WO2012023880A1 - Светодиодный источник излучения - Google Patents

Светодиодный источник излучения Download PDF

Info

Publication number
WO2012023880A1
WO2012023880A1 PCT/RU2011/000618 RU2011000618W WO2012023880A1 WO 2012023880 A1 WO2012023880 A1 WO 2012023880A1 RU 2011000618 W RU2011000618 W RU 2011000618W WO 2012023880 A1 WO2012023880 A1 WO 2012023880A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
source according
light emitters
semiconductor light
radiation
led
Prior art date
Application number
PCT/RU2011/000618
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Владимир Семенович АБРАМОВ
Алексей Алексеевич ИВАНОВ
Сергей Григорьевич НИКИФОРОВ
Валерий Петрович СУШКОВ
Петр Васильевич ПЕНЗЕВ
Гельмут Вилли МУХОВ
Original Assignee
Abramov Vladimir Semenovich
Ivanov Aleksei Alekseevich
Nikiforov Sergei Grigoryevich
Sushkov Valeriy Petrovich
Penzev Petr Vasilyevich
Mukhov Gelmut Villi
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Abramov Vladimir Semenovich, Ivanov Aleksei Alekseevich, Nikiforov Sergei Grigoryevich, Sushkov Valeriy Petrovich, Penzev Petr Vasilyevich, Mukhov Gelmut Villi filed Critical Abramov Vladimir Semenovich
Publication of WO2012023880A1 publication Critical patent/WO2012023880A1/ru

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F21V29/773—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having the direction of the light emitting axis
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • the invention relates to means of light emission and can be used in lighting systems.
  • LEDs of various designs have a service life of up to 50,000 hours or more, while incandescent and fluorescent lamps have a service life of not more than 10,000 hours;
  • the light output of the LEDs currently exceeds 80 lm / W and is constantly growing, while the light output of incandescent and fluorescent lamps is in the range of 10 - 120 lm / W;
  • LED radiation is close to monochromatic radiation and has a wide range of colors, which allows them to be used in various devices without the use of light filters.
  • A is the area of the radiator, cm 2 ;
  • T is the temperature, K;
  • the area of the radiator The thermal resistance to air of any radiator with an area of 1 cm 2 with free convection is "200K / W.
  • the area of the radiator should be at least 100 cm 2 .
  • N22170995 LED emitter containing several semiconductor light emitters of the optical range, connected by an electric circuit, at least one base element, the holder of the base element with connecting leads, a cover lens and a radiator for removal heat from the base element.
  • the disadvantage of such LED radiation sources is the presence of control circuits directly in the housing of the LED lamp, operating in a pulsed mode, which does not allow, firstly, to fully realize the high external quantum output of the radiation source, secondly, increases the cost of the product, and thirdly, reduces reliability lamps as a whole, as can be seen in the examples of LED lamps and energy-saving lamps based on mercury vapor, when the cause of lamp failure is the failure of circuit elements.
  • the problem to be solved when creating the present invention is to create a LED emitting device, the operational capabilities of which on the one hand combine all the advantages of incandescent lamps (for example, the amount of light flux, the absence of the need for heat removal), and on the other, have a significantly longer resource, inherent in LED radiation sources.
  • the technical result achieved by solving the problem is to create a radiation source, which is an analogue of an incandescent lamp with all the advantages of semiconductor light emitters.
  • the LED radiation source containing a housing with at least four semiconductor light emitters of the optical range mounted in it, connected in series with an electric circuit, with connecting leads and a cover lens, according to the invention
  • the electric circuit is made in the form of a half-wave bridge from light-emitting diode radiation sources also from two sequentially connected LED light sources parts, and use the casing as a radiator to remove heat from the base element.
  • the construction according to the invention in order to increase the number of radiating elements, suggests the possibility of parallel connection to each radiation source of another radiation source.
  • the basic element may consist of six, twelve, eighteen, etc. radiation sources.
  • the system regulates the current depending on the type of current-voltage characteristics in the field of optimal currents through radiation sources.
  • a basic element, consisting of six chips, in any half-wave consists of four chips, therefore, a direct drop on each chip cannot be more than 3.5 V and less than 2.5 V, and with careful selection of the chips for forward voltage and current 0.3 A, this spread can be reduced to 10%.
  • Preferred, but not required embodiments of the claimed LED radiation source involve the implementation of semiconductor light emitters of single or multi-color radiation; the implementation of the radiator an area of at least 100 cm 2 , which ensures a minimum temperature p- ⁇ transition; if necessary, the additional presence of stabilizing resistance for the base element, which allows for sharp changes in voltage in the network to save the calculated value of the current through the p- ⁇ junction; installing a coating lens and a light emitter with a gap relative to each other, in which a transparent or diffusing sealing elastic compound having a refractive index of 1, 3 is placed.
  • the LED source may contain several (at least four) PN junctions, and semiconductor light emitters can be coated with a phosphor transforming the radiation of semiconductor light emitters into white radiation with a thickness of not more than 1 ⁇ m;
  • a specific topology for the placement of chips on the board is proposed - namely, the absence of a chip or chips in the center, depending on the area occupied by the surrounding chips, from the ratio of the non-luminous part of the radiation source to the luminous from 15 to 40%.
  • FIGS. 1 and 2 with a general view of the inventive LED emitter, FIGS. Z + 5 with examples of electrical circuits of an LED emitter with one (FIG. 3) and several (FIGS. 4 and 5) base elements.
  • the LED radiation source contains semiconductor light emitters 1 of single-color or multi-colored radiation, coated with a phosphor with a thickness of not more than 1 ⁇ m, transforming the radiation of semiconductor light emitters into white radiation.
  • Light emitters are placed on a fiberglass plate 2 with a topology (electric circuit), combining semiconductor light emitters into a base element.
  • the basic element is four series-connected crystals of radiating elements, in each half-wave, on the basis of A '"B v heterostructures, 1X1 mm in size and with a direct voltage drop of 2.8 to 3.5 V at a nominal current of 0.35 A. To stabilize the current resistance can be switched on sequentially through radiating elements. Reliability, like assembled lamps, is determined by the reliability of the presented elements and is about 50 000 hours.
  • the size of LED radiation sources is determined by the power consumed by the lamp based on the ratio I am the size of a radiator from power dissipation - 20 cm 2 area per 1 W of power consumption.
  • the design also includes a standard cartridge 3 for lighting lamps and a housing 4, which is also a radiator for removing heat from light emitters, which are covered from above by a cover lens 5 made flat, spherical or in the form of a Fresnel lens.
  • the coating lens and the light emitters can be installed with a gap relative to each other, implying the placement of a transparent or scattering sealing elastic compound 6 in it with a refractive index of ⁇ 1, 3.
  • a design variant of the radiation source implies its execution in such a way that the ratio of its non-luminous part to the luminous is from 15 to 40%.
  • the non-luminous part we should understand the area of a circle with a diameter d (figure 2), by the luminous part - the area of a ring with an outer diameter D and an inner d.
  • the claimed LED radiation source is powered by a common power supply voltage of 12 volts installed in the distribution panel of each consumer.
  • the presence of semiconductor light emitters with a size of 1X1 mm 2 , with a high value of the efficiency of converting electric energy into light, a special heatsink that can effectively remove heat from crystals, the electrical circuit diagram and the ratio of the basic parameters of the base element allow maintaining the efficiency and increasing the efficiency of the LED radiation source.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Изобретение относится к средствам светоизлучения и может быть использовано в системах освещения. Светодиодный источник излучения содержит корпус с установленными в нём, по меньшей мере, четырьмя полупроводниковыми излучателями света оптического диапазона, объединенными электрической цепью, в по меньшей мере, один базовый элемент. Электрическая цепь выполнена в виде двухполупериодного моста из светодиодных источников излучения с включенной нагрузкой также из двух включенных последовательно светодиодных источников излучения. Заявленная конструкция позволяет создать источник излучения, являющийося аналогом лампы накаливания со всеми достоинствами полупроводниковых излучателей света.

