KR100717261B1 - 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052917 strontium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- QSQXISIULMTHLV-UHFFFAOYSA-N strontium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Sr+2].[O-][Si]([O-])=O QSQXISIULMTHLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77342—Silicates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7729—Chalcogenides
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
본 발명은 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자를 제공한다.
본 발명은 하기 <화학식 1>로 표시되고,
<화학식 1>
x(CaaSrbBacEud)2SiO4-ySr(SieAlf)O3
여기서 x+y=1, a+b+c+d=1, e+f=1이고, 상기 a, b, c, f, y는 0≤a≤0.995, 0≤b≤0.995, 0≤c≤0.995, 0≤f≤0.1, 0.1≤y≤0.99의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 형광체를 제공한다.
또한 본 발명은 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si, Al)O3 화합물을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 환원성 분위기 로에서 1100 내지 1450℃의 온도로 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 형광체는 오소실리케이트 형광체의 수분 및 온도에 대한 안정성을 향상시켜 보다 우수한 발광 특성을 갖고 색온도, 색좌표 등에 대한 안정성을 개선할 수 있다.
발광 소자, LED, 형광체, 오소실리케이트
Description
도 1 및 도 2는 종래 발광 소자를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 투과성 세라믹 형광체의 단면 사진.
도 4는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 제 1 실시예의 다른 예를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 단면도.
도 7은 종래 발광 소자와 본 발명에 따른 발광 소자를 정격 전류하에서 구동시 휘도 변화를 나타낸 그래프.
도 8 및 도 9는 종래 발광 소자와 본 발명에 따른 발광 소자를 정격 전류하에서 구동시 색좌표 변화를 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 15 : 홈
20 : 발광 다이오드 칩 30, 40 : 전극
50 : 형광체 60 : 반사기
70 : 와이어
본 발명은 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자(light emission diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 소자 외에 백색 발광 소자들이 출시되고 있으며, 이에 대한 수요가 급속히 증가하고 있다. 발광 소자는 단일 칩 또는 멀티 칩을 사용하여 백색광을 구현할 수 있다.
단일 칩의 경우, 화합물 반도체의 발광 다이오드 칩과 형광체를 결합하여 백색광을 구현한다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 칩에 배치시켜, 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현한다. 예를 들어 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 배치시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻는 것이다. 이런 구조의 백색 발광 소자는 가격이 싸고, 원리적 및 구조적으로 매우 간단하기 때문에 일반적으로 널리 이용되고 있다.
(Ba, Sr, Ca)2SiO4:Eu 화학식으로 대표되는 오소실리케이트(orthosolicate) 그룹의 형광체는 UV 내지 청색 여기원에 의해서 505㎚의 녹색 영역부터 605㎚의 오렌지 영역에까지 이르는 스펙트럼의 광을 구현할 수 있어 상기 백색 발광 소자에 주로 사용되고 있다. 오소실리케이트 그룹의 형광체를 이용하여 상기 언급한 바와 같이 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광의 혼색으로 백색 발광을 구현할 수 있다. 특히 청색 발광 다이오드 칩과, 이의 에너지를 이용하여 565㎚ 부근에 넓은 발광 스펙트럼을 갖는 황색 오소실리케이트 형광체의 조합을 통해 백색 발광 소자를 제조한다.
오소실리케이트 그룹의 형광체에 관한 종래 기술로 대한민국 특허공보 제2005-0023990호에는 Eu2 +에 의해 활성화된 오소실리케이트 계열의 옐로우색 계열의 형광체와 그린색 계열의 형광체를 포함하는 몰딩수지층으로 발광소자를 둘러싼 발광 장치가 개시되어 있다. 또한 대한민국 특허공보 제2003-0082395호는 실리케이트 형광 물질 및 보레이트 형광 물질로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 것을 함유하는 것을 특징으로 하는 형광체가 개시되어 있다. 이는 350 내지 500㎚의 파장 범위 내에서의 여기 스펙트럼에서 정점 파장을 나타내고 황색 빛을 발광하며, 480㎚의 파장을 갖는 청녹 형광을 통상적인 것보다 더 낮은 강도로 나타냄으로써, 백색 발광 소자에 적합한 형광체를 제공한다.
또다른 종래기술로서 대한민국 특허공보 제2004-0069547호에서는 낮은 발광 효율의 문제점을 해결하기 위해 실리케이트를 사용한 형광체와 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 특히 스트론튬실리케이트 모체에 활성제 성분으로 유로퓸옥사이드(Eu2O3)를 첨가하여 장파장 자외선 발광 다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이에 적용되었을 때 매우 높은 발광효율을 가지는 스트론튬실리케이트계 황색 형광체와 이의 제조방법을 제공한다.
상기 특허에서는 일반적으로 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 투명한 수지 내에 상술한 형광체를 일정한 형태로 분포시킴으로써, 형광체가 발광 다이오드 칩의 광을 여기원으로 하여 발광할 수 있도록 한다. 도 1 및 도 2는 이러한 구조의 발광 소자를 도시한 것으로, 리드 단자(8) 또는 기판(1) 상에 발광 다이오드 칩(2)을 실장하고 전기연결한 후 형광체(5)를 포함한 투명 수지를 이용하여 발광 다이오드 칩(2)을 몰딩한다.
그러나 이러한 구조의 발광 소자는 고습 상태에 장시간 노출되는 경우에, 수분이 투명 수지 자체로, 또는 투명 수지와 리드 프레임 틈 사이로 침투하여 형광체와 반응하고, 이로 인해 형광체의 화학적 특성의 변형을 야기한다.
또한 현재 백색 발광 소자를 일반 조명에 응용하기 위해 청색 발광 다이오드 칩의 크기가 점차 커지는 추세인데, 열방출을 위한 특별한 장치 없이 발광 다이오드 칩을 정격 전류 하에서 구동할 때 발광 다이오드 칩의 발광층을 중심으로 순식간에 120℃ 이상의 고열이 발생하며, 이로 인해 형광체의 발광 강도가 현저히 떨어진다. 일반적으로 형광체는 주변 온도가 높아지면 임자 결정과 활성 이온 간에 상호 간섭과 격자의 진동에 의한 격자 팽창으로 인해 스펙트럼이 넓어지며 색좌표 변 화와 결정장의 약화로 인한 발광 강도의 저하가 발생한다. 이러한 온도에 의한 형광 특성의 감소는 화합물의 결합 강도와 활성 이온과 임자 결정간의 크기에 의해 영향 받는 것으로 알려져 있으며, 오소실리케이트 형광체가 이트륨 알루미늄 가넷계(YAG) 형광체보다 같은 온도하에서의 형광특성 열화가 큰 단점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 오소실리케이트 형광체의 수분 및 온도에 대한 안정성을 향상시켜 보다 우수한 발광 특성을 갖고 색온도, 색좌표 등에 대한 안정성을 개선할 수 있는 형광체 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 고온 고습하에서도 안정한 형광체를 이용하여 신뢰성이 향상되고 발광 효율이 개선된 발광 소자를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 제공한다.
본 발명은 하기 <화학식 1>로 표시되고,
<화학식 1>
x(CaaSrbBacEud)2SiO4-ySr(SieAlf)O3
여기서 x+y=1, a+b+c+d=1, e+f=1이고, 상기 a, b, c, f, y는 0≤a≤0.995, 0≤b≤0.995, 0≤c≤0.995, 0≤f≤0.1, 0.1≤y≤0.99의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 형광체를 제공한다.
또한 본 발명은 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si, Al)O3 화합물을 혼합하는 단계; 및 상기 혼합물을 환원성 분위기 로에서 1100 내지 1450℃의 온도로 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법을 제공한다. 바람직하게는 상기 혼합물의 소결 온도가 1250 내지 1400℃인 것을 특징으로 한다. 상기 소결하는 단계 이전에 혼합물을 금형 안에 충전 및 가압하여 원하는 형상으로 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 발광 다이오드 칩과 형광체를 포함하는 발광 소자로서, 상술한 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다.
상기 발광 다이오드 칩은 청색 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 형성된 홈에 실장되고, 상기 홈의 상부에 상술한 형광체로 이루어진 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 몸체는 기판, 히트 싱크 또는 리드 단자 중 어느 하나일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명은 기존의 오소실리케이트 형광체를 이용하여 수분과 열에 대한 안정성이 우수한 투과성 세라믹 형광체를 제공한다. 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 혼합 및 열처리하여 제조함으로써, 오소실리케이트 형광체의 발광 특성과 더불어 수분과 열에 안정한 투과성 세라믹의 장점을 얻을 수 있다. Sr(Si,Al)O3의 조성과 양은 투과성 세라믹 형광체의 제조에 있어서 중요한 요소이며, 발광 특성을 좌우한다.
본 발명은 (Ba, Sr, Ca)2SiO4:Eu 화학식으로 표현되는 오소실리케이트 형광체를 이용하여 하기 화학식 1과 같은 구조를 갖는 투과성 세라믹 형광체를 제공한다.
상기 화학식 1에서 x+y=1, a+b+c+d=1, e+f=1이고, 상기 a, b, c, f, y는 0≤a≤0.995, 0≤b≤0.995, 0≤c≤0.995, 0≤f≤0.1, 0.1≤y≤0.99의 범위로 설정된다.
상기 화학식 1에서 Sr(SieAlf)O3의 조성과 양은 투과성 세라믹 형광체의 제조에 있어서 중요한 요소이며, 발광 특성을 좌우한다. 특히 상기 Si의 일부를 치환하는 Al의 양은 투과성 세라믹 형광체의 제조에 매우 중요하며, 0에서 0.1까지의 범위가 바람직하다. Sr(SieAlf)O3는 오소실리케이트 형광체를 둘러싸고, 오소실리케이트 형광체의 특성을 그대로 보유하며 수분과 열에 안정한 투과성 세라믹의 기반을 제공한다.
이하, 상술한 투과성 세라믹 형광체의 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저 입자 크기와 미세 구조 조절을 원활하게 하기 위해 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 각각 합성한다. (CaaSrbBacEud)2SiO4로 표현할 수 있는 오소실리케이트 형광체의 합성을 위한 출발 물질로는 CaCO3, SrCO3, Ba2O3, Eu2O3을 사용할 수 있다. 상기 합성된 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 정량하여 혼합한다. 이 때, Sr(Si,Al)O3의 조성과 양은 투과성 세라믹 형광체의 제조에 있어서 발광 특성을 좌우하기 때문에 중요하다. 상기 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물의 혼합물을 특정한 모양을 갖춘 금형 안에 채운 후 가압기를 사용하여 500 내지 1000㎏/㎠ 정도의 압력을 가하여 수초에서 수분 유지한다. 이와 같이 금형 형상대로 만든 후, 환원성 분위기 로에서 1100 내지 1450℃의 온도에서 소결한다. 이 때, 소결 온도는 1250 내지 1400℃인 것이 더욱 바람직하다.
도 3은 이러한 제조 공정을 통해 제조된 투과성 세라믹 형광체의 단면 사진을 나타낸 것이다. 도면에서 볼 수 있듯이, 투과성 세라믹 형광체는 오소실리케이트 형광체(A)와 Sr(Si,Al)O3(B)로 구성되어 있다. 오소실리케이트 형광체(A)는 여기원에 의해 발광하고, 방출되는 광은 투과성 Sr(Si,Al)O3에 의해 발광 특성의 저하 없이 그대로 외부로 발광한다. 또한, Sr(Si,Al)O3(B)은 세라믹의 특성인 수분과 열에 대한 안정성을 제공한다. 즉, 본 발명의 투과성 세라믹 형광체는 오소실리케이 트 형광체를 이용하여 발광하되, 수분 또는 열에 의한 형광체 열화를 방지할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이 기존의 오소실리케이트 형광체는 청색광의 여기에 의해 녹색에서 황색에 이르는 스펙트럼의 광을 방출하는 성분으로 널리 사용되고 있다. 그러나 기존의 형광체는 수분의 침투로 인해 화학적 특성의 열화를 야기한다. 또한 발광 소자에 적용시 발광 다이오드 칩으로부터의 방출되는 열에 의해 발광 특성이 급격하게 저하되는 현상이 발생한다.
본 발명은 상술한 제조 공정을 통해 x(CaaSrbBacEud)2SiO4-ySr(SieAlf)O3로 표현되는 투과성 세라믹 형광체를 제조하여, 수분과 열에 대한 안정성을 개선하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 상술한 형광체를 이용한 본 발명의 발광 소자에 관해 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 도시한 단면도이다.
발광 소자는 전극(30, 40)이 형성된 기판(10)과, 상기 기판(10)에 형성된 홈(15) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(20)과, 상기 발광 다이오드 칩(20) 상에 형성된 형광체층(50)을 포함한다.
상기 기판(10)은 도 5에 도시한 바와 같이 발광 다이오드 칩(20)이 실장되는 홈(15)의 측벽면에 소정의 기울기를 형성할 수 있다. 이 때 소정의 기울기를 갖는 측벽면으로 인해 발광 다이오드 칩(20)에서 발광하는 광의 반사를 극대화하고 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
또한 상기 기판(10)은 발광 다이오드 칩(20)의 열을 외부로 방출하기 위한 히트 싱크를 더 포함할 수 있다. 예를 들어 기판(10) 상의 발광 다이오드 칩(20)이 실장되는 소정 영역을 제거하여 관통공을 형성하고, 그 내부에 히트 싱크를 삽입 장착하여 히트 싱크 상부에 발광 다이오드 칩(20)을 실장할 수도 있다. 히트 싱크로 열전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하고, 열전도성 및 전기 전도성이 우수한 금속을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 전극(30, 40)은 기판(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 40)으로 구성한다. 상기 제 1 및 제 2 전극(30, 40)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 계열의 청색 발광하는 발광 다이오드 칩을 사용할 수 있다. 발광 다이오드 칩(20)의 개수는 하나로 구성하였으나, 목적하는 바에 따라 다수 개로 구성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 제 1 전극(30) 상에 실장되고, 와이어(70)를 통하여 제 2 전극(40)과 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 다이오드 칩(20)이 전극(30, 40) 상에 실장되지 않고 기판(10) 상에 형성되는 경우에, 2개의 와이어(70)를 통하여 각각 제 1 전극(30) 또는 제 2 전극(40)과 연결될 수 있다.
또한 기판(10) 상부에는 상기 발광 다이오드 칩(20)으로부터의 광을 여기원으로 하여 발광하는 형광체층(50)을 형성한다. 도면을 참조하면 본 실시예는 상술한 제조 방법에 의해 투과성 세라믹 형광체를 평판 형태로 제조하여 사용한다. 즉, 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물의 혼합물을 가압하여 금형에 의해 평판 형태로 형성한 후, 1100 내지 1450℃의 온도에서 소결하여 투과성 세라믹 형광체를 제조하였다. 물론 이에 한정되지 않고 렌즈 형태, 반구 형태, 사각 형태 등 목적에 따라 다양한 형태로 제조하여 발광 소자에 적용할 수 있다. 이는 발광 다이오드 칩을 직접 봉지하는 투명 수지의 몰딩부 내에 형광체를 포함시키는 종래에 비해 발광 다이오드 칩으로부터 소정 공간을 사이에 두고 형광체층(50)을 형성하기 때문에 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 열의 영향을 덜할수 있는 효과를 얻을 수 있다.
상기 기판(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)을 전기 연결한 후, 상술한 대로 평판 형태로 제조된 형광체층(50)을 발광 다이오드 칩(20) 상에 마련한다. 이 때 공정 상의 편의를 위해 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하는 투명 수지의 몰딩부를 형성한 후, 몰딩부 상에 형광체층(50)을 형성할 수도 있다.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 것으로, 상기 제 1 실시예의 구성과 거의 동일하다. 단지 제 2 실시예는 상기 기판(10)에 홈을 형성하여 발광 다이오드 칩(20)을 실장하는 대신, 발광 다이오드 칩(20)이 실장된 평면 기판(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)을 둘러싸도록 형성된 반사기(60)를 포함한다. 광의 휘도 및 집광 능력을 향상시키기 위해 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 반사기(60)의 내측벽이 소정 기울기를 갖도록 형성한다.
상기 발광 다이오드 칩(20) 상에는 투과성 세라믹 형광체로 제조된 형광체층 (50)을 포함한다. 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 혼합한 혼합물을 가압하여 금형에 의해 평판 형태로 형성한 후, 1100 내지 1450℃의 온도에서 소결하여 투과성 세라믹 형광체를 제조하였다.
본 발명의 발광 소자는 발광 다이오드 칩(10)으로부터 1차 광이 방출되고, 1차 광에 의해 형광체(50)는 파장변환된 2차 광을 방출하여, 이들의 혼색으로 원하는 스펙트럼 영역의 색을 구현한다. 즉, 청색 발광 다이오드 칩으로부터 청색광이 방출되고, 청색광에 의해 본 발명에 따른 형광체는 녹색에서 황색 파장까지의 광을 방출한다. 그리하여 1차 광인 청색 광의 일부와, 2차 광인 녹색 및 황색광이 혼색되어 백색광을 구현할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 발광 소자는 상기 형광체층(50)이 투과성 세라믹 형광체로 형성되었기 때문에, 열과 수분에 강한 세라믹의 장점을 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 도시한 바와 같이 발광 다이오드 칩으로부터 소정 공간을 사이에 두고 형광체층이 형성되기 때문에 발광 다이오드 칩으로부터의 발열에 의한 형광체 열화가 발생하지 않는다. 이와 같이 본 발명의 발광 소자는 종래에 비해 수분과 열에 대한 안정성이 우수하기 때문에 형광체의 수명을 연장할 수 있고, 그로 인해 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 요지는 상기 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 여러 가지 수정과 변형이 가능하며, 다양한 구조의 제품에 응용될 수 있다.
도 7 내지 도 9는 종래 발광 소자와 본 발명에 따른 발광 소자를 정격 전류 하에서 구동시 휘도 변화와 색좌표 변화를 나타낸 그래프이다. 도면에서 볼 수 있듯이 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 몰딩부 내에 형광체를 포함하는 종래 발광 소자는 시간이 지남에 따라 수분 침투와 발광 다이오드 칩의 발열로 인한 온도 상승에 따라 형광체가 열화되어 휘도가 저하되고 색좌표가 변화된다. 반면에 본 발명에 따른 발광 소자는 열과 수분에 안정한 투과성 세라믹 형광체를 사용함으로써 휘도 저하 및 색좌표 변화가 상대적으로 적은 것을 볼 수 있다.
본 발명은 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 이용하여 투과성 세라믹 형광체를 제조함으로써, 수분으로부터 형광체의 열화를 막을 수 있다. 또한 발광 다이오드 칩의 발열로부터 광량 및 광특성의 안정성을 개선할 수 있는 장점이 있다. 이와 같이 수분 및 열에 대한 안정성을 향상시켜 보다 우수한 신뢰성과 발광 특성을 얻을 수 있다.
또한 고온고습하에서도 우수한 본 발명의 형광체를 사용함으로써 신뢰성이 향상되고 발광 효율이 개선된 백색 발광 소자를 제조할 수 있으며, 일반 조명 및 LCD 배면 광원에 있어서 우수한 광원으로 이용할 수 있는 장점이 있다.
Claims (8)
- 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si,Al)O3 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체.
- 하기 <화학식 1>로 표시되고,<화학식 1>x(CaaSrbBacEud)2SiO4-ySr(SieAlf)O3여기서 x+y=1, a+b+c+d=1, e+f=1이고,상기 a, b, c, f, y는 0≤a≤0.995, 0≤b≤0.995, 0≤c≤0.995, 0≤f≤0.1, 0.1≤y≤0.99의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 형광체.
- 오소실리케이트 형광체와 Sr(Si, Al)O3 화합물을 혼합하는 단계; 및상기 혼합물을 환원성 분위기 로에서 1100 내지 1450℃의 온도로 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법.
- 청구항 3에 있어서,상기 소결하는 단계 이전에 혼합물을 금형 안에 충전 및 가압하여 원하는 형 상으로 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 형광체의 제조 방법.
- 발광 다이오드 칩과 형광체를 포함하는 발광 소자로서,청구항 1 또는 청구항 2에 따른 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 5에 있어서,상기 발광 다이오드 칩은 청색 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 5에 있어서,상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 형성된 홈에 실장되고, 상기 홈의 상부에 상기 형광체로 이루어진 형광체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 7에 있어서,상기 몸체는 기판, 히트 싱크 또는 리드 단자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
| KR20070036932A KR20070036932A (ko) | 2007-04-04 |
| KR100717261B1 true KR100717261B1 (ko) | 2007-05-15 |
Family
ID=38158914
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100717261B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050063398A (ko) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 광주과학기술원 | 저온공정이 가능한 광소자 제작용 필름의 제조방법 |
-
2005
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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