CN101554089A - 照明装置和照明方法 - Google Patents
照明装置和照明方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101554089A CN101554089A CNA2007800307982A CN200780030798A CN101554089A CN 101554089 A CN101554089 A CN 101554089A CN A2007800307982 A CNA2007800307982 A CN A2007800307982A CN 200780030798 A CN200780030798 A CN 200780030798A CN 101554089 A CN101554089 A CN 101554089A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lighting device
- microns
- line segment
- phosphor particles
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 123
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 122
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- 241000700647 Variola virus Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminium (laminated aluminum Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007844 bleaching agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
Abstract
一种照明装置,其包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体。如果每个固态发光体被点亮且每个荧光体受到激发的话,发出的混光的x,y颜色坐标落于由坐标(0.32,0.40)、(0.36,0.48)、(0.43,0.45)以及(0.36,0.38)定义的区域内。荧光体包括磷光体颗粒,其大小范围从3微米到7微米(或者5-15微米、10-20微米或15-25微米),或者平均颗粒大小为5微米、10微米、15微米以及20微米。而且,照明装置包括至少一个发光体和至少一个荧光体,其中该荧光体包括具有上述大小的磷光体颗粒,该照明装置的光效至少为60(或70或80)lm/w。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2006年8月23日提交的申请号为60/839453的美国临时专利申请的优先权,其全文通过引用而结合于此。
技术领域
本发明涉及照明装置,具体地说涉及包括一个或多个发光二极管和一个或多个发光材料(如一个或多个磷光体(phosphor))的装置。本发明还涉及照明方法。
发明背景
在美国,每年发的电量的一大部分(估计高达25%)都用于照明。因此,一直需要提供能效更高的照明方式。众所周知,白炽光灯泡是极其低能效的光源,它们消耗的电量的90%作为热量而不是光散发出去。荧光灯管比白炽光灯泡更高效(高出大约十分之一),但与固态发光体如发光二极管相比依然很低效。
此外,与固态发光体如发光二极管的通常使用寿命相比,白炽光灯泡具有相对短的使用寿命,即通常大约只有750-1000小时。相比较而言,例如发光二极管的使用寿命通常在50000到70000小时之间。荧光灯管具有比白炽光灯泡更长的使用寿命(如10000-20000小时),但是荧光灯管发出的光的显色性要差些。
显色性通常采用显色指数(CRI Ra)来衡量。CRI Ra是关于一个照明系统的显色与基准辐射体在由8个基准色彩照明时的显色相差程度如何的相对测量的修正平均值,即,它是物体在受到特定灯照射时表面色移的相对测量值。如果照明系统照射的一组测试颜色的颜色坐标与基准辐射体照射的相同测试色的坐标相同,则CRI Ra等于100。自然光具有较高的CRI(Ra大约为100),白炽光灯泡也具有相对接近的CRI(Ra大于95),而荧光灯的CRI精度较低((Ra通常为70-80)。几种类型的特定照明装置的CRI Ra非常低(如汞蒸汽或钠灯的Ra低至大约40或者甚至更低)。钠灯如用于照亮高速公路的话,司机响应时间会因为较低的CRI Ra而明显减少(对于任何特定亮度,易辨认性会随较低的CRI Ra而降低)。
因此,常规电灯组件面临另一问题,那就是需要定期替换照明装置(如灯泡等)。在难以靠近的地方(如拱形天花、桥梁、高大建筑物、交通隧道)和/或更换成本异常高的地方,这种问题尤为明显。常规电灯组件的使用寿命通常大约有20年,对应于发光装置使用至少约44,000小时(按照每天使用6小时计算为20年)。发光装置的使用寿命通常短得多,因此需要定期更换。
因此,基于各种原因,人们正在努力探索用固态发光体取代广泛应用的白炽灯、荧光灯及其它发光装置的方法。此外,在已使用发光二极管(或其它固态发光体)的地方,一直努力提供如就能效方面、显色指数(CRI Ra)、对比度、功效(1m/W)、成本和/或使用期限而言改善的发光二极管(或其它固态发光体)。
发光二极管是众所周知的将电流转换成光的半导体器件。各种发光二极管越来越多地用于不同领域,从而扩大了其使用范围。
更具体地说,发光二极管是当其p-n节结构上存在一定电势差时可发光(如紫外光、可见光、红外光)的半导体器件。存在若干公知的方法制造发光二极管及许多相关的结构,并且本发明可采用任何这种装置。例如,Sze的现代半导体装置物理学(2d Ed.1981)中第12-14章以及Sze的现代半导体装置物理学(1998)的第7章描述了各类光子学装置,其中包括发光二极管。(Chapters 12-14 of Sze,Physics of Semiconductor装置,(2d Ed.1981)andChapter 7 of Sze,Modern Semiconductor装置Physics(1998))。
本文所用的表达“发光二极管”指基本的半导体二极管结构(即芯片)。通常知道的并且可购得的例如在电子产品商店所售的“LED”通常表现为由若干部件组成的“封装”装置。这些封装装置通常包括如(但不限于)申请号为4918487、5631190和5912477的美国专利中所描述的基于半导体的发光二极管、各种有线连接和封装发光二极管的封装件。
众所周知,发光二极管通过激发电子穿过半导体有源(发光)层的导带和价带之间的带隙而产生光。电子迁移产生具有取决于带隙的波长的光。因此,发光二极管发出光的颜色(波长)取决于发光二极管有源层的半导体材料。
虽然发光二极管的发展在许多方面革新了照明产业,但是发光二极管的一些特征依然面临挑战性,而另一些特征迄今还未完全开发出来。例如,任何特定发光二极管的放射光谱通常集中在单波长附近(其取决于如发光二极管的组成和结构),这在一些应用中是理想的,但在另一些应用中是不理想的(如针对照明方面,这种发光光谱具有更低的CRI Ra)。
因为感知为白色的光必定是两种或多种颜色(或波长)的光的混合,因此还未研制出可产生白光的发光二极管结。已生产了“白”LED灯,其具有分别由红、绿和蓝发光二极管形成的发光二极管像素/簇。其他已生产的“白”LED包括(1)产生蓝光的发光二极管和(2)发光材料(如磷光体),其在发光二极管发出的光的激励下发出黄光,由此蓝光和黄光混合后可感知为白光的光。
此外,原色混合得到非原色的混合原理。通常是本领域及其他领域技术人员所公知的。通常,参考1931年的CIE色度图(1931年确定的原色国际标准)和1976年的CIE色度图(与1931年的图类似,但修改成图上类似距离表示相似的颜色感知区别)来将颜色定义为原色的加权和。
因此,发光二极管可单独使用或任何组合使用,也可以与一个或多个发光材料(如磷光体或闪烁体(scintillator))和/或滤光器一起使用,来产生任何想要的颜色的光(包括白色)。因此为替代现有带有发光二极管光源的光源所作出的努力的方面如以改善能效、CRI Ra、光效(ImAV)和/或使用期限不限于任何特定颜色或混合光的颜色。
各种发光材料(也称作荧光体(lumiphor)或荧光媒介(luminophoricmedia),如专利号6600175的美国专利所公开的,其全部内容通过引用结合于此)是本领域技术人员众所周知并且可得的。例如,磷光体是一种在由辐射源激发下发出响应辐射(如可见光)的发光材料。在多数情况下,响应辐射的波长与激发光源的波长不同。发光材料的其他例子包括闪烁体、日辉光带以及在紫外光照射下发出可见光的油墨。
发光材料可分类为下迁移(down-converting)材料和上迁移材料,即将光子迁移到更低能量级(更长波长)的材料和将光子迁移到更高能量级(更短波长)的材料。
包括在LED装置中的发光材料通过把发光材料增加到如上所述的清澈的或透明的封装材料(如,基于环氧树脂、基于硅树脂、基于玻璃的材料、基于金属氧化物等)中,例如通过混合或涂层工艺。
例如,美国专利6963166(Yano‘166)公开了一种常规的发光二极管灯,其包括发光二极管芯片,用以覆盖发光二极管芯片的子弹形透明外壳,将电源电流引入到发光二极管二极管芯片中,以及杯状反射体,用以在一致的方向上反射发光二极管芯片的发射光,其中采用第一树脂部分封装发光二极管芯片,接着采用第二树脂部分进行封装。根据Yano‘166,所述第一树脂部分是通过用树脂材料填充反光杯,接着将发光二极管芯片安装反光杯的底部之上,再将发光二极管的阴极和阳极用电线与所述导线进行电连接并固化得到的。根据Yano′166,磷光体分散在第一树脂部分中,以便用发光二极管芯片发出的光A激发,被激发的磷光体产生荧光(“光B”),其波长比光A要长,一部分光A通过包括磷光体的第一树脂部分,因而成为光A和光B的混合光C,其用作照明。
如上所述,已研究将“白色LED灯”(即感知为白色或接近白色的灯)作为白色的白炽灯的可能替代品。白LED灯的代表性示例包括蓝发光二极管芯片的封装件,其可由涂覆有磷光体的铟镓氮(InGaN)或镓氮(GaN)制成,比如钇铝石榴石。在这种LED灯中,蓝发光二极管芯片发出波长约为450nm的光,而磷光体在接收该发射时产生具有波长峰值约为550nm的黄色荧光。例如,在一些设计中,发白光二极管灯是通过在发蓝光半导体的发光二极管的输出表面上形成陶瓷磷光体层而制造的。发光二极管芯片发出的部份蓝光通过磷光体射出,而从发光二极管芯片发出的一部分蓝光由磷光体吸收,受激发并发出黄光。发光二极管发出的经由磷光体传送的一部分蓝光与磷光体发出的黄光混合。观察者便可将蓝光和黄光的混合光感知为白光。另一种类型采用可与磷光体材料结合起来的蓝色或紫色发光二极管芯片以产生红光或橙光线以及绿光或淡黄绿光线。在这种灯中,发光二极管芯片发出的部分蓝光或紫光激发磷光体,使得该磷光体发出红光或橙光线以及绿光或淡黄绿光线。这些光线与蓝光或紫光线结合可产生白光。
进一步如上所述,在另一类LED灯中,发出紫外光的发光二极管芯片与产生红(R)、绿(G)和蓝(B)光的磷光体材料相结合。在这种LED灯中,从发光二极管芯片发出的紫外光激发磷光体,使得磷光体发出红、绿和蓝光,它们在混合后,用人眼可感知为白光。因而,可得到作为这些光线的混合光的白光。
现在已有各种各样的设计,它们是将现有LED元件封装和其他电子器件组装到电灯组件中。在这种设计中,将封装的LED安装到电路板上,或直接安装到散热片上,该电路板安装到散热片上,散热片连同所需的驱动电子元器件一起安装到灯具外壳中。许多情况下,还需要附加光学器件(仅次于封装部件)。
在用于替代其他光源如白炽灯泡的发光二极管中,封装的LED已用于常规的灯具,空心棱镜和与所述空心棱镜相连的基板,该基板具有传统的插座外壳其带有一个或多个电耦合到功率的触头。例如,LED灯泡可这样构建:其包括电路板,安装在电路板上的多个LED封装件,和与所述电路板相连并适合与灯具的插座外壳相连的连接柱,由此所述多个LED可由电源点亮。使用具有更高能效、改善的显色指数(CRI Ra)、改善的光效(1m/W)、更低的成本和/或具有更长的使用寿命的固态发光体(例如发光二极管)以在多种应用中提供白光的需要日渐增长。
发明内容
对于结合了白光固态灯(例如具有可接受的色温和良好的显色指数、广阔的色域和简单的控制电路的LED灯)的效率和较长的使用寿命(即避免使用相对低效的光源)的高效白光源的需要日渐增长。
如于2006年4月20日提交的、申请号为60/793524、题为“照明装置和照明方法”(发明人:AntonyPaulvandeVen和GeraldH.Negley)的美国专利申请(其全部内容通过引用结合于此)中所述,发现如果按以下方式选择固态发光体(如LED)和荧光体可获得特别高的CRIRa,即:如果各个固态发光体被点亮且各个荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,从固态发光体和该荧光体发出光的混光将产生具有x,y颜色坐标的混合照射。该坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,其中,第一线段将第一点连接至第二点,第二线段将第二点连接至第三点,第三线段将第三点连接至第四点,第四线段连接将第四点连接至第五点,而第五线段将第五点连接至第一点,第一点的x,y坐标为0.32,0.40,第二点的x,y坐标为0.36,0.48,第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38。
此外我们发现,通常荧光体中含有的磷光体颗粒越大,制造越困难;但其产生的反射光越少(因而产生的首过光提取(first pass light extraction)更高)。我们相信:
(1)含有颗粒大小范围从3微米到7微米的磷光体颗粒的荧光体,而在某些情况下,其中至少有50%比重(某些情况75%比重,在某些情况下90%比重)的磷光体颗粒的颗粒大小范围从约3微米到约7微米;
(2)含有颗粒大小范围从5微米到15微米的磷光体颗粒的荧光体,而在某些情况下,其中至少有50%比重(某些情况75%比重,在某些情况下90%比重)的磷光体颗粒的颗粒大小范围从大约5微米到大约15微米;
(3)含有颗粒大小范围从10微米到20微米的磷光体颗粒的荧光体,而在某些情况下,其中至少有50%比重(某些情况75%比重,在某些情况下90%比重)的磷光体颗粒的颗粒大小范围从大约10微米到大约20微米;
(4)含有颗粒大小范围从15微米到25微米的磷光体颗粒的荧光体,而在某些情况下,其中至少有50%比重(某些情况75%比重,在某些情况下90%比重)的磷光体颗粒的颗粒大小范围从大约15微米到大约25微米;
(5)含有平均颗粒大小约为5微米的磷光体颗粒的荧光体;
(6)含有平均颗粒大小约为10微米的磷光体颗粒的荧光体;
(7)含有平均颗粒大小约为15微米的磷光体颗粒的荧光体;以及
(8)含有平均颗粒大小约为20微米的磷光体颗粒的荧光体,
这些荧光体均可在制造简便和反光最小化之间提供较好的平衡,并且它们均可提供在不同情形下特别有用的照明装置。
因此,在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这种磷光体颗粒中至少一些(某些情况至少为50%比重,在某些情况下至少为75%比重,并且在某些情况下至少为90%比重)的颗粒大小范围从约3微米至约7微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒中的至少一些(某些情况至少为50%比重,在某些情况下至少为75%比重,并且在某些情况下至少为90%比重)的颗粒大小范围从约5微米至约15微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒中至少一些(某些情况至少为50%比重,在某些情况下至少为75%比重,并且在某些情况下至少为90%比重)的颗粒大小范围从约10微米至约20微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒中至少一些(某些情况至少为50%比重,在某些情况下至少为75%比重,并且在某些情况下至少为90%比重)的颗粒大小范围从约15微米至约25微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒的平均颗粒大小约为5微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒的平均颗粒大小约为10微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒的平均颗粒大小约为15微米。
在本发明的一些实施例中,至少一个荧光体包括磷光体颗粒,并且这些磷光体颗粒的平均颗粒大小约为20微米。
在本发明的一些实施例中,照明装置发出光效为每电力瓦特至少60流明(在一些实施例中为至少70流明/瓦,而在一些实施例中,为至少80流明/瓦)的输出光。
本发明还主要涉及于2006年4月20日提交的申请号为60/793524的美国专利申请中的任何一个实施例、于2005年12月21日提交的申请号为60/752555的美国专利申请中的任何一个实施例、于2006年4月20日提交的申请号为60/793518的美国专利申请中的任何一个实施例、于2006年11月7日提交的申请号为60/857305的美国专利申请中的任何一个实施例、于2007年5月8日公布的申请号为7213940的美国专利申请中的任何一个实施例、于2006年12月1日提交的申请号为60/868134的美国专利申请中的任何一个实施例、于2006年12月7日提交的申请号为60/868986的美国专利申请中的任何一个实施例,其中至少一个荧光体颗粒大小在如上所述的范围内。
此外,还意外地发现通过将如上所述的光与发光二极管发出的主波长在600nm到630nm的范围内的光组合可得到极高的CRI Ra。
发光二极管可以是饱和的或者是不饱和的。如这里所用的术语“饱和”意指纯度为至少85%,术语“纯度”的含义对于本领域的技术人员而言是熟知的,并且计算纯度的过程也是本领域的技术人员熟知的。
与本发明相关的各个方面可在1931CIE(Commission International deI′Eclairage)色度图或1976CIE色度图上有所体现。图1显示了1931CIE色度图。图2显示了1976色度图。图3显示了1976色度图的放大部分以便详细显示出黑体轨迹。本领域的技术人员熟悉这些图,并且这些图也容易获得(如通过在因特网上搜索“CIE色度图”便可获得)。
CIE色度图绘出了根据两个CIE参数x和y(在1931图中)或u’和v’(在1976图中)的人对颜色的感知。有关CIE色度图的技术性描述可参见例如“自然科学与技术百科全书”(vol.7230-231(Robert A Meyers ed.,1987))。光谱色分布在画出轮廓的边缘周围,其包括人眼可看到的所有色彩。边界线代表光谱色的最大饱和度。如上所述,1976CIE色度图与1931图类似,不同之处在于1976图已经过修改使得这种图上的类似距离表示颜色上的类似感知色差。
在1931图中,可以根据坐标来表示与图上一点的偏移,或者为了对感知的色差的程度给出指示,也可采用麦克亚当椭圆(MacAdam ellipses)来表示与图上一点的偏移。例如,定义为与1931图上的特定的坐标组定义出的特定色调(hue)相距10个麦克亚当椭圆的多个位点的轨迹,由感知为与该特定色调相差相同程度的多个色调组成(并且对于定义为与特定色调相距其它数量的麦克亚当椭圆的位点轨迹,也是如此)。
由于1976图上的相似距离表示相似的感知色差,因此可以根据坐标u’和v’,如与该点的距离=(Δu’2+Δv’2)1/2,来表示与1976图上一点的偏移,并且由与特定色调相距相同距离的点的轨迹定义出的色调,由分别与该特定色调具有相同程度感知差的多个色调组成。
如图1-3所示的色度坐标和CIE色度图在大量书籍以及其他出版物中有详细的说明,如巴勒特的《荧光灯磷光体》的98-107页,宾西法尼亚州大学出版社,1980(K.H.Butler,″Fluorescent Lamp Phosphors″,The PennsylvaniaState University Press 1980),布勒斯等的《发光材料》的109-110页,施普林格,1994(G.Blasse et al.,″Luminescent Materials″,Springer-Verlag 1994),在此全文引用以作参考。
沿黑体轨迹的色度坐标(即色点)遵循普朗克(Planck)公式:E(λ)=Aλ-5/(e(B/T)-1),其中E是发射强度,λ是发射波长,T是黑体的颜色温度,而A和B是常量。位于黑体轨迹上或其附近的色度坐标会给人体观察者产生令人舒适的白光。1976CIE图包括沿黑体轨迹的温度列表。这些温度列表示出了引起该温度上升的黑体辐射源的色彩轨迹。当受热物体开始遇热发出白炽光时,它首先变为略带红色然后略带黄色,然后变白,并且最后变为带蓝绿色的。这是因为与黑体辐射体的辐射峰值有关的波长随温度升高而逐渐变短导致的,符合维恩位移定理(Wien Displacement Law)。因此在黑体轨迹上或其附近产生光的发光体可根据其色温来描述。
进一步如1976CIE图所示,符号A、B、C、D和E分别代表对应地标识为发光体A、B、C、D和E的几个标准发光体发出的光线。
CRI Ra是照明系统的显色与黑体辐射体的显色相差程度的相对测量。如果由照明系统照射的一组测试颜色的颜色与由黑体辐射体照射的相同的测试颜色的坐标相同,则CRI Ra等于100。
参照以下附图以及以下对本发明的详细描述可以更全面地理解本发明。
附图说明
图1显示了1931CIE色度图;
图2显示了1976色度图;
图3显示了1976色度图的放大部分以便详细显示出黑体轨迹;
图4是根据本发明的照明装置的代表性示例的示意图;
图5描述了可用于根据本发明的装置的封装的LED的代表性示例。
具体实施方式
下面将参照附图更全面地描述本发明,附图中显示了本发明的实施例。然而,本发明不应当解释为受这里所阐述的实施例的限制。相反,提供这些实施例目的是使本公开透彻和完整,并且对于本领域的技术人员而言这些实施例将会更完整地表达出本发明的范围。通篇相同的标号表示相同的单元。如这里所述的术语“和/或”包括任何和所有一个或多个列出的相关项的组合。
这里所用的术语仅是为了描述特定实施例,而不用于限制本发明。如所用到的单数形式“一个”,除非文中明确指出其还用于包括复数形式。还将明白术语“包括”和/或“包含”在用于本说明时描述存在所述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或元件,但不排除还存在或附加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、单元、元件和/或其组合。
当一个单元如层、区域或衬底在这里表述为“位于另一单元之上”或“延伸到另一单元之上”时,它也可直接位于另一单元之上或直接延伸到另一单元之上,或者也可出现居间单元(intervening element)。相反,当一个单元在这里表述为“直接位于另一单元之上”或“直接延伸到另一单元之上”时,则表示没有居间单元。此外,当一个单元在这里表述为“连接”或“耦合”到另一单元时,它也可直接连接或耦合到另一单元,或者也可出现居间单元。相反,当一个单元在这里表述为“直接连接”或“直接耦合”到另一单元时,则表示没有居间单元。
表述“相关色温(correlated color temperature)”,顾名思义用于指具有明确定义(即可由本领域的技术人员易于准确确定)的颜色最接近的黑体的温度。
表述“直接或可切换地电连接”意指“直接电连接”或“可切换地电连接”。
这里陈述装置中的两个元件“直接电连接”表明在这两个元件之间没有电气上的其他元件,这种元件的插入在本质上会影响所述装置提供的功能。例如,虽然两个元件之间可能存在很小的电阻,但其在本质上不影响装置提供的功能(实际上,连接两个元件的线可看作是电阻),因此它们可看作是电连接的;同样,两个元件之间可能具有使该装置完成附加功能但又不会实质上影响装置提供的功能的附加电子元件,所述装置与不包括附加元件以外的装置相同,因此它们可看作是电连接的;同样,直接彼此相连接或直接连接到电路板或其他介质上的电线或迹线的相对端的两个元件是电连接的。
这里陈述装置中的两个元件“可切换地电连接”表明在这两个元件之间设有开关,此开关选择性地闭合或打开,其中如果开关闭合,则这两个元件直接电连接,而如果开关打开(即在此开关打开的任何时间里),则这两个元件不电连接。
如这里所用的表述“点亮”(或“被点亮”)在指固态发光体时,表明提供给该固态发光体的至少一部分电流使它发出至少一部分光。表达“被点亮”包括以下情形:当固态发光体连续发光或以一定速率间断发光使得人眼将其感知为连续发光;或者当相同颜色或不同颜色的多个固态发光体间断和/或交替发光(时间上有重叠或没有重叠with or without overlap in“on”times)发光使得人眼将它们感知为连续发光(以及在发出不同颜色的情况下将它们感知为那些颜色的混合)。
这里所用的表述“受到激发”在指荧光体时含义是至少一些电磁辐射(如可见光、紫外(UV)光或红外光)正在与该荧光体反应,使得该荧光体发出至少一些光。表述“受到激发”包含以下情形:荧光体连续发光或以一定速率间断发光使得人眼将其感知为连续发光,或相同颜色或不同颜色的多个荧光体间断和/或交替(时间上有重叠或没有重叠with or without overlap in“on”times)发光使得人眼将它们感知为连续发光(以及在发出不同颜色的情况下将它们感知为那些颜色的混合)。
这里所用的表述“照明装置”除了它要能发光之外不具有任何限制性。即照明装置可以是照射一定面积或容积(如房间、游泳池、仓库、指示器、路面、车辆、路面标记、广告牌、大船、小艇、航行器、运动场、树、窗户、院子等)的装置、指示器灯、或照射围栅的一个装置或一排装置,或用于边缘照明或背面照明的装置(如背光广告、标志、LCD显示)或任何其他发光装置。
虽然术语“第一”、“第二”等这里可用来描述各种单元、元件、区域、层、部分和/或参数,但是这些单元、元件、区域、层、部分和/或参数不应当由这些术语来限制。这些术语仅用于将一个单元、元件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开。因此,在不背离本发明的示教情况下,以下讨论的第一单元、元件、区域、层或部分可称为第二单元、元件、区域、层或部分。
此外,相对术语(relative term)如“下”或“底”以及“上”或“顶”这里可用来描述如图所示一个单元与另一单元的关系。除了图中所示的装置的那些朝向之外,这些相对术语还用于包含其他不同的朝向。例如,如果图中所示的装置翻转过来,则描述为在其他单元“下”侧上的单元方向变为在其他单元的“上”侧。因此根据附图的特定朝向示范性术语“下”可包含“上”和“下”两个朝向。同样,如果附图之一的装置翻转过来,则描述为在“在其他单元之下”或“在其他单元下面”的单元的方向变为“在其他单元之上”。因此示范性术语“在...下”可包含上面和下面两个朝向。
这里参照截面图(和/或平面图)来描述根据本发明的实施例,这些截面图是本发明的理想实施例的示意图。同样,可以预料到由例如制造技术和/或公差导致的示意图的形状上的变化。因此,本发明的实施例不应当视为受这里所示的区域的特定形状的限制,而是应当视为包括由例如制造引起的形状方面的偏差。例如,显示为或描述为矩形的模塑区域(molded region)一般还具有圆形的或曲线的特征。因此,图中所示的区域实质上是示意性的,它们的形状不用于说明装置的某区域的准确形状,并且也不用于限制本发明的范围。
除非另有定义,这里所用的所有术语(包括科学技术术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员普遍理解的含义相同。还应进一步明白,如常规使用的词典里定义的那些术语将解释为其含义与它们在相关领域以及本发明的上下文环境中的含义相一致,除非本文明确定义外不会从理想或过度形式化(formal sense)的层面上理解,。本领域的技术人员还应理解,参照“邻近(adjacent)”另一特征分布的结构或特征可具有与该邻近的特征重叠或在其之下的部分。
在根据本发明的装置中所用的这个固态发光体(或多个固态发光体)以及在根据本发明的装置中所用的这个荧光体(或多个荧光体)可从本领域的技术人员熟知的任何固态发光体和荧光体中选择。各种固态发光体均是公知的。例如,一类固态发光体是发光二极管。
各种各样的发光二极管以及荧光体均是容易得到且是本领域的技术人员所熟知的,并且它们中的任何一个均可被利用(如用于600nm至630nm的发光二极管的AlInGaP)。
这些发光二极管的类型的例子包括有机和无机发光二极管,每种均是本领域所熟知的。
适用于本发明的LED的代表性示例在以下文献中有所描述:
(1)于2005年12月22日提交的、申请号为60/753138、题为“照明装置”(发明人:Gerald H.Negley;代理备审案号931_003 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及于2006年12月21日提交的、申请号为11/614180的美国专利申请;
(2)于2006年4月24日提交的、申请号为60/794379、题为“通过空间上分离荧光粉薄膜来移动LED中的光谱内容(spectral content)”(发明人:Gerald H.Negley和Antony Paul van de Ven;代理备审案号931_006 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及于2007年1月19日提交的、申请号为11/624811的美国专利申请;
(3)于2006年5月26日提交的、申请号60/808702、题为“照明装置”(发明人:Gerald H.Negley和Antony Paul van de Ven;代理备审案号931_009PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及于2007年5月22日提交的、申请号为11/751982的美国专利申请;
(4)于2006年5月26日提交的、申请号60/808925、题为“固态发光装置及其制造方法”(发明人:Gerald H.Negley和Neal Hunter;代理备审案号931_010 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及于2007年5月24日提交的、申请号为11/753103的美国专利申请;
(5)于2006年5月23日提交的、申请号60/802697、题为“照明装置及其制造方法”(发明人:Gerald H.Negley;代理备审案号931_011 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及于2007年5月22日提交的、申请号为11/751990的美国专利申请;
(6)于2006年8月23日提交的、申请号60/839453、题为“照明装置及照明方法”(发明人:Antony Paul vande Ven和Gerald H.Negley;代理备审案号931_034 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;
(7)于2006年11月7日提交的、申请号60/857305、题为“照明装置及照明方法”(发明人:Antony Paul van de Ven和Gerald H.Negley;代理备审案号931_027 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;
(8)于2006年10月12日提交的、申请号60/851230、题为“照明装置及其制造方法”(发明人:Gerald H.Negley;代理备审案号931_041 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;
所述一个或多个荧光材料可以是任何需要的荧光材料。所述一个或多个荧光材料可以是向下迁移或向上迁移的,或者可包括这两种类型的组合。例如,所述一个或多个荧光材料可从磷光体、闪烁体、日辉光带、在用紫外光照射时发出位于可见光谱内的光的油墨等中选择。
所述一个或多个荧光材料可以任何需要的形式提供。例如,荧光单元可嵌入到树脂(即聚合物基质(polymeric matrix))中,如硅材料、环氧树脂材料、玻璃材料或金属氧化物材料。
所述一个或多个荧光体可为任何单独的荧光体,如上所述它们的各种类型均是本领域的技术人员已知的。例如,一个或多个荧光体均可包括一个或多个磷光体(或主要由它们构成,或由它们构成)。如果需要的话,所述一个或多个荧光体各自还可包括一个或多个高度透射(如透明或大致透明或稍稍漫射)的粘合剂(或主要由它们构成,或由它们构成),如由环氧树脂、硅树脂、玻璃、金属氧化物或任何其他适合的材料组成(例如,任何给定的荧光体包括一个或多个粘合剂,一个或多个磷光体可分散在一个或多个粘合剂内)。例如,通常荧光体越厚,磷光体的百分比重可能越低。磷光体的百分比重的代表性示例包括从约3.3%比重到约4.7%比重,如上所述虽然取决荧光体整体厚度,但磷光体的百分比重一般可以为任何值,如从0.1%比重到100%比重(如对纯净磷光体进行热等静压处理而形成的荧光体)。在一些情形下,百分比重为大约20%比重是有利的。
本发明还进一步涉及此处所述的照明装置,其中,照明装置发出的混光接近色温为2700K、3000K或3500K的黑体轨迹的光,即:
具有以下x,y颜色坐标的混光(即接近2700K):该颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,第一线段将第一点连接至第二点,第二线段将第二点连接至第三点,第三线段将第三点连接至第四点,第四线段连接将第四点连接至第五点,且第五线段将第五点连接至第一点,第一点的x,y坐标为0.4578,0.4101,第二点的x,y坐标为0.4813,0.4319,第三点的x,y坐标为0.4562,0.4260,第四点的x,y坐标为0.4373,0.3893,且第五点的x,y坐标为0.4593,0.3944;或
具有以下x,y颜色坐标的混光(即接近3000K):该颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,第一线段将第一点连接至第二点,第二线段将第二点连接至第三点,第三线段将第三点连接至第四点,第四线段连接将第四点连接至第五点,且第五线段将第五点连接至第一点,第一点的x,y坐标为0.4338,0.4030,第二点的x,y坐标为0.4562,0.4260,第三点的x,y坐标为0.4299,0.4165,第四点的x,y坐标为0.4147,0.3814,且第五点的x,y坐标为0.4373,0.3893;或
具有以下x,y颜色坐标的混光(即接近3500K):该颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.4073,0.3930,所述第二点的x,y坐标为0.4299,0.4165,所述第三点的x,y坐标为0.3996,0.4015,第四点的x,y坐标为0.3889,0.3690,且第五点的x,y坐标为0.4147,0.3814。
本发明包含以下这样的装置:该装置中含有如这里所述的磷光体颗粒,并且如果用第一瓦特电力给该照明装置供电,从该照明装置的至少一个固态发光体发出的所有光的混合具有以下x,y颜色坐标(其中所述固态发光体发出的光的主波长处于600nm与700nm之间的范围以外):该颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38。
本发明还涉及受到照射的围地,包括封闭空间和至少一个根据本发明的照明装置,其中该照明装置照射至少一部分该围地。
本发明还涉及受到照射的表面,包括表面和至少一个根据本发明的照明装置,其中,该照明装置照射至少一部分所述表面。
本发明还主要针对照射区域,该区域包括由以下项构成的组中选择的至少一项:房间、游泳池、仓库、指示器、路面、车辆、路面标记、广告牌、大船、小艇、航行器、运动场、树、窗户、院子等)的装置、指示器灯、或照射围地的一个装置或一排装置或用于边缘照明或背面照明的装置(如背光广告、标志、LCD显示),其中或其上安装了如这里所述的至少一个照明装置。
此外,本领域的技术人员熟悉针对不同类型的照明的各种式样的安装结构,并且根据本发明可采用任何这种结构。例如,图4显示了一种照明装置,其包括散热元件(heat spreading element)11(由具有良好导热性能的材料如铝构成)、绝缘区域12(其可通过阳极电镀处理作用于和/或形成于原处)、高反射表面13(可通过应用如由日本公司Furukawa经销的MCPET、层压铝(laminated aluminum)或银,或通过如抛光形成于原处)、导电迹线(conductivetrace)14、引线框15、封装LED16、反射锥体17和漫射元件18。如图4所示的装置还包括在导电迹线14下的绝缘元件28,用以避免与导电迹线的不需要的接触(例如接受电击的人)。如图4所示的装置可包括任意数量(如50或100或更多个)的封装LED。因此,散热元件11以及绝缘区域12、反射表面13和绝缘元件28可按图4所示的片断式结构(fragmented structure)向右或向左延伸任何必须的距离,(类似地,反射椎体17可设在右侧或左侧的任何距离处)。同样,漫射元件18可设置成与LED16保持任何需要的距离。漫射元件18可连接到反射椎体17、绝缘元件28、散热元件11或以任何方式设置的任何其他需要的结构上,本领域的技术人员熟悉并能容易以各种方式提供这种连接。在本实施例及其他实施例中,散热元件11用于传播热量、充当散热片和/或散热。类似地,反射椎体17也可用作散热片。此外,反射椎体17还可包括用以增强其反射性能的脊19。
图5说明可用于根据本发明的装置的封装LED的代表性示例。参照图5,其中显示了照明装置20,其包括固态发光体21(在此情况下为发光二极管芯片21)、引线框22、导线23、封装区域24、其上安装了发光二极管芯片21的反射元件26,以及荧光体27可以同样的方式(只是不包括荧光体27)构建不包括任何荧光体的封装LED(如600nm到630nm的发光二极管)。本领域的技术人员熟悉且容易得到各种各样其他封装的以及未封装的LED结构,如果需要的话,可根据本发明采用它们中的任何一个。
在根据本发明的一些实施例中,一个或多个发光二极管可连同一个或多个荧光体包括在一个封装中,并且该封装中的一个或多个荧光体可与该封装中的一个或多个发光二极管间隔设置,以获得改善的出光率,如于2005年12月22日提交的、申请号为No.60/753138、题为“照明装置”(发明人:GeraldH.Negley)的美国专利申请所述,其全部内容通过引用结合于此。
在根据本发明的一些实施例中,可提供两个或多个荧光体,该两个或多个荧光体彼此间隔设置,如于2006年1月23日提交的、申请号为No.60/761310、题为“通过在空间上间隔设置荧光膜来使LED中的频谱内容偏移”(发明人:Gerald H.Negley和Antony van de Ven)的美国专利申请所述,其全部内容通过引用结合于此。
在根据本发明的一些照明装置中,还包括一个或多个电源,如一个或多个电池和/或太阳能电池和/或一个或多个标准AC电源插头。
根据本发明的照明装置可包括任意需要数量的固态发光体和荧光体。例如,根据本发明照明装置可包括50个或更多个发光二极管,或可包括100个或更多个发光二极管等。通常,对于电流型发光二极管,使用大量的较小发光二极管可获得更高的光效(如其他条件一样的情况下,100个各自具有0.1mm2的表面积的发光二极管与25个各自具有0.4mm2表面积的发光二极管相比)。
类似地,在更低电流密度下工作的发光二极管通常更高效。根据本发明可采用汲取任何特定电流的发光二极管。在本发明的一个方面中,采用各自汲取不超过50mA的发光二极管。
本发明的照明装置中的可见光源可以任何方式排列、安装和供电,且可安装在任何需要的外壳或组件上。熟练技工熟悉各种各样的排列、安装方案、电源设备、外壳和组件,并且结合本发明可应用任何这样的排列、方案、设备、外壳和组件。本发明的照明装置可电连接(或有选择地连接)到任何需要的电源上,本领域的技术人员熟悉各种这样的电源。
可见光源的排列、安装结构、安装可见光源的方案、用于给可见光源供电的设备、用于可见光源的外壳、用于可见光源的灯具、用于可见光源的电源以及完整的照明组件,它们均适用于本发明的照明装置,并且在以下文献中有所描述:
(1)于2005年12月21日提交的、申请号为60/752753、题为“照明装置”(发明人:Gerald H.Negley、Antony Paul van de Ven和Neal Hunter;代理备审案号931_002 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及2006年12月20日提交的、申请号为11/613692的美国专利申请;
(2)于2006年5月5日提交的、申请号为60/798446、题为“照明装置”(发明人:Antony Paul van de Ven;代理备审案号931_008 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此,以及2007年5月3日提交的、申请号为11/743754的美国专利申请;
(3)于2006年9月18日提交的、申请号为60/845429、题为“照明装置、照明组件、灯具及其使用方法”(发明人:Antony Paul van de Ven;代理备审案号931_019 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;
(4)于2006年9月21日提交的、申请号为60/846222、题为“照明组件及其安装方法和代替光的方法”(发明人:Antony Paul van de Ven和GeraldH.Negley;代理备审案号931_021 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;
(5)于2006年5月31日提交的、申请号为60/809618、题为“照明装置和照明方法”(发明人:Gerald H.Negley、Antony Paul van de Ven和Thomas G.Coleman;代理备审案号931_017 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此;以及
(6)于2006年11月13日提交的、申请号为60/858558、题为“照明装置、照射围地以及照明方法”(发明人:Gerald H.Negley;代理人档案号931_026 PRO)的美国专利申请,其全部内容通过引用结合于此。
发光二极管和荧光体可按任何需要的方式排列。在根据本发明的一些实施例中,这些实施例包括600nm至630nm的发光二极管以及430nm至480nm的发光二极管,一些或所有600nm的发光二极管由五个或六个430nm至480nm的发光二极管包围(它们中的一些或全部可包括或可不包括555nm至585nm荧光体),例如,600nm至630nm的发光二极管以及430nm至480nm的发光二极管以横排的方式排列,相互间隔大致均匀,每排与下一相邻排(垂直方向上)横向偏移一定距离,该距离为横向相邻的发光二极管之间距离的一半,在大多数位置中,两个430nm至480nm的发光二极管设在每个600nm至630nm的发光二极管与其同一排中最近的发光二极管之间,每排中600nm至630nm的发光二极管与下一相邻排(垂直方向上)中最近的600nm至630的发光二极管偏移一定距离,该距离为横向间隔的相邻发光二极管之间距离的1.5倍。作为备选或附加,在根据本发明的一些实施例中,一些或全部的更亮的发光二极管比更暗的发光二极管设置在更靠近照明装置的中心位置处。
根据本发明的装置还可包括一个或多个长使用寿命的制冷装置(如有很长使用寿命的风扇)。这种长期制冷装置可包括像“中国式风扇(Chinese fan)”使空气流动的压电或磁阻材料(如MR、GMR和/或HMR材料)。在根据本发明对装置进行制冷时,通常,只要有足够量的空气打破边界层便可使得温度从10度降到15度。由此,在这种情况下通常不需要强风或大流体流速(大型CFM)(因此不需要常规风扇)。
在根据本发明的一些实施例中,可采用如以下文献中所描述的任何特征如电路例如于2006年1月25日提交的、申请号为60/761,879、题为“带制冷的照明装置”的美国专利申请(发明人:ThomasColeman,Gerald H.Negley和Antony van de Ven)中所述,其全部内容通过引用结合于此。
根据本发明的装置还可包括次级光学器件以进一步改变发射光的发射性质。这种次级光学器件是本领域那些技术人员熟悉的,因此这里不必详细描述,如果需要的话可采用任何类型的次级光学器件。
根据本发明的设备可进一步包括传感器或充电设备或照相机等。例如,本领域技术人员熟悉并已经在使用可检测一个或多个事件的设备(举例来说,运动检测器,其可探测物体或人的运动),以及响应所述检测,该设备触发光线照射和安全照相机的激活等。作为典型实施例,根据本发明的一种设备可包括有根据本发明的照明装置和运动传感器,并可这样构建:(1)当光线照射时,如果运动传感器探测到运动,激活安全照相机记录探测到运动的位置或其附近的可视化数据(visual data);或(2)如果运动传感器探测到运动,发出光线为探测到运动的位置或其附近照明,并激活安全照相机记录探测到运动的位置或其附近的可视化数据等。
对于室内家用照明而言,一般优选2700k至3300k的色温,而对于室外色彩丰富的地点的泛光照明而言,优选接近日光的5000K(4500-6500K)的色温。
如这里所述的照明装置的任何两个或两个以上结构部件可集成。这里所述的照明装置的任何结构部件可设在两个或两个以上部件中(如果需要的话它们是结合在一起的)。
此外,虽然参照各个元件的特定组合来阐述本发明的特定实施例,但在不背离本发明的精神和范围的情况下可提供各种其他组合。因此,本发明不应解释为受这里所述以及附图所示的特定示范性实施例的限制,而是还可包含各种所述实施例的的元件的组合。
本发明的普通技术人员如果要获得本公开的有益效果可在不背离本发明的精神和范围的情况下对其进行许多种变化和修改。因此,必须明白所述的实施例仅用于举例,不应当将其视为限制由所附权利要求定义的本发明。因此,所附的权利要求应理解为不仅包括并行陈述的元件的组合,还包括以基本相同的方式完成基本相同功能以获得基本相同结果的所有等效元件。这些权利要求在此理解为包括以上具体阐述和说明的内容、概念上等效的内容以及结合了本发明的实质思想的内容。
Claims (68)
1、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
2、如权利要求1所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
3、如权利要求1所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
4、如权利要求1所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
5、如权利要求1-4任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为5微米。
6、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
7、如权利要求6所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
8、如权利要求6所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
9、如权利要求6所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
10、如权利要求6-9任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为10微米。
11、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
12、如权利要求11所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
13、如权利要求11所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
14、如权利要求11所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
15、如权利要求11-14中任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为15微米。
16、一种照明装置,其包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
17、如权利要求16所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
18、如权利要求16所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
19、如权利要求16所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
20、如权利要求16-19任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为20微米。
21、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为5微米。
22、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,其x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为10微米。
23、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为15微米。
24、一种照明装置,包括:至少一个固态发光体和至少一个荧光体;其特征在于:
如果每个所述固态发光体被点亮且每个所述荧光体受到激发的话,在没有任何其他光的情况下,由所述至少一个固态发光体和所述至少一个荧光体发出的混光将会具有x,y颜色坐标的混合照明,所述x,y颜色坐标定义了1931CIE色度图上由第一线段、第二线段、第三线段、第四线段和第五线段围成的区域内的点,所述第一线段将第一点连接至第二点,所述第二线段将第二点连接至第三点,所述第三线段将第三点连接至第四点,所述第四线段连接将第四点连接至第五点,且所述第五线段将第五点连接至第一点,所述第一点的x,y坐标为0.32,0.40,所述第二点的x,y坐标为0.36,0.48,所述第三点的x,y坐标为0.43,0.45,第四点的x,y坐标为0.42,0.42,且第五点的x,y坐标为0.36,0.38,以及
所述至少一个荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为20微米。
25、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
26、如权利要求25所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
27、如权利要求25所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
28、如权利要求25-27任一项所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
29、如权利要求25-27任一项所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
30、如权利要求25-27任一项所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约3微米到约7微米。
31、如权利要求25-30任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为5微米。
32、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
33、如权利要求32所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
34、如权利要求32所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
35、如权利要求32-34任一项所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
36、如权利要求32-34所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
37、如权利要求32-34任一项所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约5微米到约15微米。
38、如权利要求32-37任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为10微米。
39、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
40、如权利要求39所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
41、如权利要求39所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
42、如权利要求39-41任一项所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
43、如权利要求39-41任一项所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
44、如权利要求39-41任一项所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约10微米到约20微米。
45、如权利要求39-44任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为15微米。
46、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,至少一些所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
47、如权利要求46所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
48、如权利要求46所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
49、如权利要求46-48任一项所述的照明装置,其特征在于,至少50%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
50、如权利要求46-48任一项所述的照明装置,其特征在于,至少75%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
51、如权利要求46-48任一项所述的照明装置,其特征在于,至少90%比重的所述磷光体颗粒的颗粒大小范围为约15微米到约25微米。
52、如权利要求46-51任一项所述的照明装置,其特征在于,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为20微米。
53、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为5微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
54、如权利要求53所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
55、如权利要求53所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
56、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为10微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
57、如权利要求56所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
58、如权利要求56所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
59、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为15微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
60、如权利要求59所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
61、如权利要求59所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
62、一种照明装置,包括至少一个固态发光体和至少一个荧光体,其特征在于,
所述荧光体包括磷光体颗粒,所述磷光体颗粒的平均颗粒大小约为20微米,
所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少60流明的输出光。
63、如权利要求62所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少70流明的输出光。
64、如权利要求62所述的照明装置,其特征在于,所述照明装置在用第一电力瓦特供电时发出光效为每电力瓦特至少80流明的输出光。
65、如权利要求1-64任一项所述的照明装置,其特征在于,所述至少一个固态发光体包括至少一个发光二极管。
66、如权利要求65所述的照明装置,其特征在于,所述至少一个发光二极管被点亮时将发出峰值波长在430nm至480nm之间的范围的光。
67、如权利要求1-66任一项所述的照明装置,其特征在于,所述至少一个荧光受到激发时将发出主波长在大约555nm至大约585nm之间的范围的光。
68、如权利要求1-67中任一项所述的照明装置,其特征在于,还包括至少第二固态发光体,其中所述第二固态发光体是在被点亮时发出主波长在600nm至630nm之间的范围的光的发光二极管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83945306P | 2006-08-23 | 2006-08-23 | |
US60/839,453 | 2006-08-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101554089A true CN101554089A (zh) | 2009-10-07 |
Family
ID=39107376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2007800307982A Pending CN101554089A (zh) | 2006-08-23 | 2007-08-22 | 照明装置和照明方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8310143B2 (zh) |
EP (2) | EP2060155A2 (zh) |
JP (1) | JP2010502014A (zh) |
KR (1) | KR20090048640A (zh) |
CN (1) | CN101554089A (zh) |
TW (1) | TWI421446B (zh) |
WO (1) | WO2008024385A2 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104025714A (zh) * | 2011-11-08 | 2014-09-03 | 松下电器产业株式会社 | 照明装置 |
CN106133433A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-16 | 赤多尼科詹纳斯多夫有限公司 | 用于产生白光的照明装置 |
Families Citing this family (134)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7521667B2 (en) * | 2003-06-23 | 2009-04-21 | Advanced Optical Technologies, Llc | Intelligent solid state lighting |
US7145125B2 (en) | 2003-06-23 | 2006-12-05 | Advanced Optical Technologies, Llc | Integrating chamber cone light using LED sources |
US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
US7564180B2 (en) | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
US7993021B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Multiple color lighting element cluster tiles for solid state lighting panels |
EP1949765B1 (en) * | 2005-11-18 | 2017-07-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting panels with variable voltage boost current sources |
US7872430B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-01-18 | Cree, Inc. | Solid state lighting panels with variable voltage boost current sources |
US8514210B2 (en) | 2005-11-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements |
BRPI0620413A2 (pt) * | 2005-12-21 | 2011-11-08 | Cree Led Lighting Solutions | dispositivo de iluminação e método de iluminação |
EP1963743B1 (en) | 2005-12-21 | 2016-09-07 | Cree, Inc. | Lighting device |
EP1969633B1 (en) | 2005-12-22 | 2018-08-29 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
TWI460880B (zh) | 2006-04-18 | 2014-11-11 | Cree Inc | 照明裝置及照明方法 |
US7821194B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US8998444B2 (en) * | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US9084328B2 (en) | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8513875B2 (en) * | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
US7997745B2 (en) | 2006-04-20 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
KR20140116536A (ko) * | 2006-05-31 | 2014-10-02 | 크리, 인코포레이티드 | 조명 장치 및 조명 방법 |
US7766508B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-08-03 | Cree, Inc. | LED lighting fixture |
US7665862B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-02-23 | Cree, Inc. | LED lighting fixture |
TWI426622B (zh) * | 2006-10-23 | 2014-02-11 | Cree Inc | 照明裝置及安裝光引擎殼體及/或調光元件於照明裝置殼體中之方法 |
US8029155B2 (en) * | 2006-11-07 | 2011-10-04 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
TWI496315B (zh) | 2006-11-13 | 2015-08-11 | Cree Inc | 照明裝置、被照明的殼體及照明方法 |
EP2084452B1 (en) * | 2006-11-14 | 2016-03-02 | Cree, Inc. | Lighting assemblies and components for lighting assemblies |
CN101611258A (zh) | 2006-11-14 | 2009-12-23 | 科锐Led照明科技公司 | 光引擎组件 |
WO2008067441A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device and lighting method |
US9441793B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
EP2095011A1 (en) | 2006-12-04 | 2009-09-02 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting assembly and lighting method |
WO2008073794A1 (en) | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8258682B2 (en) * | 2007-02-12 | 2012-09-04 | Cree, Inc. | High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods |
US20080198572A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
JP5476128B2 (ja) | 2007-02-22 | 2014-04-23 | クリー インコーポレイテッド | 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法 |
US7854590B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-12-21 | Bell Helicopter Textron Inc. | Rotor blade visual lights |
US7824070B2 (en) | 2007-03-22 | 2010-11-02 | Cree, Inc. | LED lighting fixture |
WO2008137906A1 (en) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Light fixtures and lighting devices |
CN101680604B (zh) | 2007-05-08 | 2013-05-08 | 科锐公司 | 照明装置和照明方法 |
JP2010527157A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-08-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明デバイスおよび照明方法 |
JP2010527155A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-08-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明デバイスおよび照明方法 |
EP2156090B1 (en) | 2007-05-08 | 2016-07-06 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8079729B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-12-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
JP2010527156A (ja) | 2007-05-08 | 2010-08-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明デバイスおよび照明方法 |
US8049709B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-11-01 | Cree, Inc. | Systems and methods for controlling a solid state lighting panel |
US7863635B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
US20090039375A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same |
BRPI0818048B1 (pt) * | 2007-10-10 | 2018-11-21 | Cree Led Lighting Solutions Inc | dispositivo de iluminação |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
ITPR20080029A1 (it) * | 2008-04-23 | 2009-10-24 | Coemar Spa | Dispositivo di illuminazione a led |
US8240875B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
US8858032B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8445824B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-05-21 | Cree, Inc. | Lighting device |
US10197240B2 (en) * | 2009-01-09 | 2019-02-05 | Cree, Inc. | Lighting device |
US7967652B2 (en) | 2009-02-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US8333631B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-12-18 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US8247886B1 (en) | 2009-03-09 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations |
US8950910B2 (en) | 2009-03-26 | 2015-02-10 | Cree, Inc. | Lighting device and method of cooling lighting device |
US8337030B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods |
US9841162B2 (en) | 2009-05-18 | 2017-12-12 | Cree, Inc. | Lighting device with multiple-region reflector |
US8791499B1 (en) | 2009-05-27 | 2014-07-29 | Soraa, Inc. | GaN containing optical devices and method with ESD stability |
US8921876B2 (en) * | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
US8716952B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-05-06 | Cree, Inc. | Lighting device having first, second and third groups of solid state light emitters, and lighting arrangement |
US8648546B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more saturated light emitters, and method of lighting |
US9000466B1 (en) | 2010-08-23 | 2015-04-07 | Soraa, Inc. | Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening |
US9605844B2 (en) | 2009-09-01 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Lighting device with heat dissipation elements |
US8502465B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-08-06 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with current density operation |
US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US20110186887A1 (en) * | 2009-09-21 | 2011-08-04 | Soraa, Inc. | Reflection Mode Wavelength Conversion Material for Optical Devices Using Non-Polar or Semipolar Gallium Containing Materials |
US8901845B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods |
US10264637B2 (en) | 2009-09-24 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof |
US9713211B2 (en) * | 2009-09-24 | 2017-07-18 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof |
US8777449B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-07-15 | Cree, Inc. | Lighting devices comprising solid state light emitters |
WO2011037876A1 (en) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Cree, Inc. | Lighting device having heat dissipation element |
KR20120094477A (ko) | 2009-09-25 | 2012-08-24 | 크리, 인코포레이티드 | 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치 |
US9353933B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-05-31 | Cree, Inc. | Lighting device with position-retaining element |
US8602579B2 (en) * | 2009-09-25 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Lighting devices including thermally conductive housings and related structures |
US9464801B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device with one or more removable heat sink elements |
WO2011037882A2 (en) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Cree, Inc. | Lighting device having heat dissipation element |
US9068719B2 (en) | 2009-09-25 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
US9285103B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
US9217542B2 (en) | 2009-10-20 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Heat sinks and lamp incorporating same |
US9030120B2 (en) | 2009-10-20 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Heat sinks and lamp incorporating same |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
US8604461B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated doping and related methods |
US8536615B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
US8508116B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements |
US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8740413B1 (en) * | 2010-02-03 | 2014-06-03 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
CN102782391B (zh) | 2010-02-12 | 2016-08-03 | 科锐公司 | 固态照明设备及其装配方法 |
US9518715B2 (en) * | 2010-02-12 | 2016-12-13 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
WO2011100193A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Cree, Inc. | Lighting device with heat dissipation elements |
US8773007B2 (en) | 2010-02-12 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
EP2534407A2 (en) | 2010-02-12 | 2012-12-19 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US8476836B2 (en) | 2010-05-07 | 2013-07-02 | Cree, Inc. | AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments |
US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
US9450143B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-09-20 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
US9648673B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-09 | Cree, Inc. | Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters |
US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
US8786053B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-07-22 | Soraa, Inc. | Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
US9839083B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-12-05 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
US8742671B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry |
US8686431B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-04-01 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
US9488324B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-11-08 | Soraa, Inc. | Accessories for LED lamp systems |
US8912025B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-16 | Soraa, Inc. | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process |
US9151457B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-06 | Cree, Inc. | Lighting device and method of installing light emitter |
US9151477B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-06 | Cree, Inc. | Lighting device and method of installing light emitter |
EP2823515A4 (en) | 2012-03-06 | 2015-08-19 | Soraa Inc | LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS |
US8971368B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation |
CN103629554B (zh) * | 2012-08-21 | 2016-07-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 照明装置 |
US9353917B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-05-31 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
US8802471B1 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-12 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
US11079079B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-08-03 | Ideal Industries Lighting, LLC | Troffer light fixture |
US11035527B1 (en) | 2020-07-23 | 2021-06-15 | Ideal Industries Lighting Llc | Troffer light fixture |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
US8994033B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-03-31 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
US10422998B1 (en) | 2015-06-03 | 2019-09-24 | Mark Belloni | Laser transformer lens |
US11892652B1 (en) | 2020-04-07 | 2024-02-06 | Mark Belloni | Lenses for 2D planar and curved 3D laser sheets |
US11781732B2 (en) | 2021-12-22 | 2023-10-10 | Ideal Industries Lighting Llc | Lighting fixture with lens assembly for reduced glare |
Family Cites Families (132)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5722581Y2 (zh) * | 1979-08-21 | 1982-05-17 | ||
US4476620A (en) * | 1979-10-19 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making a gallium nitride light-emitting diode |
JPS60118912U (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-12 | アルプス電気株式会社 | 反射型光学式ロ−タリエンコ−ダのコ−ドホイ−ル |
US4866005A (en) * | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
US4865685A (en) * | 1987-11-03 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
US4981551A (en) * | 1987-11-03 | 1991-01-01 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
JPH0770755B2 (ja) * | 1988-01-21 | 1995-07-31 | 三菱化学株式会社 | 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
US4912532A (en) * | 1988-08-26 | 1990-03-27 | Hewlett-Packard Company | Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same |
US4918497A (en) | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US5027168A (en) | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US4918487A (en) | 1989-01-23 | 1990-04-17 | Coulter Systems Corporation | Toner applicator for electrophotographic microimagery |
US5087949A (en) * | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
US4966862A (en) | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
US5103271A (en) * | 1989-09-28 | 1992-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
US4946547A (en) * | 1989-10-13 | 1990-08-07 | Cree Research, Inc. | Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth |
US5210051A (en) | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
US5200022A (en) * | 1990-10-03 | 1993-04-06 | Cree Research, Inc. | Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product |
FR2679253B1 (fr) * | 1991-07-15 | 1994-09-02 | Pasteur Institut | Proteines de resistance a la cycloheximide. utilisation comme marqueur de selection par exemple pour controler le transfert d'acides nucleiques. |
US5298767A (en) * | 1992-10-06 | 1994-03-29 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device |
US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
US5416342A (en) | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
US5338944A (en) | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
US5393993A (en) | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
US6958093B2 (en) | 1994-01-27 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same |
JPH08148280A (ja) * | 1994-04-14 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2994219B2 (ja) | 1994-05-24 | 1999-12-27 | シャープ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
US5604135A (en) | 1994-08-12 | 1997-02-18 | Cree Research, Inc. | Method of forming green light emitting diode in silicon carbide |
US5523589A (en) | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5631190A (en) | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
US5739554A (en) | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
US6153971A (en) * | 1995-09-21 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source with only two major light emitting bands |
US5779924A (en) | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
US6600175B1 (en) | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
US5985687A (en) | 1996-04-12 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials |
US5803579A (en) * | 1996-06-13 | 1998-09-08 | Gentex Corporation | Illuminator assembly incorporating light emitting diodes |
US6550949B1 (en) * | 1996-06-13 | 2003-04-22 | Gentex Corporation | Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle |
DE19640594B4 (de) * | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
US6043509A (en) | 1996-12-13 | 2000-03-28 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting diode having moisture-proof characteristics and high output power |
EP0985007B2 (en) * | 1997-02-24 | 2010-11-03 | Cabot Corporation | Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
US5939732A (en) * | 1997-05-22 | 1999-08-17 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof |
US6784463B2 (en) * | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
US7014336B1 (en) * | 1999-11-18 | 2006-03-21 | Color Kinetics Incorporated | Systems and methods for generating and modulating illumination conditions |
US6201262B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
US6225647B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-05-01 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same |
US6504180B1 (en) | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
EP1046196B9 (en) | 1998-09-28 | 2013-01-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting system |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
US6212213B1 (en) * | 1999-01-29 | 2001-04-03 | Agilent Technologies, Inc. | Projector light source utilizing a solid state green light source |
US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
US6329676B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-12-11 | Toru Takayama | Flat panel solid state light source |
US6258699B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same |
EP1065734B1 (en) * | 1999-06-09 | 2009-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
EP1059678A2 (en) | 1999-06-09 | 2000-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
KR100425566B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2004-04-01 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | 발광 다이오드 |
AU7617800A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion |
US6513949B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED/phosphor-LED hybrid lighting systems |
US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
US6657236B1 (en) | 1999-12-03 | 2003-12-02 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements |
US6646292B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-11-11 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Semiconductor light emitting device and method |
WO2001059851A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
DE10008583A1 (de) * | 2000-02-24 | 2001-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips |
US6538371B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-03-25 | The General Electric Company | White light illumination system with improved color output |
JP4060511B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2008-03-12 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子の分離方法 |
US6534346B2 (en) | 2000-05-16 | 2003-03-18 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass and glass tube for encapsulating semiconductors |
US6577073B2 (en) * | 2000-05-31 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lamp |
JP4386693B2 (ja) | 2000-05-31 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | Ledランプおよびランプユニット |
JP2002057376A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ledランプ |
US6562648B1 (en) * | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
DE10042947A1 (de) * | 2000-08-31 | 2002-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
JP3466144B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2003-11-10 | 士郎 酒井 | 半導体の表面を荒くする方法 |
US6429460B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-08-06 | United Epitaxy Company, Ltd. | Highly luminous light emitting device |
JP4091261B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
AU2002235132A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Emcore Corporation | Led packages having improved light extraction |
AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
US6468824B2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-22 | Uni Light Technology Inc. | Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate |
US6833566B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode with heat sink |
JP2002299699A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US6616862B2 (en) * | 2001-05-21 | 2003-09-09 | General Electric Company | Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same |
JP3940596B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 照明光源 |
EP1263058B1 (en) | 2001-05-29 | 2012-04-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting element |
US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
TW552726B (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device in use of LED |
US20030030063A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Krzysztof Sosniak | Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical |
EP2017901A1 (en) * | 2001-09-03 | 2009-01-21 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV |
US6552495B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-04-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination |
US6716654B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-04-06 | Opto Tech Corporation | Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same |
JP2004055772A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP4349782B2 (ja) | 2002-09-11 | 2009-10-21 | 東芝ライテック株式会社 | Led照明装置 |
CA2495149A1 (en) | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
TW200414572A (en) | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
US6786390B2 (en) * | 2003-02-04 | 2004-09-07 | United Epitaxy Company Ltd. | LED stack manufacturing method and its structure thereof |
US6936857B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-08-30 | Gelcore, Llc | White light LED device |
US20040173807A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-09 | Yongchi Tian | Garnet phosphors, method of making the same, and application to semiconductor LED chips for manufacturing lighting devices |
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
JP2004356116A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-16 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP4687460B2 (ja) | 2003-07-28 | 2011-05-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、led照明、led発光装置及び発光装置の制御方法 |
WO2005013365A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus |
US20050133808A1 (en) | 2003-09-11 | 2005-06-23 | Kyocera Corporation | Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus |
US6806112B1 (en) * | 2003-09-22 | 2004-10-19 | National Chung-Hsing University | High brightness light emitting diode |
US6972438B2 (en) | 2003-09-30 | 2005-12-06 | Cree, Inc. | Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating |
US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
JP4458804B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2010-04-28 | シチズン電子株式会社 | 白色led |
US6841804B1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-01-11 | Formosa Epitaxy Incorporation | Device of white light-emitting diode |
US7094362B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-08-22 | General Electric Company | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics |
JP2005142311A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tzu-Chi Cheng | 発光装置 |
EP1690301B1 (en) | 2003-11-12 | 2012-08-15 | Cree, Inc. | Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting diodes (leds) thereon |
US7144121B2 (en) | 2003-11-14 | 2006-12-05 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Dichroic beam combiner utilizing blue LED with green phosphor |
JP4277666B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2009-06-10 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体 |
US7095056B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-08-22 | Sensor Electronic Technology, Inc. | White light emitting device and method |
US7066623B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-06-27 | Soo Ghee Lee | Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes |
JP3931239B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光素子及び照明器具 |
US7202181B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-04-10 | Cres, Inc. | Etching of substrates of light emitting devices |
US7419912B2 (en) | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
KR20060000313A (ko) | 2004-06-28 | 2006-01-06 | 루미마이크로 주식회사 | 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물 |
TWI274209B (en) * | 2004-07-16 | 2007-02-21 | Chi Lin Technology Co Ltd | Light emitting diode and backlight module having light emitting diode |
US20060181192A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-08-17 | Gelcore | White LEDs with tailorable color temperature |
KR100524098B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2005-10-26 | 럭스피아 주식회사 | 반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
US7217583B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-05-15 | Cree, Inc. | Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension |
US7372198B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-05-13 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor |
JP2006152254A (ja) | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Showa Denko Kk | 蛍光体および蛍光体を用いたランプ。 |
US7419839B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
US7195944B2 (en) | 2005-01-11 | 2007-03-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light emitting diodes |
TWI389337B (zh) | 2005-05-12 | 2013-03-11 | Panasonic Corp | 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置,以及發光裝置之製造方法 |
US7213940B1 (en) | 2005-12-21 | 2007-05-08 | Led Lighting Fixtures, Inc. | Lighting device and lighting method |
-
2007
- 2007-08-22 CN CNA2007800307982A patent/CN101554089A/zh active Pending
- 2007-08-22 EP EP07811466A patent/EP2060155A2/en not_active Ceased
- 2007-08-22 JP JP2009525616A patent/JP2010502014A/ja active Pending
- 2007-08-22 US US11/843,243 patent/US8310143B2/en active Active
- 2007-08-22 KR KR1020097005891A patent/KR20090048640A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-08-22 EP EP19203646.5A patent/EP3624560A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-22 WO PCT/US2007/018543 patent/WO2008024385A2/en active Application Filing
- 2007-08-23 TW TW096131207A patent/TWI421446B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104025714A (zh) * | 2011-11-08 | 2014-09-03 | 松下电器产业株式会社 | 照明装置 |
CN106133433A (zh) * | 2014-03-27 | 2016-11-16 | 赤多尼科詹纳斯多夫有限公司 | 用于产生白光的照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200831824A (en) | 2008-08-01 |
EP2060155A2 (en) | 2009-05-20 |
JP2010502014A (ja) | 2010-01-21 |
WO2008024385A2 (en) | 2008-02-28 |
US20080084685A1 (en) | 2008-04-10 |
US8310143B2 (en) | 2012-11-13 |
WO2008024385A8 (en) | 2008-06-12 |
EP3624560A1 (en) | 2020-03-18 |
KR20090048640A (ko) | 2009-05-14 |
TWI421446B (zh) | 2014-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101554089A (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101720402B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101755164B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101711325B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101611259B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101688644B (zh) | 照明装置及照明方法 | |
CN101617411B (zh) | 照明装置及照明方法 | |
CN101711326B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101617405B (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101438630B (zh) | 照明装置及照明方法 | |
CN101473453B (zh) | 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容 | |
US8029155B2 (en) | Lighting device and lighting method | |
CN101554088B (zh) | 照明装置及照明方法 | |
US20130235303A1 (en) | Lighting device and lighting method | |
US20070278503A1 (en) | Lighting device and lighting method | |
CN101589268A (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101680604A (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN101449097A (zh) | 照明装置和照明方法 | |
CN102037785B (zh) | 照明装置及照明方法 | |
CN101529154A (zh) | 照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CREAT COMPANY Free format text: FORMER OWNER: LED LIGHTING FIXTURES INC. Effective date: 20110819 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20110819 Address after: North Carolina Applicant after: Cree Inc. Address before: North Carolina Applicant before: LED Lighting Fixtures Inc. |
|
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20091007 |