JP4975029B2 - 赤色蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

赤色蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた発光素子 Download PDF

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Description

本発明は赤色蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた発光素子に関する。
発光ダイオード(light emission diode;LED)は、半導体のp−n接合構造を有する化合物半導体であって、少数キャリア(電子または正孔)の再結合により所定の光を発する素子を言い、GaAsPbなどを用いた赤色発光ダイオード、GaPなどを用いた緑色発光ダイオード、InGaN/AlGaNダブルへテロ構造を用いた青色発光ダイオードなどがある。
発光ダイオードを用いた発光素子は、消費電力が低く、長寿命であり、しかも、狭小な空間に設置可能である他、振動に強い、といった特性を有する。最近には、単一色成分、例えば、赤色、青色、または緑色の発光素子に加えて、白色発光素子が上市されている。白色発光素子は自動車用及び照明用の製品に応用され、これに伴い、その需要が急増すると見込まれる。
上述した発光素子技術において、白色を得る方式は、大きく2種類に大別できる。一つは、赤色、青色及び緑色の発光ダイオードチップを隣設させ、各素子の発光を混色させて白色を得る方式である。しかしながら、各発光ダイオードチップは、熱的または時間的な特性が異なるため、使用環境に応じて色調が変わり、特に、色むらが発生するなど均一な混色が得られず、輝度が高くないという欠点がある。また、各発光ダイオードチップの駆動を考慮した回路構成が複雑であり、チップの位置に応じて三色光が混合される最適な条件が一般的に成り立ち難いため、完全な白色光を得ることが困難である。さらに、演色性値は40程度と低いため、一般照明やフラッシュ光源として適用するには不向きであるという問題点がある。
もう一つは、蛍光体を発光ダイオードチップに配設し、発光ダイオードチップの1次発光の一部と蛍光体により波長変換された2次発光が混色されて白色を得る方式である。例えば、青色を発光する発光ダイオードチップの上にその光の一部を励起源として黄緑色または黄色を発光する蛍光体を取り付けて発光ダイオードチップの青色発光と蛍光体の黄緑色または黄色発光により白色が得られる。しかしながら、この種の発光素子は、単一黄色蛍光体の発光であり、緑色と赤色領域のスペクトル欠乏により演色性が低いという不都合がある。
上記のように演色性が低いという不都合を解消するために、青色発光ダイオードチップ、及び青色光により励起されて緑色及び赤色を発光する蛍光体を用いて白色発光素子を製造する。すなわち、青色光と、青色光により励起されて発せられる緑色光及び赤色光の混色により85以上の高い演色性値を有する白色光が得られる。このとき、緑色発光蛍光体としては、青色光により励起されて緑色から黄色帯域までの光を発光可能なチオガレート(thiogallate)基が用いられる。代表的なチオガレート基の組成は、(Ca、Sr、Ba)(Al、Ga、In):Eu(又はCe)で表わされる。中でも、SrGa:Eu蛍光体は高い発光強度を有する緑色発光蛍光体である。一方、赤色発光蛍光体としては、青色光により励起されて赤色帯域の光を発光可能なSrS:Eu、(Sr、Ca)S:Eu、CaS:Euなどが用いられる。
しかしながら、赤色蛍光体の場合、発光特性が極めて悪いため、発光効率に優れた赤色蛍光体の開発が望まれているのが現状である。特に、(Sr、Ca)S:Euで表わされる赤色発光蛍光体は、発光強度が低く、水分に対する化学安定性に劣るという深刻な問題点を抱いている。これにより、一般照明とLCD背面照明装置への適用に制約を受けている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、信頼性が向上するとともに発光効率が改善された赤色蛍光体及びこの製造方法を提供するところにある。
本発明の他の目的は、向上した信頼性と高い発光効率を有する赤色蛍光体を用いてより優れた色再現性と光特性を有する発光素子を提供するところにある。
