WO2011059184A2 - 형광체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646—Optical properties

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor and a method for producing the same, and more particularly, to a phosphor made of an amorphous material, an amorphous / crystalline composite material, or a crystalline material, and a method for producing the same.
  • the characteristic required for phosphors for white LEDs using UV LEDs should be that the excitation wavelength matches the wavelength of the light emitted from the UV LEDs, absorbing a wavelength of 350-410 nm that is different from the phosphors developed for CRT and PDP. Material is needed.
  • the required characteristics of the phosphor is a material that absorbs a wavelength of 460 nm, which is an excitation wavelength, and a phosphor emitting green and red required is required.
  • Inorganic phosphors are composed of a matrix composed of an inorganic material and an activator ion, and there are sulfides, oxides, nitrides, oxynitrides, and the like, depending on the anion forming the parent, and the physicochemical stability is very high. Such materials exhibit excellent fluorescence properties only at high crystallinity and composition purity.
  • the form of the phosphor using glass is an active cover glass that combines cover glass and phosphor function, and a glass phosphor encapsulant in which phosphor is mixed using glass as a matrix. It is also used to ensure reliability.
  • the present invention uses the characteristics of a high-speed cooling method in a ceramic material, the phosphor of the amorphous material, amorphous / crystalline composite material, or a crystalline material having improved properties or a desired shape such as bulk or powder, and a manufacturing method thereof To provide.
  • the melting may be performed in an air, vacuum, argon or nitrogen atmosphere, but melting at a temperature of 400 ° C. higher than the melting point (Tm) to the melting point (superheating).
  • an amorphous phosphor may be prepared using the above melting and cooling, and then heat-treated to produce an amorphous phosphor in which part or all of the amorphous phosphor is crystallized.
  • a composite material in which part or all of the amorphous material is crystallized may be provided.
  • the phosphor powder is 3 ⁇ m or less, the particle size is uniform, and spherical characteristics are required, whereas the solid phase reaction method does not uniform the particle size of the phosphor.
  • the average particle size in the distribution is approximately 5 ⁇ m, they typically exhibit a wide distribution range of about 1 to 20 ⁇ m.
  • Such a limitation in the manufacturing method is a problem to be solved in order that the phosphor powder has better color rendering characteristics and the luminous efficiency is improved.
  • This method involves cooling the molten metal by disintegrating the molten liquid into a high-speed, high-pressure gas or liquid coolant while allowing the molten metal to flow through the nozzle.
  • Processes belonging to this manufacturing method include gas / water atomization and vacuum explosion / evaporation.
  • the gas used is air, inert gas, nitrogen, etc. and is selected according to the characteristics of the material.
  • the injection space is used by filling the same gas atmosphere, a liquid containing vacuum or water, liquefied nitrogen, and the like.
  • Cooling in this way is known to achieve a cooling rate of 10 2 ⁇ 10 9 °C / sec, and by cooling the liquefied material material consisting of a material or glass material (amorphous, amorphous) of a completely different characteristics than the general crystalline material It can be obtained at room temperature.
  • the amorphous powder may be obtained by projecting or spraying the mixed powder onto a water-cooled Cu substrate which is pulverized, melted and rotated.
  • SiO2, SrO2, Si3N4, Eu2O3 can be mixed in a certain ratio, and then put in alumina, graphite, or BN crucible and melted for 1-4 hours at 1600 ⁇ 1800 °C in vacuum or atmosphere. Do.
  • the molten material is projected or sprayed onto a water-cooled Cu substrate rotating in a nitrogen atmosphere to form an amorphous phosphor.
  • the phosphor was pulverized lightly using a zirconia ball and a container at 100 rpm and BPR 10: 1 conditions as needed to prepare a powder, and then crystallinity was measured by XRD.
  • by heating the amorphous material at 600 to 1300 ° C. by high-speed cooling it is possible to provide an inorganic or phosphor material in which part or all of the amorphous material is crystallized.

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Abstract

본 발명은 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 고온에서 용융하여 가스 분사법 등을 이용한 고속 냉각에 의해 무정형(amorphous) 형광 소재를 제조하고 이후 이를 열처리하여 전체가 무정형이거나 무정형의 일부 또는 전부가 결정화되는 것을 특징으로 하는 형광체의 합성에 관한 것이다.

Description

형광체 및 그 제조 방법
본 발명은 형광체 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무정형(amorphous) 소재, 무정형/결정성 복합 소재, 혹은 결정성 소재로 된 형광체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
백색 LED는 기존 조명에 비하여 뛰어난 에너지 절약형 광원으로 많은 연구가 이루어지고 있다. 백색 LED가 기존의 백열등과 형광등을 대체하게 되는 경우 조명에 사용되는 전기 소모량을 50% 이상 절약할 수 있을 것으로 예상되기 때문이다.
백색 LED 개발에 있어서 LED 개발뿐만 아니라 여기에 사용되는 형광체의 개발도 중요한 발명 분야이다. 백색 LED용 형광체는 LED로부터 나오는 빛을 다양한 가시광, 즉, 적황녹청색광으로 전환하는 물질로서, LED를 이용하여 백색 조명을 구현하기 위해서는 적황녹청색광을 내는 소재가 필요하다. 상업적으로 만들어진 최초의 백색 LED는 일본의 Nichia에서 개발된 청색 LED(GaInN, GaN)에 노란색 형광체(YAG:Ce3+)를 코팅하여 백색광을 구현한 것이다.
UV LED를 사용하는 백색 LED용 형광체에 요구되는 특성은 여기 파장이 UV LED에서 나오는 빛의 파장과 일치해야 하는데, 지금까지 CRT나 PDP 등을 위해 개발된 형광체와는 다른 350~410nm의 파장을 흡수하는 물질이 필요하다. 또한 현재 상용화되고 있는 청색 LED를 사용하는 경우 형광체에 요구되는 특성은 여기 파장인 460nm의 파장을 흡수하는 물질로 필요한 녹색 및 적색을 발광하는 형광체가 요구된다.
무기 형광체는 무기 물질로 이루어진 모체와 활성제 이온으로 구성되며, 모체를 이루는 음이온에 따라서 황화물계, 산화물계, 질화물계, 산질화물계 등이 있으며 물리화학적 안정성이 매우 높다. 이러한 소재들은 결정성(crystallinity) 및 조성의 순도가 높아야 뛰어난 형광 특성을 나타낸다.
최근 형광체의 적용을 위해 무정형(유리질, amorphous) 형광체에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 현재 유리질을 사용한 형광체의 형태는 커버 글래스(cover glass)와 형광체 기능을 결합한 액티브 커버 글래스(active cover glass) 및 유리질을 매트릭스(matrix)로 사용하여 형광체를 섞어 놓은 글래스 형광체 봉지재로서, 고온의 악조건에서도 신뢰성을 확보하는 기능을 위해 사용되고 있다.
즉, 이 형광체는 레진이 없는(resin free) 무기 물질로 형광체가 구성되므로 내구성이 좋아 고온 고습에서도 오랜 수명을 가질 수 있으며 고출력의 레이저에도 뛰어난 내구성을 보일 수 있고 유리질-세라믹(glass-ceramic) 형광체는 동일 조성의 형광체를 가지고도 두께 조절을 통해 색온도 및 색좌표를 맞출 수 있어 색상 표현의 자유도가 높다.
유리질-세라믹 형광체는 일본의 NEG(Nippon Electric Glass Co. LTD)를 중심으로 액티브 커버 글래스를 제안하고 있으며 특허로는 특개2008-169348 (2008.7.24), 특개2008-019421 (2008.1.31), 특개2007-191702 (2007.8.2), 특개2007-182529 (2007.7.19)가 있으며 여러 조성 그리고 일반적인 유리 제조 공정에 의한 유리 형광체 소재 및 형광체 복합유리 소재 제조에 대해 권리를 주장하고 있다.
또한 OKAMOTO GLASS CO LTD의 특개 2007-308562 (2007.11.29), 2006-265012 (2006.10.5)가 있는데 무정형(유리질)소재를 형성하는 형광체 조성에 관한 것이다. 한편 GOSEI CO., LTD에서 출원한 US2009/0186433 A1 (2009.7.23)에서는 여러 가지 형광체와 매트릭스 글래스를 섞어 형광체가 무정형 내에 분산되어 있는 혼합 분말을 제조하는 제조 방법에 대해 기술하고 있다.
상용 형광체의 대부분은 고온 고상 합성법을 통하여 제조되는데, 공정이 간단하고 대량 및 연속 공정이 가능하다는 장점을 가지고 있으며 결정질 형광 소재 제조를 목표로 하고 있다. 고상합성법으로 제조된 형광체 분말은 입형이 불규칙하며 입도 분포가 넓고, 합성 후 분쇄과정을 수반해야 한다.
