KR100820348B1 - 형광체의 제조 방법 - Google Patents

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KR100820348B1 KR20060058831A KR20060058831A KR100820348B1 KR 100820348 B1 KR100820348 B1 KR 100820348B1 KR 20060058831 A KR20060058831 A KR 20060058831A KR 20060058831 A KR20060058831 A KR 20060058831A KR 100820348 B1 KR100820348 B1 KR 100820348B1
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장미연
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Abstract

본 발명은 형광체의 입자 표면에 유리가 코팅된 것을 특징으로 하는 형광체 를 제공한다. 본 발명은 형광체 입자와 유리 조성물을 혼합하는 단계, 상기 유리 조성물이 용융되어 상기 형광체 입자를 둘러싸도록 열처리하는 단계 및 상기 혼합물을 급냉시켜 형광체를 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 발광 다이오드 칩 및 형광체의 입자 표면에 유리가 코팅된 것을 특징으로 하는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다. 이에 따라, 본 발명은 형광체의 수분 및 열에 대한 안정성을 향상시켜 보다 우수한 신뢰성과 발광 특성을 얻을 수 있으며, 고온고습하에서도 우수한 본 발명의 형광체를 사용함으로써 신뢰성이 향상되고 발광 효율이 개선된 백색 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
발광 다이오드, LED, 형광체, 백색 발광, 발광 효율, LCD 백라이트

Description

형광체의 제조 방법{Method for manufacturing phosphor}
도 1은 본 발명에 따른 형광체를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 형광체의 제조 방법을 도시한 공정 순서도.
도 3은 종래 형광체와 본 발명의 형광체를 사용하여 제조한 발광 다이오드의 광도 변화를 비교한 그래프.
도 4는 본 발명에 따른 형광체를 사용하여 제조한 칩형 발광 다이오드를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 형광체를 사용하여 제조한 램프형 발광 다이오드를 도시한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 발광 다이오드 칩
30, 35 : 전극 40 : 몰딩부
50 : 형광체 60 : 와이어
70, 75 : 리드 단자
본 발명은 형광체, 이의 제조 방법 및 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형광체의 수분 및 열에 대한 안정성을 향상시킬 수 있는 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 청색 또는 자외선 발광 다이오드 칩의 광에 의해 여기되는 형광체는 산화물계 또는 황화물계 형광체 등을 포함한다. 그러나 YAG:Ce와 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등으로 대표되는 산화물계 형광체는 발광 다이오드 칩의 온도 상승에 쉽게 영향을 받아 형광 특성이 급격하게 저하되는 문제점이 있다. 또한, (Ca,Sr)S:Eu, SrGa2S4:Eu, ZnS:Cu,Al 또는 (Zn,Cd)S:Ag,Cl 등의 황화물계 형광체는 수분과 쉽게 반응하여 고유의 형광 특성이 상실되고, 심각한 광도 저하 및 광특성 변화를 초래하는 문제점이 있다. 그에 따라 산화물계 및 황화물계 형광체의 사용상에 제약을 받고 있다.
또한 현재 백색 발광 다이오드를 일반 조명에 응용하기 위해 청색 발광 다이오드 칩의 크기가 점차 커지는 추세인데, 열방출을 위한 특별한 장치 없이 발광 다이오드 칩을 정격 전류 하에서 구동할 때 발광 다이오드 칩의 발광층을 중심으로 순식간에 120℃ 이상의 고열이 발생하며, 이로 인해 형광체의 발광 강도가 현저히 저하된다. 일반적으로 형광체는 주변 온도가 높아지면 임자 결정과 활성 이온 간에 상호 간섭과 격자의 진동에 의한 격자 팽창으로 인해 스펙트럼이 넓어지며 색좌표 변화와 결정장의 약화로 인한 발광 강도의 저하가 발생한다. 이러한 온도에 의한 형광 특성의 감소는 화합물의 결합 강도와 활성 이온과 임자 결정간의 크기에 의해 영향 받는 것으로 알려져 있다.
특히, 백색 발광 다이오드를 이용하는 간접 조명 또는 자동차 전조등과 같은 제품의 경우 동작 온도가 최대 150℃에 도달하기 때문에, 고온에서도 광량 및 색좌표 등의 광특성 변화가 적고 안정성이 우수한 형광체 및 발광 다이오드의 개발이 요구된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 형광체 입자 표면에 유리를 코팅함으로써 형광체의 수분 및 열에 대한 안정성을 향상시키고 보다 우수한 발광 특성을 갖는 형광체 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 고온 고습하에서도 안정한 형광체를 이용하여 신뢰성이 향상되고 발광 효율이 개선된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 형광체의 입자 표면에 유리가 코팅된 것을 특징으로 하는 형광체를 제공한다.
상기 유리는 하기 <화학식 1>로 표시되고,
<화학식 1>
a(M'2)O-b(M''O)-c(M'''2O3)-d(M''''O2)-e(M'''''2O5)
상기 M'은 Li, Na, K을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M''은 Mg, Ca, Sr, Ba, Cu, Zn, Pb, Be을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M'''은 B, Al, Ga, In, Fe, Y, La, Sc, Bi을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M''''은 Si, Ti, Ge, Mn을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 M'''''은 P, Ta, V을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e는 0≤a≤0.6, 0≤b≤0.6, 0≤c≤0.6, 0≤d≤0.95, 0≤e≤0.2의 범위로 설정되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명은 형광체 입자와 유리 조성물을 혼합하는 단계, 상기 유리 조성물이 용융되어 상기 형광체 입자를 둘러싸도록 열처리하는 단계 및 상기 혼합물을 급냉시켜 형광체를 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법을 제공한다.
상기 열처리하는 단계는 500 내지 1500℃의 온도에서 진행할 수 있으며, 상기 형광체를 분쇄하는 단계 이후에, 상기 분쇄된 형광체 입자에 코팅된 유리의 표면 처리를 위해 추가적으로 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 발광 다이오드 칩 및 형광체의 입자 표면에 유리가 코팅된 것을 특징으로 하는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다. 상기 형광체는, 형광체 입자와 유리 조성물을 혼합하는 단계, 상기 유리 조성물이 용융되어 상기 형광체 입자를 둘러싸도록 열처리하는 단계 및 상기 혼합물을 급냉시켜 형광체를 분쇄하는 단계를 포함하는 형광체의 제조 방법에 따라 제조된 것일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
형광체는 임자 결정(Host Lattice)과 적절한 위치에 불순물이 혼입된 활성 이온으로 구성되는데, 활성 이온들의 역할은 발광 과정에 관여하는 에너지 준위를 결정함으로써 발광색을 결정하며, 그 발광색은 결정 구조 내에서 활성 이온이 갖는 기저 상태와 여기 상태의 에너지 차(Energy Gap)에 의해 결정된다. 즉, 활성 이온을 갖는 형광체가 갖는 발광 중심색은 궁극적으로 활성 이온들의 전자 상태 즉, 에너지 준위에 의해 결정된다. 예를 들어, Tb3 + 이온의 경우 임자 결정 내에서 5d →7f 천이가 가장 용이하여 녹황색 발광 형상을 나타낸다.
이러한 에너지 차를 이용한 형광체는 그 종류가 매우 다양하고, 이를 이용하여 다양한 발광색을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으며, 특히, 백색 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
기존의 형광체는 수분과의 반응이나 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 열로 인해 쉽게 열화되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 형광체 제조시 입자 표면에 유리를 코팅 처리함으로써, 수분 과 열에 대한 안정성이 우수한 형광체를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 형광체를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 형광체는 형광체 입자(1)와, 그를 둘러싸는 유리(2)를 포함한다. 이러한 형광체는 형광체의 발광 특성과 더불어, 입자(1) 표면에 코팅된 유리(2)로 인해 외부 환경으로 인한 변화를 최소화할 수 있다. 즉, 형광체 입자로의 수분 침투가 불가능하여 수분과의 반응으로 인한 화학적 특성의 열화를 방지할 수 있고, 유리의 열전도도가 낮기 때문에 단열 효과가 우수하여 고온에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 형광체 입자(1)는 다양한 종류의 형광체를 포함한다. 예를 들어, YAG:Ce와 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등으로 대표되는 산화물계 형광체를 포함하거나, (Ca,Sr)S:Eu, SrGa2S4:Eu, ZnS:Cu,Al 또는 (Zn,Cd)S:Ag,Cl 등의 황화물계 형광체를 포함할 수 있다.
상기 유리(2)는 하기 화학식 1과 같은 구조를 갖는다.
a(M'2)O-b(M''O)-c(M'''2O3)-d(M''''O2)-e(M'''''2O5)
상기 화학식 1에서 M'은 Li, Na, K을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, M''은 Mg, Ca, Sr, Ba, Cu, Zn, Pb, Be을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, M'''은 B, Al, Ga, In, Fe, Y, La, Sc, Bi을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, M''''은 Si, Ti, Ge을 포함하는 그룹에 서 적어도 하나의 원소가 선택되고, M'''''은 P, Ta, V을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택된다.
또한, 상기 화학식 1에서 a, b, c, d, e는 0≤a≤0.6, 0≤b≤0.6, 0≤c≤0.6, 0≤d≤0.95, 0≤e≤0.2의 범위로 설정된다.
상기 유리(2)는 상술한 조성에 한정되지 않고, 열처리에 의해 유리가 될 수 있는 모든 조성을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 형광체는 도시한 바와 같이 하나의 형광체 입자가 유리로 코팅되어 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않고 다수개의 형광체 입자가 유리로 코팅되어 형성될 수도 있다.
이하, 상술한 형광체의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 형광체의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.
도 2를 참조하면, 형광체 입자와 유리 조성물 분말(glass powder)을 혼합하고(S10), 유리 조성물 분말이 용융되어 형광체 입자들을 둘러싸도록 열처리한 후(S20), 이를 급냉(quenching)하여 형광체가 분쇄되도록 한다(S30).
먼저, 형광체 입자와 유리 조성물을 적정 비율로 혼합한다.
상기 형광체로는 다양한 종류의 형광체를 사용할 수 있다. 상기 유리 조성물은 유리화가 가능한 조성물을 사용하며, 예를 들어, 상술한 화학식 1의 조성물을 사용할 수 있다.
상기 형광체 입자와 유리 조성물의 혼합 비율은 형광체 및 유리 조성물의 종류, 원하는 코팅 두께 등에 따라 달라질 수 있으나, 중량비로 98:2 내지 50:50인 것이 바람직하다.
상기 형광체 입자와 유리 조성물의 혼합에 있어서, 이후 열처리시 유리가 형광체 입자의 하나하나를 충분히 둘러쌀 수 있도록 균일하게 혼합되는 것이 바람직하다.
다음으로, 균일하게 혼합된 혼합물을 백금 도가니에 넣어 500 내지 1500℃의 온도에서 열처리를 진행한다. 이 때, 혼합물 내의 유리 조성물이 용융되어 형광체 입자의 하나하나를 완전히 둘러싸도록 충분한 시간, 예를 들어 약 1시간 동안 진행하도록 한다.
이후, 이를 급냉시켜 형광체를 분쇄하도록 한다. 예를 들어, 상기 백금 도가니를 4 내지 5℃의 저온의 물 속에 담그어 급냉시킬 수 있다. 형광체 입자를 둘러싸는 유리가 형광체 입자가 존재하지 않는 경로에서 구조가 가장 취약한 부분을 따라 부서지게 되며, 유리 속에 분포되어 있던 형광체 입자들이 분리된다. 즉, 유리 조성물과 형광체 입자의 혼합으로 이루어진 덩어리를 급냉시킴에 따라, 유리는 형광체가 존재하지 않는 경로의 취약한 부분을 따라 부서지게 된다.
이로써 형광체 입자 표면에 유리가 코팅된 형광체를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 형광체의 제조 공정은 상술한 바에 한정되지 않고, 원하는 특성 및 공정상 편의에 따라 다양한 수정과 변경이 가능하다. 즉, 상기 분쇄된 형광체 입자를 둘러싸는 유리의 표면을 매끄럽게 하기 위해 표면 처리 공정, 예를 들어 800 내지 900℃의 온도에서 추가적인 열처리 공정을 진행할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이 기존의 형광체는 수분과의 반응으로 인해 화학적 특 성의 열화를 야기하며, 발광 다이오드에 적용시 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 열에 의해 발광 특성이 급격하게 저하되는 현상이 발생한다.
반면에 본 발명은 상술한 제조 공정을 통해 입자 표면이 유리로 코팅된 형광체를 제조함으로써, 수분과 열에 대한 안정성을 개선하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 즉, 형광체 입자로의 수분 침투가 불가능하여 수분과의 반응으로 인한 화학적 특성의 열화를 방지할 수 있고, 유리의 열전도도가 낮기 때문에 단열 효과가 우수하여 고온에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 종래 형광체와 본 발명의 형광체를 사용하여 제조한 발광 다이오드의 광도 변화를 비교한 그래프이다. 일반적인 YAG:Ce 형광체와, 입자 표면에 유리가 코팅된 YAG:Ce 형광체를 함유하는 실리콘 수지를 발광 다이오드 칩에 각각 도포한 발광 다이오드에 있어서, 온도 증가에 따른 광도 변화를 측정하였고 초기값을 100(%)으로 하여 초기값 대비 광도 변화를 나타내었다. 광도 변화는 온도가 증가함에 따라 형광체의 화학적 특성의 열화로 인해 광특성이 상실되는 것이다. 도면에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 따라 입자 표면에 유리가 코팅된 형광체의 광도 변화가 종래 형광체에 비해 상당히 적은 것을 볼 수 있다. 즉, 본 발명은 형광체 입자 표면에 코팅된 유리의 단열 효과가 우수하여 온도 증가에 따른 영향을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 광특성의 저하를 방지할 수 있음을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명은 입자 표면에 유리가 코팅된 형광체를 제조함으로써, 형광체의 발광 특성과 더불어 수분 및 열에 대한 화학적 안정성을 확보하여 향상된 신뢰성을 얻을 수 있다.
이하, 상술한 형광체를 이용한 본 발명의 발광 다이오드에 관해 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 형광체를 사용하여 제조한 칩형 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 제 1 및 제 2 전극(30, 35)과, 제 1 전극(30) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(20)과, 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(40)를 포함한다. 상기 몰딩부(40)에는 상술한 바와 같이 입자(51) 표면에 유리(52)가 코팅된 형광체(50)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다.
상기 기판(10)은 발광 다이오드 칩(20)이 실장되는 중심 영역에 소정의 홈을 형성하여 홈의 측벽면에 소정의 기울기를 형성할 수 있다. 이 때 상기 발광 다이오드 칩(20)은 홈의 하부 면에 실장되고, 소정의 기울기를 갖는 측벽면으로 인해 발광 다이오드 칩(20)에서 발광하는 광의 반사를 극대화하고 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
또한 상기 기판(10)은 발광 다이오드 칩(20)의 열을 외부로 방출하기 위한 히트 싱크를 더 포함할 수도 있다. 예를 들어 기판(10) 상의 발광 다이오드 칩(20)이 실장될 소정 영역을 제거하여 관통공을 형성하고, 그 내부에 히트 싱크를 삽입 장착하여 히트 싱크 상부에 발광 다이오드 칩(20)을 실장할 수도 있다. 히트 싱크로 열전도성이 우수한 물질을 사용하는 것이 바람직하고, 열전도성 및 전기 전도성 이 우수한 금속을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 전극(30, 35)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 전극(30, 35)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속 물질로 형성할 수 있으며, 제 1 전극(30)과 제 2 전극(35)은 전기적으로 단전되도록 형성한다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 자외선(UV) 발광하는 발광 다이오드 칩을 사용할 수 있으며, 이에 한정되지 않고, GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 계열의 청색 발광하는 발광 다이오드 칩을 사용할 수도 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(20)의 개수는 하나일 수도 있고, 목적하는 바에 따라 다수 개로 구성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 제 1 전극(30) 상에 실장되고, 와이어(60)를 통하여 제 2 전극(35)과 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 다이오드 칩(20)이 전극(30, 35) 상에 실장되지 않고 기판(10) 상에 형성되는 경우에, 2개의 와이어(60)를 통하여 각각 제 1 전극(30) 또는 제 2 전극(35)과 연결될 수 있다.
또한, 기판(10) 상부에는 상기 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하기 위한 몰딩부(40)가 형성된다. 상기 몰딩부(40) 내에는 상술한 본 발명에 따른 형광체(50)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다. 몰딩부(40)는 소정의 투명 에폭시 수지와 상기 형광체(50)들의 혼합물을 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 몰딩부(40)를 형성할 수 있다. 몰딩부(40)는 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 형광체를 사용하여 제조한 램프형 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 다이오드는 반사부가 형성된 제 1 리드 단자(70)와, 상기 제 1 리드 단자(70)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(75)로 구성된다. 상기 제 1 리드 단자(70)의 반사부 내에 발광 다이오드 칩(20)이 실장되고, 와이어(60)를 통하여 제 2 리드 단자(75)와 전기적으로 연결된다. 상기 발광 다이오드 칩(20)의 상부에는 입자(51) 표면에 유리(52)가 코팅된 형광체(50)를 포함하는 몰딩부(40)가 형성되고, 리드 단자(70, 75)의 선단에는 성형용 틀을 이용하여 형성한 외주 몰딩부(45)를 포함한다. 상기 몰딩부(40) 내에는 상기 발광 다이오드 칩(20)으로부터 방출된 광을 흡수하여 파장 전환시키는 본 발명의 상술한 형광체(50)가 균일하게 혼합되어 있다. 상기 외주 몰딩부(45)는 발광 다이오드 칩(20)에서 방출된 광의 투과율을 향상시킬 수 있도록 투명한 에폭시 또는 실리콘 수지로 제작된다.
본 발명의 기술적 요지는 상기 상술한 예에 한정되는 것이 아니라 여러 가지 수정과 변형이 가능하며, 다양한 구조의 제품에 응용될 수 있다.
이러한 본 발명의 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩(20)으로부터 1차 광이 방출되고, 1차 광에 의해 형광체(50)는 파장변환된 2차 광을 방출하여, 이들의 혼색으로 원하는 스펙트럼 영역의 색을 구현한다.
예를 들어, 청색 발광 다이오드 칩과 황색 형광체를 이용하여 이들의 혼색으로 백색 발광을 구현할 수 있다. 또한, 자외선 발광 다이오드 칩과 적색, 녹색 및 청색 형광체를 이용하여 백색 발광을 구현할 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드는 입자 표면에 유리가 코팅된 형광체를 사용함으로써, 종래에 비해 형광체의 수분 및 열에 대한 안정성이 우수하기 때문에 형광체의 수명을 연장할 수 있고 발광 다이오드의 발광 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술 분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
본 발명은 입자 표면에 유리가 코팅된 형광체를 제조함으로써, 수분 침투를 방지할 수 있고 발광 다이오드 칩의 발열로부터 광량 및 광특성의 안정성을 개선할 수 있다. 이와 같이 형광체의 수분 및 열에 대한 안정성을 향상시켜 보다 우수한 신뢰성과 발광 특성을 얻을 수 있다.
또한 고온고습하에서도 우수한 본 발명의 형광체를 사용함으로써 신뢰성이 향상되고 발광 효율이 개선된 백색 발광 다이오드를 제조할 수 있으며, 일반 조명 및 LCD 배면 광원에 있어서 우수한 광원으로 이용할 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 형광체 입자와 유리 조성물을 혼합하는 단계;
    상기 유리 조성물이 용융되어 상기 형광체 입자를 둘러싸도록 열처리하는 단계; 및
    상기 혼합물을 급냉시켜 형광체를 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는 500 내지 1500℃의 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법.
  5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 형광체를 분쇄하는 단계 이후에,
    상기 분쇄된 형광체 입자에 코팅된 유리의 표면 처리를 위해 추가적으로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
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