BRPI0517584B1 - Lighting device - Google Patents

Lighting device Download PDF

Info

Publication number
BRPI0517584B1
BRPI0517584B1 BRPI0517584-4A BRPI0517584A BRPI0517584B1 BR PI0517584 B1 BRPI0517584 B1 BR PI0517584B1 BR PI0517584 A BRPI0517584 A BR PI0517584A BR PI0517584 B1 BRPI0517584 B1 BR PI0517584B1
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
combination
light emitting
emitting device
light
approximately
Prior art date
Application number
BRPI0517584-4A
Other languages
English (en)
Inventor
Roth Gundula
Tews Walter
Hoon Lee Chung
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co., Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP04106882A external-priority patent/EP1605030B1/en
Application filed by Seoul Semiconductor Co., Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co., Ltd
Publication of BRPI0517584A publication Critical patent/BRPI0517584A/pt
Publication of BRPI0517584B1 publication Critical patent/BRPI0517584B1/pt

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664Halogenides
    • C09K11/665Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/666Aluminates; Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/751Chalcogenides
    • C09K11/753Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/755Halogenides
    • C09K11/756Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344Aluminosilicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7735Germanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737Phosphates
    • C09K11/7738Phosphates with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737Phosphates
    • C09K11/7738Phosphates with alkaline earth metals
    • C09K11/7739Phosphates with alkaline earth metals with halogens
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774Borates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7751Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7756Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing neodynium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7795Phosphates
    • C09K11/7796Phosphates with alkaline earth metals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Abstract

dispositivo emissor de luz. um dispositivo emissor de luz que pode incluir um substrato, eletrodos dispostos no substrato, um diodo emissor de luz configurado para emitir luz, o diodo emissor de luz sendo disposto em um dos eletrodos, fósforo configurado para mudar um comprimento de ondas da luz, e um dispositivo eletricamente condutor configurado para conectar o diodo emissor de luz com outro da pluralidade eletrodos. o fósforo pode cobrir significativamente pelo menos uma porção do diodo emissor de luz. o fósforo pode incluir compostos tipo aluminato, silicatos dopados de chumbo e/ou cobre, antimoniatos dopados de chumbo e/ou cobre, germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, silicatos-germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, fosfatos dopados de chumbo e/ou cobre, ou qualquer combinação dos mesmos.

