KR100666189B1 - 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 청색 및 자외선 발광 다이오드 칩 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 의한 발광 소자는 녹색에서 적색에 이르는 연속적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 보다 우수한 연색성과 색재현성을 얻을 수 있고, 일반 조명 및 플래시용 뿐만 아니라, LED 배면광원으로도 사용가능한 장점이 있다.
발광 소자, LED, 백색 발광, 형광체, 실리케이트, 오소실리케이트
Description
도 1은 본 발명에 의한 칩형 발광 소자를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 탑형 발광 소자를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 램프형 발광 소자를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 하우징을 포함한 발광 소자를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 발광 소자에 사용되는 오소실리케이트계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프.
도 6은 본 발명의 발광 소자에 사용되는 알칼리 토금속 황화물계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프.
도 7은 본 발명의 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프.
도 8은 본 발명의 발광 소자의 발광 스펙트럼을 일반적인 LCD 색필터의 투과도와 함께 도시한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 발광 다이오드 칩
30, 35 : 전극 40 : 반사기
50 : 몰딩부 60, 70 : 형광체
80 : 와이어 90, 95 : 리드 단자
100 : 하우징
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 향상된 연색성으로 인해 일반 조명 또는 플래시용 뿐만 아니라 우수한 색재현성에 의해 LED 배면 광원용으로도 사용가능한 백색 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자(light emission diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 소자, GaP 등을 이용한 녹색 발광 소자, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 소자 등이 있다.
발광 소자는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 소자 외에 백색 발광 소자들이 출시되고 있다. 백색 발광 소자는 자동차용 및 조명용 제품에 응용되면서, 그 수요가 급속히 증가할 것으로 예상된다.
발광 소자 기술에서 백색을 구현하는 방식은 크게 두 가지로 구분 가능하다. 첫번째는 적색, 청색, 녹색 발광 다이오드 칩을 인접하게 설치하고, 각 소자의 발광을 혼색시켜 백색을 구현하는 방식이다. 그러나, 각 발광 다이오드 칩은 열적 또 는 시간적 특성이 상이하기 때문에 사용 환경에 따라 색조가 변하고 특히, 색얼룩이 발생하는 등 균일한 혼색을 구현하지 못하며, 휘도가 높지 않은 단점이 있다. 또한 각 발광 다이오드 칩의 구동을 고려한 회로 구성이 복잡하며, 칩의 위치에 따라서 삼색광이 혼합되는 최적의 조건이 일반적으로 패키지 형태상 이루어지기 힘들기 때문에 완전한 백색광의 구현이 어렵다. 더욱이 연색성은 40 정도로 낮기 때문에 일반 조명이나 플래시 광원으로 부적합하다.
두번째는 형광체를 발광 다이오드 칩에 배치시켜, 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현하는 방식이다. 예를 들어 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 부착시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻을 수 있다. 또한 자외선을 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 발광된 UV광을 흡수하여 청색에서 적색까지의 가시광선을 발광하도록 형광체를 도포하여 백색을 얻을 수 있다.
일반적으로 백색 발광을 위하여 450 내지 470㎚ 파장의 청색 발광 다이오드 칩과 YAG:Ce 또는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등의 황색 형광체를 사용한다. 청색 광원에 의해 황색 형광체를 여기, 발광시킴으로써, 청색과 황색의 혼색에 의해 백색을 발광할 수 있다.
그러나 이러한 발광 소자는 녹색과 적색 영역의 스펙트럼 결핍으로 인해 연색성이 낮은 문제점이 있다. 즉, 청색 발광 다이오드 칩과 황색 형광체의 조합으로 이루어진 백색 발광 소자는 녹색과 적색부의 스펙트럼 결핍으로 인해 이를 일반 조명, 특히 사진기용 플래시 광원으로 사용하는 경우에 사물의 본연의 색을 충분히 반영하지 못하는 색 왜곡 현상을 야기하게 된다.
또한 LCD 배면 백색 광원으로 이용되는 경우에 RGB 색필터를 투과했을 때 표현할 수 있는 색재현 범위가 상당히 좁기 때문에 보다 자연색에 가까운 화상을 구현하는데 있어 제약을 받는다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 청색 또는 자외선 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색부터 황색 영역까지의 파장 대역을 갖는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와, 적색의 파장 대역을 갖는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 혼합 분포시킴으로써, 연색성이 높은 백색광을 발광하고 일반 조명 및 플래시용으로 사용가능한 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 LCD 배면 광원에 있어서 종래 청색 발광 다이오드 칩과 황색 발광 형광체로 구성된 백색 발광 소자보다 색재현 범위를 최대 40% 이상 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 청색 및 자외선 발광 다이오드 칩 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 제공한다.