본 발명은 고속냉각법의 특성을 세라믹 소재에 사용함으로써, 특성이 향상되거나 벌크(bulk) 혹은 분말 등 원하는 형상을 가진 무정형 소재, 무정형/결정성 복합 소재, 혹은 결정성 소재로 된 형광체 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 형광체는 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 제조된 것이 특징이다. 이러한 형광체는 무정형이거나 일부 또는 전부가 결정화된 것일 수 있다.
본 발명에서는 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 제조하는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법도 제공한다.
이 때, 상기 용융은 공기(air), 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하되 용융점(Tm) 내지 용융점보다 400℃ 높은 온도(superheating)에서 용융하는 것일 수 있다.
상기 용융 후 공기, 아르곤 또는 질소 기체를 사용하여 가스 아토마이재이션(gas atomization)을 포함한 가스 분사법에 의해 냉각시키거나, 공기, 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수냉 구리판(water-cooled copper substrate) 또는 물, 액체질소를 냉각 매개체로 이용한 스플랫 냉각기법(splat quenching process)에 의해 냉각시킬 수 있다. 가스 아토마이재이션을 이용하면 형광체를 분말 형태로 제공할 수 있다. 또한 용융액을 기체로 과포화한 후 진공에 표출함으로써 냉각시킬 수도 있다. 즉, vacuum evaporation 기법에 의해 달성될 수도 있다. 냉각 속도는 공기, 아르곤, 질소 또는 물 등의 냉각 매개체 압력과 단위시간당 흘러나오는 용융액의 양을 조절함으로써 달성될 수 있다.
특히 상기의 용융 및 냉각을 이용해 무정형 형광체를 제조하고 이후 이를 열처리하여 무정형 형광체의 일부 또는 전부가 결정화된 형광체로 제조할 수도 있다.
상기의 용융 및 냉각을 이용해 제조된 벌크 혹은 분말 형태의 형광체를 적정한 결정화 온도에서 0.1~10 시간 열처리하는 것에 의해, 무정형 소재의 일부 또는 전부가 결정화된 복합 소재가 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 제조 방법을 사용하면 다양한 조성의 무정형 무기질 소재 및 무정형 형광체를 분말 또는 벌크 형태로 제조할 수 있으며 특히 형광체 제조에 있어서는 무정형과 결정상의 구성비를 조절함으로써 다양한 광 특성 소재를 제조할 수 있다.
종래 형광체는 일반적으로 고상반응법(solid- state-reaction method)을 이용하여 금속 산화물을 혼합, 건조, 하소 및 분쇄함으로써 얻는다. 이 공정은 시간이 많이 걸리며 여전히 불충분한 혼합 및 원료 물질의 낮은 반응성으로 인하여 중간상(intermediate phases)이 생성물 조성에 쉽게 혼입될 수 있다.
그리고, 입자들 사이의 고상 반응으로 조성과 입자 크기가 불균일하며, 장시간의 분쇄가 필요하여 오염에 의한 순도저하 및 형광 특성 저하가 발생한다. 고온에서 장시간 반응을 시킴에 따라 강하게 응집된 분말은 다시 장시간 분쇄하여야 한다. 이 때 불순물의 혼입뿐만 아니라 입자 크기가 불균일하다.
일반적으로 형광체 분말은 3㎛ 이하이고, 입자 크기가 균일하고, 구형인 특성이 요구되는 데 비해, 고상반응법에 의하면 형광체의 입자 크기가 균일하지 않다. 예를 들어 분포에 있어서 평균 입자 크기가 대략 5㎛일 때 전형적으로 약 1 내지 20㎛의 넓은 분포 범위를 나타낸다.
이와 같은 제조 방법상의 한계는 형광체 분말이 더욱 우수한 연색 특성을 갖고 발광 효율이 좋아지도록 하는 데에 해결해야 할 과제이다.
본 발명에서는 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 형광체를 제조할 것을 제안한다.
본 발명에서 이용하는 냉각은 급속 냉각이며 무정형 형광체 또는 무정형/결정형 혼합 형광체 제조에 사용하고자 하는 고속 냉각 공정법(rapid solidification process)은 과거 1970대 개발된 금속합금 제조 방법으로 사용되었다.
이 방법은 용융된 금속을 노즐을 통해 흘러나오게 하면서 이 용융 액체를 고속, 고압의 기체 혹은 액체 냉각재로 분사(disintegration)시켜 냉각하는 방법이다. 이 제조 방법에 속하는 공정은 gas/water atomization, vacuum explosion/evaporation 등이 있다. 사용되는 기체는 공기, 비활성기체, 질소 등이 있으며 재료의 특성에 맞게 선택된다. 또한 분사 공간을 동일한 기체 분위기나, 진공 또는 물을 포함한 액체, 액화 질소 등으로 채워 사용되어진다.