Description

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ
Campo Técnico A invenção refere-se a dispositivos emissores de luz e, mais especificamente, a dispositivos emissores de luz incluem pelo menos um diodo emissor de luz e fósforo, o cobre e convertendo o comprimento de ondas de luz. Técnica Anterior Dispositivos emissores de luz (LEDs), no passado utilizados para dispositivos eletrônicos, agora são usados para automóveis e produtos de iluminação. Como os dispositivos emissores de luz possuem características elétricas e mecânicas superiores, a procura por dispositivos emissores de luz tem crescido. Ligado a este fato, o interesse em LEDs brancos está aumentando como alternativa para lâmpadas fluorescentes e lâmpadas incandescentes.
Na tecnologia de LED, a solução para a realização de luz branca é proposta de várias formas. Geralmente, a realização da tecnologia de LED branca consiste na colocação do fósforo no diodo emissor de luz, e misturar a emissão primária proveniente do diodo emissor de luz com a emissão secundária proveniente do fósforo, que converte o comprimento de ondas. Por exemplo, como mostram as WO 98/05078 e WO 98/12757, o uso de um diodo emissor de luz azul, capaz de emitir um comprimento de ondas pico a 450-490 nm, e material do grupo YAG, que absorve luz proveniente de diodo emissor de luz azul e emite luz amarelada (principalmente), podendo ter um comprimento de ondas diferente daquele da luz absorvida.
Contudo, em um LED branca normal, a faixa de temperatura de cor é estreita entre aproximadamente 6.000- 8.000 K, e o IRC (índice de Reprodução de Cor) é aproximadamente de 60 a 75. Portanto, é difícil produzir o LED branco com coordenação de cores e temperatura de cor que sejam semelhantes àquelas da luz visível. É um dos motivos por que somente se pode realizar cor de luz branca com uma sensação fria. Além disso, o fósforo utilizado para LEDs brancos geralmenteL são instáveis na água, vapor ou de solvente polar, e esta instabilidade pode causar mudanças nas características de emissão de LEDs brancos.
Divulgação da Invenção Problema Técnico Conseqüentemente, a presente invenção foi concebida para resolver os problemas acima mencionados ns técnica anterior. É um objetivo da presente invenção fornecei um dispositivo emissor de luz capaz de propiciar uma amplc faixa de temperaturas de cor a partir de aproximadamente 2.000 K até aproximadamente 8.000K ou aproximadamente 10.0001 e/ou índice de reprodução de cor maior do que aproximadamente 90.
Outro objetivo da presente invenção < fornecer um dispositivo emissor de luz no qual seja fáci! concretizar a desejada temperatura de cor ou coordenação d< cores específicas.
Um objetivo adicional da presente invenção i fornecer um dispositivo emissor de luz com propriedade; luminescente aperfeiçoadas e também melhor estabilidade contra a água, umidade além de outros de solventes polares.
Solução Técnica Fornecem-se dispositivos emissores de luz conversores de comprimento de ondas. Em uma concretização consistente com esta invenção, fornece-se um dispositivo para emitir luz. 0 dispositivo pode incluir um substrato, uma pluralidade eletrodos dispostos no substrato, um diodo emissor de luz configurado para emitir luz, o diodo emissor de luz sendo disposto em um da pluralidade eletrodos, fósforo configurado para mudar um comprimento de ondas da luz, o __f-ó.sjforo cobrindo sianificativamente pelo menos uma porção do diodo emissor de luz, e um dispositivo eletricamente condutor configurado para conectar o diodo emissor de luz com outro da pluralidade eletrodos.
Em outra concretização consistente com esta invenção, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma pluralidade ligações de chumbo, um porta-diodos disposto na extremidade um da pluralidade ligações de chumbo, um diodo emissor de luz colocado no porta-diodos, o diodo emissor de luz incluindo uma pluralidade eletrodos, fósforo configurado para mudar um comprimento de ondas da luz, o fósforo cobrindo significativamente pelo menos uma porção do diodo emissor de luz; e um dispositivo eletricamente condutor configurado para conectar o diodo emissor de luz com outro da pluralidade ligações de chumbo.
Em outra concretização consistente com esta invenção, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma carcaça, um dissipador térmico pelo menos parcialmente disposto na carcaça, uma pluralidade armações de ligações de chumbo dispostos sobre o dissipador térmico, um diodo emissor de luz montado em uma da pluralidade armações de chumbo, fósforo configurado para mudar um comprimento de ondas de luz, o fósforo cobrindo substancialmente pelo menos uma porção do diodo emissor de luz; e um dispositivo eletricamente condutor configurado para conectar o diodo emissor de luz com outro da pluralidade armações de chumbo. 0 fósforo consistente com esta invenção pode incluir compostos tipo aluminato, silicatos dopados de chumbo e/ou cobre, antimoniatos dopados de chumbo e/ou cobre, germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, silicatos-germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, fosfatos dopados de chumbo e/ou cobre, ou qualquer combinação dos mesmos. Também são fornecidas fórmulas para fósforo consistente com está invenção.
Descrição dos Desenhos Outros aspectos da invenção podem tornar-se óbvios ao considerar a seguinte descrição detalhada a seguir, em conjunto com os desenhos anexos, nos quais caracteres de referência semelhantes referem-se às mesmas partes em todos os desenhos, e nos quais: A Fig. 1 mostra uma vista transversal lateraü de uma concretização ilustrativa de uma porção de un dispositivo emissor de luz de pacote tipo entalhe consistente com esta invenção; A Fig. 2 mostra uma vista transversal latera! de uma concretização ilustrativa de uma porção de ui dispositivo emissor de luz de pacote tipo tampa consistent< com esta invenção; A Fig. 3 mostra uma vista transversal latera! de uma concretização ilustrativa de uma porção de ui dispositivo emissor de luz de pacote tipo lâmpada consistent' com esta invenção; A Fig. 4 mostra uma vista transversal lateral de uma concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz para energia elevada consistente com esta invenção; A Fig. 5 mostra uma vista transversal lateral de outra concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz para energia elevada consistente com esta invenção; A Fig. 6 mostra um espectro emissor de um dispositivo emissor de luz com material luminescente consistente com esta invenção; e A Fig. 7 mostra um espectro emissor do dispositivo emissor de luz com material luminescente de acordo com outra concretização da invenção.
Melhor Concretização Fazendo referência aos desenhos anexos, explicar-se-á detalhadamente o dispositivo emissor de luz conversor de comprimento de ondas, e o dispositivo emissor de luz e o fósforo serão explicados separadamente para facilitar a compreensão da apresentação abaixo. (Dispositivo emissor de luz) A Fig. 1 mostra uma vista transversal lateral de uma concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz de pacote tipo entalhe consistente com esta invenção. 0 dispositivo emissor de luz de pacote tipo entalhe pode compreender pelo menos um diodo emissor de luz e uma substância fosforescente. É possível formar os eletrodos 5 nas duas laterais do substrato 1. É possível montar o diodo emissor de luz 6 emitindo luz em um dos eletrodos 5. É possível montar o diodo emissor de luz 6 no eletrodo 5 por meio da pasta eletricamente condutora 9. É possível conectar um eletrodo do diodo emissor de luz 6 à formação de eletrodos 5 via um fio eletricamente condutor 2.