Description

СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к средствам светоизлучения и может быть использовано в системах освещения.
Широко известно применение в качестве источников наружного и внутреннего освещения ламп накаливания. Электрические и оптические характеристики некоторых моделей ламп наливания российского производства представлены в таблице 1.
Таблица 1
Figure imgf000003_0001
Анализ представленных данных позволяет выявить один из существенных недостатков применения лам накаливания в качестве источников освещения, а именно - их высокое энергопотребление (при параллельном включении ламп в электрические сети напряжением 127 и 220 В общая мощность потребления составляет порядка 1800 Вт для среднего жителя России).
Для решения подобной и иных проблем, в последнее время всё более широкое применение в качестве источников освещения находят светодиодные лампы на основе полупроводниковых излучателей, расчет электрических и оптических характеристик светодиодных ламп на основе полупроводниковых излучателей представлены в таблице 2. Таблица 2
Figure imgf000004_0001
Анализ представленных данных позволяет выделить ряд основных преимуществ светодиодных ламп на основе полупроводниковых излучателей над остальными источниками света, а именно:
надежность - в настоящий время светодиоды различных конструкций имеют срок службы до 50000 часов и более, в время лампы как накаливания и люминесцентные лампы имеют срок службы не более 10000 часов;
световая отдача светодиодов в настоящий момент превышает 80 лм/Вт и постоянно растет, тогда как световая отдача ламп накаливания и люминесцентных ламп находится в пределах 10 - 120лм/Вт;
излучение светодиодов близко к монохроматическому излучению и имеет широкий спектр цветов, что позволяет использовать их в различных устройствах без применения светофильтров.
Опыт применения полупроводниковых светодиодных источников излучения в различных системах освещения подтвердил вышеперечисленные преимущества таких источников над традиционными лампами накаливания, однако и выявил ряд специфических недостатков, обусловленных особенностями конструкции, а именно - необходимость постоянного отвода тепла от области P-N перехода для обеспечения стабильной работы источника излучения. Действительно, расчет тепловых сопротивлений для кристалла излучателя с помощью метода эквивалентов (Захаров А. Л., Асвадурова Е. И., Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: Метод эквивалентов. - М.: Радио и связь, 1983. - 184с), а также расчет остальных тепловых сопротивлений на основе известных данных по теплопроводности слоев и геометрии излучателя с использованием известного уравнения теплопередачи
Figure imgf000005_0001
где: Q - рассеиваемая мощность, Вт;
к - теплопроводность, Вт/см · К;
А - площадь радиатора, см2;
Т - температура, К;
показал, что основная величина, определяющая отток тепла от кристалла излучателя на воздух - площадь радиатора. Тепловое сопротивление на воздух любого излучателя площадью 1 см2 при свободной конвекции составляет « 200К/Вт. Таким образом, для эффективного отвода тепла от кристалла, площадь радиатора должна составлять не менее 100 см2.
Существующие способы отвода тепла от области P-N перехода заключаются либо в естественной конвекции с применением радиаторов и тепловых труб, либо применение импульсных источников питания. Однако, увеличение тока через излучающий элемент, в импульсных системах питания, приводит к увеличению плотности тока и, как следствие, к резкому увеличению Оже-рекомбинации.
Частично проблема отвода тепла решена в известном патенте РФ на изобретение N22170995 светодиодном источнике излучения, содержащем несколько полупроводниковых излучателей света оптического диапазона, объединенных электрической цепью, в по меньшей мере, один базовый элемент, держатель базового элемента с присоединительными выводами, покровную линзу и радиатор для отвода тепла от базового элемента. Однако, недостатком подобных светодиодных источников излучения является наличие схем управления непосредственно в корпусе светодиодной лампы, работающие в импульсном режиме, что не позволяет во-первых, в полной мере реализовать высокий внешний квантовый выход источника излучения, во- вторых, удорожает продукт, и в-третьих, снижает надежность лампы в целом, что видно на примерах светодиодных ламп и энергосберегающих ламп на основе паров ртути, когда причиной выхода лампы из строя является выход из строя элементов схемы.
Задача, решаемая при создании настоящего изобретения, состоит в создании светодиодного излучающего устройства, эксплуатационные возможности которого с одной стороны сочетают в себе все достоинства ламп накаливания (например, величина светового потока, отсутствие необходимости отвода тепла), а с другой, имеют значительно больший ресурс, присущий светодиодным источникам излучения. Технический результат, достигаемый при решении поставленной задачи, состоит в создания источника излучения, являющегося аналогом лампы накаливания со всеми достоинствами полупроводниковых излучателей света.
Для достижения поставленного результата предлагается в светодиодном источнике излучения, содержащем корпус с установленными в нём, по меньшей мере, четырьмя полупроводниковыми излучателями света оптического диапазона, объединенными последовательно электрической цепью, с присоединительными выводами и покровной линзой, согласно изобретению, электрическую схему выполнить в виде двухполупериодного моста из светодиодных источников излучения с включенной нагрузкой также из двух включенных последовательно светодиодных источников излучения, а корпус использовать в качестве радиатора для отвода тепла от базового элемента. Предлагаемая согласно изобретению конструкция, для увеличения количества излучающих элементов предполагает возможность параллельного присоединения к каждому источнику излучения еще одного источника излучения. Таким образом, базовый элемент может состоять из шести, двенадцати, восемнадцати и т.д. источников излучения. В предлагаемой электрической схеме нет необходимости в стабилизирующих ток резисторах - система регулирует ток в зависимости от вида вольтамперной характеристики в области оптимальных токов через источники излучения. Для примера базовый элемент, состоящий из шести чипов, в любой полуволне состоит из четырех чипов, следовательно, прямое падение на каждом чипе не может быть более 3,5 В и менее 2,5 В, а при тщательном подборе чипов по прямому напряжению и токе 0,3 А, этот разброс можно уменьшить до 10%.
Предпочтительные, но не обязательные варианты реализации заявленного светодиодного источника излучения предполагают выполнение полупроводниковых излучателей света одноцветного либо разноцветного излучения; выполнение радиатора площадь не менее 100 см2, что обеспечивает минимальную температуру p-η перехода; при необходимости, дополнительное наличие стабилизирующего сопротивления для базового элемента, что позволяет при резких изменениях напряжения в сети сохранять расчётное значение тока через p-η переход; установку покровной линзы и излучателя света с зазором друг относительно друга, в котором размещен прозрачный или рассеивающий герметизирующим эластичный компаунд, имеющий коэффициент преломления 1 ,3. Компаунд и его указанные свойства обеспечивают герметичность, увеличение выхода излучения наружу, и при изменении внешней температуры малые взаимные действующие силы; выполнение покровной линзы плоской, сферической или в виде линзы Френеля; для увеличения мощности, светодиодный источник может содержать несколько (по меньшей мере, четыре) P-N переходов, а полупроводниковые излучатели света могут быть покрыты люминофором, трансформирующим излучение полупроводниковых излучателей света в излучение белого цвета толщиной не более 1 мкм; для получения равномерного освещения от предлагаемой лампы предлагается определенная топология размещения чипов на плате - а именно отсутствие в центре чипа или чипов в зависимости от площади занимаемой окружающими чипами из условия отношения не святящейся части источника излучения к светящейся от 15 до 40%.
Изобретение иллюстрируется фиг.1 и 2 с общим видом заявляемого светодиодного источника излучения, фиг.З + 5 с примерами электрических цепей светодиодного излучателя с одним (фиг.З) и несколькими (фиг. 4 и 5) базовыми элементами.
Светодиодный источник излучения содержит полупроводниковые излучатели света 1 одноцветного или разноцветного излучения, покрытые люминофором толщиной не более 1 мкм, трансформирующим излучение полупроводниковых излучателей света в излучение белого цвета. Излучатели света размещены на стеклотекстолитовой плате 2 с топологией (электрической цепью), объединяющей полупроводниковые излучатели света в базовый элемент.
