KR20080018620A - 발광 소자 - Google Patents

발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20080018620A
KR20080018620A KR1020060081023A KR20060081023A KR20080018620A KR 20080018620 A KR20080018620 A KR 20080018620A KR 1020060081023 A KR1020060081023 A KR 1020060081023A KR 20060081023 A KR20060081023 A KR 20060081023A KR 20080018620 A KR20080018620 A KR 20080018620A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
orthosilicate
phosphor
region
Prior art date
Application number
KR1020060081023A
Other languages
English (en)
Inventor
김경남
장미연
이재홍
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020060081023A priority Critical patent/KR20080018620A/ko
Priority to TW096131448A priority patent/TWI354384B/zh
Priority to PCT/KR2007/004064 priority patent/WO2008023954A1/en
Publication of KR20080018620A publication Critical patent/KR20080018620A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 청색 및 자외선 영역의 파장을 발광하는 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와, 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 의한 발광 소자는 녹색에서 적색에 이르는 연속적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 우수한 연색성을 얻을 수 있고, 플래쉬,일반 조명, 가전 기기 또는 사무 기기용으로 사용 가능한 장점이 있다.
발광 소자, 발광 다이오드, 백색 발광, 형광체, 오소실리케이트

Description

발광 소자{Light emitting device}
도 1은 본 발명에 의한 칩형 발광 소자를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 램프형 발광 소자를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 발광 소자에 사용되는 오소실리케이트계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프.
도 4 및 도 5는 본 발명에 의한 서로 다른 색온도의 주광색을 발광하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프
도 6 및 도 7은 본 발명에 의한 서로 다른 색온도의 온백색을 발광하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 발광 다이오드
30, 35 : 전극 50 : 몰딩부
60, 70 : 형광체 80 : 와이어
90, 95 : 리드 단자
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연색성이 개선되어 플래쉬, 가전 기기 또는 사무 기기 뿐만 아니라 일반 조명용으로 사용 가능한 발광 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emission diode; LED)는 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.
최근 발광 다이오드는 여러 어플리케이션 분야에 적용이 이루어지고 있으며, 각 어플리케이션에 적합한 다양한 형태로 패키지화 된 소자로 구현된다. 이들 발광 소자는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 소자 외에 백색 발광 소자들이 출시되고 있다. 백색 발광 소자는 자동차용 및 조명용 제품에 응용되면서, 그 수요가 급속히 증가할 것으로 예상된다.
발광 소자 기술에서 백색을 구현하는 방식은 크게 두 가지로 구분 가능하다. 첫번째는 적색, 청색, 녹색 발광 다이오드를 소자 내에 서로 인접하게 설치하고, 각 발광 다이오드의 발광을 혼색시켜 백색을 구현하는 방식이다. 그러나, 각 발광 다이오드는 열적 또는 시간적 특성이 상이하기 때문에 사용 환경에 따라 색조가 변 하고 특히, 색얼룩이 발생하는 등 균일한 혼색을 구현하지 못하며, 휘도가 높지 않은 단점이 있다. 또한 각 발광 다이오드의 구동을 고려한 회로 구성이 복잡하며, 발광 다이오드의 위치에 따라서 삼색광이 혼합되는 최적의 조건이 일반적으로 패키지 형태상 이루어지기 힘들기 때문에 완전한 백색광의 구현이 어렵다. 더욱이 연색성은 40 정도로 낮기 때문에 일반 조명이나 플래시 등의 광원으로 부적합하다.
두번째는 형광체를 발광 다이오드 상부에 배치시켜, 발광 다이오드의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광을 혼색하여 백색을 구현하는 방식이다. 예를 들어 청색 발광하는 발광 다이오드 상부에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 위치시키고 발광 다이오드의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광을 혼색하여 백색을 얻을 수 있다. 또한 자외선을 발광하는 발광 다이오드 위에 자외선을 흡수하여 청색에서 적색까지의 가시광선을 발광하는 형광체를 도포하여 백색을 얻을 수 있다.
일반적으로 백색 발광을 구현하기 위하여 450 내지 470㎚ 파장의 청색 발광 다이오드와 YAG:Ce 또는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등의 황색 형광체를 사용한다. 즉, 청색광의 일부를 황색 형광체의 여기원으로 사용하여 발광시킴으로써, 청색과 황색의 혼색이 이루어져 백색 발광할 수 있다.
그러나 이러한 발광 소자는 녹색과 적색 영역의 스펙트럼 결핍으로 인해 연색성이 낮은 문제점이 있다. 즉, 청색 발광 다이오드와 황색 형광체의 조합으로 이루어진 백색 발광 소자는 녹색과 적색부의 스펙트럼 결핍으로 인해 이를 일반 조 명, 카메라용 플래시 또는 컬러 복사기, 스캐너 등과 같은 가전기기 또는 사무기기의 광원으로 사용하는 경우에 사물 본연의 색을 충분히 반영하지 못하는 색 왜곡 현상을 야기하게 된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 청색 및 자외선 영역의 파장을 발광하는 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 혼합 분포시킴으로써, 연색성이 높은 백색광을 구현하여 플래시, 일반 조명, 가전 기기 또는 사무 기기용으로 사용 가능한 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 청색 및 자외선 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와, 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다.