Os diodos emissores de luz podem emitir luz com uma ampla faixa de comprimentos de ondas, por exemplo, desde luz ultravioleta ã luz visíveli Em uma concretização consistente com esta invenção, pode utilizar-se um diodo emissor de luz UV e/ou diodo emissor de luz azul. Fósforo, isto é, uma substância fosforescente, 3 pode ser colocada nas superfícies laterais e superior do diodo emissor de luz 6. 0 fósforo consistente com esta invenção pode incluir compostos dopados de chumbo e/ou cobre tipo aluminato, silicatos dopados de chumbo e/ou cobre, antimoniatos dopados de chumbo e/ou cobre , germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, chumbo e/ou silicatos-germanatos dopados de chumbo, fosfatos dopados de chumbo e/ou cobre, ou qualquer combinação dos mesmos. 0 fósforo 3 converte o comprimento de ondas da luz proveniente do diodo emissor de luz 6 para um ou mais comprimentos de onda. Em uma concretização consistente com esta invenção, a luz encontra-se era uma faixa de luz visível após a conversão. Pode aplicar-se o fósforo 3 no diodo emissor de luz 6 após misturar o fósforo 3 com uma resina de endurecimento. Também se pode aplicar esta resina em fósforo 3 à base do diodo emissor de luz 6 após misturar o fósforo 3 com a pasta eletricamente condutiva 9. É possível vedar o diodo emissor de luz 6, montado no substrato 1, com um ou mais materiais de vedação 10. Pode-se colocar o fósforo 3 nas superfícies laterais e superior do diodo emissor de luz 6. Também se pode distribuir o fósforo 3 no material de vedação endurecido durante a produção. Esse método de fabricação é descrito na Patente US6482664, que agora é incorporada por referência em sua integralidade. 0 fósforo 3 pode compreender composto(s) químico(s) dopado(s) com chumbo e/ou cobre. 0 fósforo 3 pode incluir um ou mais compostos químicos simples, 0 composto simples pode ter um pico de emissão, por exemplo, ~ctê aproximadamente 440 nm até aproximadamente 500 nm, de aproximadamente 500 nm a até aproximadamente 590 nm, ou de aproximadamente 580 nm até aproximadamente 700 nm. O fósforo 3 pode ser composto de uma ou mais parte que podem ter um pico de emissão como exemplificado acima.
Com relação ao dispositivo emissor de luz 40, o diodo emissor de luz 6 pode emitir uma luz primária quando o diodo emissor de luz 6 receber energia proveniente de uma fonte de energia. Então, a luz primária pode estimular o(s) fósforo(s) 3, e o(s) fósforo(s) 3 pode(m) converter a luz primária em uma luz com maior (es) comprimento(s) de ondas(s) (uma luz. secundária). A luz primária proveniente do diodc emissor de luz 6 e a luz secundária proveniente dos fósforos 3 são difundidas e misturadas de modo que uma coi predeterminada de luz no espectro visível possa ser emitida i partir do diodo emissor de luz 6. Em uma concretizaçãc consistente com esta invenção, mais de um dos diodos emissores de luz que têm diferentes picos de emissão poder ser montados juntos. Ainda mais, caso a relação de mistura d« fósforos seja ajustada corretamente, é possível fornecer co: específica de luz, temperatura de cor, e IRC, Como exposto acima, caso o diodo emissor d< luz 6 e o composto incluído no fósforo 3 sejam corretament< controlados, então é possível fornecer a temperatura de co deseiada ou coordenação específica de cores, principalmente uma larga faixa de temperaturas de cor, por exemplo, de aproximadamente 2.000 K a aproximadamente 8.000 K ou até aproximadamente 10.000 K e/ou indice de reprodução de cor maior do que aproximadamente 90. Portanto, os dispositivos emissores de luz consistente com esta invenção podem ser utilizados para dispositivos eletrônicos como eletrodomésticos aparelhos de som, dispositivos de telecomunicações, além de mostradores interiores/ exteriores personalizados. Os dispositivos emissores de luz consistente com esta invenção também podem ser utilizados para automóveis e produtos de iluminação porque fornecem temperaturas de cores e IRC semelhantes aos da luz visivel. A Fig. 2 mostra uma vista transversal lateral de uma concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz de pacote tipo tampa consistente com esta invenção. Um dispositivo emissor de luz de pacote tipo tampa consistente com esta invenção pode ter uma estrutura semelhante àquela do dispositivo emissor de luz de pacote tipo entalhe 40 da Fig. 1. 0 dispositivo de pacote tipo tampa pode ter um refletor 31, podendo refletir a luz proveniente do diodo emissor de luz 6 na direção desejada.
No dispositivo emissor de luz de pacote tipo tampa 50, pode-se montar mais de um dos diodos emissores de luz. Cada um desses diodos emissores de luz pode ter um comprimento de ondas pico diferente dos outros. O fósforo 3 pode compreender uma pluralidade compostos simples com pico de emissão diferente. A proporção de cada um dessa pluralidade compostos pode ser regulada. Esse fósforo pode ser aplicado no diodo emissor de luz e/ou distribuído uniformemente no material de endurecimento do refletor 31. Como explicado mais detalhadamente abaixo, o fósforo consistente com esta invenção pode incluir composto dopado de chumbo e/ou cobre tipo aluminato, silicatos dopados de chumbo e/ou cobre, antimoniatos dopados de chumbo e/ou cobre, germanatos dopados de chumbo e/ou cobre, chumbo e/ou silicatos-germanatos dopados de chumbo, fosfatos dopados de chumbo e/ou cobre, ou qualquer combinação dos mesmos .
Em uma concretização consistente com esta invenção, o dispositivo emissor de luz da Fig. 1 ou Fig. 2 podeincluir um substrato dê metal, podendo ter boa condutividade térmica. Esse dispositivo emissor de luz pode dissipar facilmente o calor proveniente do diodo emissor de luz. Portanto, é possível fabricar dispositivos emissores de luz para energia elevada. Caso se forneça um dissipador térmico sob o substrato de metal, é possível dissipar o calor proveniente do diodo emissor de luz com maior eficiência. A Fig. 3 mostra uma vista transversal lateral de uma concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz de pacote tipo lâmpada consistente com esta invenção. 0 dispositivo emissor de luz tipo lâmpada 60 pode ter um par de ligações de chumbo 51, 52, e pode-se formar um porta-diodos 53 na extremidade das ligações de chumbo. 0 porta-diodos 53 pode ter um formato hemisférico, e um ou mais diodos emissores de luz 6 podem ser dispostos no porta-diodos 53. Quando vários diodos emissores de luz são dispostos no porta-diodos 53, cada um deles pode ter um comprimento de ondas pico diferente dos outros. Um eletrodo de diodo emissor de luz 6 pode ser conectado ás ligações de chumbo através de, por exemplo, um fio eletricamente condutor 2. É possível fornecer no porta-diodos 53, um volume regular do fósforo 3, que se pode misturar com a resina epóxi. Como explicado mais detalhadamente abaixo, o fósforo 3 pode incluir componentes dopados de chumbo e/ou cobre.
Além disso, o porta-diodos pode incluir o diodo emissor de luz 6 e o fósforo 3 pode ser vedado com material de endurecimento como resina epóxi ou resina de silicone.
Em uma concretização consistente com esta invenção, o dispositivo emissor de luz de pacote tipo lâmpada pode ter mais que um par de ligações de chumbo. A Fig. 4 mostra uma vista transversal lateral de uma concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz para energia elevada, consistente com esta invenção. É possível fornecer o dissipador térmico 71 dentro da carcaça 73 do dispositivo emissor de luz para energia elevada 70, e pode estar parcialmente exposto ao exterior, üm par de armações de chumbo 74 pode projetar-se para fora da carcaça 73.
Um ou mais diodos emissores de luz podem ser montados em uma armação de chumbo 74, e um eletrodo do diodo emissor de luz 6 e outra armação de chumbo 74 podem ser conectados via o fio eletricamente condutor. É possível dispor a parte eletricamente condutiva 9 entre o diodo emissor de luz 6 e a armação de chumbo 74. Pode-se colocar o fósforo 3 nas superfícies laterais e superior do diodo emissor de luz 6. A Fig. 5 mostra uma vista transversal lateral de outra concretização ilustrativa de uma porção de um dispositivo emissor de luz para energia elevada consistente com esta invenção. O dispositivo emissor de luz para energia elevada 80 pode ter a carcaça 63, podendo conter os diodos emissores de luz 6, 7, o fósforo 3 disposto nas superfícies laterais e superior dos diodos emissores de luz 6, 7, um ou mais dissipadores de calor 61, 62, e uma ou mais armações de chumbo 64. As armações de chumbo 64 podem receber energia proveniente de uma fonte de energia e podem projetar-se para fora da carcaça 63.
Nos dispositivos emissores de luz para energia elevada 70, 80 nas Fig. 4 e 5, é possível adicionar o fósforo 3 à pasta, que se pode colocar entre o dissipador térmico e os dispositivos emissores de luz. Uma lente pode ser combinada com a carcaça 63, 73.
Em um dispositivo emissor de luz para energia elevada consistente com esta invenção, um ou mais diodos emissores de luz podem utilizar-se seletivamente e é possível regular o fósforo dependendo do diodo emissor de luz. Como explicado mais detalhadamente abaixo, o fósforo pode incluir componentes dopados de chumbo e/ou cobre.
Um dispositivo emissor de luz parar energia elevada, consistente com esta invenção, pode ter um radiador (não ilustrado) e/ou dissipador(es) térmico(s). Pode-se utilizar ar ou um ventilador para resfriar o radiador.
Os dispositivos emissores de luz consistentes com esta invenção não se limitam às estruturas descritas acima, e as estruturas podem ser modificadas dependendo das características dos diodos emissores de luz, fósforo, comprimento de ondas de luz, além das aplicações. Ainda, novas peças podem ser adicionadas às estruturas.
Segue um exemplo do fósforo consistente com esta invenção. (Fósforo) 0 fósforo, consistente com esta invenção, pode incluir compostos químicos dopados de chumbo e/ou cobre. É possível ativar o fósforo através de luz UV e/ou visível, por exemplo, luz azul. O composto pode incluir Fosfato, Aluminato, Silicato, Antimoniato, Germanato ou Germanato-silicato.
Compostos tipos aluminato podem compreender compostos com a fórmula (1), (2), e/ou (5) a{M'0)*b(M" 20) *c (MMX) *dAl 2 0 3 *e (M'"0) *f (M""2 03)*g(M""T0 0 p) •h(M,,""J{ 0y) ...(1) onde M' pode ser Pb, Cu, ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser um ou mais elementos monovalentes, por exemplo, Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag ou qualquer combinação dos mesmos; M'" pode ser um ou mais elementos bivalentes, por exemplo, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn ou qualquer combinação dos mesmos; M""pode ser um ou mais elementos trivalentes, por exemplo, Sc, B, Ga, In, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M"'" pode ser Si, Ge, Ti, Zr, Μη, V, Nb, Ta, W, Mo, ou qualquer combinação dos mesmos; M""" pode ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e/ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a á 2; 0 < b á 2; 0 <, c & 2; 0 < d á 8; 0 < e < 4; 0 < f í 3; 0 á g <Ξ 8; 0 < h < 2; 1 < o :£ 2; 1 í p < 5; 1 < x < 2; e 1 < y < 5. a (ΜΌ) *b(M"20) *c <M" ' X) «4-a-b- c(M,,"0) *7 (A1203) *d (B203) »e (Ga203) *f (Si02) *g(Ge02) «h(M' ""x0y) ...... (2) onde M' pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser um ou mais elementos monovalentes, por exemplo, Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M"1 pode ser um ou mais elementos bivalentes, por exemplo, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos; M"" pode ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, e qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 4; 0 <,b <, 2; 0 < c £ 2; 0 í d í 1; 0 ^ e ^ 1; 0 £ f £ 1; Oá g íí;-0 <h$ 2; Ί-á x < 2; e 1 < y S 5. A preparação de materiais luminescentes dopados de cobre além de chumbo pode ser uma reação básica de estado sólido. É possível utilizar materiais iniciais puros sem nenhuma impureza, por exemplo, ferro. É possível utilizar qualquer material inicial passível de transferir-se em óxidos via um processo térmico para formar fósforo com alto teor de oxigênio.
Exemplos de preparação;
Preparação do material luminescente com a fórmula (3) Cu 0,02 Sr 3,98 Al 14 0 25^ Eu ........(3) Materiais iniciais; CuO, SrCC>3, Al (OH)3, EU2O3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos, hidróxidos, e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, H3 BO3. A mistura pode ser aquecida em um cadinho de alumina em uma primeira etapa aproximadamente 1.200°C por aproximadamente uma hora. Após a fresagem dos materiais preaquecidos, pode-se seguir uma segunda etapa de aquecimento a aproximadamente 1.450°C em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 4 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 494 nm.
Tabela 1: aluminato ativado - Eu 2 + dopado com cobre comparado com aluminato ativado - Eu 2 + sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm.
Preparação do material luminescente com a fórmula (4) Pbo,05 Sr3,95 AI14O25: Eu (4) Materiais iniciais: PbO, SrC03 , AI2O3, EU2O3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos muito puros, carbonatos, ou outros componentes, que se podem decompor termicamente em óxidos, em uma proporção estequiométrica junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, H3 BO3. A mistura pode ser aquecida em um cadinho de alumina em uma primeira etapa a aproximadamente 1.200°C por aproximadamente uma hora no ar. Após a fresagem dos materiais preaquecidos, pode-se seguir uma segunda etapa de aquecimento a aproximadamente 1.450°C em ar por aproximadamente 2 horas e em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. O material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima desde aproximadamente 494,5 nm.
Tabela 2: aluminato ativado - Eu 2 + dopado com chumbo comparado com aluminato ativado - Eu 2 + sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm.
Tabela 3jpropriedades ópticas de alguns aluminatos dopados com cobre e/ou chumbo excitados por ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visivel e sua densidade luminosa em % a comprimento de ondas de excitação de 400 nm.
[69] a (M10) · b (M"0) · c(A12 03) · d(M"' 203) · e(M""02) · f (M'"" x0y) ....(5) onde M' pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M'" pode ser B, Ga, In, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M"" pode ser Si, Ge, Ti, Zr, Hf, e/ou qualquer combinação dos mesmos ; M'"" pode ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 1; 0 ^ b ^ 2; 0 < c ^ 8; 0 £ d £ 1; O^eá 1; 0 < f £ 2; 1 £ x £ 2; e H y í 5, Exemplo de preparação: Preparação do material luminescente com a fórmula (6) CUo,05 Sro,95 A1i(9997 SÍo,00O3 O4 ■ Eu ..(6) Materiais iniciais: CuO, SrC03, AI2O3, Si02, Eu2 03, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de, por exemplo, óxidos puros e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, A1F3. Pode-se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.250°C em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 3 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 521,5 nm.
Tabela 4: aluminato ativado - Eu 2 + dopado com cobre comparado com aluminato ativado - Eu 2 + sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm.
Preparação do material luminescente com a fórmula (7) Cuo, 12 BaMgi,88 Alie 027: Eu .... (7) Materiais iniciais: CuO, MgO, BaCC>3, Al(OH)3EU2O3, e/ou qualquer combinação dos mesmos, É possível misturar os materiais iniciais na forma de, por exemplo, hidróxidos, óxidos puros, e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, AIF3. Pode se aquecer a mi'stura_em.um cadinho de alumina a^aproximadamente 1-.-4-2O^e-em- uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, 0 material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 452 nm.
Tabela 5: aluminato ativado - Eu 2 + dopado com cobre comparado com aluminato ativado - Eu 2 + não dopado cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (8) Pbo, 1, Sro,9 AI2 O4: Eu......(8) Materiais iniciais: PbO, SrCC>3, Al (OH) 3, EU2O3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de, por exemplo, hidróxidos, óxidos puros, e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, H3BO3. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.000°C por aproximadamente 2 horas no ar. Após a fresagem dos materiais preaquecidos, pode-se seguir uma segunda etapa de aquecimento a aproximadamente 1.420°C em ar por aproximadamente 1 hora e em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 521 nm.
Tabela 6: aluminato ativado - Eu 2 + dopado com chumbo comparado com aluminato ativado - Eu 2 + sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm. A tabela 7 mostra os resultados obtidos referentes a aluminatos dopados com cobre e/ou chumbo.
Tabela 7: propriedades ópticas de alguns aluminatos dopados com cobre e/ou chumbo excitados por luz ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visível e sua densidade luminosa em % a um comprimento de ondas de excitação de 400 nm Silicatos dopados com chumbo e/ou cobre com a fórmula (9) a(M'0) *b (M"0) »c (Μ" 'X) •d(M,,,20) ·6(Μ""2θ3) *f (M"",o0p) *g(Si02) *h(M "”"xOy)....(9) onde M’ pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M'” pode ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M"" pode ser Al, Ga, In, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M""' pode ser Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf, e/ou qualquer combinação dos mesmos; m""" pode ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 2; 0 < b £ 8; 0 £ c ^ 4; 0 £ d ^ 2; 0 ^ e ^ 2; 0 £ f á 2; 0 ^ g ^ 10; 0 < h £ 5; 1 £o^2; 1 £ p ^ 5; l^x^2;el^y^5.
Exemplo de preparação: Preparação do material luminescente com a fórmula (10) Cu0,05 Sri,7 Ca0,25 Si04: Eu (10) Materiais iniciais: CuO, SrC03, CaC03, S1O2, Eu2Ü3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma cte/ por exemplo, --óxidos puros e/ou como carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4C1. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.200°C em uma atmosfera de gás inerte (por exemplo, N2 ou gás nobre) por aproximadamente 2 horas. Então, o material pode ser fresado. A seguir, Pode se aquecer 0 material em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.200°C em uma atmosfera ligeiramente reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima à aproximadamente 592 nm.
Tabela 8: silicato ativado - Eu2+ dopado com cobre comparado com silicato ativado - Eu2+ sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (11) : Cu0,2 Ba 2Zn0,2 Mg0,6 Si2 07:...Eu (11) Materiais iniciais: CuO, BaC03, ZnO, MgO, S1O2, EU3O2, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de carbonatos e óxidos muito puros em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4CI. Em uma primeira etapa a mistura pode ser aquecida em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.1009C em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. Então, 0 material pode ser fresado. A seguir, Pode se aquecer 0 material em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.235°C em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, 0 material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima à aproximadamente 467 nm.
Tabela 9: silicato ativado - Eu 2 + dopado com cobre comparado com silicato ativado - Eu 2 + sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (12) Pbo,i Ba0,95 Sro, 95 Sio,998 Gso,oo2 O4: ..Eu (12) Materiais iniciais: PbO, SrCC>3, BaCC>3, S1O2, GeC>2, EU2O3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de carbonatos e/ou óxidos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4CI. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.000°C por aproximadamente 2 horas no ar. Após a fresagem dos materiais preaquecidos, pode-se seguir uma segunda etapa de aquecimento a aproximadamente 1.220°C em ar por 4 horas e em uma atmosfera reduzida por 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 527 nm.
Tabela 10: silicato ativado - Eu2+ dopado com chumbo comparado com silicato ativado - Euz+ sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (13) Pbo,25 Sr3,75 S13 Os CI4: Eu .......(13) Materiais iniciais : PbO, Sr(X>3, SrCl2, S1O2, EU2, O3, e qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de carbonatos, cloretos e/ou óxidos em proporções estequiométricas junto cora pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4C1. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina em uma primeira etapa a aproximadamente 1.000°C por aproximadamente 2 horas no ar. Após a fresagem dos materiais preaquecidos, pode-se seguir uma segunda etapa de aquecimento a aproximadamente 1.220°C em ar por 4 horas e em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 1 hora. A seguir, 0 material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material lumínescente resultante pode ter uma emissão máxim de aproximadamente 492 nm.
Tabela 11: clorossilicato ativado - Eu 2 + dopado com chumbo comparado com clorossilicato ativado - Eu 2 + sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm A tabela 12 mostra os resultados obtidos referentes a silicatos dopados com cobre e/ou chumbo.
Tabela 12: propriedades ópticas de alguns silicatos ativados com terras raras dopados com cobre e/ou chumbo excitados por ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visível e sua densidade luminosa em % a aproximadamente um comprimento de ondas de excitação de 400 nm Com antimoniatos dopados com chumbo e/ou cobre com a fórmula (14) a (ΜΌ) *b (ΜΜ2θ) *c(M"X) *d (Sb20s) *e (M" ' 0) ·f (M""x0y) . (14) onde M' pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M'" pode ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M"" pode ser Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd, e/ou qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e/ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 2; 0 £ b ^ 2; 0 ^ c £ 4; 0 < d í 8; 0 í e ^ 8; 0 ^ f í 2; 1 í 2; e H y ^ 5.
Exemplos de preparação: Preparação do material luminescente com a fórmula (15) Cuo,2 Mglf? Li0,2 Sb2 O7: ...Mn (15) Materiais iniciais; CuO, MgO, Li20, Sb20s, MnCC>3, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos em proporção estequiométrica junto com pequenas quantidades de solvente. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina em uma primeira etapa a aproximadamente 985°C por aproximadamente 2 horas no ar. Após o preaquecimento, pode-se fresar o material mais uma vez. Em uma segunda etapa, Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.200°C em uma atmosfera contendo oxigênio por 8 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 626 nm.
Tabela 13: antimoniato dopado com cobre comparado com antimoniato sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (16) Pbo,oo6 Ca0,6 Sro,394 Sb2 0$ . (16) Materiais iniciais: PbO, CaCC>3, SrC03 Sb2 O5, e/ou qualquer combinação dos mesmos. É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina em umE primeira etapa a aproximadamente 975°C por aproximadamente J horas no ar. Após o preaquecimento, pode-se fresar o matéria.' mais uma vez. Em uma segunda etapa, Pode se aquecer a mistur; em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.175°C no ar po: aproximadamente 4 horas e, a seguir, em uma atmosfer< contendo oxigênio por 4 horas. A seguir, o material pode se: fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescenti resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 63' Tabela 14: antimoniato dopado com chumbo comparado com antimoniato sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm A tabela 15 mostra os resultados obtido^ referentes a antimoniatos dopados com cobre e/ou chumbo.
Tabela 15: propriedades ópticas de alguns antimoniatos dopados com cobre e/ou chumbo excitados por ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visível e sua densidade luminosa em % a aproximadamente um comprimento de ondas de excitação de 400 Um germanato-silicato e/ou germanatos dopados de chumbo e/ou cobre com a fórmula (17) a(M'0) ‘b(M"20) *c(M"X) *dGe02'e(M" '0) *f (MM"203) •g(M,",,o0p) ·ΜΜ""" *0y) ..... (17) onde M' pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M,n pode ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, e/ou qualquer cõmbinaçãcrdos mesmos·; M""-pode ser Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M pode ser Si, Ti, Zr, Μη, V, Nb, Ta, W, Mo, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M pode ser Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, e/ou qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e/ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a £ 2; 0 ^ b S 2; 0 í c í 10; 0 < d ^ 10; 0 ^ e ^ 14; Oífí 14; 0 í g Π0; 0 í h í 2; 1 í o ^ 2; H p ^ 5; 1 í x í 2; e 1 ^ y £ 5.
Exemplo de preparação: Preparação do material luminescente com a fórmula (18) Pbo,oo4 Cai,99 Ζηο,οοε Geo,e Sio,2 O4: Mn . (18) Materiais iniciais: PbO, CaC03, ZnO, Ge02, Si02, MnC03, e/ou qualquer combinação dos mesmos, É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4C1. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina em uma primeira etapa a aproximadamente 1.200°C em uma atmosfera contendo oxigênio por aproximadamente 2 horas. Então, pode-se fresar o material mais uma vez. Em uma segunda etapa, Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.200°C em uma atmosfera contendo oxigênio por aproximadamente 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 655 nm.
Tabela 16: germanato ativado - Mn dopado com chumbo comparado com germanato ativado - Mn sem chumbo com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Preparação do material luminescente com a fórmula (19) CUq,46 Sro,54 G©0,6 Sio,4 O3: Mn . (19) Materiais iniciais: CuO, SrCC>3, Ge02, S1O2, MnCÜ3, e/ou qualquer combinação dos mesmos É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos e/ou carbonatos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente, por exemplo, NH4CI. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina em uma primeira etapa a aproximadamente 1.100°C em uma atmosfera contendo oxigênio por aproximadamente 2 horas. Então, pode fresar-se o material mais uma vez. Em uma segunda etapa, Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.180°C em uma atmosfera contendo oxigênio por aproximadamente 4 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 658 nm.
Tabela 17: germanato ativado-silicato - Mn dopado com cobre comparado com germanato ativado-silicato -Mn sem cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Tabela 18: propriedades ópticas de alguns germanato-silicatos dopados com cobre e/ou chumbo excitados por ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visivel e sua densidade luminosa em % a aproximadamente um comprimento de ondas de excitação de 400 Fosfatos dopados de chumbo e/ou cobre com a fórmula (20) a (ΜΌ) •bíWaO) ·σ(Μ"Χ) ^Ρ205·β (M'"0) *f (MH"203) ^(Μ”'"20) ·ΜΜΗ,,,,Χ Oy) ......(20) onde M* pode ser Pb, Cu, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M" pode ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M,M pode ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M'"' pode ser Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M pode ser Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, Mo, e/ou qualquer combinação dos mesmos; M pode ser Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Tb, e/ou qualquer combinação dos mesmos; X pode ser F, Cl, Br, J, e/ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a £ 2; 0 ^ b ^ 12; 0 ^ c £ 16; 0 < d £ 3; 0 £ e ^ 5; 0 ^ f ^ 3; 0 £ g £ 2; 0 < h ^ 2; 1 á x £ 2; e 1 £ y ^ 5.
Exemplos de preparação: Preparação do material luminescente com a fórmula (21) Cuo,o2 Ca4,98 (P04)3 Cl: ... Eu (21) Materiais iniciais: CuO, CaC03, Ca3 (P04)2, CaCl2, Eu203, e/ou qualquer combinação dos mesmos, É possível misturar os materiais iniciais na forma de óxidos, fosfatos, e/ou carbonatos e cloretos em proporções estequiométricas junto com pequenas quantidades de solvente. Pode se aquecer a mistura em um cadinho de alumina a aproximadamente 1.240°C em uma atmosfera reduzida por aproximadamente 2 horas. A seguir, o material pode ser fresado, lavado, secado e peneirado. 0 material luminescente resultante pode ter uma emissão máxima de aproximadamente 450 nm.
Tabela 19: clordeosfato ativado - Eu 2 + dopado com cobre comparado com clordeosfato ativado - Eu 2 + sem_ cobre com um comprimento de ondas aproximadamente de excitação de 400 nm Tabela 20: fosfatos dopados com cobre e/ou chumbo excitados por ultravioleta de ondas longas e/ou por luz visível e sua densidade luminosa em % a aproximadamente um comprimento de ondas de excitação de 400 Enquanto isso, o fósforo do dispositivo emissor de luz consistente com esta invenção pode compreender um composto químico tipo aluminato, silicato, antimoniato, germanato, fosfato composto, e qualquer combinação dos mesmos. A Fig, 6 é um dos espectros de emissão da concretização, de acordo com-a invenção,._na qual. se utiliza o fósforo para o dispositivo emissor de luz. A concretização pode ter um diodo emissor de luz com comprimento de ondas de 405 nm e o fósforo, que é uma mistura dos múltiplos compostos químicos selecionados na proporção correta. Pode compor-se o fósforo de Cu0j05 BaMgi.,95 Alie 027: Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a aproximadamente 451 nm, Cuo,o3 Sri,5 Cao,47 S1O4: Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a 586 nm, Pbo,oo6 Ca0,6 Sr0,394 Sb2 06: Mn 4+ que pode ter um comprimento de ondas pico a aproximadamente 637 nm, Pbo,is Bai,84 Ζηο,οι Sio,99 Zro,oi O4: Eu que pode ter um comprimento de ondas pico ao redor de 512 nm, e Cuo,2 Sr3,s AI14 O25: Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a aproximadamente 494 nm.
Nessa concretização, parte da luz de emissão inicial de comprimento de ondas de aproximadamente 405 nm proveniente do diodo emissor de luz é absorvida pelo fósforo, e convertida em um 2° comprimento de ondas mais longo. A Ia e 2* luz são misturadas e produz-se a emissão desejada. Como mostra a Fig. 6, o dispositivo emissor de luz converte a Ia luz UV de comprimento de ondas de 405 nm para uma larga faixa de espectro de luz visível, isto é, luz branca, e nessa hora a temperatura de cor é aproximadamente 3.000K e IRC é de aproximadamente 90 a 95. A Fig. 7 é outro espectro de da emissão concretização, de acordo com a invenção, onde se aplica o fósforo para o dispositivo emissor de luz. A concretização pode ter um diodo emissor de luz com aproximadamente um comprimento de ondas de 455 nm e o fósforo, que é a mistura dos múltiplos compostos químicos selecionados na proporção adequada. 0 fósforo é composto por Cu0,05 Sri,7 Ca0(25 Si04 Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a " aproximadamente 592 nm, Pbo,i Bao,95 Sro,95 Si0<998 Geo,oo2 °4 : Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a aproximadamente 527 nm, e Cuo.os Lio,002 Sri,s Ba0,448 S1O4: Gd, Eu que pode ter um comprimento de ondas pico a aproximadamente 557 nm.
Nessa concretização, parte da luz de emissão inicial de comprimento de ondas de aproximadamente 455 nm proveniente do diodo emissor de luz é absorvida pelo fósforo, e convertida em um 2o comprimento de ondas mais longo. A Ia e 2* luz são misturadas e produz-se a emissão desejada. Como mostra a Fig. 7, o dispositivo emissor de luz converte a Ia luz azul de comprimento de ondas de 455 nm para uma larga faixa de espectro de luz visível, isto é, luz branca, e nessa hora a temperatura de cor é aproximadamente 4.000K até aproximadamente 6.500 K e IRC é aproximadamente 86 até aproximadamente 93. O fósforo do dispositivo emissor de luz, de acordo com a invenção, pode-se aplicar por um composto químico simples ou mistura de pluralidade compostos químicos simples, além das concretizações relacionadas às Fig. 6 e Fig. 7, que são explicadas acima.
De acordo com a descrição acima, é possível realizar um dispositivo emissor de luz com uma larga gama de temperatura de cor aproximadamente 2.000 K ou aproximadamente 8.000 K ou aproximadamente 10.000 K e índice de Reprodução de Cor superior a aproximadamente 90 utilizando os compostos químicos dopados de chumbo e/ou cobre contendo elementos de terras raras.
Aplicabilidade Industrial É possível aplicar esse dispositivo emissor de luz conversorde comprimento de ondas em telefones-celulares, note books e dispositivos eletrônicos como eletrodomésticos, aparelhos de som, produtos de telecomunicações, além de aplicação de luz traseira e teclado de mostradores personalizados. Também se pode aplicar em automóveis, instrumentos médicos e produtos de iluminação.
De acordo com a invenção, também é possível fornecer um dispositivo emissor de luz conversor de comprimento de ondas com estabilidade referente à água, umidade, vapor além de outros de solventes polares.
Nas concretizaçõ.es descritas acima, várias características são agrupadas em uma única concretização para permitir maior fluidez. Este método de divulgação não deve ser interpretado como reflexo de uma intenção de que a invenção reivindicada requer mais características do que as expostas expressamente em cada reivindicação. Mais exatamente, como mostram as seguintes reivindicações, os aspectos inventivos não se encontram em todas as características de uma única concretização divulgada acima. Portanto, as seguintes reivindicações estão incorporadas a esta Descrição Detalhada de Concretizações, com cada reivindicação individualizada como uma concretização separada recomendada da invenção.
REIVINDICAÇÕES

Claims (20)

1. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80), em que um diodo emissor de luz (6, 7) é configurado para emitir luz; e uma substância fosforescente (3) é configurada para mudar um comprimento de ondas da luz emitida pelo diodo emissor de luz (6, 7) dita substância fosforescente (3) cobrindo pelo menos uma porção do diodo emissor de luz (6), caracterizado por compreender uma substância fosforescente (3) que compreende um composto que inclui um material hospedeiro e um ativador, em que ions de cobre bivalente e oxigênio são componentes do material hospedeiro.
2. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que dita substância fosforescente (3) compreende um aluminato contendo cobre, um silicato contendo cobre, um antimonato contendo cobre, um germanato contendo cobre, um germanato- silicato contendo cobre, um fosfato contendo cobre ou qualquer combinação destes.
3. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [1] a^O) -b(M220) ■ c (M2X) -dAl203-e (M30) -f(M4203) -g(M5oOp) -h(M6xOy) [1] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Sc, B, Ga, In, ou qualquer combinação dos mesmos; M5 é Si, Ge, Ti, Zr, Μη, V, Nb, Ta, W, Mo, ou qualquer combinação dos mesmos; M6 é Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, ou qualquer combinação dos mesmos; X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 2; 0 ^ b ^ 2; 0 ^ c ^ 2; 0 ^ d ^ 8; 0 < e ^ 4; 0<f^3; 0<g^8; 0<h<2; l^o<2; l^p<5; 1 ^ x ^ 2; e 1 ^ y < 5.
4. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [2] a (M10) -b (M220) -c(M2X) -4-a-b -c(M30) -7 (A1203) ^(Β203) -e(Ga203) -f (Si02) -g(Ge02) -h (M4xOy) [2] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, ou qualquer combinação dos mesmos; X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 4; 0 ^ b ^ 2; 0 ^ c ^ 2; OSd^l; OSe^l; 0£f£l; 0£g£l; 0 < h ^ 2; 1 ^ x ^ 2; e 1 <, y < 5 .
5. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [5] a (M10) ■ b(M20) · c(A1203) ■ d(M3203) ■ e(M402) ■ f (M5xOy) [5] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é B, Ga, In, ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Si, Ge, Ti, Zr, Hf, ou qualquer combinação dos mesmos; M5 é Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, ou qualquer combinação dos mesmos; Ο < a ^ 1; 0<b^2; 0<c^8; 0<d^l; O^e^l; 0<f^2; 1 ^ x ^ 2; e 1 < y ^ 5.
6. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [9] a^O) -b(M20) -c(M3X) -d(M320) -e (M4203) -f(M50Op) -g(Si02) -h(M6xOy) [9] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Al, Ga, In, ou qualquer combinação dos mesmos; M5 é Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf, ou qualquer combinação dos mesmos; M6 é Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, ou qualquer combinação dos mesmos; X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 2; 0 < b ^ 8; 0^c^4; 0 < d ^ 2; 0^e<2; 0^f<2; 0^g<10; 0<h<5; l^o<2; l^p<5; 1 ^ x ^ 2; e 1 ^ y < 5.
7. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [14] a^O) ■ b (M220) ■ c (M2X) ■ d(Sb205) ■ e (M30) ■ f (M4xOy) [14] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd, ou qualquer combinação dos mesmos; X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos; 0 < a ^ 2; 0 ^ b ^ 2; 0^c^4; 0 < d ^ 8; 0 ^ e ^ 8; 0^f^2; 1 ^ x ^ 2; e 1 ^ y < 5.
8. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto tendo a fórmula [17] a^O) -b (M220) -c(M2X) -dGe02-e (M30) -f(M4203) -g(M5o0p) -h(M6xOy) [17] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, ou qualquer combinação dos mesmos; M3 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, ou qualquer combinação dos mesmos; M4 é Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, ou qualquer combinação dos mesmos; M5 é Si, Ti, Zr, Μη, V, Nb, Ta, W, Mo, ou qualquer combinação dos mesmos; M6 é Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, ou qualquer combinação dos mesmos; X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos; 0<a<2; 0<b<2; 0<c<10; 0<d<10; 0 < e < 14; 0<f<14; 0<g<10; 0<h<2; l<o<2; l<p<5; 1 ^ x ^ 2; e 1 < y ^ 5.
9. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um composto com a fórmula [20] afM^) -b(M220) -c(M2X) -dP205-e (M30) -f(M4203) -g(M502) -h (M6xOy) [20] onde M1 é Cu ou qualquer combinação de Pb e Cu; M2 é Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, ou qualquer combinação dos mesmos, M3 é Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, ou qualquer combinação dos mesmos, M4 é Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, ou qualquer combinação dos mesmos, M5 é Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, Mo, ou qualquer combinação dos mesmos, M6 é Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Tb, ou qualquer combinação dos mesmos, X é F, Cl, Br, I, ou qualquer combinação dos mesmos, 0 < a ^ 2; 0 ^ b ^ 12; 0 ^ c ^ 16; 0<d<3; 0 ^ e < 5; 0<f<3; 0<g<2; 0<h<2; 1 ^ x ^ 2; e 1 < y < 5.
10. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60, 70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) inclui um ou mais compostos simples ou qualquer combinação dos mesmos.
11. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de compreender adicionalmente um material vedante (10) configurado para cobrir o diodo emissor de luz (6) e a substância fosforescente (3).
12. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60) de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) é distribuída no material vedante (10) .
13. Dispositivo emissor de luz (40, 50, 60) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que a substância fosforescente (3) é misturada com um material endurecedor.
14. Dispositivo emissor de luz (80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que o diodo emissor de luz (6, 7) compreende uma pluralidade de diodos emissores de luz (6, 7).
15. Dispositivo emissor de luz (50) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado por compreender também um refletor (31) configurado para refletir a luz proveniente do diodo emissor de luz 6.
16. Dispositivo emissor de luz (60) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado por compreender adicionalmente: - uma pluralidade de condutores (2); - um porta-diodo (53) provido na extremidade de um dentre a pluralidade de condutores (2); - um dispositivo eletricamente condutor (2) configurado para conectar o diodo emissor de luz (6) a outro dentre a pluralidade de condutores, - onde o diodo emissor de luz (6) está disposto no porta-diodo.
17. Dispositivo emissor de luz (70, 80) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado por compreender adicionalmente um dissipador de calor (61, 62, 71) associado ao diodo emissor de luz (6, 7) para irradiar o calor proveniente do diodo emissor de luz (6, 7).
18. Dispositivo emissor de luz (70, 80) de acordo com a reivindicação 17, caracterizado pelo fato de que o dissipador de calor (61, 62, 71) compreende uma pluralidade de dissipadores de calor (61, 62, 71).
19. Dispositivo emissor de luz (40, 50) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado por compreender adicionalmente: - um substrato (1); - uma pluralidade de eletrodos (5) dispostos no substrato (1); um dispositivo eletricamente condutor (2) configurado para conectar o diodo emissor de luz (6) a um dentre a pluralidade de eletrodos (5), - onde o diodo emissor de luz (6) está disposto em outro dentre a pluralidade de eletrodos (5).
20. Dispositivo emissor de luz (40, 50) de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 ou 2, caracterizado por compreender também uma pasta eletricamente condutora (9) disposta entre o diodo emissor de luz (6) e um dentre a pluralidade de eletrodos (5).
BRPI0517584-4A 2004-12-22 2005-07-20 Lighting device BRPI0517584B1 (pt)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04106882A EP1605030B1 (en) 2004-06-10 2004-12-22 Light emitting device
EP04106882.6 2004-12-22
PCT/KR2005/002332 WO2006068359A1 (en) 2004-12-22 2005-07-20 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BRPI0517584A BRPI0517584A (pt) 2008-10-14
BRPI0517584B1 true BRPI0517584B1 (pt) 2017-12-12

Family

ID=36601923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BRPI0517584-4A BRPI0517584B1 (pt) 2004-12-22 2005-07-20 Lighting device

Country Status (7)

Country Link
AU (1) AU2005319965B2 (pt)
BR (1) BRPI0517584B1 (pt)
CA (1) CA2592096C (pt)
NO (1) NO341529B1 (pt)
RU (2) RU2359362C2 (pt)
SG (1) SG161205A1 (pt)
WO (1) WO2006068359A1 (pt)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP3964449B1 (ja) * 2006-10-06 2007-08-22 根本特殊化学株式会社 橙色発光蛍光体
KR101106175B1 (ko) * 2007-08-22 2012-01-20 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 구리 알칼리 토류 실리케이트형광체 및 그것을 제조하는 방법
CN101784636B (zh) * 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
CN101861759B (zh) * 2007-10-09 2012-11-28 飞利浦固体状态照明技术公司 用于控制多串联负载中的各个负载电流的方法和设备
CN102804418B (zh) * 2009-06-24 2016-01-20 首尔半导体股份有限公司 采用具有氧正硅酸盐发光体的发光物质的发光装置
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
CN102934242B (zh) * 2010-03-16 2016-01-20 迪斯普拉斯有限责任公司 用以控制白色发光二极管(led)的光通量的色度的方法及用以执行该方法的装置
EP2602545A4 (en) * 2010-08-04 2014-03-26 With Ltd Liability Dis Plus Soc LIGHTING DEVICE
DE102010034322A1 (de) * 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
RU2457393C1 (ru) * 2011-02-17 2012-07-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
CA2862581A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Brian L. Aiken Fluid treatment system
RU2518181C2 (ru) * 2012-03-20 2014-06-10 Амтай Медикал Эквипмент, Инк. Источник света на светодиодах для медицинских светильников
US9952377B2 (en) * 2013-11-19 2018-04-24 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting device with spectral conversion element
CN104910908B (zh) * 2015-05-08 2016-09-07 江苏师范大学 一种白光led用红色荧光材料及其制备方法
RU196203U1 (ru) * 2019-11-05 2020-02-19 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" Осветительное устройство

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7013516A (pt) * 1970-09-12 1972-03-14
NL7807274A (nl) * 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
JPS61258892A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPH0578659A (ja) * 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
CA2191333C (en) * 1995-04-14 2006-08-01 Hirofumi Moriyama Phosphor with afterglow characteristic
JPH0940946A (ja) * 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) * 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4396016B2 (ja) * 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
CN100468791C (zh) * 2002-08-30 2009-03-11 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
RU2219622C1 (ru) * 2002-10-25 2003-12-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник белого света
US7042020B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
US7479732B2 (en) * 2003-03-13 2009-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion of LED with phosphorescence effect, and use thereof and operational method associated therewith

Also Published As

Publication number Publication date
NO341529B1 (no) 2017-12-04
AU2005319965A1 (en) 2006-06-29
AU2005319965B2 (en) 2011-02-10
CA2592096A1 (en) 2006-06-29
RU2009105655A (ru) 2010-09-10
SG161205A1 (en) 2010-05-27
RU2485633C2 (ru) 2013-06-20
BRPI0517584A (pt) 2008-10-14
RU2007127910A (ru) 2009-01-27
WO2006068359A1 (en) 2006-06-29
RU2359362C2 (ru) 2009-06-20
NO20073682L (no) 2007-09-24
CA2592096C (en) 2013-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0517584B1 (pt) Lighting device
PT1605030E (pt) Dispositivo emissor de luz
JP5599483B2 (ja) 非化学量論的正方晶系アルカリ土類シリケート蛍光体を用いた発光装置
US8318044B2 (en) Light emitting device
JP5236397B2 (ja) 非化学量論的正方晶系アルカリ土類シリケート蛍光体を用いた発光装置
TWI363793B (pt)
US8545722B2 (en) Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
US20130140981A1 (en) Luminescent substance and light source having such a luminescent substance
CZ2002167A3 (cs) Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED
CN101752492A (zh) 发光体以及使用其的光学设备
TW201110415A (en) Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
WO2011078509A2 (en) Light emitting device having strontium oxyorthosilicate type phosphors
CN100490192C (zh) 发光二极管
CN111996002B (zh) 一种单一基质白光荧光粉、其制备方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
B08F Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette]

Free format text: REFERENTE A 3A ANUIDADE.

B08H Application fees: decision cancelled [chapter 8.8 patent gazette]

Free format text: REFERENTE AO DESPACHO PUBLICADO NA RPI 2160 DE 29/05/2012.

B07A Application suspended after technical examination (opinion) [chapter 7.1 patent gazette]
B06A Patent application procedure suspended [chapter 6.1 patent gazette]
B09A Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette]
B16A Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 12/12/2017, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS.