制造
US8329482B2 (en) * 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법

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