上述した目的を達成するために、本発明は、下記一般式(1)で表わされ、
(Ca、Sr)1−x−yEuPbS … (1)
式中、xは0.0005≦x≦0.01であり、yは0.001≦y≦0.05であることを特徴とする赤色蛍光体を提供する。
好ましくは、前記xは0.001≦x≦0.005であり、前記yは0.005≦y≦0.03である。
前記赤色蛍光体は、600nm〜660nmの波長の光を発することができる。
本発明は、Sr、Ca、Eu、Pbをそれぞれ含む出発物質を定量して硝酸または塩酸に溶解させるステップと、(NHCOまたは(NHを添加し、それぞれの出発物質が分散された状態で沈殿させるステップ及び前記沈殿物を乾燥させた後、二酸化硫黄の雰囲気下、900〜1250℃の温度において1〜5時間かけて熱処理するステップを含むことを特徴とする赤色蛍光体の製造方法を提供する。
前記出発物質としてSrCO、CaCO、Eu、Pb(NOを用いることができる。
本発明は、発光ダイオードチップと蛍光体を含む発光素子において、上記の赤色蛍光体を有することを特徴とする発光素子を提供する。
前記発光ダイオードチップは、青色光または紫外線を発することを特徴とする。
前記発光ダイオードチップは青色光を発し、発光素子がさらに緑色発光蛍光体を含んでいてもよく、前記緑色発光蛍光体は、(Ba、Sr、Ca)SiO:EuまたはSrGa:Euであってもよい。
前記発光ダイオードチップは基体の上に実装され、前記基体の上部に前記発光ダイオードチップを封止するモールド部を備え、前記モールド部には、前記蛍光体が混合されて分布されていてもよい。前記基体は、基板、ヒートシンクまたはリード端子のいずれかであってもよい。
本発明は、Pb元素の部分的な置換による新規な組成を用いて発光強度に優れた赤色蛍光体を製造することができる。また、従来、赤色蛍光体が水分に対する化学的な安定性に劣っていたという問題点を解消して、信頼性が向上するというメリットがある。
本発明による赤色蛍光体は、長波長の紫外線領域及び青色光領域の励起下で発光効率に極めて優れた赤色光を発光することにより、青色光を用いた白色発光ダイオードだけではなく、紫外光を用いた白色発光ダイオードの製造に当たっても優れた光源として使用可能である。
また、本発明は、安定した信頼性と向上した発光効率を有する本発明の赤色蛍光体を用いて、優れた色再現性と光特性を有する発光素子を製造することができる。このような本発明の発光素子によれば、90以上の高演色性の白色光が得られるので、一般照明として使用可能であるだけではなく、高い演色性と色再現性によりLED背面光源としても使用可能である。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は後述する実施の形態に限定されるものではなく、それとは異なる形で実現可能であり、これらの実施の形態は、単に本発明の開示を完全なものにし、且つ、この技術分野における通常の知識を持った者に発明のスコープを完全に報知するために提供されるものである。図中、同一の符号は同様の構成要素を示す。
図1は、本発明による赤色蛍光体の走査電子顕微鏡写真である。
図2は、本発明による赤色蛍光体の、Pb比率による発光強度の変化を示すグラフである。
図3は、従来の赤色蛍光体と本発明の赤色蛍光体を用いて製造した発光素子の光度及び色変化を比較して示すグラフである。
図4は、本発明によるチップ型発光素子を示す断面図である。
図5は、本発明によるランプ型発光素子を示す断面図である。
蛍光体は、ホスト格子と、予め決められた個所に不純物でドープされた活性イオンと、から構成されるが、活性イオンの役割は、発光過程に与かるエネルギー準位を決めることにより発光色を決めることであり、その発光色は、結晶構造内において活性イオンが有する基底状態と励起状態のエネルギー差により決まる。すなわち、活性イオンを有する蛍光体が有する発光中心色は、究極的に、活性イオンの電子状態、すなわち、エネルギー準位により決まる。例えば、Tb3+イオンの場合、ホスト格子内における5d→7f遷移が最も実現し易く、緑黄色発光形状を示す。
かようなエネルギー差を用いた蛍光体は、その種類が極めて多岐に亘り、これを用いて種々の発光色を有する発光ダイオードを製造することができ、特に、白色発光ダイオードを製造することができる。
