JP4045189B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4045189B2 JP4045189B2 JP2002554891A JP2002554891A JP4045189B2 JP 4045189 B2 JP4045189 B2 JP 4045189B2 JP 2002554891 A JP2002554891 A JP 2002554891A JP 2002554891 A JP2002554891 A JP 2002554891A JP 4045189 B2 JP4045189 B2 JP 4045189B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- emitting device
- light emitting
- blue led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 128
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 10
- -1 alkaline earth metal orthosilicates Chemical class 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical class [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052916 barium silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ba+2].[O-][Si]([O-])=O HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 229910052917 strontium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- QSQXISIULMTHLV-UHFFFAOYSA-N strontium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Sr+2].[O-][Si]([O-])=O QSQXISIULMTHLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017623 MgSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- DXNVUKXMTZHOTP-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dimagnesium;barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[Ba+2].[Ba+2] DXNVUKXMTZHOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHQFXRHTQLQOLM-UHFFFAOYSA-N distrontium;silicate Chemical compound [Sr+2].[Sr+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] NHQFXRHTQLQOLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical group [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7795—Phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7734—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77344—Aluminosilicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/774—Borates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
- G02B6/0036—2-D arrangement of prisms, protrusions, indentations or roughened surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
- G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子を有する発光装置であって、特に、該発光素子が第1のスペクトル領域で発光し、かつ、アルカリ土類金属オルト珪酸塩の群に由来するかもしくはこの蛍光体の群を少なくとも含有しかつ該発光素子の発光の一部を吸収しかつ別のスペクトル領域で発光する蛍光体をさらに有している発光装置に関する。
【0002】
該発光装置は、例えば無機LED、有機LED、レーザーダイオード、無機厚膜エレクトロルミネセンスシートまたは無機薄膜エレクトロルミネセンス部品である。
【0003】
【従来の技術】
LEDはとりわけ、寿命が長い、場所をとらない、衝撃に強い、さらに狭いスペクトルバンドで発光するという特徴で際立っている。
【0004】
多数の発光色、特別に広いスペクトルバンドの多数の発光色は、LEDの場合の活性半導体材料の固有の発光では、実現不可能であるか、非効率にしか実現することができない。とりわけこのことは、白色の発光を得る場合にあてはまる。
【0005】
公知技術水準によれば、半導体では本来実現することができない発光色は、色変換技術によって得られる。
【0006】
本質的にこの色変換の技術は、次の原理に基づいており、すなわち、少なくとも1つの蛍光体をLEDダイの上に配置する。該蛍光体は、このダイの発光を吸収し、かつその後にフォトルミネセンス光を別の発光色で放出する。
【0007】
蛍光体として基本的に有機系を使用することもできるし、無機系を使用することもできる。無機顔料の本質的な利点は、有機系に比べ耐環境性が高いことである。無機LEDの寿命が長いことに関連して、したがって色の安定を考慮すると無機系が有利である。
【0008】
加工の容易さに関しては、必要な膜厚を得るのに過度に長い成長期間(Wachstumzeiten)を有する有機の蛍光塗装系の代りに、無機の蛍光顔料を使用するのが有利であることは明らかである。該顔料は、マトリックス中に入れられ、さらにLEDダイの上に置かれる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記の要求を満たす無機材料の数が少ないという理由から、現時点では多くの場合に、YAG類からの材料が、色変換のための顔料として使用される。しかしながら、この材料には、該材料が560nm未満の発光最大値の場合にしか高い効率を示さないというが欠点がある。このような理由から青色ダイオード(450から490nm)と組み合わされたYAG顔料を用いて、冷たい感じの白色の発光色のみを実現することができる。特に照明分野での使用については、色温度および色再現に関して、光源に対するさらに高い要求がなされ、この要求は、現時点で使用されている白色LEDで満足されない。
【0010】
さらにWO 00/33389から、青色LEDを用いて白色に近い光を得るために、とりわけBa2SiO4:Eu2+が蛍光体として使用されることが公知である。Ba2SiO4:Eu2+の発光は、505nm、すなわち比較的短い波長にあり、その結果、この光は、著しく冷たい。
【0011】
S.H.M. Poortほかによる論文、″Optical properties of Eu2+−aktivated.297ページ、では、Eu2+活性化されたBa2SiO4ならびにリン酸塩、例えばKBaPO4およびKSrPO4の性質が研究されている。また同文献では、Ba2SiO4の発光が505nmにあることが確認されている。研究された2つのリン酸塩の発光は、これに対して本質的にさらに短い波長(420nmから430nm)にある。
【0012】
本発明の課題は、上記の発光装置を、蛍光体による第1の光源の紫外線もしくは青色の放射の著しく良好な吸収によって、高い光ルミネセンス効果で異なる光の色ならびに高い色の再現が実現される程度に変更することであり、この場合、一般照明のための光源に常用のCIE−偏差楕円内の色の位置が、約2600Kと7000Kの間の極めて近似した色温度の範囲内にあることが特に有利である。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の発光装置によって解決される。本発明によれば、
窒化物半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLED素子と、
前記LED素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射する発光装置が提供される。
この場合、有利にa、b、cおよびdの値のうちの少なくとも1つが0.01より大きい。
すなわち、珪酸バリウムの代りに珪酸ストロンチウムまたは珪酸バリウムと珪酸ストロンチウムオルト珪酸塩の混合形が使用される場合に、放射される光の波長が長くなることが意外にも見いだされた。珪素の部分のゲルマニウムによる置換ならびに付加的に存在するP 2 O 3 、Al 2 O 3 および/またはB 2 O 3 も発光スペクトルへの影響を有し、その結果、該発光スペクトルは、それぞれの使用の場合について最適に調整することができる。
有利に前記の発光装置は、2価のユウロピウムおよび/またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩の群からの別の蛍光体および/または、Y(V,P,Si)O 4 :Euまたは次式:
Me(3−x−y)MgSi 2 O 3 :xEu,yMn
(式中、
0.005<x<0.5、
0.005<y<0.5、
MeはBaおよび/またはSrおよび/またはCaを表す)
で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩:Eu 2+ ,Mn 2+ の群からのさらに別の赤く発光する蛍光体を有している。
さらに、少量の1価のイオン、殊にハロゲン化物、が蛍光体格子の中に組み込まれている場合が、結晶化度および放射率について有利であることが見いだされた。
有利に発光装置は、Ra値>72を有する白色光を放射する。
【0014】
また、本発明によれば、
マウントリードのカップ内に配置させたGaN系半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLED素子と、
前記LED素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する封止剤を前記カップ内に充填させたコーティング部材と、
前記コーティング部材、前記発光素子及び前記マウントリードの先端を被覆するモールド部材とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射することを特徴とする発光装置が提供される。
【0015】
また、本発明によれば、
筐体内にフリップチップ実装されたGaN系化合物半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLEDチップと、
該LEDチップが発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する透明封止剤により前記LEDチップが配設された筐体内を充填するモールド部材とを有する発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射することを特徴とする発光装置が提供される。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施の態様によれば、発光装置は、2つの異なる蛍光体を有しており、この場合、少なくとも一方は、アルカリ土類金属オルト珪酸塩蛍光体である。このようにして白の色調が特に正確に調整されることができる。
【0017】
本発明による発光装置の機械的な実施に対して多くの可能性が存在する。一実施態様によれば、1個以上のLEDチップが反射鏡内の基板上に配置されており、かつ、蛍光体が、反射鏡の上に配置されているレンズ中に分散されている。
【0018】
しかし、1個以上のLEDチップが反射鏡内の基板上に配置されており、かつ、蛍光体が該反射鏡に塗布されていることも可能である。
【0019】
有利に該LEDチップは、ドーム様の形状を有する透明な封止用コンパウンドで充填されている。該封止用コンパウンドは、一方では機械的な保護を形成し、かつ、他方では該封止用コンパウンドは、さらに光学的性質を改善する(LEDダイの光の改善された発光)。
【0020】
該蛍光体は、封止用コンパウンド中に分散されていてもよく、この封止用コンパウンドによって、できるだけガスが閉込められることなしに、基板上に配置されたLEDチップとポリマーレンズが結合され、この場合、該ポリマーレンズと該封止用コンパウンドは、最大で0.1だけ違う屈折率を有する。該封止用コンパウンドによってLEDダイが直接閉じ込められていてもよいし、しかしながら、該LEDダイが透明な封止用コンパウンドで充填されている(すなわちこの場合には透明な封止用コンパウンドと蛍光体を含有する封止用コンパウンドとが存在している)ことも可能である。近似している屈折率によって、境界面での反射による損失がほとんどない。
【0021】
有利にポリマーレンズは、球形もしくは楕円形の窪みを有しており、該窪みは、前記の封止用コンパウンドによって充填されており、その結果、LEDアレイがポリマーレンズからわずかな距離で固定されている。このようにして、機械的な構造の大きさを減少させることができる。
【0022】
蛍光体の均一な分布を達成するために、蛍光体が有利に無機のマトリックス中に懸濁されていることは有利である。
【0023】
2つの蛍光体が使用される場合には、2つの蛍光体がそれぞれのマトリックス中に懸濁されており、この場合、これらマトリックスが光の伝搬の方向に相前後して配置されていることは有利である。このことによってマトリックスの濃度は、異なる蛍光体を一緒に分散させた場合に比べ減少させることができる。
【0024】
次に、本発明の第1の実施態様での蛍光体の製造の重要な工程を説明する。
【0025】
珪酸塩蛍光体の製造のために、選択した組成に応じて出発物質アルカリ土類金属炭酸塩、二酸化珪素ならびに酸化ユウロピウムの化学量論的量を密に混合し、かつ、蛍光体の製造に常用の固体反応で、還元性雰囲気下で、温度1100℃および1400℃で所望の蛍光体に変換する。この際、結晶化度にとって、反応混合物に少ない割合で、有利に0.2モル未満の割合で塩化アンモニウムまたは他のハロゲン化物を添加することは、有利である。必要に応じて珪素の一部をゲルマニウム、ホウ素、アルミニウム、リンで置換することもできるし、ユウロピウムの一部をマンガンで置換することもでき、このことは、熱により酸化物に分解する上記元素の化合物の相応量の添加によって行なわれる。この場合には反応条件の範囲は、維持される。
【0026】
得られた珪酸塩は、波長510nmから600nmで放射し、かつ110nmまでの半値幅を有する。
【0027】
上記の群からの蛍光体の1つまたは上記の群から組み合わせた蛍光体の使用によって、あるいは、2価のユウロピウムおよび/またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩および、Y(V,P,Si)O4:Eu2+の群からのさらに別の赤く発光する蛍光体、Y2O2S:Eu3+、蛍光体の群からの常用の蛍光体との組合せによって、定義された色温度を有する発光色および高い色再現性を得ることができ、このことは、次の実施例で示されているとおりである。
【0028】
T=2778K(464nm+Sr1.4Ba0.6SiO4:Eu2+);x=0.4619、y=0.4247、Ra=72、
T=2950K(464nm+Sr1.4Ba0.6SiO4:Eu2+);x=0.4380、y=0.4004、Ra=73、
T=3497K(464nm+Sr1.6Ba0.4SiO4:Eu2+);x=0.4086、y=0.3996、Ra=74、
T=4183K(464nm+Sr1.9Ba0.08Ca0.02SiO4:Eu2+);x=0.3762、y=0.3873、Ra=75、
T=6624K(464nm+Sr1.9Ba0.02Ca0.08SiO4:Eu2+);x=0.3101、y=0.3306、Ra=76、
T=6385K(464nm+Sr1.6Ba0.4SiO4:Eu2++Sr0.4Ba1.6SiO4:Eu2+);x=0.3135、y=0.3397、Ra=82、
T=4216K(464nm+Sr1.9Ba0.08Ca0.02SiO4:Eu2+ );x=0.3710、y=0.3696、Ra=82、
T=3954K(464nm+Sr1.6Ba0.4SiO4:Eu2++Sr0.4Ba1.6SiO4:Eu2++YVO4:Eu3+);x=0.3756、y=0.3816、Ra=84、
T=6489K(464nm+Sr1.6Ba0.4SiO4+Sr0.4Ba1.6SiO4:Eu2++アルミン酸バリウムマグネシウム:Eu2+);x=0.3115、y=0.3390、Ra=66、
T=5097K(464nm+Sr1.6Ba0.4(Si0.08B0.02)O4:Eu2++Sr0.6Ba1.4SiO4:Eu2+);x=0.3423、y=0.3485、Ra=82、
T=5084K(464nm+Sr1.6Ba0.4(Si0.08B0.02)O4:Eu2++Sr0.6Ba1.4SiO4:Eu2++アルミン酸ストロンチウムマグネシウム:Eu2+);x=0.3430、y=0.3531、Ra=83、
T=3369K(464nm+Sr1.4Ba0.6Si0.95Ge0.05O4:Eu2+);x=0.4134、y=0.3959、Ra=74、
T=2787K(466nm+Sr1.4Ba0.6Si0.98P0.02O4.01:Eu2+);x=0.4630、y=0.4280、Ra=72、
T=2913K(464nm+Sr1.4Ba0.6Si0.98Al0.02O4:Eu2+);x=0.4425、y=0.4050、Ra=73。
【0029】
本発明の1つの実施態様の場合には、色変換は、次のとおり実施される。
【0030】
1個以上のLEDチップを基板上で組み立てる。該LED上に直接、(一方ではLEDチップの保護のために、他方ではLEDチップ内で発生する光をより良好に放出させることができるようにするために)封止用材料を半球もしくは半楕円の形で配置する。この封止用材料は、各ダイをそれぞれ包含することもできるし、該封止用材料が全てのLEDのための共通の1個の形であってもよい。このようにして装備した基板を反射鏡内に設置するか、または該反射鏡を該LEDチップの上にかぶせる。
【0031】
該反射鏡にレンズを設置する。一方で該レンズは、装置の保護のために使用され、他方では該レンズ中に蛍光体顔料が混入される。このようにして該レンズは不透明かつ黄色の色の印象を与える。該レンズを通り抜けてくる青色光(紫外光を含む)は、光学部品の中の通過の際により長波光(黄色光)に変換が行われる。その結果、青色光と黄色光を合わせて白色の色の印象が得られる。例えば平面平行な板の間で生じるような導波作用による損失は、該レンズの不透明性および拡散性によって減少される。さらに反射鏡によって、すでに調整された光のみが該レンズに入射するよう配慮され、その結果、全反射作用が始めから減少される。
【0032】
これとは別に、各LEDチップの上に反射鏡がかぶせられていてもよく、かつ、該反射鏡は、ドーム形に充填され、かつ、レンズがそれぞれの反射鏡の上もしくはこの装置全体の上に配置される。
【0033】
照明の発光装置を製造するのに、単一のLEDの代りにLEDアレイを使用するのは有利である。本発明の他の実施態様の場合には、色の変換は、LEDチップが直接基板上に組み立てられるLEDアレイで次のとおりに実施される。
【0034】
LEDアレイを封止用コンパウンド(例えばエポキシ樹脂)を用いて、別の材料(例えばPMMA)からなる透明なポリマーレンズに接着する。該ポリマーレンズおよび該封止用コンパウンドの材料は、できるだけ近似する屈折率を有するように、すなわち位相整合されているように選択される。該封止用コンパウンドは、ポリマーレンズの最大で球形のまたは楕円形の窪みの中に存在する。この窪みの形は、該封止用コンパウンド中に色変換物質が分散されているという点で重要であり、かつ、したがってこの形によって、角度に関係ない発光色が得られることが保証されることができる。これとは別に前記のアレイは、透明な封止用コンパウンドで充填することができ、かつ、引き続き、色変換物質が含有されている該封止用コンパウンドを用いて前記のポリマーレンズに接着することができる。
【0035】
少なくとも2つの異なる蛍光体が使用されている特に良好な色再現性を有するLEDにとって、これら蛍光体を一緒に1つのマトリックス中に分散させるのではなく、これら蛍光体を別々に分散させかつ重ねることが、有利である。これは、最終的な発光色が複数の色変換プロセスによって得られる組合せに特に該当する。すなわち、最長波の発光色が、1つの発光プロセスによって生成されるということであり、この場合、該発光プロセスは、次のとおり経過する:すなわち、第1の蛍光体によるLED発光の吸収、第1の蛍光体の発光、第2の蛍光体による第1の蛍光体の発光の吸収、および第2の蛍光体の発光。特に、この種のプロセスにとって、それぞれの蛍光体を光の伝搬の方向に相前後して配置することは、有利であり、それというのも、そのことによって、種々の蛍光体を単一に分散させた場合よりも蛍光体の濃度を減少させることができる。
【0036】
本発明は、上記実施例に限定されるものではない。蛍光体は、ポリマーレンズ(または別の光学部品)中に組み込まれていてもよい。該蛍光体をLEDダイ上に直接配置することもできるし、透明な封止用コンパウンドの表面上に配置することもできる。また該蛍光体を分散粒子とともに1つのマトリックス中に組み込むこともできる。このことによって、マトリックス中での沈降が防止され、かつ、均一な発光が保証される。
【0037】
以下、前述のフォトルミネッセンス効果を有する蛍光体を発光ダイオード(LED)ランプに使用する例をより詳しく説明する。
【0038】
第1図は、本発明の発光装置の第2の実施の形態に係るLEDランプの模式断面図であり、いわゆるレンズタイプのLEDランプを示す。GaN系半導体からなる青色LED4は、青色LED4の発光をLEDランプの上方に反射させるよう反射鏡としての役割を果たすカップ10を形成したメタルステム3にマウント5を介して取り付けられる。青色LED4の一方の電極とリードフレーム2とを金製のボンディングワイヤ7により接続し、他方の電極とリードフレーム1とを金製のボンディングワイヤ6により接続する。青色LED4を固定するため、コーティング部材である内部樹脂8でカップ10内を被覆する。更に、リードフレーム2及びメタルステム3を形成されたリードフレーム1をモールド部材である外部樹脂9で封止する。従って、青色LED4は、内部樹脂8及び外部樹脂9により二重に封止される。なお、メタルステム3とリードフレーム1は、マウントリードともいう。また、青色LED4についての詳細な説明は、後述する。
【0039】
蛍光体11を含有する内部樹脂8は、カップ10の上縁の水平面よりも低くカップ10内部に充填させる。これにより、複数のLEDを近接して配置した場合に、LED間の混色が発生せず、LEDで平面ディスプレイを実現して解像度の良い画像を得ることができる。
【0040】
内部樹脂8は、固化後に透明となるシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂を用いる。また、内部樹脂8は、前記の2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩及び/又はアルカリ土類金属オルト珪酸塩を主成分とする蛍光体11が混入される。この蛍光体11は、前述したように、フォトルミネッセンス効果を有し、青色LED4が発光する光を吸収して、吸収した光の波長と異なる波長の光を発光する。
【0041】
なお、内部樹脂8として使用されるシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂の代わりに低融点ガラスを用いてもよい。低融点ガラスは、耐湿性に優れるとともに青色LED4に有害なイオンの侵入を阻止することができる。更に、青色LED4からの発光を吸収せずにそのまま透過できるため、吸収分を見込んで強く発光させる必要がない。
【0042】
また、前記の蛍光体11を混入した内部樹脂8であるシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又は低融点ガラスに拡散材を更に混入してもよい。拡散材によって、発光した青色LED4からの光を乱反射し散乱光とするため、青色LED4からの光が蛍光体11に当たりやすくなって、蛍光体11から発色する光量を増加させることができる。この拡散材は、特に限定されるものでなく、周知の物質を使用することができる。
【0043】
外部樹脂9は、固化後に透明となるエポキシ樹脂を用いることができる。
【0044】
マウント5には、扱いやすさからエポキシ樹脂等の種々の樹脂が用いることができる。マウント5に用いられる樹脂は接着性を有すると共に、極めて小さい青色LED4の側面にマウント5がせり上がっても側面で各層間がショートしないよう絶縁性を有する樹脂が好ましい。
【0045】
マウント5は、青色LED4から等方的に発せられる光を透過してカップ10の表面の反射鏡で反射させLEDランプの上方に放出させるため、透明な樹脂を用いる。特に、LEDランプを白色系の光源として用いる場合、マウント5は、白色光の妨げにならない白色としてもよい。
【0046】
また、マウント5に蛍光体11を含有させても良い。蛍光体11を用いたLEDランプは、蛍光体11を用いないLEDランプと比較して光の密度が極端に高くなる。つまり、青色LED4から放出される光は、蛍光体11を透過しないため、青色LED4からの発光は、青色LED4近傍に設けられた蛍光体11によって反射され、蛍光体11によって励起された光として等方的に新たに放出され、カップ10表面の反射鏡によっても反射され、LEDランプの各部分の屈折率の差によっても反射される。そのため、青色LED4の近傍に光が部分的に密に閉じこめられ、青色LED4近傍の光密度が極めて高くなり、LEDランプは高輝度に発光する。
【0047】
青色LED4は等方的に発光し、その光はカップ10の表面でも反射されるため、それらの光がマウント5中を透過するため、マウント5の中は極めて光密度が高い。そこで、マウント5中に蛍光体11を含有させると、青色LED4から発せられるそれらの光はマウント5中の蛍光体11で反射され、また、マウント5中の蛍光体11によって励起された光として等方的に新たに放出される。このようにマウント5にも蛍光体11を含有させると、LEDランプは更に高輝度となる。
【0048】
また、マウント5にAg等の無機材料を含有させた樹脂を用いることができる。上記の高輝度のLEDランプを長時間使用すると、マウント5や内部樹脂8には、エポキシ樹脂等の樹脂が用いられているため、青色LED4極近傍の合成樹脂でできたマウント5や内部樹脂8が、茶色や黒色に着色され劣化し、発光効率が低下する。特に、青色LED4近傍のマウント5の着色が発光効率を大きく低下させる。マウント5は、青色LED4からの光による耐侯性だけでなく接着性、密着性等も要求されるが、この光による樹脂の劣化は、マウント5にAg等の無機材料を含有させた樹脂を用いることで解消できる。このようなマウント5は、Agペーストと蛍光体11をマウントペーストに混ぜ合わせてメタルステム3上にマウント機器で塗布させ青色LED4を接着させることで簡単に形成させることができる。
【0049】
マウント5は、Ag含有のエポキシ樹脂の他に、無機材料を含有させた有機樹脂としてシリコーン樹脂を用いることもできる。マウント5中の無機材料は、樹脂との密着性が良好で、青色LED4からの光によって劣化しないことが必要である。そのため、無機材料としては、銀、金、アルミニウム、銅、アルミナ、シリカ、酸化チタン、窒化硼素、酸化錫、酸化亜鉛、ITOから1種以上を選択して樹脂に含有させる。特に、銀、金、アルミニウム、銅等は、放熱性を向上させ、導電性を有するので導電性を期待する半導体装置に適用することができる。また、アルミナ、シリカ、酸化チタン、窒化硼素等は耐侯性に強く高反射率を維持させることができる。無機材料は分散性や電気的導通などを考慮してその形状を球状、針状やフレーク状等種々の形状にすることができる。マウント5の樹脂中の無機材料含有量は、放熱性や電気伝導性など種々に調節することができる。しかし、樹脂中の無機材料含有量を多くすると樹脂の劣化が少ないが、密着性が低下するため、5重量%以上から80重量%以下とするが、さらに60重量%以上から80重量%以下とすればより最適に樹脂の劣化を防止することができる。
【0050】
このようにマウント5に、青色LED4が発光した光によって劣化しにくいAg等の無機材料を含有させることにより、マウント5の樹脂の光による劣化を抑えることができるため、劣化による着色部位を少なくし発光効率の低下を防ぎ、良好な接着性を得ることができる。また、蛍光体11をマウント5にも含有させることによりLEDランプの輝度を更に高めることができる。
【0051】
これにより高輝度、長時間の使用においても発光効率の低下が極めて少ない高輝度な発光が可能なLEDランプを提供することができる。さらに、熱伝導性の良い材料を用いることで青色LED4の特性を安定化させ、色むらを少なくすることもできる。
【0052】
第2図は、第1図に示すLEDランプの青色LED4の層構成を示す。青色LED4は、透明基板として例えばサファイア基板41を有し、このサファイア基板41上に、MOCVD法等により窒化物半導体層として例えば、バッファ層42、n型コンタクト層43、n型クラッド層44、MQW(multi−quantum well)活性層45、p型クラッド層46、およびp型コンタクト層47を順次形成し、スパッタリング法,真空蒸着法等により、p型コンタクト層47上の全面に透光性電極50、透光性電極50上の一部にp電極48、およびn型コンタクト層43上の一部にn電極49を形成したものである。
【0053】
バッファ層42は、例えば、AlNからなり、n型コンタクト層43は、例えば、GaNからなる。
【0054】
n型クラッド層44は、例えば、AlyGa1−yN(0≦y<1)からなり、p型クラッド層46は、例えば、AlxGa1−xN(0<x<1)からなり、p型コンタクト層47は、例えば、AlzGa1−zN(0≦z<1、z<x)からなる。また、p型クラッド層46のバンドギャップは、n型クラッド層44のバンドギャップより大きくする。n型クラッド層44およびp型クラッド層46は、単一組成の構成であっても良く、超格子構造となるように、互いに組成が異なる厚み100Å以下の上記の窒化物半導体膜が積層される構成であっても良い。膜厚を100Å以下とすることにより、膜中にクラックや結晶欠陥が発生するのを防ぐことができる。
【0055】
MQW活性層45は、InGaNからなる複数の井戸層と、GaNからなる複数のバリア層とからなる。また、超格子層を構成するように、井戸層およびバリア層の厚みは100Å以下、好ましくは60〜70Åにする。InGaNは、結晶の性質が他のAlGaNのようなAlを含む窒化物半導体と比べて柔らかいので、InGaNを活性層45を構成する層に用いることにより、積層した各窒化物半導体層全体にクラックが入り難くなる。なお、MQW活性層45は、InGaNからなる複数の井戸層と、AlGaNからなる複数のバリア層とから構成してもよい。また、AlInGaNからなる複数の井戸層と、AlInGaNからなる複数のバリア層とから構成してもよい。但し、バリア層のバンドギャップエネルギーは、井戸層のバンドギャップエネルギーより大きくする。
【0056】
なお、MQW活性層45よりサファイア基板41側、例えば、n型コンタクト層43のバッファ層42側に反射層を形成してもよい。また、反射層は、MQW活性層45が積層されているサファイア基板41の表面と反対側の表面に形成してもよい。反射層は、活性層45からの放出光に対して最大の反射率を有しているものが好ましく、例えば、Alから形成してもよく、GaN系の薄膜の多層膜から形成してもよい。反射層を設けることにより、活性層45からの放出光を反射層で反射でき、活性層45からの放出光の内部吸収を減少させ、上方への出力光を増大させることができ、マウント5への光入射を低減してその光劣化を防止することができる。
【0057】
このように構成された青色LED4の発光波長の半値幅は、50nm以下、好ましく40nm以下とする。また、青色LED4のピーク発光波長は、380nmから500nmの範囲の、例えば、450nmにある。
【0058】
このように構成されたLEDランプにおいて、リードフレーム1、2間に電圧を印加すると、青色LED4が450nmの波長の青色の光を発光する。青色の光は、内部樹脂8中の蛍光体11を励起し、励起された蛍光体11は、560〜570nmの黄色の光を発光する。内部樹脂8中の青色の光と黄色の光が混合された光は、外部樹脂9を通過して外部に漏れ出るが、その混合された光は、人間の目では白色に見え、結果として、LEDランプは、白色に発光しているように見える。すなわち、蛍光体11は、青色LED4が発光する青色の光により励起され、青色と補色関係にあり、青色より波長の長い黄色を発光する。本発明では、複数の蛍光体を組み合わせすることにより、より純粋に近い白色を得ることができる。
【0059】
第3図は、本発明の発光装置の第3の実施の形態に係る面状光源用装置の構成を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図である。
【0060】
この第3図に示す面状光源用装置は、例えば、液晶パネルのバックライト装置として適用され、液晶パネルの裏面側から液晶パネルに光を照射し、非発光性である液晶パネルの文字や画像に明るさやコントラストを与えることにより、その視認性を向上させるものであり、次の要素を備えて構成されている。
【0061】
即ち、面状光源用装置は、透明の概略矩形状の導光板70と、この導光板70の側面にアレイ状に配列されて埋め込まれることにより導光板70と光学的に接続された複数の青色LED4と、導光板70の光の出射面70aを除く他の面を包囲して導光板70に取り付けられた光を反射する光反射ケース71と、導光板70の出射面70aと対向する光の反射面72に規則的で微細な凹凸模様を形成して成る光拡散模様73と、導光板70に出射面70aを覆い取り付けられ、内部に蛍光体11を含有する透明のフィルム74とを備えて構成されている。
【0062】
また、各青色LED4は、ボンディングワイヤ及びリードフレーム等の電源供給用の手段を介して電源から所定電圧の駆動電圧が供給されるように光反射ケース71に取り付けられている。光拡散模様73は、青色LED4から出射された光を導光板70の内部で拡散するものである。
【0063】
このように構成された面状光源用装置において、各青色LED4に駆動電圧が印加されると、駆動された各青色LED4から光が出射される。この出射光は、導光板70の中を所定方向に進み、反射面72に形成された光拡散模様73に当たって反射拡散しながら出射面70aからフィルム74を通過して面状の出射光として出射される。青色LED4の出射光は、フィルム74を通過する際に、一部が蛍光体11により吸収され、同時に波長変換されて出射される。これによってフィルム74の前面から観測される発光色は、それらの光を合成した色となり、例えば前述の原理から白色となる。
【0064】
このように、第3の実施の形態の面状光源用装置によれば、青色LED4からの出射光を導光板70に入射させ、この入射された光を導光板70の反射面72に形成された光拡散模様73で反射拡散させながら出射面70aからフィルム74へ出射し、このフィルム74において、光の一部が蛍光体11により吸収され、同時に波長変換されて出射されるように構成したので、従来のように、赤・緑・青の各色のLEDを用いずとも、青色LED4のみで発光色を白色とすることができる。また、蛍光体11と青色LED4とが直接接触しない構造となっているので、蛍光体11の劣化を長期間抑制することができ、長期間に渡り面状光源の所定の色調を保持することができる。
【0065】
この他、フィルム74に含有される蛍光体11の種類を変えることによって、白色のみならず他の色の発光色も実現可能となる。フィルム74の取り付け構造を着脱容易な構造とすると共に、種類の異なる蛍光体11を含有するフィルム74を複数種類用意しておけば、フィルム74を交換するだけで容易に面状光源の色調を可変させることができる。
【0066】
また、蛍光体11は、フィルム74に含有させる他、フィルム74の表面に塗布しても含有させたと同様の効果を得ることができる。
【0067】
また、青色LED4は、導光板70に埋め込まれることによって導光板70と光学的に接続されているが、この他、青色LED4を導光板70の端面に接着したり、青色LED4の発光を光ファイバー等の光伝導手段によって導光板70の端面に導くことにより、青色LED4と導光板70とを光学的に接続しても良い。また、青色LED4は1個でも良い。
【0068】
図4は、本発明の発光装置の第4の実施の形態に係るSMD(Surface Mounted Device)型のLEDランプを示す。
【0069】
SMD型のLEDランプは以下の構成を有する。絶縁性を有するガラスエポキシ樹脂の基板80の両面を覆い、かつ、電気的に離れて形成される2つの金によるパターン配線81、82によりメタルフレームを形成し、パターン配線81、82上にプラスチック製のカップ83aを有する枠体83を設ける。カップ83aは、その表面が青色LED4の放出光を反射する反射鏡になっている。パターン配線81、82は非対称とし、パターン配線82の上面は、枠体83が形成する空間の底部の中央にまで形成されているが、他方のパターン配線81は、枠体83が形成する空間の底部に少しだけ露出している。
【0070】
青色LED4は、パターン配線82の上面に、銀フィラ含有エポキシ樹脂ペースト84によって固着される。青色LED4のp電極とパターン配線82は、金製のボンディングワイヤ6により接続し、青色LED4のn電極とパターン配線81は、金製のボンディングワイヤ7により接続する。
【0071】
枠体83のカップ83aが形成する空間内は、固化後に透明となる封止剤88を充填する。封止剤88により青色LED4は、固定される。封止剤88は、前記の2価のユーロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩及び/又はアルカリ土類金属オルト珪酸塩を主成分とする蛍光体11が混入される。封止剤88は、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である。
【0072】
蛍光体11が混入された封止剤88は、枠体83のカップ83aが形成する空間内一杯に充填されてもよく、また、枠体83の上縁から下がった部位まで充填されていてもよい。
【0073】
なお、前記の蛍光体11を混入した封止剤88は、拡散材を更に混入してもよい。拡散材によって、発光した青色LED4からの光を乱反射し散乱光とするため、青色LED4からの光が蛍光体11に当たりやすくなって、蛍光体11から発光する光量を増加させることができる。この拡散材は、特に限定されるものでなく、周知の物質を使用することができる。
【0074】
このように構成されたSMD型のLEDランプにおいて、パターン配線81、82間に電圧を印加すると、青色LED4が450nmの波長の青色の光を発光する。青色の光は、封止剤88中の蛍光体11を励起し、励起された蛍光体11は、560〜570nmの黄色の光を発光する。封止剤88中の青色の光と黄色の光が混合された光は、外部に漏れ出るが、その混合された光は、人間の目では白色に見え、結果として、LEDランプは、白色に発光しているように見える。すなわち、蛍光体11は、青色LED4が発光する青色の光により励起され、青色と補色関係にあり、青色より波長の長い黄色を発光する。本発明では、複数の蛍光体を組み合わせることにより、より純粋に近い白色を得ることができる。
【0075】
第5図は、本発明の発光装置の第5の実施の形態に係るLEDランプを示す。本実施の形態は、青色LED4を静電気等の過電圧から保護できるようにしたもので、図1の構成の光源に過電圧保護素子91を追加した構成となっている。
【0076】
第5図に示すように、過電圧保護素子91は、青色LED4と同程度の大きさにチップ化されており、青色LED4とマウント5の間に配設される。本実施の形態においては、図1の場合と異なり、後述する理由から、青色LED4はフリップチップ(flip chip)実装される。過電圧保護素子91は、青色LED4及びリードフレーム1と接続するための電極92,93を備えている。電極92は、図2に示したp電極48に対向する位置に設けられている。また、電極93は、n電極49に対向する位置に設けられ、更にボンディングワイヤ6との接続を容易にするため、過電圧保護素子91の側面に延伸するように形成されている。過電圧保護素子91上の電極92,93は、それぞれAuバンプ94a,94bを介して青色LED4のp電極48,n電極49に接続される。この過電圧保護素子91には、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード(zener diode)、パルス性の電圧を吸収するコンデンサ等を用いることができる。
【0077】
第6図は、過電圧保護素子91にツェナーダイオードを用いた場合の接続回路を示す。過電圧保護素子91としてのツェナーダイオード95は、青色LED4に電気的に並列接続され、青色LED4のアノード(anode)とツェナーダイオード95のカソード(cathode)が接続され、青色LED4のカソードとツェナーダイオード95のアノードが接続されている。リードフレーム1とリードフレーム2の間に過大な電圧が印加された場合、その電圧がツェナーダイオード95のツェナー電圧を越えると、青色LED4の端子間電圧はツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることはない。したがって、青色LED4に過大な電圧が印加されるのを防止でき、過大電圧から青色LED4を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。
【0078】
第7図は、過電圧保護素子91にコンデンサを用いた場合の接続回路を示す。過電圧保護素子91としてのコンデンサ96は、表面実装用のチップ部品(chip type component)を用いることができる。このような構造のコンデンサ96は両側に帯状の電極が設けられており、この電極が青色LED4のアノード及びカソードに並列接続される。リードフレーム1とリードフレーム2の間に過大な電圧が印加された場合、この過大電圧によって充電電流がコンデンサ96に流れ、コンデンサ96の端子間電圧を瞬時に下げ、青色LED4に対する印可電圧が上がらないようにするため、青色LED4を過電圧から保護することができる。また、高周波成分を含むノイズが印加された場合も、コンデンサ96がバイパス(bypass)コンデンサとして機能するので、外来ノイズを排除することができる。
【0079】
上記したように、青色LED4は、第1図に対して上下を反転させたフリップチップ実装を行っている。その理由は、過電圧保護素子91を設けたために、過電圧保護素子91と青色LED4の両方に電気的な接続が必要になる。仮に、青色LED4と過電圧保護素子91のそれぞれをボンディングワイヤにより接続した場合、ボンディング数が増えるために、生産性が低下し、また、ボンディングワイヤ同士の接触、断線等が増えるため、信頼性の低下を招く恐れがある。そこで、青色LED4をフリップチップ実装としている。すなわち、第2図に示したサファイア基板41の下面を最上面にし、p電極48をAuバンプ94aを介して過電圧保護素子91の電極92に接続し、n電極49をAuバンプ94bを介して過電圧保護素子91の電極93に接続し、ボンディングワイヤ6,7を青色LED4に接続しないで済むようにしている。なお、青色LED4をフリップチップにした場合、第2図に示した透光性電極50は、非透光性の電極に代えることができる。また、p電極48の表面と同一高さになるように、n電極49を厚くし、あるいは、n電極42に新規に導電体を接続し、これを電極としてもよい。
【0080】
以上説明したように、第5図の構成によれば、第1図に示した構成による光源としての基本的な効果に加え、過電圧保護素子91を設けたことにより、静電気等による過電圧が印加されても、青色LED4を損傷させたり、性能劣化を招いたりすることがなくなる。また、過電圧保護素子91がサブマウントとして機能するため、青色LED4をフリップチップ実装しても、ボンディングワイヤ6,7のチップ側におけるボンディング位置の高さは下がることがないので、第1図の構成の場合とほぼ同じ高さ位置でボンディングを行うことができる。
【0081】
なお、第5図及び第6図において、過電圧保護素子91に半導体素子を用いる場合、ツェナーダイオード95に代えて一般のシリコンダイオードを用いることもできる。この場合、複数のシリコンダイオードを同一極性にして直列接続し、そのトータルの順方向電圧降下(約0.7Vラ個数)の値は、過電圧に対する動作電圧相当になるようにシリコンダイオードの使用本数を決定する。
【0082】
また、過電圧保護素子91には、可変抵抗素子(variableregistor)を用いることもできる。この可変抵抗素子は印加電圧の増加に伴い抵抗値が減少する特性を持ち、ツェナーダイオード95と同様に過電圧を抑制することができる。
【0083】
第8図は、本発明の発光装置の第6の実施の形態に係る半導体発光装置を示す。
【0084】
この第8図に示す半導体発光装置は、発光素子から発光された光を波長変換してレンズ型の樹脂封止体外部に放射するものであり、前述の第1図に示したリードフレーム1,2と、メタルステム3と、青色LED4と、マウント5と、ボンディングワイヤ6,7と、蛍光体11を含まない内部樹脂8と、外部樹脂9と、カップ10とを含む構成の他に、外部樹脂9の外面に密着して包囲し且つ蛍光体11を含有する透光性の蛍光カバー100を備えて構成されている。
【0085】
蛍光カバー100は、例えば樹脂基材中に青色LED4の発光によって励起されて蛍光を発する蛍光体11が含有されて形成されている。樹脂基材は例えば、透光性のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂、塩化ビニル、ポリスチロール、ベークライト、CR39(アクリル・グリコール・カーボネート樹脂)等であり、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂は、蛍光カバー100にある程度の弾力性を付与するため、外部樹脂9への装着が容易である。
【0086】
また、蛍光カバー100は、外部樹脂9の外面に密着する形状、即ち円筒形状のカバー上部に半球形状のカバーが一体形成された形状を成しており、外部樹脂9に着脱自在に取り付けられている。また、蛍光カバー100は、蛍光体11による光散乱を小さくするため薄いフィルム状とするのが好ましい。更に、蛍光カバー100は、蛍光体11を含有する樹脂の射出成形により所定の形状に形成した後、外部樹脂9に密着すると比較的簡単に完成できるが、外部樹脂9と蛍光カバー100との間に空気層が形成されないようにするため、蛍光体11を含む樹脂原料を外部樹脂9に直接噴霧した後、硬化させて蛍光カバー100を形成してもよい。
【0087】
このように構成された半導体発光装置において、青色LED4からの出射光は、内部樹脂8及び外部樹脂9を介して蛍光カバー100に入射される。この入射光の一部が蛍光体11により吸収され、同時に波長変換されて外部へ出射される。これによって蛍光カバー100の外面から観測される発光色は、それらの光を合成した色となり、例えば前述の原理から白色となる。
【0088】
このように、第6の実施の形態の半導体発光装置によれば、青色LED4の樹脂封止体である内部樹脂8及び外部樹脂9に蛍光体11を含有せず、外部樹脂9の外面を被覆する蛍光カバー100に蛍光体11を含有させたので、内部樹脂8及び外部樹脂9では、蛍光体11による光散乱が生じない。また、蛍光カバー100は薄いフィルム状を成すので、蛍光体11による光散乱は比較的小さい。このため、外部樹脂9のレンズ部の形状を任意形状(上記実施の形態では半球状)とすることによって所望の光指向性が得られ、波長変換に伴う輝度の低下を最小限に抑制することができる。
【0089】
この他、蛍光カバー100の基材に含有される蛍光体11の種類を変えることによって、白色のみならず他の色の発光色も実現可能となる。蛍光カバー100の取り付け構造を着脱容易な構造とすると共に、種類の異なる蛍光体11を含有する蛍光カバー100を複数種類用意しておけば、蛍光カバー100を交換するだけで容易に出射光の色調を可変させることができる。
【0090】
また、蛍光体11は、蛍光カバー100に含有させる他、蛍光カバー100の表面に塗布しても含有させたと同様の効果を得ることができる。更に、市販の半導体発光素子に蛍光カバー100を装着できるので、半導体発光装置を安価に製造することができる。
【0091】
【発明の効果】
本発明によると、珪酸バリウムの代りに珪酸ストロンチウムまたは珪酸バリウムと珪酸ストロンチウムオルト珪酸塩の混合形が使用される場合に、放射される光の波長が長くなることが意外にも見いだされた。珪素の部分のゲルマニウムによる置換ならびに付加的に存在するP2O 5 、Al2O3および/またはB2O3も発光スペクトルへの影響を有し、その結果、該発光スペクトルは、それぞれの使用の場合について最適に調整することができる。
【0092】
有利に前記の発光装置は、2価のユウロピウムおよび/またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩の群からの別の蛍光体および/または、Y(V,P,Si)O4:Euまたは次式:
Me(3−x−y)MgSi2O3:xEu,yMn
(式中、
0.005<x<0.5、
0.005<y<0.5、
MeはBaおよび/またはSrおよび/またはCaを表す)
で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩:Eu2+,Mn2+の群からのさらに別の赤く発光する蛍光体を有している。
【0093】
さらに、少量の1価のイオン、殊にハロゲン化物、が蛍光体格子の中に組み込まれている場合が、結晶化度および放射率について有利であることが見いだされた。
【0094】
第1のスペクトル領域が300から500nmである場合は、有利である。この波長領域で、本発明による蛍光体は、良好に励起されることができる。
【0095】
さらに、第2のスペクトル領域が430nmから650nmである場合は、有利である。この場合には合わせて、比較的純粋な白色が得られる。
【0096】
有利に発光装置は、Ra値>72を有する白色光を放射する。
【0097】
以上のように、本発明による発光素子と蛍光体を有する発光装置は、LEDディスプレイ、バックライト装置、信号機、照光式スイッチ、各種センサ、各種インジケータに適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の発光装置の第2の実施の形態に係るLEDランプの断面図である。
【図2】 第1図に示す青色LEDの層構成を示す断面図である。
【図3】 本発明の発光装置の第3の実施の形態に係る面状光源用装置の構成を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図である。
【図4】 本発明の発光装置の第4の実施の形態に係るSMD(Surface Mounted Device)型のLEDランプの断面図である。
【図5】 本発明の発光装置の第5の実施の形態に係るLEDランプの断面図である。
【図6】 過電圧保護素子にツェナーダイオードを用いた場合の接続回路図である。
【図7】 過電圧保護素子にコンデンサを用いた場合の接続回路図である。
【図8】 本発明の発光装置の第6の実施の形態に係る半導体発光装置の断面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム
2 リードフレーム
3 メタルステム
4 青色LED
5 マウント
6 ボンディングワイヤ
7 ボンディングワイヤ
8 内部樹脂
9 外部樹脂
10 カップ
11 蛍光体
41 サファイア基板
42 バッファ層
43 n型コンタクト層
44 n型クラッド層
45 MQW活性層
46 p型クラッド層
47 p型コンタクト層
48 p電極
49 n電極
50 透光性電極
70 導光板
70a 出射面
71 光反射ケース
72 反射面
73 光拡散模様
74 フィルム
81 パターン配線
82 パターン配線
83 枠体
83a カップ
88 封止剤
91 過電圧保護素子
92 電極
93 電極
94a Auバンプ
94b Auバンプ
95 ツェナーダイオード
96 コンデンサ
100 蛍光カバー
Claims (12)
- 窒化物半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLED素子と、
前記LED素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射することを特徴とする発光装置。 - 前記第1蛍光体及び前記第2蛍光体は、前記LED素子を被覆しシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又は低融点ガラスからなる被覆部材に混入されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、拡散剤が混入されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、さらに、透明な第2の被覆部材により覆われたことを特徴とする請求項2または3に記載の発光装置。
- 前記LED素子は、絶縁性を有し透明な接着剤によりフレームに固定され、
前記第1蛍光体及び前記第2蛍光体は、前記接着材に含有されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記LED素子から発光された光を導入して光出力面から出力する略矩形の導光板を備え、
前記第1蛍光体及び第2蛍光体は、前記導光板の前記光出力面上に面状に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記LED素子は、発光層がインジウムを含み量子井戸構造からなることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第1蛍光体は、ハロゲン化物を添加されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
- マウントリードのカップ内に配置させたGaN系半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLED素子と、
前記LED素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する封止剤を前記カップ内に充填させたコーティング部材と、
前記コーティング部材、前記発光素子及び前記マウントリードの先端を被覆するモールド部材とを備えた発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射することを特徴とする発光装置。 - 前記LED素子は、前記カップ内に配置され、前記LED素子を覆うように且つ前記カップ上面縁部より低く前記第1蛍光体及び前記第2蛍光体を配置したことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 筐体内にフリップチップ実装されたGaN系化合物半導体からなり発光波長が450から490nmの青色のLEDチップと、
該LEDチップが発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体と、
前記蛍光体を含有する透明封止剤により前記LEDチップが配設された筐体内を充填するモールド部材とを有する発光装置において、
前記蛍光体は、
式:
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩および/または
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2:y Eu2+
(式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0≦a、b、c、d<0.5である)
で示される2価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属珪酸塩からなる第1蛍光体と、
赤く発光する第2蛍光体と、を含み、
2600Kと7000Kの範囲にある色温度を有し、Ra値>72を有する白色光を放射することを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子は、ツェナーダイオードからなるサブマウント上に配置され、かつ、周囲が前記第1蛍光体及び第2蛍光体で覆われたことを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT2154/2000 | 2000-12-28 | ||
AT0215400A AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
PCT/JP2001/011628 WO2002054503A1 (fr) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Dispositif electroluminescent |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006222051A Division JP4583348B2 (ja) | 2000-12-28 | 2006-08-16 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2002054503A1 JPWO2002054503A1 (ja) | 2004-05-13 |
JP4045189B2 true JP4045189B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=3689983
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002554890A Expired - Lifetime JP4048116B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-11-19 | 発光素子を備えた光源 |
JP2002554891A Expired - Lifetime JP4045189B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | 発光装置 |
JP2006222051A Expired - Lifetime JP4583348B2 (ja) | 2000-12-28 | 2006-08-16 | 発光装置 |
JP2007023598A Expired - Lifetime JP4783306B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-02-01 | 発光素子を備えた光源 |
JP2011035197A Expired - Lifetime JP5519552B2 (ja) | 2000-12-28 | 2011-02-21 | 蛍光体の材料 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002554890A Expired - Lifetime JP4048116B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-11-19 | 発光素子を備えた光源 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006222051A Expired - Lifetime JP4583348B2 (ja) | 2000-12-28 | 2006-08-16 | 発光装置 |
JP2007023598A Expired - Lifetime JP4783306B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-02-01 | 発光素子を備えた光源 |
JP2011035197A Expired - Lifetime JP5519552B2 (ja) | 2000-12-28 | 2011-02-21 | 蛍光体の材料 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US6809347B2 (ja) |
EP (6) | EP2544247B1 (ja) |
JP (5) | JP4048116B2 (ja) |
KR (6) | KR100715579B1 (ja) |
CN (4) | CN1268009C (ja) |
AT (2) | AT410266B (ja) |
DE (4) | DE20122878U1 (ja) |
ES (2) | ES2437131T3 (ja) |
RU (1) | RU2251761C2 (ja) |
TW (2) | TWI297723B (ja) |
WO (2) | WO2002054502A1 (ja) |
Families Citing this family (540)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100537349B1 (ko) | 1996-06-26 | 2006-02-28 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
JP2002232013A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP4161603B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2008-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
EP1672707B1 (en) * | 2001-04-20 | 2019-07-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US7091656B2 (en) * | 2001-04-20 | 2006-08-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20030015708A1 (en) | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
JP3749243B2 (ja) | 2001-09-03 | 2006-02-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光デバイス,発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法 |
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
US7224000B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
JP4263453B2 (ja) | 2002-09-25 | 2009-05-13 | パナソニック株式会社 | 無機酸化物及びこれを用いた発光装置 |
JP2004127988A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 白色発光装置 |
CN100383573C (zh) * | 2002-12-02 | 2008-04-23 | 3M创新有限公司 | 多光源照明系统 |
DE10259946A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe |
TW577184B (en) * | 2002-12-26 | 2004-02-21 | Epistar Corp | Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer |
DE10261908B4 (de) * | 2002-12-27 | 2010-12-30 | Osa Opto Light Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen |
TWI351566B (en) * | 2003-01-15 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device |
JP2004273798A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光デバイス |
US7465961B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic equipment, backlight structure and keypad for electronic equipment |
KR101148332B1 (ko) | 2003-04-30 | 2012-05-25 | 크리, 인코포레이티드 | 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 |
US7777235B2 (en) | 2003-05-05 | 2010-08-17 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diodes with improved light collimation |
US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
US7157745B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-01-02 | Blonder Greg E | Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them |
US7633093B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
US6982045B2 (en) * | 2003-05-17 | 2006-01-03 | Phosphortech Corporation | Light emitting device having silicate fluorescent phosphor |
CN100511732C (zh) * | 2003-06-18 | 2009-07-08 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
AT412928B (de) * | 2003-06-18 | 2005-08-25 | Guenther Dipl Ing Dr Leising | Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle |
US7145125B2 (en) | 2003-06-23 | 2006-12-05 | Advanced Optical Technologies, Llc | Integrating chamber cone light using LED sources |
US7521667B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-04-21 | Advanced Optical Technologies, Llc | Intelligent solid state lighting |
DE10331076B4 (de) * | 2003-07-09 | 2011-04-07 | Airbus Operations Gmbh | Leuchtelement mit einer Leuchtdiode |
KR101034055B1 (ko) | 2003-07-18 | 2011-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2005073227A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 撮像装置 |
JP2005064047A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US7502392B2 (en) * | 2003-09-12 | 2009-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser oscillator |
JP2007506264A (ja) * | 2003-09-15 | 2007-03-15 | コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. | 白色発光照明システム |
US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
DE10354936B4 (de) * | 2003-09-30 | 2012-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement |
US6995402B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
JP2005142311A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tzu-Chi Cheng | 発光装置 |
US20050110401A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Lin Jung K. | Light emitting diode package structure |
US20050116235A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Schultz John C. | Illumination assembly |
US7403680B2 (en) * | 2003-12-02 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Reflective light coupler |
US7329887B2 (en) * | 2003-12-02 | 2008-02-12 | 3M Innovative Properties Company | Solid state light device |
US20050116635A1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Walson James E. | Multiple LED source and method for assembling same |
US7456805B2 (en) | 2003-12-18 | 2008-11-25 | 3M Innovative Properties Company | Display including a solid state light device and method using same |
US7573072B2 (en) * | 2004-03-10 | 2009-08-11 | Lumination Llc | Phosphor and blends thereof for use in LEDs |
US7009285B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-03-07 | Lite-On Technology Corporation | Optoelectronic semiconductor component |
JP4516337B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-08-04 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
US7868343B2 (en) * | 2004-04-06 | 2011-01-11 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same |
KR100605212B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-07-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드 |
KR100605211B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-07-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드 |
EP1738385A1 (en) * | 2004-04-15 | 2007-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrically controllable color conversion cell |
FR2869159B1 (fr) * | 2004-04-16 | 2006-06-16 | Rhodia Chimie Sa | Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche |
KR100887489B1 (ko) * | 2004-04-27 | 2009-03-10 | 파나소닉 주식회사 | 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치 |
DE102005020695B4 (de) * | 2004-04-30 | 2006-06-22 | Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. | Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft |
KR100655894B1 (ko) | 2004-05-06 | 2006-12-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치 |
KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
KR100665299B1 (ko) | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광물질 |
US8308980B2 (en) | 2004-06-10 | 2012-11-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100665298B1 (ko) | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
TWI308397B (en) * | 2004-06-28 | 2009-04-01 | Epistar Corp | Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof |
US7329905B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-12 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
US7534633B2 (en) * | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
WO2006005005A2 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Sarnoff Corporation | Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors |
TW200614548A (en) * | 2004-07-09 | 2006-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
US7575697B2 (en) * | 2004-08-04 | 2009-08-18 | Intematix Corporation | Silicate-based green phosphors |
US7806541B2 (en) | 2004-08-06 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High performance LED lamp system |
US20060044782A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Robin Hsu | Light-storing safety device |
JP4747726B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-08-17 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2006086300A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sanken Electric Co Ltd | 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法 |
US7745832B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-06-29 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate |
KR100668609B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2007-01-16 | 엘지전자 주식회사 | 백색광원소자 |
JP2006114637A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP4880892B2 (ja) | 2004-10-18 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 蛍光体,蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置 |
US7772609B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US7670872B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
JP4534717B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-09-01 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US7419839B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
US7462502B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
CN101072844A (zh) * | 2004-12-07 | 2007-11-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括辐射源和发光材料的照明系统 |
DE112005002889B4 (de) * | 2004-12-14 | 2015-07-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben |
BRPI0517584B1 (pt) * | 2004-12-22 | 2017-12-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Lighting device |
US20060139335A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | International Business Machines Corporation | Assembly and device for a display having a perimeter touch guard seal |
US20060138443A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
BRPI0519478A2 (pt) | 2004-12-27 | 2009-02-03 | Quantum Paper Inc | display emissivo endereÇÁvel e imprimÍvel |
US9070850B2 (en) * | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
TWI303111B (en) * | 2005-01-19 | 2008-11-11 | Advanced Optoelectronic Tech | Light emitting diode device and manufacturing method thereof |
TWM286903U (en) * | 2005-01-25 | 2006-02-01 | Shu-Shiung Guo | Jewelry lamp |
US7525248B1 (en) | 2005-01-26 | 2009-04-28 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp |
EP1694047B1 (de) * | 2005-02-16 | 2020-03-18 | X-Rite Switzerland GmbH | Beleuchtungseinrichtung für ein Farbmessgerät |
US20060189013A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-24 | 3M Innovative Properties Company | Method of making LED encapsulant with undulating surface |
EP1864339A4 (en) | 2005-03-11 | 2010-12-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX |
US7274045B2 (en) * | 2005-03-17 | 2007-09-25 | Lumination Llc | Borate phosphor materials for use in lighting applications |
JP2006261540A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光デバイス |
US7276183B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-10-02 | Sarnoff Corporation | Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices |
KR100799839B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-31 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치 |
KR101142519B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널 |
US7474286B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-01-06 | Spudnik, Inc. | Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light |
US7791561B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-09-07 | Prysm, Inc. | Display systems having screens with optical fluorescent materials |
US7733310B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-06-08 | Prysm, Inc. | Display screens having optical fluorescent materials |
WO2006107032A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Sony Corporation | 情報処理システムおよび方法、並びにプログラム |
US7994702B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-08-09 | Prysm, Inc. | Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors |
US8000005B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-16 | Prysm, Inc. | Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems |
US8089425B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-01-03 | Prysm, Inc. | Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens |
US7690167B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-04-06 | Antonic James P | Structural support framing assembly |
KR100704492B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-04-09 | 한국화학연구원 | 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법 |
KR100666189B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-01-09 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
WO2006126817A1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof |
US8215815B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-07-10 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
US8272758B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-09-25 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
US8128272B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-03-06 | Oree, Inc. | Illumination apparatus |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
TWI422044B (zh) * | 2005-06-30 | 2014-01-01 | Cree Inc | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 |
KR101161383B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 |
DE102005038698A1 (de) | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler |
KR100670478B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP4907121B2 (ja) | 2005-07-28 | 2012-03-28 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ |
EP1750309A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-29 | Samsung Electro-mechanics Co., Ltd | Light emitting device having protection element |
JP4873183B2 (ja) | 2005-08-04 | 2012-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JPWO2007018098A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2009-02-19 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 発光ユニット |
US7329907B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-02-12 | Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd | Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity |
US7501753B2 (en) * | 2005-08-31 | 2009-03-10 | Lumination Llc | Phosphor and blends thereof for use in LEDs |
KR100724591B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-06-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 led 백라이트 |
US7765792B2 (en) | 2005-10-21 | 2010-08-03 | Honeywell International Inc. | System for particulate matter sensor signal processing |
KR101258397B1 (ko) | 2005-11-11 | 2013-04-30 | 서울반도체 주식회사 | 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체 |
JP4899433B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-03-21 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、並びにそれを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
CN101310142B (zh) * | 2005-11-17 | 2013-01-02 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 灯组件 |
US8514210B2 (en) | 2005-11-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements |
KR101361883B1 (ko) * | 2005-11-18 | 2014-02-12 | 크리 인코포레이티드 | 고상 발광 타일들 |
WO2007061811A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-31 | Cree, Inc. | Solid state lighting panels with variable voltage boost current sources |
US7926300B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-04-19 | Cree, Inc. | Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels |
US7943946B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
US20070125984A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Sarnoff Corporation | Phosphors protected against moisture and LED lighting devices |
US8906262B2 (en) * | 2005-12-02 | 2014-12-09 | Lightscape Materials, Inc. | Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same |
WO2007070821A2 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | Ilight Technologies, Inc. | Illumination device with hue transformation |
KR101055772B1 (ko) | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
TWI421438B (zh) | 2005-12-21 | 2014-01-01 | 克里公司 | 照明裝置 |
KR20090009772A (ko) * | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
US20070145879A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Abramov Vladimir S | Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems |
KR20080106402A (ko) | 2006-01-05 | 2008-12-05 | 일루미텍스, 인크. | Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스 |
DE102006001195A1 (de) | 2006-01-10 | 2007-07-12 | Sms Demag Ag | Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
WO2007084640A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
KR101283182B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2007231250A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
DE102006005042A1 (de) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff |
TWI317756B (en) * | 2006-02-07 | 2009-12-01 | Coretronic Corp | Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device |
WO2007091687A1 (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
US7884816B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-02-08 | Prysm, Inc. | Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems |
US8451195B2 (en) | 2006-02-15 | 2013-05-28 | Prysm, Inc. | Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens |
US7928462B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-04-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same |
KR100746338B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2007-08-03 | 한국과학기술원 | 백색 발광장치용 형광체, 이의 제조방법 및 형광체를이용한 백색 발광장치 |
US20070210282A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Association Suisse Pour La Recherche Horlogere (Asrh) | Phosphorescent compounds |
EP1999232B1 (en) * | 2006-03-16 | 2017-06-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Fluorescent material and light emitting diode using the same |
CN100590173C (zh) | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
US7285791B2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-23 | Goldeneye, Inc. | Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same |
JP5032043B2 (ja) | 2006-03-27 | 2012-09-26 | 豊田合成株式会社 | フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置 |
JP5025636B2 (ja) | 2006-03-28 | 2012-09-12 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
US7675145B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100875443B1 (ko) | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
JP5091421B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US7863639B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-01-04 | Semileds Optoelectronics Co. Ltd. | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance |
US8373195B2 (en) | 2006-04-12 | 2013-02-12 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
TW200807104A (en) | 2006-04-19 | 2008-02-01 | Mitsubishi Chem Corp | Color image display device |
JP2009534866A (ja) | 2006-04-24 | 2009-09-24 | クリー, インコーポレイティッド | 横向き平面実装白色led |
WO2007125453A2 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material |
CN101449100B (zh) | 2006-05-05 | 2012-06-27 | 科锐公司 | 照明装置 |
US7755282B2 (en) * | 2006-05-12 | 2010-07-13 | Edison Opto Corporation | LED structure and fabricating method for the same |
CN101077973B (zh) * | 2006-05-26 | 2010-09-29 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置 |
JP2009538536A (ja) | 2006-05-26 | 2009-11-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 固体発光デバイス、および、それを製造する方法 |
JP4973011B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-07-11 | 豊田合成株式会社 | Led装置 |
US7969097B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Lighting device with color control, and method of lighting |
WO2007141688A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Colored and white light generating lighting device |
KR100939936B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2010-02-04 | 대주전자재료 주식회사 | 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 형광체 및 그제조방법 |
US7661840B1 (en) | 2006-06-21 | 2010-02-16 | Ilight Technologies, Inc. | Lighting device with illuminated front panel |
KR101258229B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
TWI321857B (en) * | 2006-07-21 | 2010-03-11 | Epistar Corp | A light emitting device |
CN100590172C (zh) | 2006-07-26 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件 |
US7804147B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-09-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement |
JP5205724B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR100887068B1 (ko) * | 2006-08-04 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법 |
ES2391586T3 (es) * | 2006-08-15 | 2012-11-28 | Dalian Luminglight Co., Ltd. | Materiales luminiscentes basados en silicato que tienen múltiples picos de emisión, procedimientos para su preparación y uso de los mismos en dispositivos de emisión de luz |
CN101554089A (zh) * | 2006-08-23 | 2009-10-07 | 科锐Led照明科技公司 | 照明装置和照明方法 |
KR20080018620A (ko) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
KR101258227B1 (ko) | 2006-08-29 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
US20080123023A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-05-29 | Trung Doan | White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US7910938B2 (en) * | 2006-09-01 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
US8425271B2 (en) * | 2006-09-01 | 2013-04-23 | Cree, Inc. | Phosphor position in light emitting diodes |
US7842960B2 (en) * | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
DE102007020782A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
EP2070123A2 (en) | 2006-10-02 | 2009-06-17 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
KR101497104B1 (ko) * | 2006-10-03 | 2015-02-27 | 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 led 조명 디바이스 |
EP2080235B1 (en) * | 2006-10-12 | 2013-12-04 | Panasonic Corporation | Light-emitting device |
BRPI0718085A2 (pt) * | 2006-10-31 | 2013-11-05 | Tir Technology Lp | Fonte de luz |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US7648650B2 (en) * | 2006-11-10 | 2010-01-19 | Intematix Corporation | Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations |
KR20090082923A (ko) * | 2006-11-15 | 2009-07-31 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 다중 추출기를 통하여 광을 고효율로 추출하는 발광 다이오드 |
US20090121250A1 (en) * | 2006-11-15 | 2009-05-14 | Denbaars Steven P | High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging |
TW200837997A (en) * | 2006-11-15 | 2008-09-16 | Univ California | High light extraction efficiency sphere LED |
US8045595B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode |
EP2087563B1 (en) | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
US7813400B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-10-12 | Cree, Inc. | Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same |
US7769066B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-08-03 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
KR100687417B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2007-02-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체의 제조방법 |
US7692263B2 (en) | 2006-11-21 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | High voltage GaN transistors |
US8337045B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
WO2008070607A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting assembly and lighting method |
JP2010512662A (ja) | 2006-12-11 | 2010-04-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 透明発光ダイオード |
US8013506B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-09-06 | Prysm, Inc. | Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity |
US8109656B1 (en) | 2007-01-12 | 2012-02-07 | Ilight Technologies, Inc. | Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity |
US20080169746A1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Ilight Technologies, Inc. | Bulb for light-emitting diode |
US7686478B1 (en) | 2007-01-12 | 2010-03-30 | Ilight Technologies, Inc. | Bulb for light-emitting diode with color-converting insert |
US7968900B2 (en) * | 2007-01-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | High performance LED package |
US7834367B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-11-16 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8456388B2 (en) * | 2007-02-14 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | Systems and methods for split processor control in a solid state lighting panel |
CN101247043B (zh) * | 2007-02-15 | 2010-05-26 | 葳天科技股份有限公司 | 发光二极管电路组件 |
US20080198572A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
US7864381B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-01-04 | Xerox Corporation | Document illuminator with LED-driven phosphor |
WO2008116123A1 (en) | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Spudnik, Inc. | Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems |
DE102007016228A1 (de) | 2007-04-04 | 2008-10-09 | Litec Lll Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs |
DE102007016229A1 (de) | 2007-04-04 | 2008-10-09 | Litec Lll Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs |
JP5222600B2 (ja) | 2007-04-05 | 2013-06-26 | 株式会社小糸製作所 | 蛍光体 |
US7697183B2 (en) | 2007-04-06 | 2010-04-13 | Prysm, Inc. | Post-objective scanning beam systems |
US8169454B1 (en) | 2007-04-06 | 2012-05-01 | Prysm, Inc. | Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems |
JP4903179B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2012-03-28 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. | 発光装置及びその製造方法 |
EP1987762A1 (de) * | 2007-05-03 | 2008-11-05 | F.Hoffmann-La Roche Ag | Oximeter |
US7781779B2 (en) * | 2007-05-08 | 2010-08-24 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices including wavelength converting material |
US8038822B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-10-18 | Prysm, Inc. | Multilayered screens with light-emitting stripes for scanning beam display systems |
US7712917B2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Solid state lighting panels with limited color gamut and methods of limiting color gamut in solid state lighting panels |
US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8384630B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-02-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8889216B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8133768B2 (en) | 2007-05-31 | 2012-03-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US7999283B2 (en) | 2007-06-14 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes |
US7682524B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-23 | National Central University | Phosphor for producing white light under excitation of UV light and method for making the same |
US7682525B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-23 | National Central University | Material composition for producing blue phosphor by excitation of UV light and method for making the same |
US8556430B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-10-15 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
US7878657B2 (en) | 2007-06-27 | 2011-02-01 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
KR100919461B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2009-09-28 | 심현섭 | 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치 |
CN101743488B (zh) * | 2007-07-17 | 2014-02-26 | 科锐公司 | 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法 |
CN101755345A (zh) | 2007-07-19 | 2010-06-23 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
US8791631B2 (en) * | 2007-07-19 | 2014-07-29 | Quarkstar Llc | Light emitting device |
US7663315B1 (en) | 2007-07-24 | 2010-02-16 | Ilight Technologies, Inc. | Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity |
JP4980427B2 (ja) | 2007-07-27 | 2012-07-18 | シャープ株式会社 | 照明装置および液晶表示装置 |
US20090033612A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Roberts John K | Correction of temperature induced color drift in solid state lighting displays |
TWI342628B (en) * | 2007-08-02 | 2011-05-21 | Lextar Electronics Corp | Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module |
US7863635B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
US8829820B2 (en) * | 2007-08-10 | 2014-09-09 | Cree, Inc. | Systems and methods for protecting display components from adverse operating conditions |
CN101784636B (zh) | 2007-08-22 | 2013-06-12 | 首尔半导体株式会社 | 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法 |
US20090050912A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Light emitting diode and outdoor illumination device having the same |
US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
US7968899B2 (en) * | 2007-08-27 | 2011-06-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED light source having improved resistance to thermal cycling |
WO2009028818A2 (en) | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors |
KR101055769B1 (ko) | 2007-08-28 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치 |
DE202007019100U1 (de) | 2007-09-12 | 2010-09-02 | Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh | LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht |
US8519437B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
DE102007043903A1 (de) * | 2007-09-14 | 2009-03-26 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leucht-Vorrichtung |
DE102007043904A1 (de) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leucht-Vorrichtung |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
KR101346538B1 (ko) | 2007-09-26 | 2013-12-31 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광소자 및 그것을 이용한 발광장치 |
DE102007049799A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9012937B2 (en) * | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
KR101525274B1 (ko) * | 2007-10-26 | 2015-06-02 | 크리, 인코포레이티드 | 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법 |
US8866169B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8018139B2 (en) * | 2007-11-05 | 2011-09-13 | Enertron, Inc. | Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine |
US20120037886A1 (en) | 2007-11-13 | 2012-02-16 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
US9634191B2 (en) * | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
US8119028B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-02-21 | Cree, Inc. | Cerium and europium doped single crystal phosphors |
US7923925B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-04-12 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Light emitting device with a stopper layer structure |
US8866410B2 (en) * | 2007-11-28 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same |
JP2010074117A (ja) * | 2007-12-07 | 2010-04-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
US9431589B2 (en) * | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US8823630B2 (en) * | 2007-12-18 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Systems and methods for providing color management control in a lighting panel |
US7907804B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-03-15 | Oree, Inc. | Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area |
US8182128B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-05-22 | Oree, Inc. | Planar white illumination apparatus |
CN101482247A (zh) * | 2008-01-11 | 2009-07-15 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 照明装置 |
US20090309114A1 (en) | 2008-01-16 | 2009-12-17 | Luminus Devices, Inc. | Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same |
US8337029B2 (en) * | 2008-01-17 | 2012-12-25 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US8040070B2 (en) | 2008-01-23 | 2011-10-18 | Cree, Inc. | Frequency converted dimming signal generation |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
KR20100122485A (ko) | 2008-02-08 | 2010-11-22 | 일루미텍스, 인크. | 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법 |
TWI362413B (en) * | 2008-02-25 | 2012-04-21 | Ind Tech Res Inst | Borate phosphor and white light illumination device utilizing the same |
JP5227613B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
CN101978297A (zh) | 2008-03-05 | 2011-02-16 | 奥利高级照明解决公司 | 照明装置及其形成方法 |
KR100986359B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 |
TWI361829B (en) * | 2008-03-20 | 2012-04-11 | Ind Tech Res Inst | White light illumination device |
JP5665160B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2015-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置および照明器具 |
DE102009018603B9 (de) | 2008-04-25 | 2021-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
US7888688B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-02-15 | Bridgelux, Inc. | Thermal management for LED |
DE102008021662A1 (de) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem |
US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
TW201007091A (en) * | 2008-05-08 | 2010-02-16 | Lok F Gmbh | Lamp device |
US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US7992332B2 (en) | 2008-05-13 | 2011-08-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
WO2009143283A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Lightscape Materials, Inc. | Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same |
DE202008018269U1 (de) | 2008-05-29 | 2012-06-26 | Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh | LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung |
DE102008025864A1 (de) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh | LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung |
US7766509B1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-08-03 | Lumec Inc. | Orientable lens for an LED fixture |
KR101438826B1 (ko) | 2008-06-23 | 2014-09-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광장치 |
CN102077015A (zh) * | 2008-06-25 | 2011-05-25 | 马里奥·W·卡尔杜洛 | 紫外生成的可见光源 |
US8240875B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
DE102008031029B4 (de) * | 2008-06-30 | 2012-10-31 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung für eine lichtemittierende Vorrichtung |
EP2312658B1 (en) | 2008-07-03 | 2018-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | A wavelength-converting light emitting diode (led) chip and method for fabrication of an led device equipped with this chip |
US8297786B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
US8301002B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
US7869112B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-01-11 | Prysm, Inc. | Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications |
US8698193B2 (en) * | 2008-07-29 | 2014-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US8080827B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-12-20 | Bridgelux, Inc. | Top contact LED thermal management |
JP5284006B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-11 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US20120181919A1 (en) * | 2008-08-27 | 2012-07-19 | Osram Sylvania Inc. | Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same |
BRPI0917131A2 (pt) * | 2008-08-29 | 2015-11-10 | Sharp Kk | dispositivo de iluminação de fundo de um tipo de iluminação lateral |
US7859190B2 (en) * | 2008-09-10 | 2010-12-28 | Bridgelux, Inc. | Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes |
JP2010067903A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | 発光素子 |
US8174100B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-05-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source using a light-emitting diode |
WO2010034159A1 (zh) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Hsu Chen | 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法 |
KR20110066202A (ko) * | 2008-10-01 | 2011-06-16 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 증가된 광 추출 및 황색이 아닌 오프 상태 컬러를 위한 인캡슐런트 내의 입자들을 갖는 led |
US8075165B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US20100117106A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Ledengin, Inc. | Led with light-conversion layer |
WO2010055831A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体発光装置 |
JP2010129583A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 照明装置 |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
DE202008017960U1 (de) | 2008-12-17 | 2011-02-10 | Poly-Tech Service Gmbh | LED-basiertes Beleuchtungssystem |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
TWI380483B (en) * | 2008-12-29 | 2012-12-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Led device and method of packaging the same |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
TWI376043B (en) * | 2009-01-23 | 2012-11-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting device package structure and manufacturing method thereof |
US8183575B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-05-22 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device |
KR20100093981A (ko) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 라이트 유닛 |
WO2010095809A2 (ko) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | (주)큐엠씨 | 엘이디 칩 테스트장치 |
US8624527B1 (en) | 2009-03-27 | 2014-01-07 | Oree, Inc. | Independently controllable illumination device |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US7985000B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
KR101004713B1 (ko) * | 2009-04-22 | 2011-01-04 | 주식회사 에피밸리 | 디스플레이의 디밍 제어방법 |
US8337030B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods |
US20100320904A1 (en) | 2009-05-13 | 2010-12-23 | Oree Inc. | LED-Based Replacement Lamps for Incandescent Fixtures |
US8921876B2 (en) * | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
US20100315325A1 (en) * | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source unit and display apparatus including the same |
JP5624616B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2014-11-12 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | オキシオルトシリケート発光体を有する発光物質を用いる発光装置 |
WO2010150202A2 (en) | 2009-06-24 | 2010-12-29 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same |
KR101055762B1 (ko) | 2009-09-01 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치 |
DE102009030205A1 (de) | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Litec-Lp Gmbh | Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore |
EP2453163A4 (en) * | 2009-07-06 | 2013-08-14 | Sharp Kk | LIGHTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND TELEVISION RECEIVER |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
DE102009036462B4 (de) * | 2009-08-06 | 2016-10-27 | Trw Automotive Electronics & Components Gmbh | Abgleichen des Farbortes von Leuchten und beleuchteten Bedien- oder Anzeigeeinheiten in einer gemeinsamen Umgebung |
JP2011040494A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
US8084780B2 (en) * | 2009-08-13 | 2011-12-27 | Semileds Optoelectronics Co. | Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC) |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
TWI361216B (en) * | 2009-09-01 | 2012-04-01 | Ind Tech Res Inst | Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same |
TWI528604B (zh) * | 2009-09-15 | 2016-04-01 | 無限科技全球公司 | 發光、光伏或其它電子裝置及系統 |
CN102032480B (zh) | 2009-09-25 | 2013-07-31 | 东芝照明技术株式会社 | 灯泡型灯以及照明器具 |
KR20120094477A (ko) | 2009-09-25 | 2012-08-24 | 크리, 인코포레이티드 | 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치 |
TWI403003B (zh) * | 2009-10-02 | 2013-07-21 | Chi Mei Lighting Tech Corp | 發光二極體及其製造方法 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
DE202009016962U1 (de) | 2009-10-13 | 2010-05-12 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffmischungen |
WO2011044974A1 (de) | 2009-10-13 | 2011-04-21 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffmischungen mit europium dotieren ortho-silikaten |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
US20120091494A1 (en) * | 2009-12-04 | 2012-04-19 | Anatoly Vasilyevich Vishnyakov | Composite luminescent material for solid-state sources of white light |
US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
US8604461B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated doping and related methods |
US8536615B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods |
US8303141B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
TWI461626B (zh) * | 2009-12-28 | 2014-11-21 | Chi Mei Comm Systems Inc | 光源裝置及具有該光源裝置之可攜式電子裝置 |
EP2532946A4 (en) * | 2010-02-05 | 2013-10-02 | With Ltd Liability Dis Plus Soc | METHOD FOR FORMING A LIGHT EMITTING SURFACE AND LIGHTING DEVICE IMPLEMENTING SAID METHOD |
JP5257622B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-08-07 | 東芝ライテック株式会社 | 電球形ランプおよび照明器具 |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
CN102192422B (zh) * | 2010-03-12 | 2014-06-25 | 四川新力光源股份有限公司 | 白光led照明装置 |
CN102194970B (zh) * | 2010-03-12 | 2014-06-25 | 四川新力光源股份有限公司 | 脉冲电流驱动的白光led照明装置 |
WO2011115515A1 (ru) | 2010-03-16 | 2011-09-22 | Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" | Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для его осуществления способа |
WO2011123538A2 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Osram Sylvania Inc. | Phosphor and leds containing same |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
US9080729B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US8329482B2 (en) | 2010-04-30 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | White-emitting LED chips and method for making same |
KR101298406B1 (ko) * | 2010-05-17 | 2013-08-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
TWI422073B (zh) * | 2010-05-26 | 2014-01-01 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構 |
US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
DE102010030473A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
DE112010005700T5 (de) * | 2010-06-25 | 2013-05-02 | Society With Limited Liability "Dis Plus" | LED-Leuchte |
EP2402648A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | TL retrofit LED module outside sealed glass tube |
DE102010026344A1 (de) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode |
US8835199B2 (en) * | 2010-07-28 | 2014-09-16 | GE Lighting Solutions, LLC | Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration |
WO2012018277A1 (ru) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" | Осветительное устройство |
DE102010034322A1 (de) * | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe |
RU2444676C1 (ru) * | 2010-08-16 | 2012-03-10 | Владимир Семенович Абрамов | Светодиодный источник излучения |
US8568009B2 (en) * | 2010-08-20 | 2013-10-29 | Dicon Fiberoptics Inc. | Compact high brightness LED aquarium light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes |
US8523385B2 (en) | 2010-08-20 | 2013-09-03 | DiCon Fibêroptics Inc. | Compact high brightness LED grow light apparatus, using an extended point source LED array with light emitting diodes |
JP5127965B2 (ja) | 2010-09-02 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
KR20120024104A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 |
DE102010041236A1 (de) * | 2010-09-23 | 2012-03-29 | Osram Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
CN102130254B (zh) * | 2010-09-29 | 2015-03-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
US8357553B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-01-22 | Guardian Industries Corp. | Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same |
EP2447338B1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-09-26 | Leuchtstoffwerk Breitungen GmbH | Borophosphate phosphor and light source |
US9024341B2 (en) * | 2010-10-27 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Refractive index tuning of wafer level package LEDs |
US9648673B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-09 | Cree, Inc. | Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters |
EA029315B1 (ru) * | 2010-11-08 | 2018-03-30 | Август Геннадьевич КРАСНОВ | Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода |
JP5770205B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2015-08-26 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置 |
DE102010055265A1 (de) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
KR20130128444A (ko) * | 2010-12-29 | 2013-11-26 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 광대력 출력 및 제어가능한 색을 갖는 원격 형광체 led 디바이스 |
KR101719636B1 (ko) * | 2011-01-28 | 2017-04-05 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
CN102130282A (zh) * | 2011-02-12 | 2011-07-20 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 白光led封装结构及封装方法 |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
US9085732B2 (en) | 2011-03-11 | 2015-07-21 | Intematix Corporation | Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications |
CN102683543B (zh) * | 2011-03-15 | 2015-08-12 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
KR101365361B1 (ko) | 2011-03-18 | 2014-02-20 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 실리케이트 형광 물질 |
DE102011016567B4 (de) * | 2011-04-08 | 2023-05-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement |
US8596815B2 (en) | 2011-04-15 | 2013-12-03 | Dicon Fiberoptics Inc. | Multiple wavelength LED array illuminator for fluorescence microscopy |
US8979316B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-03-17 | Dicon Fiberoptics Inc. | Zoom spotlight using LED array |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
KR101793518B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2017-11-03 | 삼성전자주식회사 | 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 |
US8986842B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-03-24 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes |
JP5772292B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 生体センサーおよび生体情報検出装置 |
JP5863291B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2016-02-16 | 株式会社小糸製作所 | 平面発光モジュール |
TWM418399U (en) * | 2011-07-04 | 2011-12-11 | Azurewave Technologies Inc | Upright Stacked Light-emitting 2 LED structure |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
DE102011107893A1 (de) * | 2011-07-18 | 2013-01-24 | Heraeus Noblelight Gmbh | Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
WO2013013154A2 (en) | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
KR101772588B1 (ko) | 2011-08-22 | 2017-09-13 | 한국전자통신연구원 | 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 mit 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치 |
JP5634352B2 (ja) | 2011-08-24 | 2014-12-03 | 株式会社東芝 | 蛍光体、発光装置および蛍光体の製造方法 |
US8410508B1 (en) * | 2011-09-12 | 2013-04-02 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method |
CN103000794B (zh) * | 2011-09-14 | 2015-06-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
JP5533827B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2014-06-25 | 豊田合成株式会社 | 線状光源装置 |
JP5236843B1 (ja) | 2011-10-11 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびこれを用いた照明装置 |
WO2013062592A1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Luminescent layer with up-converting luminophores |
US8591072B2 (en) | 2011-11-16 | 2013-11-26 | Oree, Inc. | Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same |
JP2013110154A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Sanken Electric Co Ltd | 発光装置 |
KR101323246B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-10-30 | 헤레우스 머티어리얼즈 테크놀로지 게엠베하 운트 코 카게 | 반도체 소자용 본딩 와이어, 그 제조방법, 반도체 소자용 본딩 와이어를 포함하는 발광다이오드 패키지 |
WO2013078463A1 (en) | 2011-11-23 | 2013-05-30 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
KR101894040B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2018-10-05 | 서울반도체 주식회사 | 엘이디 조명장치 |
RU2503884C2 (ru) * | 2011-12-15 | 2014-01-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" | Система стационарного освещения и светоизлучающее устройство для этой системы |
RU2502917C2 (ru) * | 2011-12-30 | 2013-12-27 | Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" | Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером |
US20130178001A1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Wen-Lung Chin | Method for Making LED LAMP |
WO2013112542A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | Intematix Corporation | Long decay phosphors for lighting applications |
EP2620691B1 (en) * | 2012-01-26 | 2015-07-08 | Panasonic Corporation | Lighting device |
CN103242839B (zh) * | 2012-02-08 | 2015-06-10 | 威士玻尔光电(苏州)有限公司 | 蓝光激发黄绿色铝酸盐荧光粉生产方法 |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
US9240530B2 (en) * | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
EP2823017B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-04-19 | Nitto Denko Corporation | Ceramic body for light emitting devices |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
WO2013144834A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device with wavelength converting side coat |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
RU2641282C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2018-01-16 | Люмиледс Холдинг Б.В. | Новые люминофоры, такие как новые узкополосные люминофоры красного свечения, для твердотельного источника света |
CN102664230A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-12 | 邓崛 | Led发光装置及其制造方法 |
CN103453333A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有连续光谱的发光二极管光源 |
CN103511871A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯具 |
WO2014006501A1 (en) | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Yosi Shani | Planar remote phosphor illumination apparatus |
CN102757784B (zh) * | 2012-07-20 | 2014-05-07 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种硅酸盐红色荧光粉及其制备方法 |
JP5578739B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-08-27 | 住友金属鉱山株式会社 | アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法 |
US9305439B2 (en) * | 2012-10-25 | 2016-04-05 | Google Inc. | Configurable indicator on computing device |
CN103837945A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-04 | 浜松光子学株式会社 | 单芯光收发器 |
RU2628014C2 (ru) * | 2012-12-06 | 2017-08-17 | Евгений Михайлович Силкин | Световой прибор |
TWI578573B (zh) * | 2013-01-28 | 2017-04-11 | Harvatek Corp | A plurality of blue light emitting diodes in white light |
US9133990B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-09-15 | Dicon Fiberoptics Inc. | LED illuminator apparatus, using multiple luminescent materials dispensed onto an array of LEDs, for improved color rendering, color mixing, and color temperature control |
US9235039B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-01-12 | Dicon Fiberoptics Inc. | Broad-spectrum illuminator for microscopy applications, using the emissions of luminescent materials |
JP2014160772A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置および照明装置 |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
CN103203470B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-04-01 | 兰州理工大学 | 镍基荧光粒子功能指示复合涂层及其制备方法 |
JP5861047B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体および当該蛍光体を用いた発光装置、ならびに当該発光装置を備える投影装置および車両 |
KR102096053B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
CN105814172B (zh) * | 2013-09-26 | 2018-01-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于固态照明的新氮化铝硅酸盐磷光体 |
JP6323020B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
KR20150122360A (ko) * | 2014-04-23 | 2015-11-02 | (주)라이타이저코리아 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
EP3149108B1 (en) * | 2014-09-11 | 2017-12-20 | Philips Lighting Holding B.V. | Pc-led module with enhanced white rendering and conversion efficiency |
JP6563495B2 (ja) | 2014-11-26 | 2019-08-21 | エルイーディエンジン・インコーポレーテッド | 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなledエミッタ |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
EP3274423B1 (en) | 2015-03-24 | 2019-09-18 | Koninklijke Philips N.V. | Blue emitting phosphor converted led with blue pigment |
DE202015103126U1 (de) * | 2015-06-15 | 2016-09-19 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul |
US9735323B2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-08-15 | Nichia Corporation | Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member |
CN105087003B (zh) * | 2015-09-02 | 2017-05-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种橙黄光led荧光粉、其制备方法及其应用 |
US9478587B1 (en) | 2015-12-22 | 2016-10-25 | Dicon Fiberoptics Inc. | Multi-layer circuit board for mounting multi-color LED chips into a uniform light emitter |
KR20180101493A (ko) | 2016-01-14 | 2018-09-12 | 바스프 에스이 | 강성 2,2'-비페녹시 가교를 갖는 페릴렌 비스이미드 |
RU2639554C2 (ru) * | 2016-03-01 | 2017-12-21 | Николай Евгеньевич Староверов | Герметичный светодиодный кластер повышенной эффективности (варианты) |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
FR3053757B1 (fr) * | 2016-07-05 | 2020-07-17 | Valeo Vision | Dispositif d'eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile |
DE102016116439A1 (de) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Gehäuse mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement |
CN109803969B (zh) | 2016-10-06 | 2022-08-05 | 巴斯夫欧洲公司 | 2-苯基苯氧基取代的苝双酰亚胺化合物及其用途 |
JP6932910B2 (ja) | 2016-10-27 | 2021-09-08 | 船井電機株式会社 | 表示装置 |
KR101831899B1 (ko) * | 2016-11-02 | 2018-02-26 | 에스케이씨 주식회사 | 다층 광학 필름 및 이를 포함하는 표시장치 |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
JP6940764B2 (ja) | 2017-09-28 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN108063176A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-05-22 | 东莞市豪顺精密科技有限公司 | 一种蓝光led灯及其制造工艺和应用 |
JP6645488B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2020-02-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体型蛍光体 |
KR102428755B1 (ko) * | 2017-11-24 | 2022-08-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛 |
EP3728269B1 (en) | 2017-12-19 | 2022-03-09 | Basf Se | Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds |
CN108198809B (zh) * | 2018-01-02 | 2020-01-07 | 广东纬达斯电器有限公司 | 一种led照明装置 |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
EP3768799B1 (en) | 2018-03-20 | 2022-02-09 | Basf Se | Yellow light emitting device |
US10816939B1 (en) | 2018-05-07 | 2020-10-27 | Zane Coleman | Method of illuminating an environment using an angularly varying light emitting device and an imager |
US11184967B2 (en) | 2018-05-07 | 2021-11-23 | Zane Coleman | Angularly varying light emitting device with an imager |
KR102372498B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2022-03-10 | 박신애 | 발광장치를 구비하는 조립식 화장실용 패널 |
US11313671B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-04-26 | Mitutoyo Corporation | Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration |
CN114026201B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-10-20 | 电化株式会社 | 荧光体板和使用该荧光体板的发光装置 |
US11561338B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-01-24 | Nichia Corporation | Light-emitting module |
US11112555B2 (en) | 2019-09-30 | 2021-09-07 | Nichia Corporation | Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
KR102599819B1 (ko) | 2022-01-20 | 2023-11-08 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등 |
KR102599818B1 (ko) | 2022-01-20 | 2023-11-08 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등 |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB544160A (en) * | 1940-08-27 | 1942-03-31 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in luminescent materials |
US3505240A (en) † | 1966-12-30 | 1970-04-07 | Sylvania Electric Prod | Phosphors and their preparation |
US4088923A (en) * | 1974-03-15 | 1978-05-09 | U.S. Philips Corporation | Fluorescent lamp with superimposed luminescent layers |
JPS5241484A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-31 | Gen Electric | Fluorescent lamp structure using two kinds of phospher |
JPS5944337B2 (ja) | 1978-03-08 | 1984-10-29 | 三菱電機株式会社 | 螢光体 |
JPS57160381A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speed controlling device of direct current motor |
JPS59226088A (ja) | 1983-06-07 | 1984-12-19 | Toshiba Corp | 緑色発光螢光体 |
JPS6013882A (ja) | 1983-07-05 | 1985-01-24 | Matsushita Electronics Corp | 螢光体 |
US4661419A (en) * | 1984-07-31 | 1987-04-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Phosphor and radiation image storage panel containing the same |
JPS6244792A (ja) | 1985-08-22 | 1987-02-26 | 三菱電機株式会社 | Crtデイスプレイ装置 |
JPS62277488A (ja) | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Toshiba Corp | 緑色発光螢光体 |
US5226053A (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Light emitting diode |
EP0550937B1 (en) † | 1992-01-07 | 1997-03-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Low-pressure mercury discharge lamp |
JP3215722B2 (ja) * | 1992-08-14 | 2001-10-09 | エヌイーシー三菱電機ビジュアルシステムズ株式会社 | 計測波形判定方法 |
US6013199A (en) * | 1997-03-04 | 2000-01-11 | Symyx Technologies | Phosphor materials |
US5670798A (en) * | 1995-03-29 | 1997-09-23 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
DE19629920B4 (de) * | 1995-08-10 | 2006-02-02 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor |
JP3209096B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2001-09-17 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP3164016B2 (ja) * | 1996-05-31 | 2001-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
KR100537349B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-02-28 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JPH1056236A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体レーザ素子 |
JP3065258B2 (ja) | 1996-09-30 | 2000-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JP4024892B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2007-12-19 | 化成オプトニクス株式会社 | 蓄光性発光素子 |
JP3706452B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2005-10-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100398516B1 (ko) * | 1997-01-09 | 2003-09-19 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
CN1964093B (zh) | 1997-01-09 | 2012-06-27 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体元器件 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
DE59814117D1 (de) * | 1997-03-03 | 2007-12-20 | Philips Intellectual Property | Weisse lumineszenzdiode |
JP3246386B2 (ja) | 1997-03-05 | 2002-01-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材 |
JP3378465B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
DE19730006A1 (de) * | 1997-07-12 | 1999-01-14 | Walter Dipl Chem Dr Rer N Tews | Kompakte Energiesparlampe mit verbesserter Farbwiedergabe |
US5847507A (en) † | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
JP3257455B2 (ja) | 1997-07-17 | 2002-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
US5982092A (en) * | 1997-10-06 | 1999-11-09 | Chen; Hsing | Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter |
US6267911B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-07-31 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Phosphors with long-persistent green phosphorescence |
JP3627478B2 (ja) * | 1997-11-25 | 2005-03-09 | 松下電工株式会社 | 光源装置 |
CN1086727C (zh) * | 1998-01-14 | 2002-06-26 | 中日合资无锡帕克斯装饰制品有限公司 | 细颗粒蓄光性荧光粉及其制备方法 |
JP2924961B1 (ja) | 1998-01-16 | 1999-07-26 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製法 |
JP3612985B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2005-01-26 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 |
US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
US6255670B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-07-03 | General Electric Company | Phosphors for light generation from light emitting semiconductors |
DE19806213B4 (de) | 1998-02-16 | 2005-12-01 | Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. | Kompakte Energiesparlampe |
JPH11233832A (ja) | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
US6046465A (en) * | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Hewlett-Packard Company | Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same |
JPH11354848A (ja) | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2907286B1 (ja) * | 1998-06-26 | 1999-06-21 | サンケン電気株式会社 | 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置 |
JP2000029696A (ja) | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Sony Corp | プロセッサおよびパイプライン処理制御方法 |
JP3486345B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2004-01-13 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 半導体発光装置 |
TW473429B (en) * | 1998-07-22 | 2002-01-21 | Novartis Ag | Method for marking a laminated film material |
JP3584163B2 (ja) | 1998-07-27 | 2004-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
EP1046196B9 (en) | 1998-09-28 | 2013-01-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting system |
US6153894A (en) * | 1998-11-12 | 2000-11-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Group-III nitride semiconductor light-emitting device |
JP2000150966A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US6429583B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-06 | General Electric Company | Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors |
JP3708730B2 (ja) | 1998-12-01 | 2005-10-19 | 三菱電線工業株式会社 | 発光装置 |
US6656608B1 (en) * | 1998-12-25 | 2003-12-02 | Konica Corporation | Electroluminescent material, electroluminescent element and color conversion filter |
JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
US6351069B1 (en) * | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
JP2000248280A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Yoshitaka Tateiwa | 粗骨材の製造に関する土壌改良材及び製造する方法 |
JP3349111B2 (ja) | 1999-03-15 | 2002-11-20 | 株式会社シチズン電子 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2000284280A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Rohm Co Ltd | 面状光源 |
WO2000058665A1 (fr) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Rohm Co., Ltd | Source lumineuse plane |
JP2000349345A (ja) | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
JP2000345152A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 黄色発光残光性フォトルミネッセンス蛍光体 |
JP3337000B2 (ja) | 1999-06-07 | 2002-10-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US6696703B2 (en) * | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
JP2001217461A (ja) | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
US6621211B1 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | General Electric Company | White light emitting phosphor blends for LED devices |
US6577073B2 (en) * | 2000-05-31 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lamp |
DE10036940A1 (de) | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Lumineszenz-Konversions-LED |
AT410266B (de) † | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
JP2003282744A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置 |
-
2000
- 2000-12-28 AT AT0215400A patent/AT410266B/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-19 EP EP12175718.1A patent/EP2544247B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 AT AT01272551T patent/ATE465518T1/de active
- 2001-11-19 KR KR1020057016223A patent/KR100715579B1/ko active IP Right Review Request
- 2001-11-19 DE DE20122878U patent/DE20122878U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 EP EP01272551.1A patent/EP1352431B2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 DE DE20122947U patent/DE20122947U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 WO PCT/AT2001/000364 patent/WO2002054502A1/de active Application Filing
- 2001-11-19 KR KR1020037007442A patent/KR100715580B1/ko active IP Right Review Request
- 2001-11-19 CN CNB018214673A patent/CN1268009C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 CN CN2005100860066A patent/CN1763982B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 DE DE20122946U patent/DE20122946U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 ES ES11155555.3T patent/ES2437131T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 EP EP08164012.0A patent/EP2006924B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 JP JP2002554890A patent/JP4048116B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 DE DE50115448T patent/DE50115448D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 EP EP10152099A patent/EP2211392B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 RU RU2003123094/28A patent/RU2251761C2/ru active
- 2001-11-19 ES ES01272551T patent/ES2345534T5/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 EP EP11155555.3A patent/EP2357678B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 US US10/250,435 patent/US6809347B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-07 TW TW090130309A patent/TWI297723B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-28 KR KR1020057016210A patent/KR20050093870A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-28 US US10/451,864 patent/US6943380B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 TW TW090132753A patent/TW533604B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-28 KR KR1020077027069A patent/KR100867788B1/ko active IP Right Review Request
- 2001-12-28 KR KR10-2003-7008704A patent/KR100532638B1/ko active IP Right Review Request
- 2001-12-28 EP EP01272546A patent/EP1347517A4/en not_active Ceased
- 2001-12-28 CN CNB018207685A patent/CN1291503C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 JP JP2002554891A patent/JP4045189B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 CN CN2006101424764A patent/CN1941441B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 KR KR1020067027091A patent/KR100849766B1/ko active IP Right Review Request
- 2001-12-28 WO PCT/JP2001/011628 patent/WO2002054503A1/ja active IP Right Grant
-
2004
- 2004-09-30 US US10/952,937 patent/US7157746B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-26 US US10/974,420 patent/US7187011B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-24 US US11/087,579 patent/US7138660B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-04 US US11/499,589 patent/US7259396B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-08-16 JP JP2006222051A patent/JP4583348B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2006-11-30 US US11/606,170 patent/US7679101B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-01 JP JP2007023598A patent/JP4783306B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-02-23 US US12/659,025 patent/US20100155761A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-02-21 JP JP2011035197A patent/JP5519552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4045189B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100645403B1 (ko) | 백색 발광 장치 | |
JP3065258B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いた表示装置 | |
JP4077170B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US6933535B2 (en) | Light emitting devices with enhanced luminous efficiency | |
US20110089815A1 (en) | Light-emitting device | |
JP2006332692A (ja) | 発光装置 | |
JP3729001B2 (ja) | 発光装置、砲弾型発光ダイオード、チップタイプled | |
JP2003243724A (ja) | 発光装置 | |
JP5678462B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20120066972A (ko) | 발광 디바이스 | |
JP2007274009A5 (ja) | ||
JP2004327870A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070420 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4045189 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |