KR100849766B1 - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100849766B1
KR100849766B1 KR1020067027091A KR20067027091A KR100849766B1 KR 100849766 B1 KR100849766 B1 KR 100849766B1 KR 1020067027091 A KR1020067027091 A KR 1020067027091A KR 20067027091 A KR20067027091 A KR 20067027091A KR 100849766 B1 KR100849766 B1 KR 100849766B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
phosphor
emitting device
delete delete
Prior art date
Application number
KR1020067027091A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070013339A (ko
Inventor
고오이찌 오오따
아쯔오 히라노
아끼히또 오오따
슈테판 타쉬
페터 파흘러
군둘라 로쓰
발터 튜즈
Original Assignee
도요다 고세이 가부시키가이샤
트리도닉 옵토엘렉트로닉스 게엠베하
리텍 게베에르
로이히슈토프베르크 브라이퉁엔 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=3689983&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100849766(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 도요다 고세이 가부시키가이샤, 트리도닉 옵토엘렉트로닉스 게엠베하, 리텍 게베에르, 로이히슈토프베르크 브라이퉁엔 게엠베하 filed Critical 도요다 고세이 가부시키가이샤
Publication of KR20070013339A publication Critical patent/KR20070013339A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100849766B1 publication Critical patent/KR100849766B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7795—Phosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344—Aluminosilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0036—2-D arrangement of prisms, protrusions, indentations or roughened surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

이 발광 장치는 질화물 반도체로 이루어지는 발광 소자와, 상기 발광 소자가 발광한 빛의 일부를 흡수하고, 그 흡수한 빛의 파장과 다른 파장을 갖는 빛을 발광하는 형광체를 구비하고, 형광체는 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 규산염으로 이루어진다.
발광 소자, 형광체, 마운트, 청색 LED, 제너 다이오드, 본딩 와이어

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
도1은 본 발명의 발광 장치의 제2 실시 형태에 관한 LED 램프의 단면도.
도2는 도1에 도시한 청색 LED의 층 구성을 도시한 단면도.
도3은 본 발명의 발광 장치의 제3 실시 형태에 관한 면형 광원용 장치의 구성을 도시하고, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 A-A선 단면도.
도4는 본 발명의 발광 장치의 제4 실시 형태에 관한 SMD(Surface Mounted Device)형의 LED 램프의 단면도.
도5는 본 발명의 발광 장치의 제5 실시 형태에 관한 LED 램프의 단면도.
도6은 과전압 보호 소자에 제너 다이오드를 이용한 경우의 접속 회로도.
도7은 과전압 보호 소자에 콘덴서를 이용한 경우의 접속 회로도.
도8은 본 발명의 발광 장치의 제6 실시 형태에 관한 반도체 발광 장치의 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 리드 프레임
3 : 메탈스템
4: 청색 LED
8 : 내부 수지
9 : 외부 수지
10 : 컵
11 : 형광체
본 출원은 2003년 6월 30일 출원된 미국 특허 출원 제10/451,864호의 분할 출원이다.
본 발명은 발광 소자를 갖는 발광 장치이며, 특히 상기 발광 소자가 제1 스펙트럼 영역에서 발광하고, 또한 알칼리 토류 금속 올트규산염의 군에 유래하거나 혹은 이 형광체의 군을 적어도 함유하고 또한 상기 발광 소자의 발광의 일부를 흡수하고 또한 다른 스펙트럼 영역에서 발광하는 형광체를 더 갖고 있는 발광 장치에 관한 것이다.
[배경기술]
상기 발광 장치는, 예를 들어 무기 LED, 유기 LED, 레이저 다이오드, 무기 후막 일렉트로 루미네선스 시트 또는 무기 박막 일렉트로 루미네선스 부품이다.
LED는 특히 수명이 길고, 장소를 차지하지 않으며, 충격에 강하고, 또한 좁은 스펙트럼 밴드에서 발광한다고 하는 특징이 뛰어나다.
다수의 발광색, 특별히 넓은 스펙트럼 밴드의 다수의 발광색은 LED 경우의 활성 반도체 재료의 고유의 발광에서는 실현 불가능하거나, 비효율적으로밖에 실현 할 수 없다. 특히 이것은 백색의 발광을 얻는 경우에 적합하다.
공지 기술 수준에 따르면, 반도체에서는, 본래 실현할 수 없는 발광색은 색 변환 기술에 의해 얻을 수 있다.
본질적으로 이 색변환의 기술은 다음의 원리에 의거하고 있고, 즉 적어도 하나의 형광체를 LED 다이 상에 배치한다. 상기 형광체는 이 다이의 발광을 흡수하고, 또한 그 후에 포토루미네선스광을 다른 발광색으로 방출한다.
형광체로서 기본적으로 유기계를 사용할 수도 있고, 무기계를 사용할 수도 있다. 무기 안료의 본질적인 이점은 유기계에 비해 내환경성이 높은 것이다. 무기 LED의 수명이 긴 것에 관련하여, 따라서 색의 안정을 고려하면 무기계가 유리하다.
가공의 용이함에 관해서는 필요한 막 두께를 얻는 데 과도하게 긴 성장 기간(Wachstumzeiten)을 갖는 유기의 형광 도장계 대신에, 무기의 형광 안료를 사용하는 것이 유리한 것은 명백하다. 상기 안료는 매트릭스 속에 넣어지고, 또한 LED 다이 상에 놓여진다.
상기한 요구를 만족시키는 무기 재료의 수가 적다는 이유로부터, 현시점에서는 대부분의 경우에 YAG류로부터의 재료가 색변환을 위한 안료로서 사용된다. 그러나, 이 재료에는 상기 재료가 560 ㎚ 미만의 발광 최대치의 경우로밖에 높은 효율을 나타내지 않게 되는 결점이 있다. 이와 같은 이유로부터 청색 다이오드(450 내지 490 ㎚)와 조합된 YAG 안료를 이용하여 차가운 느낌의 백색의 발광색만을 실현할 수 있다. 특히 조명 분야에서의 사용에 대해서는 색온도 및 색재현에 관하여 광원에 대한 더욱 높은 요구가 이루어져, 이 요구는 현시점에서 사용되고 있는 백색 LED로 만족되지 않는다.
또한 WO 00/33389로부터 청색 LED를 이용하여 백색에 가까운 빛을 얻기 위해, 특히 Ba2SiO4 : Eu2 ＋가 형광체로서 사용되는 것이 공지이다. Ba2SiO4 : Eu2 ＋의 발광은 505 ㎚, 즉 비교적 짧은 파장에 있고, 그 결과 이 빛은 현저하게 차다.
에스.에이치.엠.푸어(S.H.M.Poort) 외에 의한 논문, "Eu2 ＋활성화된 광학 특성 (Optical properties of Eu2 ＋-aktivated.) 297페이지에서는 Eu2 ＋로 활성화된 Ba2SiO4 및 인산염, 예를 들어 KBaPO4 및 KSrPO4의 성질이 연구되어 있다. 또한 상기 문헌에서는 Ba2SiO4의 발광이 505 ㎚에 있는 것이 확인되어 있다. 연구된 2개의 인산염의 발광은 이에 대해 본질적으로 더욱 짧은 파장(420 ㎚ 내지 430 ㎚)에 있다.
본 발명의 과제는 상기한 발광 장치를 형광체에 의한 제1 광원의 자외선 혹은 청색 방사의 현저하게 양호한 흡수에 의해 높은 광루미네선스 효과로 다른 빛의 색 및 높은 색의 재현이 실현될 정도로 변경하는 것이고, 이 경우 일반 조명을 위한 광원에 상용의 CIE-편차 타원 내의 색의 위치가 약 2600 K와 7000 K 사이의 매우 근사한 색온도의 범위 내에 있는 것이 특히 유리하다.
상기 과제는 상기한 발광 장치에 의해 해결된다. 본 발명에 따르면, 질화물 반도체로 이루어지는 발광 소자와, 발광 소자가 발광한 빛의 일부를 흡수하여 그 흡수한 빛의 파장과 다른 파장을 갖는 빛을 발광하는 형광체를 구비한 발광 장치에 있어서, 형광체는 유러퓸(europium)으로 활성화된 알칼리 토류 금속 규산염으로 이루어진다.
형광체가, 식 :
(2 － x － y)SrOㆍx(Ba, Ca)Oㆍ(1 － a － b － c － d)SiO2ㆍaP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2 : y Eu2 ＋
(식 중, 0 ＜ x ＜ 1.6,
0.005 ＜ y ＜ 0.5,
0 ＜ a, b, c, d ＜ 0.5임)
로 나타내는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염 및/또는
(2 － x － y)BaOㆍx(Sr, Ca)Oㆍ(1 － a － b － c － d)SiO2ㆍaP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2 : y Eu2 ＋
(식 중, 0.01 ＜ x ＜ 1.6,
0.005 ＜ y ＜ 0.5,
0 ＜ a, b, c, d ＜ 0.5임)
로 나타내는 알칼리 토류 금속 올트규산염이라도 좋다. 이 경우, 유리하게 a, b, c 및 d의 값 중 적어도 하나가 O.O1보다 크다.
형광체가 식,
(Sr(1-x-y)BaxCay)2(Si(1-α-β-γ-δ)PαAlβBγGeδ)O4:Eu2 +
(식 중, 0< x ≤0.8, 0≤ y <0.8, 0< x+y <1, 0≤ α,β,γ <0.25, 0≤δ <0.5, 0≤ α+β+γ+δ <1)
으로 나타내는 적어도 하나의 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규
산염일 수 있다.
즉, 규산바륨 대신에 규산스트론튬 또는 규산바륨과 규산스트론튬올트규산염의 혼합형이 사용되는 경우에, 방사되는 빛의 파장이 길어지는 것이 의외로 발견되었다. 규소 부분의 게르마늄에 의한 치환 및 부가적으로 존재하는 P2O3, Al2O3 및/또는 B2O3도 발광 스펙트럼에의 영향을 갖고, 그 결과 상기 발광 스펙트럼은 각각을 사용하는 경우에 대해 가장 적절하게 조정할 수 있다.
유리하게 상기한 발광 장치는 2가의 유러퓸 및/또는 망간으로 활성화된 알칼리 토류 금속 알루민산염의 군으로부터의 다른 형광체 및/또는 Y(V, P, Si)O4 : Eu 또는 다음식 :
Me(3 － x － y)MgSi2O3 : xEu, yMn
(식 중,
0.005 ＜ x ＜ 0.5,
0.005 ＜ y ＜ 0.5,
Me는 Ba 및/또는 Sr 및/또는 Ca를 나타냄)
으로 나타내는 알칼리 토류 금속-마그네슘-이규산염 : Eu2 ＋, Mn2 ＋의 군으로부터의 또 다른 빨갛게 발광하는 형광체를 갖고 있다.
또한, 소량의 1가 이온, 특히 할로겐화물이 형광체 격자 속에 조립되어 있는 경우가 결정화도 및 방사율에 대해 유리하다는 것이 발견되었다.
제1 스펙트럼 영역이 300 내지 500 ㎚인 경우는 유리하다. 이 파장 영역에서 본 발명에 의한 형광체는 양호하게 여기될 수 있다.
또한, 제2 스펙트럼 영역이 430 ㎚ 내지 650 ㎚인 경우는 유리하다. 이 경우에는 아울러 비교적 순수한 백색을 얻을 수 있다.
유리하게 발광 장치는 Ra값 ＞ 72를 갖는 백색광을 방사한다.
장점적으로 발광 장치는 발광 소자와 광학적으로 연결된 광학 연결면을 구비한 투명한 도광판과 발광 소자로부터 발광한 광이 통과하는 발광면과, 발광면을 제외한 도광판의 면을 포위하고 그 내측에 반사 부재를 구비한 케이스와, 발광면 상에 구비된 투명 필름을 포함하고, 투명 필름은 형광체로 이루어진다.
또한, 장점적으로 발광 장치는 그 위에 형성된 배선 패턴을 구비한 절연 기판과, 발광 소자를 둘러싸면서 절연 기판 상에 장착되는 컵과, 발광 소자를 포위하도록 컵 내측에 충전된 투명한 밀봉 부재를 더 구비하고, 상기 발광 소자는 절연 기판 상에 장착되고 배선 패턴에 와이어 접속되고, 상기 투명한 밀봉 부재는 형광체로 이루어진다.
더욱이, 장점적으로 발광 장치는 컵을 구비한 리드 프레임과, 그 위에 형성된 전극을 구비하고 컵의 바닥부에 장착된 과전압 보호 소자와, 발광 소자를 포위하도록 컵 내측에 충전되는 투명한 밀봉 부재를 더 구비하고, 상기 발광 소자는 전극을 통해 발광 소자에 전기적으로 연결되면서 과전압 보호 소자 상에 실장된 플립 칩이고, 상기 투명한 밀봉 부재는 형광체로 이루어진다.
본 발명에 따른 다른 장점적인 장치에서, 발광 장치는 컵을 구비한 리드 프레임과, 리드 프레임의 주연부 및 컵의 내측을 밀봉하도록 제공되는 투명한 밀봉 부재와, 투명한 밀봉 부재의 외측면 상에 형성된 투명한 형광 커버를 더 구비하고, 상기 발광 소자는 컵의 바닥부 상에 장착되고, 상기 투명한 형광 커버는 형광체로 이루어진다.
본 발명의 제1 실시의 태양에 따르면, 발광 장치는 2개의 다른 형광체를 갖고 있고, 이 경우 적어도 한 쪽은 알칼리 토류 금속 올트규산염 형광체이다. 이와 같이 하여 흰 색조가 특히 정확하게 조정될 수 있다.
본 발명에 의한 발광 장치의 기계적인 실시에 대해 많은 가능성이 존재한다. 일실시 태양에 따르면, 1개 이상의 LED 칩이 반사경 내의 기판 상에 배치되어 있고, 또한 형광체가 반사경 상에 배치되어 있는 렌즈 속에 분산되어 있다.
그러나, 1개 이상의 LED 칩이 반사경 내의 기판 상에 배치되어 있고, 또한 형광체가 상기 반사경에 도포되어 있는 것도 가능하다.
유리하게 상기 LED 칩은 돔 모양의 형상을 갖는 투명한 밀봉용 컴파운드로 충전되어 있다. 상기 밀봉용 컴파운드는 한 쪽에서는 기계적인 보호를 형성하고, 또한 다른 쪽에서는 상기 밀봉용 컴파운드는 더욱 광학적 성질을 개선한다 (LED 다이의 빛이 개선된 발광).
상기 형광체는 밀봉용 컴파운드 속에 분산되어 있어도 좋고, 이 밀봉용 컴파운드에 의해 가능한 한 가스가 가두어지는 일 없이 기판 상에 배치된 LED 칩과 폴리머 렌즈가 결합되고, 이 경우 상기 폴리머 렌즈와 상기 밀봉용 컴파운드는 최대 0.1만큼 다른 굴절률을 갖는다. 상기 밀봉용 컴파운드에 의해 LED 다이가 직접 가두어져 있어도 좋고, 그러나 상기 LED 다이가 투명한 밀봉용 컴파운드로 충전되어 있는(즉 이 경우에는 투명한 밀봉용 컴파운드와 형광체를 함유하는 밀봉용 컴파운드가 존재하고 있음) 것도 가능하다. 근사한 굴절률에 의해, 경계면에서의 반사에 의한 손실이 거의 없다.
유리하게 폴리머 렌즈는 구형 혹은 타원형의 오목부를 갖고 있고, 상기 오목부는 상기 밀봉용 컴파운드에 의해 충전되어 있고, 그 결과 LED 어레이가 폴리머 렌즈로부터 근소한 거리로 고정되어 있다. 이와 같이 하여, 기계적인 구조의 크기를 감소시킬 수 있다.
형광체의 균일한 분포를 달성하기 위해, 형광체가 유리하게 무기의 매트릭스속에 현탁되어 있는 것은 유리하다.
2개의 형광체가 사용되는 경우에는 2개의 형광체가 각각의 매트릭스 속에 현탁되어 있고, 이 경우, 이들 매트릭스가 빛의 전파 방향으로 서로 전후하여 배치되어 있는 것은 유리하다. 이에 의해 매트릭스의 농도는 다른 형광체를 함께 분산시킨 경우에 비해 감소시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제1 실시 태양에서의 형광체 제조의 중요한 공정을 설명한다.
규산염 형광체의 제조를 위해, 선택한 조성에 따라서 출발 물질 알칼리 토류 금속 탄산염, 이산화규소 및 산화유러퓸의 화학 양론적량을 밀하게 혼합하고, 또한 형광체의 제조에 상용 고체 반응으로 환원성 분위기 하에서 온도 11OO ℃ 및 14O0 ℃에서 원하는 형광체로 변환한다. 이 때, 결정화도에 있어서, 반응 혼합물에 적은 비율로, 유리하게 0.2 몰 미만의 비율로 염화암모늄 또는 다른 할로겐화물을 첨가하는 것은 유리하다. 필요에 따라서 규소의 일부를 게르마늄, 붕소, 알루미늄, 인으로 치환할 수도 있고, 유러퓸의 일부를 망간으로 치환할 수도 있어, 이것은 열에 의해 산화물로 분해하는 상기 원소의 화합물의 상응량 첨가에 의해 행해진다. 이 경우에는, 반응 조건의 범위는 유지된다.
이렇게 얻게 된 규산염은 파장 510 ㎚ 내지 600 ㎚에서 방사하고, 또한 110 ㎚까지의 절반치 폭을 갖는다.
상기한 군으로부터의 형광체 중 하나 또는 상기한 군으로부터 조합한 형광체의 사용에 의해, 혹은 2가의 유러퓸 및/또는 망간으로 활성화된 알칼리 토류 금속 알루민산염 및 Y(V, P, Si)O4 : Eu2 ＋의 군으로부터의 또 다른 빨갛게 발광하는 형광 체, Y2O2S : Eu3 ＋, 형광체 군으로부터의 상용 형광체와의 조합에 의해 정의된 색온도를 갖는 발광색 및 높은 색재현성을 얻을 수 있어, 이것은 다음의 실시예에서 나타내고 있는 바와 같다.
T ＝ 2778K(464 nm ＋ Sr1 .4Ba0 .6SiO4 : Eu2 ＋) ; x ＝ 0.4619, y ＝ 0.4247, Ra ＝ 72,
T ＝ 2950K(464 nm ＋ Sr1 .4Ba0 .6SiO4 : Eu2 ＋) ; x ＝ 0.4380, y ＝ 0.4004, Ra ＝ 73,
T ＝ 3497K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4SiO4 : Eu2 ＋) ; x ＝ 0.4086, y ＝ 0.3996, Ra ＝ 74,
T ＝ 4183K(464 nm ＋ Sr1 .9Ba0 .08Ca0 .02SiO4 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.3762, y ＝ 0.3873, Ra ＝ 75,
T ＝ 6624K(464 nm ＋ Sr1 .9Ba0 .02Ca0 .08SiO4 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.3101, y ＝ 0.3306, Ra ＝ 76,
T ＝ 6385K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4SiO4 : Eu2 ＋ ＋ Sr0 .4Ba1 .6SiO4 : Eu2 ＋) ; x ＝ 0.3135, y ＝ 0.3397, Ra ＝ 82,
T ＝ 4216K(464 nm ＋ Sr1 .9Ba0 .08Ca0 .02SiO4 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.3710, y ＝ 0.3696, Ra ＝ 82,
3954K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4SiO4 : Eu2 ＋ ＋ Sr0 .4Ba1 .6SiO4 : Eu2 ＋ ＋ YVO4 : Eu3＋) ; x ＝ 0.3756, y ＝ 0.3816, Ra ＝ 84,
T ＝ 6489K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4SiO4 : Eu2 ＋ ＋ Sr0 .4Ba1 .6SiO4 : Eu2 ＋ ＋ 알루민산바륨마그네슘 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.3115,
y ＝ 0.3390, Ra ＝ 66,
T ＝ 5097K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4(Si0 .08B0.02)O4 : Eu2 ＋ ＋ Sr0 .6Ba1 .4SiO4 : Eu2＋) ; x ＝ 0.3423, y ＝ 0.3485, Ra ＝ 82,
T ＝ 5084K(464 nm ＋ Sr1 .6Ba0 .4(Si0 .08B0.02)O4 : Eu2 ＋ ＋
Sr0 .6Ba1 .4SiO4 : Eu2 ＋ ＋ 알루민산스트론튬마그네슘 : Eu2 ＋) ; x ＝ 0.3430, y ＝ 0.3531, Ra ＝ 83,
T ＝ 3369K(464 nm ＋ Sr1 .4Ba0 .6Si0 .95Ge0 .05O4 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.4134, y ＝ 0.3959, Ra ＝ 74,
T ＝ 2787K(466 nm ＋ Sr1 .4Ba0 .6Si0 .98P0 .02O4 .01 : Eu2 ＋);
x ＝ 0.4630, y ＝ 0.4280, Ra ＝ 72,
T ＝ 2913K(464 nm ＋ Sr1 .4Ba0 .6Si0 .98Al0 .02O4 : Eu2 ＋) ;
x ＝ 0.4425, y ＝ 0.4050, Ra ＝ 73.
본 발명의 하나의 실시 태양의 경우에는, 색변환은 다음과 같이 실시된다.
1개 이상의 LED 칩을 기판 상에서 조립한다. 상기 LED 상에 직접(한 쪽에서는 LED 칩의 보호를 위해, 다른 쪽에서는 LED 칩 내에서 발생하는 빛을 보다 양호하게 방출시킬 수 있도록 하기 위해) 밀봉용 재료를 반구 혹은 반타원의 형태로 배치한다. 이 밀봉용 재료는 각 다이를 각각 포함할 수도 있고, 상기 밀봉용 재료가 모든 LED를 위한 공통된 1개의 형이라도 좋다. 이와 같이 하여 장비한 기판을 반사경 내에 설치하거나, 또는 상기 반사경을 상기 LED 칩 위에 씌운다.
상기 반사경에 렌즈를 설치한다. 한 쪽에서 상기 렌즈는 장치의 보호를 위해 사용되고, 다른 쪽에서는 상기 렌즈 속에 형광체 안료가 혼입된다. 이와 같이 하여 상기 렌즈는 불투명하고 또한 황색의 인상을 준다. 상기 렌즈를 통해 빠져 나오는 청색광(자외광을 포함)은 광학 부품 속을 통과할 때에 보다 장파광(황색광)으로 변환이 행해진다. 그 결과, 청색광과 황색광을 합쳐서 백색의 인상을 얻을 수 있다. 예를 들어 평면 평행한 판 사이에서 생기는 도파 작용에 의한 손실은 상기 렌즈의 불투명성 및 확산성에 의해 감소된다. 또한 반사경에 의해 이미 조정된 빛만이 상기 렌즈로 입사하도록 배려되고, 그 결과 모든 반사 작용이 시작부터 감소된다.
이와는 달리, 각 LED 칩 상에 반사경이 씌워져 있어도 좋고, 또한 상기 반사경은 돔형으로 충전되고, 또한 렌즈가 각각의 반사경 상 혹은 이 장치 전체 상에 배치된다.
조명의 발광 장치를 제조하는 데 단일 LED 대신에 LED 어레이를 사용하는 것은 유리하다. 본 발명의 다른 실시 태양의 경우에는, 색의 변환은 LED 칩이 직접 기판 상에 조립되는 LED 어레이에서 다음과 같이 실시된다.
LED 어레이를 밀봉용 컴파운드(예를 들어 에폭시 수지)를 이용하여 다른 재료(예를 들어 PMMA)로 이루어지는 투명한 폴리머 렌즈에 접착한다. 상기 폴리머 렌즈 및 상기 밀봉용 컴파운드의 재료는 가능한 한 근사한 굴절률을 갖도록, 즉 위상 정합되어 있도록 선택된다. 상기 밀봉용 컴파운드는 폴리머 렌즈의 최대에서 구형 또는 타원형의 오목부 속에 존재한다. 이 오목부의 형태는 상기 밀봉용 컴파운드 속에 색변환 물질이 분산되어 있다는 점에서 중요하고, 또한 따라서 이 형태에 의해 각도에 관계 없이 발광색을 얻을 수 있는 것이 보증될 수 있다. 이와는 달리 상기한 어레이는 투명한 밀봉용 컴파운드로 충전할 수 있고, 또한 계속해서 색변환 물질이 함유되어 있는 상기 밀봉용 컴파운드를 이용하여 상기 폴리머 렌즈에 접착할 수 있다.
적어도 2개의 다른 형광체가 사용되고 있는, 특히 양호한 색재현성을 갖는 LED에 있어서, 이들 형광체를 함께 하나의 매트릭스 속에 분산시키는 것은 아니고, 이들 형광체를 별도로 분산시키거나 또한 포개는 것이 유리하다. 이는 최종적인 발광색이 복수의 색변환 프로세스에 의해 얻을 수 있는 조합에 특히 해당한다. 즉, 최장파의 발광색이 하나의 발광 프로세스에 의해 생성된다는 것이고, 이 경우 상기 발광 프로세스는 다음과 같이 경과한다 : 즉, 제1 형광체에 의한 LED 발광의 흡수, 제1 형광체의 발광, 제2 형광체에 의한 제1 형광체의 발광 흡수 및 제2 형광체의 발광. 특히, 이러한 종류의 프로세스에 있어서, 각각의 형광체를 빛의 전달 방향으로 서로 전후하여 배치하는 것은 유리하고, 그러한 것도 그것에 의해 다양한 형광체를 단일하게 분산시킨 경우보다도 형광체의 농도를 감소시킬 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 형광체는 폴리머 렌즈(또는 다른 광학 부품) 속에 조립되어 있어도 좋다. 상기 형광체를 LED 다이 상에 직접 배치할 수도 있고, 투명한 밀봉용 컴파운드의 표면 상에 배치할 수도 있다. 또한 상기 형광체를 분산 입자와 함께 하나의 매트릭스 속에 조립할 수도 있다. 이에 의해 매트릭스 속에서의 침강이 방지되고, 또한 균일한 발광이 보증된다.
이하, 전술한 포토루미네선스 효과를 갖는 형광체를 발광 다이오드(LED) 램프에 사용하는 예를 보다 상세하게 설명한다.
도1은 본 발명의 발광 장치의 제2 실시 형태에 관한 LED 램프의 모식 단면도이고, 이른바 렌즈 타입의 LED 램프를 도시한다. GaN계 반도체로 이루어지는 청색 LED(4)는 청색 LED(4)의 발광을 LED 램프의 상방으로 반사시키는 반사경으로서의 역할을 감당하는 컵(10)을 형성한 메탈스템(3)에 마운트(5)를 거쳐서 부착된다. 청색 LED(4)의 한 쪽 전극과 리드 프레임(2)을 금으로 된 본딩 와이어(7)에 의해 접속하고, 다른 쪽의 전극과 리드 프레임(1)을 금으로 된 본딩 와이어(6)에 의해 접속한다. 청색 LED(4)를 고정하기 위해 코팅 부재인 내부 수지(8)로 컵(10) 내를 피복한다. 또한, 리드 프레임(2) 및 메탈스템(3)이 형성된 리드 프레임(1)을 몰드 부재인 외부 수지(9)로 밀봉한다. 따라서, 청색 LED(4)는 내부 수지(8) 및 외부 수지(9)로 이중으로 밀봉된다. 또한, 메탈스템(3)과 리드 프레임(1)은 마운트 리드라고도 불리운다. 또한, 청색 LED(4)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
형광체(11)를 함유하는 내부 수지(8)는 컵(10)의 상부 모서리의 수평면보다도 낮게 컵(10) 내부에 충전시킨다. 이에 의해, 복수의 LED를 근접하여 배치한 경우에 LED 사이의 혼합색이 발생하지 않아, LED로 평면 디스플레이를 실현하여 해상도가 좋은 화상을 얻을 수 있다.
내부 수지(8)는 고화 후에 투명해지는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지를 이용한다. 또한, 내부 수지(8)는 상기 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염 및/또는 알칼리 토류 금속 올트규산염을 주성분으로 하는 형광체(11)가 혼입된다. 이 형광체(11)는 전술한 바와 같이 포토루미네선스 효과를 갖고, 청색 LED(4)가 발광하는 빛을 흡수하여 흡수한 빛의 파장과 다른 파장의 빛을 발광한다.
또한, 내부 수지(8)로서 사용되는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 대신에 저융점 유리를 이용해도 좋다. 저융점 유리는 내습성이 우수한 동시에 청색 LED(4)에 유해한 이온의 침입을 저지할 수 있다. 또한, 청색 LED(4)로부터의 발광을 흡수하지 않고 그대로 투과할 수 있으므로, 흡수분을 예측하여 강하게 발광시킬 필요가 없다.
또한, 상기 형광체(11)를 혼입한 내부 수지(8)인 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 저융점 유리에 확산재를 더욱 혼입해도 좋다. 확산재에 의해 발광한 청색 LED(4)로부터의 빛을 난반사하여 산란광으로 하기 위해, 청색 LED(4)로부터의 빛이 형광체(11)에 닿기 쉬워져 형광체(11)로부터 발색하는 광량을 증가시킬 수 있다. 이 확산재는 특별히 한정되는 것은 아니고, 이미 알려진 물질을 사용할 수 있다.
외부 수지(9)는 고화 후에 투명해지는 에폭시 수지를 이용할 수 있다.
마운트(5)에는 취급하기 쉬운 에폭시 수지 등의 다양한 수지를 이용할 수 있다. 마운트(5)에 이용되는 수지는 접착성을 갖는 동시에, 매우 작은 청색 LED(4)의 측면에 마운트(5)가 융기되어도 측면에서 각 층 사이가 쇼트하지 않는 절연성을 갖는 수지가 바람직하다.
마운트(5)는 청색 LED(4)로부터 등방적으로 발하게 되는 빛을 투과하여 컵(10) 표면의 반사경에서 반사시켜 LED 램프의 상방으로 방출시기 위해, 투명한 수지를 이용한다. 특히, LED 램프를 백색계의 광원으로서 이용할 경우, 마운트(5)는 백색광의 방해가 되지 않는 백색으로 해도 좋다.
또한, 마운트(5)에 형광체(11)를 함유시켜도 좋다. 형광체(11)를 이용한 LED 램프는 형광체(11)를 이용하지 않는 LED 램프와 비교하여 빛의 밀도가 극단적으로 높아진다. 즉, 청색 LED(4)로부터 방출되는 빛은 형광체(11)를 투과하지 않으므로, 청색 LED(4)로부터의 발광은 청색 LED(4) 근방에 설치된 형광체(11)에 의해 반사되고, 형광체(11)에 의해 여기된 빛으로서 등방적으로 새롭게 방출되어 컵(10) 표면의 반사경에 따라서도 반사되고, LED 램프의 각 부분의 굴절율의 차에 따라서도 반사된다. 그로 인해, 청색 LED(4)의 근방에 빛이 부분적으로 밀하게 가두어지고, 청색 LED(4) 근방의 광밀도가 매우 높아져 LED 램프는 고휘도로 발광한다.
청색 LED(4)는 등방적으로 발광하고, 그 빛은 컵(10)의 표면에서도 반사되므로, 그들의 빛이 마운트(5) 속을 투과하기 때문에 마운트(5) 속은 매우 광밀도가 높다. 그래서, 마운트(5) 속에 형광체(11)를 함유시키면, 청색 LED(4)로부터 발하게 되는 그들 빛은 마운트(5) 속의 형광체(11)에 의해 반사되고, 또한 마운트(5) 속의 형광체(11)에 의해 여기된 빛으로서 등방적으로 새롭게 방출된다. 이와 같이 마운트(5)에도 형광체(11)를 함유시키면, LED 램프는 더욱 고휘도가 된다.
또한, 마운트(5)에 Ag 등의 무기 재료를 함유시킨 수지를 이용할 수 있다. 상기한 고휘도의 LED 램프를 장시간 사용하면, 마운트(5)나 내부 수지(8)에는 에폭시 수지 등의 수지가 이용되고 있으므로 청색 LED(4) 최근방의 합성 수지로 된 마운트(5)나 내부 수지(8)가 갈색이나 흑색으로 착색되어 열화되어 발광 효율이 저하된다. 특히, 청색 LED(4) 근방의 마운트(5)의 착색이 발광 효율을 크게 저하시킨다. 마운트(5)는 청색 LED(4)로부터의 빛에 의한 내후성뿐만 아니라 접착성, 밀착성 등도 요구되지만, 이 빛에 의한 수지의 열화는 마운트(5)에 Ag 등의 무기 재료를 함유시킨 수지를 이용함으로써 해소할 수 있다. 이와 같은 마운트(5)는 Ag 페이스트와 형광체(11)를 마운트 페이스트에 혼합하여 메탈스템(3) 상에 마운트 기기로 도포시켜 청색 LED(4)를 접착시킴으로써 간단하게 형성시킬 수 있다.
마운트(5)는 Ag 함유의 에폭시 수지 외에, 무기 재료를 함유시킨 유기 수지 로서 실리콘 수지를 이용할 수도 있다. 마운트(5) 속의 무기 재료는 수지와의 밀착성이 양호하고, 청색 LED(4)로부터의 빛에 의해 열화되지 않는 것이 필요하다. 그로 인해, 무기 재료로서는 은, 금, 알루미늄, 동, 알루미나, 실리카, 산화티탄, 질화붕소, 산화주석, 산화아연, ITO로부터 1종류 이상을 선택하여 수지에 함유시킨다. 특히, 은, 금, 알루미늄, 동 등은 방열성을 향상시켜 도전성을 가지므로 도전성을 기대하는 반도체 장치에 적용할 수 있다. 또한, 알루미나, 실리카, 산화티탄, 질화붕소 등은 내후성이 강하여 고반사율을 유지시킬 수 있다. 무기 재료는 분산성이나 전기적 도통 등을 고려하여 그 형상을 구형, 침형이나 후레이크형 등 다양한 형상으로 할 수 있다. 마운트(5)의 수지 속의 무기 재료 함유량은 방열성이나 전기 전도성 등 다양하게 조절할 수 있다. 그러나, 수지 속의 무기 재료 함유량을 많게 하면 수지의 열화가 적지만, 밀착성이 저하되므로 5 중량 ％ 이상으로부터 80 중량 ％ 이하로 하지만, 또한 60 중량 ％ 이상으로부터 80 중량 ％ 이하로 하면 보다 적절하게 수지의 열화를 방지할 수 있다.
이와 같이 마운트(5)에, 청색 LED(4)가 발광한 빛에 의해 열화되기 어려운 Ag 등의 무기 재료를 함유시킴으로써 마운트(5) 수지의 빛에 의한 열화를 억제할 수 있으므로, 열화에 의한 착색 부위를 적게 하여 발광 효율의 저하를 방지하여 양호한 접착성을 얻을 수 있다. 또한, 형광체(11)를 마운트(5)에도 함유시킴으로써 LED 램프의 휘도를 더욱 높일 수 있다.
이에 의해 고휘도, 장시간의 사용에 있어서도 발광 효율의 저하가 매우 적은 고휘도인 발광이 가능한 LED 램프를 제공할 수 있다. 또한, 열전도성이 좋은 재료 를 이용함으로써 청색 LED(4)의 특성을 안정화시키고, 색 불균일을 적게 할 수도 있다.
도2는 도1에 도시한 LED 램프의 청색 LED(4)의 층 구성을 도시한다. 청색 LED(4)는 투명 기판으로서, 예를 들어 사파이어 기판(41)을 갖고, 이 사파이어 기판(41) 상에, MOCVD법 등에 의해 질화물 반도체층으로서, 예를 들어 버퍼층(42), n형 콘택트층(43), n형 클래드층(44), MQW(multi-quantum well) 활성층(45), p형 클래드층(46) 및 p형 콘택트층(47)을 차례로 형성하고, 스패터링법, 진공 증착법 등에 의해 p형 콘택트층(47) 상의 전체면에 투광성 전극(50), 투광성 전극(50) 상의 일부에 p 전극(48) 및 n형 콘택트층(43) 상의 일부에 n 전극(49)을 형성한 것이다.
버퍼층(42)은, 예를 들어 AlN으로 이루어지고, n형 콘택트층(43)은, 예를 들어 GaN으로 이루어진다.
n형 클래드층(44)은, 예를 들어 AlyGa1 -yN(0 ≤ y ＜ 1)으로 이루어지고, p형 클래드층(46)은, 예를 들어 AlxGa1 -xN(0 ＜ x ＜ 1)으로 이루어지고, p형 콘택트층(47)은, 예를 들어 AlzGa1 -zN(0 ≤ z ＜ 1, z ＜ x)으로 이루어진다. 또한, p형 클래드층(46)의 밴드 갭은 n형 클래드층(44)의 밴드 갭보다 크게 한다. n형 클래드층(44) 및 p형 클래드층(46)은 단일 조성의 구성이라도 좋고, 초격자 구조가 되도록 서로 조성이 다른 두께 100 Å 이하의 상기 질화물 반도체막이 적층되는 구성이라도 좋다. 막 두께를 100 Å 이하로 함으로써, 막 속에 크랙이나 결정 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
MQW 활성층(45)은 InGaN으로 이루어지는 복수의 우물층과, GaN으로 이루어지는 복수의 배리어층으로 이루어진다. 또한, 초격자층을 구성하도록 우물층 및 배리어층의 두께는 100 Å 이하, 바람직하게는 60 내지 70 Å로 한다. InGaN은 결정의 성질이 다른 AlGaN과 같은 Al을 포함하는 질화물 반도체에 비해 부드러우므로, InGaN을 활성층(45)을 구성하는 층으로 이용함으로써, 적층한 각 질화물 반도체층 전체에 크랙이 생기기 어려워진다. 또한, MQW 활성층(45)은 InGaN으로 이루어지는 복수의 우물층과, AlGaN으로 이루어지는 복수의 배리어층으로 구성해도 좋다. 또한, AlInGaN으로 이루어지는 복수의 우물층과, AlInGaN으로 이루어지는 복수의 배리어층으로 구성해도 좋다. 단, 배리어층의 밴드 갭 에너지는 우물층의 밴드 갭 에너지보다 크게 한다.
또한, MQW 활성층(45)보다 사파이어 기판(41)측, 예를 들어 n형 콘택트층(43)의 버퍼층(42)측에 반사층을 형성해도 좋다. 또한, 반사층은 MQW 활성층(45)이 적층되어 있는 사파이어 기판(41)의 표면과 반대측의 표면에 형성해도 좋다. 반사층은 활성층(45)으로부터의 방출광에 대해 최대의 반사율을 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 Al로 형성해도 좋고, GaN계의 박막의 다층막으로 형성해도 좋다. 반사층을 설치함으로써 활성층(45)으로부터의 방출광을 반사층에서 반사할 수 있고, 활성층(45)으로부터의 방출광의 내부 흡수를 감소시켜 상방으로의 출력광을 증대시킬 수 있고, 마운트(5)에의 광입사를 저감하여 그 광열화를 방지할 수 있다.
이와 같이 구성된 청색 LED(4)의 발광 파장의 절반치 폭은 50 ㎚ 이하, 바람 직하게 40 ㎚ 이하로 한다. 또한, 청색 LED(4)의 피크 발광 파장은 380 ㎚ 내지 500 ㎚의 범위의, 예를 들어 450 ㎚에 있다.
이와 같이 구성된 LED 램프에 있어서 리드 프레임(1, 2) 사이에 전압을 인가하면, 청색 LED(4)가 450 ㎚ 파장의 청색 빛을 발광한다. 청색 빛은 내부 수지(8) 속의 형광체(11)를 여기하고, 여기된 형광체(11)는 560 내지 570 ㎚의 황색 빛을 발광한다. 내부 수지(8) 속의 청색의 빛과 황색의 빛이 혼합된 빛은 외부 수지(9)를 통과하여 외부로 누출되지만, 그 혼합된 빛은 인간의 눈에는 백색으로 보이고, 결과적으로 LED 램프는 백색으로 발광하고 있는 것처럼 보인다. 즉, 형광체(11)는 청색 LED(4)가 발광하는 청색의 빛에 의해 여기되어 청색과 보색 관계에 있어 청색보다 파장이 긴 황색을 발광한다. 본 발명에서는 복수의 형광체를 조합함으로써 보다 순수에 가까운 백색을 얻을 수 있다.
도3은 본 발명의 발광 장치의 제3 실시 형태에 관한 면형 광원용 장치의 구성을 도시하고, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 A-A선 단면도이다.
이 도3에 도시한 면형 광원용 장치는, 예를 들어 액정 패널의 백 라이트 장치로서 적용되고, 액정 패널의 이면측으로부터 액정 패널로 빛을 조사하여 비발광성인 액정 패널의 문자나 화상에 밝기나 콘트라스트를 부여함으로써 그 시인성을 향상시키는 것으로, 다음의 요소를 구비하여 구성되어 있다.
즉, 면형 광원용 장치는 투명한 개략 직사각 형상의 도광판(70)과, 이 도광판(70)의 측면에 어레이형으로 배열되어 매립됨으로써 도광판(70)과 광학적으로 접속된 복수의 청색 LED(4)와, 도광판(70)의 빛의 출사면(70a)을 제외한 다른 면을 포위하여 도광판(70)에 부착된 빛을 반사하는 광반사 케이스(71)와, 도광판(70)의 출사면(70a)과 대향하는 빛의 반사면(72)에 규칙적이고 미세한 요철막 모양을 형성하여 이루어지는 광확산막 모양(73)과, 도광판(70)에 출사면(70a)을 씌워 부착되어 내부에 형광체(11)를 함유하는 투명 필름(74)을 구비하여 구성되어 있다.
또한, 각 청색 LED(4)는 본딩 와이어 및 리드 프레임 등의 전원 공급용 수단을 거쳐서 전원으로부터 소정 전압의 구동 전압이 공급되도록 광반사 케이스(71)에 부착되어 있다. 광확산 모양(73)은 청색 LED(4)로부터 출사된 빛을 도광판(70)의 내부에서 확산하는 것이다.
이와 같이 구성된 면형 광원용 장치에 있어서, 각 청색 LED(4)에 구동 전압이 인가되면, 구동된 각 청색 LED(4)로부터 빛이 출사된다. 이 출사광은 도광판(70) 속을 소정 방향으로 진행하고, 반사면(72)에 형성된 광확산막 모양(73)에 닿아 반사 확산하면서 출사면(70a)으로부터 필름(74)을 통과하여 면형의 출사광으로서 출사된다. 청색 LED(4)의 출사광은 필름(74)을 통과할 때에 일부가 형광체(11)에 의해 흡수되고, 동시에 파장 변환되어 출사된다. 이에 의해 필름(74)의 전방면으로부터 관측되는 발광색은 그들 빛을 합성한 색이 되어, 예를 들어 전술한 원리로부터 백색이 된다.
이와 같이, 제3 실시 형태의 면형 광원용 장치에 따르면, 청색 LED(4)로부터의 출사광을 도광판(70)으로 입사시키고, 이 입사된 빛을 도광판(70)의 반사면(72)에 형성된 광확산막 모양(73)으로 반사 확산시키면서 출사면(70a)으로부터 필름(74)으로 출사하고, 이 필름(74)에 있어서 빛의 일부가 형광체(11)에 의해 흡수 되고, 동시에 파장 변환되어 출사되도록 구성하였으므로, 종래와 같이 적색ㆍ녹색ㆍ청색의 각 색의 LED를 이용하지 않고도 청색 LED(4)만으로 발광색을 백색으로 할 수 있다. 또한, 형광체(11)와 청색 LED(4)가 직접 접촉하지 않는 구조로 되어 있으므로, 형광체(11)의 열화를 장기간 억제할 수 있어 장기간에 걸쳐서 면형 광원의 소정의 색조를 유지할 수 있다.
이 밖에, 필름(74)에 함유되는 형광체(11)의 종류를 바꿈으로써, 백색뿐만 아니라 다른 색의 발광색도 실현 가능해진다. 필름(74)의 부착 구조를 착탈 용이한 구조로 하는 동시에, 종류가 다른 형광체(11)를 함유하는 필름(74)을 복수 종류준비해 두면, 필름(74)을 교환하는 것만으로 쉽게 면형 광원의 색조를 가변시킬 수 있다.
또한, 형광체(11)는 필름(74)에 함유시키는 외에, 필름(74)의 표면에 도포해도 함유시킨 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청색 LED(4)는 도광판(70)에 매립됨으로써 도광판(70)과 광학적으로 접속되어 있지만, 이 밖에 청색 LED(4)를 도광판(70)의 단부면에 접착하거나, 청색 LED(4)의 발광을 광파이버 등의 광전도 수단에 의해 도광판(70)의 단부면으로 유도함으로써, 청색 LED(4)와 도광판(70)을 광학적으로 접속해도 좋다. 또한, 청색 LED(4)는 1개라도 좋다.
도4는, 본 발명의 발광 장치의 제4 실시 형태에 관한 SMD(Surface Mounted Device)형의 LED 램프를 도시한다.
SMD형의 LED 램프는 이하의 구성을 갖는다. 절연성을 갖는 유리 에폭시 수 지 기판(80)의 양면을 씌우고, 또한 전기적으로 떨어져 형성되는 2개의 금에 의한 패턴 배선(81, 82)에 의해 메탈 프레임을 형성하고 패턴 배선(81, 82) 상에 플라스틱제의 컵(83a)을 갖는 프레임(83)을 설치한다. 컵(83a)은 그 표면이 청색 LED(4)의 방출광을 반사하는 반사경으로 되어 있다. 패턴 배선(81, 82)은 비대칭으로 하고, 패턴 배선(82)의 상면은 프레임(83)이 형성되는 공간의 바닥부의 중앙에까지 형성되어 있지만, 다른 쪽 패턴 배선(81)은 프레임(83)이 형성되는 공간의 바닥부에 조금만 노출되어 있다.
청색 LED(4)는 패턴 배선(82)의 상면에는 필러 함유 에폭시 수지 페이스트(84)에 의해 고정 부착된다. 청색 LED(4)의 p 전극과 패턴 배선(82)은 금으로 된 본딩 와이어(6)에 의해 접속하고, 청색 LED(4)의 n 전극과 패턴 배선(81)은 금으로 된 본딩 와이어(7)에 의해 접속한다.
프레임(83)의 컵(83a)이 형성되는 공간 내는 고화 후에 투명해지는 밀봉제(88)를 충전한다. 밀봉제(88)에 의해 청색 LED(4)는 고정된다. 밀봉제(88)는 상기한 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염 및/또는 알칼리 토류 금속 올트규산염을 주성분으로 하는 형광체(11)가 혼입된다. 밀봉제(88)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지이다.
형광체(11)가 혼입된 밀봉제(88)는 프레임(83)의 컵(83a)이 형성되는 공간 내 가득히 충전되어도 좋고, 또한 프레임(83)의 상부 모서리로부터 내려간 부위까지 충전되어 있어도 좋다.
또한, 상기한 형광체(11)를 혼입한 밀봉제(88)는 확산재를 더 혼입해도 좋 다. 확산재에 의해 발광한 청색 LED(4)로부터의 빛을 난반사하여 산란광으로 하기 위해, 청색 LED(4)로부터의 빛이 형광체(11)에 닿기 쉬워져 형광체(11)로부터 발광하는 광량을 증가시킬 수 있다. 이 확산재는 특별히 한정되는 것은 아니고, 주지의 물질을 사용할 수 있다.
이와 같이 구성된 SMD형의 LED 램프에 있어서, 패턴 배선(81, 82) 사이에 전압을 인가하면 청색 LED(4)가 450 ㎚의 파장의 청색 빛을 발광한다. 청색의 빛은 밀봉제(88) 속의 형광체(11)를 여기하고, 여기된 형광체(11)는 560 내지 570 ㎚의 황색의 빛을 발광한다. 밀봉제(88) 속의 청색의 빛과 황색의 빛이 혼합된 빛은 외부로 누출되지만, 그 혼합된 빛은 인간의 눈에는 백색으로 보여 결과적으로 LED 램프는 백색으로 발광하고 있는 것처럼 보인다. 즉, 형광체(11)는 청색 LED(4)가 발광하는 청색의 빛에 의해 여기되어 청색과 보색 관계에 있어 청색보다 파장이 긴 황색을 발광한다. 본 발명에서는, 복수의 형광체를 조합함으로써 보다 순수에 가까운 백색을 얻을 수 있다.
도5는 본 발명의 발광 장치의 제5 실시 형태에 관한 LED 램프를 도시한다. 본 실시 형태는 청색 LED(4)를 정전기 등의 과전압으로부터 보호할 수 있도록 한 것으로, 도1 구성의 광원에 과전압 보호 소자(91)를 추가한 구성으로 되어 있다.
도5에 도시한 바와 같이, 과전압 보호 소자(91)는 청색 LED(4)와 동일한 정도의 크기로 칩화되어 있고, 청색 LED(4)와 마운트(5) 사이에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서는 도1의 경우와 달리 후술하는 이유로부터 청색 LED(4)는 플립 칩(flip chip) 실장된다. 과전압 보호 소자(91)는 청색 LED(4) 및 리드 프레임(1) 과 접속하기 위한 전극(92, 93)을 구비하고 있다. 전극(92)은 도2에 도시한 p 전극(48)에 대향하는 위치에 설치되어 있다. 또한, 전극(93)은 n 전극(49)에 대향하는 위치에 설치되고, 또한 본딩 와이어(6)와의 접속을 용이하게 하기 위해, 과전압 보호 소자(91)의 측면으로 연신하도록 형성되어 있다. 과전압 보호 소자(91) 상의 전극(92, 93)은 각각 Au 범프(94a, 94b)를 거쳐서 청색 LED(4)의 p 전극(48), n 전극(49)에 접속된다. 이 과전압 보호 소자(91)에는 규정 전압 이상의 전압이 인가되면 통전 상태가 되는 제너 다이오드(zener diode), 펄스성 전압을 흡수하는 콘덴서 등을 이용할 수 있다.
도6은 과전압 보호 소자(91)에 제너 다이오드를 이용한 경우의 접속 회로를 도시한다. 과전압 보호 소자(91)로서의 제너 다이오드(95)는 청색 LED(4)에 전기적으로 병렬 접속되고, 청색 LED(4)의 애노드(anode)와 제너 다이오드(95)의 캐소드(cathode)가 접속되고, 청색 LED(4)의 캐소드와 제너 다이오드(95)의 애노드가 접속되어 있다. 리드 프레임(1)과 리드 프레임(2) 사이에 과대한 전압이 인가된 경우, 그 전압이 제너 다이오드(95)의 제너 전압을 초과하면 청색 LED(4)의 단자간 전압은 제너 전압으로 유지되어 이 제너 전압 이상이 되는 일은 없다. 따라서, 청색 LED(4)에 과대한 전압이 인가되는 것을 방지 할 수 있고, 과대 전압으로부터 청색 LED(4)를 보호하여 소자 파괴나 성능 열화의 발생을 방지할 수 있다.
도7은 과전압 보호 소자(91)에 콘덴서를 이용한 경우의 접속 회로를 도시한다. 과전압 보호 소자(91)로서의 콘덴서(96)는 표면 실장용 칩 부품(chip type component)을 이용할 수 있다. 이와 같은 구조의 콘덴서(96)는 양 측에 띠형의 전 극이 설치되고 있고, 이 전극이 청색 LED(4)의 애노드 및 캐소드에 병렬 접속된다. 리드 프레임(1)과 리드 프레임(2) 사이에 과대한 전압이 인가된 경우, 이 과대 전압에 의해 충전 전류가 콘덴서(96)에 흐르고, 콘덴서(96)의 단자간 전압을 순간적으로 내려 청색 LED(4)에 대한 인가 전압이 오르지 않도록 하기 때문에, 청색 LED(4)를 과전압으로부터 보호할 수 있다. 또한, 고주파 성분을 포함하는 노이즈가 인가된 경우도 콘덴서(96)가 바이패스(bypass) 콘덴서로서 기능하므로, 외래 노이즈를 배제할 수 있다.
상기한 바와 같이, 청색 LED(4)는 도1에 대해 상하를 반전시킨 플립 칩 실장을 행하고 있다. 그 이유는 과전압 보호 소자(91)를 설치하였기 때문에, 과전압 보호 소자(91)와 청색 LED(4)의 양 쪽에 전기적인 접속이 필요해진다. 가령, 청색 LED(4)와 과전압 보호 소자(91)의 각각을 본딩 와이어에 의해 접속한 경우, 본딩 수가 증가하므로 생산성이 저하되고, 또한 본딩 와이어끼리의 접촉, 단선 등이 증가하므로 신뢰성 저하를 초래할 우려가 있다. 그래서, 청색 LED(4)를 플립 칩 실장으로 하고 있다. 즉, 도2에 도시한 사파이어 기판(41)의 하면을 최상면으로 하여 p 전극(48)을 Au 범프(94a)를 거쳐서 과전압 보호 소자(91)의 전극(92)에 접속하고, n 전극(49)을 Au 범프(94b)를 거쳐서 과전압 보호 소자(91)의 전극(93)에 접속하여 본딩 와이어(6, 7)를 청색 LED(4)에 접속하지 않도록 하고 있다. 또한, 청색 LED(4)를 플립 칩으로 한 경우, 도2에 도시한 투광성 전극(50)은 비투광성 전극으로 대신할 수 있다. 또한, p 전극(48)의 표면과 동일 높이가 되도록 n 전극(49)을 두껍게 하거나, 혹은 n 전극(42)에 새롭게 도전체를 접속하여 이를 전극으로 해 도 좋다.
이상 설명한 바와 같이 도5의 구성에 따르면, 도1에 도시한 구성에 의한 광원으로서의 기본적인 효과에다가, 과전압 보호 소자(91)를 설치한 것에 의해 정전기 등에 의한 과전압이 인가되어도 청색 LED(4)를 손상시키거나, 성능 열화를 초래하거나 하는 일이 없어진다. 또한, 과전압 보호 소자(91)가 서브 마운트로서 기능하므로 청색 LED(4)를 플립 칩 실장해도 본딩 와이어(6, 7)의 칩측에 있어서의 본딩 위치의 높이는 내려 가는 일이 없으므로, 도1의 구성의 경우와 대략 동일한 높이 위치에서 본딩을 행할 수 있다.
또한, 도5 및 도6에 있어서 과전압 보호 소자(91)에 반도체 소자를 이용할 경우, 제너 다이오드(95) 대신에 일반 실리콘 다이오드를 이용할 수도 있다. 이 경우, 복수의 실리콘 다이오드를 동일 극성으로 하여 직렬 접속하고, 그 토탈 순방향 전압 강하(약 0.7 V × 개수)의 값은 과전압에 대한 동작 전압 상당이 되도록 실리콘 다이오드의 사용 개수를 결정한다.
또한, 과전압 보호 소자(91)에는 가변 저항 소자(variable registor)를 이용할 수도 있다. 이 가변 저항 소자는 인가 전압의 증가에 수반하여 저항치가 감소하는 특성을 갖고, 제너 다이오드(95)와 마찬가지로 과전압을 억제할 수 있다.
도8은 본 발명의 발광 장치의 제6 실시 형태에 관한 반도체 발광 장치를 도시한다.
이 도8에 도시한 반도체 발광 장치는 발광 소자로부터 발광된 빛을 파장 변환하여 렌즈형의 수지 밀봉체 외부에 방사하는 것이고, 전술한 도1에 도시한 리드 프레 임(1, 2)과, 메탈스템(3)과, 청색 LED(4)와, 마운트(5)와, 본딩 와이어(6, 7)와, 형광체(11)를 포함하지 않는 내부 수지(8)와, 외부 수지(9)와, 컵(10)을 포함하는 구성 외에, 외부 수지(9)의 외면에 밀착하여 포위하고 또한 형광체(11)를 함유하는 투광성 형광 커버(100)를 구비하여 구성되어 있다.
형광 커버(100)는, 예를 들어 수지 기재 속에 청색 LED(4)의 발광에 의해 여기되어 형광을 발하는 형광체(11)가 함유되어 형성되어 있다. 수지 기재는, 예를 들어 투광성 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄, 나일론, 실리콘 수지, 염화비닐, 폴리스티롤, 베이클라이트, CR39(아크릴ㆍ글리콜ㆍ카보네이트 수지) 등이고, 우레탄, 나일론, 실리콘 수지는 형광 커버(100)에 어느 정도의 탄력성을 부여하므로 외부 수지(9)에의 장착이 용이하다.
또한, 형광 커버(100)는 외부 수지(9)의 외면에 밀착하는 형상, 즉 원통 형상의 커버 상부에 반구 형상의 커버가 일체 형성된 형상을 이루고 있고, 외부 수지(9)에 착탈 가능하게 부착되어 있다. 또한, 형광 커버(100)는 형광체(11)에 의한 광산란을 작게 하기 위해 얇은 필름형으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 형광 커버(100)는 형광체(11)를 함유하는 수지의 사출 성형에 의해 소정 형상으로 형성한 후, 외부 수지(9)에 밀착하면 비교적 간단히 완성할 수 있지만, 외부 수지(9)와 형광 커버(100) 사이에 공기층이 형성되지 않도록 하기 위해, 형광체(11)를 포함하는 수지 원료를 외부 수지(9)에 직접 분무한 후, 경화시켜 형광 커버(100)를 형성해도 좋다.
이와 같이 구성된 반도체 발광 장치에 있어서, 청색 LED(4)로부터의 출사광 은 내부 수지(8) 및 외부 수지(9)를 거쳐서 형광 커버(100)로 입사된다. 이 입사광의 일부가 형광체(11)에 의해 흡수되고, 동시에 파장 변환되어 외부로 출사된다. 이에 의해 형광 커버(100)의 외면으로부터 관측되는 발광색은 그들의 빛을 합성한 색이 되고, 예를 들어 전술한 원리로부터 백색이 된다.
이와 같이, 제6 실시 형태의 반도체 발광 장치에 따르면, 청색 LED(4)의 수지 밀봉체인 내부 수지(8) 및 외부 수지(9)에 형광체(11)를 함유하지 않고, 외부 수지(9)의 외면을 피복하는 형광 커버(100)에 형광체(11)를 함유시켰으므로, 내부 수지(8) 및 외부 수지(9)에서는 형광체(11)에 의한 광산란이 생기지 않는다. 또한, 형광 커버(100)는 얇은 필름형을 이루기 때문에, 형광체(11)에 의한 광산란은 비교적 작다. 이로 인해, 외부 수지(9)의 렌즈부의 형상을 임의 형상(상기 실시 형태에서는 반구형)으로 함으로써 원하는 광지향성을 얻을 수 있고, 파장 변환에 수반하는 휘도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.
이 밖에, 형광 커버(1OO)의 베이스에 함유되는 형광체(11)의 종류를 바꿈으로써, 백색뿐만 아니라 다른 색의 발광색도 실현 가능해진다. 형광 커버(100)의 부착 구조를 착탈 용이한 구조로 하는 동시에, 종류가 다른 형광체(11)를 함유하는 형광 커버(100)를 복수 종류 준비해 두면, 형광 커버(100)를 교환하는 것만으로 용이하게 출사광의 색조를 가변시킬 수 있다.
또한, 형광체(11)는 형광 커버(100)에 함유시키는 것 외에, 형광 커버(100)의 표면에 도포해도 함유시킨 것과 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한, 시판되고 있는 반도체 발광 소자에 형광 커버(100)를 장착할 수 있으므로, 반도체 발광 장치를 저렴하게 제조할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의한 발광 소자와 형광체를 갖는 발광 장치는 LED 디스플레이, 백 라이트 장치, 신호기, 조광식 스위치, 각종 센서, 각종 인디케이터에 적합하다.

Claims (29)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 질화물 반도체로 이루어지고 청색광을 발생시키는 발광 소자와,
    발광 소자로부터 발광된 청색광의 일부를 흡수하고 흡수된 광의 파장과 상이한 파장의 황색광을 발광할 수 있는 형광체를 구비하고,
    상기 발광 소자로부터 발광된 파장의 절반치 폭은 40nm 이하이고,
    상기 형광체로부터 발광된 파장은 110nm까지의 절반치 폭을 갖고,
    상기 발광 소자는 p형 클래딩층과 n형 클래딩층 사이에 개재된 발광층을 구비한 이중 헤테로 구조로 구성되고,
    상기 p형 클래딩층과 n형 클래딩층은 초격자 구조이고,
    상기 형광체는,
    식:
    (Sr(1-x-y)BaxCay)2(Si(1-α-β-γ-δ)PαAlβBγGeδ)O4:Eu2+
    (식 중, 0< x ≤0.8, 0≤ y <0.8, 0< x+y <1, 0≤ α,β,γ <0.25, 0≤δ <0.5, 0≤ α+β+γ+δ <1)
    으로 나타내는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염 중 적어도 하나로 이루어지는 발광 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 질화물 반도체로 이루어지고 청색광을 발생시키는 발광 소자와,
    발광 소자로부터 발광된 청색광의 일부를 흡수하고 흡수된 광의 파장과 상이한 파장의 황색광을 발광할 수 있는 형광체를 구비하고,
    상기 발광 소자로부터 발광된 파장의 절반치 폭은 40nm 이하이고,
    상기 형광체로부터 발광된 파장은 110nm까지의 절반치 폭을 갖고,
    상기 발광 소자는 p형 클래딩층과 n형 클래딩층 사이에 개재된 발광층을 구비한 이중 헤테로 구조로 구성되고,
    상기 p형 클래딩층과 n형 클래딩층은 초격자 구조이고,
    상기 형광체는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염으로 이루어지고,
    상기 형광체는 1가의 할로겐화물을 더 포함하는 발광 장치.
  20. 질화물 반도체로 이루어지고 청색광을 발생시키는 발광 소자와,
    발광 소자로부터 발광된 청색광의 일부를 흡수할 수 있는 황색 및 적색 형광체를 구비하고,
    황색 형광체는 상기 흡수된 광의 파장과 상이한 파장의 황색광을 발광할 수 있고, 적색 형광체는 상기 흡수된 광의 파장과 상이한 파장의 적색광을 발광할 수 있고,
    상기 발광 소자로부터 발광된 파장의 절반치 폭은 40nm 이하이고,
    상기 형광체로부터 발광된 파장은 110nm까지의 절반치 폭을 갖고,
    상기 발광 소자는 p형 클래딩층과 n형 클래딩층 사이에 개재된 발광층을 구비한 이중 헤테로 구조로 구성되는 발광 장치.
  21. 제20항에 있어서, n형 클래딩층은 초격자 구조인 발광 장치.
  22. 제20항에 있어서, p형 클래딩층은 초격자 구조인 발광 장치.
  23. 제20항에 있어서, 황색 형광체는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염으로 이루어지는 발광 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 황색 형광체는,
    식:
    (Sr(1-x-y)BaxCay)2(Si(1-α-β-γ-δ)PαAlβBγGeδ)O4:Eu2+
    (식 중, 0< x ≤0.8, 0≤ y <0.8, 0< x+y <1, 0≤ α,β,γ <0.25, 0≤δ <0.5, 0≤ α+β+γ+δ <1)
    으로 나타내는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염 중 적어도 하나로 이루어지는 발광 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 황색 형광체는 1가의 할로겐화물을 더 포함하는 발광 장치.
  26. 제20항에 있어서, 적색 형광체는 2가의 유러퓸으로 활성화된 알칼리 토류 금속 올트규산염으로 이루어지는 발광 장치.
  27. 제23항에 있어서, 적색 형광체는 2가의 유러폼 또는 망간으로 활성화된 알칼리 토류 금속 알루민산염으로 이루어지는 발광 장치.
  28. 제20항에 있어서, 황색 및 적색 형광체는 상기 발광 소자를 덮는 커버 부재에 혼합되어 있는 발광 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 커버 부재는 실리콘 수지로 이루어지는 발광 장치.
KR1020067027091A 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치 KR100849766B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0215400A AT410266B (de) 2000-12-28 2000-12-28 Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
AT2154/2000 2000-12-28

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016210A Division KR20050093870A (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077027069A Division KR100867788B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070013339A KR20070013339A (ko) 2007-01-30
KR100849766B1 true KR100849766B1 (ko) 2008-07-31

Family

ID=3689983

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037007442A KR100715580B1 (ko) 2000-12-28 2001-11-19 발광 소자를 포함하는 광원
KR1020057016223A KR100715579B1 (ko) 2000-12-28 2001-11-19 발광 소자를 포함하는 광원
KR1020077027069A KR100867788B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치
KR1020057016210A KR20050093870A (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치
KR10-2003-7008704A KR100532638B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치
KR1020067027091A KR100849766B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037007442A KR100715580B1 (ko) 2000-12-28 2001-11-19 발광 소자를 포함하는 광원
KR1020057016223A KR100715579B1 (ko) 2000-12-28 2001-11-19 발광 소자를 포함하는 광원
KR1020077027069A KR100867788B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치
KR1020057016210A KR20050093870A (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치
KR10-2003-7008704A KR100532638B1 (ko) 2000-12-28 2001-12-28 발광 장치

Country Status (11)

Country Link
US (8) US6809347B2 (ko)
EP (6) EP2357678B1 (ko)
JP (5) JP4048116B2 (ko)
KR (6) KR100715580B1 (ko)
CN (4) CN1268009C (ko)
AT (2) AT410266B (ko)
DE (4) DE20122947U1 (ko)
ES (2) ES2345534T5 (ko)
RU (1) RU2251761C2 (ko)
TW (2) TWI297723B (ko)
WO (2) WO2002054502A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101831899B1 (ko) * 2016-11-02 2018-02-26 에스케이씨 주식회사 다층 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치

Families Citing this family (539)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2284912B1 (de) 1996-06-26 2013-09-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4161603B2 (ja) * 2001-03-28 2008-10-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
MY134305A (en) * 2001-04-20 2007-12-31 Nichia Corp Light emitting device
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
CN101335322B (zh) 2001-09-03 2010-12-08 松下电器产业株式会社 荧光体层、半导体发光装置及半导体发光元件的制造方法
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US7163327B2 (en) * 2002-12-02 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Illumination system using a plurality of light sources
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
TWI351566B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
JP2004273798A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光デバイス
US7465961B2 (en) 2003-03-25 2008-12-16 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic equipment, backlight structure and keypad for electronic equipment
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
AT412928B (de) * 2003-06-18 2005-08-25 Guenther Dipl Ing Dr Leising Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
DE10331076B4 (de) * 2003-07-09 2011-04-07 Airbus Operations Gmbh Leuchtelement mit einer Leuchtdiode
KR101034055B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
JP2007506264A (ja) * 2003-09-15 2007-03-15 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ．ブイ． 白色発光照明システム
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
DE10354936B4 (de) * 2003-09-30 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
JP2005142311A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
US20050110401A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Lin Jung K. Light emitting diode package structure
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
CN1942997B (zh) * 2004-04-15 2011-03-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 电可控色彩转换单元
FR2869159B1 (fr) * 2004-04-16 2006-06-16 Rhodia Chimie Sa Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche
EP1749074B1 (en) * 2004-04-27 2016-04-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device using phosphor composition
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
KR101193740B1 (ko) * 2004-06-30 2012-10-22 크리 인코포레이티드 발광 소자의 패키징을 위한 칩-규모 방법 및 칩 규모로 패키징된 발광 소자
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
EP1769050B1 (en) * 2004-07-06 2013-01-16 Lightscape Materials Inc. Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
JP4813484B2 (ja) 2004-08-06 2011-11-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高性能ｌｅｄランプシステム
US20060044782A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Robin Hsu Light-storing safety device
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006086300A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Sanken Electric Co Ltd 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
JP4534717B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7670872B2 (en) 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
EP1824944A2 (en) * 2004-12-07 2007-08-29 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
RU2359362C2 (ru) * 2004-12-22 2009-06-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Светоизлучающее устройство
US20060138443A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
US20060139335A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 International Business Machines Corporation Assembly and device for a display having a perimeter touch guard seal
AU2005322072A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
TWI303111B (en) * 2005-01-19 2008-11-11 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting diode device and manufacturing method thereof
TWM286903U (en) * 2005-01-25 2006-02-01 Shu-Shiung Guo Jewelry lamp
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
EP1694047B1 (de) * 2005-02-16 2020-03-18 X-Rite Switzerland GmbH Beleuchtungseinrichtung für ein Farbmessgerät
US20060189013A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
JP5059739B2 (ja) 2005-03-11 2012-10-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
KR100799839B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-31 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US8793569B2 (en) * 2005-04-01 2014-07-29 Sony Corporation Presenting a recommendation based on user preference
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
WO2006126817A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
KR100666189B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-09 서울반도체 주식회사 발광 소자
US8128272B2 (en) 2005-06-07 2012-03-06 Oree, Inc. Illumination apparatus
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
DE102005038698A1 (de) 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
KR100670478B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP4907121B2 (ja) 2005-07-28 2012-03-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
EP1750309A3 (en) * 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Light emitting device having protection element
EP1911826B1 (en) * 2005-08-04 2009-12-16 Nichia Corporation Phosphor and light-emitting device
EP1911389A4 (en) * 2005-08-05 2009-12-16 Olympus Medical Systems Corp LIGHT EMITTING UNIT
US7329907B2 (en) * 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
KR100724591B1 (ko) * 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US7765792B2 (en) 2005-10-21 2010-08-03 Honeywell International Inc. System for particulate matter sensor signal processing
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
JP4899433B2 (ja) * 2005-11-15 2012-03-21 三菱化学株式会社 蛍光体、並びにそれを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP5317699B2 (ja) * 2005-11-17 2013-10-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ランプアセンブリ
EP1949765B1 (en) * 2005-11-18 2017-07-12 Cree, Inc. Solid state lighting panels with variable voltage boost current sources
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
KR101361883B1 (ko) * 2005-11-18 2014-02-12 크리 인코포레이티드 고상 발광 타일들
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US20070133204A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ilight Technologies, Inc. Illumination device with hue transformation
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
US20070145879A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Abramov Vladimir S Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems
CN101351891B (zh) 2005-12-22 2014-11-19 科锐公司 照明装置
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR101408622B1 (ko) * 2006-01-20 2014-06-17 크리, 인코포레이티드 루미포르 필름의 공간적 분리에 의한 고체 상태 발광기의 스펙트럼 컨텐츠 시프팅
KR101283182B1 (ko) 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2007231250A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
WO2007091687A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
KR100746338B1 (ko) * 2006-02-20 2007-08-03 한국과학기술원 백색 발광장치용 형광체, 이의 제조방법 및 형광체를이용한 백색 발광장치
US20070210282A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Association Suisse Pour La Recherche Horlogere (Asrh) Phosphorescent compounds
EP1999232B1 (en) * 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Fluorescent material and light emitting diode using the same
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
CN100590173C (zh) 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
JP5032043B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
DE112007000775B4 (de) * 2006-03-28 2012-12-06 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5091421B2 (ja) * 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
EP2009486A4 (en) 2006-04-19 2009-12-09 Mitsubishi Chem Corp COLOR IMAGE DISPLAY DEVICE
CN102800786B (zh) 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
WO2007125453A2 (en) * 2006-04-27 2007-11-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
JP4944948B2 (ja) 2006-05-05 2012-06-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置
US7755282B2 (en) * 2006-05-12 2010-07-13 Edison Opto Corporation LED structure and fabricating method for the same
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
US8008676B2 (en) 2006-05-26 2011-08-30 Cree, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
JP4973011B2 (ja) * 2006-05-31 2012-07-11 豊田合成株式会社 Ｌｅｄ装置
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
WO2007141688A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Colored and white light generating lighting device
KR100939936B1 (ko) * 2006-06-21 2010-02-04 대주전자재료 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
KR100887068B1 (ko) * 2006-08-04 2009-03-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008022552A1 (fr) * 2006-08-15 2008-02-28 Luming Science And Technology Group Co., Ltd. Matériau luminescent à base de silicate avec pic multi-émission, son procédé de fabrication et son utilisation dans un dispositif d'éclairage
KR20090048640A (ko) * 2006-08-23 2009-05-14 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
KR20080018620A (ko) * 2006-08-25 2008-02-28 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US20080123023A1 (en) * 2006-08-30 2008-05-29 Trung Doan White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
TW200833814A (en) 2006-10-03 2008-08-16 Sarnoff Corp Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
TW200822403A (en) * 2006-10-12 2008-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
BRPI0718085A2 (pt) * 2006-10-31 2013-11-05 Tir Technology Lp Fonte de luz
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7648650B2 (en) * 2006-11-10 2010-01-19 Intematix Corporation Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations
KR20090082923A (ko) * 2006-11-15 2009-07-31 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 다중 추출기를 통하여 광을 고효율로 추출하는 발광 다이오드
TW200837997A (en) * 2006-11-15 2008-09-16 Univ California High light extraction efficiency sphere LED
EP2087563B1 (en) 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US8045595B2 (en) * 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
KR100687417B1 (ko) * 2006-11-17 2007-02-27 엘지이노텍 주식회사 형광체의 제조방법
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
US8337045B2 (en) 2006-12-04 2012-12-25 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8456388B2 (en) * 2007-02-14 2013-06-04 Cree, Inc. Systems and methods for split processor control in a solid state lighting panel
CN101247043B (zh) * 2007-02-15 2010-05-26 葳天科技股份有限公司 发光二极管电路组件
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US9525850B2 (en) 2007-03-20 2016-12-20 Prysm, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
JP5222600B2 (ja) 2007-04-05 2013-06-26 株式会社小糸製作所 蛍光体
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
EP1987762A1 (de) 2007-05-03 2008-11-05 F.Hoffmann-La Roche Ag Oximeter
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
CN101950122B (zh) 2007-05-17 2012-01-04 Prysm公司 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕
US7712917B2 (en) * 2007-05-21 2010-05-11 Cree, Inc. Solid state lighting panels with limited color gamut and methods of limiting color gamut in solid state lighting panels
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8456392B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7682525B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Material composition for producing blue phosphor by excitation of UV light and method for making the same
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7682524B2 (en) * 2007-06-27 2010-03-23 National Central University Phosphor for producing white light under excitation of UV light and method for making the same
KR100919461B1 (ko) * 2007-07-09 2009-09-28 심현섭 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치
US8123384B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-28 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
CN101755345A (zh) 2007-07-19 2010-06-23 夏普株式会社 发光装置
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
RU2420930C1 (ru) * 2007-07-27 2011-06-10 Шарп Кабусики Кайся Осветительное устройство и устройство жидкокристаллического дисплея
US20090033612A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Roberts John K Correction of temperature induced color drift in solid state lighting displays
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8829820B2 (en) * 2007-08-10 2014-09-09 Cree, Inc. Systems and methods for protecting display components from adverse operating conditions
WO2009025469A2 (en) 2007-08-22 2009-02-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US20090050912A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode and outdoor illumination device having the same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
US8519437B2 (en) * 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
DE102007043904A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-19 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
DE102007043903A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
KR101346538B1 (ko) 2007-09-26 2013-12-31 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광소자 및 그것을 이용한 발광장치
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US20090108269A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Led Lighting Fixtures, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US20120037886A1 (en) 2007-11-13 2012-02-16 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US7923925B2 (en) * 2007-11-20 2011-04-12 Group Iv Semiconductor, Inc. Light emitting device with a stopper layer structure
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8823630B2 (en) * 2007-12-18 2014-09-02 Cree, Inc. Systems and methods for providing color management control in a lighting panel
US8182128B2 (en) 2007-12-19 2012-05-22 Oree, Inc. Planar white illumination apparatus
US7907804B2 (en) 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8115419B2 (en) * 2008-01-23 2012-02-14 Cree, Inc. Lighting control device for controlling dimming, lighting device including a control device, and method of controlling lighting
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TWI362413B (en) * 2008-02-25 2012-04-21 Ind Tech Res Inst Borate phosphor and white light illumination device utilizing the same
JP5227613B2 (ja) * 2008-02-27 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US8231237B2 (en) 2008-03-05 2012-07-31 Oree, Inc. Sub-assembly and methods for forming the same
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
TWI361829B (en) * 2008-03-20 2012-04-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
JP5665160B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明器具
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US7888688B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Thermal management for LED
DE102008021662A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
TW201007091A (en) * 2008-05-08 2010-02-16 Lok F Gmbh Lamp device
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
DE102008025864A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE202008018269U1 (de) 2008-05-29 2012-06-26 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
US7766509B1 (en) * 2008-06-13 2010-08-03 Lumec Inc. Orientable lens for an LED fixture
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN102077015A (zh) * 2008-06-25 2011-05-25 马里奥·W·卡尔杜洛 紫外生成的可见光源
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
DE102008031029B4 (de) * 2008-06-30 2012-10-31 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung für eine lichtemittierende Vorrichtung
WO2010002221A2 (ko) * 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US8698193B2 (en) * 2008-07-29 2014-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method for manufacturing the same
US8080827B2 (en) * 2008-07-31 2011-12-20 Bridgelux, Inc. Top contact LED thermal management
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
RU2475671C2 (ru) * 2008-08-29 2013-02-20 Шарп Кабусики Кайся Устройство задней подсветки и дисплейное устройство, снабженное таким устройством
US7859190B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-28 Bridgelux, Inc. Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
JP2010067903A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光素子
US8174100B2 (en) * 2008-09-22 2012-05-08 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source using a light-emitting diode
WO2010034159A1 (zh) * 2008-09-26 2010-04-01 Hsu Chen 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法
CN102171844A (zh) * 2008-10-01 2011-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于增大的光提取和非黄色的断开状态颜色的在封装剂中具有颗粒的led
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
JP4868427B2 (ja) * 2008-11-13 2012-02-01 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010129583A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
DE102008062413A1 (de) 2008-12-17 2010-07-01 Poly-Tech Service Gmbh LED-basiertes Beleuchtungssystem
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
US8183575B2 (en) * 2009-01-26 2012-05-22 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device
KR20100093981A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
WO2010095809A2 (ko) * 2009-02-20 2010-08-26 (주)큐엠씨 엘이디 칩 테스트장치
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US20100315325A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source unit and display apparatus including the same
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
EP2446487B1 (en) * 2009-06-24 2016-07-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
BR112012000426A2 (pt) * 2009-07-06 2018-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha dispositivo de iluminação, dispositivo de exibição e receptor de televisão.
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
DE102009036462B4 (de) * 2009-08-06 2016-10-27 Trw Automotive Electronics & Components Gmbh Abgleichen des Farbortes von Leuchten und beleuchteten Bedien- oder Anzeigeeinheiten in einer gemeinsamen Umgebung
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TWI361216B (en) * 2009-09-01 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
TWI539631B (zh) * 2009-09-15 2016-06-21 無限科技全球公司 製造發光、光伏或其它電子裝置及系統的方法
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
CN102032480B (zh) * 2009-09-25 2013-07-31 东芝照明技术株式会社 灯泡型灯以及照明器具
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
TWI403003B (zh) * 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
DE202009016962U1 (de) 2009-10-13 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffmischungen
CN102575159B (zh) 2009-10-13 2015-05-27 默克专利有限公司 含有铕掺杂的原硅酸盐的磷光体混合物
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US20120091494A1 (en) * 2009-12-04 2012-04-19 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Composite luminescent material for solid-state sources of white light
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
TWI461626B (zh) * 2009-12-28 2014-11-21 Chi Mei Comm Systems Inc 光源裝置及具有該光源裝置之可攜式電子裝置
WO2011096837A1 (ru) * 2010-02-05 2011-08-11 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ создания светоизлучающей поверхности и осветительное устройство для реализации способа
JP5257622B2 (ja) * 2010-02-26 2013-08-07 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
CN102194970B (zh) * 2010-03-12 2014-06-25 四川新力光源股份有限公司 脉冲电流驱动的白光led照明装置
CN102192422B (zh) * 2010-03-12 2014-06-25 四川新力光源股份有限公司 白光led照明装置
DE112010005456T5 (de) 2010-03-16 2013-06-13 "Dis Plus" Ltd. Verfahren zur Lichtstromfarbregelung einer Weißleuchtdiode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US8928019B2 (en) 2010-03-31 2015-01-06 Osram Sylvania Inc. Phosphor and LEDs containing same
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
DE102010030473A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
RU2530426C2 (ru) * 2010-06-25 2014-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Светодиодная лампа
EP2402648A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. TL retrofit LED module outside sealed glass tube
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
EA201300088A1 (ru) * 2010-08-04 2013-06-28 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Осветительное устройство
DE102010034322A1 (de) * 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
RU2444676C1 (ru) * 2010-08-16 2012-03-10 Владимир Семенович Абрамов Светодиодный источник излучения
US8568009B2 (en) * 2010-08-20 2013-10-29 Dicon Fiberoptics Inc. Compact high brightness LED aquarium light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
US8523385B2 (en) 2010-08-20 2013-09-03 DiCon Fibêroptics Inc. Compact high brightness LED grow light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes
JP5127965B2 (ja) 2010-09-02 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
DE102010041236A1 (de) * 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102130254B (zh) * 2010-09-29 2015-03-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
US8357553B2 (en) 2010-10-08 2013-01-22 Guardian Industries Corp. Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same
EP2447338B1 (en) * 2010-10-26 2012-09-26 Leuchtstoffwerk Breitungen GmbH Borophosphate phosphor and light source
US9024341B2 (en) * 2010-10-27 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Refractive index tuning of wafer level package LEDs
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
EA029315B1 (ru) * 2010-11-08 2018-03-30 Август Геннадьевич КРАСНОВ Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода
TWI592465B (zh) * 2010-11-22 2017-07-21 Ube Industries Silicate phosphor and light-emitting device having high light-emitting property and moisture resistance
DE102010055265A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2012091973A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-05 3M Innovative Properties Company Remote phosphor led device with broadband output and controllable color
KR101719636B1 (ko) * 2011-01-28 2017-04-05 삼성전자 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
CN102130282A (zh) * 2011-02-12 2011-07-20 西安神光安瑞光电科技有限公司 白光led封装结构及封装方法
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
US8906264B2 (en) 2011-03-18 2014-12-09 Merck Patent Gmbh Silicate phosphors
DE102011016567B4 (de) * 2011-04-08 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
US8596815B2 (en) 2011-04-15 2013-12-03 Dicon Fiberoptics Inc. Multiple wavelength LED array illuminator for fluorescence microscopy
US8979316B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Dicon Fiberoptics Inc. Zoom spotlight using LED array
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
KR101793518B1 (ko) * 2011-05-19 2017-11-03 삼성전자주식회사 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
US8986842B2 (en) 2011-05-24 2015-03-24 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes
JP5772292B2 (ja) * 2011-06-28 2015-09-02 セイコーエプソン株式会社 生体センサーおよび生体情報検出装置
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
TWM418399U (en) * 2011-07-04 2011-12-11 Azurewave Technologies Inc Upright Stacked Light-emitting 2 LED structure
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
DE102011107893A1 (de) * 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
KR20140038553A (ko) 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
KR101772588B1 (ko) 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
JP5634352B2 (ja) 2011-08-24 2014-12-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置および蛍光体の製造方法
US8410508B1 (en) * 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
EP2768037B1 (en) 2011-10-11 2015-07-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emission device, and illumination device using same
WO2013062592A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent layer with up-converting luminophores
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
JP2013110154A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Sanken Electric Co Ltd 発光装置
KR101323246B1 (ko) * 2011-11-21 2013-10-30 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 반도체 소자용 본딩 와이어, 그 제조방법, 반도체 소자용 본딩 와이어를 포함하는 발광다이오드 패키지
EP2783398B1 (en) 2011-11-23 2017-10-04 Quarkstar LLC Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
KR101894040B1 (ko) 2011-12-06 2018-10-05 서울반도체 주식회사 엘이디 조명장치
RU2503884C2 (ru) * 2011-12-15 2014-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Система стационарного освещения и светоизлучающее устройство для этой системы
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
US20130178001A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Wen-Lung Chin Method for Making LED LAMP
WO2013112542A1 (en) * 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
EP2620691B1 (en) * 2012-01-26 2015-07-08 Panasonic Corporation Lighting device
CN103242839B (zh) * 2012-02-08 2015-06-10 威士玻尔光电(苏州)有限公司 蓝光激发黄绿色铝酸盐荧光粉生产方法
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) * 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
WO2013134163A1 (en) 2012-03-06 2013-09-12 Nitto Denko Corporation Ceramic body for light emitting devices
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
CN104205374B (zh) * 2012-03-30 2020-10-16 亮锐控股有限公司 具有波长转换侧面涂层的发光器件
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2013175336A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Koninklijke Philips N.V. New phosphors, such as new narrow-band red emitting phosphors, for solid state lighting
CN102664230A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 邓崛 Led发光装置及其制造方法
CN103453333A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 致茂电子(苏州)有限公司 具有连续光谱的发光二极管光源
CN103511871A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯具
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
CN102757784B (zh) * 2012-07-20 2014-05-07 江苏博睿光电有限公司 一种硅酸盐红色荧光粉及其制备方法
JP5578739B2 (ja) * 2012-07-30 2014-08-27 住友金属鉱山株式会社 アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法
US9305439B2 (en) * 2012-10-25 2016-04-05 Google Inc. Configurable indicator on computing device
CN103837945A (zh) * 2012-11-28 2014-06-04 浜松光子学株式会社 单芯光收发器
RU2628014C2 (ru) * 2012-12-06 2017-08-17 Евгений Михайлович Силкин Световой прибор
TWI578573B (zh) * 2013-01-28 2017-04-11 Harvatek Corp A plurality of blue light emitting diodes in white light
US9133990B2 (en) 2013-01-31 2015-09-15 Dicon Fiberoptics Inc. LED illuminator apparatus, using multiple luminescent materials dispensed onto an array of LEDs, for improved color rendering, color mixing, and color temperature control
US9235039B2 (en) 2013-02-15 2016-01-12 Dicon Fiberoptics Inc. Broad-spectrum illuminator for microscopy applications, using the emissions of luminescent materials
JP2014160772A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
CN103203470B (zh) * 2013-05-13 2015-04-01 兰州理工大学 镍基荧光粒子功能指示复合涂层及其制备方法
WO2014184992A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および当該蛍光体を用いた発光装置、ならびに当該発光装置を備える投影装置および車両
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
RU2683077C2 (ru) * 2013-09-26 2019-03-26 Люмиледс Холдинг Б.В. Новое люминесцирующее вещество на основе нитридоалюмосиликата для твердотельного освещения
JP6323020B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
KR20150122360A (ko) * 2014-04-23 2015-11-02 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN106574175B (zh) * 2014-09-11 2018-08-07 飞利浦照明控股有限公司 具有加强的白色显现和转换效率的pc-led模块
WO2016086180A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
WO2016150789A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Koninklijke Philips N.V. Blue emitting phosphor converted led with blue pigment
DE202015103126U1 (de) * 2015-06-15 2016-09-19 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
CN105087003B (zh) * 2015-09-02 2017-05-17 中国科学院长春应用化学研究所 一种橙黄光led荧光粉、其制备方法及其应用
US9478587B1 (en) 2015-12-22 2016-10-25 Dicon Fiberoptics Inc. Multi-layer circuit board for mounting multi-color LED chips into a uniform light emitter
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
RU2639554C2 (ru) * 2016-03-01 2017-12-21 Николай Евгеньевич Староверов Герметичный светодиодный кластер повышенной эффективности (варианты)
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
FR3053757B1 (fr) * 2016-07-05 2020-07-17 Valeo Vision Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile
DE102016116439A1 (de) * 2016-09-02 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement
EP3523303B1 (en) 2016-10-06 2020-09-23 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
JP6932910B2 (ja) 2016-10-27 2021-09-08 船井電機株式会社 表示装置
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN108063176A (zh) * 2017-10-30 2018-05-22 东莞市豪顺精密科技有限公司 一种蓝光led灯及其制造工艺和应用
JP6645488B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 信越半導体株式会社 半導体型蛍光体
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
CN108198809B (zh) * 2018-01-02 2020-01-07 广东纬达斯电器有限公司 一种led照明装置
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device
US10816939B1 (en) 2018-05-07 2020-10-27 Zane Coleman Method of illuminating an environment using an angularly varying light emitting device and an imager
US11184967B2 (en) 2018-05-07 2021-11-23 Zane Coleman Angularly varying light emitting device with an imager
KR102372498B1 (ko) * 2018-12-17 2022-03-10 박신애 발광장치를 구비하는 조립식 화장실용 패널
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
JPWO2020262311A1 (ko) * 2019-06-28 2020-12-30
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
EP4293732A4 (en) 2022-01-20 2024-05-15 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND INDICATOR LIGHT FOR VEHICLES
KR102599819B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029696A (ko) * 1996-07-29 2000-05-25 오가와 에지 발광장치와표시장치
KR20000069995A (ko) * 1997-01-09 2000-11-25 오가와 에지 질화물반도체소자

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB544160A (en) * 1940-08-27 1942-03-31 Gen Electric Co Ltd Improvements in luminescent materials
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
US4088923A (en) * 1974-03-15 1978-05-09 U.S. Philips Corporation Fluorescent lamp with superimposed luminescent layers
JPS5241484A (en) * 1975-09-25 1977-03-31 Gen Electric Fluorescent lamp structure using two kinds of phospher
JPS5944337B2 (ja) 1978-03-08 1984-10-29 三菱電機株式会社 螢光体
JPS57160381A (en) * 1981-03-25 1982-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speed controlling device of direct current motor
JPS59226088A (ja) 1983-06-07 1984-12-19 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
JPS6013882A (ja) 1983-07-05 1985-01-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
US4661419A (en) * 1984-07-31 1987-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
JPS6244792A (ja) 1985-08-22 1987-02-26 三菱電機株式会社 Ｃｒｔデイスプレイ装置
JPS62277488A (ja) 1986-05-27 1987-12-02 Toshiba Corp 緑色発光螢光体
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
DE69218387T2 (de) 1992-01-07 1997-09-18 Philips Electronics Nv Niederdruckquecksilberentladungslampe
JP3215722B2 (ja) * 1992-08-14 2001-10-09 エヌイーシー三菱電機ビジュアルシステムズ株式会社 計測波形判定方法
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
JP3209096B2 (ja) * 1996-05-21 2001-09-17 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP2284912B1 (de) 1996-06-26 2013-09-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH1056236A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体レーザ素子
JP3065258B2 (ja) 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
JP4024892B2 (ja) * 1996-12-24 2007-12-19 化成オプトニクス株式会社 蓄光性発光素子
JP3706452B2 (ja) * 1996-12-24 2005-10-12 ローム株式会社 半導体発光素子
KR100688240B1 (ko) 1997-01-09 2007-03-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물반도체소자
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2000509912A (ja) * 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
JP3246386B2 (ja) 1997-03-05 2002-01-15 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE19730006A1 (de) * 1997-07-12 1999-01-14 Walter Dipl Chem Dr Rer N Tews Kompakte Energiesparlampe mit verbesserter Farbwiedergabe
US5847507A (en) † 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3257455B2 (ja) 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6267911B1 (en) * 1997-11-07 2001-07-31 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Phosphors with long-persistent green phosphorescence
JP3627478B2 (ja) * 1997-11-25 2005-03-09 松下電工株式会社 光源装置
CN1086727C (zh) * 1998-01-14 2002-06-26 中日合资无锡帕克斯装饰制品有限公司 细颗粒蓄光性荧光粉及其制备方法
JP2924961B1 (ja) 1998-01-16 1999-07-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法
JP3612985B2 (ja) * 1998-02-02 2005-01-26 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
DE19806213B4 (de) * 1998-02-16 2005-12-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Kompakte Energiesparlampe
JPH11233832A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6046465A (en) * 1998-04-17 2000-04-04 Hewlett-Packard Company Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same
JPH11354848A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
JP2000029696A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Sony Corp プロセッサおよびパイプライン処理制御方法
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
TW473429B (en) * 1998-07-22 2002-01-21 Novartis Ag Method for marking a laminated film material
JP3584163B2 (ja) 1998-07-27 2004-11-04 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4366016B2 (ja) * 1998-09-28 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
US6153894A (en) * 1998-11-12 2000-11-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device
JP2000150966A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3708730B2 (ja) * 1998-12-01 2005-10-19 三菱電線工業株式会社 発光装置
US6656608B1 (en) * 1998-12-25 2003-12-02 Konica Corporation Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2000248280A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Yoshitaka Tateiwa 粗骨材の製造に関する土壌改良材及び製造する方法
JP3349111B2 (ja) * 1999-03-15 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2000284280A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Rohm Co Ltd 面状光源
WO2000058665A1 (fr) * 1999-03-29 2000-10-05 Rohm Co., Ltd Source lumineuse plane
JP2000349345A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP3337000B2 (ja) 1999-06-07 2002-10-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2000345152A (ja) * 1999-06-07 2000-12-12 Nichia Chem Ind Ltd 黄色発光残光性フォトルミネッセンス蛍光体
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP2001217461A (ja) 2000-02-04 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2003282744A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp 不揮発性記憶装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029696A (ko) * 1996-07-29 2000-05-25 오가와 에지 발광장치와표시장치
KR20000069995A (ko) * 1997-01-09 2000-11-25 오가와 에지 질화물반도체소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101831899B1 (ko) * 2016-11-02 2018-02-26 에스케이씨 주식회사 다층 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20060267031A1 (en) 2006-11-30
ES2345534T5 (es) 2020-04-08
JP4045189B2 (ja) 2008-02-13
JPWO2002054503A1 (ja) 2004-05-13
RU2251761C2 (ru) 2005-05-10
US7679101B2 (en) 2010-03-16
DE50115448D1 (de) 2010-06-02
EP2211392A1 (de) 2010-07-28
AT410266B (de) 2003-03-25
ES2345534T3 (es) 2010-09-27
EP2544247B1 (de) 2014-06-25
ATE465518T1 (de) 2010-05-15
WO2002054503A1 (fr) 2002-07-11
US7187011B2 (en) 2007-03-06
CN1763982A (zh) 2006-04-26
ATA21542000A (de) 2002-07-15
ES2437131T3 (es) 2014-01-09
EP2544247A3 (de) 2013-02-06
CN1268009C (zh) 2006-08-02
US6943380B2 (en) 2005-09-13
US7138660B2 (en) 2006-11-21
US20050082574A1 (en) 2005-04-21
JP5519552B2 (ja) 2014-06-11
EP2544247A2 (de) 2013-01-09
CN1483224A (zh) 2004-03-17
TWI297723B (en) 2008-06-11
JP2007189239A (ja) 2007-07-26
US7259396B2 (en) 2007-08-21
US20050162069A1 (en) 2005-07-28
JP2011105951A (ja) 2011-06-02
KR20050093870A (ko) 2005-09-23
EP1352431B1 (de) 2010-04-21
JP2006319371A (ja) 2006-11-24
US20070090383A1 (en) 2007-04-26
KR20050093871A (ko) 2005-09-23
CN1763982B (zh) 2011-07-20
EP1347517A4 (en) 2009-01-14
KR100715580B1 (ko) 2007-05-09
KR20030074641A (ko) 2003-09-19
KR100867788B1 (ko) 2008-11-10
DE20122946U1 (de) 2011-08-05
EP1347517A1 (en) 2003-09-24
CN1291503C (zh) 2006-12-20
US20100155761A1 (en) 2010-06-24
US20040051111A1 (en) 2004-03-18
DE20122878U1 (de) 2010-04-08
EP2211392B1 (de) 2013-01-09
JP4783306B2 (ja) 2011-09-28
JP4583348B2 (ja) 2010-11-17
EP2357678A1 (de) 2011-08-17
KR20030091951A (ko) 2003-12-03
US6809347B2 (en) 2004-10-26
TW533604B (en) 2003-05-21
EP2357678B1 (de) 2013-08-28
JP4048116B2 (ja) 2008-02-13
CN1941441A (zh) 2007-04-04
KR100715579B1 (ko) 2007-05-09
WO2002054502A1 (de) 2002-07-11
CN1502137A (zh) 2004-06-02
RU2003123094A (ru) 2005-02-20
EP2006924B1 (de) 2014-01-22
CN1941441B (zh) 2010-11-03
KR20070013339A (ko) 2007-01-30
EP2006924A1 (de) 2008-12-24
JP2004516688A (ja) 2004-06-03
KR20070118196A (ko) 2007-12-13
EP1352431B2 (de) 2019-08-07
KR100532638B1 (ko) 2005-12-01
US20050077532A1 (en) 2005-04-14
US7157746B2 (en) 2007-01-02
EP1352431A1 (de) 2003-10-15
DE20122947U1 (de) 2011-08-05
US20040090174A1 (en) 2004-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100849766B1 (ko) 발광 장치
KR100645403B1 (ko) 백색 발광 장치
JP5953514B2 (ja) 発光装置と表示装置
JP3065258B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた表示装置
WO2004097949A1 (en) White semiconductor light emitting device
JP2003179259A6 (ja) 発光装置と表示装置
JP2002076434A (ja) 発光装置
JP2003197971A (ja) 発光ダイオード
KR100485082B1 (ko) 발광장치와 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J121 Written withdrawal of request for trial
J204 Request for invalidation trial [patent]
J121 Written withdrawal of request for trial
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130705

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140716

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150630

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160701

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 11