本発明は、既存の(Sr、Ca)S:Euで表わされる赤色発光蛍光体において、Pb元素を部分的に置換導入することにより、発光効率と水分に対する化学的な安定性に極めて優れた新規な組成の蛍光体を提供する。
本発明の赤色蛍光体は、下記一般式(1)の構造を有する。
(Ca、Sr)1−x−yEuPbS … (1)
式中、xは0.0005≦x≦0.01であり、yは0.001≦y≦0.05である。より好ましくは、前記xは0.001≦x≦0.005であり、前記yは0.005≦y≦0.03である。
少量のEuは、f−d励起準位からf基底状態への電子のエネルギー遷移を通じて発光を引き起こす発光中心元素である。
式中の蛍光体の組成に応じて、すなわち、Sr、Ca、Pbの比率に応じて発光波長が調節可能であり、最低600nmから最高660nmまでの優れた発光スペクトルが得られる。
以下、上述した赤色蛍光体の製造方法について説明する。
先ず、蛍光体の合成のための出発物質を用意する。Sr、Ca、Eu、Pbの出発物質としては、各々、SrCO、CaCO、Eu、Pb(NOを用いることができる。すなわち、アルカリ土金属としてのSrCOとCaCO及びPb(NOと、活性剤としてのEuを用意した後、これを所望の組成に見合うモル比で混合して硝酸又は塩酸に溶解させる。また、過量の(NHCOまたは(NHなどを添加してそれぞれの出発物質が分散された状態で沈殿させる。前記沈殿物を完全に乾燥させた後、二酸化硫黄の雰囲気下、900〜1250℃の温度において1〜5時間かけて熱処理を繰り返し行い、前記沈殿物の、炭化物から硫黄化物への切り換えを終える。
このような製造工程を経て製造された赤色蛍光体は2〜30μmの粒子分布を有し、高い赤色光の発光強度を示す。
図1は、本発明による赤色蛍光体において、Pbが0.01の比率で置換導入されたCa0.987Eu0.003Pb0.01S蛍光体を走査電子顕微鏡により観察した結果を示す。図1を参照すれば、本発明による赤色蛍光体は、2〜30μmの粒子分布を示している。
また、図2は、本発明による赤色蛍光体において、Ca0.997−yEu0.003PbS蛍光体のPb比率による発光強度の変化を示すグラフである。図2を参照すれば、Pbが部分的に置換導入された本発明の赤色蛍光体は、Pb未含有の既存の赤色蛍光体に比べて高い発光強度を示している。特に、Ca0.992Eu0.003Pb0.005S蛍光体の場合、Ca0.997Eu0.003Sよりも約10%程度高い発光強度を示している。
上述したように、既存の(Sr、Ca)S:Euで表わされる赤色蛍光体は、青色光の励起により赤色光を発する成分として汎用されている。しかしながら、(Sr、Ca)S:Euは水分と容易に反応して化学的な構造が二硫化水素とアルカリ土金属硫化物に変わる。このようにして、(Sr、Ca)S:Eu赤色蛍光体は、水分との化学反応により、その赤色光のスペクトルが次第に消滅され、副産物としての二硫化水素は、発光素子内の金属成分を腐食させて光特性が急激に劣化するという現象を引き起こす。
これに対し、本発明は、上述した製造工程を経て(Ca、Sr)1−x−yEuPbSで表わされる赤色蛍光体を製造することにより、水分に対する化学反応を防ぐことができ、化学的な不安定性を除去して信頼性を高めることができる。
図3は、従来の赤色蛍光体と本発明の赤色蛍光体を用いて製造した発光素子の光度及び色変化を比較して示すグラフである。既存のCa0.997Eu0.003S蛍光体を用いた発光素子、及び本発明によりPbが部分的に置換導入されたCa0.987Eu0.003Pb0.01S蛍光体を用いた発光素子に対し、温度60℃及び湿度90%の外部環境下で信頼性試験を行い、初期値を100にしたときの初期値に対する光度変化を示している。ここで、光度が経時的に漸減する理由は、蛍光体の組成が水分との反応により分解されて光特性が失われるためである。同図から明らかなように、本発明によりPbが部分的に置換導入された赤色蛍光体は、従来の赤色蛍光体に比べて光度減少がかなり少ない。すなわち、本発明の赤色蛍光体は、水分に対する安定性に優れていることから、化学的な反応による光特性の低下を防ぐことができる。