상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,
<화학식 1>
a(MⅠO)·b(MⅡO)·c(MⅢA)·d(MⅢ 2O)·e(MⅣ 2O3)·f(MⅤ oOp)·g(SiO2)·h(MⅥ xOy)
상기 MⅠ은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅡ은 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd) 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅢ은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅣ은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅤ은 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅥ은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 A는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5의 범위로 설정되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,
<화학식 2>
((Ba,Sr,Ca)1-x(Pb,Cu)x)2SiO4:Eu,B
상기 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 한다.
상기 오소실리케이트계 형광체는 조성에 따라 505㎚ 내지 605㎚ 파장의 광을 방출할 수 있다.
상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 3>으로 표시되고,
<화학식 3>
(Ca, Sr)1-x-yEuxCy(S1-zSez)
상기 C는 Mn 및 Pb를 포함하는 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 x는 0.0005 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, y는 0.0002 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, z는 0 내지 1의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 4>로 표시되고,
<화학식 4>
(Ca,Sr)1-x-yEuxPbyS
상기 x는 0.0005 내지 0.01의 범위 내로 설정되고 y는 0.0002 내지 0.05의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 한다.
상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 조성에 따라 600㎚ 내지 660㎚ 파장의 광을 방출할 수 있다.
본 발명의 발광 소자는 상기 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함할 수 있다.
상기 청색 발광 다이오드 칩은 420 내지 480㎚ 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 실장되고, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함할 수 있으며, 상기 몰딩부는 상기 오소실리케이트계 형광체와 알칼리 토금속 황화물계 형광체가 혼합되어 분포될 수 있다. 상기 몸체는 기판, 히트 싱크 또는 리드 단자 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명은 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하고, 연색성이 향상되어 일반 조명 또는 플래쉬용으로 사용되는 발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하고, 색재현 범위가 향상되어 LCD 배면광원용으로 사용되는 발광소자를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광 소자를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명에 따른 발광 소자는 녹색부터 황색 영역까지의 파장 대역을 갖는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색의 파장 대역을 갖는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하여 장파장 자외선(UV) 영역 및 청색 영역대의 여기하에 매우 우수한 녹색, 황색 및 적색 발광을 나타낼 수 있다.
상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 화학식 1과 같은 구조를 갖는다.
상기 화학식 1에서 MⅠ은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, MⅡ은 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd) 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, MⅢ은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, MⅣ은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, MⅤ은 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, MⅥ은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, A는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택된다.
또한 상기 화학식 1에서 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5의 범위로 설정된다.
상기 오소실리케이트계 형광체는 바람직하게는 하기 화학식 2로 표현된다.
상기 화학식 2에서 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택된다. 또한 상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되며, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정된다.
상기 오소실리케이트계 형광체의 대표적인 조성은 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 표현된다.
상기 화학식 3으로 표현되는 형광체는 527nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 4로 표현되는 형광체는 592nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 5로 표현되는 형광체는 605nm 파장의 광을 방출한다. 이와 같이 상기 오소실리케이트계 형광체는 원소 및 조성에 따라 발광 파장의 조절이 가능하다.
또한 상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 화학식 6과 같은 구조를 갖는다.
상기 화학식 6에서 C는 Mn 및 Pb를 포함하는 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택된다. 또한 상기 x는 0.0005 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, y는 0.0002 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, z는 0 내지 1의 범위 내로 설정된다.
상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 바람직하게는 하기 화학식 7과 같은 구조를 갖는다.
상기 화학식 7에서 상기 x는 0.0005 내지 0.01의 범위 내로 설정되며, y는 0.0002 내지 0.05의 범위 내로 설정된다.
상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체의 대표적인 조성은 하기 화학식 8 내지 화학식 10으로 표현된다.
상기 화학식 8로 표현되는 형광체는 650nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 9로 표현되는 형광체는 630nm 파장의 광을 방출하고, 상기 화학식 10으로 표현되는 형광체는 648nm 파장의 광을 방출한다. 이와 같이 상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 원소 및 조성에 따라 발광 파장의 조절이 가능하다.
본 발명은 상술한 형광체를 사용하여 장파장 자외선 영역 및 청색 영역대의 여기하에 매우 우수한 녹색, 황색 및 적색광을 구현할 수 있다. 자외선 발광 다이오드 칩의 경우에 상기의 형광체를 각각 또는 혼합 사용하여 녹색, 적색 및 백색의 다양한 색을 구현할 수 있다. 또한, 청색 발광 다이오드 칩의 경우에 상기의 형광체를 각각 또는 혼합 사용하여 블루라군, 핑크 및 백색의 다양한 색을 구현할 수 있다.
이하, 상술한 형광체를 이용한 본 발명의 발광 소자에 관해 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 칩형 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 전극(30, 35)과, 제 1 전극(30) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(20)과, 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(50)를 포함한다. 상기 몰딩부(50)에는 상술한 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체(60)와, 알칼리 토금속 황화물계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다.
상기 기판(10)은 발광 다이오드 칩(20)이 실장되는 중심 영역에 소정의 홈을 형성하여 홈의 측벽면에 소정의 기울기를 형성할 수 있다. 이 때 상기 발광 다이오드 칩(20)은 홈의 하부 면에 실장되고, 소정의 기울기를 갖는 측벽면으로 인해 발광 다이오드 칩(20)에서 발광하는 광의 반사를 극대화하고 발광 효율을 증대시킬 수 있다.
상기 전극(30, 35)은 기판(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 35)으로 구성한다. 상기 제 1 및 제 2 전극(30, 35)은 인쇄 기법을 통해 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 전극(30, 35)은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속 물질로 형성하되, 제 1 전극(30)과 제 2 전극(35)은 전기적으로 단전되도록 형성한다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN 계열의 청색 발광하는 발광 다이오드 칩을 사용한다. 본 실시예는 420 내지 480 ㎚ 범위의 청색 광을 방출하는 발광 다이오드 칩을 사용한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 청색 광뿐만 아니라 250 내지 410 ㎚ 범위의 자외선(UV)을 방출하는 발광 다이오드 칩을 사용할 수도 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(20)의 개수는 하나일 수도 있고, 목적하는 바에 따라 다수 개로 구성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩(20)은 제 1 전극(30) 상에 실장되고, 와이어(80)를 통하여 제 2 전극(35)과 전기적으로 연결된다. 또한, 발광 다이오드 칩(20)이 전극(30, 35) 상에 실장되지 않고 기판(10) 상에 형성되는 경우에, 2개의 와이어(80)를 통하여 각각 제 1 전극(30) 또는 제 2 전극(35)과 연결될 수 있다.
또한 기판(10) 상부에는 상기 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하기 위한 몰딩부(50)가 형성된다. 상기 몰딩부(50) 내에는 상술한 바와 같이 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체(60)와, 알칼리 토금속 황화물계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다. 몰딩부(50)는 소정의 투명 에폭시 수지와 상기 형광체(60, 70)들의 혼합물을 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 몰딩부(50)를 형성할 수 있다. 몰딩부(50)는 광학 렌즈 형태, 평판 형태 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다.
이러한 본 발명의 발광 소자는 발광 다이오드 칩(10)으로부터 1차 광이 방출되고, 1차 광에 의해 각 형광체(60, 70)는 파장변환된 2차 광을 방출하여, 이들의 혼색으로 원하는 스펙트럼 영역의 색을 구현한다. 즉, 청색 발광 다이오드 칩으로부터 청색광이 방출되고, 청색광에 의해 오소실리케이트계 형광체는 녹색에서 황색 파장까지의 광을 방출하고 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 적색 파장의 광을 방출한다. 그리하여 1차 광인 청색 광의 일부와, 2차 광인 녹색, 황색 및 적색광이 혼색되어 백색광을 구현할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 소자는 녹색에서 적색에 이르는 연속적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 연색성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 탑형 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 전극(30, 35)과, 제 1 전극(30) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(20)을 포함한다. 이는 상기 칩형 발광 소자의 구성과 거의 동일하며, 이에 대한 구체적 설명은 도 1에 관련된 설명으로 대신한다. 단지 탑형 발광 소자는 상기 기판(10)의 상부에 발광 다이오드 칩(20)을 둘러싸도록 형성된 반사기(40)를 포함하며, 상기 반사기(40)의 중앙 홀에 발광 다이오드 칩(20)의 보호를 위해 충진된 몰딩부(50)를 포함한다.
광의 휘도 및 집광 능력을 향상시키기 위해 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 반사기(40)의 내측벽이 소정 기울기를 갖도록 형성할 수 있다. 이는 발광 다이오드 칩(20)에서 발광하는 광의 반사를 극대화하고, 발광 효율을 증대하기 위해 바람직하다.
상기 몰딩부(50)에는 상술한 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체(60)와, 알칼리 토금속 황화물계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다. 그리하여 발광 다이오드 칩(20)에서 발생되는 1차 광과, 각 형광체들(60, 70)에 의해 파장변환된 2차 광들이 혼색되어, 원하는 스펙트럼 영역의 색이 구현되는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 램프형 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 반사부(45)가 형성된 제 1 리드 단자(90)와, 상기 제 1 리드 단자(90)와 소정 간격 이격된 제 2 리드 단자(95)로 구성된다. 상기 제 1 리드 단자(90)의 반사부(45) 내에 발광 다이오드 칩(20)이 실장되고, 와이어(80)를 통하여 제 2 리드 단자(95)와 전기적으로 연결된다. 상기 발광 다이오드 칩(20)의 상부에는 형광체(60, 70)를 포함하는 몰딩부(50)가 형성되고, 리드 단자(90, 95)의 선단에는 성형용 틀을 이용하여 형성한 외주 몰딩부(55)를 포함한다. 상기 몰딩부(50) 내에는 상기 발광 다이오드 칩(20)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체(60)와 알칼리 토금속 황화물계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 있다. 상기 외주 몰딩부(55)는 발광 다이오드 칩(20)에서 방출된 광의 투과율을 향상시킬 수 있도록 투명한 에폭시 수지로 제작된다.
도 4는 본 발명에 따른 하우징을 포함한 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 발광 소자는 양측에 전극(30, 35)이 형성되고 관통홀을 포함하는 하우징(100)과, 상기 하우징(100)의 관통홀에 장착되는 기판(10)과, 기판(10) 상에 실장되는 발광 다이오드 칩(20)을 포함한다. 이 때 상기 기판(10)은 열전도성이 우수한 재질을 사용하여 히트 싱크로 구성함으로써, 발광 다이오드 칩(20)에서 발산되는 열의 방출을 더욱 효과적으로 할 수 있다. 또한 상기 발광 다이오드 칩(20)을 봉지하는 몰딩부(50)를 포함하고, 상기 몰딩부(50)에는 상술한 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체(60)와 알칼리 토금속 황화물계 형광체(70)가 균일하게 혼합되어 분포되어 있다.
본 실시예의 전극(30, 35)은 기판(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 제 1 및 제 2 전극(30, 35)으로 구성한다. 상기 발광 다이오드 칩(20)은 기판(10) 상에 실장되고, 와이어(80)를 통하여 제 1 전극(30) 또는 제 2 전극(35)과 전기적으로 연결된다.
이와 같이 본 발명은 다양한 구조의 제품에 응용될 수 있으며, 본 발명의 기술적 요지는 상기 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 여러 가지 수정과 변형이 가능하다.
도 5는 본 발명의 발광 소자에 사용되는 오소실리케이트계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도면에서 볼 수 있듯이, 호스트의 조성 및 발광 중심 원소의 농도에 따라 최하 505㎚에서 최대 605㎚의 발광 파장의 조절이 가능하며 우수한 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 발광 소자에 사용되는 알칼리 토금속 황화물계 형광체의 조성에 따른 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도면에서 볼 수 있듯이, 호스트의 조성 및 발광 중심 원소의 농도에 따라 최하 600㎚에서 최대 660㎚의 발광 피크의 조절이 가능하며 우수한 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 7은 청색 발광 다이오드 칩과 두 종류의 오소실리케이트계 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 사용한 본 발명의 발광 소자의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 상기 형광체로는 515nm 발광 파장의 (Ba0.45Sr0.45Pb0.1)2SiO4:Eu와, 565nm의 (Sr0.795Ba0.2Pb0.005)2SiO4:Eu와, 650nm 발광 파장의 Ca0.897Pb0.1Eu0.003S를 사용하였다.
도면을 참조하면, 청색 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 1차 광과, 1차 광의 일부를 형광체가 흡수 또는 여기되어 방출되는 2차 광인 녹색, 황색 및 적색광이 혼색되어 백색이 구현됨을 알 수 있다. 이에 따라, 청색 발광 다이오드 칩과 황색 형광체를 사용하는 종래 백색 발광 소자에 비해 보다 높은 연색성을 얻을 수 있다.
도 8은 청색 발광 다이오드 칩과 한 종류의 오소실리케이트계 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 사용한 본 발명의 발광 소자의 발광 스펙트럼을 일반적인 LCD 색필터의 투과도와 함께 도시한 그래프이다. 상기 형광체로는 515nm 발광 파장의 (Ba0.45Sr0.45Pb0.1)2SiO4:Eu와, 650nm 발광 파장의 Ca0.897Pb0.1Eu0.003S를 사용하였다.
도면을 참조하면, 청색 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 1차 광과, 1차 광의 일부를 형광체가 흡수 또는 여기되어 방출되는 2차 광인 녹색 및 적색광이 혼색되어 백색이 구현됨을 알 수 있다. 이는 종래 백색 발광 소자에 비해 보다 향상된 색재현 범위를 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 발광 소자는 오소실리케이트계 형광체 및 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하여 장파장 자외선 영역 및 청색 영역대의 여기하에 매우 우수한 녹색, 황색 및 적색광을 발광함으로써, 자외선 발광 다이오드용 녹색, 적색 및 백색 발광 소자와 청색 발광 다이오드용 녹색, 핑크 및 백색 발광 소자와 같이 장파장 자외선 및 청색 영역대를 에너지원으로 하는 다양한 응용 분야에 적용할 수 있는 장점이 있다.
특히, 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색부터 황색 영역까지의 파장 대역을 갖는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색의 파장 대역을 갖는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 혼합 분포시킴으로써, 녹색에서 적색에 이르는 연속 적인 스펙트럼을 갖는 백색광을 구현하여 보다 우수한 연색성을 갖는 백색 발광 소자를 제공할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광 소자는 90 이상의 고연색성의 백색광을 구현할 수 있기 때문에 일반 조명 뿐 아니라 플래시용으로 사용할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명의 발광 소자는 우수한 색재현성으로 인해 LED 배면광원으로도 사용가능하다.
Claims (13)
- 청색 및 자외선 발광 다이오드 칩 중 적어도 어느 하나의 발광 다이오드 칩과,상기 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 1>로 표시되고,<화학식 1>a(MⅠO)·b(MⅡO)·c(MⅢA)·d(MⅢ 2O)·e(MⅣ 2O3)·f(MⅤ oOp)·g(SiO2)·h(MⅥ xOy)상기 MⅠ은 납(Pb) 및 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅡ은 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd) 및 망간(Mn)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅢ은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au) 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅣ은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅤ은 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 MⅥ은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb) 및 루테튬(Lu)을 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고, 상기 A는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 및 요오드(I)를 포함하는 그룹에서 적어도 하나의 원소가 선택되고,상기 a, b, c, d, e, f, g, h, o, p, x, y는 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 1≤y≤5의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 2에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 하기 <화학식 2>로 표시되고,<화학식 2>((Ba,Sr,Ca)1-x(Pb,Cu)x)2SiO4:Eu,B상기 B는 Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어진 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고,상기 x는 0 내지 1의 범위 내로 설정되고, Eu와 B는 0 내지 0.2의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 오소실리케이트계 형광체는 조성에 따라 505㎚ 내지 605㎚ 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 3>으로 표시되고,<화학식 3>(Ca, Sr)1-x-yEuxCy(S1-zSez)상기 C는 Mn 및 Pb를 포함하는 그룹으로부터 적어도 하나의 원소가 선택되고,상기 x는 0.0005 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, y는 0.0002 내지 0.1의 범위 내로 설정되고, z는 0 내지 1의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 하기 <화학식 4>로 표시되고,<화학식 4>(Ca,Sr)1-x-yEuxPbyS상기 x는 0.0005 내지 0.01의 범위 내로 설정되고 y는 0.0002 내지 0.05의 범위 내로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 5에 있어서,상기 알칼리 토금속 황화물계 형광체는 조성에 따라 600㎚ 내지 660㎚ 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 청색 발광 다이오드 칩은 420 내지 480㎚ 파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 다이오드 칩은 몸체 상에 실장되고, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 더 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 오소실리케이트계 형광체와 알칼리 토금속 황화물계 형광체가 혼합되어 분포된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청구항 10에 있어서,상기 몸체는 기판, 히트 싱크 또는 리드 단자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 적어도 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하고, 연색성이 향상되어 일반 조명 또는 플래쉬용으로 사용되는 발광소자.
- 청색 발광 다이오드 칩의 상부에 녹색에서 황색 영역의 광을 발광하는 하나의 오소실리케이트계 형광체와 적색 영역의 광을 발광하는 알칼리 토금속 황화물계 형광체를 포함하고, 색재현 범위가 향상되어 LCD 배면광원용으로 사용되는 발광소자.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002105449A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 緑色発光蛍光体とそれを用いた発光装置 |
| US20040051111A1 (en) | 2000-12-28 | 2004-03-18 | Koichi Ota | Light emitting device |
| US20050082574A1 (en) | 2000-12-28 | 2005-04-21 | Stefan Tasch | Light source with a light-emitting element |
| KR20040092141A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 럭스피아 주식회사 | 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치 |
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