다른 고속냉각 공정법은 스플랫 급냉(splat quenching)을 이용한 방법으로 용융된 소재를 노즐을 통해 수냉된 구리(water -cooled copper substrate) 등의 금속 판위에 분사함으로써 냉각시켜 새로운 특성의 소재나 유리질로 구성된 균일한 조성을 얻는 것이다.
이러한 방법으로 냉각을 하게 되면 102~109℃/sec의 냉각속도를 얻게 되는 것으로 알려져 있으며 액체화된 소재를 냉각함으로써 일반적 결정성 소재와 전혀 다른 특성의 소재나 유리질(무정형, amorphous)로 구성된 소재를 상온에서 얻을 수 있게 된다.
이 방법을 사용하여 금속 합금을 만들게 되면 여러 원자간 고용(solid solution)이 이루어질 때 일반적 고용한계(solubility limit)를 넘는 과포화고용(supersaturation)이 가능하며, 냉각 중 형성되는 입자(crystalline)의 크기가 현격히 줄어들게 된다. 냉각속도가 현저히 높은 경우에는 원자간 확산에 의한 배열이 제한되어 유리 조성이 아닌 일반적인 조성에서도 유리질 형성이 가능한 것으로 알려져 있다. 그러나 현재까지 이러한 고속냉각법의 특성을 세라믹 소재에 사용하여 다양한 결정질 및 유리질 조성의 소재를 제공한 바가 없으며 이를 형광체에 적용한 경우가 없다.
본 발명에 따른 형광체 제조 방법에서는 우선 원료 용융 단계를 갖는다. 여기서는 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 고온 용융하게 된다. 용융은 공기(air), 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하되 용융점(Tm) 내지 용융점보다 400℃ 높은 온도(superheating)에서 용융하는 것일 수 있다.
그런 다음, 101~109℃/sec 냉각속도로 용융액을 냉각하는 단계를 갖는다. 냉각 방법으로는 가스 아토마이재이션을 포함한 가스 분사법, 공기, 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수냉 구리판 또는 물, 액체질소를 냉각 매개체로 이용한 스플랫 냉각기법을 이용할 수 있다. 또한 용융액을 기체로 과포화한 후 진공에 표출함으로써 냉각시킬 수도 있다. 즉, vacuum evaporation 기법에 의해 달성될 수도 있다. 냉각 속도는 공기, 아르곤, 질소 또는 물 등의 냉각 매개체 압력과 단위시간당 흘러나오는 용융액의 양을 조절함으로써 달성될 수 있다.
가스 아토마이재이션을 이용하면 형광체를 분말 형태로 제공할 수 있다. 종래 고상반응법을 이용하는 경우에는 별도의 분쇄 공정을 거쳐야 하나, 본 발명에서와 같이 가스 아토마이재이션을 이용한 냉각 방법을 이용하면 냉각과 동시에 입자 미세화가 이루어져 별도의 분쇄 과정 없이 분말 형태의 형광체로 제조할 수 있다. 이렇게 제조되는 분말은 입자 크기가 균일하고 단시간에 제조된다. 따라서, 장시간의 분쇄에 의한 오염, 그로 인한 순도저하 및 형광 특성 저하의 문제가 없다. 입자 크기가 균일하고 구형으로 얻어지므로 본 발명에 따른 형광체 분말은 더욱 우수한 연색 특성을 갖고 LED의 발광 효율이 좋아지도록 한다.
본 발명에서는 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 고온에서 용융하여 고속 냉각에 의해 무정형 무기질 소재를 먼저 제조하고 이후 이를 열처리하여 무정형의 일부 또는 전부가 결정화된 소재 및 그 제조 방법도 제시한다.
상기의 용융 및 냉각을 이용해 제조된 벌크 혹은 분말 형태의 형광체를 적정한 결정화 온도에서 0.1~10 시간 열처리하는 것에 의해, 무정형 소재의 일부 또는 전부가 결정화된 복합 소재가 제공될 수 있다.
이하에서 본 발명에 따른 형광체 분말 제조 방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
먼저 혼합 분말을 용융하여 냉각온도를 조정하며 결정성 정도를 측정할 수 있다. 고속 냉각으로 무정형 벌크를 합성하기 위하여 SiO2, Al2O3, CaO, Si3N4, Eu2O3를 일정비로 혼합한 후 볼 밀링을 통하여 분산/분쇄시킨 후 합성할 수 있다. 볼에서의 불순물의 혼입을 최소화하기 위해 내마모성이 높은 지르코니아 볼과 용기를 사용하면 좋다. 또한 지름이 5mm, 7mm인 두 종류의 볼을 원료와 섞어 사용하고 20시간 동안 건조한 조건에서 볼 밀링한다. 볼 밀링이 완료된 분말은 마노 사발을 이용하여 응집체를 분쇄하고 알루미나, 흑연, 또는 BN 도가니에 담아 진공 혹은 분위기 중에서 1600~1800℃의 온도에서 4시간 동안 용융함으로써 가능하다.
볼과 원료의 중량 비에 따른 용융 온도 변화를 관찰하기 위해 볼과 원료의 중량 비(ball-to-powder ratio: BPR)는 10:1~40:1로 변화시키고 혼합 분말의 조성에 따른 효과를 확인하기 위하여 CaO 양을 10 wt.% 로 고정시킨 후 SiO2와 Al2O3의 무게 비를 5:1~5:3으로 변화시키며 용융한다.
용융한 소재를 질소 분위기에서 액체질소 또는 물에 투사(drop) 또는 분사(spray)하여 냉각하고 필요에 따라 지르코니아 볼과 용기를 사용하여 100rpm, BPR 10:1 조건으로 가볍게 분쇄하여 분말로 제조한 후 XRD로 결정성을 측정한다. 또 고속 냉각으로 무정형화된 소재를 600~1300℃에서 열처리함으로써 무정형의 일부 또는 전부가 결정화된 무기질 혹은 형광체 분말 소재를 제공할 수 있게 된다.
또한 혼합 분말을 분쇄 및 용융하고 회전하는 수냉된 구리 기판(water-cooled Cu substrate)위에 투사 또는 분사하여 무정형 형광체 분말을 얻을 수 있다. 고속 냉각으로 무정형 벌크를 합성하기 위하여 SiO2, SrO2, Si3N4, Eu2O3를 일정비로 혼합한 후 알루미나, 흑연, 또는 BN 도가니에 담아 진공 혹은 분위기 중에서 1600~1800℃의 온도에서 1-4시간 동안 용융함으로써 가능하다.
용융한 소재를 질소 분위기에서 회전하는 수냉된 구리 기판(water-cooled Cu substrate)위에 투사 또는 분사하여 무정형 형광체를 만든다. 그리고 이 형광체를 필요에 따라 지르코니아 볼과 용기를 사용하여 100rpm, BPR 10:1 조건으로 가볍게 분쇄하여 분말로 제조한 후 XRD로 결정성을 측정한다. 또 고속 냉각으로 무정형화된 소재를 600~1300℃에서 열처리함으로써 무정형의 일부 또는 전부가 결정화된 무기질 혹은 형광체 소재를 제공할 수 있게 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (10)

  1. 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 제조된 것을 특징으로 하는 형광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 형광체는 무정형(amorphous)이거나 일부 또는 전부가 결정화된 것을 특징으로 하는 형광체.
  3. 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 제조하는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 용융은 공기(air), 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하되 용융점(Tm) 내지 용융점보다 400℃ 높은 온도(superheating)에서 용융하는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 용융 후 공기, 아르곤 또는 질소 기체를 사용하여 가스 아토마이재이션(gas atomization)을 포함한 가스 분사법에 의해 냉각시키는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 용융 후 공기, 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수냉 구리판(water-cooled copper substrate) 또는 물, 액체질소를 냉각 매개체로 이용한 스플랫 냉각기법(splat quenching process)에 의해 냉각시키는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  7. 주기율표 원소의 산화물, 탄산화물, 질화물, 붕화물, 탄화물, 황화물 또는 이들 중에서 선택되는 둘 이상의 혼합 분말을 용융한 후 101~109℃/sec 냉각속도로 냉각하여 무정형 형광체를 제조하고 이후 이를 열처리하여 무정형 형광체의 일부 또는 전부가 결정화된 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 용융은 공기, 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하되 용융점 내지 용융점보다 400℃ 높은 온도에서 용융하는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 용융 후 공기, 아르곤 또는 질소 기체를 사용하여 가스 아토마이재이션을 포함한 가스 분사법에 의해 냉각시키는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 용융 후 공기, 진공, 아르곤 또는 질소 분위기에서 수냉 구리판 또는 물, 액체질소를 냉각 매개체로 이용한 스플랫 냉각기법에 의해 냉각시키는 것을 특징으로 하는 형광체 제조 방법.
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