このように、本発明は、既存の(Sr、Ca)S:Euで表わされる赤色蛍光体にPb元素を部分的に置換導入することにより、長波長の紫外線領域及び青色光領域の励起下で極めて優れた赤色光が得られ、水分に対する化学的な安定性を確保して向上した信頼性を有する赤色蛍光体を製造することができる。
以下、添付図面に基づき、上述した蛍光体を用いた本発明の発光素子について説明する。
図4は、本発明の赤色蛍光体を用いて製造したチップ型発光素子を示す断面図である。
同図を参照すれば、発光素子は、基板10と、基板10の上に形成された第1、第2の電極30、35と、第1の電極30を基体として、その上に実装された発光ダイオードチップ20と、発光ダイオードチップ20を封止するモールド部40と、を備える。前記モールド部40には、上述した赤色蛍光体が均一に混合されて分布されている。
前記基板10は、発光ダイオードチップ20が実装される中心領域に、底面と側壁面を有する所定の溝を形成し、溝の側壁面に所定の勾配を持たせることができる。このとき、前記発光ダイオードチップ20は、基体である基板10の溝の底面に実装され、所定の勾配を有する側壁面により発光ダイオードチップ20から発せられる光の反射を極大化して発光効率を高めることができる。
また、前記基板10は、発光ダイオードチップ20の熱を外部に放出するためのヒートシンクをさらに備えていてもよい。例えば、基板10上の発光ダイオードチップ20が実装される所定の領域を除去して貫通孔を形成し、その内部にヒートシンクを挿着し、そのヒートシンクを基体としてその上部に発光ダイオードチップ20を実装してもよい。ヒートシンクとして熱伝導性に優れた物質を用いることが好ましく、熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることが最も好ましい。
前記第1、第2の電極30、35は、基板10の上に形成された電極であって、発光ダイオードチップ20の陽極端子及び陰極端子に各々接続される。前記第1及び第2の電極30、35は印刷技法により形成することができる。第1及び第2の電極30、35は、伝導性に優れた銅またはアルミニウムを含む金属物質から形成するが、このとき、第1の電極30と第2の電極35は電気的に絶縁させる。
前記発光ダイオードチップ20としては、GaN、InGaN、AlGaNまたはAlGaInN系の、青色光を発光する発光ダイオードチップを用いる。この実施形態においては、420〜480nm範囲の青色光を発する発光ダイオードチップを採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、青色光だけではなく、紫外線(UV)を発する発光ダイオードチップを用いてもよい。なお、発光ダイオードチップ20の数には制限がなく、単一であってもよく、必要に応じて多数設けてもよい。
前記発光ダイオードチップ20は第1の電極30の上に実装され、ワイヤー60を介して第2の電極35と電気的に接続される。また、発光ダイオードチップ20が電極30、または35の上に実装されることなく、基板10の上に形成される場合に、2本のワイヤー60を介してそれぞれ第1の電極30または第2の電極35と接続されてもよい。
また、基板10の上部には、前記発光ダイオードチップ20を封止するためのモールド部40が形成される。前記モールド部40内には、上述したように、(Ca、Sr)1−x−yEuPbSで表わされる赤色蛍光体50が均一に混合されて分布されている。モールド部40は、所定の透明エポキシまたはシリコン樹脂と前記蛍光体50との混合物を用いた射出工程により形成することができる。また、別途の鋳型を用いて製作した後、これを加圧または熱処理してモールド部40を形成することができる。モールド部40は、光学レンズ状、平板状や表面に所定の凹凸を有する形状など種々の形状に形成することができる。
前記蛍光体50は、図示のごとく、モールド部40内に均一に混合されて分布されていてもよく、または、発光ダイオードチップ20の上にドッティング(dotting process)により形成されてもよい。
図5は、本発明の赤色蛍光体を用いて製造したランプ型発光素子を示す断面図である。
同図を参照すれば、発光素子は、基体である、反射部が設けられた第1のリード端子70と、前記第1のリード端子70から所定の間隔だけ離れた第2のリード端子75と、を備える。前記第1のリード端子70の反射部内に発光ダイオードチップ20が実装され、ワイヤー60を介して第2のリード端子75と電気的に接続される。前記発光ダイオードチップ20の上部には蛍光体50を有するモールド部40が形成され、リード端子70、75の先端には成形型を用いて成形した外周モールド部45が設けられる。前記モールド部40内には、前記発光ダイオードチップ20から発せられた光を吸収して赤色の波長に光を波長変換する、(Ca、Sr)1−x−yEuPbSで表わされる赤色蛍光体50が均一に混合されている。前記外周モールド部55は、発光ダイオードチップ20から発せられた光の透過率を高める目的で、透明なエポキシまたはシリコン樹脂から製作される。
このような本発明の発光素子は、発光ダイオードチップ20から1次光が発せられ、1次光により蛍光体50は波長変換された2次光を発して、これらの混色により所望のスペクトル領域の色を得ている。すなわち、青色発光ダイオードチップから青色光が発せられ、青色光により赤色蛍光体は優れた発光強度を有する赤色波長の光を発する。従って、1次光である青色光の一部と2次光である赤色光とが混色されてピンク色から紫色に至るパステル系の光が得られる。
また、所望の色を得るために、種々の組成の蛍光体をさらに含んでいてもよい。特に、白色発光を実現するために、発光素子は、発光ダイオードチップの上に前記(Ca、Sr)1−x−yEuPbSで表わされる赤色蛍光体に加えて、緑色蛍光体をさらに含んでいてもよい。前記緑色蛍光体としては、(Ba、Sr、Ca)SiO:EuまたはSrGa:Eu蛍光体を含むことができる。このとき、青色発光ダイオードチップから青色光が発せられ、青色光により赤色蛍光体は赤色波長の光を発し、緑色蛍光体は緑色波長の光を発する。このようにして、1次光である青色光の一部と、2次光である赤色光及び緑色光が混色されて白色光が得られる。このような白色発光ダイオードによれば、青色発光ダイオードチップとYAG:Ce黄色蛍光体を用いて85以下の演色性値を得ていた従来の白色発光素子に比べて、最大10%程度増加した90の演色性値を得ることができる。
このように、本発明の発光素子は、従来に比べて演色性の高い白色光を得ることができ、発光効率に優れた赤色蛍光体を用いることにより、色再現性と色均一度を高めることができる。さらに、本発明の発光素子は、従来に比べて赤色蛍光体の水分に対する安定性に優れていることから、赤色蛍光体の寿命を延ばすことができ、これは、発光素子の信頼性の向上につながる。
本発明の技術的な要旨は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、種々の修正と変形が可能であり、種々の構造の製品に応用可能である。
本発明は、Pb元素の部分的な置換による新規な組成を用いて発光強度に優れた赤色蛍光体を製造することができる。また、従来、赤色蛍光体が水分に対する化学的な安定性に劣っていたという問題点を解消して、信頼性が向上するというメリットがある。
本発明による赤色蛍光体は、長波長の紫外線領域及び青色光領域の励起下で発光効率に極めて優れた赤色光を発光することにより、青色光を用いた白色発光ダイオードだけではなく、紫外光を用いた白色発光ダイオードの製造に当たっても優れた光源として使用可能である。
また、本発明は、安定した信頼性と向上した発光効率を有する本発明の赤色蛍光体を用いて、優れた色再現性と光特性を有する発光素子を製造することができる。このような本発明の発光素子によれば、90以上の高演色性の白色光が得られるので、一般照明として使用可能であるだけではなく、高い演色性と色再現性によりLED背面光源としても使用可能である。
は、本発明による赤色蛍光体の走査電子顕微鏡写真である。 は、図2は、本発明による赤色蛍光体の、Pb比率による発光強度の変化を示すグラフである。 は、従来の赤色蛍光体と本発明の赤色蛍光体を用いて製造した発光素子の光度及び色変化を比較して示すグラフである。 は、本発明によるチップ型発光素子を示す断面図である。 は、本発明によるランプ型発光素子を示す断面図である。
符号の説明
10:基板
20:発光ダイオードチップ
30、35:電極
40:モールド部
50:蛍光体
60:ワイヤー
70、75:リード端子

Claims (3)

  1. 下記一般式(1)で表わされ、
    Ca 1−x−yEuPbS … (1)
    式中、xは0.0005≦x≦0.01であり、yは0.001≦y≦0.05であることを特徴とする赤色蛍光体。
  2. 前記xは0.001≦x≦0.005であり、前記yは0.005≦y≦0.03であることを特徴とする請求項1に記載の赤色蛍光体。
  3. 前記赤色蛍光体は、600nm〜660nmの波長の光を発することを特徴とする請求項1に記載の赤色蛍光体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101423456B1 (ko) 2006-12-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛
JP5171326B2 (ja) * 2008-03-13 2013-03-27 住友金属鉱山株式会社 無機el用蛍光体の製造方法
CN103045241A (zh) * 2013-01-15 2013-04-17 重庆希晨科技有限公司 一种用于白光led的硫化物红色荧光材料及其制备方法
JP2015088483A (ja) * 2013-09-26 2015-05-07 信越化学工業株式会社 赤色ランプ及び車両用灯火装置
CN107086264A (zh) * 2017-06-23 2017-08-22 深圳市德辰光电科技有限公司 一种红光led灯珠及其制造方法
CN108998028B (zh) * 2018-08-29 2021-02-12 东台市天源光电科技有限公司 一种硫化物绿色荧光粉及其制备方法和采用该荧光粉的发光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4065688A (en) 1977-03-28 1977-12-27 Westinghouse Electric Corporation High-pressure mercury-vapor discharge lamp having a light output with incandescent characteristics
JPS57128772A (en) * 1981-02-02 1982-08-10 Hitachi Ltd Fluorescent substance
US5629126A (en) * 1996-06-17 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Phosphor film composition having sensitivity in the red for use in image capture
JP2003064357A (ja) * 2001-08-30 2003-03-05 Futaba Corp 蛍光体、蛍光体層の製造方法及び蛍光表示管
EP1451264A4 (en) 2001-11-14 2007-07-18 Sarnoff Corp RED PHOTOLUMINESCENT PHOSPHORES
AU2003248074A1 (en) 2002-07-16 2004-02-02 Futaba Corporation Composite nanoparticle and process for producing the same
JP2005079500A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Lite-On Technology Corp 白色光発光装置
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
WO2006043200A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure gas discharge lamp for backlighting with a large color gamut
KR100611102B1 (ko) 2004-12-06 2006-08-09 한국전자통신연구원 성능 데이터 자동 수집을 위한 서비스 수준 보장 시스템 및그 방법
WO2006126817A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
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