TWI475728B - 發光二極體及製造發光二極體之方法 - Google Patents

發光二極體及製造發光二極體之方法 Download PDF

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Description

發光二極體及製造發光二極體之方法
本發明大體而言係關於發光二極體及製造發光二極體之方法。
發光二極體(LED)為用於電腦監視器、電視、行動電話、數位相機及多種其他電子器件及應用的明亮光之有效來源。白光LED亦可在一般照明、建築、戶外、商用及/或住宅照亮中使用。然而，不能得到真正之白光LED，此係因為LED通常僅以一個特定波長發射。為了使人眼感知到白光，需要波長之混合。
一種用於用LED仿效白光之習知技術包括將光轉換材料(例如，磷光體)沈積在基底材料(例如，氮化銦鎵(InGaN))上。在操作中，InGaN基底材料發射刺激光轉換材料發射黃光之藍光。因為黃光刺激人眼之紅色及綠色受體，所以若基底材料與光轉換材料適當地匹配，則對眼睛而言，藍光及黃光之所得混合看起來像白色。然而，若未適當地匹配，則組合之發射呈現灰白色，且可能降低電子器件之色彩保真度。
以下描述上面形成有LED之微電子工件及製造此等LED之方法之各種實施例。術語「微電子工件」貫穿全文用以包括在上面及/或其中製造有微電子器件、微機械器件、資料儲存元件、讀取/寫入組件及其他特徵之基板。基板可為(例如)半傳導片(例如，矽晶圓、砷化鎵晶圓或其他半導體晶圓)、非傳導片(例如，各種陶瓷基板)或傳導片。未詳細展示或描述熟知結構、系統及通常與此等系統相關聯之方法以避免不必要地混淆對技術之各種實施例之描述。因此，熟習相關技術者將理解，技術可能具有額外實施例，且技術可在無以下參看圖1A至圖8所展示及描述的元件中之若干者的情況下加以實踐。
圖1A為呈包括多個微電子器件或組件120之半導體晶圓110之形式的微電子工件100。可對晶圓級之微電子工件100進行以下所描述的處理中之至少一些，且在已自較大晶圓110單一化出器件120之後，可對微電子工件100之個別微電子器件120進行其他處理。因此，除非另有說明，否則以下在微電子工件之情況下所描述的結構及方法可適用於晶圓110、自晶圓110形成之器件120及/或附接至支撐部件之一或多個器件120之套組。圖1B為個別器件120在其已自圖1A所展示之晶圓110單一化之後的示意性說明。器件120可包括可操作微電子結構，其視情況裝入保護性囊封物(encapsulant)內。舉例而言，器件120可包括InGaN及/或其他類型之LED、電晶體、電容器、彩色濾光片、鏡面及/或其他類型之電/機械/光學組件。器件120可藉由插腳、結合襯墊、焊球、再分配結構及/或其他傳導結構電連接至外部結構器件。
圖2A至圖6說明根據技術之實施例用於選擇性地將光轉換材料塗覆至LED上之方法的各個階段。如以下所更詳細描述，可將一或多種光轉換材料或轉換器材料(例如，磷光體)塗覆至工件或晶圓上之每一LED之離散區上。術語「磷光體」通常指代在曝露於受激粒子(例如，電子及/或光子)之後可持續發光的材料。光轉換材料可經圖案化或選擇性地塗覆至每一LED上以幫助補償橫越晶圓之色彩變化。另外，可使用本文中所描述之方法來精確地調諧或控制晶圓上之個別組件的色彩。
圖2A為在將任何光轉換材料塗覆至工件200上之前處於初始處理階段的微電子工件200之部分的部分示意性俯視圖。圖2B為實質上沿著圖2A之線2B-2B所截取的部分示意性側視橫截面圖。一起參看圖2A及圖2B，微電子工件200包括具有前側或作用側204(圖2B)及形成於前側204處之LED 210(例如，InGaN LED)(圖2B)的半導體基板202。雖然僅展示單一LED 210，但將瞭解可同時或大致同時橫越工件200對多個器件執行本文中參看圖2A至圖6所描述之方法。
工件200可包括大體上類似於上文參看圖1A及圖1B所描述之工件100之若干特徵。舉例而言，基板202可為具有以晶粒圖案配置在晶圓上的複數個微電子器件或組件(例如，LED 210)之半導體晶圓。個別LED 210亦包括端子212(例如，如圖2A所示之結合襯墊)及電耦接至端子212之電路(未圖示)。一種用於形成InGaN LED之技術可包括在金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)程序中經由磊晶成長依序地將N型摻雜GaN、InGaN及P型摻雜GaN材料塗覆於藍寶石(Al2 O3 )及/或矽(Si)基板上。然而，在其他實施例中，可使用其他合適技術來形成LED 210。
可使用多種不同方法選擇性地將光轉換材料塗覆至LED 210。在所說明之實施例中，例如，將第一遮罩或主光罩220定位於LED 210之上。第一遮罩220包括對應於用於LED 210上之第一光轉換材料(未圖示--將在下文參看圖3A及圖3B詳細描述)之所要圖案的複數個孔隙或開口222。第一遮罩220可為與LED 210之上表面間隔開之離散組件，或遮罩220可由使用光微影及/或其他合適技術塗覆於LED 210之上表面上(如圖2B中之虛線所示)且經圖案化之光阻材料或其他合適遮罩材料組成。亦可遮蔽端子212以防止處理期間之短路或污染。
參看圖3A及圖3B，第一光轉換材料或第一轉換器材料224(例如，黃色磷光體)以所要圖案塗覆於LED 210上。可使用網版印刷製程及/或其他合適方法來塗覆第一光轉換材料224。如上文所提及，第一遮罩220經組態以排除特定接觸區，以使得第一光轉換材料224僅選擇性地塗覆至LED 210之所要區域上。在所說明之實施例中，第一光轉換材料224包含以選定圖案配置在LED 210上之複數個區塊或「島狀物」。第一光轉換材料224之個別部分藉由複數個第一間隙或通道225而彼此分離。圖3A及圖3B中所展示之圖案僅代表用於第一光轉換材料224之一特定圖案。第一光轉換材料224可以多種不同圖案或配置塗覆至LED 210上。
第一光轉換材料224可具有在受刺激時以所要波長進行發射之組合物。舉例而言，在一實施例中，第一光轉換材料224可包括以特定濃度含有摻鈰(III)釔鋁白榴石(Ce:YAG或YAG:Ce)之磷光體。此材料可在光致發光下發射自綠色至黃色且至紅色之寬範圍之色彩。在其他實施例中，第一光轉換材料224可包括摻釹YAG、釹-鉻雙摻YAG、摻鉺YAG、摻鐿YAG、釹-鈰雙摻YAG、鈥-鉻-銩三摻YAG、摻銩YAG、摻鉻(IV)YAG、摻鏑YAG、摻釤YAG、摻鋱YAG及/或其他合適磷光體組合物。在其他實施例中，第一光轉換材料224可包括銪磷光體(例如，CaS:Eu、CaAlSiN3 :Eu、Sr2 Si5 N8 :Eu、SrS:Eu、Ba2 Si5 N8 :Eu、Sr2 SiO4 :Eu、SrSi2 N2 O2 :Eu、SrGa2 S4 :Eu、SrAl2 O4 :Eu、Ba2 SiO4 :Eu、Sr4 All4 O25 :Eu、SrSiAl2 O3 N:Eu、BaMgAl10 O17 :Eu、Sr2 P2 O7 :Eu、BaSO4 :Eu及/或SrB4 O7 :Eu)。光轉換材料之前述清單並非詳盡清單。磷光體材料亦可混合在合適之載體材料(例如，環氧樹脂、聚矽氧等)中。
如上文所提及，可使用許多不同方法將第一光轉換材料(及任何後續光轉換材料)選擇性地塗覆至LED 210。舉例而言，在用於將第一光轉換材料224選擇性地塗覆於LED 210上之另一合適方法中，將磷光體材料(例如，Ce:YAG)與感光材料(例如，PVA及重鉻酸銨)混合，且將該組合物之層塗覆至LED 210上。可使用光微影製程來選擇性地曝露出該組合物之部分，以使得該等曝露部分於所要位置處「固定」在LED 210上以形成第一光轉換材料224。此塗覆/曝光/顯影製程可重複任何數目次以將額外光轉換材料選擇性地塗覆至LED 210上。
用於選擇性地塗覆第一光轉換材料224之又一合適技術包含將光阻材料旋塗至LED 210上並圖案化該材料以在LED 210之所要區或區域之上形成開口。可使用電泳法或另一合適製程將第一光轉換材料224塗覆至開口中且塗覆至LED 210上。在塗覆第一光轉換材料224之後，可移除該光阻。在替代實施例中，並非使用感光材料，可將某一其他合適材料塗覆至LED 210上，且可使用準分子雷射切除或另一合適製程選擇性地形成開口。在其他實施例中，其他合適技術可用以將第一光轉換材料224(及任何後續光轉換材料)選擇性地塗覆至LED 210上。
參看圖4A及圖4B，第二遮罩或主光罩230定位於LED 210之上。第二遮罩230包括對應於用於LED 210上之第二光轉換材料(未圖示--將在下文參看圖5A及圖5B詳細描述)之所要圖案的複數個孔隙或開口232。如同第一遮罩220，第二遮罩230可為與LED 210之上表面間隔開的離散組件，或第二遮罩230可由使用光微影及/或其他合適技術塗覆於LED 210之上表面上且經圖案化之光阻材料或其他合適遮罩材料組成。
接下來參看圖5A及圖5B，第二光轉換材料234(例如，紅色磷光體)以所要圖案選擇性地塗覆於LED 210上。在所說明之實施例中，例如，第二光轉換材料234包含以選定圖案配置於LED 210上之複數個區塊或「島狀物」，其中第二光轉換材料234可或可不接觸第一光轉換材料224之鄰近部分。舉例而言，第二光轉換材料234之個別部分可藉由複數個第二間隙或通道235彼此且與第一光轉換材料224分離。圖5A及圖5B中所展示之圖案僅代表用於第二光轉換材料234之一特定圖案。第二光轉換材料234可以多種不同圖案或配置塗覆至LED 210上。
第二光轉換材料234可由類似於上文參看圖3A及圖3B所描述之第一光轉換材料(例如，Ce:YAG等)的材料組成。另外，第二光轉換材料234可使用類似於用以塗覆上文參看圖3A及圖3B所描述之第一光轉換材料224之製程的製程塗覆至LED 210上。然而，在其他實施例中，第二光轉換材料234可由不同材料組成及/或可使用不同技術塗覆至LED 210上。
圖6為在已將第一光轉換材料224及第二光轉換材料234選擇性地塗覆於LED 210之所要部分上且已移除第二遮罩230(圖5A及圖5B)之後的工件200之部分示意性俯視圖。LED 210包括不含有任何光轉換材料且允許藍光通過之複數個未經塗佈或未經覆蓋部分240。LED 210經相應地組態以基於未經塗佈部分240、第一光轉換材料224之部分及第二光轉換材料234之部分的配置及來自未經塗佈部分240、第一光轉換材料224之部分及第二光轉換材料234之部分的貢獻產生所要色彩之光。將瞭解，用於第一光轉換材料224及第二光轉換材料234之特定組合物之選擇及第一光轉換材料224及第二光轉換材料234於LED 210上之精確置放允許LED 210產生任何所要色彩之光(例如，白光)。此外，雖然本文中僅描述兩種光轉換材料，但在其他實施例中，可將僅單一光轉換材料或兩種以上光轉換材料塗覆至LED 210上。
如先前所提及，雖然上文參看圖2A至圖6展示了僅單一LED 210，但可同時或大致同時對橫越工件200之多個LED 210執行本文中所描述之方法。在一實施例中，例如，可使用光轉換材料之相同或大體上相同之圖案來處理工件200上之每一LED 210。然而，在其他實施例中，個別LED 210上之光轉換材料之圖案可橫越工件200而變化。舉例而言，製造晶圓級微電子器件的一個挑戰為解決個別微電子器件之變化。已認識到，例如，微電子器件於同一微電子工件上之形成期間的磊晶成長、化學機械拋光、濕式蝕刻及/或其他操作之處理變化可使工件200之一個區域中之LED以不同於另一區之波長發射光。結果，若橫越工件200之每一LED包括選擇性地塗覆之光轉換材料之相同圖案，則來自LED中之至少一些的發射可為不一致或灰白色的(例如，淡色至紅色、藍色及/或綠色)。上文參看圖2A至圖6所描述之方法之實施例可藉由特別地量身製作用於個別LED 210之第一光轉換材料224及第二光轉換材料234之組合物及/配置來解決橫越工件200之LED之前述發射變化。
然而，在其他實施例中，並非定製用於每一LED 210之圖案，可將選擇性地塗覆之光轉換材料之圖案用於工件200上之特定區域中之多個LED。舉例而言，操作者可量測工件200上之選定LED 210之發射特性以作為個別LED 210之區域之代表。在另外實施例中，所量測之發射特性可經平均、篩選及/或以其他方式操縱以導出值以作為個別LED 210之區域之代表。在其他實施例中，可預先將待處理之工件分類，使得具有類似發射特性之第一批工件可使用用於個別工件上之器件的光轉換材料之第一選定圖案一起加以處理，第二批工件可使用用於個別工件上之器件的光轉換材料之第二圖案一起加以處理，等等。
圖7及圖8說明上文關於圖2A至圖6所描述用於將光轉換材料選擇性地塗覆至微電子工件上之方法的兩個額外實施例。在圖7及圖8中之每一者中，特徵中之若干者可與上文結合圖2A至圖6之工件200所論述之特徵相同。因此，在圖2A至圖6及圖7及圖8中，類似參考數字指代類似組件。
舉例而言，圖7為根據技術之另一實施例具有塗覆於LED 210上之光轉換材料之工件300的部分示意性俯視圖。更具體而言，工件300與圖2A至圖6中所展示之工件200不同，其不同之處在於：已以不同於圖6之第一光轉換材料224及第二光轉換材料234之圖案將第一光轉換材料324及第二光轉換材料334選擇性地塗覆至LED 210上。在此實施例中，例如，第一光轉換材料324包括橫越LED 210之複數個大體上同心之圓。亦預期其他形狀(例如，三角形、六邊形等)。第一光轉換材料324之個別圓形部分係藉由通道或間隙325隔開。此等通道或間隙325之部分包含允許來自LED 210之藍光通過的未經塗佈區域340。
圖8為根據技術之又一實施例具有塗覆至LED 210上之光轉換材料之工件400的部分示意性俯視圖。工件400與上文參看圖2A至圖7所描述之工件200及300不同，其不同之處在於：第一光轉換材料424已在橫越LED 210之複數個個別直線狀部分中塗覆至LED 210上。第一光轉換材料424之該等個別直線狀部分係藉由通道或間隙425隔開。第二光轉換材料434之個別部分係以大體上對應於第一光轉換材料424之直線狀部分之配置的圖案塗覆至LED 210上。在其他實施例中，第一光轉換材料及/或第二光轉換材料之部分可以其他形狀(例如，多邊形)或合適圖案選擇性地塗覆至LED 210上。
自前述內容將瞭解，基於說明目的，本文中已描述技術之特定實施例，但可在不脫離技術之精神及範疇的情況下進行各種修改。舉例而言，在特定實施例之情況下所描述的結構及/或製程在其他實施例中可能組合或消除。詳言之，上文參考特定實施例所描述之第一光轉換材料及/或第二光轉換材料之配置可包括選擇性地塗覆至橫越晶圓之選定LED上的一或多種額外光轉換材料，或可省略上文所描述之光轉換材料中之一或多者。此外，儘管已在此等實施例之情況下描述與技術之特定實施例相關聯之優點，但其他實施例亦可展現此等優點，且並非所有實施例皆需必然地展現此等優點以屬於本技術之範疇。因此，本技術之實施例僅受隨附申請專利範圍限制。
100．．．微電子工件
110．．．半導體晶圓
120．．．微電子器件或組件
200．．．微電子工件
202．．．半導體基板
204．．．前側或作用側
210．．．發光二極體
212．．．端子
220．．．第一遮罩或主光罩
222．．．孔隙或開口
224．．．第一光轉換材料或第一轉換器材料
225．．．第一間隙或通道
230．．．第二遮罩或主光罩
232．．．孔隙或開口
234．．．第二光轉換材料
235．．．第二間隙或通道
240．．．未經塗佈或未經覆蓋部分
300．．．工件
324．．．第一光轉換材料
325．．．通道或間隙
334．．．第二光轉換材料
340．．．未經塗佈區域
400．．．工件
424．．．第一光轉換材料
425．．．通道或間隙
434．．．第二光轉換材料
圖1A為根據技術之實施例組態的攜載微電子器件之代表性微電子工件的部分示意性說明；
圖1B為自圖1A所示之工件單一化出的微電子器件之示意性說明；
圖2A至圖6說明根據技術之實施例的用於選擇性地將光轉換材料塗覆至LED上之方法的各個階段；
圖7為根據技術之另一實施例的在選擇性地將光轉換材料塗覆至LED上之後的微電子工件之部分的部分示意性俯視圖；及
圖8為根據技術之又一實施例的在選擇性地將光轉換材料塗覆至LED上之後的微電子工件之部分的部分示意性俯視圖。
200．．．微電子工件
202．．．半導體基板
210．．．發光二極體
212．．．端子
224．．．第一光轉換材料或第一轉換器材料
234．．．第二光轉換材料
240．．．未經塗佈或未經覆蓋部分

Claims (41)

  1. 一種用於製造發光二極體(LED)之方法，該方法包含：將第一光轉換材料塗覆至該LED上之第一區域；及將第二光轉換材料塗覆至該LED上之第二不同區域，其中該第一光轉換材料藉由間隙而與該第二光轉換材料間隔開，且其中該LED之至少一部分在塗覆該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之後可在間隙中接近，其中在該LED之操作期間，至少一部分由該LED發射之光穿過該間隙。
  2. 如請求項1之方法，其中該LED為工件上之複數個LED中之一者，且其中該方法進一步包含：將該第一光轉換材料塗覆至該工件上之多個LED上之該第一區域上；及將該第二光轉換材料塗覆至該工件上之多個LED上之該第二區域上。
  3. 如請求項2之方法，其中：該第一光轉換材料係同時或大致同時地塗覆至該工件上之兩個或兩個以上LED；及該第二光轉換材料係同時或大致同時地塗覆至該工件上之兩個或兩個以上LED。
  4. 如請求項2之方法，其中該工件上之每一LED包括第一光轉換材料及第二光轉換材料之相同配置。
  5. 如請求項2之方法，其中該工件上之每一LED包括第一光轉換材料及第二光轉換材料之不同配置。
  6. 如請求項2之方法，其中該工件包括具有第一發射特性之第一組LED及具有不同於該第一發射特性之第二發射特性的第二組LED，且其中：該第一光轉換材料及該第二光轉換材料在該第一組LED中之每一LED上相對於彼此具有第一配置；且該第一光轉換材料及該第二光轉換材料在該第二組LED中之每一LED上相對於彼此具有第二配置，且其中該第二配置不同於該第一配置。
  7. 如請求項1之方法，其中將第二光轉換材料塗覆至該LED上之第二不同區域包含塗覆該第二光轉換材料以使得該第一光轉換材料與該第二光轉換材料間隔開。
  8. 一種用於製造發光二極體(LED)之方法，該方法包含：將第一光轉換材料塗覆至該LED上之第一區域；及將第二光轉換材料塗覆至該LED上之第二區域，其中該LED之至少一部分在塗覆該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之後暴露，其中將該第一光轉換材料塗覆至該第一區域包含在複數個個別第一直線狀區塊中將該第一光轉換材料塗覆於該LED上，其中若干第一通道係使該等個別第一區塊彼此分離；且將該第二光轉換材料塗覆至該第二區域包含在複數個個別第二直線狀區塊中將該第二光轉換材料塗覆於該LED上，其中若干第二通道使該等個別第二區塊彼此且與該等第一區塊分離。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含： 在塗覆該第一光轉換材料之前選擇該第一光轉換材料，其中選擇該第一光轉換材料包含選擇第一磷光體之組合物、濃度及量中之至少一者以使得該第一磷光體具有所要第一發射波長；及在塗覆該第二光轉換材料之前選擇該第二光轉換材料，其中選擇該第二光轉換材料包含選擇第二磷光體之組合物、濃度及量中之至少一者以使得該第二磷光體具有所要第二發射波長。
  10. 如請求項1之方法，其中：該第一光轉換材料包含黃色或微黃色磷光體；且該第二光轉換材料包含紅色磷光體。
  11. 如請求項1之方法，其中塗覆該第一光轉換材料及塗覆該第二光轉換材料包含將該第一光轉換材料及該第二光轉換材料網版印刷至該LED上。
  12. 如請求項1之方法，其中：塗覆該第一光轉換材料包含使用第一光微影製程塗覆該第一光轉換材料；且塗覆該第二光轉換材料包含使用第二光微影製程塗覆該第二光轉換材料。
  13. 如請求項1之方法，其中該第一光轉換材料包含第一磷光體，且該第二光轉換材料包含第二磷光體，且其中：塗覆該第一光轉換材料包含：在該LED上塗覆且圖案化第一光阻材料；及使用電泳法將該第一磷光體沈積至該第一光阻材料 中之若干開口中；且塗覆該第二光轉換材料包含：移除該第一光阻材料；在該LED上塗覆且圖案化第二光阻材料；使用電泳法將該第二磷光體沈積至該第二光阻材料中之若干開口中；及移除該第二光阻材料。
  14. 如請求項1之方法，其中該LED為工件上之複數個LED中之一者，且其中該方法進一步包含在塗覆該第一光轉換材料之前量測該工件上之複數個LED之發射特性。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包含至少部分地基於該LED的量測之發射特性來選擇該LED上用於該第一光轉換材料之第一圖案及該LED上用於該第二光轉換材料之第二圖案，以使得來自該LED及該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之組合發射至少近似一白光。
  16. 如請求項14之方法，其進一步包含至少部分地基於該LED的量測之發射特性來選擇用於該第一光轉換材料之組合物及用於該第二光轉換材料之組合物，以使得來自該LED及該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之組合發射至少近似一白光。
  17. 一種用於修改微電子工件之個別發光二極體(LED)之發射特性之方法，該方法包含：以第一圖案選擇性地將第一磷光體材料塗覆至每一LED上；及 以不同於該第一圖案之第二圖案選擇性地將第二磷光體材料塗覆至每一LED上；其中該第一磷光體材料藉由間隙而與該第二磷光體材料間隔開，且其中該等個別LED之至少一部分在塗覆該第一及第二磷光體材料之後可經由該間隙接近，其中對於該等個別LED而言，來自該對應LED、該第一磷光體材料及該第二磷光體材料之組合發射產生具有所要光譜成分之光，且其中至少一部分由該LED發射之光穿過該間隙。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含在修改該等個別LED之發射特性之前在該工件之基板上形成複數個LED，且其中形成個別LED包含經由磊晶成長依序地將N型氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)及P型GaN塗覆至矽基板上。
  19. 一種用於修改微電子工件之個別發光二極體(LED)之發射特性之方法，其中每一LED包含InGaN LED，且其中該方法包含：以第一圖案選擇性地將第一磷光體材料塗覆至每一LED上，其中塗覆第一磷光體材料包含塗覆含有摻鈰(III)釔鋁白榴石(Ce：YAG)之黃色磷光體，且其中該第一圖案包含橫越該等個別LED之第一部分之陣列；以不同於該第一圖案之第二圖案選擇性地將第二磷光體材料塗覆至每一LED上，其中塗覆第二磷光體材料包含塗覆含有Ce：YAG之紅色磷光體，且其中該第二圖案包含橫越該等個別LED且不與該等第一部分接觸之第二部 分之陣列，且另外其中該等第一部分及該等第二部分不完全覆蓋該LED，其中對於該等個別LED而言，來自該對應LED、該第一磷光體材料及該第二磷光體材料之組合發射產生具有所要光譜成分之光。
  20. 如請求項17之方法，其中修改個別LED之發射特性包含調整該等LED之該等發射特性以使得來自每一LED之發射至少近似一白光。
  21. 如請求項17之方法，其進一步包含以不同於該第一圖案及該第二圖案之第三圖案選擇性地將第三磷光體材料塗覆至每一LED上，且其中來自該對應LED、該第一磷光體材料、該第二磷光體材料及該第三磷光體材料之組合發射產生所要色彩之光。
  22. 如請求項17之方法，其中該工件包含包括複數個第一LED之第一工件，且其中該方法進一步包含藉由以下操作來處理包括複數個第二LED之第二工件：以該第一圖案選擇性地將該第一磷光體材料塗覆至每一第二LED上；及以該第二圖案選擇性地將該第二磷光體材料塗覆至每一第二LED上，其中對於該等個別第二LED而言，來自該對應第二LED、該第一磷光體材料及該第二磷光體材料之組合發射產生該所要色彩之光。
  23. 一種用於發光二極體(LED)之色彩校正之方法，該方法 包含：在LED之第一離散區之上形成第一色彩校正材料，其中該第一色彩校正材料包含具有第一發射波長之第一磷光體；及在該LED之第二離散區之上形成第二色彩校正材料，其中該第二色彩校正材料包含具有不同於該第一發射波長之第二發射波長之第二磷光體，其中該第一色彩校正材料藉由間隙而與該第二色彩校正材料間隔開，且其中該LED之至少一部分在塗覆該第一及第二色彩校正材料之後可經由該間隙接近，且其中來自該LED及該第一色彩校正材料及該第二色彩校正材料之組合發射至少近似一白光。
  24. 一種微電子工件，其包含：半導體基板；及該基板上之複數個發光二極體(LED)，其中該等個別LED包括：該LED上之呈第一預定圖案之第一轉換器材料；及該LED上之呈第二預定圖案之第二轉換器材料，其中該第二圖案不同於該第一圖案，且其中該LED之至少一部分可經由該第一圖案及該第二圖案接近，其中來自該LED、該第一轉換器材料及該第二轉換器材料之組合發射產生具有所要光譜成分之光，其中該第一轉換器材料藉由在該等個別LED上之間隙而與該第二轉換器材料間隔開。
  25. 如請求項24之微電子工件，其中：該基板上之該等個別LED包含在N型氮化鎵(GaN)材料與P型GaN材料之間的氮化銦鎵(InGaN)材料；該第一轉換器材料包含黃色磷光體材料；且該第二轉換器材料包含紅色磷光體材料。
  26. 一種微電子工件，其包含：半導體基板；及該基板上之複數個發光二極體(LED)，其中該等個別LED包括：該LED上之呈第一預定圖案之第一轉換器材料；及該LED上之呈第二預定圖案之第二轉換器材料，其中該第二圖案不同於該第一圖案，且其中該LED之至少一部分可經由該第一圖案及該第二圖案接近，其中來自該LED、該第一轉換器材料及該第二轉換器材料之組合發射產生具有所要光譜成分之光，該第一圖案包含橫越該LED且藉由若干第一間隙分離之第一區塊之陣列；且該第二圖案包含橫越該LED且藉由若干第二間隙分離之第二區塊之陣列。
  27. 如請求項26之微電子工件，其中：該等第一區塊包括大體上圓形、直線狀及/或多邊形區塊；且該等第二區塊包括大體上圓形、直線狀及/或多邊形區塊。
  28. 一種微電子裝置，其包含：發光二極體(LED)；覆蓋該LED之第一部份之第一光轉換材料，該第一光轉換材料具有第一圖案；及覆蓋該LED之第二部份之第二光轉換材料，其中該第二光轉換材料藉由間隙而與該第一光轉換材料分開，且其中該第二光轉換材料具有不同於該第一圖案之第二圖案，其中在該LED之操作期間，至少一部分由該LED發射之光穿過該間隙。
  29. 如請求項28之微電子裝置，其中在該LED之操作期間，來自該LED經過該間隙、該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之組合發射產生具有所要光譜成分之光。
  30. 如請求項28之微電子裝置，其中在該LED之操作期間，來自該LED經過該間隙、該第一光轉換材料及該第二光轉換材料之組合發射至少近似白光。
  31. 如請求項28之微電子裝置，其中該第一光轉換材料包含第一磷光體材料且該第二光轉換材料包含第二磷光體材料。
  32. 如請求項31之微電子裝置，其中該第一磷光體材料包含含有摻鈰(III)釔鋁白榴石(Ce：YAG)之黃色磷光體材料，且其中該第二磷光體材料包含含有Ce：YAG之紅色磷光體材料。
  33. 如請求項28之微電子裝置，其中該LED提供藍光。
  34. 如請求項28之微電子裝置，其中該LED包含第三光轉換 材料，該第三光轉換材料具有不同於第一及第二圖案之第三圖案。
  35. 如請求項28之微電子裝置，其中該第一光轉換材料之該第一圖案及該第二光轉換材料之該第二圖案之至少一者係至少部分地基於該LED的量測之發射特性。
  36. 如請求項28之微電子裝置，其中該第一光轉換材料及/或該第二光轉換材料之組合物、濃度及數量之至少一者係至少部分地基於該LED的量測之發射特性。
  37. 一種發光二極體(LED)，其包含：一堆半導體材料，其經組態以自該堆半導體材料之表面發射光；第一光轉換材料，其部分地覆蓋該堆半導體材料之表面；及第二光轉換材料，其部分地覆蓋該堆半導體材料之表面且藉由間隙而與該第一光轉換材料分開，其中該堆半導體材料之表面之一部份可經由該間隙接近，其中一部分由該半導體材料發射之光穿過該間隙。
  38. 如請求項37之LED，其中該第一光轉換材料具有第一經選擇之圖案，且該第二光轉換材料具有第二經選擇之圖案，其中該第一及第二經選擇之圖案提供所要光譜成分給由該等半導體材料發射之光之部分。
  39. 如請求項37之LED，其中該第一光轉換材料具有第一組合物，且該第二光轉換材料具有第二組合物，其中該第一及第二組合物提供所要光譜成分給由該等半導體材料 發射之光之部分。
  40. 一種微電子裝置，其包含：發光二極體(LED)；在該LED上之第一圖案化轉換器材料；在該LED上之第二圖案化轉換器材料，其與該第一光轉換器材料分開，其中該第一圖案化轉換器材料產生第一發射；該第二圖案化轉換器材料產生第二發射；該LED產生第三發射；該LED經由在該第一及第二圖案化轉換器材料間之間隙，在該第一及第二圖案化轉換器材料間傳送一部份之該第三發射，而未經由置放在該LED上之任何介於中間的光轉換材料發射該部份之該第三發射，且該部份之該第三發射與該第一及第二發射結合以產生具有光譜成分之光。
  41. 如請求項40之微電子裝置，其中：該部份之該第三發射包含該第三發射之第一部份：該LED經由該第一圖案化轉換器材料傳送該第三發射之第二部份以產生該第一發射，且該LED經由該第二圖案化轉換器材料傳送該第三發射之第三部份以產生該第二發射。
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