Базовый элемент - четыре последовательно соединеных кристалла излучающих элементов, в каждой полуволне, на основа гетероструктур A'"Bv, размером 1X1 мм и прямом падении напряжения от 2,8 до 3,5 В при номинальном токе 0,35 А. Для стабилизации тока через излучающие элементы, последовательно, может быть включено сопротивление. Надежность подобно собранных ламп определяется надежностью представленных элементов и составляет порядка 50 000 часов. Размер светодиодных источников излучения определяется мощностью потребляемой лампой исходя из соотношения размеров радиатора от рассеиваемой мощности - 20 см2 площади на 1 Вт потребляемой мощности. Конструкция включает также штатный патрон 3 для ламп освещения и корпус 4, одновременно являющийся радиатором для отвода тепла от излучателей света, которые сверху накрыты покровной линзой 5, выполняемой плоской, сферической или в виде линзы Френеля. Покровная линза и излучатели света могут быть установлены с зазором друг относительно друга, предполагающим размещение в нём прозрачного или рассеивающего герметизирующего эластичного компаунда 6 с коэффициентом преломления ^1 ,3.
Вариант конструкции источника излучения предполагает исполнение его таким образом, что отношение его не святящейся части к светящейся составляет от 15 до 40%. По не светящейся частью следует понимать площадь окружности с диаметром d (фиг.2), под светящейся - площадь кольца с наружным диаметром D и внутренним d.
Заявленный светодиодный источник излучения питается от общего блока питания напряжением 12 вольт, установленного в распределительном щите каждого потребителя. Наличие полупроводниковых излучателей света размером 1X1 мм2, с высоким значением кпд преобразования электрической энергии в световую, специальный радиатор, позволяющих эффективно отводить тепло от кристаллов, принципиальная электрическая схемой и соотношение основных параметров базового элемента позволяют сохранить кпд и повысить эффективность светодиодного источника излучения.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. Светодиодный источник излучения, содержащий корпус с установленными в нём, по меньшей мере, четырьмя полупроводниковыми излучателями света оптического диапазона, объединенными электрической цепью, в по меньшей мере, один базовый элемент, держателем базового элемента с присоединительными выводами и покровной линзой, отличающийся тем, что, электрическая цепь выполнена в виде двухполупериодного моста из светодиодных источников излучения с включенной нагрузкой также из двух включенных последовательно светодиодных источников излучения, а корпус служит радиатором для отвода тепла от базового элемента.
2. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что полупроводниковые излучатели света выполнены одноцветного либо разноцветного излучения.
3. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что площадь радиатора составляет не менее 100см2.
4. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что он дополнительно содержит стабилизирующее сопротивление, установленное последовательно полупроводниковым излучателям света.
5. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что покровная линза и излучатели света установлены с зазором друг относительно друга, в котором размещен прозрачный или рассеивающий герметизирующим эластичный компаунд.
6. Источник по п. 5, отличающийся тем, что герметизирующий компаунд имеет коэффициент преломления 1 ,3.
7. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что покровная линза выполнена плоской, сферической или в виде линзы Френеля.
8. Источник по п. 1 , отличающийся тем, полупроводниковый излучатель света содержит, по меньшей мере, четыре P-N перехода.
9. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что полупроводниковые излучатели света покрыты люминофором, трансформирующим излучение полупроводниковых излучателей света в излучение белого цвета.
10. Источник по п.9, отличающийся тем, что толщина люминофорного покрытия не превышает 1 мкм.
11. Источник по п. 1 , отличающийся тем, что отношение его не святящейся части к светящейся составляет от 15 до 40%.
PCT/RU2011/000618 2010-08-16 2011-08-15 Светодиодный источник излучения WO2012023880A1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010134007/07A RU2444676C1 (ru) 2010-08-16 2010-08-16 Светодиодный источник излучения
RU2010134007 2010-08-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012023880A1 true WO2012023880A1 (ru) 2012-02-23

Family

ID=45605345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2011/000618 WO2012023880A1 (ru) 2010-08-16 2011-08-15 Светодиодный источник излучения

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2444676C1 (ru)
WO (1) WO2012023880A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103363392A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 弘凯光电(深圳)有限公司 一种照明灯

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584000C2 (ru) * 2014-09-11 2016-05-20 Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4129059A1 (de) * 1991-09-02 1993-03-04 Vdo Schindling Leuchtdiodenschaltung
DE29511022U1 (de) * 1995-07-07 1995-09-21 Schulz Eberhard Dipl Ing Beleuchtung für Fahrräder mit Leuchtdioden im Fahrbetrieb und als Standlicht für mehrere Minuten, gespeist durch einen Wechselspannungsgenerator (Dynamo)
RU2170995C1 (ru) * 2000-08-31 2001-07-20 Общество с ограниченной ответственностью "Корвет - Лайтс" Светодиодное устройство
RU2251761C2 (ru) * 2000-12-28 2005-05-10 Тридоник Оптоэлектроник Гмбх Источник света со светоизлучающим элементом
EP1555195A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-20 Shimano Inc. Bicycle lighting device
RU2285860C1 (ru) * 2005-02-25 2006-10-20 Валерий Николаевич Марков Светодиодный осветитель и способ формирования освещенности поверхности
RU2366120C1 (ru) * 2008-02-21 2009-08-27 Дмитрий Викторович Коновалов Светильник
RU90955U1 (ru) * 2009-11-09 2010-01-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Уральский оптико-механический завод" имени Э.С. Яламова " (ФГУП "ПО "УОМЗ") Светильник светодиодный
RU95214U1 (ru) * 2009-12-17 2010-06-10 Солдатенко Валерий Анатольевич Схема подключения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока
RU2392539C2 (ru) * 2008-07-21 2010-06-20 Владимир Семенович Абрамов Светодиодный источник излучения

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4129059A1 (de) * 1991-09-02 1993-03-04 Vdo Schindling Leuchtdiodenschaltung
DE29511022U1 (de) * 1995-07-07 1995-09-21 Schulz Eberhard Dipl Ing Beleuchtung für Fahrräder mit Leuchtdioden im Fahrbetrieb und als Standlicht für mehrere Minuten, gespeist durch einen Wechselspannungsgenerator (Dynamo)
RU2170995C1 (ru) * 2000-08-31 2001-07-20 Общество с ограниченной ответственностью "Корвет - Лайтс" Светодиодное устройство
RU2251761C2 (ru) * 2000-12-28 2005-05-10 Тридоник Оптоэлектроник Гмбх Источник света со светоизлучающим элементом
EP1555195A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-20 Shimano Inc. Bicycle lighting device
RU2285860C1 (ru) * 2005-02-25 2006-10-20 Валерий Николаевич Марков Светодиодный осветитель и способ формирования освещенности поверхности
RU2366120C1 (ru) * 2008-02-21 2009-08-27 Дмитрий Викторович Коновалов Светильник
RU2392539C2 (ru) * 2008-07-21 2010-06-20 Владимир Семенович Абрамов Светодиодный источник излучения
RU90955U1 (ru) * 2009-11-09 2010-01-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Уральский оптико-механический завод" имени Э.С. Яламова " (ФГУП "ПО "УОМЗ") Светильник светодиодный
RU95214U1 (ru) * 2009-12-17 2010-06-10 Солдатенко Валерий Анатольевич Схема подключения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103363392A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 弘凯光电(深圳)有限公司 一种照明灯

Also Published As

Publication number Publication date
RU2444676C1 (ru) 2012-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5566564B2 (ja) Ｌｅｄ利用型電球
CN102844619B (zh) 具有散热件的照明设备
US9068701B2 (en) Lamp structure with remote LED light source
TWI534390B (zh) 照明結構及其製造方法
US9648673B2 (en) Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
US20060146531A1 (en) Linear lighting apparatus with improved heat dissipation
US20080093998A1 (en) Led and ceramic lamp
US20120152490A1 (en) Fastening type heat-dissipation structure
CN104396036A (zh) 光发射器封装、系统、以及方法
KR20120091116A (ko) 고체 발광기를 포함하는 조명 장치
US20100219734A1 (en) Apparatus for cooling leds in a bulb
WO2009012245A2 (en) Solid state light unit and heat sink, and method for thermal management of a solid state light unit
US20100148652A1 (en) Solid state lighting
KR20140007350A (ko) Ｌｅｄ 램프
CN104160505A (zh) 用于替换荧光灯管的led阵列
TW200926883A (en) High voltage LED lighting system
RU2444676C1 (ru) Светодиодный источник излучения
RU2392539C2 (ru) Светодиодный источник излучения
RU2444091C1 (ru) Светодиодный источник излучения
KR101281030B1 (ko) 엘이디 바
RU147088U1 (ru) Светодиодный источник излучения
RU124767U1 (ru) Светодиодный источник излучения
RU127169U1 (ru) Светодиодный источник излучения
RU2402108C1 (ru) Светодиодный источник излучения для систем управления транспортом
RU127518U1 (ru) Светодиодный источник излучения

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11818454

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11818454

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1