상기 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,
<화학식 1>
a(MO)·b(MO)·c(MA)·d(M 2O)·e(M 2O3)·f(M oOp)·g(SiO2)·h(M xOy)
상기 M은 Cu 및 Pb를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd 및 Mn을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Li, Na, K, Rb, Cs, Au 및 Ag을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 B, Al, Ga 및 In을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr 및 Hf을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 A는 F, Cl, Br 및 I를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5
의 범위로 설정된다.
바람직하게는, 상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,
<화학식 2>
((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x(Pb,Cu)x)2SiO4:Eu,B
상기 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 한다.
상기 녹색 영역을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 510㎚ 내지 545㎚ 범위 내에 피크 파장이 위치하는 광을 방출하고, 상기 적색 영역을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 590nm 내지 615nm 범위 내에 피크 파장이 위치하는 광을 방출할 수 있다.
상기 청색 발광 다이오드는 420 내지 480㎚ 파장의 광을 방출할 수 있다.
본 발명은 청색 및 자외선 영역의 파장을 발광하는 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하고, 연색성이 향상되어 플래쉬, 일반 조명, 가전 기기 또는 사무 기기용 광원으로 사용되는 발광소자를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광 소자를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명에 따른 발광 소자는 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하며, 이들은 청색 및 자외선 영역대의 광에 의하여 여기되어 녹색 및 적색 발광을 나타낼 수 있다.
상기 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>과 같은 구조를 갖는다.
a(MO)·b(MO)·c(MA)·d(M 2O)·e(M 2O3)·f(M oOp)·g(SiO2)·h(M xOy)
상기 M은 Cu 및 Pb를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd 및 Mn을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Li, Na, K, Rb, Cs, Au 및 Ag을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 B, Al, Ga 및 In을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr 및 Hf을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M은 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu을 포함하는 그룹 에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 A는 F, Cl, Br 및 I를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5
의 범위로 설정된다.
상기 오소실리케이트계 형광체는 바람직하게는 하기 화학식 2로 표현된다.
((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x(Pb,Cu)x)2SiO4:Eu,B
상기 화학식 2에서 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택된다. 또한 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되며, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정된다.
상기 오소실리케이트계 형광체의 대표적인 조성은 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 표현된다.
Pb0 .1Ba0 .95Sr0 .95SiO4:Eu
Cu0 .05Sr1 .7Ca0 .25SiO4:Eu
Cu0 .1Ba0 .1Sr0 .9Ca0 .9SiO4:Eu
상기 화학식 3으로 표현되는 형광체는 527nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 4로 표현되는 형광체는 592nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 5로 표현되는 형광체는 605nm 파장의 광을 방출한다. 이와 같이 상기 오소실리케이트계 형광체는 원소 및 조성에 따라 발광 파장의 조절이 가능하다.
본 발명은 상술한 형광체를 사용하여 장파장 자외선 영역 및 청색 영역대의 여기 하에 매우 우수한 녹색 및 적색광을 구현할 수 있다. 자외선 발광 다이오드의 경우에 상기의 형광체를 각각 또는 혼합 사용하여 녹색, 적색 및 황색의 다양한 색을 구현할 수 있다. 청색 발광 다이오드의 경우에 상기의 형광체를 각각 또는 혼합 사용하여 블루 라군, 핑크 및 백색의 다양한 색을 구현할 수 있다. 또한, 광원의 에너지가 높은 자외선 발광 다이오드와 청색 발광 다이오드를 함께 사용하여 고휘도의 백색 발광 소자를 구현할 수 있다.
이하, 상술한 형광체를 이용한 본 발명의 발광 소자에 관해 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 칩형 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 전극(30, 35)과, 제 1 전극(30) 상에 실장된 발광 다이오드(20)와, 발광 다이오드(20)를 봉지하는 몰딩부(50)를 포함한다. 상기 몰딩부(50)에는 상술한 녹색 영역의 파장을 발광하는 오소실리케이트계 형광체(60)와, 적색 영역의 파장을 발광하는 형광 체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다.
상기 기판(10)은 발광 다이오드(20)가 실장되는 중심 영역에 소정의 홈을 형성하여 홈의 측벽면에 소정의 기울기를 형성할 수 있다. 이 때 상기 발광 다이오드(20)는 홈의 하부 면에 실장되고, 소정의 기울기를 갖는 측벽면으로 인해 발광 다이오드(20)에서 발광하는 광을 효율적으로 반사하여 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
상기 전극(30, 35)은 기판(10) 상에 발광 다이오드(20)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 35)으로 구성된다. 상기 제 1 및 제 2 전극(30, 35)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다.
상기 발광 다이오드(20)는 GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 계열의 청색 발광하는 발광 다이오드를 사용한다. 본 실시예는 420 내지 480 ㎚ 범위의 청색 광을 방출하는 발광 다이오드를 사용한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 청색 광뿐만 아니라 250 내지 410 ㎚ 범위의 자외선(UV)을 방출하는 발광 다이오드를 더 포함할 수도 있다. 또한, 발광 다이오드(20)의 개수는 하나일 수도 있고, 목적하는 바에 따라 다수 개로 구성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드(20)는 제 1 전극(30) 상에 실장되고, 와이어(80)를 통하여 제 2 전극(35)과 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 다이오드(20)의 상부면에 양극 및 음극 전극이 형성된 경우 2개의 와이어(80)를 통하여 각각 제 1 전극(30) 또는 제 2 전극(35)과 연결될 수 있다.
또한 기판(10) 상부에는 상기 발광 다이오드(20)를 봉지하기 위한 몰딩 부(50)가 형성된다. 상기 몰딩부(50) 내에는 상술한 바와 같이 녹색 영역의 파장을 발광하는 오소실리케이트계 형광체(60)와, 적색 영역의 파장을 발광하는 오소실리케이트계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다. 몰딩부(50)는 소정의 투광성 에폭시 수지 또는 실리콘 수지와 상기 형광체(60, 70)들의 혼합물을 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 및 열처리하여 몰딩부(50)를 형성할 수 있다. 몰딩부(50)는 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다.
이러한 본 발명의 발광 소자는 발광 다이오드(10)로부터 1차 광이 방출되고, 1차 광에 의해 각 형광체(60, 70)는 파장 변환된 2차 광을 방출하여, 이들의 혼색으로 원하는 스펙트럼 영역의 색을 구현한다. 즉, 청색 발광 다이오드로부터 청색광이 방출되고, 청색광에 의해 오소실리케이트계 형광체(60, 70)는 녹색 영역의 파장 및 적색 영역의 광을 방출하여 1차 광인 청색 광의 일부와, 2차 광인 녹색 및 적색광이 혼색되어 백색광을 구현할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 소자는 녹색에서 적색에 이르는 연속적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 연색성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 램프형 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 반사부(45)가 형성된 제 1 리드 단자(90)와, 상기 제 1 리드 단자(90)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(95)로 구성된다. 상기 제 1 리드 단자(90)의 반사부(45) 내에 발광 다이오드(20)가 실장되고, 와이 어(80)를 통하여 제 2 리드 단자(95)와 전기적으로 연결된다. 상기 발광 다이오드(20)의 상부에는 형광체(60, 70)를 포함하는 몰딩부(50)가 형성되고, 리드 단자(90, 95)의 선단에는 성형용 틀을 이용하여 형성한 외주 몰딩부(55)를 포함한다. 상기 몰딩부(50) 내에는 상기 발광 다이오드(20)로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 녹색 및 적색을 발광하는 오소실리케이트계 형광체(60, 70)가 균일하게 혼합되어 있다. 상기 외주 몰딩부(55)는 발광 다이오드 (20)에서 방출된 광의 투과율을 향상시킬 수 있도록 투명한 에폭시 수지로 제작된다.
이와 같이 본 발명은 다양한 구조의 제품에 응용될 수 있으며, 본 발명의 기술적 요지는 상기 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 여러 가지 수정과 변형이 가능하다.
도 3은 본 발명의 발광 소자에 사용되는 오소실리케이트계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도면에서 볼 수 있듯이, 호스트의 조성 및 발광 중심 원소의 농도에 따라 최하 505㎚에서 최대 605㎚의 발광 파장의 조절이 가능하며 우수한 발광 스펙트럼을 나타낸다. 이에 따라 고연색성의 백색 광원을 구현하기 위하여 510nm 내지 545nm 범위 내에 피크 파장을 가지는 녹색 영역의 파장을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 590nm 내지 615nm 범위 내에 피크 파장을 가지는 적색 영역의 파장을 가지는 오소실리케이트계를 조합하여 사용할 수 있다.
표 1은 일반적으로 공장 및 사무소의 조명으로 사용되는 6,000K 이상의 색온 도를 가지는 주광색을 구현하는 본 발명에 따른 발광 소자의 x, y 좌표별 연색 지수를 표로 나타낸 것이다
하기한 표 1에 의하면 본 발명에 따른 발광 소자는 연색 지수 93 이상, 최대 97까지의 고연색성을 구현할 수 있음을 알 수 있다.
y x 0.310 0.315 0.320 0.325 0.330
0.310 96 96 97 97 97
0.315 95 96 97 97 97
0.320 94 95 96 97 97
0.325 93 94 95 96 97
0.330 93 94 95 96 96
도4는 본 발명에 따라, 색좌표 x=0.310, y=0.320에서 색온도 6,727K의 주광색을 발광하며 연색 지수 97을 구현하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도5는 본 발명에 따라, 색좌표 x=0.315, y=0.325에서 색온도 6,398K의 주광색을 발광하며 연색 지수 97을 구현하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
표 2는 일반적으로 가정 및 제품 디스플레이 조명용으로 사용되는 3,500K 이하의 색온도를 가지는 온백색을 구현하는 본 발명에 따른 발광 소자의 x, y 좌표별 연색 지수를 표로 나타낸 것이다
하기한 표 2에 의하면 본 발명에 따른 발광 소자는 연색 지수 85 이상, 최대 90까지의 고연색성을 구현할 수 있음을 알 수 있다.
y x 0.390 0.395 0.400 0.405 0.410
0.420 89 90 90 90 90
0.425 88 89 90 89 90
0.430 87 88 89 89 89
0.435 86 87 87 88 89
0.440 85 85 86 87 87
도6는 본 발명에 따라, 색좌표 x=0.425, y=0.400에서 색온도 3,177K의 온백색을 발광하며 연색 지수 90을 구현하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도7는 본 발명에 따라, 색좌표 x=0.430, y=0.400에서 색온도 3,088K의 주광색을 발광하며 연색 지수 89을 구현하는 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도면을 참조하면, 청색 발광 다이오드로부터 발생된 1차 광과, 1차 광의 일부에 의하여 여기된 형광체가 2차 광인 녹색 및 적색광을 방출하여, 이들의 혼색에 의해 백색이 구현됨을 알 수 있다. 이에 따라, 청색 발광 다이오드와 황색 형광체를 사용하는 종래 백색 발광 소자에 비해 보다 높은 연색성을 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 발광 소자는 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하여 장파장 자외선 영역 및 청색 영역대의 여기하에 매우 우수한 녹색 및 적색광을 발광함으로써, 자외선 발광 다이오드용 녹색, 적색 및 황색 발광 소자와 청색 발광 다이오드용 녹색, 핑크 및 백색 발광 소자와 같이 장파장 자외선 및 청색 영역대를 에너지 원으로 하는 다양한 응용 분야에 적용할 수 있는 장점이 있다.
특히, 청색 발광 다이오드의 상부에 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 혼합 분포시킴으로써, 녹색에서 적색에 이르는 연속적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 보다 우수한 연색성을 갖는 백색 발광 소자를 제공할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광 소자는 색온도 6,000K 이상의 주광색 구현시 연색 지수 93 이상을, 색온도 3,500K 이하의 온백색 구현시 연색 지수 85 이상의 고연색성 백색광을 구현할 수 있기 때문에 카메라용 플래쉬, 일반 조명 뿐만 아니라 백색 광원을 요하는 각종 가전 기기 및 사무 기기에 사용할 수 있는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 청색 및 자외선 영역의 파장을 발광하는 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와, 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,
    <화학식 1>
    a(MO)·b(MO)·c(MA)·d(M 2O)·e(M 2O3)·f(M oOp)·g(SiO2)·h(M xOy)
    상기 M은 Cu 및 Pb를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 M은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd 및 Mn을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 M은 Li, Na, K, Rb, Cs, Au 및 Ag을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 M은 B, Al, Ga 및 In을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선 택되고,
    상기 M은 Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr 및 Hf을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 M은 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 A는 F, Cl, Br 및 I를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는
    0<a≤2
    0<b≤8
    0≤c≤4
    0≤d≤2
    0≤e≤2
    0≤f≤2
    0<g≤10
    0<h≤5
    1≤o≤2
    1≤p≤5
    1≤x≤2
    1≤y≤5
    의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,
    <화학식 2>
    ((Ba,Sr,Ca,Mg)1-x(Pb,Cu)x)2SiO4:Eu,B
    상기 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고,
    상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 녹색 영역을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 510㎚ 내지 545㎚ 범위 내에 피크 파장이 위치하는 광을 방출하고, 상기 적색 영역을 발광하는 오소실리케이트계 형광체는 590nm 내지 615nm 범위 내에 피크 파장이 위치하는 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 청색 발광 다이오드는 420 내지 480㎚ 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 청색 및 자외선 영역의 파장을 발광하는 발광 다이오드 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드로부터 발광된 광에 의하여 여기되어 녹색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 오소실리케이트계 형광체를 포함하고, 연색성이 향상되어 플래쉬, 일반 조명, 가전 기기 또는 사무 기기의 광원으로 사용되는 발광소자.
KR1020060081023A 2006-08-25 2006-08-25 발광 소자 KR20080018620A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060081023A KR20080018620A (ko) 2006-08-25 2006-08-25 발광 소자
TW096131448A TWI354384B (en) 2006-08-25 2007-08-24 Light emitting device
PCT/KR2007/004064 WO2008023954A1 (en) 2006-08-25 2007-08-24 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060081023A KR20080018620A (ko) 2006-08-25 2006-08-25 발광 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080018620A true KR20080018620A (ko) 2008-02-28

Family

ID=39106993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060081023A KR20080018620A (ko) 2006-08-25 2006-08-25 발광 소자

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20080018620A (ko)
TW (1) TWI354384B (ko)
WO (1) WO2008023954A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906010B1 (ko) * 2008-04-08 2009-07-06 (주)썬웨이브 파워 엘이디(led) 패키지

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011069177A1 (de) * 2009-12-07 2011-06-16 Tridonic Gmbh & Co. Kg Beleuchtung mit led
JP2015115506A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明光源
CN111133594B (zh) * 2017-09-26 2023-10-10 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
KR100573488B1 (ko) * 2003-09-04 2006-04-24 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2005229048A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Stanley Electric Co Ltd 白色発光ダイオード

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906010B1 (ko) * 2008-04-08 2009-07-06 (주)썬웨이브 파워 엘이디(led) 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008023954A1 (en) 2008-02-28
TW200816526A (en) 2008-04-01
TWI354384B (en) 2011-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3159947B1 (en) Warm white light emitting apparatus
KR101258227B1 (ko) 발광 소자
EP1888711B1 (en) Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
TWI434430B (zh) 使用非化學計量配比四面體之鹼土金屬矽酸鹽磷光材料的發光裝置
KR100666189B1 (ko) 발광 소자
US8053798B2 (en) Light emitting device
KR101476420B1 (ko) 발광 소자
JP4975029B2 (ja) 赤色蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた発光素子
KR20080018620A (ko) 발광 소자
KR20120139650A (ko) 발광 소자
US20120001205A1 (en) Light emitting device having strontium oxyorthosilicate type phosphors
KR102323694B1 (ko) 백색 발광 장치
KR100647823B1 (ko) 조명용 백색 발광장치
KR102310038B1 (ko) 백색 발광 장치
KR20100061785A (ko) 발광 소자
KR100717261B1 (ko) 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자
KR20140063067A (ko) 형광체 조성물
KR20070022465A (ko) 적색 형광체, 이를 이용한 발광 소자 및 액정 디스플레이소자

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid